JP7478521B2

JP7478521B2 - 有機ｅｌ表示装置

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Description

本発明は、有機ＥＬ表示装置に関する。

有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置は、基板上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）などが形成される。ＯＬＥＤは、一対の電極間に有機層を備える。有機層は、例えば、正孔輸送層、発光層、電子輸送層等が積層されて構成される。このような有機層は、代表的には、画素を区画するために予め設けられた凸状のバンクで囲まれた領域及びバンクの上側に形成される。

ここで、例えば、正孔輸送層等の導電性の材料を複数の画素間で共通に設けると、隣接する画素間でリーク電流が流れてしまうという問題がある。具体的には、リーク電流により本来発光すべきでない隣接の画素が発光し、コントラストや色純度の低下を招くという問題がある。このような問題は、高精細化（例えば、隣接する画素間の距離が短くなる）や駆動電圧の低減化（例えば、高移動度材料の採用）が進むほど、顕著に発生し得る。

上記の問題を解決するために、特許文献１では、リーク電流が流れる経路となる隔壁の上部に形成された正孔輸送層を除去する点を開示している。

特開２００８－２４３５５９号公報

有機層には、正孔輸送層以外にも正孔注入層や電子注入層などのキャリア注入層も含まれる。キャリア注入層は、正孔輸送層よりも電気抵抗が小さい。従って、特許文献１のように隔壁の上部に形成された正孔輸送層を除去したとしても、キャリア注入層が表示領域全体を覆うように配置された場合、当該キャリア注入層がリーク電流の流れる経路となる。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、隣接する画素間のリーク電流をより確実に抑制し得る有機ＥＬ表示装置を提供することにある。

上記課題を解決するために、本発明に係る有機ＥＬ表示装置は、発光領域と非発光領域を含む画素を有する有機ＥＬ表示装置であって、第１電極と、前記非発光領域に配置され、前記第１電極の端部を覆う有機絶縁層と、前記有機絶縁層の両側に配置された第１発光層及び第２発光層と、前記第１発光層及び前記第２発光層上の第２電極と、前記第１電極と前記第２電極の間のキャリア輸送層と、前記第１電極と前記第２電極の間のキャリア注入層と、前記有機絶縁層が配置された領域において、前記キャリア注入層上に配置された第１キャリア遮断層と、を有し、前記キャリア注入層は前記有機絶縁層の端部と重畳する重畳領域を有し、前記重畳領域において、前記キャリア輸送層と前記キャリア注入層は重畳し、前記第１キャリア遮断層は前記非発光領域に配置され、前記重畳領域において、その端部が前記キャリア輸送層と前記キャリア注入層の間にある、ことを特徴とする。

本発明によれば、有機ＥＬ表示装置において、隣接する画素間のリーク電流をより確実に抑制することができる。

本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略の構成を示す模式図である。本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の一例を示す模式的な平面図である。図２の画素周辺を拡大した平面図である。図３のIV-IV断面の一例を示す図である。第２実施形態に係る断面の一例を示す図である。第３実施形態に係る断面の一例を示す図である。第４実施形態に係る断面の一例を示す図である。キャリア遮断層及び正孔注入層の変形例を示す図である。キャリア遮断層及び正孔注入層の他の変形例を示す図である。

［第１実施形態］
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。

なお、以下の説明において参照する図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であり、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

図１は、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置２の概略の構成を示す模式図である。有機ＥＬ表示装置２は、画像を表示する画素アレイ部４と、画素アレイ部４を駆動する駆動部とを備える。有機ＥＬ表示装置２は、基板４０４（図４参照）上にＴＦＴ１０，１２やＯＬＥＤ６などの積層構造が形成された構成を有する。なお、図１に示した概略図は一例であって、本実施形態はこれに限定されるものではない。

画素アレイ部４には、画素に対応してＯＬＥＤ６および画素回路８がマトリクス状に配置される。画素回路８は複数のＴＦＴ１０，１２やキャパシタ１４で構成される。

上記駆動部は、走査線駆動回路２０、映像線駆動回路２２、駆動電源回路２４および制御装置２６を含み、画素回路８を駆動しＯＬＥＤ６の発光を制御する。

走査線駆動回路２０は、画素の水平方向の並び（画素行）ごとに設けられた走査信号線２８に接続されている。走査線駆動回路２０は、制御装置２６から入力されるタイミング信号に応じて走査信号線２８を順番に選択し、選択した走査信号線２８に、点灯ＴＦＴ１０をオンする電圧を印加する。

映像線駆動回路２２は、画素の垂直方向の並び（画素列）ごとに設けられた映像信号線３０に接続されている。映像線駆動回路２２は、制御装置２６から映像信号を入力され、走査線駆動回路２０による走査信号線２８の選択に合わせて、選択された画素行の映像信号に応じた電圧を各映像信号線３０に出力する。当該電圧は、選択された画素行にて点灯ＴＦＴ１０を介してキャパシタ１４に書き込まれる。駆動ＴＦＴ１２は、書き込まれた電圧に応じた電流をＯＬＥＤ６に供給し、これにより、選択された走査信号線２８に対応する画素のＯＬＥＤ６が発光する。

駆動電源回路２４は、画素列ごとに設けられた駆動電源線３２に接続され、駆動電源線３２および選択された画素行の駆動ＴＦＴ１２を介してＯＬＥＤ６に電流を供給する。

ここで、ＯＬＥＤ６の第１電極３０４（図３、４参照）は、駆動ＴＦＴ１２に接続される。一方、各ＯＬＥＤ６の第２電極４４（図２、４参照）は、全画素のＯＬＥＤ６に共通の電極で構成される。第１電極３０４を陽極（アノード）として構成する場合は、高電位が入力され、第２電極４４は陰極（カソード）となって低電位が入力される。第１電極３０４を陰極（カソード）として構成する場合は、低電位が入力され、第２電極４４は陽極（アノード）となって高電位が入力される。

図２は、図１に示す有機ＥＬ表示装置２の一例を示す模式的な平面図である。有機ＥＬ表示装置２の表示領域４２に、図１に示した画素アレイ部４が設けられ、上述したように画素アレイ部４にはＯＬＥＤ６が配列される。上述したようにＯＬＥＤ６を構成する第２電極４４は、各画素に共通に形成され、表示領域４２全体を覆う。

矩形である有機ＥＬ表示装置２の一辺には、部品実装領域４６が設けられ、表示領域４２につながる配線が配置される。部品実装領域４６には、駆動部を構成するドライバ集積回路（ＩＣ）４８が搭載されたり、フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ５０）が接続されたりする。ＦＰＣ５０は、制御装置２６やその他の回路２０，２２，２４等に接続されたり、その上にＩＣを搭載されたりする。

各画素は、複数の副画素から構成される。具体的には、例えば、各画素は、赤色の光を発する第１副画素５２と、緑色の光を発する第２副画素５４と、青色の光を発する第３副画素５６と、を含む。

図３は、図２の画素周辺を拡大した平面図である。また、図４は、図３のIV―IV断面の一例を示す図である。図３及び図４に示すように、有機ＥＬ表示装置２は、基板４０４と、アレイ層４０６と、平坦化膜４０８と、第１電極３０４と、有機絶縁層４１０と、有機層と、第２電極４４と、キャップ層４２８と、封止膜と、を含む。

基板４０４は、例えば樹脂で形成され、可撓性を有する。基板４０４はガラスであってもよい。

アレイ層４０６は、基板４０４の上側に形成される。具体的には、アレイ層４０６は、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極及び半導体層等を含んで構成される複数の点灯ＴＦＴ１０、駆動ＴＦＴ１２を含むように基板４０４の上層に形成される。

平坦化膜４０８は、アレイ層４０６の上層に絶縁材料により形成される。平坦化膜４０８は、駆動ＴＦＴ１２のソース電極又はドレイン電極の一方の上側でスルーホールを有する。平坦化膜４０８は、アレイ層４０６を覆うように絶縁材料で形成される。例えば、平坦化膜４０８は、アクリルや、ポリイミドといった有機絶縁材料により形成される。

第１電極３０４は、平坦化膜４０８の上層に形成される。具体的には、第１電極３０４は、ＩＴＯ等の透明かつ導電性を有する材料で、スルーホールを介して駆動ＴＦＴ１２のソース電極又はドレイン電極と電気的に接続するように形成される。有機ＥＬの光の取り出し方には、後述する発光層からの光をアレイ層４０６と反対側に取り出す、トップエミッション方式と、それとは逆方向に取り出すボトムエミッション方式がある。トップエミッション方式では、第１電極３０４は、光反射性を持たせるために、銀とＩＴＯとの積層体のような構成でも構わない。

有機絶縁層４１０は、非発光領域４０２に配置される。具体的には、有機絶縁層４１０は、第１電極３０４が形成されていない領域では平坦化膜４０８を覆うように、かつ、第１電極３０４の端部では第１電極３０４の上層に形成される。有機絶縁層４１０は、非発光領域に配置され、有機絶縁層４１０が設けられていない領域は、有機絶縁層４１０の開口部である。有機絶縁層４１０の開口部は、発光層から光が取り出される発光領域３０２である。有機絶縁層４１０は例えば、アクリルやポリイミドといった有機絶縁層であってもよい。

有機層は、発光層と、キャリア輸送層と、キャリア注入層と、第１キャリア遮断層３０８と、第２キャリア遮断層４２０とを有する。

発光層は、第２電極４４と第１電極３０４から供給された電子と正孔によって光を発する。具体的には、例えば、発光層は、赤色の光を発する第１発光層３１０ｒと、緑色の光を発する第２発光層３１０ｇと、青色の光を発する第３発光層３１０ｂと、を含む。断面視で、第１発光層３１０ｒから第３発光層３１０ｂは、それぞれ有機絶縁層４１０を挟んで配置される。例えば、第１発光層３１０ｒと第２発光層３１０ｇは、有機絶縁層４１０の両側に配置される。また、第２発光層３１０ｇと第３発光層３１０ｂは、有機絶縁層４１０の両側に配置される。

キャリア輸送層は、第１発光層３１０ｒ乃至第３発光層３１０ｂの上側及び下側に配置される。具体的には、例えば、キャリア輸送層は、正孔輸送層と電子輸送層４１６とを含む。第１電極３０４が陽極（アノード）である場合、正孔輸送層は、第１発光層３１０ｒ乃至第３発光層３１０ｂの下側に配置され、電子輸送層４１６は、第１発光層３１０ｒ乃至第３発光層３１０ｂの上側に配置される。

また、正孔輸送層は、第１副画素５２、第２副画素５４及び第３副画素５６に共通に設けられた第１正孔輸送層４１４と、第１副画素５２の第１正孔輸送層４１４の上側にのみ設けられた第２正孔輸送層４１４ｒと、第２副画素５４の第１正孔輸送層４１４の上側にのみ設けられた第３正孔輸送層４１４ｇより構成されてもよい。各発光層上に設けられた正孔輸送層は、それぞれ各副画素が発する光の波長に応じた厚さで形成される。これにより、いわゆるマイクロキャビティ構造が形成される。

キャリア注入層は、第１電極３０４と第２電極４４の間に配置される。また、キャリア注入層は、有機絶縁層４１０の端部と重畳する重畳領域を有する。さらに、重畳領域において、キャリア輸送層とキャリア注入層は重畳する。例えば、キャリア注入層は、キャリア輸送層と第１電極３０４の間に配置され、また、有機絶縁層４１０上に配置される（有機絶縁層４１０と重畳する）。キャリア注入層の端部は、有機絶縁層４１０の端部と重畳する。キャリア注入層は、正孔注入層と電子注入層４１８とを含む。正孔注入層は、発光領域３０２において正孔輸送層の下側に配置され、電子注入層４１８は、発光領域３０２において電子輸送層４１６の上側に配置される。有機絶縁層４１０の端部と重畳する領域において、キャリア輸送層と第１電極３０４の間に配置される。

また、正孔注入層は、第１電極３０４の上側に、異なる色の光を発する副画素毎に設けられる。具体的には、正孔注入層は、第１副画素５２、第２副画素５４、及び、第３副画素５６ごとに設けられる。図３に示すように、平面視で、第１副画素５２、第２副画素５４、及び、第３副画素５６は、それぞれ縦方向に並べて配置される。第１副画素５２には第１正孔注入層３０６ｒが配置され、第２副画素５４には第２正孔注入層３０６ｇが配置され、第３副画素５６には第３正孔注入層３０６ｂが配置される。そのため、平面視で上下に並んで配置された各副画素の正孔注入層は繋がっているが、左右に並んで配置された各副画素の正孔注入層は分離されている。すなわち、図４に示すように、断面視で、有機絶縁層４１０の上側の領域において、正孔注入層は孔が設けられた遮断領域４２２を有する。遮断領域４２２が設けられることにより、異なる色を発する副画素間で、正孔注入層を介して生じるリーク電流を小さくすることができる。正孔注入層は、隣り合う副画素の間で分離されていればよく、例えば後述するように、平面視で島状の形状に設けられてもよい。例えば、横方向だけでなく、縦方向にも異なる色が並ぶ場合には、正孔注入層は島状に設けられてもよい。

なお、正孔注入層は、有機絶縁層４１０の端部に乗り上げるように配置される。また、図４では、電子輸送層４１６は複数の異なる色の画素に跨って配置されているが、正孔輸送層と同様の構成としてもよい。また、電子注入層４１８も複数の異なる色の画素に跨って配置されているが、正孔注入層と同様の構成としてもよい。

第１キャリア遮断層３０８は、有機絶縁層４１０が配置された領域において、キャリア注入層上に配置される。また、第１キャリア遮断層３０８は、非発光領域４０２に配置され、重畳領域において、その端部がキャリア輸送層とキャリア注入層の間にある。具体的には、断面視で、第１キャリア遮断層３０８は、有機絶縁層４１０の上側の領域において、正孔輸送層と正孔注入層の間に配置される。また、第１キャリア遮断層３０８は、リーク電流を遮断する有機材料で形成され、正孔注入層及び正孔輸送層よりも電気抵抗が高い（正孔の移動度が低い）。例えば、第１キャリア遮断層３０８は、正孔遮断層、電子注入層４１８または電子輸送層４１６と同じ材料で形成される。また、第１キャリア遮断層３０８は、正孔遮断層、電子注入層４１８及び電子輸送層４１６が積層されて形成されてもよい。また、第１キャリア遮断層３０８は、１００ｎｍ以下の厚さで形成される。

また、平面視で、第１キャリア遮断層３０８は、異なる色の光を発する副画素の境界をまたぐように配置される。具体的には、図３に示すように、第１キャリア遮断層３０８は、左右方向に並ぶ副画素の間にある非発光領域４０２に配置される。一方、第１キャリア遮断層３０８は、上下方向に並ぶ副画素の間にある非発光領域４０２には配置されなくてもよい。従って、第１キャリア遮断層３０８は、図３の上下方向に長いストライプ形状を有する。

隣接する副画素の第１電極３０４には、表示される画像に応じた電圧が印加される。隣接する副画素間で当該電圧に相違がある場合、隣接する副画素の間でリーク電流が流れる。ここで、リーク電流が流れる主な経路は、非発光領域４０２に配置された正孔注入層及び正孔輸送層である。第１キャリア遮断層３０８は、正孔注入層及び正孔輸送層よりも電気抵抗が高い（正孔の移動度が低い）ため、正孔注入層と正孔輸送層の間に第１キャリア遮断層３０８が配置されることにより、リーク電流を減少させることができる。

また、第１キャリア遮断層３０８は、有機絶縁層４１０の上側の領域において、正孔注入層の遮断領域４２２を覆うように配置される。さらに、断面視で、第１キャリア遮断層３０８の第１発光層３１０ｒ側の端部は、遮断領域４２２の第１発光層３１０ｒ側の端部よりも発光領域３０２側に位置する。また、断面視で、第１キャリア遮断層３０８の第２発光層３１０ｇ側の端部は、遮断領域４２２の第２発光層３１０ｇ側の端部よりも発光領域３０２側に位置する。すなわち、第１キャリア遮断層３０８は、有機絶縁層４１０の上側の領域において正孔注入層と重なる領域を有する。

第１キャリア遮断層３０８が設けられない構成の場合、第１副画素５２の正孔注入層の端部から、遮断領域４２２の正孔輸送層を経由して、第２副画素５４の正孔注入層へリーク電流が流れる経路が存在する。しかし、上記実施形態によれば、第１正孔注入層３０６ｒから第２正孔注入層３０６ｇに流れるリーク電流は、図４の矢印に示す経路４２４で流れる。正孔注入層よりも正孔輸送層の方が電気抵抗が高いため、リーク電流が正孔輸送層を流れる経路４２４を長くすることにより、リーク電流を低減できる。

第２キャリア遮断層４２０は、発光領域３０２において、第１発光層３１０ｒ乃至第３発光層３１０ｂと、キャリア輸送層と、の間に、配置される。具体的には、図４に示すように、第２キャリア遮断層４２０は、第１発光層３１０ｒ乃至第３発光層３１０ｂそれぞれと、電子輸送層４１６と、の間に配置される。第２キャリア遮断層４２０は、第１電極３０４から供給された正孔が電子輸送層４１６に到達することを防止する正孔遮断層である。なお、図４には記載していないが、発光領域３０２において、第１発光層３１０ｒ乃至第３発光層３１０ｂそれぞれと、正孔輸送層と、の間に第２電極４４から供給された電子が正孔輸送層に到達することを防止する電子遮断層が配置されてもよい。

第２電極４４は、有機層の上側に、配置される。具体的には、第２電極４４は、有機層を覆うように、光の透過特性及び反射特性と共に導電性を有するＭｇＡｇ等の材料で形成される。本実施例では、第２電極４４は複数の副画素に跨って連続して形成される。第２電極４４は、有機層に電子を供給することによって、第１発光層３１０ｒ乃至第３発光層３１０ｂを発光させる。キャップ層４２８は、第２電極４４の上側に配置される。キャップ層４２８は、発する色が異なる副画素毎に異なる厚さで形成されてもよい。キャップ層４２８は、いわゆるマイクロキャビティ構造が形成される。

封止膜は、キャップ層４２８の上側に配置される。具体的には、封止膜は、一または複数層により形成される。本実施例では、封止膜は、第１無機封止膜４３０と、有機封止膜４３２と、第２無機封止膜４３４と、の積層で構成され、キャップ層４２８を覆う。封止膜は、有機層に水分が侵入することで有機層が劣化することを防止する。

以上のように、第１キャリア遮断層３０８が配置されることにより、リーク電流を低減することができる。

なお、上記実施形態では、第１電極３０４から発光層に正孔が供給され、第２電極４４から発光層に電子が供給される場合について説明したが、逆の構成であってもよい。すなわち、第１電極３０４から発光層に電子が供給され、第２電極４４から発光層に正孔が供給されてもよい。この場合、正孔注入層、第１キャリア遮断層３０８、及び、正孔輸送層は、発光層の上側に配置される。
［第２実施形態］

続いて、第２実施形態について説明する。図５は、第２実施形態における有機ＥＬ表示装置２の断面を示す図である。なお、第１実施形態と同じ構成については説明を省略する。

図５に示すように、基板４０４から有機絶縁層４１０までの構成及び第２電極４４から封止膜までの各構成は第１実施形態と同様である。また、有機絶縁層４１０及び第１電極３０４の上側に有機層が配置される点も第１実施形態と同様であるが、第２実施形態は、有機絶縁層４１０の上側の領域において、キャリア注入層が、他の領域よりも薄く形成された遮断領域４２２を有する点で第１実施形態と異なる。

具体的には、キャリア注入層に含まれる正孔注入層５００は、発光領域３０２及び非発光領域４０２全体を覆うように形成され、有機絶縁層４１０の上側において、他の領域よりも薄く形成された遮断領域４２２を有する。

なお、第１副画素５２乃至第３副画素５６に対して同時に形成されてもよいし、正孔注入層５００は、第１副画素５２、第２副画素５４、及び、第３副画素５６ごとに個別に形成されてもよい。

第１キャリア遮断層３０８は、有機絶縁層４１０の上側に配置される。具体的には、第１キャリア遮断層３０８は、遮断領域４２２を覆うように配置される。また、第１キャリア遮断層３０８は、有機絶縁層４１０の上側の領域において、正孔注入層５００（遮断領域４２２以外の領域に形成された正孔注入層５００）と重なる領域を有する。これにより、正孔輸送層を通るリーク経路４２４の長さを長くすることができる。

また、一般的に正孔注入層５００は、遮断領域４２２を覆うマスクを用いて形成される。有機ＥＬ表示装置２が高精細である場合、隣接する副画素間の距離が近接するため、マスクで覆われた領域に正孔注入層５００の材料が回り込んで付着することがある。当該回り込んで付着した正孔注入層５００の材料により、遮断領域４２２に薄い正孔注入層５００が形成される。すなわち、第２実施形態によれば、より高精細な有機ＥＬ表示装置２を実現できる。また、マスクをまわりこんで付着することによって形成された正孔注入層５００は非常に薄いため、正孔注入層５００を経由するリーク電流は小さい。

また、例えば、正孔注入層５００を第１副画素５２、第２副画素５４、及び、第３副画素５６ごとに個別に形成した場合、それぞれの正孔注入層５００の端部は厚みが薄くなる。この時、隣り合う副画素の正孔注入層５００間の幅が十分に広くない場合、それぞれの正孔注入層５００の端部が接してしまう恐れがある。しかし、第１キャリア遮断層３０８がそれぞれの正孔注入層５００の端部を覆うことにより、リーク経路４２４を十分な長さとし、リーク電流を低減することができる。また、それぞれの正孔注入層５００の端部間の距離が短くなるので、結果として高精細化を実現できる。

以上のように、第２実施形態によれば、リーク電流を低減しつつ高精細な有機ＥＬ表示装置２を実現できる。

［第３実施形態］
続いて、第３実施形態について説明する。図６は、第３実施形態における有機ＥＬ表示装置２の断面を示す図である。なお、第１実施形態と同じ構成については説明を省略する。

図６に示すように、基板４０４から有機絶縁層４１０までの構成及び第２電極４４から封止膜までの各構成は第１実施形態と同様である。また、有機絶縁層４１０及び第１電極３０４の上側に有機層が配置される点も第１実施形態と同様であるが、第３実施形態は、有機絶縁層４１０の上側の領域において、キャリア注入層に含まれる正孔注入層６００は、導電性が低下している遮断領域４２２を有する点で第１実施形態と異なる。

具体的には、第３実施形態では、有機絶縁層４１０の上側に配置された正孔注入層６００は、その物性が変質することにより導電性が低下している領域を含む。ここで、正孔注入層６００の物性が変質しているとは、変質していない領域と変質している領域とを比較して、正孔注入層６００を構成する多元素の元素は一致しているが、その物性が異なることをいう。

遮断領域４２２は、有機絶縁層４１０の上側に存在する正孔注入層６００に対して、有機絶縁層４１０の反対側（有機層が有機絶縁層４１０と接する面の反対側の面方向）から選択的にエネルギー線を照射することで形成される。エネルギー線は、有機層の有機分子を変質、劣化させ得るものであり、例えば、紫外線光、赤外線光、電子線、高強度白色光等が用いられる。このとき、エネルギー線は、正孔注入層６００が吸収可能な波長を有することが好ましい。このように、エネルギー線を照射することにより、有機絶縁層４１０上に存在する有機層が導電性の低い遮断領域４２２を含むことで、隣接する副画素間を流れるリーク電流を低減することができる。

なお、遮断領域４２２は、全ての副画素間において形成されてもよいし、特定の副画素の周囲に選択的に（例えば、第１副画素５２、第２副画素５４及び第３副画素５６の中でもリーク電流による色純度の低下が顕著な第２副画素５４の周囲に選択的に）形成されてもよい。また、遮断領域４２２は、同じ色の副画素間では設けなくてもよい。

第１キャリア遮断層３０８は、有機絶縁層４１０の上側の領域において、正孔注入層６００の遮断領域４２２を覆うように配置される。また、断面視で、第１キャリア遮断層３０８の第１発光層３１０ｒ側の端部は、遮断領域４２２の第１発光層３１０ｒ側の端部よりも発光領域３０２側に位置する。さらに、断面視で、第１キャリア遮断層３０８の第２発光層３１０ｇ側の端部は、遮断領域４２２の第２発光層３１０ｇ側の端部よりも発光領域３０２側に位置する。すなわち、第１キャリア遮断層３０８は、有機絶縁層４１０の上側の領域において変質した正孔注入層６０２を覆いかつ変質していない正孔注入層６００と重なる領域を有する。

従って、第１実施形態と同様に、リーク電流が正孔輸送層を流れる経路４２４を長くすることにより、リーク電流を低減できる。

［第４実施形態］
続いて、第４実施形態について説明する。図７は、第４実施形態における有機ＥＬ表示装置２の断面を示す図である。なお、第１実施形態と同じ構成については説明を省略する。

図７に示すように、基板４０４から有機絶縁層４１０までの構成及び第２電極４４から封止膜までの各構成は第１実施形態と同様である。また、有機絶縁層４１０及び第１電極３０４の上側に有機層が配置される点も第１実施形態と同様であるが、第４実施形態は、有機絶縁層４１０の上側の領域かつ発光層より下層において、遮断領域４２２が設けられていない点で第１実施形態と異なる。

第４実施形態によれば、正孔注入層は、表示領域４２全体にわたって、均一な厚さで形成される。また、第１キャリア遮断層３０８は、有機絶縁層４１０の上側の領域７００（第１乃至第３実施形態の遮断領域４２２に相当する領域）において、キャリア輸送層とキャリア注入層の間に配置される。第１キャリア遮断層３０８は、第１実施形態と同様１００ｎｍ以下の厚さで形成される。さらに、正孔輸送層は、第１キャリア遮断層３０８の上側に配置される。

図８は、第１キャリア遮断層３０８及び正孔注入層の変形例を示す図である。第１正孔注入層３０６ｒ乃至第３正孔注入層３０６ｂは、副画素毎に島状に設けられてもよい。横方向だけでなく、縦方向にも異なる色が並ぶ場合には、第１正孔注入層３０６ｒ乃至第３正孔注入層３０６ｂは島状に設けられてもよい。図示はしないが、第１正孔注入層３０６ｒ乃至第３正孔注入層３０６ｂは、複数個の副画素毎に島状に設けられてもよい。この場合の第１キャリア遮断層３０８は、図８のように格子状に設けられることで各正孔注入層端部を全て覆い、正孔輸送層を通るリーク電流を低減することができる。また、第１キャリア遮断層３０８は、隣接画素の正孔輸送層の長辺側のみを覆ってもよい。この場合、第１キャリア遮断層３０８は図３のようにストライプ形状を有する。

図９は、第１キャリア遮断層３０８の他の変形例を示す図である。第１キャリア遮断層３０８は、図９のように島状に設けられてもよい。この場合の第１キャリア遮断層３０８は、隣接画素の正孔輸送層の長辺側のみを覆っている。図示はしないが、第１キャリア遮断層３０８は、複数個の副画素毎に島状に設けられてもよい。図９では、正孔注入層はストライプ状に形成されているが、図８のように島状に設けられていてもよい。

当該構成によれば、マスクを用いずに正孔注入層を形成できるため、製造工程に係る負荷を低減することができる。また、第１キャリア遮断層３０８による段差によって、第１キャリア遮断層３０８の端部の上側で正孔輸送層は薄く形成されたり、場合によっては不連続に形成されたりする。さらに、第１キャリア遮断層３０８の厚さだけ正孔輸送層を通るリーク経路４２４が長くなる。従って、第４実施形態によれば、正孔輸送層を通るリーク電流を低減することができる。

以上、本発明の実施形態を説明してきたが、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。例えば、上述した実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成、または同一の目的を達成することができる構成により置き換えてもよい。

２有機ＥＬ表示装置、４画素アレイ部、６ＯＬＥＤ、８画素回路、１０点灯ＴＦＴ、１２駆動ＴＦＴ、１４キャパシタ、２０走査線駆動回路、２２映像線駆動回路、２４駆動電源回路、２６制御装置、２８走査信号線、３０映像信号線、３２駆動電源線、４２表示領域、４４第２電極、４６部品実装領域、４８ドライバＩＣ、５０ＦＰＣ、５２第１副画素、５４第２副画素、５６第３副画素、３０２発光領域、３０４第１電極、３０６ｒ第１正孔注入層，３０６ｇ第２正孔注入層，３０６ｂ第３正孔注入層、３０８第１キャリア遮断層、４０２非発光領域、４０４基板、４０６アレイ層、４０８平坦化膜、４１０バンク、３１０ｒ第１発光層、３１０ｇ第２発光層、３１０ｂ第３発光層、４１４第１正孔輸送層、４１４ｒ第２正孔輸送層、４１４ｇ第３正孔輸送層、４１６電子輸送層、４１８電子注入層、４２０第２キャリア遮断層、４２２遮断領域、４２４リーク電流の経路、４２８キャップ層、４３０第１無機封止膜、４３２有機封止膜、４３４第２無機封止膜、５００正孔注入層、６００変質していない正孔注入層、６０２変質した正孔注入層、７００遮断領域に相当する領域。

Claims

発光領域と非発光領域を含む画素を有する有機ＥＬ表示装置であって、
第１電極と、
前記非発光領域に配置され、前記第１電極の端部を覆う有機絶縁層と、
前記有機絶縁層の両側に配置された第１発光層及び第２発光層と、
前記第１発光層及び前記第２発光層上の第２電極と、
前記第１電極と前記第１発光層、又は前記第１電極と前記第２発光層の間のキャリア輸送層と、
前記第１電極と前記キャリア輸送層の間のキャリア注入層と、
前記有機絶縁層が配置された領域において、前記キャリア注入層上に配置された第１キャリア遮断層と、
を有し、
前記キャリア輸送層が電子輸送層である場合、前記キャリア注入層は電子注入層であり、
前記キャリア輸送層が正孔輸送層である場合、前記キャリア注入層は正孔注入層であり、
前記キャリア注入層は前記有機絶縁層と重畳する重畳領域を有し、
前記有機絶縁層上に、前記第１発光層及び前記第２発光層のいずれも重畳しない遮断領域を有し、
前記重畳領域において、前記キャリア輸送層と前記キャリア注入層は重畳し、
前記第１キャリア遮断層は前記非発光領域に配置されるとともに前記遮断領域を覆い、前記重畳領域において、その端部が前記キャリア輸送層と前記キャリア注入層の間にあり、
前記遮断領域における前記キャリア注入層の導電性は、前記第１発光層又は前記第２発光層と重畳する領域における前記キャリア注入層の導電性よりも低下している、
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
発光領域と非発光領域を含む画素を有する有機ＥＬ表示装置であって、
第１電極と、
前記非発光領域に配置され、前記第１電極の端部を覆う有機絶縁層と、
前記有機絶縁層の両側に配置された第１発光層及び第２発光層と、
前記第１発光層及び前記第２発光層上の第２電極と、
前記第１電極と前記第１発光層、又は前記第１電極と前記第２発光層の間のキャリア輸送層と、
前記第１電極と前記キャリア輸送層の間のキャリア注入層と、
前記有機絶縁層が配置された領域において、前記キャリア注入層上に配置された第１キャリア遮断層と、
を有し、
前記キャリア輸送層が電子輸送層である場合、前記キャリア注入層は電子注入層であり、
前記キャリア輸送層が正孔輸送層である場合、前記キャリア注入層は正孔注入層であり、
前記キャリア注入層は前記有機絶縁層と重畳する重畳領域を有し、
前記有機絶縁層上に、前記第１発光層及び前記第２発光層のいずれも重畳しない遮断領域を有し、
前記重畳領域において、前記キャリア輸送層と前記キャリア注入層は重畳し、
前記第１キャリア遮断層は前記非発光領域に配置されるとともに前記遮断領域を覆い、前記重畳領域において、その端部が前記キャリア輸送層と前記キャリア注入層の間にあり、
前記遮断領域は、前記キャリア注入層を有さない、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
前記遮断領域において、前記キャリア注入層は、他の領域よりも薄く形成された領域を有する、ことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
前記非発光領域において、前記第１キャリア遮断層はストライプ状に形成されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
前記非発光領域において、前記第１キャリア遮断層は格子状に形成されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
前記非発光領域において、前記第１キャリア遮断層は島状に形成されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
前記第１キャリア遮断層の前記第１発光層側の端部は、前記遮断領域の前記第１発光層側の端部よりも前記発光領域側に位置する、
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
さらに、前記発光領域において、前記第１発光層及び前記第２発光層と、前記キャリア輸送層と、の間に、第２キャリア遮断層を有する、ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。