TWI612657B - 顯示裝置 - Google Patents

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Toshihiro Sato
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Abstract

本發明提供一種即便在透明顯示器中亦可兼顧高精細化及高畫質化，且將特有之構成要件利用於有機EL顯示裝置之新的像素之結構。
本發明之顯示裝置具有行列狀地配列之複數個像素，該像素中分別設置有：發光區域，其配置有發光元件；及透光區域，其配置有具有透光性之保持電容之至少一部分，且由保持電容之至少一個電極覆蓋；並且該顯示裝置包含覆蓋複數個像素之第1電極、設置於第1電極之下的發光層、及就每複數個像素而設置於發光層之下的第2電極，其中保持電容包含第1電極。

Description

顯示裝置
本發明係關於一種顯示裝置。特別係關於一種顯示裝置之顯示區域的像素之構成。
有機電致發光(以下稱為有機EL)顯示裝置係就各像素設置發光元件，藉由個別地控制發光而顯示圖像。發光元件具有下述結構：在將一者作為陽極電極、另一者作為陰極電極而區別之一對電極間，夾持含有有機EL材料的層(以下亦稱為「發光層」)。有機EL顯示裝置係將一個電極就每一像素設置為像素電極，而將另一個電極設置為跨於複數個像素而施加有共通之電位的共通電極。有機EL顯示裝置係相對於該共通電極之電位，藉由就每一像素施加像素電極之電位來控制像素之發光。
近年來，業界已知一種能夠透過顯示區域視認顯示區域之後方之景色之所謂透明顯示器。作為透明顯示器，業界已知下述構成：例如，如專利文獻1所揭示般，在行列狀地設置於顯示區域的各複數個像素中配置有：發光區域，其設置有擔負圖像顯示之發光元件；及透光區域，其具有與該發光區域有別之所謂透視(See-through)結構。
一般而言，在擔負圖像顯示之發光像素的驅動電路中配置有複數個薄膜電晶體或電容，伴隨著高精細化之推進，細微之佈局設計是所期盼者。然而，在具有如前述般構成之透明顯示器中，會發生下述問題：為確保複數個像素之各自之透光區域，對發光區域所佔面積會 產生進一步制約，特別是難於確保用於將保持電容配置於發光區域之充分之面積。若無法充分地確保保持電容之大小，則容易受到薄膜電晶體特性之不均一之影響，而難於實現高畫質化。亦即，可謂用於實現高精細化之像素的細微化與顯示裝置之高畫質化具有二律背反之關係。
另一方面，相對於自發光型之有機EL顯示裝置，在控制來自背光源之光而顯示圖像之液晶顯示裝置中，業界已知：例如，如專利文獻2~4所揭示般，藉由利用液晶元件所使用之透明電極形成輔助電容，而用於可容易地獲得高精細及/或高畫質之顯示裝置的像素之構成。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2014-049313號公報
[專利文獻2]日本特開平6-148684號公報
[專利文獻3]日本特開平6-258669號公報
[專利文獻4]日本特開平10-78593號公報
鑒於上述問題，本發明之目的之一在於提供一種即便在透明顯示器中，亦可兼顧高精細化及高畫質化之將特有之構成要件利用於自發光型之顯示裝置之新穎的像素之結構。
本發明之一態樣係一種顯示裝置，其具有行列狀地配列之複數個像素，該像素中分別設置有：發光區域，其配置有發光元件；及透光區域，其配置有具有透光性之保持電容之至少一部分，且由保持電容之至少一個電極覆蓋。
本發明之一態樣係一種顯示裝置之製造方法，該方法包含：在將分別設置有發光區域與透光區域之複數個像素行列狀地配置的基板之第1面之上方，將發光元件形成於發光區域；及將至少一個電極覆蓋前述透光區域的保持電容之至少一部分形成於透光區域。
100‧‧‧顯示裝置
102‧‧‧第1基板/基板
104‧‧‧第2基板
106‧‧‧顯示區域
108‧‧‧像素
110‧‧‧密封材
114‧‧‧端子區域
116‧‧‧連接端子
120‧‧‧像素電路
122‧‧‧選擇電晶體
124‧‧‧驅動電晶體
126‧‧‧保持電容
126a‧‧‧下部電極
126b‧‧‧上部電極
128‧‧‧發光元件
130‧‧‧掃描線驅動電路
132‧‧‧映像線驅動電路
134‧‧‧驅動電源電路
136‧‧‧基準電源電路
138‧‧‧控制裝置
140‧‧‧掃描信號線
142‧‧‧映像信號線
144‧‧‧電源電位線
145‧‧‧基準電源線
146‧‧‧發光區域
148‧‧‧透光區域
150‧‧‧圍堰
152‧‧‧像素電極
154‧‧‧發光層
154a‧‧‧絕緣層
156‧‧‧共通電極
158‧‧‧絕緣層
160‧‧‧層間絕緣膜/絕緣層
162‧‧‧平坦化膜
200‧‧‧顯示裝置
250‧‧‧顯示裝置
300‧‧‧顯示裝置
400‧‧‧顯示裝置
500‧‧‧顯示裝置
600‧‧‧顯示裝置
700‧‧‧顯示裝置
800‧‧‧顯示裝置
900‧‧‧顯示裝置
A-A’‧‧‧剖面
B‧‧‧藍
G‧‧‧綠
R‧‧‧紅
W‧‧‧白
圖1係顯示本發明之一個實施形態之顯示裝置之構成的立體圖；圖2係顯示本發明之一個實施形態之顯示裝置之構成的平面圖；圖3係顯示本發明之一個實施形態之顯示裝置之構成的剖視圖；圖4係顯示本發明之一個實施形態之顯示裝置之像素電路之構成的平面圖；圖5係顯示本發明之一個實施形態之顯示裝置之構成的剖視圖；圖6係顯示本發明之一個實施形態之顯示裝置之構成的剖視圖；圖7係顯示本發明之一個實施形態之顯示裝置之構成的剖視圖；圖8係顯示本發明之一個實施形態之顯示裝置之構成的剖視圖；圖9係顯示本發明之一個實施形態之顯示裝置之構成的剖視圖；圖10係顯示本發明之一個實施形態之顯示裝置之像素電路之構成的平面圖；圖11係顯示本發明之一個實施形態之顯示裝置之構成的剖視圖；圖12係顯示本發明之一個實施形態之顯示裝置之構成的剖視圖；圖13係顯示本發明之一個實施形態之顯示裝置之像素電路之構成的平面圖；圖14係顯示本發明之一個實施形態之顯示裝置之構成的剖視圖；圖15係顯示本發明之一個實施形態之顯示裝置之像素電路之構 成的平面圖；圖16係顯示本發明之一個實施形態之顯示裝置之像素構成的平面圖；圖17係顯示本發明之一個實施形態之顯示裝置之像素構成的平面圖；圖18係顯示本發明之一個實施形態之顯示裝置之像素構成的平面圖；圖19係顯示本發明之一個實施形態之顯示裝置之像素構成的平面圖。
以下一邊參照圖式等一邊說明本發明之實施形態。然，本發明能夠以多種不同的態樣來實施，而並非限定於以下所例示之實施形態之記載內容而解釋者。又，圖式為使說明更加明確，與實際態樣相比較雖存在將各部分之寬度、厚度、形狀等示意性表示之情形，但其終極而言僅為一例，並非限定本發明之解釋者。又，在本說明書與各圖中，存在針對與已出現之圖中所描述之要件相同的要件賦予相同之符號，而適宜省略其詳細說明之情形。
在本說明書中，在將某構件或區域設定為位於另一構件或區域之「上(或下)」之情形下，只要無特別限定，其不僅包含位於另一構件或區域之正上(或正下)之情形，還包含位於另一構件或區域之上方(或下方)之情形，亦即，亦包含與另一構件或區域之上方(或下方)之間含有其他構成要件之情形。
<第1實施形態>
參照圖1說明本實施形態之顯示裝置100之構成。圖1係顯示本實施形態之顯示裝置100之構成的立體圖。顯示裝置100在第1基板102設置有顯示區域106。顯示區域106係藉由將複數個像素108配列而構 成。在顯示區域106之上面設置有作為密封構件之第2基板104。第2基板104由圍著顯示區域106之密封材110而固定於第1基板102。形成於第1基板102之顯示區域106係由密封構件即第2基板104與密封材110以不曝露於大氣之方式而密封。利用如此之密封結構來抑制設置於像素108之發光元件的劣化。
第1基板102在一端部設置有端子區域114。端子區域114配置於第2基板104之外側。端子區域114係由複數個連接端子116構成。在連接端子116處，配置有將輸出映像信號之機器或電源等與顯示面板予以連接之配線基板。與配線基板連接之連接端子116之接點露出至外部。
繼而，針對本實施形態之顯示裝置100之電路構成，參照圖2予以說明。圖2係顯示本實施形態之顯示裝置100之電路構成的圖。
有機EL顯示裝置具備顯示圖像之顯示區域106、及驅動顯示區域106之驅動部。在有機EL顯示裝置之顯示區域106處行列狀地配置有複數個像素118，就每一像素108具有像素電路120。像素電路120至少包含選擇電晶體122、驅動電晶體124、保持電容126及發光元件128。
另一方面，驅動部包含掃描線驅動電路130、映像線驅動電路132、驅動電源電路134、基準電源電路136及控制裝置138，擔負將像素電路120驅動來控制發光元件128之發光等的機能。
掃描線驅動電路130係連接於就每一像素之水平方向之排列(像素列)而設置之掃描信號線140。掃描線驅動電路130根據自控制裝置138輸入之時序信號依次選擇掃描信號線140，而將使選擇電晶體122導通之電壓施加至所選擇之掃描信號線140。
映像線驅動電路132係連接於就每一像素之垂直方向之排列(像素行)而設置之映像信號線142。映像線驅動電路132係自控制裝置138被輸入映像信號，配合由掃描線驅動電路130所進行之掃描信號線140的 選擇，將與所選擇之像素列之映像信號相對應之電壓輸出至各映像信號線142。該電壓在所選擇之像素列經由選擇電晶體122而寫入於保持電容126。驅動電晶體124將與所寫入之電壓相對應之電流供給至發光元件128，藉此，與所選擇之掃描信號線140相對應的像素之發光元件128發光。
驅動電源電路134係連接於就每一像素行而設置之電源電位線144，經由電源電位線144及所選擇之像素列的驅動電晶體124將電流供給至發光元件128。
基準電源電路136係連接於基準電源線145，對構成發光元件128之陰極電極的共通電極賦予恆定電位。恆定電位可設定為例如接地電位。
在本實施形態中，發光元件128之一個電極係就每一像素而形成之像素電極，發光元件128之另一個電極覆蓋複數個像素而成為對複數個像素共通設置之共通電極。像素電極係連接於驅動電晶體124。另一方面，共通電極以遍及複數個像素之電極而構成。
參照圖3及圖4針對本實施形態之顯示裝置100之構成進一步予以詳細說明。圖3係顯示本實施形態之顯示裝置100所具有之像素之構成的剖視圖，圖1中之A-B係表示第1基板(亦稱為陣列基板)側之剖面。圖4係顯示本實施形態之顯示裝置100所具有之像素之像素電路的電路圖。
各複數個像素108具有發光區域146及透光區域148。於發光區域146配置有發光元件128，於透光區域148配置有保持電容126。此處，保持電容126具有透光性。
如此般，因保持電容126具有透光性，故可配置於透光區域148。藉此，能夠提供一種高精細且高畫質之透明顯示器。
又，在本實施形態中係在透光區域148之整個面配置保持電容 126，但並不限定於此，只要係保持電容126之一個電極覆蓋透光區域148之整個面之構成即可。另一個電極只要係覆蓋透光區域148之至少一部分即可。藉由具有如此般之構成，與本實施形態之顯示裝置100相比雖然保持電容126降低，但是能夠進一步提高顯示裝置之透射率。
本實施形態之顯示裝置100中形成有圍堰150，其區劃複數個像素，並分別對複數個像素區劃發光區域146及透光區域148。
於發光區域146配置有構成像素電路120之選擇電晶體122、驅動電晶體124、及發光元件128。選擇電晶體122及驅動電晶體124係設置於發光元件128之下方。
發光元件128具有由像素電極152及共通電極156夾持發光層154之構成。在發光元件128所具有之電極內，下部之電極係像素電極152，上部之電極係共通電極156。在本實施形態中，像素電極152具有積層有3層導電層之結構。又，像素電極152與驅動電晶體124之源極電極經由未圖示之接觸開口部電性連接。
發光層154在包含例如有機EL層之情形下，利用低分子系或高分子系之有機材料而形成。在利用低分子系之有機材料之情形下，發光層154之構成係除了含有發光性之有機材料的發光層154以外，還包含以夾著該發光層154之方式形成之電洞注入層及電子注入層，甚至電洞輸送層及電子輸送層等。在本實施形態中，發光層154係使用呈白色發光者，利用彩色濾光器(未圖示)實現全色發光。另外，發光層128亦可採用將複數個發光層(例如有機EL層)重疊之所謂串聯型之結構。
共通電極156為了透射由發光層154所發出之光，較佳者係由具有透光性、且具有導電性之ITO(氧化銦錫)或IZO(氧化銦鋅)等之透明導電膜形成。或，亦可將具有出射光能夠透射程度之膜厚的金屬層用作共通電極156。
像素電極152為了將由發光層154所發生之光反射至共通電極156側，含有反射率高之金屬層為較佳者，在本實施形態中，具有由2層透明導電層夾持金屬層之層結構。作為金屬層可使用例如銀(Ag)。作為2層之透明導電層，較佳者係分別由具有透光性、且具有導電性之ITO(氧化銦錫)或IZO(氧化銦鋅)等之透明導電膜形成，亦可使用該等之任意之組合。
在本實施形態之顯示裝置100中，保持電容126係配置於透光區域148之整個面。本實施形態之保持電容126具有由上部及下部之電極(分別稱為上部電極126b及下部電極126a)夾持發光層154及絕緣層158之構成。
作為保持電容126之上部電極126b，由相對於配置在顯示區域106之複數個像素共通而設置的共通電極156兼具其機能。由於具有如此之構成，保持電容126之上部電極126b係與共通電極156相同地連接於基準電源電路，而被賦予恆定電位。作為恆定電位，係被設定為例如設置電位。
作為保持電容126之下部電極126a，可利用構成前述像素電極152之2層透明導電層之任一者。
作為絕緣層158，係使用具有透光性之膜，較佳者係使用例如氮化矽膜。又，在本實施形態中絕緣層158係覆蓋透光區域148，且遍及圍堰150之上而設置。換言之，覆蓋透光區域148之絕緣層158之端部係配置於圍堰150之上。亦即，在製造步驟中，在形成圍堰150後將絕緣層158之材料成膜並進行圖案化。藉由採用如此之層結構，由於在絕緣層158之圖案化時所要求的對準精度放寬，故顯示裝置200之製造變得容易。
如以上所述，作為具有透光性之保持電容126的電極，任一者皆可利用特別使用於自發光型之發光元件的電極。換言之，在製造步驟 中，因能夠將發光元件128之電極與保持電容126之電極同時形成，因而無需對製造步驟進行大幅度變更及追加，而能夠容易且低成本地提供本實施形態之顯示裝置100。
<第2實施形態>
參照圖5針對本實施形態之顯示裝置200之構成進一步予以詳細說明。圖5係顯示本實施形態之顯示裝置200所具有之像素之構成的剖視圖。像素電路120與圖4所示之第1實施形態之顯示裝置100的像素電路120相同。
若將本實施形態之顯示裝置200與第1實施形態之顯示裝置100相比較，則僅在配置於透光區域148之保持電容126所具有之絕緣層158及圍堰150的層結構上有不同。
在本實施形態中，絕緣層158係遍及圍堰150之下而設置。換言之，以將覆蓋透光區域148之絕緣層158之端部覆蓋之方式形成圍堰150。亦即，在製造步驟中，在形成圍堰之前將絕緣層158之材料成膜並進行圖案化。藉由採用如此之層結構，可在絕緣層158之圖案化時與保持電容126之下部電極126a一起一次性圖案化。因此，由於沒有因設置透光區域148而導致的遮罩之增加，故能夠容易且低成本地提供顯示裝置100。
<第3實施形態>
參照圖6針對本實施形態之顯示裝置300之構成予以詳細說明。圖6係顯示本實施形態之顯示裝置300所具有之像素之構成的剖視圖。像素電路120與圖4所示之第1實施形態之顯示裝置100的像素電路120相同。
若將本實施形態之顯示裝置300與第1實施形態之顯示裝置100或第2實施形態之顯示裝置200相比較，則僅在配置於透光區域148之保持電容126所具有之絕緣層158的層結構上有不同。
在本實施形態中，於發光層154之上設置有覆蓋透光區域148之絕緣層158。絕緣層158之端部係配置於圍堰150之上。亦即，在製造步驟中，在形成將配置於顯示區域106之複數個像素覆蓋的發光層154之後，將絕緣層158之材料成膜並進行圖案化。藉由採用如此之層結構，由於在絕緣層158之圖案化時所要求的對準精度放寬，故保持電容126之形成變得容易。另外，在實施例1中，係將絕緣層158之材料成膜之步驟設定在發光層154之形成前。藉此，形成在發光層154之下設置絕緣層158之結構。該情形下，由於係在前步驟之圍堰150形成後才形成絕緣層158，故能夠容易地進行高精度之遮罩對準。此外亦能夠降低對發光層154之損傷。
<第4實施形態>
參照圖7針對本實施形態之顯示裝置400之構成進一步予以詳細說明。圖7係顯示本實施形態之顯示裝置400所具有之像素之構成的剖視圖。像素電路120與圖4所示之第1實施形態之顯示裝置100的像素電路120相同。
若將本實施形態之顯示裝置400與第1實施形態之顯示裝置100至第3實施形態之顯示裝置300相比較，則僅在配置於透光區域148之保持電容126所具有之絕緣層154a的層結構上有所不同。
在本實施形態中，藉由在覆蓋複數個像素之發光層154處，使發光區域146以外之區域改質而絕緣層化，從而在透光區域148形成保持電容126。發光層154之絕緣層化可藉由例如對發光層154照射適度之能量而達成。作為能量可利用例如紫外線。
作為具體的製造方法，係利用將構成發光元件128之像素電極152的金屬膜作為遮光層發揮機能，而在發光層154之形成後自基板102之未配置電晶體之面側進行能量照射。藉此，發光元件128以外之區域受到能量之照射，而可僅將該區域自對準地絕緣層化。亦即，將 用於形成保持電容126之絕緣層158成膜，可在無需進行圖案化步驟、不增加所需遮罩之數目之下而形成保持電容126。因此，無需對製造步驟進行大幅度變更及追加，而能夠容易且低成本地提供本實施形態之顯示裝置400。
<第5實施形態>
參照圖8針對本實施形態之顯示裝置500之構成進一步予以詳細說明。圖8係顯示本實施形態之顯示裝置500所具有之像素之構成的剖視圖。像素電路120與圖4所示之第1實施形態之顯示裝置100的像素電路120相同。
若將本實施形態之顯示裝置500與第1實施形態之顯示裝置100至第4實施形態之顯示裝置400相比較，則在保持電容126之下部電極126a所配置之層上有所不同。亦即，保持電容126之下部電極126a係配置於與發光元件128之像素電極152不同之層。
為了具有如此之層結構，在製造步驟中，除了形成像素電極152之步驟，還要另外形成保持電容126之下部電極126a。然而另一方面，為了具有如此之層結構，在像素電極152之形成時，由於無需將該等層中之透明導電層之至少一層作為保持電容126之電極留在透光區域148，故在此例中可一次性進行包含3層之像素電極152之圖案化。因此，無需對製造步驟進行大幅度變更及追加，而能夠容易且低成本地提供本實施形態之顯示裝置500。
另外，本實施形態之發光層154係以覆蓋配置於顯示區域106之複數個像素之態樣而顯示，但並不限定於此，亦可將發光層154僅留在發光區域146。藉此，能夠提高顯示裝置500之透射率。
<第6實施形態>
參照圖9及圖10針對本實施形態之顯示裝置600之構成進一步予以詳細說明。圖9係顯示本實施形態之顯示裝置600所具有之像素之構 成的剖視圖。圖10係顯示本實施形態之顯示裝置所具有之像素之像素電路120的電路圖。
本實施形態之顯示裝置600，在保持電容126形成於較發光元件128更下層此點上，與第1實施形態至第5實施形態之顯示裝置不同。又，保持電容126之電極之中，上部電極126b係將配置於顯示區域106之複數個像素覆蓋，下部電極126a係就每一像素而設置，且覆蓋一個像素。亦即，在本實施形態中，保持電容126具有不僅覆蓋透光區域148，還覆蓋一個像素之構成。換言之，於透光區域148形成有保持電容126之一部分。上部電極126b與共通電極156接觸且電性導通。
藉由具有如此之構成，能夠將保持電容126之所佔面積最大化，從而能夠提供一種高畫質之顯示裝置600。
進而，因保持電容126之上部電極126b形成作為發光元件128之陰極而發揮機能之共通電極156的輔助配線，故能夠抑制供給至陰極的基準電壓之電壓下降，從而能夠提供高畫質之顯示裝置600。
<第7實施形態>
參照圖11針對本實施形態之顯示裝置700之構成予以詳細說明。圖11係顯示本實施形態之顯示裝置700所具有之像素之構成的剖視圖。像素電路120與圖10所示之第6實施形態之顯示裝置600的像素電路120相同。
若將本實施形態之顯示裝置700與第6實施形態之顯示裝置600相比較，則於在透光區域148處將層間絕緣膜160、平坦化膜162去除此點上有所不同。
藉由具有如此般構成，與第6實施形態之顯示裝置相比能夠提高透射率。
又，絕緣層160雖然配置於與選擇電晶體122、驅動電晶體124所形成之層相同的層，但是係由無機絕緣膜形成。該無機絕緣膜雖然硬 但是另一方面為脆，因此在顯示裝置700為無機顯示器之情形下，在撓曲時有被破壞之虞。藉由如本實施形態般在透射區域148去除絕緣層160，在平面觀察下絕緣層160成為就每一像素以島狀分離而分佈之形狀，從而可防止撓曲時之破壞。
<第8實施形態>
參照圖12及圖13針對本實施形態之顯示裝置800之構成予以詳細說明。圖12係顯示本實施形態之顯示裝置800所具有之像素之構成的剖視圖。圖13係顯示本實施形態之顯示裝置所具有之像素之像素電路120的電路圖。
在本實施形態中，於發光元件128之下方形成有保持電容126。換言之，在形成保持電容126之後，再形成發光元件128。保持電容126之上部電極126b係將透光區域148覆蓋，且將配置於顯示區域106之複數個像素覆蓋。下部電極126a未完全將透光區域148覆蓋，而覆蓋透光區域148之一部分。又，下部電極126a係延伸至發光區域146。亦即，於透光區域148中形成保持電容126之一部分。
又，如圖示般，下部電極亦可被分割為在電性上獨立的複數個區域。因藉此可形成複數個電容，故亦可應用於複雜的像素電路。
由於藉由具有如此之構成，最大可遍及一個像素之區域形成保持電容126，故能夠確保充分之保持電容126，從而可提供高畫質之顯示裝置800。
另外，藉由將下部電極126a設置為僅覆蓋透光區域148之一部分之構成，可提高顯示裝置800之透射率。
<第9實施形態>
參照圖14針對本實施形態之顯示裝置900之構成予以詳細說明。圖14係顯示本實施形態之顯示裝置900所具有之像素之構成的剖視圖。圖15係顯示本實施形態之顯示裝置所具有之像素之像素電路120 的電路圖。
若將本實施形態之顯示裝置900與第8實施形態之顯示裝置800進行比較，則在保持電容126之上部電極126b係連接於供給電源電位之電源電位線144此點上有所不同。亦即，保持電容126之上部電極126b係將配置於顯示區域106之複數個像素覆蓋，而兼作為電源電位線144。因此，在朝作為發光元件128之陽極發揮機能之像素電極152進行電流供給時，由於係低電阻之電源電位線144，故顯示區域106內之均一性高，從而可提供高畫質之顯示裝置900。
另外，作為發光元件128之陽極而發揮機能之像素電極152係連接於驅動電晶體124之源極電極。因此，於保持電容126之上部電極126b設置有未圖示之接觸孔，驅動電晶體124之源極電極經由該接觸孔與像素電極152連接。在本實施形態中，驅動電晶體124為P型電晶體。藉此，由於能夠在驅動電晶體124之閘極、源極間施加伴隨著保持電容126之蓄積電荷的電壓，故流經發光元件128之電流量的控制變得容易。
[像素之配置例1]
針對本實施形態之顯示裝置900之像素之幾個配置例予以說明。圖16係說明本實施形態之顯示裝置900之像素之配置例的平面圖。在該例中，各複數個像素係由發出紅色(R)、綠色(G)及藍色(B)之各色光之3個副像素構成，且複數個像素係行列狀地配置。在本說明書中，針對一個副像素亦將其稱為像素。
在行列狀地配置之像素間，掃描信號線140配置於列方向，映像信號線142配置於行方向。進而，以覆蓋複數個像素之方式配置兼具電源電位線144之機能的保持電容126之上部電極126b。電源電位線144係連接於各複數個像素所具有之驅動電晶體124(未圖示)之汲極電極。
在第1實施形態至第8實施形態之顯示裝置中，如圖2所示，相對 於行列狀地配置之複數個像素而將電源電位線144配置在行方向上。在本實施形態之顯示裝置900中，因係將覆蓋複數個像素之透明導電層用作電源電位線144，故可無需降低開口率而實現低電阻化。
各複數個像素係配置有發出紅色(R)、綠色(G)及藍色(B)之任一者之光的發光區域146、與具有透光性之透光區域148。
[像素之配置例2]
圖17係說明本實施形態之顯示裝置900之像素之其他配置例的平面圖。在該例中，各複數個像素係由發出紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)及白色(W)之各色光之4個像素構成。此處係顯示在各複數個像素中透光區域之面積佔像素之面積之約75%之例。
[像素之配置例3]
圖18係說明本實施形態之顯示裝置900之像素之其他配置例的平面圖。在該例中，各複數個像素係由發出紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)及白色(W)之各色光之4個像素構成。此處係顯示在各複數個像素中透光區域之面積佔像素之面積之約75%之例。
另外，具有在相鄰之列中，共有掃描信號線140之構成。藉此，能夠藉由將掃描信號線140之條數減半而提高開口率。
[像素之配置例4]
圖19係說明本實施形態之顯示裝置900之像素之其他配置例的平面圖。在該例中，各複數個像素係由發出紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)及白色(W)之各色光之4個像素構成。此處係顯示在複數個像素中透光區域之面積佔像素之面積之約75%之例。
另外，該顯示裝置具有在相鄰之列及行中，分別共有掃描信號線140及映像信號線142之構成。藉此，能夠藉由將掃描信號線140及映像信號線142之條數減半而進一步提高開口率。
以上利用第1實施形態至第9實施形態說明了本發明之較佳之態 樣。然而，該等實施形態僅為例示，本發明之技術範圍並不限定於該等實施形態。只要係本領域技術人員，推量其可在不脫離本發明之要旨下進行各種變更。因此，應當理解為該等變更亦應屬本發明之技術範圍內。
100‧‧‧顯示裝置
102‧‧‧第1基板/基板
108‧‧‧像素
122‧‧‧選擇電晶體
124‧‧‧驅動電晶體
126‧‧‧保持電容
126a‧‧‧下部電極
126b‧‧‧上部電極
128‧‧‧發光元件
146‧‧‧發光區域
148‧‧‧透光區域
150‧‧‧圍堰
152‧‧‧像素電極
154‧‧‧發光層
156‧‧‧共通電極
158‧‧‧絕緣層
160‧‧‧層間絕緣膜/絕緣層
162‧‧‧平坦化膜
A-A’‧‧‧剖面

Claims (20)

  1. 一種顯示裝置，其具有：透光性基板；及複數個像素，其配置於前述基板上；前述複數個像素之各者係包含：發光元件、電晶體、及保持電容，且區劃為透光區域及發光區域；前述保持電容係配置於前述透光區域；前述發光元件及前述電晶體係配置於前述發光區域；前述發光元件包含：第1電極、與前述第1電極對向之第2電極、及前述第1電極與前述第2電極之間之發光層；前述第1電極具有透光性，前述第2電極具有光反射性；前述發光元件係於前述第1電極側將光射出；於剖視時，前述電晶體係配置於前述基板與前述發光元件之間；於俯視時，前述電晶體與前述發光元件係具有重疊之區域。
  2. 如請求項1之顯示裝置，其中前述保持電容包含：第3電極、及與前述第3電極對向之第4電極；且前述第3電極與前述第4電極具有透光性。
  3. 如請求項1之顯示裝置，其中前述保持電容係於前述第3電極與前述第4電極之間夾持：絕緣層、及具有與前述發光層相同之層結構之層。
  4. 如請求項2之顯示裝置，其中前述第1電極係透明導電膜；且前述第3電極係自前述第1電極連續之透明導電膜。
  5. 如請求項3之顯示裝置，其進一步具有圍堰，其區劃前述複數個像素，且於前述複數個像素之各者中區劃前述發光區域及前述 透光區域；且前述絕緣層係以自前述透光區域遍及前述圍堰之上之方式而設置。
  6. 如請求項3之顯示裝置，其進一步具有圍堰，其區劃前述複數個像素，且於前述複數個像素之各者中區劃前述發光區域及前述透光區域；且前述絕緣層係以自前述透光區域遍及前述圍堰之下之方式而設置。
  7. 如請求項1之顯示裝置，其中前述第1電極及前述第3電極係以遍及前述複數個像素之方式而設置；前述第2電極及前述第4電極係與前述複數個像素之各者對應而配置。
  8. 如請求項7之顯示裝置，其中前述第3電極與前述第1電極電性導通。
  9. 如請求項7之顯示裝置，其進一步具有供給電源電位之電源電位線，且前述第3電極與前述電源電位線電性導通。
  10. 如請求項7之顯示裝置，其中前述第4電極係設置於前述發光元件之下層側，在前述複數個像素之各者中被分割為在電性上獨立之複數個區域。
  11. 一種顯示裝置之製造方法，其包含：於透光性基板之第1面上形成像素之步驟，前述像素係包含：發光元件、電晶體、及保持電容；前述步驟係包含：將前述發光元件形成為包含：具有透光性之第1電極、與前述第1電極對向且具有光反射性之第2電極、及前述第1電極與前述第2電極之間之發光層； 將前述保持電容形成為包含：具有透光性之第3電極、及具有透光性之第4電極；於剖視時，前述電晶體係形成於前述基板與前述發光元件之間；於俯視時，前述電晶體與前述發光元件係形成為具有重疊之區域；使形成有前述發光元件之區域為發光區域；使形成有前述保持電容之區域為透光區域。
  12. 如請求項11之顯示裝置之製造方法，其中將前述第1電極、前述第3電極及前述第4電極以透明導電膜形成。
  13. 如請求項11之顯示裝置之製造方法，其中將前述保持電容以於前述第3電極與前述第4電極之間夾持絕緣層、及具有與前述發光層相同之層結構之層之方式形成。
  14. 如請求項12之顯示裝置之製造方法，其中將前述第1電極以透明導電膜形成；將前述第3電極以自前述第1電極連續之透明導電膜形成。
  15. 如請求項13之顯示裝置之製造方法，其中形成圍堰，其區劃前述複數個像素，且於前述複數個像素之各者中區劃前述發光區域及前述透光區域；且形成前述絕緣層，其自前述透光區域遍及前述圍堰之上。
  16. 如請求項13之顯示裝置之製造方法，其中形成圍堰，其區劃前述複數個像素，且於前述複數個像素之各者中區劃前述發光區域及前述透光區域；且形成前述絕緣層，其自前述透光區域遍及前述圍堰之下。
  17. 如請求項11之顯示裝置之製造方法，其中前述第1電極及前述第3電極係以遍及前述複數個像素之方式形成； 前述第2電極及前述第4電極係與前述複數個像素之各者對應而形成。
  18. 如請求項11之顯示裝置之製造方法，其中將前述第2電極形成為於2層透明導電層夾持金屬膜之結構；將前述第4電極以前述2層透明導電層內之一者之透明導電膜形成。
  19. 如請求項18之顯示裝置之製造方法，其中前述第3電極係與供給電源電位之電源電位線連接。
  20. 如請求項18之顯示裝置之製造方法，其中前述第4電極係設置於前述發光元件之下層側，在前述複數個像素之各者中被分割為在電性上獨立之複數個區域而形成。
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