CN205318069U - 一种阵列基板和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种阵列基板和显示装置,用以使阵列基板的显示区域的平坦层上表面高于绑定区域的平坦层的上表面,从而改善或避免绑定区域绑定不良的现象。所述阵列基板包括显示区域和绑定区域,所述阵列基板包括平坦层,至少部分所述平坦层位于所述显示区域的图案厚度大于所述平坦层位于所述绑定区域的图案厚度。
Description
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板和显示装置。
背景技术
薄膜晶体管液晶显示面板(TFT-LCD),至少包括一阵列基板。阵列基板上设有栅线、源极和漏极等多个布线层。布线层的引入导致阵列基板表面的凹凸不平。通常,在阵列基板上设置有机树脂层分布于整个阵列基板,尽量保证显示区域的平坦化和器件的光学效果不受不影响。
然而,阵列基板的制备工艺大都是一次性形成分布于整个阵列基板的平坦层,平坦层位于绑定区域和显示区域具有基本相同的图案厚度,但由于绑定区域有较多的连接结构,例如过孔连接等,使得连接结构的底部与绑定区电路表面形成端差,容易造成绑定区域绑定不良的现象。
实用新型内容
本实用新型提供了一种阵列基板和显示装置,用以使阵列基板的显示区域的平坦层上表面高于绑定区域的平坦层的上表面,从而改善或避免绑定区域绑定不良的现象。
本实用新型提供了一种阵列基板,所述阵列基板包括显示区域和绑定区域,所述阵列基板包括平坦层,且所述平坦层位于所述显示区域的图案厚度大于所述平坦层位于所述绑定区域的图案厚度。
通过本实用新型提供的一种阵列基板,且阵列基板中包括显示区域和绑定区域,阵列基板中包括平坦层,且平坦层在显示区域的图案厚度大于平坦层位于绑定区域的图案厚度,使得显示区域的上表面高于绑定区域的上表面,从而改善或避免了绑定区域绑定不良的现象。
可选地,所述阵列基板还包括位于所述显示区域和绑定区域之间的过渡区域,至少部分所述平坦层位于所述过渡区域的图案厚度小于或等于所述平坦层位于所述显示区域的图案厚度。
可选地,至少部分所述平坦层位于所述过渡区域的图案厚度大于所述平坦层位于所述绑定区域的图案厚度。
可选地,至少部分所述平坦层位于所述过渡区域的图案厚度等于所述平坦层位于所述绑定区域的图案厚度。
可选地,所述阵列基板还包括位于所述显示区域和绑定区域之间的过渡区域,至少部分所述平坦层位于所述过渡区域的图案厚度大于或等于所述平坦层位于所述绑定区域的图案厚度。
可选地,至少部分所述平坦层位于绑定区域的图案厚度是所述平坦层位于显示区域图案厚度的1/5-1/20;或者,
所述平坦层位于绑定区域的图案厚度是至少部分所述平坦层位于过渡区域的图案厚度的1/4-1/10。
可选地,所述平坦层位于绑定区域的图案厚度为零。
可选地,至少部分所述平坦层位于所述过渡区域的图案为非连续结构或连续结构。
可选地,在至少一Gate边,所述平坦层位于所述过渡区域的图案为非连续结构;在至少一data边,所述平坦层位于所述过渡区域的图案为连续结构。
可选地,至少部分所述平坦层位于所述过渡区域的图案为对位标记或防静电保护层。
可选地,至少部分所述平坦层位于所述过渡区域的图案为正方形、或长方形、或圆形。
可选地,至少部分所述平坦层位于所述过渡区域的图案呈矩阵排列或错位排列。
可选地,所述平坦层位于所述过渡区域的图案靠近显示区域的至少部分栅线或数据线;或者位于显示区域的栅线或数据线周围。
可选地,所述平坦层位于所述过渡区域的图案位于栅线与栅线的引出线的连接处;或者所述平坦层位于所述过渡区域的图案位于数据线与数据线的引出线的连接处。
可选地,所述阵列基板还包括在所述过渡区域的平坦层图案上的支撑物。
可选地,所述平坦层为树脂层或彩膜层。
可选地,还包括薄膜晶体管、数据线以及像素电极,所述数据线以及所述像素电极与所述薄膜晶体管电连接,所述平坦层位于所述像素电极层与所述数据线层之间。
可选地,还包括公共电极,所述公共电极与所述像素电极之间具有树脂层,至少部分所述树脂层位于显示区域的图案厚度大于所述树脂层位于绑定区的图案厚度。
可选地,还包括公共电极,所述公共电极与栅线同层。
本实用新型提供了一种显示装置,包括本实用新型提供的阵列基板。
附图说明
图1为本实用新型提供的一种阵列基板的结构示意图;
图2为本实用新型提供的一种阵列基板的俯视示意图;
图3为本实用新型提供的第二种阵列基板的俯视示意图;
图4为本实用新型提供的第二种阵列基板的结构示意图;
图5为本实用新型提供的第三种阵列基板的结构示意图;
图6为本实用新型提供的第四种阵列基板的结构示意图;
图7为本实用新型提供的第三种阵列基板的俯视示意图;
图8为本实用新型提供的第五种阵列基板的俯视示意图;
图9为本实用新型提供的第六种阵列基板的俯视示意图;
图10为本实用新型提供的第七种阵列基板的俯视示意图;
图11为本实用新型提供的第八种阵列基板的俯视示意图;
图12为本实用新型提供的第九种阵列基板的俯视示意图;
图13为本实用新型提供的第十种阵列基板的俯视示意图;
图14为本实用新型提供的第四种阵列基板的结构示意图;
图15为本实用新型提供的第五种阵列基板的结构示意图;
图16为本实用新型提供的第十一种阵列基板的俯视示意图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本实用新型作进一步地详细描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本实用新型保护的范围。
需要说明的是,在本实用新型实施例或附图中,当描述元素A在另一元素B“上”或“下”,它可以表示A直接在B的“上方”或“下方”,也可以表示A和B之间有其他介质元素;元素A或元素B可以是层、区域或基板等,其他介质元素也可以是层、区域或基板等,在此不做限制。相反,当描述A“直接”的在B“上”或“下”,则表明A和B之间没有任何其他介质元素的存在。当描述元件C与元件D“连接“或“电连接”,它可以表示元件C直接或间接的与元件D连接或电连接,元件C或元件D可以是薄膜晶体管、二极管、电容、电阻、以及栅线、数据线、公共电极、引出线、绑定线等各种连接线等,在此不做限制。
本实用新型实施例提供了一种阵列基板和显示装置,包括平坦层,至少部分所述平坦层位于所述显示区域的图案厚度大于所述平坦层位于所述绑定区域的图案厚度,用以使阵列基板的显示区域的平坦层上表面高于绑定区域的平坦层的上表面,从而改善或避免绑定区域绑定不良的现象。
参见图1,本实用新型提供的一种阵列基板,阵列基板包括显示区域12和绑定区域13,阵列基板包括平坦层14,至少部分平坦层14位于显示区域12的图案厚度大于平坦层14位于绑定区域的图案厚度。其中,图1中还简易地画出了衬底基板10。需要说明的是,在衬底基板和平坦层之间还可以包括其他元素,例如:包括栅线层、栅绝缘层、有源层、源漏极层、钝化层中的一层或多层,这些元素可以采用构图工艺等方式形成,在此不做赘述。
参见图2,本实用新型实施例提供的阵列基板的俯视图,图2中阵列基板11包括显示区域12和绑定区域13,其中显示区域和绑定区域中均包括平坦层,且至少部分平坦层位于显示区域的图案厚度大于平坦层位于绑定区域的图案厚度。
在具体实施例中,绑定区域的分布范围不局限于在显示区域的左侧、右侧、上侧、下侧中一侧或多侧,绑定区域的分布范围也可以是位于显示区域的一侧或多侧的整体或局部区域,本实用新型不做具体限定。
在一具体实施例中,平坦层位于显示区域,起到平坦显示区域的作用;平坦层位于绑定区域时,因其图案厚度小于显示区图案厚度,使得贯穿平坦层的连接结构在绑定区域的底部与绑定区域上表面的端差得到减小,从而改善或避免绑定区域绑定不良的现象。
可选的,显示区域或绑定区域中可以全部区域设置平坦层,也可以部分区域设置平坦层。平坦层位于绑定区域的图案厚度可以为零或接近于零,也可以大于零。即平坦层可以分布于绑定区域,也可以不分布在绑定区域。绑定区域的图案厚度低于至少部分显示区域,阵列基板的显示区域的平坦层上表面高于绑定区域的平坦层上表面,在进行绑定时,可以改善或避免绑定不良的情况。
在又一具体实施例中,参见图3所示的阵列基板的俯视结构示意图,阵列基板11还设置有位于显示区域12和绑定区域13之间的过渡区域15,且参见图4所示的阵列基板的结构示意图,至少部分平坦层14位于过渡区域15的图案厚度小于或等于平坦层14位于显示区域12的图案厚度。
在具体实施例中,过渡区域为显示区域和绑定区域之间的区域。一般地,过渡区域包括显示区域的栅线或者数据线的引出线等布线层,以及布线层之间的过孔,使得过渡区域不平坦,因此平坦层分布于过渡区域,起到了平坦过渡区域的作用,同时过渡区域位于显示区域和绑定区域之间,通过过渡区域的图案厚度,在显示区域和绑定区域的图案厚度差之间起到了过渡的作用。
在具体实施例中,平坦层可以分布于整个过渡区域,也可以在过渡区域的部分区域,即过渡区域的部分区域的平坦层图案厚度为零或接近于零。
可选的,至少部分平坦层位于过渡区域的图案厚度小于或等于平坦层位于显示区域的图案厚度。
可选的,至少部分平坦层位于过渡区域的图案厚度可以大于平坦层位于绑定区域的图案厚度,也可以小于或等于平坦层位于绑定区域的图案厚度。
可选的,平坦层位于过渡区域的图案厚度小于或等于平坦层位于显示区域的图案厚度,且平坦层位于过渡区域的图案厚度大于平坦层位于绑定区域的图案厚度。
可选的,平坦层位于过渡区域的图案厚度小于或等于平坦层位于显示区域的图案厚度,至少部分平坦层位于过渡区域的图案厚度大于平坦层位于绑定区域的图案厚度,且至少部分平坦层位于过渡区域的图案厚度等于平坦层位于绑定区域的图案厚度。
在一具体实施例中,参见图5所示,平坦层14位于过渡区域15的图案厚度从显示区域到绑定区域呈连续递减趋势或阶梯状减小趋势变化。
在又一实施例中,参见图6,平坦层14位于过渡区域15的图案厚度大于平坦层14位于绑定区域13的图案厚度。
需要说明的是,平坦层位于显示区域、过渡区域和绑定区域的图案厚度差异可以根据实际情况设置。
可选的,平坦层位于绑定区域的图案厚度是平坦层位于显示区域图案厚度的1/5-1/20。例如:平坦层位于绑定区域的图案厚度0.25微米,平坦层位于显示区域图案厚度是2.5微米。
可选的,平坦层位于绑定区域的图案厚度是平坦层位于过渡区域的图案厚度的1/4-1/10。例如:平坦层位于绑定区域的图案厚度0.25微米,平坦层位于过渡区域的图案厚度是1微米。
可选的,平坦层位于绑定区域的图案厚度是零,平坦层位于过渡区域的图案厚度与平坦层位于显示区域的图案厚度相同或接近相同。
需要说明的是,本实施例中对平坦层位于显示区域、绑定区域和/或过渡区域的图案厚度进行的调整均可以在制作工艺中完成,例如:构图工艺、印刷、打印等制作工艺。本实施例中对平坦层位于显示区域、绑定区域和/或过渡区域的图案厚度进行的调整可以是在同一次或不同次制作工艺完成。例如:通过在同一次构图工艺中刻蚀步骤完成。当然,平坦层在同一区域的厚度也可以在同一次或不同次制作工艺完成。例如:位于显示区域的平坦层可以通过一次或多次构图工艺形成,因此平坦层位于显示区域的图案厚度也非绝对相等。
平坦层位于过渡区域的图案位置、数量和形状,本实施例不作具体限定。
可选的,平坦层位于过渡区域的图案可以位于Gate边和/或Data边。进一步的,平坦层靠近显示区域的至少部分栅线或数据线,或者位于显示区域的栅线或数据线周围。当然,Gate边和/或Data边的平坦层的图案形状或数量,均可以相同或不相同。
可选的,平坦层位于过渡区域为非连续结构。例如,平坦层间隔分布,如图7-图9。
可选的,平坦层位于过渡区域的图案可以为连续结构。例如,平坦层呈块状,如图10。
可选的,平坦层位于过渡区域的图案可以设置成有序的排列结构,例如多个平坦层图案排列成矩阵结构,或者将多个平坦层图案连续排列成一行,或者平坦层相互图案之间错位排列,本实施例不作具体限定。
在一具体实施例中,平坦层位于过渡区域的图案为对位标记。
在具体实施例中,为了保证阵列基板与对位基板结合(例如彩膜基板)的精准度,一般在阵列基板中设置对位标记。本实施例中将平坦层位于过渡区域的图案作为对位标记。即将对位标记作为标志,提高了阵列基板和对位基板的对位精准度。
可选的,对位标记的图案为正方形、或长方形、或圆形。
在具体实施例中,平坦层位于过渡区域的图案作为对位标记,且对位标记的图案可以为多个或者一个,对位标记的图案可以为各种图形,参见图7,对位标记的图案16可以为正方形,参见图8,对位标记的图案16可以为长方形,或者参见图9,对位标记的图案16可以为圆形,或者参见图10,对位标记的图案16可以分布在整个过渡区域。
需要说明的是,对位标记的图案可以为其他任意形状,本实施例不作具体限定。
可选地,对位标记的图案为多个。
在具体实施例中,对位标记的图案可以为一个或者多个,且过渡区域的对位标记图案为多个时,同一个阵列基板中的多个对位标记图案可以相同,或者不同,在此不作具体限定。
可选地,对位标记图案靠近显示区域的至少部分栅线或数据线,或者位于显示区域的栅线或数据线周围。
在具体实施例中,过渡区域中包括显示区域的栅线或者数据线的引出线,以及连接线层之间的过孔,对位标记图案可以位于显示区域的栅线或数据线周围。例如:在Gate边的过渡区,对位标记图案位于显示区域的栅线与栅线的引出的连接处;在Data边的过渡区,对位标记图案位于显示区域的数据线与数据线的引出线的连接处。
可选的,对位标记图案位于显示区域的栅线与栅线的引出线的连接处的pad(该Pad是显示区域的栅线的引出pad,便于显示区域的栅极线与栅极线的连接线稳定连接),如此,可不额外设置对位标记,充分利用阵列基板空间。
可选地,多个对位标记图案呈矩阵排列。
在具体实施例中,对位标记图案为多个时,可以将对位标记图案设置成有序的排列结构,例如多个对位标记图案排列成矩阵结构,或者将多个对位标记图案连续排列成一行,或者相互图案之间错位排列,本实施例不作具体限定。
在具体实施例中,参见图11,对位标记图案16为多个时,多个对位标记图案16可以呈矩阵排列。参见图12,对位标记图案16排成一行或者一列。
在又一实施例中,平坦层位于过渡区域的图案为防止过渡区域静电击穿的防静电保护层。
在具体实施例中,在过渡区域,例如:栅极线层与数据线层过孔连接的位置处,设置平坦层作为防静电保护层,可以防止过孔结构在工艺过程中因聚集静电荷而被击穿。需要说明的是,栅极线层与数据线层可以是通过过孔直接连接,也可以是过孔处通过其他导电层(例如像素电极ITO)连接。即防静电保护层可以位于过孔位置的上方,也可以是过孔贯穿防静电保护层。
可选地,参见图13,阵列基板还包括在过渡区域15的对位标记图案16上的支撑物17。
其中图13为阵列基板的俯视图,且支撑物在过渡区域的投影为圆形,其中支撑物的形状仅是以圆形为例进行画图,不仅限于将支撑物设置为圆形。参见图14所示阵列基板的截面示意图,支撑物17位于过渡区域的平坦层图案上,且支撑物的形状不作具体限定。
在具体实施例中,在过渡区域中的设置的对位标记图案结构上设置支撑物(PS)结构,支撑物可以为主支撑物,也可以为辅支撑物。在过渡区域中的标记图案为多个时,支撑物可以设置在每个对位标记图案上,或者设置在一部分对位标记图案上。因此,在通过对位标记图案实现阵列基板和彩膜基板对位精准度的同时,在对位标记图案上设置支撑物,又可以支撑盒厚,避免因制备或搬运过程中阵列基板弯折造成的显示不良。
需要说明的是,阵列基板中平坦层对位标记图案上的支撑物的制作工艺可以与阵列基板的一起完成,例如采用阵列基板的导电层(例如源漏电极层,像素电极层)或非导电层(例如绝缘层),在此不再赘述。
可选地,所述支撑物为多个。
在具体实施例中,一个阵列基板中的支撑物可以为多个或者一个。当过渡区域中的平坦层图案布满整个过渡区域时,支撑物可以位于平坦层图案中间隔排布,或者分布在过渡区域的两端。本实用新型不作具体限定。
在又一实施例中,平坦层可以为树脂层或彩膜层。
在具体实施例中,本实施例中平坦层可以为树脂层,或者彩膜层。将树脂材料作为平坦层,当树脂层位于显示区域时,可以通过树脂层较低的介电常数,降低器件的功耗。例如:作为像素电极和数据线之间的树脂介电层,降低器件的功耗。当然,如果树脂层位于绑定区域,可以作为保护层防止绑定区域静电击穿的保护层。如果树脂层位于过渡区域,可以作为对位标记或防止过渡区域静电击穿的保护层。
当彩膜基板在阵列基板上的结构时(ColourFilteronArray,简称COA),即平坦层为彩膜层的一种或多种图案。一般彩膜层包括R、G、B三种图案。当然也可以包括其他色彩图案。彩膜层位于显示区域时,用于透光显示。如果彩膜层位于绑定区域,可以作为保护层防止绑定区域静电击穿。如果位于过渡区域,可以作为对位标记或防止过渡区域静电击穿的防静电保护层。
下面以平坦层为彩膜层为例进行说明,参见图15及图16,一种阵列基板的结构包括:显示区域12,在衬底基板21上依次形成的栅线20和薄膜晶体管的栅极22a、栅绝缘层23、薄膜晶体管的有源层24、薄膜晶体管的源极22b、漏极22c以及数据线25、钝化层26、彩膜层27、像素电极层28、第二绝缘层29,以及公共电极210。
其中,栅线和薄膜晶体管的栅极可以同层设置并相互电连接,薄膜晶体管的源极与数据线电连接,薄膜晶体管的漏极通过过孔30与像素电极层28电连接。
具体地,在阵列基板的绑定区域13中包括绑定数据线25′,且位于绑定数据线25′上方的彩膜层的上表面低于显示区域的彩膜层的上表面,从而改善或避免了绑定区域的绑定不良的现象。
参见图15以及图16的结构示意图,在阵列基板的绑定区域13设有用于与驱动电路绑定的绑定栅线20′和绑定数据线25′,绑定栅线20′与栅线20同层设置,绑定数据线25′与数据线25同层设置;且绑定栅线20′的通过过孔21′连接栅线20;绑定数据线25′的上方设有数据线连接过孔51′,数据线连接过孔51′穿透像素电极第二绝缘层29、彩膜层27和钝化层26。此外在形成公共电极210的同时,在栅线连接过孔和数据线连接过孔51′中填充有独立的公共电极金属,以起到改善绑定驱动电路时导通效果的作用。
进一步的,公共电极所在的层和数据线所在的层之间的第二绝缘层29为树脂层,且该树脂层位于显示区的图案厚度大于树脂层位于绑定区的彩膜层图案厚度。即树脂层位于绑定区域的上表面小于显示区域的树脂层的上表面,从而进一步改善或避免了绑定区域的绑定不良的现象。
需要说明的是,上述描述的阵列基板结构只是作为一种实施例进行举例说明,并不仅限于本实施例提供的阵列基板的结构中对彩膜层的设计。
当然,对彩膜层的设计还可以适用于其他阵列基板结构。例如:
方式一、参考附图15,其中可以不包括公共电极210,以及第二绝缘层29。其中连接过孔51′填充的材料可以是单独导电材料,或还可以采用像素电极的材料。
方式二、参考附图15,其中公共电极210采用栅线的材料,与栅线同一次工艺制作。其中连接过孔51′填充的材料可以是单独导电材料,或还可以采用像素电极的材料。当然,还可以不包括第二绝缘层29和/或钝化层26。
本实用新型提供的一种显示装置,包括本实用新型任一实施例提供的阵列基板。
在具体实施例中提供的显示装置,包括本实用新型任一实施例提供的阵列基板,因此,本实施例提供的显示装置,可以避免绑定区域绑定不良的现象。
需要说明的是,本实用新型实施例提供的显示装置可以是液晶显示面板、液晶显示器、有机电致发光器、电子纸、相机等电子设备。
本实用新型实施例提供的一种阵列基板和显示装置,设置有显示区域和绑定区域,且阵列基板中设置有平坦层,使得至少部分平坦层位于绑定区域的图案厚度小于平坦层位于显示区域的图案厚度,即阵列基板的显示区域的上表面高于绑定区域的上表面,从而可以改善或避免绑定区域绑定不良的现象。另外,还可以包括过渡区域,至少部分平坦层位于显示区域的图案厚度大于或等于平坦层位于过渡区域的图案厚度,且至少部分平坦层位于过渡区域的图案厚度大于平坦层位于绑定区域的图案厚度,也可以改善或避免了绑定区域绑定不良的现象。另外,平坦层位于过渡区域的图案可以作为对位标记或防静电保护层,提高了阵列基板的对位精准度或防止绑定区域静电击穿的作用。
显然,本领域的技术人员可以对本实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样,倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内,则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (20)
1.一种阵列基板,所述阵列基板包括显示区域和绑定区域,其特征在于,所述阵列基板包括平坦层,至少部分所述平坦层位于所述显示区域的图案厚度大于所述平坦层位于所述绑定区域的图案厚度。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括位于所述显示区域和绑定区域之间的过渡区域,至少部分所述平坦层位于所述过渡区域的图案厚度小于或等于所述平坦层位于所述显示区域的图案厚度。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,至少部分所述平坦层位于所述过渡区域的图案厚度大于所述平坦层位于所述绑定区域的图案厚度。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,至少部分所述平坦层位于所述过渡区域的图案厚度等于所述平坦层位于所述绑定区域的图案厚度。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括位于所述显示区域和绑定区域之间的过渡区域,至少部分所述平坦层位于所述过渡区域的图案厚度大于或等于所述平坦层位于所述绑定区域的图案厚度。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,至少部分所述平坦层位于绑定区域的图案厚度是所述平坦层位于显示区域图案厚度的1/5-1/20;或者,
所述平坦层位于绑定区域的图案厚度是至少部分所述平坦层位于过渡区域的图案厚度的1/4-1/10。
7.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述平坦层位于绑定区域的图案厚度为零。
8.根据权利要求2-6任一权项所述的阵列基板,其特征在于,至少部分所述平坦层位于所述过渡区域的图案为非连续结构或连续结构。
9.根据权利要求8所述的阵列基板,其特征在于,在至少一Gate边,所述平坦层位于所述过渡区域的图案为非连续结构;在至少一data边,所述平坦层位于所述过渡区域的图案为连续结构。
10.根据权利要求2-6任一权项所述的阵列基板,其特征在于,至少部分所述平坦层位于所述过渡区域的图案为对位标记或防静电保护层。
11.根据权利要求10所述的阵列基板,其特征在于,至少部分所述平坦层位于所述过渡区域的图案为正方形、或长方形、或圆形。
12.根据权利要求2-6任一权项所述的阵列基板,其特征在于,至少部分所述平坦层位于所述过渡区域的图案呈矩阵排列或错位排列。
13.根据权利要求2-6任一权项所述的阵列基板,其特征在于,所述平坦层位于所述过渡区域的图案靠近显示区域的至少部分栅线或数据线;或者位于显示区域的栅线或数据线周围。
14.根据权利要求2-6任一权项所述的阵列基板,其特征在于,所述平坦层位于所述过渡区域的图案位于栅线与栅线的引出线的连接处;或者所述平坦层位于所述过渡区域的图案位于数据线与数据线的引出线的连接处。
15.根据权利要求2-6任一权项所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括在所述过渡区域的平坦层图案上的支撑物。
16.根据权利要求2-7任一权项所述的阵列基板,其特征在于,所述平坦层为树脂层或彩膜层。
17.根据权利要求16所述的阵列基板,其特征在于,还包括薄膜晶体管、数据线以及像素电极,所述数据线以及所述像素电极与所述薄膜晶体管电连接,所述平坦层位于所述像素电极所在的层与所述数据线所在的层之间。
18.根据权利要求17所述的阵列基板,其特征在于,还包括公共电极,所述公共电极与所述像素电极之间具有树脂层,至少部分所述树脂层位于显示区域的图案厚度大于所述树脂层位于绑定区的图案厚度。
19.根据权利要求17所述的阵列基板,其特征在于,还包括公共电极,所述公共电极与栅线同层。
20.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-19任一权项所述的阵列基板。
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Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106206617A (zh) * | 2016-08-29 | 2016-12-07 | 武汉华星光电技术有限公司 | 基于低温多晶硅的阵列基板及其制作方法 |
WO2017113890A1 (zh) * | 2015-12-30 | 2017-07-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板和显示装置 |
CN107564923A (zh) * | 2017-10-13 | 2018-01-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、柔性显示装置 |
CN108257974A (zh) * | 2018-01-02 | 2018-07-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、显示装置以及制备阵列基板的方法 |
CN109727920A (zh) * | 2018-12-18 | 2019-05-07 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Tft基板的制作方法及tft基板 |
CN111081151A (zh) * | 2020-01-08 | 2020-04-28 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板 |
CN111584604A (zh) * | 2020-05-28 | 2020-08-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示基板及其制作方法、显示装置 |
CN111681540A (zh) * | 2020-06-28 | 2020-09-18 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示面板、显示屏及电子设备 |
CN114171665A (zh) * | 2021-12-09 | 2022-03-11 | 惠州华星光电显示有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
US11915078B2 (en) | 2020-06-28 | 2024-02-27 | Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co. Ltd. | Display panel, display screen, and electronic apparatus |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107579171B (zh) * | 2017-08-31 | 2019-07-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光显示基板及其制作方法、显示装置 |
CN110277510B (zh) * | 2019-06-27 | 2021-03-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其制备方法、以及显示装置 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SG142140A1 (en) * | 2003-06-27 | 2008-05-28 | Semiconductor Energy Lab | Display device and method of manufacturing thereof |
KR101276662B1 (ko) * | 2006-06-30 | 2013-06-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광소자와 그 제조방법 |
KR101350709B1 (ko) * | 2007-02-20 | 2014-01-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시패널 및 표시기판의 제조 방법 |
US7931516B2 (en) * | 2007-07-20 | 2011-04-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic light-emitting apparatus and method of producing the same |
TW201022779A (en) * | 2008-12-12 | 2010-06-16 | Au Optronics Corp | Pixel array and manufacturing method thereof |
TWI392057B (zh) * | 2009-01-23 | 2013-04-01 | Au Optronics Corp | 薄膜電晶體陣列基板及其製造方法 |
KR101595818B1 (ko) * | 2009-08-26 | 2016-02-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
CN102629046B (zh) * | 2011-06-29 | 2015-05-20 | 北京京东方光电科技有限公司 | 阵列基板及其制造方法、液晶显示器件 |
US20130087784A1 (en) * | 2011-10-05 | 2013-04-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
KR102054233B1 (ko) * | 2012-12-26 | 2019-12-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
CN104330911B (zh) * | 2014-11-14 | 2017-11-14 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种显示面板及其制作方法、显示装置 |
KR102404577B1 (ko) * | 2015-03-27 | 2022-06-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
CN205318069U (zh) * | 2015-12-30 | 2016-06-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板和显示装置 |
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Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017113890A1 (zh) * | 2015-12-30 | 2017-07-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板和显示装置 |
CN106206617A (zh) * | 2016-08-29 | 2016-12-07 | 武汉华星光电技术有限公司 | 基于低温多晶硅的阵列基板及其制作方法 |
CN107564923A (zh) * | 2017-10-13 | 2018-01-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、柔性显示装置 |
WO2019072230A1 (zh) * | 2017-10-13 | 2019-04-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制备方法、显示装置及其制备方法 |
CN108257974B (zh) * | 2018-01-02 | 2021-08-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、显示装置以及制备阵列基板的方法 |
CN108257974A (zh) * | 2018-01-02 | 2018-07-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、显示装置以及制备阵列基板的方法 |
CN109727920A (zh) * | 2018-12-18 | 2019-05-07 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Tft基板的制作方法及tft基板 |
CN111081151A (zh) * | 2020-01-08 | 2020-04-28 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板 |
CN111584604A (zh) * | 2020-05-28 | 2020-08-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示基板及其制作方法、显示装置 |
CN111681540A (zh) * | 2020-06-28 | 2020-09-18 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示面板、显示屏及电子设备 |
CN111681540B (zh) * | 2020-06-28 | 2021-07-06 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示面板、显示屏及电子设备 |
US11915078B2 (en) | 2020-06-28 | 2024-02-27 | Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co. Ltd. | Display panel, display screen, and electronic apparatus |
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