JP2019160863A - 有機el表示装置 - Google Patents
有機el表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019160863A JP2019160863A JP2018041768A JP2018041768A JP2019160863A JP 2019160863 A JP2019160863 A JP 2019160863A JP 2018041768 A JP2018041768 A JP 2018041768A JP 2018041768 A JP2018041768 A JP 2018041768A JP 2019160863 A JP2019160863 A JP 2019160863A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bank
- organic
- layer
- display device
- organic material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims abstract description 48
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims abstract 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 8
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 8
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 6
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 5
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 claims description 2
- ONKCIMOQGCARHN-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(3-methylanilino)phenyl]phenyl]aniline Chemical compound CC1=CC=CC(NC=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(NC=3C=C(C)C=CC=3)=CC=2)=C1 ONKCIMOQGCARHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- -1 N- (3-methylphenyl) N-phenylamino Chemical group 0.000 claims 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 112
- 239000010408 film Substances 0.000 description 31
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 12
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 2-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n,2-n-triphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C(=CC=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 125000000040 m-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C(=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/18—Carrier blocking layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
- H10K50/157—Hole transporting layers between the light-emitting layer and the cathode
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
- H10K85/633—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/822—Cathodes characterised by their shape
Abstract
Description
Claims (15)
- 基板と、
前記基板上に位置する複数の画素と、
前記複数の画素のそれぞれが備える下部電極と、
前記複数の画素を区画し、隣接する前記下部電極の間に位置するバンクと、
前記下部電極上および前記バンク上に配置される有機材料層と、
前記有機材料層上に配置される上部電極と、を有し、
前記バンク上において、前記有機材料層と前記上部電極との間に、前記上部電極から前記有機材料層へのキャリアの移動を阻止するキャリア移動阻止層が形成されている、
有機EL表示装置。 - 前記キャリア移動阻止層は、前記有機材料層および前記上部電極に直に接している、請求項1に記載の有機EL表示装置。
- 前記有機材料層は複数の層を含み、前記有機材料層の少なくとも一部の層は前記複数の画素に跨っている、請求項1または2に記載の有機EL表示装置。
- 前記上部電極がカソードであり、前記キャリア移動阻止層が前記有機材料層を構成する電子注入層または電子輸送層よりも電子の移動度が小さい層である、請求項1から3のいずれかに記載の有機EL表示装置。
- 前記上部電極がカソードであり、前記キャリア移動阻止層が前記有機材料層を構成するホール輸送層に含まれる材料を含む、請求項1から4のいずれかに記載の有機EL表示装置。
- 前記上部電極がカソードであり、前記キャリア移動阻止層が4,4’−ビス[N−(ナフチル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニル(α−NPD)、N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−(1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミン(TPD)および2−TNATA、4,4’,4”−トリス(N−(3−メチルフェニル)N−フェニルアミノ)トリフェニルアミン(MTDATA)からなる群から選ばれる一種以上を含む、請求項1から5のいずれかに記載の有機EL表示装置。
- 前記キャリア移動阻止層が絶縁材料を含む、請求項1から3のいずれかに記載の有機EL表示装置。
- 前記バンクの端部と前記キャリア移動阻止層の端部とが、平面的に見て重なっている、請求項1から7のいずれかに記載の有機EL表示装置。
- 前記キャリア移動阻止層は、少なくとも前記バンクの端部と対向する、請求項1から7のいずれかに記載の有機EL表示装置。
- 前記バンクは、隣接する前記下部電極の間に位置する上面を有し、
前記キャリア移動阻止層は、少なくとも前記上面の中央部と対向する、請求項1から7のいずれかに記載の有機EL表示装置。 - 前記バンクは、前記下部電極の一部を露出する開口部を有し、
前記キャリア移動阻止層は前記バンクを覆い、前記キャリア移動阻止層の端部は前記開口部の一部と対向する、請求項1から7のいずれかに記載の有機EL表示装置。 - 基板と、
前記基板上に位置する複数の画素と、
前記複数の画素のそれぞれが備える下部電極と、
前記複数の画素を区画し、隣接する前記下部電極の間に位置するバンクと、
前記下部電極上および前記バンク上に配置される有機材料層と、
前記有機材料層上に配置される上部電極と、を有し、
前記バンク上において、前記有機材料層と前記上部電極との間に、絶縁層が形成されている、
有機EL表示装置。 - 前記バンクは、隣接する前記下部電極の間に位置する上面を有し、
前記上面の一部は、前記絶縁層と対向し、
前記上面の前記一部とは異なる他の一部は、前記絶縁層と対向しない、請求項12に記載の有機EL表示装置。 - 前記バンクは、前記下部電極の一部を露出する開口部を有し、
前記絶縁層の端部と前記開口部の端部とが、平面的に見て重なっている、請求項12または13に記載の有機EL表示装置。 - 前記バンクは、前記下部電極の一部を露出する開口部を有し、
前記絶縁層は前記バンクを覆い、前記絶縁層の端部は前記開口部の一部と対向する、請求項12に記載の有機EL表示装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018041768A JP7126140B2 (ja) | 2018-03-08 | 2018-03-08 | 有機el表示装置 |
US16/294,981 US10903443B2 (en) | 2018-03-08 | 2019-03-07 | Organic EL display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018041768A JP7126140B2 (ja) | 2018-03-08 | 2018-03-08 | 有機el表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019160863A true JP2019160863A (ja) | 2019-09-19 |
JP7126140B2 JP7126140B2 (ja) | 2022-08-26 |
Family
ID=67842092
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018041768A Active JP7126140B2 (ja) | 2018-03-08 | 2018-03-08 | 有機el表示装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10903443B2 (ja) |
JP (1) | JP7126140B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113659092A (zh) * | 2021-08-18 | 2021-11-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及显示装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005276667A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機el素子およびその製造方法 |
JP2007059383A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-03-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子、露光装置および画像形成装置 |
JP2010033972A (ja) * | 2008-07-30 | 2010-02-12 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
JP2016157678A (ja) * | 2015-02-25 | 2016-09-01 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | 発光表示装置及びその製造方法 |
US20160322438A1 (en) * | 2013-05-31 | 2016-11-03 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic white light emitting display apparatus |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009088320A (ja) | 2007-10-01 | 2009-04-23 | Canon Inc | 有機発光装置及びその製造方法 |
KR101146988B1 (ko) * | 2010-05-04 | 2012-05-22 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
JP6558880B2 (ja) * | 2014-07-11 | 2019-08-14 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機el表示装置の製造方法 |
JP2016103395A (ja) | 2014-11-28 | 2016-06-02 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
JP2018106803A (ja) | 2016-12-22 | 2018-07-05 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機el表示装置および有機el表示装置の製造方法 |
JP2018142442A (ja) | 2017-02-27 | 2018-09-13 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機el表示装置の製造方法及び有機el表示装置 |
JP2018194572A (ja) | 2017-05-12 | 2018-12-06 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
-
2018
- 2018-03-08 JP JP2018041768A patent/JP7126140B2/ja active Active
-
2019
- 2019-03-07 US US16/294,981 patent/US10903443B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005276667A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機el素子およびその製造方法 |
JP2007059383A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-03-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子、露光装置および画像形成装置 |
JP2010033972A (ja) * | 2008-07-30 | 2010-02-12 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
US20160322438A1 (en) * | 2013-05-31 | 2016-11-03 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic white light emitting display apparatus |
JP2016157678A (ja) * | 2015-02-25 | 2016-09-01 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | 発光表示装置及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20190280239A1 (en) | 2019-09-12 |
JP7126140B2 (ja) | 2022-08-26 |
US10903443B2 (en) | 2021-01-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9536933B2 (en) | Display device having a light emitting layer on the auxiliary layer | |
US10026922B2 (en) | Display device | |
KR101864332B1 (ko) | 유기발광소자 | |
KR102377906B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
JP6872343B2 (ja) | 表示装置および表示装置の製造方法 | |
KR101746841B1 (ko) | 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조 방법 | |
JP6397654B2 (ja) | 有機el発光装置 | |
KR20100088883A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
CN111164666B (zh) | 显示设备 | |
JP2019016504A (ja) | 表示装置、及び表示装置の製造方法 | |
JP2019160632A (ja) | 有機el表示装置および有機el表示装置の製造方法 | |
US11233108B2 (en) | Display device | |
US10559775B2 (en) | Organic EL display device | |
JP2019003040A (ja) | 表示装置 | |
WO2019026132A1 (ja) | 表示デバイス | |
JP7126140B2 (ja) | 有機el表示装置 | |
US10923536B2 (en) | Organic el display device and method of manufacturing organic el display device | |
WO2019171878A1 (ja) | 有機el表示装置 | |
JP2018049983A (ja) | 有機el表示装置 | |
JP2018106803A (ja) | 有機el表示装置および有機el表示装置の製造方法 | |
US11765951B2 (en) | TFT array substrate including a heat dissipation layer in a curved region | |
US20230345802A1 (en) | Organic electroluminescence display device and method of manufacturing the same | |
JP7002629B2 (ja) | 素子基板 | |
JP2018205583A (ja) | 表示装置 | |
US20240040818A1 (en) | Display device and method for manufacturing thereof |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210304 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220121 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220215 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220415 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220517 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220708 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220726 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220803 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7126140 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |