JP2020027883A - 有機ｅｌ表示装置および有機ｅｌ表示装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】有機ＥＬ表示装置において、隣接する画素間でのキャリアリークを抑制する。【解決手段】有機ＥＬ表示装置であって、基材と、前記基材の上に位置する複数の画素と、前記複数の画素のそれぞれが備える下部電極と、前記複数の画素を区画するバンクと、前記下部電極上および前記バンク上に配置され、複数の層を含む有機材料層と、前記有機材料層上に配置された上部電極と、を有し、前記有機材料層の一部の層には、分断され、または、他の部位よりも厚みが薄い、非存在領域が形成され、前記非存在領域は、前記バンクで囲まれた前記画素の有効領域の少なくとも一部に形成されている。【選択図】図５
Description
本発明は、有機ＥＬ表示装置および有機ＥＬ表示装置の製造方法に関する。
近年、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）と呼ばれる自発光体を用いた画像表示装置（以下、「有機ＥＬ（Electro-luminescent）表示装置」という。）が実用化されている。有機ＥＬ表示装置は、例えば、液晶表示装置と比較して、自発光体を用いているため、視認性、応答速度の点で優れているだけでなく、バックライトのような照明装置を要しないため、薄型化が可能となっている。
有機ＥＬ表示装置は、基材上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）やＯＬＥＤなどが形成された表示パネルを有する。ＯＬＥＤは、発光層等を含む有機材料層を一対の電極間に配置することにより構成される。有機材料層は、代表的には、画素を区画するために予め設けられた凸状のバンクで囲まれた領域に形成される。ここで、例えば、下記特許文献１や特許文献２に開示されるように、有機材料層を構成する層を複数の画素に共通に設ける場合がある。
しかし、有機材料層の形成において、導電性の材料を複数の画素に共通に設けると、隣接する画素間でキャリアがリークしてしまう（リーク電流が流れてしまう）という問題がある。具体的には、キャリアリークにより本来発光すべきでない隣接の画素が発光し、表示特性（例えば、輝度、コントラスト、色純度）の低下や本来発光すべき画素の発光効率の低下を招くという問題がある。
本発明は、上記に鑑み、隣接する画素間でのキャリアリークが抑制された有機ＥＬ表示装置の提供を目的とする。
本発明の１つの局面によれば、有機ＥＬ表示装置が提供される。本発明に係る有機ＥＬ表示装置は、基材と、前記基材の上に位置する複数の画素と、前記複数の画素のそれぞれが備える下部電極と、前記複数の画素を区画するバンクと、前記下部電極上および前記バンク上に配置され、複数の層を含む有機材料層と、前記有機材料層上に配置された上部電極と、を有し、前記有機材料層の一部の層には、分断され、または、他の部位よりも厚みが薄い、非存在領域が形成され、前記非存在領域は、前記バンクで囲まれた前記画素の有効領域の少なくとも一部に形成されている。
本発明の別の局面によれば、有機ＥＬ表示装置の製造方法が提供される。本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法は、基材上に、複数の画素のそれぞれに対応する下部電極と、前記複数の画素を区画するバンクとを形成すること、前記下部電極上および前記バンク上に、複数の層を含む有機材料層を形成すること、および、前記有機材料層上に上部電極を形成すること、を含み、前記有機材料層の一部の層は、開口を有するマスクを介して成膜材料を付着させて成膜され、前記有機材料層の一部の層には、分断され、または、他の部位よりも厚みが薄い、非存在領域が形成され、前記非存在領域は、前記バンクで囲まれた前記画素の有効領域の少なくとも一部に形成される。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に評される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して詳細な説明を適宜省略することがある。
図１は、本発明の１つの実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略の構成を示す模式図である。有機ＥＬ表示装置２は、画像を表示する画素アレイ部４と、画素アレイ部４を駆動する駆動部とを備える。有機ＥＬ表示装置２は、基材上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）などの積層構造が形成されて構成される。なお、図１に示した概略図は一例であって、本実施形態はこれに限定されるものではない。
画素アレイ部４には、画素に対応してＯＬＥＤ６および画素回路８がマトリクス状に配置される。画素回路８は複数のＴＦＴ１０，１２やキャパシタ１４で構成される。
上記駆動部は、走査線駆動回路２０、映像線駆動回路２２、駆動電源回路２４および制御装置２６を含み、画素回路８を駆動しＯＬＥＤ６の発光を制御する。
走査線駆動回路２０は、画素の水平方向の並び（画素行）ごとに設けられた走査信号線２８に接続されている。走査線駆動回路２０は、制御装置２６から入力されるタイミング信号に応じて走査信号線２８を順番に選択し、選択した走査信号線２８に、点灯ＴＦＴ１０をオンする電圧を印加する。
映像線駆動回路２２は、画素の垂直方向の並び（画素列）ごとに設けられた映像信号線３０に接続されている。映像線駆動回路２２は、制御装置２６から映像信号を入力され、走査線駆動回路２０による走査信号線２８の選択に合わせて、選択された画素行の映像信号に応じた電圧を各映像信号線３０に出力する。当該電圧は、選択された画素行にて点灯ＴＦＴ１０を介してキャパシタ１４に書き込まれる。駆動ＴＦＴ１２は、書き込まれた電圧に応じた電流をＯＬＥＤ６に供給し、これにより、選択された走査信号線２８に対応する画素のＯＬＥＤ６が発光する。
駆動電源回路２４は、画素列ごとに設けられた駆動電源線３２に接続され、駆動電源線３２および選択された画素行の駆動ＴＦＴ１２を介してＯＬＥＤ６に電流を供給する。
ここで、ＯＬＥＤ６の下部電極は、駆動ＴＦＴ１２に接続される。一方、各ＯＬＥＤ６の上部電極は、全画素のＯＬＥＤ６に共通の電極で構成される。下部電極を陽極（アノード）として構成する場合は、高電位が入力され、上部電極は陰極（カソード）となって低電位が入力される。下部電極を陰極（カソード）として構成する場合は、低電位が入力され、上部電極は陽極（アノード）となって高電位が入力される。
図２は、図１に示す有機ＥＬ表示装置の表示パネルの一例を示す模式的な平面図である。表示パネル４０の表示領域４２に、図１に示した画素アレイ部４が設けられ、上述したように画素アレイ部４にはＯＬＥＤ６が配列される。上述したようにＯＬＥＤ６を構成する上部電極は、各画素に共通に形成され、表示領域４２全体を覆う。
矩形である表示パネル４０の一辺には、部品実装領域４６が設けられ、表示領域４２につながる配線が配置される。部品実装領域４６には、駆動部を構成するドライバＩＣ４８が搭載されたり、フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）５０が接続されたりする。ＦＰＣ５０は、制御装置２６やその他の回路２０，２２，２４等に接続されたり、その上にＩＣを搭載されたりする。
図３は、図２のIII−III断面の一例を示す図である。表示パネル４０は、基材７０の上に、ＴＦＴ７２などが形成された回路層７４、ＯＬＥＤ６およびＯＬＥＤ６を封止する封止層１０６などが積層された構造を有する。基材７０は、例えば、ガラス板、ポリイミド系樹脂などの樹脂を含む樹脂膜で構成される。樹脂膜で構成される場合、基材７０は、例えば、樹脂材料を塗布により成膜して形成される。封止層１０６の上には保護膜１１４が積層される。具体的には、封止層１０６の上に接着層を介してシート状、あるいはフィルム状の保護膜１１４を貼り合わせる。本実施形態においては、画素アレイ部４はトップエミッション型であり、ＯＬＥＤ６で生じた光は、基材７０側とは反対側（図３において上向き）に出射される。
表示領域４２の回路層７４には、上述した画素回路８、走査信号線２８、映像信号線３０、駆動電源線３２などが形成される。駆動部の少なくとも一部分は、基材７０上に回路層７４として表示領域４２に隣接する領域に形成することができる。上述したように、駆動部を構成するドライバＩＣ４８やＦＰＣ５０を、部品実装領域４６にて、回路層７４の配線１１６に接続することができる。
図３に示すように、基材７０上には、無機絶縁材料で形成された下地層８０が配置されている。無機絶縁材料としては、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮｙ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）およびこれらの複合体が用いられる。
表示領域４２においては、下地層８０を介して、基材７０上には、トップゲート型のＴＦＴ７２のチャネル部およびソース・ドレイン部となる半導体領域８２が形成されている。半導体領域８２は、例えば、ポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）で形成される。半導体領域８２は、例えば、基材７０上に半導体層（ｐ−Ｓｉ膜）を設け、この半導体層をパターニングし、回路層７４で用いる箇所を選択的に残すことにより形成される。
ＴＦＴ７２のチャネル部の上には、ゲート絶縁膜８４を介してゲート電極８６が配置されている。ゲート絶縁膜８４は、代表的には、ＴＥＯＳで形成される。ゲート電極８６は、例えば、スパッタリング等で形成した金属膜をパターニングして形成される。ゲート電極８６上には、ゲート電極８６を覆うように層間絶縁層８８が配置されている。層間絶縁層８８は、例えば、上記無機絶縁材料で形成される。ＴＦＴ７２のソース・ドレイン部となる半導体領域８２（ｐ−Ｓｉ）には、イオン注入により不純物が導入され、さらにそれらに電気的に接続されたソース電極９０ａおよびドレイン電極９０ｂが形成され、ＴＦＴ７２が構成される。
ＴＦＴ７２上には、層間絶縁膜９２が配置されている。層間絶縁膜９２の表面には、配線９４が配置される。配線９４は、例えば、スパッタリング等で形成した金属膜をパターニングすることにより形成される。配線９４を形成する金属膜と、ゲート電極８６、ソース電極９０ａおよびドレイン電極９０ｂの形成に用いた金属膜とで、例えば、配線１１６および図１に示した走査信号線２８、映像信号線３０、駆動電源線３２を多層配線構造で形成することができる。この上に、平坦化膜９６およびパッシベーション膜９８が形成され、表示領域４２において、パッシベーション膜９８上にＯＬＥＤ６が形成されている。平坦化膜９６は、例えば、樹脂材料で形成される。パッシベーション膜９８は、例えば、ＳｉＮｙ等の無機絶縁材料で形成される。
ＯＬＥＤ６は、下部電極１００、有機材料層１０２および上部電極１０４を含む。ＯＬＥＤ６は、代表的には、下部電極１００、有機材料層１０２および上部電極１０４を基材７０側からこの順に積層して形成される。本実施形態では、下部電極１００がＯＬＥＤ６の陽極（アノード）であり、上部電極１０４が陰極（カソード）である。
図３に示すＴＦＴ７２が、ｎチャネルを有した駆動ＴＦＴ１２であるとすると、下部電極１００は、ＴＦＴ７２のソース電極９０ａに接続される。具体的には、上述した平坦化膜９６の形成後、下部電極１００をＴＦＴ７２に接続するためのコンタクトホール１１０が形成され、例えば、平坦化膜９６表面およびコンタクトホール１１０内に形成した導電体部をパターニングすることにより、ＴＦＴ７２に接続された下部電極１００が画素ごとに形成される。下部電極１００は、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）等の透明金属酸化物、Ａｇ、Ａｌ等の金属で形成される。
上記構造上には、画素を区画するバンク１１２が配置されている。例えば、下部電極１００の形成後、画素境界にバンク１１２を形成し、バンク１１２で囲まれた画素の有効領域（下部電極１００の露出する領域）に、有機材料層１０２および上部電極１０４が積層される。有機材料層１０２は、代表的には、複数の層を含む。具体的には、有機材料層１０２は、アノード側から順に、ホール輸送層、発光層および電子輸送層を積層して形成されている。また、有機材料層１０２は、その他の層を含み得る。その他の層としては、例えば、アノードと発光層との間に配置されるホール注入層や電子ブロック層、カソードと発光層との間に配置される電子注入層やホールブロック層が挙げられる。上部電極１０４は、透過性導電膜で構成される。透過性導電膜は、例えば、ＭｇとＡｇの極薄合金やＩＴＯ、ＩＺＯ等の透明金属酸化物で形成される。
上部電極１０４上には、表示領域４２全体を覆うように封止層１０６が配置されている。封止層１０６は、第１封止膜１６１、封止平坦化膜１６０および第２封止膜１６２をこの順で含む積層構造を有している。第１封止膜１６１および第２封止膜１６２は、無機材料（例えば、無機絶縁材料）で形成される。具体的には、化学気相成長（ＣＶＤ）法によりＳｉＮｙ膜を成膜することにより形成される。封止平坦化膜１６０は、有機材料（例えば、硬化性樹脂組成物等の樹脂材料）を用いて形成される。一方、部品実装領域４６では、封止層１０６は配置されていない。
例えば、表示パネル４０の表面の機械的な強度を確保するため、表示領域４２の表面に保護膜１１４が積層される。一方、部品実装領域４６にはＩＣやＦＰＣを接続し易くするため保護膜１１４配置されていない。
上述のとおり、表示パネル４０は、その表示領域４２に水平方向および垂直方向に並んで配置された複数の画素ＰＸを有している。一例では、図４に示すように、画素ＰＸの単位配列Ｐは、青画素ＰＸ（ｂ）、緑画素ＰＸ（ｇ）および赤画素ＰＸ（ｒ）によって構成され、右上および右下に青画素ＰＸ（ｂ）それぞれ配置され、右上の青画素ＰＸ（ｂ）の左隣に上から赤画素ＰＸ（ｒ）、緑画素ＰＸ（ｇ）が配置され、右下の青画素ＰＸ（ｂ）の左隣に上から緑画素ＰＸ（ｇ）、赤画素ＰＸ（ｒ）が配置されている。青画素ＰＸ（ｂ）は輝度が低い傾向にあることから、その画素面積（バンクの開口面積）は、赤画素ＰＸ（ｒ）および緑画素ＰＸ（ｇ）よりも大きく設計されている。なお、単位配列Ｐを構成する画素の数、その面積および並びは特に限定されない。
図５は、図３に示す表示パネルの一部を拡大して示す図であり、図４のI−I断面に相当する図である。なお、図５においては、図３に示す下部電極１００より下に配置される構造を下部構造層１０８と簡略化して示し、上部電極１０４より上に配置される構造を省略している。
バンク１１２は、各画素ＰＸに対応して設けられ、下部電極１００を電気的に分離する。バンク１１２は、下部電極１００の周縁を上面からから側面にかけて覆うように形成されている。バンク１１２は、代表的には、有機絶縁材料（例えば、感光性樹脂組成物等の樹脂材料）を用いて形成される。バンク１１２の側面は下部電極１００側に向かうにつれて下部構造層１０８（基材７０）側に傾斜する斜面を有している。
有機材料層１０２の一部は、各画素ＰＸ間で共通に設けられている。具体的には、下部電極１００の上面だけでなく、バンク１１２の上にも設けられ、下部電極１００の上面からバンク１１２の側面にかけて連続して設けられている。一方で、有機材料層１０２に含まれる発光層１０２ｂは、画素ＰＸの有効領域に各画素ＰＸに対応する材料を用いて（塗り分けして）形成されている。発光層１０２ｂは、例えば、マスクを用いて個別に蒸着形成される。
有機材料層１０２は、その最下層（下部電極１００側の層）として、ホール注入層１０２ａを有している。ホール注入層１０２ａは、例えば、アリルアミン系材料により形成される。ホール注入層１０２ａの厚みは、例えば、５ｎｍ〜２０ｎｍである。ホール注入層１０２ａは、分断されて、全ての画素ＰＸの有効領域には設けられていない。具体的には、ホール注入層１０２ａは非存在領域１０３を有する。図示例では、図４の破線で示すように、緑画素ＰＸ（ｇ）を囲むようにホール注入層１０２ａの非存在領域１０３を形成している。ここで、非存在とは、実質的にホール注入層１０２ａが形成されていない状態も含む。具体的には、膜厚が他の部位よりも薄い状態（例えば、３ｎｍ以下）で、抵抗が高い状態も含む。ホール注入の観点から、下部電極１００に接するホール注入層１０２ａに、抵抗の高い材料を用いることが困難であり、隣接する画素間でキャリアリークが生じやすい。このようなホール注入層１０２ａに、非存在領域１０３を画素の有効領域に形成することで、隣接する画素へのキャリアの侵入を効果的に抑制し得る。また、高精細化にも寄与し得る。
有機材料層１０２の他の層１０２ｃを構成する層としては、例えば、ホール輸送層、電子ブロック層、ホールブロック層、電子輸送層、電子注入層が挙げられる。有機材料層１０２を構成する各層は、通常、スピンコート法、蒸着法等のコーティング法により順次形成される。
非存在領域１０３が形成されたホール注入層１０２ａは、例えば、開口を有するマスクを介して、成膜材料を蒸着等により付着させて成膜される。成膜時にマスクの開口から内側に成膜材料が回り込み、マスクの開口部に加えてマスク内側の回り込み部にもホール注入層１０２ａが形成され得る。この回り込み部では、マスク開口部に比べて膜厚は薄く形成され得るため、抵抗が高くキャリアリークを抑制し得る。マスクにおいて、隣接する開口パターン間の距離が近い場合は、得られるホール注入層１０２ａの薄膜化によるキャリアリークの抑制効果が期待され得る。
図４に示すように、発光色によって画素面積（バンクの開口面積）が異なる場合、キャリアリークの度合いが異なる。具体的には、画素面積が小さい画素ほど、画素面積に対する画素外周長の割合が大きいので、隣接する画素からのキャリアリークによる影響を受けやすい。したがって、１つの実施形態では、画素面積が小さい緑画素ＰＸ（ｇ）および／または赤画素ＰＸ（ｒ）にホール注入層１０２ａの非存在領域１０３が形成される。なお、図４に示す例では、視認性が高い傾向にある緑画素ＰＸ（ｇ）に、ホール注入層１０２ａの非存在領域１０３が形成されている。
また、隣接する画素間の距離が短いほど、隣接する画素からのキャリアリークによる影響を受けやすい。図４に示す例では、緑画素ＰＸ（ｇ）と赤画素ＰＸ（ｒ）との距離は、青画素ＰＸ（ｂ）と赤画素ＰＸ（ｒ）との距離よりも短い。図示例では、赤画素ＰＸ（ｒ）に対して画素間の距離が短い緑画素ＰＸ（ｇ）と赤画素ＰＸ（ｒ）との間でホール注入層１０２ａを分断している。なお、ホール注入層１０２ａの非存在領域１０３は、全ての緑画素ＰＸ（ｇ）に形成してもよいし、一部の緑画素ＰＸ（ｇ）に形成してもよい。
図６は、図３に示す表示パネルの画素の配置の変形例１を示す図である。一般的に、発光色によって駆動電圧は異なり、例えば、青画素ＰＸ（ｂ）は、緑画素ＰＸ（ｇ）および赤画素ＰＸ（ｒ）よりも駆動電圧が高い。駆動電圧が高い画素ほど、隣接する画素へのキャリアリークによる影響を及ぼしやすい。したがって、本変形例では、駆動電圧が高い青画素ＰＸ（ｂ）にホール注入層１０２ａの非存在領域１０３が形成されている。なお、非存在領域１０３は全ての青画素ＰＸ（ｂ）に形成してもよいし、一部の青画素ＰＸ（ｂ）に形成してもよい。
図７は、図３に示す表示パネルの画素の配置の変形例２を示す図である。本変形例では、画素ＰＸの単位配列Ｐは、青画素ＰＸ（ｂ）、緑画素ＰＸ（ｇ）および赤画素ＰＸ（ｒ）によって構成され、各画素ＰＸの画素面積の差はなく、格子状に配置されている。具体的には、右側には、上から緑画素ＰＸ（ｇ）、青画素ＰＸ（ｂ）、青画素ＰＸ（ｂ）、緑画素ＰＸ（ｇ）の順に配置され、左側には、上から赤画素ＰＸ（ｒ）、緑画素ＰＸ（ｇ）、緑画素ＰＸ（ｇ）、赤画素ＰＸ（ｒ）の順に配置されている。
１つの実施形態では、表示パネル４０全体の表示特性を考慮して、特定の色にこだわらずに、ホール注入層１０２ａに非存在領域１０３を形成する。図７に示す例では、市松模様を形成するように、画素行および画素列において、画素一つおきにホール注入層１０２ａの非存在領域１０３を形成している。このような構成によれば、最も効果的に隣接する画素へのキャリアリークを抑制することができる。
図８は、図３に示す表示パネルの画素の配置の変形例３を示す図である。本変形例では、ホール注入層１０２ａの非存在領域１０３が、各画素ＰＸの上端部および下端部に形成されている。具体的には、各画素ＰＸ（バンク１１２）の周縁の一部を跨いで配置され、画素ＰＸの中央部にはホール注入層１０２ａが形成されている。このような構成によれば、上下に位置する画素から、および／または、上下に位置する画素へのキャリアリークを抑制し得る。なお、図示例では、全ての画素ＰＸに非存在領域１０３を形成しているが、一部の画素ＰＸ間に形成する形態も採用し得る。
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、上記実施形態で示した構成と実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成または同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。具体的には、本実施形態では、ホール注入層に非存在領域を形成する場合を例示したが、有機材料層のその他層（例えば、電子ブロック層）に非存在領域を形成し得る。
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
２ 有機ＥＬ表示装置、４ 画素アレイ部、６ ＯＬＥＤ、８ 画素回路、１０ 点灯ＴＦＴ、１２ 駆動ＴＦＴ、１４ キャパシタ、２０ 走査線駆動回路、２２ 映像線駆動回路、２４ 駆動電源回路、２６ 制御装置、２８ 走査信号線、３０ 映像信号線、３２ 駆動電源線、４０ 表示パネル、４２ 表示領域、４６ 部品実装領域、４８ ドライバＩＣ、５０ ＦＰＣ、７０ 基材、７２ ＴＦＴ、７４ 回路層、８０ 下地層、８２ 半導体領域、８４ ゲート絶縁膜、８６ ゲート電極、８８ 層間絶縁層、９０ａ ソース電極、９０ｂ ドレイン電極、９２ 層間絶縁膜、９４ 配線、９６ 平坦化膜、９８ パッシベーション膜、１００ 下部電極、１０２ 有機材料層、１０３ 非存在領域、１０４ 上部電極、１０６ 封止層、１０８ 下部構造層、１１０ コンタクトホール、１１２ バンク、１１４ 保護膜、１１６ 配線。
Claims (14)
- 基材と、
前記基材の上に位置する複数の画素と、
前記複数の画素のそれぞれが備える下部電極と、
前記複数の画素を区画するバンクと、
前記下部電極上および前記バンク上に配置され、複数の層を含む有機材料層と、
前記有機材料層上に配置された上部電極と、を有し、
前記有機材料層の一部の層には、分断され、または、他の部位よりも厚みが薄い、非存在領域が形成され、
前記非存在領域は、前記バンクで囲まれた前記画素の有効領域の少なくとも一部に形成されている、
有機ＥＬ表示装置。 - 前記非存在領域は、第１の色の画素に形成され、前記第１の色より画素面積が大きい第２の色の画素に形成されていない、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
- 前記第２の色が青色である、請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置。
- 前記非存在領域は、青色の画素に形成されている、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
- 前記非存在領域は、第１の方向に並ぶ複数の画素の１つおきに形成されている、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
- 前記非存在領域は、前記バンクの周縁を跨いで形成されている、請求項１から５のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
- 前記有機材料層の一部の層がホール注入層を含む、請求項１から６のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
- 基材上に、複数の画素のそれぞれに対応する下部電極と、前記複数の画素を区画するバンクとを形成すること、
前記下部電極上および前記バンク上に、複数の層を含む有機材料層を形成すること、および、
前記有機材料層上に上部電極を形成すること、を含み、
前記有機材料層の一部の層は、開口を有するマスクを介して成膜材料を付着させて成膜され、
前記有機材料層の一部の層には、分断され、または、他の部位よりも厚みが薄い、非存在領域が形成され、
前記非存在領域は、前記バンクで囲まれた前記画素の有効領域の少なくとも一部に形成される、
有機ＥＬ表示装置の製造方法。 - 前記非存在領域は、第１の色の画素に形成され、前記第１の色より画素面積が大きい第２の色の画素に形成されない、請求項８に記載の製造方法。
- 前記第２の色が青色である、請求項９に記載の製造方法。
- 前記非存在領域は、青色の画素に形成される、請求項８に記載の製造方法。
- 前記非存在領域は、第１の方向に並ぶ複数の画素の１つおきに形成される、請求項８に記載の製造方法。
- 前記非存在領域は、前記バンクの周縁を跨いで形成される、請求項８から１２のいずれかに記載の製造方法。
- 前記有機材料層の一部の層がホール注入層を含む、請求項８から１３のいずれかに記載の製造方法。
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