JP2016085796A - 有機ｅｌ表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】上部電極の有機層からの剥がれを防止する。
【解決手段】有機層１０はバンク８ａの上面に位置する部分を有している。ＴＦＴ基板２は、有機層１０よりも上側に、上部導電層１２及び保護層１４を含む複数の層を有している。複数の層のうち少なくとも１つは、有機層１０のバンク８ａの上面に位置する部分１０ｂを貫通しバンク８ａに接続する接続部Ｆを有している。この接続部Ｆにより、上部導電層１２の有機層１０からの剥がれを抑えることができる。
【選択図】図３

Description

本発明は有機ＥＬ表示装置に関する。

有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置では、各画素に形成されている下部電極（アノード電極）の外周に画素を区画するバンクが形成されている。バンクを有する層（以下においてバンク層）上に発光層を含む有機層が形成され、有機層上に上部電極（カソード電極）が形成されている。有機層はバンク層が各画素に有しているバンク開口の内側で下部電極に接している。そのため、有機層はバンク開口の内側で発光する。このような構造の有機ＥＬ表示装置は、例えば下記特許文献１に開示されている。

特許第４４２５５３１号明細書

上部電極は上述したように有機層上に形成されている。上部電極はＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）やＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）など無機材料で形成される。一般的に無機材料は有機材料に密着しにくいので、上部電極は有機層から剥がれやすいという問題がある。

本発明の目的は、上部電極の有機層からの剥がれを防止することにある。

（１）本発明に係る有機ＥＬ表示装置は、隣接する２つの画素と、前記隣接する２つの画素を互いに区画しているバンクを有しているバンク層と、発光層を含み、前記バンク層上に形成され、前記バンクの上面に位置している部分を有している有機層と、前記有機層上の上部電極として機能する導電層を含む、前記有機層の上側に形成されている少なくとも１つの層と、を備える。前記少なくとも１つの層は、前記有機層の前記バンクの上面に位置している前記部分を貫通し前記バンクに接続する接続部を有している。この有機ＥＬ表示装置によれば、上部電極の有機層からの剥がれを防止できる。

（２）（１）の有機ＥＬ表示装置において、前記バンクには、上方に向かって開口する形状を有している凹部であって、その下部から上部に向かって内側の幅が徐々に狭くなっている凹部が形成されてもよい。前記接続部は前記凹部の内側に形成され前記凹部に対応した形状を有してもよい。この有機ＥＬ表示装置によれば、上部電極の有機層からの剥がれをより効果的に防止できる。

（３）（２）の有機ＥＬ表示装置において、前記少なくとも１つの層は、前記上部電極として機能する前記導電層と、前記有機層と前記導電層とを覆っている保護層とを含み、前記導電層と前記保護層の少なくとも一方が前記接続部を有してもよい。

（４）（２）又は（３）の有機ＥＬ表示装置において、前記少なくとも１つの層は前記導電層であり、前記導電層は前記凹部の内側に形成され、前記凹部の内側の側面に接している部分を、前記接続部として有してもよい。

（５）（３）の有機ＥＬ表示装置において、前記少なくとも１つの層は前記保護層であり、前記保護層は前記凹部の内側に形成され、前記凹部の内側の側面に接している部分を前記接続部として有してもよい。

（６）（２）乃至（５）のいずれかの有機ＥＬ表示装置において、前記バンク層は、前記隣接する２つの画素のそれぞれに、前記バンクによって囲まれている開口を有し、前記バンクの前記凹部が形成されている部分と前記バンクの前記開口に面している部分は互いに異なる材料によって形成されてもよい。これによれば、バンクを形成することが容易となる。

（７）（２）乃至（６）のいずれかの有機ＥＬ表示装置において、前記バンク層の前記凹部が形成されている部分は、露光された部分を除去できるポジ型の感光性材料によって形成されてもよい。これによれば、凹部を有するバンクを形成することが容易となる。

（８）（７）の有機ＥＬ表示装置において、前記バンク層は、前記隣接する２つの画素のそれぞれに、前記バンクによって囲まれている開口を有し、前記バンクの前記開口に面している部分は、露光により硬化するネガ型の感光性材料によって形成されてもよい。これによれば、バンクの幅が上方に向かって徐々に小さくなるように、バンクの開口に面している側面を傾斜させることが容易となる。

（９）（２）乃至（８）のいずれかの有機ＥＬ表示装置において、前記少なくとも１つの層はスパッタ法、ＣＶＤ法又は塗布法によって形成されてもよい。これによれば、凹部の内側に、凹部の形状に対応した部分を形成し易くなる。

（１０）（１）乃至（９）のいずれかの有機ＥＬ表示装置において、前記少なくとも１つの層は無機材料によって形成され、前記バンク層も無機材料によって形成されてもよい。これによれば、前記少なくとも１つの層とバンクの凹部の内側の側面との密着性を増すことができる。

（１１）（１０）の有機ＥＬ表示装置において、前記少なくとも１つの層と前記バンク層は同じ材料を含んでもよい。これによれば、前記少なくとも１つの層とバンクの凹部の内側の側面との密着性をさらに増すことができる。

（１２）（１）の有機ＥＬ表示装置において、前記少なくとも１つの層は、前記上部電極として機能する前記導電層と、前記有機層と前記導電層とを覆っている保護層とを含み、前記有機層と前記導電層とには、前記バンクの一部を露出させる開口が形成され、前記保護層は、前記接続部として、前記開口を通して前記バンクに接する部分を有し、前記保護層と前記バンク層は無機材料で形成されてもよい。これによれば、上部電極の有機層からの剥がれをさらに効果的に防止できる。

（１３）（１２）の有機ＥＬ表示装置において、前記保護層と前記バンク層は同じ材料を含んでもよい。前記保護層とバンクとの密着性を増すことができる。

本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の例を示す斜視図である。 有機ＥＬ表示装置が備えるＴＦＴ基板の例を示す拡大平面図である。 図２に示すＩＩＩ−ＩＩＩ線での断面図である。 有機ＥＬ表示装置の製造工程を示す図である。 有機ＥＬ表示装置の製造工程を示す図である。 有機ＥＬ表示装置の製造工程を示す図である。 第１の実施形態の変形例によるＴＦＴ基板の断面図である。 図５に示す凹部の位置を示す平面図である。 図５に示す有機ＥＬ表示装置の製造工程を示す図である。 本発明の第２の実施形態に係るＴＦＴ基板の断面図である。

以下、本発明の一実施形態について説明する。本明細書の開示はあくまで本発明の一例にすぎない。本発明の主旨を保った適宜変更であって当業者が容易に想到し得るものは、当然に本発明の範囲に含有される。また、図面で示す各部の幅、厚さ及び形状等は模式的に表されており、本発明の解釈を限定するものではない。

図１は本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の斜視図である。有機ＥＬ表示装置１はＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）基板２を有している。有機ＥＬ表示装置１は、図１に示すように、ＴＦＴ基板２と対向している対向基板２１を有してもよい。

図２はＴＦＴ基板２の例を示す拡大平面図である。図３は図２に示すＩＩＩ−ＩＩＩ線での断面図である。図２においてハッチングが施されている部分は後に説明するバンク層８である。

有機ＥＬ表示装置１は、その表示領域に、水平方向及び垂直方向に並んでいる複数の画素ＰＸを有している。一例では、画素ＰＸの単位配列Ｐは、赤画素ＰＸ（ｒ）、緑画素ＰＸ（ｇ）、及び青画素ＰＸ（ｂ）によって構成される。単位配列Ｐを構成する複数の画素ＰＸの並びは特に限定されない。例えば、図２に示すように、複数の画素ＰＸは一列で並んでもよい。また、単位配列Ｐが４つの画素ＰＸによって構成される場合には、４つの画素ＰＸは２行２列で配置されてもよい。

ＴＦＴ基板２は基板１１を有している。基板１１は例えばガラス基板や樹脂基板である。ＴＦＴ基板２は基板１１上に形成されている回路層３を有している。回路層３は走査信号線や映像信号線、電源供給線などの配線や、後述する有機層１０への電流供給を制御するためのＴＦＴなどを含んでいる（図３において配線やＴＦＴは省略されている）。回路層３は平坦化膜４によって覆われている。平坦化膜４の上側には複数の下部電極６が形成されている。複数の下部電極６は複数の画素ＰＸのそれぞれに設けられている。各下部電極６は平坦化膜４に形成されたコンタクトホール（不図示）を介して回路層３のＴＦＴに接続されている。一例では、有機ＥＬ表示装置１は上方向（図１においてＺ１の示す方向）に光を出すトップエミッション方式である。この場合、下部電極６は反射膜を含んでもよい。有機ＥＬ表示装置１は下方向（図１においてＺ２の示す方向）に光を出すボトムエミッション方式でもよい。

図３に示すように、ＴＦＴ基板２は、隣接する２つの画素ＰＸを区画しているバンク８ａを有している（以下においてバンク８ａが構成する層をバンク層８と称する）。バンク層８は平坦化膜４及び下部電極６上に形成されている。バンク８ａは隣接する２つの下部電極６の間に配置され、且つ下部電極６の外周縁に重なっている。バンク層８は、各画素ＰＸに、バンク８ａによって取り囲まれている開口Ａ１を有している（以下においてこの開口Ａ１をバンク開口と称する）。下部電極６はバンク開口Ａ１において露出している。バンク８ａには凹部８ｘが形成されている。この凹部８ｘについては後において詳説する。

バンク層８上には、発光層を含んでいる有機層１０が形成されている。有機層１０は電荷注入層や電荷輸送層などを含んでもよい（ここで電荷とは正孔及び電子である）。有機層１０はバンク開口Ａ１の内側で下部電極６に接している。有機層１０の一例は、各画素ＰＸの色に応じた色の光が有機層１０から出るように構成される（塗り分け方式）。有機層１０は、全画素ＰＸが共通の色（例えば白）で発光するように構成されてもよい（カラーフィルタ方式）。カラーフィルタ方式の場合、対向基板２１にカラーフィルタが形成される。また、カラーフィルタ方式の場合、有機層１０は全画素ＰＸにおいて共通の積層構造を有してもよい。

有機層１０上には、複数の画素ＰＸに亘って配置される上部電極として機能する導電層１２が形成されている（以下において、この導電層を上部導電層と称する）。有機ＥＬ表示装置１がトップエミッション方式である場合、上部導電層１２は透明導電材料（例えば、ＩＴＯやＩＺＯなど）によって形成される。有機ＥＬ表示装置１がボトムエミッション方式である場合、上部導電層１２は、透明導電材料に替えて、ＡｌやＡｇ、Ｍｇなどの金属によって形成されてもよい。

上部導電層１２上には保護層１４が形成されている。上部導電層１２及び有機層１０は保護層１４によって覆われている。保護層１４は有機層１０に水分が浸入するのを防止する層であり、水分が浸透しにくい無機材料で形成されている。無機材料は例えばＳｉＮであるが、これに限定されない。保護層１４は複数の層によって構成されてもよい。例えば、保護層１４はＳｉＮ（窒化ケイ素）の層とＳｉＯ（酸化ケイ素）の層とを含んでもよい。保護層１４と対向基板２１との間に充填材が配置され、対向基板２１はＴＦＴ基板２に貼り付けられている（図３において、充填材及び対向基板２１は省略されている）。

ＴＦＴ基板２は、有機層１０よりも上側に、上部導電層１２及び保護層１４を含む複数の層を有している。複数の層のうち少なくとも１つは、有機層１０のバンク８ａの上面に位置する部分１０ｂを貫通しバンク８ａに接続する接続部Ｆを有している。この接続部Ｆにより、上部導電層１２の有機層１０からの剥がれを抑えることができる。図３の例では、接続部Ｆは上部導電層１２と保護層１４とによって構成される。

一例では、図３に示すように、バンク８ａには上方に向かって開口している形状の凹部８ｘが形成される。凹部８ｘは有機層１０によって閉じられていない。すなわち、凹部８ｘは有機層１０によって充たされていない。有機層１０よりも上側に形成される複数の層のうち少なくとも１つは、接続部Ｆとして、凹部８ｘの内側に形成されている部分を有する。このような接続部Ｆはより強固にバンク８ａに接続する。図３に示す例では、凹部８ｘの内側の幅は凹部８ｘの下部から上部に向かって徐々に小さくなっている。換言すると、凹部８ｘは、その内側に、互いに対向する２つの側面８ｂを有している。そして、２つの側面８ｂは、それらの上部の間隔がそれらの下部の間隔に比べて小さくなるように傾斜している。接続部Ｆは凹部８ｘに対応した形状を有している。すなわち、接続部Ｆはその下部から上部に向かってその幅が小さくなっている。凹部８ｘ及び接続部Ｆによると、接続部Ｆを構成している層が凹部８ｘからさらに外れにくくなる。その結果、上部導電層１２の有機層１０からの剥がれをさらに効果的に抑えることができる。図３の例では、接続部Ｆは上部導電層１２と保護層１４とによって構成される。

凹部８ｘの幅及び接続部Ｆの幅とは、ＴＦＴ基板２と平行な方向における、互いに向き合う２つの側面８ｂの間隔である。凹部８ｘが回路層３の走査信号線或いは映像信号線に沿って伸びている溝状である場合には、凹部８ｘの幅及び接続部Ｆの幅とは、ＴＦＴ基板２と平行な方向で且つ凹部８ｘの延伸方向に直交する方向における、２つの側面８ｂの間隔である。

なお、バンク８ａの側面（バンク開口Ａ１側の面）８ｃは、バンク８ａの幅が上方に向かって小さくなるように傾斜している。このため、バンク層８上に形成される有機層１０がバンク開口Ａ１とバンク８ａの側面８ｃとの境で破断してしまうことを防ぐことができる。

凹部８ｘの内側は、接続部Ｆを構成する層によって充たされている。図３の例では、上部導電層１２と保護層１４とによって凹部８ｘの内側は充たされている。これにより、接続部Ｆと凹部８ｘとの引っ掛かりが強固になり、上部導電層１２の有機層１０からの剥がれを効果的に抑えることができる。

図３の例では、上部導電層１２は凹部８ｘの内側に形成されている部分１２ａを有している（以下において部分１２ａを電極接続部と称する）。電極接続部１２ａは凹部８ｘの内面に沿って形成されている。すなわち、電極接続部１２ａは凹部８ｘの内側の側面８ｂ及び底面に沿って形成されている。したがって、上部導電層１２は、バンク８ａを挟んで隣り合う２つの画素ＰＸの間で、電極接続部１２ａを介して繋がっている。図３の例において、電極接続部１２ａは側面８ｂに接している。また、電極接続部１２ａは側面８ｂに沿って傾斜している。保護層１４は凹部８ｘの内側に形成される部分１４ａを有している（以下においてこの部分１４ａを保護接続部と称する）。保護接続部１４ａは上部導電層１２の電極接続部１２ａの内側に嵌まっている。電極接続部１２ａと保護接続部１４ａは全体として凹部８ｘの内側に対応した形状を有している。

接続部Ｆを構成する層は、上部導電層１２と保護層１４とに限られない。例えば、上部導電層１２が比較的厚い場合には、上部導電層１２だけで接続部Ｆが構成されてもよい。すなわち、凹部８ｘは上部導電層１２だけで充たされてもよい。この場合、ＴＦＴ基板２は必ずしも保護層１４を有していなくてもよい。

上述したように、接続部Ｆは有機層１０のバンク８ａの上面に位置する部分１０ｂを貫通している。一例では、図３に示すように、有機層１０は凹部８ｘの内側に形成される部分１０ａを有し、部分１０ａは凹部８ｘの底部にのみ形成されてもよい。電極接続部１２ａは必ずしも凹部８ｘの側面８ｂに接していなくてもよい。例えば、凹部８ｘの内面に沿って、有機層１０の膜が形成されてもよい。有機層１０は比較的薄いので、凹部８ｘを有機層１０の内面に沿って形成した場合でも、有機層１０よりも上側の層は凹部８ｘの内側に形成される接続部Ｆを有することとなる。この場合でも、接続部Ｆは、有機層１０におけるバンク８ａの上面に位置する部分を下方に貫通する。

後において説明するように、接続部Ｆは保護層１４だけで構成されてもよい。すなわち、保護接続部１４ａが凹部８ｘの側面８ｂに接するように形成されてもよい。

接続部Ｆは、上部導電層１２と保護層１４とに加えて、ＴＦＴ基板２と対向基板２１との間に配置されている充填材によって構成されてもよい。すなわち、上部導電層１２と保護層１４が比較的薄い場合、凹部８ｘの内側には、上部導電層１２と保護層１４とに加えて、充填材が配置されてもよい。

図３に示すように、凹部８ｘの一例はバンク８ａをその厚さ（高さ）方向に貫通する（バンク８ａの厚さ方向とはＴＦＴ基板２の厚さ方向である）。こうすることにより、凹部８ｘの深さを確保し易くなる。その結果、接続部Ｆを構成する層は凹部８ｘからさらに外れ難くなる。凹部８ｘはこれに限られない。すなわち、凹部８ｘは必ずしもバンク８ａを貫通していなくてもよい。

一例では、凹部８ｘは各画素ＰＸに対応して設けられる。例えば、凹部８ｘは各画素ＰＸを囲むよう形成される。凹部８ｘは各画素ＰＸの対向する２辺（例えば、右辺及び左辺）に沿って形成され、別の２辺（例えば、上辺及び下辺）には形成されなくてもよい。

凹部８ｘは各画素ＰＸに対応して設けられるのではなく、隣り合う複数の画素ＰＸに対応して設けられてもよい。例えば、凹部８ｘは、１つの単位配列Ｐを構成する複数の画素ＰＸの周りを囲んでもよい。

凹部８ｘは、一例では、バンク８ａに沿った方向に伸びている溝状である（バンク８ａに沿った方向とは、画素ＰＸが並んでいる方向、すなわち走査信号線及び映像信号線に沿った方向である）。凹部８ｘは、平面視において円形や四角形の穴であってもよい。この場合、複数の凹部８ｘがバンク８ａに沿った方向において間隔を空けて並んでもよい。凹部８ｘの平面形状は適宜変更されてよい。

一例では、バンク層８は感光性材料（例えばアクリルやポリイミド）によって形成される。バンク層８は、露光により硬化するネガ型の感光性材料と、露光された部分を除去できるポジ型の感光性材料とによって形成されてもよい。こうすることにより、バンク８ａの形成が容易となる。これについては後において詳説する。

バンク層８は無機材料によって形成されてもよい。例えば、バンク層８はＳｉＮやＳｉＯによって形成されてもよい。上部導電層１２は無機材料によって形成される。具体的には、上部導電層１２はＩＴＯやＩＺＯなどの透明導電材料、或いはＡｌやＡｇ、Ｍｇなどの金属によって形成される。図３の例では、上部導電層１２の電極接続部１２ａはバンク８ａの凹部８ｘの側面８ｂに接している。したがって、無機材料であるバンク層８と無機材料である接続部１２ａとが接することとなるので、それらの間での密着性を確保し易くなる。

上述したように、保護層１４もＳｉＮやＳｉＯなどの無機材料で形成される。上部導電層１２が電極接続部１２ａを有していない場合、保護層１４の保護接続部１４ａが凹部８ｘの側面８ｂに接する。この場合、無機材料であるバンク層８と無機材料である接続部１４ａとが接することとなるので、それらの間での密着性を確保し易くなる。保護接続部１４ａが側面８ｂに接する形態については後において詳説する。

有機ＥＬ表示装置１の製造方法について説明する。図４Ａ、４Ｂ及び４Ｃは有機ＥＬ表示装置１の製造方法の一例を示す図である。

図４Ａ（ａ）に示すように、複数の有機ＥＬ表示装置１の基板１１に対応したサイズを有しているマザー基板１１１に回路層３を形成する。回路層３上に平坦化膜４を形成し、平坦化膜４上に下部電極６を形成する。

次にバンク層８を形成する。図４Ａ〜４Ｃで説明する例では、バンク８ａにおいてバンク開口Ａ１に面している部分と、バンク８ａの凹部８ｘが形成されている部分は、互いに異なる材料によって形成されている。バンク８ａにおいてバンク開口Ａ１に面している部分は、露光により硬化するネガ型の感光性材料によって形成されている。一方、バンク８ａの凹部８ｘが形成されている部分は、露光された部分を除去できるポジ型の感光性材料によって形成されている。以下の説明では、バンク８ａにおいてバンク開口Ａ１に面している部分を外側部分と称し、バンク８ａの凹部８ｘが形成されている部分を内側部分と称する。

図４Ａ（ｂ）に示すように、一例では、まずネガ型の感光性材料（以下において第１の材料）１０８Ａをマザー基板１１１に塗布し、第１の材料１０８Ａで下部電極６を覆う。そして、図４（ｃ）に示すように、第１の材料１０８Ａに露光マスク１０９Ａを配置する。露光マスク１０９Ａは、バンク８ａの外側部分に対応する部分１０８ａに光が照射され、その他の部分（内側部分に対応する部分１０８ｂ、及びバンク開口Ａ１が形成される部分１０８ｃ）に光が照射されないように形成されている。露光マスク１０９Ａを通して第１の材料１０８Ａに光を照射する。これにより、バンク８ａの側面８ｃを形成することとなる部分１０８ａが硬化する。その後、光が照射されていない部分１０８ｂ、１０８ｃをエッチングにより除去する。露光工程では、光が露光マスク１０９Ａに形成した開口を通して第１の材料１０８Ａに斜めに浸入するように、光を照射する。その結果、バンク８ａの幅が上方に向かって徐々に小さくなるように傾斜した側面８ｃが得られる。

その後、図４Ｂ（ｄ）に示すように、バンク８ａの外側部分に対応する２つの部分１０８ａの間、すなわち、凹部８ｘが形成される部分に、上述のポジ型の感光性材料（以下において、第２の材料１０８Ｂ）を配置する。第２の材料１０８Ｂの配置は例えばインクジェット方式により行うことができる。図４Ｂ（ｅ）に示すように、第２の材料１０８Ｂを覆うように露光マスク１０９Ｂを配置する。露光マスク１０９Ｂは、凹部８ｘに対応する部分１０８ｄに光が照射され、その他の部分に光が照射されないように形成されている。露光マスク１０９Ｂを通して第２の材料１０８Ｂに光を照射する。これにより、凹部８ｘに対応する部分１０８ｄは軟化する。そして、図４Ｂ（ｆ）に示すように、この部分１０８ｄをエッチングにより除去する。図４Ｂ（ｅ）の露光工程では、光が露光マスク１０９Ｂに形成した開口を通して第２の材料１０８Ｂに斜めに浸入するように、光を照射する。その結果、凹部８ｘの内側に形成される、傾斜した側面８ｂが得られる。このようにして、凹部８ｘを有するバンク８ａが形成される。

図４Ａ及び図４Ｂで示す例では、このように、２種類の材料を使用してバンク８ａが形成されている。その結果、バンク８ａの幅が上方に向かって小さくなるように側面８ｃを傾斜させ、且つ、バンク８ａの凹部８ｘの幅が上方に向かって小さくなるように凹部８ｘの内側の側面８ｂを傾斜させることができる。なお、図４Ａ及び図４Ｂで示す例では、第１の材料１０８Ａからバンク８ａの外側部分を形成する工程は、第２の材料１０８Ｂからバンク８ａの内側部分を形成する工程よりも先になされている。しかしながら、それらの順序は逆でもよい。

バンク層８を形成した後、図４Ｃ（ｇ）に示すように、発光層を含む有機層１０をバンク層８上に形成する。例えば蒸着法によって有機層１０を形成する。蒸着材料（分子）は蒸着源から直線的に飛びやすい。そのため、有機層１０の材料は凹部８ｘの入り口からその側面８ｂに回り込みにくい。その結果、有機層１０の材料は凹部８ｘの底部には付着するものの、凹部８ｘの側面８ｂには付着し難い。これにより、上部導電層１２或いは保護層１４を凹部８ｘの側面８ｂに接触させることができる。図３及び図４Ｃ（ｇ）では、凹部８ｘの底部に形成される有機層１０に符号１０ａが付されている。

有機層１０を形成した後、図４Ｃ（ｈ）に示すように、上部導電層１２を有機層１０上に形成する。上部導電層１２の材料は、上述したように、例えばＩＴＯやＩＺＯなどの透明導電材料である。図４Ｃに示す例では、上部導電層１２は、その分子が凹部８ｘの入り口から側面８ｂに回り込むような方法で形成される。その結果、凹部８ｘの内側の側面８ｂに沿った電極接続部１２ａが得られる。分子の回り込みを実現する方法の一例は、スパッタ法であるが、上部導電層１２は他の方法により形成されてもよい。

上部導電層１２を形成した後、図４Ｃ（ｉ）に示すように、上部導電層１２及び有機層１０を覆う保護層１４を形成する。保護層１４は、電極接続部１２ａの内側に浸入するように形成される。保護層１４は、例えばスパッタ法や、蒸着法、ＣＶＤ法、塗布法など種々の方法により形成できる。保護層１４の材料は、上述したように、例えばＳｉＮやＳｉＯである。

その後、マザー基板１１１に複数の対向基板２１を貼り付ける。その際、マザー基板１１１と各対向基板２１との間に充填材を配置する。そして、マザー基板１１１を複数の基板１１に裁断する。これにより、複数の有機ＥＬ表示装置１が得られる。

有機ＥＬ表示装置１の製造方法は図４Ａから図４Ｃに示したものに限られない。例えば、バンク層８がＳｉＮやＳｉＯなどの無機材料によって形成される場合には、バンク８ａは必ずしも２種類の材料によって構成されなくてもよい。

図５は第１の実施形態の変形例であるＴＦＴ基板２０２の断面図である。この図の切断面は図３と同様である。図５では、図３と同様の箇所には同一符合を付している。以下では、図３の例との異なる点を中心に説明する。ＴＦＴ基板２０２について説明のない事項は図３の例と同じである。

ＴＦＴ基板２０２は、有機層１０よりも上側に、上部導電層１２及び保護層２１４を有している。上部導電層１２は、図３の例とは異なり、電極接続部１２ａを有していない。すなわち、上部導電層１２は凹部８ｘの側面８ｂに沿って形成されている部分を有していない。一方、保護層２１４は凹部８ｘの内側に形成される部分２１４ａを有している（以下において、部分２１４ａを接続部２１４ａと称する）。接続部２１４ａは凹部８ｘの内側に対応した形状を有している。すなわち、接続部２１４ａの幅は、その下部から上部に向かって小さくなっている。これにより、保護層２１４がバンク８ａから外れにくくなる。その結果、上部導電層１２の有機層１０からの剥がれを抑えることができる。図５の例では、上部導電層１２は、凹部８ｘの底部に配置される部分１２ｂを有している。この部分１２ｂは、有機層１０の凹部８ｘの内側に配置される部分１０ａに重なっている。

図５に示すように、保護層２１４の接続部２１４ａは凹部８ｘの内側の側面８ｂに接しても良い。このような構造においては、バンク層８と保護層２１４の双方が無機材料によって形成されてもよい。こうすることにより、保護層２１４の接続部２１４ａとバンク８ａの凹部８ｘの側面８ｂとの密着性を確保できる。より好ましくは、保護層２１４とバンク層８は同じ材料を含んでもよい。こうすることにより、密着性をさらに増すことができる。一例では、保護層２１４は凹部８ｘの側面８ｂに接する部分にＳｉＮを有し、バンク８ａの側面８ｂを形成する部分もＳｉＮで形成される。

図５の例では、上部導電層１２が凹部８ｘの内面に沿って形成されていない。そのため、隣接する２つの画素ＰＸのうち一方の画素ＰＸの上部導電層１２と他方の画素ＰＸの上部導電層１２は、凹部８ｘにおいて切断されている。仮に一連の凹部８ｘ（途中に破断部を有していない凹部８ｘ）が１つの画素を取り囲む場合、その画素についての上部導電層１２はその画素の周りから電気的に独立してしまう。そこで、図５の例では、隣接する２つの画素ＰＸの間の少なくとも一部には凹部８ｘが形成されていない。換言すると、図５の例では、１つ又は複数の画素ＰＸが一連の凹部８ｘによって完全には取り囲まれていない。こうすることで、周りから電気的に独立した部分が上部導電層１２に形成されることを防ぐことができる。

図６は凹部８ｘが形成される位置の例を示す平面図である。図６（ａ）の例では、間隔を空けて並んでいる複数の凹部８ｘによって、複数の単位配列Ｐが囲まれている（図６（ａ）の例では３つの単位配列Ｐが複数の凹部８ｘによって取り囲まれている）。したがって、一連の凹部８ｘによって取り囲まれる画素ＰＸが発生していない。図６（ｂ）の例では、直交する２方向に伸びている２つの凹部８ｘが、単位配列Ｐの角に形成されている。この例においても、一連の凹部８ｘによって取り囲まれる画素ＰＸは発生していない。凹部８ｘの平面形状は、図６に示したものに限られず、適宜変更されてよい。

ＴＦＴ基板２０２の製造方法について説明する。図７はＴＦＴ基板２０２の製造方法の一例を示す図である。ここで説明する例では、図４Ａ（ａ）から図４Ｃ（ｇ）の工程は、ＴＦＴ基板２０２の製造においても採用される。

図４Ｃ（ｇ）に示すようにバンク層８上に発光層を含む有機層１０を形成した後、図７（ａ）に示すように、上部導電層１２を有機層１０上に形成する。図５の例の上部導電層１２は蒸着法によって形成される。上述したように、蒸着材料（分子）は蒸着源から直線的に飛びやすい。そのため、上部導電層１２の材料は凹部８ｘの入り口から側面８ｂに回り込みにくい。その結果、上部導電層１２は凹部８ｘの側面８ｂには付着し難い。図５の例の上部導電層１２の材料は、例えばＡｌや、Ａｇ、Ｍｇなどの金属である。蒸着法により上部導電層１２を形成する場合、その材料は図７（ａ）に示すように凹部８ｘの底部（詳細には、有機層１０の部分１０ａ）に付着し、上述の部分１２ｂ（図５参照）を形成する。

次に、図７（ｂ）に示すように、上部導電層１２及び有機層１０を覆うように保護層２１４を形成する。保護層２１４は、その材料が凹部８ｘの入り口から側面８ｂに回り込む方法によって形成される。その結果、バンク８ａの凹部８ｘの内側に形成される接続部２１４ａが得られる。このような材料の回り込みを実現する方法としては、例えばスパッタ法や、ＣＶＤ法、塗布法などがある。保護層２１４の材料の回り込みが実現される方法であれば、他の方法が利用されてもよい。

以上説明したように、バンク８ａには上方に向かって幅が徐々に小さくなる形状の凹部８ｘが形成されている。ＴＦＴ基板２、２０２は、有機層１０上の上部電極として機能する導電層１２を含み、有機層１０の上側に形成されている少なくとも１つの層（上の説明では、上部導電層１２及び保護層１４、２１４）を備えている。そして、この少なくとも１つの層は、バンク８ａの凹部８ｘの内側に形成され凹部８ｘに対応した形状を有している部分を含んでいる。そのため、この少なくとも１つの層がバンク８ａから外れにくくなり、上部導電層１２の有機層１０からの剥がれを防止できる。

図８は本発明の第２の実施形態に係るＴＦＴ基板３０２の断面図である。この図の切断面は図３と同様である。図８では、図３と同様の箇所には同一符合を付している。以下では、図３の例との異なる点を中心に説明する。ＴＦＴ基板３０２について説明のない事項は図３の例と同じである。

ＴＦＴ基板３０２は、バンク層３０８を有している。バンク層３０８は、上述のバンク８ａに替えて、バンク３０８ａを有している。バンク３０８ａには上述の凹部８ｘは形成されていない。ＴＦＴ基板３０２は、発光層を含んでいる有機層３１０、及び上部導電層３１２を有している。上部導電層３１２と有機層３１０は保護層３１４によって覆われている。保護層３１４は接続部３１４ａを有している。接続部３１４ａは有機層３１０におけるバンク３０８の上面に位置する部分を貫通し、バンク３０８に接続している。ＴＦＴ基板３０２の有機層３１０と上部導電層３１２は、バンク３０８ａの上側に開口Ａ３を有し、バンク３０８ａの上面は開口Ａ３において露出している。保護層３１４の接続部３１４ａは開口Ａ３を通してバンク３０８ａに接している。開口Ａ３を有する有機層１０及び上部導電層１２はマスクを利用して形成できる。

ＴＦＴ基板３０２においては、保護層３１４とバンク層３０８の双方は無機材料によって形成される。こうすることにより、保護層３１４の接続部３１４ａとバンク３０８ａとの密着性を確保できる。その結果、上部導電層３１２の有機層３１０からの剥がれを抑えることができる。

一例では、保護層３１４とバンク層３０８は、それらが接する面に同じ材料を含む。例えば、保護層３１４とバンク層３０８は、それらが接する面にＳｉＮ或いはＳｉＯを含む。これにより、保護層３１４とバンク３０８ａとの密着性を向上できる。

図８の形態では、上部導電層３１２には開口Ａ３が形成されているので、隣接する２つの画素ＰＸのうち一方の画素ＰＸの上部導電層３１２と他方の画素ＰＸの上部導電層３１２は、開口Ａ３において切断されている。仮に一連の開口Ａ３（途中に破断部を有していない開口Ａ３）が１つの画素ＰＸを取り囲む場合、その画素の上部導電層１２は周りの部分から電気的に独立してしまう。そこで、ＴＦＴ基板３０２においては、図６で示した凹部８ｘと同様に、隣接する２つの画素ＰＸの間の少なくとも一部には、開口Ａ３が形成されていない。換言すると、１つ又は複数の画素ＰＸは一連の開口Ａ３によって取り囲まれていない。

なお、本発明は以上説明した実施形態に限られず、種々の変更がなされてよい。例えば、上述したように、バンク８ａの凹部８ｘの内側には、上部導電層１２の電極接続部１２ａ及び保護層１４、２１４の保護接続部１４ａ、２１４ａとともに、充填材が入り込んでもよい。

また、バンク８ａは必ずしも２種類の材料によって形成されなくてもよい。

１ 有機ＥＬ表示装置、２，２０２ ＴＦＴ基板、３ 回路層、４ 平坦化膜、６ 下部電極、８ バンク層、８ａ バンク、８ｂ 凹部の内側の側面、８ｃ バンクの側面、８ｘ 凹部、１０ 有機層、１２ 上部導電層、１２ａ 接続部、１４，２１４ 保護層、１４ａ，２１４ａ 接続部、Ａ１ バンク開口、１０８Ａ バンク層の第１の材料、１０８Ｂ バンク層の第２の材料、１０９Ａ，１０９Ｂ 露光マスク、３０２ ＴＦＴ基板、３０８ バンク層、３０８ａ バンク、３１０ 有機層、３１２ 上部導電層、３１４ 保護層、Ｆ 接続部。

Claims (13)

1. 隣接する２つの画素と、
   前記隣接する２つの画素を互いに区画しているバンクを有しているバンク層と、
   発光層を含み、前記バンク層上に形成され、前記バンクの上面に位置している部分を有している有機層と、
   前記有機層上の上部電極として機能する導電層を含む、前記有機層の上側に形成されている少なくとも１つの層と、を備え、
   前記少なくとも１つの層は、前記有機層の前記バンクの上面に位置している前記部分を貫通し前記バンクに接続する接続部を有している
   ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
2. 請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置において、
   前記バンクには、上方に向かって開口する形状を有している凹部であって、その下部から上部に向かって内側の幅が徐々に狭くなっている凹部が形成され、
   前記接続部は前記凹部の内側に形成され前記凹部に対応した形状を有している
   ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
3. 請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置において、
   前記少なくとも１つの層は、前記上部電極として機能する前記導電層と、前記有機層と前記導電層とを覆っている保護層とを含み、
   前記導電層と前記保護層の少なくとも一方が前記接続部を有している
   ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
4. 請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置において、
   前記少なくとも１つの層は前記導電層であり、
   前記導電層は、前記凹部の内側に形成され前記凹部の内側の側面に接している部分を、前記接続部として有している
   ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
5. 請求項３に記載の有機ＥＬ表示装置において、
   前記少なくとも１つの層は前記保護層であり、
   前記保護層は前記凹部の内側に形成され、前記凹部の内側の側面に接している部分を前記接続部として有している
   ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
6. 請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置において、
   前記バンク層は、前記隣接する２つの画素のそれぞれに、前記バンクによって囲まれている開口を有し、
   前記バンクの前記凹部が形成されている部分と前記バンクの前記開口に面している部分は互いに異なる材料によって形成されている
   ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
7. 請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置において、
   前記バンク層の前記凹部が形成されている部分は、露光された部分を除去できるポジ型の感光性材料によって形成されている
   ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
8. 請求項７に記載の有機ＥＬ表示装置において、
   前記バンク層は、前記隣接する２つの画素のそれぞれに、前記バンクによって囲まれている開口を有し、
   前記バンクの前記開口に面している部分は、露光により硬化するネガ型の感光性材料によって形成されている
   ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
9. 請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置において、
   前記少なくとも１つの層はスパッタ法、ＣＶＤ法又は塗布法によって形成されている
   ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
10. 請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置において、
    前記少なくとも１つの層は無機材料によって形成され、
    前記バンク層も無機材料によって形成されている
    ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
11. 請求項１０に記載の有機ＥＬ表示装置において
    前記少なくとも１つの層と前記バンク層は同じ材料を含んでいる
    ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
12. 請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置において、
    前記少なくとも１つの層は、前記上部電極として機能する前記導電層と、前記有機層と前記導電層とを覆っている保護層とを含み、
    前記有機層と前記導電層とには、前記バンクの一部を露出させる開口が形成され、
    前記保護層は、前記接続部として、前記開口を通して前記バンクに接する部分を有し、
    前記保護層と前記バンク層は無機材料で形成されている
    ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
13. 請求項１２に記載の有機ＥＬ表示装置において、
    前記保護層と前記バンク層は同じ材料を含んでいる
    ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。

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