JP4149991B2

JP4149991B2 - 回路測定用パッドを含む有機エレクトロルミネッセンス表示装置とその製造方法

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Publication number: JP4149991B2
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Inventors: 茂顯金; ▲クム▼男金
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Description

回路測定用パッドを含む有機エレクトロルミネッセンス表示装置とその製造方法に関し、より詳しくは、回路測定用パッドと対向電極との間のショートを防止する回路測定用パッドを含む有機エレクトロルミネッセンス表示装置とその製造方法に関する。

平板表示装置のうち、有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、回答速度が１ms以下と高速の回答速度を有し、消費全力が低く、自発光なので、視野角に問題がなく、装置の大きさに係わらず、動画像表示媒体としてメリットがある。また、低温製作が可能で、既存の半導体工程技術を基に製造工程が簡単なので、今後の次世代の平板表示装置として注目されている。

前記有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、基板の上に半導体工程過程で多数個の薄膜トランジスタとキャパシタとを含むTFTアレイを形成し、前記アレイが形成された基板の発光領域上に発光層を含む有機層を積層することで製造される。

したがって、前記有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、シリコーン半導体と金属電極とがコンタクトホールを通じて相互有機的に連結されており、それぞれの単位画素に対して各単位画素別にパターニングされた画素電極は、ビアホールを通じて連結された薄膜トランジスタを介して発光素子の駆動のための電流を供給されるようになる。

前記有機エレクトロルミネッセンス表示装置の前記単位画素が形成された表示領域の外周部には駆動回路測定パッドが存在する。前記回路測定パッドは、工程過程中、前記有機エレクトロルミネッセンス表示装置の回路動作が正常なのかを点検するために形成される。

しかし、前記回路測定パッド部は、前記有機エレクトロルミネッセンス表示装置の表示領域に形成された対向電極とショートを起こすことができ、これにより、有機エレクトロルミネッセンス表示装置は不良を引き起こし、信頼性が低下するという問題が有り得る。

本発明が達成しようとする技術的課題は、回路測定パッドと対向電極とのショートを防止して、表示装置の信頼性を改善することのできる回路測定パッド及び製造方法と、前記回路測定パッドを含む有機エレクトロルミネッセンス表示装置とその製造方法を提供することに目的がある。

また、薄膜の画素画定膜を有する有機エレクトロルミネッセンス表示装置を具現することで、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造工程を改善する方法を提供することに目的がある。

前述した技術的課題を達成するために、本発明は、表示領域と駆動回路測定パッド領域とを具備する基板と;前記表示領域上に位置するソース/ドレーン電極と同一層に形成される前記測定パッド領域上の第１の導電膜と;前記ソース/ドレーン電極及び第１の導電膜上に位置する第１の絶縁膜と;前記第１の絶縁膜上にソース電極又はドレーン電極を露出する第１のビアホール及び前記第１の導電層を露出する第２のビアホールと;前記第１のビアホールを通じて前記ソース又はドレーン電極とコンタクトする画素電極及び前記第２のビアホールを通じて前記第１の導電膜とコンタクトする第２の導電膜と;前記画素電極を露出させて、前記第２の導電膜上に形成される画素画定膜とを含む有機エレクトロルミネッセンス表示装置を提供する。

また、前述した技術的課題を解決するために、本発明は、表示領域と駆動回路測定パッド領域とを具備する基板を用意する段階と;前記基板上に導電膜を積層してパターニングすることで、前記表示領域上には、ソース/ドレーン電極を、前記測定パッド領域上には、第１の導電膜を同時に形成する段階と;前記ソース/ドレーン電極及び第１の導電膜上に第１の絶縁膜を形成する段階と;前記第１の絶縁膜上にソース電極又はドレーン電極を露出する第１のビアホール及び前記第１の導電膜を露出する第２のビアホールを同時に形成する段階と;導電膜を積層してパターニングすることで、前記第１のビアホールを通じて前記ソース又はドレーン電極とコンタクトする画素電極及び前記第２のビアホールを通じて前記第１の導電膜とコンタクトする第２の導電層をそれぞれ形成する段階と;絶縁膜を積層してパターニングして、前記表示領域上には画素電極を露出させ、前記測定パッド領域上には第２の導電膜を覆う画素画定膜を形成する段階とを含む有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を提供する。

以下、添付した図面を参照して本発明の望ましい実施例を詳細に説明する。次に紹介する実施例は、当業者にとって本発明の思想が充分伝達できるようにするために例として挙げられるものである。したがって、本発明は、以下に説明される実施例に限定されることなく、他の形態で具体化されることもできる。そして、図面において、層及び領域の長さ、厚さなどは、便宜のため、誇張して表現されることもできる。明細書の全般に渡って同じ参照番号は同じ構成要素を示す。

図１は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の平面図を示す。

図面を参照すると、有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、有機発光素子の単位画素からなる表示領域５と、表示領域の駆動のための回路部３a、３bとからなる。前記回路部３a、３bは、スキャンドライバ領域３bとデータドライバ領域３aとから構成される。前記回路部の各領域は、それぞれの画素に対応する薄膜トランジスタから構成され、配線を介して前記表示領域５と連結される。また、前記表示領域５内には、回路部３a、３bのスキャンドライバ領域３bとデータドライバ領域３aとから信号が伝達される数多くのスキャンラインとデータラインが形成されており、回路部から印加された各信号毎に指定された画素で有機発光素子が動作するようになる。

前記有機エレクトロルミネッセンス表示装置の一側面１５b又は発光領域とドライバとの間１５aには、回路測定用パッド１５が位置することができる。前記回路測定用パッド１５は、前記有機エレクトロルミネッセンス表示装置内の薄膜トランジスタと同時に形成される。前記回路測定用パッド１５は前記データラインと連結されており、前記回路測定用パッド１５の電気的特性を検査することにより、回路動作が正常か否かを判断することができる。

図５は、前記図１のＩ-Ｉ'に対する本発明の第１の実施例に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置を示すものである。

図面を参照すると、基板２００は表示領域Aと測定パッド領域Bとを備える。

前記表示領域Aと測定パッド領域B上には、バッファー層２０５が位置し、前記表示領域Aのバッファー層上に薄膜トランジスタが位置する。前記薄膜トランジスタは、半導体層２１０と、ゲート絶縁膜２１５と、ゲート電極２２０と、層間絶縁膜２２５と、ソース電極２３０a及びドレーン電極２３０bとからなる。

また、前記測定パッド領域Bのバッファー層２０５上には、前記ゲート絶縁膜２１５、及び前記層間絶縁膜２２５と同時に積層された絶縁膜が位置する。

前記測定パッド領域Bの前記層間絶縁膜２２５上に、第１の導電膜２３０cが位置する。

前記ソース/ドレーン電極(２３０a/２３０b)及び第１の導電膜２３０c上には、第１の絶縁膜が位置する。前記第１の絶縁膜はパッシベーション膜２３５であってもよい。また、前記第１の絶縁膜は、平坦化膜２４０を更に含んでもよい。

前記絶縁膜には、ソース電極２３０a又はドレーン電極２３０bを露出する第１のビアホール２４５a及び前記第１の導電層２３０cを露出する第２のビアホール２４５bが備えられる。前記第１のビアホール２４５aを通じて前記ソース電極２３０a又はドレーン電極２３０bとコンタクトする画素電極２５０aと、前記第２のビアホール２４５bを通じて前記第１の導電膜２３０cとコンタクトする第２の導電膜２５０bとが位置する。

前記第２のビアホールのテーパー角度θ１は、５０゜以下であってもよい。

前記第２の導電膜２５０bの厚さは、１００から１０００Åであってもよい。

また、前記第２の導電膜２５０bのエッジのテーパー角度θ２は、５０゜以下であってもよい。

前記画素電極２５０aを露出させる画素画定膜２６０aが位置し、前記露出された画素電極２５０a上には発光層を含む有機膜２７０が位置する。そして、前記画素画定膜２６０bは前記第２の導電膜２５０b上にも位置する。前記画素画定膜２６０a、２６０bは薄膜でもよく、厚さが３０００Å以下であってもよい。

前記画素画定膜２６０a、２６０b上には、対向電極２８０が位置する。

前記画素画定膜２６０a、２６０bが薄膜であっても、前記測定パッドの前記第２の導電膜２５０bのエッジのテーパー角度θ２及び前記ビアホールの角度θ１が５０゜以下の値を有するので、テーパーが形成された個個所でも一定の厚さで絶縁膜を形成することができ、これにより、前記測定パッドと対向電極とのショートは防止することができる。

したがって、薄膜の画素画定膜を有する有機エレクトロルミネッセンス表示装置を具現することができ、これは、有機エレクトロルミネッセンス表示装置のレーザー熱転写工程の特性を向上できる構造と言える。

また、前述したショート防止によって、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の信頼性を改善することができる。

図２乃至図５は、本発明の第１の実施例に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を示す断面図である。

図２を参照すると、表示領域Aと測定パッド領域Bとからなる基板２００上にバッファー層２０５を形成する。前記バッファー層２０５は、必ずしも形成する必要はないが、基板から素子へ流れ込まれる不純物を防止するために形成するのが更に望ましいと考えられる。前記バッファー層２０５は、シリコーン窒化膜(SiNx)、シリコーン酸化膜(SiO_２)、及びシリコーン酸化窒化膜(SiOxNy)により形成することができる。

前記バッファー層２０５上に、前記表示領域Aに対応する半導体層２１０を形成する。前記半導体層２１０は、非晶質又は結晶質シリコーン膜により形成することができる。

前記半導体層２１０が形成された基板上に、ゲート絶縁膜２１５を形成する。前記ゲート絶縁膜２１５は、通常の絶縁膜、例えば、シリコーン酸化膜SiO_２により形成する。前記ゲート絶縁膜２１５が形成された基板上にゲート電極２２０を形成する。

図３を参照すると、前記ゲート電極２２０が形成された基板上に、層間絶縁膜２２５を形成する。前記層間絶縁膜２２５内に、前記半導体層２１０のソース領域及びドレーン領域をそれぞれ露出させるコンタクトホールを形成する。前記層間絶縁膜２２５上に、導電膜を積層してパターニングすることで、前記露出されたソース領域及びドレーン領域とそれぞれ接するソース電極２３０a及びドレーン電極２３０bを形成し、前記測定パッド領域B上には、第１の導電膜２３０cを形成する。

前記ソース電極２３０a、ドレーン電極２３０b、及び第１の導電膜２３０cを形成した基板の上部に第１の絶縁膜を形成する。

前記第１の絶縁膜は、パッシベーション膜２３５であってもよい。前記パッシベーション膜２３５は、シリコーン窒化膜(SiNx)又はシリコーン酸化膜(SiO_２)により形成することができる。前記無機保護層２３５は、半導体層のパッシベーション效果と外光遮断效果のために、シリコーン窒化膜(SiNx)により形成するのが更に望ましい。

また、前記パッシベーション膜２３５上に、平坦化膜２４０を形成することができる。前記平坦化膜２４０は、ポリアクリル系樹脂(Polyacrylates Resin)、エポキシ樹脂(Epoxy Resin)、フェノール樹脂(Phenolic Resin)、ポリアミド系樹脂(Polyamides Resin)、ポリイミド系樹脂(Polyimides Resin)、不飽和ポリエステル系樹脂(Unsaturated Polyesters Resin)、ポリフェニレン系樹脂(Poly(Phenylenethers)Resin)、ポリフェニレンスルフィド系樹脂(Poly(Phenylenesulfides)Resin)及びベンゾシクロブテン(Benzocyclobutene、BCB)からなる群より選ばれたいずれか一つの物質により形成することができる。

図４を参照すると、前記第１の絶縁膜上に前記ドレーン電極２３０b及び前記第１の導電膜２３０cが露出される第１のビアホール２４５a及び第２ビアホール２４５bを形成する。

前記第１のビアホール又は第２のビアホールのテーパー角度θ１は、５０゜以下の値を有することができる。

前記第１のビアホール２４５a及び第２のビアホール２４５bが形成された基板上に導電膜を積層してパターニングし、前記第１のビアホール２４５a上には画素電極２５０aを形成し、第２のビアホール２４５b上には第２の導電膜２５０bを形成する。

前記第２の導電膜２５０bが形成された回路測定パッド部Bの電気的特性をチェックして、回路の正常駆動の有無を点検する。

前記画素電極２５０aと前記平坦化膜２４０との間には、反射漠を介在することができる。

また、前記画素電極２５０a及び第２の導電膜２５０bは、ITO又はIZOで形成することができ、前記第２の導電膜２５０bのエッジのテーパー角度θ２は、５０゜以下であってもよい。

前記画素電極２５０a及び前記第２の導電膜２５０bの上部には絶縁膜を形成する。前記絶縁膜をパターニングして、画素画定膜PDL、２６０a、２６０bを形成する。したがって、前記画素画定膜２６０aによって前記画素電極２６０aが露出され、前記第２の導電膜２５０bは前記画素画定膜によって保護される。

前記ビアホールのテーパー角度θ１と第２の導電膜２５０bのエッジのテーパー角度θ２によって、前記回路測定パッド領域B上の前記画素画定膜２６０bは、膜が切れることなく、コンフォーマルに形成することができる。

図５を参照すると、前記露出された画素電極２５０a上に有機膜２７０を形成する。前記有機膜２７０は発光層を含み、正孔注入層、正孔輸送層、正孔抑制層、及び電子注入層からなる群より選ばれた一つ以上の層を含んで形成することができる。

前記表示領域Aの有機膜２７０及び前記回路測定パッド領域Bの画素画定膜２６０bの上部に、対向電極２８０が形成され、有機エレクトロルミネッセンス表示装置が形成される。

したがって、膜が切れることなく、コンフォーマルに形成された画素画定膜２６０bによって、前記測定パッドと対向電極とのショートは防止することができる。

これにより、薄膜の画素画定膜を有する有機エレクトロルミネッセンス表示装置を具現することができ、これは、薄膜の画素画定膜が必要な有機エレクトロルミネッセンス表示装置のレーザー熱転写工程を容易に行えるというメリットを持つ。

また、前述したショート防止によって、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の信頼性を更に改善することができる。

図６は、本発明の第２の実施例に係る表示装置を示す断面図である。

図面を参照すると、第１の実施例でのように、基板３００は表示領域A上に位置するソース/ドレーン電極(３３０a/３３０b)が位置する表示領域A課題１導電膜３３０cが位置する測定パッド領域Bを具備する。

前記ソース/ドレーン電極(３３０a/３３０b)及び第１の導電膜３３０c上には、第１の絶縁膜が位置する。前記第１の絶縁膜は、パッシベーション膜３３５であってもよい。そして、第２の実施例では、前記回路測定パッド領域Bを除く、前記表示領域A上にのみ平坦化膜３４０が位置する。

第２のビアホールのテーパー角度θ１は、５０゜以下であってもよい。

第２の導電膜３５０bの厚さは、１００から１０００Åであってもよい。

また、前記第２の導電膜３５０bのエッジのテーパー角度θ２は、５０゜以下であってもよい。

第２の導電膜３５０b上に位置する第２の絶縁膜３６０bは、薄膜でもよく、厚さが３０００Å以下であってもよい。

したがって、第１の実施例と同様、前記画素画定膜３６０bが薄膜であって、前記測定パッドの前記第２の導電膜３５０bのエッジのテーパー角度θ２及び前記ビアホールの角度θ１が５０゜以下の値を有するので、テーパーが形成された個個所でも一定の厚さで絶縁膜を形成することができ、これにより、前記測定パッドと対向電極３８０とのショートは防止することができる。

したがって、薄膜の画素画定膜を有する有機エレクトロルミネッセンス表示装置を具現することができ、これは、有機エレクトロルミネッセンス表示装置のレーザー熱転写工程の特性を向上できる構造と言える。また、前述したショート防止によって、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の信頼性を改善することができる。

図６乃至図８は、本発明の第２の実施例に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を示す断面図である。

図７を参照すると、第１の実施例でのように、表示領域A及び測定パッド領域Bからなる基板３００上にバッファー層３０５を形成し、前記バッファー層３０５上に前記表示領域Aに対応する半導体層３１０、ゲート電極３２０、ソース電極３３０a及びドレーン電極３３０bを形成して、薄膜トランジスタを形成する。

また、第１の実施例と同様、前記ソース電極３３０a及びドレーン電極３３０bの形成時、測定パッド領域B上には、第１の導電膜３３０cを同時に形成した後、前記ソース電極３３０a、ドレーン電極３３０b、及び第１の導電膜３３０cを形成した基板の上部に、第１の絶縁膜を形成する。前記第１の絶縁膜はパッシベーション膜３３５であってもよい。

また、前記パッシベーション膜３３５上に平坦化層３４０を形成することができる。

前記形成された平坦化層３４０上に、表示領域及び測定パッド領域のビアホール、それぞれのビアホール周辺の表示領域及び測定パッド領域によって露光レベルが互いに異なるハーフトーンマスク４００(４００a、４００b、４００c)を用いて露光を行う。

図８を参照すると、前記露光過程を行うことにより、前記ドレーン電極３３０bを露出させる第１のビアホール及び前記第１の導電膜３３０cを露出させる第２のビアホールを形成すると共に、前記平坦化層３４０内に前記回路パッド領域を露出させる開口領域を形成する。すなわち、ハーフトーンマスクを用いることで、前記表示領域A上には平坦化層３４０が残り、前記測定パッド領域B上では平坦化膜が除去される。

前記第１のビアホール及び第２のビアホールが形成された基板上に導電膜を積層してパターニングして、前記第１のビアホール上には画素電極３５０aを形成し、第２のビアホール上には第２の導電膜３５０bを形成する。

前記第２の導電膜３５０bが形成された回路測定パッド部Bの電気的特性をチェックして回路の正常駆動の有無を点検する。

前記第１の実施例と同等、前記画素電極３５０aと前記平坦化膜３４０との間には、反射漠を介在することができる。

また、前記画素電極３５０a及び第２の導電膜３５０bは、ITO又はIZOで形成することができ、前記第２の導電膜３５０bのエッジのテーパー角度θ２は、５０゜以下であってもよい。

図６を参照すると、前記画素電極３５０a及び前記第２の導電膜３５０bの上部には絶縁膜を形成し、前記絶縁膜をパターニングして、画素画定膜PDL、３６０a、３６０bを形成する。したがって、前記画素画定膜３６０aによって前記画素電極３６０aが露出され、前記第２の導電膜３５０bは前記画素画定膜によって保護される。

前記ビアホールのテーパー角度θ１と第２の導電膜３５０bのエッジのテーパー角度θ２によって、前記回路測定パッド領域B上の前記画素画定膜３６０bは、膜が切れることなく、コンフォーマルに形成することができる。

前記露出された画素電極３５０a上に有機膜３７０を形成する。前記有機膜３７０は発光層を含み、正孔注入層、正孔輸送層、正孔抑制層、及び電子注入層からなる群より選ばれた一つ以上の層を含んで形成することができる。

前記表示領域Aの有機膜３７０及び前記回路測定パッド領域Bの画素画定膜３６０bの上部に対向電極２８０が形成され、有機エレクトロルミネッセンス表示装置が形成される。

したがって、膜が切れることなく、コンフォーマルに形成された画素画定膜３６０bによって、前記測定パッドと対向電極とのショートは防止することができる。

また、前述したショート防止によって、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の信頼性を更に改善させることができる。

［発明の効果］
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、テーパーが形成された個所でも、一定の厚さの薄膜の絶縁膜を有した回路測定用パッドによって前記測定パッドと対向電極とのショートを防止することができるという效果がある。また、薄膜の画素画定膜を有する有機エレクトロルミネッセンス表示装置を具現することができ、これは、有機エレクトロルミネッセンス表示装置のレーザー熱転写工程の特性を改善することができる。また、前述したショート防止によって、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の信頼性を改善することができる。

以上では、本発明の望ましい実施例を参照して説明したが、当該技術分野の熟練された当業者は、下記の特許請求の範囲に記載の本発明の思想及び領域から逸脱しない範囲内で本発明を様々に修正及び変更することができることが理解できるだろう。

有機エレクトロルミネッセンス表示装置の平面図である。前記図１のＩ-Ｉ'に対する本発明の第１の実施例に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を示す断面図である。前記図１のＩ-Ｉ'に対する本発明の第１の実施例に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を示す断面図である。前記図１のＩ-Ｉ'に対する本発明の第１の実施例に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を示す断面図である。前記図１のＩ-Ｉ'に対する本発明の第１の実施例に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を示す断面図である。本発明の第２の実施例に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を示す断面図である。本発明の第２の実施例に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を示す断面図である。本発明の第２の実施例に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を示す断面図である。

符号の説明

２００、３００:基板
２３０c、３３０c:第１の導電膜
２５０b、３５０b:第２の導電膜
θ１:回路測定パッドのビアホールのテーパー角度
θ２:第２の導電膜のテーパー角度

Claims

表示領域と回路測定パッド領域とを具備する基板と;
前記表示領域上に位置するソース/ドレーン電極と同一層に形成される前記測定パッド領域上の第１の導電膜と;
前記ソース/ドレーン電極及び第１の導電膜上に位置する第１の絶縁膜と;
前記第１の絶縁膜上にソース電極又はドレーン電極を露出する第１のビアホール及び前記第１の導電層を露出する第２のビアホールと;
前記第１のビアホールを通じて前記ソース又はドレーン電極とコンタクトする画素電極及び前記第２のビアホールを通じて前記第１の導電膜とコンタクトする第２の導電膜と;
前記画素電極を露出させて、前記第２の導電膜上に形成される画素画定膜とを含み、
前記第２のビアホールのテーパー角度及び前記第２導電膜のエッジのテーパー角度は、それぞれ５０゜以下である、有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
前記第２の導電膜の厚さは、１００から１０００Åである請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
前記画素画定膜の厚さは、３０００Å以下である請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
前記第１の導電膜のエッジのテーパー角度は、５０゜以下である請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
前記第１の絶縁膜は、パッシベーション膜である請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
前記第１の絶縁膜は、前記パッシベーション膜上に位置する平坦化層を更に含む請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
前記第２のビアホールのテーパー角度は、５０゜以下である請求項６に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
前記平坦化層は、前記回路測定パッド領域を露出させる開口領域を具備し、前記第２のビアホールは、前記パッシベーション膜内に具備される請求項６に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
表示領域と駆動回路測定パッド領域とを具備する基板を用意する段階と;
前記基板上に導電膜を積層してパターニングすることで、前記表示領域上には、ソース/ドレーン電極を、前記測定パッド領域上には、第１の導電膜を同時に形成する段階と;
前記ソース/ドレーン電極及び第１の導電膜上に第１の絶縁膜を形成する段階と;
前記第１の絶縁膜上にソース電極又はドレーン電極を露出する第１のビアホール及び前記第１の導電膜を露出する第２のビアホールを同時に形成する段階と;
導電膜を積層してパターニングすることで、前記第１のビアホールを通じて前記ソース又はドレーン電極とコンタクトする画素電極及び前記第２のビアホールを通じて前記第１の導電膜とコンタクトする第２の導電層をそれぞれ形成する段階と;
絶縁膜を積層してパターニングして、前記表示領域上には画素電極を露出させ、前記測定パッド領域上には第２の導電膜を覆う画素画定膜を形成する段階とを含み、
前記第２のビアホールのテーパー角度及び前記第２導電膜のエッジのテーパー角度は、それぞれ５０゜以下である、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
前記第１の絶縁膜を形成することは、パッシベーション膜を形成することである請求項９に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
前記第１の絶縁膜を形成することは、前記パッシベーション膜上に平坦化膜を形成することを更に含む請求項１０に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
ハーフトーンマスクを使って前記第１及び第２のビアホールを形成すると共に、前記平坦化層内に前記回路パッド領域を露出させる開口領域を形成する請求項１１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
前記露出された画素電極上に発光層を含む有機層を形成し、有機層が形成された前記表示領域及び第２の絶縁膜が形成された前記測定パッド領域上に対向電極を形成することを更に含む請求項９に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
前記第２の導電膜の厚さは、１００から１０００Åである請求項９に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
前記画素画定膜の厚さは、３０００Å以下である請求項９に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
前記第１のビアホールのテーパー角度は、５０゜以下である請求項９に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
前記第１の導電膜のエッジのテーパー角度は、５０゜以下である請求項９に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。