JP6397654B2 - 有機el発光装置 - Google Patents
有機el発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6397654B2 JP6397654B2 JP2014099756A JP2014099756A JP6397654B2 JP 6397654 B2 JP6397654 B2 JP 6397654B2 JP 2014099756 A JP2014099756 A JP 2014099756A JP 2014099756 A JP2014099756 A JP 2014099756A JP 6397654 B2 JP6397654 B2 JP 6397654B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic
- layer
- emitting device
- diamond
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 85
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 49
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 41
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 13
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 9
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 123
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 29
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 17
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 9
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 9
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 8
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
図1は、第1の実施形態に係る有機EL表示装置2の概略の構成を示す模式図である。有機EL表示装置2は、画像を表示する画素アレイ部4と、当該画素アレイ部を駆動する駆動部とを備える。有機EL表示装置2はフラットパネルディスプレイであり表示パネルを備え、画素アレイ部4は表示パネルに設けられる。
上述した第1の実施形態の表示パネル40は素子基板60と対向基板62とを貼り合わせる構造であった。これに対し、第2の実施形態に係る有機EL表示装置2の表示パネル40は対向基板62を有さない構造である。以下、第1の実施形態との相違点を中心に説明する。
(1)DLC層110,112は主に有機材料層102を水分等から保護するものである。ここで、素子基板60の積層構造におけるDLC層110,112の位置は有機材料層102を間に挟むような他の位置とすることができる。
つまり、DLC層110,112と領域46における層間絶縁膜92とが、充填材64や平坦化膜96からOLED6への水分等の浸入を遮断する封止構造を形成する。
Claims (7)
- 基板と、
薄膜トランジスタ及び複数の無機絶縁膜を含み前記基板上に形成された第1の層と、
前記第1の層の上に設けられた第1有機膜と、
前記第1有機膜の上に設けられた第1のダイアモンドライクカーボン層と、
前記第1のダイアモンドライクカーボン層の上に設けられた有機発光素子と、
前記有機発光素子の上に設けられた第2のダイアモンドライクカーボン層と、
第1の窒化シリコン膜を含み前記第2のダイアモンドライクカーボン層の上に形成された保護膜と、
を有し、
前記基板の縁と前記第1有機膜の縁との間の第1の距離は、前記基板の縁と前記第1のダイアモンドライクカーボン層の縁との間の第2の距離より大きく、
前記第1の距離は、前記基板の縁と前記第2のダイアモンドライクカーボン層の縁との間の第3の距離より大きいこと、
を特徴とする有機EL発光装置。 - 請求項1に記載の有機EL発光装置において、
さらに、有機材料で形成されたバンク絶縁層を有し、
前記有機発光素子は、陽極と、有機発光層を含み前記陽極の上に形成された有機材料層と、前記有機材料層の上に形成された陰極と、を有し、
前記バンク絶縁層は、前記陽極を露出する部分を設けつつ前記陽極の縁を覆い、当該縁にて前記陽極と前記有機発光層との間に形成され、
前記基板の縁と前記バンク絶縁層の縁との間の第4の距離は、前記第2の距離より大きく、
前記第4の距離は前記第3の距離より大きいこと、
を特徴とする有機EL発光装置。 - 請求項2に記載の有機EL発光装置において、
前記有機発光素子を含んだ表示領域と、前記表示領域を囲んだ周囲領域とを有し、
前記周囲領域にて前記第1のダイアモンドライクカーボン層と前記第2のダイアモンドライクカーボン層とがそれらの間に有機材料を挟まずに積層された封止構造が形成されていること、
を特徴とする有機EL発光装置。 - 請求項3に記載の有機EL発光装置において、
前記封止構造にて、前記第1のダイアモンドライクカーボン層、前記陰極及び前記第2のダイアモンドライクカーボン層がこの順で積層されていること、
を特徴とする有機EL発光装置。 - 請求項3に記載の有機EL発光装置において、
前記封止構造にて、前記第1のダイアモンドライクカーボン層は、前記第2のダイアモンドライクカーボン層と接すること、
を特徴とする有機EL発光装置。 - 請求項4に記載の有機EL発光装置において、
前記基板の縁と前記陰極の縁との間の第5の距離は、前記第2の距離より小さく、
前記第5の距離は、前記第3の距離より大きいこと、
を特徴とする有機EL発光装置。 - 請求項4に記載の有機EL発光装置において、
前記保護膜は、前記第1の窒化シリコン膜の上に形成された樹脂材料と、前記樹脂材料の上に形成された第2の窒化シリコン膜とを含むこと
を特徴とする有機EL発光装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014099756A JP6397654B2 (ja) | 2014-05-13 | 2014-05-13 | 有機el発光装置 |
US14/704,670 US9704933B2 (en) | 2014-05-13 | 2015-05-05 | Organic electroluminescent device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014099756A JP6397654B2 (ja) | 2014-05-13 | 2014-05-13 | 有機el発光装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015216083A JP2015216083A (ja) | 2015-12-03 |
JP2015216083A5 JP2015216083A5 (ja) | 2017-05-25 |
JP6397654B2 true JP6397654B2 (ja) | 2018-09-26 |
Family
ID=54539236
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014099756A Active JP6397654B2 (ja) | 2014-05-13 | 2014-05-13 | 有機el発光装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9704933B2 (ja) |
JP (1) | JP6397654B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6054763B2 (ja) | 2013-02-12 | 2016-12-27 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機el表示装置 |
CN106450032B (zh) * | 2016-11-08 | 2018-01-30 | 武汉华星光电技术有限公司 | Oled显示器及其制作方法 |
JP6785627B2 (ja) * | 2016-11-29 | 2020-11-18 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
KR102325171B1 (ko) * | 2017-03-20 | 2021-11-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
US10553822B2 (en) * | 2017-03-31 | 2020-02-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device, display device production method, and display device production device |
JP6880499B2 (ja) * | 2017-04-21 | 2021-06-02 | 大日本印刷株式会社 | 表示装置形成用基板の製造方法および表示装置の製造方法 |
KR102398554B1 (ko) | 2017-08-31 | 2022-05-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 봉지층을 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
JP2019153551A (ja) * | 2018-03-06 | 2019-09-12 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機el表示装置 |
JP2019174609A (ja) * | 2018-03-28 | 2019-10-10 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置および表示装置の製造方法 |
CN108878676A (zh) * | 2018-05-31 | 2018-11-23 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种amoled薄膜封装结构及其制造方法 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6441192A (en) * | 1987-08-07 | 1989-02-13 | Alps Electric Co Ltd | Thin film electroluminescent display element |
JP3175712B2 (ja) * | 1998-10-23 | 2001-06-11 | 日本電気株式会社 | Dlc保護膜と該保護膜を用いた有機el素子及びそれらの製造方法 |
US6956324B2 (en) | 2000-08-04 | 2005-10-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method therefor |
JP2002093586A (ja) | 2000-09-19 | 2002-03-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
US6605826B2 (en) * | 2000-08-18 | 2003-08-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and display device |
US6822391B2 (en) | 2001-02-21 | 2004-11-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, electronic equipment, and method of manufacturing thereof |
JP4255643B2 (ja) | 2001-02-21 | 2009-04-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及びその作製方法 |
JP4831885B2 (ja) * | 2001-04-27 | 2011-12-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US7098069B2 (en) * | 2002-01-24 | 2006-08-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, method of preparing the same and device for fabricating the same |
SG126714A1 (en) * | 2002-01-24 | 2006-11-29 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
US7202504B2 (en) * | 2004-05-20 | 2007-04-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element and display device |
JP2007273274A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Canon Inc | 有機el素子及びその製造方法 |
WO2010029866A1 (en) * | 2008-09-12 | 2010-03-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
JP5525224B2 (ja) * | 2008-09-30 | 2014-06-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
KR102386147B1 (ko) * | 2009-07-31 | 2022-04-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 디바이스 및 그 형성 방법 |
KR101391964B1 (ko) * | 2010-04-02 | 2014-05-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR20130014562A (ko) * | 2010-04-02 | 2013-02-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR101803730B1 (ko) * | 2010-04-09 | 2017-12-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR20120007305A (ko) * | 2010-07-14 | 2012-01-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
JP6399801B2 (ja) * | 2014-05-13 | 2018-10-03 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
-
2014
- 2014-05-13 JP JP2014099756A patent/JP6397654B2/ja active Active
-
2015
- 2015-05-05 US US14/704,670 patent/US9704933B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9704933B2 (en) | 2017-07-11 |
US20150333292A1 (en) | 2015-11-19 |
JP2015216083A (ja) | 2015-12-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6397654B2 (ja) | 有機el発光装置 | |
US11038141B2 (en) | Semiconductor device | |
US11711939B2 (en) | Thin film transistor substrate | |
US10204846B2 (en) | Display device | |
JP2017151315A (ja) | 表示装置 | |
JP2020109452A (ja) | 表示装置及び表示装置の製造方法 | |
US11349098B2 (en) | Display device with an improved sealing layer | |
JP2015049949A (ja) | 有機el表示装置及び有機el表示装置の製造方法 | |
JP2016031889A (ja) | 表示装置、及びその製造方法 | |
KR20160047052A (ko) | 대면적 고 휘도 유기발광 다이오드 표시장치 | |
WO2019171878A1 (ja) | 有機el表示装置 | |
KR20160013443A (ko) | 칼라 필터를 구비한 하부 발광형 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법 | |
JP2020027883A (ja) | 有機el表示装置および有機el表示装置の製造方法 | |
JP2019160863A (ja) | 有機el表示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170406 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170406 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180322 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180403 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180523 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180807 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180903 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6397654 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |