JP4640690B2 - アクティブマトリクス有機el表示装置の製造方法 - Google Patents

アクティブマトリクス有機el表示装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4640690B2
JP4640690B2 JP2002215476A JP2002215476A JP4640690B2 JP 4640690 B2 JP4640690 B2 JP 4640690B2 JP 2002215476 A JP2002215476 A JP 2002215476A JP 2002215476 A JP2002215476 A JP 2002215476A JP 4640690 B2 JP4640690 B2 JP 4640690B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cathode electrode
display device
polysilicon tft
active matrix
manufacturing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2002215476A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2004063085A (ja
Inventor
勇一 池津
裕則 井村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP2002215476A priority Critical patent/JP4640690B2/ja
Priority to US10/522,156 priority patent/US7417251B2/en
Priority to PCT/JP2003/008835 priority patent/WO2004010741A1/ja
Publication of JP2004063085A publication Critical patent/JP2004063085A/ja
Priority to US12/175,530 priority patent/US7785942B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4640690B2 publication Critical patent/JP4640690B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/82Cathodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/805Electrodes
    • H10K59/8052Cathodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス(EL:Electro Luminescence)表示装置及びその製造方法に関し、特に、能動素子としてポリシリコン薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor)を用いるアクティブマトリクス有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、薄型、軽量の平面型表示装置として液晶表示装置が一般に用いられてきたが、液晶表示装置は液晶の配向方向によって透過光を制御するため、視野角が狭く応答特性が悪いといった問題がある。これに対し、近年、視野角が広く、応答特性の良いアクティブマトリクス有機EL表示装置が注目されている。有機EL素子は、電界を印加することにより、陽極より注入された正孔と陰極より注入された電子の再結合エネルギーにより蛍光性物質が発光するという原理を利用した自発光素子であるため、視認性に優れ、また、バックライト光源を使用しないために消費電力を低減することができ、携帯電話等の携帯端末機器の表示装置として期待されている。
【0003】
このアクティブマトリクス有機EL表示装置では、有機EL素子自体の発光効率を高めるために、正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層等の積層構造体における発光層への正孔の注入効率や再結合により生成する励起子の生成効率等を改善することが重要であるが、表示装置としての表示品位を向上させるためには、能動素子として設けるTFTの特性や回路の応答性等を向上させることが求められる。
【0004】
上記TFTとしては、従来はアモルファスシリコン膜を用いたアモルファスシリコンTFTが主流であったが、最近では、TFTの特性向上を図るためにアモルファスシリコン膜よりも電界移動度の高いポリシリコン膜を用いたTFT(以下、ポリシリコンTFTと略す。)の開発が進められている。ポリシリコンTFTでは、アモルファスシリコン膜を結晶化する処理が必要であり、そのプロセスとしては、電熱炉を用いて600℃程度の高温で結晶化を行う高温プロセスと、レーザ光や赤外光等を用いて300℃程度以下の低温で結晶化を行う低温プロセスとがある。
【0005】
高温プロセスでは、LSI技術を踏襲して熱酸化ゲート絶縁膜を形成することができ、熱酸化ゲート絶縁膜とポリシリコンとの界面特性が安定しているため、TFTの特性のばらつきを抑えることができるという利点があるが、結晶化処理の温度が高いために、ガラスやプラスチック等の基板を用いる表示装置に適用することはできない。従って、アクティブマトリクス有機EL表示装置では、通常、レーザアニール法やランプアニール法で結晶化処理を行う低温プロセスが用いられる。
【0006】
ここで、上記低温プロセスにより形成されたポリシリコンTFT(以下、低温ポリシリコンTFTと略す。)を備えるアクティブマトリクス有機EL表示装置について、図5乃至図9を参照して説明する。図5は、特開2001−318628号公報に記載されている従来のアクティブマトリクス有機EL表示装置の構造を模式的に示す図であり、(a)は平面図、(b)はB−B′断面図である。また、図6乃至8はアクティブマトリクス基板の製造方法を示す工程断面図であり、図9は、アクティブマトリクス有機EL表示装置の等価回路図である。
【0007】
図6乃至8を用いて上記公報記載のアクティブマトリクス基板の製造工程について概説する。まず、ガラス基板100上に下地膜101を形成した後、アモルファスシリコンを成膜し、レーザアニール法、ランプアニール法等を用いてポリシリコン膜102を形成する(図6(a))。次に、ポリシリコン膜102上にシリコン酸化膜からなる保護膜103を形成し、その上に設けたレジストマスク104を介してリン又は砒素等のn型不純物を添加し、n型不純物領域105を形成した後、レーザアニール法等により、添加した不純物を活性化する(図6(b)、(c))。次に、ポリシリコン膜102を部分的に除去して島状の活性層106〜109を形成し、ゲート絶縁膜110を介して、ゲート電極111〜114と、ソース配線115、電流供給線116を形成する(図6(d)、(e))。
【0008】
次に、ゲート電極111〜114をマスクとして、自己整合的にリン等のn型不純物を添加し、不純物領域117〜124を形成した後、レジストマスク125を用いて部分的にリン等のn型不純物を添加して高濃度にリンを含む不純物領域126〜130を形成し、次に、レジストマスク131を用いて部分的にボロン等のp型不純物を添加して高濃度にボロンを含む不純物領域132〜135を形成する。そして、レジストマスク131を除去してポリシリコンTFT等の回路子素子が形成される(図7(a)乃至(d))。
【0009】
次に、ポリシリコンTFTを含む回路素子上に第1層間絶縁膜136を形成し、レーザアニール法やランプアニール法を用いて不純物元素を活性化した後、第2層間絶縁膜137を形成し、第1層間絶縁膜136、第2層間絶縁膜137、ゲート絶縁膜110を貫通し、不純物領域に達するコンタクトホールを形成する。そして、各コンタクトホール内を金属で埋設し、パターニングして配線138〜145を形成する。その後、接続電極141に接する画素電極146を形成する(図8(a)、(b))。
【0010】
なお、図6(a)から図8(b)までの工程は、アクティブマトリクス液晶表示装置などで用いられる低温ポリシリコンTFT製造技術と変わるところはなく、アモルファスシリコン層を形成しアニールによりポリシリコンを形成するポリシリコン形成技術、n型TFT及びp型TFTを形成するための不純物注入技術、Alなどの導電膜並びに酸化シリコン及び窒化シリコンからなる絶縁膜形成技術、これらの膜形成領域や注入領域を限定するためのレジスト膜形成技術、並びに形成膜不要領域を除去するエッチング技術などの応用により実現することができる。
【0011】
その後、図8(c)に示すように第3層間絶縁膜147を形成するが、有機EL素子を構成する積層構造は、陽極及び陰極を除いた厚みは80nmから200nm、陰極の厚みは30nmから300nm程度と薄く、形成膜の段差切れを防止するため、有機EL素子形成前に急峻な形状をカバーし、段切れ防止のためにエッジをテーパ状に加工している。このテーパ形状の第3層間絶縁膜147の形成後、各々の画素の所望領域に有機EL層148を蒸着技術により形成し、続けて陰極149、保護電極150を形成し、最後に有機EL層148を保護するパッシベーション膜151を形成することによりアクティブマトリクス有機EL表示装置が形成される。
【0012】
上記方法で形成されたアクティブマトリクス有機EL表示装置は、図9の等価回路に示すように、行方向に配置されたゲート配線145と、列方向に配置されたソース配線115及び電流供給線116とで囲まれる画素内に、ゲート配線145及びソース配線115に接続されるスイッチング用TFT202と、有機EL層148を画素電極(陽極)146と陰極149とで挟み込んで形成した発光素子204と、ソース/ドレインの一方が保持容量207を介してスイッチング用TFT202のドレインに、他方が発光素子204の陽極に接続される制御用TFT203とが形成され、発光素子204の陰極149は全ての画素で共通となっている。このように陰極電極が表示領域全面の単一電極構造で良いのは、各画素へのアドレスがロウドライバ及びカラムドライバからの配線により選択でき、陰極149は単なる電源供給電極でしかないからである。
【0013】
この等価回路で示す画素をマトリクス状に配列して図5(a)に示す画素部4002を形成し、行方向及び列方向の端部にゲート側駆動回路4004とソース側駆動回路4003とを配置し、第1シール材4101及び第2シール材4104でシールして有機EL表示装置が形成される。そして、図5(a)のB−B´線における断面図(外部との接続部分、ソース側駆動回路4003の一部、画素部4002の一画素の断面図)を表す図5(b)及び前記した図8(c)に示すように、陰極電極(図8(c)の陰極149及び保護電極150、図5(b)の陰極4305に該当する。)は、画素がマトリクス状に配列された表示領域全面、つまりポリシリコンTFTを含む画素回路や、ロウドライバ及びカラムドライバと画素回路とを接続する配線上にも形成される。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】
有機EL素子を構成する陰極電極が表示領域全面に単一電極として形成される従来のアクティブマトリクス有機EL表示装置の構造では、以下に示す2つの問題点がある。
【0015】
まず、第1の問題は、陰極電極が表示領域全面、すなわち、ロウドライバ及びカラムドライバと画素回路を接続する配線上にも形成されるため、この配線と陰極電極との間に容量が生じ、この容量により信号が遅延するということである。この信号の遅延によりフレーム周波数に制限が生じ、高速動画対応可能なアクティブマトリクス有機EL表示装置を実現することができなくなってしまう。また、上記容量を持った配線に信号を送ることは電力消費の面で不利であり、低消費電力化の妨げとなってしまう。
【0016】
また、第2の問題点は、陰極電極を形成するための蒸着工程において、蒸着源に電子ビーム蒸着源を用いることができないということである。この蒸着製膜工程は、被膜材料を真空中で加熱蒸発させ、基板上にその被膜材料を被覆させる技術であり、被膜材料の加熱方法は多く存在するが、電子ビーム蒸着源が一般の量産設備において多く用いられる。これは、他の蒸着源に比べ、被膜材料飛散角度が安定し良質な蒸着膜が実現できること、スプラッツが発生しにくく膜の均一性が優れていること、及び被膜材料の充填が容易でありメンテナンスを多く必要とせず設備の稼働率が高いことなどの理由によるものである。
【0017】
ところが、従来のアクティブマトリクス有機EL表示装置の陰極電極の形成を電子ビーム蒸着源を具備する蒸着装置を用いて行うと、陰極電極が表示領域全面、すなわち、ポリシリコンTFT上にも形成されるため、電子ビーム蒸着源から特性X線が発生し、このX線によりポシシリコンTFTの閾値電圧Vtが変化したりリーク電流が増加したりオン電流が減少する等の特性劣化が生じるということが明らかになった。
【0018】
図10に、ポリシリコンTFTにX線を照射した場合の特性変化の実験結果例を示す。図の横軸はゲート電圧、縦軸はドレイン電流を示しており、図から分かるように、X線被爆によりポリシリコンTFTの特性はpch−TFT、nch−TFTともマイナス側(図の左側)にシフトしている。このゲート電圧のシフトにより正常にTFTを動作させることができず、スジやムラのない画質の優れた表示装置を実現することができなくなってしまう。
【0019】
このポリシリコンTFTのゲート電圧の変動は、ポリシリコンTFTのゲート絶縁層内にトラップ準位が生じることが原因と考えられる。ここで、従来のポリシリコンTFT、特に低温プロセスを用いて製作したポリシリコンTFTでは、マトリクス状に形成した各々のTFTの特性やその均一性が十分でなかったため、特性X線の影響を明確にすることができなかったが、本願発明者は低温ポリシリコンTFT製造技術に改良を加え、特性及び均一性に優れたポリシリコンTFTの製造を可能としたことにより、上記問題を明確にすることができた。この電子ビーム蒸着の特性X線と低温ポリシリコンTFTのゲート電圧の変動との詳細な関係は、本願発明者が見出した新規な事実である。
【0020】
このように、従来のアクティブマトリクス有機EL表示装置では、陰極電極が表示領域全面、すなわち、ロウドライバ及びカラムドライバと画素回路を接続する配線やポリシリコンTFT上にも形成されるため、配線と陰極電極との間に生じる容量や、電子ビーム蒸着の特性X線によるポリシリコンTFT特性の劣化を引き起こしてしまい、高速応答性、高品位の表示装置を実現することができなくなってしまうという問題があり、これら2つの問題を解決できるアクティブマトリクス有機EL表示装置の構造及び製造方法の提案が求められている。
【0021】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、その主たる目的は、製造工程を複雑化することなく、配線−陰極電極間の容量による信号の遅延やポリシリコンTFTの誤動作による表示品位の低下を防止することができるアクティブマトリクス有機EL表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【0022】
【問題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の製造方法は、ロウドライバ又はカラムドライバに接続される複数の配線で区画される各々の画素に、ポリシリコンTFTを含む画素回路と、前記ポリシリコンTFTに接続された陽極電極と有機層と陰極電極とからなる有機EL素子と、を隣接して形成するアクティブマトリクス有機EL表示装置の製造方法において、前記ポリシリコンTFTを形成した後、前記陰極電極を、開口を設けた金属板をマスクとして電子ビーム蒸着法により、前記ポリシリコンTFT上を除く領域に形成するものである。
【0030】
また、本発明の製造方法は、ロウドライバ又はカラムドライバに接続される複数の配線で区画される各々の画素に、ポリシリコンTFTを含む画素回路と、前記ポリシリコンTFTに接続された陽極電極と有機層と陰極電極とからなる有機EL素子と、を隣接して形成するアクティブマトリクス有機EL表示装置の製造方法において、前記ポリシリコンTFTを形成した後、前記陰極電極を、開口を設けた金属板をマスクとして電子ビーム蒸着法により、前記ポリシリコンTFT上を除く領域であって、連続する2以上の前記画素の発光部を覆うように形成するものである。
【0031】
また、本発明の製造方法は、ロウドライバ又はカラムドライバに接続される複数の配線で区画される各々の画素に、ポリシリコンTFTを含む画素回路と、前記ポリシリコンTFTに接続された陽極電極と有機層と陰極電極とからなる有機EL素子と、を隣接して形成するアクティブマトリクス有機EL表示装置の製造方法において、前記ポリシリコンTFTを形成した後、前記陰極電極を、開口を設けた金属板をマスクとして電子ビーム蒸着法により、前記ポリシリコンTFT上及び前記ロウドライバ又は前記カラムドライバのいずれか一方に接続される前記配線上を除く領域であって、連続する2以上の前記画素の発光部を覆うように形成するものである。
【0032】
このように、本発明では、蒸着工程により形成される陰極電極は、ロウドライバ及びカラムドライバと画素回路とを接続する配線上には形成されないため、配線と陰極電極間に発生する容量を少なくすることが可能となり、ドライバを低電力で高速に動作させることができる。その結果、フレーム周波数を高く設定できフリッカが少なく高速動画対応可能な表示装置を実現することができる。
【0033】
また、本発明では、陰極電極は、画素回路を構成するポリシリコンTFT形成領域上には形成されず、つまり蒸着工程において蒸着マスクにより保護されているため、X線の影響によるポリシリコンTFT特性の劣化を防止することができる。その結果、量産性に優れた電子ビーム蒸着装置を用いることができ、また、特性バラツキの少ない設計要求性能を有するポリシリコンTFTにより構成される制御回路を具備するため、スジやムラのない画質の優れた表示装置を実現することができる。
【0034】
【発明の実施の形態】
本発明に係るアクティブマトリクス有機EL表示装置は、その好ましい一実施の形態において、ガラス基板上に、マトリクス状に配列された有機EL発光素子と、各々の有機EL発光素子を制御するポリシリコンTFTを含む画素回路と、画素回路を制御するロウドライバ及びカラムドライバとを備え、陰極電極を、金属板に開口を形成した蒸着マスクと電子ビーム蒸着源とを用いて、ポリシリコンTFT上又はポリシリコンTFT上とロウ側配線上とを除く領域に、ロウ側配線方向に連続する2以上の画素の発光部を囲むように形成するものであり、ロウドライバ又はカラムドライバと画素回路とを接続する配線やロウ側配線上に陰極電極を形成しないことにより、該配線と陰極電極との間の容量を低減すると共に、ポリシリコンTFTを蒸着マスクを覆って陰極電極を形成することにより、電子ビーム蒸着源からのX線によるTFT特性の劣化を防止することができる。
【0035】
【実施例】
上記した本発明の実施の形態についてさらに詳細に説明すべく、本発明の実施例について図面を参照して説明する。
【0036】
[実施例1]
まず、本発明の第1の実施例に係るアクティブマトリクス有機EL表示装置及びその製造方法について、図1乃至図3を参照して説明する。図1は、本発明のアクティブマトリクス有機EL表示装置の構成を模式的に示すブロック図であり、(a)は表示領域全体、(b)は1つの画素(サブ画素)を示している。また、図2は、第1の実施例に係るアクティブマトリクス有機EL表示装置の構造を示す平面図であり、図3はその製造工程の一部を示すA−A′断面図である。
【0037】
以下の記載において、説明を容易とするため、有機EL素子の劣化を防ぐ封止構造及び封止に関する製造工程、ポリシリコンTFTと有機EL素子等からなるガラス基板(以下、表示基板と呼ぶ。)と外部電源とのFPCなどからなる電気的接続構造及びその工程並びに表示基板への電力供給及び信号入力回路等に関する記載を省略する。
【0038】
図1に示すように、本実施例のアクティブマトリクス有機EL表示装置は、1画素を構成するRGB3原色のサブ画素の各々に形成される有機EL素子は横に並んで配列され、図の上下方向に長尺であり、各サブ画素の有機EL素子を制御する画素回路3は各有機EL素子の上側に形成されている。そして、画素をマトリクス状に配列することにより表示領域を形成し、表示領域の左右両側に各行を選択するロウドライバ1aが配置され、表示領域の下側に各列を選択し各サブ画素の輝度を制御するカラムドライバ2aが配置されている。このロウドライバ1aとカラムドライバ2aにより、選択された画素は各々輝度が制御されて発光することにより表示機能を果たす。
【0039】
また、各サブ画素に形成される有機EL素子の陰極電極7は、各行に独立して形成されている。この陰極電極7は、図2に示すように、ポリシリコン形成領域10aを含む画素回路3上には形成されず、ロウドライバ1aの配線方向に連続する2以上の画素の有機EL素子発光領域5及び発光領域間に配置されるカラムドライバ2aの配線上に形成される。また、この陰極電極7の電気的接続は、表示領域とロウドライバ形成領域間に形成される陰極電極配線4に設けるコンタクトホール6により実現する。ロウドライバ1aから画素回路3への配線と陰極電極配線7とは多層配線構造により電気的独立を確保している。
【0040】
なお、図1及び図2の構造は例示であり、各々の画素における有機EL素子発光領域5や画素回路3の配置、RGB3原色のサブ画素の配列、ロウドライバ1a、カラムドライバ2a、陰極電極配線4の配置等は任意に設定することができる。また、陰極電極7と陰極電極配線4との接続は、各々の画素(すなわち、3つの隣接するサブ画素)の1辺で行っても対向する2辺で行ってもよい。
【0041】
次に、上記構成のアクティブマトリクス有機EL表示装置の製造手順について、図2の平面図及び図3の工程断面図を用いて説明する。
【0042】
図3(a)に示すように、本実施例のアクティブマトリクス有機EL表示装置の表示基板には、低温ポリシリコンTFT製造技術を用いて形成されたポリシリコンTFT及びその他の素子からなる画素回路3やゲート線11、データ線12、電力供給線8、陰極電極配線4等の各種配線が形成されている。この画素回路3は、アモルファスシリコンをレーザアニール法やランプアニール法により結晶化するポリシリコン層形成技術、半導体製造技術から応用される製膜、パターニング、エッチング技術及びその他の技術を用いて実現することができる。
【0043】
具体的には、例えば、ガラス等の透光性の基板上にCVD法を用いてシリコン酸化膜等の絶縁膜を形成し、その上にアモルファスシリコンを堆積し、不純物ドーピング工程及びレーザアニール等のポリシリ化工程を行った後、レジスト塗布、露光、エッチング工程を経て、TFT形成領域にポリシリコン10を形成する。次に、シリコン酸化膜等からなるゲート絶縁膜とWSi(タングステンシリサイド)等を順次堆積し、同様にPRとエッチングを施してゲート電極、ゲート配線11を形成し、不純物ドーピングを施すことによりポリシリコンTFTを形成する。次に、CVD法を用いてシリコン酸化膜等からなる層間絶縁膜を堆積した後、PR、エッチングによりコンタクトホールを形成し、その上にAl等を堆積して、同様にPRとエッチングを施して、ソース/ドレイン電極、データ線12、電力供給線8、陰極電極配線4等を形成する。
【0044】
なお、基板上にポリシリコンTFTを形成する前に、TFT形成領域下層にWSiや金属等を堆積して遮光膜を形成してもよい。また、図では、ゲート線11と、データ線12や陰極電極配線4等とを層間絶縁膜を介して積層しているが、図5及び図6に示す従来技術のようにこれらの配線を同一層に形成し、交差部をブリッジにより接続する構造としてもよい。
【0045】
上記方法によってポリシリコンTFTや各種配線を形成した基板上に、各有機EL素子7の陽極13となるITO電極を形成した後、有機EL素子発光領域5が開口し、そのエッジがテーパ状になった絶縁層9bを、CVD等による酸化膜層形成および当方性エッチング技術により、または光感光性レジストのキュアによるエッジ鈍化技術により形成する。その際、本実施例では、画素毎に陰極電極7を分離して形成するため、各々の陰極電極7を陰極電極配線4で接続するためのコンタクトホール6も同時に形成する。このコンタクトホール6も陰極電極7の段切れを防止するためにエッジをテーパ状に加工する。
【0046】
その後、有機EL素子構造として公知である正孔注入層、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層を順に蒸着技術等で形成し有機層14を形成する。この有機層14は、正孔輸送層/発光層/電子輸送層、正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層あるいは発光層単独のいずれの構造でもよく、マトリクスカラー表示の場合は、画素ごとに発光層の材質を変えて積層する。
【0047】
次に、図3(b)に示すように、例えば、Li又はLi化合物とAlとからなる陰極電極7を蒸着技術を用いて形成する。ここで、従来のアクティブマトリクス有機EL表示装置では、陰極電極7(図5の陰極4305、図8の陰極149及び保護電極150)を表示領域全面に形成するため、陰極電極7と、ロウドライバ1a及びカラムドライバ2aと画素回路3とを接続する配線との間に形成される容量により、信号が遅延して応答特性が劣化するという問題や、電子ビーム蒸着におけるX線の影響でポリシリコンTFTの特性が劣化するという問題があった。
【0048】
そこで、本実施例では、これらの問題を同時に解決するために、陰極電極7を表示領域全面に形成するのではなく、図2に示すように、ポリシリコンTFTや接続配線を含む画素回路3から所定の距離だけ離れた領域(具体的には、ポリシリコン形成領域10aからL1だけ離れた領域)に形成することを特徴としている。その際、画素回路3上に陰極電極7が形成されないようにするために画素回路3上を覆い隠す必要があるが、陰極電極7の下層には有機層14が形成されているため、レジストパターンを用いて選択的に陰極電極7を形成することはできない。そこで、アンバーなどの金属板からウェットエッチング技術を用いて形成される蒸着マスクを用いる。
【0049】
そして、基板上にこの蒸着マスクを位置合わせして設置し、その上から、例えば厚み500nm程度の膜厚のLi又はLi化合物とAlとを堆積(例えば、リチウム0.1wt%アルミニウム共蒸着)する。この蒸着マスクにより陰極電極7はパターニングされるが、そのパターンは、図2の構成の場合は各行(RGB3原色の各サブ画素)のEL素子発光領域5及び陰極電極配線4上のコンタクトホール6を含むような短冊形状となる。また、コンタクトホール6上にも陰極電極7を堆積し、各々の陰極電極7と陰極電極配線4とを電気的に接続する。その後、必要に応じて、保護電極やパッシベーション膜を形成し、表示基板が完成する。
【0050】
このような蒸着マスクを用いて、ポリシリコンTFTや接続配線を含む画素回路3を保護することにより、陰極電極7と接続配線間の容量の発生を防止することができると共に、X線によるポリシリコンTFTの特性劣化の恐れが無いため、陰極電極7を形成するための蒸着工程に、良質な蒸着膜が得られる電子ビーム蒸着源を用いることができ、有機EL素子の特性の均一性向上、量産性向上を図ることができる。なお、蒸着マスクとしては、強度を維持するために通常、50μm程度の膜厚を有しており、この程度の膜厚の金属であれば電子ビーム蒸着源から発生するX線を十分に吸収することができる。
【0051】
このようにして形成されたアクティブマトリクス有機EL表示装置では、ロウ側配線およびカラム側配線により選択された任意の一画素は、電力供給線8から陽極13を通じて、また、陰極電極配線4を通じて陰極電極7から有機EL層に電圧が印加される。これにより、所望の輝度で任意の有機EL素子を発光させることができ、表示装置としての機能を実現することができる。
【0052】
なお、図2では設計通りの位置に陰極電極7が形成された場合を図示しており、ポリシリコン形成領域10aと陰極電極7との間の距離(L1及びL2)は同距離として図示している。実際に表示装置を製作した場合、陰極電極形成領域はガラス基板上に形成したポリシリコン形成領域10aと目ズレが生じる可能性がある。そこで、目ズレが生じても陰極電極7がポリシリコン形成領域10aと平面上重ならないようにポリシリコン形成領域10aと陰極電極7間の間隔を確保する必要がある。この間隔としては、現状の蒸着技術では上述の目ズレは20μm程度発生することを考慮すると、本願発明の表示装置を実現するにはL1及びL2は20μm以上に設定することが好ましいと言える。
【0053】
[実施例2]
次に、本発明の第2の実施例に係るアクティブマトリクス有機EL表示装置及びその製造方法について、図4を参照して説明する。図4は、第2の実施例に係るアクティブマトリクス有機EL表示装置の構造を示す平面図である。
【0054】
前記した第1の実施例では、陰極電極7を画素回路3と重ならないように形成したが、配線と陰極電極7間の容量を更に低減するためには、陰極電極が極力、配線と重ならないように形成することが好ましい。そこで、第2の実施例では、陰極電極7をポリシリコン形成領域10aおよびロウ側配線(ゲート配線11)の双方と重ならない領域に形成している。
【0055】
本実施例のアクティブマトリクス有機EL表示装置の製造方法は第1の実施例と同様であり、陰極電極7を形成する際に、各行のEL素子発光領域5及び陰極電極配線4上のコンタクトホール6を含む短冊形状の蒸着マスクを用いて、電子ビーム蒸着によりLi又はLi化合物とAlとからなる陰極電極7を形成する。なお、ポリシリコン形成領域10aと陰極電極7との距離(L1)及びロウ側配線(ゲート配線11)と陰極電極7との距離(L3)も目ズレを考慮して20μm以上となるように蒸着マスクを形成することが好ましい。
【0056】
このように、蒸着マスクによりポリシリコンTFTを保護して電子ビーム蒸着を行うことにより、ポリシリコンTFTの特性劣化を防止することができ、良質な蒸着膜が得られる電子ビーム蒸着源を用いることにより、有機EL素子の特性の均一性向上、量産性向上を図ることができる。また、陰極電極7がロウ側配線(ゲート配線11)よりも画素側に形成されるため、有機EL発光領域5は第1の実施例に比べて小さくなるが、陰極電極7とロウ側配線間の容量を少なくすることができ、更なる高速動作を実現することができる。
【0057】
なお、上記各実施例では、有機EL発光領域5及び画素回路3が各画素内で同様に配置されているため、陰極電極7は単純な短冊形状としたが、本発明は、陰極電極7をポリシリコンTFTを含む画素回路3やゲート線11等のロウ側配線と相重ならないように形成する構成であればよく、陰極電極7を画素回路3やロウ側配線を避けるような複雑な形状で形成することも可能である。但し、蒸着マスクはフォトマスクと異なり正確な寸法で形成することが困難であり、また、位置合わせも難しいことから、極力単純な形状とすることが好ましく、蒸着マスクの形状を単純化できるように、画素回路3の配置や画素の配列方向等を考慮してレイアウトすることが好ましい。
【0058】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のアクティブマトリクス有機EL表示装置及びその製造方法によれば、下記記載の効果を奏する。
【0059】
本発明の第1の効果は、特性ばらつきの少ない、設計要求性能を有するポリシリコンTFTにより構成される制御回路を具備するため、スジやムラのない画質の優れた表示装置を実現することができるということである。
【0060】
その理由は、蒸着工程により形成される陰極電極は、ポリシリコンTFT形成領域上には形成されず、つまり蒸着工程において蒸着マスクによりポリシリコンTFTは保護されているため、蒸着工程において電子ビーム蒸着源を用いたことにより基板がX線被爆したとしても、本願発明の表示装置が具備するポリシリコンTFTの諸特性には影響せず、設計通りの特性から得られる表示画質を得ることができるからである。
【0061】
また、本発明の第2の効果は、フレーム周波数を高く設定することができ、フリッカが少なく高速動画対応可能な表示装置を実現することができるということである。
【0062】
その理由は、陰極電極をロウドライバ及びカラムドライバからの配線上やロウ側配線上に形成しないことにより、これらの配線と陰極電極間に発生する容量を少なくすることができるからである。その結果、フレーム周波数を高く設定することが可能となり、フリッカが少なく高速動画対応可能な表示装置を実現することができる。また、容量の低減によりドライバを低電力で動作させることが可能となり、表示装置の低消費電力化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るアクティブマトリクス有機EL表示装置の構造を模式的に示すブロック図である。
【図2】本発明の第1の実施例に係るアクティブマトリクス有機EL表示装置の構造を示す平面図である。
【図3】本発明の第1の実施例に係るアクティブマトリクス有機EL表示装置の製造工程の一部を示す断面図である。
【図4】本発明の第2の実施例に係るアクティブマトリクス有機EL表示装置の構造を示す平面図である。
【図5】従来のアクティブマトリクス有機EL表示装置の構造を示す図であり、(a)は平面図、(b)は(a)のB−B′線における断面図である。
【図6】従来のアクティブマトリクス有機EL表示装置の製造工程を示す断面図である。
【図7】従来のアクティブマトリクス有機EL表示装置の製造工程を示す断面図である。
【図8】従来のアクティブマトリクス有機EL表示装置の製造工程を示す断面図である。
【図9】従来のアクティブマトリクス有機EL表示装置の等価回路図である。
【図10】従来のアクティブマトリクス有機EL表示装置の問題点を示す図であり、X線被爆によるTFTのゲート電圧の変化を示す図である。
【符号の説明】
1 ロウ側配線
1a ロウドライバ
2 カラム側配線
2a カラムドライバ
3 画素回路
4 陰極電極配線
5 発光領域
6 コンタクトホール
7 有機EL素子
8 電力供給線
9a、9b 絶縁層
10 ポリシリコン
10a ポリシリコン形成領域
11 ゲート線
12 データ線
13 陽極
13a ソース/ドレインコンタクト
14 有機層

Claims (5)

  1. ロウドライバ又はカラムドライバに接続される複数の配線で区画される各々の画素に、ポリシリコンTFTを含む画素回路と、前記ポリシリコンTFTに接続された陽極電極と有機層と陰極電極とからなる有機EL素子と、を隣接して形成するアクティブマトリクス有機EL表示装置の製造方法において、
    前記ポリシリコンTFTを形成した後、前記陰極電極を、開口を設けた金属板をマスクとして電子ビーム蒸着法により、前記ポリシリコンTFT上を除く領域に形成することを特徴とするアクティブマトリクス有機EL表示装置の製造方法
  2. ロウドライバ又はカラムドライバに接続される複数の配線で区画される各々の画素に、ポリシリコンTFTを含む画素回路と、前記ポリシリコンTFTに接続された陽極電極と有機層と陰極電極とからなる有機EL素子と、隣接して形成るアクティブマトリクス有機EL表示装置の製造方法において、
    前記ポリシリコンTFTを形成した後、前記陰極電極開口を設けた金属板をマスクとして電子ビーム蒸着法により、前記ポリシリコンTFT上を除く領域であって、連続する2以上の前記画素の発光部を覆うように形成ることを特徴とするアクティブマトリクス有機EL表示装置の製造方法
  3. ロウドライバ又はカラムドライバに接続される複数の配線で区画される各々の画素に、ポリシリコンTFTを含む画素回路と、前記ポリシリコンTFTに接続された陽極電極と有機層と陰極電極とからなる有機EL素子と、隣接して形成るアクティブマトリクス有機EL表示装置の製造方法において、
    前記ポリシリコンTFTを形成した後、前記陰極電極開口を設けた金属板をマスクとして電子ビーム蒸着法により、前記ポリシリコンTFT上及び前記ロウドライバ又は前記カラムドライバのいずれか一方に接続される前記配線上を除く領域であって、連続する2以上の前記画素の発光を覆うように形成ることを特徴とするアクティブマトリクス有機EL表示装置の製造方法
  4. 前記陰極電極を、行方向又は列方向に連続する画素の前記発光領域を覆うように行毎又は列毎の短冊状に形成することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一に記載のアクティブマトリクス有機EL表示装置の製造方法
  5. 前記ロウドライバ又は前記カラムドライバに接続される前記配線を形成する際に、前記短冊状の陰極電極の短辺方向に延在するように陰極電極配線を形成し、各々の前記陰極電極と前記陰極電極配線とを、前記短冊状の陰極電極の長辺方向の一端又は両端に設けたコンタクトホールにより接続することを特徴とする請求項に記載のアクティブマトリクス有機EL表示装置の製造方法
JP2002215476A 2002-07-24 2002-07-24 アクティブマトリクス有機el表示装置の製造方法 Expired - Lifetime JP4640690B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002215476A JP4640690B2 (ja) 2002-07-24 2002-07-24 アクティブマトリクス有機el表示装置の製造方法
US10/522,156 US7417251B2 (en) 2002-07-24 2003-07-11 Active matrix organic EL display device and manufacturing method thereof
PCT/JP2003/008835 WO2004010741A1 (ja) 2002-07-24 2003-07-11 アクティブマトリクス有機el表示装置及びその製造方法
US12/175,530 US7785942B2 (en) 2002-07-24 2008-07-18 Active matrix organic EL display device and manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002215476A JP4640690B2 (ja) 2002-07-24 2002-07-24 アクティブマトリクス有機el表示装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2004063085A JP2004063085A (ja) 2004-02-26
JP4640690B2 true JP4640690B2 (ja) 2011-03-02

Family

ID=30767924

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002215476A Expired - Lifetime JP4640690B2 (ja) 2002-07-24 2002-07-24 アクティブマトリクス有機el表示装置の製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (2) US7417251B2 (ja)
JP (1) JP4640690B2 (ja)
WO (1) WO2004010741A1 (ja)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7619258B2 (en) * 2004-03-16 2009-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US7550769B2 (en) * 2004-06-11 2009-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element, light emitting device and semiconductor device
KR100699996B1 (ko) 2004-09-02 2007-03-26 삼성에스디아이 주식회사 회로 측정용 패드를 포함하는 유기전계발광표시장치와 그제조방법
JP4747543B2 (ja) * 2004-09-29 2011-08-17 カシオ計算機株式会社 ディスプレイパネル
KR100685404B1 (ko) 2004-10-11 2007-02-22 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
US8001455B2 (en) * 2004-10-14 2011-08-16 Daktronics, Inc. Translation table
US7893948B1 (en) * 2004-10-14 2011-02-22 Daktronics, Inc. Flexible pixel hardware and method
US8344410B2 (en) 2004-10-14 2013-01-01 Daktronics, Inc. Flexible pixel element and signal distribution means
US7868903B2 (en) * 2004-10-14 2011-01-11 Daktronics, Inc. Flexible pixel element fabrication and sealing method
US7572655B2 (en) * 2005-03-23 2009-08-11 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electronic devices having a layer overlying an edge of a different layer and a process for forming the same
JP4386128B2 (ja) * 2007-11-15 2009-12-16 ソニー株式会社 有機電界発光表示装置
KR101540341B1 (ko) * 2008-10-17 2015-07-30 삼성전자주식회사 패널 구조체, 패널 구조체를 포함하는 표시장치 및 이들의 제조방법
US20110058770A1 (en) * 2009-09-10 2011-03-10 E. I. Du Pont De Nemours And Company Sub-surface engraving of oled substrates for improved optical outcoupling
FR2964792A1 (fr) * 2010-09-10 2012-03-16 Thales Sa Dispositif d'interconnexion electrique a couche surperficielle conductrice transparente
JP5778961B2 (ja) * 2011-03-29 2015-09-16 株式会社Joled 表示装置および電子機器
JP6192153B2 (ja) * 2012-07-31 2017-09-06 日東電工株式会社 表示装置およびその製造方法
TWI479713B (zh) * 2012-09-06 2015-04-01 Ultimate Image Corp 有機半導體照明裝置
JP6221413B2 (ja) * 2013-06-27 2017-11-01 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
CN105093755A (zh) * 2015-08-28 2015-11-25 深圳市华星光电技术有限公司 薄膜晶体管阵列基板及液晶显示面板
JP6715708B2 (ja) * 2016-07-08 2020-07-01 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN108630719A (zh) * 2017-03-24 2018-10-09 矽创电子股份有限公司 彩色光源结构
CN109427278B (zh) * 2017-08-31 2020-07-03 昆山国显光电有限公司 显示面板及显示装置
CN113383381A (zh) * 2019-04-04 2021-09-10 深圳市柔宇科技股份有限公司 显示面板和显示装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02150823A (ja) * 1988-12-02 1990-06-11 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JPH08184857A (ja) * 1994-12-29 1996-07-16 Sharp Corp 液晶表示装置
JPH1124604A (ja) * 1997-07-02 1999-01-29 Seiko Epson Corp 表示装置
JP2000231346A (ja) * 1999-02-09 2000-08-22 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2002032057A (ja) * 2000-05-08 2002-01-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及びその駆動方法
JP2002164181A (ja) * 2000-09-18 2002-06-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置及びその作製方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04366819A (ja) * 1991-06-13 1992-12-18 Nec Corp アクティブマトリックス液晶ディスプレイ装置
GB2305488B (en) * 1995-09-21 1999-04-28 Moog Inc Modular vibratory force generator, and method of operating same
JP4776792B2 (ja) 2000-02-28 2011-09-21 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置および電気器具
JP4053209B2 (ja) * 2000-05-01 2008-02-27 三星エスディアイ株式会社 有機elディスプレイの製造方法
US6690034B2 (en) * 2000-07-31 2004-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP2002358031A (ja) * 2001-06-01 2002-12-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及びその駆動方法
US6692326B2 (en) * 2001-06-16 2004-02-17 Cld, Inc. Method of making organic electroluminescent display
JP4182467B2 (ja) * 2001-12-27 2008-11-19 セイコーエプソン株式会社 回路基板、電気光学装置及び電子機器
KR100870013B1 (ko) * 2002-08-27 2008-11-21 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02150823A (ja) * 1988-12-02 1990-06-11 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JPH08184857A (ja) * 1994-12-29 1996-07-16 Sharp Corp 液晶表示装置
JPH1124604A (ja) * 1997-07-02 1999-01-29 Seiko Epson Corp 表示装置
JP2000231346A (ja) * 1999-02-09 2000-08-22 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2002032057A (ja) * 2000-05-08 2002-01-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及びその駆動方法
JP2002164181A (ja) * 2000-09-18 2002-06-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置及びその作製方法

Also Published As

Publication number Publication date
US7785942B2 (en) 2010-08-31
US20090053862A1 (en) 2009-02-26
US20050247939A1 (en) 2005-11-10
US7417251B2 (en) 2008-08-26
WO2004010741A1 (ja) 2004-01-29
JP2004063085A (ja) 2004-02-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4640690B2 (ja) アクティブマトリクス有機el表示装置の製造方法
KR100484591B1 (ko) 능동행렬 유기전기발광소자 및 그의 제조 방법
US6501448B1 (en) Electroluminescence display device with improved driving transistor structure
US6724149B2 (en) Emissive display device and electroluminescence display device with uniform luminance
KR101671038B1 (ko) 박막 트랜지스터 어레이 장치, 박막 트랜지스터 어레이 장치의 제조 방법
KR20130025806A (ko) 유기전압 발광소자 및 이의 제조방법
JP2001109404A (ja) El表示装置
JP2001109405A (ja) El表示装置
JP2004046154A (ja) アクティブ・マトリクス有機電界発光素子及びその製造方法
KR20100076603A (ko) 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법
US7385223B2 (en) Flat panel display with thin film transistor
US20140117323A1 (en) Organic light emitting diode display, thin film transitor array panel, and method of manufacturing the same
JP2001100654A (ja) El表示装置
KR20110035049A (ko) 유기전계발광소자 및 이의 제조방법
KR20150055919A (ko) 박막 트랜지스터, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
WO2003107394A2 (en) Organic electroluminescent device
KR20100123327A (ko) 어레이 기판의 제조방법
JP2001100655A (ja) El表示装置
KR20090021443A (ko) 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
JP2001134214A (ja) 表示装置
US20080197354A1 (en) Thin film transistor, an organic light emitting device including the same, and a manufacturing method thereof
KR101246790B1 (ko) 어레이 기판 및 이의 제조방법
US8426863B2 (en) Thin film transistor; method of manufacturing same; and organic light emitting device including the thin film transistor
JP2006330719A (ja) 有機発光ディスプレイ及びその製造方法
KR100899428B1 (ko) 유기전계발광표시장치 및 그의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050318

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080326

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080526

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090916

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091111

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20100803

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100909

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20101018

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20101108

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4640690

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20101121

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131210

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131210

Year of fee payment: 3

R154 Certificate of patent or utility model (reissue)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R154

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131210

Year of fee payment: 3

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131210

Year of fee payment: 3

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term