CN111081693B - 发光组件封装结构及其制造方法 - Google Patents

发光组件封装结构及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111081693B
CN111081693B CN201811222302.8A CN201811222302A CN111081693B CN 111081693 B CN111081693 B CN 111081693B CN 201811222302 A CN201811222302 A CN 201811222302A CN 111081693 B CN111081693 B CN 111081693B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
circuit
light emitting
redistribution
circuit layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201811222302.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111081693A (zh
Inventor
王佰伟
柯正达
刘德祥
陈裕华
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Unimicron Technology Corp
Original Assignee
Unimicron Technology Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Unimicron Technology Corp filed Critical Unimicron Technology Corp
Priority to CN201811222302.8A priority Critical patent/CN111081693B/zh
Publication of CN111081693A publication Critical patent/CN111081693A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111081693B publication Critical patent/CN111081693B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49838—Geometry or layout
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

一种发光组件封装结构，包括基板结构、芯片、导电连接件、线路重布结构、以及发光组件。基板结构包括基板及第一线路层。基板具有第一表面，且第一线路层设置于第一表面上。芯片设置于基板结构之上，并与第一线路层电性连接。导电连接件设置于基板结构之上，并与第一线路层电性连接。线路重布结构设置于导电连接件之上。线路重布结构包括第一线路重布层和设置于第一线路重布层之上的第二线路重布层。第一线路重布层包括与第一线路层电性连接的第二线路层和接触第二线路层的导电接触件。第二线路重布层包括接触导电接触件的第三线路层。在此揭露的发光组件封装结构可有效地缩减显示设备的边框区域。

Description

发光组件封装结构及其制造方法
技术领域
本发明是关于一种发光组件封装结构，以及关于一种发光组件封装结构的制造方法。
背景技术
传统上，驱动芯片设置于诸如手机、平板计算机等的显示设备的边框区域。但此种设计使得显示设备需具有足够面积的边框区域，导致显示设备的显示区域因此被压缩。近年来，为了实现显示设备的窄边框化，采用了薄膜覆晶封装(chip-on-film，COF)技术，即将软性电路板(flexible circuit board，FPC)的一部分连接至显示设备的基板的正面，并弯折软性电路板的另一部分至基板的背面。借由将驱动芯片设置于位于背面的软性电路板上，从而可减少边框区域的所需面积。
然而，上述弯折造成应力集中在软性电路板与基板接触的部分，导致此部分容易剥离或断裂，并且软性电路板上的线路亦容易发生断裂等问题。此外，为了让软性电路板连接至显示设备的基板，仍需保留供给软性电路板连接的基板的一部分。因此，显示设备的边框区域无法有效的缩减。
由此可见，上述现有的方式，显然仍存在不便与缺陷，而有待改进。为了解决上述问题，相关领域莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来仍未发展出适当的解决方案。
发明内容
以下将以实施方式对上述的说明作详细的描述，并对本发明之技术方案提供更进一步的解释。本发明的目的在于避免了采用薄膜覆晶封装技术时，软性电路板与基板接触的部分容易剥离或断裂、以及软性电路板上的线路容易发生断裂等问题。
本发明的目的是采用以下技术方案来实现的。
本发明提供一种发光组件封装结构，包括基板结构、芯片、导电连接件、线路重布结构、以及发光组件。基板结构包括基板及第一线路层。基板具有第一表面，且第一线路层设置于第一表面上。芯片设置于基板结构之上，并与第一线路层电性连接。导电连接件设置于基板结构之上，并与第一线路层电性连接。线路重布结构设置于导电连接件之上。线路重布结构包括第一线路重布层和设置于第一线路重布层之上的第二线路重布层。第一线路重布层包括与第一线路层电性连接的第二线路层和接触第二线路层的导电接触件。第二线路重布层包括接触导电接触件的第三线路层。发光组件设置于线路重布结构之上，并与第三线路层电性连接。
较佳的，前述的发光组件封装结构进一步包括保护载板，且保护载板设置于发光组件之上。
较佳的，前述的发光组件封装结构进一步包括保护层，且保护层覆盖发光组件和第二线路重布层，并填充于发光组件与第二线路重布层之间。
本发明还提供一种发光组件封装结构，包括基板结构、芯片、导电连接件、线路重布结构、以及发光组件。基板结构包括基板、第一线路层、第二线路层、以及导电通孔。基板具有第一表面及相对于第一表面的第二表面。第一线路层设置于第一表面上，且第二线路层设置于第二表面上。第一线路层通过导电通孔而与第二线路层电性连接。芯片设置于第二表面的一侧，并与第二线路层电性连接。导电连接件设置于基板结构之上，并与第一线路层电性连接。线路重布结构设置于导电连接件上。线路重布结构包括第一线路重布层和设置于第一线路重布层之上的第二线路重布层。第一线路重布层包括与第一线路层电性连接的第三线路层和接触第三线路层的导电接触件。第二线路重布层包括接触导电接触件的第四线路层。发光组件设置于线路重布结构之上，并与第四线路层电性连接。
较佳的，前述的发光组件封装结构进一步包括保护载板，且保护载板设置于发光组件之上。
较佳的，前述的发光组件封装结构进一步包括保护层，且保护层覆盖发光组件和第二线路重布层，并填充于发光组件与第二线路重布层之间。
本发明还提供一种发光组件封装结构的制造方法，包括下列步骤：(i)提供基板结构，其中基板结构包括第一线路层；(ii)设置芯片于基板结构之上，其中芯片与第一线路层电性连接；(iii)形成线路重布结构于基板结构之上，其中线路重布结构包括第一线路重布层和设置于第一线路重布层之上的第二线路重布层，第一线路重布层包括通过导电连接件而与第一线路层电性连接的第二线路层和接触第二线路层的导电接触件，第二线路重布层包括接触导电接触件的第三线路层；以及(iv)设置发光组件于线路重布结构之上，其中发光组件与第三线路层电性连接。
较佳的，前述的发光组件封装结构的制造方法，在步骤(iv)之后，进一步包括下列步骤：(v)形成保护载板于发光组件之上；或(vi)形成保护层覆盖发光组件和第二线路重布层，并填充于发光组件与第二线路重布层之间。
本发明还提供一种发光组件封装结构的制造方法，包括下列步骤：(a)提供基板结构，其中基板结构包括第一线路层、第二线路层、以及导电通孔，第一线路层通过导电通孔而与第二线路层电性连接；(b)设置芯片于基板结构之下，其中芯片与第二线路层电性连接；(c)形成线路重布结构于基板结构之上，其中线路重布结构包括第一线路重布层和设置于第一线路重布层之上的第二线路重布层，第一线路重布层包括通过导电连接件而与第一线路层电性连接的第三线路层和接触第三线路层的导电接触件，第二线路重布层包括接触导电接触件的第四线路层；以及(d)设置发光组件于线路重布结构之上，其中发光组件与第四线路层电性连接。
较佳的，前述的发光组件封装结构的制造方法，在步骤(d)之后，进一步包括下列步骤：(e)形成保护载板于发光组件之上；或(f)形成保护层覆盖发光组件和第二线路重布层，并填充于发光组件与第二线路重布层之间。
附图说明
图1为本发明第一实施方式的发光组件封装结构的剖面示意图。
图2为本发明第二实施方式的发光组件封装结构的剖面示意图。
图3为本发明第三实施方式的发光组件封装结构的剖面示意图。
图4为本发明第四实施方式的发光组件封装结构的剖面示意图。
图5～图6为本发明一实施方式的形成线路重布结构的方法的多个阶段的剖面示意图。
图7～图9为本发明一实施方式的形成发光组件封装结构的方法的多个阶段的剖面示意图。
图10为本发明一实施方式的形成发光组件封装结构的方法的一个阶段的剖面示意图。
图11为本发明一实施方式的形成发光组件封装结构的方法的一个阶段的剖面示意图。
图12～图13为本发明一实施方式的形成发光组件封装结构的方法的多个阶段的剖面示意图。
图14为本发明一实施方式的形成发光组件封装结构的方法的一个阶段的剖面示意图。
【主要元件符号说明】
10、10a、10b、10c：发光组件封装结构 100：基板结构
110、120：线路层 130：导电通孔
140：基板 140a、140b：开口
200：芯片 300：线路重布结构
310：线路重布层 311：线路层
312：导电接触件 313：绝缘层
313a：导通孔 320：线路重布层
321：线路层 322：绝缘层
322a：导通孔 400：发光组件
500：可透光黏着层 600：保护载板
700：保护层 800：芯片保护层
910：牺牲基板 C1：金属块
C2：导电连接件
具体实施方式
为了使本揭示内容的叙述更加详尽与完备，下文针对了本发明的实施态样与具体实施例提出了说明性的描述；但这并非实施或运用本发明具体实施例的唯一形式。以下所揭露的各实施例，在有益的情形下可相互组合或取代，也可在一实施例中附加其他的实施例，而无须进一步的记载或说明。在以下描述中，将详细叙述许多特定细节以使读者能够充分理解以下的实施例。然而，可在无此等特定细节之情况下实践本发明之实施例。
兹将本发明的实施方式详细说明如下，但本发明并非局限在实施例范围。
图1绘示本发明第一实施方式的发光组件封装结构的剖面示意图。如图1所示，发光组件封装结构10包括基板结构100、芯片200、导电连接件C2、线路重布结构300、以及发光组件400。
基板结构100包括第一线路层110和基板140。基板140具有第一表面，且第一线路层110设置于第一表面上。基板140包括开口120a，且开口120a暴露出第一线路层110的一部分。在一些实施例中，基板140为刚性基板，例如玻璃基板或塑料基板。在一些实施例中，第一线路层110包括任何导电材料，例如铜、镍或银等金属。在一些实施例中，基板结构100为印刷电路板的一部分。
芯片200设置于基板结构100之上，并与第一线路层110电性连接。具体地，芯片200的下表面设置有多个金属凸块(例如芯片接脚)，并且金属凸块经由焊接材料或导电黏接材料与第一线路层110的暴露部分接合，从而芯片200与第一线路层110电性连接。应理解的是，虽然图1所绘示的发光组件封装结构10仅包括一个芯片200，但在其他实施例中，芯片200数量可多于一个。
导电连接件C2设置于基板结构100之上，并与第一线路层110电性连接。在一些实施例中，导电连接件C2可为焊球或金属柱。
线路重布结构300设置于导电连接件C2之上，且线路重布结构300包括第一线路重布层310和第二线路重布层320。
第一线路重布层310设置于导电连接件C2之上。具体地，第一线路重布层310包括第二线路层311、导电接触件312、以及第一绝缘层313。第二线路层311通过导电连接件C2而与第一线路层110电性连接。在一些实施例中，第二线路层311包括任何导电材料，例如铜、镍或银等金属。在一些实施例中，第二线路层311的线宽和线距小于50微米，例如40微米、30微米、20微米、10微米、8微米、7微米、6微米、5微米、4微米、3微米、2微米、1微米或0.5微米。第一绝缘层313覆盖第二线路层311，且第一绝缘层313具有第一导通孔313a。在一些实施例中，第一绝缘层313包括光敏介电材料。第一导通孔313a暴露出第二线路层311的一部分，且导电接触件312填充于第一导通孔313a中，从而导电接触件312接触第二线路层311。导电接触件312可为金属柱，且金属例如为铜、镍或银等导电金属。如图1所示，导电接触件312的宽度自顶部朝向底部逐渐变窄，呈现上宽下窄的梯型形状，但导电接触件312的形状不限于此。
第二线路重布层320设置于第一线路重布层310之上。具体地，第二线路重布层320包括第三线路层321和第二绝缘层322。第三线路层321接触导电接触件312。在一些实施例中，第三线路层321包括任何导电材料，例如铜、镍或银等金属。在一些实施例中，第三线路层321的线宽和线距小于50微米，例如40微米、30微米、20微米、10微米、8微米、7微米、6微米、5微米、4微米、3微米、2微米、1微米或0.5微米。第二绝缘层322覆盖第三线路层321，且第二绝缘层322具有第二导通孔322a。具体地，第二导通孔322a暴露出第三线路层321的一部分。在一些实施例中，第二绝缘层322包括光敏介电材料。
发光组件400设置于线路重布结构300之上，并与第三线路层321电性连接。具体地，发光组件400的下表面设置有多个金属凸块，并且金属凸块经由填充于第二导通孔322a的焊接材料或导电黏接材料而与第三线路层321的暴露部分接合，从而发光组件400与第三线路层321电性连接。在一些实施例中，发光组件400包括发光二极管组件。在一些实施例中，发光组件400包括微型发光二极管组件。在一些实施例中，将发光组件400设置于线路重布结构300之上的方式包括取放(pick and place)方式或巨量转移(mass transfer)方式。在一些实施例中，填充于第二导通孔322a的焊接材料包括SnBe、SnSb或SAC合金(即Sn、Ag、以及Cu之合金)，但不限于此。在一些其他实施例中，填充于第二导通孔322a的导电黏接材料包括异向性导电膜(anisotropic conductive film，ACF)或异向性导电膏(anisotropicconductive paste，ACP)，但不限于此。
如图1所示，发光组件封装结构10还包括可透光黏着层500、保护载板600、以及芯片保护层800。可透光黏着层500覆盖发光组件400和第二绝缘层322，并填充于发光组件400与第二绝缘层322之间。在一些实施例中，可透光黏着层500包括光学胶(optically clearadhesive，OCA)。保护载板600设置于可透光黏着层500之上。在一些实施例中，保护载板600为刚性基板，例如玻璃基板或塑料基板。芯片保护层800覆盖芯片200，并填充于芯片200与基板140之间的间隙中。因此，芯片保护层800可保护芯片200的金属凸块与第一线路层110的接合，从而避免剥离的情况发生。另一方面，芯片保护层800亦可阻隔水气，并且避免金属凸块、焊接材料、以及第一线路层110的氧化。在一些实施例中，芯片保护层800包括树脂。
图2绘示本发明第二实施方式的发光组件封装结构10a的剖面示意图。图2的发光组件封装结构10a与图1相似，差异在图2的保护层700取代了图1的可透光黏着层500和保护载板600。具体地，保护层700覆盖发光组件400和第二绝缘层322，并填充于发光组件400与第二绝缘层322之间。在一些实施例中，保护层700包括可透光树脂。须说明的是，在图2中，与图1相同或相似的组件被给予相同的符号，并省略相关说明。
图3绘示本发明第三实施方式的发光组件封装结构10b的剖面示意图。如图3所示，发光组件封装结构10b包括基板结构100、芯片200、导电连接件C2、线路重布结构300、以及发光组件400。
基板结构100包括第一线路层110、第二线路层120、导电通孔130、以及基板140。基板140具有第一表面及相对于第一表面的第二表面。第一线路层110设置于基板140的第一表面上，而第二线路层120设置于基板140的第二表面上。第一线路层110通过导电通孔130而与第二线路层120电性连接。基板140包括开口140a和开口140b。开口140a暴露出第一线路层110的一部分，而开口140b暴露出第二线路层120的一部分。在一些实施例中，第一线路层110、第二线路层120、以及导电通孔130包括任何导电材料，例如铜、镍或银等金属。在一些实施例中，基板结构100为印刷电路板的一部分。
芯片200设置于基板结构100之下，并与第二线路层120电性连接。具体地，芯片200的表面设置有多个金属凸块(例如芯片接脚)，并且金属凸块经由焊接材料或导电黏接材料与第二线路层120的暴露部分接合，从而芯片200与第二线路层120电性连接。应理解的是，虽然图3所绘示的发光组件封装结构10b包括两个芯片200，但在其他实施例中，芯片200数量可少于两个或多于两个。
导电连接件C2设置于基板结构100之上，并与第一线路层110电性连接。
线路重布结构300设置于导电连接件C2之上，且线路重布结构300包括第一线路重布层310和第二线路重布层320。
第一线路重布层310设置于导电连接件C2之上。具体地，第一线路重布层310包括第三线路层311、导电接触件312、以及第一绝缘层313。第三线路层311通过导电连接件C2而与第一线路层110电性连接。在一些实施例中，第三线路层311包括任何导电材料，例如铜、镍或银等金属。在一些实施例中，第三线路层311的线宽和线距小于50微米，例如40微米、30微米、20微米、10微米、8微米、7微米、6微米、5微米、4微米、3微米、2微米、1微米或0.5微米。第一绝缘层313覆盖第三线路层311，且第一绝缘层313具有第一导通孔313a。第一导通孔313a暴露出第三线路层311的一部分，且导电接触件312填充于第一导通孔313a中，从而导电接触件312接触第三线路层311。如图3所示，导电接触件312的宽度自顶部朝向底部逐渐变窄，呈现上宽下窄的梯型形状，但导电接触件312的形状不限于此。
第二线路重布层320设置于第一线路重布层310之上。具体地，第二线路重布层320包括第四线路层321和第二绝缘层322。第四线路层321接触导电接触件312。在一些实施例中，第四线路层321包括任何导电材料，例如铜、镍或银等金属。在一些实施例中，第四线路层321的线宽和线距小于50微米，例如40微米、30微米、20微米、10微米、8微米、7微米、6微米、5微米、4微米、3微米、2微米、1微米或0.5微米。第二绝缘层322覆盖第四线路层321，且第二绝缘层322具有第二导通孔322a。具体地，第二导通孔322a暴露出第四线路层321的一部分。
发光组件400设置于线路重布结构300之上，并与第四线路层321电性连接。具体地，发光组件400的下表面设置有多个金属凸块，并且金属凸块经由填充于第二导通孔322a的焊接材料或导电黏接材料而与第四线路层321的暴露部分接合，从而发光组件400与第四线路层321电性连接。
如图3所示，发光组件封装结构10b还包括可透光黏着层500、保护载板600、以及芯片保护层800。可透光黏着层500覆盖发光组件400和第二绝缘层322，并填充于发光组件400与第二绝缘层322之间。保护载板600设置于可透光黏着层500之上。芯片保护层800覆盖芯片200，并填充于芯片200与基板140之间的间隙中。因此，芯片保护层800可保护芯片200的金属凸块与第二线路层120的接合，从而避免剥离的情况发生。另一方面，芯片保护层800亦可阻隔水气，并且避免金属凸块、焊接材料、以及第二线路层120的氧化。须说明的是，将发光组件400设置于线路重布结构300之上的方式，以及基板140、导电连接件C2、第一绝缘层313、第二绝缘层322、导电接触件312、填充于第二导通孔322a的焊接材料或导电黏接材料、发光组件400、可透光黏着层500、保护载板600、以及芯片保护层800的材料或种类如前所述，将不再赘述之。
图4绘示本发明第四实施方式的发光组件封装结构10c的剖面示意图。图4的发光组件封装结构c10与图3相似，差异在图4的保护层700取代了图3的可透光黏着层500和保护载板600。具体地，保护层700覆盖发光组件400和第二绝缘层322，并填充于发光组件400与第二绝缘层322之间。在一些实施例中，保护层700包括可透光树脂。须说明的是，在图4中，与图3相同或相似的组件被给予相同的符号，并省略相关说明。
本发明亦提供一种发光组件封装结构之制造方法。图5～图6绘示本发明一实施方式之形成线路重布结构的方法的多个阶段的剖面示意图。
如图5所示，形成线路层311于牺牲基板910之上。例如，形成导电材料于牺牲基板910之上，并图案化导电材料以形成线路层311。在一些实施例中，形成导电材料的方式包括电镀、化学气相沉积、物理气相沉积等，但不以此为限。接着，形成第一绝缘层313覆盖线路层311，并且第一绝缘层313包括暴露出线路层311的一部分的第一导通孔313a。例如形成介电材料于线路层311之上，并图案化介电材料以形成第一导通孔313a。在一些实施例中，形成介电材料的方法包括化学气相沉积、物理气相沉积等，但不以此为限。在一些实施例中，图案化导电材料和介电材料的方法包括沉积光阻于待图案化层上，并经过曝光和显影来形成图案化光阻层。接着，使用此图案化光阻层作为蚀刻屏蔽来蚀刻待图案化层。最后，移除图案化光阻层。可代替地，在介电材料为光敏介电材料的实施例中，可借由曝光和显影来移除光敏介电材料的一部分以完成图案化。
接下来，如图6所示，形成线路层321于第一绝缘层313之上，以及形成导电接触件312于第一导通孔313a中。例如，形成导电材料于第一绝缘层313之上，并填充于第一导通孔313a中。接着，图案化导电材料以形成线路层321和导电接触件312。须说明的是，形成导电材料和图案化导电材料的方式如前所述，将不再赘述之。接着，形成第二绝缘层322覆盖线路层321和第一绝缘层313，并且第二绝缘层322包括暴露出线路层321的一部分的第二导通孔322a。例如，形成介电材料于线路层321和第一绝缘层313之上，并图案化介电材料以形成第二导通孔322a。据此，形成设置于牺牲基板910之上的线路重布结构300。须说明的是，形成介电材料和图案化介电材料的方式如前所述，将不再赘述之。
图7～图9绘示本发明一实施方式的形成发光组件封装结构的方法的多个阶段的剖面示意图。如图7所示，将发光组件400设置于图6所示的线路重布结构300之上。例如，填充焊接材料或导电黏接材料于第二导通孔322a中，并将设置于发光组件400的下表面的金属凸块与焊接材料或导电黏接材料连接。在一些实施例中，将发光组件400设置于线路重布结构300之上的方式包括取放(pick and place)方式或巨量转移(mass transfer)方式。
接下来，如图8所示，黏合保护载板600于发光组件400和第二绝缘层322之上。例如，使用光学胶来黏合保护载板600与发光组件400和第二绝缘层322，从而形成可透光黏着层500。接着，剥离牺牲基板910以暴露出线路层311。
接下来，如图9所示，提供包括线路层110和基板140的基板结构100。基板140包括暴露出线路层110的一部分的开口120a。接着，设置芯片200于基板结构100之上。具体地，芯片200与线路层110的暴露部分电性连接。例如，使用焊接材料或导电黏接材料接合设置于芯片200下表面的多个金属凸块(例如芯片接脚)与线路层110。
接下来，设置图8的结构于图9的结构之上，从而形成如图1所示的发光组件封装结构10。具体地，形成导电连接件C2，而导电连接件C2电性连接线路层311与线路层110。例如，在导电连接件C2为焊球的实施例中，先填充焊接材料于图9的开口120a中，使得焊接材料接触线路层110。接着，将图8的线路层311的暴露部分与焊接材料连接，从而形成导电连接件C2。
此外，本发明亦提供一种发光组件封装结构的制造方法，其中发光组件封装结构中的导电连接件C2为金属柱。请参考图10，图10绘示本发明一实施方式的形成发光组件封装结构的方法的一个阶段的剖面示意图。图10接续图8，形成与线路层311连接的金属块C1。在一些实施例中，金属块C1包括铜、镍或银等导电金属。
接下来，设置图10的结构于图9的结构之上，从而形成如图1所示的发光组件封装结构10。具体地，形成电性连接线路层311与线路层110的导电连接件C2。例如，对齐图10的金属块C1与图9的开口120a。接着，热压合金属块C1与线路层110以形成与线路层110连接的金属柱。
图11绘示本发明一实施方式的形成发光组件封装结构的方法的一个阶段的剖面示意图。如图11所示，提供包括线路层110、线路层120、导电通孔130、以及基板140的基板结构100。基板140包括暴露出线路层110的一部分的开口140a和暴露出线路层120的一部分的开口140b。接着，设置芯片200于基板结构100之下。具体地，芯片200与线路层120的暴露部分电性连接。例如，使用焊接材料接合设置于芯片200的表面的多个金属凸块(例如芯片接脚)与线路层120。
接下来，设置图8或图10的结构于图11的结构之上，从而形成如图3所示的发光组件封装结构10b。具体地，形成电性连接线路层311与线路层110的导电连接件C2。须说明的是，导电连接件C2(例如焊球或金属柱)的形成方法如前所述，将不再赘述之。
图12～图13绘示本发明一实施方式的形成发光组件封装结构的方法的多个阶段的剖面示意图。图12接续图7，形成保护层700覆盖发光组件400和第二绝缘层322，并填充于发光组件400与第二绝缘层322之间。例如，使用涂布、模制成型(molding)或压合技术来形成保护层700。
接下来，如图13所示，剥离牺牲基板910以暴露出线路层311。
接下来，设置图13的结构于图9或图11的结构之上，从而形成如图2或图4所示的发光组件封装结构10a或10c。具体地，形成电性连接线路层311与线路层110的作为导电连接件C2的焊球。而焊球的形成方法如前所述，将不再赘述之。
请参考图14，图14绘示本发明一实施方式的形成发光组件封装结构的方法的一个阶段的剖面示意图。图14接续图13，形成与线路层311连接的金属块C1。在一些实施例中，金属块C1包括铜、镍或银等导电金属。
接下来，设置图14的结构于图9或图11的结构之上，从而形成如图2或图4所示的发光组件封装结构10a或10c。具体地，形成电性连接线路层311与线路层110的作为导电连接件C2的金属柱。而金属柱的形成方法如前所述，将不再赘述之。
由上述发明实施例可知，在此揭露的发光组件封装结构中，使用线路重布结构来电性连接发光组件与芯片，取代了传统上的薄膜覆晶封装技术。因此，避免了采用薄膜覆晶封装技术时，软性电路板与基板接触的部分容易剥离或断裂、以及软性电路板上的线路容易发生断裂等问题。此外，不需保留供给软性电路板连接之基板的一部分，因此显示设备的边框区域可有效地缩减。另一方面，由于线路重布结构中的线路层具有极小的线宽和线距，可达到薄型化发光组件封装结构的效果。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明,任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内,当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例,但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (10)

1.一种发光组件封装结构，包括：
基板结构，包括基板及第一线路层，其中该基板具有第一表面，且该第一线路层设置于该第一表面上；
芯片，设置于该基板结构之上，并与该第一线路层电性连接；以及
导电连接件，设置于该基板结构之上，并与该第一线路层电性连接；
其特征在于，该发光组件封装结构进一步包括线路重布结构以及发光组件，该线路重布结构设置于该导电连接件之上，该线路重布结构包括第一线路重布层和设置于该第一线路重布层之上的第二线路重布层，其中该第一线路重布层包括与该第一线路层电性连接的第二线路层和接触该第二线路层的导电接触件，该第二线路重布层包括接触该导电接触件的第三线路层，该发光组件设置于该线路重布结构之上，并与该第三线路层电性连接。
2.如权利要求1所述的发光组件封装结构，其特征在于，进一步包括保护载板，且该保护载板设置于该发光组件之上。
3.如权利要求1所述的发光组件封装结构，其特征在于，进一步包括保护层，且该保护层覆盖该发光组件和该第二线路重布层，并填充于该发光组件与该第二线路重布层之间。
4.一种发光组件封装结构，包括：
基板结构，包括基板、第一线路层、第二线路层及导电通孔，其中该基板具有第一表面及相对于该第一表面的第二表面，该第一线路层设置于该第一表面上，该第二线路层设置于该第二表面上，且该第一线路层通过该导电通孔而与该第二线路层电性连接；
芯片，设置于该第二表面的一侧，并与该第二线路层电性连接；以及
导电连接件，设置于该基板结构之上，并与该第一线路层电性连接；
其特征在于，该发光组件封装结构进一步包括线路重布结构以及发光组件，该线路重布结构设置于该导电连接件上，该线路重布结构包括第一线路重布层和设置于该第一线路重布层之上的第二线路重布层，其中该第一线路重布层包括与该第一线路层电性连接的第三线路层和接触该第三线路层的导电接触件，该第二线路重布层包括接触该导电接触件的第四线路层，该发光组件设置于该线路重布结构之上，并与该第四线路层电性连接。
5.如权利要求4所述的发光组件封装结构，其特征在于，进一步包括保护载板，且该保护载板设置于该发光组件之上。
6.如权利要求4所述的发光组件封装结构，其特征在于，进一步包括保护层，且该保护层覆盖该发光组件和该第二线路重布层，并填充于该发光组件与该第二线路重布层之间。
7.一种发光组件封装结构的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：
(i)：提供基板结构，其中该基板结构包括第一线路层；
(ii)：设置芯片于该基板结构之上，其中该芯片与该第一线路层电性连接；
(iii)：形成线路重布结构于该基板结构之上，其中该线路重布结构包括第一线路重布层和设置于该第一线路重布层之上的第二线路重布层，该第一线路重布层包括通过导电连接件而与该第一线路层电性连接的第二线路层和接触该第二线路层的导电接触件，该第二线路重布层包括接触该导电接触件的第三线路层；以及
(iv)：设置发光组件于该线路重布结构之上，其中该发光组件与该第三线路层电性连接。
8.如权利要求7所述的发光组件封装结构的制造方法，其特征在于，在步骤(iv)之后，进一步包括下列步骤：
(v)：形成保护载板于该发光组件之上；或
(vi)：形成保护层覆盖该发光组件和该第二线路重布层，并填充于该发光组件与该第二线路重布层之间。
9.一种发光组件封装结构的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：
(a)：提供基板结构，其中该基板结构包括第一线路层、第二线路层、以及导电通孔，该第一线路层通过该导电通孔而与该第二线路层电性连接；
(b)：设置芯片于该基板结构之下，其中该芯片与该第二线路层电性连接；
(c)：形成线路重布结构于该基板结构之上，其中该线路重布结构包括第一线路重布层和设置于该第一线路重布层之上的第二线路重布层，该第一线路重布层包括通过导电连接件而与该第一线路层电性连接的第三线路层和接触该第三线路层的导电接触件，该第二线路重布层包括接触该导电接触件的第四线路层；以及
(d)：设置发光组件于该线路重布结构之上，其中该发光组件与该第四线路层电性连接。
10.如权利要求9所述的发光组件封装结构的制造方法，其特征在于，在步骤(d)之后，进一步包括下列步骤：
(e)：形成保护载板于该发光组件之上；或
(f)：形成保护层覆盖该发光组件和该第二线路重布层，并填充于该发光组件与该第二线路重布层之间。
CN201811222302.8A 2018-10-19 2018-10-19 发光组件封装结构及其制造方法 Active CN111081693B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811222302.8A CN111081693B (zh) 2018-10-19 2018-10-19 发光组件封装结构及其制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811222302.8A CN111081693B (zh) 2018-10-19 2018-10-19 发光组件封装结构及其制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111081693A CN111081693A (zh) 2020-04-28
CN111081693B true CN111081693B (zh) 2021-06-29

Family

ID=70309469

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811222302.8A Active CN111081693B (zh) 2018-10-19 2018-10-19 发光组件封装结构及其制造方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111081693B (zh)

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4534484B2 (ja) * 2003-12-26 2010-09-01 ソニー株式会社 固体撮像素子及びその製造方法
JP5082083B2 (ja) * 2010-04-15 2012-11-28 株式会社リキッド・デザイン・システムズ Ｌｅｄ照明装置
JP2016167544A (ja) * 2015-03-10 2016-09-15 ソニー株式会社 電子部品、電子部品実装基板及び電子部品の実装方法
CN107706175A (zh) * 2017-11-07 2018-02-16 力串实业股份有限公司 可挠曲高亮度发光二极管

Also Published As

Publication number Publication date
CN111081693A (zh) 2020-04-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI680593B (zh) 發光元件封裝結構及其製造方法
KR100546346B1 (ko) 재배선 범프 형성방법 및 이를 이용한 반도체 칩과 실장구조
US7880091B2 (en) Electronic device substrate, electronic device and methods for making same
US8859912B2 (en) Coreless package substrate and fabrication method thereof
KR100754575B1 (ko) 반도체 장치 및 그의 제조 방법과 회로 기판
US20110237018A1 (en) Electronic device wafer level scale packages and fabrication methods thereof
US8957520B2 (en) Microelectronic assembly comprising dielectric structures with different young modulus and having reduced mechanical stresses between the device terminals and external contacts
CN1717147B (zh) 柔性布线基板及制法、配芯片的柔性布线基板及电子设备
US20120286416A1 (en) Semiconductor chip package assembly and method for making same
US20080237767A1 (en) Sensor-type semiconductor device and manufacturing method thereof
US10854803B2 (en) Manufacturing method of light emitting device package structure with circuit redistribution structure
KR100632472B1 (ko) 측벽이 비도전성인 미세 피치 범프 구조를 가지는미세전자소자칩, 이의 패키지, 이를 포함하는액정디스플레이장치 및 이의 제조방법
CN112531093B (zh) 发光装置及其制造方法
CN111081693B (zh) 发光组件封装结构及其制造方法
CN110690251B (zh) 发光元件封装结构及其制造方法
CN111312665B (zh) 封装结构及其制造方法
TWI751471B (zh) 柔性印刷電路板與其製造方法及具備柔性電路板的封裝結構
KR100715858B1 (ko) 패턴된 전도접착제가 형성된 웨이퍼레벨 패키지 제작 방법및 이를 이용한 이미지 센서 모듈(ｉｓｍ)
CN108666293B (zh) 线路载板及其制造方法
CN117457613A (zh) 显示面板、显示面板的制造方法及电子设备
JP2005079499A (ja) 半導体装置、半導体モジュール、電子機器および半導体装置の製造方法
US20170243843A1 (en) Bump structure, display device including a bump structure, and method of manufacturing a bump structure
CN114496937A (zh) 基板结构、封装结构及基板结构的制备方法
CN112992840A (zh) 封装结构及其制造方法
JP4656191B2 (ja) 半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant