JPH07211976A - 光学共振器 - Google Patents
光学共振器Info
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- JPH07211976A JPH07211976A JP2331894A JP2331894A JPH07211976A JP H07211976 A JPH07211976 A JP H07211976A JP 2331894 A JP2331894 A JP 2331894A JP 2331894 A JP2331894 A JP 2331894A JP H07211976 A JPH07211976 A JP H07211976A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は光学共振器において、貼り合わせ面に
特別なコーテイングをすることなく固体レーザ媒質に波
長板を貼り合わせることができる。 【構成】固体レーザ媒質９と、その固体レーザ媒質と同
程度の屈折率を有する単結晶サフアイヤからなる波長板
７とを貼り合わせるようにしたことにより、固体レーザ
媒質９と波長板７との貼り合わせ面８に特別なコーテイ
ングをすることなく貼り合わせ面８における反射率を低
くし得る。
特別なコーテイングをすることなく固体レーザ媒質に波
長板を貼り合わせることができる。 【構成】固体レーザ媒質９と、その固体レーザ媒質と同
程度の屈折率を有する単結晶サフアイヤからなる波長板
７とを貼り合わせるようにしたことにより、固体レーザ
媒質９と波長板７との貼り合わせ面８に特別なコーテイ
ングをすることなく貼り合わせ面８における反射率を低
くし得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光学共振器に関し、例え
ば共振器内の固体レーザ媒質にＮd:ＹＡＧ(neodymium y
ttrium alminum garnet)を用いたものに適用し得る。
ば共振器内の固体レーザ媒質にＮd:ＹＡＧ(neodymium y
ttrium alminum garnet)を用いたものに適用し得る。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＳＨＧ(second harmonic generat
ion)レーザ装置として、基本レーザ光を発振する固体レ
ーザ共振器内のＮd:ＹＡＧレーザ媒質に、1/4 波長板を
貼り合わせたものがある。この1/4 波長板の材質は単結
晶水晶からなり固体レーザ共振器において発振するレー
ザ光を安定させるために用いられる。
ion)レーザ装置として、基本レーザ光を発振する固体レ
ーザ共振器内のＮd:ＹＡＧレーザ媒質に、1/4 波長板を
貼り合わせたものがある。この1/4 波長板の材質は単結
晶水晶からなり固体レーザ共振器において発振するレー
ザ光を安定させるために用いられる。
【０００３】ところでＮd:ＹＡＧレーザ媒質に1/4 波長
板を貼り合わせる場合、発振レーザ光の共振器内損失を
低く抑えるためには、Ｎd:ＹＡＧレーザ媒質と1/4 波長
板との貼り合わせ面における反射率を低くする必要があ
る。ここで二つの異なる媒質を通過する際の貼り合わせ
面における入射光の反射率Ｒは、入射光が垂直入射する
場合、二つの媒質の屈折率をそれぞれｎ1 及びｎ2 とす
ると次式、
板を貼り合わせる場合、発振レーザ光の共振器内損失を
低く抑えるためには、Ｎd:ＹＡＧレーザ媒質と1/4 波長
板との貼り合わせ面における反射率を低くする必要があ
る。ここで二つの異なる媒質を通過する際の貼り合わせ
面における入射光の反射率Ｒは、入射光が垂直入射する
場合、二つの媒質の屈折率をそれぞれｎ1 及びｎ2 とす
ると次式、
【数１】 により求められる。すなわち（１）式によれば、二つの
媒質の屈折率の差が少ない程、貼り合わせ面における入
射光の反射率Ｒを低くし得る。
媒質の屈折率の差が少ない程、貼り合わせ面における入
射光の反射率Ｒを低くし得る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところがＮd:ＹＡＧレ
ーザ媒質から発振される波長1.064 〔μm 〕のレーザ光
に対する単結晶水晶の屈折率は1.46で、Ｎd:ＹＡＧレー
ザ媒質の屈折率1.82に比較して差が大きい。このためＮ
d:ＹＡＧレーザ媒質と1/4 波長板とを貼り合わせるとき
は貼り合わせ面での反射率を抑えるためマツチングコー
トを施した後、光学用接着剤を用いて貼り合わせるよう
になされていた。
ーザ媒質から発振される波長1.064 〔μm 〕のレーザ光
に対する単結晶水晶の屈折率は1.46で、Ｎd:ＹＡＧレー
ザ媒質の屈折率1.82に比較して差が大きい。このためＮ
d:ＹＡＧレーザ媒質と1/4 波長板とを貼り合わせるとき
は貼り合わせ面での反射率を抑えるためマツチングコー
トを施した後、光学用接着剤を用いて貼り合わせるよう
になされていた。
【０００５】ところがこのように貼り合わせ面にマツチ
ングコートを施した後では、貼り合わせ面を洗浄できな
くなり、貼り合わせ面に塵又は埃が付いた場合に取り除
くことが困難になるという問題があつた。さらに貼り合
わせ面にマツチングコートを施すのに真空工程が必要と
なり、工程数が増えるという問題があつた。
ングコートを施した後では、貼り合わせ面を洗浄できな
くなり、貼り合わせ面に塵又は埃が付いた場合に取り除
くことが困難になるという問題があつた。さらに貼り合
わせ面にマツチングコートを施すのに真空工程が必要と
なり、工程数が増えるという問題があつた。
【０００６】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、貼り合わせ面に特別なコーテイングをすることなく
固体レーザ媒質に1/4 波長板を貼り合わせることのでき
る光学共振器を提案しようとするものである。
で、貼り合わせ面に特別なコーテイングをすることなく
固体レーザ媒質に1/4 波長板を貼り合わせることのでき
る光学共振器を提案しようとするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、単結晶サフアイアからなり、入射
する偏光光の偏光方向を回転させる波長板７と、単結晶
サフアイアと同程度の屈折率を有し、レーザ光を発振す
る固体レーザ媒質９と、波長板７と固体レーザ媒質９と
を反射光路内に置くように波長板７の外側と固体レーザ
媒質９の外側とにそれぞれ設置され、レーザ光を固体レ
ーザ媒質９の中に往復させる１対の反射鏡とを備える。
め本発明においては、単結晶サフアイアからなり、入射
する偏光光の偏光方向を回転させる波長板７と、単結晶
サフアイアと同程度の屈折率を有し、レーザ光を発振す
る固体レーザ媒質９と、波長板７と固体レーザ媒質９と
を反射光路内に置くように波長板７の外側と固体レーザ
媒質９の外側とにそれぞれ設置され、レーザ光を固体レ
ーザ媒質９の中に往復させる１対の反射鏡とを備える。
【０００８】
【作用】固体レーザ媒質９と、その固体レーザ媒質９と
同程度の屈折率を有する単結晶サフアイアからなる波長
板７とを貼り合わせるようにしたことにより、固体レー
ザ媒質９と波長板７との貼り合わせ面８に特別なコーテ
イングをすることなく、貼り合わせ面８における反射率
を低くし得、これによつてコーテイングの工程が省ける
と共に貼り合わせ面８の洗浄ができる。
同程度の屈折率を有する単結晶サフアイアからなる波長
板７とを貼り合わせるようにしたことにより、固体レー
ザ媒質９と波長板７との貼り合わせ面８に特別なコーテ
イングをすることなく、貼り合わせ面８における反射率
を低くし得、これによつてコーテイングの工程が省ける
と共に貼り合わせ面８の洗浄ができる。
【０００９】
【実施例】以下図面について、本発明の一実施例を詳述
する。
する。
【００１０】図１において、１は全体としてＳＨＧレー
ザ装置を示し、半導体レーザ装置２から出射される励起
光は集光レンズ３を介して固体レーザ共振器４に入射さ
れ、固体レーザ共振器４内の固体レーザ媒質を励起し、
これにより基本レーザ光が出射される。さらに固体レー
ザ媒質から出射された基本レーザ光が非線形光学素子５
により第２高調波に波長変換されて固体レーザ共振器４
から出射される。
ザ装置を示し、半導体レーザ装置２から出射される励起
光は集光レンズ３を介して固体レーザ共振器４に入射さ
れ、固体レーザ共振器４内の固体レーザ媒質を励起し、
これにより基本レーザ光が出射される。さらに固体レー
ザ媒質から出射された基本レーザ光が非線形光学素子５
により第２高調波に波長変換されて固体レーザ共振器４
から出射される。
【００１１】固体レーザ共振器４には、集光レンズ３に
よつて集光された励起光が入射端となる入射ミラー６を
介して入射される。固体レーザ共振器４内に入射された
励起光は、単結晶サフアイアを材料とする1/4 波長板７
と、1/4 波長板７とＮd:ＹＡＧレーザ媒質９の光学面を
鏡面研磨して光学接着することにより形成された貼り合
わせ面８を介してＮd:ＹＡＧレーザ媒質９に入射され
る。
よつて集光された励起光が入射端となる入射ミラー６を
介して入射される。固体レーザ共振器４内に入射された
励起光は、単結晶サフアイアを材料とする1/4 波長板７
と、1/4 波長板７とＮd:ＹＡＧレーザ媒質９の光学面を
鏡面研磨して光学接着することにより形成された貼り合
わせ面８を介してＮd:ＹＡＧレーザ媒質９に入射され
る。
【００１２】励起光によつて励起されたＮd:ＹＡＧレー
ザ媒質９からは、波長1.064 〔μm〕の近赤外光がレー
ザ発振される。さらに、このＮd:ＹＡＧレーザ媒質９の
基本レーザ光は非線形光学素子５によつて波長 532〔n
m〕の可視光に波長変換された後、出射ミラー１０を介
してＳＨＧレーザ装置１から出射される。ここで単結晶
サフアイアからなる1/4 波長板７の波長1.064 〔μm 〕
における屈折率は1.75でＮd:ＹＡＧレーザ媒質９の屈折
率1.82に近い。この1/4 波長板７とＮd:ＹＡＧレーザ媒
質９の屈折率を（１）式に代入して貼り合わせ面８にお
ける反射率を計算すると0.033 〔％〕程度と十分に低い
値となる。
ザ媒質９からは、波長1.064 〔μm〕の近赤外光がレー
ザ発振される。さらに、このＮd:ＹＡＧレーザ媒質９の
基本レーザ光は非線形光学素子５によつて波長 532〔n
m〕の可視光に波長変換された後、出射ミラー１０を介
してＳＨＧレーザ装置１から出射される。ここで単結晶
サフアイアからなる1/4 波長板７の波長1.064 〔μm 〕
における屈折率は1.75でＮd:ＹＡＧレーザ媒質９の屈折
率1.82に近い。この1/4 波長板７とＮd:ＹＡＧレーザ媒
質９の屈折率を（１）式に代入して貼り合わせ面８にお
ける反射率を計算すると0.033 〔％〕程度と十分に低い
値となる。
【００１３】以上の構成において、半導体レーザ装置２
から出射された直線偏光の励起レーザ光は1/4 波長板７
を透過することにより円偏光となり、Ｎd:ＹＡＧレーザ
媒質９に入射される。Ｎd:ＹＡＧレーザ媒質９から発振
されるレーザ光は、固体レーザ共振器４の出射ミラー１
０と入射ミラー６により反射され固体レーザ共振器４内
を往復する。この際、通過する貼り合わせ面８における
波長1.064 〔μm 〕のレーザ光に対する反射率は0.033
〔％〕程度と低いため、貼り合わせ面８を通過するレー
ザ光は殆ど反射されることがなく、レーザ光は固体レー
ザ共振器４内において増幅され得る。
から出射された直線偏光の励起レーザ光は1/4 波長板７
を透過することにより円偏光となり、Ｎd:ＹＡＧレーザ
媒質９に入射される。Ｎd:ＹＡＧレーザ媒質９から発振
されるレーザ光は、固体レーザ共振器４の出射ミラー１
０と入射ミラー６により反射され固体レーザ共振器４内
を往復する。この際、通過する貼り合わせ面８における
波長1.064 〔μm 〕のレーザ光に対する反射率は0.033
〔％〕程度と低いため、貼り合わせ面８を通過するレー
ザ光は殆ど反射されることがなく、レーザ光は固体レー
ザ共振器４内において増幅され得る。
【００１４】Ｎd:ＹＡＧレーザ媒質９から発振される波
長1.064 〔μm 〕の基本レーザ光は非線形光学素子５に
よつて波長 532〔nm〕の第２高調波に波長変換され、出
射ミラー１０から出射される。
長1.064 〔μm 〕の基本レーザ光は非線形光学素子５に
よつて波長 532〔nm〕の第２高調波に波長変換され、出
射ミラー１０から出射される。
【００１５】以上の構成によれば、Ｎd:ＹＡＧレーザ媒
質９に貼り合わせる1/4 波長板７の材質に波長1.064
〔μm 〕における屈折率がＮd:ＹＡＧレーザ媒質９と同
程度の単結晶サフアイアを用いることにより、マツチン
グコートを施さなくても貼り合わせ面８における反射率
が低く抑えられた波長板を得ることができ、これにより
コーテイング工程を減らすことができる。さらに貼り合
わせ面８にはコーテイングが施されていないので、波長
板とＮd:ＹＡＧレーザ媒質とを貼り合わせる直前に貼り
合わせ面８を洗浄することができ、塵又は埃等を取り除
くことができる。
質９に貼り合わせる1/4 波長板７の材質に波長1.064
〔μm 〕における屈折率がＮd:ＹＡＧレーザ媒質９と同
程度の単結晶サフアイアを用いることにより、マツチン
グコートを施さなくても貼り合わせ面８における反射率
が低く抑えられた波長板を得ることができ、これにより
コーテイング工程を減らすことができる。さらに貼り合
わせ面８にはコーテイングが施されていないので、波長
板とＮd:ＹＡＧレーザ媒質とを貼り合わせる直前に貼り
合わせ面８を洗浄することができ、塵又は埃等を取り除
くことができる。
【００１６】なお上述の実施例においては、ＳＨＧレー
ザ装置の固体レーザ共振器に用いた場合について述べた
が、本発明はこれに限らず、固体レーザ共振器の固体レ
ーザ媒質にＮd:ＹＡＧを用いた光学共振器一般に用いる
ようにしても良い。
ザ装置の固体レーザ共振器に用いた場合について述べた
が、本発明はこれに限らず、固体レーザ共振器の固体レ
ーザ媒質にＮd:ＹＡＧを用いた光学共振器一般に用いる
ようにしても良い。
【００１７】さらに上述の実施例においては、1/4 波長
板７を固体レーザ共振器内においてＮd:ＹＡＧレーザ媒
質９の入射側に貼り合わせるようにしたが、Ｎd:ＹＡＧ
レーザ媒質９の出射側に貼り合わせるようにしても良
い。
板７を固体レーザ共振器内においてＮd:ＹＡＧレーザ媒
質９の入射側に貼り合わせるようにしたが、Ｎd:ＹＡＧ
レーザ媒質９の出射側に貼り合わせるようにしても良
い。
【００１８】また上述の実施例においては、1/4 波長板
７とＮd:ＹＡＧレーザ媒質９とを光学接着することによ
り形成した場合について述べたが、本発明はこれに限ら
ず、貼り合わせ面同士の接着に屈折率が1.7 〜1.9 程度
の接着剤を用いるようにしても良い。このとき図２に示
すように、貼り合わせ面８におけるレーザ光の反射率は
0.2 〔％〕以下となる。さらに接着剤として屈折率が1.
78程度のものを用いた場合、貼り合わせ面８での反射率
は0.02〔％〕となり、貼り合わせ面８における通過光の
反射率をさらに一段と低く抑えることができる。
７とＮd:ＹＡＧレーザ媒質９とを光学接着することによ
り形成した場合について述べたが、本発明はこれに限ら
ず、貼り合わせ面同士の接着に屈折率が1.7 〜1.9 程度
の接着剤を用いるようにしても良い。このとき図２に示
すように、貼り合わせ面８におけるレーザ光の反射率は
0.2 〔％〕以下となる。さらに接着剤として屈折率が1.
78程度のものを用いた場合、貼り合わせ面８での反射率
は0.02〔％〕となり、貼り合わせ面８における通過光の
反射率をさらに一段と低く抑えることができる。
【００１９】また上述の実施例においては、Ｎd:ＹＡＧ
レーザ媒質９と貼り合わせる単結晶サフアイアの波長板
を1/4 波長板とした場合について述べたが、本発明はこ
れに限らず、1/2 波長板としても良く、さらに固体レー
ザ媒質をＮd:ＹＡＧ以外にも、例えばＹＬＦ(yttrium l
ithium fluoride)又はＹＶＯ4 （酸化イツトリウムバナ
ジウム）等として、これに単結晶サフアイアの波長板を
貼り合わせるようにしても良い。
レーザ媒質９と貼り合わせる単結晶サフアイアの波長板
を1/4 波長板とした場合について述べたが、本発明はこ
れに限らず、1/2 波長板としても良く、さらに固体レー
ザ媒質をＮd:ＹＡＧ以外にも、例えばＹＬＦ(yttrium l
ithium fluoride)又はＹＶＯ4 （酸化イツトリウムバナ
ジウム）等として、これに単結晶サフアイアの波長板を
貼り合わせるようにしても良い。
【００２０】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、固体レー
ザ媒質に貼り合わせる波長板を固体レーザ媒質と同程度
の屈折率を有する単結晶サフアイアとしたことにより、
固体レーザ媒質と波長板との貼り合わせ面に特別なコー
テイングをしなくても貼り合わせ面における反射率を低
くし得、これによりコーテイング工程が省けると共に波
長板を貼り合わせる直前に貼り合わせ面を洗浄できる。
ザ媒質に貼り合わせる波長板を固体レーザ媒質と同程度
の屈折率を有する単結晶サフアイアとしたことにより、
固体レーザ媒質と波長板との貼り合わせ面に特別なコー
テイングをしなくても貼り合わせ面における反射率を低
くし得、これによりコーテイング工程が省けると共に波
長板を貼り合わせる直前に貼り合わせ面を洗浄できる。
【図１】本発明による光学共振器の一実施例の構成を示
すブロツク図である。
すブロツク図である。
【図２】光学接着剤の屈折率と貼り合わせ面での反射率
を示す特性図である。
を示す特性図である。
１……ＳＨＧレーザ装置、２……半導体レーザ装置、３
……集光レンズ、４……固体レーザ共振器、５……非線
形光学素子、６……入射ミラー、７…… 1/4波長板、８
……貼り合わせ面、９……Ｎd:ＹＡＧレーザ媒質、１０
……出射ミラー。
……集光レンズ、４……固体レーザ共振器、５……非線
形光学素子、６……入射ミラー、７…… 1/4波長板、８
……貼り合わせ面、９……Ｎd:ＹＡＧレーザ媒質、１０
……出射ミラー。
Claims (5)
- 【請求項１】単結晶サフアイアからなり、入射する偏光
光の偏光方向を回転させる波長板と、 上記波長板と貼り合わせられ、上記単結晶サフアイアと
同程度の屈折率を有し、レーザ光を発振する固体レーザ
媒質と、 上記波長板と上記固体レーザ媒質とを反射光路内に置く
ように上記波長板の外側と上記固体レーザ媒質の外側と
にそれぞれ設置され、上記レーザ光を上記固体レーザ媒
質の中に往復させる１対の反射鏡とを具えることを特徴
とする光学共振器。 - 【請求項２】上記固体レーザ媒質はＮd:ＹＡＧであるこ
とを特徴とする請求項１に記載の光学共振器。 - 【請求項３】上記波長板は1/4 波長板であることを特徴
とする請求項１又は請求項２に記載の光学共振器。 - 【請求項４】上記波長板の光学面と上記固体レーザ媒質
の光学面とは鏡面研磨され光学接着されることを特徴と
する請求項１、請求項２又は請求項３に記載の光学共振
器。 - 【請求項５】上記波長板と上記固体レーザ媒質とは、上
記単結晶サフアイア及び上記固体レーザ媒質とほぼ等し
い屈折率を有する接着剤により貼り合わせられることを
特徴とする請求項１、請求項２又は請求項３に記載の光
学共振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2331894A JPH07211976A (ja) | 1994-01-24 | 1994-01-24 | 光学共振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2331894A JPH07211976A (ja) | 1994-01-24 | 1994-01-24 | 光学共振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07211976A true JPH07211976A (ja) | 1995-08-11 |
Family
ID=12107244
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2331894A Pending JPH07211976A (ja) | 1994-01-24 | 1994-01-24 | 光学共振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07211976A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6172800B1 (en) | 1997-07-16 | 2001-01-09 | Nec Corporation | Laser wavelength conversion method and device |
| JP2009003282A (ja) * | 2007-06-22 | 2009-01-08 | Fujitsu Ltd | 光スイッチおよびｍｅｍｓパッケージ |
| US7755280B2 (en) | 2003-06-23 | 2010-07-13 | Lg Electronics Inc. | Active matrix electroluminescence device having a metallic protective layer and method for fabricating the same |
-
1994
- 1994-01-24 JP JP2331894A patent/JPH07211976A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6172800B1 (en) | 1997-07-16 | 2001-01-09 | Nec Corporation | Laser wavelength conversion method and device |
| US7755280B2 (en) | 2003-06-23 | 2010-07-13 | Lg Electronics Inc. | Active matrix electroluminescence device having a metallic protective layer and method for fabricating the same |
| US7876040B2 (en) | 2003-06-23 | 2011-01-25 | Lg Electronics Inc. | Active matrix electroluminescence device having a metallic protective layer and method for fabricating the same |
| US8344620B2 (en) | 2003-06-23 | 2013-01-01 | Lg Electronics Inc. | Active matrix electroluminescence device having a metallic protective layer and method for fabricating the same |
| JP2009003282A (ja) * | 2007-06-22 | 2009-01-08 | Fujitsu Ltd | 光スイッチおよびｍｅｍｓパッケージ |
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