KR20100088883A - 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 제1 발광 영역과 제1 비발광 영역으로 구분된 복수의 제1 유기 발광 소자들과 상기 제1 유기 발광 소자를 구동하는 제1 구동 회로부를 갖는 제1 기판, 그리고 제2 발광 영역과 제2 비발광 영역으로 구분된 복수의 제2 유기 발광 소자들과 상기 제2 유기 발광 소자들을 구동하는 제2 구동 회로부를 갖는 제2 기판을 포함하며, 상기 제1 유기 발광 소자의 제1 발광 영역은 상기 제2 유기 발광 소자의 제2 비발광 영역과 대향 배치되고, 상기 제2 유기 발광 소자의 제2 발광 영역은 상기 제1 유기 발광 소자의 제1 비발광 영역과 대향 배치된다.
고해상도, 유기 발광 소자, 유기 발광 표시 장치
Description
본 발명은 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 효과적으로 해상도를 증가시킨 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치(organic light emitting diode display)는 자발광 특성을 가지며, 액정 표시 장치(liquid crystal display)와 달리 별도의 광원을 필요로 하지 않으므로 두께와 무게를 줄일 수 있다. 또한, 유기 발광 표시 장치는 낮은 소비 전력, 높은 휘도 및 높은 반응 속도 등의 고품위 특성을 나타내므로 휴대용 전자 기기의 차세대 표시 장치로 주목받고 있다.
일반적으로 유기 발광 표시 장치는 복수의 화소들을 통해 화상을 표시한다. 여기서, 화소는 화상을 표시하는 최소 단위를 말한다. 그리고 각 화소들 마다 유기 발광 소자(organic light emitting diode)가 형성된다. 즉, 유기 발광 표시 장치는 각 화소들 마다 형성된 유기 발광 소자에서 방출되는 빛을 통해 화상을 표시한다. 유기 발광 소자는 정공 주입 전극, 유기 발광층, 및 전자 주입 전극을 갖는 다.
또한, 유기 발광 소자는 발광 영역과 비발광 영역으로 구분되며, 발광 영역은 비발광 영역을 사이에 두고 이웃한 유기 발광 소자의 발광 영역과 이격된다. 이와 같이, 발광 영역들은 제조 공정 상의 이유와 불량의 발생을 억제하기 위해 일정한 거리의 비발광 영역을 사이에 두고 이격 배치된다.
따라서 유기 발광 표시 장치의 해상도를 높일수록, 즉 단위 면적당 화소수가 증가될수록 발광 영역의 면적이 축소된다. 이러한 발광 영역의 축소는 유기 발광층의 열화를 가속시켜 유기 발광 표시 장치의 수명에 부정적인 영향을 미치는 문제점이 있다.
본 발명은 전술한 배경기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 효과적으로 해상도를 증가시킬 수 있음과 동시에 불량의 발생을 억제한 유기 발광 표시 장치를 제공하고자 한다.
또한, 상기한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 제1 발광 영역과 제1 비발광 영역으로 구분된 복수의 제1 유기 발광 소자들과 상기 제1 유기 발광 소자를 구동하는 제1 구동 회로부를 갖는 제1 기판, 그리고 제2 발광 영역과 제2 비발광 영역으로 구분된 복수의 제2 유기 발광 소자들과 상기 제2 유기 발광 소자들을 구동 하는 제2 구동 회로부를 갖는 제2 기판을 포함하며, 상기 제1 유기 발광 소자의 제1 발광 영역은 상기 제2 유기 발광 소자의 제2 비발광 영역과 대향 배치되고, 상기 제2 유기 발광 소자의 제2 발광 영역은 상기 제1 유기 발광 소자의 제1 비발광 영역과 대향 배치된다.
상기 제1 유기 발광 소자와 상기 제2 유기 발광 소자는 동일한 방향으로 빛을 방출하도록 형성될 수 있다.
상기 제1 유기 발광 소자의 제1 발광 영역과 상기 제2 유기 발광 소자의 제2 발광 영역은 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판에 평행한 일 방향으로 교호적으로 배열될 수 있다.
상기한 유기 발광 표시 장치에서, 상기 제1 유기 발광 소자는 제1 화소 전극, 제1 공통 전극, 그리고 상기 제1 화소 전극과 상기 제1 공통 전극 사이에 배치된 제1 유기 발광층을 포함하며, 상기 제2 유기 발광 소자는 제2 화소 전극, 제2 공통 전극, 그리고 상기 제2 화소 전극과 상기 제2 공통 전극 사이에 배치된 제2 유기 발광층을 포함할 수 있다.
상기 제1 유기 발광층 및 상기 제2 유기 발광층은 메탈 마스크(metal mask)를 이용한 유기물 증착 공정을 통해 형성될 수 있다.
상기 제1 기판은 제1 개구부를 가지고 상기 제1 발광 영역을 정의하는 제1 화소 정의막을 더 포함하며, 상기 제2 기판은 제2 개구부를 가지고 상기 제2 발광 영역을 정의하는 제2 화소 정의막을 더 포함하고, 상기 제1 유기 발광층 및 상기 제2 유기 발광층은 각각 상기 제1 개구부 및 상기 제2 개구부 내에서 빛을 발생시 킬 수 있다.
상기 제1 유기 발광층에서 발생된 빛은 상기 제2 화소 정의막을 통과해 외부로 방출될 수 있다.
서로 이웃한 상기 제1 발광 영역들 간의 이격 거리와 서로 이웃한 상기 제2 발광 영역들 간의 이격 거리는 각각 15㎛ 보다 크거나 같을 수 있다.
상기 제1 화소 정의막 및 상기 제2 화소 정의막은 유기막으로 형성될 수 있다.
상기 제1 구동 회로부는 상기 제1 유기 발광 소자의 제1 화소 전극과 연결된 제1 구동 박막 트랜지스터를 더 포함하며, 상기 제2 구동 회로부는 상기 제2 유기 발광 소자의 제2 화소 전극과 연결된 제2 구동 박막 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치 제조 방법은 제1 발광 영역과 제1 비발광 영역으로 구분된 복수의 제1 유기 발광 소자들과 상기 제1 유기 발광 소자를 구동하는 제1 구동 회로부를 포함하는 제1 기판을 형성하는 단계, 제2 발광 영역과 제2 비발광 영역으로 구분된 복수의 제2 유기 발광 소자들과 상기 제2 유기 발광 소자들을 구동하는 제2 구동 회로부를 포함하는 제2 기판을 형성하는 단계, 상기 제1 유기 발광 소자의 제1 발광 영역은 상기 제2 유기 발광 소자의 제2 비발광 영역과 대향하고 상기 제2 유기 발광 소자의 제2 발광 영역은 상기 제1 유기 발광 소자의 제1 비발광 영역과 대향하도록 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 배치하는 단계, 그리고 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판을 합착 밀봉하는 단계를 포함한다.
상기 제1 유기 발광 소자와 상기 제2 유기 발광 소자는 동일한 방향으로 빛을 방출하도록 형성될 수 있다.
상기 제1 유기 발광 소자의 제1 발광 영역과 상기 제2 유기 발광 소자의 제2 발광 영역은 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판에 평행한 일 방향으로 교호적으로 배열되록 상기 제1 기판과 상기 제2 기판이 배치될 수 있다.
상기한 유기 발광 표시 장치 제조 방법에서, 상기 제1 유기 발광 소자는 제1 화소 전극, 제1 공통 전극, 그리고 상기 제1 화소 전극과 상기 제1 공통 전극 사이에 배치된 제1 유기 발광층을 포함하며, 상기 제2 유기 발광 소자는 제2 화소 전극, 제2 공통 전극, 그리고 상기 제2 화소 전극과 상기 제2 공통 전극 사이에 배치된 제2 유기 발광층을 포함할 수 있다.
상기 제1 유기 발광층 및 상기 제2 유기 발광층은 메탈 마스크(metal mask)를 이용한 유기물 증착 공정을 통해 형성될 수 있다.
상기 제1 기판은 제1 개구부를 가지고 상기 제1 발광 영역을 정의하는 제1 화소 정의막을 더 포함하며, 상기 제2 기판은 제2 개구부를 가지고 상기 제2 발광 영역을 정의하는 제2 화소 정의막을 더 포함하고, 상기 제1 유기 발광층 및 상기 제2 유기 발광층은 각각 상기 제1 개구부 및 상기 제2 개구부 내에서 빛을 발생시키도록 형성될 수 있다.
상기 제1 유기 발광층에서 발생된 빛은 상기 제2 화소 정의막을 통과해 외부로 방출되도록 형성될 수 있다.
서로 이웃한 상기 제1 발광 영역들 간의 이격 거리와 서로 이웃한 상기 제2 발광 영역들 간의 이격 거리는 각각 15㎛ 보다 크거나 같도록 형성될 수 있다.
상기 제1 화소 정의막 및 상기 제2 화소 정의막은 유기막으로 형성될 수 있다.
상기 제1 구동 회로부는 상기 제1 유기 발광 소자의 제1 화소 전극과 연결된 제1 구동 박막 트랜지스터를 더 포함하며, 상기 제2 구동 회로부는 상기 제2 유기 발광 소자의 제2 화소 전극과 연결된 제2 구동 박막 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따르면, 유기 발광 표시 장치는 효과적으로 해상도를 증가시킬 수 있음과 동시에 불량의 발생을 억제할 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의 로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
또한, 첨부 도면에서는, 하나의 화소에 두개의 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)와 하나의 축전 소자(capacitor)를 구비하는 2Tr-1Cap 구조의 능동 구동(active matrix, AM)형 유기 발광 표시 장치를 도시하고 있지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 유기 발광 표시 장치는 하나의 화소에 셋 이상의 박막 트랜지스터와 둘 이상의 축전 소자를 구비할 수 있으며, 별도의 배선이 더 형성되어 다양한 구조를 갖도록 형성할 수도 있다. 여기서, 화소는 화상을 표시하는 최소 단위를 말하며, 유기 발광 표시 장치는 복수의 화소들을 통해 화상을 표시한다.
이하, 도 1을 참조하여 본 발명의 일 실시예를 설명한다.
도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는 제1 기판(110), 제2 기판(210), 및 실런트(sealant)(350)를 포함한다.
제1 기판(110)은 제1 기판 부재(111)와, 제1 기판 부재(111) 상에 형성된 제1 유기 발광 소자(71) 및 제1 구동 회로부(DC1)를 포함한다.
제1 구동 회로부(DC1)는 각 화소마다 형성된 둘 이상의 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)들(11, 21)(도 2에 도시)과 하나 이상의 축전 소자(capacitor)(81)(도 2에 도시)를 가지며, 제1 유기 발광 소자(71)와 전기적으로 연결되어 제1 유기 발광 소자(71)를 구동시킨다.
제1 유기 발광 소자(71)는 제1 화소 전극(711), 제1 유기 발광층(712), 및 제1 공통 전극(713)을 포함한다. 제1 유기 발광층(712)은 제1 화소 전극(711) 및 제1 공통 전극(713) 사이에 배치되며, 제1 구동 회로부(DC1)의 구동 신호에 따라 제1 화소 전극(711)과 제1 공통 전극(713) 사이에 전압이 인가되면 빛을 방출한다. 이때, 제1 유기 발광층(712)에서 발생된 빛은 제2 기판(210) 방향으로 방출된다.
또한, 제1 유기 발광 소자(71)는 제1 발광 영역(EA1)과 제1 비발광 영역(NA1)으로 구분된다. 즉, 제1 유기 발광층(712)는 제1 발광 영역(EA1)에서 빛을 발생하게 된다.
도 1에서, 제1 구동 회로부(DC1)는 제1 기판 부재(111) 상에 형성되고 제1 유기 발광 소자(71)는 제1 구동 회로부(DC1) 상에 형성되어 있으나, 본 발명에 따른 일 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 제1 구동 회로부(DC1) 및 제1 유기 발광 소자(71)의 구조 및 배치는 본 발명이 속하는 기술 분야에 종사하는 자들에게 공지된 바에 따라 다양하게 응용될 수 있다.
제2 기판(210)은 제2 기판 부재(211)와, 제2 기판 부재(211) 상에 형성된 제2 유기 발광 소자(72) 및 제2 구동 회로부(DC2)를 포함한다.
제2 구동 회로부(DC2)도, 제1 구동 회로부(DC1)와 마찬가지로, 각 화소마다 형성된 둘 이상의 박막 트랜지스터(TFT)들(12, 22)(도 3에 도시)과 하나 이상의 축전 소자(82)(도 3에 도시)를 가지며, 제2 유기 발광 소자(72)와 전기적으로 연결되어 제2 유기 발광 소자(72)를 구동시킨다.
제2 유기 발광 소자(72)는 제2 화소 전극(721), 제2 유기 발광층(722), 및 제2 공통 전극(723)을 포함한다. 제2 유기 발광층(722)은 제2 화소 전극(721) 및 제2 공통 전극(723) 사이에 배치되며, 제2 구동 회로부(DC2)의 구동 신호에 따라 제2 화소 전극(721)과 제2 공통 전극(723) 사이에 전압이 인가되면 빛을 방출한다. 이때, 제2 유기 발광층(722)에서 발생된 빛은 제1 기판(110) 방향에 반대 방향으로 방출된다. 따라서, 제1 유기 발광 소자(71)와 제2 유기 발광 소자(72)는 동일한 방향으로 빛을 방출하도록 형성된다. 이에, 제1 유기 발광 소자(71)와 제2 유기 발광 소자(72)에서 방출된 빛이 합쳐져 하나의 화상을 구현할 수 있다.
또한, 제2 유기 발광 소자(72)는 제2 발광 영역(EA2)과 제2 비발광 영역(NA2)으로 구분된다. 즉, 제2 유기 발광층(722)은 제2 발광 영역(EA2)에서 빛을 발생하게 된다.
도 1에서, 제2 구동 회로부(DC2)는 제2 기판 부재(211) 아래에 형성되고 제2 유기 발광 소자(72)는 제2 구동 회로부(DC2) 아래에 형성되어 있으나, 본 발명에 따른 일 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 제2 구동 회로부(DC2) 및 제2 유기 발광 소자(72)의 구조 및 배치는 본 발명이 속하는 기술 분야에 종사하는 자들에게 공지된 바에 따라 다양하게 응용될 수 있다.
특히, 도 1에서, 제1 유기 발광 소자(71)와 제2 유기 발광 소자(72)가 유사 한 구조를 갖는 것으로 도시하였으나, 본 발명에 따른 일 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 유기 발광 소자(71)와 제2 유기 발광 소자(72)는 서로 다른 위치에 형성되면서도 동일한 방향으로 빛을 방출하여 하나의 화상을 구현할 수 있어야 한다. 이에, 제1 유기 발광 소자(71)와 제2 유기 발광 소자(72)는 본 발명이 속하는 기술 분야에 종사하는 자들에게 공지된 바에 따라 응용 가능한 범위 내에서 구조가 서로 상이할 수 있다. 또한, 제1 유기 발광 소자(71) 및 제2 유기 발광 소자(72)와 각각 연결된 제1 구동 회로부(DC1) 및 제2 구동 회로부(DC2)의 구조도 서로 상이할 수 있다.
또한, 도시하지는 않았으나, 유기 발광 표시 장치(100)는 제1 구동 회로부(DC1) 및 제2 구동 회로부(DC2)와 각각 연결되어 구동 신호 및 전원을 공급하는 구동 회로 기판을 더 포함할 수 있다. 구동 회로 기판은 제1 기판(110) 또는 제2 기판(210)의 가장자리에 전기적으로 연결될 수 있다. 일례로, 구동 회로 기판이 제1 기판(110)의 가장자리에 연결된다면, 제1 구동 회로부(DC1)는 제1 기판(110) 상의 배선을 통해 구동 회로 기판과 연결될 수 있다. 그리고 제2 구동 회로 기판(DC2)은 전기적 연결 부재(미도시)를 통해 제1 기판(110)을 거쳐 구동 회로 기판과 연결될 수 있다. 이때, 전기적 연결 부재(미도시)는 제1 기판(110) 및 제2 기판(210)의 가장자리에 형성되며, 실런트(350) 속에 포함될 수도 있고 실런트(350)와 별개로 형성될 수도 있다.
한편, 제1 기판(110)과 제2 기판(210)은 제1 유기 발광 소자(71)의 제1 발광 영역(EA1)이 제2 유기 발광 소자(72)의 제2 비발광 영역(NA2)과 대향되고, 제2 유 기 발광 소자(72)의 제2 발광 영역(EA2)이 제1 유기 발광 소자(71)의 제1 비발광 영역(NA1)과 대향도록 서로 배치된다.
또한, 제1 유기 발광 소자(71)의 제1 발광 영역(EA1)과 제2 유기 발광 소자(72)의 제2 발광 영역(EA2)은 제1 기판(110) 및 제2 기판(210)에 평행한 일 방향으로 교호적으로 배열된다.
또한, 제1 기판(110)은 제1 화소 정의막(190)을 더 포함하고, 제2 기판(210)은 제2 화소 정의막(290)을 더 포함한다. 제1 화소 정의막(190)은 제1 개구부(199)를 가지고 제1 발광 영역(EA1)을 정의한다. 제2 화소 정의막(290)은 제2 개구부(299)를 가지고 제2 발광 영역(EA2)을 정의한다. 즉, 제1 유기 발광층(712) 및 제2 유기 발광층(722)은 각각 제1 화소 정의막(190)의 제1 개구부(199) 및 제2 화소 정의막(290)의 제2 개구부(299) 내에서 빛을 발생시킨다.
제1 화소 정의막(190)의 제1 개구부(199)는 제2 화소 정의막(290)과 대향하고, 제2 화소 정의막(290)의 제2 개구부(299)는 제1 화소 정의막(190)과 대향한다. 그리고 제1 유기 발광층(712)에서 발생된 빛은 제2 화소 정의막(290)을 통과해 외부로 방출된다.
또한, 서로 이웃한 제1 발광 영역들(EA1) 간의 이격 거리(d), 즉 서로 이웃한 제1 발광 영역들(EA1) 사이에서의 제1 비발광 영역(NA1)의 길이는 15㎛ 보다 크거나 같은 것이 바람직하다. 서로 이웃한 제1 발광 영역들(EA1) 간의 이격 거리(d)가 15㎛ 보다 작을 경우, 제조 과정에서 제1 유기 발광층(712)이 이웃한 유기 발광층(712)으로 침범하여 불필요하게 혼합될 수 있다. 또한, 사진 공정으로 형성 되는 제1 화소 정의막(190)에 제1 개구부(199)를 형성하기 위해선 이웃한 제1 개구부(199)와 최소 15㎛ 이상의 이격 거리가 필요하다. 마찬가지로, 서로 이웃한 제2 발광 영역들(EA2) 간의 이격 거리, 즉 서로 이웃한 제2 발광 영역들(EA2) 사이에서의 제2 비발광 영역(NA2)의 길이도 15㎛ 보다 크거나 같은 것이 바람직하다.
또한, 제1 유기 발광 소자(71)의 제1 발광 영역(EA1)과 제2 유기 발광 소자(72)의 제2 발광 영역(EA2)은 제1 기판(110) 및 제2 기판(210)에 평행한 일 방향으로 교호적으로 배열된다.
실런트(350)는 제1 기판(110)과 제2 기판(210)의 가장자리를 따라 배치되어 제1 기판(110)과 제2 기판(210)을 서로 합착 밀봉 시킨다.
이와 같은 구성에 의하여, 유기 발광 표시 장치(100)는 효과적으로 해상도를 증가시킬 수 있음과 동시에 불량의 발생을 억제할 수 있다.
즉, 유기 발광 표시 장치(100)는 서로 대향 배치된 제1 기판(110)과 제2 기판(210)에 분할 형성된 제1 유기 발광 소자(71)와 제2 유기 발광 소자(72)가 동일한 방향으로 빛을 방출하여 하나의 화상을 구현할 수 있다. 따라서 유기 발광 표시 장치(100)는 해상도를 높일수록 비발광 영역으로 인해 발광 영역이 축소되어 발광 효율이 저하되는 문제점을 개선할 수 있다. 이에, 유기 발광 표시 장치(100)의 수명 감소도 억제할 수 있다.
또한, 발광 효율을 개선하기 위해 비발광 영역을 축소시키는 것이 아니므로, 비발광 영역 축소에 따라 제조 과정에서 야기될 수 있는 불량의 발생도 방지할 수 있다.
이하, 도 2 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)의 내부 구조에 대해 보다 상세히 설명한다. 도 2는 제1 기판(110)을 중심으로 화소의 구조를 나타낸 배치도이고, 도 3은 제2 기판(210)을 중심으로 화소의 구조를 나타낸 배치도이다. 도 4는 도 2의 Ⅲ-Ⅲ선에 따라 제1 기판(110)과 제2 기판(210)을 함께 나타낸 단면도이다.
제1 기판(110)은 하나의 화소마다 각각 형성된 제1 스위칭 박막 트랜지스터(11), 제1 구동 박막 트랜지스터(21), 제1 축전 소자(81), 그리고 제1 유기 발광 소자(organic light emitting diode, OLED)(71)를 포함한다. 그리고 제1 기판(110)은 일 방향을 따라 배치되는 제1 게이트 라인(151)과, 제1 게이트 라인(151)과 절연 교차되는 제1 데이터 라인(171) 및 제1 공통 전원 라인(172)을 더 포함한다. 여기서, 하나의 화소는 제1 게이트 라인(151), 제1 데이터 라인(171) 및 제1 공통 전원 라인(172)을 경계로 정의될 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
제1 유기 발광 소자(71)는 제1 화소 전극(711)과, 제1 화소 전극(711) 상에 형성된 제1 유기 발광층(712)과, 제1 유기 발광층(712) 상에 형성된 제1 공통 전극(713)을 포함한다. 여기서, 제1 화소 전극(711)은 정공 주입 전극인 양(+)극이며, 제1 공통 전극(713)은 전자 주입 전극인 음(-)극이 된다. 그러나 본 발명에 따른 일 실시예가 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 유기 발광 표시 장치(100)의 구동 방법에 따라 제1 화소 전극(711)이 음극이 되고, 제1 공통 전극(713)이 양극이 될 수도 있다. 제1 화소 전극(711) 및 제1 공통 전극(713)으로부터 각각 정공 과 전자가 유기 발광층(712) 내부로 주입된다. 주입된 정공과 전자가 결합한 엑시톤(exiton)이 여기상태로부터 기저상태로 떨어질 때 발광이 이루어진다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)에서 제1 유기 발광 소자(71)는 제2 기판(210) 방향으로 빛을 방출한다. 즉, 제1 유기 발광 소자(71)는 전면 발광형이다. 여기서, 제1 유기 발광 소자(71)가 제2 기판(210) 방향으로 빛을 방출하기 위해, 제1 화소 전극(711)으로는 반사형 전극이 사용되고 제1 공통 전극(713)으로는 투과형 또는 반투과형 전극이 사용된다.
제1 축전 소자(81)는 제1 게이트 절연막(140)을 사이에 두고 배치된 한 쌍의 축전판(158, 178)을 포함한다. 여기서, 제1 게이트 절연막(140)은 유전체가 된다. 제1 축전 소자(81)에서 축전된 전하와 양 축전판(158, 178) 사이의 전압에 의해 축전용량이 결정된다.
제1 스위칭 박막 트랜지스터(11)는 제1 스위칭 반도체층(131), 제1 스위칭 게이트 전극(152), 제1 스위칭 소스 전극(173) 및 제1 스위칭 드레인 전극(174)을 포함한다. 제1 구동 박막 트랜지스터(21)는 제1 구동 반도체층(132), 제1 구동 게이트 전극(155), 제1 구동 소스 전극(176) 및 제1 구동 드레인 전극(177)을 포함한다.
제1 스위칭 박막 트랜지스터(11)는 발광시키고자 하는 화소를 선택하는 스위칭 소자로 사용된다. 제1 스위칭 게이트 전극(152)은 제1 게이트 라인(151)에 연결된다. 제1 스위칭 소스 전극(173)은 제1 데이터 라인(171)에 연결된다. 제1 스위칭 드레인 전극(174)은 제1 스위칭 소스 전극(173)으로부터 이격 배치되며 어느 한 축전판(158)과 연결된다.
제1 구동 박막 트랜지스터(21)는 선택된 화소 내의 제1 유기 발광 소자(71)의 제1 유기 발광층(712)을 발광시키기 위한 구동 전원을 제1 화소 전극(711)에 인가한다. 제1 구동 게이트 전극(155)은 제1 스위칭 드레인 전극(174)과 연결된 축전판(158)과 연결된다. 제1 구동 소스 전극(176) 및 다른 한 축전판(178)은 각각 제1 공통 전원 라인(172)과 연결된다. 제1 구동 드레인 전극(177)은 컨택홀(contact hole)을 통해 제1 유기 발광 소자(71)의 제1 화소 전극(711)과 연결된다.
이와 같은 구조에 의하여, 제1 스위칭 박막 트랜지스터(11)는 제1 게이트 라인(151)에 인가되는 게이트 전압에 의해 작동하여 제1 데이터 라인(171)에 인가되는 데이터 전압을 제1 구동 박막 트랜지스터(21)로 전달하는 역할을 한다. 제1 공통 전원 라인(172)으로부터 제1 구동 박막 트랜지스터(21)에 인가되는 공통 전압과 제1 스위칭 박막 트랜지스터(11)로부터 전달된 데이터 전압의 차에 해당하는 전압이 제1 축전 소자(81)에 저장되고, 제1 축전 소자(81)에 저장된 전압에 대응하는 전류가 제1 구동 박막 트랜지스터(21)를 통해 제1 유기 발광 소자(71)로 흘러 제1 유기 발광 소자(71)가 발광하게 된다.
또한, 제1 화소 정의막(190)은 제1 개구부(199)를 가지고 제1 발광 영역(EA1)을 정의한다. 제1 개구부(199)는 제1 화소 전극(711)을 드러내며, 제1 개구부(199) 내에서 제1 유기 발광층(712)이 발광된다. 즉, 제1 개구부(199)가 형성된 영역이 제1 발광 영역(EA1)이 되고, 제1 화소 정의막(190)이 형성된 영역이 제1 비빌광 영역(NA1)이 된다.
또한, 제1 유기 발광 소자(71)는 제2 기판(210) 방향으로 빛을 방출한다. 따라서 제1 스위칭 박막 트랜지스터(11) 및 제1 구동 박막 트랜지스터(21) 상에도 제1 개구부(199) 및 제1 유기 발광층(712)을 형성하여 제1 발광 영역(EA1)의 면적을 키울 수 있다.
제2 기판(210)은 제1 기판(110)과 유사한 구조를 갖는다. 즉, 제2 기판(210)도, 제1 기판(110)과 마찬가지로, 하나의 화소마다 각각 형성된 제2 스위칭 박막 트랜지스터(12), 제2 구동 박막 트랜지스터(22), 제2 축전 소자(82), 그리고 제2 유기 발광 소자(72)를 포함한다. 그리고 제2 기판(210)은 일 방향을 따라 배치되는 제2 게이트 라인(251)과, 제2 게이트 라인(251)과 절연 교차되는 제2 데이터 라인(271) 및 제2 공통 전원 라인(272)을 더 포함한다. 여기서, 하나의 화소는 제2 게이트 라인(251), 제2 데이터 라인(171) 및 제2 공통 전원 라인(172)을 경계로 정의될 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
제2 축전 소자(82)는 제2 게이트 절연막(240)을 사이에 두고 배치된 한 쌍의 축전판(258, 278)을 포함한다. 여기서, 제2 게이트 절연막(240)은 유전체가 된다. 제2 축전 소자(82)에서 축전된 전하와 양 축전판(258, 278) 사이의 전압에 의해 축전용량이 결정된다.
제2 스위칭 박막 트랜지스터(12)는 제2 스위칭 반도체층(231), 제2 스위칭 게이트 전극(252), 제2 스위칭 소스 전극(273) 및 제2 스위칭 드레인 전극(274)을 포함한다. 제2 구동 박막 트랜지스터(22)는 제2 구동 반도체층(232), 제2 구동 게 이트 전극(255), 제2 구동 소스 전극(276) 및 제2 구동 드레인 전극(277)을 포함한다.
이와 같은 구조에 의하여, 제2 유기 발광 소자(72)도 제1 유기 발광 소자(71)와 동일한 동작 원리로 발광된다.
하지만, 제2 유기 발광 소자(72)는 제1 기판(110)과 대향하는 위치에 형성되면서 제1 기판(110) 방향에 반대 방향으로 빛을 방출한다. 따라서 제2 화소 정의막(290)의 제2 개구부(299) 및 제2 유기 발광층(722)이 제2 스위칭 박막 트랜지스터(12) 및 제2 구동 박막 트랜지스터(22)와 겹치지 않게 형성된다. 즉, 제2 유기 발광 소자(72)는 배면 발광형으로 형성된다. 따라서, 제2 유기 발광 소자(72)의 제2 발광 영역(EA2)은 제1 유기 발광 소자(71)의 제1 발광 영역(EA1)보다 상대적으로 적은 면적을 갖는다. 그리고, 제2 유기 발광 소자(72)가 제1 기판(210) 방향에 반대 방향으로 빛을 방출하기 위해, 제2 화소 전극(721)으로는 투과형 또는 반투과형 전극이 사용되고 제2 공통 전극(723)으로는 반사형 전극이 사용된다. 그러나 본 발명에 따른 일 실시예에 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 제2 화소 전극(721)과 제2 공통 전극(723)의 위치가 서로 바뀔 수도 있다. 이때에는 제2 화소 전극(721)으로 반사형 전극이 사용되고 제2 공통 전극(723)으로 투과형 또는 반투과형 전극이 사용될 수 있다.
또한, 제2 화소 정의막(290)은 제2 개구부(299)를 가지고 제2 발광 영역(EA2)을 정의한다. 제2 개구부(299)는 제2 화소 전극(721)을 드러내며, 제2 개구부(299) 내에서 제2 유기 발광층(722)이 발광된다. 즉, 제2 개구부(299)가 형성 된 영역이 제2 발광 영역(EA2)이 되고, 제2 화소 정의막(290)이 형성된 영역이 제2 비빌광 영역(NA2)이 된다.
한편, 제1 기판(110)과 제2 기판(210)은 제1 유기 발광 소자(71)의 제1 발광 영역(EA1)이 제2 유기 발광 소자(72)의 제2 비발광 영역(NA2)과 대향되고, 제2 유기 발광 소자(72)의 제2 발광 영역(EA2)이 제1 유기 발광 소자(71)의 제1 비발광 영역(NA1)과 대향도록 서로 배치된다. 즉, 제1 화소 정의막(190)의 제1 개구부(199)는 제2 화소 정의막(290)과 대향하고, 제2 화소 정의막(290)의 제2 개구부(299)는 제1 화소 정의막(190)과 대향한다.
또한, 도 3에서 제2 기판(210)의 제2 스위칭 박막 트랜지스터(12) 및 제2 구동 박막 트랜지스터(22)는 제1 기판(110)의 제1 스위칭 박막 트랜지스터(11) 및 제1 구동 박막 트랜지스터(21)와 동일한 구조를 갖는 것으로 도시하고 있으나, 본 발명에 따른 일 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 본 발명이 속하는 기술 분야에 종사하는 자들에게 공지된 바에 따라 응용 가능한 범위 내에서 제2 스위칭 박막 트랜지스터(12) 및 제2 구동 박막 트랜지스터(22)는 제1 스위칭 박막 트랜지스터(11) 및 제1 구동 박막 트랜지스터(21)와 구조가 서로 상이할 수 있다.
이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)의 구조에 대해 적층 순서에 따라 구체적으로 설명한다. 또한, 이하에서는, 제1 구동 박막 트랜지스터(21)를 중심으로 박막 트랜지스터의 구조에 대해 설명한다.
제1 기판(110)의 제1 기판 부재(111)는 유리, 석영, 세라믹, 플라스틱 등으로 이루어진 절연성 기판으로 형성된다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아 니다. 따라서 제1 기판 부재(111)가 스테인리스 강 등으로 이루어진 금속성 기판으로 형성될 수도 있다.
제1 기판 부재(111) 위에 제1 버퍼층(120)이 형성된다. 제1 버퍼층(120)은 불순 원소의 침투를 방지하며 표면을 평탄화하는 역할을 하는 것으로, 이러한 역할을 수행할 수 있는 다양한 물질로 형성될 수 있다. 일례로, 제1 버퍼층(120)은 질화규소(SiNx)막, 산화규소(SiOx)막, 산질화규소(SiOxNy)막 중 어느 하나가 사용될 수 있다. 그러나 제1 버퍼층(120)은 반드시 필요한 것은 아니며, 제1 기판 부재(111)의 종류 및 공정 조건에 따라 생략될 수도 있다.
제1 버퍼층(120) 위에는 제1 구동 반도체층(132)이 형성된다. 제1 구동 반도체층(132)은 다결정 규소막으로 형성된다. 또한, 제1 구동 반도체층(132)은 불순물이 도핑되지 않은 채널 영역(135)과, 채널 영역(135)의 양 옆으로 p+ 도핑되어 형성된 소스 영역(136) 및 드레인 영역(137)을 포함한다. 이 때, 도핑되는 이온 물질은 붕소(B)와 같은 P형 불순물이며, 주로 B2H6이 사용된다. 여기서, 이러한 불순물은 박막 트랜지스터의 종류에 따라 달라진다.
본 발명의 일 실시예에서는 제1 구동 박막 트랜지스터(21)로 P형 불순물을 사용한 PMOS 구조의 박막 트랜지스터가 사용되었으나 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 제1 구동 박막 트랜지스터(21)로 NMOS 구조 또는 CMOS 구조의 박막 트랜지스터도 모두 사용될 수 있다.
제1 구동 반도체층(132) 위에는 질화규소(SiNx) 또는 산화규소(SiOx) 따위로 형성된 제1 게이트 절연막(140)이 형성된다. 제1 게이트 절연막(140) 위에 제1 구동 게이트 전극(155)을 포함하는 제1 게이트 배선이 형성된다. 또한, 제1 게이트 배선은 제1 게이트 라인(151) 및 그 밖에 배선을 더 포함한다. 그리고 제1 구동 게이트 전극(155)은 제1 구동 반도체층(132)의 적어도 일부, 특히 채널 영역(135)과 중첩되도록 형성된다.
제1 게이트 절연막(140) 상에는 제1 구동 게이트 전극(155)을 덮는 제1 층간 절연막(160)이 형성된다. 제1 게이트 절연막(140)과 제1 층간 절연막(160)은 제1 구동 반도체층(132)의 소스 영역(136) 및 드레인 영역(137)을 드러내는 관통공들을 함께 갖는다. 제1 층간 절연막(160)은, 제1 게이트 절연막(140)과 마찬가지로, 질화규소(SiNx) 또는 산화규소(SiOx) 등으로 형성된다.
제1 층간 절연막(160) 위에는 제1 구동 소스 전극(176) 및 제1 구동 드레인 전극(177)을 포함하는 제1 데이터 배선이 형성된다. 또한, 제1 데이터 배선은 제1 데이터 라인(171), 제1 공통 전원 라인(172), 및 그 밖에 배선을 더 포함한다. 그리고 제1 구동 소스 전극(176) 및 제1 구동 드레인 전극(177)은 각각 제1 층간 절연막(160) 및 제1 게이트 절연막(140)에 형성된 관통공들을 통해 제1 구동 반도체층(132)의 소스 영역(136) 및 드레인 영역(137)과 연결된다.
이와 같이, 제1 구동 반도체층(132), 제1 구동 게이트 전극(155), 제1 구동 소스 전극(176) 및 제1 구동 드레인 전극(177)을 포함한 제1 구동 박막 트랜지스터(21)가 형성된다. 제1 구동 박막 트랜지스터(21)의 구성은 전술한 예에 한정되지 않고, 당해 기술 분야의 전문가가 용이하게 실시할 수 있는 공지된 구성으로 다 양하게 변형 가능하다.
제1 층간 절연막(160) 상에는 제1 데이터 배선(172, 176, 177, 178)을 덮는 제1 평탄화막(180)이 형성된다. 제1 평탄화막(180)은 그 위에 형성될 제1 유기 발광 소자(71)의 발광 효율을 높이기 위해 단차를 없애고 평탄화시키는 역할을 한다. 또한, 제1 평탄화막(180)은 제1 드레인 전극(177)의 일부를 노출시키는 컨택홀을 갖는다.
제1 평탄화막(180)은 아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계 수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(poly phenylenethers resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(poly phenylenesulfides resin), 및 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB) 중 하나 이상의 물질 등으로 만들 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 제1 실시예는 전술한 구조에 한정되는 것은 아니며, 경우에 따라 제1 평탄화막(180)과 제1 층간 절연막(160) 중 어느 하나는 생략될 수도 있다.
제1 평탄화막(180) 위에는 제1 유기 발광 소자(71)의 제1 화소 전극(711)이 형성된다. 즉, 유기 발광 표시 장치(100)는 복수의 화소들마다 각각 배치된 복수의 제1 화소 전극들(711)을 포함한다. 이때, 복수의 제1 화소 전극들(711)은 서로 이격 배치된다. 제1 화소 전극(711)은 제1 평탄화막(180)의 컨택홀을 통해 제1 드레인 전극(177)과 연결된다.
또한, 제1 평탄화막(180) 위에는 각각의 제1 화소 전극들(711)을 드러내는 복수의 제1 개구부들(199)을 갖는 제1 화소 정의막(190)이 형성된다. 즉, 제1 화소 정의막(190)의 제1 개구부(199)는 각 화소마다 형성된다. 그리고 제1 화소 전극(711)은 제1 화소 정의막(190)의 제1 개구부(199)에 대응하도록 배치된다. 그러나 제1 화소 전극(711)이 반드시 제1 화소 정의막(190)의 제1 개구부(199)에만 배치되는 것은 아니며, 제1 화소 전극(711)의 일부가 제1 화소 정의막(190)과 중첩되도록 제1 화소 정의막(190) 아래에 배치될 수 있다. 제1 화소 정의막(190)이 형성된 부분은 실질적으로 제1 비발광 영역(NA1)이 되고, 제1 화소 정의막(190)의 제1 개구부(199)가 형성된 부분은 실질적으로 제1 발광 영역(EA1)이 된다.
제1 화소 정의막(190)은 폴리아크릴계 수지(polyacrylates resin) 및 폴리이미드계(polyimides) 등의 수지 또는 실리카 계열의 무기물 등으로 만들 수 있다.
또한, 제1 화소 정의막(190)은 제1 발광 영역(EA1)을 정의한 것 이외에 제1 유기 발광층(712)의 형성을 용이하게 하고, 제1 화소 전극(711)의 가장자리에 전류가 집중되는 것을 방지해주는 역할도 한다.
제1 화소 전극(711) 위에는 제1 유기 발광층(712)이 형성되고, 제1 유기 발광층(712) 상에는 제1 공통 전극(713)이 형성된다. 이와 같이, 제1 화소 전극(711), 제1 유기 발광층(712), 및 제1 공통 전극(713)을 포함하는 제1 유기 발광 소자(71)가 형성된다. 이때, 제1 유기 발광층(712)은 제1 화소 정의막(190)의 제1 개구부(199) 내에서 제1 화소 전극(711) 및 제1 공통 전극(713) 사이에 인접 배치되어 빛을 발생한다. 그리고 제1 공통 전극(713)은 제1 유기 발광층(712) 및 제1 화소 정의막(190) 상에 형성된다.
제1 유기 발광층(712)은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물로 이루어진다. 또한, 제1 유기 발광층(712)은 발광층과, 정공 주입층(hole-injection layer, HIL), 정공 수송층(hole-transporting layer, HTL), 전자 수송층(electron-transportiong layer, ETL), 및 전자 주입층(electron-injection layer, EIL)을 중 하나 이상을 포함하는 다중막으로 형성될 수 있다. 이들 모두를 포함할 경우, 정공 주입층이 양극인 제1 화소 전극(711) 상에 배치되고, 그 위로 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층이 차례로 적층된다.
또한, 도 4에서 제1 유기 발광층(712)은 제1 화소 정의막(190)의 제1 개구부(199) 내에만 배치되었으나, 본 발명에 따른 일 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 제1 유기 발광층(712)은 제1 화소 정의막(190)의 제1 개구부(199) 내에서 제1 화소 전극(711) 위에 형성될 뿐만 아니라 제1 화소 정의막(190)과 제1 공통 전극(713) 사이에도 배치될 수 있다. 구체적으로, 제1 유기 발광층(712)이 발광층과 함께 포함하는 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 전자 수송층(ETL), 및 전자 주입층(EIL) 등과 같은 여러 막들 중 발광층을 제외한 나머지 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 전자 수송층(ETL), 및 전자 주입층(EIL)들은 제조 과정에서 오픈 마스크(open mask)를 사용하여, 제1 공통 전극(713)과 마찬가지로, 제1 화소 전극(711) 위에 뿐만 아니라 제1 화소 정의막(190) 위에도 형성될 수 있다. 반면, 발광층은 파인 메탈 마스크(fine metal mask, FMM) 공정을 통해 각각의 제1 개구부(199) 마다 형성된다. 즉, 제1 유기 발광층(712)에 속한 여러 막 중 하나 이상의 막이 제1 화소 정의막(190)과 제1 공통 전극(713) 사이에 배치될 수 있다.
제1 화소 전극(711)과 제1 공통 전극(713)는 각각 투명한 도전성 물질로 형성되거나 반투과형 또는 반사형 도전성 물질로 형성될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 제1 유기 발광 소자(71)는 제2 기판(210) 방향으로 빛을 방출하므로, 제1 화소 전극(711)은 반사형 또는 반투과형으로 형성되고, 제1 공통 전극(713)은 투과형 또는 반투과형으로 형성된다.
투명한 도전성 물질로는 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZnO(산화 아연) 또는 In2O3(Indium Oxide) 등의 물질을 사용할 수 있다. 반사형 물질 및 반투과형 물질로는 리튬(Li), 칼슘(Ca), 플루오르화리튬/칼슘(LiF/Ca), 플루오르화리튬/알루미늄(LiF/Al), 알루미늄(Al), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 또는 금(Au) 등의 물질을 사용할 수 있다.
제1 공통 전극(713) 상에는 제2 기판(210)이 대향 배치된다. 구체적으로, 제1 공통 전극(713) 상에는 제2 공통 전극(723)이 배치된다. 그리고 제2 공통 전극(723) 상에는 제2 화소 정의막(290)이 배치된다. 즉, 제1 화소 정의막(190)의 제1 개구부(199) 상에는 제2 화소 정의막(290)이 대응 배치된다.
또한, 제1 화소 정의막(190)의 제1 개구부(199)와 대응되는 위치에서 제2 화소 정의막(290) 상에는 제2 평탄화막(280), 제2 층간 절연막(260), 및 제2 게이트 절연막(240), 제2 버퍼층(220), 및 제2 기판 부재(211)가 차례로 배치된다. 이들은 모두 투명하게 형성되며, 제1 유기 발광 소자(71)의 제1 유기 발광층(712)에서 발생된 빛이 이들을 차례로 통과하여 외부로 방출된다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)에서는, 도 5에 도시한 바와 같이, 제1 유기 발광 소자(71)의 제1 유기 발광층(712)과 제2 유기 발광 소자(72)의 제2 유기 발광층(722)은 제1 기판(110) 및 제2 기판(210)에 평행한 일 방향으로 교호적으로 배열된다. 즉, 제1 개구부(199)와 제2 개구부(299)가 교호적으로 배열된다.
이와 같은 구성에 의하여, 유기 발광 표시 장치(100)는 효과적으로 해상도를 증가시킬 수 있음과 동시에 불량의 발생을 억제할 수 있다.
즉, 유기 발광 표시 장치(100)는 서로 대향 배치된 제1 기판(110)과 제2 기판(210)에 분할 형성된 제1 유기 발광 소자(71)와 제2 유기 발광 소자(72)가 동일한 방향으로 빛을 방출하여 하나의 화상을 구현할 수 있다. 따라서 유기 발광 표시 장치(100)는 해상도를 높일수록 비발광 영역으로 인해 발광 영역이 축소되어 발광 효율이 저하되는 문제점을 개선할 수 있다. 이에, 유기 발광 표시 장치(100)의 수명 감소도 억제할 수 있다.
또한, 발광 효율을 개선하기 위해 비발광 영역을 축소시키는 것이 아니므로, 비발광 영역 축소에 따라 제조 과정에서 야기될 수 있는 불량의 발생도 방지할 수 있다.
이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)의 제조 방법을 앞서 도시한 도 1 내지 도 4를 참조하여 제1 기판(110)과 제2 기판(210)의 배치 과정을 중심으로 설명한다.
먼저, 제1 발광 영역(EA1)과 제1 비발광 영역(NA1)으로 구분된 복수의 제1 유기 발광 소자들(71)을 갖는 제1 기판(110)과 제2 발광 영역(EA2)과 제2 비발광 영역(NA2)으로 구분된 복수의 제2 유기 발광 소자들(72)을 갖는 제2 기판(210)을 각각 형성한다. 이때, 제1 발광 영역(EA1)은 제1 화소 정의막(190)의 제1 개구부(199)를 통해 정의되고, 제2 발광 영역(EA2)은 제2 화소 정의막(290)의 제2 개구부(299)를 통해 정의된다. 그리고 제1 개구부(199) 내에는 제1 유기 발광층(712)이 배치되고, 제2 개구부(299) 내에는 제2 유기 발광층(722)이 배치된다. 제1 유기 발광층(712) 및 제2 유기 발광층(722)은 메탈 마스크(metal mask)를 이용한 유기물 증착 공정을 통해 형성된다.
제1 기판(110)과 제2 기판(210)의 상세한 구조는 앞서 설명한 바와 같다. 그리고 제1 기판(110) 및 제2 기판(210) 중 하나 이상의 기판 가장자리에 실런트(350)를 도포한다.
다음, 제1 유기 발광 소자(71)의 제1 발광 영역(EA1)은 제2 유기 발광 소자(72)의 제2 비발광 영역(NA2)과 대향하고 제2 유기 발광 소자(72)의 제2 발광 영역(EA2)은 제1 유기 발광 소자(71)의 제1 비발광 영역(NA1)과 대향하도록 제1 기판(110)과 상기 제2 기판(210)을 배치한다. 구체적으로, 제1 기판(110)과 제2 기판(210)은 제1 유기 발광 소자(71)와 제2 유기 발광 소자(72)가 도 5와 같이 배열되도록 배치된다.
그리고 실런트(350) 사이에 두고 제1 기판(110)과 제2 기판(210)을 진공 합착 방식을 통해 서로 합착시킨 후, 제1 기판(110)과 제2 기판(210)이 합착된 상태 에서 실런트(350)를 경화시킨다. 하지만, 본 발명에 따른 일 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 진공 합착 방식 이외에 공지된 다양한 방법을 통해 제1 기판(110)과 제2 기판(210)을 서로 합착 밀봉 시킬 수 있다.
이와 같은 제조 방법에 의해, 효과적으로 높은 해상도를 갖는 유기 발광 표시 장치(100)를 제조할 수 있다.
또한, 발광 효율을 개선하기 위해 비발광 영역을 축소시키는 것이 아니므로, 비발광 영역 축소에 따라 제조 과정에서 야기될 수 있는 불량의 발생도 방지할 수 있다.
본 발명을 앞서 기재한 바에 따라 바람직한 실시예를 통해 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며 다음에 기재하는 특허청구범위의 개념과 범위를 벗어나지 않는 한, 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것을 본 발명이 속하는 기술 분야에 종사하는 자들은 쉽게 이해할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 2는 도 1의 제1 기판의 내부 구조를 나타낸 배치도이다.
도 3은 도 1의 제2 기판의 내부 구조를 나타낸 배치도이다.
도 4는 도 2의 Ⅳ-Ⅳ선에 따른 유기 발광 표시 장치의 부분 단면도이다.
도 5는 도 1의 제1 유기 발광 소자와 제2 유기 발광 소자의 배열 상태를 나타낸 부분 평면도이다.
Claims (20)
- 제1 발광 영역과 제1 비발광 영역으로 구분된 복수의 제1 유기 발광 소자들과 상기 제1 유기 발광 소자를 구동하는 제1 구동 회로부를 갖는 제1 기판; 그리고제2 발광 영역과 제2 비발광 영역으로 구분된 복수의 제2 유기 발광 소자들과 상기 제2 유기 발광 소자들을 구동하는 제2 구동 회로부를 갖는 제2 기판을 포함하며,상기 제1 유기 발광 소자의 제1 발광 영역은 상기 제2 유기 발광 소자의 제2 비발광 영역과 대향 배치되고, 상기 제2 유기 발광 소자의 제2 발광 영역은 상기 제1 유기 발광 소자의 제1 비발광 영역과 대향 배치된 유기 발광 표시 장치.
- 제1항에서,상기 제1 유기 발광 소자와 상기 제2 유기 발광 소자는 동일한 방향으로 빛을 방출하도록 형성된 유기 발광 표시 장치.
- 제1항에서,상기 제1 유기 발광 소자의 제1 발광 영역과 상기 제2 유기 발광 소자의 제2 발광 영역은 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판에 평행한 일 방향으로 교호적으로 배열된 유기 발광 표시 장치.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에서,상기 제1 유기 발광 소자는 제1 화소 전극, 제1 공통 전극, 그리고 상기 제1 화소 전극과 상기 제1 공통 전극 사이에 배치된 제1 유기 발광층을 포함하며,상기 제2 유기 발광 소자는 제2 화소 전극, 제2 공통 전극, 그리고 상기 제2 화소 전극과 상기 제2 공통 전극 사이에 배치된 제2 유기 발광층을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
- 제4항에서,상기 제1 유기 발광층 및 상기 제2 유기 발광층은 메탈 마스크(metal mask)를 이용한 유기물 증착 공정을 통해 형성된 유기 발광 표시 장치.
- 제4항에서,상기 제1 기판은 제1 개구부를 가지고 상기 제1 발광 영역을 정의하는 제1 화소 정의막을 더 포함하며,상기 제2 기판은 제2 개구부를 가지고 상기 제2 발광 영역을 정의하는 제2 화소 정의막을 더 포함하고,상기 제1 유기 발광층 및 상기 제2 유기 발광층은 각각 상기 제1 개구부 및 상기 제2 개구부 내에서 빛을 발생시키는 유기 발광 표시 장치.
- 제6항에서,상기 제1 유기 발광층에서 발생된 빛은 상기 제2 화소 정의막을 통과해 외부로 방출되는 유기 발광 표시 장치.
- 제6항에서,서로 이웃한 상기 제1 발광 영역들 간의 이격 거리와 서로 이웃한 상기 제2 발광 영역들 간의 이격 거리는 각각 15㎛ 보다 크거나 같은 유기 발광 표시 장치.
- 제8항에서,상기 제1 화소 정의막 및 상기 제2 화소 정의막은 유기막으로 형성된 유기 발광 표시 장치.
- 제4항에서,상기 제1 구동 회로부는 상기 제1 유기 발광 소자의 제1 화소 전극과 연결된 제1 구동 박막 트랜지스터를 더 포함하며,상기 제2 구동 회로부는 상기 제2 유기 발광 소자의 제2 화소 전극과 연결된 제2 구동 박막 트랜지스터를 더 포함하는 유기 발광 표시 장치.
- 제1 발광 영역과 제1 비발광 영역으로 구분된 복수의 제1 유기 발광 소자들과 상기 제1 유기 발광 소자를 구동하는 제1 구동 회로부를 포함하는 제1 기판을 형성하는 단계;제2 발광 영역과 제2 비발광 영역으로 구분된 복수의 제2 유기 발광 소자들과 상기 제2 유기 발광 소자들을 구동하는 제2 구동 회로부를 포함하는 제2 기판을 형성하는 단계;상기 제1 유기 발광 소자의 제1 발광 영역은 상기 제2 유기 발광 소자의 제2 비발광 영역과 대향하고 상기 제2 유기 발광 소자의 제2 발광 영역은 상기 제1 유기 발광 소자의 제1 비발광 영역과 대향하도록 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 배치하는 단계; 그리고상기 제1 기판 및 상기 제2 기판을 합착 밀봉하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법.
- 제11항에서,상기 제1 유기 발광 소자와 상기 제2 유기 발광 소자는 동일한 방향으로 빛을 방출하도록 형성되는 유기 발광 표시 장치 제조 방법.
- 제11항에서,상기 제1 유기 발광 소자의 제1 발광 영역과 상기 제2 유기 발광 소자의 제2 발광 영역은 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판에 평행한 일 방향으로 교호적으로 배열되록 상기 제1 기판과 상기 제2 기판이 배치되는 유기 발광 표시 장치 제조 방법.
- 제11항 내지 제13항 중 어느 한 항에서,상기 제1 유기 발광 소자는 제1 화소 전극, 제1 공통 전극, 그리고 상기 제1 화소 전극과 상기 제1 공통 전극 사이에 배치된 제1 유기 발광층을 포함하며,상기 제2 유기 발광 소자는 제2 화소 전극, 제2 공통 전극, 그리고 상기 제2 화소 전극과 상기 제2 공통 전극 사이에 배치된 제2 유기 발광층을 포함하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법.
- 제14항에서,상기 제1 유기 발광층 및 상기 제2 유기 발광층은 메탈 마스크(metal mask)를 이용한 유기물 증착 공정을 통해 형성되는 유기 발광 표시 장치 제조 방법.
- 제14항에서,상기 제1 기판은 제1 개구부를 가지고 상기 제1 발광 영역을 정의하는 제1 화소 정의막을 더 포함하며,상기 제2 기판은 제2 개구부를 가지고 상기 제2 발광 영역을 정의하는 제2 화소 정의막을 더 포함하고,상기 제1 유기 발광층 및 상기 제2 유기 발광층은 각각 상기 제1 개구부 및 상기 제2 개구부 내에서 빛을 발생시키도록 형성되는 유기 발광 표시 장치 제조 방법.
- 제16항에서,상기 제1 유기 발광층에서 발생된 빛은 상기 제2 화소 정의막을 통과해 외부로 방출되도록 형성되는 유기 발광 표시 장치 제조 방법.
- 제16항에서,서로 이웃한 상기 제1 발광 영역들 간의 이격 거리와 서로 이웃한 상기 제2 발광 영역들 간의 이격 거리는 각각 15㎛ 보다 크거나 같도록 형성되는 유기 발광 표시 장치 제조 방법.
- 제18항에서,상기 제1 화소 정의막 및 상기 제2 화소 정의막은 유기막으로 형성되는 유기 발광 표시 장치 제조 방법.
- 제14항에서,상기 제1 구동 회로부는 상기 제1 유기 발광 소자의 제1 화소 전극과 연결된 제1 구동 박막 트랜지스터를 더 포함하며,상기 제2 구동 회로부는 상기 제2 유기 발광 소자의 제2 화소 전극과 연결된 제2 구동 박막 트랜지스터를 더 포함하는 유기 발광 표시 장치 제조 방법.
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