CN114171665A - 显示面板及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种显示面板及其制备方法。所述显示面板包括：基板，所述第二绑定区中的基板厚度小于所述第一绑定区中的基板厚度；设于所述第一绑定区和所述第二绑定区中的所述基板的表面上的绑定走线层。所述绑定走线层远离所述第一绑定区的一侧面与所述基板远离所述第一绑定区的一侧面位于同一平面上。
Description
技术领域
本发明涉及显示设备领域，特别是一种显示面板及其制备方法。
背景技术
随着小间距Mini LED直显技术推进，信号走线之间的间距也越来越小。当间距＜0.5mm时，则需要启用Side Bonding(侧面绑定)工艺或Back Bonding(背面绑定)工艺将显示面板的显示区与外界驱动连接。目前这两种Bonding技术最大的瓶颈在于面板的侧面印刷的导电走线。
现有的侧面导线技术主要用银浆硅胶印刷，然而银浆的解析度不高，容易导致走线与走线之间连接，良率低，还需要通过激光刻线将走线分离。并且银浆印刷的工艺稳定度不高，银浆的调配、工艺节点之间的等待时间(Queue Time，Q-Time)、模具残留银浆的清洗等工艺管控一旦出现差错，便容易造成印刷不良。同时，银浆附着力还与玻璃基板的侧磨工艺具有很大关系，而玻璃侧磨会给基板带来很大的破片风险。
发明内容
本发明的目的是提供一种显示面板及制备方法，以解决现有技术中通过银浆硅胶印刷工艺的稳定性不高、所制备的侧面导线良率低以及玻璃侧磨所带来的破片风险等。
为实现上述目的，本发明提供一种显示面板，所述显示面板具有一第一绑定区以及与所述第一绑定区连接的第二绑定区。所述显示面板包括基板和绑定走线层。所述第二绑定区中的基板额厚度小于所述第一绑定区中的基板的厚度。所述绑定走线层设于所述第一绑定区和所述第二绑定区中的所述基板的表面上。所述绑定走线层远离所述第一绑定区的一侧面与所述基板远离所述第一绑定区的一侧面位于同一平面上。
进一步地，所述基板包括主体部和延伸部。所述延伸部设于所述主体部的一侧，所述延伸部的厚度小于所述主体部的厚度。
进一步地，所述主体部的远离所述绑定走线层的一表面与所述延伸部远离所述绑定走线层的一表面位于同一平面上。
进一步地，所述绑定走线层包括第一金属层和第二金属层。所述第一金属层设于所述主体部上，并从所述主体部延伸覆盖至所述延伸部上，所述第二金属层设于所述第一金属层远离所述基板的一表面上。所述第一金属层的厚度小于所述第二金属层的厚度。
进一步地，所述主体部和所述第一金属层的厚度总和小于所述延伸部、所述第一金属层和所述第二金属层的厚度总和。
进一步地，所述绑定走线层的材料中包括铜。
进一步地，所述显示面板还具有一显示区，所述显示区设于所述第一绑定区远离所述第二绑定区的一侧。
所述显示面板还包括薄膜晶体管和覆晶薄膜。所述薄膜晶体管设于所述基板上，并位于所述显示区内。所述覆晶薄膜从所述延伸部远离所述绑定走线的一表面延伸至所述绑定走线远离所述主体部的一表面上。
本发明中还提供一种显示面板的制备方法，所述制备方法中包括以下步骤：
提供一基板，所述基板具有第一绑定区、第二绑定区和切除区，所述切除区与第二绑定区相连，所述第二绑定区远离所述切除区的一侧与所述第一绑定区连接，所述切除区与所述第二绑定区之间的分界线为切割线；在所述基板上开设凹槽，所述切割线位于所述凹槽中；在所述基板上形成绑定走线层，所述绑定走线层覆盖所述第一绑定区、所述第二绑定区及所述切除区并填充所述凹槽；沿所述切割线切割所述基板和所述绑定走线层，去除所述切除区中的所述基板与所述绑定走线层。
进一步地，在所述基板上形成所述绑定走线层步骤中包括以下步骤：在所述基板上通过沉积形成第一金属层；在所述第一金属层上通过电镀工艺形成第二金属层。
进一步地，在所述基板上形成所述绑定走线层步骤中还包括以下步骤：在所述第一金属层上形成光阻层；制备所述第二金属层后去除所述光阻层以及所述光阻层所覆盖的第一金属层。
本发明的优点是：本发明中所提供的一种显示面板及其制备方法，无需采用银浆印刷工艺，从而解决了银浆印刷工艺所带来的工艺稳定性差、良率等问题，也规避了玻璃侧磨所带来的破片风险。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例中显示面板的层状结构示意图；
图2为本发明实施例中显示面板制备方法的流程示意图；
图3为本发明实施例中步骤S10后基板的层状结构示意图；
图4为本发明实施例中步骤S20后显示面板的层状结构示意图；
图5为本发明实施例中步骤S30后显示面板的层状结构示意图；
图6为本发明实施例中步骤S40中显示面板的层状结构示意图；
图7为本发明实施例中步骤S40后显示面板的层状结构示意图；
图8为本发明实施例中步骤S50中显示面板的层状结构示意图。
图中部件表示如下：
显示面板1； 第一绑定区1A；
第二绑定区1B； 显示区1C；
基板10； 主体部11；
延伸部12； 延伸部远离所述主体部的侧面13；
绑定走线层20； 第一金属层21；
第二金属层22； 绑定走线层远离主体部的侧面23；
切除区1D； 凹槽14；
光阻层30。
具体实施方式
以下参考说明书附图介绍本发明的优选实施例，证明本发明可以实施，所述发明实施例可以向本领域中的技术人员完整介绍本发明，使其技术内容更加清楚和便于理解。本发明可以通过许多不同形式的发明实施例来得以体现，本发明的保护范围并非仅限于文中提到的实施例。
本发明实施例中提供了一种显示面板1，所述显示面板1用于为电子装提供显示画面。如图1所示，所述显示面板1具有一第一绑定区1A、一第二绑定区1B以及一显示区1C。所述第二绑定区1B与所述第一绑定区1A的一侧相连，所述显示区1C则与所述第一绑定区1A远离所述第二绑定区1B的一侧相连。
所述显示面板1中包括一基板10和一绑定走线层20。
所述基板10为硬性基板10，其材料可以为玻璃、石英等。所述基板10包括一主体部11和一延伸部12。所述主体部11覆盖所述第一绑定区1A和所述显示区1C。所述延伸部12覆盖所述第二绑定区1B，并与所述主体部11的一侧连接。其中，所述主体部11的厚度大于所述延伸部12的厚度，并且所述延伸部12的底面(即所述延伸部12远离所述绑定走线层20的一表面)与所述主体部11(即所述主体部11远离所述绑定走线层20的一表面)的底面位于同一平面上，使所述主体部11朝向所述延伸部12的部分侧面裸露，同时使所述基板10的底面齐平，便于在所述基板10的底面上贴覆外接驱动。
所述绑定走线层20中排布了若干走线，所述走线等距排布在所述基板10的边缘。如图1所示，所述绑定走线层20设于所述第一绑定区1A中的主体部11上，并从所述主体部11延伸覆盖至所述第二绑定区1B中的延伸部12上。所述绑定走线层20远离所述主体部11(即远离所述第一绑定区1A)的一侧面23与所述延伸部12远离所述主体部11(即远离所述第一绑定区1A)的一侧面13位于同一平面上，从而在所述基板10的侧面形成导电结构。所述绑定走线层20位于所述第一绑定区1A中的一端与所述显示区1C中的显示器件电连接，而所述绑定走线层20位于所述基板10侧面的一端与外接驱动电连接，所述外界驱动通过所述绑定走线层20与所述显示器件连接，从而向所述显示区1C传输显示信号。
具体的，所述绑定走线层20包括一第一金属层21以及一第二金属层22。所述第一金属层21设于所述主体部11上，并从所述主体部11位于所述第一绑定区1A中的顶面顺着所述主体部11朝向所述延伸部12的侧面延伸覆盖至所述延伸部12的顶面上。所述第二金属层22设于所述第一金属层21远离所述基板10的一表面上。具体的，所述第一金属层的厚度小于所述第二金属层的厚度，所述第二绑定区1B中所述延伸部12、所述第一金属层21和所述第二金属层22的厚度总和大于所述第一绑定区1A中所述主体部11和所述第一金属层21的厚度总和，使所述第二绑定区1B中的第二金属层22能与所述第一绑定区1A中的第二金属层22连接。
在所述显示区1C中，所述显示面板1的显示器件包括若干薄膜晶体管和发光器件。所述薄膜晶体管阵列排布在所述主体部11上，形成阵列基板，并通过信号走线与位于第一绑定区1A中的绑定走线层20电连接。所述发光器件排布在所述阵列基板上，并与所述薄膜晶体管电连接。所述发光器件可以为OLED(有机发光二极管)、Mini LED(迷你发光二极管)、Micro LED(微型发光二极管)等。所述外界驱动的显示信号通过所述绑定走线20传输至所述阵列基板中，所述阵列基板中的薄膜晶体管根据所述显示信号控制每一像素单元中发光器件的开启或关闭，从而控制画面图像的显示及变化。
所述外界驱动包括覆晶薄膜(Chip On Film，COF)。所述覆晶薄膜设于所述基板10远离所述薄膜晶体管的一表面上，并从所述延伸部12的底面(即所述延伸部12远离所述绑定走线层20的一表面)延伸覆盖至所述绑定走线层20的侧面23(即所述绑定走线层20远离第一绑定区1A)上，通过所述绑定走线层20与所述薄膜晶体管电连接。具体的，所述覆晶薄膜中设有IC(集成电路)芯片和柔性电路板(Flexible Printed Circuit Board，FPC)。所述柔性电路板覆于所述基板10上，并从所述基板的延伸部10的底面延伸至所述百年固定走线20的侧面23上，与所述绑定走线层20电连接。所述IC芯片设于所述柔性电路板上，同时还位于所述基板10的底面上。所述IC芯片用于发送显示信号，所述显示信号依次通过所述柔性电路版、所述绑定走线层20传输至所述阵列基板的薄膜晶体管上。所述覆晶薄膜通过软质附加电路板(即柔性电路板)作为封装芯片的载体，将芯片(即IC芯片)与阵列基板电路连接，为所述显示面板1输送显示信号。
所述绑定走线层20的侧面23与所述基板10的面板齐平，从而使所述外接驱动可以在所述显示面板1的侧面与所述阵列基板电连接，进而大大减少所述显示面板1的边框宽度，并扩大所述显示区1C的面积，提高屏占比，实现窄边框显示，提高用户的体验感。
本发明实施例中还通过了一种显示面板1的制备方法，用以制备如上所述的显示面板1。具体的，所述显示面板1制备方法的流程如图2所示，其包括以下步骤：
步骤S10)在一基板10上形成凹槽14：
如图3所示，准备一基板10，在所述基板10上设定切割线，所述切割线如图3中虚线所示。所述切割线的一侧为切除区1D，所述切割线的另一侧为所述显示面板1的第二绑定区1B。在所述基板10的表面上通过激光开设凹槽14，所述凹槽14从所述第二绑定区1B延伸至所述切除区1D，所述切割线在位于所述凹槽14中。
步骤S20)在所述基板10上形成第一金属层21：
如图4所示，通过物理气相沉积法(PVD)在所述基板10开设凹槽14的一表面上沉积一层金属薄膜，形成所述第一金属层21，所述第一金属层21均匀覆盖在第一绑定区1A、第二绑定区1B、显示区1C以及切除区1D。其中，所述金属薄膜为铜薄膜。
步骤S30)在所述第一金属层21上形成光阻层30：
如图5所示，在所述第一金属层21远离所述基板10的一表面上涂布一层光阻材料，并通过黄光制程将该层光阻材料固化以及图案化，形成遮挡部分第一金属层21的光阻层30。
步骤S40)在所述第一金属层21上形成第二金属层22：
如图6所示，通过电镀工艺在裸露的第一金属层21上制备一层铜金属，形成所述第二金属层22，所述第二金属层22填充所述凹槽14。如图7所示，通过刻蚀液将所述光阻层30以及所述光阻层30所覆盖的第一金属层21去除，留下所述第二金属层22以及所述第二金属层22所覆盖的第一金属层21，所述第二金属层22和所述第一金属层21组合形成绑定走线层20。
步骤S50)去除所述切除区1D中的基板10和绑定走线层20：
如图8所示，将所述基板10翻面，将所述基板10远离所述绑定走线层20的底面朝向切割器械，利用激光切割工艺沿所述切割线将所述切除区1D中的基板10和绑定走线层20与所述第二绑定区1B中的基板10和绑定走线层20分离，去除所述切除区1D中的基板10和绑定走线层20，形成如图1所示的显示面板1，并使所述绑定走线层20远离所述第一绑定区1A的一侧面23与所述延伸部12远离所述第一绑定区1A的一侧面13位于同一平面上，在所述显示面板1的侧面上形成导电结构。
步骤S60)制备阵列基板和发光器件：
所述显示区内的基板10的一表面上通过TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)工艺制备薄膜晶体管以及连接所述薄膜晶体管和所述绑定走线层20的信号走线。通过OLED制程或通过巨量转移等工艺在所述阵列基板远离所述基板的一表面上形成与所述薄膜晶体管电连接的发光器件。
步骤S70)绑定覆晶薄膜：
提供一覆晶薄膜，所述覆晶薄膜中包括柔性电路板以及设置在所述柔性电路板的IC芯片。将所述柔性电路板的一端贴覆在所述延伸部13远离所述主体部11的侧面13上，并从侧面13延伸至所述绑定走线层20远离主体部11的侧面23上，使所述柔性电路板与所述绑定走线层20电连接。将所述柔性电路板远离所述绑定走线20的一端固定在所述基板10的底面上，完成所述所述覆晶薄膜的绑定。
本发明实施例中所提供的显示面板及其制备方法，通过全新的制备工艺制备了一种全新的侧面绑定结构，无需采用银浆印刷工艺，从而解决了银浆印刷工艺所带来的工艺稳定性差、良率低等问题，也规避了玻璃侧磨所带来的破片风险。同时，本发明实施例中的绑定走线层采用电镀工艺，能够提升电镀设备的使用范围，充分利用生产设备。
虽然在本文中参照了特定的实施方式来描述本发明，但是应该理解的是，这些实施例仅仅是本发明的原理和应用的示例。因此应该理解的是，可以对示例性的实施例进行许多修改，并且可以设计出其他的布置，只要不偏离所附权利要求所限定的本发明的精神和范围。应该理解的是，可以通过不同于原始权利要求所描述的方式来结合不同的从属权利要求和本文中所述的特征。还可以理解的是，结合单独实施例所描述的特征可以使用在其他所述实施例中。
Claims (10)
1.一种显示面板，其特征在于，具有一第一绑定区以及与所述第一绑定区连接的第二绑定区；
所述显示面板包括：
基板，所述第二绑定区中的基板的厚度小于所述第一绑定区中的基板的厚度；
绑定走线层，设于所述第一绑定区和所述第二绑定区中的所述基板的表面上；
所述绑定走线层远离所述第一绑定区的一侧面与所述基板远离所述第一绑定区的一侧面位于同一平面上。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述基板包括主体部以及设于所述主体部一侧的延伸部；
所述延伸部的厚度小于所述主体部的厚度。
3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，
所述主体部的远离所述绑定走线层的一表面与所述延伸部远离所述绑定走线层的一表面位于同一平面上。
4.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述绑定走线层包括：
第一金属层，设于所述主体部上，并从所述主体部延伸至所述延伸部上；
第二金属层，设于所述第一金属层远离所述基板的一表面上；
所述第一金属层的厚度小于所述第二金属层的厚度。
5.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，
所述主体部和所述第一金属层的厚度总和小于所述延伸部、所述第一金属层和所述第二金属层的厚度总和。
6.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述绑定走线层的材料中包括铜。
7.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，还具有一显示区，设于所述第一绑定区远离所述第二绑定区的一侧；
所述显示面板还包括：
薄膜晶体管，设于所述基板上，并位于所述显示区内；
覆晶薄膜，从所述延伸部远离所述绑定走线的一表面延伸至所述绑定走线远离所述第一绑定区的一表面上。
8.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一基板，所述基板具有第一绑定区、第二绑定区和切除区，所述切除区与第二绑定区相连，所述第二绑定区远离所述切除区的一侧与所述第一绑定区连接；
在所述基板上开设凹槽；
在所述基板上形成绑定走线层，所述绑定走线层覆盖所述第一绑定区、所述第二绑定区及所述切除区并填充所述凹槽；
沿切割线切割所述基板和所述绑定走线层，其中所述切割线为所述切除区与所述第二绑定区之间的分界线，并位于所述凹槽中；
去除所述切除区中的所述基板与所述绑定走线层。
9.如权利要求8所述的显示面板的制备方法，其特征在于，在所述基板上形成所述绑定走线层步骤中包括以下步骤：
在所述基板上通过沉积形成第一金属层；
在所述第一金属层上通过电镀工艺形成第二金属层。
10.如权利要求9所述的显示面板的制备方法，其特征在于，在所述基板上形成所述绑定走线层步骤中还包括以下步骤：
在所述第一金属层上形成光阻层；
制备所述第二金属层后去除所述光阻层以及所述光阻层所覆盖的第一金属层。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2024021173A1 (zh) * | 2022-07-29 | 2024-02-01 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102662259A (zh) * | 2012-04-27 | 2012-09-12 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶显示装置及其制造方法 |
| CN205318069U (zh) * | 2015-12-30 | 2016-06-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板和显示装置 |
| CN108241240A (zh) * | 2018-02-08 | 2018-07-03 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板以及显示装置 |
| CN109768052A (zh) * | 2019-01-08 | 2019-05-17 | 昆山国显光电有限公司 | 一种柔性显示基板、显示装置及其制备方法 |
| CN109949703A (zh) * | 2019-03-26 | 2019-06-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示基板、显示面板、显示装置及制作方法 |
| CN110579916A (zh) * | 2019-08-22 | 2019-12-17 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 |
| CN111223879A (zh) * | 2020-02-28 | 2020-06-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制造方法、显示装置 |
| US20210305473A1 (en) * | 2020-03-26 | 2021-09-30 | Nichia Corporation | Light emitting device |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004207542A (ja) * | 2002-12-26 | 2004-07-22 | Kyocera Corp | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 |
| KR102179672B1 (ko) * | 2019-05-29 | 2020-11-17 | 주식회사 테토스 | 기판 측면부 배선 형성 방법 |
| US11126046B2 (en) * | 2019-08-22 | 2021-09-21 | Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Display panel, manufacturing method thereof, and display device |
| KR20210028295A (ko) * | 2019-09-03 | 2021-03-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| CN111799240A (zh) * | 2020-07-22 | 2020-10-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制作方法、显示装置及其制作方法 |
| CN113421489B (zh) * | 2021-06-08 | 2022-07-12 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
| CN113629067A (zh) * | 2021-07-16 | 2021-11-09 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及其侧面绑定方法 |
-
2021
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Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102662259A (zh) * | 2012-04-27 | 2012-09-12 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶显示装置及其制造方法 |
| CN205318069U (zh) * | 2015-12-30 | 2016-06-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板和显示装置 |
| CN108241240A (zh) * | 2018-02-08 | 2018-07-03 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板以及显示装置 |
| CN109768052A (zh) * | 2019-01-08 | 2019-05-17 | 昆山国显光电有限公司 | 一种柔性显示基板、显示装置及其制备方法 |
| CN109949703A (zh) * | 2019-03-26 | 2019-06-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示基板、显示面板、显示装置及制作方法 |
| CN110579916A (zh) * | 2019-08-22 | 2019-12-17 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 |
| CN111223879A (zh) * | 2020-02-28 | 2020-06-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制造方法、显示装置 |
| US20210305473A1 (en) * | 2020-03-26 | 2021-09-30 | Nichia Corporation | Light emitting device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2024021173A1 (zh) * | 2022-07-29 | 2024-02-01 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2023103041A1 (zh) | 2023-06-15 |
| CN114171665B (zh) | 2024-07-16 |
| US20240038775A1 (en) | 2024-02-01 |
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