JP4690290B2 - 有機電界発光素子及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 43
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 127
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 39
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 37
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 29
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 13
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 12
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 11
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 10
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 21
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 16
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 8
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 6
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N divanadium pentaoxide Chemical compound O=[V](=O)O[V](=O)=O GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical group [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
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- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3026—Top emission
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
- H10K50/171—Electron injection layers
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
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Description
このような有機電界発光素子を駆動する方式は、受動マトリックス型と能動マトリックス型とに区分することができる。
図1に示したように、有機電界発光素子1は、相互に離隔され向かい合う第1基板12、第2基板28を含み、第1基板12上にはアレイ層14が形成されており、アレイ層14は、薄膜トランジスタTを含む。
スイッチング素子TSのゲート電極46にゲート信号が印加されると、データ配線44を流れる電流信号は、スイッチング素子TSを通じて電圧信号となって駆動素子TDのゲート電極68に印加される。
図5は、従来のOELDの発光部の概略的な断面図である。図5に示したように、有機電界発光素子1は、基板32上に形成された陽極36、正孔注入層HIL38a、正孔輸送層HTL38b、発光層38c、電子輸送層38d、電子注入層38e、陰極80が順に積層された構造である。
上部発光型で製作することによって開口領域を確保して輝度を改善し、薄膜トランジスタアレイ基板を設計するにおいて、設計の自由度を確保することを第2目的とする。
ネガティブタイプの薄膜トランジスタに基づいた駆動回路(CMOS回路)とスイッチング素子と駆動素子を構成することができ、工程の単純化によるコスト節減を第3目的とする。
陰極が酸化されるのを防いで有機電界発光素子の駆動不良を防ぐことを第4目的とする。
さらに、陰極の酸化を防いで、駆動不良を防ぐ。
本発明は、発光部を構成するにあたって、陰極を下部に構成し、陽極を上部に構成する構造であって、前記陰極が酸化されないようにすることを特徴とする。
図6に示したように、本発明による有機電界発光素子ELは、薄膜トランジスタアレイ基板100に陰極200、電子注入層(EIL)202、電子輸送層(ETL)204、発光層(EML)206、発光層206の上部に正孔輸送層(HTL)208、正孔注入層(HIL)210、陽極214を構成する。
さらに、陰極の酸化を防ぐことができ、駆動不良を防ぐ長所がある。
Claims (20)
- 画素領域を含む基板上に形成されたスイッチング素子と、
前記スイッチング素子に連結される駆動素子と、
前記駆動素子に連結される陰極と、
モリブデン(Mo)を含み、前記陰極上に形成された第1バッファ層と、
前記第1バッファ層の上部に形成されて、前記陰極の一部を露出させるコンタクトホールを前記第1バッファ層と共に有する保護層と、
前記コンタクトホールを通じて前記陰極と接触する発光層と、
前記発光層の上部に形成された陽極と
を含むことを特徴とする有機電界発光素子。 - 前記陽極は、インジウム−スズ−オキサイド(ITO)あるいはインジウム−ジンク−オキサイド(IZO)のいずれかを含むことを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光素子。
- 前記駆動素子は、第1ゲート電極、前記第1ゲート電極に対応する第1半導体層、第1ソース電極、前記第1ソース電極と離隔された第1ドレイン電極を含むネガティブタイプの薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光素子。
- 前記第1ドレイン電極は、前記陰極に連結されることを特徴とする請求項3に記載の有機電界発光素子。
- 前記第1ソース電極は、リング形状であり、前記第1ドレイン電極は、円形状であって、前記第1ドレイン電極は、前記第1ソース電極の内部に位置し、前記第1ソース電極と離隔されることを特徴とする請求項3に記載の有機電界発光素子。
- 前記スイッチング素子に連結されて、前記画素領域を定義するゲート配線及びデータ配線と、
前記ゲート配線及び前記データ配線のいずれかと交差するパワー配線を含むことを特徴とする請求項3に記載の有機電界発光素子。 - 前記ゲート配線の端部に形成されたゲートパッドと、
前記データ配線の端部に形成されたデータパッドと、
前記パワー配線の端部に形成されたパワーパッドと
をさらに含むことを特徴とする請求項6に記載の有機電界発光素子。 - 前記スイッチング素子は、前記ゲート配線に連結された第2ゲート電極、前記第2ゲート電極に対応する第2半導体層、前記データ配線に連結された第2ソース電極、前記第2ソース電極と離隔された第2ドレイン電極を含む薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項6に記載の有機電界発光素子。
- 前記パワー配線に連結される第1ストレージ電極と、前記第2ドレイン電極に連結された第2ストレージ電極と、前記第1、第2ストレージ電極間に位置する絶縁層を含むストレージキャパシターをさらに含むことを特徴とする請求項8に記載の有機電界発光素子。
- 前記第2ソース電極は、U形状であり、前記第12ドレイン電極は、棒形状であって、前記第2ドレイン電極は、前記第2ソース電極の内部に位置し、前記第2ソース電極と離隔されることを特徴とする請求項8に記載の有機電界発光素子。
- 画素領域を含む基板上にスイッチング素子と、前記スイッチング素子に連結される駆動素子を形成する段階と、
前記駆動素子に連結される陰極を形成する段階と、
前記陰極上にモリブデン(Mo)を含む第1バッファ層を形成する段階と、
前記第1バッファ層の上部に保護層を形成する段階と、
前記陰極の一部を露出させるコンタクトホールを形成するために、前記保護膜および前記第1バッファ層をエッチングする段階と、
前記コンタクトホールを通じて前記陰極と接触する発光層を形成する段階と、
前記発光層上に陽極を形成する段階と
を含むことを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。 - 前記陽極は、インジウム−スズ−オキサイド(ITO)あるいはインジウム−ジンク−オキサイド(IZO)のいずれかを含むことを特徴とする請求項11に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記駆動素子は、第1ゲート電極、前記第1ゲート電極に対応する第1半導体層、第1ソース電極、前記第1ソース電極と離隔された第1ドレイン電極を含むネガティブタイプの薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項11に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記第1ドレイン電極を前記陰極に連結する段階をさらに含むことを特徴とする請求項13に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記第1ソース電極は、リング形状であり、前記第1ドレイン電極は、円形状であって、前記第1ドレイン電極は、前記第1ソース電極の内部に位置し、前記第1ソース電極と離隔されることを特徴とする請求項13に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記スイッチング素子に連結されて、前記画素領域を定義するゲート配線及びデータ配線を形成する段階と、
前記ゲート配線及び前記データ配線のいずれかと交差するパワー配線を形成する段階と
を含むことを特徴とする請求項13に記載の有機電界発光素子の製造方法。 - 前記ゲート配線の端部に位置するゲートパッドを形成する段階と、
前記データ配線の端部に位置するデータパッドを形成する段階と、
前記パワー配線の端部に位置するパワーパッドを形成する段階と
をさらに含むことを特徴とする請求項16に記載の有機電界発光素子の製造方法。 - 前記スイッチング素子は、薄膜トランジスタであって、
前記薄膜トランジスタを形成する段階は、
前記ゲート配線に連結される第2ゲート電極を形成する段階と、
前記第2ゲート電極に対応する第2半導体層を形成する段階と、
前記データ配線に連結される第2ソース電極と、前記第2ソース電極と離隔された第2ドレイン電極を形成する段階と
を含む
ことを特徴とする請求項16に記載の有機電界発光素子の製造方法。 - 前記パワー配線に連結される第1ストレージ電極を形成する段階と、
前記第2ドレイン電極に連結される第2ストレージ電極を形成する段階と、
前記第1、第2ストレージ電極間に位置する絶縁層を形成する段階を含みストレージキャパシターを形成する段階と
をさらに含むことを特徴とする請求項18に記載の有機電界発光素子の製造方法。 - 前記第2ソース電極は、U形状であり、前記第2ドレイン電極は、棒形状であって、前記第2ドレイン電極は、前記第2ソース電極の内部に位置し、前記第2ソース電極と離隔されることを特徴とする請求項18に記載の有機電界発光素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2006-0060861 | 2006-06-30 | ||
KR20060060861A KR101276662B1 (ko) | 2006-06-30 | 2006-06-30 | 유기전계 발광소자와 그 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008016427A JP2008016427A (ja) | 2008-01-24 |
JP4690290B2 true JP4690290B2 (ja) | 2011-06-01 |
Family
ID=38777072
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006300320A Active JP4690290B2 (ja) | 2006-06-30 | 2006-11-06 | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7923916B2 (ja) |
JP (1) | JP4690290B2 (ja) |
KR (1) | KR101276662B1 (ja) |
CN (1) | CN100530677C (ja) |
DE (1) | DE102006054551B4 (ja) |
TW (1) | TWI357284B (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7931516B2 (en) * | 2007-07-20 | 2011-04-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic light-emitting apparatus and method of producing the same |
JP2010032838A (ja) * | 2008-07-30 | 2010-02-12 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 表示装置および表示装置の製造方法 |
KR101314787B1 (ko) * | 2009-10-01 | 2013-10-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 어레이 기판 |
KR101272892B1 (ko) * | 2009-11-11 | 2013-06-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 어레이 기판 |
KR101182445B1 (ko) * | 2010-04-01 | 2012-09-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 평판 표시 장치 및 그 제조방법 |
KR101335527B1 (ko) * | 2012-02-23 | 2013-12-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조 방법 |
KR20140101506A (ko) | 2013-02-08 | 2014-08-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 장치 |
KR102139355B1 (ko) * | 2013-12-31 | 2020-07-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 |
CN205318069U (zh) * | 2015-12-30 | 2016-06-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板和显示装置 |
CN110085600A (zh) * | 2018-01-25 | 2019-08-02 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 电连接结构及其制作方法、tft阵列基板及其制备方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004200141A (ja) * | 2002-10-24 | 2004-07-15 | Toyota Industries Corp | 有機el素子 |
JP2004241160A (ja) * | 2003-02-03 | 2004-08-26 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス装置 |
JP2004327436A (ja) * | 2003-04-28 | 2004-11-18 | Zheng-Hong Lu | フラーレン層を有する発光装置 |
JP2006156369A (ja) * | 2004-11-04 | 2006-06-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置、及び表示装置の作製方法 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4293434B2 (ja) | 1994-08-31 | 2009-07-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
US6046543A (en) * | 1996-12-23 | 2000-04-04 | The Trustees Of Princeton University | High reliability, high efficiency, integratable organic light emitting devices and methods of producing same |
US6909114B1 (en) * | 1998-11-17 | 2005-06-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having LDD regions |
US6366017B1 (en) * | 1999-07-14 | 2002-04-02 | Agilent Technologies, Inc/ | Organic light emitting diodes with distributed bragg reflector |
US7153592B2 (en) * | 2000-08-31 | 2006-12-26 | Fujitsu Limited | Organic EL element and method of manufacturing the same, organic EL display device using the element, organic EL material, and surface emission device and liquid crystal display device using the material |
KR100515861B1 (ko) * | 2001-09-19 | 2005-09-21 | 가부시끼가이샤 도시바 | 자기 발광형 표시 장치 |
US6956240B2 (en) | 2001-10-30 | 2005-10-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
KR100484591B1 (ko) * | 2001-12-29 | 2005-04-20 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 능동행렬 유기전기발광소자 및 그의 제조 방법 |
KR100461467B1 (ko) | 2002-03-13 | 2004-12-13 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 능동행렬 유기전기발광소자 |
KR100853220B1 (ko) | 2002-04-04 | 2008-08-20 | 삼성전자주식회사 | 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법 |
KR100462861B1 (ko) * | 2002-04-15 | 2004-12-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 블랙매트릭스를 구비한 평판표시장치 및 그의 제조방법 |
KR100493382B1 (ko) * | 2002-08-28 | 2005-06-07 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치의 제조방법 |
US6917159B2 (en) * | 2003-08-14 | 2005-07-12 | Eastman Kodak Company | Microcavity OLED device |
US7102155B2 (en) * | 2003-09-04 | 2006-09-05 | Hitachi, Ltd. | Electrode substrate, thin film transistor, display device and their production |
JP2005175248A (ja) | 2003-12-12 | 2005-06-30 | Sanyo Electric Co Ltd | フィールドシーケンシャル方式液晶表示装置 |
KR100979263B1 (ko) * | 2003-12-29 | 2010-08-31 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액티브 매트릭스형 유기전계발광 소자용 구동용박막트랜지스터 및 상기 구동용 박막트랜지스터를포함하는 액티브 매트릭스형 유기전계발광 소자 |
DE102004031109B4 (de) * | 2003-12-30 | 2016-03-31 | Lg Display Co., Ltd. | Organisches Lumineszenzdisplay vom Doppeltafeltyp sowie Verfahren zum Herstellen desselben |
JP4628690B2 (ja) | 2004-03-24 | 2011-02-09 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 有機発光表示装置 |
KR100653265B1 (ko) * | 2004-04-19 | 2006-12-06 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그 제조방법 |
US8241467B2 (en) * | 2004-08-10 | 2012-08-14 | Global Oled Technology Llc | Making a cathode structure for OLEDs |
US20060102910A1 (en) * | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing light emitting device |
-
2006
- 2006-06-30 KR KR20060060861A patent/KR101276662B1/ko active IP Right Grant
- 2006-11-06 JP JP2006300320A patent/JP4690290B2/ja active Active
- 2006-11-20 DE DE200610054551 patent/DE102006054551B4/de active Active
- 2006-12-11 CN CNB2006101656719A patent/CN100530677C/zh active Active
- 2006-12-15 TW TW95147287A patent/TWI357284B/zh active
- 2006-12-15 US US11/639,310 patent/US7923916B2/en active Active
-
2011
- 2011-03-04 US US13/040,936 patent/US8536778B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004200141A (ja) * | 2002-10-24 | 2004-07-15 | Toyota Industries Corp | 有機el素子 |
JP2004241160A (ja) * | 2003-02-03 | 2004-08-26 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス装置 |
JP2004327436A (ja) * | 2003-04-28 | 2004-11-18 | Zheng-Hong Lu | フラーレン層を有する発光装置 |
JP2006156369A (ja) * | 2004-11-04 | 2006-06-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置、及び表示装置の作製方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101276662B1 (ko) | 2013-06-19 |
DE102006054551B4 (de) | 2013-03-28 |
US7923916B2 (en) | 2011-04-12 |
DE102006054551A1 (de) | 2008-01-03 |
TW200803617A (en) | 2008-01-01 |
JP2008016427A (ja) | 2008-01-24 |
US8536778B2 (en) | 2013-09-17 |
TWI357284B (en) | 2012-01-21 |
KR20080002192A (ko) | 2008-01-04 |
US20110156573A1 (en) | 2011-06-30 |
US20080012470A1 (en) | 2008-01-17 |
CN100530677C (zh) | 2009-08-19 |
CN101097939A (zh) | 2008-01-02 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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