JP2017092213A - 有機電界発光素子、表示装置および有機電界発光素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
すなわち、本発明の有機電界発光素子は、
基板の上方において、少なくとも一方向に並列する、画素電極の境界部分に、所定高さの絶縁性バンクが形成されてなる有機電界発光素子であって、
少なくとも前記画素電極上および前記絶縁性バンクの斜面上に、金属酸化物層および有機材料層が、この順に形成されてなることを特徴とするものである。
また、前記金属酸化物層が、少なくとも亜鉛を含む金属の酸化物からなることが好ましい。
また、前記有機材料層は、ポリエチレンイミンを含む高分子材料、または電子輸送性の低分子材料からなる有機材料が成膜されてなるものであることが好ましい。
また、本発明の表示装置は、上述したいずれかの有機電界発光素子が構成要素として形成されてなることを特徴とするものである。
基板の上方に複数の画素電極を形成し、少なくとも一方向に並列する、画素電極の境界部分に、所定高さの絶縁性バンクを形成し、この後、発光層や上部電極層を含む複数の層を積層する有機電界発光素子の製造方法において、
少なくとも前記画素電極上および前記絶縁性バンクの斜面上に、金属酸化物層および有機材料層を、この順に成膜することを特徴とするものである。
さらに、バンクを形成してから酸化物を成膜するため、バンク形成プロセスでのアルカリ現像液による酸化物の溶出を回避することができる。
すなわち、本実施形態に係る有機EL素子は、図2に示すように、赤、緑、青の3色に係る画素が順次形成されたものであり、基板(10:図1(A)を参照)上の各画素に対応して下部電極20が設けられている。さらに、下部電極20の配設領域は谷型に、それ以外の領域は山型に構成されたバンク構造30が設けられ、山形部分のバンク30Aの各頂上面には隔壁31が設けられている。
また、各画素の各色光が出射される領域はバンク開口部50とされている。
このように、下部電極20上のみならずバンク30Aの斜面上に金属酸化物層40を形成することによって、例えば、この上に有機材料からなる電子注入層(50、図3を参照)等をスピンコート手法を用いて成膜した場合に、この電子注入層(50)等の画素内の膜厚分布を均一化することができる。すなわち、上記有機材料を塗布して電子注入層50を成膜する段階で、下部電極層20上とバンク30Aの斜面上の濡れ性が同じとされているため、全成膜領域において電子注入層50を略同様の厚みとすることができる。
なお、上記隔壁31については、アクティブ型ディスプレイのように、上部電極をストライプ状に分離する必要がない場合は、図1(B)に示すように省略することも可能である。
図3に示すように、本実施形態に係る有機EL素子100の具体的な層構成は、基板10上に、平坦化層11、ガスバリア層12が積層され、その上の所定領域に下部電極20が積層され、さらにその上にバンク構造30が形成されている。
るために、ガラス金属や柔軟性のあるフィルム等の封止基材(図示せず)を、接着剤等により有機EL素子100の表面に接着する。
なお、上記基板10としては、ガラスや石英、その他のフレキシブル性を有するプラスチックフィルム等を用いることができる。フレキシブル性を有するプラスチックフィルム材料としては、例えばポリエチレンナフタレート(PEN)フィルムを用いることができる。
すなわち、この実施形態に係る製造方法は、まず、バックプレーンを作成し(S1)、次に下部電極20を製膜し(S2)、この後、バンク30Aを形成する(S3)。
続いて、発光層60を成膜し(S6)、正孔輸送層70を成膜し(S7)、正孔注入層80を成膜し(S8)、この後、上部電極90を成膜する(S9)。
最後に、大気中の酸素や水分の侵入によって有機EL素子が劣化するのを防止するために、封止を行う(S10)。
<バックプレーン作製>
まず、上記ステップ1(S1)においては、透明な基板10としてのPENフィルム上に、スパッタ法を用いてSiO2を成膜する。
その基板10上に平坦化層11として、スピンコート法を用いてシクロオレフィンポリマーを成膜する。さらにガスバリア層12としてスパッタ法を用いてSiO2を成膜する。
なお、基板10としては、ボトムエミッション型のディスプレイとする場合は透明な材料を選択する必要がある。一方、トップエミッション型のディスプレイとする場合は、光学的に透明な材料および不透明な材料の、いずれも用いることができる。
次に、上記ステップ2(S2)においては、陰極として機能する下部電極20として、透明なITOをスパッタ法を用いて成膜する。また、フォトリソグラフィーによりITOを画素サイズに合わせてパターニングする。
下部電極20を画素電極として機能させるため、電圧信号を入力する配線13と接するように形成する。
なお、トップエミッション型とされた場合は、導電性が確保できれば必ずしも透明である必要はない。
なお、下部電極20上に、素子中に電子を注入するための層として機能する金属酸化物を成膜しておいてもよい。この金属酸化物としては、後述する金属酸化物層40の形成材料と同様に、亜鉛酸化物(ZnO)や亜鉛を含む複数の金属酸化物を用いることができる。亜鉛を含む複数の金属酸化物としては、亜鉛−アルミニウム―酸化物(AZO)、亜鉛−ガリウム―酸化物(GZO)、インジウム−ガリウム−亜鉛酸化物(IGZO)、インジウム―錫―亜鉛酸化物(ITZO)等があげられる。
次に、上記ステップ3(S3)においては、下部電極20上に、レジスト材料を用いてバンク構造30を形成する。そして、ITO画素電極である下部電極20上のみを開口し、その他の部分はレジスト材料によるバンク30Aで覆われた構造とする。
すなわち、バンク30Aは、数百nmから数μm程度の高さを有し、これにより、インク
ジェット法で発光色の異なる材料を塗分け成膜する場合の画素間の混色防止、画素電極の端部保護、および下地基板に形成された薄膜トランジスタ回路の保護、等の有用な機能を有する。
次に、上記ステップ4(S4)においては、下部電極20上およびバンク30Aの斜面上の全面に亘って、ZnOからなる金属酸化物層40をスパッタ法を用い、画面全体を5nmの厚みとなるように成膜する。すなわち、下部電極20上のみならず、バンク30A
の斜面上にも金属酸化物層40を形成する。
すなわち、下部電極20のみならずバンク30Aの斜面部分も金属酸化物によって一様にコーティングされるため、下部電極20上とバンク30Aの斜面部分の濡れ性が一様になり、この後形成される有機材料(電子注入層50)の画素内における膜厚を均一化することができる。
次に、上記ステップ5(S5)においては、金属酸化物層40上に、有機材料からなる電子注入層50を形成する。
すなわち、有機材料としては特に限定されないが、高分子材料であるポリエチレンイミン(PEI)を始めとして、窒素やホウ素等を含む種々の高分子材料や低分子材料を用いることができる。これらの材料を水や有機溶媒に溶解させて塗布成膜すると、画素電極上の突起や異物を覆うことができるため、漏れ電流の少ない安定な素子を作製することができる。
なお、上記スピンコート法は、例えば、電子注入性に優れる有機材料の溶液(1.6wt%)を基板10上に滴下し、毎分1500回転の速度で60秒間回転させることで電子注入層50を成膜する。
次に、上記ステップ6(S6)においては、赤、緑、青に各々発光する材料をシャドウマスクにより塗分蒸着することにより発光層60を形成する。
発光層60は、下部電極20である陰極から注入された電子と、上部電極90である陽極から注入された正孔とが再結合し、再結合のエネルギーによって発光材料が励起されて光を放出する層である。
発光層60に用いられる発光材料としては、蛍光材料や燐光材料を用いることができる。また発光材料として半導体超微粒子からなる量子ドット材料を用いることもできる。
なお、この発光層60、ならびに後述する正孔輸送層70および正孔注入層80は、それぞれを1層ずつ設けてもよいし、複数の材料を積層した構造とされていてもよい。また、1つの層で発光層、正孔輸送層、正孔注入層の機能を併せ有するような構成とすることも可能である。
次に、上記ステップ7(S7)においては、陽極である上部電極90から注入された正孔を素子内部(発光層60等)まで輸送する正孔輸送層70を形成する。正孔輸送層70を構成する材料としては、正孔輸送性を有する有機材料が好ましいが、正孔輸送性を有する無機材料を用いることも可能である。特に、N,N’−di(naphthalene
−1−yl)−N,N’−diphenyl−benzidene(NPB)を正孔輸送
層70として用いることができる。
次に、上記ステップ8(S8)においては、陽極である上部電極90からの正孔注入を容易にするための正孔注入層80を形成する。代表的な材料としては酸化モリブデン(MoO3)が挙げられるが、有機材料および無機材料のいずれの材料を用いることもできる。
次に、上記ステップ9(S9)においては、陽極として機能する上部電極90を形成する。上部電極90の材料としては、仕事関数が比較的大きい金属が好ましい。仕事関数の大きい金属を用いることにより、上部電極90から正孔注入層80等へ正孔注入を行う際の障壁を低くすることができ、上部電極90から正孔を注入させ易くすることができるためである。
トップエミッション型のディスプレイの場合は、陽極である上部電極90側から光を出射させる必要があるため、上部電極90としてITOやIZO等の透明な材料を用いることが望ましい。
次に、上記ステップ10(S10)においては、大気中の酸素や水分が素子内部に侵入して有機EL素子が劣化するのを防止するため、有機EL素子や有機ELディスプレイを製造する際に、上述した層構成部分について封止を行うのが好ましい。
そのため、ガラス金属や柔軟性のあるフィルム等の封止基材(図示せず)を、接着剤等を用いて有機EL素子表面に接着する。
子や有機ELディスプレイの全面にガスバリア性を有する膜を成膜する手法を用いることもできる。
なお、本発明の有機電界発光素子、表示装置および有機電界発光素子の製造方法としては上記実施形態のものに限られるものではなく、その他の種々の態様のものに変更が可能である。
パッシブ型フレキシブル型の有機EL素子(有機ELディスプレイ)として形成した。また、フレキシブルな基板10としてポリエチレンナフタレート(PEN)フィルムを用いた。画面サイズは、縦76.2mm、横10.16mm、対角127mmとし、画素数は、160(R,G,B各々)×120とした。各R、G、Bサブピクセルの画素サイズは、636μm×212μmとした。また、バンク構造30を用い画素部を開口し、その開口率を約50%とした。
PENフィルムからなる基板10の上に、スパッタ法を用いてSiO2を成膜した。その上からスピンコート法を用いてシクロオレフィンポリマーを成膜し、平坦化層11を形成した。さらに、スパッタ法を用いてSiO2を成膜し、ガスバリア層12を形成した。その上から、モリブデン合金/アルミニウム/モリブデン合金の積層膜をスパッタ法を用いて成膜した後、フォトリソグラフィーによるパターニングを行なって、ストライプ状の配線13を形成した。
透明電極であるITOをスパッタ法を用いて成膜し、さらに、ITZOをスパッタ法を用いて成膜し、その後、フォトリソグラフィーによるパターニングを行なって、ITO/ITZOを画素サイズに合わせるようにして、下部電極20を形成した。
レジスト材料を用いてバンク構造30を形成した。画素電極(下部電極20)上のみを開口し、その他の領域にはレジスト材料により山型とされたバンク30Aを形成し、各画素領域にバンク30Aの斜面部分が配置される構造とした。さらに上部電極90を各々ストライプ状に分離するための隔壁31をバンク30Aの上面に形成した。
スパッタ法を用い、ZnOを画面全体に亘って5nmの厚さに成膜し、金属酸化物層40を形成した。
電子注入性に優れる有機材料の溶液(1.6wt%)を基板10上に滴下し、毎分1500回転の速度で60秒間回転させるスピンコート法を用いて成膜し、電子注入層50を形成した。
真空蒸着法を用いて、発光層60、正孔輸送層70、正孔注入層80および陽極である金属電極90を、順次成膜した。発光層60は、赤、緑、青に発光する材料をシャドウマスクにより塗分蒸着した。正孔輸送層70は、N,N’−di(naphthalene
−1−yl)−N,N’−diphenyl−benzidene(NPB)により、正
孔注入層80は酸化モリブテン(MoO3)により、さらに、上部電極90はアルミニウ
ムにより、各々形成した。
以上のようにして、実施例に係る有機EL素子(有機ELディスプレイ)を作製した。
上述したようにして作製した実施例と比較例の各々について、膜厚分布および画素内発光均一性の評価を行った。
電子注入層50をスピンコート法を用いて成膜した後、段差計(TENCOR製)によって画素内の電子注入層50の膜厚の大小の差を測定した。
その結果、実施例のものにおいては、電子注入層50が画素周縁部近傍まで平坦であり、膜厚分布のバラつきが小さいことが確認できた。
これに対して、比較例のものでは、中央部は平坦とされているものの、画素周縁部の周縁から内側約50μmの領域範囲においては、周縁に向かうにしたがって徐々に膜厚が減少していくことが確認された。
各画素に対し、下部電極20側が負電圧、上部電極90側が正電圧となるように電圧を印加して発光させ、下部電極20のITO透明電極側より画素の発光の様子を顕微鏡観察した。
その結果、実施例のものにおいては、赤、緑、青、いずれの画素においても、画素内で輝度ムラのない均一な発光が得られた。これは、スピンコート法を用いて成膜した電子注入層50の膜厚の均一性が良好であることに起因する。
これは、膜厚分布の評価で確認されたように、スピンコート法を用いて成膜した電子注入層50の膜厚が画素内で均一でないことに起因する。すなわち、電子注入層50の膜厚は周辺部で薄く、中央部で厚くなっているため、画素に電圧印加した際、膜厚の薄い周辺部で注入電流が大きくなったことに起因する。
以上の評価から、比較例のものでは、輝度ムラのある発光となることが避けられないのに対し、実施例のものでは、輝度ムラのない均一な発光が得られることが明らかとなった。
11 平坦化層
12 ガスバリア層
13 配線
20 下部電極
30 バンク構造
30A バンク
31 隔壁
40 金属酸化物層
50 電子注入層
60 発光層
70 正孔輸送層
80 正孔注入層
90 上部電極
100 有機EL素子
Claims (9)
- 基板の上方において、少なくとも一方向に並列する、画素電極の境界部分に、所定高さの絶縁性バンクが形成されてなる有機電界発光素子であって、
少なくとも前記画素電極上および前記絶縁性バンクの斜面上に、金属酸化物層および有機材料層が、この順に形成されてなることを特徴とする有機電界発光素子。 - 前記絶縁性バンクは、前記一方向に並列する複数の列状に形成されてなるものであることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光素子。
- 前記金属酸化物層が、少なくとも亜鉛を含む金属の酸化物からなることを特徴とする請求項1または2に記載の有機電界発光素子。
- 前記金属酸化物は、亜鉛およびアルミニウムからなる金属の酸化物と、亜鉛およびガリウムからなる金属の酸化物と、インジウム、ガリウムおよび亜鉛からなる金属酸化物と、インジウム、錫および亜鉛からなる金属の酸化物のうちから選択されるものとすることを特徴とする請求項1〜3のうちいずれか1項記載の有機電界発光素子。
- 前記有機材料層は、ポリエチレンイミンを含む高分子材料、または電子輸送性を有する低分子材料からなる有機材料が成膜されてなるものであることを特徴とする請求項1〜4のうちいずれか1項記載の有機電界発光素子。
- 前記バンクの上面に隔壁が形成されてなることを特徴とする請求項1〜5のうちいずれか1項記載の有機電界発光素子。
- 請求項1〜6のうちいずれか1項記載の有機電界発光素子が構成要素として形成されてなることを特徴とする表示装置。
- 基板の上方に複数の画素電極を形成し、少なくとも一方向に並列する、画素電極の境界部分に、所定高さの絶縁性バンクを形成し、この後、発光層や上部電極層を含む複数の層を積層する有機電界発光素子の製造方法において、
少なくとも前記画素電極上および前記絶縁性バンクの斜面上に、金属酸化物層および有機材料層を、この順に成膜することを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。 - 前記有機材料層は、スピンコート法を用いて、前記金属酸化物層上に成膜することを特徴とする請求項8記載の有機電界発光素子の製造方法。
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