CN113488457A - 发光基板及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种发光基板及其制备方法，属于显示技术领域。本发明的发光基板的制备方法，包括：通过贴附工艺在支撑基板上形成柔性基底；在所述柔性基底制备电学结构；在所述电学结构上制备形成发光元件；所述发光元件与部分所述电学结构连接；将形成有所述发光元件的柔性基底从所述支撑基板上剥离。

Description

发光基板及其制备方法

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种发光基板及其制备方法。

背景技术

迷你发光二极管(Mini-LED)显示技术被众多厂商视为次世代显示的新技术，是将传统LED芯片尺寸微缩至100-300μm等级，具有耗电量远小于LCD(Liquid CrystalDisplay；液晶显示器)、亮度优于OLED、且自发光等优点，同时，据具有亮度高、发光效率好、轻薄、自发光等优势。若将其进行阵列排列，作为直接显示的应用具有巨大的商业价值。

现在Mini-LED显示产品根据基底不同，可以分为PCB基与玻璃基等，由于工艺和材料限制，PCB基目前主要用于中小尺寸Mini-LED产品制作，但是拼接后显示效果比较差；玻璃基相对于PCB基具有明显优势，其散热性好，且单板尺寸大，可以直接用于中大尺寸的产品中。

发明内容

本发明至少部分解决现有的Mini-LED产品拼接缝隙明显的问题，提供一种发光基板的制备方法。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种发光基板的制备方法，包括：

通过贴附工艺在支撑基板上形成柔性基底；

在所述柔性基底制备电学结构；

在所述电学结构上制备形成发光元件；所述发光元件与部分所述电学结构连接；

将形成有所述发光元件的柔性基底从所述支撑基板上剥离。

可选的，所述通过贴附工艺在支撑基板上形成柔性基底的步骤包括：

在支撑基板上通过形成温控胶层；

通过贴附工艺在形成有所述温控胶层的支撑基板上形成柔性基底。

可选的，所述制备方法还包括：对形成有所述柔性基底的支撑基板进行加热。

进一步可选的，所述将形成有所述发光元件的柔性基底从所述支撑基板上剥离的步骤包括：

对所述支撑基板进行降温处理，将形成有所述发光元件的柔性基底从所述支撑基板上剥离。

可选的，所述电学结构包括位于第一导电层中的第一导电图案和位于第二导电层中的连接图案；所述发光元件与部分所述连接图案耦接；

所述在所述柔性基底制备电学结构的步骤包括：

通过构图工艺在所述柔性基底上形成第一导电层；

通过构图工艺在形成有所述第一导电层的柔性基底上形成可挠性绝缘层；所述可挠性绝缘层包括第一开口，所述第一开口贯穿所述可挠性绝缘层，裸露出至少部分所述第一导电图案；

在形成有所述可挠性绝缘层的柔性基底上形成第二导电层。

进一步可选的，所述通过构图工艺在形成有所述第一导电层的柔性基底上形成可挠性绝缘层的步骤包括：

通过成膜工艺在形成有所述第一导电层的柔性基底上形成可挠性绝缘膜层；

通过激光雕刻工艺去除部分所述可挠性绝缘膜层，以形成具有所述第一开口的可挠性绝缘层。

进一步可选的，所述成膜工艺包括：夹缝式涂布工艺、旋涂工艺、贴附工艺中的至少一者。

解决本发明技术问题所采用的另一技术方案是一种发光基板，可基于上述任意一种制备方法形成，所述发光基板包括：

柔性基底；

电学结构，设置于所述柔性基底上；

发光元件，设置与所述柔性基底上，并与部分所述电学结构连接。

可选的，所述柔性基底的材料包括环烯烃聚合物、聚酯薄膜中的至少一者。

可选的，所述电学结构包括：位于第一导电层中的第一导电图案和位于第二导电层中的连接图案；所述第一导电层位于所述第二导电层靠近所述柔性基底的一侧；

所述发光基板还包括：位于所述第一导电层与所述第二导电层之间的可挠性绝缘层；所述可挠性绝缘层包括第一开口，所述第一开口贯穿所述可挠性绝缘层，裸露出至少部分所述第一导电图案。

附图说明

附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。在附图中：

图1为本发明的实施例中发光基板的一种截面示意图；

图2为本发明的实施例提供的一种发光基板的制备方法中形成柔性基底的示意图；

图3为本发明的实施例提供的一种发光基板的制备方法中形成第一导电层的示意图；

图4为本发明的实施例提供的一种发光基板的制备方法中形成钝化层的示意图；

图5为本发明的实施例提供的一种发光基板的制备方法中形成可挠性绝缘层的示意图；

图6为本发明的实施例提供的一种发光基板的制备方法中形成第二导电层的示意图；

图7为本发明的实施例提供的一种发光基板的制备方法中形成发光元件的示意图。

具体实施方式

为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。

在本发明中，两结构“同层设置”是指二者是由同一个材料层形成的，故它们在层叠关系上处于相同层中，但并不代表它们与基底间的距离相等，也不代表它们与基底间的其它层结构完全相同。

在本发明中，“构图工艺”是指形成具有特定的图形的结构的步骤，其可为光刻工艺，光刻工艺包括形成材料层、涂布光刻胶、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等步骤中的一步或多步；当然，“构图工艺”也可为压印工艺、喷墨打印工艺等其它工艺。

以下将参照附图更详细地描述本发明。在各个附图中，相同的元件采用类似的附图标记来表示。为了清楚起见，附图中的各个部分没有按比例绘制。此外，在图中可能未示出某些公知的部分。

在下文中描述了本发明的许多特定的细节，例如部件的结构、材料、尺寸、处理工艺和技术，以便更清楚地理解本发明。但正如本领域的技术人员能够理解的那样，可以不按照这些特定的细节来实现本发明。

本实施例提供一种发光基板的制备方法，包括以下步骤：

S1、通过贴附工艺在支撑基板01上形成柔性基底1。

S2、在柔性基底1制备电学结构。

S3、在电学结构上设置发光元件52；发光元件52与部分电学结构连接。

S4、将形成有发光元件52的柔性基底1从支撑基板01上剥离。

本实施例提供的发光基板的制备方法中，通过贴附工艺在支撑基板01上形成柔性基底1，或者通过涂覆工艺在支撑基板上形成柔性材料层，经过固化后形成柔性基底1，接着，在柔性基底1上通过构图工艺制备包括晶体管、电容、信号线等电学结构，再将发光元件52等元器件与电学结构实现电连接等；最后将柔性基底1从支撑基板01上剥离，从而形成所需的发光基板。本实施例中，发光元件52可以为Mini-LED或者micro-LED芯片，本实施例提供的制备方法，可大大降低柔性发光基板的制程复杂程度，简化Mini-LED显示产品的制备流程。

可选的，本实施例中，柔性基底1的材料可包括环烯烃聚合物(COP)、聚酯薄膜(PET)、聚酰亚胺(PI)、PEN树脂、硅胶树脂等材料，其厚度可在30-40um范围内。相比于相关技术中，采用PCB或者玻璃等材料作为基底，基材厚度大都在1mm以上，本实施例中，柔性基材厚度只有30-40um，在多个发光基板拼接时，拼接处即使交叠也不会整体的显示效果，进而可实现无缝拼接，从而有利于提高显示产品的显示效果。

本实施例中，支撑基板01为刚性，例如玻璃。石英、塑料等材质，从而可以防止在柔性基底1上实施相关膜层的制备工艺时发生形变。在完成制备工艺后，可将柔性基底1从刚性支撑基板01上剥离，以实现具有超薄衬底的发光基板。

以下通过具体实施方式对本实施例的制备方法进行详细说明，该制备方法具体可包括以下步骤：

S21、在支撑基板01上通过形成温控胶层02。

温控胶为借由温度变化，能进行粘合、剥离控制的功能性黏着胶带，其主要成分可包括亚克力主胶与添加剂等。本实施例中，可先在支撑基板01上形成一层温控胶层02，从而在后续步骤中利用温控胶层02将柔性基底1与支撑基板01相固定，防止在发光基板制备工序中柔性基底1发生形变。温控胶层02在支撑基板01上的正投影可以为板状结构，也可以为环形结构。

其中，温控胶可通过贴附工艺形成在支撑基板01上，也可以通过其它工艺形成，本实施例中不做具体限制。

参照图2所示，S22、通过贴附工艺在形成有温控胶层02的支撑基板01上形成柔性基底1。

本步骤中，可通过贴附工艺在温控胶层02上贴附一层柔性膜材作为柔性基底1。其中，柔性膜材的材料可包括：环烯烃聚合物(COP)、聚酯薄膜(PET)、聚酰亚胺(PI)、PEN树脂、硅胶树脂等材料，其厚度可在30-40um范围内。

可选的，本实施例提供的制备方法还包括：对形成有柔性基底1的支撑基板01进行加热。本实施例中可通过加热方式增强温控胶层02的粘附力，从而使柔性基底1能够更好地固定在与支撑基板01。

S23、在柔性基底1制备电学结构。

可选的，电学结构包括位于第一导电层2中的第一导电图案和位于第二导电层3中的连接图案；部分第一导电层2与第二导电层3之间设置有可挠性绝缘层4。发光元件52与部分连接图案耦接。

步骤S23具体可包括以下步骤：

参照图3所示，S231、通过构图工艺在柔性基底1上形成第一导电层2。

第一导电层2包括多个第一导电图案。多个导电图案具体可为、信号线、绑定焊盘等中的一者或多者。可以理解的是，根据导电图案在发光基板上所在的具体位置和连接关系的不同，导电图案的具体类型也可不同，此处不再详述。

可选的，本实施例中，第一导电层2中的第一导电图案具体可包括种子图案2a和位于种子图案2a远离柔性基底11一侧的生长图案2b。

本步骤中可通过磁控溅射(Sputter)、沉积等工艺在柔性基底1表面形成种子材料薄膜(可以为单层结构，也可以为多层结构)，然后对种子材料薄膜进行图案化工艺，以得到种子图案2a，作为基础导电层，其厚度可为3000A；之后，利用电镀工艺，将柔性基底1上的种子图案2a作为电镀反应中的阴极，通过电化学反应，在种子图案2a上通过电镀工艺得到生长图案2b(例如铜)。也就是说，本实施例中，种子图案2a和生长图案2b共同构成第一导电图案，可以使第一导电图案的整体电阻降低、增强第一导电图案的整体导电性，从而保证显示品质。

其中，种子图案2a和生长图案2b的材料可以相同，也可以不同。种子图案2a可以为单层结构，也可以为多层结构(参见后面内容)。

作为一种可选实施方式，种子图案2a为层叠结构，例如种子层包括具有一定韧性的第一子导电层和具有较佳导电性能的第二子导电层，第一子导电层的材料包括：钼、钼合金、钛、钛合金、铟镓锌氧化物(IGZO)、氧化铟锌(IZO)、氧化镓锌(GZO)、氧化铟锡(ITO)等，第二子导电层的材料包括：金或铜。在一些实施例中，生长层的材料包括铜。当然，种子图案2a还可以为三层层叠结构或更多层的层叠结构。

参照图5所示，S233、通过构图工艺在形成有第一导电层2的柔性基底1上形成可挠性绝缘层4；可挠性绝缘层4包括第一开口，第一开口贯穿可挠性绝缘层4，裸露出至少部分第一导电图案。

可挠性绝缘层4可采用有机绝缘材料，例如聚酰胺、聚氨酯、酚醛树脂、聚硅氧烷等，此时可挠性绝缘层4不但具备较佳的绝缘性，同时还具备较佳的柔韧性。

本实施例中，第一导电层2中所包含的导电结构可以与第二导电层3中所包含的导电结构可以电连接，也可以绝缘设置，对于第一导电层2和第二导电层3的具体结构可根据实际需要进行预先设计，本公开的技术方案不作限定。

可选的，本步骤可包括：S2331、通过成膜工艺在形成有第一导电层2的柔性基底1上形成可挠性绝缘膜层；S2332、通过激光雕刻工艺去除部分可挠性绝缘膜层，以形成具有第一开口的可挠性绝缘层4。

其中，可选的，成膜工艺包括：夹缝式涂布工艺、旋涂工艺、贴附工艺中的至少一者。本实施例中，通过上述工艺形成可挠性绝缘层4，能够尽量减小可挠性绝缘层4在形成过程中的流动性，使所形成的可挠性绝缘层4的膜层厚度尽量保持整体均一，从而保证第一导电层2与第二导电层3之间各处(需要绝缘设置的区域)的间隔距离保持一致。

可选的，参照图4所示，本实施例中，还包括：S232、在第一导电层2背离柔性基底1的一侧形成钝化层12。

钝化层12上对应第一导电图案的位置形成有开口，以将第一导电图案裸露出来。在实际应用中，种子层中一般包含具有较佳导电性的金属材料，例如铜，而这些导电性较佳的金属材料在高温环境(后续制备可挠性绝缘层4时存在高温环境)中容易出现氧化；为此，本公开实施例中通过设置钝化层12，可有效避免第一导电图案中所包含的金属材料被氧化。

在一些实施例中，钝化层12的材料包括：硅的氮化物、硅的氧化物或硅的氮氧化物。

在实际生产制备钝化层12的过程中，钝化层12的图案化工艺可在可挠性绝缘层4的图案化工艺完成之后再进行。也就是说，在制备可挠性绝缘层4时，整层铺设用于制备钝化层12的材料薄膜，该材料薄膜对第一导电层2完全覆盖，从而对第一导电层2进行较好的保护；待可挠性绝缘层4的图案化工艺完成之后，直接以可挠性绝缘层4作为掩膜图形，然后对用于制备钝化层12的材料薄膜进行刻蚀，从而得到钝化层12的图形。在本公开实施例中，钝化层12的图案化工艺无需额外配置掩膜板，可与可挠性绝缘层4使用同一掩膜板，从而尽量简化发光基板的制备流程。本实施例中，通过可挠性绝缘层4和钝化层12将第一导电层2与第二导电层3隔开，钝化层12可以避免第一导电层2与第二导电层3之间由于粒子(Particle)或者金属材料的迁移导致短路(short)不良。

参照图6所示，S234、在形成有可挠性绝缘层4的柔性基底1上形成第二导电层3。

其中，第二导电层3可包括多个连接图案，连接图案远离柔性基底1的表面部分裸露，用于供驱动芯片51、发光元件52等器件进行固定安装。根据发光基板的具体结构，可将第二导电层3中的连接图案与第一导电层2中的导电图案连接，从而实现驱动芯片51、发光元件52等器件与电学结构的连接。其中可以理解的是，第二导电层3中的连接图案具体通过可挠性绝缘层4中的过孔与第一导电层2中相应的第一导电图案连接。在一些实施例中，第二导电层3的远离柔性基底1一侧的表面还可以设置有防氧化导电层8，防氧化导电层8材料可以包括铜镍合金、化镍金、氧化铟锡、镍金属等材料。防氧化导电层8可以保护第二导电层3中的表面裸露的连接图案，以免其被氧化。

本步骤中，第二导电层3的具体制备工艺可参考步骤S231中第一导电层2的相关制备工工艺，本实施例中不再详述。

可选的，本实施例中还可包括步骤S24、在第二导电层3远离柔性基底11的一侧上形成反光层6。其中，反光层6的材料可包括防水白色油墨，具有良好的反射率，同时，可以防止第二导电层3浸入水汽发生氧化，还可以提供平整表面，便于后续发光元件525的安装、固定。

具体的，步骤S24中，可采用丝网印刷工艺，在柔性基底1的上表面涂覆一层白色油墨层，丝网的开窗部分将第二导电层3的各连接图案位置处露出，以便于发光元件52、驱动芯片51等器件与连接图案的连接。

参照图7所示，S25、在连接图案露出的位置上转移并固定发光元件52和驱动芯片51；发光元件52和驱动芯片51通过焊接金属S(如焊锡)与连接图案露出的位置电学结构连接。

在一些实施例中，发光元件52具有第一引脚和第二引脚，第一引脚和第二引脚通过焊接金属S与第二导电层3中的导电结构(连接图案)连接。可选的，发光元件52可包括：Micro-LED或Mini-LED，发光元件52的第一引脚和第二引脚分别是指Micro-LED/Mini-LED的阴极和阳极。驱动IC 51具有至少一个引脚，驱动IC 51的引脚通过焊接金属S与第二导电层3中的导电结构(连接图案)连接。可选的，步骤S25中，可采用印刷方式将焊接金属S印刷在连接图案位置，然后将发光元件52以及驱动IC 51等器件焊接在对应的连接图案位置。

S26、将形成有发光元件52的柔性基底1从支撑基板01上剥离。

本步骤中，可通过机械剥离的方式将柔性基底1从支撑基板01上剥离。

优选的，本步骤可包括：对支撑基板01进行降温处理，将形成有发光元件52的柔性基底1从支撑基板01上剥离。通过对支撑基板01进行降温处理，可降低温控胶的粘性，使柔性基底1更容易从支撑基板01上剥离。

参照图1所示，本发明实施例还提供一种发光基板，可基于上述实施例提供的制备方法形成，该发光基板可包括：柔性基底1；电学结构，设置于柔性基底1上；发光元件52，设置与柔性基底1上，并与部分电学结构连接。

可选的，柔性基底1的材料包括环烯烃聚合物、聚酯薄膜、聚酰亚胺(PI)、PEN树脂、硅胶树脂中的至少一者。相比于相关技术中，采用PCB或者玻璃等材料作为基底，基材厚度大都在1mm以上，本实施例中，柔性基材厚度只有30-40um，在多个发光基板拼接时，拼接处即使交叠也不会整体的显示效果，进而可实现无缝拼接，从而有利于提高显示产品的显示效果。

可选的，电学结构包括：位于第一导电层2中的第一导电图案和位于第二导电层3中的连接图案；第一导电层2位于第二导电层3靠近柔性基底1的一侧；

发光基板还包括：位于第一导电层2与第二导电层3之间的可挠性绝缘层4；可挠性绝缘层4包括第一开口，第一开口贯穿可挠性绝缘层4，裸露出至少部分第一导电图案。

第一导电层2包括多个第一导电图案。多个导电图案具体可为连接导线、焊盘、邦定线等中的一者或多者。可以理解的是，根据导电图案在发光基板上所在的具体位置的不同，导电图案的具体类型也可不同，此处不再详述。

可选的，本实施例中，第一导电层2中的第一导电图案具体可包括种子图案2a和位于种子图案2a远离柔性基底11一侧的生长图案2b。

其中，种子图案2a和生长图案2b的材料可以相同，也可以不同。种子图案2a可以为单层结构，也可以为多层结构(参见后面内容)。作为一种可选实施方式，种子图案2a为层叠结构，例如种子层包括具有一定韧性(使得种子图案2a可弯折)的第一子导电层和具有较佳导电性能的第二子导电层(未给出相应附图)，第一子导电层的材料包括：钼、钼合金、钛、钛合金、铟镓锌氧化物(IGZO)、氧化铟锌(IZO)、氧化镓锌(GZO)、氧化铟锡(ITO)等，第二子导电层的材料包括：金或铜。在一些实施例中，生长层的材料包括铜。当然，种子图案2a还可以为三层层叠结构或更多层的层叠结构。

第二导电层3可包括多个连接图案，连接图案远离柔性基底1的表面部分裸露，用于供驱动芯片51、发光元件52等器件进行固定安装。在实际应用中，根据发光基板的具体结构，可将第二导电层3中的连接图案与第一导电层2中的导电图案连接，从而实现驱动芯片51、发光元件52等器件与电学结构的连接。也即，第一导电层2中所包含的导电结构可以与第二导电层3中所包含的导电结构可以电连接，也可以绝缘设置，对于第一导电层2和第二导电层3的具体结构可根据实际需要进行预先设计，本公开的技术方案不作限定。其中可以理解的是，第二导电层3中的连接图案具体通过可挠性绝缘层4中的过孔与第一导电层2中相应的第一导电图案连接。

发光元件52具有第一引脚和第二引脚，第一引脚和第二引脚通过焊接金属S与第二导电层3中的导电结构(连接图案)连接。可选的，发光元件52可包括：Micro-LED或Mini-LED，发光元件52的第一引脚和第二引脚分别是指Micro-LED/Mini-LED的阴极和阳极。驱动IC 51具有至少一个引脚，驱动IC 51的引脚通过焊接金属S与第二导电层3中的导电结构(连接图案)连接。。

可选的，发光基板还包括钝化层12，钝化层12位于可挠性绝缘层4与柔性基底1之间。钝化层12上对应第一导电图案的位置形成有开口，以将第一导电图案裸露出来。在实际应用中，种子层中一般包含具有较佳导电性的金属材料，例如铜，而这些导电性较佳的金属材料在高温环境(后续制备可挠性绝缘层4时存在高温环境)中容易出现氧化；为此，本公开实施例中通过设置钝化层12，可有效避免第一导电图案中所包含的金属材料被氧化。

在一些实施例中，钝化层12的材料包括：硅的氮化物、硅的氧化物或硅的氮氧化物。

在一些实施例中，在第二导电层3远离柔性基底11的一侧上还设置有反光层6。其中，反光层6的材料可包括防水白色油墨，具有良好的反射率，同时，可以防止第二导电层3浸入水汽发生氧化，还可以提供平整表面，便于后续发光元件525的安装、固定。

应当说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

依照本发明的实施例如上文所述，这些实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明仅为所述的具体实施例。显然，根据以上描述，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本发明的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地利用本发明以及在本发明基础上的修改使用。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。

Claims (10)

1.一种发光基板的制备方法，其特征在于，包括：

通过贴附工艺在支撑基板上形成柔性基底；

在所述柔性基底制备电学结构；

在所述电学结构上制备形成发光元件；所述发光元件与部分所述电学结构连接；

将形成有所述发光元件的柔性基底从所述支撑基板上剥离。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述通过贴附工艺在支撑基板上形成柔性基底的步骤包括：

在支撑基板上通过形成温控胶层；

通过贴附工艺在形成有所述温控胶层的支撑基板上形成柔性基底。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，还包括：对形成有所述柔性基底的支撑基板进行加热。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述将形成有所述发光元件的柔性基底从所述支撑基板上剥离的步骤包括：

对所述支撑基板进行降温处理，将形成有所述发光元件的柔性基底从所述支撑基板上剥离。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述电学结构包括位于第一导电层中的第一导电图案和位于第二导电层中的连接图案；所述发光元件与部分所述连接图案耦接；

所述在所述柔性基底制备电学结构的步骤包括：

通过构图工艺在所述柔性基底上形成第一导电层；

通过构图工艺在形成有所述第一导电层的柔性基底上形成可挠性绝缘层；所述可挠性绝缘层包括第一开口，所述第一开口贯穿所述可挠性绝缘层，裸露出至少部分所述第一导电图案；

在形成有所述可挠性绝缘层的柔性基底上形成第二导电层。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述通过构图工艺在形成有所述第一导电层的柔性基底上形成可挠性绝缘层的步骤包括：

通过成膜工艺在形成有所述第一导电层的柔性基底上形成可挠性绝缘膜层；

通过激光雕刻工艺去除部分所述可挠性绝缘膜层，以形成具有所述第一开口的可挠性绝缘层。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述成膜工艺包括：夹缝式涂布工艺、旋涂工艺、贴附工艺中的至少一者。

8.一种发光基板，基于权利要求1至7中任意一项所述的制备方法形成，其特征在于，所述发光基板包括：

柔性基底；

电学结构，设置于所述柔性基底上；

发光元件，设置与所述柔性基底上，并与部分所述电学结构连接。

9.根据权利要求8所述的发光基板，其特征在于，所述柔性基底的材料包括环烯烃聚合物、聚酯薄膜、聚酰亚胺(PI)、PEN树脂、硅胶树脂中的至少一者。

10.根据权利要求8所述的发光基板，其特征在于，所述电学结构包括：位于第一导电层中的第一导电图案和位于第二导电层中的连接图案；所述第一导电层位于所述第二导电层靠近所述柔性基底的一侧；

所述发光基板还包括：位于所述第一导电层与所述第二导电层之间的可挠性绝缘层；所述可挠性绝缘层包括第一开口，所述第一开口贯穿所述可挠性绝缘层，裸露出至少部分所述第一导电图案。

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