KR20080060827A - 유기 발광 소자 - Google Patents

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KR20080060827A
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Abstract

본 발명은 빛의 광량 및 색재현율이 개선된 유기 발광 소자에 관한 것으로, 본 발명의 유기 발광 소자는 복수개의 서브픽셀 영역을 구비하며, 각 서브픽셀마다 구동 영역과 발광 영역을 포함하는 투명 기판과, 상기 각 서브픽셀의 구동 영역에 형성된 박막 트랜지스터와, 상기 각 발광 영역에 대응되어 형성된 유기 발광층과, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되어 상기 유기 발광층 하측에 형성되며, 투명한 제 1 전극과, 상기 유기 발광층 상측에 형성된 제 2 전극과, 상기 제 1 전극 하측과 상기 투명 기판 사이에 형성되는 투명 무기 절연막 및 상기 투명 기판에 대향되며 상기 제 2 전극 상측에 위치하는 대향 기판을 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.
유기 발광 소자, 마이크로 캐버티(micro cavity), 버퍼층(buffter layer), 투명 전극

Description

유기 발광 소자{Organic Emtting Device}
도 1은 종래의 유기 발광 소자 및 이의 발광 상태를 나타낸 단면도
도 2는 본 발명의 유기 발광 소자 및 이의 발광 상태를 나타낸 단면도
도 3은 본 발명의 유기 발광 소자를 나타낸 단면도
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 소자를 나타내는 단면도
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
100 : 투명 기판 111 : 제 1 산화막
112 : 제 2 산화막 113 : 질화막
114 : 제 3 산화막 115 : 제 1 전극
116 : 유기 발광층 117 : 제 2 전극
본 발명은 유기 발광 소자에 관한 것으로 특히, 빛의 광량 및 색재현율이 개선된 유기 발광 소자에 관한 것이다.
평판 디스플레이 중 하나인 유기 전계 발광 소자는 자체 발광형이기 때문에, 액정 표시 장치에 비해 시야각, 콘트라스트(contrast) 등이 우수하며, 백라이트가 요구되지 않기 때문에, 경량 박형이 가능하고, 소비 전력 측면에서도 유리하다.
그리고, 직류 저전압 구동이 가능하고, 응답 속도가 빠르며 전부 고체이기 때문에, 외부 충격에 강하고 사용 온도 범위도 넓으며, 특히 제조 비용 측면에서도 저렴한 장점을 가지고 있다. 특히, 유기 전계 발광 소자의 제조 공정에는, 액정 표시 장치나, PDP(Plasma Display Panel)과 달리 증착 및 봉지(encapsulation) 장비가 전부라고 할 수 있기 때문에, 공정이 매우 단순하다.
또한, 각 화소마다 스위칭 소자인 박막 트랜지스터를 가지는 액티브 매트릭스 방식으로 유기 전계 발광 소자를 구동하게 되면 낮은 전류를 인가하더라도 동일한 휘도를 나타내므로, 저소비 전력, 고정세, 대형화가 가능한 장점을 지닌다.
이러한 유기 전계 발광 소자는 전자 및 정공 등의 캐리어를 이용하여 형광물질을 여기시킴으로써 비디오 영상을 표시하게 된다.
한편, 이러한 유기 전계 발광 소자의 구동방식으로는 별도의 박막트랜지스터를 구비하지 않는 패시브 매트릭스 방식(Passive matrix type)이 주로 이용되고 있다.
그러나, 패시브 매트릭스 방식은 해상도나 소비 전력, 수명 등에 많은 제한적인 요소를 가지고 있기 때문에, 고해상도나 대화면을 요구하는 차세대 디스플레이 제조를 위한 액티브 매트릭스형 유기 전계 발광 소자에 대해 연구 개발되고 있다.
한편, 상기 유기 전계 발광 소자는 발광층을 상하부 기판 상에 어디에 위치시키는지에 따라 하부 발광 방식 혹은 상부 발광 방식으로 구분하며, 상부 발광 방 식의 경우 액티브 매트릭스형으로 구현시 박막 트랜지스터 어레이를 하부 기판 상에 배치하고, 발광층을 상부 기판 상에 위치시킬 경우, 이를 듀얼 플레이트 유기 전계 발광 소자(DOD: Dual plate Organic Electro-luminescence Device)라 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 종래의 유기 발광 소자를 설명하면 다음과 같다.
도 1은 종래의 유기 발광 소자 및 이의 발광 상태를 나타낸 단면도이다.
도 1에 도시된 유기 발광 소자는 하부 발광 소자를 나타낸 것으로, 발광층이 형성된 부분의 단면을 나타낸다. 도 1과 같이, 발광 영역에서는 하부 기판(10) 상에 발광층(12)의 하측과 상부에 제 1, 제 2 전극(11, 14)이 형성되어 있다.
여기서, 상기 제 1 전극(11)은 투명 전극이고, 상기 제 2 전극(14)은 차광 전극으로, 상기 유기 발광층(12)에 구동 신호가 인가되어 발광되면, 상기 제 1 전극(11)을 거쳐 하부 기판(10) 측으로 발광이 이루어진다.
이러한 종래의 유기 발광 소자에 있어서, 상기 제 1 전극(11)은 직접 하부 기판(10)과 맞닿아 있는 상태이며, 이 상태로 표시가 이루어지는데, 이와 같이, 상기 발광층(12)을 통과한 광이 상기 제 1 전극(11)을 개재하여 하부 기판(10)을 토과하게 될 경우, 광의 진행 방향에서 간섭 효과에 의한 광량이 상쇄되는 문제가 있어, 상기 발광층(12)에서 생성되는 광량에 비해 낮은 광량이 출사됨을 관찰할 수 있다.
도시되지 않았지만, 상기 유기 발광 소자를 구동시키기 위한 박막 트랜지스터는 도시되지 않은 타 영역에 형성되어 있다.
상기와 같은 종래의 유기 발광 소자는 다음과 같은 문제점이 있다.
유기 발광층 하측으로 하부 발광이 이루어지는 구조의 경우, 유기 발광층 하부의 투명 전극과 기판 사이의 개재되는 막이 없는 상태에서 발광이 이루어질 경우, 광의 진행 방향의 파장성을 갖기 때문에, 부분적인 간섭에 의해 상쇄 현상이 일어나 출사되는 광량이 낮게 된다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로 빛의 광량 및 색재현율이 개선된 유기 발광 소자를 제공하는 데, 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 유기 발광 소자는 복수개의 서브픽셀 영역을 구비하며, 각 서브픽셀마다 구동 영역과 발광 영역을 포함하는 투명 기판과, 상기 각 서브픽셀의 구동 영역에 형성된 박막 트랜지스터와, 상기 각 발광 영역에 대응되어 형성된 유기 발광층과, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되어 상기 유기 발광층 하측에 형성되며, 투명한 제 1 전극과, 상기 유기 발광층 상측에 형성된 제 2 전극과, 상기 제 1 전극 하측과 상기 투명 기판 사이에 형성되는 투명 무기 절연막 및 상기 투명 기판에 대향되며 상기 제 2 전극 상측에 위치하는 대향 기판을 포함하여 이루어짐에 그 특징이 있다.
상기 투명 무기 절연막은 상기 투명 기판의 표면으로부터 차례로 제 1 산화막, 질화막(SiNx) 및 제 2 산화막(SiO2)이 적층되어 이루어진다.
상기 질화막은 700~4500Å의 두께로 형성된다.
상기 제 1 산화막은 복수개의 층으로 이루어진다. 여기서, 상기 1 산화막은 이층의 산화막으로 이루어지며, 상기 제 1층 산화막은 300~1000Å이며, 상기 제 2층 산화막은 1000~3000Å이다.
그리고, 상기 제 2 산화막은 2000~5000Å의 두께로 이루어진다.
상기 투명 무기 절연막은 상기 발광 영역을 포함한 투명 기판 전면에 형성된다.
상기 박막 트랜지스터는 상기 투명 기판 상부에 형성되는 버퍼층과, 상기 투명 기판의 구동 영역에 형성되는 반도체층과, 상기 반도체층을 덮도록 상기 버퍼층 상에 형성되는 게이트 절연막과, 상기 게이트 절연막 상의 반도체층 상부에 형성되는 게이트 전극과, 상기 게이트 전극을 덮도록 상기 게이트 절연막 상에 형성되는 층간 절연막과, 상기 게이트 절연막 및 층간 절연막을 관통하여 상기 반도체층을 부분적으로 노출시키는 제 1 및 제 2 컨택홀 및 상기 제 1 및 제 2 컨택홀을 통하여 상기 반도체층과 전기적으로 연결되는 소오스 전극 및 드레인 전극을 포함하여 구성됨에 특징이 있다.
상기 제 1 산화막은 상기 버퍼층 또는 상기 게이트 절연막과 동일층에 형성되고, 상기 질화막 및 제 2 산화막은 상기 층간 절연막과 동일층에 형성된다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 유기 발광 소자를 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명의 유기 발광 소자 및 이의 발광 상태를 나타낸 단면도이며, 도 3은 본 발명의 유기 발광 소자를 나타낸 단면도이다.
도 2(유기 발광 소자의 단위 서브픽셀 중 발광 영역을 도시)와 같이, 본 발명의 유기 발광 소자는 복수개의 서브픽셀 영역을 구비하며, 각 서브 픽셀마다 구동 영역과 발광 영역을 포함하는 투명 기판(100)과, 상기 각 서브픽셀의 구동 영역에 형성된 박막 트랜지스터(도 3 참조)와, 상기 각 발광 영역에 대응되어 형성된 유기 발광층(116)과, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되어 상기 유기 발광층(116) 하측에 형성되며, 투명한 제 1 전극(115)과, 상기 유기 발광층(116) 상측에 형성된 제 2 전극(117)과, 상기 제 1 전극(115) 하측과 상기 투명 기판(100) 사이에 형성되는 투명 무기 절연막의 적층체 및 상기 투명 기판(100)에 대향되며 상기 제 2 전극(117) 상측에 위치하는 대향 기판(미도시)을 포함하여 이루어진다.
여기서, 상기 투명 무기 절연막이 적층체는 상기 투명 기판(100)의 표면으로부터 차례로 제 1 산화막(SiO2, 111), 제 2 산화막(112), 질화막(SiNx)(113) 및 제 3 산화막(SiO2)으로 이루어진다.
이 경우, 상기 질화막(113)은 700~4500Å의 두께로 형성된다. 보다 효과적으로는 상기 질화막(113)은 1250~4250Å의 두께로 형성하는 것이 좋다.
그리고, 상기 제 1 산화막(111)은 300~1000Å의 두께로 형성하고, 상기 제 2 산화막(112)은 1000~3000Å의 두께로 형성하며, 상기 질화막(113) 상부의 상기 제 3 산화막(114)은 2000~5000Å의 두께로 형성한다.
이러한 상기 투명 무기 절연막의 두께는 실험상 색재현율의 80% 이상인 정도가 나오는 값들을 산출한 것으로, 이러한 두께들에서 색좌표 특성이 우수하며, EL(Elctro Luminescence)의 스펙트럼상의 개선 효과가 남을 관찰할 수 있었다.
이러한 상기 투명 무기 절연막은 상기 발광 영역을 포함한 투명 기판 전면에 형성될 수도 있고, 혹은 선택적으로 상기 발광 영역에 한하여 형성될 수도 있다.
도 3을 참조하여, 상기 투명 무기 절연막이 구동 영역을 포함한 상기 투명 기판(100) 전면에 형성된 예를 살펴본다.
도 3과 같이, 본 발명의 유기 발광 소자는 각 서브픽셀이 박막 트랜지스터(TFT)를 포함하는 구동 영역과 발광이 이루어지는 발광 영역으로 이루어진다. 그리고, 상기 박막 트랜지스터를 포함한 상기 구동 영역의 구성은 상기 투명 기판(100)의 전면에 형성된 제 1 산화막(111)과, 상기 구동 영역의 소정 부위에 섬상으로 형성된 반도체층(135)과, 상기 반도체층(135)을 포함한 상기 제 1 산화막(111) 상부에 형성된 제 2 산화막(112)과, 상기 반도체층(135) 상부에 대응되는 상기 제 2 산화막(112) 상에 형성된 게이트 전극(131)과, 상기 게이트 전극(131)을 포함한 상기 제 2 산화막(112) 상에 형성된 제 1 층간 절연막인 질화막(113)과, 상기 게이트 전극(131)의 양측에 위치하는 질화막(113) 및 제 2 산화막(112)이 소정 부분 제거되어 노출된 반도체층(135)과 콘택하는 소오스 전극(121a) 및 드레인 전극(121b)과, 상기 소오스/드레인 전극(121a/121b)을 포함한 상기 질화막(113) 상부에 형성된 제 3 산화막(114)과, 상기 제 3 산화막(114)에 콘택홀을 구비하여 드레인 전극(121b)과 전기적으로 연결되는 투명한 제 1 전극(115)을 포함하여 이루어진다.
그리고, 상기 제 1 전극(115)이 상기 발광 영역까지 연장되어 형성되며, 상 기 제 1 전극 (115) 상부에 유기 발광층(116) 및 제 2 전극(117)이 형성된다. 여기서, 상기 제 1 전극(115)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 및 ITZO(Indium Tin Zinc Oxide) 중 어느 하나로 이루어지는 투명 전극이며, 상기 제 2 전극(117)은 티타늄(Ti), 몰리브덴(Mo), 칼슘(Ca), 마그네슘(Mg), 바륨(Ba), 구리(Cu) 및 알루미늄(Al)과 같이 차광성이 유지되는 전극으로 이루어진다.
이 경우, 상기 제 1 산화막(111)은 버퍼층으로 기능하며, 투명 기판(100) 전면에 형성되는 상기 제 2 산화막(112)은 게이트 절연막으로 기능하며, 마찬가지로 투명 기판(100) 전면에 형성될 수 있으며, 상기 질화막(113) 및 제 3 산화막(114)은 각각 층간 절연막으로 기능하며, 상기 투명 기판(100) 전면에 형성될 수 있다.
경우에 따라, 상기 구동 영역의 상술한 절연층들과 상기 발광 영역의 투명 무기 절연막의 적층체로 별개로 형성할 수도 있으나, 이와 같이, 동일층에 형성하는 것이 공정의 수순을 줄이는 점에서 바람직할 것이다.
이하, 표를 통해 본 발명의 유기 발광 소자와 같이, 투명 무기 절연막은 제 1 전극 하측에 포함하는 구조와 그렇지 않은 구조의 특성을 비교하여 살펴본다.
소자 구조 투명무기 절연막 유무 V J(mA/cm2) cd/A lm/W cd/m2 x y
녹색 유기 발광층 유 4.54 20 12.2 8.5 2440 0.277 0.654
무 4.90 20 13.7 8.8 2745 0.263 0.658
청색 유기 발광층 유 4.31 20 5.4 3.9 1081 0.151 0.125
무 4.64 20 5.9 4.0 1177 0.146 0.163
적색 유기 발광층 유 4.20 20 1.5 1.1 304 0.659 0.339
무 4.65 20 1.9 1.3 374 0.663 0.334
위의 표는 각 조건에서 전류 밀도(J)를 20mA/cm2로 하였을 때, 각 색상의 유기 발광층에 대하여 구동 전압(V), 발광효율(cd/A), 전력 효율(lm/W), 휘도(cd/m2), 색좌표x(CIEx), 색좌표 y(CIEy)를 나타낸 값이다.
투명 무기 절연막 적층체가 있는지 없는지에 따른 경향성을 살펴보면, 투명 무기 절연막이 없을 경우, 구동 전압(V), 발광효율(cd/A), 전력 효율(lm/W), 휘도 (cd/m2)이 늘어남을 알 수 있고, 색좌표는 이와 다른 경향이 일어남을 알 수 있다. 예를 들어, 상기 색좌표를 통한 색재현율의 계산은 상기 R(적색), G(녹색), B(청색)을 각 색좌표를 이어 얻어지는 삼각형의 면적으로 그 값을 산출하는데, 특히 투명 무기 절연막을 개재하였을 경우, 청색에서, Y 좌표 값이 크게 줄어듦을 알 수 있으며, 이 경우, 각 색좌표를 통한 얻어진 삼각형의 면적이 늘어남을 알 수 있다. 이와 같이 색재현율(gamut(%))이 높으면 상기 유기 발광층으로부터 발광되는 색상이 보다 순색에 가깝게 발광면으로 출사됨을 의미하며, 이에 따라 자체 발광 소자인 유기 발광 소자에 있어서, 고감도 표시를 기대할 수 있게 된다.
특히, 청색은 인간이 시감이 민감하게 좌우되는 색상인데, 본 발명의 유기 발광 소자에서는 우선적으로 청색에 대한 시감이 현저하게 개선되는 것을 얻을 수 있는 투명 무기 절연막의 두께를 산출하고 있다.
이상의 표에서 설명한 외로 상기 투명한 제 1 전극의 두께와 질화막의 두께를 변경하여 실험하여 여러 가지 시뮤레이션 데이터를 얻었다.
예를 들어, 제 1 전극의 두께가 500Å일 경우, 상기 질화막의 두께를 4250Å으로 하였을 때, 상기 청색의 색좌표는 (0.135, 0.102), 상기 녹색의 색좌표는 (0.239, 0.661), 상기 적색의 색좌표는 (0.638, 0.353)으로 색재현율은 약 80.7%가 산출되었다. 혹은 동일 조건에서 상기 질화막의 두께를 2000Å으로 변경하였을 때는, 상기 청색의 색좌표는 (0.128, 0.115), 상기 녹색의 색좌표는 (0.198, 0.645), 상기 적색의 색좌표는 (0.661, 0.331)이 산출되었다.
그 밖의 상기 제 1 전극의 두께를 1000Å, 1500Å, 2000Å으로 조정하고, 이에 따라 상대적으로 각 투명 무기 절연막의 두께를 조정하였을 때, 산출된 색재현율이 80% 이상이 됨을 확인할 수 있었다.
이하, 본 발명의 유기 발광 소자를 듀얼 플레이트형으로 형성한 다른 실시예에 따른 예를 살펴본다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 소자를 나타내는 단면도이다.
도 4와 같이, 본 발명의 듀얼 플레이트형 유기 발광 소자는, 서로 소정 간격 이격되어 대향된 제 1 기판(310) 및 제 2 기판(320)과, 상기 제 1 기판(310) 상의 각 서브픽셀에 대응하여 형성된 박막 트랜지스터(TFT)를 포함하는 박막 트랜지스터 어레이와, 상기 제 2 기판(320) 상에 형성된 제 1 전극(321)과, 제 1 전극(321) 상부의 각 서브픽셀의 발광 영역에 형성된 투명 무기막(322)과, 그 상부에 형성된 유기 발광층(323)과, 그 상부에 형성된 제 2 전극(325)과, 상기 제 1, 제 2 기판(310, 320)의 가장자리에 형성된 씰 패턴(330), 및 각 서브픽셀 사이를 구분하도록 형성된 격벽(326)을 포함하여 이루어진다. 또한, 상기 유기 발광층(323)에 전류를 공급하기 위하여, 서브픽셀 단위로 상기 제 2 전극(325)과 박막 트랜지스터(TFT)를 연결하는 전도성 스페이서(317), 및 투명 전극(316)이 형성된다.
이와 같이, 박막 트랜지스터 어레이를 제 1 기판 상에 배치하고, 발광층을 제 2 기판 상에 위치시킬 경우, 이를 듀얼 플레이트 유기 발광 소자(DOD: Dual plate Organic light emitting Device)라 한다.
투명 무기막(322)은 실리콘 질화막(SiNx), 실리콘 산화막(SiO2), 비정질 실리콘(a-Si) 등의 무기 물질로 형성할 수 있으며, 격벽(326)과 동일 물질로 동시에 패터닝하여 형성하는 것도 가능하다. 이때, 격벽(326)의 두께는 300Å 내지 1㎛로 형성한다.
또한, 격벽(326)을 유기 물질로 형성하는 경우, 격벽(326)을 형성하기 위해 이용하는 희생층을 동시에 상기 유기 발광층(323) 하부에 패터닝하여 남겨두어 이를 투명 무기막(322)으로 이용하는 것도 가능하다.
제 1 전극(321)은 제 2 기판(320) 상의 전면에 형성되고, 유기 발광층(323)은 제 1 캐리어 전달층, 발광층, 제 2 캐리어 전달층이 차례대로 적층된 구조로 이루어지며, 상기 제 1, 제 2 캐리어 전달층은 발광층에 전자(electron) 또는 정공(hole)을 주입(injection) 및 수송(transporting)하는 역할을 한다.
상기 제 1, 제 2 캐리어 전달층은 양극 및 음극의 배치 구조에 따라 정해지는 것으로, 한 예로 상기 발광층이 고분자 물질에서 선택되고, 제 1 전극(321)을 양극(anode), 제 2 전극(325)을 음극(cathode)으로 구성하는 경우에는 제 1 전극(321)과 인접하는 제 1 캐리어 전달층은 정공 주입층, 정공 수송층이 차례대로 적층된 구조를 이루고, 제 2 전극(325)과 인접하는 상기 제 2 캐리어 전달층은 전자 주입층, 전자수송층이 상기 제 2 전극(325)에 인접하여 차례대로 적층된 구조로 이루어진다.
또한, 상기 제 1, 제 2 캐리어 전달층 및 발광층은 고분자 물질 또는 저분자 물질로 형성할 수 있는데, 저분자 물질로 형성하는 경우는 진공 증착법을 통해 형성하고, 고분자 물질로 형성하는 경우는 잉크젯 방법을 통해 형성하게 된다.
이때, 유기 발광층(323) 내에서 발광층의 하부에 위치한 제 1 캐리어 전달층의 재료로써 상기에서 언급한 실리콘 질화막(SiNx), 실리콘 산화막(SiO2), 비정질 실리콘(a-Si) 등의 무기 물질로 대체하여 형성하거나, 혹은 이들 층과 적층체의 구조로 형성하여 투명 무기막(321)의 역할을 대신할 수도 있다.
상기 전도성 스페이서(317)는 일반적인 액정 표시 장치용 스페이서와 달리, 셀 갭 유지 기능보다 두 기판을 전기적으로 연결시키는 것을 주목적으로 하는 것으로, 두 기판간의 사이 구간에서 소정의 입체적 형상으로 일정 높이를 가지는 특성을 갖는다.
여기서, 상기 박막 트랜지스터(TFT)는, 상기 유기 발광층(323)과 전기적으로 연결되는 구동용 박막 트랜지스터에 해당된다. 이러한 박막 트랜지스터(TFT)는 제 1 기판(310) 상의 소정 부위에 형성된 게이트 전극(311)과, 상기 게이트 전극(311)을 덮도록 섬상으로 형성된 반도체층(313)과, 상기 반도체층(313)의 양측에 형성된 소오스/드레인 전극(314a/314b)을 포함하여 이루어진다. 여기서, 상기 게이트 전극(311)과 상기 반도체층(313) 사이의 층간에는 게이트 절연막(312)이 상기 제 1 기판(310) 전면에 형성되며, 상기 소오스/드레인 전극(314a/314b)을 포함한 상기 게이트 절연막(312) 상부에는 보호막(315)이 더 형성되어 있다. 이때, 상기 드레인 전극(314b)은 상기 보호막(315) 내에 구비된 홀을 통해 상기 보호막(315) 상부에 형성되는 투명 전극(316)과 전기적으로 연결된다. 여기서, 상기 투명 전극(316)의 상측은 전도성 스페이서(317)와 접하고 있다.
상기 전도성 스페이서(317)는 제 1 기판(310)에 서브픽셀 단위로 구비된 박막 트랜지스터(TFT)의 드레인 전극(314b)과 제 2 기판(320)에 구비된 제 2 전극(325)을 전기적으로 연결하는 역할을 수행하는 것으로, 유기 절연막 등으로 형성된 기둥 형상의 스페이서에 금속이 입혀진 것이며, 이는 제 1, 제 2 기판(310, 320)의 서브픽셀을 일대일로 합착하여 전류를 통하게 하는 역할을 한다.
상기 전도성 스페이서(317)의 외부를 이루는 금속은 전도성 물질에서 선택되며, 바람직하기로는 연성을 띠고, 비저항값이 낮은 금속 물질에서 선택되는 것이 바람직하다.
여기서, 상기 제 1 전극(321)은 투명 전극 물질로 이루어지며, 상기 제 2 전극(325)은 차광성 물질의 금속층으로 이루어진다.
또한, 상기 제 1, 제 2 기판(310, 320)간의 이격 공간은 비활성 기체 또는 절연성 액체로 채워질 수 있다.
한편, 이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
상기와 같은 본 발명의 유기 발광 소자는 다음과 같은 효과가 있다.
발광면인 투명 기판과 유기 발광층 하측에 위치한 투명 전극 사이에 질화막을 포함한 투명 무기 절연막을 개재하여, 광의 파장성에 의한 상쇄 효과가 발생됨을 완화할 수 있어, 유기 발광층에 나오는 색상에 가깝게 색순도를 얻을 수 있다. 즉, 색재현율을 약 80% 이상 얻을 수 있어, 유기 발광 소자의 표시 효율을 향상시킬 수 있으며, 또한, 구동 전압이 절감되는 효과도 동시에 얻을 수 있다.

Claims (12)

  1. 복수개의 서브픽셀 영역을 구비하며, 각 서브픽셀마다 구동 영역과 발광 영역을 포함하는 투명 기판;
    상기 각 서브픽셀의 구동 영역에 형성된 박막 트랜지스터;
    상기 각 발광 영역에 대응되어 형성된 유기 발광층;
    상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되어 상기 유기 발광층 하측에 형성되며, 투명한 제 1 전극;
    상기 유기 발광층 상측에 형성된 제 2 전극;
    상기 제 1 전극 하측과 상기 투명 기판 사이에 형성되는 투명 무기 절연막; 및
    상기 투명 기판에 대향되며 상기 제 2 전극 상측에 위치하는 대향 기판을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 투명 무기 절연막은 상기 투명 기판의 표면으로부터 차례로 제 1 산화막, 질화막(SiNx) 및 제 2 산화막(SiO2)이 적층되어 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 질화막은 700~4500Å의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 질화막은 1250~4250Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  5. 제 2항에 있어서,
    상기 제 1 산화막은 복수개의 층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 1 산화막은 이층의 산화막으로 이루어지며,
    상기 제 1층 산화막은 300~1000Å이며, 상기 제 2층 산화막은 1000~3000Å인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  7. 제 2항에 있어서,
    상기 제 2 산화막은 2000~5000Å의 두께로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 투명 무기 절연막은 상기 발광 영역을 포함한 투명 기판 전면에 형성된 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  9. 제 2항에 있어서,
    상기 박막 트랜지스터는
    상기 투명 기판 상부에 형성되는 버퍼층;
    상기 투명 기판의 구동 영역에 형성되는 반도체층;
    상기 반도체층을 덮도록 상기 버퍼층 상에 형성되는 게이트 절연막;
    상기 게이트 절연막 상의 반도체층 상부에 형성되는 게이트 전극;
    상기 게이트 전극을 덮도록 상기 게이트 절연막 상에 형성되는 층간 절연막;
    상기 게이트 절연막 및 층간 절연막을 관통하여 상기 반도체층을 부분적으로 노출시키는 제 1 및 제 2 컨택홀; 및
    상기 제 1 및 제 2 컨택홀을 통하여 상기 반도체층과 전기적으로 연결되는 소오스 전극 및 드레인 전극을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 제 1 산화막은 상기 버퍼층 또는 상기 게이트 절연막과 동일층에 형성되고, 상기 질화막 및 제 2 산화막은 상기 층간 절연막과 동일층에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  11. 제 1항에 있어서,
    상기 제 2 전극은 티타늄(Ti), 몰리브덴(Mo), 칼슘(Ca), 마그네슘(Mg), 바륨(Ba), 구리(Cu) 및 알루미늄(Al) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  12. 제 1항에 있어서,
    상기 투명한 제 1 전극은 500~2000Å인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
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