KR100531294B1 - 유기 ｅｌ 소자 및 그 제조 방법 - Google Patents

유기 ｅｌ 소자 및 그 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 유기 EL 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히 유기 EL 소자의 제작 공정시 자외선으로부터의 영향을 줄이는 것에 관한 것이다. 본 발명에 따르면 기판, 패드부, 발광 영역, 다수의 트랜지스터들로 이루어진 액티브 매트릭스 기판을 형성하는 단계와, 상기 액티브 매트릭스 기판의 발광 영역 이외 부분에 상기 다수의 트랜지스터가 포함되도록 보호막을 형성하는 단계와, 상기 액티브 매트릭스 기판의 발광 영역에 제 1전극을 형성하는 단계와, 상기 제 1전극이 형성된 기판 상부에 절연막, 유기EL층, 제 2전극을 형성하는 단계로 이루어져 상기 제 1전극 쪽으로 빛이 투과되는 하부 발광 방식의 유기 EL 소자의 제작 단계와, 기판, 패드부, 발광 영역, 다수의 트랜지스터들로 이루어진 액티브 매트릭스 기판을 형성하는 단계와, 상기 액티브 매트릭스 기판 상부에 평탄화막을 형성하는 단계와, 상기 평탄화막 상부에 빛을 반사하고, 자외선으로부터 트랜지스터를 보호하기 위한 제 1전극용 반사막을 형성하는 단계와, 상기 반사막이 형성된 기판 상부에 절연막, 유기 EL 층, 제 2전극을 형성하는 단계로 이루어져 상기 제 2전극 쪽으로 빛이 투과되는 상부 발광 방식의 유기 EL 소자의 제작 단계에 있어서, 이와 같은 방식으로 유기 EL 소자를 제작하게 되면, 상기 보호막 및 반사막으로 인해 유기 EL 소자 제작시 발생하는 자외선으로부터 상기 트랜지스터를 보호하여 보다 효율이 높고 안정적인 유기 EL 소자를 제작하게 된다.

Description

유기 ＥＬ 소자 및 그 제조 방법 {Organic electroluminescence device and Fabrication method of the same}
본 발명은 유기 전계발광(Electro-Luminescence : 이하 'EL') 소자에 관한 것으로, 특히 유기 EL 소자 제작시 자외선으로 인한 영향을 줄여 소자의 신뢰성을 높이는 방법에 관한 것이다.
종래 액티브 매트릭스 기판을 이용하여 유기 EL 소자 제작시 문제가 되는 부분은 외부의 UV(Ultra Violet : 자외선)에 의해 기판상에 제작된 TFT(Thin Film Transistor : 박막트랜지스터)가 영향을 받는다는 점이다.
도 1의 (a)는 일반적인 액티브 매트릭스 유기 EL 기판을 나타낸 모습이다.
도 1의 (a)와 같이 기판(1)위에 전기적인 연결을 위한 패드(pad)부(2)와, 발광 영역인 액티브 영역(active area)(3)이 있다.
상기와 같이 구성된 기판(1)에 제 1전극 및 TFT를 형성하고, 상기 제 1전극 및 TFT 상부에 유기층을 형성하게 되는데, 이때 제 1전극과 유기층과의 이종접합으로 인한 에너지 장벽이 발생하므로 이러한 에너지 장벽을 줄이기 위해 상기 유기층을 형성하기 전에 표면처리를 하게 된다. 상기 표면처리 공정으로 UVO(Ultra Violet Ozone)처리나 플라스마(plasma)처리를 하게 되는데 이때 발생하는 UV로 인해 트랜지스터가 제 기능을 상실하는 경우가 발생한다.
도 1의 (b)는 유기 EL 소자의 제작 단계 중 보호막을 형성하는 것을 나타내는 도면이다.
도 1의 (a)와 같은 기판 상부에 애노드 및 TFT, 유기 EL 층(4), 캐소드(제 2전극)(5)을 형성한 후 봉제판(seal cover)(6)을 덮고 봉제 라인(sealing line)(7)을 따라 봉제하게 된다. 이와 같이 하는 이유는 수분 및 산소에 취약한 유기 EL 층을 보호하기 위함이다. 이때, 상기 봉제 공정 중 하나인 접착제 및 레진(resin)의 UV curing시 발생하는 UV에 의해 트랜지스터가 제 기능을 상실하는 경우가 많이 발생하는 문제가 있다.
이러한 현상은 발광부 이외의 부분에 각종 트랜지스터가 존재하기 때문으로 이를 좀 더 자세히 설명하면 다음과 같다.
도 2는 기판의 발광부 이외의 부분에 형성된 트랜지스터를 나타낸 평면도와 단면도이다.
도 2의 (a)는 상기 평면도를 나타낸 것으로 도 2의 (a)와 같이 발광부 이외의 부분에 발광부 주위의 TFT(8)(driving TFT, switching TFT등)와 같은 다수의 트랜지스터와 게이트 드라이버(gate driver), 데이터 드라이버(data driver) 및 여러 회로(circuit)가 형성되어 있기 때문에 이 부분이 UV에 노출되었을 경우 심각한 문제를 야기하는 것이다.
상기 트랜지스터는 도 2의 (b)와 같이 도핑(doping)된 다결정질 실리콘 (P-Si)(9-1), 다결정질 실리콘(P-Si)(9-2), 게이트(gate) 절연막(9-3), 소스 및 드레인 전극(9-4), 게이트 전극(9-5), 보호막(SiNx,SiOx)층(절연막)(9-6)으로 구성된다.
따라서, 본 발명의 목적은 앞서 설명한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 액티브 매트릭스 소자의 발광부 이외의 부분에 형성된 TFT 위에 UV를 차단할 수 있는 금속 보호막을 형성하여 액티브 매트릭스 유기 발광 소자 제작 공정 중 발생하는 여러 UV로부터 TFT를 보호함으로써 소자의 신뢰성을 증대시키는데 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 유기 EL 소자 및 그 제조 방법 중 하부 발광 방식의 유기 EL 소자의 제작 단계는 기판, 패드부, 발광 영역, 다수의 트랜지스터들로 이루어진 액티브 매트릭스 기판을 형성하는 단계와, 상기 액티브 매트릭스 기판의 발광 영역 이외 부분에 상기 다수의 트랜지스터가 포함되도록 보호막을 형성하는 단계와, 상기 액티브 매트릭스 기판의 발광 영역에 제 1전극을 형성하는 단계와, 상기 제 1전극이 형성된 기판 상부에 절연막, 유기EL층, 제 2전극을 형성하는 단계로 이루어짐을 특징으로 한다.
상기 제 1 전극을 먼저 형성한 후 상기 보호막을 형성할 수 도 있다.
상기 보호막을 형성하는 단계는 상기 발광 영역 이외의 부분 전면적에 걸쳐 형성하는 단계 혹은 상기 트랜지스터가 존재하는 부분에만 부분적으로 형성하는 단계 중 어느 하나를 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.
상기 보호막은 크롬, 구리, 텅스텐, 금, 니켈, 은, 티타늄, 탄탈 중 어느 하나를 사용하는 것이 바람직하다.
상기 보호막에 상기 패드부쪽으로 배선을 연결하여 외부에서 전기를 가할 수 있도록 하는 단계를 포함하여 이루어지는 것이 바람직하다.
상기 보호막에 유기물 막을 덧붙이는 단계를 포함하여 이루어지는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 상부 발광 방식의 유기 EL 소자의 제작 단계는 기판, 패드부, 발광 영역, 다수의 트랜지스터들로 이루어진 액티브 매트릭스 기판을 형성하는 단계와, 상기 액티브 매트릭스 기판 상부에 평탄화막을 형성하는 단계와, 상기 평탄화막 상부에 빛을 반사하고, 자외선으로부터 트랜지스터를 보호하기 위한 제 1전극용 반사막을 형성하는 단계와, 상기 반사막이 형성된 기판 상부에 절연막, 유기 EL 층, 제 2전극을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 반사막을 형성하는 단계는 상기 발광 영역 이외 부분의 평탄화막 상부 전면적에 걸쳐 형성하는 단계 혹은 상기 발광 영역 이외 부분에 존재하는 트랜지스터 부분의 평탄화막 상부에만 부분적으로 형성하는 단계 중 어느 하나를 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.
상기 반사막은 크롬, 구리, 텅스텐, 금, 니켈, 은, 티타늄, 탄탈 중 어느 하나를 사용하는 것이 바람직하다.
상기 반사막에 상기 패드부쪽으로 배선을 연결하여 외부에서 전기를 가할 수 있도록 하는 단계를 포함하여 이루어는 것이 바람직하다.
상기와 같은 단계로 이루어져 제작된 본 발명에 따른 하부 발광 방식의 유기 EL 소자는 기판, 패드부, 발광 영역, 다수의 트랜지스터들로 구성된 액티브 매트릭스 기판과, 상기 액티브 매트릭스 기판의 발광 영역 이외 부분에 형성되어 상기 액티브 매트릭스 기판의 다수의 트랜지스터를 자외선으로부터 보호하는 보호막과, 상기 액티브 매트릭스 기판의 발광 영역에 형성된 제 1 전극과, 상기 제 1 전극 상부에 형성된 절연막 및 유기 EL 층과, 상기 유기 EL 층 상부에 형성된 제 2 전극으로 구성되어 상기 제 1 전극 쪽으로 빛이 투과되도록 구성된다.
상기 보호막은 상기 기판 상부 발광 영역 이외의 부분 전면적 혹은 부분적(상기 트랜지스터가 존재하는 부분)으로 형성됨을 특징으로 한다.
상기 보호막은 크롬, 구리, 텅스텐, 금, 니켈, 은, 티타늄, 탄탈 중 어느 하나의 금속으로 구성되는 것이 바람직하다.
상기 보호막에 유기물 막이 덧붙여 구성되는 것이 바람직하다.
상기 보호막과 상기 패드부 사이에 배선으로 연결되어 구성되는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 상부 발광 방식으로 제작된 유기 EL 소자는 기판, 패드부, 발광영역, 다수의 트랜지스터로 구성된 액티브 매트릭스 기판과, 상기 액티브 매트릭스 기판 상부에 형성된 평탄화막과, 상기 평탄화막 상부에 빛을 반사하고, 자외선으로부터 상기 트랜지스터를 보호하는 제 1 전극용 반사막과, 상기 반사막 상부에 형성된 절연막 및 유기 EL 층과, 상기 유기 EL 층 상부에 형성된 제 2 전극으로 구성되어 상기 제 2 전극 쪽으로 빛이 투과되도록 구성된다.
상기 반사막은 상기 발광 영역 이외 부분의 평탄화막 상부 전면적 혹은 상기 발광 영역 이외 부분에 존재하는 트랜지스터 부분의 평탄화막 상부에 부분적으로 형성된 것을 특징으로 한다.
상기 반사막은 크롬, 구리, 텅스텐, 금, 니켈, 은, 티타늄, 탄탈 중 어느 하나의 금속으로 구성되는 것이 바람직하다.
상기 반사막과, 상기 패드부가 배선으로 연결되어 구성되는 것이 바람직하다.
이하 발명의 바람직한 실시예에 따른 구성 및 작용을 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.
유기 전계 발광 소자는 그 발광 방식에 따라 크게 하부 발광 방식(Bottom-emission)과 상부 발광 방식(Top-emission)으로 나뉜다. 따라서, 본 발명에서는 하부 발광 방식과, 상부 발광 방식으로 나누어 설명한다.
도 3은 본 발명에 따라 하부 발광 방식의 경우 발광 영역을 제외한 전면에 걸쳐 형성된 금속 보호막을 나타낸 평면도 및 단면도이다.
도 3의 (a)는 상기 평면도를 나타낸 것으로, 기판(1) 상부에 패드부(2), 발광 영역(3)을 제외한 나머지 영역 전면에 걸쳐 UV로부터 TFT를 보호하기 위한 금속 보호막(10)을 형성한 모습을 나타내었다.
도 3의 (b)는 상기 단면도를 나타낸 것으로, 도면과 같이 보호막(SiNx, SiOx)(9-6) 상부 전면에 걸쳐 금속 보호막(10)이 형성되어 있다.
도 3의 (c)는 발광 영역 내부를 확대한 단면도로서, 도 3의 (b)와 비교하기 위해 나타내었다. 도 3의 (c)와 같이, 발광 영역(3)에는 금속 보호막(10)이 형성되지 않으며, 하부 발광을 위한 애노드 전극(투명한 화소전극(ITO))(제 1전극)(11)이 트랜지스터를 제외한 영역에 형성되어 있다.
도 4는 본 발명에 따라 하부 발광 방식의 경우 발광 영역을 제외한 부분에 필요한 부분만 선택적으로 형성된 금속 보호막을 나타낸 평면도 및 단면도이다.
도 4의 (a)는 상기 평면도를 나타낸 도면으로, 도 4의 (a)와 같이 기판(1) 상부에 패드부(2), 발광 영역(3)을 제외한 나머지 부분에 선택적으로 금속 보호막(10)이 형성되어 있다. 상기 금속 보호막(10)은 트랜지스터를 보호하기 위한 목적이므로, 트랜지스터 부분만 선택적으로 형성하게 된다.
도 4의 (b)는 상기 단면도로서, 도 4의 (b)와 같이 보호막(SiNx, SiOx)(9-6) 상부에 트랜지스터 부분만 선택적으로 금속 보호막(10)이 형성되어 있다.
도 4의 (c)는 발광부 영역 내부를 확대한 단면도로서, 도 4의 (b)와 비교하기 위해 나타내었다. 도 4의 (c)와 같이, 하부 발광을 위한 애노드 전극(투명한 화소전극(ITO))(11)이 트랜지스터를 제외한 영역에 형성되어 있다.
상기와 같이 구성된 본 발명에 따른 금속 보호막을 좀 더 상세히 설명하면 다음과 같다.
하부 발광 방식의 경우 보호막(SiNx,SiOx)(9-6) 상부에 발광 영역(3)을 제외한 다른 부분에 도면 3과 같이 전면에 금속 보호막(10)을 형성하던지, 도면 4와 같이 필요한 부분(트랜지스터 상부)만 선택적으로 금속 보호막(10)을 형성한다.
그 후 애노드 전극(화소전극(ITO))(11)을 형성한다. 이때, 상기 금속 보호막(10)을 먼저 형성하든 애노드 전극(11)을 먼저 형성하든 순서는 상관 없다.
상기 금속 보호막(10)으로 쓰이는 물질에는 금속이면 아무거나 상관없으나(Cr,Cu,W,Au,Ni,Ag,Ti,Ta등), 특히 다른 부분에도 널리 사용되어 공정이 쉬운 크롬(Cr)을 사용할 경우 편리하다.
상기 금속 보호막(10)을 패드부(2)쪽으로 배선을 연결하여 외부에서 전기를 가하게 하거나, 보호막(9-6) 상부에 유기물막과 같은 다른막을 형성한후 상기 금속 보호막(10)을 형성할 수 도 있다. 이는 절연 성분을 갖는 막(9-6,6)사이에 금속 보호막(10)이 위치함으로써, 전하가 충전되는 케페시턴스(capacitance)와 같은 효과(cap 효과)가 나타날 수 있기 때문으로, 이는 유기 EL 소자의 효율을 떨어뜨릴수도 있다. 따라서 상기 금속 보호막(10)에 배선을 연결하거나, 상기 보호막(9-6)을 두텁게 함으로써 cap효과를 낮추게 된다.
도 5는 본 발명에 따라 상부 발광 방식의 경우에 형성된 금속 보호막을 나타낸 평면도 및 단면도이다.
도 5의 (a)는 상기 평면도로서, 도 5의 (a)와 같이, 기판 상부(1)에 형성된 발광 영역(3), 발광 영역 이외의 부분 위로 평탄화막(12)이 있고, 그 상부 전면에 걸쳐 상부 발광용 애노드 금속 반사막(13)이 형성되어 있다.
도 5의 (b)는 상기 발광 영역 이외의 부분을 확대하여 나타낸 도면으로 도5의 (b)와 같이, 기판(1) 상부 TFT부분(9) 위로 평탄화막(12)이 형성되어 있고, 상기 평탄화막(12) 상부 전면에 걸쳐 상부발광용 애노드 금속 반사막(13)이 형성되어 있다.
도 5의 (c)는 상기 발광 영역(3) 내부를 확대하여 나타낸 도면으로 형성된 평탄화막(12) 상부에 TFT 부분(9) 일부를 제외한 나머지 영역에 상부발광용 애노드 금속 반사막(13)이 형성되어 있다.
도 6은 본 발명에 따라 상부 발광 방식의 경우 부분적으로 형성된 금속 보호막을 나타낸 평면도 및 단면도이다.
도 6의 (a)는 상기 평면도를 나타낸 도면으로, 도 6의 (a)와 같이 기판(1)상부 패드부(2), 발광영역(3) 전면에 걸쳐 형성된 평탄화 막(12) 상부에 부분적(트랜지스터 부분)으로 상부 발광용 애노드 금속 반사막(13)이 형성되어 있다.
도 6의 (b)는 상기 단면도로서, 도 6의 (b)와 같이 평탄화막(12) 상부에 트랜지스터 부분을 보호하도록 부분적으로 상부 발광용 애노드 금속 반사막(13)이 형성되어 있음을 볼 수 있다.
도 6의 (c)는 발광 영역(3) 내부를 확대한 단면도로서, 평탄화막(12) 상부에 트랜지스터 부분 일부를 제외한 영역에 상부 발광용 애노드 금속 반사막(13)이 형성되어 있다.
상기와 같이 형성된 금속 반사막을 좀 더 자세히 설명하면 다음과 같다.
상부 발광 방식의 경우 애노드로 사용되는 것이 금속 반사막이므로, 도 5와 같이 전면적, 혹은 도 6과 같이 부분적으로 애노드 패턴 형성과 동시에 발광 영역 주위의 TFT(8) 위에도 금속 보호막(13) 패턴을 형성한다.
상부 발광 방식의 경우 통상 애노드 금속 반사막(13) 밑에 평탄화막(12)을 형성한다.
상기 애노드 금속과 본 발명에서 사용할 금속 보호막은 같은 물질이므로 동시에 패턴(상부 발광용 애노드 금속 반사막(13))을 형성한다. 상기 애노드 금속으로 사용되는 물질은 크롬(Cr), 구리(Cu), 텅스텐(W), 금(Au), 니켈(Ni), 은(Ag), 티타늄(Ti), 탄탈(Ta)등의 금속이나, 이들의 합금 또는 멀티 레이어(multi-layer)를 사용해도 된다.
또한, 앞서 설명한 바와 같이 cap효과 및 저항을 줄이기 위해 상기 상부 발광용 애노드 금속 반사막(13)에 패드부(2)쪽으로 배선을 연결하여 외부에서 전기를 가하게 구성할 수도 있다.
도 7은 상기와 같이 형성된 기판 위에 절연막, 유기EL층, 캐소드(cathod)를 형성한 후 빛이 발광되는 모습을 나타낸 도면이다.
도 7의 (a)는 하부 발광 방식의 경우이며, 도 7의 (b)는 상부 발광 방식을 나타낸 도면이다.
도 7의 (a)와 같이 기판(1) 상부에 형성된 TFT 부분(9)과 애노드(11) 위로 절연막(14), 유기EL층(4), 캐소드(5)를 형성한다. 이와 같이 형성하게 되면, 유기EL층(15)에서 발광한 빛이 투명한 전극(ITO)로 구성된 애노드(11)쪽으로 출사된다.
도 7의 (b)와 같이 기판(1) 상부에 형성된 TFT 부분(9)과 평탄화막(12), 상부 발광용 애노드 금속 반사막(13) 위로 절연막(14), 유기EL층(4), 캐소드(5)를 형성한다. 이와 같은 구성은 상기 유기EL층(4)에서 발광한 빛이 애노드 금속 반사막(13)을 통해 반사되어 케소드(5)쪽으로 출사된다.
상기 절연막으로 쓰이는 물질은 무기물, 유기물이든 상관없이 절연체이면 된다. 특히 무기물의 경우 SiNx, SiOx가 좋고, 유기물의 경우 polymide, polyacryl, novolac계열 등의 물질이 좋다.
그 위에 미도시 하였지만 보호막층(산소흡착층, 수분흡착층, 방습층 등)을 형성시키고, 인켑슐레이션(encapsulation)을 실시한다.(상부 발광 방식의 경우 인켑슐레이션을 하지 않을 수도 있다.)
이상의 설명에서와 같이 본 발명에 따른 유기 EL 소자 및 그 제조방법은 액티브 매트릭스 소자의 발광부 이외의 부분에 형성된 TFT위에 UV를 차단할 수 있는 금속 보호막을 형성하여 액티브 매트릭스 유기 전계 발광 소자 제작 공정 중 발생하는 여러 UV로부터 TFT를 보호함으로써 소자의 신뢰성을 증대시키는 효과가 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 실시예에 기재된 내용으로 한정하는 것이 아니라 특허 청구 범위에 의해서 정해져야 한다.
도 1은 일반적인 액티브 매트릭스 유기 EL 기판에 봉제하는 과정을 나타낸 도면
도 2는 기판의 발광부 이외의 부분에 형성된 트랜지스터를 나타낸 평면도와 단면도
도 3은 본 발명에 따라 하부 발광 방식의 경우 발광 영역을 제외한 전면에 걸쳐 형성된 금속 보호막을 나타낸 평면도 및 단면도
도 4는 본 발명에 따라 하부 발광 방식의 경우 발광 영역을 제외한 부분에 필요한 부분만 선택적으로 형성된 금속 보호막을 나타낸 평면도 및 단면도
도 5는 본 발명에 따라 상부 발광 방식의 경우에 형성된 금속 보호막을 나타낸 평면도 및 단면도
도 6은 본 발명에 따라 상부 발광 방식의 경우 부분적으로 형성된 금속 보호막을 나타낸 평면도 및 단면도
도 7은 본 발명에 따라 형성된 기판 위에 절연막, 유기EL층, 캐소드(cathod)를 형성한 후 빛이 발광되는 모습을 나타낸 도면
- 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 -
1 : 기판 2: 패드부
3 : 발광 영역 4 : 유기 EL 층
5 : 캐소드(제 2전극) 6 : 봉제 커버(seal cover)
7 : 봉제 라인(line) 8 : 발광부 주위의 TFT
9 : TFT 부분 10 : 금속 보호막
11 : 애노드(제 1전극) 12 : 평탄화막
13 : 에노드 금속 반사막 14 : 절연막

Claims (19)

  1. 기판, 패드부, 발광 영역, 다수의 트랜지스터들로 이루어진 액티브 매트릭스 기판을 형성하는 단계와,
    상기 액티브 매트릭스 기판의 발광 영역 이외 부분에 상기 다수의 트랜지스터가 포함되도록 보호막을 형성하는 단계와,
    상기 액티브 매트릭스 기판의 발광 영역에 제 1전극을 형성하는 단계와,
    상기 제 1전극이 형성된 기판 상부에 절연막, 유기EL층, 제 2전극을 형성하는 단계로 이루어져 상기 제 1전극 쪽으로 빛이 투과되는 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 전극을 먼저 형성한 후 상기 보호막을 형성하는 단계로 이루어짐을 특징으로 하는 유기 EL 소자 제조 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 보호막을 형성하는 단계는 상기 발광 영역 이외의 부분 전면적에 걸쳐 형성하는 단계 혹은 상기 트랜지스터가 존재하는 부분에만 부분적으로 형성하는 단계 중 어느 하나를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 유기 EL 소자 제조 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 보호막은 크롬, 구리, 텅스텐, 금, 니켈, 은, 티타늄, 탄탈 중 어느 하나를 사용함을 특징으로 하는 유기 EL 소자 제조 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 보호막에 상기 패드부쪽으로 배선을 연결하여 외부에서 전기를 가할 수 있도록 하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 유기 EL 소자 제조 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 보호막에 유기물 막을 덧붙이는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 유기 EL 소자 제조 방법.
  7. 기판, 패드부, 발광 영역, 다수의 트랜지스터들로 이루어진 액티브 매트릭스 기판을 형성하는 단계와,
    상기 액티브 매트릭스 기판 상부에 평탄화막을 형성하는 단계와,
    상기 발광 영역 이외 부분의 평탄화막 상부에, 빛을 반사하고 자외선으로부터 상기 트랜지스터를 보호하기 위한 제 1전극용 반사막을 형성하는 단계와,
    상기 반사막이 형성된 기판 상부에 절연막, 유기 EL 층, 제 2전극을 형성하는 단계로 이루어져 상기 제 2전극 쪽으로 빛이 투과되는 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자 제조 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1전극용 반사막을 형성하는 단계는, 상기 발광 영역 이외 부분의 평탄화막 상부 전면적에 걸쳐 형성하는 단계 혹은 상기 발광 영역 이외 부분에 존재하는 트랜지스터 부분의 평탄화막 상부에만 부분적으로 형성하는 단계 중 어느 하나를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 유기 EL 소자 제조 방법.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 반사막은 크롬, 구리, 텅스텐, 금, 니켈, 은, 티타늄, 탄탈 중 어느 하나를 사용함을 특징으로 하는 유기 EL 소자 제조 방법.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 반사막에 상기 패드부쪽으로 배선을 연결하여 외부에서 전기를 가할 수 있도록 하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 유기 EL 소자 제조 방법.
  11. 기판, 패드부, 발광 영역, 다수의 트랜지스터들로 구성된 액티브 매트릭스 기판과,
    상기 액티브 매트릭스 기판의 발광 영역 이외 부분에 형성되어 상기 액티브 매트릭스 기판의 다수의 트랜지스터를 자외선으로부터 보호하는 보호막과,
    상기 액티브 매트릭스 기판의 발광 영역에 형성된 제 1 전극과,
    상기 제 1 전극 상부에 형성된 절연막 및 유기 EL 층과,
    상기 유기 EL 층 상부에 형성된 제 2 전극으로 구성되어 상기 제 1 전극 쪽으로 빛이 투과되는 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 보호막은 상기 기판 상부 발광 영역 이외의 부분 전면적 혹은 부분적(상기 트랜지스터가 존재하는 부분)으로 형성됨을 특징으로 하는 유기 EL 소자.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 보호막은 크롬, 구리, 텅스텐, 금, 니켈, 은, 티타늄, 탄탈 중 어느 하나의 금속으로 구성됨을 특징으로 하는 유기 EL 소자.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 보호막에 유기물 막이 덧붙여 구성됨을 특징으로 하는 유기 EL 소자.
  15. 제 11 항에 있어서,
    상기 보호막과 상기 패드부 사이에 배선으로 연결되어 구성됨을 특징으로 하는 유기 EL 소자.
  16. 기판, 패드부, 발광영역, 다수의 트랜지스터로 구성된 액티브 매트릭스 기판과,
    상기 액티브 매트릭스 기판 상부에 형성된 평탄화막과,
    상기 발광 영역 이외 부분의 평탄화막 상부에 형성되어, 빛을 반사하고 자외선으로부터 상기 트랜지스터를 보호하기 위한 제 1 전극용 반사막과,
    상기 반사막 상부에 형성된 절연막 및 유기 EL 층과,
    상기 유기 EL 층 상부에 형성된 제 2 전극으로 구성되어 상기 제 2 전극 쪽으로 빛이 투과되는 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 제 1전극용 반사막은, 상기 발광 영역 이외 부분의 평탄화막 상부 전면적 혹은 상기 발광 영역 이외 부분에 존재하는 트랜지스터 부분의 평탄화막 상부에 부분적으로 형성된 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 반사막은 크롬, 구리, 텅스텐, 금, 니켈, 은, 티타늄, 탄탈 중 어느 하나의 금속으로 구성됨을 특징으로 하는 유기 EL 소자.
  19. 제 16 항에 있어서,
    상기 반사막과, 상기 패드부가 배선으로 연결되어 구성됨을 특징으로 하는 유기 EL 소자.
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