JP2004101948A - 表示装置およびその製造方法 - Google Patents
表示装置およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004101948A JP2004101948A JP2002264555A JP2002264555A JP2004101948A JP 2004101948 A JP2004101948 A JP 2004101948A JP 2002264555 A JP2002264555 A JP 2002264555A JP 2002264555 A JP2002264555 A JP 2002264555A JP 2004101948 A JP2004101948 A JP 2004101948A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power supply
- supply line
- display device
- organic
- current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 51
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 101
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 52
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 43
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 36
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 3
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 1-(2,2-diphenylethenyl)-4-[4-(2,2-diphenylethenyl)phenyl]benzene Chemical compound C=1C=C(C=2C=CC(C=C(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KYGSXEYUWRFVNY-UHFFFAOYSA-N 2-pyran-2-ylidenepropanedinitrile Chemical class N#CC(C#N)=C1OC=CC=C1 KYGSXEYUWRFVNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 125000000040 m-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C(=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
- H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
- G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
- G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
【課題】電流駆動型発光素子によって構成された画素の各々に大電流を供給する。
【解決手段】電気絶縁性基板１上にマトリクス状に配列された電流駆動型発光素子は電気絶縁性基板上に形成された保護層５４の表面に配置された第１電極層３３と、該第１電極層上に積層された有機ＥＬ層３５と、該有機ＥＬ層上に形成された第２電極層３７とを有し、電源供給線１７は、前記保護層内に埋め込まれている。
【選択図】 図２
【解決手段】電気絶縁性基板１上にマトリクス状に配列された電流駆動型発光素子は電気絶縁性基板上に形成された保護層５４の表面に配置された第１電極層３３と、該第１電極層上に積層された有機ＥＬ層３５と、該有機ＥＬ層上に形成された第２電極層３７とを有し、電源供給線１７は、前記保護層内に埋め込まれている。
【選択図】 図２
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電流駆動型発光素子を画素として用いた表示装置およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年では、フラットパネルディスプレイが多くの分野、多くの場所で使われており、情報化が進む中でその重要性が益々高まってきている。
【０００３】
フラットパネルディスプレイの代表といえば液晶表示装置（以下、「ＬＣＤ」と略記する。）であるが、ＬＣＤとは異なる表示原理に基づくフラットパネルディスプレイとして、有機エレクトロルミネセンス（以下、「エレクトロルミネセンス」を「ＥＬ」と略記する。）表示装置、無機ＥＬ表示装置、プラズマディスプレイ、発光ダイオード表示装置、蛍光表示管、電界放出表示装置等の開発も活発に行われている。
【０００４】
上記の表示装置のうち、ＬＣＤ以外の各表示装置は自発光型表示装置と呼ばれるものであり、受光型表示装置と呼ばれるＬＣＤとは下記（１）〜（４）の点で大きく異なる。
（１）消費電力
ＬＣＤにおける個々の画素は、それ自身では発光せず、光を透過、遮断する光シャッターとして機能するため、透過型以外のＬＣＤはバックライトを必要とし、表示情報の様態に拘わらず、表示時には当該バックライトを常に点灯させておくことが必要となる。このため、表示時には常に全表示状態と略変わらない電力を消費することになる。
【０００５】
これに対し、自発光型は個々の画素自身が発光するため、別光源を設ける必要がなく、表示情報の様態に応じて必要箇所の画素のみを点灯させればよいので、受光型表示装置に比較して電力消費が少ない。
（２）コントラスト
ＬＣＤでは、バックライトからの光あるいは周囲照明光を個々の画素が遮断して暗状態を得るわけであるが、個々の画素からの光漏れを完全に無くすことは困難であり、その結果として、コントラストを高めることが困難である。
【０００６】
これに対し、自発光型表示装置では個々の画素が発光していない状態がまさに暗状態であるので、理想的な暗状態を容易に得ることができ、コントラストを容易に高めることができる。
（３）視野角依存性
ＬＣＤでは、液晶分子が複屈折性を有していること、および、液晶分子の配列方向の制御により光の透過、遮断を制御していることから、視野角依存性があり、画面を視認する方向によって表示状態が変わってしまう。これに対し、自発光型表示装置ではこの問題が殆どない。
（４）応答性
ＬＣＤは、液晶分子の誘電率異方性を利用して液晶分子の配列方向を制御するため、原理的に、電気信号に対する応答時間が１ミリ秒以上となる。このため、動画を表示した際に残像を生じることがある。
【０００７】
これに対し、自発光型表示装置ではキャリア遷移、電子放出、プラズマ放電等を利用して画素のオン／オフを制御するため、電気信号に対する応答時間がナノ秒台と高速であり、動画を表示しても残像を生じることがない。
【０００８】
上述した利点を有する自発光型表示装置の中でも、有機ＥＬ素子（有機発光ダイオードとも呼ばれる。）を画素として用いた有機ＥＬ表示装置は、駆動（発光）電圧が低いという実用上非常に優れた特徴を有している。実際、有機ＥＬ素子の発光開始電圧は１０Ｖ以下であり、他の自発光型表示装置に使われている発光素子と比較して、駆動電圧が非常に低い。低電圧駆動が可能であるという特徴を有する有機ＥＬ表示装置は、電源電圧の上限が制限される電池駆動式の携帯電子機器の表示装置等として好適である。このため、今日、有機ＥＬ表示装置の研究が活発に行われている。
【０００９】
有機ＥＬ素子の基本構造は、有機材料によって形成された発光層を陽極と陰極との間に挟持した構造であり、必要に応じて、陽極と発光層との間に正孔注入層や正孔輸送層が形成され、陰極と発光層との間に電子注入層や電子輸送層が形成される。また、発光層に蛍光色素等をドープして発光色を制御することも行われている。
【００１０】
ここで、本明細書においては、電流駆動型発光素子において陰極と陽極との間に形成される全ての層を「発光部」と総称するものとする。また、電流駆動型発光素子が有機ＥＬ素子である場合には、この発光部を特に「有機ＥＬ層」と称するものとする。有機ＥＬ層には、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層が含まれる。
【００１１】
図６および図７は、有機ＥＬ素子の断面構造を概略的に示す。図６に示す有機ＥＬ素子３０は、ガラス基板やプラスチック基板といった透光性を有する電気絶縁性基板１に第１電極層３３を形成し、その上に有機ＥＬ層３５および第２電極層３７を順次形成することによって製造される。
【００１２】
この有機ＥＬ素子３０は、有機ＥＬ層３５からの発光Ｅ１を電気絶縁性基板１側から取り出すものであり、「ボトムエミッションタイプ」と呼ばれることもある。一般には、第１電極層３３を陽極とし、第２電極層３７を陰極として用いる。第２電極層３７は、金属で形成された非透光性電極であることが多い。
【００１３】
図７に示す有機ＥＬ素子４０は、電気絶縁性基板１に電極４３を形成し、その上に有機ＥＬ層４５および透光性第２電極層４７を順次形成することによって製造される。
【００１４】
この有機ＥＬ素子４０は、有機ＥＬ層４５からの発光Ｅ２を電気絶縁性基板１とは反対側から取り出すものであり、「トップエミッションタイプ」と呼ばれることもある。電気絶縁性基板１および電極４３の少なくとも一方は非透光性であることが好ましく、電極４３は、金属で形成された非透光性電極であることが多い。
【００１５】
有機ＥＬ層３５、４５は、当該有機ＥＬ層３５、４５の材料として低分子材料を用いる場合には一般に真空蒸着法によって形成され、高分子材料を用いる場合には、溶液化してスピンコート法や印刷法、転写法によって形成される。表示装置の画素を形成する場合のように多数の有機ＥＬ層３５、４５を一度に形成する場合、個々の有機ＥＬ層３５、４５の材料として低分子材料を用いるときには例えばマスク蒸着法が適用され、高分子材料を用いるときには例えばインクジェット法や印刷法、転写法等が用いられる。近年では、塗付可能な低分子材料も報告されている。
【００１６】
有機ＥＬ素子３０、４０は、電極間（陽極と陰極との間）に電圧が印加されて有機ＥＬ層３５、４５に電流が流れることで発光する。従来は、一重項励起状態から基底状態に戻る際の蛍光発光のみを利用していたが、最近の研究により、三重項励起状態から基底状態に戻る際の燐光発光を有効に利用することができるようになり、発光効率が向上している。
【００１７】
図６および図７には示していないが、有機ＥＬ素子３０、４０は一般に水分や酸素による特性劣化が著しいため、いわゆる封止を行って、その信頼性を確保している。有機ＥＬ素子３０、４０の封止は、当該有機ＥＬ素子３０、４０が水分や酸素に触れないように、例えば、電気絶縁性基板１と別基板とを用いて有機ＥＬ素子３０、４０が収容された空間を形成し、当該空間内に不活性ガスを充填することによって行われたり、有機ＥＬ素子３０、４０を蒸着薄膜で覆うことによって行われたりする。
【００１８】
有機ＥＬ素子３０、４０を画素として用いて、フルカラー表示の表示装置を得ることができる。フルカラー化の方法としては、発光色が赤色、緑色、および青色の各有機ＥＬ素子を表示装置の画素毎に精密に配置する３色並置方式の他に、発光色が白色の有機ＥＬ素子と原色（赤色、緑色、および青色）系のカラーフィルター（ＣＦ）とを組み合わせるＣＦ方式や、発光色が青色の有機ＥＬ素子と赤色および緑色の各蛍光変換色素フィルターとを組み合わせるＣＣＭ（ｃｏｌｏｒ Ｃｈａｎｇｉｎｇ Ｍｅｄｉｕｍ）方式がある。
【００１９】
有機ＥＬ素子３０、４０を画素として用いた表示装置は、ＬＣＤと同様に、駆動方法によってパッシブマトリクス方式とアクティブマトリクス方式とに大別することができる。
【００２０】
パッシブマトリクス方式の表示装置では、多数の有機ＥＬ素子３０または有機ＥＬ素子４０を行列状に配置するにあたって、例えば素子行毎に第１電極層３３もしくは電極４３が１本形成されると共に、素子列毎に第２電極層３７、４７が１本形成され、これらの電極の平面視上の交差部それぞれに、当該第１電極層３３もしくは電極４３と第２電極層３７、４７とによって挟持される有機ＥＬ層３５、４５が形成される。
【００２１】
この方式の表示装置は、構造が簡単であるという利点を有してはいるももの、時分割走査によって画像を表示するためは、アクティブマトリクス方式の表示装置に比べて走査線の本数倍だけ個々の有機ＥＬ素子３０、４０の瞬間輝度を高めなければならないという難点を有している。例えばＶＧＡ（Ｖｉｄｅｏ Ｇｒａｐｈｉｃｓ Ａｒｒａｙ）以上の解像度を有する表示装置を得るためには、個々の有機ＥＬ素子３０、４０の瞬間輝度を１００００ｃｄ／ｍ２以上にすることが望まれる。
【００２２】
一方、アクティブマトリクス方式の表示装置では、例えば個々の有機ＥＬ素子３０、４０毎に第１電極層３３もしくは電極４３が１つ形成され、大形の１つの導電膜が全ての有機ＥＬ素子３０、４０に共通の第２電極層３７、４７として形成される。また、有機ＥＬ素子３０、４０の動作を制御するために、個々の有機ＥＬ素子３０、４０にスイッチング回路部が１つずつ配置される。各スイッチング回路部は、例えば複数の半導体スイッチング素子によって構成されて、素子行毎に配置された走査線から供給される画素選択信号と素子列毎に配置されたデータ線から供給される画像信号とに応じて、当該スイッチング回路部に対応する有機ＥＬ素子３０、４０の動作を制御する。
【００２３】
この方式の表示装置は、パッシブマトリクス方式の表示装置に比べて構造が複雑ではあるももの、個々の有機ＥＬ素子３０、４０の発光輝度をそれほど高めなくてよい、消費電力を抑えることができる、画素間のクロストークが起こり難い、といった多くの利点を有している。
【００２４】
さらに、半導体スイッチング素子を形成するにあたって多結晶シリコン（ポリシリコン）膜や連続粒界シリコン（ＣＧシリコン）膜を用いると、これらの膜はアモルファスシリコン膜よりも電荷移動度が高いので、動作速度の速いスイッチング素子を形成することができ、その結果として、各種の制御回路を画素と共に一つの基板上に形成して表示装置の小型化、低コスト化、多機能化等を図り易くなる。また、多結晶シリコン膜や連続粒界シリコン膜を用いて形成した半導体スイッチング素子は、大電流処理が可能であるので、電流駆動型素子である有機ＥＬ素子の駆動制御に適している。
【００２５】
アクティブマトリクス方式の表示装置における画素をトップエミッションタイプの有機ＥＬ素子４０によって構成すると、スイッチング回路部やバスラインといった回路構成部材によって発光面積率が制限されないので、より多機能で複雑な回路を電気絶縁性基板１に形成し易くなる。
【００２６】
図８は、有機ＥＬ素子３０を画素として用いたアクティブマトリクス方式の表示装置１００における画素回路の構成例を示す。
【００２７】
同図に示すように、表示装置１００では多数の有機ＥＬ素子３０が行列状に配置され、各素子行に１本ずつ、当該素子行に沿って走査線１１が配されていると共に、各素子列に１本ずつ、当該素子列に沿ってデータ線１３と電源供給線１７とが配されている。
【００２８】
実際の表示装置１００では、走査線１１は、隣り合う素子行同士の間に平面視上位置しており、データ線１３および電源供給線１７は、隣り合う素子列同士の間に平面視上位置している。
【００２９】
個々の有機ＥＬ素子３０に１つずつ、スイッチング回路部２０が接続されている。図示のスイッチング回路部２０は、第１薄膜トランジスタ２１と、第２薄膜トランジスタ２５と、第１薄膜トランジスタ２１および第２薄膜トランジスタ２５に接続されたゲート保持容量２９とによって構成されている。ゲート保持容量２９は、電源供給線１７とも接続されている。
【００３０】
第１薄膜トランジスタ２１におけるゲートと、当該第１薄膜トランジスタ２１を含んでいるスイッチング回路部２０に対応する走査線１１とが電気的に接続され、第１薄膜トランジスタ２１のソースはデータ線１３に、ドレインはゲート保持容量２９に電気的に接続される。また、第２薄膜トランジスタ２５におけるゲートは、当該第２薄膜トランジスタ２５に対応している第１薄膜トランジスタ２１とゲート保持容量２９とを接続する配線２３ｄに電気的に接続され、この第２薄膜トランジスタ２５のソースは電源供給線１７に、ドレインは有機ＥＬ素子３０に電気的に接続される。
【００３１】
所定の走査線１１に画素選択信号を供給すると、当該走査線１１に接続されている各第１薄膜トランジスタ２１のゲートが開になる。また、所定のデータ線１３に画像信号を供給すると、上記画素選択信号によってゲートが開になった第１薄膜トランジスタ２１に対応している第２薄膜トランジスタ２５のゲートが、前記画像信号の大きさ応じてアナログ的に開になる。第２薄膜トランジスタ２５のゲートの開き具合は、当該第２薄膜トランジスタ２５に対応するゲート保持容量２９によって保持される。この状態で電源供給線１７に電圧を印加すると、ゲートが開になった第２薄膜トランジスタ２５に接続されている有機ＥＬ素子３０へ、当該第２薄膜トランジスタ２５のゲートの開き具合に応じた値の電流が電源供給線１７から流れ、有機ＥＬ素子３０が発光する。すなわち、上記画像信号の大きさに応じて有機ＥＬ素子３０が発光する。
【００３２】
上述した構成を有する表示装置１００は、アクティブマトリクス方式であることから、前述した種々の利点を有している。しかしながら、この表示装置１００は、有機ＥＬ素子が電流駆動型発光素子であること、および、有機ＥＬ素子の発光効率がそれ程高くないことから、特に精細化あるいは大型化を図ったときには駆動が困難になる。
【００３３】
有機ＥＬ素子は前述のように低電圧で駆動させることができるが、このことは、発光効率が同じであれば駆動電流が多く必要であることを意味する。表示装置の効率は、下式で表される発光効率で示すことができる。
【００３４】
発光効率（ｌｍ／Ｗ）＝輝度（ｃｄ／ｍ２）・π／［（電圧（Ｖ）・電流密度（Ａ／ｍ２）］
表示装置に対しては、一般には２ｌｍ／Ｗ以上の発光効率を有していることが求められる。このような発光効率を有機ＥＬ表示装置において得るためには、個々の有機ＥＬ素子について概ね１００ｃｄ／ｍ２以上の輝度を得ることが必要であり、そのためには、各有機ＥＬ素子での電流密度を１５Ａ／ｍ２以上にすることが必要となる。
【００３５】
１５Ａ／ｍ２という電流密度は、他の自発光型表示装置の画素、例えば無機ＥＬ表示装置の画素やプラズマディスプレイの画素での電流密度１〜２Ａ／ｍ２と比べて、極めて大きな値である。ＬＣＤは原理的に電界駆動型であるので、個々の画素に電流を流す必要が殆どない。
【００３６】
有機ＥＬ表示装置において個々の有機ＥＬ素子に上述のような大電流を供給するためには、電源供給線の配線抵抗を小さくすることが非常に重要である。この配線抵抗が高いと、電源供給端子に近い側において電源供給線に接続さている有機ＥＬ素子には十分な電流を供給することができても、電源供給端子に遠い側において電源供給線に接続さている有機ＥＬ素子には、電圧降下によって十分な電流を供給することができなくなり、表示ムラが生じる。電源供給線の配線抵抗を小さくすることの重要性は、画素数が多くなるほど、また表示画面が大きくなるほど高まる。
【００３７】
例えば、特許文献１には、隣り合う素子列同士の間のみならず、隣り合う素子行同士の間にも電源供給線を配置することによって、個々の有機ＥＬ素子に大電流を供給可能にした有機ＥＬ表示装置が記載されている。
【００３８】
また、特許文献２には、基板の周回において電源供給線をまとめて取り出した有機ＥＬ表示装置が記載され、特許文献３には、電源供給線の両端を電源端子に接続した有機ＥＬ表示装置が記載されている。これら特許文献２および特許文献３に記載されている有機ＥＬ表示装置では、いずれも、電源からみた電源供給線の実質的長さを短くすることによって、電源供給線の配線抵抗を低減している。
【００３９】
しかしながら、これら特許文献１〜特許文献３に記載されているいずれの有機ＥＬ表示装置においても、精細化や大画面化を図るうえからは、電源供給線の配線抵抗が比較的高い。
【００４０】
有機ＥＬ表示装置の回路構成、駆動方法としては、上述した以外にも、個々のスイッチング回路部における薄膜トランジスタの数を更に多くしたもの（非特許文献１参照）や、デジタル階調を行うもの（非特許文献２および非特許文献３参照）が知られているが、いずれも、精細化や大画面化を図るうえからは、電源供給線の配線抵抗が比較的高い。
【００４１】
【特許文献１】
特開２００２−３２０３７号公報
【特許文献２】
特開２００２−４０９６１号公報
【特許文献３】
特開２００２−１０８２６２号公報
【非特許文献１】
Ｙｕｍｏｔｏら、「Ｐｉｘｅｌ−Ｄｒｉｖｉｎｇ Ｍｅｔｈｏｄｓ ｆｏｒ Ｌａｒｇｅ−Ｓｉｚｅｄ Ｐｏｌｙ−Ｓｉ ＡＭ−ＯＬＥＤ Ｄｉｓｐｌａｙｓ」、Ａｓｉａ Ｄｉｓｐｌａｙ／ＩＤＷ’０１、Ｐ．１３９５−１３９８．
【非特許文献２】
Ｍｉｚｕｋａｍｉら、「６−ｂｉｔ Ｄｉｇｉｔａｌ ＶＧＡ ＯＬＥＤ」、ＳＩＤ’００、Ｐ．９１２−９１５．
【非特許文献３】
Ｍｉｙａｓｈｉｔａら、「Ｆｕｌｌ Ｃｏｌｏｒ Ｄｉｓｐｌａｙｓ Ｆａｂｒｉｃａｔｅｄ ｂｙ Ｉｎｋ−Ｊｅｔ Ｐｒｉｎｔｉｎｇ」、Ａｓｉａ Ｄｉｓｐｌａｙ／ＩＤＷ’０１、Ｐ．１３９９−１４０２．
【００４２】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであり、電流駆動型発光素子によって構成された画素の各々に大電流を供給することが容易な表示装置、および当該表示装置を備えた電子機器の提供を主目的とする。
【００４３】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、請求項１に記載するように、電気絶縁性基板と、該電気絶縁性基板上にマトリクス状に配列された数個の電流駆動型発光素子と、１つの素子行に少なくとも１本ずつ配置された走査線と、１または２つの素子列に少なくとも１本ずつ配置されたデータ線と、上記電気絶縁性基板上に配置された電源供給線と、少なくとも１個の電流駆動型発光素子に少なくとも１つずつ配置されて、上記走査線に供給される画素選択信号および上記データ線に供給される画素信号に応じて上記電流駆動型発光素子と上記電源供給線との導通を制御することができるスイッチング回路部とを備え、上記スイッチング回路部が複数のスイッチング素子を含む表示装置において、上記電流駆動型発光素子の各々は、上記電気絶縁性基板上に形成された保護層表面に配置された第１電極層と、該第１電極層上に積層された発光部と、該発光部上に形成された第２電極層とを有し、上記電源供給線は、上記保護層内に埋め込まれていることを特徴とする表示装置を提供する。
【００４４】
本発明においては、電源供給線を保護層内に埋め込んで配設させているので、その膜厚がスイッチング回路部により制限されることがないため、電源供給線の膜厚の自由度が広がり、従来よりも膜厚を厚く形成することが可能となる。これにより、配線抵抗の上昇を抑制する効果が得られ、電源供給線の配線長を増長した場合でも、電源供給線の配線抵抗を小さく保つことができる。従って、表示装置の精細化や大画面化を図った場合に各電流駆動型発光素子に大電流を供給することが容易になり、電源供給線の配線抵抗に起因し電流駆動型発光素子に流れる電流の減少による輝度の低下や、バイアス電圧源から各画素に至る電源供給線の配線抵抗の増大による表示画面の輝度ムラといった不都合を解消することができる。
【００４５】
上記請求項１に記載された発明においては、請求項２に記載するように、上記電源供給線は、保護層の下面から上面にかけて貫通するように形成されたスルーホール内に設けられていることが好ましい。その中でも、請求項３に記載するように、上記保護層上面と、上記電源供給線の上面とが、同じ高さとなるように上記電源供給線が設けられていることが好ましい。保護層内に埋め込まれるように配設されている電源供給線において、保護層の上面と電源供給線の上面とを同じ高さとすることにより、配線抵抗を小さく保つのに十分な膜厚を確保することができるからである。
【００４６】
上記請求項１から請求項３までのいずれかの請求項に記載された発明においては、請求項４に記載するように、上記電源供給線の上面を覆うように絶縁層が設けられていることが好ましい。このように絶縁層を設けることにより、電源供給線を剥離や、空気および水等から保護することができるため、長時間の使用でも劣化を少なくすることができるからである。
【００４７】
上記請求項１から請求項４までのいずれかの請求項に記載された発明においては、請求項５に記載するように、上記電流駆動型発光素子がＥＬ素子であることが好ましい。ＥＬ素子は駆動電圧が低いので、ＥＬ素子を用いることにより、電源電圧の上限が制限される電池駆動式の携帯電子機器の表示装置に好適な表示装置を得易くなる。また、商用電源によって駆動される表示装置を得る場合でも、有機ＥＬ素子の駆動電圧が低いことから、表示装置内で所望の電源電圧を得るための電源回路の構成が容易になる。
【００４８】
本発明においてはまた、請求項６に記載するように、上記請求項１から請求項５までのいずれかの請求項に記載された表示装置を備えた電子機器を提供する。
【００４９】
上記請求項１から請求項５までのいずれかの請求項に記載された表示装置は、電流駆動型発光素子を用いた自発光型表示装置であるので、この表示装置を電子機器の表示装置として用いることにより、受光型表示装置を用いた場合に比べて当該電子機器の消費電力を低減させることができる。
【００５０】
さらに本発明においては、請求項７に記載するように、電気絶縁性基板上に、スイッチング回路部を形成する工程と、上記スイッチング回路部を有する電気絶縁性基板上に、上記スイッチング回路部を覆うように保護層を形成する工程と、上記保護層に、上記スイッチング回路部の電源供給線が配設される領域に保護層の上面から下面にかけて貫通するようにスルーホールを形成する工程と、上記スルーホール内を充填するように電源供給線を形成する工程と、上記保護層内に配設されている上記電源供給線の上面を覆うように絶縁層を形成する工程とを有することを特徴とする表示装置の製造方法を提供する。
【００５１】
本発明においては、上述した製造方法を用いて表示装置を製造することにより、画素数を増やした場合でも配線抵抗を小さく保つことができ、電源供給線の配線抵抗に起因し発光素子に流れる電流の減少による輝度の低下や、バイアス電圧源から各画素に至る電源供給線の配線抵抗の増大による表示画面の輝度ムラ等の不都合が改善された表示装置を得ることができる。
【００５２】
上記請求項７に記載された発明においては、請求項８に記載するように、上記電源供給線をメッキ法により形成することが好ましい。スルーホール内に電源供給線を信頼性高く充填させることができるからである。
【００５３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の表示装置およびその製造方法について説明する。
【００５４】
１．表示装置
まず、本発明の表示装置における一実施形態について図面を用いて説明する。
【００５５】
本発明の表示装置は、前述したように、電気絶縁性基板、電流駆動型発光素子、走査線、データ線、電源供給線、およびスイッチング回路部を備えている。以下、本発明の表示装置において、図６に示したタイプの有機ＥＬ素子３０を電流駆動型発光素子として用いた場合の実施態様について図面を用いて説明する。
【００５６】
図１は、本発明の表示装置での走査線、データ線、電源供給線、スイッチング回路部、および、有機ＥＬ素子を構成する第１電極層の平面配置を概略的に示す。また図２は、図１に示したＸ−Ｘ線断面を概略的に示す。
【００５７】
これらの図面に示す構成部材のうち、図６または図８に示した構成部材と機能上共通する構成部材については、図６または図８で用いた参照符号と同じ参照符号を付してその説明を省略する。
【００５８】
図１および図２に示す表示装置６０では、透光性を有する電気絶縁性基板１の一表面上に走査線１１、データ線１３、電源供給線１７、スイッチング回路部２０、および、有機ＥＬ素子３０が配置される。
【００５９】
走査線１１は、電源供給線１７下およびデータ線１３上の所定領域に形成された電気的絶縁膜５１を介して電源供給線１７の下およびデータ線１３の上となるように形成されている。データ線１３は、走査線１１と交差するように電気的絶縁膜５１を介して走査線１１下に形成されている。
【００６０】
スイッチング回路部２０は、第１薄膜トランジスタ２１、第２薄膜トランジスタ２５、およびゲート保持容量２９によって構成されている。
【００６１】
第１薄膜トランジスタ２１は、電気絶縁性基板１の上記一表面上に形成された半導体層２２を有し、この半導体層２２には、チャネル領域、ソース領域、およびドレイン領域が形成されている。ゲート絶縁膜２３ｉが、第１薄膜トランジスタ２１のチャネル領域上に形成されている。
【００６２】
配線２３ｇの一端がゲート絶縁膜２３ｉ上に配され、当該配線２３ｇの他端は走査線１１に接続されている。配線２３ｇにおけるゲート絶縁膜２３ｉ上の領域が、第１薄膜トランジスタ２１のゲート電極として機能する。半導体層２２のソース領域は配線２３ｓによってデータ線１３に電気的に接続され、ドレイン領域は配線２３ｄによってゲート保持容量２９に電気的に接続される。
【００６３】
第１薄膜トランジスタ２１と同様に、第２薄膜トランジスタ２５は、電気絶縁性基板１の上記一表面上に形成された半導体層２６を有し、この半導体層２６にもチャネル領域、ソース領域、およびドレイン領域が形成されている。ゲート絶縁膜２７ｉが、第２薄膜トランジスタ２５のチャネル領域上に形成されている。
【００６４】
配線２７ｇの一端がゲート絶縁膜２７ｉ上に配され、当該配線２７ｇの他端は配線２３ｄに接続されている。配線２７ｇにおけるゲート絶縁膜２７ｉ上の領域が、第２薄膜トランジスタ２５のゲート電極として機能する。半導体層２６のソース領域は配線２７ｓによって電源供給線１７に電気的に接続され、ドレイン領域は配線２７ｄを介して第１電極層３３に電気的に接続される。
【００６５】
上述した走査線１１、データ線１３、電源供給線１７、スイッチング回路部２０、および電気的絶縁膜５１は、図２に示すように、例えば感光性ポリイミドによって形成された保護膜５４によって覆われている。保護膜５４の上面は平坦面となっており、当該上面に透光性の第１電極層３３が形成されている。第１電極層３３と上述した配線２７ｄとは、保護膜５４の所定箇所に形成されたスルーホール内に第１電極層３３の一部を形成することによって電気的に接続されている。
【００６６】
本発明においては、電源供給線１７は保護層５４の内部に埋め込まれて配設されている。すなわち、図２に示すように、配線２７ｓおよびゲート保持容量２９（図示せず）上に位置している。従来、電源供給線１７は、図３に示すように、配線２７ｓの下に配設されていた。従って、電源供給線１７の膜厚は、その上面に位置する配線２７ｓおよびゲート保持容量２９（図示せず）等により制限され、十分な膜厚を確保することは困難であった。しかしながら、本発明においては、図２に示すように、電源供給線１７を保護層５４内に埋め込み配設していることから、その上面が従来のように配線２７ｓ等により制限されることがなく、電源供給線１７の膜厚の自由度を広げることができるのである。これにより、従来よりも膜厚を厚く形成することができ、配線抵抗の上昇を抑制することが可能となる。また、電源供給線１７を、その上面と、保護層５４上面との高さを同じ位置とすることにより、保護層５４内に配設されている電源供給線１７において最大限に膜厚を厚くでき、より一層配線抵抗の上昇を抑制する効果を高めることができる。
【００６７】
図２に示すように、第１電極層３３端部は、絶縁層５６により覆われ、第１電極層３３端部における電荷集中による影響を回避している。さらに、本発明においては、当該絶縁層５６は、電源供給線１７の上面をも覆うように形成することにより、電源供給線１７を剥離や、水および酸素の影響から保護している。
【００６８】
また、第１電極層３３上に有機ＥＬ層３５が形成され、当該有機ＥＬ層３５上には、第１電極層３３の対向電極である第２電極層３７が形成されている。また、有機ＥＬ素子３０を封止するために、第２電極層３７上にバリア層等を設けることにより、有機ＥＬ素子自体を酸素および水等の影響から保護し、素子寿命の伸長を図ることができる。
【００６９】
このような構成で形成されている表示装置では、上述したように電源供給線が、保護層内に埋め込まれて配設されているので、表示装置の精細化や大画面化を図った場合でも電源供給線の配線抵抗を低減させることができ、その分、各有機ＥＬ素子に大電流を供給することが容易に可能となる。個々の有機ＥＬ素子に大電流を供給することができれば、各有機ＥＬ素子の輝度を向上させることができ、これに伴って、再現可能な階調や色範囲等の幅が広がるので、表示装置の画質を高め易い。
【００７０】
以下、本発明の表示装置について各構成部材に分けて説明する。
【００７１】
（１）電源供給線
電源供給線は、各電流駆動型発光素子に駆動電流を供給するためのものであり、本発明においては、保護層内に埋め込まれるように配設されている。
【００７２】
このように電源供給線を配設することにより、スイッチング回路を構成する電極等にその膜厚を制限されることがないため、膜厚の自由度が広がり、膜厚を厚く形成することが可能である。従って、画素数を増やし電源供給線の配線長が増長した場合であっても、電源供給線の配線抵抗を小さく保つことができるため、有機ＥＬ素子等の各電流駆動型発光素子に大電流を供給することが容易に可能となる。
【００７３】
このような電源供給線としては、スイッチング回路と電気的に接続し、保護層内に埋め込まれるように配設されれば特に限定はされないが、保護層内に形成されたスルーホール内に設けることが好ましい。さらに、保護層の上面と電源供給線との上面とが同じ高さとなるように形成することが好ましい。十分な膜厚を確保することが可能となり、配線抵抗を小さく保つ効果が十分に得られるからである。
【００７４】
なお、ここでいう「スルーホール」とは、保護層の上面から下面にかけて貫通するように設けられた溝のことを意味する。
【００７５】
また、電源供給線の膜厚としては、配線抵抗を小さく保持することが可能な膜厚であれば特に限定はされないが、具体的には、０．５μｍ〜１０μｍの範囲内、その中でも、２μｍ〜５μｍの範囲内であることが好ましい。
【００７６】
このような電源供給線を形成する材料としては、導電性を有する材料により形成されれば特に限定はされない。具体的には、、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ等の金属を挙げることができる。その中でも、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇであることが好ましい。導電性の高い材料だからである。
【００７７】
（２）保護層
保護層は、電気絶縁性基板上に形成されたスイッチング回路を保護するために設けられ、また、基板に平坦性を保持するためにも設けられる。
【００７８】
このような保護層を形成する材料としては、例えば、感光性アクリル樹脂、感光性ポリイミド等を挙げることができる。その中でも、保護層として要求される加工性および平坦性の観点から感光性アクリル樹脂であることが好ましい。
【００７９】
また、保護層の膜厚としては、基板上に平坦性を保持させることが可能な膜厚であれば特に限定はされないが、具体的には、０．５μｍ〜１０μｍの範囲内、その中でも、２μｍ〜５μｍの範囲内であることが好ましい。本発明においては、当該保護層内に電源供給線を配設させており、さらに、保護層の上面と電源供給線との上面を同じ高さに形成することが好ましいため、上述した範囲内の保護層とすることにより、十分に電源供給線の膜厚を確保することが可能となるからである。
【００８０】
（３）絶縁層
一般的に絶縁層は、第１電極層端部における電荷集中による影響を回避するために設けられるが、本発明においては、上述した電源供給線の上面を覆うように絶縁層を形成することにより、電源供給線を剥離や、水および酸素等の影響から保護することができ、信頼性の高い表示装置を得ることができる。
【００８１】
このような絶縁層は、通常知られている通り、例えば、ＵＶ硬化性の樹脂材料等を用いてパターン形成することができる。具体的には、ノボラック系樹脂、ポリイミド等を挙げることができる。
【００８２】
（４）電気絶縁性基板
電気絶縁性基板は、他の構成部材を実装するためのものであり、当該電気絶縁性基板としては、例えばガラス基板、ガラスフィルム、合成樹脂基板、合成樹脂フィルム等を用いることができる。
【００８３】
電流駆動型発光素子からの発光を電気絶縁性基板側から取り出す場合には、当該電気絶縁性基板として、前記発光に対して透光性を有するものを用いる。
【００８４】
電流駆動型発光素子を構成する後述の第２電極側から前記発光を取り出す場合には、電気絶縁性基板は前記発光に対して透光性を有していてもよいし、透光性を有していなくてもよい。ただし、この場合には、後述する電源供給線を前記発光に対して非透光性にすることが好ましい
（５）電流駆動型発光素子
電流駆動型発光素子としては、ＥＬ素子、ＬＥＤ（発光ダイオード）素子等を用いることができる。
【００８５】
低電圧での駆動が容易であるという観点から、電流駆動型発光素子としては、ＥＬ素子が最も好ましい。
【００８６】
（６）走査線およびデータ線
走査線は、各電流駆動型発光素子に素子行単位で画素選択信号を供給するために、１つの素子行に少なくとも１本ずつ配されるものであり、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウムとニオブ（Ｎｂ）との合金、クロム（Ｃｒ）等の導電性材料によって形成することができる。
【００８７】
データ線は、各電流駆動型発光素子に素子列単位で画像信号を供給するためのものであり、走査線と同様に導電性材料によって形成することができる。
【００８８】
電流駆動型発光素子をモザイク型に配置する場合のように、多数個の電流駆動型発光素子を正方行列（ただし、行数と列数とが異なる場合を含むものとする。）に配置する場合には、１つの素子列に少なくとも１本ずつ、データ線が配置される。一方、電流駆動型発光素子をトライアングル型に配置する場合のように、１つの素子行と当該素子行に隣接する素子行とで電流駆動型発光素子の配置が略１／２ピッチずれるように多数個の電流駆動型発光素子を配置する場合には、２つの素子列に少なくとも１本ずつ、データ線を配置することができる。
【００８９】
なお、本明細書においては、１つの素子行と当該素子行に隣接する素子行とで電流駆動型発光素子の配置が略１／２ピッチずれるように配列された多数個の電流駆動型発光素子も、「行列状に配列された多数個の電流駆動型発光素子」に含まれるものとする。
【００９０】
（７）スイッチング回路部
スイッチング回路部は、走査線に供給される画素選択信号とデータ線に供給される画像信号とに応じて、電流駆動型発光素子と電源供給線との導通を制御するためのものである。
【００９１】
このスイッチング回路部は、薄膜トランジスタ、ダイオード等の半導体スイッチング素子を用いて構成することができる。例えば半導体スイッチング素子として薄膜トランジスタを用いる場合には、少なくとも２つの薄膜トランジスタを組み合わせてスイッチング回路部を構成することが好ましい。必要に応じて、特定の薄膜トランジスタのゲートの開き具合を保持するためのゲート保持容量を併用することができる。
【００９２】
２．表示装置の製造方法
次に、表示装置の製造方法について説明する。
【００９３】
本発明の表示装置の製造方法は、電気絶縁性基板上に、スイッチング回路部を形成する工程と、前記スイッチング回路部を有する電気絶縁性基板上に、前記スイッチング回路部を覆うように保護層を形成する工程と、前記保護層に、前記スイッチング回路部の電源供給線が配設される領域に保護層の上面から下面にかけて貫通するようにスルーホールを形成する工程と、前記スルーホール内を充填するように電源供給線を形成する工程と、前記保護層内に配設されている前記電源供給線の上面を覆うように絶縁層を形成する工程とを有することを特徴とするものである。
【００９４】
本発明においては、このような製造方法により表示装置を製造することにより、画素数を増やした場合でも配線抵抗を小さく保つことができ、電源供給線の配線抵抗に起因し発光素子に流れる電流の減少による輝度の低下や、電源供給線の配線抵抗の増大による表示画面の輝度ムラ等の不都合が改善された表示装置を得ることができる。
【００９５】
このような本発明の表示装置における一実施態様の製造方法について、以下図面を用いて具体的に説明する。図４は、本発明の表示装置の製造方法の一例を図示した工程図である。
【００９６】
まず、図４（ａ）に示すように、電気絶縁性基板１上に上述した構成からなるスイッチング回路２０を形成する。このようなスイッチング回路２０の形成方法としては、公知の形成方法により形成することが可能である。
【００９７】
次に、スイッチング回路２０が形成された電気絶縁性基板１上に、図４（ｂ）に示すように、スイッチング回路２０を保護し、電気絶縁性基板１に平坦性を保持させる保護層５４を形成する。このような保護層５４を形成する方法としては、公知の塗布方法により形成することが可能でありスピンコーティング法、キャスティング法、ディッピング法、バーコート法、ブレードコート法、ロールコート法、グラビアコート法、フレキソ印刷法、スプレーコート法等の塗布方法を挙げることができる。
【００９８】
次いで、図４（ｃ）に示すように、保護層５４の下に形成されているスイッチング回路２０のうち、電源供給線１７が形成される位置上に該当する保護層５４に対して、保護層５４の下面から上面まで貫通するようにスルーホール７０を形成する。このようなスルーホール７０の形成方法としては、所望の位置の保護層５４を除去することが可能な方法であれば特に限定はされないが、フォトリソグラフィー法等の方法により形成することが好ましい。例えば、保護層５４を感光性樹脂を用いて形成し、マスクを介して紫外線を露光することにより、スイッチング回路２０を損傷することなく、精度良く所望の位置にスルーホール７０を形成することができる。
【００９９】
また、図示していないが、当該スルーホール７０を形成する際に、同時に第１電極層とスイッチング回路２０が接続する領域に、例えば、第２薄膜トランジスタの配線２７ｄ上に別にスルーホールを形成してもよい。これにより、保護層５４上に第１電極層を形成する際に、保護層５４上のみならず、当該別のスルーホール内をも充填させるように形成することにより、スイッチング回路２０と電流駆動型発光素子とが電気的に接続するからである。
【０１００】
さらに、図４（ｄ）に示すように、上述したスルーホール７０内を充填するように電源供給線１７を配設させる。電源供給線１７の形成方法としては、スルーホール７０内部に充填させることが可能な形成方法であれば特に限定はされない。具体的には、スパッタ法、電子ビーム法、電解メッキ法、無電解メッキ法等の形成方法を挙げることができる。その中でも、電解メッキ法または無電解メッキ法等のメッキ法であることが好ましい。スルーホール７０内を信頼性高く充填することができ、配線抵抗の上昇を抑制するために十分な膜厚を確保することができる形成方法だからである。
【０１０１】
さらに、図４（ｅ）に示すように、電源供給線１７の上面を保護するように絶縁層５６を形成する。通常、絶縁層５６は、第１電極層端部における電荷集中により、第１電極層の対向電極である第２電極層と第１電極層とが絶縁不良を発生させるといった不都合を防止するために設けられていたが、本発明においては、第１電極層端部の他に、電源供給線１７の上面をも覆うように絶縁層５６を形成することにより、電源供給線１７を剥離や、酸素および水等の影響から保護することができる。
【０１０２】
最後に、第１電極層上に電流駆動型発光素子を形成することにより表示装置が製造される。例えば、本発明においては、電流駆動型発光素子としてＥＬ素子とすることが好ましく、第１電極層上に発光部や、発光部に電極から電荷を安定に注入し輸送する電荷注入輸送層等の有機ＥＬ層を成膜し、さらに、第１電極層の対向電極として第２電極層を形成することによりＥＬ表示装置を得ることができる。
【０１０３】
３．電子機器
本発明の電子機器は、表示装置として前述した本発明の表示装置を備えたものである。この電子機器は、表示装置を搭載することができるものであれば基本的にどのような用途のものであってもよい。
【０１０４】
本発明の表示装置の特徴を活かすうえからは、画像表示が望まれる用途の電子機器、例えば図５（Ａ）に概略的に示す携帯電話２１０、図５（Ｂ）に概略的に示す携帯端末２２０、図５（Ｃ）に示すモニタ（テレビ受像機やコンピュータの表示装置等）２３０、図５（Ｄ）に概略的に示すデジタルカメラ２４０等であることが特に好ましい。なお、図５（Ａ）〜図５（Ｄ）においては、本発明の表示装置を参照符号２００で示している。
【０１０５】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【０１０６】
【実施例】
以下に実施例を示し、本発明をさらに説明する。
【０１０７】
［実施例１］
本発明の実施例として、ガラス基板上にポリシリコン膜を使って図８に示す画素回路構成のアクティブマトリクス有機ＥＬ表示装置を作製した。
【０１０８】
対角１７インチの基板（大きさ３００ｍｍ×３７０ｍｍ）に、ＸＧＡ（７６８×１０２４）規格の画素設計とした。
【０１０９】
先ず基板に画素ＴＦＴ、ドライバーＴＦＴ回路と走査線、データ信号線などのバスラインを作製し、感光性アクリル樹脂で保護層を形成し駆動ＴＦＴのソース電極、ドレイン電極と通じるスルーホールを形成した。保護層の膜厚は４μｍとした。
【０１１０】
ドレイン側のスルーホールを通じてドレインにＩＴＯ電極が接続するように形成し、画素形状にパターニングした。ＩＴＯ電極の成膜にはスパッタ法を用いた。
【０１１１】
次いで、ソース電極側のスルーホールを通じてソースに電源供給線が接続するように形成した。電源供給線の材質には、Ｃｕを用いて無電解メッキによりスルーホール内に堆積させて作製した。
【０１１２】
さらに、感光性樹脂により１μｍ厚のエッジ絶縁膜を形成した。
【０１１３】
このようにして作製したアクティブマトリクス基板に有機ＥＬ素子を積層して表示装置を作製した。
【０１１４】
有機ＥＬ素子として、発光層は正孔注入層ＴＰＤ［Ｎ，Ｎ’−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−Ｎ，Ｎ’−ｂｉｓ（３−ｍｅｔｈｙｌ−Ｐｈｅｎｙｌ）−１，１−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−４，４’−ｄｉａｍｉｎｅ］と各色の発光有機材料を積層するとともに、マスク蒸着により３色並置蒸着しサブピクセルとしてフルカラー表示装置とした。Ｇ発光材料としてＡｌｑ３［ｔｒｉｓ（８−ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）ａｌｍｉｎｉｕｍ］、Ｂ発光材料としてＤＰＶＢｉ（１，４−ｂｉｓ（２，２−ｄｉｐｈｅｎｙｌｉｖｉｎｙｌ）ｂｉｐｈｅｎｙｌ）、Ｒ発光材料としてＡｌｑ３にＤＣＭ（ジシアノメチレンピラン誘導体）を１．０ｗｔ％添加した物を用いた。
【０１１５】
陽電極としては前述したＩＴＯを、陰電極としてＭｇＡｇを形成した。ＴＰＤとＩＴＯが接する積層順とした。高真空下で予熱を十分に行った昇華精製装置で精製したＴＰＤ（ｍ）をタングステンボードに装荷して抵抗加熱法で５０ｎｍ成膜した。そして、この上に昇華精製されたＡｌｑ３を石英ボードに装荷して抵抗加熱法で３０ｎｍ成膜した。最後にＭｇＡｇ合金（Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１）を厚さ１５０ｎｍになるように蒸着しさらにその上に保護層としてＡｇを２００ｎｍの厚みになるように蒸着し、最後に別に用意したガラス板とＵＶ硬化シール材により封止し有機ＥＬ表示装置を得た。
【０１１６】
こうして作製した有機ＥＬ表示装置に映像信号を入力し駆動したところ全画面で均一な画像表示を行う事が出来た。
【０１１７】
［比較例］
比較例として実施例１の埋め込み電源供給線に替えて、図３に示す従来の線状電源供給線を形成した以外は実施例１と同様のアクティブマトリクス有機ＥＬ表示装置を作製した。この有機ＥＬ表示装置に映像信号を入力し駆動したところ電源入力端から遠い部分で輝度が低下してしまい、均一な画像表示を行う事が出来なかった。
【０１１８】
［実施例２］
本発明の他の実施例として、実施例１で用いた低分子有機ＥＬ材料を高分子有機ＥＬ材料とした以外は実施例１と同様に行ない、実施例１と同様の効果が得られた。
【０１１９】
正孔注入層はＰＥＤＯＴ（ポリチオフェン：Ｂａｙｅｒ ＣＨ８０００）をスピンコートにより８０ｎｍ塗布し１６０℃で焼成して形成した。ＰＥＤＯＴの上に下記の高分子有機ＥＬ材料を溶媒に溶解して液状化したものをインクジェット法により３色並置し、カソードとしてＣａＡｇを蒸着してフルカラー表示装置を得た。
（有機ＥＬ層形成用塗布液組成）
・ポリビニルカルバゾール ７０重量部
・オキサジアゾール化合物 ３０重量部
・クマリン６（蛍光色素） １重量部
・モノクロロベンゼン（溶媒） ４９００重量部
蛍光色素がクマリン６の場合は５０１ｎｍをピークに持つ緑色発光、ペリレンの場合は４６０〜４７０ｎｍをピークに持つ青色発光、ＤＣＭの場合は５７０ｎｍをピークに持つ赤色発光が得られ、これらを各色の発光材料として用いた。
【０１２０】
【発明の効果】
本発明によれば、電源供給線を保護層内に埋め込んで配設させているので、その膜厚がスイッチング回路部により制限されることがないため、電源供給線の膜厚の自由度が広がり、従来よりも膜厚を厚く形成することが可能となる。これにより、配線抵抗の上昇を抑制する効果が得られ、電源供給線の配線長を増長した場合でも、電源供給線の配線抵抗を小さく保つことができる。従って、表示装置の精細化や大画面化を図った場合に各電流駆動型発光素子に大電流を供給することが容易になり、電源供給線の配線抵抗に起因し電流駆動型発光素子に流れる電流の減少による輝度の低下や、バイアス電圧源から各画素に至る電源供給線の配線抵抗の増大による表示画面の輝度ムラといった不都合を解消することができるといった効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の表示装置での走査線、データ線、電源供給線、スイッチング回路部、および、有機ＥＬ素子を構成する第１電極層の平面配置を示す概略図である。
【図２】図１に示したＸ−Ｘ線断線の概略断面図である。
【図３】図１に示したＸ−Ｘ線と同様の位置における従来の表示装置の一例を示す概略断面図である。
【図４】本発明の表示装置の製造方法の一例を示す工程図である。
【図５】図５（Ａ）〜図５（Ｄ）は、それぞれ本発明による電子機器の一例を示す概略図である。
【図６】有機ＥＬ素子の一例を示す概略断面図である。
【図７】有機ＥＬ素子の他の例を示す概略断面図である。
【図８】従来の有機ＥＬ表示装置の一例を示す等価回路図である。
【符号の説明】
１ … 電気絶縁性基板
１１ … 走査線
１３ … データ線
１７ … 電源供給線
２０ … スイッチング回路部
３０ … 有機ＥＬ素子
３３ … 第１電極層
６０ … 表示装置
【発明の属する技術分野】
本発明は、電流駆動型発光素子を画素として用いた表示装置およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年では、フラットパネルディスプレイが多くの分野、多くの場所で使われており、情報化が進む中でその重要性が益々高まってきている。
【０００３】
フラットパネルディスプレイの代表といえば液晶表示装置（以下、「ＬＣＤ」と略記する。）であるが、ＬＣＤとは異なる表示原理に基づくフラットパネルディスプレイとして、有機エレクトロルミネセンス（以下、「エレクトロルミネセンス」を「ＥＬ」と略記する。）表示装置、無機ＥＬ表示装置、プラズマディスプレイ、発光ダイオード表示装置、蛍光表示管、電界放出表示装置等の開発も活発に行われている。
【０００４】
上記の表示装置のうち、ＬＣＤ以外の各表示装置は自発光型表示装置と呼ばれるものであり、受光型表示装置と呼ばれるＬＣＤとは下記（１）〜（４）の点で大きく異なる。
（１）消費電力
ＬＣＤにおける個々の画素は、それ自身では発光せず、光を透過、遮断する光シャッターとして機能するため、透過型以外のＬＣＤはバックライトを必要とし、表示情報の様態に拘わらず、表示時には当該バックライトを常に点灯させておくことが必要となる。このため、表示時には常に全表示状態と略変わらない電力を消費することになる。
【０００５】
これに対し、自発光型は個々の画素自身が発光するため、別光源を設ける必要がなく、表示情報の様態に応じて必要箇所の画素のみを点灯させればよいので、受光型表示装置に比較して電力消費が少ない。
（２）コントラスト
ＬＣＤでは、バックライトからの光あるいは周囲照明光を個々の画素が遮断して暗状態を得るわけであるが、個々の画素からの光漏れを完全に無くすことは困難であり、その結果として、コントラストを高めることが困難である。
【０００６】
これに対し、自発光型表示装置では個々の画素が発光していない状態がまさに暗状態であるので、理想的な暗状態を容易に得ることができ、コントラストを容易に高めることができる。
（３）視野角依存性
ＬＣＤでは、液晶分子が複屈折性を有していること、および、液晶分子の配列方向の制御により光の透過、遮断を制御していることから、視野角依存性があり、画面を視認する方向によって表示状態が変わってしまう。これに対し、自発光型表示装置ではこの問題が殆どない。
（４）応答性
ＬＣＤは、液晶分子の誘電率異方性を利用して液晶分子の配列方向を制御するため、原理的に、電気信号に対する応答時間が１ミリ秒以上となる。このため、動画を表示した際に残像を生じることがある。
【０００７】
これに対し、自発光型表示装置ではキャリア遷移、電子放出、プラズマ放電等を利用して画素のオン／オフを制御するため、電気信号に対する応答時間がナノ秒台と高速であり、動画を表示しても残像を生じることがない。
【０００８】
上述した利点を有する自発光型表示装置の中でも、有機ＥＬ素子（有機発光ダイオードとも呼ばれる。）を画素として用いた有機ＥＬ表示装置は、駆動（発光）電圧が低いという実用上非常に優れた特徴を有している。実際、有機ＥＬ素子の発光開始電圧は１０Ｖ以下であり、他の自発光型表示装置に使われている発光素子と比較して、駆動電圧が非常に低い。低電圧駆動が可能であるという特徴を有する有機ＥＬ表示装置は、電源電圧の上限が制限される電池駆動式の携帯電子機器の表示装置等として好適である。このため、今日、有機ＥＬ表示装置の研究が活発に行われている。
【０００９】
有機ＥＬ素子の基本構造は、有機材料によって形成された発光層を陽極と陰極との間に挟持した構造であり、必要に応じて、陽極と発光層との間に正孔注入層や正孔輸送層が形成され、陰極と発光層との間に電子注入層や電子輸送層が形成される。また、発光層に蛍光色素等をドープして発光色を制御することも行われている。
【００１０】
ここで、本明細書においては、電流駆動型発光素子において陰極と陽極との間に形成される全ての層を「発光部」と総称するものとする。また、電流駆動型発光素子が有機ＥＬ素子である場合には、この発光部を特に「有機ＥＬ層」と称するものとする。有機ＥＬ層には、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層が含まれる。
【００１１】
図６および図７は、有機ＥＬ素子の断面構造を概略的に示す。図６に示す有機ＥＬ素子３０は、ガラス基板やプラスチック基板といった透光性を有する電気絶縁性基板１に第１電極層３３を形成し、その上に有機ＥＬ層３５および第２電極層３７を順次形成することによって製造される。
【００１２】
この有機ＥＬ素子３０は、有機ＥＬ層３５からの発光Ｅ１を電気絶縁性基板１側から取り出すものであり、「ボトムエミッションタイプ」と呼ばれることもある。一般には、第１電極層３３を陽極とし、第２電極層３７を陰極として用いる。第２電極層３７は、金属で形成された非透光性電極であることが多い。
【００１３】
図７に示す有機ＥＬ素子４０は、電気絶縁性基板１に電極４３を形成し、その上に有機ＥＬ層４５および透光性第２電極層４７を順次形成することによって製造される。
【００１４】
この有機ＥＬ素子４０は、有機ＥＬ層４５からの発光Ｅ２を電気絶縁性基板１とは反対側から取り出すものであり、「トップエミッションタイプ」と呼ばれることもある。電気絶縁性基板１および電極４３の少なくとも一方は非透光性であることが好ましく、電極４３は、金属で形成された非透光性電極であることが多い。
【００１５】
有機ＥＬ層３５、４５は、当該有機ＥＬ層３５、４５の材料として低分子材料を用いる場合には一般に真空蒸着法によって形成され、高分子材料を用いる場合には、溶液化してスピンコート法や印刷法、転写法によって形成される。表示装置の画素を形成する場合のように多数の有機ＥＬ層３５、４５を一度に形成する場合、個々の有機ＥＬ層３５、４５の材料として低分子材料を用いるときには例えばマスク蒸着法が適用され、高分子材料を用いるときには例えばインクジェット法や印刷法、転写法等が用いられる。近年では、塗付可能な低分子材料も報告されている。
【００１６】
有機ＥＬ素子３０、４０は、電極間（陽極と陰極との間）に電圧が印加されて有機ＥＬ層３５、４５に電流が流れることで発光する。従来は、一重項励起状態から基底状態に戻る際の蛍光発光のみを利用していたが、最近の研究により、三重項励起状態から基底状態に戻る際の燐光発光を有効に利用することができるようになり、発光効率が向上している。
【００１７】
図６および図７には示していないが、有機ＥＬ素子３０、４０は一般に水分や酸素による特性劣化が著しいため、いわゆる封止を行って、その信頼性を確保している。有機ＥＬ素子３０、４０の封止は、当該有機ＥＬ素子３０、４０が水分や酸素に触れないように、例えば、電気絶縁性基板１と別基板とを用いて有機ＥＬ素子３０、４０が収容された空間を形成し、当該空間内に不活性ガスを充填することによって行われたり、有機ＥＬ素子３０、４０を蒸着薄膜で覆うことによって行われたりする。
【００１８】
有機ＥＬ素子３０、４０を画素として用いて、フルカラー表示の表示装置を得ることができる。フルカラー化の方法としては、発光色が赤色、緑色、および青色の各有機ＥＬ素子を表示装置の画素毎に精密に配置する３色並置方式の他に、発光色が白色の有機ＥＬ素子と原色（赤色、緑色、および青色）系のカラーフィルター（ＣＦ）とを組み合わせるＣＦ方式や、発光色が青色の有機ＥＬ素子と赤色および緑色の各蛍光変換色素フィルターとを組み合わせるＣＣＭ（ｃｏｌｏｒ Ｃｈａｎｇｉｎｇ Ｍｅｄｉｕｍ）方式がある。
【００１９】
有機ＥＬ素子３０、４０を画素として用いた表示装置は、ＬＣＤと同様に、駆動方法によってパッシブマトリクス方式とアクティブマトリクス方式とに大別することができる。
【００２０】
パッシブマトリクス方式の表示装置では、多数の有機ＥＬ素子３０または有機ＥＬ素子４０を行列状に配置するにあたって、例えば素子行毎に第１電極層３３もしくは電極４３が１本形成されると共に、素子列毎に第２電極層３７、４７が１本形成され、これらの電極の平面視上の交差部それぞれに、当該第１電極層３３もしくは電極４３と第２電極層３７、４７とによって挟持される有機ＥＬ層３５、４５が形成される。
【００２１】
この方式の表示装置は、構造が簡単であるという利点を有してはいるももの、時分割走査によって画像を表示するためは、アクティブマトリクス方式の表示装置に比べて走査線の本数倍だけ個々の有機ＥＬ素子３０、４０の瞬間輝度を高めなければならないという難点を有している。例えばＶＧＡ（Ｖｉｄｅｏ Ｇｒａｐｈｉｃｓ Ａｒｒａｙ）以上の解像度を有する表示装置を得るためには、個々の有機ＥＬ素子３０、４０の瞬間輝度を１００００ｃｄ／ｍ２以上にすることが望まれる。
【００２２】
一方、アクティブマトリクス方式の表示装置では、例えば個々の有機ＥＬ素子３０、４０毎に第１電極層３３もしくは電極４３が１つ形成され、大形の１つの導電膜が全ての有機ＥＬ素子３０、４０に共通の第２電極層３７、４７として形成される。また、有機ＥＬ素子３０、４０の動作を制御するために、個々の有機ＥＬ素子３０、４０にスイッチング回路部が１つずつ配置される。各スイッチング回路部は、例えば複数の半導体スイッチング素子によって構成されて、素子行毎に配置された走査線から供給される画素選択信号と素子列毎に配置されたデータ線から供給される画像信号とに応じて、当該スイッチング回路部に対応する有機ＥＬ素子３０、４０の動作を制御する。
【００２３】
この方式の表示装置は、パッシブマトリクス方式の表示装置に比べて構造が複雑ではあるももの、個々の有機ＥＬ素子３０、４０の発光輝度をそれほど高めなくてよい、消費電力を抑えることができる、画素間のクロストークが起こり難い、といった多くの利点を有している。
【００２４】
さらに、半導体スイッチング素子を形成するにあたって多結晶シリコン（ポリシリコン）膜や連続粒界シリコン（ＣＧシリコン）膜を用いると、これらの膜はアモルファスシリコン膜よりも電荷移動度が高いので、動作速度の速いスイッチング素子を形成することができ、その結果として、各種の制御回路を画素と共に一つの基板上に形成して表示装置の小型化、低コスト化、多機能化等を図り易くなる。また、多結晶シリコン膜や連続粒界シリコン膜を用いて形成した半導体スイッチング素子は、大電流処理が可能であるので、電流駆動型素子である有機ＥＬ素子の駆動制御に適している。
【００２５】
アクティブマトリクス方式の表示装置における画素をトップエミッションタイプの有機ＥＬ素子４０によって構成すると、スイッチング回路部やバスラインといった回路構成部材によって発光面積率が制限されないので、より多機能で複雑な回路を電気絶縁性基板１に形成し易くなる。
【００２６】
図８は、有機ＥＬ素子３０を画素として用いたアクティブマトリクス方式の表示装置１００における画素回路の構成例を示す。
【００２７】
同図に示すように、表示装置１００では多数の有機ＥＬ素子３０が行列状に配置され、各素子行に１本ずつ、当該素子行に沿って走査線１１が配されていると共に、各素子列に１本ずつ、当該素子列に沿ってデータ線１３と電源供給線１７とが配されている。
【００２８】
実際の表示装置１００では、走査線１１は、隣り合う素子行同士の間に平面視上位置しており、データ線１３および電源供給線１７は、隣り合う素子列同士の間に平面視上位置している。
【００２９】
個々の有機ＥＬ素子３０に１つずつ、スイッチング回路部２０が接続されている。図示のスイッチング回路部２０は、第１薄膜トランジスタ２１と、第２薄膜トランジスタ２５と、第１薄膜トランジスタ２１および第２薄膜トランジスタ２５に接続されたゲート保持容量２９とによって構成されている。ゲート保持容量２９は、電源供給線１７とも接続されている。
【００３０】
第１薄膜トランジスタ２１におけるゲートと、当該第１薄膜トランジスタ２１を含んでいるスイッチング回路部２０に対応する走査線１１とが電気的に接続され、第１薄膜トランジスタ２１のソースはデータ線１３に、ドレインはゲート保持容量２９に電気的に接続される。また、第２薄膜トランジスタ２５におけるゲートは、当該第２薄膜トランジスタ２５に対応している第１薄膜トランジスタ２１とゲート保持容量２９とを接続する配線２３ｄに電気的に接続され、この第２薄膜トランジスタ２５のソースは電源供給線１７に、ドレインは有機ＥＬ素子３０に電気的に接続される。
【００３１】
所定の走査線１１に画素選択信号を供給すると、当該走査線１１に接続されている各第１薄膜トランジスタ２１のゲートが開になる。また、所定のデータ線１３に画像信号を供給すると、上記画素選択信号によってゲートが開になった第１薄膜トランジスタ２１に対応している第２薄膜トランジスタ２５のゲートが、前記画像信号の大きさ応じてアナログ的に開になる。第２薄膜トランジスタ２５のゲートの開き具合は、当該第２薄膜トランジスタ２５に対応するゲート保持容量２９によって保持される。この状態で電源供給線１７に電圧を印加すると、ゲートが開になった第２薄膜トランジスタ２５に接続されている有機ＥＬ素子３０へ、当該第２薄膜トランジスタ２５のゲートの開き具合に応じた値の電流が電源供給線１７から流れ、有機ＥＬ素子３０が発光する。すなわち、上記画像信号の大きさに応じて有機ＥＬ素子３０が発光する。
【００３２】
上述した構成を有する表示装置１００は、アクティブマトリクス方式であることから、前述した種々の利点を有している。しかしながら、この表示装置１００は、有機ＥＬ素子が電流駆動型発光素子であること、および、有機ＥＬ素子の発光効率がそれ程高くないことから、特に精細化あるいは大型化を図ったときには駆動が困難になる。
【００３３】
有機ＥＬ素子は前述のように低電圧で駆動させることができるが、このことは、発光効率が同じであれば駆動電流が多く必要であることを意味する。表示装置の効率は、下式で表される発光効率で示すことができる。
【００３４】
発光効率（ｌｍ／Ｗ）＝輝度（ｃｄ／ｍ２）・π／［（電圧（Ｖ）・電流密度（Ａ／ｍ２）］
表示装置に対しては、一般には２ｌｍ／Ｗ以上の発光効率を有していることが求められる。このような発光効率を有機ＥＬ表示装置において得るためには、個々の有機ＥＬ素子について概ね１００ｃｄ／ｍ２以上の輝度を得ることが必要であり、そのためには、各有機ＥＬ素子での電流密度を１５Ａ／ｍ２以上にすることが必要となる。
【００３５】
１５Ａ／ｍ２という電流密度は、他の自発光型表示装置の画素、例えば無機ＥＬ表示装置の画素やプラズマディスプレイの画素での電流密度１〜２Ａ／ｍ２と比べて、極めて大きな値である。ＬＣＤは原理的に電界駆動型であるので、個々の画素に電流を流す必要が殆どない。
【００３６】
有機ＥＬ表示装置において個々の有機ＥＬ素子に上述のような大電流を供給するためには、電源供給線の配線抵抗を小さくすることが非常に重要である。この配線抵抗が高いと、電源供給端子に近い側において電源供給線に接続さている有機ＥＬ素子には十分な電流を供給することができても、電源供給端子に遠い側において電源供給線に接続さている有機ＥＬ素子には、電圧降下によって十分な電流を供給することができなくなり、表示ムラが生じる。電源供給線の配線抵抗を小さくすることの重要性は、画素数が多くなるほど、また表示画面が大きくなるほど高まる。
【００３７】
例えば、特許文献１には、隣り合う素子列同士の間のみならず、隣り合う素子行同士の間にも電源供給線を配置することによって、個々の有機ＥＬ素子に大電流を供給可能にした有機ＥＬ表示装置が記載されている。
【００３８】
また、特許文献２には、基板の周回において電源供給線をまとめて取り出した有機ＥＬ表示装置が記載され、特許文献３には、電源供給線の両端を電源端子に接続した有機ＥＬ表示装置が記載されている。これら特許文献２および特許文献３に記載されている有機ＥＬ表示装置では、いずれも、電源からみた電源供給線の実質的長さを短くすることによって、電源供給線の配線抵抗を低減している。
【００３９】
しかしながら、これら特許文献１〜特許文献３に記載されているいずれの有機ＥＬ表示装置においても、精細化や大画面化を図るうえからは、電源供給線の配線抵抗が比較的高い。
【００４０】
有機ＥＬ表示装置の回路構成、駆動方法としては、上述した以外にも、個々のスイッチング回路部における薄膜トランジスタの数を更に多くしたもの（非特許文献１参照）や、デジタル階調を行うもの（非特許文献２および非特許文献３参照）が知られているが、いずれも、精細化や大画面化を図るうえからは、電源供給線の配線抵抗が比較的高い。
【００４１】
【特許文献１】
特開２００２−３２０３７号公報
【特許文献２】
特開２００２−４０９６１号公報
【特許文献３】
特開２００２−１０８２６２号公報
【非特許文献１】
Ｙｕｍｏｔｏら、「Ｐｉｘｅｌ−Ｄｒｉｖｉｎｇ Ｍｅｔｈｏｄｓ ｆｏｒ Ｌａｒｇｅ−Ｓｉｚｅｄ Ｐｏｌｙ−Ｓｉ ＡＭ−ＯＬＥＤ Ｄｉｓｐｌａｙｓ」、Ａｓｉａ Ｄｉｓｐｌａｙ／ＩＤＷ’０１、Ｐ．１３９５−１３９８．
【非特許文献２】
Ｍｉｚｕｋａｍｉら、「６−ｂｉｔ Ｄｉｇｉｔａｌ ＶＧＡ ＯＬＥＤ」、ＳＩＤ’００、Ｐ．９１２−９１５．
【非特許文献３】
Ｍｉｙａｓｈｉｔａら、「Ｆｕｌｌ Ｃｏｌｏｒ Ｄｉｓｐｌａｙｓ Ｆａｂｒｉｃａｔｅｄ ｂｙ Ｉｎｋ−Ｊｅｔ Ｐｒｉｎｔｉｎｇ」、Ａｓｉａ Ｄｉｓｐｌａｙ／ＩＤＷ’０１、Ｐ．１３９９−１４０２．
【００４２】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであり、電流駆動型発光素子によって構成された画素の各々に大電流を供給することが容易な表示装置、および当該表示装置を備えた電子機器の提供を主目的とする。
【００４３】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、請求項１に記載するように、電気絶縁性基板と、該電気絶縁性基板上にマトリクス状に配列された数個の電流駆動型発光素子と、１つの素子行に少なくとも１本ずつ配置された走査線と、１または２つの素子列に少なくとも１本ずつ配置されたデータ線と、上記電気絶縁性基板上に配置された電源供給線と、少なくとも１個の電流駆動型発光素子に少なくとも１つずつ配置されて、上記走査線に供給される画素選択信号および上記データ線に供給される画素信号に応じて上記電流駆動型発光素子と上記電源供給線との導通を制御することができるスイッチング回路部とを備え、上記スイッチング回路部が複数のスイッチング素子を含む表示装置において、上記電流駆動型発光素子の各々は、上記電気絶縁性基板上に形成された保護層表面に配置された第１電極層と、該第１電極層上に積層された発光部と、該発光部上に形成された第２電極層とを有し、上記電源供給線は、上記保護層内に埋め込まれていることを特徴とする表示装置を提供する。
【００４４】
本発明においては、電源供給線を保護層内に埋め込んで配設させているので、その膜厚がスイッチング回路部により制限されることがないため、電源供給線の膜厚の自由度が広がり、従来よりも膜厚を厚く形成することが可能となる。これにより、配線抵抗の上昇を抑制する効果が得られ、電源供給線の配線長を増長した場合でも、電源供給線の配線抵抗を小さく保つことができる。従って、表示装置の精細化や大画面化を図った場合に各電流駆動型発光素子に大電流を供給することが容易になり、電源供給線の配線抵抗に起因し電流駆動型発光素子に流れる電流の減少による輝度の低下や、バイアス電圧源から各画素に至る電源供給線の配線抵抗の増大による表示画面の輝度ムラといった不都合を解消することができる。
【００４５】
上記請求項１に記載された発明においては、請求項２に記載するように、上記電源供給線は、保護層の下面から上面にかけて貫通するように形成されたスルーホール内に設けられていることが好ましい。その中でも、請求項３に記載するように、上記保護層上面と、上記電源供給線の上面とが、同じ高さとなるように上記電源供給線が設けられていることが好ましい。保護層内に埋め込まれるように配設されている電源供給線において、保護層の上面と電源供給線の上面とを同じ高さとすることにより、配線抵抗を小さく保つのに十分な膜厚を確保することができるからである。
【００４６】
上記請求項１から請求項３までのいずれかの請求項に記載された発明においては、請求項４に記載するように、上記電源供給線の上面を覆うように絶縁層が設けられていることが好ましい。このように絶縁層を設けることにより、電源供給線を剥離や、空気および水等から保護することができるため、長時間の使用でも劣化を少なくすることができるからである。
【００４７】
上記請求項１から請求項４までのいずれかの請求項に記載された発明においては、請求項５に記載するように、上記電流駆動型発光素子がＥＬ素子であることが好ましい。ＥＬ素子は駆動電圧が低いので、ＥＬ素子を用いることにより、電源電圧の上限が制限される電池駆動式の携帯電子機器の表示装置に好適な表示装置を得易くなる。また、商用電源によって駆動される表示装置を得る場合でも、有機ＥＬ素子の駆動電圧が低いことから、表示装置内で所望の電源電圧を得るための電源回路の構成が容易になる。
【００４８】
本発明においてはまた、請求項６に記載するように、上記請求項１から請求項５までのいずれかの請求項に記載された表示装置を備えた電子機器を提供する。
【００４９】
上記請求項１から請求項５までのいずれかの請求項に記載された表示装置は、電流駆動型発光素子を用いた自発光型表示装置であるので、この表示装置を電子機器の表示装置として用いることにより、受光型表示装置を用いた場合に比べて当該電子機器の消費電力を低減させることができる。
【００５０】
さらに本発明においては、請求項７に記載するように、電気絶縁性基板上に、スイッチング回路部を形成する工程と、上記スイッチング回路部を有する電気絶縁性基板上に、上記スイッチング回路部を覆うように保護層を形成する工程と、上記保護層に、上記スイッチング回路部の電源供給線が配設される領域に保護層の上面から下面にかけて貫通するようにスルーホールを形成する工程と、上記スルーホール内を充填するように電源供給線を形成する工程と、上記保護層内に配設されている上記電源供給線の上面を覆うように絶縁層を形成する工程とを有することを特徴とする表示装置の製造方法を提供する。
【００５１】
本発明においては、上述した製造方法を用いて表示装置を製造することにより、画素数を増やした場合でも配線抵抗を小さく保つことができ、電源供給線の配線抵抗に起因し発光素子に流れる電流の減少による輝度の低下や、バイアス電圧源から各画素に至る電源供給線の配線抵抗の増大による表示画面の輝度ムラ等の不都合が改善された表示装置を得ることができる。
【００５２】
上記請求項７に記載された発明においては、請求項８に記載するように、上記電源供給線をメッキ法により形成することが好ましい。スルーホール内に電源供給線を信頼性高く充填させることができるからである。
【００５３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の表示装置およびその製造方法について説明する。
【００５４】
１．表示装置
まず、本発明の表示装置における一実施形態について図面を用いて説明する。
【００５５】
本発明の表示装置は、前述したように、電気絶縁性基板、電流駆動型発光素子、走査線、データ線、電源供給線、およびスイッチング回路部を備えている。以下、本発明の表示装置において、図６に示したタイプの有機ＥＬ素子３０を電流駆動型発光素子として用いた場合の実施態様について図面を用いて説明する。
【００５６】
図１は、本発明の表示装置での走査線、データ線、電源供給線、スイッチング回路部、および、有機ＥＬ素子を構成する第１電極層の平面配置を概略的に示す。また図２は、図１に示したＸ−Ｘ線断面を概略的に示す。
【００５７】
これらの図面に示す構成部材のうち、図６または図８に示した構成部材と機能上共通する構成部材については、図６または図８で用いた参照符号と同じ参照符号を付してその説明を省略する。
【００５８】
図１および図２に示す表示装置６０では、透光性を有する電気絶縁性基板１の一表面上に走査線１１、データ線１３、電源供給線１７、スイッチング回路部２０、および、有機ＥＬ素子３０が配置される。
【００５９】
走査線１１は、電源供給線１７下およびデータ線１３上の所定領域に形成された電気的絶縁膜５１を介して電源供給線１７の下およびデータ線１３の上となるように形成されている。データ線１３は、走査線１１と交差するように電気的絶縁膜５１を介して走査線１１下に形成されている。
【００６０】
スイッチング回路部２０は、第１薄膜トランジスタ２１、第２薄膜トランジスタ２５、およびゲート保持容量２９によって構成されている。
【００６１】
第１薄膜トランジスタ２１は、電気絶縁性基板１の上記一表面上に形成された半導体層２２を有し、この半導体層２２には、チャネル領域、ソース領域、およびドレイン領域が形成されている。ゲート絶縁膜２３ｉが、第１薄膜トランジスタ２１のチャネル領域上に形成されている。
【００６２】
配線２３ｇの一端がゲート絶縁膜２３ｉ上に配され、当該配線２３ｇの他端は走査線１１に接続されている。配線２３ｇにおけるゲート絶縁膜２３ｉ上の領域が、第１薄膜トランジスタ２１のゲート電極として機能する。半導体層２２のソース領域は配線２３ｓによってデータ線１３に電気的に接続され、ドレイン領域は配線２３ｄによってゲート保持容量２９に電気的に接続される。
【００６３】
第１薄膜トランジスタ２１と同様に、第２薄膜トランジスタ２５は、電気絶縁性基板１の上記一表面上に形成された半導体層２６を有し、この半導体層２６にもチャネル領域、ソース領域、およびドレイン領域が形成されている。ゲート絶縁膜２７ｉが、第２薄膜トランジスタ２５のチャネル領域上に形成されている。
【００６４】
配線２７ｇの一端がゲート絶縁膜２７ｉ上に配され、当該配線２７ｇの他端は配線２３ｄに接続されている。配線２７ｇにおけるゲート絶縁膜２７ｉ上の領域が、第２薄膜トランジスタ２５のゲート電極として機能する。半導体層２６のソース領域は配線２７ｓによって電源供給線１７に電気的に接続され、ドレイン領域は配線２７ｄを介して第１電極層３３に電気的に接続される。
【００６５】
上述した走査線１１、データ線１３、電源供給線１７、スイッチング回路部２０、および電気的絶縁膜５１は、図２に示すように、例えば感光性ポリイミドによって形成された保護膜５４によって覆われている。保護膜５４の上面は平坦面となっており、当該上面に透光性の第１電極層３３が形成されている。第１電極層３３と上述した配線２７ｄとは、保護膜５４の所定箇所に形成されたスルーホール内に第１電極層３３の一部を形成することによって電気的に接続されている。
【００６６】
本発明においては、電源供給線１７は保護層５４の内部に埋め込まれて配設されている。すなわち、図２に示すように、配線２７ｓおよびゲート保持容量２９（図示せず）上に位置している。従来、電源供給線１７は、図３に示すように、配線２７ｓの下に配設されていた。従って、電源供給線１７の膜厚は、その上面に位置する配線２７ｓおよびゲート保持容量２９（図示せず）等により制限され、十分な膜厚を確保することは困難であった。しかしながら、本発明においては、図２に示すように、電源供給線１７を保護層５４内に埋め込み配設していることから、その上面が従来のように配線２７ｓ等により制限されることがなく、電源供給線１７の膜厚の自由度を広げることができるのである。これにより、従来よりも膜厚を厚く形成することができ、配線抵抗の上昇を抑制することが可能となる。また、電源供給線１７を、その上面と、保護層５４上面との高さを同じ位置とすることにより、保護層５４内に配設されている電源供給線１７において最大限に膜厚を厚くでき、より一層配線抵抗の上昇を抑制する効果を高めることができる。
【００６７】
図２に示すように、第１電極層３３端部は、絶縁層５６により覆われ、第１電極層３３端部における電荷集中による影響を回避している。さらに、本発明においては、当該絶縁層５６は、電源供給線１７の上面をも覆うように形成することにより、電源供給線１７を剥離や、水および酸素の影響から保護している。
【００６８】
また、第１電極層３３上に有機ＥＬ層３５が形成され、当該有機ＥＬ層３５上には、第１電極層３３の対向電極である第２電極層３７が形成されている。また、有機ＥＬ素子３０を封止するために、第２電極層３７上にバリア層等を設けることにより、有機ＥＬ素子自体を酸素および水等の影響から保護し、素子寿命の伸長を図ることができる。
【００６９】
このような構成で形成されている表示装置では、上述したように電源供給線が、保護層内に埋め込まれて配設されているので、表示装置の精細化や大画面化を図った場合でも電源供給線の配線抵抗を低減させることができ、その分、各有機ＥＬ素子に大電流を供給することが容易に可能となる。個々の有機ＥＬ素子に大電流を供給することができれば、各有機ＥＬ素子の輝度を向上させることができ、これに伴って、再現可能な階調や色範囲等の幅が広がるので、表示装置の画質を高め易い。
【００７０】
以下、本発明の表示装置について各構成部材に分けて説明する。
【００７１】
（１）電源供給線
電源供給線は、各電流駆動型発光素子に駆動電流を供給するためのものであり、本発明においては、保護層内に埋め込まれるように配設されている。
【００７２】
このように電源供給線を配設することにより、スイッチング回路を構成する電極等にその膜厚を制限されることがないため、膜厚の自由度が広がり、膜厚を厚く形成することが可能である。従って、画素数を増やし電源供給線の配線長が増長した場合であっても、電源供給線の配線抵抗を小さく保つことができるため、有機ＥＬ素子等の各電流駆動型発光素子に大電流を供給することが容易に可能となる。
【００７３】
このような電源供給線としては、スイッチング回路と電気的に接続し、保護層内に埋め込まれるように配設されれば特に限定はされないが、保護層内に形成されたスルーホール内に設けることが好ましい。さらに、保護層の上面と電源供給線との上面とが同じ高さとなるように形成することが好ましい。十分な膜厚を確保することが可能となり、配線抵抗を小さく保つ効果が十分に得られるからである。
【００７４】
なお、ここでいう「スルーホール」とは、保護層の上面から下面にかけて貫通するように設けられた溝のことを意味する。
【００７５】
また、電源供給線の膜厚としては、配線抵抗を小さく保持することが可能な膜厚であれば特に限定はされないが、具体的には、０．５μｍ〜１０μｍの範囲内、その中でも、２μｍ〜５μｍの範囲内であることが好ましい。
【００７６】
このような電源供給線を形成する材料としては、導電性を有する材料により形成されれば特に限定はされない。具体的には、、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ等の金属を挙げることができる。その中でも、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇであることが好ましい。導電性の高い材料だからである。
【００７７】
（２）保護層
保護層は、電気絶縁性基板上に形成されたスイッチング回路を保護するために設けられ、また、基板に平坦性を保持するためにも設けられる。
【００７８】
このような保護層を形成する材料としては、例えば、感光性アクリル樹脂、感光性ポリイミド等を挙げることができる。その中でも、保護層として要求される加工性および平坦性の観点から感光性アクリル樹脂であることが好ましい。
【００７９】
また、保護層の膜厚としては、基板上に平坦性を保持させることが可能な膜厚であれば特に限定はされないが、具体的には、０．５μｍ〜１０μｍの範囲内、その中でも、２μｍ〜５μｍの範囲内であることが好ましい。本発明においては、当該保護層内に電源供給線を配設させており、さらに、保護層の上面と電源供給線との上面を同じ高さに形成することが好ましいため、上述した範囲内の保護層とすることにより、十分に電源供給線の膜厚を確保することが可能となるからである。
【００８０】
（３）絶縁層
一般的に絶縁層は、第１電極層端部における電荷集中による影響を回避するために設けられるが、本発明においては、上述した電源供給線の上面を覆うように絶縁層を形成することにより、電源供給線を剥離や、水および酸素等の影響から保護することができ、信頼性の高い表示装置を得ることができる。
【００８１】
このような絶縁層は、通常知られている通り、例えば、ＵＶ硬化性の樹脂材料等を用いてパターン形成することができる。具体的には、ノボラック系樹脂、ポリイミド等を挙げることができる。
【００８２】
（４）電気絶縁性基板
電気絶縁性基板は、他の構成部材を実装するためのものであり、当該電気絶縁性基板としては、例えばガラス基板、ガラスフィルム、合成樹脂基板、合成樹脂フィルム等を用いることができる。
【００８３】
電流駆動型発光素子からの発光を電気絶縁性基板側から取り出す場合には、当該電気絶縁性基板として、前記発光に対して透光性を有するものを用いる。
【００８４】
電流駆動型発光素子を構成する後述の第２電極側から前記発光を取り出す場合には、電気絶縁性基板は前記発光に対して透光性を有していてもよいし、透光性を有していなくてもよい。ただし、この場合には、後述する電源供給線を前記発光に対して非透光性にすることが好ましい
（５）電流駆動型発光素子
電流駆動型発光素子としては、ＥＬ素子、ＬＥＤ（発光ダイオード）素子等を用いることができる。
【００８５】
低電圧での駆動が容易であるという観点から、電流駆動型発光素子としては、ＥＬ素子が最も好ましい。
【００８６】
（６）走査線およびデータ線
走査線は、各電流駆動型発光素子に素子行単位で画素選択信号を供給するために、１つの素子行に少なくとも１本ずつ配されるものであり、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウムとニオブ（Ｎｂ）との合金、クロム（Ｃｒ）等の導電性材料によって形成することができる。
【００８７】
データ線は、各電流駆動型発光素子に素子列単位で画像信号を供給するためのものであり、走査線と同様に導電性材料によって形成することができる。
【００８８】
電流駆動型発光素子をモザイク型に配置する場合のように、多数個の電流駆動型発光素子を正方行列（ただし、行数と列数とが異なる場合を含むものとする。）に配置する場合には、１つの素子列に少なくとも１本ずつ、データ線が配置される。一方、電流駆動型発光素子をトライアングル型に配置する場合のように、１つの素子行と当該素子行に隣接する素子行とで電流駆動型発光素子の配置が略１／２ピッチずれるように多数個の電流駆動型発光素子を配置する場合には、２つの素子列に少なくとも１本ずつ、データ線を配置することができる。
【００８９】
なお、本明細書においては、１つの素子行と当該素子行に隣接する素子行とで電流駆動型発光素子の配置が略１／２ピッチずれるように配列された多数個の電流駆動型発光素子も、「行列状に配列された多数個の電流駆動型発光素子」に含まれるものとする。
【００９０】
（７）スイッチング回路部
スイッチング回路部は、走査線に供給される画素選択信号とデータ線に供給される画像信号とに応じて、電流駆動型発光素子と電源供給線との導通を制御するためのものである。
【００９１】
このスイッチング回路部は、薄膜トランジスタ、ダイオード等の半導体スイッチング素子を用いて構成することができる。例えば半導体スイッチング素子として薄膜トランジスタを用いる場合には、少なくとも２つの薄膜トランジスタを組み合わせてスイッチング回路部を構成することが好ましい。必要に応じて、特定の薄膜トランジスタのゲートの開き具合を保持するためのゲート保持容量を併用することができる。
【００９２】
２．表示装置の製造方法
次に、表示装置の製造方法について説明する。
【００９３】
本発明の表示装置の製造方法は、電気絶縁性基板上に、スイッチング回路部を形成する工程と、前記スイッチング回路部を有する電気絶縁性基板上に、前記スイッチング回路部を覆うように保護層を形成する工程と、前記保護層に、前記スイッチング回路部の電源供給線が配設される領域に保護層の上面から下面にかけて貫通するようにスルーホールを形成する工程と、前記スルーホール内を充填するように電源供給線を形成する工程と、前記保護層内に配設されている前記電源供給線の上面を覆うように絶縁層を形成する工程とを有することを特徴とするものである。
【００９４】
本発明においては、このような製造方法により表示装置を製造することにより、画素数を増やした場合でも配線抵抗を小さく保つことができ、電源供給線の配線抵抗に起因し発光素子に流れる電流の減少による輝度の低下や、電源供給線の配線抵抗の増大による表示画面の輝度ムラ等の不都合が改善された表示装置を得ることができる。
【００９５】
このような本発明の表示装置における一実施態様の製造方法について、以下図面を用いて具体的に説明する。図４は、本発明の表示装置の製造方法の一例を図示した工程図である。
【００９６】
まず、図４（ａ）に示すように、電気絶縁性基板１上に上述した構成からなるスイッチング回路２０を形成する。このようなスイッチング回路２０の形成方法としては、公知の形成方法により形成することが可能である。
【００９７】
次に、スイッチング回路２０が形成された電気絶縁性基板１上に、図４（ｂ）に示すように、スイッチング回路２０を保護し、電気絶縁性基板１に平坦性を保持させる保護層５４を形成する。このような保護層５４を形成する方法としては、公知の塗布方法により形成することが可能でありスピンコーティング法、キャスティング法、ディッピング法、バーコート法、ブレードコート法、ロールコート法、グラビアコート法、フレキソ印刷法、スプレーコート法等の塗布方法を挙げることができる。
【００９８】
次いで、図４（ｃ）に示すように、保護層５４の下に形成されているスイッチング回路２０のうち、電源供給線１７が形成される位置上に該当する保護層５４に対して、保護層５４の下面から上面まで貫通するようにスルーホール７０を形成する。このようなスルーホール７０の形成方法としては、所望の位置の保護層５４を除去することが可能な方法であれば特に限定はされないが、フォトリソグラフィー法等の方法により形成することが好ましい。例えば、保護層５４を感光性樹脂を用いて形成し、マスクを介して紫外線を露光することにより、スイッチング回路２０を損傷することなく、精度良く所望の位置にスルーホール７０を形成することができる。
【００９９】
また、図示していないが、当該スルーホール７０を形成する際に、同時に第１電極層とスイッチング回路２０が接続する領域に、例えば、第２薄膜トランジスタの配線２７ｄ上に別にスルーホールを形成してもよい。これにより、保護層５４上に第１電極層を形成する際に、保護層５４上のみならず、当該別のスルーホール内をも充填させるように形成することにより、スイッチング回路２０と電流駆動型発光素子とが電気的に接続するからである。
【０１００】
さらに、図４（ｄ）に示すように、上述したスルーホール７０内を充填するように電源供給線１７を配設させる。電源供給線１７の形成方法としては、スルーホール７０内部に充填させることが可能な形成方法であれば特に限定はされない。具体的には、スパッタ法、電子ビーム法、電解メッキ法、無電解メッキ法等の形成方法を挙げることができる。その中でも、電解メッキ法または無電解メッキ法等のメッキ法であることが好ましい。スルーホール７０内を信頼性高く充填することができ、配線抵抗の上昇を抑制するために十分な膜厚を確保することができる形成方法だからである。
【０１０１】
さらに、図４（ｅ）に示すように、電源供給線１７の上面を保護するように絶縁層５６を形成する。通常、絶縁層５６は、第１電極層端部における電荷集中により、第１電極層の対向電極である第２電極層と第１電極層とが絶縁不良を発生させるといった不都合を防止するために設けられていたが、本発明においては、第１電極層端部の他に、電源供給線１７の上面をも覆うように絶縁層５６を形成することにより、電源供給線１７を剥離や、酸素および水等の影響から保護することができる。
【０１０２】
最後に、第１電極層上に電流駆動型発光素子を形成することにより表示装置が製造される。例えば、本発明においては、電流駆動型発光素子としてＥＬ素子とすることが好ましく、第１電極層上に発光部や、発光部に電極から電荷を安定に注入し輸送する電荷注入輸送層等の有機ＥＬ層を成膜し、さらに、第１電極層の対向電極として第２電極層を形成することによりＥＬ表示装置を得ることができる。
【０１０３】
３．電子機器
本発明の電子機器は、表示装置として前述した本発明の表示装置を備えたものである。この電子機器は、表示装置を搭載することができるものであれば基本的にどのような用途のものであってもよい。
【０１０４】
本発明の表示装置の特徴を活かすうえからは、画像表示が望まれる用途の電子機器、例えば図５（Ａ）に概略的に示す携帯電話２１０、図５（Ｂ）に概略的に示す携帯端末２２０、図５（Ｃ）に示すモニタ（テレビ受像機やコンピュータの表示装置等）２３０、図５（Ｄ）に概略的に示すデジタルカメラ２４０等であることが特に好ましい。なお、図５（Ａ）〜図５（Ｄ）においては、本発明の表示装置を参照符号２００で示している。
【０１０５】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【０１０６】
【実施例】
以下に実施例を示し、本発明をさらに説明する。
【０１０７】
［実施例１］
本発明の実施例として、ガラス基板上にポリシリコン膜を使って図８に示す画素回路構成のアクティブマトリクス有機ＥＬ表示装置を作製した。
【０１０８】
対角１７インチの基板（大きさ３００ｍｍ×３７０ｍｍ）に、ＸＧＡ（７６８×１０２４）規格の画素設計とした。
【０１０９】
先ず基板に画素ＴＦＴ、ドライバーＴＦＴ回路と走査線、データ信号線などのバスラインを作製し、感光性アクリル樹脂で保護層を形成し駆動ＴＦＴのソース電極、ドレイン電極と通じるスルーホールを形成した。保護層の膜厚は４μｍとした。
【０１１０】
ドレイン側のスルーホールを通じてドレインにＩＴＯ電極が接続するように形成し、画素形状にパターニングした。ＩＴＯ電極の成膜にはスパッタ法を用いた。
【０１１１】
次いで、ソース電極側のスルーホールを通じてソースに電源供給線が接続するように形成した。電源供給線の材質には、Ｃｕを用いて無電解メッキによりスルーホール内に堆積させて作製した。
【０１１２】
さらに、感光性樹脂により１μｍ厚のエッジ絶縁膜を形成した。
【０１１３】
このようにして作製したアクティブマトリクス基板に有機ＥＬ素子を積層して表示装置を作製した。
【０１１４】
有機ＥＬ素子として、発光層は正孔注入層ＴＰＤ［Ｎ，Ｎ’−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−Ｎ，Ｎ’−ｂｉｓ（３−ｍｅｔｈｙｌ−Ｐｈｅｎｙｌ）−１，１−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−４，４’−ｄｉａｍｉｎｅ］と各色の発光有機材料を積層するとともに、マスク蒸着により３色並置蒸着しサブピクセルとしてフルカラー表示装置とした。Ｇ発光材料としてＡｌｑ３［ｔｒｉｓ（８−ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）ａｌｍｉｎｉｕｍ］、Ｂ発光材料としてＤＰＶＢｉ（１，４−ｂｉｓ（２，２−ｄｉｐｈｅｎｙｌｉｖｉｎｙｌ）ｂｉｐｈｅｎｙｌ）、Ｒ発光材料としてＡｌｑ３にＤＣＭ（ジシアノメチレンピラン誘導体）を１．０ｗｔ％添加した物を用いた。
【０１１５】
陽電極としては前述したＩＴＯを、陰電極としてＭｇＡｇを形成した。ＴＰＤとＩＴＯが接する積層順とした。高真空下で予熱を十分に行った昇華精製装置で精製したＴＰＤ（ｍ）をタングステンボードに装荷して抵抗加熱法で５０ｎｍ成膜した。そして、この上に昇華精製されたＡｌｑ３を石英ボードに装荷して抵抗加熱法で３０ｎｍ成膜した。最後にＭｇＡｇ合金（Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１）を厚さ１５０ｎｍになるように蒸着しさらにその上に保護層としてＡｇを２００ｎｍの厚みになるように蒸着し、最後に別に用意したガラス板とＵＶ硬化シール材により封止し有機ＥＬ表示装置を得た。
【０１１６】
こうして作製した有機ＥＬ表示装置に映像信号を入力し駆動したところ全画面で均一な画像表示を行う事が出来た。
【０１１７】
［比較例］
比較例として実施例１の埋め込み電源供給線に替えて、図３に示す従来の線状電源供給線を形成した以外は実施例１と同様のアクティブマトリクス有機ＥＬ表示装置を作製した。この有機ＥＬ表示装置に映像信号を入力し駆動したところ電源入力端から遠い部分で輝度が低下してしまい、均一な画像表示を行う事が出来なかった。
【０１１８】
［実施例２］
本発明の他の実施例として、実施例１で用いた低分子有機ＥＬ材料を高分子有機ＥＬ材料とした以外は実施例１と同様に行ない、実施例１と同様の効果が得られた。
【０１１９】
正孔注入層はＰＥＤＯＴ（ポリチオフェン：Ｂａｙｅｒ ＣＨ８０００）をスピンコートにより８０ｎｍ塗布し１６０℃で焼成して形成した。ＰＥＤＯＴの上に下記の高分子有機ＥＬ材料を溶媒に溶解して液状化したものをインクジェット法により３色並置し、カソードとしてＣａＡｇを蒸着してフルカラー表示装置を得た。
（有機ＥＬ層形成用塗布液組成）
・ポリビニルカルバゾール ７０重量部
・オキサジアゾール化合物 ３０重量部
・クマリン６（蛍光色素） １重量部
・モノクロロベンゼン（溶媒） ４９００重量部
蛍光色素がクマリン６の場合は５０１ｎｍをピークに持つ緑色発光、ペリレンの場合は４６０〜４７０ｎｍをピークに持つ青色発光、ＤＣＭの場合は５７０ｎｍをピークに持つ赤色発光が得られ、これらを各色の発光材料として用いた。
【０１２０】
【発明の効果】
本発明によれば、電源供給線を保護層内に埋め込んで配設させているので、その膜厚がスイッチング回路部により制限されることがないため、電源供給線の膜厚の自由度が広がり、従来よりも膜厚を厚く形成することが可能となる。これにより、配線抵抗の上昇を抑制する効果が得られ、電源供給線の配線長を増長した場合でも、電源供給線の配線抵抗を小さく保つことができる。従って、表示装置の精細化や大画面化を図った場合に各電流駆動型発光素子に大電流を供給することが容易になり、電源供給線の配線抵抗に起因し電流駆動型発光素子に流れる電流の減少による輝度の低下や、バイアス電圧源から各画素に至る電源供給線の配線抵抗の増大による表示画面の輝度ムラといった不都合を解消することができるといった効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の表示装置での走査線、データ線、電源供給線、スイッチング回路部、および、有機ＥＬ素子を構成する第１電極層の平面配置を示す概略図である。
【図２】図１に示したＸ−Ｘ線断線の概略断面図である。
【図３】図１に示したＸ−Ｘ線と同様の位置における従来の表示装置の一例を示す概略断面図である。
【図４】本発明の表示装置の製造方法の一例を示す工程図である。
【図５】図５（Ａ）〜図５（Ｄ）は、それぞれ本発明による電子機器の一例を示す概略図である。
【図６】有機ＥＬ素子の一例を示す概略断面図である。
【図７】有機ＥＬ素子の他の例を示す概略断面図である。
【図８】従来の有機ＥＬ表示装置の一例を示す等価回路図である。
【符号の説明】
１ … 電気絶縁性基板
１１ … 走査線
１３ … データ線
１７ … 電源供給線
２０ … スイッチング回路部
３０ … 有機ＥＬ素子
３３ … 第１電極層
６０ … 表示装置
Claims (8)
- 電気絶縁性基板と、該電気絶縁性基板上にマトリクス状に配列された数個の電流駆動型発光素子と、１つの素子行に少なくとも１本ずつ配置された走査線と、１または２つの素子列に少なくとも１本ずつ配置されたデータ線と、前記電気絶縁性基板上に配置された電源供給線と、少なくとも１個の電流駆動型発光素子に少なくとも１つずつ配置されて、前記走査線に供給される画素選択信号および前記データ線に供給される画素信号に応じて前記電流駆動型発光素子と前記電源供給線との導通を制御することができるスイッチング回路部とを備え、前記スイッチング回路部が複数のスイッチング素子を含む表示装置において、
前記電流駆動型発光素子の各々は、前記電気絶縁性基板上に形成された保護層表面に配置された第１電極層と、該第１電極層上に積層された発光部と、該発光部上に形成された第２電極層とを有し、
前記電源供給線は、前記保護層内に埋め込まれていることを特徴とする表示装置。 - 前記電源供給線は、保護層の下面から上面にかけて貫通するように形成されたスルーホール内に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
- 前記保護層上面と、前記電源供給線の上面とが、同じ高さとなるように前記電源供給線が設けられていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の表示装置。
- 前記電源供給線の上面を覆うように絶縁層が設けられていることを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれかの請求項に記載の表示装置。
- 前記電流駆動型発光素子がエレクトロルミネッセント素子であることを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれかの請求項に記載の表示装置。
- 前記請求項１から請求項５までのいずれかの請求項に記載された表示装置を備えた電子機器。
- 電気絶縁性基板上に、スイッチング回路部を形成する工程と、
前記スイッチング回路部を有する電気絶縁性基板上に、前記スイッチング回路部を覆うように保護層を形成する工程と、
前記保護層に、前記スイッチング回路部の電源供給線が配設される領域に保護層の上面から下面にかけて貫通するようにスルーホールを形成する工程と、
前記スルーホール内を充填するように電源供給線を形成する工程と、
前記保護層内に配設されている前記電源供給線の上面を覆うように絶縁層を形成する工程と、
を有することを特徴とする表示装置の製造方法。 - 前記電源供給線をメッキ法により形成することを特徴とする請求項７に記載の表示装置の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002264555A JP2004101948A (ja) | 2002-09-10 | 2002-09-10 | 表示装置およびその製造方法 |
| GB0321068A GB2393314B (en) | 2002-09-10 | 2003-09-09 | Display and method for manufacturing the same |
| US10/659,420 US6864639B2 (en) | 2002-09-10 | 2003-09-10 | Display and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002264555A JP2004101948A (ja) | 2002-09-10 | 2002-09-10 | 表示装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004101948A true JP2004101948A (ja) | 2004-04-02 |
Family
ID=29244337
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002264555A Pending JP2004101948A (ja) | 2002-09-10 | 2002-09-10 | 表示装置およびその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6864639B2 (ja) |
| JP (1) | JP2004101948A (ja) |
| GB (1) | GB2393314B (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005345976A (ja) * | 2004-06-07 | 2005-12-15 | Casio Comput Co Ltd | 表示パネル及びその製造方法 |
| JP2006091119A (ja) * | 2004-09-21 | 2006-04-06 | Casio Comput Co Ltd | トランジスタアレイ基板及びディスプレイパネル |
| JP2006098723A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | ディスプレイパネル |
| JP2006098977A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | ディスプレイパネル |
| JP2006195255A (ja) * | 2005-01-14 | 2006-07-27 | Casio Comput Co Ltd | ディスプレイパネル |
| JP2006215086A (ja) * | 2005-02-01 | 2006-08-17 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびそれを備えた表示装置 |
| KR100685399B1 (ko) | 2004-08-30 | 2007-02-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판 표시 장치 |
| KR100700653B1 (ko) | 2005-02-03 | 2007-03-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 |
| JP2007264445A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Casio Comput Co Ltd | 表示装置及びその製造方法 |
| US7573068B2 (en) | 2004-09-21 | 2009-08-11 | Casio Computer Co., Ltd. | Transistor array substrate and display panel |
| US7795796B2 (en) | 2005-01-18 | 2010-09-14 | Seiko Epson Corporation | Wiring substrate, electro optic device and electronic equipment |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004145011A (ja) * | 2002-10-24 | 2004-05-20 | Seiko Epson Corp | 配線基板、回路基板、電気光学装置及びその製造方法、電子機器 |
| KR100531294B1 (ko) * | 2003-06-23 | 2005-11-28 | 엘지전자 주식회사 | 유기 ｅｌ 소자 및 그 제조 방법 |
| JP4488709B2 (ja) * | 2003-09-29 | 2010-06-23 | 三洋電機株式会社 | 有機ｅｌパネル |
| US7052355B2 (en) * | 2003-10-30 | 2006-05-30 | General Electric Company | Organic electro-optic device and method for making the same |
| US8446394B2 (en) * | 2006-06-16 | 2013-05-21 | Visam Development L.L.C. | Pixel circuits and methods for driving pixels |
| US20080062090A1 (en) * | 2006-06-16 | 2008-03-13 | Roger Stewart | Pixel circuits and methods for driving pixels |
| US7679586B2 (en) | 2006-06-16 | 2010-03-16 | Roger Green Stewart | Pixel circuits and methods for driving pixels |
| JP4413941B2 (ja) * | 2007-03-22 | 2010-02-10 | 株式会社東芝 | 情報処理装置 |
| US8476822B2 (en) * | 2007-11-09 | 2013-07-02 | Universal Display Corporation | Saturated color organic light emitting devices |
| CN107768414B (zh) * | 2017-10-27 | 2020-07-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性基底及其制作方法、柔性显示基板及其制作方法 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6215244B1 (en) * | 1997-06-16 | 2001-04-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Stacked organic light emitting device with specific electrode arrangement |
| TW465122B (en) * | 1999-12-15 | 2001-11-21 | Semiconductor Energy Lab | Light-emitting device |
| GB0000290D0 (en) * | 2000-01-07 | 2000-03-01 | Koninkl Philips Electronics Nv | Active matrix electroluminescent display device |
| TW531901B (en) * | 2000-04-27 | 2003-05-11 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device |
| JP2002032037A (ja) * | 2000-05-12 | 2002-01-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| TW554638B (en) * | 2000-05-12 | 2003-09-21 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device |
| JP4593740B2 (ja) * | 2000-07-28 | 2010-12-08 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 表示装置 |
| JP2002108262A (ja) * | 2000-09-26 | 2002-04-10 | Funai Electric Co Ltd | Ｃｒｔ表示装置 |
| JP2002343578A (ja) * | 2001-05-10 | 2002-11-29 | Nec Corp | 発光体、発光素子、および発光表示装置 |
| GB0130411D0 (en) * | 2001-12-20 | 2002-02-06 | Koninkl Philips Electronics Nv | Active matrix electroluminescent display device |
-
2002
- 2002-09-10 JP JP2002264555A patent/JP2004101948A/ja active Pending
-
2003
- 2003-09-09 GB GB0321068A patent/GB2393314B/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-09-10 US US10/659,420 patent/US6864639B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005345976A (ja) * | 2004-06-07 | 2005-12-15 | Casio Comput Co Ltd | 表示パネル及びその製造方法 |
| KR100685399B1 (ko) | 2004-08-30 | 2007-02-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판 표시 장치 |
| JP2006091119A (ja) * | 2004-09-21 | 2006-04-06 | Casio Comput Co Ltd | トランジスタアレイ基板及びディスプレイパネル |
| US7573068B2 (en) | 2004-09-21 | 2009-08-11 | Casio Computer Co., Ltd. | Transistor array substrate and display panel |
| US7871837B2 (en) | 2004-09-21 | 2011-01-18 | Casio Computer Co., Ltd. | Display panel manufacturing method |
| JP2006098723A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | ディスプレイパネル |
| JP2006098977A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | ディスプレイパネル |
| JP2006195255A (ja) * | 2005-01-14 | 2006-07-27 | Casio Comput Co Ltd | ディスプレイパネル |
| US7795796B2 (en) | 2005-01-18 | 2010-09-14 | Seiko Epson Corporation | Wiring substrate, electro optic device and electronic equipment |
| JP2006215086A (ja) * | 2005-02-01 | 2006-08-17 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびそれを備えた表示装置 |
| KR100700653B1 (ko) | 2005-02-03 | 2007-03-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 |
| JP2007264445A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Casio Comput Co Ltd | 表示装置及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20040080276A1 (en) | 2004-04-29 |
| GB0321068D0 (en) | 2003-10-08 |
| US6864639B2 (en) | 2005-03-08 |
| GB2393314A (en) | 2004-03-24 |
| GB2393314B (en) | 2006-03-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101976829B1 (ko) | 대면적 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법 | |
| JP4121514B2 (ja) | 有機発光素子、及び、それを備えた表示装置 | |
| US6864639B2 (en) | Display and method for manufacturing the same | |
| KR100608403B1 (ko) | 유기전계발광 소자 및 그 제조방법 | |
| KR101649225B1 (ko) | 유기전계발광 표시장치와 그 제조방법 | |
| KR101895616B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR20010050816A (ko) | 컬러 표시 장치 | |
| JP2015156439A (ja) | 有機ｅｌ表示装置 | |
| KR20140111839A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR101274699B1 (ko) | 유기 발광 소자 | |
| JP5908671B2 (ja) | 有機発光表示装置及びその製造方法 | |
| US9502652B2 (en) | Method of manufacturing EL display device | |
| JP2003316321A (ja) | 表示装置および電子機器 | |
| US9293740B2 (en) | Method of manufacturing EL display device | |
| US9209402B2 (en) | Method of manufacturing EL display device | |
| JP4314000B2 (ja) | 表示装置 | |
| JP2008153237A (ja) | 有機発光素子、及び、それを備えた表示装置 | |
| KR20070111061A (ko) | 백색 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR101222985B1 (ko) | 유기 발광 소자 | |
| JP2020027883A (ja) | 有機ｅｌ表示装置および有機ｅｌ表示装置の製造方法 | |
| US20230217726A1 (en) | Organic Light Emitting Display Device and Method for Manufacturing the Same | |
| JP2008234890A (ja) | 有機エレクトロルミネセンスパネル及び有機エレクトロルミネセンス表示装置 | |
| US9343710B2 (en) | Method of manufacturing EL display device | |
| JP2007073249A (ja) | 両面有機ｅｌ表示装置 | |
| JP2004022182A (ja) | 表示装置および電子機器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050826 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080401 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080715 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20081111 |