JP2005158672A - 平板表示装置 - Google Patents
平板表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005158672A JP2005158672A JP2004081618A JP2004081618A JP2005158672A JP 2005158672 A JP2005158672 A JP 2005158672A JP 2004081618 A JP2004081618 A JP 2004081618A JP 2004081618 A JP2004081618 A JP 2004081618A JP 2005158672 A JP2005158672 A JP 2005158672A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- display device
- panel display
- flat panel
- taper
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 448
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 169
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 125
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 263
- 230000032258 transport Effects 0.000 claims description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 36
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N Carbazole Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 35
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 28
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 28
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 28
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 26
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 25
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 23
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 22
- 241000284156 Clerodendrum quadriloculare Species 0.000 claims description 19
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 19
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 19
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 claims description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 15
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 claims description 14
- PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N Stilbene Natural products C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N 0.000 claims description 10
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 claims description 10
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 claims description 10
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 claims description 10
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 claims description 10
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 claims description 10
- 230000001629 suppression Effects 0.000 claims description 10
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 9
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 9
- CQDAMYNQINDRQC-UHFFFAOYSA-N oxatriazole Chemical class C1=NN=NO1 CQDAMYNQINDRQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 8
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 claims description 4
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 claims 6
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims 5
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims 5
- 125000000609 carbazolyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 claims 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 23
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000607479 Yersinia pestis Species 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000004776 molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 150000003233 pyrroles Chemical class 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24479—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24479—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness
- Y10T428/24521—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness with component conforming to contour of nonplanar surface
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
【解決手段】 平板表示装置は、絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成され、前記基板の表面に対して第1段差及び第1テーパー角を有する下部薄膜と、前記絶縁基板上に形成され、前記下部膜のテーパー角を緩和させるための上部薄膜を備え、前記上部薄膜は、前記下部薄膜の第1テーパー角よりも小さい第2テーパー角とを有する。
【選択図】 図5
Description
tanθ2=(1−d2/(d1−d0))tanθ1
d1=(d1−d0)(1−tanθ2/tanθ1)
d2=d1(1−tanθ2/tanθ1)
ここで、θ1は下部薄膜の第1テーパー角であり、d1は上部薄膜の第2テーパー角が0°になる場合の上部薄膜の蒸着厚さである。
図5は、本発明のテーパー緩和膜の適用によりテーパー角度が緩和されている有機電界発光表示装置の断面構造を示したものである。図5を参照すると、絶縁基板40は、前記絶縁基板40の一部分を露出させる開口部42を備えた下部膜41を備える。前記下部膜41は、開口部42のエッジ部分で基板の上面に対して所定のテーパー角θ1を有する。また、下部膜41は、基板の上面に対して所定の段差d0を有する。
L2:y2=tanθ2+d3 ……(1)
直線L1はx軸方向の位置x0からd0を通り、L2はx軸方向の位置x0からd0+d2を通る。また、直線L1とL2は、x軸方向の位置x1ですべてd1を通る。
L1:d0=tanθ1x0
L2:d0+d2=tanθ2x0+d3
従って、d0+d2は、下記の式(2)で示される。
d0+d2=(tanθ2/tanθ1)d0+d3 ……(2)
となる。
L1:d1=tanθ1x1
L2:d1=tanθ2x1+d3
従って、d1は、下記の式(3)で示される。
d1=(tanθ2/tanθ1)d1+d3 ……(3)
d2=(d1−d0)(1−tanθ2/tanθ1)=(d1−d0)(1−a) …(5)
d3=d1(1−tanθ2/tanθ1)=d1(1−a) ……(6)
ここで、aは、基板上に下部膜だけが形成される場合の基板表面の平坦化精度に対する基板上にテーパー緩和膜が形成されている場合の基板表面の平坦化精度に対する比を示すもので、相対平坦化度と定義され、a=tanθ2/tanθ1として示される。
例えば、前記下部膜41が開口部42としてビアホールを備えた絶縁膜であり、この厚さd0が6000Åであり、ビアホールでのテーパー角度θ1が75゜である場合、前記ビアホールを完全に平坦化するのに必要なテーパー緩和膜43の最小厚さd1が8000Åであることが実験的に分かったとしたら、テーパー緩和膜43が下部膜41上で1000Åの厚さd2を有するように蒸着される時、テーパー緩和膜43により基板表面が平坦化される角度θ2とビアホールでのテーパー緩和膜43の厚さd3は、前記の式(4)と(6)から次のように計算される。
=0.5*3.73=1.87となる。
ビアホールでのテーパー緩和膜43のテーパー角度θ2は、
θ2=tan−1(1.87)=62゜となる。
d3=d1(1−tanθ2/tanθ1)=d1*d2/(d1−d0)
=8000*1000/2000=4000となる。
従って、ビアホールのテーパー角度が75゜であり、下部膜41上に形成されるテーパー緩和膜43の厚さが1000Åである時、ビアホール内に形成されるテーパー緩和膜43の厚さd3は4000Åとなる。
=2000(1−0.23)=1540となる。
d3=8000(1−tan40/tan75)
=8000(1−0.23)=6160となる。
すなわち、ビアホールでのテーパー緩和膜43が40゜のテーパー角θ2を有するように形成される場合、テーパー緩和膜43が下部膜41上では1540Åの厚さで形成され、ビアホールでは、6160Åの厚さで形成されることを算出的に求められることができる。
410、510、610、710、810 半導体層
411、511、611、711、811 ソース領域
415、515、615、715、815 ドレーン領域
420、520、620、720、820 ゲート絶縁膜
425、525、625、725、825 ゲート電極
430、530、630、730、830 層間絶縁膜
431、531、631、731、831 ソース電極
431、435、531、535、631、635、731、735、831、835 コンタクトホール
435、535、635、735、835 ドレーン電極
450、550、650、750、850 層間絶縁膜
455、555、655、755 ビアホール
470、570、670、770、870 アノード電極
475、575、675、775、875 開口部
660、760 平坦化膜
43、480、580、680、780、880 テーパー緩和膜
565、765 画素分離膜
485、585、685、785、885 有機EL層
490、590、690、790、890 カソード電極
Claims (63)
- 絶縁基板と、
前記絶縁基板上に形成され、前記基板の表面に対して第1段差及び第1テーパー角を有する下部薄膜と、
前記絶縁基板上に形成され、前記下部膜のテーパー角を緩和させるための上部薄膜を備え、
前記上部薄膜は前記下部薄膜の第1テーパー角より小さい第2テーパー角と、
を有することを特徴とする平板表示装置。 - 請求項1記載の平板表示装置において、
前記上部薄膜は、段差されている部分で、それ以外の部分よりも薄く蒸着されて基板表面の段差を緩和させることを特徴とする平板表示装置。 - 請求項1記載の平板表示装置において、
前記上部薄膜は、湿式コーティング可能な電荷輸送能力を有する導電性薄膜からなっていることを特徴とする平板表示装置。 - 請求項1記載の平板表示装置において、
前記上部薄膜は、高分子有機膜と低分子有機膜から選択される少なくとも一つの薄膜からなっていることを特徴とする平板表示装置。 - 請求項4記載の平板表示装置において、
前記上部薄膜の低分子有機膜は、カルバゾール系、アリールアミン系、ヒドラゾーン系、スチルベン系、スターバースト系、オキザディアゾール系及びスターバースト系誘導体から選択され、高分子有機膜はPEDOT、PANI、カルバゾール系、アリールアミン系、ペリレン系、ピロール系、オキザディアゾール系誘導体から選択されることを特徴とする平板表示装置。 - 請求項1記載の平板表示装置において、
前記下部薄膜は、前記基板の一部分を露出させるホールをさらに備え、前記第1テーパー角は基板表面に対して前記ホールの側面がなす角度であり、前記第2テーパー角は前記ホールで基板表面に対して前記上部薄膜がなす角度であることを特徴とする平板表示装置。 - 請求項6記載の平板表示装置において、
ソース/ドレーン領域及びソース/ドレーン電極及び前記ソース/ドレーン電極を前記ソース/ドレーン領域と連結させるためのコンタクトホールを有する絶縁膜を備える薄膜トランジスターをさらに含み、
前記下部薄膜は、前記薄膜トランジスターの絶縁膜であり、前記ホールは前記ソース/ドレーン電極と前記ソース/ドレーン領域を連結させるための前記コンタクトホールであることを特徴とする平板表示装置。 - 請求項6記載の平板表示装置において、
少なくともソース/ドレーン電極を備える薄膜トランジスターと、
前記ソース/ドレーン電極のうち、一つを露出させるビアホールと、
前記ビアホールを通って前記露出された一つの電極に連結される画素電極とをさらに含み、
前記下部薄膜は、前記絶縁膜であり、前記ホールは前記露出された一つの電極と画素電極を連結させるための前記ビアホールであることを特徴とする平板表示装置。 - 請求項6記載の平板表示装置において、
前記第2テーパー角は60°以下であることを特徴とする平板表示装置。 - 請求項1記載の平板表示装置において、
前記下部薄膜は、前記基板の一部分を露出させる開口部をさらに備え、前記第1テーパー角は基板表面に対して前記開口部の側面がなす角度であり、前記第2テーパー角は前記開口部から基板表面に対して前記上部薄膜がなす角度であることを特徴とする平板表示装置。 - 請求項10記載の平板表示装置において、
前記第2テーパー角は40°以下であることを特徴とする平板表示装置。 - 請求項10記載の平板表示装置において、
下部電極、前記下部電極の一部分を露出させる画素分離膜、有機薄膜層及び上部電極をさらに含み、
前記下部薄膜は画素分離膜であり、前記開口部は前記下部電極の一部分を露出させることを特徴とする平板表示装置。 - 請求項12記載の平板表示装置において、
前記上部薄膜は湿式コーティング可能な電荷輸送能力を有する導電性薄膜からなっていることを特徴とする平板表示装置。 - 請求項13記載の平板表示装置において、
前記上部薄膜は高分子有機膜と低分子有機膜から選択される少なくとも一つの薄膜からなっていることを特徴とする平板表示装置。 - 請求項14記載の平板表示装置において、
前記上部薄膜の低分子有機膜はカルバゾール系、アリールアミン系、ヒドラゾーン系、スチルベン系、スターバースト系、オキザディアゾール系、スターバースト系誘導体から選択され、高分子有機膜はPEDOT、PANI、カルバゾール系、アリールアミン系、ペリレン系、ピロール系、オキザディアゾール系誘導体から選択されることを特徴とする平板表示装置。 - 請求項12記載の平板表示装置において、
前記有機薄膜層は正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔抑制層、電子輸送層、電子注入層から選択される少なくとも一つの薄膜層を備えることを特徴とする平板表示装置。 - 請求項16記載の平板表示装置において、
前記上部薄膜は、前記下部電極と発光層との間に形成されることを特徴とする平板表示装置。 - 請求項17記載の平板表示装置において、
前記発光層はレーザー熱伝写法により形成される有機薄膜層、インクジェット方式により形成される有機薄膜層及び蒸着法により形成される有機薄膜層から選択されることを特徴とする平板表示装置。 - 請求項17記載の平板表示装置において、
前記下部電極は透明電極であり、前記上部電極は反射電極として、前記発光層から発光される光が前記絶縁基板方向に放出されることを特徴とする平板表示装置。 - 請求項17記載の平板表示装置において、
前記下部電極は反射電極であり、前記上部電極は透明電極として、発光層から発光される光が前記絶縁基板と反対方向に放出されることを特徴とする平板表示装置。 - 請求項17記載の平板表示装置において、
前記下部電極と上部電極はすべて透明電極として、発光層から発光される光が前記絶縁基板方向に放出されると同時に絶縁基板と反対方向に放出されることを特徴とする平板表示装置。 - 請求項12記載の平板表示装置において、
前記下部電極がアノード電極である場合、前記上部薄膜は正孔輸送能力を有し、HOMOは4.5eV以上であり、電荷移動度は10−8cm2/Vs以上である有機薄膜であることを特徴とする平板表示装置。 - 請求項12記載の平板表示装置において、
前記下部電極がカソード電極である場合、前記上部薄膜は電子輸送能力を有し、LUMOは3.5eV以上であり、電荷移動度は10−8cm2/Vs以上であることを特徴とする平板表示装置。 - 少なくともソース/ドレーン電極を備える薄膜トランジスターを含む絶縁基板と、
前記絶縁基板上に形成され、前記ソース/ドレーン電極のうち、一つを露出させるビアホールを備える絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成されて前記ビアホールを通じて前記露出されている一つの電極に連結される下部電極、有機薄膜層及び上部電極を備える有機EL素子と、
前記下部電極上部に形成されているテーパー緩和膜とを含み、
前記ビアホールでの前記テーパー緩和膜のテーパー角は前記ビアホールのテーパー角よりも小さい第1テーパー角を有し、
前記下部電極のエッジ部分での前記テーパー緩和膜は前記下部電極のエッジ部分のテーパー角よりも小さい第2テーパー角を有することを特徴とする平板表示装置。 - 請求項24記載の平板表示装置において、
有機薄膜層は正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔抑制層、電子輸送層及び電子注入層から選択される一つ以上の有機膜からなり、前記発光層はレーザー熱伝写法により形成される有機薄膜層、インクジェット方式により形成される有機薄膜層及び蒸着法により形成される有機薄膜層から選択される一つの有機薄膜層であることを特徴とする平板表示装置。 - 請求項25記載の平板表示装置において、
前記テーパー緩和膜は湿式コーティング可能な電荷輸送能力を有する導電性有機膜として、前記上部電極と前記発光層との間に形成されることを特徴とする平板表示装置。 - 請求項26記載の平板表示装置において、
前記テーパー緩和膜はカルバゾール系、アリールアミン系、ヒドラゾーン系、スチルベン系、スターバースト系、オキザディアゾール系、スターバースト系誘導体から選択される低分子有機膜とPEDOT、PANI、カルバゾール系、アリールアミン系、ペリレン系、ピロール系、オキザディアゾール系誘導体から選択される高分子有機膜から選択される少なくとも一つの有機膜からなっていることを特徴とする平板表示装置。 - 請求項24記載の平板表示装置において、
前記テーパー緩和膜の第1テーパー角は60°以下であり、テーパー緩和膜の第2テーパー角は40°以下であることを特徴とする平板表示装置。 - 請求項28記載の平板表示装置において、
絶縁膜はパッシベイション膜と平坦化膜から選択される少なくとも一つの膜でなり、前記テーパー緩和膜の蒸着厚さは前記テーパー緩和膜の第1テーパー角及び第2テーパー角、前記パッシベイション膜と平坦化膜の厚さ、前記ビアホールのテーパー及びアノード電極のエッジ部分のテーパー角によって決定されることを特徴とする平板表示装置。 - 請求項24記載の平板表示装置において、
前記下部電極は反射電極であり、前記上部電極は透明電極として発光層から発光される光が前記絶縁基板と反対方向に放出され、前記下部電極がアノード電極である場合、前記テーパー緩和膜は正孔輸送能力を有し、HOMOは4.5eV以上、電荷移動度は10−8cm2/Vs以上であり、前記下部電極がカソード電極である場合、テーパー緩和膜は電子輸送能力を有し、LUMOは3.5eV以上であり電荷移動度は10−8cm2/Vs以上であることを特徴とする平板表示装置。 - 少なくともソース/ドレーン電極を備える薄膜トランジスターを含む絶縁基板と、
前記絶縁基板上に形成され、前記ソース/ドレーン電極のうち一つを露出させるビアホールを備える第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜上に形成され、前記ビアホールを通じて前記露出された一つの電極に連結される下部電極と、
前記下部電極の一部分を露出させる開口部を備える第2絶縁膜と、
前記第2絶縁膜と開口部上に形成される有機薄膜層と、
前記有機薄膜層上に形成される上部電極と、
前記下部電極上部に形成されるテーパー緩和膜とを含み、
前記テーパー緩和膜は前記開口部での第2絶縁膜のテーパー角よりも小さいテーパー角を有することを特徴とする平板表示装置。 - 請求項31記載の平板表示装置において、
有機薄膜層は正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔抑制層、
電子輸送層及び電子注入層から選択される一つ以上の有機膜からなり、前記発光層はレーザー熱伝写法により形成される有機薄膜層、インクジェット方式により形成される有機薄膜層及び蒸着法により形成される有機薄膜層から選択される一つの有機薄膜層であることを特徴とする平板表示装置。 - 請求項32記載の平板表示装置において、
前記テーパー緩和膜は湿式コーティング可能な電荷輸送能力を有する導電性有機膜として、前記上部電極と前記発光層との間に形成されることを特徴とする平板表示装置。 - 請求項33記載の平板表示装置において、
前記テーパー緩和膜はカルバゾール系、アリールアミン系、ヒドラゾーン系、スチルベン系、スターバースト系、オキザディアゾール系、スターバースト系誘導体から選択される低分子有機膜とPEDOT、PANI、カルバゾール系、アリールアミン系、ペリレン系、ピロール系、オキザディアゾール系誘導体から選択される高分子有機膜から選択される少なくとも一つの有機膜からなることを特徴とする平板表示装置。 - 請求項31記載の平板表示装置において、
前記テーパー緩和膜のテーパー角は40°以下であることを特徴とする平板表示装置。 - 請求項31記載の平板表示装置において、
第1絶縁膜はパッシベイション膜と平坦膜から選択される少なくとも一つの膜からなり、第2絶縁膜は画素分離膜からなり、前記テーパー緩和膜の蒸着厚さは前記テーパー緩和膜のテーパー角、前記画素分離膜の厚さとテーパー角によって決定されることを特徴とする平板表示装置。 - 請求項31記載の平板表示装置において、
前記下部電極は反射電極であり、前記上部電極は透明電極として発光層から発光される光が前記絶縁基板と反対方向に放出され、前記下部電極がアノード電極である場合、前記テーパー緩和膜は正孔輸送能力を有し、HOMOは4.5eV以上、電荷移動度は10−8cm2/Vs以上であり、前記下部電極がカソード電極である場合、テーパー緩和膜は電子輸送能力を有し、LUMOは3.5eV以上であり電荷移動度は10−8cm2/Vs以上であることを特徴とする平板表示装置。 - ソース/ドレーン領域を備えた半導体層、前記ソース/ドレーン領域の一部分を露出させるコンタクトホールを備えた第1絶縁膜、前記コンタクトホールを通じて前記ソース/ドレーン領域に連結されるソース/ドレーン電極を備える薄膜トランジスターを含む絶縁基板と、
前記絶縁基板上に形成され、前記ソース/ドレーン電極のうち一つを露出させるビアホールを備えた第2絶縁膜と、
前記第2絶縁膜上に形成され、前記ビアホールを通じて前記薄膜トランジスターの一つの電極に連結される下部電極、有機薄膜層及び上部電極を備えるEL素子と、
前記下部電極上部に形成されているテーパー緩和膜とを含み、
前記コンタクトホールでの前記テーパー緩和膜のテーパー角はコンタクトホールのテーパー角よりも小さい第1テーパー角を有し、
前記ビアホールでの前記テーパー緩和膜のテーパー角はビアホールのテーパー角よりも小さい第2テーパー角を有し、
前記下部電極のエッジ部分での前記テーパー緩和膜のテーパー角は前記下部電極のエッジ部分のテーパー角よりも小さい第3テーパー角を有することを特徴とする平板表示装置。 - 請求項38記載の平板表示装置において、
有機薄膜層は正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔抑制層、電子輸送層及び電子注入層から選択される一つ以上の有機膜かたなり、前記発光層はレーザー熱伝写法により形成される有機薄膜層、インクジェット方式により形成される有機薄膜層及び蒸着法により形成される有機薄膜層から選択される一つの有機薄膜層であることを特徴とする平板表示装置。 - 請求項39記載の平板表示装置において、
前記テーパー緩和膜は湿式コーティング可能な電荷輸送能力を有する導電性有機膜として、前記上部電極と前記発光層との間に形成されることを特徴とする平板表示装置。 - 請求項40記載の平板表示装置において、
前記テーパー緩和膜はカルバゾール系、アリールアミン系、ヒドラゾーン系、スチルベン系、スターバースト系、オキザディアゾール系、スターバースト系誘導体から選択される低分子有機膜とPEDOT、PANI、カルバゾール系、アリールアミン系、ペリレン系、ピロール系、オキザディアゾール系誘導体から選択される高分子有機膜から選択される少なくとも一つの有機膜からなることを特徴とする平板表示装置。 - 請求項38記載の平板表示装置において、
前記テーパー緩和膜の第1テーパー角は60°以下であり、第2テーパー角は60°以下で、第3テーパー角は40°以下であることを特徴とする平板表示装置。 - 請求項38記載の平板表示装置において、
絶縁膜はパッシベイション膜と平坦膜から選択される少なくとも一つの膜からなり、前記テーパー緩和膜の蒸着厚さは前記テーパー緩和膜の第1テーパー角ないし第3テーパー角、前記絶縁膜の厚さとビアホール及びコンタクトホールのテーパー角そして、アノード電極の厚さ及びアノード電極のエッジ部分でのテーパー角によって決定されることを特徴とする平板表示装置。 - 請求項38記載の平板表示装置において、
前記下部電極は透明電極であり、前記上部電極は反射電極として発光層から発光される光が前記絶縁基板方向に放出され、前記下部電極がアノード電極である場合、前記テーパー緩和膜は正孔輸送能力を有し、HOMOは4.5eV以上、電荷移動度は10−8cm2/Vs以上であり、前記下部電極がカソード電極である場合、テーパー緩和膜は電子輸送能力を有し、LUMOは3.5eV以上であり電荷移動度は10−8cm2/Vs以上であることを特徴とする平板表示装置。 - ソース/ドレーン領域を備える半導体層、前記ソース/ドレーン領域の一部分を露出させるコンタクトホールを備える第1絶縁膜、前記コンタクトホールを通じて前記ソース/ドレーン領域に連結されるソース/ドレーン電極を備える薄膜トランジスターを含む絶縁基板と、
前記絶縁基板上に形成され、前記ソース/ドレーン電極のうち一つを露出させるビアホールを備える第2絶縁膜と、
第2絶縁膜上に形成され、前記ソース/ドレーン電極のうち一つの電極に連結される下部電極と、
前記下部電極の一部分を露出させる開口部を備える第3絶縁膜と、
前記第3絶縁膜と開口部上に形成されている有機薄膜層と、
前記有機薄膜上に形成されている上部電極と、
前記下部電極上部に形成されているテーパー緩和膜とを含み、
前記開口部での前記テーパー緩和膜のテーパー角は前記開口部のテーパー角よりも小さいことを特徴とする平板表示装置。 - 請求項45記載の平板表示装置において、
有機薄膜層は正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔抑制層、電子輸送層及び電子注入層から選択される一つ以上の有機膜からなり、前記発光層はレーザー熱伝写法により形成される有機薄膜層、インクジェット方式により形成される有機薄膜層及び蒸着法により形成される有機薄膜層から選択される一つの有機薄膜層であることを特徴とする平板表示装置。 - 請求項46記載の平板表示装置において、
前記テーパー緩和膜は湿式コーティング可能な電荷輸送能力を有する導電性有機膜として、前記上部電極と前記発光層との間に形成されることを特徴とする平板表示装置。 - 請求項47記載の平板表示装置において、
前記テーパー緩和膜はカルバゾール系、アリールアミン系、ヒドラゾーン系、スチルベン系、スターバースト系、オキザディアゾール系、スターバースト系誘導体から選択される低分子有機膜とPEDOT、PANI、カルバゾール系、アリールアミン系、ペリレン系、ピロール系、オキザディアゾール系誘導体から選択される高分子有機膜から選択される少なくとも一つの有機膜からなることを特徴とする平板表示装置。 - 請求項45記載の平板表示装置において、
前記テーパー緩和膜のテーパー角は40°以下であることを特徴とする平板表示装置。 - 請求項45記載の平板表示装置において、
第1絶縁膜は層間絶縁膜であり、第2絶縁膜はパッシベイション膜と平坦膜から選択される少なくとも一つの膜からなり、第3絶縁膜は画素分離膜からなり、前記テーパー緩和膜の蒸着厚さは前記テーパー緩和膜のテーパー角、前記画素分離膜の厚さとテーパー角によって決定されることを特徴とする平板表示装置。 - 請求項45記載の平板表示装置において、
前記下部電極は透明電極であり、前記上部電極は反射電極として発光層から発光されている光が前記絶縁基板方向に放出され、前記下部電極がアノード電極である場合、前記テーパー緩和膜は正孔輸送能力を有し、HOMOは4.5eV以上、電荷移動度は10−8cm2/Vs以上であり、前記下部電極がカソード電極である場合、テーパー緩和膜は電子輸送能力を有し、LUMOは3.5eV以上であり電荷移動度は10−8cm2/Vs以上であることを特徴とする平板表示装置。 - ソース/ドレーン領域を備える半導体層、前記ソース/ドレーン領域の一部分を露出させるコンタクトホールを備える第1絶縁膜、前記コンタクトホールを通じて前記ソース/ドレーン領域に連結されるソース/ドレーン電極を備える薄膜トランジスターを含む絶縁基板と、
前記ソース/ドレーン電極と同じく第1絶縁膜上に形成され、前記ソース/ドレーン電極のうち一つに連結される下部電極と、
前記下部電極の一部分を露出させる開口部を備える第2絶縁膜と、
前記第2絶縁膜と開口部上に形成される有機薄膜層と、
前記有機薄膜上に形成される上部電極と、
前記下部電極上部に形成されるテーパー緩和膜とを含み、
前記コンタクトホールでの前記テーパー緩和膜のテーパー角はコンタクトホールのテーパー角よりも小さい第1テーパー角を有し、前記開口部での前記テーパー緩和膜は前記開口部のテーパー角よりも小さい第2テーパー角を有することを特徴とする平板表示装置。 - 請求項52記載の平板表示装置において、
有機薄膜層は正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔抑制層、電子輸送層及び電子注入層から選択される一つ以上の有機膜からなり、前記発光層はレーザー熱伝写法により形成される有機薄膜層、インクジェット方式により形成される有機薄膜層及び蒸着法により形成される有機薄膜層から選択される一つの有機薄膜層であることを特徴とする平板表示装置。 - 請求項53記載の平板表示装置において、
前記テーパー緩和膜は湿式コーティング可能な電荷輸送能力を有する導電性有機膜として、前記上部電極と前記発光層との間に形成されることを特徴とする平板表示装置。 - 請求項54記載の平板表示装置において、
前記テーパー緩和膜はカルバゾール系、アリールアミン系、ヒドラゾーン系、スチルベン系、スターバースト系、オキザディアゾール系、スターバースト系誘導体から選択される低分子有機膜とPEDOT、PANI、カルバゾール系、アリールアミン系、ペリレン系、ピロール系、オキザディアゾール系誘導体から選択される高分子有機膜から選択される少なくとも一つの有機膜からなることを特徴とする平板表示装置。 - 請求項52記載の平板表示装置において、
前記テーパー緩和膜の第1テーパー角は60°であり、第2テーパー角は40°以下であることを特徴とする平板表示装置。 - 請求項52記載の平板表示装置において、
第1絶縁膜は層間絶縁膜であり、第2絶縁膜はパッシベイション膜で、前記テーパー緩和膜の蒸着厚さは前記テーパー緩和膜の第1テーパー角及び第2テーパー角、前記層間絶縁膜とパッシベイション膜の厚さとコンタクトホール及び開口部のテーパー角によって決定されることを特徴とする平板表示装置。 - 請求項52記載の平板表示装置において、
前記下部電極は透明電極であり、前記上部電極は反射電極として発光層から発光されている光が前記絶縁基板方向に放出され、前記下部電極がアノード電極である場合、前記テーパー緩和膜は正孔輸送能力を有し、HOMOは4.5eV以上、電荷移動度は10−8cm2/Vs以上であり、前記下部電極がカソード電極である場合、テーパー緩和膜は電子輸送能力を有し、LUMOは3.5eV以上であり電荷移動度は10−8cm2/Vs以上であることを特徴とする平板表示装置。 - 絶縁基板と、
前記絶縁基板上に形成され、前記基板の表面に対して第1段差及び第1テーパー角を有する下部薄膜と、
前記絶縁基板上に形成され、前記基板の表面に対して第2テーパー角を有する前記下部薄膜の第1テーパー角を緩和させるための上部薄膜とを含み、
前記下部薄膜の第1テーパー角よりも小さい第2テーパー角を有するための前記上部薄膜の蒸着厚さのうち、前記下部薄膜の段差されている部分に形成される部分の蒸着厚さd1とその他の部分に形成される部分の蒸着厚さd2及び前記上部薄膜のテーパー角θ2は下記の式から求められることを特徴とする平板表示装置。
tanθ2=(1−d2/(d1−d0))tanθ1
d1=(d1−d0)(1−tanθ2/tanθ1)
d2=d1(1−tanθ2/tanθ1)
ここで、θ1は下部膜の第1テーパー角であり、d1は上部薄膜の第2テーパー角が0°になる場合の上部薄膜の蒸着厚さである。 - 請求項59記載の平板表示装置において、
ソース/ドレーン領域及びソース/ドレーン電極及び前記ソース/ドレーン電極を前記ソース/ドレーン領域と連結させるためのコンタクトホールを有する絶縁膜を備える薄膜トランジスターをさらに含み、
前記下部薄膜は前記薄膜トランジスターの絶縁膜であり、前記ホールは前記ソース/ドレーン電極とソース/ドレーン領域を連結させるための前記コンタクトホールであり、
前記テーパー緩和膜の蒸着厚さはテーパー緩和膜のテーパー角、コンタクトホールの深さ及びコンタクトホールのテーパー角によって、前記式から求められることを特徴とする平板表示装置。 - 請求項59記載の平板表示装置において、
少なくともソース/ドレーン電極を備える薄膜トランジスターと、
前記ソース/ドレーン電極のうち一つを露出さあせるビアホールと、
前記ビアホールを通じて前記露出された一つの電極に連結される画素電極とをさらに含み、
前記下部薄膜は前記絶縁膜であり、前記ホールは前記露出された一つの電極と画素電極を連結させるための前記ビアホールであり、
前記テーパー緩和膜の蒸着厚さはテーパー緩和膜のテーパー角、ビアホールの深さ及びビアホールのテーパー角によって前記式から求められることを特徴とする平板表示装置。 - 請求項59記載の平板表示装置において、
下部電極、前記下部電極の一部分を露出させる画素分離膜、有機薄膜層及び上部電極をさらに含み、
前記下部薄膜は画素分離膜であり、前記開口部は前記下部電極の一部分を露出させる開口部であり、
前記テーパー緩和膜の蒸着厚さはテーパー緩和膜のテーパー角、画素分離膜の厚さ及び開口部のテーパー角によって、前記式から求められることを特徴とする平板表示装置。 - 請求項59記載の平板表示装置において、
前記上部薄膜は湿式コーティング可能な電荷輸送能力を有する導電性有機薄膜として、カルバゾール系、アリールアミン系、ヒドラゾーン系、スチルベン系、スターバースト系、オキザディアゾール系、スターバースト系誘導体から選択される低分子有機膜とPEDOT、PANI、カルバゾール系、アリールアミン系、ペリレン系、ピロール系、オキザディアゾール系誘導体から選択される高分子有機膜から選択されることを特徴とする平板表示装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020030084746A KR100741962B1 (ko) | 2003-11-26 | 2003-11-26 | 평판표시장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005158672A true JP2005158672A (ja) | 2005-06-16 |
Family
ID=34464754
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004081618A Pending JP2005158672A (ja) | 2003-11-26 | 2004-03-19 | 平板表示装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8063550B2 (ja) |
EP (1) | EP1536471B1 (ja) |
JP (1) | JP2005158672A (ja) |
KR (1) | KR100741962B1 (ja) |
CN (2) | CN100511753C (ja) |
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007172873A (ja) * | 2005-12-19 | 2007-07-05 | Kyocera Corp | 画像表示装置およびその製造方法 |
JP2007200890A (ja) * | 2006-01-25 | 2007-08-09 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光表示装置及びその製造方法 |
JP2007200887A (ja) * | 2006-01-25 | 2007-08-09 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光表示装置及びその製造方法 |
US7821197B2 (en) | 2006-01-27 | 2010-10-26 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting display and fabricating method of the same |
US7825594B2 (en) | 2006-01-25 | 2010-11-02 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting display and fabricating method of the same |
US7837530B2 (en) | 2006-03-29 | 2010-11-23 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Method of sealing an organic light emitting display by means of a glass frit seal assembly |
US7944143B2 (en) | 2006-01-25 | 2011-05-17 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device with frit seal and reinforcing structure bonded to frame |
US8038495B2 (en) | 2006-01-20 | 2011-10-18 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device and manufacturing method of the same |
WO2011138816A1 (ja) * | 2010-05-07 | 2011-11-10 | パナソニック株式会社 | 有機el表示パネル及びその製造方法 |
WO2011138817A1 (ja) * | 2010-05-07 | 2011-11-10 | パナソニック株式会社 | 有機el表示パネル及びその製造方法 |
US8063561B2 (en) | 2006-01-26 | 2011-11-22 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device |
US8120249B2 (en) | 2006-01-23 | 2012-02-21 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting display and method of fabricating the same |
US8125146B2 (en) | 2006-01-27 | 2012-02-28 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting display having a second frit portion configured to melt more easily than a frit portion |
US8299705B2 (en) | 2006-01-26 | 2012-10-30 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and manufacturing method thereof |
JP2013012492A (ja) * | 2012-09-10 | 2013-01-17 | Sony Corp | 表示装置 |
US8415880B2 (en) | 2006-01-20 | 2013-04-09 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device with frit seal and reinforcing structure |
WO2013190847A1 (ja) * | 2012-06-20 | 2013-12-27 | パナソニック株式会社 | 有機発光素子およびその製造方法 |
US8729796B2 (en) | 2006-01-25 | 2014-05-20 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device including a gap to improve image quality and method of fabricating the same |
JP2014123628A (ja) * | 2012-12-20 | 2014-07-03 | Japan Display Inc | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 |
Families Citing this family (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100611159B1 (ko) * | 2003-11-29 | 2006-08-09 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계 발광표시장치 |
KR100683695B1 (ko) * | 2004-11-11 | 2007-02-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계 발광표시장치 |
US7259405B2 (en) * | 2004-11-23 | 2007-08-21 | Au Optronics Corporation | Organic photoelectric device with improved electron transport efficiency |
KR102381391B1 (ko) * | 2015-04-16 | 2022-03-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
WO2006115283A1 (en) * | 2005-04-25 | 2006-11-02 | Showa Denko K. K. | Method of producing a display device |
US7795592B2 (en) * | 2005-11-21 | 2010-09-14 | Fujifilm Corporation | Image detector and manufacturing method of the same |
KR100736577B1 (ko) * | 2006-04-07 | 2007-07-06 | 엘지전자 주식회사 | 전계발광소자 및 그 제조방법 |
TWI358964B (en) * | 2006-04-12 | 2012-02-21 | Au Optronics Corp | Electroluminescence display element and method for |
JP2008147418A (ja) * | 2006-12-11 | 2008-06-26 | Hitachi Ltd | 薄膜トランジスタ装置、画像表示装置およびその製造方法 |
KR100870363B1 (ko) | 2007-03-15 | 2008-11-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 이차전지용 보호회로 기판과 이를 이용한 이차전지 |
KR100900444B1 (ko) * | 2007-06-27 | 2009-06-02 | 엘지전자 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 |
JP5489542B2 (ja) * | 2008-07-01 | 2014-05-14 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置及び放射線撮像システム |
RU2507638C2 (ru) * | 2008-10-02 | 2014-02-20 | Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. | Устройство oled с покрытой шунтирующей линией |
US8101699B2 (en) * | 2008-12-02 | 2012-01-24 | General Electric Company | Electron-transporting polymers |
KR101156275B1 (ko) | 2009-02-06 | 2012-06-13 | 주식회사 엘지화학 | 터치스크린 및 이의 제조방법 |
CN102308367B (zh) * | 2009-02-06 | 2015-06-10 | Lg化学株式会社 | 制造绝缘导电图形的方法和层压体 |
WO2010090394A2 (ko) | 2009-02-06 | 2010-08-12 | 주식회사 엘지화학 | 절연된 도전성 패턴의 제조 방법 |
JP2010245366A (ja) * | 2009-04-08 | 2010-10-28 | Fujifilm Corp | 電子素子及びその製造方法、並びに表示装置 |
TWI401635B (zh) | 2009-04-13 | 2013-07-11 | Innolux Corp | 顯示面板及應用該顯示面板的影像顯示系統 |
US20100270537A1 (en) * | 2009-04-22 | 2010-10-28 | General Electric Company | Optoelectronic devices and organic compounds used therein |
CN103606549B (zh) * | 2009-04-23 | 2017-06-09 | 群创光电股份有限公司 | 显示面板及应用该显示面板的图像显示系统 |
CN101872780B (zh) * | 2009-04-23 | 2013-11-27 | 群创光电股份有限公司 | 显示面板及应用该显示面板的图像显示系统 |
CN102598891B (zh) | 2009-07-16 | 2015-11-25 | Lg化学株式会社 | 电导体及其制造方法 |
KR101084193B1 (ko) * | 2010-02-16 | 2011-11-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
JP5677890B2 (ja) * | 2010-09-30 | 2015-02-25 | 富士フイルム株式会社 | 光電変換素子、光電変換素子の製造方法、及び撮像素子 |
KR102013893B1 (ko) | 2012-08-20 | 2019-08-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 평판표시장치 및 그의 제조방법 |
KR20140046331A (ko) * | 2012-10-10 | 2014-04-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
CN104425544B (zh) * | 2013-09-09 | 2017-07-07 | 瀚宇彩晶股份有限公司 | 有机发光二极管显示器的像素结构 |
JP6457879B2 (ja) * | 2015-04-22 | 2019-01-23 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及びその製造方法 |
KR102379194B1 (ko) * | 2015-05-11 | 2022-03-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 패널 및 이의 제조 방법 |
CN104952934B (zh) * | 2015-06-25 | 2018-05-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管及制造方法、阵列基板、显示面板 |
JP6510067B2 (ja) * | 2015-11-06 | 2019-05-08 | シャープ株式会社 | 表示基板、表示装置及び表示基板の製造方法 |
CN108231673B (zh) * | 2018-01-19 | 2020-07-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
CN108400152B (zh) * | 2018-03-30 | 2022-06-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled显示屏的制造方法及oled显示屏 |
CN114460772A (zh) * | 2022-01-26 | 2022-05-10 | 武汉华星光电技术有限公司 | 阵列基板和显示面板 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001031223A (ja) * | 1999-07-21 | 2001-02-06 | Murata Mach Ltd | 自動倉庫のラック |
JP2001131593A (ja) * | 1999-11-09 | 2001-05-15 | Asahi Kasei Corp | 非引火性洗浄剤 |
JP2001189192A (ja) * | 1999-10-12 | 2001-07-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及びその作製方法 |
JP2001195016A (ja) * | 1999-10-29 | 2001-07-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電子装置 |
JP2001312223A (ja) * | 2000-02-22 | 2001-11-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 自発光装置及びその作製方法 |
JP2002164181A (ja) * | 2000-09-18 | 2002-06-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及びその作製方法 |
JP2003022892A (ja) * | 2001-07-06 | 2003-01-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の製造方法 |
JP2003091246A (ja) * | 2001-09-18 | 2003-03-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネセンスディスプレイパネルおよびその製造方法 |
JP2003243171A (ja) * | 2002-02-18 | 2003-08-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルおよびその製造方法 |
JP2003313655A (ja) * | 2002-02-25 | 2003-11-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 製造装置 |
JP2004234901A (ja) * | 2003-01-28 | 2004-08-19 | Seiko Epson Corp | ディスプレイ基板、有機el表示装置、ディスプレイ基板の製造方法および電子機器 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR950010703A (ko) * | 1993-09-23 | 1995-04-28 | 박경팔 | 전계 방출 에미터 및 그 제조방법 |
US5684365A (en) | 1994-12-14 | 1997-11-04 | Eastman Kodak Company | TFT-el display panel using organic electroluminescent media |
JP3401356B2 (ja) | 1995-02-21 | 2003-04-28 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法 |
TW477907B (en) * | 1997-03-07 | 2002-03-01 | Toshiba Corp | Array substrate, liquid crystal display device and their manufacturing method |
US6274887B1 (en) * | 1998-11-02 | 2001-08-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method therefor |
TW439387B (en) | 1998-12-01 | 2001-06-07 | Sanyo Electric Co | Display device |
US8853696B1 (en) | 1999-06-04 | 2014-10-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and electronic device |
TW483287B (en) | 1999-06-21 | 2002-04-11 | Semiconductor Energy Lab | EL display device, driving method thereof, and electronic equipment provided with the EL display device |
KR100325078B1 (ko) * | 1999-06-25 | 2002-03-02 | 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 | 유기 전계발광 표시소자의 제조방법 |
JP4925528B2 (ja) | 2000-09-29 | 2012-04-25 | 三洋電機株式会社 | 表示装置 |
JP3943900B2 (ja) | 2000-11-09 | 2007-07-11 | 株式会社東芝 | 自己発光型表示装置 |
US6573651B2 (en) * | 2000-12-18 | 2003-06-03 | The Trustees Of Princeton University | Highly efficient OLEDs using doped ambipolar conductive molecular organic thin films |
SG102681A1 (en) | 2001-02-19 | 2004-03-26 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
JP4302901B2 (ja) * | 2001-02-27 | 2009-07-29 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 発光体および発光システム |
JP3608613B2 (ja) * | 2001-03-28 | 2005-01-12 | 株式会社日立製作所 | 表示装置 |
JP2003131593A (ja) | 2001-10-26 | 2003-05-09 | Sharp Corp | アクティブマトリクス駆動型有機ledパネル |
KR100656490B1 (ko) | 2001-11-26 | 2006-12-12 | 삼성에스디아이 주식회사 | 풀칼라 유기전계 발광표시소자 및 그의 제조방법 |
JP3705264B2 (ja) | 2001-12-18 | 2005-10-12 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置及び電子機器 |
TWI258317B (en) * | 2002-01-25 | 2006-07-11 | Semiconductor Energy Lab | A display device and method for manufacturing thereof |
US6872472B2 (en) * | 2002-02-15 | 2005-03-29 | Eastman Kodak Company | Providing an organic electroluminescent device having stacked electroluminescent units |
JP2004031262A (ja) | 2002-06-28 | 2004-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンスパネル |
KR100469398B1 (ko) * | 2002-12-31 | 2005-02-02 | 엘지전자 주식회사 | 전계 방출 소자 및 제조 방법 |
-
2003
- 2003-11-26 KR KR1020030084746A patent/KR100741962B1/ko active IP Right Grant
-
2004
- 2004-03-19 JP JP2004081618A patent/JP2005158672A/ja active Pending
- 2004-09-23 US US10/947,421 patent/US8063550B2/en active Active
- 2004-10-18 EP EP04090398.1A patent/EP1536471B1/en active Active
- 2004-11-05 CN CNB2004100897615A patent/CN100511753C/zh active Active
- 2004-11-05 CN CN2008100819968A patent/CN101257038B/zh active Active
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001031223A (ja) * | 1999-07-21 | 2001-02-06 | Murata Mach Ltd | 自動倉庫のラック |
JP2001189192A (ja) * | 1999-10-12 | 2001-07-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及びその作製方法 |
JP2001195016A (ja) * | 1999-10-29 | 2001-07-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電子装置 |
JP2001131593A (ja) * | 1999-11-09 | 2001-05-15 | Asahi Kasei Corp | 非引火性洗浄剤 |
JP2001312223A (ja) * | 2000-02-22 | 2001-11-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 自発光装置及びその作製方法 |
JP2002164181A (ja) * | 2000-09-18 | 2002-06-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及びその作製方法 |
JP2003022892A (ja) * | 2001-07-06 | 2003-01-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の製造方法 |
JP2003091246A (ja) * | 2001-09-18 | 2003-03-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネセンスディスプレイパネルおよびその製造方法 |
JP2003243171A (ja) * | 2002-02-18 | 2003-08-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルおよびその製造方法 |
JP2003313655A (ja) * | 2002-02-25 | 2003-11-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 製造装置 |
JP2004234901A (ja) * | 2003-01-28 | 2004-08-19 | Seiko Epson Corp | ディスプレイ基板、有機el表示装置、ディスプレイ基板の製造方法および電子機器 |
Cited By (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007172873A (ja) * | 2005-12-19 | 2007-07-05 | Kyocera Corp | 画像表示装置およびその製造方法 |
US8038495B2 (en) | 2006-01-20 | 2011-10-18 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device and manufacturing method of the same |
US9004972B2 (en) | 2006-01-20 | 2015-04-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device with frit seal and reinforcing structure |
US8415880B2 (en) | 2006-01-20 | 2013-04-09 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device with frit seal and reinforcing structure |
US8120249B2 (en) | 2006-01-23 | 2012-02-21 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting display and method of fabricating the same |
JP2007200887A (ja) * | 2006-01-25 | 2007-08-09 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光表示装置及びその製造方法 |
US7944143B2 (en) | 2006-01-25 | 2011-05-17 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device with frit seal and reinforcing structure bonded to frame |
US8026511B2 (en) | 2006-01-25 | 2011-09-27 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and method of fabricating the same |
US7825594B2 (en) | 2006-01-25 | 2010-11-02 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting display and fabricating method of the same |
JP2007200890A (ja) * | 2006-01-25 | 2007-08-09 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光表示装置及びその製造方法 |
US8729796B2 (en) | 2006-01-25 | 2014-05-20 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device including a gap to improve image quality and method of fabricating the same |
US8164257B2 (en) | 2006-01-25 | 2012-04-24 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting display and method of fabricating the same |
US8063561B2 (en) | 2006-01-26 | 2011-11-22 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device |
US8299705B2 (en) | 2006-01-26 | 2012-10-30 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and manufacturing method thereof |
US7821197B2 (en) | 2006-01-27 | 2010-10-26 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting display and fabricating method of the same |
US8125146B2 (en) | 2006-01-27 | 2012-02-28 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting display having a second frit portion configured to melt more easily than a frit portion |
US7837530B2 (en) | 2006-03-29 | 2010-11-23 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Method of sealing an organic light emitting display by means of a glass frit seal assembly |
US8253131B2 (en) | 2010-05-07 | 2012-08-28 | Panasonic Corporation | Organic EL display panel and manufacturing method thereof |
US8729535B2 (en) | 2010-05-07 | 2014-05-20 | Panasonic Corporation | Organic EL display panel and method for producing same |
WO2011138817A1 (ja) * | 2010-05-07 | 2011-11-10 | パナソニック株式会社 | 有機el表示パネル及びその製造方法 |
WO2011138816A1 (ja) * | 2010-05-07 | 2011-11-10 | パナソニック株式会社 | 有機el表示パネル及びその製造方法 |
WO2013190847A1 (ja) * | 2012-06-20 | 2013-12-27 | パナソニック株式会社 | 有機発光素子およびその製造方法 |
JPWO2013190847A1 (ja) * | 2012-06-20 | 2016-02-08 | 株式会社Joled | 有機発光素子およびその製造方法 |
JP2013012492A (ja) * | 2012-09-10 | 2013-01-17 | Sony Corp | 表示装置 |
JP2014123628A (ja) * | 2012-12-20 | 2014-07-03 | Japan Display Inc | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20050051058A (ko) | 2005-06-01 |
EP1536471A2 (en) | 2005-06-01 |
EP1536471A3 (en) | 2007-08-15 |
US8063550B2 (en) | 2011-11-22 |
CN101257038A (zh) | 2008-09-03 |
KR100741962B1 (ko) | 2007-07-23 |
US20050116240A1 (en) | 2005-06-02 |
CN100511753C (zh) | 2009-07-08 |
CN1622699A (zh) | 2005-06-01 |
EP1536471B1 (en) | 2019-10-02 |
CN101257038B (zh) | 2010-07-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2005158672A (ja) | 平板表示装置 | |
KR100611159B1 (ko) | 유기전계 발광표시장치 | |
US20160079313A1 (en) | Oled lighting device with short tolerant structure | |
JP3224396B2 (ja) | 有機el素子 | |
US7887385B2 (en) | Organic EL light emitting element, manufacturing method thereof, and display device | |
JP2004165067A (ja) | 有機電界発光パネル | |
US7928537B2 (en) | Organic electroluminescent device | |
JP2006156374A (ja) | 補助電極ラインを備えた有機電界発光素子及びその製造方法 | |
JP2006171745A (ja) | 有機電界発光素子及びその製造方法 | |
US8564192B2 (en) | Process for fabricating OLED lighting panels | |
WO2019186806A1 (ja) | 有機el表示装置及び有機el表示装置の製造方法 | |
JP2006114480A (ja) | 有機電界発光表示装置及びその製造方法 | |
JP2001203080A (ja) | 表示装置 | |
US7554112B1 (en) | Organic electronic device and processes for forming and using the same | |
KR100462865B1 (ko) | 자기정렬된 절연 충전체를 갖는 유기 전계발광장치 및그의 제조방법 | |
JP2009054603A (ja) | 有機電界発光パネルの製造方法 | |
KR102263522B1 (ko) | 전면 발광형 유기발광소자, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 표시장치 | |
JP2001056650A (ja) | 表示装置の製造方法及び表示装置 | |
JP4355795B2 (ja) | 有機半導体装置およびその製造方法、ならびに表示装置 | |
JP2003131593A (ja) | アクティブマトリクス駆動型有機ledパネル | |
WO2007026586A1 (ja) | 有機薄膜半導体素子およびその製造方法 | |
KR100625969B1 (ko) | 전자 발광 소자 | |
JP2009117278A (ja) | 有機el表示装置の製造方法 | |
JP2005310431A (ja) | 有機elアレイ | |
JP2004055476A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070703 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20071003 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20071009 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20071105 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20071108 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071109 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080916 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20081208 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081215 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090225 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20090311 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20090619 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110202 |