JP2011100024A - 有機el装置 - Google Patents
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- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 58
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 73
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 8
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 154
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 141
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 112
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 77
- 239000000463 material Substances 0.000 description 55
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 32
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 22
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 22
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 12
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 6
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 6
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 4
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 4
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 3
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 3
- DYLIWHYUXAJDOJ-OWOJBTEDSA-N (e)-4-(6-aminopurin-9-yl)but-2-en-1-ol Chemical compound NC1=NC=NC2=C1N=CN2C\C=C\CO DYLIWHYUXAJDOJ-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 102000034287 fluorescent proteins Human genes 0.000 description 2
- 108091006047 fluorescent proteins Proteins 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVQOOHYFBIDMTQ-UHFFFAOYSA-N [methyl(oxido){1-[6-(trifluoromethyl)pyridin-3-yl]ethyl}-lambda(6)-sulfanylidene]cyanamide Chemical compound N#CN=S(C)(=O)C(C)C1=CC=C(C(F)(F)F)N=C1 ZVQOOHYFBIDMTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- SYSQUGFVNFXIIT-UHFFFAOYSA-N n-[4-(1,3-benzoxazol-2-yl)phenyl]-4-nitrobenzenesulfonamide Chemical class C1=CC([N+](=O)[O-])=CC=C1S(=O)(=O)NC1=CC=C(C=2OC3=CC=CC=C3N=2)C=C1 SYSQUGFVNFXIIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 102000004169 proteins and genes Human genes 0.000 description 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
【解決手段】第1及び第2スイッチング素子と、第1及び第2スイッチング素子の上方に配置され第1スイッチング素子に到達するとともに第1凹所を形成する第1コンタクトホール及び第2スイッチング素子に到達するとともに第2凹所を形成する第2コンタクトホールが形成された絶縁膜と、絶縁膜の上に配置され第1コンタクトホールに延在し第1スイッチング素子に接続された第1画素電極と、絶縁膜の上において第1画素電極から離間して配置され第2コンタクトホールに延在し第2スイッチング素子に接続された第2画素電極と、第1凹所及び第2凹所にそれぞれ充填された充填部材と、第1画素電極の上、第2画素電極の上、充填部材の上、及び、第1画素電極と第2画素電極との間であって且つ絶縁膜の上に延在した有機層と、有機層の上に配置された対向電極と、を備えた有機EL装置。
【選択図】 図1
Description
絶縁基板と、前記絶縁基板の上方にそれぞれ配置された第1スイッチング素子及び第2スイッチング素子と、前記第1スイッチング素子及び前記第2スイッチング素子の上方に配置され、前記第1スイッチング素子に到達するとともに第1凹所を形成する第1コンタクトホール及び前記第2スイッチング素子に到達するとともに第2凹所を形成する第2コンタクトホールが形成された絶縁膜と、前記絶縁膜の上に配置され、前記第1コンタクトホールに延在し前記第1スイッチング素子に電気的に接続された第1画素電極と、前記絶縁膜の上において前記第1画素電極から離間して配置され、前記第2コンタクトホールに延在し前記第2スイッチング素子に電気的に接続された第2画素電極と、前記第1凹所及び前記第2凹所にそれぞれ充填され、絶縁材料によって形成された充填部材と、前記第1画素電極の上、前記第2画素電極の上、前記充填部材の上、及び、前記第1画素電極と前記第2画素電極との間であって且つ前記絶縁膜の上に延在した有機層と、前記有機層の上に配置された対向電極と、を備えたことを特徴とする有機EL装置が提供される。
絶縁基板と、前記絶縁基板の上方にそれぞれ配置された第1スイッチング素子及び第2スイッチング素子と、前記第1スイッチング素子及び前記第2スイッチング素子の上方に配置され、前記第1スイッチング素子に到達するとともに第1凹所を形成する第1コンタクトホール及び前記第2スイッチング素子に到達するとともに第2凹所を形成する第2コンタクトホールが形成された絶縁膜と、前記絶縁膜の上に配置され、前記第1コンタクトホールに延在し前記第1スイッチング素子に電気的に接続された第1画素電極と、前記絶縁膜の上において前記第1画素電極から離間して配置され、前記第2コンタクトホールに延在し前記第2スイッチング素子に電気的に接続された第2画素電極と、前記第1凹所及び前記第凹所にそれぞれ充填され、前記第1画素電極と前記第2画素電極との間であって且つ前記絶縁膜の上に配置され、絶縁材料によって形成された充填部材と、前記第1画素電極の上、前記第2画素電極の上、及び、前記充填部材の上に延在した有機層と、前記有機層の上に配置された対向電極と、を備えたことを特徴とする有機EL装置が提供される。
絶縁基板と、前記絶縁基板の上方にそれぞれ配置された第1スイッチング素子及び第2スイッチング素子と、前記第1スイッチング素子及び前記第2スイッチング素子の上方に配置され、前記第1スイッチング素子に到達するとともに第1凹所を形成する第1コンタクトホール及び前記第2スイッチング素子に到達するとともに第2凹所を形成する第2コンタクトホールが形成された絶縁膜と、前記絶縁膜の上に配置され、前記第1コンタクトホールに延在し前記第1スイッチング素子に電気的に接続された第1画素電極と、前記絶縁膜の上において前記第1画素電極から離間して配置され、前記第2コンタクトホールに延在し前記第2スイッチング素子に電気的に接続された第2画素電極と、少なくとも前記第1凹所及び前記第2凹所にそれぞれ充填され、絶縁材料によって形成された充填部材と、前記第1画素電極の上面及び側面、前記第2画素電極の上面及び側面、及び、前記充填部材に接した有機層と、前記有機層の上に配置された対向電極と、を備えたことを特徴とする有機EL装置が提供される。
OLED1…第1有機EL素子
OLED2…第2有機EL素子
OLED3…第3有機EL素子
101…絶縁基板
111…第1絶縁膜 112…第2絶縁膜 113…第3絶縁膜
114…第1層間絶縁膜 115…第2層間絶縁膜 CH…コンタクトホール
120…保護層 200…封止基板 300…樹脂層
SW…スイッチング素子
PE…画素電極 PEC…コンタクト部 PER…反射層 PET…透過層
ORG…有機層 CE…対向電極
FL…充填部材
Claims (5)
- 絶縁基板と、
前記絶縁基板の上方にそれぞれ配置された第1スイッチング素子及び第2スイッチング素子と、
前記第1スイッチング素子及び前記第2スイッチング素子の上方に配置され、前記第1スイッチング素子に到達するとともに第1凹所を形成する第1コンタクトホール及び前記第2スイッチング素子に到達するとともに第2凹所を形成する第2コンタクトホールが形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜の上に配置され、前記第1コンタクトホールに延在し前記第1スイッチング素子に電気的に接続された第1画素電極と、
前記絶縁膜の上において前記第1画素電極から離間して配置され、前記第2コンタクトホールに延在し前記第2スイッチング素子に電気的に接続された第2画素電極と、
前記第1凹所及び前記第2凹所にそれぞれ充填され、絶縁材料によって形成された充填部材と、
前記第1画素電極の上、前記第2画素電極の上、前記充填部材の上、及び、前記第1画素電極と前記第2画素電極との間であって且つ前記絶縁膜の上に延在した有機層と、
前記有機層の上に配置された対向電極と、
を備えたことを特徴とする有機EL装置。 - 前記画素電極の上面と前記充填部材の上面との段差、もしくは、前記画素電極の上面と前記絶縁膜の上面との段差は、0.2μm以下であることを特徴とする請求項1に記載の有機EL装置。
- 絶縁基板と、
前記絶縁基板の上方にそれぞれ配置された第1スイッチング素子及び第2スイッチング素子と、
前記第1スイッチング素子及び前記第2スイッチング素子の上方に配置され、前記第1スイッチング素子に到達するとともに第1凹所を形成する第1コンタクトホール及び前記第2スイッチング素子に到達するとともに第2凹所を形成する第2コンタクトホールが形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜の上に配置され、前記第1コンタクトホールに延在し前記第1スイッチング素子に電気的に接続された第1画素電極と、
前記絶縁膜の上において前記第1画素電極から離間して配置され、前記第2コンタクトホールに延在し前記第2スイッチング素子に電気的に接続された第2画素電極と、
前記第1凹所及び前記第凹所にそれぞれ充填され、前記第1画素電極と前記第2画素電極との間であって且つ前記絶縁膜の上に配置され、絶縁材料によって形成された充填部材と、
前記第1画素電極の上、前記第2画素電極の上、及び、前記充填部材の上に延在した有機層と、
前記有機層の上に配置された対向電極と、
を備えたことを特徴とする有機EL装置。 - 前記画素電極の上面と前記充填部材の上面との段差は、0.2μm以下であることを特徴とする請求項3に記載の有機EL装置。
- 絶縁基板と、
前記絶縁基板の上方にそれぞれ配置された第1スイッチング素子及び第2スイッチング素子と、
前記第1スイッチング素子及び前記第2スイッチング素子の上方に配置され、前記第1スイッチング素子に到達するとともに第1凹所を形成する第1コンタクトホール及び前記第2スイッチング素子に到達するとともに第2凹所を形成する第2コンタクトホールが形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜の上に配置され、前記第1コンタクトホールに延在し前記第1スイッチング素子に電気的に接続された第1画素電極と、
前記絶縁膜の上において前記第1画素電極から離間して配置され、前記第2コンタクトホールに延在し前記第2スイッチング素子に電気的に接続された第2画素電極と、
少なくとも前記第1凹所及び前記第2凹所にそれぞれ充填され、絶縁材料によって形成された充填部材と、
前記第1画素電極の上面及び側面、前記第2画素電極の上面及び側面、及び、前記充填部材に接した有機層と、
前記有機層の上に配置された対向電極と、
を備えたことを特徴とする有機EL装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009255270A JP5117473B2 (ja) | 2009-11-06 | 2009-11-06 | 有機el装置 |
US12/914,221 US20110108812A1 (en) | 2009-11-06 | 2010-10-28 | Organic el device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009255270A JP5117473B2 (ja) | 2009-11-06 | 2009-11-06 | 有機el装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011100024A true JP2011100024A (ja) | 2011-05-19 |
JP5117473B2 JP5117473B2 (ja) | 2013-01-16 |
Family
ID=44191246
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009255270A Active JP5117473B2 (ja) | 2009-11-06 | 2009-11-06 | 有機el装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5117473B2 (ja) |
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