KR102075524B1 - 유기 발광 소자 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 측면에 따라 제1 발광 영역, 제2 발광 영역 및 제3 발광 영역을 포함하고, 기판; 상기 기판 위의 제1 전극층; 상기 제1 전극층 위의 정공 주입층; 상기 정공 주입층 위의 공통 발광층; 상기 공통 발광층 위의 상기 제1 발광 영역 내의 제1 공진 보조층 및 상기 공통 발광층 위의 상기 제2 발광 영역 내의 제2 공진 보조층; 상기 제1 공진 보조층 위의 제1 호스트로 이루어진 제1 버퍼층 및 상기 제2 공진 보조층 위의 제2 호스트로 이루어진 제2 버퍼층; 상기 제1 버퍼층 위의 제3 호스트와 제1 도펀트를 포함하는 제1 발광층 및 상기 제2 버퍼층 위의 제4 호스트와 제2 도펀트를 포함하는 제2 발광층; 상기 제1 발광층, 상기 제2 발광층 및 상기 공통 발광층 위의 전자 수송층; 및 상기 전자 수송층 위의 제2 전극층; 을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.

Description

유기 발광 소자{Organic light emitting device}
본 발명은 유기 발광 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 버퍼층을 포함하는 유기 발광 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
유기 발광 소자는 전압을 걸면 자체가 발광하는 물질을 이용한 소자로서 고휘도, 우수한 콘트라스트, 다색화, 대시야각, 고응답속도 및 저구동전압의 장점을 갖는다.
유기 발광 소자는 유기 발광층이 애노드(anode)와 캐소드(cathode) 사이에 개재된 구조를 하고 있다. 전압을 인가하면 애노드로부터 정공이, 캐소드로부터 전자가 유기 발광층으로 주입된다. 주입된 정공과 전자들은 유기 발광층 내에서 인접한 분자 사이에서 전자 교환을 일으키며 반대 전극으로 이동하여 간다. 그리고 어떤 분자에서 전자와 정공이 재결합한 경우 높은 에너지의 여기 상태(excited state)를 갖는 분자 여기자(exiton)를 형성한다. 분자 여기자가 낮은 에너지의 바닥 상태(ground state)로 돌아오면서 재료 고유의 빛을 방출한다.
유기 발광 소자는 다수의 화소로 구성되며, 각각의 화소들은 적색 발광 영역, 녹색 발광 영역, 청색 발광 영역으로 이루어질 수 있다. 이때 청색 발광층을 공통층으로 형성함으로써 패터닝 공정을 단순화할 수 있다. 그런데 공통 발광층을 적용한 경우에 그렇지 않은 경우보다 높은 휘도에서 효율이 감소하는 롤 오프(roll off)하는 경향이 나타난다.
공통 발광층을 사용하는 경우 롤 오프 현상 없이 효율이 향상된 유기 발광 소자를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 측면에 따라 제1 발광 영역, 제2 발광 영역 및 제3 발광 영역을 포함하고, 기판; 상기 기판 위의 제1 전극층; 상기 제1 전극층 위의 정공 주입층; 상기 정공 주입층 위의 공통 발광층; 상기 공통 발광층 위의 상기 제1 발광 영역 내의 제1 공진 보조층 및 상기 공통 발광층 위의 상기 제2 발광 영역 내의 제2 공진 보조층; 상기 제1 공진 보조층 위의 제1 호스트로 이루어진 제1 버퍼층 및 상기 제2 공진 보조층 위의 제2 호스트로 이루어진 제2 버퍼층; 상기 제1 버퍼층 위의 제3 호스트와 제1 도펀트를 포함하는 제1 발광층 및 상기 제2 버퍼층 위의 제4 호스트와 제2 도펀트를 포함하는 제2 발광층; 상기 제1 발광층, 상기 제2 발광층 및 상기 공통 발광층 위의 전자 수송층; 및 상기 전자 수송층 위의 제2 전극층; 을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.
상기 제1 공진 보조층 및 상기 제2 공진 보조층은 정공 수송 물질로 이루어질 수 있다.
상기 제1 공진 보조층의 두께는 상기 제1 발광 영역의 공진 거리에 따라 정해질 수 있고, 상기 제2 공진 보조층의 두께는 상기 제2 발광 영역의 공진 거리에 따라 정해질 수 있다.
상기 제1 버퍼층의 상기 제1 호스트는 상기 제1 발광층의 상기 제3 호스트와 동일할 수 있다. 상기 제2 버퍼층의 상기 제2 호스트는 상기 제2 발광층의 상기 제4 호스트와 동일할 수 있다.
상기 제1 발광층 위의 제5 호스트로 이루어진 제3 버퍼층 및 상기 제2 발광층 위의 제6 호스트로 이루어진 제4 버퍼층을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 호스트 내지 상기 제4 호스트, 또는 제6 항의 상기 제1 호스트 내지 상기 제6 호스트는 Alq3, CBP, PVK, ADN, TCTA, TPBI, TBADN, E3, DSA 또는 이들의 2 이상의 혼합물로 이루어질 수 있다.
상기 제1 버퍼층의 상기 제1 호스트 및 상기 제2 버퍼층의 상기 제2 호스트는 정공 수송성일 수 있다. 상기 제3 버퍼층의 상기 제5 호스트 및 상기 제4 버퍼층의 상기 제6 호스트는 전자 수송성일 수 있다.
상기 공통 발광층은 청색 발광층이고, 상기 제1 발광층은 적색 발광층이고, 상기 제2 발광층은 녹색 발광층일 수 있다.
제1 항에 있어서, 상기 전자 수송층과 상기 제2 전극층 사이의 전자 주입층을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 일 측면에 따라 제1 발광 영역, 제2 발광 영역 및 제3 발광 영역을 포함하고, 기판; 상기 기판 위의 제1 전극층; 상기 제1 전극층 위의 정공 주입층; 상기 정공 주입층 위의 상기 제1 발광 영역 내의 제1 공진 보조층 및 상기 공통 발광층 위의 상기 제2 발광 영역 내의 제2 공진 보조층; 상기 제1 공진 보조층 위의 제1 호스트로 이루어진 제1 버퍼층 및 상기 제2 공진 보조층 위의 제2 호스트로 이루어진 제2 버퍼층; 상기 제1 버퍼층 위의 제3 호스트와 제1 도펀트를 포함하는 제1 발광층 및 상기 제2 버퍼층 위의 제4 호스트와 제2 도펀트를 포함하는 제2 발광층 및 상기 정공 주입층 위의 상기 제3 발광 영역 내의 제5 호스트와 제3 도펀트를 포함하는 제3 발광층; 상기 제1 발광층, 상기 제2 발광층 및 상기 제3 발광층 위의 전자 수송층; 및 상기 전자 수송층 위의 제2 전극층; 을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.
상기 제1 발광층 위의 제6 호스트로 이루어진 제3 버퍼층 및 상기 제2 발광층 위의 제7 호스트로 이루어진 제4 버퍼층을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 버퍼층의 상기 제1 호스트 및 상기 제2 버퍼층의 상기 제2 호스트는 정공 수송성일 수 있다. 상기 제3 버퍼층의 상기 제6 호스트 및 상기 제4 버퍼층의 상기 제7 호스트는 전자 수송성일 수 있다.
상기 제1 호스트 내지 상기 제7 호스트는 Alq3, CBP, PVK, ADN, TCTA, TPBI, TBADN, E3, DSA 또는 이들의 2 이상의 혼합물로 이루어질 수 있다.
본 발명의 또 다른 일 측면에 따라 제1 발광 영역, 제2 발광 영역 및 제3 발광 영역을 포함하고, 기판; 상기 기판 위의 제1 전극층; 상기 제1 전극층 위의 정공 주입층; 상기 정공 주입층 위의 상기 제1 발광 영역 내의 제1 공진 보조층 및 상기 공통 발광층 위의 상기 제2 발광 영역 내의 제2 공진 보조층; 상기 제1 공진 보조층 위의 제1 호스트로 이루어진 제1 버퍼층 및 상기 제2 공진 보조층 위의 제2 호스트로 이루어진 제2 버퍼층; 상기 제1 버퍼층 위의 제3 호스트와 제1 도펀트를 포함하는 제1 발광층 및 상기 제2 버퍼층 위의 제4 호스트와 제2 도펀트를 포함하는 제2 발광층; 상기 제1 발광층, 상기 제2 발광층 및 상기 정공 주입층 위의 공통 발광층; 상기 공통 발광층 위의 전자 수송층; 및 상기 전자 수송층 위의 제2 전극층; 을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.
상기 제1 버퍼층의 상기 제1 호스트는 상기 제1 발광층의 상기 제3 호스트와 동일할 수 있다.
상기 제2 버퍼층의 상기 제2 호스트는 상기 제2 발광층의 상기 제4 호스트와 동일할 수 있다.
상기 제1 호스트 내지 상기 제4 호스트는 Alq3, CBP, PVK, ADN, TCTA, TPBI, TBADN, E3, DSA 또는 이들의 2 이상의 혼합물로 이루어질 수 있다.
정공 수송층과 발광층 사이에 또는 발광층과 전자 수송층 사이에 호스트로 이루어진 버퍼층을 적용함으로써 롤 오프 현상을 개선하여 효율을 향상시킬 수 있다.
도 1은 일 구현예에 따른 유기 발광 소자의 개략적인 단면도이다.
도 2는 다른 일 구현예에 따른 유기 발광 소자의 개략적인 단면도이다.
도 3은 또 다른 일 구현예에 따른 유기 발광 소자의 개략적인 단면도이다.
도 4는 또 다른 일 구현예에 따른 유기 발광 소자의 개략적인 단면도이다.
도 5는 또 다른 일 구현예에 따른 유기 발광 소자의 개략적인 단면도이다.
도 6은 실시예 1, 2 및 비교예 1의 유기 발광 소자의 광도 효율 대 휘도를 나타낸 그래프이다.
도 7은 실시예 3 내지 실시예 5 및 비교예 2의 유기 발광 소자의 광도 효율 대 휘도를 나타낸 그래프이다.
이하에서 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 도면들에 있어서, 층 및 영역들의 두께는 명확성을 기하여 위하여 과장된 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
본 명세서에서 정공 수송성 호스트란 정공 수송 능력이 전자 수송 능력보다 더 높은 호스트를 의미한다.
본 명세서에서 전자 수송성 호스트란 전자 수송 능력이 정공 수송 능력보다 더 높은 호스트를 의미한다.
본 명세서에서 롤 오프 현상이란 휘도가 증가함에 따라 효율이 급감하는 현상을 의미한다.
도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른 유기 발광 소자(100)의 개략적인 단면도이다. 유기 발광 소자(100)는 적색 발광 영역(R), 녹색 발광 영역(G) 및 청색 발광 영역(B)의 부화소(sub-pixel) 영역을 포함하고 있다.
유기 발광 소자(100)는 기판(101), 애노드(111), 정공 주입층(121), 공통 발광층(123), 제1 공진 보조층(124R) 및 제2 공진 보조층(124G), 제1 버퍼층(125R) 및 제2 버퍼층(125G), 적색 발광층(126R) 및 녹색 발광층(126G), 전자 수송층(128), 전자 주입층(129) 및 캐소드(131)을 포함한다.
기판(101)은 통상적인 유기 발광 소자에서 사용되는 기판을 사용할 수 있다. 기판(101)은 기계적 강도, 열적 안정성, 투명성, 표면 평활성, 취급 용이성 및 방수성이 우수한 유리 기판 또는 투명 플라스틱 기판로 형성될 수 있으며, 한편, 실리콘, 스텐리스 스틸과 같은 불투명한 물질로 형성될 수도 있다.
기판(101) 위에 애노드(111)가 절연막(112)에 의하여 부화소 영역 별로 분리되어 있다. 애노드(111)는 상대적으로 일함수가 높은 물질로 이루어질 수 있다. 애노드(111)는 예를 들면, ITO(인듐 주석 산화물), IZO(인듐 아연 산화물), ZnO(아연 산화물), AZO(Al 도핑된 아연 산화물), In2O3(인듐 산화물) 또는 SnO2(주석 산화물)과 같은 투명한 도전성 산화물로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 애노드(111)는 증착법 또는 스퍼터링법 등을 통하여 형성할 수 있다.
정공 주입층(121)이 애노드(111) 및 절연막(112) 위로 형성되어 있다. 정공 주입층(121)은 예를 들면, 구리프탈로시아닌 등의 프탈로시아닌 화합물, DNTPD (N,N'-diphenyl-N,N'-bis-[4-(phenyl-m-tolyl-amino)-phenyl]-biphenyl-4,4'-diamine, N,N'-디페닐-N,N'-비스-[4-(페닐-m-톨일-아미노)-페닐]-비페닐-4,4'-디아민), m-MTDATA(4,4',4"-tris(3-methylphenylphenylamino) triphenylamine, 4,4',4"-트리스(3-메틸페닐페닐아미노)트리페닐아민), TDATA(4,4'4"-Tris(N,N-diphenylamino)triphenylamine, 4,4',4"-트리스(N,N'-디페닐아미노)트리페닐아민), 2T-NATA(4,4',4"-tris{N,-(2-naphthyl)-N-phenylamino}-triphenylamine, 4,4',4"-트리스{N,-(2-나프틸)-N-페닐아미노}-트리페닐아민), NPB(N,N'-di(-naphthyl)-N,N'-diphenylbenzidine, N,N'-디(-나프틸)-N,N'-디페닐벤지딘), PEDOT/PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate), 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(4-스티렌술포네이트)), Pani/DBSA(Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid, 폴리아닐린/도데실벤젠술폰산), Pani/CSA(Polyaniline/Camphor sulfonicacid, 폴리아닐린/캠퍼술폰산) 또는 PANI/PSS (Polyaniline)/Poly(4-styrenesulfonate) 또는 폴리아닐린/폴리(4-스티렌술포네이트)) 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
정공 주입층(121)은 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 형성될 수 있다.
진공 증착법에 의하여 정공 주입층(121)을 형성하는 경우, 그 증착 조건은 정공 주입층(121)의 재료로 사용하는 화합물, 목적으로 하는 정공 주입층(121)의 특성 등에 따라 다르지만, 예를 들면, 증착온도 100℃ 내지 500℃, 진공도 10-8 Torr 내지 10-3 Torr, 증착 속도 0.01Å/sec 내지 100Å/sec의 범위에서 적절히 선택될 수 있다.
스핀 코팅법에 의하여 정공 주입층(121)을 형성하는 경우, 그 코팅 조건은 정공 주입층(121)의 재료로서 사용하는 화합물, 목적하는 하는 정공 주입층(121)의 특성 등에 따라 다르지만, 예를 들면, 약 2,000rpm 내지 5,000rpm의 코팅 속도, 코팅 후 용매 제거를 위한 열처리 온도는 약 80℃ 내지 200℃의 온도 범위에서 적절히 선택될 수 있다.
상기 정공 주입층(121)의 두께는 약 100Å 에서 10,000Å, 바람직하게는 100Å 내지 1,000Å일 수 있다. 상기 정공 주입층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우 실질적인 구동 전압의 저하없이 만족스러운 정도의 정공 주입 특성을 얻을 수 있다.
상기 정공 주입층(121)은 막의 도전성 등을 향상시키기 위하여 전하 생성 물질을 더 포함할 수 있다. 상기 전하 생성 물질은 예를 들어, p-도펀트일 수 있다. 상기 p-도펀트의 비제한적인 예로는, 테트라시아노퀴논디메테인(TCNQ) 및 2,3,5,6-테트라플루오로-테트라시아노-1,4-벤조퀴논디메테인(F4TCNQ) 등과 같은 퀴논 유도체, 페릴렌-3,4,9,10-테트라카르복실-3,4,9,10-디안하아드라이드(PTCDA), 텅스텐 산화물 및 몰리브덴 산화물 등과 같은 금속 산화물 및 시아노기-함유 화합물 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
청색 공통 발광층(123)이 정공 주입층(121) 위의 적색 발광 영역(R), 녹색 발광 영역(G) 및 청색 발광 영역(B)에 공통층으로서 형성되어 있다. 청색 공통 발광층(123)은 청색 호스트 및 청색 도펀트를 포함할 수 있다.
청색 호스트로서 예를 들면, Alq3, CBP(4,4'-N,N'-dicabazole-biphenyl, 4,4'-N,N'-디카바졸-비페닐), PVK(poly(n-vinylcabazole), 폴리(n-비닐카바졸)), ADN(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene, 9,10-디(나프탈렌-2-일)안트라센), TCTA, TPBI(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene, 1,3,5-트리스(N-페닐벤즈이미다졸-2-일)벤젠), TBADN(3-tert-butyl-9,10-di(naphth-2-yl) anthracene, 3-터트-부틸-9,10-디(나프트-2-일) 안트라센), E3, DSA(distyrylarylene, 디스티릴아릴렌) 또는 이들의 2 이상의 혼합물을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
청색 도펀트로서 F2Irpic, (F2ppy)2Ir(tmd), Ir(dfppz)3, ter-fluorene(터-플루오렌), DPAVBi(4,4'-bis(4-diphenylaminostyryl)biphenyl, 4,4'-비스(4-디페닐아미노스타릴)비페닐), TBPe(2,5,8,11-tetra-t-butylperylene, 2,5,8,11-테트라-티-부틸 페릴렌) 등을 포함하는 화합물들을 이용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
청색 공통 발광층(123)은 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 방법을 이용하여 형성할 수 있다. 진공증착법 및 스핀코팅법에 의해 발광층을 형성하는 경우, 그 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택될 수 있다. 한편, 호스트 및 도펀트를 포함하는 층을 형성하기 위하여 공증착(codeposition) 방법을 사용할 수 있다.
청색 공통 발광층(123)의 두께는 약 100Å 내지 약 1,000Å일 수 있다. 청색 공통 발광층(123)의 청색 도펀트의 함량은 통상적으로 발광층의 중량에 대하여 약 0.01 중량 % 내지 약 15 중량 %의 범위에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제1 공진 보조층(124R)이 청색 공통 발광층(123) 위의 적색 발광 영역(R)에 형성되어 있고, 제2 공진 보조층(124G)이 청색 공통 발광층(123) 위의 녹색 발광 영역(G)에 형성되어 있다.
제1 공진 보조층(124R)과 제2 공진 보조층(124G)은 정공 수송층의 역할을 할 수 있으며, 정공 수송 물질로 이루어질 수 있다. 제1 공진 보조층(124R)과 제2 공진 보조층(124G)은 서로 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 제1 공진 보조층(124R)과 제2 공진 보조층(124G)에 사용될 수 있는 정공 수송 물질은 예를 들어, N-페닐카바졸, 폴리비닐카바졸 등의 카바졸 유도체, TPD(N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenyl-[1,1-biphenyl]-4,4'-diamine, N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-디페닐-[1,1-비페닐]-4,4'-디아민) 등과 같은 트리페닐아민계 물질, NPB(N,N'-di(1-naphthyl)-N,N'-diphenylbenzidine, N,N'-디(1-나프틸)-N,N'-디페닐벤지딘), TCTA(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine, 4,4',4"-트리스(N-카바졸일)트리페닐아민) 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제1 공진 보조층(124R)과 제2 공진 보조층(124G)은 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 방법을 이용하여 형성될 수 있다.
제1 공진 보조층(124R)의 두께는 약 30Å 내지 약 700Å, 예를 들어 약 50Å 내지 약 200Å일 수 있다. 제2 공진 보조층(124G)의 두께는 약 30Å 내지 약 300Å, 예를 들어 약 50Å 내지 약 100Å일 수 있다. 제1 공진 보조층(124R)과 제2 공진 보조층(124G)은 적색 발광과 녹색 발광의 공진 거리 및 전자와 정공이 재결합하는 영역을 조절하기 위하여 각각 적절한 두께를 갖도록 형성될 수 있다. 이때 제1 공진 보조층(124R)의 두께가 제2 공진 보조층(124G)의 두께보다 두껍게 형성될 수 있다.
제1 버퍼층(125R)이 제1 공진 보조층(124R) 위에 형성되어 있고, 제2 버퍼층(125G)이 제2 공진 보조층(124G) 위에 형성되어 있다.
제1 버퍼층(125R)은 적색 발광층에 사용될 수 있는 호스트 물질로 이루어질 수 있다. 마찬가지로 제2 버퍼층(125G)은 녹색 발광층에 사용될 수 있는 호스트 물질로 이루어질 수 있다. 상기 호스트 물질들은 정공 수송성 호스트, 전자 수송성 호스트 또는 이들의 혼합물을 사용할 수 있다. 제1 버퍼층(125R) 및 제2 버퍼층(125G)에 사용될 수 있는 호스트 물질은 청색 호스트와 마찬가지로 Alq3, CBP, PVK, ADN, TCTA, TPBI, TBADN, E3, DSA 또는 이들의 2 이상의 혼합물을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제1 버퍼층(125R) 및 제2 버퍼층(125G)은 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 방법을 이용하여 형성할 수 있다. 제1 버퍼층(125R) 및 제2 버퍼층(125G)의 두께는 각각 약 30Å 내지 약 600Å일 수 있다.
제1 버퍼층(125R) 및 제2 버퍼층(125G)은 정공 전달의 에너지 장벽을 낮출 수 있다. 또한, 제1 버퍼층(125R) 및 제2 버퍼층(125G)은 각각 제1 공진 보조층(124R) 및 제2 공진 보조층(124G)보다 낮은 LUMO(lowest unoccupied molecular level) 레벨을 형성하여 발광에 기여하지 못한 전자가 흘러 나가지 않고 제1 공진 보조층(124R) 및 제2 공진 보조층(124G)에 막혀 발광에 기여하도록 할 수 있다. 이에 의하여 구동 전압을 낮추고, 고휘도에서 효율이 감소하는 현상을 방지할 수 있다.
적색 발광층(126R)이 제1 버퍼층(125R) 위에 형성되어 있다. 적색 발광층(126R)은 적색 호스트 및 적색 도펀트를 포함할 수 있다. 적색 호스트는 제1 버퍼층(125R)과 마찬가지로 Alq3, CBP, PVK, ADN, TCTA, TPBI, TBADN, E3, DSA 또는 이들의 2 이상의 혼합물을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 적색 호스트는 제1 버퍼층(125R)과 동일한 물질을 사용할 수도 있고, 다른 물질을 사용할 수도 있다.
적색 도펀트로서 PtOEP, Ir(piq)3, Btp2Ir(acac), Ir(piq)2(acac), Ir(2-phq)2(acac), Ir(2-phq)3, Ir(flq)2(acac), Ir(fliq)2(acac), DCM 또는 DCJTB 을 포함하는 화합물들을 이용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
녹색 발광층(126G)이 제2 버퍼층(125G) 위에 형성되어 있다. 녹색 발광층(126G)은 녹색 호스트 및 녹색 도펀트를 포함할 수 있다. 녹색 호스트는 제2 버퍼층(125G)과 마찬가지로 Alq3, CBP, PVK, ADN, TCTA, TPBI, TBADN, E3, DSA 또는 이들의 2 이상의 혼합물을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 녹색 호스트는 녹색 제2 버퍼층(125G)과 동일한 물질을 사용할 수도 있고, 다른 물질을 사용할 수도 있다.
녹색 도펀트로서 Ir(ppy)3 (tris(2-phenylpyridine) iridium, 트리스(2-페닐피리딘) 이리듐), Ir(ppy)2(acac) (Bis(2-phenylpyridine)(Acetylacetonato)iridium(III), 비스(2-페닐피리딘)(아세틸아세토) 이리듐(III)), Ir(mppy)3 (tris(2-(4-tolyl)phenylpiridine)iridium, 트리스(2-(4-톨일)페닐피리딘) 이리듐), C545T (10-(2-benzothiazolyl)-1,1,7,7-tetramethyl-2,3,6,7-tetrahydro-1H,5H,11H-[1]benzopyrano [6,7,8-ij]-quinolizin-11-one, 10-(2-벤조티아졸일)-1,1,7,7-테트라메틸-2,3,6,7,-테트라하이드로-1H,5H,11H-[1]벤조피라노 [6,7,8-ij]-퀴놀리진-11-온) 등을 이용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
적색 발광층(126R) 및 녹색 발광층(126G)은 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 방법을 이용하여 형성할 수 있다. 한편, 호스트 및 도펀트를 포함하는 적색 발광층(126R) 및 녹색 발광층(126G)을 형성하기 위하여 공증착 방법을 사용할 수 있다. 제1 버퍼층(125R)과 적색 발광층(126R)은 동일한 호스트를 사용하는 경우 동일한 챔버 내에서 형성할 수 있고, 제2 버퍼층(125G)과 녹색 발광층(126G)도 동일한 호스트를 사용하는 경우 동일한 챔버 내에서 형성할 수 있다. 적색 발광층(126R) 및 녹색 발광층(126G)의 두께는 각각 약 100Å 내지 약 1,000Å일 수 있다.
적색 발광층(126R) 및 녹색 발광층(126G)의 도펀트의 함량 및 청색 공통 발광층(123)의 청색 도펀트의 함량은 통상적으로 각 발광층의 중량에 대하여 약 0.01 중량 % 내지 약 15 중량 %의 범위에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
전자 수송층(128)이 청색 공통 발광층(123), 적색 발광층(126R) 및 녹색 발광층(126G) 위에 형성되어 있다. 전자 수송층(128)은 캐소드(131)로부터 주입된 전자를 발광층으로 수송하는 기능하는 층으로서, 예를 들면, Alq3, BCP(2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline, 2,9-디메틸-4,7-디페닐-1,10-페난트롤린), Bphen(4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline, 4,7-디페닐-1,10-페난트롤린), TAZ(3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole, 3-(4-비페닐릴)-4-페닐-5-터트-부틸페닐-1,2,4-트리아졸), NTAZ(4-(Naphthalen-1-yl)-3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazole, 4-(나프탈렌-1-일)-3,5-디페닐-4H-1,2,4-트리아졸), tBu-PBD(2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole, 2-(4-비페닐릴)-5-(4-tert-부틸페닐)-1,3,4-옥사디아졸), BAlq(Bis(2-methyl-8-quinolinolato-N1,O8)-(1,1'-Biphenyl-4-olato)aluminum, 비스(2-메틸-8-퀴놀리노라토-N1,O8)-(1,1'-비페닐-4-오라토)알루미늄), Bebq2(beryllium bis(benzoquinolin-10-olate, 베릴륨 비스(벤조퀴놀리-10-노에이트)), ADN(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthrascene, 9,10-디(나프탈렌-2-일)안트라센) 등과 같은 공지의 재료를 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 전자 수송층(128)은 진공증착법, 또는 스핀코팅법, 캐스트법 등을 이용하여 형성될 수 있다. 진공증착법 및 스핀코팅법에 의해 전자 수송층(128)을 형성하는 경우, 그 조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공 주입층(121)의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택될 수 있다.
상기 전자 수송층(128)의 두께는 약 100Å 내지 약 1,000Å, 예를 들어 약 150Å 내지 약 500Å일 수 있다. 상기 전자 수송층(128)의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압의 상승없이 만족스러운 정도의 전자 수송 특성을 얻을 수 있다.
또는 상기 전자 수송층(128)은 전자 수송성 유기 화합물 및 금속-함유 물질을 포함할 수 있다. 상기 금속-함유 물질은 Li 착체를 포함할 수 있다. 상기 Li 착체의 비제한적인 예로는 리튬 퀴놀레이트(LiQ) 또는 화학식 103 등을 들 수 있다,
Figure 112013024755157-pat00001
<화학식 103>
또한 전자 수송층(128) 상부에 캐소드(131)으로부터 전자의 주입을 용이하게 하는 기능을 갖는 전자 주입층(129)이 적층될 수 있다. 상기 전자 주입층(129)은 LiF, NaCl, CsF, Li2O, BaO 등과 같은 전자 주입층 재료로서 공지된 임의의 물질을 이용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 전자 주입층(129)의 증착 조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공 주입층(121)의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택될 수 있다.
상기 전자 주입층(129)의 두께는 약 1Å 내지 약 100Å, 약 3Å 내지 약 90Å일 수 있다. 상기 전자 주입층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압의 상승없이 만족스러운 정도의 전자 주입 특성을 얻을 수 있다.
선택적으로, 상기 전자 수송층(128) 및 전자 주입층(129)은 전자 수송 기능 및 전자 주입 기능을 동시에 갖는 기능층으로 대체될 수 있다.
전자 주입층(129) 위의 캐소드(131)는 낮은 일함수를 갖는 금속, 합금, 전기전도성 화합물 및 이들의 2 이상의 혼합물을 사용할 수 있다. 구체적인 예로서는 리튬(Li), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag)등을 박막으로 형성하여 투과형 전극을 얻을 수 있다. 한편, 전면 발광 소자를 얻기 위하여 ITO, IZO를 이용한 투과형 전극을 형성할 수 있는 등, 다양한 변형이 가능하다.
캐소드(131) 위에 광학적 특성을 향상시켜서 발광 효율을 극대화하기 위하여 캡핑층(미도시)을 형성할 수 있다. 캡핑층(미도시)은 예를 들면 금속 산화물층, 금속 질화물층 또는 금속 질산화물층으로 이루어질 수 있다. 캡핑층(미도시)은 예를 들면, MoOx(x=2~4), Al2O3, Sb2O3, BaO, CdO, CaO, Ce2O3, CoO, Cu2O, DyO, GdO, HfO2, La2O3, Li2O, MgO, NbO, NiO, Nd2O3, PdO, Sm2O3, ScO, SiO2, SrO, Ta2O3, TiO, WO3, VO2, YbO, Y2O3, ZnO, ZrO, AlN, BN, NbN, SiN, TaN, TiN, VN, YbN, ZrN, SiON, AlON 또는 이들의 혼합물로 이루어질 수 있다.
도 2는 본 발명의 다른 일 구현예에 따른 유기 발광 소자(200)의 개략적인 단면도이다. 도 2에 따른 유기 발광 소자(200)를 도 1의 유기 발광 소자(100)와의 차이점을 위주로 설명한다. 도 2의 유기 발광 소자(200)는 적색 발광층(126R) 및 녹색 발광층(126G) 위에 각각 제3 버퍼층(227R) 및 제4 버퍼층(227G)이 형성되어 있는 점에서 도 1의 유기 발광 소자(100)와 차이가 있다. 또한, 발광층(126R, 126G)의 호스트가 정공 수송성 호스트와 전자 수송성 호스트의 혼합물일 수 있다.
제3 버퍼층(227R) 및 제4 버퍼층(227G)은 제1 버퍼층(125R) 및 제2 버퍼층(125G)과 마찬가지로 각각 적색 발광층(126R)과 녹색 발광층(126G)에 사용될 수 있는 호스트 물질로 이루어질 수 있다. 한편, 제1 및 제2 버퍼층(125R, 125G)은 정공 수송 특성이 좋은 호스트 물질을 사용할 수 있고, 제3 및 제4 버퍼층(227R, 227G)은 전자 수송 특성이 좋은 호스트를 사용할 수 있다. 정공 수송 특성이 좋은 호스트는 정공의 주입을 포함하는 정공의 수송 능력이 전자의 수송 능력보다 큰 호스트를 의미하고, 전자 수송 특성이 좋은 호스트는 정자의 주입을 포함하는 전자의 수송 능력이 정공의 수송 능력보다 큰 호스트를 의미한다. 예를 들면, 제1 및 제2 버퍼층(125R, 125G)은 CBP, TCTA 또는 이들의 혼합물을 사용할 수 있고, 제3 및 제4 버퍼층(227R, 227G)은 BCP, BPhen, Balq, TAZ 또는 이들의 혼합물을 사용할 수 있다.
제3 버퍼층(227R) 및 제4 버퍼층(227G)으로서 전자 수송 특성이 좋은 발광 호스트 물질을 사용함으로써 전자 전달 에너지 장벽을 낮추고 정공 저지 특성을 강화시켜 발광층 내 엑시톤 형성을 풍부하게 하여 발광 효율을 극대화 할수 있다. 이에 의하여 발광 효율 및 롤 오프 특성을 개선할 수 있다. 또한, 제3 및 제4 버퍼층(227R, 227G)은 발광층과 전자 수송층의 계면의 특성을 향상시킴으로써 소자의 수명을 향상시킬 수 있고, 레이저 열 전사법으로 발광층을 형성할 경우에 열에 의한 발광층의 손상을 막을 수 있다.
선택적으로, 청색 발광 영역(B)에서 청색 공통 발광층(123) 위에 청색 호스트 물질로 이루어진 버퍼층(미도시)을 배치할 수도 있다.
도 3은 본 발명의 다른 일 구현예에 따른 유기 발광 소자(300)의 개략적인 단면도이다. 도 3에 따른 유기 발광 소자(300)를 도 1의 유기 발광 소자(100)와의 차이점을 위주로 설명한다. 도 3의 유기 발광 소자(300)는 청색 공통 발광층(123)을 사용하지 않고, 적색, 녹색 및 청색 발광층(326R, 326G, 326B)이 각각의 발광 영역에 형성되어 있는 점에서 도 1의 유기 발광 소자(100)와 차이가 있다.
공통 발광층을 사용하지 않는 경우에도 제1 버퍼층(125R) 및 제2 버퍼층(125G)을 사용함으로써 정공 전달 에너지 장벽을 낮추고 전자의 발광 기여도를 높여서 소자의 구동 전압을 낮추고, 롤 오프 현상을 감소시킬 수 있다.
선택적으로 청색 발광층(326B) 위에 전자 수송성의 청색 호스트 물질로 이루어진 제5 버퍼층(미도시)을 배치할 수도 있다. 예를 들어 제5 버퍼층은 ADN, DSA, BCP, BPhen, Balq 또는 TAZ 로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 4는 본 발명의 다른 일 구현예에 따른 유기 발광 소자(400)의 개략적인 단면도이다. 도 4에 따른 유기 발광 소자(400)를 도 1의 유기 발광 소자(100)와의 차이점을 위주로 설명한다. 도 4의 유기 발광 소자(400)는 공통 청색 발광층(123)을 사용하지 않고, 적색, 녹색 및 청색 발광층(326R, 326G, 326B)이 각각의 발광 영역에 형성되어 있는 점에서 도 1의 유기 발광 소자(100)와 차이가 있다. 또한, 유기 발광 소자(400)는 적색 발광층(326R) 및 녹색 발광층(326G) 위에 각각 제3 버퍼층(427R) 및 제4 버퍼층(427G)이 형성되어 있는 점에서 도 1의 유기 발광 소자(100)와 차이가 있다.
공통 발광층을 사용하지 않는 경우에도 제3 버퍼층(427R) 및 제4 버퍼층(427G)으로서 전자 수송 특성이 좋은 발광 호스트를 사용함으로써 전자 전달 에너지 장벽을 낮추고 정공 저지 특성을 강화시켜 발광층 내 엑시톤 형성을 풍부하게 하여 발광 효율을 극대화 할수 있다. 이에 의하여 발광 효율 및 롤 오프 특성을 개선할 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 일 구현예에 따른 유기 발광 소자(500)의 개략적인 단면도이다. 도 5에 따른 유기 발광 소자(500)를 도 1의 유기 발광 소자(100)와의 차이점을 위주로 설명한다. 도 5의 유기 발광 소자(500)는 청색 공통 발광층(526)이 정공 주입층(121)과 적색 발광층(126R) 및 녹색 발광층(126G) 사이에 있는 것이 아니라 적색 발광층(126R) 및 녹색 발광층(126G)과 전자 수송층(128) 사이에 형성되어 있는 점에서 도 1의 유기 발광 소자(100)와 차이가 있다. 청색 발광 호스트 물질은 대체로 전자 수송 특성이 우수하므로 청색 공통 발광층(526)이 적색 발광층(126R) 및 녹색 발광층(126G) 위에 형성되어 있음으로써 전자의 수송 특성을 향상시켜 구동 전압이 내려갈 수 있고, 제2 버퍼층을 필요로 하지 않을 수 있다.
상기 구현예들에서 공통 발광층으로서 청색 발광층이 사용된 경우를 설명하고 있으나, 선택적으로 공통 발광층으로서 적색 발광층 또는 녹색 발광층이 사용될 수도 있다. 예를 들면, 적색 발광층이 공통 발광층으로서 형성되고 녹색 발광층과 청색 발광층이 패터닝되어 있거나, 녹색 발광층이 공통 발광층으로서 형성되고 적색 발광층과 청색 발광층이 패터닝되어 있을 수 있다.
상기 구현예들에 사용된 유기층 이외에 정공 저지층(미도시) 또는 전자 저지층(미도시)이 더 개재되거나, 기판 위에 캐소드부터 적층될 수 있는 등 다양한 변형예가 가능함은 물론이다.
실시예 1
애노드로는 코닝사(Corning)의 15Ω/㎠ (500Å) ITO 유리 기판을 50㎜×50㎜×0.7㎜ 크기로 잘라 이소프로필 알코올과 순수를 이용하여 각각 5분간 초음파 세정한 후 30분간 자외선 오존 세정하여 사용하였다. 상기 ITO 유리 기판 상부에, MTDATA를 진공 증착하여 1,200Å 두께의 정공 주입층을 형성한 다음, 상기 정공 주입층 상부에 청색 호스트로서 TBADN 94 중량 % 및 청색 도펀트로서 DPAVBI 5 중량 % 를 사용하여 200Å 두께의 청색 공통 발광층을 형성하였다. 상기 청색 발광층 위에 NPB 를 진공 증착하여 100Å 두께의 공진 보조층을 형성한 다음, 상기 공진 보조층 위에 제1 버퍼층으로서 호스트 물질인 CBP 를 100Å 두께로 형성하였다. 제1 버퍼층 위에 녹색 호스트로서 CBP 95 중량 % 및 녹색 도펀트로서 Ir(ppy)3 5 중량 % 를 사용하여 400Å 두께의 녹색 발광층을 형성하였다. 상기 녹색 발광층 상부에 CBP 를 진공 증착하여 100Å 두께의 제2 버퍼층을 형성하였다. 제2 버퍼층 위에 Alq3 를 진공 증착하여 300Å 두께의 전자 수송층을 형성한 다음, LiQ 를 진공 증착하여 10Å 두께의 전자 주입층을 형성하였다. 전자 주입층 위에 Al을 진공 증착하여 1,200Å 두께의 캐소드를 형성함으로써 유기 발광 소자를 완성하였다.
실시예 2
공진 보조층을 NPB에서 p-doped NPB 로 변경한 점을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 완성하였다.
비교예 1
제1 버퍼층 및 제2 버퍼층을 형성하지 않은 점을 제외하고 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 완성하였다.
표 1에 실시예 1, 실시예 2 및 비교예 1의 유기 발광 소자의 구동 전압 및 발광 효율을 나타내었다. 표 1을 참조하면, 실시예 1과 실시예 2의 구동전압이 비교예 1 보다 낮고, 실시예 1과 실시예 2의 광도 효율이 비교예 1 보다 2배 정도 높음을 알 수 있다.
구동 전압(V) 광도 효율(Cd/A)
실시예 1 3.9 100.0
실시예 2 3.5 102.0
비교예 1 4.2 54.5
도 6은 실시예 1, 실시예 2 및 비교예 1의 유기 발광 소자의 광도 효율 대 휘도를 나타낸 그래프이다. 광도 효율(Cd/A)은 단위 전류당 방출되는 광의 세기를 측정한 것이다. 도 6을 참조하면, 실시예 1 및 실시예 2의 광도 효율은 비교예 1의 약 2배 정도의 값을 나타내었고, 휘도가 커짐에 따라서 실시예 1 및 실시예 2의 광도 효율이 감소하는 롤 오프 현상도 비교예 1 보다 훨씬 적었다.
실시예 3
녹색 발광층의 호스트 물질로서 CBP 와 BAlq 의 혼합 물질을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 완성하였다.
실시예 4
제1 버퍼층의 물질로서 실시예 3의 녹색 발광층의 혼합 호스트 물질을 사용한 것을 제외하고는 실시예 3과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 완성하였다.
실시예 5
공진보조층 물질로서 실시예 2의 공진보조층 물질을 사용한 것을 제외하고는 실시예 3과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 완성하였다.
비교예 2
녹색 발광층 물질을 CBP에서 CBP와 Balq의 혼합물질로 변경한 점을 제외하고, 비교예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 완성하였다.
표 2에 실시예 3 내지 실시예 5 및 비교예 2의 유기 발광 소자의 구동 전압 및 발광 효율을 나타내었다. 표 2를 참조하면, 실시예 3 내지 실시예 5의 구동 전압이 비교예 2 보다 낮고, 광도 효율이 비교예 2 보다 더 높음을 알 수 있다.
구동 전압(V) 광도 효율(Cd/A)
실시예 3 4.5 98.3
실시예 4 4.6 94.2
실시예 5 4.0 105.9
비교예 2 4.8 74.8
도 7은 실시예 3 내지 실시예 5 및 비교예 2의 유기 발광 소자의 광도 효율 대 휘도를 나타낸 그래프이다. 도 7을 참조하면, 실시예 3 내지 실시예 5의 광도 효율은 비교예 2보다 높은 값을 나타내었다. 한편, 실시예 5의 경우에 구동 전압이 가장 낮았고, 광도 효율은 가장 높았다.
101: 기판 111: 애노드
112: 절연층 121: 정공 주입층
123: 청색 공통 발광층 124R: 제1 공진 보조층
124G: 제2 공진 보조층 125R: 제1 버퍼층
125G: 제2 버퍼층 126R, 326R: 적색 발광층
126G, 326G: 녹색 발광층 227R, 427R: 제3 버퍼층
227G, 427G: 제4 버퍼층 128: 전자 수송층
129: 전자 주입층 131: 캐소드

Claims (20)

  1. 제1 발광 영역, 제2 발광 영역 및 제3 발광 영역을 포함하는 유기 발광 소자에 있어서,
    기판;
    상기 기판 위의 제1 전극층;
    상기 제1 전극층 위의 정공 주입층;
    상기 정공 주입층 바로 위의 공통 발광층;
    상기 공통 발광층 위의 상기 제1 발광 영역 내의 제1 공진 보조층 및 상기 공통 발광층 위의 상기 제2 발광 영역 내의 제2 공진 보조층;
    상기 제1 공진 보조층 위의 제1 호스트로 이루어진 제1 버퍼층 및 상기 제2 공진 보조층 위의 제2 호스트로 이루어진 제2 버퍼층;
    상기 제1 버퍼층 위의 제3 호스트와 제1 도펀트를 포함하는 제1 발광층 및 상기 제2 버퍼층 위의 제4 호스트와 제2 도펀트를 포함하는 제2 발광층;
    상기 제1 발광층, 상기 제2 발광층 및 상기 공통 발광층 위의 전자 수송층; 및
    상기 전자 수송층 위의 제2 전극층; 을 포함하고,
    상기 제1 공진 보조층 및 상기 제2 공진 보조층은 서로 분리되어 있고,
    상기 제1 버퍼층 및 상기 제2 버퍼층은 상기 전자 수송층에 의해 서로 분리되어 있고,
    상기 제1 발광층 및 상기 제2 발광층은 서로 분리되어 있고,
    상기 제1 버퍼층 및 상기 제1 공진 보조층은 상이한 유기 발광 소자.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 제1 공진 보조층 및 상기 제2 공진 보조층은 정공 수송성 물질로 이루어진 유기 발광 소자.
  3. 제1 항에 있어서, 상기 제1 버퍼층의 상기 제1 호스트는 상기 제1 발광층의 상기 제3 호스트와 동일한 유기 발광 소자.
  4. 제1 항에 있어서, 상기 제2 버퍼층의 상기 제2 호스트는 상기 제2 발광층의 상기 제4 호스트와 동일한 유기 발광 소자.
  5. 제1 항에 있어서, 상기 제1 발광층 위의 전자 수송성의 제5 호스트로 이루어진 제3 버퍼층 및 상기 제2 발광층 위의 전자 수송성의 제6 호스트로 이루어진 제4 버퍼층을 더 포함하는 유기 발광 소자.
  6. 제1 항에 있어서, 상기 제1 호스트 및 상기 제2 호스트는 정공 수송성 호스트인 유기 발광 소자.
  7. 제1 항에 있어서, 상기 제1 호스트 및 상기 제2 호스트는 각각 독립적으로 CBP, TCTA 또는 이들의 혼합물로 이루어진 유기 발광 소자.
  8. 제1 항에 있어서, 상기 제3 호스트 및 상기 제4 호스트는 각각 독립적으로 CBP, TCTA, BCP, BPhen, Balq, TAZ 또는 이들의 혼합물로 이루어진 유기 발광 소자.
  9. 제5 항에 있어서, 상기 제5 호스트 및 상기 제6 호스트는 각각 독립적으로 BCP, BPhen, Balq, TAZ 또는 이들의 혼합물로 이루어진 유기 발광 소자.
  10. 제1 항에 있어서, 상기 공통 발광층은 청색 발광층이고, 상기 제1 발광층은 적색 발광층이고, 상기 제2 발광층은 녹색 발광층인 유기 발광 소자.
  11. 제1 항에 있어서, 상기 전자 수송층과 상기 제2 전극층 사이의 전자 주입층을 더 포함하는 유기 발광 소자.
  12. 제1 발광 영역, 제2 발광 영역 및 제3 발광 영역을 포함하는 유기 발광 소자에 있어서,
    기판;
    상기 기판 위의 제1 전극층;
    상기 제1 전극층 위의 정공 주입층;
    상기 정공 주입층 바로 위의 상기 제1 발광 영역 내의 제1 공진 보조층 및 상기 정공 주입층 바로 위의 상기 제2 발광 영역 내의 제2 공진 보조층;
    상기 제1 공진 보조층 위의 정공 수송성의 제1 호스트로 이루어진 제1 버퍼층 및 상기 제2 공진 보조층 위의 정공 수송성의 제2 호스트로 이루어진 제2 버퍼층;
    상기 제1 버퍼층 위의 제3 호스트와 제1 도펀트를 포함하는 제1 발광층 및 상기 제2 버퍼층 위의 제4 호스트와 제2 도펀트를 포함하는 제2 발광층 및 상기 정공 주입층 위의 상기 제3 발광 영역 내의 제5 호스트와 제3 도펀트를 포함하는 제3 발광층;
    상기 제1 발광층, 상기 제2 발광층 및 상기 제3 발광층 위의 전자 수송층; 및
    상기 전자 수송층 위의 제2 전극층; 을 포함하고,
    상기 제1 공진 보조층 및 상기 제2 공진 보조층은 서로 분리되어 있고,
    상기 제1 버퍼층 및 상기 제2 버퍼층은 상기 전자 수송층에 의해 서로 분리되어 있고,
    상기 제1 발광층 및 상기 제2 발광층은 서로 분리되어 있고,
    상기 제1 버퍼층 및 상기 제1 공진 보조층은 상이한 유기 발광 소자.
  13. 제12 항에 있어서, 상기 제1 발광층 위의 전자 수송성의 제6 호스트로 이루어진 제3 버퍼층 및 상기 제2 발광층 위의 전자 수송성의 제7 호스트로 이루어진 제4 버퍼층을 더 포함하는 유기 발광 소자.
  14. 제12 항에 있어서, 상기 제1 호스트 및 상기 제2 호스트는 각각 독립적으로 CBP, TCTA 또는 이들의 혼합물로 이루어진 유기 발광 소자.
  15. 제12 항에 있어서, 상기 제3 호스트 내지 상기 제5 호스트는 각각 독립적으로 CBP, TCTA, BCP, BPhen, Balq, TAZ 또는 이들의 혼합물로 이루어진 유기 발광 소자.
  16. 제13 항에 있어서, 상기 제6 호스트 및 상기 제7 호스트는 각각 독립적으로 BCP, BPhen, Balq, TAZ 또는 이들의 혼합물로 이루어진 유기 발광 소자.
  17. 제1 발광 영역, 제2 발광 영역 및 제3 발광 영역을 포함하는 유기 발광 소자에 있어서,
    기판;
    상기 기판 위의 제1 전극층;
    상기 제1 전극층 위의 정공 주입층;
    상기 정공 주입층 바로 위의 상기 제1 발광 영역 내의 제1 공진 보조층 및 상기 정공 주입층 바로 위의 상기 제2 발광 영역 내의 제2 공진 보조층;
    상기 제1 공진 보조층 위의 제1 호스트로 이루어진 제1 버퍼층 및 상기 제2 공진 보조층 위의 제2 호스트로 이루어진 제2 버퍼층;
    상기 제1 버퍼층 위의 제3 호스트와 제1 도펀트를 포함하는 제1 발광층 및 상기 제2 버퍼층 위의 제4 호스트와 제2 도펀트를 포함하는 제2 발광층;
    상기 제1 발광층, 상기 제2 발광층 및 상기 정공 주입층 위의 공통 발광층;
    상기 공통 발광층 위의 전자 수송층; 및
    상기 전자 수송층 위의 제2 전극층; 을 포함하고,
    상기 제1 공진 보조층 및 상기 제2 공진 보조층은 서로 분리되어 있고,
    상기 제1 버퍼층 및 상기 제2 버퍼층은 상기 공통 발광층에 의해 서로 분리되어 있고,
    상기 제1 발광층 및 상기 제2 발광층은 서로 분리되어 있는 유기 발광 소자.
  18. 제17 항에 있어서, 상기 제1 버퍼층의 상기 제1 호스트는 상기 제1 발광층의 상기 제3 호스트와 동일하고, 상기 제2 버퍼층의 상기 제2 호스트는 상기 제2 발광층의 상기 제4 호스트와 동일한 유기 발광 소자.
  19. 제17 항에 있어서, 상기 제1 호스트 및 상기 제2 호스트는 각각 독립적으로 CBP, TCTA 또는 이들의 혼합물로 이루어진 유기 발광 소자.
  20. 제17 항에 있어서, 상기 제3 호스트 및 상기 제4 호스트는 각각 독립적으로 CBP, TCTA, BCP, BPhen, Balq, TAZ 또는 이들의 혼합물로 이루어진 유기 발광 소자.
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