JP2014123628A - 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 - Google Patents

有機エレクトロルミネッセンス表示装置及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2014123628A
JP2014123628A JP2012278537A JP2012278537A JP2014123628A JP 2014123628 A JP2014123628 A JP 2014123628A JP 2012278537 A JP2012278537 A JP 2012278537A JP 2012278537 A JP2012278537 A JP 2012278537A JP 2014123628 A JP2014123628 A JP 2014123628A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
forming
anode
organic
organic electroluminescence
organic layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2012278537A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2014123628A5 (ja
Inventor
Hiroshi Ooka
浩 大岡
Yuko Matsumoto
優子 松本
Takeshi Ogawara
健 大河原
Kohei Takahashi
恒平 高橋
Hirotsugu Sakamoto
博次 坂元
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Display Inc
Original Assignee
Japan Display Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Japan Display Inc filed Critical Japan Display Inc
Priority to JP2012278537A priority Critical patent/JP2014123628A/ja
Priority to US14/133,882 priority patent/US20140175412A1/en
Publication of JP2014123628A publication Critical patent/JP2014123628A/ja
Publication of JP2014123628A5 publication Critical patent/JP2014123628A5/ja
Priority to US15/072,486 priority patent/US20160204176A1/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14Carrier transporting layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17Carrier injection layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/302Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023Direction of light emission
    • H10K2102/3026Top emission
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/81Anodes
    • H10K50/818Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/805Electrodes
    • H10K59/8051Anodes
    • H10K59/80518Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

【課題】高輝度化と製品寿命の長期化を実現することが可能な有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、素子基板上にトランジスタを形成する工程と、前記トランジスタ上に有機エレクトロルミネッセンス発光素子を形成する工程と、を有し、前記有機エレクトロルミネッセンス発光素子を形成する工程が、画素に対応して陽極を形成する工程と、前記陽極の上面及び端面に高分子材料を付着させることにより、前記高分子材料からなる高分子有機層を形成する工程と、前記高分子有機層上に、少なくとも発光層を有する有機層を形成する工程と、前記有機層上に陰極を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【選択図】図3

Description

本発明は有機エレクトロルミネッセンス表示装置及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法に関する。
薄型で軽量な発光源として、有機エレクトロルミネッセンス(organic light emitting diode)、すなわち有機エレクトロルミネッセンス発光(electro luminescent)素子が注目を集めており、多数の有機エレクトロルミネッセンス発光素子を備える画像表示装置が開発されている。有機エレクトロルミネッセンス発光素子は、有機材料で形成された少なくとも一層の有機薄膜が、画素電極と対向電極とで挟まれた構造を有する。近年、このような有機エレクトロルミネッセンス発光素子を有する有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、その高輝度化と製品寿命の長期化が要求されている。
有機エレクトロルミネッセンス表示装置としては、例えば、素子基板と、素子基板に対向するように配置された対向基板と、を有している。素子基板上には、トランジスタと、トランジスタ上に設けられた平坦化膜と、画素に対応してマトリクス状に配列された、平坦化膜上に設けられた有機エレクトロルミネッセンス発光素子と、が設けられている。また、トランジスタと有機エレクトロルミネッセンス発光素子は平坦化膜に設けられたコンタクトホールを介して電気的に接続されている。有機エレクトロルミネッセンス発光素子は陽極(画素電極)と発光層を有する有機層と透明な陰極(対向電極)とを有しており、隣接する各有機エレクトロルミネッセンス発光素子同士の間には、絶縁体からなるバンクが形成されている(特許文献1参照)。
特開2010−287543号公報
このようにバンクが設けられた有機エレクトロルミネッセンス表示装置においては、バンクが設けられた領域の分、発光領域が少なくなる。このため、有機エレクトロルミネッセンス発光素子同士の間にバンクを設けずに有機エレクトロルミネッセンス発光素子を形成する方法が検討されている。
しかし、バンクを設けずに有機エレクトロルミネッセンス発光素子を形成すると、陽極の端部がバンクに覆われずに露出するため、陽極の端部と平坦化膜との間に、陽極の厚さの分、段差が生じる。このため、陽極上に有機層と陰極を形成すると、陽極の端部の側面(端面)と平坦膜上に付着した陰極の材料とが接触する。このため、陽極と陰極との間に短絡が発生し、有機エレクトロルミネッセンス発光素子の製品寿命が短縮するおそれが生じる。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、高輝度化と製品寿命の長期化を実現することが可能な有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
(1)本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、素子基板上にトランジスタを形成する工程と、前記トランジスタ上に有機エレクトロルミネッセンス発光素子を形成する工程と、を有し、前記有機エレクトロルミネッセンス発光素子を形成する工程が、画素に対応して陽極を形成する工程と、前記陽極の上面及び端面に高分子材料を付着させることにより、前記高分子材料からなる高分子有機層を形成する工程と、前記高分子有機層上に、少なくとも発光層を有する有機層を形成する工程と、前記有機層上に陰極を形成する工程と、を有することを特徴とする。
(2)本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、(1)において、前記トランジスタを形成する工程と前記有機エレクトロルミネッセンス発光素子を形成する工程の間に、前記トランジスタ上を覆う、絶縁性を有する平坦化膜を形成する工程と、前記トランジスタと前記陽極を接続するコンタクトホールを前記平坦化膜に形成する工程と、を有し、前記高分子有機層を形成する工程において、前記高分子材料を前記コンタクトホールに充填してもよい。
(3)本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、素子基板上にトランジスタを形成する工程と、前記トランジスタ上に有機エレクトロルミネッセンス発光素子を形成する工程と、を有し、前記有機エレクトロルミネッセンス発光素子を形成する工程が、画素に対応して陽極を形成する工程と、斜方蒸着により前記陽極の上面及び端面に低分子材料を付着させることにより、前記低分子材料からなる低分子有機層を形成する工程と、前記高分子有機層上に、少なくとも発光層を有する有機層を形成する工程と、前記有機層上に陰極を形成する工程と、前記有機層上に陰極を形成する工程と、を有することを特徴とする。
(4)本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、(3)において、前記トランジスタを形成する工程と前記有機エレクトロルミネッセンス発光素子を形成する工程の間に、前記トランジスタ上を覆う、絶縁性を有する平坦化膜を形成する工程と、前記トランジスタと前記陽極を接続するコンタクトホールを前記平坦化膜に形成する工程と、を有し、前記陽極を形成する工程と前記低分子有機層を形成する工程の間に、絶縁材料を前記コンタクトホールに充填してもよい。
(5)本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、素子基板と、前記素子基板上に形成されたトランジスタと、前記トランジスタ上に形成された有機エレクトロルミネッセンス発光素子と、を有し、前記有機エレクトロルミネッセンス発光素子が、画素に対応して形成された陽極と、前記陽極の上面及び端面に付着された高分子材料からなる高分子有機層と、前記高分子有機層上に形成された、少なくとも発光層を有する有機層と、前記有機層上を覆う陰極と、を有することを特徴とする。
(6)本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、(5)において、前記トランジスタと前記有機エレクトロルミネッセンス発光素子の間に形成された、絶縁性を有する平坦化膜と、前記平坦化膜に形成された、前記トランジスタと前記陽極を接続するコンタクトホールと、を有し、前記コンタクトホール内に前記高分子材料が充填されることにより、前記コンタクトホールと前記陰極が絶縁されていてもよい。
(7)本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、素子基板と、前記素子基板上に形成されたトランジスタと、前記トランジスタ上に形成された有機エレクトロルミネッセンス発光素子と、を有し、前記有機エレクトロルミネッセンス発光素子が、画素に対応して形成された陽極と、前記陽極の上面及び端面に付着された低分子材料からなる低分子有機層と、前記高分子有機層上に形成された、少なくとも発光層を有する有機層と、前記有機層上を覆う陰極と、を有することを特徴とする。
(8)本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、(7)において、前記トランジスタと前記有機エレクトロルミネッセンス発光素子の間に形成された、絶縁性を有する平坦化膜と、前記平坦化膜に形成された、前記トランジスタと前記陽極を接続するコンタクトホールと、を有し、前記コンタクトホール内に絶縁材料が充填されることにより、前記コンタクトホールと前記陰極が絶縁されていてもよい。
本発明における有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法によれば、陽極の端面に高分子材料を付着させることにより、高分子材料からなる高分子有機層を形成することにより、陽極の端面と陰極との接触が防がれる。このため、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法と比べ、陽極と陰極の短絡の発生を防ぐことができる。また、平坦化膜上にバンクを設ける工程を有する製造方法と比べ、発光領域の大きい有機エレクトロルミネッセンス表示装置を製造することができる。以上により、高輝度化と製品寿命の長期化を実現することが可能な有機エレクトロルミネッセンス表示装置を製造することができる。
図1は本発明の第1の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の概略平面図である。 図2は図1に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置のII−II切断線における概略断面図である。 図3は図2に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置のIII領域の部分拡大図である。 図4は第2の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置のIII領域に対応する領域の部分拡大図である。 図5は第1の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を示す、III領域に対応する領域の部分拡大図である。 図6は第1の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を示す、III領域に対応する領域の部分拡大図である。 図7は第2の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を示す、III領域に対応する領域の部分拡大図である。 図8は第2の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を示す、III領域に対応する領域の部分拡大図である。 図9は第2の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を示す、III領域に対応する領域の部分拡大図である。
以下、本発明の実施形態について図面に基づいて説明する。明細書中に出現する構成要素のうち同一機能を有するものには同じ符号を付し、その説明を省略する。なお、以下の説明において参照する図面は、特徴をわかりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などは実際と同じであるとは限らない。また、以下の説明において例示される材料等は一例であって、各構成要素はそれらと異なっていてもよく、その要旨を変更しない範囲で変更して実施することが可能である。
はじめに、本発明の第1の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置1について説明する。図1は本発明の第1の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置1の概略平面図であり、図2は図1に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置1のII−II切断線における概略断面図である。本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置1は、素子基板10と、フレキシブル回路基板2と、駆動ドライバ3と、素子基板10上に設けられた有機エレクトロルミネッセンス発光素子30と、封止膜40と、対向基板50と、を有している。
素子基板10は、例えば低温ポリシリコン層が形成された矩形の基板(以下、低温ポリシリコン基板という)であり、その上面10aに複数の有機エレクトロルミネッセンス発光素子30が設けられている。なお、ここでいう「低温ポリシリコン」とは、摂氏600℃以下の条件下で形成されたポリシリコンをいう。有機エレクトロルミネッセンス発光素子30は、例えば平面視で素子基板10よりも小さい外周を有する表示領域Dに設けられており、その外側の領域には、例えば光不透過膜からなるブラックマトリクスBMが配置されている。
素子基板10の上面10aのうち、有機エレクトロルミネッセンス発光素子30が形成されていない領域10aには、フレキシブル回路基板2が接続され、さらに、駆動ドライバ3が設けられている。駆動ドライバ3は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置1の外部からフレキシブル回路基板2を介して画像データを供給されるドライバである。駆動ドライバ3は画像データを供給されることにより、有機エレクトロルミネッセンス発光素子30に、図示しないデータ線を介して表示データを供給する。
次に、有機エレクトロルミネッセンス表示装置1の表示領域Dの構成について、その詳細を説明する。図3は図2に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置1のIII領域の部分拡大図である。このIII領域は、表示領域Dにおける1つの画素Pに対応する領域である。III領域の素子基板10上には、トランジスタ(薄膜トランジスタ)11と、有機エレクトロルミネッセンス発光素子30と、封止膜40と、対向基板50とが積層されている。
薄膜トランジスタ11は、有機エレクトロルミネッセンス発光素子30を駆動するためのトランジスタであり、素子基板10上に画素Pごとに設けられている。薄膜トランジスタ11は、例えば、ポリシリコン半導体層11a、ゲート絶縁層11b、ゲート線(ゲート電極)11c、ソース・ドレイン電極11d、第1の絶縁膜11e、第2の絶縁膜11fから構成されている。
薄膜トランジスタ11上には、絶縁性を有する平坦化膜13が薄膜トランジスタ11上を覆うように形成されている。平坦化膜13は、例えばSiOやSiN、アクリル、ポリイミド等からなる。平坦化膜13が薄膜トランジスタ11上に設けられていることにより、隣接する薄膜トランジスタ11間や、薄膜トランジスタ11と有機エレクトロルミネッセンス発光素子30の間が電気的に絶縁される。
平坦化膜13上の各画素Pに対応する領域には、反射膜31が設けられている。反射膜31は、有機エレクトロルミネッセンス発光素子30から発出した光を封止膜40側へ向けて反射するために設けられている。反射膜31は、光反射率が高いほど好ましく、例えばアルミニウムや銀(Ag)等からなる金属膜を用いることができる。
有機エレクトロルミネッセンス発光素子30は、例えば反射膜31を介して平坦化膜13上に設けられている。有機エレクトロルミネッセンス発光素子30は、平坦化膜13上(反射膜31上)に形成された陽極32と、高分子有機層33aと、少なくとも発光層33cを有する有機層33bと、有機層33b上を覆うように形成された陰極34と、から概略構成されている。
陽極32は、各画素Pに対応して、マトリクス状に形成されている。陽極32は例えばITO(Indium Tin Oxide)等の透光性及び導電性を有する材料からなり、反射膜31上を覆うように形成されている。反射膜31が銀等の金属からなり、かつ、陽極32に接触するものであれば、反射膜31は陽極32の一部となる。
陽極32は、平坦化膜13に形成されたコンタクトホール32aを介して、薄膜トランジスタ11に電気的に接続されている。このような構成を有することにより、薄膜トランジスタ11から供給される駆動電流は、陽極32を介して高分子有機層33aと有機層33bに注入される。
高分子有機層33aは、陽極32の上面32b及び端面32cに付着された高分子材料から形成されている。この高分子材料は、端面32cの全面にわたって付着されており、隣接する陽極32同士の接触と、陽極32と陰極34との接触を防いでいる。高分子有機層33aは、例えば、陽極32から注入されたホール(正孔)を発光層に伝達する、ホール注入層やホール輸送層の機能を有していてもよい。
また、高分子材料は平坦化膜13の表面に付着されることにより、平坦化膜13上にも高分子有機層33aを構成している。このような構成を有することにより、隣接する陽極32同士の接触が防がれている。
なお、本実施形態における端面32cとは、陽極32を対向基板50の方向から見た場合の外周の側面を示す。なお、高分子有機層33aは高分子材料からなり、陽極32からの電流を有機層33bに送ることが可能であれば、その材料は限定されない。また、金属からなる反射膜31が陽極32と接触する構成の場合は、反射膜31の端面も、その全面にわたって高分子材料が付着されていることが好ましい。
また、高分子有機層33aを構成する高分子材料は、コンタクトホール32a内に充填されている。このような構成を有することにより、コンタクトホール32aは陰極34と絶縁されている。
有機層33bは、高分子有機層33a上を覆うように形成されている。有機層33bは例えば、陽極32側から順に、発光層33c、図示しない電子輸送層、電子注入層が積層してなる。なお、有機層33bの積層構造はここに挙げたものに限られず、少なくとも発光層33cを有するものであれば、その積層構造は特定されない。また、有機層33bは、低分子材料からなる層の積層構造でも、高分子材料からなる層の積層構造でも、これらの層の組み合わせからなるものであってもよい。
発光層33cは、例えば、正孔と電子とが結合することによって発光する有機エレクトロルミネッセンス物質から構成されている。発光層33cは白色光を発するものであっても、その他の色の光を発するものであってもよい。
陰極34は、有機層33b(発光層33c)上を覆うように形成されている。陰極34は複数の有機エレクトロルミネッセンス発光素子30の有機層33bに共通に接触する、透明な共通電極である。陰極34は、例えばITO等の透光性及び導電性を有する材料からなる。
陰極34の上面は、封止膜40によって覆われている。封止膜40は、例えば、窒化珪素(SiN)層を有していることが好ましいが、例えばSiO層、SiON層、樹脂層などを有していてもよい。また、封止膜40は、これらの材料からなる単層膜であっても、積層構造であってもよい。
封止膜40の上面は、例えば対向基板50によって覆われている。対向基板50は、例えば平面視で第1基板10よりも小さい外周を有するガラス基板であり、封止膜40を介して素子基板10と対向するように設けられている。なお、対向基板50に代えて、封止膜40の表面を保護する、膜状の保護膜が封止膜40上に形成されていてもよい。
本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置1は、陽極32の端面32cに高分子材料が付着されることにより高分子有機層33aが形成されている。これにより、隣接する陽極32同士の間にバンクが形成されていなくても、陽極32の端面32cと陰極34との接触が防がれる。このため、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、発光領域が広く、かつ、陽極32と陰極34の短絡の発生を防ぐことができる。以上により、有機エレクトロルミネッセンス表示装置1の高輝度化と製品寿命の長期化を実現することができる。
また、本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置1は、コンタクトホール32a内に充填された高分子材料により、コンタクトホール32aと陰極34との接触が防がれる。このため、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、コンタクトホール32aと陰極34の短絡の発生が防がれ、製品寿命の長期化を実現することができる。
次いで、第2の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置1について説明する。図4は第2の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置1のIII領域に対応する領域の部分拡大図である。第2の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置1は、コンタクトホール32a内が絶縁材料35により充填され、陽極32の上面32b及び端面32cが、上面32b及び端面32cに付着した低分子材料からなる低分子有機層33dで覆われ、有機層33bが低分子有機層33dを覆うように形成されている点が、第1の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置1と異なっている。以下、絶縁材料35と低分子有機層33dに関する構成について説明し、第1の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置1と同様の構成についてはその説明を省略する。
絶縁材料35は、コンタクトホール32a内に充填されている。絶縁材料35の上面35aは、陽極32の上面32bよりも下に位置し、かつ、上面32bに近い位置にあるほど好ましい。絶縁材料35は、絶縁性を有し、コンタクトホール32aと陰極34を絶縁できるものであれば、その材料は制限されない。このような構成を有することにより、コンタクトホール32aと陰極34との接触が防がれる。
低分子有機層33dは、陽極32の上面32b及び端面32cに付着された低分子材料から形成されている。この低分子材料は、端面32cの全面にわたって付着されており、隣接する陽極32同士の接触と、陽極32と陰極34との接触を防いでいる。
また、低分子材料は平坦化膜13の表面に付着されることにより、平坦化膜13上にも低分子有機層33dを構成している。このような構成を有することにより、隣接する陽極32同士の接触が防がれている。
低分子有機層33dは低分子材料からなり、陽極32からの電流を有機層33b(発光層33c)に送ることが可能であれば、その材料は限定されない。また、低分子有機層33dは、例えば、陽極32から注入されたホール(正孔)を発光層に伝達する、ホール注入層やホール輸送層の機能を有していてもよい。また、金属からなる反射膜31が陽極32と接触する構成の場合は、反射膜31の端面も、その全面にわたって低分子材料が付着されていることが好ましい。
低分子有機層33d上は、少なくとも発光層33cを有する有機層33bによって覆われている。また、有機層33b上には、陰極34と封止膜40と対向基板50が積層されている。
本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置1は、陽極32の端面32cに低分子材料が付着されることにより低分子有機層33dが形成されている。これにより、隣接する陽極32同士の間にバンクが形成されていなくても、陽極32の端面32cと陰極34との接触が防がれる。このため、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、発光領域が広く、かつ、陽極32と陰極34の短絡の発生を防ぐことができる。以上により、有機エレクトロルミネッセンス表示装置1の高輝度化と製品寿命の長期化を実現することができる。
また、本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置1は、コンタクトホール32a内に充填された絶縁材料35により、コンタクトホール32aと陰極34との接触が防がれる。このため、コンタクトホール32aと陰極34の短絡の発生を防ぐことができる。また、絶縁材料35の上面35aが低分子有機層33dによって覆われていることにより、コンタクトホール32aと有機層33bとの短絡の発生を防ぐことができる。このため、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、製品寿命の長期化を実現することができる。
次いで、本発明の第1の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置1の製造方法について図面を用いて説明する。図5、図6は第1の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置1の製造方法を示す、III領域に対応する領域の部分拡大図である。
本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置1の製造方法は、素子基板10上に薄膜トランジスタ11を形成する工程と、平坦化膜13を形成する工程と、コンタクトホール32aを形成する工程と、有機エレクトロルミネッセンス発光素子30を形成する工程と、封止膜40を形成する工程と、対向基板50を配置する工程と、を有する。
初めに、素子基板10上に薄膜トランジスタ11を形成する。まず、例えば矩形の低温ポリシリコン基板である素子基板10を用意する。次いで、素子基板10の表示領域D上に、ポリシリコン半導体層11a、ゲート絶縁層11b、ゲート線(ゲート電極)11c、ソース・ドレイン電極11d、第1の絶縁膜11e、第2の絶縁膜11fなどを積層することにより、薄膜トランジスタ11を形成する。
次いで、薄膜トランジスタ11上を覆うように、絶縁性を有する平坦化膜13を形成する。平坦化膜13の材料は、例えばSiOやSiN、アクリル、ポリイミド等を用いることができる。次いで、薄膜トランジスタ11のソース・ドレイン電極11dを露出するコンタクトホール32aを形成する。この後、アルミニウムや銀(Ag)等の金属膜からなる反射膜31を平坦化膜13上の各画素Pに対応する領域に形成する。
次いで、平坦化膜13上(反射膜31上)の各画素Pに対応する領域に有機エレクトロルミネッセンス発光素子30を形成する。有機エレクトロルミネッセンス発光素子30を形成する工程は、陽極32を形成する工程と、高分子有機層33aを形成する工程と、少なくとも発光層33cを有する有機層33bを形成する工程と、陰極34を形成する工程と、を有する。
まず、画素Pに対応して、平坦化膜13上(反射膜31上)を覆うように、例えばITO等の透光性及び導電性を有する材料からなる陽極32を形成する。これにより、陽極32は、コンタクトホール32aを介して、薄膜トランジスタ11に電気的に接続される。なお、金属からなる反射膜31の上面に接するように陽極32を形成した場合、反射膜31は陽極32の一部となる。
次いで、例えばインクジェット法により、陽極32の上面32b及び端面32cの全面に高分子材料を付着させることにより、高分子材料からなる高分子有機層33aを形成する。これにより、隣接する陽極32同士の接触と、陽極32と陰極34との接触が防がれる。
また、平坦化膜13の表面にも高分子材料を付着させることにより、平坦化膜13上にも高分子有機層33aを形成する。これにより、隣接する陽極32同士の接触が防がれる。なお、金属からなる反射膜31が陽極32と接触する構成の場合は、反射膜31の端面にも、その全面にわたって高分子材料を付着させることが好ましい。
この高分子有機層33aは、例えば、陽極32から注入されたホール(正孔)を発光層33cに伝達する、ホール注入層やホール輸送層の機能を有していてもよい。また、高分子材料は、陽極32からの電流を有機層33bに送ることが可能であれば、その材料は限定されない。なお、高分子有機層33aを形成する際に、その材料である高分子材料をコンタクトホール32aに充填することが好ましい。
次いで、図6に示すように、高分子有機層33a上を覆うように、少なくとも発光層33cを有する有機層33bを形成する。有機層33bを形成する方法としては例えば、真空蒸着法により、低分子の有機材料を高分子有機層33a上に蒸着させる方法を用いることができる。
有機層33bは例えば、陽極32側から順に、発光層33c、電子輸送層、電子注入層を積層することにより形成される。なお、有機層33bの積層構造はここに挙げたものに限られず、少なくとも発光層33cを有するものであれば、その積層構造は特定されない。また、有機層33bは、低分子材料からなる層を積層させても、高分子材料からなる層を積層させても、または、これらの層を組み合わせることにより形成してもよい。
次いで、有機層33b上(発光層33c)上を覆うように、例えばITO等の透光性及び導電性を有する材料からなる陰極34を形成する。以上により、有機エレクトロルミネッセンス発光素子30が形成される。
次いで、有機エレクトロルミネッセンス発光素子30(陰極34)の上面を覆うように、例えば、窒化珪素(SiN)層を有する封止膜40を形成する。次いで、封止膜40の上面を覆うように、例えばガラス基板からなる対向基板50を配置する。本実施形態における対向基板50は、平面視で第1基板10よりも小さい外周を有する。なお、対向基板50に代えて、封止膜40の表面を保護する、膜状の保護膜を封止膜40上に形成してもよい。
その後、素子基板10の上面に、図1のフレキシブル回路基板2と駆動ドライバ3を設けることにより、本実施形態の有機エレクトロルミネッセンス表示装置1が形成される。
本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置1の製造方法は、高分子材料を陽極32の端面32cの全面にわたって付着させることにより高分子有機層33aを形成する。これにより、隣接する陽極32同士の間にバンクを形成することなく、陽極32の端面32cと陰極34との接触を防ぐことができる。このため、本工程を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法と比べ、発光領域が広く、かつ、陽極32と陰極34の短絡の発生を防ぐことが可能な有機エレクトロルミネッセンス表示装置1を製造することができる。以上により、有機エレクトロルミネッセンス表示装置1の高輝度化と製品寿命の長期化を実現することができる。
また、本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置1の製造方法は、コンタクトホール32a内に高分子材料を充填することにより、コンタクトホール32aと陰極34の短絡の発生を防ぐことができる。このため、本工程を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法と比べ、有機エレクトロルミネッセンス表示装置1の製品寿命の長期化を実現することができる。
次いで、本発明の第2の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置1の製造方法について図面を用いて説明する。図7乃至9は第2の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置1の製造方法を示す、III領域に対応する領域の部分拡大図である。
第2の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置1の製造方法は、コンタクトホール32aに絶縁材料35を充填する工程と、低分子材料からなる低分子有機層33dを形成する工程を有する点が、第1の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置1の製造方法と異なっている。以下、低分子有機層33dを形成する工程と、コンタクトホール32aに絶縁材料35を充填する工程について説明し、第1の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置1の製造方法と同様の工程についてはその詳細な説明を省略する。
まず、第1の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置1の製造方法と同様に、素子基板10上に薄膜トランジスタ11と平坦化膜13と反射膜31と陽極32を順次形成する。これらの工程は、第1の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置1の製造方法と同様であるため、その詳細な説明については省略する。
次いで、図7に示すように、例えばインクジェット法により、コンタクトホール32a内に絶縁材料35を充填する。絶縁材料35の充填量は、絶縁材料35の上面35aが、陽極32の上面32bよりも下に位置し、かつ、上面32bに近い位置になるように適宜設定することが好ましい。また、絶縁材料35を充填する方法は、インクジェット法に限られず、その他の方法を用いてもよい。なお、絶縁材料35は、絶縁性を有するものであれば、その材料は制限されない。
次いで、蒸着方向Sからの斜方蒸着によって、陽極32の上面32b及び端面32cの全面に低分子材料を付着させることにより、低分子材料からなる低分子有機層33dを形成する。また、平坦化膜13の表面にも低分子材料を付着させることにより、平坦化膜13上にも低分子有機層33dを形成する。
なお、この蒸着方向Sと陽極32の上面32bの成す角度を角度θとすると、角度θは鋭角(θ<90°)となる。角度θの値については、端面32cの全面に低分子材料が付着するように、陽極32の厚さに応じて適宜設定すればよい。また、金属からなる反射膜31が陽極32と接触する構成の場合は、反射膜31の端面の全面にも低分子材料を付着させることが好ましい。また、本工程においては、素子基板10を回転させながら斜方蒸着を行っても良い。
次いで、図8に示すように、低分子有機層33d上を覆うように、少なくとも発光層33cを有する有機層33bを形成する。次いで、図9に示すように、有機層33b上(発光層33c)上を覆うように陰極34を形成する。以上により、有機エレクトロルミネッセンス発光素子30が形成される。
その後、封止膜40と対向基板50を形成し、素子基板10の上面に図1に示すフレキシブル回路基板2と駆動ドライバ3を設けることにより、本実施形態の有機エレクトロルミネッセンス表示装置1が形成される。
本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置1の製造方法は、陽極32の端面32cに低分子材料を付着させることにより低分子有機層33dを形成する。これにより、隣接する陽極32同士の間にバンクを形成することなく、陽極32の端面32cと陰極34との接触を防ぐことができる。このため、本工程を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法と比べ、発光領域が広く、かつ、陽極32と陰極34の短絡の発生を防ぐことが可能な有機エレクトロルミネッセンス表示装置1を製造することができる。以上により、有機エレクトロルミネッセンス表示装置1の高輝度化と製品寿命の長期化を実現することができる。
また、本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置1の製造方法は、コンタクトホール32a内に絶縁材料35を充填することにより、コンタクトホール32aと陰極34の短絡の発生を防ぐことができる。このため、本工程を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法と比べ、有機エレクトロルミネッセンス表示装置1の製品寿命の長期化を実現することができる。
また、本工程においては、素子基板10を回転させながら斜方蒸着を行うことにより、本工程を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法よりも、陽極32の端面32cに付着する低分子材料が多くなる。このため、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置1の製造方法と比べて端面32cに形成される低分子有機層33dが厚くなり、陽極32の端面32cと陰極34との短絡の発生をより確実に防ぐことができる。
以上、本発明の実施形態を説明してきたが、本発明は、上述した実施形態には限られない。例えば、上述した実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成、又は同一の目的を達成することができる構成により置き換えてもよい。
1 有機エレクトロルミネッセンス表示装置、2 フレキシブル回路基板、3 駆動ドライバ、10 素子基板、10a 上面、11 薄膜トランジスタ、13 平坦化膜、30 有機エレクトロルミネッセンス発光素子、31 反射膜、32 陽極、32a コンタクトホール、32b 上面、32c 端面、33a 高分子有機層、33b 有機層、33c 発光層、33d 低分子有機層、34 陰極、35 絶縁材料、40 封止膜、50 対向基板、D 表示領域、P 画素、S 蒸着方向、θ 角度。

Claims (8)

  1. 素子基板上にトランジスタを形成する工程と、
    前記トランジスタ上に有機エレクトロルミネッセンス発光素子を形成する工程と、を有し、
    前記有機エレクトロルミネッセンス発光素子を形成する工程が、
    画素に対応して陽極を形成する工程と、
    前記陽極の上面及び端面に高分子材料を付着させることにより、前記高分子材料からなる高分子有機層を形成する工程と、
    前記高分子有機層上に、少なくとも発光層を有する有機層を形成する工程と、
    前記有機層上に陰極を形成する工程と、
    を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
  2. 請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、
    前記トランジスタを形成する工程と前記有機エレクトロルミネッセンス発光素子を形成する工程の間に、
    前記トランジスタ上を覆う、絶縁性を有する平坦化膜を形成する工程と、
    前記トランジスタと前記陽極を接続するコンタクトホールを前記平坦化膜に形成する工程と、を有し、
    前記高分子有機層を形成する工程において、
    前記高分子材料を前記コンタクトホールに充填することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
  3. 素子基板上にトランジスタを形成する工程と、
    前記トランジスタ上に有機エレクトロルミネッセンス発光素子を形成する工程と、を有し、
    前記有機エレクトロルミネッセンス発光素子を形成する工程が、
    画素に対応して陽極を形成する工程と、
    斜方蒸着により前記陽極の上面及び端面に低分子材料を付着させることにより、前記低分子材料からなる低分子有機層を形成する工程と、
    前記高分子有機層上に、少なくとも発光層を有する有機層を形成する工程と、
    前記有機層上に陰極を形成する工程と、
    を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
  4. 請求項3に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、
    前記トランジスタを形成する工程と前記有機エレクトロルミネッセンス発光素子を形成する工程の間に、
    前記トランジスタ上を覆う、絶縁性を有する平坦化膜を形成する工程と、
    前記トランジスタと前記陽極を接続するコンタクトホールを前記平坦化膜に形成する工程と、を有し、
    前記陽極を形成する工程と前記低分子有機層を形成する工程の間に、
    絶縁材料を前記コンタクトホールに充填することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
  5. 素子基板と、
    前記素子基板上に形成されたトランジスタと、
    前記トランジスタ上に形成された有機エレクトロルミネッセンス発光素子と、を有し、
    前記有機エレクトロルミネッセンス発光素子が、
    画素に対応して形成された陽極と、
    前記陽極の上面及び端面に付着された高分子材料からなる高分子有機層と、
    前記高分子有機層上に形成された、少なくとも発光層を有する有機層と、
    前記有機層上を覆う陰極と、
    を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
  6. 請求項5に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
    前記トランジスタと前記有機エレクトロルミネッセンス発光素子の間に形成された、絶縁性を有する平坦化膜と、
    前記平坦化膜に形成された、前記トランジスタと前記陽極を接続するコンタクトホールと、を有し、
    前記コンタクトホール内に前記高分子材料が充填されることにより、前記コンタクトホールと前記陰極が絶縁されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
  7. 素子基板と、
    前記素子基板上に形成されたトランジスタと、
    前記トランジスタ上に形成された有機エレクトロルミネッセンス発光素子と、を有し、
    前記有機エレクトロルミネッセンス発光素子が、
    画素に対応して形成された陽極と、
    前記陽極の上面及び端面に付着された低分子材料からなる低分子有機層と、
    前記高分子有機層上に形成された、少なくとも発光層を有する有機層と、
    前記有機層上を覆う陰極と、
    を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
  8. 請求項7に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
    前記トランジスタと前記有機エレクトロルミネッセンス発光素子の間に形成された、絶縁性を有する平坦化膜と、
    前記平坦化膜に形成された、前記トランジスタと前記陽極を接続するコンタクトホールと、を有し、
    前記コンタクトホール内に絶縁材料が充填されることにより、前記コンタクトホールと前記陰極が絶縁されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
JP2012278537A 2012-12-20 2012-12-20 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 Pending JP2014123628A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012278537A JP2014123628A (ja) 2012-12-20 2012-12-20 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
US14/133,882 US20140175412A1 (en) 2012-12-20 2013-12-19 Organic luminescent display device and method of manufacturing at organic luminescent display device
US15/072,486 US20160204176A1 (en) 2012-12-20 2016-03-17 Display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012278537A JP2014123628A (ja) 2012-12-20 2012-12-20 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014123628A true JP2014123628A (ja) 2014-07-03
JP2014123628A5 JP2014123628A5 (ja) 2016-02-12

Family

ID=50973622

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012278537A Pending JP2014123628A (ja) 2012-12-20 2012-12-20 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (2) US20140175412A1 (ja)
JP (1) JP2014123628A (ja)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6075316A (en) * 1997-12-15 2000-06-13 Motorola, Inc. Full color organic electroluminescent display device and method of fabrication
JP2001267071A (ja) * 2000-02-22 2001-09-28 Tohoku Pioneer Corp 有機エレクトロルミネセンス表示パネル及びその製造方法
US20050116240A1 (en) * 2003-11-26 2005-06-02 Mu-Hyun Kim Flat panel display
JP2006114498A (ja) * 2004-10-11 2006-04-27 Samsung Sdi Co Ltd 有機電界発光表示装置及び有機電界発光表示装置の製造方法
JP2011100024A (ja) * 2009-11-06 2011-05-19 Toshiba Mobile Display Co Ltd 有機el装置
WO2012073270A1 (ja) * 2010-11-29 2012-06-07 パナソニック株式会社 有機発光素子の製造方法、有機発光素子、発光装置、表示パネル、および表示装置
US20130109117A1 (en) * 2011-10-28 2013-05-02 Samsung Display Co., Ltd. Methods of Forming Organic Light Emitting Structures and Methods of Manufacturing Organic Light Emitting Display Devices

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW495808B (en) * 2000-02-04 2002-07-21 Semiconductor Energy Lab Thin film formation apparatus and method of manufacturing self-light-emitting device using thin film formation apparatus
US7129918B2 (en) * 2000-03-10 2006-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and method of driving electronic device
EP1802706B1 (en) * 2004-10-22 2014-10-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Composite material and light emitting element
KR100708714B1 (ko) * 2005-09-30 2007-04-17 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법
WO2011067895A1 (ja) * 2009-12-04 2011-06-09 パナソニック株式会社 有機elデバイスおよびその製造方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6075316A (en) * 1997-12-15 2000-06-13 Motorola, Inc. Full color organic electroluminescent display device and method of fabrication
JP2001267071A (ja) * 2000-02-22 2001-09-28 Tohoku Pioneer Corp 有機エレクトロルミネセンス表示パネル及びその製造方法
US20050116240A1 (en) * 2003-11-26 2005-06-02 Mu-Hyun Kim Flat panel display
JP2005158672A (ja) * 2003-11-26 2005-06-16 Samsung Sdi Co Ltd 平板表示装置
JP2006114498A (ja) * 2004-10-11 2006-04-27 Samsung Sdi Co Ltd 有機電界発光表示装置及び有機電界発光表示装置の製造方法
JP2011100024A (ja) * 2009-11-06 2011-05-19 Toshiba Mobile Display Co Ltd 有機el装置
WO2012073270A1 (ja) * 2010-11-29 2012-06-07 パナソニック株式会社 有機発光素子の製造方法、有機発光素子、発光装置、表示パネル、および表示装置
US20130109117A1 (en) * 2011-10-28 2013-05-02 Samsung Display Co., Ltd. Methods of Forming Organic Light Emitting Structures and Methods of Manufacturing Organic Light Emitting Display Devices

Also Published As

Publication number Publication date
US20160204176A1 (en) 2016-07-14
US20140175412A1 (en) 2014-06-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11849599B2 (en) Display device having a sealing film including multiple layers
US9570706B2 (en) Organic light-emitting diode (OLED) display having a plurality of spacers covering one or more via holes
KR102090703B1 (ko) 유기발광표시장치 및 그 제조방법
KR102318418B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR101980233B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
EP2157610B1 (en) Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same
JP6310668B2 (ja) 表示装置及び表示装置の製造方法
KR102664048B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
JP6399801B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
KR20100088883A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US9190624B2 (en) Organic light emitting diode display
US10431762B2 (en) Display device and manufacturing method thereof
JP2014086314A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
CN109119438B (zh) 显示基板及其制造方法、显示装置
US9337440B2 (en) Organic luminescent display device
US20190058024A1 (en) Organic light emitting diode display panel and method for manufacturing same
US9293740B2 (en) Method of manufacturing EL display device
KR102153390B1 (ko) 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
JP2014123628A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
JP2015069925A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20151217

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20151217

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20160804

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160830

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20161013

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20170404