KR100461467B1 - 능동행렬 유기전기발광소자 - Google Patents

능동행렬 유기전기발광소자 Download PDF

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KR100461467B1 KR10-2002-0013445A KR20020013445A KR100461467B1 KR 100461467 B1 KR100461467 B1 KR 100461467B1 KR 20020013445 A KR20020013445 A KR 20020013445A KR 100461467 B1 KR100461467 B1 KR 100461467B1
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Abstract

본 발명은 능동행렬 유기전기발광소자에 관한 것이다.
일반적인 능동행렬 유기 전기발광소자에서는 파워라인이 데이터 배선과 나란한 방향을 가지도록 형성되어 있어, 화소 전극의 면적이 작아지므로 개구율이 낮아지게 되며 이에 따라 휘도가 저하된다.
이러한 문제를 해결하기 위해, 본 발명에 따른 능동행렬 유기전기발광소자에서는 파워라인을 게이트 배선과 나란하게 가로 방향으로 형성함으로써, 화소 전극의 면적을 증가시켜 개구율을 높이고, 휘도를 향상시킬 수 있다.

Description

능동행렬 유기전기발광소자{an active matrix organic electroluminescence display device}
본 발명은 유기전기발광소자에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 박막 트랜지스터를 이용한 능동행렬 유기전기발광소자에 관한 것이다.
현재 텔레비전이나 모니터와 같은 디스플레이 장치에는 음극선관(cathode ray tube : CRT)이 주된 장치로 이용되고 있으나, 이는 무게와 부피가 크고 구동전압이 높은 문제가 있다. 이에 따라, 박형화, 경량화, 저 소비전력화 등의 우수한특성을 가지는 평판 표시 장치(flat panel display)의 필요성이 대두되었으며, 액정 표시 장치(liquid crystal display)와 플라즈마 표시 장치(plasma display panel), 전계 방출 표시 장치(field emission display), 그리고 전기 발광 표시 장치(또는 전기발광소자라고도 함 : electroluminescence display(ELD))와 같은 다양한 평판 표시 장치가 연구 및 개발되고 있다.
이중 전기발광소자는 형광체에 일정 이상의 전기장이 걸리면 빛이 발생하는 전기발광(electroluminescence : EL) 현상을 이용한 표시 소자로서, 캐리어들의 여기를 일으키는 소스에 따라 무기(inorganic) 전기발광소자와 유기전기발광소자(organic electroluminescence display : OELD 또는 유기 ELD)로 나눌 수 있다.
이중, 유기전기발광소자가 청색을 비롯한 가시광선의 모든 영역의 빛이 나오므로 천연색 표시 소자로서 주목받고 있으며, 높은 휘도와 낮은 동작 전압 특성을 가진다. 또한 자체 발광이므로 명암대비(contrast ratio)가 크고, 초박형 디스플레이의 구현이 가능하며, 공정이 간단하여 환경 오염이 비교적 적다. 한편, 응답시간이 수 마이크로초(㎲) 정도로 동화상 구현이 쉽고, 시야각의 제한이 없으며 저온에서도 안정적이고, 직류 5V 내지 15V의 낮은 전압으로 구동하므로 구동회로의 제작 및 설계가 용이하다.
이러한 유기전기발광소자는 구조가 무기전기발광소자와 비슷하나, 발광원리는 전자와 정공의 재결합에 의한 발광으로 이루어지므로 유기 LED(organic light emitting diode : OLED)라고 부르기도 한다.
다수의 화소를 매트릭스 형태로 배열하고 각 화소에 박막 트랜지스터를 연결한 능동행렬(active matrix) 형태가 평판 표시 장치에 널리 이용되는데, 이를 유기전기발광소자에 적용한 능동행렬(active matrix) 유기전기발광소자에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.
도 1은 능동행렬 유기전기발광소자의 한 화소에 대한 회로 구조를 도시한 것으로서, 도시한 바와 같이 능동행렬 유기전기발광소자의 한 화소는 스위칭(switching) 박막 트랜지스터(4)와 드라이빙(driving) 박막 트랜지스터(5), 스토리지 커패시터(6), 그리고 발광 다이오드(7)로 이루어진다.
여기서, 스위칭 박막 트랜지스터(4)의 게이트 전극은 게이트 배선(1)과 연결되고, 소스 전극은 데이터 배선(2)과 연결되어 있다. 스위칭 박막 트랜지스터(4)의 드레인 전극은 드라이빙 박막 트랜지스터(5)의 게이트 전극과 연결되어 있고, 드라이빙 박막 트랜지스터(5)의 드레인 전극은 발광 다이오드(7)의 애노드(anode) 전극과 연결되어 있다. 드라이빙 박막 트랜지스터(5)의 소스 전극은 파워라인(power line)(3)과 연결되어 있고, 발광 다이오드(7)의 캐소드(cathode) 전극은 접지되어 있다. 다음, 스토리지 커패시터(6)가 드라이빙 박막 트랜지스터(5)의 게이트 전극 및 소스 전극과 연결되어 있다.
따라서, 게이트 배선(1)을 통해 신호가 인가되면 스위칭 박막 트랜지스터(4)가 온(on) 되고, 데이터 배선(2)으로부터의 화상 신호가 스위칭 박막 트랜지스터(4)를 통해 스토리지 커패시터(6)에 저장된다. 이 화상 신호는 드라이빙 박막 트랜지스터(5)의 게이트 전극에 전달되어 드라이빙 박막 트랜지스터(5)를 작동시켜 발광 다이오드(7)를 통해 빛이 출력되는데, 이때 발광 다이오드(7)에 흐르는 전류를 제어함으로써 휘도를 조절한다. 여기서, 스위칭 박막 트랜지스터(4)가 오프(off)되더라도 스토리지 커패시터(6)에 저장된 전압 값에 의해 드라이빙 박막 트랜지스터(5)를 구동하기 때문에, 다음 화면의 화상 신호가 들어올 때까지 계속적으로 전류가 발광 다이오드(7)로 흘러 빛을 발하게 된다.
이러한 종래의 능동행렬 유기전기발광소자에서 한 화소에 대한 평면도를 도 2에 도시하였다.
도 2에 도시한 바와 같이, 게이트 배선(21)과 데이터 배선(22)이 교차하여 하나의 화소 영역(P)을 정의하고, 게이트 배선(21)과 데이터 배선(22)이 교차하는 부분에는 스위칭 박막 트랜지스터(TS)가 형성되어 게이트 배선(21) 및 데이터 배선(22)과 연결되어 있다.
이어, 화소 영역(P) 내에는 스위칭 박막 트랜지스터(TS)와 연결된 드라이빙 박막 트랜지스터(TD)가 형성되어 있는데, 드라이빙 박막 트랜지스터(TD)의 게이트 전극(41)은 스위칭 박막 트랜지스터(TS)의 드레인 전극(31)과 연결되어 있으며, 드라이빙 박막 트랜지스터(TD)의 소스 전극(42)은 데이터 배선(22)과 나란한 방향을 가지는 파워라인(51)과 연결되어 있고, 드레인 전극(43)은 투명 도전 물질로 이루어진 화소 전극(61)과 연결되어 있다.
한편, 파워라인(51)과 연결된 제 1 커패시터 전극(52)이 화소 영역(P)에 형성되어 있으며, 다결정 실리콘으로 이루어지고 드라이빙 박막 트랜지스터(TD)의 게이트 전극(41)과 연결된 제 2 커패시터 전극(71, 72)이 파워라인(51) 및 제 1 커패시터 전극(51)과 중첩하여 스토리지 커패시터를 형성한다.
이러한 능동행렬 유기전기발광소자에서는 화소 영역 내에 다수의 박막 트랜지스터를 포함하며, 파워라인이 세로 방향으로 연장되어 있어 화소 영역 내에 차지하는 면적이 크다. 따라서, 화소 전극의 면적이 작아지므로 개구율이 낮아지게 되고, 이에 따라 휘도가 저하되는 문제가 있다.
본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 개구율을 향상시켜 휘도를 높일 수 있는 능동행렬 유기전기발광소자를 제공하는 것이다.
도 1은 능동행렬 유기전기발광소자의 한 화소에 대한 회로도.
도 2는 종래의 능동행렬 유기전기발광소자의 평면도.
도 3은 본 발명에 따른 능동행렬 유기전기발광소자의 평면도.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 능동행렬 유기전기발광소자의 한 화소 구조에 대한 회로도.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 능동행렬 유기전기발광소자는기판과; 상기 기판 상에 서로 교차하여 화소영역을 정의하는 게이트 배선과 데이터 배선과; 상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 상기 두 배선과 연결된 게이트 전극과 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하여 구성되는 제 1 스위칭 박막 트랜지스터와; 상기 제 1 스위칭 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 연결된 게이트 전극을 포함하여 구성되는 제 1 드라이빙 박막 트랜지스터와; 상기 제 1 드라이빙 박막 트랜지스터의 소스 전극과 연결되고, 상기 게이트 배선과 평행하게 구비되는 것을 특징으로 하는 파워라인과; 상기 제 1 드라이빙 박막 트랜지스터의 게이트 전극과 연결되어 있으며, 상기 파워라인과 중첩되어 있는 커패시터 전극과; 상기 제 1 드라이빙 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 연결되고, 상기 화소영역에 형성되어 있는 투명한 화소전극을 포함한다.여기서, 파워라인은 가로 방향으로 연장되어 이웃하는 화소 영역의 파워라인과 연결되어 있을 수 있으며, 게이트 배선과 동일한 물질로 이루어질 수도 있다.
한편, 커패시터 전극은 불순물을 포함하는 다결정 실리콘으로 이루어질 수 있다.
본 발명은 제 1 스위칭 박막 트랜지스터와 연결되는 제 2 스위칭 박막 트랜지스터와, 제 2 스위칭 박막 트랜지스터 및 제 1 드라이빙 박막 트랜지스터와 연결되는 제 2 드라이빙 박막 트랜지스터를 더 포함할 수도 있다.이 경우, 상기 제 1 스위칭 소자와 연결된 제 2 스위칭 소자는 게이트 전극이 상기 게이트 배선과 연결되고, 소스 전극은 상기 제 1 스위칭 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 연결되며, 드레인 전극은 상기 제 1 드라이빙 박막 트랜지스터와 제 2 드라이빙 박막 트랜지스터의 게이트 전극과 동시에 연결된 것을 특징으로 하며, 상기 제 2 드라이빙 박막 트랜지스터는 게이트 전극이 상기 제 1 드라이빙 박막 트랜지스터의 게이트 전극과 연결되며, 소스 전극은 제 1 드라이빙 박막 트랜지스터의 드레인 전극 및 상기 파워라인과 동시에 연결되는 것을 특징으로 한다.
이와 같이, 본 발명에 따른 능동행렬 유기전기발광소자에서는 파워라인을 게이트 배선과 나란한 방향으로 형성함으로써, 화소 전극의 면적을 증가시켜 개구율을 높일 수 있고, 또한 휘도를 향상시킬 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 능동행렬 유기전기발광소자에 대하여 상세히 설명한다.
먼저, 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 능동행렬 유기전기발광소자에 대한 평면도이다.
도시한 바와 같이, 가로 방향의 게이트 배선(121)과 세로 방향의 데이터 배선(122)이 교차하여 하나의 화소 영역(P1)을 정의하고, 게이트 배선(121)과 데이터 배선(122)이 교차하는 부분에는 스위칭 박막 트랜지스터(TS1)가 형성되어 게이트 배선(121) 및 데이터 배선(122)과 연결되어 있다. 여기서, 게이트 배선(121)의 일부가 스위칭 박막 트랜지스터(TS1)의 게이트 전극이 된다.
이어, 화소 영역(P1) 내에는 스위칭 박막 트랜지스터(TS1)와 연결된 드라이빙 박막 트랜지스터(TD1)가 형성되어 있는데, 드라이빙 박막 트랜지스터(TD1)의 게이트 전극(141)은 스위칭 박막 트랜지스터(TS1)의 드레인 전극(131)과 연결되어 있다.
또한, 화소 영역(P1) 내에는 가로 방향으로 연장되어 이웃하는 화소 영역(P1)과 연결되어 있으며 게이트 배선(121)과 나란한 파워라인(151)이 형성되어 있고, 파워라인(151)은 드라이빙 박막 트랜지스터(TD1)의 소스 전극(142)과 연결되어 있다. 이때, 파워라인(151)은 게이트 배선(121)과 나란하게 형성되어 있으므로, 게이트 배선(121) 형성 공정에서 게이트 배선(121)과 같은 물질로 형성될 수 있으며, 별도의 전도성 물질을 이용하여 형성될 수도 있다.
다음, 드라이빙 박막 트랜지스터(TD1)의 드레인 전극(143)은 투명 도전 물질로 이루어진 화소 전극(161)과 연결되어 있다. 여기서, 화소 전극(161)은 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide : 이하 ITO라고 한다)나 인듐-징크-옥사이드 (indium-zinc-oxide : 이하 IZO라고 한다)로 이루어질 수 있다.
다음, 드라이빙 박막 트랜지스터(TD1)의 게이트 전극(141)과 연결되며, 파워라인(151)과 중첩하여 스토리지 커패시터를 이루는 커패시터 전극(171)이 형성되어 있다. 여기서, 커패시터 전극(171)은 불순물이 도핑된 다결정 실리콘으로 이루어질 수 있다.
이와 같이, 본 발명에 따른 실시예에서는 파워라인(151)이 게이트 배선 (121)과 나란한 가로 방향으로 연장되어 이웃하는 화소 영역(P1)과 연결되어 있으므로, 화소 전극(161)의 면적을 더 크게 할 수 있다. 따라서, 유기전기발광소자의 개구율을 높일 수 있다.
한편, 앞선 실시예에서는 하나의 화소에 박막 트랜지스터가 두개인 경우에 대해 설명하였으나, 화질의 균일도를 높이기 위해 한 화소에 박막 트랜지스터를 네 개 포함하도록 한 경우에 대해서도 적용할 수 있다. 이러한 경우의 화소 구조를 도 4에 도시하였다.
도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 또 다른 능동행렬 유기전기발광소자의 한 화소(P2)는 게이트 배선(211)과 데이터 배선(212)이 교차함으로써 이루어지고, 화소(P2)는 제 1 및 제 2 스위칭 박막 트랜지스터(214, 215)와 제 1 및 제 2 드라이빙 박막 트랜지스터(216, 217), 그리고 스토리지 커패시터(218) 및 발광 다이오드(219)를 포함한다.
여기서, 제 1 및 제 2 스위칭 박막 트랜지스터(214, 215)의 게이트 전극은 게이트 배선(211)과 연결되고, 제 1 스위칭 박막 트랜지스터(214)의 소스 전극은데이터 배선(212)과 연결되어 있으며, 제 1 스위칭 박막 트랜지스터(214)의 드레인 전극은 제 2 스위칭 박막 트랜지스터(215)의 소스 전극과 연결되어 있다.
다음, 제 1 드라이빙 박막 트랜지스터(216)의 소스 전극은 제 1 스위칭 박막 트랜지스터(214)의 드레인 전극 및 제 2 스위칭 박막 트랜지스터(215)의 소스 전극과 연결되어 있고, 제 1 드라이빙 박막 트랜지스터(216)의 게이트 전극은 제 2 스위칭 박막 트랜지스터(215)의 드레인 전극 및 제 2 드라이빙 박막 트랜지스터(217)의 게이트 전극과 연결되어 있다.
다음, 제 2 드라이빙 박막 트랜지스터(217)의 소스 전극은 제 1 드라이빙 박막 트랜지스터(216)의 드레인 전극 및 파워 라인(213)과 연결되어 있으며, 제 2 드라이빙 박막 트랜지스터(217)의 드레인 전극은 발광 다이오드(219)의 애노드 전극과 연결되어 있다.
한편, 발광 다이오드(219)의 캐소드 전극은 접지되어 있으며, 제 1 및 제 2 드라이빙 박막 트랜지스터(216, 217)에는 스토리지 커패시터(218)가 연결되어 있다. 스토리지 커패시터(218)의 일 전극은 제 1 드라이빙 박막 트랜지스터(216)의 드레인 전극 및 제 2 드라이빙 박막 트랜지스터(217)의 소스 전극과 연결되어 있고, 타 전극은 제 1 및 제 2 드라이빙 박막 트랜지스터(216, 217)의 게이트 전극과 연결되어 있다.
따라서, 게이트 배선(211)의 신호에 의해 제 1 및 제 2 스위칭 박막 트랜지스터(214, 215)가 동작하여 데이터 배선(212)의 신호가 제 1 및 제 2 드라이빙 박막 트랜지스터(216, 217)에 전달되고, 이 신호에 의해 제 2 드라이빙 박막 트랜지스터(217)가 동작함으로써, 파워 라인(213)의 화상신호 Vdd가 발광 다이오드(219)에 전달되어 발광 다이오드(219)에서 빛이 나오게 된다.
앞서 언급한 바와 같이, 도 4의 게이트 배선(211)과 파워라인(213)은 나란한 방향을 가지며, 가로 방향으로 형성될 수 있다.
본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 아니하며, 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 이상 다양한 변화와 변형이 가능하다.
본 발명에 따른 능동행렬 유기전기발광소자에서는 파워라인을 가로 방향으로 형성함으로써, 화소 전극의 면적을 크게 하여 개구율을 높일 수 있다. 이에 따라 유기전기발광소자의 휘도를 향상시킬 수 있다.

Claims (8)

  1. 기판과;
    상기 기판 상에 서로 교차하여 화소영역을 정의하는 게이트 배선과 데이터 배선과;
    상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 상기 두 배선과 연결된 게이트 전극과 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하여 구성되는 제 1 스위칭 박막 트랜지스터와;
    상기 제 1 스위칭 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 연결된 게이트 전극을 포함하여 구성되는 제 1 드라이빙 박막 트랜지스터와;
    상기 제 1 드라이빙 박막 트랜지스터의 소스 전극과 연결되고, 상기 게이트 배선과 평행하게 구비되는 것을 특징으로 하는 파워라인과;
    상기 제 1 드라이빙 박막 트랜지스터의 게이트 전극과 연결되어 있으며, 상기 파워라인과 중첩되어 있는 커패시터 전극과;
    상기 제 1 드라이빙 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 연결되고, 상기 화소영역에 형성되어 있는 투명한 화소전극
    을 포함하는 능동행렬 유기전계발광소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 파워라인은 가로 방향으로 연장되어 있는 능동행렬 유기전기발광소자.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 파워라인은 이웃하는 화소 영역의 파워라인과 연결되어 있는 능동행렬 유기전기발광소자.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 파워라인은 상기 게이트 배선과 동일한 물질로 이루어진 능동행렬 유기전기발광소자.
  5. 삭제
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 커패시터 전극은 불순물을 포함하는 다결정 실리콘으로 이루어진 능동행렬 유기전기발광소자.
  7. 제 1 항 내지 제 4 항 또는 제 6 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 제 1 스위칭 박막 트랜지스터와 연결되는 제 2 스위칭 박막 트랜지스터와, 상기 제 2 스위칭 박막 트랜지스터 및 제 1 드라이빙 박막 트랜지스터와 연결되는 제 2 드라이빙 박막 트랜지스터를 더 포함하는 능동행렬 유기전기발광소자.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 스위칭 소자와 연결된 제 2 스위칭 소자는 게이트 전극이 상기 게이트 배선과 연결되고, 소스 전극은 상기 제 1 스위칭 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 연결되며, 드레인 전극은 상기 제 1 드라이빙 박막 트랜지스터와 제 2 드라이빙 박막 트랜지스터의 게이트 전극과 동시에 연결된 것을 특징으로 하며, 상기 제 2 드라이빙 박막 트랜지스터는 게이트 전극이 상기 제 1 드라이빙 박막 트랜지스터의 게이트 전극과 연결되며, 소스 전극은 제 1 드라이빙 박막 트랜지스터의 드레인 전극 및 상기 파워라인과 동시에 연결되는 것을 특징으로 하는 능동행렬 유기전계발광소자.
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KR10-2002-0013445A KR100461467B1 (ko) 2002-03-13 2002-03-13 능동행렬 유기전기발광소자
US10/331,304 US6781321B2 (en) 2002-03-13 2002-12-31 Organic electroluminescent display having power line parallel to gate line and fabricating method thereof
TW092103275A TWI223218B (en) 2002-03-13 2003-02-18 Organic electroluminescent display having power line parallel to gate line and fabricating method thereof
CNB031200729A CN100401356C (zh) 2002-03-13 2003-03-12 电源线与栅极线平行的有机电致发光显示器及其制造方法
JP2003067918A JP4220277B2 (ja) 2002-03-13 2003-03-13 アクティブマトリクス有機電界発光素子

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9941340B2 (en) 2015-02-13 2018-04-10 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode display including a shielding electrode with reduced crosstalk

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100453634B1 (ko) * 2001-12-29 2004-10-20 엘지.필립스 엘시디 주식회사 능동행렬 유기전기발광소자
TW200415945A (en) * 2002-11-25 2004-08-16 Toshiba Matsushita Display Tec Organic EL display panel
TW587236B (en) * 2003-05-12 2004-05-11 Au Optronics Corp Active organic electroluminescent device structure
KR100689312B1 (ko) 2003-11-11 2007-03-08 엘지.필립스 엘시디 주식회사 수평전계방식 액정표시소자 및 그 제조방법
US20060139342A1 (en) * 2004-12-29 2006-06-29 Gang Yu Electronic devices and processes for forming electronic devices
KR100579750B1 (ko) 2003-12-26 2006-05-15 엘지.필립스 엘시디 주식회사 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그 제조방법
KR101019967B1 (ko) * 2003-12-27 2011-03-09 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자 및 그 구동방법
KR100554494B1 (ko) * 2003-12-30 2006-03-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계 발광소자와 그 제조방법
US20050231447A1 (en) * 2004-04-14 2005-10-20 Shuo-Hsiu Hu Pixel arrangement in a display system
KR100592273B1 (ko) 2004-05-20 2006-06-22 삼성에스디아이 주식회사 평판 디스플레이 장치
US7612368B2 (en) * 2004-12-29 2009-11-03 E.I. Du Pont De Nemours And Company Organic bottom emission electronic device
US20060138403A1 (en) * 2004-12-29 2006-06-29 Gang Yu Organic electronic devices including pixels
JP4661557B2 (ja) * 2005-11-30 2011-03-30 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
EP1793366A3 (en) 2005-12-02 2009-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, and electronic device
KR101269227B1 (ko) * 2006-06-29 2013-05-30 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자와 그 제조방법
KR101254589B1 (ko) * 2006-06-29 2013-04-15 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자와 그 제조방법
KR101254560B1 (ko) * 2006-06-29 2013-04-19 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자와 그 제조방법
KR101295192B1 (ko) 2006-06-29 2013-08-09 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자와 그 제조방법
KR101276662B1 (ko) 2006-06-30 2013-06-19 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자와 그 제조방법
US7507998B2 (en) * 2006-09-29 2009-03-24 Tpo Displays Corp. System for displaying images and method for fabricating the same
CN100448020C (zh) * 2007-04-06 2008-12-31 友达光电股份有限公司 电致发光显示器
US8264157B2 (en) * 2008-03-26 2012-09-11 Dmitry Kolosov Electronic device including an organic diode and a shunt and a process of forming the same
CN102569348A (zh) * 2012-02-15 2012-07-11 福州华映视讯有限公司 主动式发光元件
KR101924996B1 (ko) 2012-03-29 2018-12-05 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN104916660B (zh) * 2015-04-20 2018-04-20 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示面板及显示装置
JP2019032447A (ja) * 2017-08-08 2019-02-28 株式会社Ｊｏｌｅｄ アクティブマトリクス表示装置
TWI662348B (zh) * 2018-01-05 2019-06-11 友達光電股份有限公司 像素電路及顯示裝置
KR102063314B1 (ko) * 2018-11-28 2020-01-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102601866B1 (ko) * 2019-01-16 2023-11-15 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 장치

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970002398A (ko) * 1995-06-29 1997-01-24 김주용 액티브 매트릭스 방식의 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR20010014476A (ko) * 1999-02-09 2001-02-26 다카노 야스아키 일렉트로 루미네센스 표시 장치
JP2001147659A (ja) * 1999-11-18 2001-05-29 Sony Corp 表示装置
JP2001296559A (ja) * 1995-08-11 2001-10-26 Sharp Corp 液晶表示装置、およびアクティブマトリクス基板
KR20020075614A (ko) * 2001-03-26 2002-10-05 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 소자 구동용 티에프티 화소부

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3541625B2 (ja) * 1997-07-02 2004-07-14 セイコーエプソン株式会社 表示装置及びアクティブマトリクス基板
JP4416901B2 (ja) * 2000-03-14 2010-02-17 株式会社半導体エネルギー研究所 レベルシフタ
TW531901B (en) * 2000-04-27 2003-05-11 Semiconductor Energy Lab Light emitting device
JP3883817B2 (ja) * 2001-04-11 2007-02-21 三洋電機株式会社 表示装置
KR100453634B1 (ko) * 2001-12-29 2004-10-20 엘지.필립스 엘시디 주식회사 능동행렬 유기전기발광소자

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970002398A (ko) * 1995-06-29 1997-01-24 김주용 액티브 매트릭스 방식의 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법
JP2001296559A (ja) * 1995-08-11 2001-10-26 Sharp Corp 液晶表示装置、およびアクティブマトリクス基板
KR20010014476A (ko) * 1999-02-09 2001-02-26 다카노 야스아키 일렉트로 루미네센스 표시 장치
JP2001147659A (ja) * 1999-11-18 2001-05-29 Sony Corp 表示装置
KR20020075614A (ko) * 2001-03-26 2002-10-05 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 소자 구동용 티에프티 화소부

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9941340B2 (en) 2015-02-13 2018-04-10 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode display including a shielding electrode with reduced crosstalk

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Publication number Publication date
KR20030073738A (ko) 2003-09-19
JP2003308031A (ja) 2003-10-31
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