JP2004241160A - 有機エレクトロルミネッセンス装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】歩留りが向上された有機エレクトロルミネッセンス表示装置を提供することである。
【解決手段】TFT基板8の平坦化層7上にホール注入電極9が各画素毎に形成され、ホール注入電極9上にY方向に沿ってストライプ状に延びる有機層10が形成されている。各画素の有機層10間の平坦化層7上にY方向に沿ってストライプ状に延びる絶縁性の画素分離膜11が形成されている。画素分離膜11の両側面はテーパ状に傾斜している。有機層10および画素分離膜11上にX方向に沿ってストライプ状に延びる透明導電膜からなる電子注入電極12が形成されている。画素分離膜のテーパ角度θ、電子注入電極12の膜厚dおよび電子注入電極12を構成する金属の結合エネルギーVbeは−4.8Vbe+99≦dcosθ≦dを満足するように設定される。
【選択図】 図1
【解決手段】TFT基板8の平坦化層7上にホール注入電極9が各画素毎に形成され、ホール注入電極9上にY方向に沿ってストライプ状に延びる有機層10が形成されている。各画素の有機層10間の平坦化層7上にY方向に沿ってストライプ状に延びる絶縁性の画素分離膜11が形成されている。画素分離膜11の両側面はテーパ状に傾斜している。有機層10および画素分離膜11上にX方向に沿ってストライプ状に延びる透明導電膜からなる電子注入電極12が形成されている。画素分離膜のテーパ角度θ、電子注入電極12の膜厚dおよび電子注入電極12を構成する金属の結合エネルギーVbeは−4.8Vbe+99≦dcosθ≦dを満足するように設定される。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、1または複数の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた有機エレクトロルミネッセンス装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年の高度情報化社会の進展および多様化に伴い、従来から一般に使用されておるCRT(陰極線管)に比べて消費電力が少なく薄型という表示機器に対する要望が生まれてきた。このような要望に対し、有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、有機EL素子と呼ぶ)を用いたディスプレイが注目されている。有機EL素子を用いたディスプレイは、低消費電力、高速応答、薄型、軽量、低視野角依存性等の特徴を有し、その潜在能力の高さから現在研究開発が盛んに行われている。
【0003】
有機EL素子では、電子注入電極(陰極)とホール注入電極(陽極)とからそれぞれ電子とホールとが発光部内へ注入され、これらの電子およびホールが発光中心で再結合することにより有機分子が励起状態となり、この有機分子が励起状態から基底状態へと戻るときに蛍光を発生する。このような発光現象がディスプレイに応用される。
【0004】
有機エレクトロルミネッセンス装置(以下、有機EL装置と略記する)は、複数の有機EL素子を含み、各有機EL素子が画素を構成する。特に、各画素ごとにTFT(薄膜トランジスタ)をスイッチング素子として備えるアクティブ・マトリクス型有機EL装置は、各画素ごとに表示データを保持できるため、大画面化および高精細化が可能であり、次世代平面表示装置の主役として考えられている。
【0005】
通常の有機EL素子では、ガラス基板上に透明導電膜からなるホール注入電極、有機材料からなる発光層および電子注入電極を順に備える。それにより、発光層において発生された光が透明導電膜からなるホール注入電極を透過してガラス基板の裏面側から外部に取り出される。
【0006】
これに対して、各有機EL素子の上部の電子注入電極を透明導電膜を用いて形成することにより発光層において発生された光を上面側から取り出す構造が提案されている(例えば、特許文献1または2参照)。発光層により発生された光を上面側から取り出す構造をトップエミッション構造と呼ぶ。
【0007】
トップエミッション構造の有機EL装置では、カラーフィルタまたは色変換層を上部の電子注入電極上に配置することができるため、製造が容易になる。また、アクティブ・マトリクス型トップエミッション構造の有機EL装置では、発光層により発生された光がガラス基板上の複数のTFTにより妨げられることなく外部に取り出される。したがって、画素の開口率(発光部の面積が画素中に占める割合)が向上する。
【0008】
【特許文献1】
特開2001−43980号
【特許文献2】
特開2001−230086号
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のアクティブ・マトリクス型トップエミッション構造の有機EL装置では、発光層から発生した光を上面側の電子注入電極を透過させて外部に光を取り出すために、電子注入電極の膜厚を薄くする必要がある。それにより、電子注入電極に下地の凹凸による膜切れが生じやすく、歩留まりが低くなる。
【0010】
本発明の目的は、歩留まりが向上された有機エレクトロルミネッセンス装置を提供することである。
【0011】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置は、基板と、基板上に配置され、1または複数の有機エレクトロルミネセンス素子と、1または複数の有機エレクトロルミネセンス素子間または1または複数の有機エレクトロルミネセンス素子の周囲に形成された絶縁性膜とを備え、各有機エレクトロルミネセンス素子は、第1の電極、有機発光層および第2の電極を含み、第2の電極は、1種類または2種類以上の金属を含む透明導電膜からなり、有機発光層上から絶縁性膜上に延びるように形成され、有機発光層に接する絶縁性膜の側面がテーパ状に傾斜し、絶縁性膜の側面が絶縁性膜の下面に対してなす角度θ[degree]、第2の電極の膜厚d[Å]および第2の電極を構成する主たる金属の結合エネルギーVbe[eV/atom]が、次式(1)の関係を満足することを特徴とする。
【0012】
dcosθ≧−4.8×Vbe+99 …(1)
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置においては、1または複数の有機エレクトロルミネッセンス素子間または1または複数の有機エレクトロルミネッセンス素子の周囲に絶縁性膜が形成されている。また、各有機エレクトロルミネッセンス素子の第2の電極が有機発光層上から絶縁性膜上に延びるように形成され、有機発光層に接する絶縁性膜の側面がテーパ状に傾斜し、絶縁性膜の側面が絶縁性膜の下面に対してなす角度θ、第2の電極を膜厚dおよび第2の電極を構成する主たる金属の結合エネルギーVbeが上式(1)の関係を満足する。
【0013】
それにより、有機発光層と絶縁性膜との間の段差による第2の電極の膜切れが防止される。その結果、有機エレクトロルミネッセンス装置の歩留まりが向上する。
【0014】
第2の電極は可視光の波長領域で10%以上の光の透過率を有することが好ましい。ここで、可視光の波長領域は約380nm〜約780nmである。それにより、有機発光層において発生された光が第2の電極を透過して外部に十分に取り出される。その結果、実用的な光量を得ることができる。
【0015】
第2の電極の膜厚は200Å以下であることが好ましい。それにより、第2の電極が可視光の波長領域で十分な光の透過率を有する。その結果、発光層において発生された光が第2の電極を透過して外部に十分に取り出される。
【0016】
第2の電極の膜厚は100Å以上であることが好ましい。それにより、有機発光層と絶縁性膜との間の段差による第2の電極の膜切れが十分に防止され、歩留まりがさらに向上する。また、第2の電極の抵抗が十分に低減され、有機エレクトロルミネッセンス装置の電気的特性が向上する。
【0017】
有機エレクトロルミネッセンス装置は、複数の有機エレクトロルミネッセンス素子を備え、基板は、複数の有機エレクトロルミネッセンス素子の第1の電極にそれぞれ接続される複数の薄膜トランジスタと、複数の薄膜トランジスタを覆うように形成された平坦化層とを備えた基板であってもよい。
【0018】
この場合、歩留まりが高いアクティブ・マトリクス型有機エレクトロルミネッセンス装置が実現される。
【0019】
第2の電極は、マグネシウム、カルシウム、銀、アルミニウムおよびスカンジウムよりなる群から選択された1種類または複数種類の金属を含んでもよい。特に、第2の電極を構成する主たる金属として銀またはアルミニウムを用いることが好ましい。それにより、歩留まりがさらに向上する。
【0020】
絶縁性膜は樹脂からなってもよい。この場合、絶縁性膜の側面を上式(1)を満足する角度に容易に加工することができる。
【0021】
有機エレクトロルミネッセンス装置は、複数の有機エレクトロルミネッセンス素子を備え、複数の有機エレクトロルミネッセンス素子は、互いに交差する第1および第2の方向に沿って配置され、絶縁性膜は、複数の有機エレクトロルミネッセンス素子間で第1の方向に沿ってストライプ状に延び、第2の方向に沿って配置される複数の有機エレクトロルミネッセンス素子の第2の電極は、第2の方向にストライプ状に延びる共通の電極であり、絶縁性膜の第1の方向に延びる側面がテーパ状に形成されてもよい。
【0022】
この場合、第1の方向に沿ってストライプ状に延びる絶縁性膜の側面がテーパ状に傾斜し、絶縁性膜の側面が絶縁性膜の下面に対してなす角度θ、第2の電極の膜厚dおよび第2の電極を構成する主たる金属の結合エネルギーVbeが上式(1)の関係を満足する。それにより、第2の方向にストライプ状に延びる第2の電極に膜切れが生じることが防止され、歩留まりが向上する。
【0023】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態に係る有機エレクトロルミネッセンス装置(以下、有機EL装置と呼ぶ)について説明する。
【0024】
図1は本発明の第1の実施の形態に係る有機EL装置の模式的断面図である。図1の有機EL装置は、マトリクス状に配置された複数の有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、有機EL素子と呼ぶ)により構成される。各有機EL素子が画素を構成する。
【0025】
ここで、互いに直交する3方向をX方向、Y方向およびZ方向とする。X方向およびY方向は、ガラス基板1の表面に平行な方向であり、Z方向はガラス基板1の表面に垂直な方向である。複数の画素はX方向およびY方向に沿って配列される。
【0026】
ガラス基板1上に多結晶シリコン等からなる能動層2が形成され、能動層2上にゲート酸化膜およびゲート電極を有するTFT(薄膜トランジスタ)3が形成されている。また、能動層2上にはAlからなる複数の配線層5a,5b,5cが形成されている。TFT3のドレイン電極は配線層5aに接続され、TFT3のソース電極は配線層5bに接続されている。
【0027】
また、能動層2上のTFT3を除く領域には層間絶縁膜4が形成され、TFT3および層間絶縁膜4を覆うようにポリイミド樹脂等からなる平坦化層7が形成されている。このように、複数のTFT3および平坦化層7を有するガラス基板1をTFT基板8と呼ぶ。
【0028】
TFT基板8の平坦化層7上にMo(モリブレン)等の金属からなるホール注入電極(陽極)9が各画素ごとに形成されている。各ホール注入電極9は配線層5aに接続されている。
【0029】
ホール注入電極9上には、Y方向に沿ってストライプ状に延びる有機層10が形成されている。有機層10は、例えばホール注入層、ホール輸送層、発光層および電子注入層の積層構造からなる。この場合、発光層は電子輸送性を備えている。
【0030】
また、各画素の有機層10間の平坦化層7上にY方向に沿ってストライプ状に延びる絶縁性の画素分離膜11が形成されている。本実施の形態においては、画素分離膜11が絶縁性膜に相当する。後述するように、画素分離膜11の両側面はテーパ状に傾斜するように形成されている。
【0031】
有機層10および画素分離膜11上には、X方向に沿ってストライプ状に延びる透明導電膜からなる電子注入電極(陰極)12が形成されている。電子注入電極12の材料としては、例えばAg(銀)、Al(アルミニウム)、Mg(マグネシウム)、Ca(カルシウム)、Sc(スカンジウム)等の金属または合金からなる金属薄膜が用いられる。
【0032】
図2は図1の有機EL装置における画素分離膜11および電子注入電極12の一部の拡大図である。
【0033】
図2に示すように、画素分離膜11の側面11aは、画素分離膜11の幅が下端から上端にかけて漸次減少するように傾斜している。以下、画素分離膜11の側面11aが画素分離膜11の下面に対してなす角度をテーパ角度θと呼ぶ。
【0034】
本実施の形態では、電子注入電極12の膜厚をd[Å」とし、電子注入電極12を構成する金属の結合エネルギー[eV/atom]をVbeとした場合に、画素分離膜11のテーパ角度θ[deg]が次式を満足するように設定される。
【0035】
−4.8×Vbe+99≦dcosθ≦d …(1)
画素分離膜11のテーパ角度θ、電子注入電極12の膜厚dおよび電子注入電極12を構成する金属の結合エネルギーが上式(1)を満足するように設定することにより、後述するように、有機EL装置の歩留まりが向上する。
【0036】
電子注入電極12が2種類以上の金属により構成される場合には、画素分離膜11のテーパ角度θ、電子注入電極12の膜厚dおよび主たる金属(組成比が最も大きい金属)の結合エネルギーVbeが上式(1)を満足するように設定する。
【0037】
特に、画素分離膜11のテーパ角度θおよび電子注入電極12の膜厚dが次式の関係を満足することがより好ましい。
【0038】
100≦dcosθ≦d …(2)
画素分離膜11のテーパ角度θ、電子注入電極12の膜厚dおよび電子注入電極12を構成する金属の結合エネルギーを上式(2)を満足するように設定することにより、有機EL装置の歩留まりがさらに向上する。
【0039】
図3はAgからなる金属薄膜についての光の透過率の波長依存性を示す図である。曲線L1は膜厚100ÅのAgについての光の透過率を示し、曲線L2は膜厚150ÅのAgについての光の透過率を示し、曲線L3は膜厚200ÅのAgについての光の透過率を示す。
【0040】
図3に示すように、Agの膜厚が200Åの場合には、波長380nm〜780nmの可視光領域で光の透過率が9%以上となり、波長380nm〜750nmでは10%以上となっている。特に、人間の目による視認性が高い波長500nmでの光の透過率は25%に達している。
【0041】
Agの膜厚が150Åの場合には、波長380nm〜780nmの可視光領域で光の透過率が17%以上となっており、波長380nm〜750nmでは19%以上となっている。特に、人間の目による視認性が高い波長500nmでの光の透過率は40%に達している。
【0042】
Agの膜厚が100Åの場合には、波長380nm〜780nmの可視光領域で光の透過率が27%以上となっており、波長380nm〜750nmでは28%以上となっている。特に、人間の目による視認性が高い波長500nmでの光の透過率が43%に達している。
【0043】
トップエミッション構造の有機EL装置では、実用的な光量を得るためには、電子注入電極12の光の透過率が10%以上であることが好ましい。したがって、電子注入電極12の膜厚は200Å以下であることが好ましい。
【0044】
一方、電子注入電極12の膜厚が100Åよりも小さいと、下地の凹凸による膜切れが生じ、有機EL装置の歩留まりが低下するとともに、電子注入電極12の抵抗が高くなり、有機EL装置の電気的特性が劣化する。したがって、電子注入電極12の膜厚は100Å以上であることが好ましい。
【0045】
これらの結果、電子注入電極12の膜厚dは、100Å以上200Å以下であることが好ましく、150Åであることがより好ましい。それにより、図1の有機EL装置において、有機層10において発生された光を電子注入電極12を通して十分に外部に取り出すことができるとともに、歩留まりが向上する。
【0046】
特に、本実施の形態のようなトップエミッション構造の有機EL装置では、上部の電子注入電極11を通して十分な光を取り出すために電子注入電極11の膜厚を薄くする必要がある。一方、電子注入電極11の膜厚を薄くすると、膜切れが生じやすく、歩留まりが低下する。したがって、上式(1)の関係をトップエミッション構造の有機EL装置に適用することにより、十分な光量を得ることができかつ歩留まりを向上させることが可能となる。
【0047】
次に、図1の有機EL装置の製造方法について説明する。
図1のTFT基板8上にスパッタ法およびフォトリソグラフィにより各画素ごとに複数のホール注入電極9を形成する。
【0048】
次に、TFT基板8上およびホール注入電極9上に感光性のポリイミド樹脂を塗布することによりポリイミド膜を形成した後、露光および現像を行うことによりY方向に沿ってストライプ状に延びる画素分離膜11を形成する。この場合、露光時に光をポリイミド膜に対して傾斜した角度で照射することにより画素分離膜11の両側面をテーパ状に傾斜させることができる。
【0049】
その後、画素分離膜11間のホール注入電極9上に、例えばホール注入層、ホール輸送層、発光層および電子注入層の積層構造からなる有機層10を通電加熱による真空蒸着法を用いて形成する。
【0050】
その後、有機層10上および画素分離膜11上にX方向に沿ってストライプ状に延びる電子注入電極12を通電加熱による真空蒸着法により形成する。
【0051】
ホール注入層は、例えばCuPc(銅フタルシアニン)からなる。ホール輸送層は、例えばNPB(N,N’−ジ(ナフタレン−1−イル)−N,N’−ジフェニル−ベンジジン;N,N’−Di(naphthalen−1−yl)−N,N’−diphenyl−benzidine)からなる。発光層は、例えばAlq3(トリス(8−ヒドリキシキノリナト)アルミニウム;Tris(8−hydroxyquinolinato)aluminum)からなる。また、電子注入層は、例えばLi2O、LiF等からなる。
【0052】
本実施の形態では、ホール注入電極9が第1の電極に相当し、有機層10が有機発光層に相当し、電子注入電極12が第2の電極に相当する。
【0053】
なお、有機EL素子の有機層10の材料としては、種々の公知の有機材料を用いることができる。
【0054】
また、有機EL素子の構造は、上記の構造に限定されず、種々の構造を用いることができる。例えば、発光層と電子注入層との間に電子輸送層を設けてもよい。また、ホール輸送層を設けなくてもよい。
【0055】
さらに、画素分離膜11の材料としては、ポリイミド樹脂に限定されず、アクリル樹脂等の他の樹脂を用いることもでき、あるいはSiN等の無機材料を用いることもできる。
【0056】
上記実施の形態では、TFT基板8上にホール注入電極9、有機層10および電子注入電極12が順に形成されているが、TFT基板8上に電子注入電極、有機層およびホール注入電極が順に形成されてもよい。この場合には、ホール注入電極を構成する材料として、可視光領域で10%以上の光の透過率を有する金属薄膜を用い、画素分離膜のテーパ角度θ、ホール注入電極の膜厚dおよびホール注入電極を構成する主たる金属の結合エネルギーを上式(1)の関係を満足するように設定する。
【0057】
また、上記実施の形態では、本発明をアクティブ・マトリクス型有機EL装置に適用した場合を説明したが、本発明は、アクティブ・マトリクス型に限定されず、TFTを有さない単純マトリクス型(パッシブ型)の有機EL装置にも同様に適用することができる。
【0058】
さらに、上記のように、本発明は、トップエミッション構造の有機EL装置に適用した場合により大きな効果を得ることができるが、本発明を基板の裏面側から光を取り出す構造の有機EL装置にも適用することもできる。
【0059】
図4(a)は本発明の第2の実施の形態に係る有機EL装置の模式的平面図、図4(b)は図4(a)の有機EL装置のA−A線断面図である。図4の有機EL装置は、トップエミッション構造を有し、単一の有機EL素子により構成される。この有機EL装置は、例えば液晶表示装置のバックライトとして用いられる。
【0060】
ガラス基板101上にホール注入電極(陽極)102が形成されている。金属、合金等からなるホール注入電極102上には、有機層103が形成されている。有機層103は、例えばホール注入層、ホール輸送層、発光層および電子注入層の積層構造からなる。この場合、発光層は電子輸送性を備えている。
【0061】
また、有機層103の周囲を取り囲むように絶縁性の保護膜104が形成されている。本実施の形態においては、保護膜104が絶縁性膜に相当する。保護膜104の側面(内周面および外周面)はテーパ状に傾斜するように形成されている。
【0062】
有機層103および保護膜104上には、透明導電膜からなる電子注入電極(陰極)105が形成されている。電子注入電極105の材料としては、例えばAg(銀)、Al(アルミニウム)、Mg(マグネシウム)、Ca(カルシウム)、Sc(スカンジウム)等の金属または合金からなる金属薄膜が用いられる。
【0063】
保護膜104の側面は、保護膜104の幅が下端から上端にかけて漸次減少するように傾斜している。本実施の形態でも、保護膜104の側面が保護膜104の下面に対してなす角度をテーパ角度θと呼ぶ。
【0064】
本実施の形態においても、電子注入電極105の膜厚をd[Å」とし、電子注入電極105を構成する金属の結合エネルギー[eV/atom]をVbeとした場合に、保護膜104のテーパ角度θ[deg]が次式を満足するように設定される。
【0065】
−4.8×Vbe+99≦dcosθ≦d …(1)
保護膜104のテーパ角度θ、電子注入電極105の膜厚dおよび電子注入電極105を構成する金属の結合エネルギーが上式(1)を満足するように設定することにより、有機EL装置の歩留まりが向上する。
【0066】
電子注入電極105が2種類以上の金属により構成される場合には、保護膜104のテーパ角度θ、電子注入電極105の膜厚dおよび主たる金属(組成比が最も大きい金属)の結合エネルギーVbeが上式(1)を満足するように設定する。
【0067】
特に、保護膜104のテーパ角度θおよび電子注入電極105の膜厚dが次式の関係を満足することがより好ましい。
【0068】
100≦dcosθ≦d …(2)
保護膜104のテーパ角度θ、電子注入電極105の膜厚dおよび電子注入電極105を構成する金属の結合エネルギーを上式(2)を満足するように設定することにより、有機EL装置の歩留まりがさらに向上する。
【0069】
また、第1の実施の形態と同様に、電子注入電極105の膜厚dは、100Å以上200Å以下であることが好ましく、150Åであることがより好ましい。それにより、図4の有機EL装置において、有機層103において発生された光を電子注入電極105を通して十分に外部に取り出すことができるとともに、歩留まりが向上する。
【0070】
さらに、電子注入電極105として半透過型金属を用いることにより、マイクロキャビティ効果を積極的に利用することができ、外部取り出し効率の高い構造を有する光源が実現される。
【0071】
また、ガラス基板1の代わりに金属基板を用いることにより、薄型でかつ剛性の高い光源が実現される。
【0072】
【実施例】
以下、画素分離膜11のテーパ角度θおよび電子注入電極12の材料が異なる複数の有機EL装置を作製し、歩留まりを測定した。
【0073】
(実施例1)
実施例1では、電子注入電極12の材料として膜厚150ÅのMgを用い、画素分離膜11の膜厚が異なる複数の有機EL装置を作製した。Mgの結合エネルギーは1.5eV/atomである。
【0074】
図1の構造を有するTFT基板8上に、膜厚1000ÅのMoからなるホール注入電極9を形成した後、ポリイミド樹脂からなる画素分離膜11を形成し、電子注入電極9上に有機層10として膜厚100ÅのCuPcからなるホール注入層、膜厚500ÅのNPBからなるホール輸送層、膜厚500ÅのAlq3からなる発光層および膜厚15ÅのLi2Oからなる電子注入層を順に積層した。さらに、有機層10上および画素分離膜11上に、膜厚150ÅのMgからなる電子注入電極12を形成した。
【0075】
ホール注入電極9はRF(高周波)スパッタにより形成した。スパッタガスとしてはArガスを用い、成膜時の圧力を1.5×10−1Paとし、高周波出力を200Wとした。ホール注入電極9および有機層10は、通電加熱による真空蒸着法を用いて形成し、成膜時の圧力を4.0×10−1Paとした。画素分離膜11は、上記実施の形態で説明した方法により形成した。
【0076】
画素分離膜11のテーパ角度θが異なる複数の有機EL装置について歩留まりを測定した。この場合、ダークスポット(非発光点)およびエッジ部分での非発光領域がない画素を良品とし、有機EL装置内の各画素の良品および不良品を目視で判定し、有機EL装置内の全画素のうち良品の画素の割合を歩留まりとして算出した。
【0077】
また、画素分離膜11のテーパ角度θと電子注入電極12の膜厚dとから上式(1),(2)におけるdcosθの値を算出した。本実施例では、画素分離膜11のテーパ角度θは20度、30度、40度、50度、60度および80度である。
【0078】
表1および図5に実施例1における画素分離膜11のテーパ角度θ、dcosθの値および歩留まりの関係の測定結果を示す。
【0079】
【表1】
【0080】
表1および図5に示すように、画素分離膜11のテーパ角度θが20度〜50度の場合に歩留まりが94〜96%と高くなっている。画素分離膜11のテーパ角度θが60度の場合に歩留まりが30%と低下している。画素分離膜11のテーパ角度θが80度の場合に歩留まりが2%とさらに低下している。
【0081】
表1および図5からdcosθの値が93Å以上の場合に歩留まりの低下がなく、dcosθの値が93Åよりも小さくなると歩留まりが急激に低下することがわかる。すなわち、歩留まりの低下が生じないdcosθの最小値は93Åである。したがって、結合エネルギーが1.5eV/atomのMgからなる電子注入電極12を用いた場合には、93[Å]≦dcosθであることが好ましい。
【0082】
(実施例2)
実施例2では、電子注入電極12の材料として膜厚150ÅのCaを用いた点を除いて、実施例1と同様の方法および同様の条件で画素分離膜11のテーパ角度θが異なる複数の有機EL装置を作製した。Caの結合エネルギーは1.7eV/atomである。
【0083】
複数の有機EL装置について歩留まりを測定し、画素分離膜11のテーパ角度θと電子注入電極12の膜厚dとからdcosθの値を算出した。画素分離膜11のテーパ角度θは20度、30度、40度、50度、60度および80度である。
【0084】
表2および図6に実施例2における画素分離膜11のテーパ角度θ、dcosθの値および歩留まりの関係の測定結果を示す。
【0085】
【表2】
【0086】
表2および図6に示すように、画素分離膜11のテーパ角度θが20度〜50度の場合に歩留まりが93〜95%と高くなっている。画素分離膜11のテーパ角度θが60度の場合には歩留まりが28%と低下し、画素分離膜11のテーパ角度θが80度の場合には歩留まりが2%とさらに低下している。
【0087】
図6からdcosθの値が88Å以上の場合に歩留まりの低下がなく、dcosθの値が88Åよりも小さくなると歩留まりが急激に低下することがわかる。すなわち、歩留まりの低下が生じないdcosθの最小値は88Åである。したがって、結合エネルギーが1.7eV/atomのCaからなる電子注入電極12を用いた場合には、88[Å]≦dcosθであることが好ましい。
【0088】
(実施例3)
実施例3では、電子注入電極12の材料として膜厚150ÅのAgを用いた点を除いて、実施例1と同様の方法および同様の条件で画素分離膜11のテーパ角度θが異なる複数の有機EL装置を作製した。Agの結合エネルギーは3.0eV/atomである。
【0089】
複数の有機EL装置について歩留まりを測定し、画素分離膜11のテーパ角度θと電子注入電極12の膜厚dとからdcosθの値を算出した。画素分離膜11のテーパ角度θは20度、30度、40度、50度、60度および80度である。
【0090】
表3および図7に実施例3における画素分離膜11のテーパ角度θ、dcosθの値および歩留まりの関係の測定結果を示す。
【0091】
【表3】
【0092】
表3および図7に示すように、画素分離膜11のテーパ角度θが20度〜50度の場合に歩留まりが94〜99%と高くなっている。画素分離膜11のテーパ角度θが60度の場合には歩留まりが31%と低下し、画素分離膜11のテーパ角度θが80度の場合には歩留まりが2%とさらに低下している。
【0093】
図7からdcosθの値が86Å以上の場合に歩留まりの低下がなく、dcosθの値が86Åよりも小さくなると歩留まりが急激に低下することがわかる。すなわち、歩留まりの低下が生じないdcosθの最小値は86Åである。したがって、結合エネルギーが3.0eV/atomのAgからなる電子注入電極12を用いた場合には、86[Å]≦dcosθであることが好ましい。
【0094】
(実施例4)
実施例4では、電子注入電極12の材料として膜厚150ÅのAlを用いた点を除いて、実施例1と同様の方法および同様の条件で画素分離膜11のテーパ角度θが異なる複数の有機EL装置を作製した。ただし、電子注入電極12下の電子注入層としては膜厚15ÅのLiFを用いた。Alの結合エネルギーは3.4eV/atomである。
【0095】
複数の有機EL装置について歩留まりを測定し、画素分離膜11のテーパ角度θと電子注入電極12の膜厚dとからdcosθの値を算出した。画素分離膜11のテーパ角度θは20度、30度、40度、50度、60度および80度である。
【0096】
表4および図8に実施例4における画素分離膜11のテーパ角度θ、dcosθの値および歩留まりの関係の測定結果を示す。
【0097】
【表4】
【0098】
表4および図8に示すように、画素分離膜11のテーパ角度θが20度〜50度の場合に歩留まりが96〜99%と高くなっている。画素分離膜11のテーパ角度θが60度の場合には歩留まりが38%と低下し、画素分離膜11のテーパ角度θが80度の場合には歩留まりが5%とさらに低下している。
【0099】
図8からdcosθの値が84Å以上の場合に歩留まりの低下がなく、dcosθの値が84Åよりも小さくなると歩留まりが急激に低下することがわかる。すなわち、歩留まりの低下が生じないdcosθの最小値は84Åである。したがって、結合エネルギーが3.4eV/atomのAlからなる電子注入電極12を用いた場合には、84[Å]≦dcosθであることが好ましい。
【0100】
(実施例5)
実施例5では、電子注入電極12の材料として膜厚150ÅのScを用いた点を除いて、実施例1と同様の方法および同様の条件で画素分離膜11のテーパ角度θが異なる複数の有機EL装置を作製した。Scの結合エネルギーは3.9eV/atomである。
【0101】
複数の有機EL装置について歩留まりを測定し、画素分離膜11のテーパ角度θと電子注入電極12の膜厚dとからdcosθの値を算出した。画素分離膜11のテーパ角度θは20度、30度、40度、50度、60度および80度である。
【0102】
表5および図9に実施例5における画素分離膜11のテーパ角度θ、dcosθの値および歩留まりの関係の測定結果を示す。
【0103】
【表5】
【0104】
表5および図9に示すように、画素分離膜11のテーパ角度θが20度〜50度の場合に歩留まりが93〜96%と高くなっている。画素分離膜11のテーパ角度θが60度の場合には歩留まりが43%と低下し、画素分離膜11のテーパ角度θが80度の場合には歩留まりが2%とさらに低下している。
【0105】
図9からdcosθの値が78Å以上の場合に歩留まりの低下がなく、dcosθの値が78Åよりも小さくなると歩留まりが急激に低下することがわかる。すなわち、歩留まりの低下が生じないdcosθの最小値は78Åである。したがって、結合エネルギーが3.9eV/atomのScからなる電子注入電極12を用いた場合には、78[Å]≦dcosθであることが好ましい。
【0106】
(評価)
上記の実施例1,2,3,4,5の結果から、電子注入電極12を構成する金属の結合エネルギーと歩留まりの低下が生じないdcosθの最小値との関係を求めた。
【0107】
表6に電子注入電極12を構成する金属の結合エネルギーと歩留まりの低下が生じないdcosθの最小値との関係を示す。
【0108】
【表6】
【0109】
また、表6の関係をグラフにプロットした。図10は電子注入電極12を構成する金属の結合エネルギーと歩留まりの低下が生じないdcosθの最小値との関係を示すグラフである。図10の横軸は電子注入電極12を構成する金属の結合エネルギー[eV/atom]を示し、縦軸はdcosθの値[Å]を示す。
【0110】
電子注入電極12を構成する金属の結合エネルギーをxとし、dcosθの値をyとすると、表6および図10の結果から次式の関係が得られる。
【0111】
y=−4.8x+99 …(3)
上式(3)におけるyの値は歩留まりの低下が生じないdcosθの最小値を表すので、歩留まりの低下が生じないための条件として次式が得られる。
【0112】
y≧−4.8x+99 …(4)
電子注入電極12を構成する金属の結合エネルギーをVbeとした場合、上式(4)から次式の関係が得られる。
【0113】
−4.8×Vbe+99≦dcosθ≦d …(1)
上記実施例1〜5の結果から上式(1)を満足するように画素分離膜11のテーパ角度θ、電子注入電極12の膜厚dおよび電子注入電極12を構成する金属の結合エネルギーVbeを設定することにより歩留まりが向上する。また、より高い歩留まりを得るためには、電子注入電極12を構成する主たる金属としてAgまたAlを用いることが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態に係る有機EL装置の模式的断面図である。
【図2】図1の有機EL装置における画素分離膜および電子注入電極の一部の拡大図である。
【図3】Agからなる金属薄膜についての光の透過率の波長依存性を示す図である。
【図4】本発明の第2の実施の形態に係る有機EL装置の模式的平面図およびA−A線断面図である。
【図5】実施例1における画素分離膜のテーパ角度θ、dcosθの値および歩留まりの関係の測定結果を示す図である。
【図6】実施例2における画素分離膜のテーパ角度θ、dcosθの値および歩留まりの関係の測定結果を示す図である。
【図7】実施例3における画素分離膜のテーパ角度θ、dcosθの値および歩留まりの関係の測定結果を示す図である。
【図8】実施例4における画素分離膜のテーパ角度θ、dcosθの値および歩留まりの関係の測定結果を示す図である。
【図9】実施例5における画素分離膜のテーパ角度θ、dcosθの値および歩留まりの関係の測定結果を示す図である。
【図10】電子注入電極を構成する金属の結合エネルギーと歩留まりの低下が生じないdcosθの最小値との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
1,101 ガラス基板
2 能動層
3 TFT
4 層間絶縁膜
5a,5b,5c 配線層
7 平坦化層
8 TFT基板
9,102 ホール注入電極
10,103 有機層
11 画素分離膜
12,105 電子注入電極
104 保護膜
θ テーパ角度
d 膜厚
【発明の属する技術分野】
本発明は、1または複数の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた有機エレクトロルミネッセンス装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年の高度情報化社会の進展および多様化に伴い、従来から一般に使用されておるCRT(陰極線管)に比べて消費電力が少なく薄型という表示機器に対する要望が生まれてきた。このような要望に対し、有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、有機EL素子と呼ぶ)を用いたディスプレイが注目されている。有機EL素子を用いたディスプレイは、低消費電力、高速応答、薄型、軽量、低視野角依存性等の特徴を有し、その潜在能力の高さから現在研究開発が盛んに行われている。
【0003】
有機EL素子では、電子注入電極(陰極)とホール注入電極(陽極)とからそれぞれ電子とホールとが発光部内へ注入され、これらの電子およびホールが発光中心で再結合することにより有機分子が励起状態となり、この有機分子が励起状態から基底状態へと戻るときに蛍光を発生する。このような発光現象がディスプレイに応用される。
【0004】
有機エレクトロルミネッセンス装置(以下、有機EL装置と略記する)は、複数の有機EL素子を含み、各有機EL素子が画素を構成する。特に、各画素ごとにTFT(薄膜トランジスタ)をスイッチング素子として備えるアクティブ・マトリクス型有機EL装置は、各画素ごとに表示データを保持できるため、大画面化および高精細化が可能であり、次世代平面表示装置の主役として考えられている。
【0005】
通常の有機EL素子では、ガラス基板上に透明導電膜からなるホール注入電極、有機材料からなる発光層および電子注入電極を順に備える。それにより、発光層において発生された光が透明導電膜からなるホール注入電極を透過してガラス基板の裏面側から外部に取り出される。
【0006】
これに対して、各有機EL素子の上部の電子注入電極を透明導電膜を用いて形成することにより発光層において発生された光を上面側から取り出す構造が提案されている(例えば、特許文献1または2参照)。発光層により発生された光を上面側から取り出す構造をトップエミッション構造と呼ぶ。
【0007】
トップエミッション構造の有機EL装置では、カラーフィルタまたは色変換層を上部の電子注入電極上に配置することができるため、製造が容易になる。また、アクティブ・マトリクス型トップエミッション構造の有機EL装置では、発光層により発生された光がガラス基板上の複数のTFTにより妨げられることなく外部に取り出される。したがって、画素の開口率(発光部の面積が画素中に占める割合)が向上する。
【0008】
【特許文献1】
特開2001−43980号
【特許文献2】
特開2001−230086号
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のアクティブ・マトリクス型トップエミッション構造の有機EL装置では、発光層から発生した光を上面側の電子注入電極を透過させて外部に光を取り出すために、電子注入電極の膜厚を薄くする必要がある。それにより、電子注入電極に下地の凹凸による膜切れが生じやすく、歩留まりが低くなる。
【0010】
本発明の目的は、歩留まりが向上された有機エレクトロルミネッセンス装置を提供することである。
【0011】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置は、基板と、基板上に配置され、1または複数の有機エレクトロルミネセンス素子と、1または複数の有機エレクトロルミネセンス素子間または1または複数の有機エレクトロルミネセンス素子の周囲に形成された絶縁性膜とを備え、各有機エレクトロルミネセンス素子は、第1の電極、有機発光層および第2の電極を含み、第2の電極は、1種類または2種類以上の金属を含む透明導電膜からなり、有機発光層上から絶縁性膜上に延びるように形成され、有機発光層に接する絶縁性膜の側面がテーパ状に傾斜し、絶縁性膜の側面が絶縁性膜の下面に対してなす角度θ[degree]、第2の電極の膜厚d[Å]および第2の電極を構成する主たる金属の結合エネルギーVbe[eV/atom]が、次式(1)の関係を満足することを特徴とする。
【0012】
dcosθ≧−4.8×Vbe+99 …(1)
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置においては、1または複数の有機エレクトロルミネッセンス素子間または1または複数の有機エレクトロルミネッセンス素子の周囲に絶縁性膜が形成されている。また、各有機エレクトロルミネッセンス素子の第2の電極が有機発光層上から絶縁性膜上に延びるように形成され、有機発光層に接する絶縁性膜の側面がテーパ状に傾斜し、絶縁性膜の側面が絶縁性膜の下面に対してなす角度θ、第2の電極を膜厚dおよび第2の電極を構成する主たる金属の結合エネルギーVbeが上式(1)の関係を満足する。
【0013】
それにより、有機発光層と絶縁性膜との間の段差による第2の電極の膜切れが防止される。その結果、有機エレクトロルミネッセンス装置の歩留まりが向上する。
【0014】
第2の電極は可視光の波長領域で10%以上の光の透過率を有することが好ましい。ここで、可視光の波長領域は約380nm〜約780nmである。それにより、有機発光層において発生された光が第2の電極を透過して外部に十分に取り出される。その結果、実用的な光量を得ることができる。
【0015】
第2の電極の膜厚は200Å以下であることが好ましい。それにより、第2の電極が可視光の波長領域で十分な光の透過率を有する。その結果、発光層において発生された光が第2の電極を透過して外部に十分に取り出される。
【0016】
第2の電極の膜厚は100Å以上であることが好ましい。それにより、有機発光層と絶縁性膜との間の段差による第2の電極の膜切れが十分に防止され、歩留まりがさらに向上する。また、第2の電極の抵抗が十分に低減され、有機エレクトロルミネッセンス装置の電気的特性が向上する。
【0017】
有機エレクトロルミネッセンス装置は、複数の有機エレクトロルミネッセンス素子を備え、基板は、複数の有機エレクトロルミネッセンス素子の第1の電極にそれぞれ接続される複数の薄膜トランジスタと、複数の薄膜トランジスタを覆うように形成された平坦化層とを備えた基板であってもよい。
【0018】
この場合、歩留まりが高いアクティブ・マトリクス型有機エレクトロルミネッセンス装置が実現される。
【0019】
第2の電極は、マグネシウム、カルシウム、銀、アルミニウムおよびスカンジウムよりなる群から選択された1種類または複数種類の金属を含んでもよい。特に、第2の電極を構成する主たる金属として銀またはアルミニウムを用いることが好ましい。それにより、歩留まりがさらに向上する。
【0020】
絶縁性膜は樹脂からなってもよい。この場合、絶縁性膜の側面を上式(1)を満足する角度に容易に加工することができる。
【0021】
有機エレクトロルミネッセンス装置は、複数の有機エレクトロルミネッセンス素子を備え、複数の有機エレクトロルミネッセンス素子は、互いに交差する第1および第2の方向に沿って配置され、絶縁性膜は、複数の有機エレクトロルミネッセンス素子間で第1の方向に沿ってストライプ状に延び、第2の方向に沿って配置される複数の有機エレクトロルミネッセンス素子の第2の電極は、第2の方向にストライプ状に延びる共通の電極であり、絶縁性膜の第1の方向に延びる側面がテーパ状に形成されてもよい。
【0022】
この場合、第1の方向に沿ってストライプ状に延びる絶縁性膜の側面がテーパ状に傾斜し、絶縁性膜の側面が絶縁性膜の下面に対してなす角度θ、第2の電極の膜厚dおよび第2の電極を構成する主たる金属の結合エネルギーVbeが上式(1)の関係を満足する。それにより、第2の方向にストライプ状に延びる第2の電極に膜切れが生じることが防止され、歩留まりが向上する。
【0023】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態に係る有機エレクトロルミネッセンス装置(以下、有機EL装置と呼ぶ)について説明する。
【0024】
図1は本発明の第1の実施の形態に係る有機EL装置の模式的断面図である。図1の有機EL装置は、マトリクス状に配置された複数の有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、有機EL素子と呼ぶ)により構成される。各有機EL素子が画素を構成する。
【0025】
ここで、互いに直交する3方向をX方向、Y方向およびZ方向とする。X方向およびY方向は、ガラス基板1の表面に平行な方向であり、Z方向はガラス基板1の表面に垂直な方向である。複数の画素はX方向およびY方向に沿って配列される。
【0026】
ガラス基板1上に多結晶シリコン等からなる能動層2が形成され、能動層2上にゲート酸化膜およびゲート電極を有するTFT(薄膜トランジスタ)3が形成されている。また、能動層2上にはAlからなる複数の配線層5a,5b,5cが形成されている。TFT3のドレイン電極は配線層5aに接続され、TFT3のソース電極は配線層5bに接続されている。
【0027】
また、能動層2上のTFT3を除く領域には層間絶縁膜4が形成され、TFT3および層間絶縁膜4を覆うようにポリイミド樹脂等からなる平坦化層7が形成されている。このように、複数のTFT3および平坦化層7を有するガラス基板1をTFT基板8と呼ぶ。
【0028】
TFT基板8の平坦化層7上にMo(モリブレン)等の金属からなるホール注入電極(陽極)9が各画素ごとに形成されている。各ホール注入電極9は配線層5aに接続されている。
【0029】
ホール注入電極9上には、Y方向に沿ってストライプ状に延びる有機層10が形成されている。有機層10は、例えばホール注入層、ホール輸送層、発光層および電子注入層の積層構造からなる。この場合、発光層は電子輸送性を備えている。
【0030】
また、各画素の有機層10間の平坦化層7上にY方向に沿ってストライプ状に延びる絶縁性の画素分離膜11が形成されている。本実施の形態においては、画素分離膜11が絶縁性膜に相当する。後述するように、画素分離膜11の両側面はテーパ状に傾斜するように形成されている。
【0031】
有機層10および画素分離膜11上には、X方向に沿ってストライプ状に延びる透明導電膜からなる電子注入電極(陰極)12が形成されている。電子注入電極12の材料としては、例えばAg(銀)、Al(アルミニウム)、Mg(マグネシウム)、Ca(カルシウム)、Sc(スカンジウム)等の金属または合金からなる金属薄膜が用いられる。
【0032】
図2は図1の有機EL装置における画素分離膜11および電子注入電極12の一部の拡大図である。
【0033】
図2に示すように、画素分離膜11の側面11aは、画素分離膜11の幅が下端から上端にかけて漸次減少するように傾斜している。以下、画素分離膜11の側面11aが画素分離膜11の下面に対してなす角度をテーパ角度θと呼ぶ。
【0034】
本実施の形態では、電子注入電極12の膜厚をd[Å」とし、電子注入電極12を構成する金属の結合エネルギー[eV/atom]をVbeとした場合に、画素分離膜11のテーパ角度θ[deg]が次式を満足するように設定される。
【0035】
−4.8×Vbe+99≦dcosθ≦d …(1)
画素分離膜11のテーパ角度θ、電子注入電極12の膜厚dおよび電子注入電極12を構成する金属の結合エネルギーが上式(1)を満足するように設定することにより、後述するように、有機EL装置の歩留まりが向上する。
【0036】
電子注入電極12が2種類以上の金属により構成される場合には、画素分離膜11のテーパ角度θ、電子注入電極12の膜厚dおよび主たる金属(組成比が最も大きい金属)の結合エネルギーVbeが上式(1)を満足するように設定する。
【0037】
特に、画素分離膜11のテーパ角度θおよび電子注入電極12の膜厚dが次式の関係を満足することがより好ましい。
【0038】
100≦dcosθ≦d …(2)
画素分離膜11のテーパ角度θ、電子注入電極12の膜厚dおよび電子注入電極12を構成する金属の結合エネルギーを上式(2)を満足するように設定することにより、有機EL装置の歩留まりがさらに向上する。
【0039】
図3はAgからなる金属薄膜についての光の透過率の波長依存性を示す図である。曲線L1は膜厚100ÅのAgについての光の透過率を示し、曲線L2は膜厚150ÅのAgについての光の透過率を示し、曲線L3は膜厚200ÅのAgについての光の透過率を示す。
【0040】
図3に示すように、Agの膜厚が200Åの場合には、波長380nm〜780nmの可視光領域で光の透過率が9%以上となり、波長380nm〜750nmでは10%以上となっている。特に、人間の目による視認性が高い波長500nmでの光の透過率は25%に達している。
【0041】
Agの膜厚が150Åの場合には、波長380nm〜780nmの可視光領域で光の透過率が17%以上となっており、波長380nm〜750nmでは19%以上となっている。特に、人間の目による視認性が高い波長500nmでの光の透過率は40%に達している。
【0042】
Agの膜厚が100Åの場合には、波長380nm〜780nmの可視光領域で光の透過率が27%以上となっており、波長380nm〜750nmでは28%以上となっている。特に、人間の目による視認性が高い波長500nmでの光の透過率が43%に達している。
【0043】
トップエミッション構造の有機EL装置では、実用的な光量を得るためには、電子注入電極12の光の透過率が10%以上であることが好ましい。したがって、電子注入電極12の膜厚は200Å以下であることが好ましい。
【0044】
一方、電子注入電極12の膜厚が100Åよりも小さいと、下地の凹凸による膜切れが生じ、有機EL装置の歩留まりが低下するとともに、電子注入電極12の抵抗が高くなり、有機EL装置の電気的特性が劣化する。したがって、電子注入電極12の膜厚は100Å以上であることが好ましい。
【0045】
これらの結果、電子注入電極12の膜厚dは、100Å以上200Å以下であることが好ましく、150Åであることがより好ましい。それにより、図1の有機EL装置において、有機層10において発生された光を電子注入電極12を通して十分に外部に取り出すことができるとともに、歩留まりが向上する。
【0046】
特に、本実施の形態のようなトップエミッション構造の有機EL装置では、上部の電子注入電極11を通して十分な光を取り出すために電子注入電極11の膜厚を薄くする必要がある。一方、電子注入電極11の膜厚を薄くすると、膜切れが生じやすく、歩留まりが低下する。したがって、上式(1)の関係をトップエミッション構造の有機EL装置に適用することにより、十分な光量を得ることができかつ歩留まりを向上させることが可能となる。
【0047】
次に、図1の有機EL装置の製造方法について説明する。
図1のTFT基板8上にスパッタ法およびフォトリソグラフィにより各画素ごとに複数のホール注入電極9を形成する。
【0048】
次に、TFT基板8上およびホール注入電極9上に感光性のポリイミド樹脂を塗布することによりポリイミド膜を形成した後、露光および現像を行うことによりY方向に沿ってストライプ状に延びる画素分離膜11を形成する。この場合、露光時に光をポリイミド膜に対して傾斜した角度で照射することにより画素分離膜11の両側面をテーパ状に傾斜させることができる。
【0049】
その後、画素分離膜11間のホール注入電極9上に、例えばホール注入層、ホール輸送層、発光層および電子注入層の積層構造からなる有機層10を通電加熱による真空蒸着法を用いて形成する。
【0050】
その後、有機層10上および画素分離膜11上にX方向に沿ってストライプ状に延びる電子注入電極12を通電加熱による真空蒸着法により形成する。
【0051】
ホール注入層は、例えばCuPc(銅フタルシアニン)からなる。ホール輸送層は、例えばNPB(N,N’−ジ(ナフタレン−1−イル)−N,N’−ジフェニル−ベンジジン;N,N’−Di(naphthalen−1−yl)−N,N’−diphenyl−benzidine)からなる。発光層は、例えばAlq3(トリス(8−ヒドリキシキノリナト)アルミニウム;Tris(8−hydroxyquinolinato)aluminum)からなる。また、電子注入層は、例えばLi2O、LiF等からなる。
【0052】
本実施の形態では、ホール注入電極9が第1の電極に相当し、有機層10が有機発光層に相当し、電子注入電極12が第2の電極に相当する。
【0053】
なお、有機EL素子の有機層10の材料としては、種々の公知の有機材料を用いることができる。
【0054】
また、有機EL素子の構造は、上記の構造に限定されず、種々の構造を用いることができる。例えば、発光層と電子注入層との間に電子輸送層を設けてもよい。また、ホール輸送層を設けなくてもよい。
【0055】
さらに、画素分離膜11の材料としては、ポリイミド樹脂に限定されず、アクリル樹脂等の他の樹脂を用いることもでき、あるいはSiN等の無機材料を用いることもできる。
【0056】
上記実施の形態では、TFT基板8上にホール注入電極9、有機層10および電子注入電極12が順に形成されているが、TFT基板8上に電子注入電極、有機層およびホール注入電極が順に形成されてもよい。この場合には、ホール注入電極を構成する材料として、可視光領域で10%以上の光の透過率を有する金属薄膜を用い、画素分離膜のテーパ角度θ、ホール注入電極の膜厚dおよびホール注入電極を構成する主たる金属の結合エネルギーを上式(1)の関係を満足するように設定する。
【0057】
また、上記実施の形態では、本発明をアクティブ・マトリクス型有機EL装置に適用した場合を説明したが、本発明は、アクティブ・マトリクス型に限定されず、TFTを有さない単純マトリクス型(パッシブ型)の有機EL装置にも同様に適用することができる。
【0058】
さらに、上記のように、本発明は、トップエミッション構造の有機EL装置に適用した場合により大きな効果を得ることができるが、本発明を基板の裏面側から光を取り出す構造の有機EL装置にも適用することもできる。
【0059】
図4(a)は本発明の第2の実施の形態に係る有機EL装置の模式的平面図、図4(b)は図4(a)の有機EL装置のA−A線断面図である。図4の有機EL装置は、トップエミッション構造を有し、単一の有機EL素子により構成される。この有機EL装置は、例えば液晶表示装置のバックライトとして用いられる。
【0060】
ガラス基板101上にホール注入電極(陽極)102が形成されている。金属、合金等からなるホール注入電極102上には、有機層103が形成されている。有機層103は、例えばホール注入層、ホール輸送層、発光層および電子注入層の積層構造からなる。この場合、発光層は電子輸送性を備えている。
【0061】
また、有機層103の周囲を取り囲むように絶縁性の保護膜104が形成されている。本実施の形態においては、保護膜104が絶縁性膜に相当する。保護膜104の側面(内周面および外周面)はテーパ状に傾斜するように形成されている。
【0062】
有機層103および保護膜104上には、透明導電膜からなる電子注入電極(陰極)105が形成されている。電子注入電極105の材料としては、例えばAg(銀)、Al(アルミニウム)、Mg(マグネシウム)、Ca(カルシウム)、Sc(スカンジウム)等の金属または合金からなる金属薄膜が用いられる。
【0063】
保護膜104の側面は、保護膜104の幅が下端から上端にかけて漸次減少するように傾斜している。本実施の形態でも、保護膜104の側面が保護膜104の下面に対してなす角度をテーパ角度θと呼ぶ。
【0064】
本実施の形態においても、電子注入電極105の膜厚をd[Å」とし、電子注入電極105を構成する金属の結合エネルギー[eV/atom]をVbeとした場合に、保護膜104のテーパ角度θ[deg]が次式を満足するように設定される。
【0065】
−4.8×Vbe+99≦dcosθ≦d …(1)
保護膜104のテーパ角度θ、電子注入電極105の膜厚dおよび電子注入電極105を構成する金属の結合エネルギーが上式(1)を満足するように設定することにより、有機EL装置の歩留まりが向上する。
【0066】
電子注入電極105が2種類以上の金属により構成される場合には、保護膜104のテーパ角度θ、電子注入電極105の膜厚dおよび主たる金属(組成比が最も大きい金属)の結合エネルギーVbeが上式(1)を満足するように設定する。
【0067】
特に、保護膜104のテーパ角度θおよび電子注入電極105の膜厚dが次式の関係を満足することがより好ましい。
【0068】
100≦dcosθ≦d …(2)
保護膜104のテーパ角度θ、電子注入電極105の膜厚dおよび電子注入電極105を構成する金属の結合エネルギーを上式(2)を満足するように設定することにより、有機EL装置の歩留まりがさらに向上する。
【0069】
また、第1の実施の形態と同様に、電子注入電極105の膜厚dは、100Å以上200Å以下であることが好ましく、150Åであることがより好ましい。それにより、図4の有機EL装置において、有機層103において発生された光を電子注入電極105を通して十分に外部に取り出すことができるとともに、歩留まりが向上する。
【0070】
さらに、電子注入電極105として半透過型金属を用いることにより、マイクロキャビティ効果を積極的に利用することができ、外部取り出し効率の高い構造を有する光源が実現される。
【0071】
また、ガラス基板1の代わりに金属基板を用いることにより、薄型でかつ剛性の高い光源が実現される。
【0072】
【実施例】
以下、画素分離膜11のテーパ角度θおよび電子注入電極12の材料が異なる複数の有機EL装置を作製し、歩留まりを測定した。
【0073】
(実施例1)
実施例1では、電子注入電極12の材料として膜厚150ÅのMgを用い、画素分離膜11の膜厚が異なる複数の有機EL装置を作製した。Mgの結合エネルギーは1.5eV/atomである。
【0074】
図1の構造を有するTFT基板8上に、膜厚1000ÅのMoからなるホール注入電極9を形成した後、ポリイミド樹脂からなる画素分離膜11を形成し、電子注入電極9上に有機層10として膜厚100ÅのCuPcからなるホール注入層、膜厚500ÅのNPBからなるホール輸送層、膜厚500ÅのAlq3からなる発光層および膜厚15ÅのLi2Oからなる電子注入層を順に積層した。さらに、有機層10上および画素分離膜11上に、膜厚150ÅのMgからなる電子注入電極12を形成した。
【0075】
ホール注入電極9はRF(高周波)スパッタにより形成した。スパッタガスとしてはArガスを用い、成膜時の圧力を1.5×10−1Paとし、高周波出力を200Wとした。ホール注入電極9および有機層10は、通電加熱による真空蒸着法を用いて形成し、成膜時の圧力を4.0×10−1Paとした。画素分離膜11は、上記実施の形態で説明した方法により形成した。
【0076】
画素分離膜11のテーパ角度θが異なる複数の有機EL装置について歩留まりを測定した。この場合、ダークスポット(非発光点)およびエッジ部分での非発光領域がない画素を良品とし、有機EL装置内の各画素の良品および不良品を目視で判定し、有機EL装置内の全画素のうち良品の画素の割合を歩留まりとして算出した。
【0077】
また、画素分離膜11のテーパ角度θと電子注入電極12の膜厚dとから上式(1),(2)におけるdcosθの値を算出した。本実施例では、画素分離膜11のテーパ角度θは20度、30度、40度、50度、60度および80度である。
【0078】
表1および図5に実施例1における画素分離膜11のテーパ角度θ、dcosθの値および歩留まりの関係の測定結果を示す。
【0079】
【表1】
【0080】
表1および図5に示すように、画素分離膜11のテーパ角度θが20度〜50度の場合に歩留まりが94〜96%と高くなっている。画素分離膜11のテーパ角度θが60度の場合に歩留まりが30%と低下している。画素分離膜11のテーパ角度θが80度の場合に歩留まりが2%とさらに低下している。
【0081】
表1および図5からdcosθの値が93Å以上の場合に歩留まりの低下がなく、dcosθの値が93Åよりも小さくなると歩留まりが急激に低下することがわかる。すなわち、歩留まりの低下が生じないdcosθの最小値は93Åである。したがって、結合エネルギーが1.5eV/atomのMgからなる電子注入電極12を用いた場合には、93[Å]≦dcosθであることが好ましい。
【0082】
(実施例2)
実施例2では、電子注入電極12の材料として膜厚150ÅのCaを用いた点を除いて、実施例1と同様の方法および同様の条件で画素分離膜11のテーパ角度θが異なる複数の有機EL装置を作製した。Caの結合エネルギーは1.7eV/atomである。
【0083】
複数の有機EL装置について歩留まりを測定し、画素分離膜11のテーパ角度θと電子注入電極12の膜厚dとからdcosθの値を算出した。画素分離膜11のテーパ角度θは20度、30度、40度、50度、60度および80度である。
【0084】
表2および図6に実施例2における画素分離膜11のテーパ角度θ、dcosθの値および歩留まりの関係の測定結果を示す。
【0085】
【表2】
【0086】
表2および図6に示すように、画素分離膜11のテーパ角度θが20度〜50度の場合に歩留まりが93〜95%と高くなっている。画素分離膜11のテーパ角度θが60度の場合には歩留まりが28%と低下し、画素分離膜11のテーパ角度θが80度の場合には歩留まりが2%とさらに低下している。
【0087】
図6からdcosθの値が88Å以上の場合に歩留まりの低下がなく、dcosθの値が88Åよりも小さくなると歩留まりが急激に低下することがわかる。すなわち、歩留まりの低下が生じないdcosθの最小値は88Åである。したがって、結合エネルギーが1.7eV/atomのCaからなる電子注入電極12を用いた場合には、88[Å]≦dcosθであることが好ましい。
【0088】
(実施例3)
実施例3では、電子注入電極12の材料として膜厚150ÅのAgを用いた点を除いて、実施例1と同様の方法および同様の条件で画素分離膜11のテーパ角度θが異なる複数の有機EL装置を作製した。Agの結合エネルギーは3.0eV/atomである。
【0089】
複数の有機EL装置について歩留まりを測定し、画素分離膜11のテーパ角度θと電子注入電極12の膜厚dとからdcosθの値を算出した。画素分離膜11のテーパ角度θは20度、30度、40度、50度、60度および80度である。
【0090】
表3および図7に実施例3における画素分離膜11のテーパ角度θ、dcosθの値および歩留まりの関係の測定結果を示す。
【0091】
【表3】
【0092】
表3および図7に示すように、画素分離膜11のテーパ角度θが20度〜50度の場合に歩留まりが94〜99%と高くなっている。画素分離膜11のテーパ角度θが60度の場合には歩留まりが31%と低下し、画素分離膜11のテーパ角度θが80度の場合には歩留まりが2%とさらに低下している。
【0093】
図7からdcosθの値が86Å以上の場合に歩留まりの低下がなく、dcosθの値が86Åよりも小さくなると歩留まりが急激に低下することがわかる。すなわち、歩留まりの低下が生じないdcosθの最小値は86Åである。したがって、結合エネルギーが3.0eV/atomのAgからなる電子注入電極12を用いた場合には、86[Å]≦dcosθであることが好ましい。
【0094】
(実施例4)
実施例4では、電子注入電極12の材料として膜厚150ÅのAlを用いた点を除いて、実施例1と同様の方法および同様の条件で画素分離膜11のテーパ角度θが異なる複数の有機EL装置を作製した。ただし、電子注入電極12下の電子注入層としては膜厚15ÅのLiFを用いた。Alの結合エネルギーは3.4eV/atomである。
【0095】
複数の有機EL装置について歩留まりを測定し、画素分離膜11のテーパ角度θと電子注入電極12の膜厚dとからdcosθの値を算出した。画素分離膜11のテーパ角度θは20度、30度、40度、50度、60度および80度である。
【0096】
表4および図8に実施例4における画素分離膜11のテーパ角度θ、dcosθの値および歩留まりの関係の測定結果を示す。
【0097】
【表4】
【0098】
表4および図8に示すように、画素分離膜11のテーパ角度θが20度〜50度の場合に歩留まりが96〜99%と高くなっている。画素分離膜11のテーパ角度θが60度の場合には歩留まりが38%と低下し、画素分離膜11のテーパ角度θが80度の場合には歩留まりが5%とさらに低下している。
【0099】
図8からdcosθの値が84Å以上の場合に歩留まりの低下がなく、dcosθの値が84Åよりも小さくなると歩留まりが急激に低下することがわかる。すなわち、歩留まりの低下が生じないdcosθの最小値は84Åである。したがって、結合エネルギーが3.4eV/atomのAlからなる電子注入電極12を用いた場合には、84[Å]≦dcosθであることが好ましい。
【0100】
(実施例5)
実施例5では、電子注入電極12の材料として膜厚150ÅのScを用いた点を除いて、実施例1と同様の方法および同様の条件で画素分離膜11のテーパ角度θが異なる複数の有機EL装置を作製した。Scの結合エネルギーは3.9eV/atomである。
【0101】
複数の有機EL装置について歩留まりを測定し、画素分離膜11のテーパ角度θと電子注入電極12の膜厚dとからdcosθの値を算出した。画素分離膜11のテーパ角度θは20度、30度、40度、50度、60度および80度である。
【0102】
表5および図9に実施例5における画素分離膜11のテーパ角度θ、dcosθの値および歩留まりの関係の測定結果を示す。
【0103】
【表5】
【0104】
表5および図9に示すように、画素分離膜11のテーパ角度θが20度〜50度の場合に歩留まりが93〜96%と高くなっている。画素分離膜11のテーパ角度θが60度の場合には歩留まりが43%と低下し、画素分離膜11のテーパ角度θが80度の場合には歩留まりが2%とさらに低下している。
【0105】
図9からdcosθの値が78Å以上の場合に歩留まりの低下がなく、dcosθの値が78Åよりも小さくなると歩留まりが急激に低下することがわかる。すなわち、歩留まりの低下が生じないdcosθの最小値は78Åである。したがって、結合エネルギーが3.9eV/atomのScからなる電子注入電極12を用いた場合には、78[Å]≦dcosθであることが好ましい。
【0106】
(評価)
上記の実施例1,2,3,4,5の結果から、電子注入電極12を構成する金属の結合エネルギーと歩留まりの低下が生じないdcosθの最小値との関係を求めた。
【0107】
表6に電子注入電極12を構成する金属の結合エネルギーと歩留まりの低下が生じないdcosθの最小値との関係を示す。
【0108】
【表6】
【0109】
また、表6の関係をグラフにプロットした。図10は電子注入電極12を構成する金属の結合エネルギーと歩留まりの低下が生じないdcosθの最小値との関係を示すグラフである。図10の横軸は電子注入電極12を構成する金属の結合エネルギー[eV/atom]を示し、縦軸はdcosθの値[Å]を示す。
【0110】
電子注入電極12を構成する金属の結合エネルギーをxとし、dcosθの値をyとすると、表6および図10の結果から次式の関係が得られる。
【0111】
y=−4.8x+99 …(3)
上式(3)におけるyの値は歩留まりの低下が生じないdcosθの最小値を表すので、歩留まりの低下が生じないための条件として次式が得られる。
【0112】
y≧−4.8x+99 …(4)
電子注入電極12を構成する金属の結合エネルギーをVbeとした場合、上式(4)から次式の関係が得られる。
【0113】
−4.8×Vbe+99≦dcosθ≦d …(1)
上記実施例1〜5の結果から上式(1)を満足するように画素分離膜11のテーパ角度θ、電子注入電極12の膜厚dおよび電子注入電極12を構成する金属の結合エネルギーVbeを設定することにより歩留まりが向上する。また、より高い歩留まりを得るためには、電子注入電極12を構成する主たる金属としてAgまたAlを用いることが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態に係る有機EL装置の模式的断面図である。
【図2】図1の有機EL装置における画素分離膜および電子注入電極の一部の拡大図である。
【図3】Agからなる金属薄膜についての光の透過率の波長依存性を示す図である。
【図4】本発明の第2の実施の形態に係る有機EL装置の模式的平面図およびA−A線断面図である。
【図5】実施例1における画素分離膜のテーパ角度θ、dcosθの値および歩留まりの関係の測定結果を示す図である。
【図6】実施例2における画素分離膜のテーパ角度θ、dcosθの値および歩留まりの関係の測定結果を示す図である。
【図7】実施例3における画素分離膜のテーパ角度θ、dcosθの値および歩留まりの関係の測定結果を示す図である。
【図8】実施例4における画素分離膜のテーパ角度θ、dcosθの値および歩留まりの関係の測定結果を示す図である。
【図9】実施例5における画素分離膜のテーパ角度θ、dcosθの値および歩留まりの関係の測定結果を示す図である。
【図10】電子注入電極を構成する金属の結合エネルギーと歩留まりの低下が生じないdcosθの最小値との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
1,101 ガラス基板
2 能動層
3 TFT
4 層間絶縁膜
5a,5b,5c 配線層
7 平坦化層
8 TFT基板
9,102 ホール注入電極
10,103 有機層
11 画素分離膜
12,105 電子注入電極
104 保護膜
θ テーパ角度
d 膜厚
Claims (8)
- 基板と、
前記基板上に配置された1または複数の有機エレクトロルミネセンス素子と、
前記1または複数の有機エレクトロルミネセンス素子間または前記1または複数の有機エレクトロルミネセンス素子の周囲に形成された絶縁性膜とを備え、
各有機エレクトロルミネセンス素子は、第1の電極、有機発光層および第2の電極を含み、
前記第2の電極は、1種類または2種類以上の金属を含む透明導電膜からなり、前記有機発光層上から前記絶縁性膜絶縁性膜上に延びるように形成され、前記有機発光層に接する前記絶縁性膜の側面がテーパ状に傾斜し、
前記絶縁性膜の側面が前記絶縁性膜の下面に対してなす角度θ[degree]、前記第2の電極の膜厚d[Å]および前記第2の電極を構成する主たる金属の結合エネルギーVbe[eV/atom]が、
dcosθ≧−4.8×Vbe+99 …(1)
上式(1)の関係を満足することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。 - 前記第2の電極は可視光の波長領域で10%以上の光の透過率を有することを特徴とする請求項1記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
- 前記第2の電極の膜厚は200Å以下であることを特徴とする請求項1または2記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
- 前記第2の電極の膜厚は100Å以上であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
- 複数の有機エレクトロルミネッセンス素子を備え、
前記基板は、前記複数の有機エレクトロルミネッセンス素子の前記第1の電極にそれぞれ接続される複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタを覆うように形成された平坦化層とを備えた基板であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。 - 前記第2の電極は、マグネシウム、カルシウム、銀、アルミニウムおよびスカンジウムよりなる群から選択された1種類または複数種類の金属を含むことを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
- 前記絶縁性膜は樹脂からなることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
- 複数の有機エレクトロルミネッセンス素子を備え、
前記複数の有機エレクトロルミネッセンス素子は、互いに交差する第1および第2の方向に沿って配置され、
前記絶縁性膜は、複数の有機エレクトロルミネッセンス素子間で前記第1の方向に沿ってストライプ状に延び、
前記第2の方向に沿って配置される複数の有機エレクトロルミネッセンス素子の前記第2の電極は、前記第2の方向にストライプ状に延びる共通の電極であり、
前記絶縁性膜の前記第1の方向に延びる側面がテーパ状に形成されたことを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
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JP (1) | JP2004241160A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006072296A (ja) * | 2004-09-02 | 2006-03-16 | Samsung Sdi Co Ltd | 回路測定用パッドを含む有機エレクトロルミネッセンス表示装置とその製造方法 |
JP2007012410A (ja) * | 2005-06-30 | 2007-01-18 | Kyocera Corp | 有機el素子及びそれを用いた有機elディスプレイ並びに有機elディスプレイの製造方法 |
JP2008016427A (ja) * | 2006-06-30 | 2008-01-24 | Lg Philips Lcd Co Ltd | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
JP2012513665A (ja) * | 2008-12-30 | 2012-06-14 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 環境感応性素子をカプセル化する方法 |
CN111584551A (zh) * | 2020-05-06 | 2020-08-25 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0717445A2 (en) * | 1994-12-14 | 1996-06-19 | Eastman Kodak Company | An electroluminescent device having an organic electroluminescent layer |
JP2002091343A (ja) * | 2000-06-28 | 2002-03-27 | Toray Ind Inc | 表示装置 |
JP2002164181A (ja) * | 2000-09-18 | 2002-06-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及びその作製方法 |
JP2002318556A (ja) * | 2001-04-20 | 2002-10-31 | Toshiba Corp | アクティブマトリクス型平面表示装置およびその製造方法 |
JP2003092192A (ja) * | 2001-09-18 | 2003-03-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法 |
-
2003
- 2003-02-03 JP JP2003026492A patent/JP2004241160A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0717445A2 (en) * | 1994-12-14 | 1996-06-19 | Eastman Kodak Company | An electroluminescent device having an organic electroluminescent layer |
JP2002091343A (ja) * | 2000-06-28 | 2002-03-27 | Toray Ind Inc | 表示装置 |
JP2002164181A (ja) * | 2000-09-18 | 2002-06-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及びその作製方法 |
JP2002318556A (ja) * | 2001-04-20 | 2002-10-31 | Toshiba Corp | アクティブマトリクス型平面表示装置およびその製造方法 |
JP2003092192A (ja) * | 2001-09-18 | 2003-03-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006072296A (ja) * | 2004-09-02 | 2006-03-16 | Samsung Sdi Co Ltd | 回路測定用パッドを含む有機エレクトロルミネッセンス表示装置とその製造方法 |
US7625259B2 (en) | 2004-09-02 | 2009-12-01 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting display with circuit measuring pad and method of fabricating the same |
JP2007012410A (ja) * | 2005-06-30 | 2007-01-18 | Kyocera Corp | 有機el素子及びそれを用いた有機elディスプレイ並びに有機elディスプレイの製造方法 |
JP2008016427A (ja) * | 2006-06-30 | 2008-01-24 | Lg Philips Lcd Co Ltd | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
JP4690290B2 (ja) * | 2006-06-30 | 2011-06-01 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
JP2012513665A (ja) * | 2008-12-30 | 2012-06-14 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 環境感応性素子をカプセル化する方法 |
CN111584551A (zh) * | 2020-05-06 | 2020-08-25 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN111584551B (zh) * | 2020-05-06 | 2023-12-01 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
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