JP2005079499A - 半導体装置、半導体モジュール、電子機器および半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置、半導体モジュール、電子機器および半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【課題】 突出電極間のマイグレーション耐性を向上させる
【解決手段】 電極パッド3間に凸状ライン5が形成された半導体チップ1の表面を保護膜6で被覆し、封止樹脂13を介して突出電極8を端子電極12に接合することにより、半導体チップ1を配線基板11上にフリップチップ実装する。
【選択図】 図2
【解決手段】 電極パッド3間に凸状ライン5が形成された半導体チップ1の表面を保護膜6で被覆し、封止樹脂13を介して突出電極8を端子電極12に接合することにより、半導体チップ1を配線基板11上にフリップチップ実装する。
【選択図】 図2
Description
本発明は半導体装置、半導体モジュール、電子機器および半導体装置の製造方法に関し、特に、突出電極間のマイグレーションの防止方法に適用して好適なものである。
従来の半導体装置では、例えば、特許文献1に開示されているように、無電解Niメッキを用いて電極パッド上に突出電極を形成する方法がある。そして、配線基板上の端子電極に突出電極を接合させ、半導体チップの表面を樹脂封止することにより、半導体チップのフリップチップ実装が行われる。
特開2001−332577号公報
しかしながら、半導体チップの表面を樹脂封止した場合、半導体チップの表面に形成された保護膜と封止樹脂との密着性が悪いため、突出電極を構成するニッケルNiなどの金属が保護膜上で移動する。このため、突出電極間でマイグレーションが発生し、突出電極間の絶縁性が劣化するという問題があった。
そこで、本発明の目的は、突出電極間のマイグレーション耐性を向上させることが可能な半導体装置、半導体モジュール、電子機器および半導体装置の製造方法を提供することである。
そこで、本発明の目的は、突出電極間のマイグレーション耐性を向上させることが可能な半導体装置、半導体モジュール、電子機器および半導体装置の製造方法を提供することである。
上述した課題を解決するために、本発明の一態様に係る半導体装置によれば、電極パッドが形成された半導体チップと、前記電極パッドと同一層に形成され、前記電極パッド間に配置された突出部と、前記半導体チップ上に形成された保護膜とを備えることを特徴とする。
これにより、電極パッド間に形成される保護膜の表面積を増大させることが可能となり、電極パッド間における封止樹脂の密着性を向上させることが可能となる。このため、突出電極から分離した金属が保護膜上を移動し難くすることが可能となり、突出電極間のマイグレーション耐性を向上させることが可能となるとともに、マイグレーション発生時の電極パッド間での金属の移動距離を長くすることが可能となり、突出電極間の絶縁性の劣化を抑制することができる。
これにより、電極パッド間に形成される保護膜の表面積を増大させることが可能となり、電極パッド間における封止樹脂の密着性を向上させることが可能となる。このため、突出電極から分離した金属が保護膜上を移動し難くすることが可能となり、突出電極間のマイグレーション耐性を向上させることが可能となるとともに、マイグレーション発生時の電極パッド間での金属の移動距離を長くすることが可能となり、突出電極間の絶縁性の劣化を抑制することができる。
また、本発明の一態様に係る半導体装置によれば、前記突出部は、前記電極パッドと同一の材料で構成されていることを特徴とする。
これにより、導電膜をエッチング加工することで、突出部と電極パッドとを一括形成することが可能となる。このため、工程増を伴うことなく、電極パッド間の保護膜の表面積を増大させることが可能となり、電極パッド間における封止樹脂の密着性を向上させることが可能となる。
これにより、導電膜をエッチング加工することで、突出部と電極パッドとを一括形成することが可能となる。このため、工程増を伴うことなく、電極パッド間の保護膜の表面積を増大させることが可能となり、電極パッド間における封止樹脂の密着性を向上させることが可能となる。
また、本発明の一態様に係る半導体装置によれば、前記突出部は、ライン状、ドット状または前記電極パッドを取り囲むように配置されていることを特徴とする。
これにより、マイグレーションの移動経路に対応して突出部を効率よく配置することが可能となり、半導体チップの回路レイアウトに影響を与えることなく、電極パッド間の保護膜の表面積を増大させることが可能となる。
これにより、マイグレーションの移動経路に対応して突出部を効率よく配置することが可能となり、半導体チップの回路レイアウトに影響を与えることなく、電極パッド間の保護膜の表面積を増大させることが可能となる。
また、本発明の一態様に係る半導体装置によれば、前記突出部は、前記電極パッドと電気的に分離していることを特徴とする。
これにより、半導体チップに形成された素子の電気的特性に影響を与えることなく、電極パッド間に突出部を設けることが可能となり、突出電極間のマイグレーション耐性を向上させることが可能となる。
これにより、半導体チップに形成された素子の電気的特性に影響を与えることなく、電極パッド間に突出部を設けることが可能となり、突出電極間のマイグレーション耐性を向上させることが可能となる。
また、本発明の一態様に係る半導体装置によれば、前記突出部は、前記半導体チップ上に設けられた全ての電極パッド間に配置されていることを特徴とする。
これにより、半導体チップ上に形成される全ての突出電極間の封止樹脂の密着性を向上させることが可能となり、半導体チップ上に形成される全ての突出電極間のマイグレーション耐性を向上させることを可能として、半導体チップの特性不良を低減させることができる。
これにより、半導体チップ上に形成される全ての突出電極間の封止樹脂の密着性を向上させることが可能となり、半導体チップ上に形成される全ての突出電極間のマイグレーション耐性を向上させることを可能として、半導体チップの特性不良を低減させることができる。
また、本発明の一態様に係る半導体装置によれば、電極パッドが形成された半導体チップと、前記半導体チップ上に形成された保護膜と、前記電極パッド間に配置され、前記保護膜に形成された溝とを備えることを特徴とする。
これにより、電極パッド間の保護膜の表面積を増大させることが可能となり、電極パッド間における封止樹脂の密着性を向上させることが可能となる。このため、突出電極から分離した金属が保護膜上を移動し難くすることが可能となり、突出電極間のマイグレーション耐性を向上させることが可能となるとともに、マイグレーション発生時の電極パッド間での金属の移動距離を長くすることが可能となり、突出電極間の絶縁性の劣化を抑制することができる。
これにより、電極パッド間の保護膜の表面積を増大させることが可能となり、電極パッド間における封止樹脂の密着性を向上させることが可能となる。このため、突出電極から分離した金属が保護膜上を移動し難くすることが可能となり、突出電極間のマイグレーション耐性を向上させることが可能となるとともに、マイグレーション発生時の電極パッド間での金属の移動距離を長くすることが可能となり、突出電極間の絶縁性の劣化を抑制することができる。
また、本発明の一態様に係る半導体モジュールによれば、電極パッドが形成された半導体チップと、前記電極パッドと同一層に形成され、前記電極パッド間に配置された突出部と、前記半導体チップ上に形成された保護膜と、前記電極パッド上に形成された突出電極と、前記突出電極が接合された端子電極が形成された配線基板とを備えることを特徴とする。
これにより、電極パッド間における封止樹脂の密着性を向上させることを可能として、突出電極間のマイグレーション耐性を向上させることが可能となり、実装面積の増大を抑制しつつ、配線基板上に実装された半導体チップの信頼性を向上させることができる。
また、本発明の一態様に係る半導体モジュールによれば、電極パッドが形成された半導体チップと、前記半導体チップ上に形成された保護膜と、前記電極パッド間に配置され、前記保護膜に形成された溝と、前記電極パッド上に形成された突出電極と、前記突出電極が接合された端子電極が形成された配線基板とを備えることを特徴とする。
また、本発明の一態様に係る半導体モジュールによれば、電極パッドが形成された半導体チップと、前記半導体チップ上に形成された保護膜と、前記電極パッド間に配置され、前記保護膜に形成された溝と、前記電極パッド上に形成された突出電極と、前記突出電極が接合された端子電極が形成された配線基板とを備えることを特徴とする。
これにより、電極パッド間における封止樹脂の密着性を向上させることを可能として、突出電極間のマイグレーション耐性を向上させることが可能となり、実装面積の増大を抑制しつつ、配線基板上に実装された半導体チップの信頼性を向上させることができる。
また、本発明の一態様に係る電子機器によれば、電極パッドが形成された半導体チップと、前記電極パッドと同一層に形成され、前記電極パッド間に配置された突出部と、前記半導体チップ上に形成された保護膜と、前記電極パッド上に形成された突出電極と、前記突出電極が接合された端子電極が形成された配線基板と、前記配線基板を介して前記半導体チップに接続された電子部品とを備えることを特徴とする。
また、本発明の一態様に係る電子機器によれば、電極パッドが形成された半導体チップと、前記電極パッドと同一層に形成され、前記電極パッド間に配置された突出部と、前記半導体チップ上に形成された保護膜と、前記電極パッド上に形成された突出電極と、前記突出電極が接合された端子電極が形成された配線基板と、前記配線基板を介して前記半導体チップに接続された電子部品とを備えることを特徴とする。
これにより、突出電極の構成を複雑化することなく、突出電極間のマイグレーション耐性を向上させることが可能となり、電子機器の小型・軽量化を可能としつつ、電子機器の信頼性を向上させることができる。
また、本発明の一態様に係る電子機器によれば、電極パッドが形成された半導体チップと、前記半導体チップ上に形成された保護膜と、前記電極パッド間に配置され、前記保護膜に形成された溝と、前記電極パッド上に形成された突出電極と、前記突出電極が接合された端子電極が形成された配線基板と、前記配線基板を介して前記半導体チップに接続された電子部品とを備えることを特徴とする。
また、本発明の一態様に係る電子機器によれば、電極パッドが形成された半導体チップと、前記半導体チップ上に形成された保護膜と、前記電極パッド間に配置され、前記保護膜に形成された溝と、前記電極パッド上に形成された突出電極と、前記突出電極が接合された端子電極が形成された配線基板と、前記配線基板を介して前記半導体チップに接続された電子部品とを備えることを特徴とする。
これにより、突出電極の構成を複雑化することなく、突出電極間のマイグレーション耐性を向上させることが可能となり、電子機器の小型・軽量化を可能としつつ、電子機器の信頼性を向上させることができる。
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、電極パッドを半導体基板上に形成する工程と、前記電極パッドと同一層に配置された突出部を前記電極パッド間に形成する工程と、前記電極パッドが形成された半導体基板上に保護膜を形成する工程と、前記電極パッドの表面を露出させる開口部を前記保護膜に形成する工程とを備えることを特徴とする。
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、電極パッドを半導体基板上に形成する工程と、前記電極パッドと同一層に配置された突出部を前記電極パッド間に形成する工程と、前記電極パッドが形成された半導体基板上に保護膜を形成する工程と、前記電極パッドの表面を露出させる開口部を前記保護膜に形成する工程とを備えることを特徴とする。
これにより、電極パッド間に突出部を設けることが可能となり、電極パッド間の保護膜の表面積を増大させることが可能となる。このため、電極パッド間における封止樹脂の密着性を向上させることが可能となり、突出電極間のマイグレーション耐性を向上させることが可能となる。
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、前記突出部および前記電極パッドは一括形成されることを特徴とする。
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、前記突出部および前記電極パッドは一括形成されることを特徴とする。
これにより、導電膜をエッチング加工することで、突出部および電極パッドを同時に形成することが可能となり、工程増を伴うことなく、電極パッド間の封止樹脂の密着性を向上させることが可能となる。
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、電極パッドを半導体基板上に形成する工程と、前記電極パッドが形成された半導体基板上に保護膜を形成する工程と、前記電極パッドの表面を露出させる開口部を前記保護膜に形成する工程と、前記電極パッド間に配置された溝を前記保護膜に形成する工程とを備えることを特徴とする。
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、電極パッドを半導体基板上に形成する工程と、前記電極パッドが形成された半導体基板上に保護膜を形成する工程と、前記電極パッドの表面を露出させる開口部を前記保護膜に形成する工程と、前記電極パッド間に配置された溝を前記保護膜に形成する工程とを備えることを特徴とする。
これにより、電極パッド間に配置された溝を保護膜に設けることが可能となり、電極パッド間の保護膜の表面積を増大させることが可能となる。このため、電極パッド間における封止樹脂の密着性を向上させることが可能となり、突出電極間のマイグレーション耐性を向上させることが可能となる。
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、前記開口部および前記溝は一括形成されることを特徴とする。
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、前記開口部および前記溝は一括形成されることを特徴とする。
これにより、保護膜をエッチング加工することで、開口部および溝を同時に形成することが可能となり、工程増を伴うことなく、電極パッド間の封止樹脂の密着性を向上させることが可能となる。
以下、本発明の実施形態に係る半導体装置およびその製造方法について図面を参照しながら説明する。
図1は、本発明の第1実施形態に係る半導体装置の概略構成を示す平面図である。
図1において、半導体チップ1には素子形成領域2が設けられている。なお、素子形成領域2には、トランジスタなどの能動素子またはキャパシタなどの受動素子を形成することができる。そして、素子形成領域2の周囲には電極パッド3が配置され、電極パッド3は、配線4を介して素子形成領域2に接続されている。また、各電極パッド3間には、電極パッド3と同一層に形成された凸状ライン5が形成されている。
図1は、本発明の第1実施形態に係る半導体装置の概略構成を示す平面図である。
図1において、半導体チップ1には素子形成領域2が設けられている。なお、素子形成領域2には、トランジスタなどの能動素子またはキャパシタなどの受動素子を形成することができる。そして、素子形成領域2の周囲には電極パッド3が配置され、電極パッド3は、配線4を介して素子形成領域2に接続されている。また、各電極パッド3間には、電極パッド3と同一層に形成された凸状ライン5が形成されている。
なお、凸状ライン5の長さは、電極パッド3の一辺の長さよりも長くすることができる。また、凸状ライン5は、配線4の一部を用いて構成するようにしてもよいし、配線4とは別の部材で構成するようにしてもよい。また、配線4の一部を用いて凸状ライン5を構成する場合、凸状ライン5を各電極パッド3および配線4と電気的に分離させるようにしてもよい。また、凸状ライン5は、半導体チップ1に設けられた全ての電極パッド3間に配置することができる。
図2は、本発明の第2実施形態に係る半導体モジュールの概略構成を示す断面図である。
図2において、図1の半導体チップ1には、電極パッド3が設けられるとともに、電極パッド3間に配置された凸状ライン5が形成されている。そして、電極パッド3および凸状ライン5が設けられた半導体チップ1の表面は保護膜6で被覆されている。なお、保護膜6としては、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜またはポリイミド膜などを用いることができる。また、凸状ライン5の間隔は、凸状ライン5を保護膜6で被覆した際に、凸状ライン5間の隙間が保護膜6で完全に埋め込まれることがないように設定することができ、例えば、1〜2μm程度に設定することができる。
図2において、図1の半導体チップ1には、電極パッド3が設けられるとともに、電極パッド3間に配置された凸状ライン5が形成されている。そして、電極パッド3および凸状ライン5が設けられた半導体チップ1の表面は保護膜6で被覆されている。なお、保護膜6としては、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜またはポリイミド膜などを用いることができる。また、凸状ライン5の間隔は、凸状ライン5を保護膜6で被覆した際に、凸状ライン5間の隙間が保護膜6で完全に埋め込まれることがないように設定することができ、例えば、1〜2μm程度に設定することができる。
そして、保護膜6には、電極パッド3の表面を露出させる開口部7が設けられ、開口部7を介して露出された電極パッド3上には突出電極8が形成されている。なお、突出電極8としては、例えば、Niバンプ、Auバンプ、半田材などで被覆されたCuバンプ、あるいは半田ボールなどを用いることができ、突出電極8の形成方法としては、例えば、電解メッキまたは無電解メッキを用いることができる。そして、封止樹脂13を介して突出電極8が端子電極12に接合されることにより、半導体チップ1が配線基板11上にフリップチップ実装されている。
これにより、電極パッド3間の保護膜6の表面積を増大させることが可能となり、電極パッド3間における封止樹脂13の密着性を向上させることが可能となる。このため、突出電極8から分離した金属が保護膜6上を移動し難くすることが可能となり、突出電極8間のマイグレーション耐性を向上させることが可能となるとともに、マイグレーション発生時の突出電極8間での金属の移動距離を長くすることが可能となり、突出電極8間の絶縁性の劣化を抑制することができる。
ここで、凸状ライン5を形成する場合、電極パッド3の形成に用いられる導電膜を用いることにより、凸状ライン5および電極パッド3を一括形成することが可能となる。このため、工程増を伴うことなく、電極パッド3間の保護膜6の表面積を増大させることが可能となり、電極パッド3間における封止樹脂12の密着性を向上させることが可能となる。
なお、配線基板11としては、例えば、両面基板、多層配線基板、ビルドアップ基板、テープ基板またはフィルム基板などを用いることができ、配線基板11の材質としては、例えば、ポリイミド樹脂、ガラスエポキシ樹脂、BTレジン、アラミドとエポキシのコンポジットまたはセラミックなどを用いることができる。また、封止樹脂13としては、例えば、エポキシ樹脂などを用いることができ、封止樹脂13はペースト状またはフィルム状のいずれでもよい。
また、半導体チップ1を配線基板11上に実装する場合、例えば、ACF(Anisotropic Conductive Film)接合、NCF(Nonconductive Film)接合、ACP(Anisotropic Conductive Paste)接合、NCP(Nonconductive Paste)接合などの圧接接合を用いるようにしてもよいし、COF接合などの半田接合や合金接合などの金属接合を用いるようにしてもよい。
図3は、本発明の第3実施形態に係る半導体装置の概略構成を示す平面図である。
図3において、半導体チップ21には素子形成領域22が設けられている。そして、素子形成領域22の周囲には電極パッド23が配置され、電極パッド23は、配線24を介して素子形成領域22に接続されている。また、各電極パッド23間には、電極パッド23と同一層に形成された凸状ドットライン25が形成されている。
図3において、半導体チップ21には素子形成領域22が設けられている。そして、素子形成領域22の周囲には電極パッド23が配置され、電極パッド23は、配線24を介して素子形成領域22に接続されている。また、各電極パッド23間には、電極パッド23と同一層に形成された凸状ドットライン25が形成されている。
なお、凸状ドットライン25の長さは、電極パッド23の一辺の長さよりも長くすることができる。また、凸状ドットライン25は、配線24の一部を用いて構成するようにしてもよいし、配線24とは別の部材で構成するようにしてもよい。また、配線24の一部を用いて凸状ドットライン25を構成する場合、凸状ドットライン25を各電極パッド23および配線24と電気的に分離させるようにしてもよい。また、各電極パッド23間に凸状ドットライン25を形成する他に、各電極パッド23間に凸状ドットを敷き詰めるようにしてもよい。また、凸状ドットライン25は、半導体チップ21に設けられた全ての電極パッド23間に配置することができる。
これにより、電極パッド23間に形成される保護膜の表面積を増大させることを可能として、電極パッド23間における封止樹脂の密着性を向上させることが可能となり、電極パッド23上に形成される突出電極間のマイグレーション耐性を向上させることが可能となる。
図4は、本発明の第4実施形態に係る半導体装置の概略構成を示す平面図である。
図4は、本発明の第4実施形態に係る半導体装置の概略構成を示す平面図である。
図4において、半導体チップ31には素子形成領域32が設けられている。そして、素子形成領域32の周囲には電極パッド33が配置され、電極パッド33は、配線34を介して素子形成領域32に接続されている。また、各電極パッド33の周囲には、電極パッド33と同一層に形成された凸状パターン35が各電極パッド33を取り囲むように形成されている。
なお、凸状パターン35は、配線34の一部を用いて構成するようにしてもよいし、配線34とは別の部材で構成するようにしてもよい。また、配線34の一部を用いて凸状パターン35を構成する場合、凸状パターン35を各電極パッド33および配線34と電気的に分離させるようにしてもよい。また、凸状パターン35は、半導体チップ31に設けられた全ての電極パッド33の周囲に配置することができる。
これにより、電極パッド33間に形成される保護膜の表面積を増大させることを可能として、電極パッド33間における封止樹脂の密着性を向上させることが可能となるとともに、マイグレーションの移動経路に対して凸状パターン35をほぼ完全に横たわらせることが可能となり、電極パッド33上に形成される突出電極間のマイグレーション耐性を向上させることが可能となる。
図5は、本発明の第5実施形態に係る半導体モジュールの概略構成を示す断面図である。
図5において、半導体チップ41には電極パッド42が設けられ、電極パッド42が設けられた半導体チップ41の表面は保護膜43で被覆されている。なお、保護膜43としては、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜またはこれらの積層構造、あるいはポリイミド膜などを用いることができる。そして、保護膜43には、電極パッド42の表面を露出させる開口部44が設けられるとともに、電極パッド42間に配置された溝45が形成されている。なお、溝45は、電極パッド42間にライン状に配置されていてもよいし、電極パッド42間にドット状に配置されていてもよいし、電極パッド42を取り囲むように配置されていてもよい。
図5において、半導体チップ41には電極パッド42が設けられ、電極パッド42が設けられた半導体チップ41の表面は保護膜43で被覆されている。なお、保護膜43としては、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜またはこれらの積層構造、あるいはポリイミド膜などを用いることができる。そして、保護膜43には、電極パッド42の表面を露出させる開口部44が設けられるとともに、電極パッド42間に配置された溝45が形成されている。なお、溝45は、電極パッド42間にライン状に配置されていてもよいし、電極パッド42間にドット状に配置されていてもよいし、電極パッド42を取り囲むように配置されていてもよい。
そして、開口部44を介して露出された電極パッド43上には突出電極46が形成されている。そして、封止樹脂53を介して突出電極46が端子電極42に接合されることにより、半導体チップ41が配線基板51上にフリップチップ実装されている。
これにより、電極パッド42間の保護膜43の表面積を増大させることが可能となり、電極パッド42間における封止樹脂53の密着性を向上させることが可能となる。このため、突出電極46から分離した金属が保護膜43上を移動し難くすることが可能となり、突出電極46間のマイグレーション耐性を向上させることが可能となるとともに、マイグレーション発生時の突出電極46間での金属の移動距離を長くすることが可能となり、突出電極46間の絶縁性の劣化を抑制することができる。
これにより、電極パッド42間の保護膜43の表面積を増大させることが可能となり、電極パッド42間における封止樹脂53の密着性を向上させることが可能となる。このため、突出電極46から分離した金属が保護膜43上を移動し難くすることが可能となり、突出電極46間のマイグレーション耐性を向上させることが可能となるとともに、マイグレーション発生時の突出電極46間での金属の移動距離を長くすることが可能となり、突出電極46間の絶縁性の劣化を抑制することができる。
ここで、電極パッド42間に配置された溝45を保護膜43に形成する場合、開口部44を形成するための保護膜43のエッチング加工時に、溝45を一括形成するようにしてもよい。これにより、工程増を伴うことなく、電極パッド42間の保護膜43の表面積を増大させることが可能となり、突出電極46間における封止樹脂53の密着性を向上させることが可能となる。
なお、上述した半導体装置および半導体モジュールは、例えば、液晶表示装置、携帯電話、携帯情報端末、ビデオカメラ、デジタルカメラ、MD(Mini Disc)プレーヤ、ICカード、ICタグなどの電子機器に適用することができ、電子機器の小型・軽量化を可能としつつ、電子機器の信頼性を向上させることができる。
また、上述した実施形態では、半導体チップに端子電極を設ける方法を例にとって説明したが、本発明は、必ずしも半導体チップに端子電極を設ける方法に限定されることなく、例えば、液晶表示装置、有機EL素子、プラズマディスプレイ、弾性表面波(SAW)素子などのセラミック素子、光変調器や光スイッチなどの光学素子、磁気センサやバイオセンサなどの各種センサ類などに端子電極を設ける方法に適用してもよい。
また、上述した実施形態では、半導体チップに端子電極を設ける方法を例にとって説明したが、本発明は、必ずしも半導体チップに端子電極を設ける方法に限定されることなく、例えば、液晶表示装置、有機EL素子、プラズマディスプレイ、弾性表面波(SAW)素子などのセラミック素子、光変調器や光スイッチなどの光学素子、磁気センサやバイオセンサなどの各種センサ類などに端子電極を設ける方法に適用してもよい。
1、21、31、41 半導体チップ、2、22、32 素子形成領域、3、23、33、42 電極パッド、4、24、34 配線、5 凸状ライン、6、43 保護膜、7、44 開口部、8、46 突出電極、11、51 配線基板、12、52 端子電極、13、53 封止樹脂、25 凸状ドットライン、35 凸状パターン、45 溝
Claims (16)
- 電極パッドが形成された半導体チップと、
前記電極パッドと同一層に形成され、前記電極パッド間に配置された突出部と、
前記半導体チップ上に形成された保護膜とを備えることを特徴とする半導体装置。 - 前記突出部は、前記電極パッドと同一の材料で構成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記突出部は、ライン状に配置されていることを特徴とする請求項1または2記載の半導体装置。
- 前記突出部は、ドット状に配置されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項記載の半導体装置。
- 前記突出部は、前記電極パッドを取り囲むように配置されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項記載の半導体装置。
- 前記突出部は、前記電極パッドと電気的に分離していることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項記載の半導体装置。
- 前記突出部は、前記半導体チップ上に設けられた全ての電極パッド間に配置されていることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項記載の半導体装置。
- 電極パッドが形成された半導体チップと、
前記半導体チップ上に形成された保護膜と、
前記電極パッド間に配置され、前記保護膜に形成された溝とを備えることを特徴とする半導体装置。 - 電極パッドが形成された半導体チップと、
前記電極パッドと同一層に形成され、前記電極パッド間に配置された突出部と、
前記半導体チップ上に形成された保護膜と、
前記電極パッド上に形成された突出電極と、
前記突出電極が接合された端子電極が形成された配線基板とを備えることを特徴とする半導体モジュール。 - 電極パッドが形成された半導体チップと、
前記半導体チップ上に形成された保護膜と、
前記電極パッド間に配置され、前記保護膜に形成された溝と、
前記電極パッド上に形成された突出電極と、
前記突出電極が接合された端子電極が形成された配線基板とを備えることを特徴とする半導体モジュール。 - 電極パッドが形成された半導体チップと、
前記電極パッドと同一層に形成され、前記電極パッド間に配置された突出部と、
前記半導体チップ上に形成された保護膜と、
前記電極パッド上に形成された突出電極と、
前記突出電極が接合された端子電極が形成された配線基板と、
前記配線基板を介して前記半導体チップに接続された電子部品とを備えることを特徴とする電子機器。 - 電極パッドが形成された半導体チップと、
前記半導体チップ上に形成された保護膜と、
前記電極パッド間に配置され、前記保護膜に形成された溝と、
前記電極パッド上に形成された突出電極と、
前記突出電極が接合された端子電極が形成された配線基板と、
前記配線基板を介して前記半導体チップに接続された電子部品とを備えることを特徴とする電子機器。 - 電極パッドを半導体基板上に形成する工程と、
前記電極パッドと同一層に配置された突出部を前記電極パッド間に形成する工程と、
前記電極パッドが形成された半導体基板上に保護膜を形成する工程と、
前記電極パッドの表面を露出させる開口部を前記保護膜に形成する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記突出部および前記電極パッドは一括形成されることを特徴とする請求項13記載の半導体装置の製造方法。
- 電極パッドを半導体基板上に形成する工程と、
前記電極パッドが形成された半導体基板上に保護膜を形成する工程と、
前記電極パッドの表面を露出させる開口部を前記保護膜に形成する工程と、
前記電極パッド間に配置された溝を前記保護膜に形成する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記開口部および前記溝は一括形成されることを特徴とする請求項15記載の半導体装置の製造方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2003311177A JP2005079499A (ja) | 2003-09-03 | 2003-09-03 | 半導体装置、半導体モジュール、電子機器および半導体装置の製造方法 |
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JP2003311177A Pending JP2005079499A (ja) | 2003-09-03 | 2003-09-03 | 半導体装置、半導体モジュール、電子機器および半導体装置の製造方法 |
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JP (1) | JP2005079499A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011125434A1 (ja) * | 2010-04-06 | 2011-10-13 | 株式会社村田製作所 | 電子装置 |
CN103299410A (zh) * | 2011-01-26 | 2013-09-11 | 株式会社村田制作所 | 电子元器件模块及电子元器件单元 |
WO2019149149A1 (zh) * | 2018-01-30 | 2019-08-08 | 维沃移动通信有限公司 | 摄像头模组、摄像头模组的组装方法及移动终端 |
-
2003
- 2003-09-03 JP JP2003311177A patent/JP2005079499A/ja active Pending
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