KR20220096897A - 발광층을 포함하는 디스플레이 장치 - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 139
- 239000000872 buffer Substances 0.000 claims abstract description 77
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract description 52
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- BGXMTJUKHLHKPN-UHFFFAOYSA-N C1=CC=CC=2C1=C1NC3=CC=CC=C3C1=CC2.C2=CC=CC=1C2=C2NC3=CC=CC=C3C2=CC1 Chemical group C1=CC=CC=2C1=C1NC3=CC=CC=C3C1=CC2.C2=CC=CC=1C2=C2NC3=CC=CC=C3C2=CC1 BGXMTJUKHLHKPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 323
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 22
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 18
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 16
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 9
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 9
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 7
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 5
- CECAIMUJVYQLKA-UHFFFAOYSA-N iridium 1-phenylisoquinoline Chemical group [Ir].C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12.C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12.C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12 CECAIMUJVYQLKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- LPCWDYWZIWDTCV-UHFFFAOYSA-N 1-phenylisoquinoline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12 LPCWDYWZIWDTCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- ZSYMVHGRKPBJCQ-UHFFFAOYSA-N 1,1'-biphenyl;9h-carbazole Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1.C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 ZSYMVHGRKPBJCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYKQKWIPLZEVOW-UHFFFAOYSA-N 11h-benzo[a]carbazole Chemical compound C1=CC2=CC=CC=C2C2=C1C1=CC=CC=C1N2 MYKQKWIPLZEVOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRSBAUDUBWMTGL-UHFFFAOYSA-N 2-(1-benzothiophen-2-yl)pyridine Chemical compound S1C2=CC=CC=C2C=C1C1=CC=CC=N1 NRSBAUDUBWMTGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004556 carbazol-9-yl group Chemical group C1=CC=CC=2C3=CC=CC=C3N(C12)* 0.000 description 2
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- IWZZBBJTIUYDPZ-DVACKJPTSA-N (z)-4-hydroxypent-3-en-2-one;iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C\C(O)=C\C(C)=O.[C-]1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.[C-]1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 IWZZBBJTIUYDPZ-DVACKJPTSA-N 0.000 description 1
- QLPKTAFPRRIFQX-UHFFFAOYSA-N 2-thiophen-2-ylpyridine Chemical compound C1=CSC(C=2N=CC=CC=2)=C1 QLPKTAFPRRIFQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MILUBEOXRNEUHS-UHFFFAOYSA-N iridium(3+) Chemical compound [Ir+3] MILUBEOXRNEUHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 150000003220 pyrenes Chemical class 0.000 description 1
- JWVCLYRUEFBMGU-UHFFFAOYSA-N quinazoline Chemical compound N1=CN=CC2=CC=CC=C21 JWVCLYRUEFBMGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/80—Constructional details
- H10K30/865—Intermediate layers comprising a mixture of materials of the adjoining active layers
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- H01L51/5008—
-
- H01L51/0072—
-
- H01L51/5016—
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- H01L51/504—
-
- H01L51/5278—
-
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/12—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising dopants
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
- H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
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- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
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- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
- H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
- H10K50/131—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit with spacer layers between the electroluminescent layers
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- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/19—Tandem OLEDs
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- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
- H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
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- H10K2101/27—Combination of fluorescent and phosphorescent emission
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- Materials Engineering (AREA)
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
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Abstract
본 발명은 발광층을 포함하는 디스플레이 장치에 관한 것이다. 상기 발광층은 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 위치할 수 있다. 상기 발광층은 제 1 발광 스택 및 상기 제 1 발광 스택 상에 위치하는 제 2 발광 스택을 포함할 수 있다. 상기 제 1 발광 스택은 청색 발광 물질층을 포함할 수 있다. 상기 제 2 발광 스택은 순서대로 적층된 버퍼층, 제 1 인광 발광 물질층 및 제 2 인광 발광 물질층을 포함할 수 있다. 상기 제 1 인광 발광 물질층은 적색 도펀트를 포함할 수 있다. 상기 버퍼층은 전자 수송성 호스트 및 적색 도펀트를 포함할 수 있다. 상기 버퍼층 내에 상기 적색 도펀트의 함량은 상기 제 1 전하 생성층으로부터 멀어질수록 감소할 수 있다. 이에 따라, 상기 디스플레이 장치에서는 저전류의 색변화가 개선될 수 있다.
Description
본 발명은 발광층에 의해 생성된 빛으로 이미지를 구현하는 디스플레이 장치에 관한 것이다.
일반적으로 모니터, TV, 노트북, 디지털 카메라와 같은 전자 기기는 이미지의 구현을 위하여 디스플레이 장치를 포함한다. 예를 들어, 상기 디스플레이 장치는 적어도 하나의 발광 소자를 포함할 수 있다. 상기 발광 소자는 특정한 색을 나타내는 빛을 방출할 수 있다. 예를 들어, 상기 발광 소자는 두 개의 전극 사이에 위치하는 발광층을 포함할 수 있다.
상기 발광 소자는 백색을 나타내는 빛을 방출할 수 있다. 상기 발광층은 다수의 발광 물질층(Emission Material Layer; EML)으로 구성될 수 있다. 예를 들어, 상기 디스플레이 장치에서는 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 위치하는 상기 발광층이 제 1 발광 스택과 제 2 발광 스택 사이에 위치하는 전하 생성층을 포함할 수 있다. 상기 제 1 발광 스택은 청색 발광 물질층을 포함할 수 있다. 상기 제 2 발광 스택은 상기 전하 생성층 상에 순서대로 적층된 적색 인광 발광 물질층 및 녹색 인광 발광 물질층을 포함할 수 있다. 그러나, 상기 디스플레이 장치에서는 상기 전하 생성층에서 상기 적색 인광 발광 물질층으로 정공의 유입이 어려워 구동 전압이 증가할 수 있다. 또한, 상기 디스플레이 장치에서는 상기 전하 생성층과 상기 적색 인광 발광 물질층 사이의 에너지 레벨 차이를 완화하여 구동 전압을 감소하면, 정공의 빠른 이동으로 저전류에서 색조절이 어려워질 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 구동 전압을 감소하며, 저전류 색변화를 개선할 수 있는 디스플레이 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제들은 앞서 언급한 과제로 한정되지 않는다. 여기서 언급되지 않은 과제들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 것이다.
상기 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기술적 사상에 따른 디스플레이 장치는 제 1 전극을 포함한다. 제 1 전극 상에는 제 2 전극이 위치한다. 제 1 전극과 제 2 전극 사이에는 제 1 전하 생성층이 위치한다. 제 1 전극과 제 1 전하 생성층 사이에는 제 1 발광 스택이 위치한다. 제 1 발광 스택은 청색 발광 물질층을 포함한다. 제 1 전하 생성층과 제 2 전극 사이에는 제 2 발광 스택이 위치한다. 제 2 발광 스택은 순서대로 적층된 버퍼층, 제 1 인광 발광 물질층 및 제 2 인광 발광 물질층을 포함한다. 제 1 인광 발광 물질층은 적색 도펀트를 포함한다. 버퍼층은 적색 도펀트가 도핑된 전자 수송성 호스트를 포함한다. 버퍼층 내에 적색 도펀트의 함량은 제 1 전하 생성층으로부터 멀어질수록 감소한다.
제 1 전하 생성층은 n형 전하 생성층과 p형 전하 생성층의 적층 구조를 가질 수 있다. n형 전하 생성층은 제 1 발광 스택에 가까이 위치할 수 있다. p형 전하 생성층은 n형 전하 생성층 상에 위치할 수 있다. 버퍼층은 p형 전하 생성층 및 제 1 인광 발광 물질층과 접촉할 수 있다.
버퍼층의 적색 도펀트는 인광 물질을 포함할 수 있다.
버퍼층의 적색 도펀트는 Ir(Piq)3(Tris(1-phenylisoquinoline)iridium(III)), Ir(piq)2(acac)(Bis(1-phenylisoquinoline)(acetylacetonate)iridiumIII)), Ir(btp)2(acac)(Bis)2-benzo[b]thiophen-2-yl-pyridine)(acetylacetonate)iridiumIII)), Ir(BT)2(acac)(Bis(2-phenylbenzothazolato)(acetylacetonate)iridiumIII)) 중 하나를 포함할 수 있다.
제 1 인광 발광 물질층의 적색 도펀트는 버퍼층의 적색 도펀트와 동일한 물질을 포함할 수 있다.
제 1 인광 발광 물질층과 접촉하는 버퍼층의 표면에서 버퍼층 내 적색 도펀트의 함량은 제 1 인광 발광 물질층 내 적색 도펀트의 함량과 동일할 수 있다.
제 1 인광 발광 물질층의 호스트는 버퍼층의 상기 전자 수송성 호스트와 동일한 물질을 포함할 수 있다.
전자 수송성 호스트는 벤조-카바졸(benzo-carbazole)을 포함할 수 있다.
제 2 발광 스택과 제 2 전극 사이에는 제 3 발광 스택이 위치할 수 있다. 제 2 발광 스택과 제 3 발광 스택 사이에는 제 2 전하 생성층이 위치할 수 있다. 제 3 발광 스택은 청색 발광 물질층을 포함할 수 있다.
제 3 발광 스택의 청색 발광 물질층은 제 1 발광 스택의 청색 발광 물질층과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
본 발명의 기술적 사상에 따른 디스플레이 장치는 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 위치하는 발광층을 포함하되, 상기 발광층이 청색 발광 물질층을 포함하는 제 1 발광 스택 및 상기 제 1 발광 스택 상에 위치하는 제 2 발광 스택을 포함하고, 상기 제 2 발광 스택이 전자 수송성 호스트를 포함하는 버퍼층 상에 순서대로 적층된 제 1 인광 발광 물질층 및 제 2 인광 발광 물질층을 포함하고, 상기 버퍼층 및 상기 제 1 인광 발광 물질층이 적색 도펀트를 포함하며, 상기 버퍼층 내 상기 적색 도펀트의 함량이 상기 제 1 발광 스택과 상기 제 2 발광 스택 사이에 위치하는 전하 생성층으로부터 멀어질수록 감소할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 기술적 사상에 따른 디스플레이 장치에서는 상기 버퍼층으로 정공의 유입이 지연되지만, 상기 버퍼층으로 유입된 정공이 상기 제 1 인광 발광 물질층으로 빠르게 이동될 수 있다. 따라서, 본 발명의 기술적 사상에 따른 디스플레이 장치에서는 구동 전압이 감소되고, 저전류의 색변화가 개선될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 도 1의 K 영역을 확대한 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치의 제 2 발광 스택에서 버퍼층의 유무에 따른 구동 전압을 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치의 발광층을 나타낸 도면이다.
도 2는 도 1의 K 영역을 확대한 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치의 제 2 발광 스택에서 버퍼층의 유무에 따른 구동 전압을 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치의 발광층을 나타낸 도면이다.
본 발명의 상기 목적과 기술적 구성 및 이에 따른 작용 효과에 관한 자세한 사항은 본 발명의 실시 예를 도시하고 있는 도면을 참조한 이하 상세한 설명에 의해 더욱 명확하게 이해될 것이다. 여기서, 본 발명의 실시 예들은 당업자에게 본 발명의 기술적 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위하여 제공되는 것이므로, 본 발명은 이하 설명되는 실시 예들에 한정되지 않도록 다른 형태로 구체화될 수 있다.
또한, 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조 번호로 표시된 부분들은 동일한 구성 요소들을 의미하며, 도면들에 있어서 층 또는 영역의 길이와 두께는 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 덧붙여, 제 1 구성 요소가 제 2 구성 요소 "상"에 있다고 기재되는 경우, 상기 제 1 구성 요소가 상기 제 2 구성 요소와 직접 접촉하는 상측에 위치하는 것뿐만 아니라, 상기 제 1 구성 요소와 상기 제 2 구성 요소 사이에 제 3 구성 요소가 위치하는 경우도 포함한다.
여기서, 상기 제 1, 제 2 등의 용어는 다양한 구성 요소를 설명하기 위한 것으로, 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로 사용된다. 다만, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위에서는 제 1 구성 요소와 제 2 구성 요소는 당업자의 편의에 따라 임의로 명명될 수 있다.
본 발명의 명세서에서 사용하는 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용되는 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 예를 들어, 단수로 표현된 구성 요소는 문맥상 명백하게 단수만을 의미하지 않는다면 복수의 구성 요소를 포함한다. 또한, 본 발명의 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다"등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
덧붙여, 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미가 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미가 있는 것으로 해석되어야 하며, 본 발명의 명세서에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
(실시 예)
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 2는 도 1의 K 영역을 확대한 도면이다.
도 1 및 2를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 소자 기판(100)을 포함할 수 있다. 상기 소자 기판(100)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 소자 기판(100)은 유리 또는 플라스틱을 포함할 수 있다.
상기 소자 기판(100) 상에는 구동 회로가 위치할 수 있다. 상기 구동 회로는 게이트 신호에 따라 데이터 신호에 대응하는 구동 전류를 생성할 수 있다. 예를 들어, 상기 구동 회로는 적어도 하나의 박막 트랜지스터(200)를 포함할 수 있다. 상기 박막 트랜지스터(200)는 반도체 패턴(210), 게이트 절연막(220), 게이트 전극(230), 층간 절연막(240), 소스 전극(250) 및 드레인 전극(260)을 포함할 수 있다.
상기 반도체 패턴(210)은 반도체 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 반도체 패턴(210)은 비정질 실리콘(a-Si) 또는 다결정 실리콘(poly-Si)을 포함할 수 있다. 상기 반도체 패턴(210)은 산화물 반도체일 수 있다. 예를 들어, 상기 반도체 패턴(210)은 IGZO와 같은 금속 산화물을 포함할 수 있다. 상기 반도체 패턴(210)은 소스 영역, 드레인 영역 및 채널 영역을 포함할 수 있다. 상기 채널 영역은 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역 사이에 위치할 수 있다. 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역은 상기 채널 영역보다 낮은 저항을 가질 수 있다.
상기 게이트 절연막(220)은 상기 반도체 패턴(210) 상에 위치할 수 있다. 상기 게이트 절연막(220)은 상기 반도체 패턴(210)의 외측으로 연장할 수 있다. 예를 들어, 상기 반도체 패턴(210)의 측면은 상기 게이트 절연막(220)에 의해 덮일 수 있다. 상기 게이트 절연막(220)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 절연막(220)은 실리콘 산화물(SiO) 및 실리콘 질화물(SiN)과 같은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 상기 게이트 절연막(220)은 높은 유전율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 절연막(220)은 하프늄 산화물(HfO)과 같은 High-K 물질을 포함할 수 있다. 상기 게이트 절연막(220)은 다중층 구조를 가질 수 있다.
상기 게이트 전극(230)은 상기 게이트 절연막(220) 상에 위치할 수 있다. 상기 게이트 전극(230)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 전극(230)은 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo) 및 텅스텐(W)과 같은 금속을 포함할 수 있다. 상기 게이트 전극(230)은 상기 게이트 절연막(220)에 의해 상기 반도체 패턴(210)과 절연될 수 있다. 상기 게이트 전극(230)은 상기 반도체 패턴(210)의 상기 채널 영역과 중첩할 수 있다. 예를 들어, 상기 반도체 패턴(210)의 상기 채널 영역은 상기 게이트 전극(230)에 인가된 전압에 대응하는 전기 전도도를 가질 수 있다.
상기 층간 절연막(240)은 상기 게이트 전극(230) 상에 위치할 수 있다. 상기 층간 절연막(240)은 상기 게이트 전극(230)의 외측으로 연장할 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 전극(230)의 측면은 상기 층간 절연막(240)에 의해 덮일 수 있다. 상기 층간 절연막(240)은 상기 게이트 전극(230)의 외측에서 상기 게이트 절연막(220)과 직접 접촉할 수 있다. 상기 층간 절연막(240)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 층간 절연막(240)은 실리콘 산화물(SiO) 및 실리콘 질화물(SiN)과 같은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다.
상기 소스 전극(250)은 상기 층간 절연막(240) 상에 위치할 수 있다. 상기 소스 전극(250)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 소스 전극(250)은 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo) 및 텅스텐(W)과 같은 금속을 포함할 수 있다. 상기 소스 전극(250)은 상기 층간 절연막(240)에 의해 상기 게이트 전극(230)과 절연될 수 있다. 예를 들어, 상기 소스 전극(250)은 상기 게이트 전극(230)과 다른 물질을 포함할 수 있다. 상기 소스 전극(250)은 상기 반도체 패턴(210)의 상기 소스 영역과 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 절연막(220) 및 상기 층간 절연막(240)은 상기 반도체 패턴(210)의 상기 소스 영역을 부분적으로 노출하는 소스 컨택홀을 포함할 수 있다. 상기 소스 전극(250)은 상기 반도체 패턴(210)의 상기 소스 영역과 중첩하는 영역을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 소스 전극(250)은 상기 소스 컨택홀 내에서 상기 반도체 패턴(210)의 상기 소스 영역과 직접 접촉할 수 있다.
상기 드레인 전극(260)은 상기 층간 절연막(240) 상에 위치할 수 있다. 상기 드레인 전극(260)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 드레인 전극(260)은 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo) 및 텅스텐(W)과 같은 금속을 포함할 수 있다. 상기 드레인 전극(260)은 상기 층간 절연막(240)에 의해 상기 게이트 전극(230)과 절연될 수 있다. 예를 들어, 상기 드레인 전극(260)은 상기 게이트 전극(230)과 다른 물질을 포함할 수 있다. 상기 드레인 전극(260)은 상기 소스 전극(250)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 드레인 전극(260)은 상기 반도체 패턴(210)의 상기 드레인 영역과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 드레인 전극(260)은 상기 소스 전극(250)과 이격될 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 절연막(220) 및 상기 층간 절연막(240)은 상기 반도체 패턴(210)의 상기 드레인 영역을 부분적으로 노출하는 드레인 컨택홀을 포함할 수 있다. 상기 드레인 전극(260)은 상기 반도체 패턴(210)의 상기 드레인 영역과 중첩하는 영역을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 드레인 전극(260)은 상기 드레인 컨택홀 내에서 상기 반도체 패턴(210)의 상기 드레인 영역과 직접 접촉할 수 있다.
상기 소자 기판(100)과 상기 구동 회로 사이에는 버퍼 절연막(110)이 위치할 수 있다. 상기 버퍼 절연막(110)은 상기 박막 트랜지스터(200)의 형성 공정에서 상기 소자 기판(100)에 의한 오염을 방지할 수 있다. 예를 들어, 상기 버퍼 절연막(110)은 상기 구동 회로를 향한 상기 소자 기판(100)의 상부면을 완전히 덮을 수 있다. 상기 버퍼 절연막(110)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 버퍼 절연막(110)은 실리콘 산화물(SiO) 및 실리콘 질화물(SiN)과 같은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다.
상기 구동 회로 상에는 하부 보호막(120)이 위치할 수 있다. 상기 하부 보호막(120)은 외부 충격 및 수분에 의한 상기 구동 회로의 손상을 방지할 수 있다. 예를 들어, 상기 소자 기판(100)과 대향하는 상기 박막 트랜지스터(200)의 상부면은 상기 하부 보호막(120)에 의해 덮일 수 있다. 상기 하부 보호막(120)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 하부 보호막(120)은 실리콘 산화물(SiO) 및 실리콘 질화물(SiN)과 같은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다.
상기 하부 보호막(120) 상에는 오버 코트층(130)이 위치할 수 있다. 상기 오버 코트층(130)은 상기 구동 회로에 의한 단차를 제거할 수 있다. 예를 들어, 상기 소자 기판(100)과 대향하는 상기 오버 코트층(130)의 상부면은 평평한 평면(flat surface)일 수 있다. 상기 오버 코트층(130)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 상기 오버 코트층(130)은 상기 하부 보호막(120)과 다른 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 오버 코트층(130)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
상기 오버 코트층(130) 상에는 발광 소자(300)가 위치할 수 있다. 상기 발광 소자(300)는 특정한 색을 나타내는 빛을 방출할 수 있다. 예를 들어, 상기 발광 소자(300)는 상기 오버 코트층(130) 상에 순서대로 적층된 제 1 전극(310), 발광층(320) 및 제 2 전극(330)을 포함할 수 있다.
상기 제 1 전극(310)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 상기 제 1 전극(310)은 높은 투과율 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 전극(310)은 ITO 및 IZO와 같은 투명한 도전성 물질로 이루어진 투명 전극일 수 있다. 상기 제 1 전극(310)은 상기 박막 트랜지스터(200)와 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 상기 하부 보호막(120) 및 상기 오버 코트층(130)은 상기 박막 트랜지스터(200)의 상기 드레인 전극(260)을 부분적으로 노출하는 전극 컨택홀을 포함할 수 있다. 상기 제 1 전극(310)은 상기 박막 트랜지스터(200)의 상기 드레인 전극(260)과 중첩하는 영역을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 전극(310)은 상기 전극 컨택홀을 통해 상기 박막 트랜지스터(200)의 상기 드레인 전극(260)과 직접 접촉할 수 있다.
상기 제 2 전극(330)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 상기 제 2 전극(330)은 상기 제 1 전극(310)과 다른 물질을 포함할 수 있다. 상기 제 2 전극(330)은 상기 제 1 전극(310)보다 높은 반사율을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 전극(330)은 알루미늄(Al) 및 은(Ag)과 같은 금속을 포함할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 상기 발광 소자(300)에 의해 생성된 빛이 상기 소자 기판(100)의 외측 방향으로 방출될 수 있다. 상기 구동 회로는 상기 발광 소자(300)와 중첩하지 않을 수 있다. 예를 들어, 상기 박막 트랜지스터(200)는 상기 발광 소자(300)의 외측에 위치할 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 상기 발광 소자(300)로부터 방출된 빛이 상기 구동 회로에 의해 차단되지 않을 수 있다.
상기 발광층(320)은 상기 제 1 전극(310)과 상기 제 2 전극(330) 사이의 전압 차에 대응하는 휘도의 빛을 생성할 수 있다. 상기 발광층(320)은 다수의 발광 물질층(Emission Material Layer; EML)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 발광층(320)은 상기 제 1 전극(310) 상에 순서대로 적층된 제 1 발광 스택(321), 전하 생성층(322) 및 제 2 발광 스택(323)을 포함할 수 있다. 상기 전하 생성층(322)은 상기 제 1 발광 스택(321) 및 상기 제 2 발광 스택(323)에 전자 또는 정공을 공급할 수 있다. 예를 들어, 상기 전하 생성층(322)은 n형 전하 생성층(322a)과 p형 전하 생성층(322b)의 적층 구조를 가질 수 있다. 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 상기 제 1 전극(310)이 애노드(anode)로 기능하고, 상기 제 2 전극(330)이 캐소드(cathod)로 기능할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 상기 제 1 발광 스택(321)이 상기 제 1 전극(310)과 상기 전하 생성층(322)의 상기 n형 전하 생성층(322a) 사이에 위치하고, 상기 제 2 발광 스택(323)이 상기 전하 생성층(322)의 상기 p형 전하 생성층(322b)과 상기 제 2 전극(330) 사이에 위치할 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 상기 제 1 발광 스택(321) 및 상기 제 2 발광 스택(323)에 전자 및 정공이 균형 있게 공급될 수 있다.
상기 제 1 발광 스택(321)은 상기 제 1 전극(310) 상에 순서대로 적층된 정공 주입층(Hole Injection Layer; HIL, 321a), 제 1 정공 수송층(Hole Transport Layer; HTL, 321b), 청색 발광 물질층(321c) 및 제 1 전자 수송층(Eletron Transport Layer; ETL, 321d)을 포함할 수 있다. 상기 정공 주입층(321a) 및 상기 제 1 정공 수송층(321b)은 상기 청색 발광 물질층(321c)으로 정공을 원활하게 공급할 수 있다. 상기 제 1 전자 수송층(321d)은 상기 청색 발광 물질층(321c)으로 전자를 원활하게 공급할 수 있다. 상기 청색 발광 물질층(321c)은 상기 정공 주입층(321a) 및 상기 제 1 정공 수송층(321b)을 통해 공급된 정공과 상기 제 1 전자 수송층(321d)을 통해 공급된 전자의 재결합을 통해 빛을 생성할 수 있다. 상기 청색 발광 물질층(321c)은 청색을 나타내는 빛을 방출할 수 있다. 예를 들어, 상기 청색 발광 물질층(321c)에 의해 생성된 빛은 440nm 내지 480nm의 피크 파장(peak wavelength)를 가질 수 있다. 상기 청색 발광 물질층(321c)은 청색 도펀트 및 호스트 물질을 포함할 수 있다. 상기 청색 도펀트는 형광 물질일 수 있다. 예를 들어, 상기 청색 발광 물질층(321c)은 안트라센(anthracene) 유도체, 파이렌(pyrene) 유도체 및 페릴렌(perylene) 유도체로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 호스트 물질 사용하고, 파이렌계 또는 보론계 청색 도펀트를 도핑하여 형성될 수 있다.
상기 제 2 발광 스택(323)은 상기 전하 생성층(322) 상에 순서대로 적층된 버퍼층(323a), 적색 인광 발광 물질층(323b), 녹색 인광 발광 물질층(323c), 제 2 전자 수송층(323d) 및 전자 주입층(Electron Injection Layer; EIL, 323e)을 포함할 수 있다. 상기 적색 인광 발광 물질층(323b) 및 상기 녹색 인광 발광 물질층(323c)으로 상기 버퍼층(323a)을 통해 정공을 공급받을 수 있다. 상기 제 2 전자 수송층(323d) 및 상기 전자 주입층(323e)은 상기 적색 인광 발광 물질층(323b) 및 상기 녹색 인광 발광 물질층(323c)으로 전자를 공급할 수 있다. 상기 적색 인광 발광 물질층(323b) 및 상기 녹색 인광 발광 물질층(323c)은 각각 상기 버퍼층(323a)을 통해 공급된 정공과 상기 제 2 전자 수송층(323d) 및 상기 전자 주입층(323e)을 통해 공급된 전자의 재결합을 통해 빛을 생성할 수 있다. 상기 적색 발광 물질층(323b)은 적색을 나타내는 빛을 방출할 수 있다. 예를 들어, 상기 적색 인광 발광 물질층(323b)에 의해 생성된 빛은 640nm 내지 720nm의 피크 파장(peak wavelength)를 가질 수 있다. 상기 적색 인광 발광 물질층(323b)은 적색 도펀트 및 호스트 물질을 포함할 수 있다. 상기 적색 도펀트는 인광 물질일 수 있다. 예를 들어, 상기 적색 인광 발광 물질층(323b)은 CBP(carbazole biphenyl) 또는 mCP(1,3-bis(carbazol-9-yl)를 포함하는 호스트 물질을 사용하고, Ir(Piq)3(Tris(1-phenylisoquinoline)iridium(III)), Ir(piq)2(acac)(Bis(1-phenylisoquinoline)(acetylacetonate)iridiumIII)), Ir(btp)2(acac)(Bis)2-benzo[b]thiophen-2-yl-pyridine)(acetylacetonate)iridiumIII)), Ir(BT)2(acac)(Bis(2-phenylbenzothazolato)(acetylacetonate)iridiumIII))로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 적색 도펀트를 도핑하여 형성될 수 있다. 상기 녹색 발광 물질층(323c)은 녹색을 나타내는 빛을 방출할 수 있다. 예를 들어, 상기 녹색 인광 발광 물질층(323c)에 의해 생성된 빛은 520nm 내지 560nm의 피크 파장(peak wavelength)를 가질 수 있다. 상기 녹색 인광 발광 물질층(323c)은 녹색 도펀트 및 호스트 물질을 포함할 수 있다. 상기 녹색 도펀트는 인광 물질일 수 있다. 예를 들어, 상기 녹색 인광 발광 물질층(323c)은 CBP(carbazole biphenyl) 또는 mCP(1,3-bis(carbazol-9-yl)를 포함하는 호스트 물질을 사용하고, Ir(ppy)3(fac tris(2-phenylpyridine)iridium), Ir(ppy)2(acac), Ir(mpyp)3를 포함하는 녹색 도펀트를 도핑하여 형성될 수 있다.
상기 버퍼층(323a)은 상기 전하 생성층(322)의 상기 p형 전하 생성층(322b) 및 상기 적색 인광 발광 물질층(323b)과 직접 접촉할 수 있다. 상기 버퍼층(323a)은 전자 수송성 호스트를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 버퍼층(323a)의 상기 전자 수송성 호스트는 아래와 같이 벤조 카바졸(benzo-carbazole)을 포함할 수 있다. 여기서, a 및 b에는 쿼나졸린(quinazoline)이 연결될 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 상기 p형 전하 생성층(322b)에서 상기 버퍼층(323a)으로 정공의 유입이 지연될 수 있다.
상기 버퍼층(323a)은 적색 도펀트를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 버퍼층(323a)은 상기 전자 수송성 호스트에 적색 도펀트를 도핑하여 형성될 수 있다. 상기 버퍼층(323a)의 상기 적색 도펀트는 인광 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 버퍼층(323a)의 상기 적색 도펀트는 Ir(Piq)3(Tris(1-phenylisoquinoline)iridium(III)), Ir(piq)2(acac)(Bis(1-phenylisoquinoline)(acetylacetonate)iridiumIII)), Ir(btp)2(acac)(Bis)2-benzo[b]thiophen-2-yl-pyridine)(acetylacetonate)iridiumIII)), Ir(BT)2(acac)(Bis(2-phenylbenzothazolato)(acetylacetonate)iridiumIII))로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 버퍼층(323a)의 상기 적색 도펀트는 상기 적색 인광 발광 물질층(323b)의 상기 적색 도펀트와 동일한 물질을 포함할 수 있다.
상기 버퍼층(323a)은 상기 적색 인광 발광 물질층(323b)보다 얇은 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 버퍼층(323a)의 두께는 100Å 이하일 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 상기 버퍼층(323a)으로 유입된 정공의 빠른 이동에 따른 구동 전압의 감소가 효과적으로 이루어질 수 있다.
아래의 표 1은 상기 전하 생성층(322)을 기준으로 상기 버퍼층(323a) 내 상기 적색 도펀트의 도핑 형태에 따른 상기 적색 인광 발광 물질층(323b)의 상대 효율(R 효율), 상기 녹색 인광 발광 물질층(323c)의 상대 효율(G 효율), 상기 청색 발광 물질층(321c)의 상대 효율(B 효율), 구동 전압 및 색변화율을 나타낸 것이다.
| 도핑 형태 | R 효율 | G 효율 | B 효율 | 구동 전압 | 색변화율 | |
| CIEx | CIEy | |||||
| 점진적 감소 | 101% | 99% | 101% | 100% | 94% | 103% |
| 점진적 증가 | 116% | 81% | 99% | 110% | 91% | 104% |
| 증가 후 감소 | 108% | 92% | 101% | 106% | 79% | 108% |
| 감소 후 증가 | 112% | 89% | 100% | 103% | 93% | 104% |
표 1을 참조하면, 상기 버퍼층(323a) 내 상기 적색 도펀트의 함량이 상기 전하 생성층(322)으로부터 멀어질수록 증가하면, 구동 전압이 크게 증가하고, 상기 녹색 인광 발광 물질층(323c)의 효율이 크게 낮아지는 것을 알 수 있다. 또한, 상기 버퍼층(323a)이 상기 적색 도펀트의 함량이 증가하는 구간 및 감소하는 구간을 모두 포함하면, 상기 버퍼층(323a) 내 상기 적색 도펀트의 함량이 상기 전하 생성층(322)으로부터 멀어질수록 감소할 때와 비교하여, 구동 전압이 증가하고, 상기 녹색 인광 발광 물질층(323c)의 효율이 낮아지는 것을 알 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 상기 전하 생성층(322)의 상기 p형 전하 생성층(322b)과 상기 적색 인광 발광 물질층(323b) 사이에 위치하는 상기 버퍼층(323a)이 전자 수송층 호스트에 적색 도펀트를 도핑하여 형성되되, 상기 버퍼층(323a) 내 상기 적색 도펀트의 함량이 상기 전하 생성층(322)으로부터 멀어질수록 감소될 수 있다. 상기 오버 코트층(130) 상에는 뱅크 절연막(140)이 위치할 수 있다. 상기 뱅크 절연막(140)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 뱅크 절연막(140)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 상기 뱅크 절연막(140)은 상기 오버 코트층(130)과 다른 물질을 포함할 수 있다. 상기 뱅크 절연막(140)은 상기 소자 기판(100) 상에 발광 영역을 정의할 수 있다. 예를 들어, 상기 뱅크 절연막(140)은 상기 제 1 전극(310)의 가장 자리를 덮을 수 있다. 상기 발광 소자(300)의 상기 발광층(320) 및 상기 제 2 전극(330)은 상기 뱅크 절연막(140)에 의해 노출된 상기 제 1 전극(310)의 일부 영역 상에 적층될 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 상기 발광 소자(300)가 독립적으로 제어될 수 있다. 상기 발광층(320) 및 상기 제 2 전극(330)은 상기 뱅크 절연막(140) 상으로 연장할 수 있다.
상기 발광 소자(300) 상에는 봉지 부재(400)가 위치할 수 있다. 상기 봉지 부재(400)는 외부의 충격 및 수분에 의한 상기 발광 소자(300)의 손상을 방지할 수 있다. 상기 봉지 부재(400)는 다중층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 봉지 부재(400)는 순서대로 적층된 제 1 봉지층(410), 제 2 봉지층(420) 및 제 3 봉지층(430)을 포함할 수 있다. 상기 제 1 봉지층(410), 상기 제 2 봉지층(420) 및 상기 제 3 봉지층(430)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 상기 제 2 봉지층(420)은 상기 제 1 봉지층(410) 및 상기 제 3 봉지층(430)과 다른 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 봉지층(410) 및 상기 제 3 봉지층(430)은 무기 절연 물질을 포함하고, 상기 제 2 봉지층(420)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 외부의 충격 및 수분에 의한 상기 발광 소자 (300)의 손상이 효과적으로 방지될 수 있다. 상기 발광 소자(300)에 의한 단차는 상기 제 2 봉지층(420)에 의해 제거될 수 있다. 예를 들어, 상기 소자 기판(100)과 대향하는 상기 봉지 부재(400)의 상부면은 평평한 평면일 수 있다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치의 제 2 발광 스택에서 버퍼층의 유무에 따른 구동 전압을 나타낸 도면이다.
도 3을 참조하면, 제 2 발광 스택이 버퍼층을 포함하지 않는 구조(S1)와 비교하여, 상기 버퍼층(323a)이 상기 p형 전하 생성층(322b)과 상기 적색 인광 발광 물질층(323b) 사이에 위치하는 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치(S2)에서는 상기 발광 소자(300)가 구동하는 영역에서 구동 전압이 감소되는 것을 알 수 있다. 즉, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 상기 버퍼층(323a)의 전자 수송성 호스트에 의해 정공의 유입이 지연되지만, 상기 적색 도펀트의 함량이 상기 전하 생성층(322)으로부터 멀어질수록 감소함에 따라 유입된 정공이 빠르게 이동되므로, 구동 전압이 감소될 수 있다.
결과적으로, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 상기 제 1 전극(310)과 상기 제 2 전극(330) 사이에 위치하는 상기 발광층(320)을 포함하되, 상기 발광층(320)이 상기 청색 발광 물질층(321c)을 포함하는 상기 제 1 발광 스택(321) 및 상기 제 1 발광 스택(321)과 상기 제 2 전극(330) 사이에 위치하는 상기 제 2 발광 스택(323)을 포함하고, 상기 제 2 발광 스택(323)이 전자 수송성 호스트를 포함하는 상기 버퍼층(323a), 상기 적색 인광 발광 물질층(323b) 및 상기 녹색 인광 발광 물질층(323c)이 순서대로 적층된 구조를 가지고, 상기 버퍼층(323d) 내에 상기 적색 인광 발광 물질층(323b)로부터 멀어질수록 함량이 증가하는 적색 도펀트를 포함할 수 있다. . 이에 따라, 본 발명의 기술적 사상에 따른 디스플레이 장치에서는 상기 버퍼층(323a)으로 정공의 유입이 지연되지만, 상기 버퍼층(323a)으로 유입된 정공이 상기 적색 인광 발광 물질층(323b)으로 빠르게 이동될 수 있다. 따라서, 본 발명의 기술적 사상에 따른 디스플레이 장치에서는 구동 전압이 감소되고, 저전류의 색변화가 개선될 수 있다.
상기 버퍼층(323a)은 상기 p형 전하 생성층(322b) 및 상기 적색 인광 발광층(323b)과 직접 접촉할 수 있다. 상기 적색 인광 발광 물질층(323b)과 접촉하는 상기 버퍼층(323a)의 표면에서 상기 버퍼층(323a) 내 상기 적색 도펀트의 함량은 상기 적색 인광 발광 물질층(323b) 내 상기 적색 도펀트의 함량과 동일할 수 있다. 예를 들어, 상기 버퍼층(323a) 내 상기 적색 도펀트의 함량은 상기 적색 인광 발광 물질층(323b)으로부터 멀어질수록 상기 적색 인광 발광 물질층(323b) 내 상기 적색 도펀트의 함량에서 점진적으로 증가할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 상기 버퍼층(323a)과 상기 적색 인광 발광 물질층(323b)의 경계면에서 정공이 원활하게 이동될 수 있다. 상기 적색 인광 발광 물질층(323b)의 호스트는 상기 버퍼층(323a)의 상기 전자 수송성 호스트와 동일한 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 상기 버퍼층(323a)으로 유입된 정공의 상기 적색 인광 발광 물질층(323b)으로 이동이 효과적으로 수행될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 상기 제 2 발광 스택(323)이 상기 적색 인광 발광 물질층(323b) 및 상기 녹색 인광 발광 물질층(323c)을 포함하는 것으로 설명된다. 그러나, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 상기 제 2 발광 스택의 상기 적색 인광 발광 물질층 상에 다양한 인광 발광 물질층들이 위치할 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 제 2 발광 스택이 전하 생성층 상에 순서대로 적층된 버퍼층, 적색 인광 발광 물질층, 황녹색 인광 발광 물질층 및 제 2 전자 수송층을 포함할 수 있다. 즉, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 제 2 발광 스택이 전하 생성층과 제 1 인광 발광 물질층 사이에 위치하는 버퍼층 및 상기 제 1 인광 발광 물질층과 전자 수송층 사이에 위치하는 제 2 인광 발광 물질층을 포함하되, 상기 버퍼층과 상기 제 1 인광 발광 물질층이 적색 도펀트를 포함하고, 상기 버퍼층이 전자 수송성 호스트를 포함하며, 상기 버퍼층 내 상기 적색 도펀트의 함량이 상기 전하 생성층으로부터 멀어질수록 감소할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 적색 도펀트를 포함하는 상기 제 1 인광 발광 물질층 상에 위치하는 상기 제 2 인광 발광 물질층의 물질과 무관하게, 구동 전압이 감소되고, 저전류의 색변화가 개선될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 상기 발광층(320)이 상기 제 1 발광 스택(321) 및 상기 제 2 발광 스택(323)으로 구성되는 것으로 설명된다. 그러나, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 발광층이 다수의 전하 생성층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 제 1 전극(310)과 제 2 전극(330) 사이에 위치하는 발광층(320)이 순서대로 적층된 제 1 발광 스택(321), 제 1 전하 생성층(322), 제 2 발광 스택(323), 제 2 전하 생성층(324) 및 제 3 발광 스택(325)을 포함할 수 있다. 상기 제 1 발광 스택(321)은 정공 주입층(321a), 제 1 정공 수송층(321b), 청색 발광 물질층(321c) 및 제 1 전자 수송층(321d)을 포함할 수 있다. 상기 제 2 발광 스택(323)은 순서대로 적층된 버퍼층(323a), 적색 인광 발광 물질층(323b), 녹색 인광 발광 물질층(323c) 및 제 2 전자 수송층(323d)을 포함할 수 있다. 상기 제 3 발광 스택(325)은 순서대로 적층된 제 3 정공 수송층(325a), 청색 발광 물질층(325b), 제 3 전자 수송층(325c) 및 전자 주입층(325d)을 포함할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 상대적으로 낮은 청색 발광 효율이 보완될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 3 발광 스택(325)의 상기 청색 발광 물질층(325b)은 상기 제 1 발광 스택(321)의 상기 청색 발광 물질층(321c)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
상기 제 2 발광 스택(323)과 상기 제 3 발광 스택(325) 사이에 위치하는 상기 제 2 전하 생성층(324)는 상기 제 1 발광 스택(321)과 상기 제 2 발광 스택(323) 사이에 위치하는 상기 제 1 전하 생성층(322)과 동일한 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 전하 생성층(324)은 n형 전하 생성층(324a)과 p형 전하 생성층(324b)의 적층 구조를 가질 수 있다. 상기 제 2 발광 스택(323)은 상기 제 1 전하 생성층(322)의 상기 p형 전하 생성층(322b)과 상기 제 2 전하 생성층(324)의 상기 n형 전하 생성층(324a) 사이에 위치할 수 있다. 상기 제 3 발광 스택(325)은 상기 제 2 전하 생성층(324)의 상기 p형 전하 생성층(324b)과 상기 제 2 전극(330) 사이에 위치할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 디스플레이 장치는 상기 제 3 발광 스택(325)을 통해 청색 효율을 보완하며, 상기 버퍼층(323d)을 이용하여 구동 전압을 감소하고, 저전류의 색변화를 개선할 수 있다.
100: 소자 기판 300: 발광 소자
320: 발광층 322: 제 2 발광 스택
323b: 버퍼층 323c: 적색 인광 발광 물질층
323d: 녹색 인광 발광 물질층
320: 발광층 322: 제 2 발광 스택
323b: 버퍼층 323c: 적색 인광 발광 물질층
323d: 녹색 인광 발광 물질층
Claims (9)
- 제 1 전극 상에 위치하는 제 2 전극;
상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 위치하는 제 1 전하 생성층;
상기 제 1 전극과 상기 제 1 전하 생성층 사이에 위치하고, 청색 발광 물질층을 포함하는 제 1 발광 스택; 및
상기 제 1 전하 생성층과 상기 제 2 전극 사이에 위치하는 제 2 발광 스택을 포함하되,
상기 제 2 발광 스택은 순서대로 적층된 전자 수송성 호스트를 포함하는 버퍼층, 제 1 인광 발광 물질층 및 제 2 인광 발광 물질층을 포함하고,
상기 버퍼층과 상기 제 1 인광 발광 물질층은 적색 도펀트를 포함하며,
상기 버퍼층 내에 상기 적색 도펀트의 함량은 상기 제 1 전하 생성층으로부터 멀어질수록 감소하는 디스플레이 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 전하 생성층은 상기 제 1 발광 스택에 가까이 위치하는 n형 전하 생성층 및 상기 n형 전하 생성층 상에 위치하는 p형 전하 생성층을 포함하고,
상기 버퍼층은 상기 p형 전하 생성층 및 상기 제 1 인광 발광 물질층과 접촉하는 디스플레이 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 버퍼층의 상기 적색 도펀트는 인광 물질을 포함하는 디스플레이 장치. - 제 3 항에 있어서,
상기 제 1 인광 발광 물질층의 상기 적색 도펀트는 상기 버퍼층의 상기 적색 도펀트와 동일한 물질을 포함하는 디스플레이 장치. - 제 4 항에 있어서,
상기 제 1 인광 발광 물질층과 접촉하는 상기 버퍼층의 표면에서 상기 버퍼층 내 상기 적색 도펀트의 함량은 상기 제 1 인광 발광 물질층 내 상기 적색 도펀트의 함량과 동일한 디스플레이 장치. - 제 4 항에 있어서,
상기 제 1 인광 발광 물질층의 호스트는 상기 버퍼층의 상기 전자 수송성 호스트와 동일한 물질을 포함하는 디스플레이 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 전자 수송성 호스트는 벤조-카바졸(benzo-carbazole)을 포함하는 디스플레이 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 발광 스택과 상기 제 2 전극 사이에 위치하는 제 3 발광 스택; 및
상기 제 2 발광 스택과 상기 제 3 발광 스택 사이에 위치하는 제 2 전하 생성층을 더 포함하되,
상기 제 3 발광 스택은 청색 발광 물질층을 포함하는 디스플레이 장치. - 제 8 항에 있어서,
상기 제 3 발광 스택의 상기 청색 발광 물질층은 상기 제 1 발광 스택의 상기 청색 발광 물질층과 동일한 물질을 포함하는 디스플레이 장치.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020200189744A KR20220096897A (ko) | 2020-12-31 | 2020-12-31 | 발광층을 포함하는 디스플레이 장치 |
| US17/552,112 US20220209155A1 (en) | 2020-12-31 | 2021-12-15 | Display apparatus having a light-emitting layer |
| CN202111554521.8A CN114695766A (zh) | 2020-12-31 | 2021-12-17 | 具有发光层的显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020200189744A KR20220096897A (ko) | 2020-12-31 | 2020-12-31 | 발광층을 포함하는 디스플레이 장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20220096897A true KR20220096897A (ko) | 2022-07-07 |
Family
ID=82117795
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020200189744A KR20220096897A (ko) | 2020-12-31 | 2020-12-31 | 발광층을 포함하는 디스플레이 장치 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20220209155A1 (ko) |
| KR (1) | KR20220096897A (ko) |
| CN (1) | CN114695766A (ko) |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1727396A4 (en) * | 2004-03-19 | 2009-08-26 | Idemitsu Kosan Co | ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE ELEMENT |
| TWI272036B (en) * | 2005-02-23 | 2007-01-21 | Au Optronics Corp | Organic electroluminescent devices and display apparatus |
| JP2013232629A (ja) * | 2012-04-06 | 2013-11-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置 |
| KR102075524B1 (ko) * | 2013-03-21 | 2020-02-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
| KR102311911B1 (ko) * | 2014-11-25 | 2021-10-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 그를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치 |
| KR102241445B1 (ko) * | 2017-08-31 | 2021-04-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 백색 유기 발광 소자 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치 |
| KR102486392B1 (ko) * | 2017-11-24 | 2023-01-09 | 삼성전자주식회사 | 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법 |
| KR20210059153A (ko) * | 2019-11-14 | 2021-05-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 이를 포함한 장치 |
-
2020
- 2020-12-31 KR KR1020200189744A patent/KR20220096897A/ko not_active Application Discontinuation
-
2021
- 2021-12-15 US US17/552,112 patent/US20220209155A1/en active Pending
- 2021-12-17 CN CN202111554521.8A patent/CN114695766A/zh active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN114695766A (zh) | 2022-07-01 |
| US20220209155A1 (en) | 2022-06-30 |
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