TWI455302B - 有機電激發光裝置及其製造方法 - Google Patents

Description

有機電激發光裝置及其製造方法

本發明係關於一種有機電激發光裝置及其製造方法，尤其係關於一種用作驅動開關之有機電激發光裝置之薄膜電晶體的電極結構以及此有機電激發光裝置之製造方法。

在多媒體時代，需要將顯示裝置製做得更加精緻且尺寸更大，並且其顯示色彩能夠接近於自然色彩。對於傳統的陰極射線管(CRT)來說，想提供40英寸或者更大的螢幕是難以實現的。因此，有機電激發光裝置、液晶顯示裝置(LCD)、電漿顯示面板(PDP)以及投影電視等技術得以快速發展並被廣泛應用於高清晰度影像顯示領域。

在上述顯示裝置中，有機電激發光裝置是一種以如下方式發光的裝置：如果電荷被注入到介於陰極與陽極之間的有機薄膜之中，成對的電子與電洞將滅絕進而發光。因此，有機電激發光裝置可形成於如塑料之類的可撓式透明基板之上。而且，有機電激發光裝置相較於電漿顯示面板或非有機電激發光裝置，能夠在低電壓下(大約低於10伏特)作業。此外，由於有機電激發光裝置具有相對低的功率損耗與卓越的色彩感知度等優點，因此，有機電激發光裝置作為下一代顯示裝置被給予了極大關注。另外，為了使有機電激發光裝置能在低電壓下作業，而令有機薄膜具有非 常薄且均勻的厚度(大約100奈米至200奈米)以及保持裝置之穩定性是尤為重要的。

有機電激發光裝置可分為：被動矩陣型有機電激發光裝置，係於電訊號之開關控制下作業；以及主動矩陣型有機電激發光裝置，係依據子像素之驅動方法使用薄膜電晶體(TFT)進行作業。

下面將對習知的主動矩陣型有機電激發光裝置進行描述。

在習知的主動矩陣型有機電激發光裝置中，薄膜電晶體係形成於透明基板之上。這樣的話，此薄膜電晶體包含有：具有源極區、汲極區及通道區之主動層，閘極絕緣膜，閘極，層間絕緣膜以及源極/汲極。上述源極區與汲極區係透過形成於層間絕緣膜與閘極絕緣膜中的接觸孔分別與源極及汲極相接觸。

此外，於具有薄膜電晶體之基板上還形成有由有機材料構成之平化膜。另外，平化膜上還形成有陽極，係用以電性連接至汲極。此外，陽極上還形成有有機發光層，並且有機發光層上形成有陰極。這樣，有機發光層係包含有：電洞傳輸層，紅綠藍發光層以及電子傳輸層。

如此，電洞傳輸層包含有電洞注入層與電洞轉移層。電子傳輸層則包含有電子轉移層與電子注入層。

然而，上述習知的有機電激發光裝置存在以下問題：在習知的主動矩陣型有機電激發光裝置中，薄膜電晶體可在 陽極、發光層及陰極之沈積製程中被曝露於X射線或類似的射線中，因而會導致薄膜電晶體之損壞。此外，還存在一個問題，即，會造成源極/汲極層之間的電接觸減少。

因此，為了從實質上避免由以上習知技術之局限及缺點所導致之一個或多個問題，本發明之目的在於提供一種有機電激發光裝置及其製造方法。

本發明之一個目的在於提供一種有機電激發光裝置及其製造方法，此有機電激發光裝置可以保護在陽極、發光層及陰極之沈積製程中被曝露於X射線或類似射線中的薄膜電晶體，並且可以改良在主動矩陣型有機電激發光裝置中的源極與汲極之界面特性。

本發明其他的優點、目的和特徵將在如下的說明書中部分地加以闡述，並且本發明其他的優點、目的和特徵對於本領域的普通技術人員來說，可以透過本發明如下的說明得以部分地理解或者可以從本發明的實踐中得出。本發明的目的和其他優點可以透過本發明所記載的說明書與申請專利範圍以及附圖中特別指明的結構得以實現和獲得。

為了獲得本發明的這些目的和其他特徵，現依照本發明之目的對本發明作具體化和概括性地描述，本發明之一種有機電激發 光裝置係包含：透明基板；半導體層，係包含源極區、通道區及汲極區；閘極絕緣膜，係具有多個第一接觸孔，第一接觸孔位於源極區與汲極區之上並且形成於包含有半導體層之基板上；閘極，係形成於通道區上方的閘極絕緣膜之上；層間絕緣膜，係具有多個第二接觸孔，第二接觸孔位於源極區與汲極區之上並且形成於包含有閘極之閘極絕緣膜的整個表面之上；以及源極與汲極，係形成於層間絕緣膜之上藉以透過第一接觸孔與第二接觸孔電性連接至源極區與汲極區，其中源極與汲極中的至少一個係形成為覆蓋上述半導體層。

依照本發明之另一目的，本發明之一種有機電激發光裝置之製造方法係包含：於基板上形成半導體層，此半導體層係包含源極區、通道區及汲極區；於包含有半導體層之基板上形成閘極絕緣膜；於通道區上方的閘極絕緣膜之上形成閘極；於包含有閘極之閘極絕緣膜的整個表面之上形成層間絕緣膜；於閘極絕緣膜與層間絕緣膜中形成多個第一接觸孔藉以曝露出源極區與汲極區；以及於層間絕緣膜之上形成源極與汲極，藉以透過第一接觸孔電性連接至源極區與汲極區，其中源極與汲極中的至少一個係形成為覆蓋上述半導體層。

本發明之一種有機電激發光裝置及其製造方法具有以下之功效：即，在上述主動矩陣型有機電激發光裝置中，由於薄膜電晶 體之主動層被源極、閘極與汲極覆蓋，因此能夠防止薄膜電晶體之主動層在陽極、有機發光層及陰極之沈積製程中被X射線或類似射線損壞。

而且，由於源極與汲極係形成為具有三層結構，因此能夠改良源極與汲極之界面特性，進而增加電接觸。

可以理解的是，如上所述的本發明之概括說明和隨後所述的本發明之詳細說明均是具有代表性和解釋性的說明，並且是為了進一步揭示本發明之申請專利範圍。

以下，將結合圖示部分對本發明之較佳實施例作詳細說明。其中在這些圖示部分中所使用的相同的參考標號代表相同或同類部件。

下面，將結合附圖對本發明之一種有機電激發光裝置及其製造方法進行詳細描述。

在這些附圖中，厚度的尺寸係被加以放大了，進而能夠清楚地表示出若干個層及區域。但這些附圖中所示的各個層的厚度比例並非等於實際的厚度比例。同時，當一個部分，例如：一個層、一個薄膜、一個區域及一塊板極形成或配置於其他部分〞之上〞時，係可以理解為這一部分可透過直接接觸而被直接形成於其他部分之上，或者可以將另一個部分配置於這一部分與其他部分之 間。

「第1圖」為本發明一實施例之有機電激發光裝置之橫剖面圖。「第2圖」為源極與汲極之橫剖面圖。「第3圖」為本發明另一實施例之有機電激發光裝置之橫剖面圖。下面將結合「第1圖」至「第3圖」對本發明實施例之有機電激發光裝置加以描述。

如「第1圖」至「第3圖」所示，於本發明實施例之主動矩陣型有機電激發光裝置中，薄膜電晶體110係形成於透明基板100之上。

在此實例中，透明基板100可由玻璃、石英、藍寶石等製成。此外，雖然附圖中未示出，但於透明基板100與薄膜電晶體110之間可形成有絕緣薄膜藉以防止透明基板中的各種雜質滲透到薄膜電晶體之中。

以下將詳細說明薄膜電晶體110之構造。即，具有源極區111、汲極區112以及通道區113之半導體層係形成於透明基板100之上並形成一個島嶼形狀。閘極絕緣膜120係形成於包含上述具有源極區111、汲極區112以及通道區113之半導體層之基板的整個表面之上。閘極114形成於通道區113上方的閘極絕緣膜120之上。層間絕緣膜130係形成於包含閘極114之基板的整個表面之上。閘極絕緣膜120與層間絕緣膜130中形成有多個接觸孔藉以曝露出源極區111與汲極區112。源極115與汲極116係形成於 層間絕緣膜130之上藉以透過上述接觸孔分別電性連接至源極區111與汲極區112。

在此實例中，閘極114、源極115以及汲極116中的至少一個電極具有一個如「第2圖」所示的三層結構。也就是說，此三層結構具有由表面活化劑層115a、導電層115b以及鈍化層115c所組成的堆疊結構。

在此實例中，表面活化劑層115a係由鈦(Ti)、鉬(Mo)等形成且具有30奈米至100奈米之厚度。

導電層115b係由從鉻(Cr)、銅(Cu)、金(Au)、鎳(Ni)、銀(Ag)、鉭(Ta)、鋁(Al)、鋁釹合金(AlNd)所組成的組合中選擇的材料形成。且導電層115b之厚度為200奈米至500奈米。

鈍化層115c係由鈦(Ti)、鎢(W)等形成且其厚度為30奈米至100奈米。並且鈍化層115c之X射線透射率為0.001~1.0%。

如此，鈍化層115c便可防止電晶體受到在隨後的陽極、發光層及陰極之形成過程中所產生的X射線或類似射線的損壞。因而，其最好能夠完全地阻擋X射線，但實際上，鈍化層115c係使用上述之材料形成並且其厚度也在上述的尺寸範圍之內。

在此實例中，於確保導電率之情況下，導電層115b所形成的厚度對於體積與重量來說為200奈米至500奈米。此外，表面活化劑層115a與鈍化層115c均可防止導電層115b被有機電激發光 裝置之沈積製程中所產生的X射線或類似射線損壞。而且，對於源極之界面黏合強度來說，表面活化劑層115a除了鈦(Ti)之外還可由鉬(Mo)形成。

一個鉬層所具有的厚度為200奈米且其X射線透射率為0.22%，並且另一個鉬層所具有的厚度為400奈米且其X射線透射率為0.0005%。如果表面活化劑層115a或鈍化層115c係較厚地形成，儘管X射線之屏蔽效果得到增強，但由此產生的問題是裝置之體積與重量也會變得更大。因此，表面活化劑層115a與鈍化層115c所形成的厚度應處於上述的尺寸範圍之內。

此外，如鉛(Pb)這樣的材料，其雖然具有很高的X射線之屏蔽效果，但其界面黏合強度較低。因此，表面活化劑層115a係由具有上述X射線屏蔽效果的鉬(Mo)或類似材料形成。表面活化劑層115a與鈍化層115c也可由其他任何能夠屏蔽X射線並提高界面黏合強度之材料形成。而且，對於X射線屏蔽效果與體積來說，表面活化劑層115a與鈍化層115c最好是由上述厚度為30奈米至100奈米之材料形成。此外，源極115或汲極116係具有上述的X射線透射率為0.001~1.0%之結構，因此能夠於提供X射線屏蔽效果並保護電晶體的同時減少重量及體積。如果鈍化層與表面活化劑層中僅有一個層係較厚地形成，雖然仍可獲得滿意的X射線屏蔽效果，但由此可能會在電晶體之界面黏合強度中產生問題。

具有一個如上所述的三層結構的源極115與汲極116中的至少一個電極，係如「第1圖」中所示，形成為用以覆蓋上述具有源極區111、汲極區112以及通道區113的薄膜電晶體之半導體層。

此外，作為另一個實例，如「第3圖」中所示，具有一個上述三層結構之閘極114、源極115及汲極116係形成為用來覆蓋上述具有源極區111、汲極區112以及通道區113的薄膜電晶體之半導體層。

此外，於包含薄膜電晶體110之基板的整個表面上還形成有平化膜140，係用以使像素區平面化。在此實例中，平化膜140可由有機絕緣材料，如丙烯酸類有機化合物、聚醯亞胺、苯并環丁烯或過氟環丁烷等形成。而且，平化膜140也可由無機絕緣材料，如氮化矽形成。

另外，平化膜140中還形成有接觸孔用以曝露出汲極116的特定部分。然後，於像素區中的平化膜140之上形成有陽極150藉以透過接觸孔電性連接至汲極116。在此實例中，陽極150係由透明導電薄膜，例如：氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)形成藉以透射出光線。

介於像素區之間的平化膜140上還形成有像素隔離膜155。此像素隔離膜155可由無機絕緣材料，例如氮化矽(SiNx)或氧化矽(SiO2)形成。

於像素隔離膜155與陽極150之上還依序形成有有機發光層與陰極190。

有機發光層係透過依序堆疊電洞注入層160、電洞傳輸層165、發光層170、電子傳輸層180及電子注入層185而形成。另外，有機電激發光裝置之陰極190係堆疊於有機發光層之上。

在此實例中，電子傳輸層180係配置於發光層170與陰極190之間。因此，注入到發光層170中的大部分電子從陰極190向陽極150移動藉以與電洞再結合。而且，電洞傳輸層165係配置於陽極150與發光層170之間。因此，注入到發光層170中的電子僅存在於發光層170中而不會因為與電洞傳輸層165之界面而向陽極150移動，由此提高了再結合之效率。

下面，將結合附圖對本發明之具有上述構造之有機電激發光裝置之製造方法進行詳細描述。

「第4A圖」至「第4E圖」係表示了本發明一實施例之有機電激發光裝置之製造方法。

如「第4A圖」所示，首先製備由玻璃、石英、藍寶石等材料形成的透明基板100。而後，透過低壓化學汽相沈積法、電漿增強化學汽相沈積法等方法於透明基板100上形成厚度大約為200~800的非晶矽膜。而且，此非晶矽膜係可藉由雷射退火法等方法被結晶到一個多晶矽膜中。當然，此多晶矽膜也可以被直接 沈積以代替非晶矽膜。

然後，多晶矽膜可透過光刻製程被型樣加工藉以在單位像素內形成薄膜電晶體之主動層113a。隨後，可於包含主動層113a之基板的整個表面上沈積閘極絕緣膜120。

如「第4B圖」所示，閘極114係形成於主動層113a上方的閘極絕緣膜120之上。即，透過濺鍍方法於閘極絕緣膜120上沈積厚度大約為1500~5000的鋁釹合金。然後，透過光刻製程對鋁釹合金進行型樣加工藉以形成閘極114。

隨後，可使用閘極114作為光罩向主動層113a中注入雜質離子。所注入的雜質離子係可被觸發激活藉以形成薄膜電晶體之源極區111與汲極區112。在此實例中，由於雜質離子未被注入到閘極114下方的主動層113a中，因而可以自然地形成通道區113。

此外，於包含有閘極114之基板的整個表面上還可形成由氧化矽薄膜或氮化矽薄膜構成的層間絕緣膜130。

如「第4C圖」所示，閘極絕緣膜120與層間絕緣膜130係可被選擇性地去除藉以曝露出源極區111與汲極區112，進而形成接觸孔。

另外，層間絕緣膜130上還沈積有至少一個金屬層(例如，可為三層)並且此金屬層可透過光刻製程被去除藉以形成電性連接至源極區111與汲極區112的源極115與汲極116。

下面，對用以形成源極115與汲極116之製程進行詳細描述。

即，首先沈積厚度為30奈米至100奈米之鈦(Ti)、鉬(Mo)或類似材料。然後，將從鉻(Cr)、銅(Cu)、金(Au)、鎳(Ni)、銀(Ag)、鉭(Ta)、鋁(Al)、鋁釹合金(AlNd)所組成的組合中所選擇之材料以200奈米至500奈米之厚度沈積於表面活化劑層115a之上藉以形成導電層115b。而後，再於導電層115b上沈積厚度為30奈米至100奈米之鈦(Ti)、鎢(W)或類似材料，進而形成鈍化層115c。

在此實例中，表面活化劑層115a之X射線透射率為0.1~0.5%。鈍化層115c之X射線透射率為0.2~1.0%。

此外，表面活化劑層115a、導電層115b及鈍化層115c可從源極115與汲極116上被選擇性地去除。表面活化劑層115a提高了源極之界面黏合強度進而保證了裝置的穩定性。所形成之源極115與汲極116的X射線透射率為0.001~0.1%。

在此實例中，源極115與汲極116中的至少一個電極係形成為覆蓋具有源極區111、汲極區112及通道區113的薄膜電晶體之主動層。

此外，如「第3圖」所示，作為另一實例，閘極114、源極115以及汲極116係形成為覆蓋具有源極區111、汲極區112及通道區113的薄膜電晶體之主動層。

此外，閘極114可與源極115及汲極116一樣具有一個三層結構。

如「第4D圖」所示，可於包含有薄膜電晶體110之層間絕緣膜130的整個表面上形成平化膜140。在此實例中，平化膜140係用來對陽極進行平面化處理，且平化膜140係透過沈積厚度大約為1000~5000的有機絕緣材料或無機絕緣材料而形成。

平化膜140係透過光刻製程被蝕刻藉以形成曝露出源極115或汲極116的接觸孔。

透明導電薄膜，例如：氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)係可被沈積於包含有接觸孔的平化膜140之上並可透過光刻製程被型樣加工，藉以於像素區內形成陽極150，陽極150透過接觸孔可被電性連接至汲極116。

此外，於組合結構之整個表面上可沈積厚度大約為1000~2000的由氮化矽或氧化矽製成的無機絕緣膜。然後，可對此無機絕緣膜進行型樣加工以僅僅保留像素區之外圍部分，進而形成像素隔離膜155。

如「第4E圖」所示，還可透過依序堆疊電洞注入層160、電洞傳輸層165、發光層170、電子傳輸層180及電子注入層185而形成有機發光層。另外，有機電激發光裝置之陰極190係以一個特定的厚度形成於上述組合結構之整個表面上。

在此實例中，電洞注入層160係透過沈積厚度為10奈米至30奈米的銅酞菁(CuPC)而形成。此外，電洞傳輸層165係透過沈積厚度為30奈米至60奈米的4,4'－雙[正－(1－萘基)－正－苯基－胺基]聯苯(4,4'－bis[N－(1－naphthyl)－N－phenyl－amino]biphenyl，簡稱NPB)而形成。此外，當有必要添加攙雜劑時，發光層170係依照紅綠藍像素由有機發光材料形成。

在此實例中，用以形成陽極、有機發光層及陰極之製程中的至少一個製程係使用了電子束(X射線)。

使用電子束形成陽極、有機發光層及陰極之原因在於：透過在相同的腔室中執行上述製程可以有助於改良有機發光層之發光特性。也就是說，當透過濺鍍方法，沈積有機發光層以及於濺鍍設備中沈積陰極時，此有機發光層係被曝露於空氣中，進而會降低發光特性或使沈積製程複雜化。

如上所述，雖然電子束被用於形成陽極、有機發光層及陰極之製程中，但薄膜電晶體之主動層係被源極115與汲極116所覆蓋。因此能夠防止薄膜電晶體之主動層受到損壞。

本發明所提供之一種有機電激發光裝置及其製造方法，係能夠改良源極與汲極之界面特性并可以防止薄膜電晶體之主動層由於X射線而受到損壞。因此，能夠提高有機電激發光裝置之性能并延長有機電激發光裝置之使用壽命。

雖然本發明以前述之較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習相像技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之專利保護範圍須視本說明書所附之申請專利範圍所界定者為準。

100‧‧‧透明基板

110‧‧‧薄膜電晶體

111‧‧‧源極區

112‧‧‧汲極區

113‧‧‧通道區

113a‧‧‧主動層

114‧‧‧閘極

115‧‧‧源極

115a‧‧‧表面活化劑層

115b‧‧‧導電層

115c‧‧‧鈍化層

116‧‧‧汲極

120‧‧‧閘極絕緣膜

130‧‧‧層間絕緣膜

140‧‧‧平化膜

150‧‧‧陽極

155‧‧‧像素隔離膜

160‧‧‧電洞注入層

165‧‧‧電洞傳輸層

170‧‧‧發光層

180‧‧‧電子傳輸層

185‧‧‧電子注入層

190‧‧‧陰極

第1圖為本發明一實施例之有機電激發光裝置之橫剖面圖；第2圖為第1圖之源極與汲極之橫剖面圖；第3圖為本發明另一實施例之有機電激發光裝置之橫剖面圖；以及第4A圖至第4E圖係表示了本發明一實施例之有機電激發光裝置之製造方法。

100‧‧‧透明基板

110‧‧‧薄膜電晶體

111‧‧‧源極區

112‧‧‧汲極區

113‧‧‧通道區

114‧‧‧閘極

115‧‧‧源極

116‧‧‧汲極

120‧‧‧閘極絕緣膜

130‧‧‧層間絕緣膜

140‧‧‧平化膜

150‧‧‧陽極

155‧‧‧像素隔離膜

160‧‧‧電洞注入層

165‧‧‧電洞傳輸層

170‧‧‧發光層

180‧‧‧電子傳輸層

185‧‧‧電子注入層

190‧‧‧陰極

Claims (11)

1. 一種有機電激發光裝置，係包含：一透明基板；一半導體層，係包含一源極區、一通道區及一汲極區；一閘極絕緣膜，係具有多個第一接觸孔，所述第一接觸孔位於該源極區與該汲極區之上並且形成於包含有該半導體層之所述基板之上；一閘極，係形成於該通道區上方的該閘極絕緣膜之上；一層間絕緣膜，係具有多個第二接觸孔，所述第二接觸孔位於該源極區與該汲極區之上並且形成於包含有該閘極之閘極絕緣膜的整個表面之上；一源極與一汲極，係形成於該層間絕緣膜之上藉以透過所述第一接觸孔與所述第二接觸孔電性連接至該源極區與該汲極區；一平化膜，係具有位於該汲極上的一第三接觸孔，並且該平化膜係形成於包含有該源極與該汲極之所述基板的整個表面之上；一陽極，係形成於該平化膜之上的一像素區中，藉以透過該第三接觸孔電性連接至該汲極；一有機發光層，係形成於該陽極之上；一陰極，係形成於該有機發光層之上；一電子傳輸層，形成於該有機發光層與該陰極之間； 一電子注入層，形成於該電子傳輸層於該陰極之間；一電洞傳輸層，形成於該陽極與該有機發光層之間；一電洞注入層，形成於該陽極於該電洞傳輸層之間；以及一像素隔離膜，位於該像素區之間的該平化膜上，其中，該源極與該汲極中的至少一個電極係形成為覆蓋該半導體層，以及其中該源極與該汲極中的至少一個電極之X射線透射率為0.001~0.1%並且係形成為具有三層導電層之三層結構，以及其中該三層結構係包含：一表面活化劑層，係由鈦(Ti)或鉬(Mo)製成；一導電層，係形成於該表面活化劑層之上並且係由從鉻(Cr)、銅(Cu)、金(Au)、鎳(Ni)、銀(Ag)、鉭(Ta)、鋁(Al)及鋁釹合金(AlNd)所組成的組合中選擇的材料製成；以及一鈍化層，係形成於該導電層之上并且係由純鈦(Ti)或純鎢(W)製成。
2. 如請求項1所述之有機電激發光裝置，其中該導電層之厚度為200奈米至500奈米。
3. 如請求項1所述之有機電激發光裝置，其中該鈍化層之厚度為30奈米至100奈米且X射線透射率為0.2~1.0%。
4. 如請求項1所述之有機電激發光裝置，其中該表面活化劑層之 厚度為30奈米至100奈米且X射線透射率為0.1~0.5%。
5. 如請求項1所述之有機電激發光裝置，其中該半導體層係由一閘極、一源極以及一汲極所覆蓋。
6. 一種有機電激發光裝置之製造方法，係包含：於一基板上形成一半導體層，該半導體層係包含一源極區、一通道區及一汲極區；於包含有該半導體層之該基板上形成一閘極絕緣膜；於該通道區上方的該閘極絕緣膜之上形成一閘極；於包含有該閘極之閘極絕緣膜的整個表面之上形成一層間絕緣膜；於該閘極絕緣膜與該層間絕緣膜中形成多個第一接觸孔藉以曝露出該源極區與該汲極區；於該層間絕緣膜之上形成一源極與一汲極，藉以透過該第一接觸孔電性連接至該源極區與該汲極區；於包含有該源極與該汲極之該基板的整個表面之上形成一平化膜；於該平化膜中形成一第二接觸孔藉以曝露出該汲極；於該平化膜之上的一像素區中形成一陽極，藉以透過該第二接觸孔電性連接至該汲極；於該陽極之上形成一有機發光層；於該有機發光層之上形成一陰極； 於該有機發光層與該陰極之間形成一電子傳輸層；於該電子傳輸層於該陰極之間形成一電子注入層；於該陽極與該有機發光層之間形成一電洞傳輸層；於該陽極於該電洞傳輸層之間形成一電洞注入層；以及於該像素區之間的該平化膜上形成一像素隔離膜，其中，該源極與該汲極中的至少一個電極係形成為覆蓋該半導體層，以及其中該源極與該汲極中的至少一個電極之X射線透射率為0.001~0.1%並且係形成為具有三層導電層之三層結構，以及其中形成該源極與該汲極之步驟包含：使用鈦(Ti)或鉬(Mo)於該層間絕緣膜上形成一表面活化劑層；使用從鉻(Cr)、銅(Cu)、金(Au)、鎳(Ni)、銀(Ag)、鉭(Ta)、鋁(Al)及鋁釹合金(AlNd)所組成的組合中選擇出的材料於該表面活化劑層之上形成一導電層；以及使用純鈦(Ti)或純鎢(W)於該導電層之上形成一鈍化層。
7. 如請求項6所述之有機電激發光裝置之製造方法，其中該導電層之厚度為200奈米至500奈米。
8. 如請求項6所述之有機電激發光裝置之製造方法，其中該鈍化層之厚度為30奈米至100奈米且X射線透射率為0.2~1.0%。
9. 如請求項6所述之有機電激發光裝置之製造方法，其中該表面活化劑層之厚度為30奈米至100奈米且X射線透射率為0.1~0.5%。
10. 如請求項6所述之有機電激發光裝置之製造方法，其中該半導體層係由一閘極、一源極以及一汲極所覆蓋。
11. 如請求項6所述之有機電激發光裝置之製造方法，其中該陽極、該有機發光層及該陰極中的至少一個係透過電子束沈積方法形成。