JP2006114498A - 有機電界発光表示装置及び有機電界発光表示装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 画素電極と対向電極との電気的問題を改善することができ，表示領域の暗点を防止することができる有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明による有機電界発光表示装置は，基板上に形成される薄膜トランジスタと，上記薄膜トランジスタ上に形成され，ビアホール２４５を有する絶縁膜と，上記絶縁膜上に形成され，上記ビアホールを介して上記薄膜トランジスタのドレイン電極に連結される画素電極と，上記画素電極上に形成される発光層と，上記発光層上に形成され，少なくとも上記ビアホールの上部領域を露出させる対向電極２６５パターンと，を備える。
【選択図】 図３ｃ
【解決手段】 本発明による有機電界発光表示装置は，基板上に形成される薄膜トランジスタと，上記薄膜トランジスタ上に形成され，ビアホール２４５を有する絶縁膜と，上記絶縁膜上に形成され，上記ビアホールを介して上記薄膜トランジスタのドレイン電極に連結される画素電極と，上記画素電極上に形成される発光層と，上記発光層上に形成され，少なくとも上記ビアホールの上部領域を露出させる対向電極２６５パターンと，を備える。
【選択図】 図３ｃ
Description
本発明は，有機電界発光表示装置及び有機電界発光表示装置の製造方法に関し，より詳細には，画素電極と対向電極間の短絡を防止する構造を有する有機電界発光表示装置及び有機電界発光表示装置の製造方法に関する。
平板表示装置において有機電界発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ）は，応答速度が１ｍｓ以下と高速の応答速度を有し，消費電力が低く，自ら発光するので，視野角に問題がなく，装置のサイズに関係なく，動画像表示媒体として長所がある。また，低温製作が可能であり，従来の半導体工程技術に基づくので，製造工程が簡単であることから，今後次世代平板表示装置として注目を集めている。
ここで，図１は，従来の有機電界発光表示装置における単位画素を示す断面図である。
図１を参照すると，有機電界発光表示装置の画素電極１５０は，平坦化膜１４０に形成されたビアホール１４５を介して，薄膜トランジスタＥのドレイン電極１３０ｂに連結される。上記画素電極１５０上には，発光層を含む有機層１６０及び画素定義膜１５５が形成され，その上部に上記画素電極１５０と対向するように対向電極１６５が形成される。
上記構造において，上記ビアホール部分Ａの上記画素定義膜１５５をみると，上記平坦化膜１４０がエッチングされた部分の近くで膜の厚みが薄くなることが分かる。
図２は，図１のビアホール部分Ａの構成を写真画像で詳細に示す説明図である。
図２を参照すると，上記ビアホール１４５を形成するためにエッチングされた平坦化膜１４０の終端Ｂ部位においての画素定義膜１５５の厚みｔ１は，ビアホール内の画素定義膜の厚みｔ２またはビアホール以外の領域に位置する画素定義膜の厚みｔ３より薄く形成されることが分かる。これにより，上記画素定義膜１５５の上部に対向電極１６５を形成する場合，前述のような構造に起因して，上記対向電極１６５と下部の画素電極１５０とが電気的短絡の問題を起こすことがある。このような電気的短絡は，単位画素の不良につながり，有機電界発光表示装置の暗点を誘発し得る。
本発明は，上記問題点に鑑みてなされたものであり，本発明の目的は，単位画素の不良を防止し，表示領域の暗点を防止することが可能な有機電界発光表示装置及び有機電界発光表示装置の製造方法を提供することである。
上記課題を解決するため，本発明の第１の観点によれば，有機電界発光表示装置は，基板上に形成される薄膜トランジスタと，上記薄膜トランジスタ上に形成され，ビアホールを有する絶縁膜と，上記絶縁膜上に形成され，上記ビアホールを介して上記薄膜トランジスタのドレイン電極に連結される画素電極と，上記画素電極上に形成される発光層と，上記発光層上に形成され，少なくとも上記ビアホールの上部領域を露出させる対向電極パターンと，を備えることを特徴とする。
また，上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，有機電界発光表示装置の製造方法は，基板上に，半導体層，ゲート電極，ソース電極及びドレイン電極を含む薄膜トランジスタを形成する段階と，上記薄膜トランジスタ上に絶縁膜を形成する段階と，上記絶縁膜に，上記ソース電極又は上記ドレイン電極の一部を露出させるビアホールを形成する段階と，上記ビアホールを介して上記ソース電極又は上記ドレイン電極に連結されるように画素電極を形成する段階と，上記画素電極上に発光層を形成する段階と，上記発光層上に，上記ビアホールの上部領域を露出させる対向電極パターンを形成する段階と，を含むことを特徴とする。
以上説明したように，本発明によれば，有機電界発光表示装置は，対向電極がパターニングされた構造を有するので，下部構造により画素定義膜または有機層が薄く形成されても，電気的短絡の問題を防止できる。
したがって，単位画素の電気的短絡の問題を防止することによって，有機電界発光表示装置における暗点発生問題を改善することができる。
以下，本発明の好適な実施の形態について，添付図面を参照しながら詳細に説明する。なお，以下の説明及び添付図面において，略同一の機能及び構成を有する構成要素については，同一符号を付することにより，重複説明を省略する。
図３は，本発明の第１実施形態に係る有機電界発光表示装置を示す断面図である。なお，図３は，有機電界発光表示装置の単位画素に限定して示す断面図である。
図３ｃを参照すると，基板２００上に，半導体層２１０，ゲート電極２２０，ソース電極２３０ａ，及びドレイン電極２３０ｂを含んで構成される薄膜トランジスタＥが形成される。また，上記薄膜トランジスタＥ上には，絶縁膜が形成される。上記絶縁膜は，無機膜である場合，有機膜である場合，または無機膜と有機膜とからなる２重層の場合等でもよい。
例えば，上記薄膜トランジスタＥ上に，有機膜である平坦化膜２４０が形成され，上記薄膜トランジスタＥと上記平坦化膜２４０との間には，無機保護膜２３５が介設されることができる。上記無機保護膜２３５は，上記半導体層２１０のパッシベーション及び上記半導体層２１０よりも上位の層を保護するために介設されることが好ましい。
上記平坦化膜２４０に形成されたビアホール２４５を介して上記薄膜トランジスタＥのドレイン電極２３０ｂに連結される画素電極２５０が，上記平坦化膜２４０上に位置する。
上記画素電極２５０上には，上記画素電極２５０を部分的に露出させ且つ上記ビアホール２４５の上部を覆う画素定義膜２５５が形成される。上記画素定義膜２５５は，単位画素の発光領域を定めるための膜である。したがって，単位画素の発光領域の境界を定めることができる。効果的に有機層を転写するために，上記画素定義膜２５５は，３０００Å以下の厚みを有することが好ましい。また，より好ましくは，上記画素定義膜２５５は，画素定義膜の均一度を向上させるために，１５００Å以上の厚みを有することが好ましい。なお，上記効果的に有機層を転写するというのは，例えば，レーザ熱転写方法により，有機発光層のパターンについて，パターンを形成する際，有機発光層せある有機膜層の転写が容易になることである。
上記露出した画素電極２５０上には，発光層２６０が形成される。上記発光層２６０を形成する段階の前後に，有機電界発光表示装置を製造する工程において，電荷注入層または電荷輸送層を介設する段階をさらに含ませることができる。また，上記電荷注入層または電荷輸送層は，共通層として介設されることができる。
上記ビアホール２４５が形成された平坦化膜２４０の構造により，上記ビアホール２４５周辺の画素定義膜２５５は，他の部分に比べて相対的に厚みが薄い特徴を有する。
上記発光層２６０上には，対向電極２６５が形成される。この際，上記対向電極２６５は，上記ビアホール２４５及び上記ビアホール２４５周辺には形成されていない。
したがって，上記ビアホール２４５及び上記ビアホール２４５周辺を除いて発光領域の上部のみに対向電極２６５を形成することによって，下部構造により画素定義膜２５５が薄い厚みを有する部分があるとしても，その上部には対向電極２６５が存在しないので，電気的短絡の問題を防止できる。
図３ａ〜図３ｃは，本発明の第１実施形態による有機電界発光表示装置の製造方法を示す断面図である。
まず，図３ａを参照すると，基板２００上にバッファ層２０５を形成する。上記バッファ層２０５は，必須の構成要素ではないが，素子の製造過程中に，基板２００から発生する不純物が素子の内部に流入するのを防止するために形成することが好ましい。上記バッファ層２０５は，例えば，シリコン窒化膜ＳｉＮｘ，シリコン酸化膜ＳｉＯ２，またはシリコン酸化窒化膜ＳｉＯｘＮｙで形成することができる。
上記バッファ層２０５上に半導体層２１０を形成する。上記半導体層２１０は，例えば，非晶質または非晶質シリコン膜を結晶化した結晶質シリコン膜で形成することができる。
上記半導体層２１０上にゲート絶縁膜２１５を形成する。上記ゲート絶縁膜２１５は，通常の絶縁膜であり，上記通常の絶縁膜は，例えば，シリコン酸化膜ＳｉＯ２で形成することができる。上記ゲート絶縁膜２１５が形成された基板上に，ゲート電極２２０を形成する。
上記ゲート電極２２０の上部に，層間絶縁膜２２５を形成する。上記層間絶縁膜２２５内に，上記半導体層２１０のソース領域及びドレイン領域を各々露出させるコンタクトホールを形成する。上記絶縁膜２２５上に導電膜を積層しパターニングすることによって，上記露出したソース領域及びドレイン領域に各々当接するソース電極２３０ａ及びドレイン電極２３０ｂを形成する。
上記ソース電極２３０ａ及びドレイン電極２３０ｂを形成した基板の上部に，絶縁膜２４１を形成する。上記絶縁膜２４１の形成は，無機膜，有機膜またはこれらの２重層で形成してもよい。なお，上記無機膜は，例えば，ＳｉＮｘ，ＳｉＯ２，またはこれらの組合せからなる二重膜で構成されるが，かかる例に限定されない。
例えば，上記基板の上部に無機保護膜２３５を形成する。上記無機保護膜２３５は，必ず形成すべきものではないが，半導体層２１０のパッシベーション効果や外光遮断効果のために形成することが好ましい。
上記無機保護膜２３５上に，有機膜である平坦化膜２４０を形成する。上記平坦化膜２４０は，ポリアクリル系樹脂（ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅｓ ｒｅｓｉｎ），エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ ｒｅｓｉｎ），フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃ ｒｅｓｉｎ），ポリアミド系樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅｓ ｒｅｓｉｎ），ポリイミド系樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｓ ｒｅｉｎ），不飽和ポリエステル系樹脂（ｕｎｓａｔｕｒａｔｅｄ ｐｏｌｙｅｓｔｅｒｓ ｒｅｓｉｎ），ポリフェニレン系樹脂（ｐｏｌｙ（ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｔｈｅｒｓ）ｒｅｓｉｎ），ポリフェニレンスルファイド系樹脂（ｐｏｌｙ（ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｓｕｌｆｉｄｅｓ）ｒｅｓｉｎ），及びベンゾシクロブテン（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ；ＢＣＢ）よりなる群から選ばれた少なくとも１種の物質で形成することができる。
図３ｂを参照すると，上記絶縁膜２４１内に，ドレイン電極２３０ｂを露出させるビアホール２４５を形成し，上記平坦化膜２４０上に導電膜を形成した後，パターニングすることで，画素電極２５０を形成する。
図３ｃを参照すると，上記画素電極２５０上に，上記画素電極２５０の一部領域を露出させる開口部を有し且つ上記ビアホール２４５の上部を覆う画素定義膜２５５を形成する。上記画素定義膜２５５を形成することによって，発光領域の境界を定めることができる。
上記露出した画素電極２５０上に発光層２６０を形成する。上記発光層２６０を形成する段階の前後に，有機電界発光表示装置を製造する工程では，電荷注入層または電荷輸送層を形成する段階がさらに含まれる場合でも良い。また，上記電荷注入層または電荷輸送層は，パターニングすることなく，共通層として形成することができる。
上記発光層２６０の形成は，レーザー熱転写方法を用いて形成してもよい。したがって，レーザー転写エネルギーの効率的な利用及び効果的な発光層の転写を図るために，上記画素定義膜２５５は，３０００Å以下の厚みを有するように形成することが好ましい。
また，上記画素定義膜２５５は，１５００Å以上の厚みを有するように形成することが好ましい。なぜなら，基板のサイズが大きくなるほど，基板全体に形成される画素定義膜２５５の厚み均一度が低下するので，均一な発光層のパターニングが難しくなるためである。
この際，上記ビアホール２４５及びビアホール２４５周辺の画素定義膜２５５の厚みは，上記の厚みよりもさらに薄く形成される。すなわち，上記ビアホール２４５が形成された平坦化膜２４０の構造により，上記ビアホール周辺２４０の画素定義膜２５５は，他の部分に比べて相対的に厚みが薄くなるようになる。
上記発光層２６０上に対向電極２６５を形成する。上記対向電極２６５は，マスク６５を用いて少なくとも上記ビアホール２４５の上部領域を露出させるように，対向電極２６５パターンを形成する。したがって，上記ビアホール２４５及び上記ビアホール周辺を除いて発光領域の上部のみに対向電極２６５を形成することによって，上記画素電極２５０と上記対向電極２６５との電気的短絡の問題を防止することができる。
図４は，本発明の第２実施形態による有機電界発光表示装置を示す断面図であり，図４は，有機電界発光表示装置の単位画素に限定して示す断面図である。
図４を参照すれば，本発明の第１実施形態とは異なって，第２実施形態では，画素定義膜を形成せずに，発光層３６０及び対向電極３６５がパターニングされた構造を有する。
すなわち，画素電極３５０が形成された基板上に，発光層３６０をパターニングして形成する。上記発光層３６０を形成する段階の前後に，有機電界発光表示装置を製造する工程では，電荷注入層または電荷輸送層を形成する段階をさらに含ませることができる。また，上記電荷注入層または電荷輸送層は，パターニングすることなく，共通層として形成されてもよい。
例えば，上記発光層３６０を形成する前に，正孔注入層または正孔輸送層を第１共通層３６０ａとして形成する。上記正孔注入層または正孔輸送層上に，発光層３６０を形成し，上記発光層３６０上に，電子輸送層または電子注入層を第２共通層３６０ｂとして形成する。上記第１共通層３６０ａは，上記画素電極３５０によって電子輸送層または電子注入層になることができ，この場合，上記第２共通層３６０ｂは，正孔輸送層または正孔注入層になることができる。
上記の場合，上記ビアホール３４５周辺には，絶縁層が存在していないか，又は共通層として形成された有機層が存在しても，上記有機層の厚みが他の部分に比べて相対的に薄く形成される。
上記基板上に，発光領域に対応する対向電極３６５パターンを形成する。すなわち，マスク６５を用いて少なくとも上記ビアホールの上部領域を露出させるように，対向電極３６５パターンを形成する。したがって，上記ビアホール３４５及び上記ビアホール３４５周辺を除いて発光領域の上部のみに対向電極３６５を形成することによって，画素定義膜を形成しなくとも，上記画素電極３５０と上記対向電極３６５との電気的短絡の問題を防止することができる。
以下，上記第１実施形態及び第２実施形態による上記対向電極の平面形態を説明する。
図５ａ〜図５ｃは，本発明の実施形態により対向電極を形成することを示す有機電界発光表示装置の平面図である。図５ａ〜図５ｃを参照すると，ビアホール２４５及び上記ビアホール２４５周辺には対向電極２６５が形成されないように対向電極２６５を形成することは，図５ａ〜図５ｃの形態で対向電極２６５を形成することによって可能である。
図５ａを参照すると，有機電界発光表示装置における１つの単位画素Ｃは，ビアホール２４５を介して下部の薄膜トランジスタに連結される。
上記対向電極２６５の形成は，ストライプ状マスクを用いて形成することによって行うことができ，少なくとも上記ビアホール２４５の上部領域２４５ａを露出させる対向電極２６５パターンが形成される。
すなわち，上記ビアホール２４５及び上記ビアホール周辺を除いて上記発光領域２６２の上部のみにストライプ形態で対向電極２６５を形成することによって，上記画素電極（図３ｃの２５０，図４の３５０）と上記対向電極２６５との電気的短絡の問題を防止することができる。
すなわち，下部構造により画素定義膜２５５が薄い厚みを有する部分が存在するとしても，その上部には対向電極２６５が存在しないので，電気的短絡の問題を防止することができる。したがって，単位画素の電気的短絡の問題を防止することによって，有機電界発光表示装置の暗点発生問題を解決することができる。
また，上記対向電極２６５の形成は，スロット状マスクを用いて，少なくとも上記ビアホールの上部領域２４５ａを露出させる対向電極２６５パターンを形成することによって行うことができる。
図５ｂを参照すると，対向電極２６５を形成すべき部分にスロットを形成した形態を有するマスクを用いて，上記基板上の上記発光領域２６２の上部に上記対向電極２６５ａをパターニングする。そして，上記パターニングされた対向電極２６５ａを連結するように，上記蒸着マスクのスロットと垂直に形成されたスロット状マスクを用いて対向電極２６５ｂを再蒸着し，上記対向電極２６５ａに連結することによって，格子形態の対向電極２６５を完成する。
したがって，上記図５ａと同様に，上記ビアホール２４５及び上記ビアホール２４５周辺を除いて上記発光領域２６２の上部のみに格子形態の対向電極２６５を形成することによって，上記画素電極（図３ｃの２５０，図４の３５０）と上記対向電極２６５との電気的短絡の問題を防止することができる。また，格子形態で互いに会う対向電極を設けることによって，電流の供給を一層円滑にすることができ，それにより，対向電極の抵抗問題をも改善させることができる。
また，上記対向電極２６５の形成は，ビアホール部分がパターニングされたマスク６５を用いて，上記ビアホール２４５の上部領域を露出させる対向電極パターンを形成することによって行うことができる。
図５ｃを参照すると，少なくとも上記ビアホール２４５に対応する部分がパターニングされたマスク６５を用いて，少なくとも上記ビアホールの上部領域２４５ａを露出させる対向電極２６５パターンを形成することができる。したがって，図４ｂ及び図４ｃと同様に，上記画素電極２５０と上記対向電極２６５との電気的短絡の問題を防止することができる。
したがって，単位画素の電気的短絡の発生に起因する有機電界発光表示装置の暗点発生問題を改善することができる。
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において各種の変更例または修正例を想定し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
Ｅ 薄膜トランジスタ
２００ 基板
２１０ 半導体層
２２０ ゲート電極
２３０ａ ソース電極
２３０ｂ ドレイン電極
２３５ 保護膜
２４０ 平坦化膜
２４５ ビアホール
２５０ 画素電極
２５５ 画素定義膜
２６０ 発光層
２６５ 対向電極
２００ 基板
２１０ 半導体層
２２０ ゲート電極
２３０ａ ソース電極
２３０ｂ ドレイン電極
２３５ 保護膜
２４０ 平坦化膜
２４５ ビアホール
２５０ 画素電極
２５５ 画素定義膜
２６０ 発光層
２６５ 対向電極
Claims (15)
- 基板上に形成される薄膜トランジスタと；
前記薄膜トランジスタ上に形成され，ビアホールを有する絶縁膜と；
前記絶縁膜上に形成され，前記ビアホールを介して前記薄膜トランジスタのドレイン電極に連結される画素電極と；
前記画素電極上に形成される発光層と；
前記発光層上に形成され，少なくとも前記ビアホールの上部領域を露出させる対向電極パターンと；
を備えることを特徴とする，有機電界発光表示装置。 - 前記画素電極上に形成され，前記画素電極の一部を露出させる開口部を有し且つ前記ビアホールの上部を覆う画素定義膜をさらに備えることを特徴とする，請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記画素定義膜は，３０００Å以下の厚みを有することを特徴とする，請求項２に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記画素定義膜は，１５００Å以上の厚みを有することを特徴とする，請求項３に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記絶縁膜は，無機膜，有機膜，またはこれらの二重層であることを特徴とする，請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
- 基板上に，半導体層，ゲート電極，ソース電極，およびドレイン電極を含む薄膜トランジスタを形成する段階と；
前記薄膜トランジスタ上に絶縁膜を形成する段階と；
前記絶縁膜に，前記ソース電極又は前記ドレイン電極の一部を露出させるビアホールを形成する段階と；
前記ビアホールを介して前記ソース電極又は前記ドレイン電極に連結されるように画素電極を形成する段階と；
前記画素電極上に発光層を形成する段階と；
前記発光層上に，前記ビアホールの上部領域を露出させる対向電極パターンを形成する段階と；
を含むことを特徴とする，有機電界発光表示装置の製造方法。 - 前記対向電極パターンを形成する段階は，ストライプ状のマスクを用いて形成することを特徴とする，請求項６に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記対向電極パターンを形成する段階は，スロット状のマスクを用いて形成することを特徴とする，請求項６に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記対向電極は，少なくとも前記ビアホールに対応する部分がパターニングされたマスクを用いて形成することを特徴とする，請求項６に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記発光層を形成する前に，前記画素電極上に，該画素電極の一部領域を露出させる開口部を有し且つ前記ビアホールの上部を覆う画素定義膜を形成する段階をさらに含むことを特徴とする，請求項６に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記画素定義膜は，３０００Å以下の厚みを有するように形成することを特徴とする，請求項１０に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記画素定義膜は，１５００Å以上の厚みを有するように形成することを特徴とする，請求項１１に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記絶縁膜を形成する段階は，無機膜，有機膜，またはこれらの二重層であることを特徴とする，請求項６に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記発光層は，レーザ熱転写法を用いて形成することを特徴とする，請求項６に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記発光層を形成する段階の前後に，電荷注入層又は電荷輸送層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする，請求項６に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
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