CN112599572B - Oled器件及其制造方法 - Google Patents

Oled器件及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112599572B
CN112599572B CN202011449993.2A CN202011449993A CN112599572B CN 112599572 B CN112599572 B CN 112599572B CN 202011449993 A CN202011449993 A CN 202011449993A CN 112599572 B CN112599572 B CN 112599572B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
organic functional
functional layer
oled device
pixel defining
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202011449993.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112599572A (zh
Inventor
马莉娜
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd filed Critical Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority to CN202011449993.2A priority Critical patent/CN112599572B/zh
Publication of CN112599572A publication Critical patent/CN112599572A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112599572B publication Critical patent/CN112599572B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/17Passive-matrix OLED displays
    • H10K59/173Passive-matrix OLED displays comprising banks or shadow masks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本申请提供了一种OLED器件及其制造方法。所述OLED器件包括:阵列层;第一电极层,设置在所述阵列层一侧;像素定义层,设置在所述第一电极层远离所述阵列层的一侧,包括多个开口区域;有机功能层,设置在所述第一电极层远离所述阵列层的一侧,并位于所述开口区域中;以及第二电极层,形成在所述有机功能层远离所述第一电极层的一侧,其中,所述像素定义层与所述有机功能层接触的侧表面具有不规则形状。本申请的OLED器件通过具有不规则侧表面的像素定义层改善有机功能层厚度不均匀及发光不均匀的问题。

Description

OLED器件及其制造方法
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)器件及其制造方法。
背景技术
OLED是一种电流型的有机发光器件,其主要是有机发光材料在电场的作用下,通过载流子的注入和复合而导致的发光现象。由于OLED只需要有较低的电压驱动,且制作方法较为简单,使其在显示领域具有较大的优点。相较于LCD,OLED具有更轻,更薄,视野范围更广,制作更简单的优点,因而人们对其的研究也越来越广泛。
现有的OLED器件在形成有机功能层时通常采用喷墨打印技术制造,其主要是通过溶剂将有机材料溶解,然后将材料直接打印在基板上像素定义层的开口区域内,再经过干燥烘干等方式,使溶液成膜,然而,将材料打印在开口区域内时,由于材料的亲疏水性不同,在干燥后容易出现膜层厚度不均及发光不均的现象。
因此,现有的OLED器件存在有机功能层膜层厚度不均及发光不均的技术问题,需要改进。
发明内容
本申请的目的在于,针对现有技术中存在的问题,在OLED器件中设置具有不规则侧表面的像素定义层,从而改善OLED器件有机功能层的膜层厚度不均匀及发光不均匀的问题。
本申请的实施例提供了一种OLED器件,所述OLED器件包括:
阵列层;
第一电极层,设置在所述阵列层一侧;
像素定义层,设置在所述第一电极层远离所述阵列层的一侧,包括多个开口区域;
有机功能层,设置在所述第一电极层远离所述阵列层的一侧,并位于所述开口区域中;以及
第二电极层,形成在所述有机功能层远离所述第一电极层的一侧;
其中,所述像素定义层与所述有机功能层接触的侧表面具有不规则形状。
在本申请的OLED器件中,所述侧表面包括至少一个凹槽。
在本申请的OLED器件中,所述有机功能层包括依次堆叠的多个子层,所述侧表面形成有与所述多个子层对应的多个凹槽,每个子层的上表面均延伸至对应的凹槽中。
在本申请的OLED器件中,所述凹槽为半圆孔状,且每个所述子层的上表面与对应凹槽的圆心位于同一水平处,其中,所述凹槽的半径大于等于2nm。
在本申请的OLED器件中,所述像素定义层的上表面高于所述有机功能层的上表面。
在本申请的OLED器件中,所述侧表面为倾斜表面且与所述有机功能层的接触角度为大于或等于40度且小于或等于65度。
本申请提供了一种OLED器件的制造方法,所述OLED器件的制造方法包括:
制备阵列层;
在所述阵列层上形成第一电极层;
在所述第一电极层上形成像素定义层和有机功能层,所述像素定义层包括多个开口区域,所述有机功能层形成在所述开口区域内,在所述像素定义层与所述有机功能层接触的侧表面形成不规则的形状;
在所述有机功能层上形成第二电极层。
在本申请的OLED器件的制造方法中,在所述像素定义层与所述有机功能层接触的侧表面形成不规则的形状的步骤,包括:在所述侧表面形成至少一个凹槽。
在本申请的OLED器件的制造方法中,在所述第一电极层上形成像素定义层和有机功能层,所述像素定义层包括多个开口区域,所述有机功能层形成在所述开口区域内,在所述像素定义层与所述有机功能层接触的侧表面形成不规则的形状的步骤,包括:形成包括依次堆叠的多个子层的有机功能层,且在所述侧表面形成与所述多个子层对应的多个凹槽,每个子层的上表面均延伸至对应的凹槽中。
在本申请的OLED器件的制造方法中,形成包括依次堆叠的多个子层的有机功能层,且在所述侧表面形成与所述多个子层对应的多个凹槽,每个子层的上表面均延伸至对应的凹槽中的步骤,包括:在所述侧表面形成与所述多个子层对应的多个呈半圆孔状的凹槽,每个所述子层的上表面与对应的凹槽的圆心位于同一水平处,其中,所述凹槽的半径大于等于2nm。
有益效果:在本申请所提供的OLED器件及其制造方法中,在像素定义层与有机功能层接触的侧表面设置有不规则形状,从而留出裕度形成回缩区域,其能够将厚度变化明显的端部区域容纳在凹槽对应的回缩区域中,从而使开口区域对应的膜层保持均匀的厚度,进而改善OLED器件的发光均匀性,提高显示质量并延长使用寿命。
附图说明
为了更加清楚地说明本申请的技术方案,下面对描述实施方案所需的附图做简要说明。
图1示出了根据本申请的实施例的OLED器件的结构示意图。
图2示出了现有技术的OLED器件的结构示意图。
图3示出了根据本申请的实施例的OLED器件的制造方法的流程示意图。
具体实施方式
在本申请中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开,下文中对特定实施例的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本申请。此外,本申请可以在不同实施例中使用相同或相似的附图标记。此外,本申请提供了的各种特定的工艺和材料的示例,但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
本申请的实施例提供了一种OLED器件。图1示出了根据本申请的实施例的OLED器件的结构示意图。
如图1所示,OLED器件100包括阵列层110、第一电极层120、像素定义层130、有机功能层140和第二电极层150。其中,从图1可以看出,第一电极层120设置在阵列层110的一侧上,像素定义层130设置在第一电极层120的远离阵列层110的一侧上并且包括多个开口区域,有机功能层140设置在第一电极层120的远离阵列层110的一侧上并位于所述开口区域中,第二电极层150设置在有机功能层140的远离第一电极层120的一侧上。并且,如图1所示,像素定义层130与有机功能层140接触的侧表面包括不规则形状。
其中,阵列层110包括衬底以及形成在衬底上的TFT层结构。所述衬底为玻璃衬底、塑料衬底或柔性衬底等。
图2示出了现有技术中OLED器件的结构示意图。如图2所示,OLED器件200具有与本申请实施例中的OLED器件100相似的结构,即,现有的OLED器件200也包括依次设置的阵列层210、第一电极层220、像素定义层230、有机功能层240和第二电极层250。与本申请不同的是,现有技术中,像素定义层230与有机功能层240接触的侧表面为平坦的表面。
在现有技术中,OLED器件通常采用喷墨打印等方法来形成有机功能层。其中,以喷墨打印技术为例,喷墨打印技术主要通过溶剂将有机材料溶解,随后将溶解的有机材料直接打印在像素定义层的开口区域内,再经过干燥烘干等方式使有机材料溶液形成膜层结构。因此,形成的膜层结构的均匀性是影响器件发光均匀度、发光面积、性能及寿命的主要因素。
像素定义层一般采用疏水材料形成,有机材料溶液的性质会影响形成的膜层结构的厚度。在有机材料溶液疏水性差的情况下,溶液会使膜面沿着像素定义层的侧壁向上攀爬,溶液干燥时容易在边缘沉积,因而干燥后形成的膜层通常会存在中间薄两端厚的现象,进而厚度不均匀的有机功能层会导致整个像素发光不均匀,从而影响OLED器件的性能。相反地,在有机材料溶液疏水性强的情况下,有机材料溶液不易沿着像素定义层的侧壁向上攀爬,干燥后形成的膜层中间偏厚、两端较薄,同样存在由于有机功能层的厚度不均匀导致的发光不均匀的问题。
为了克服有机功能层在制造过程中出现的两端与中间部位厚度不均的问题。本申请的实施例中,将像素定义层130与有机功能层140接触的侧表面设置为具有不规则的形状。
具体地,在一些实施例中,像素定义层130具有疏水性质,且其侧表面的不规则形状包括至少一个凹槽。在形成有机功能层时,若有机材料溶液为亲水性溶液,其爬壁效应比较高,凹槽回缩的形状对液体上升呈缓冲作用,另外,回缩的凹槽一定程度上扩展了膜面的形成面积,从而有利于膜面均与铺展;对于疏水性溶液而言,高于凹槽的区域可流入凹槽区域成膜,减缓中间区域与边缘区域之间的膜厚差别。因此在形成有机功能层时,凹槽为有机功能层的两端部分留出一定的裕度,凹槽的后缩区域可以容纳膜层端部厚度变化明显的部分,从而形成在开口区域中的膜面厚度均匀性更好,有效的发光面积较现有技术有所增加,从而提高了OLED器件的显示性能,延长了使用寿命。
在一些实施例中,有机功能层140包括依次堆叠的多个子层。如图1所示,有机功能层140包括依次堆叠在开口区域中的空穴注入层141、空穴传输层142和发光层143。然而,本发明不限于此,在一些实施例中,有机功能层140还可以包括电子传输层和电子注入层等。像素定义层130的侧表面上形成有与有机功能层140的多个子层对应的多个凹槽。具体地,每个子层的上表面均延伸至对应的凹槽中。
作为示例,图1示出了凹槽的数量与有机功能层的子层相等的情况。在图1所示的情况下,空穴注入层141、空穴传输层142和发光层143的上表面均延伸到与各自的高度对应的凹槽中。凹槽的凹陷部位相对于像素定义层130向后回缩,因而边缘延伸至凹槽中的膜层的实际宽度大于像素定义层130的开口宽度。膜层厚度变化明显的端部区域被容纳在凹槽对应的回缩区域中,而像素定义层130的开口区域对应的膜层范围内,膜层厚度基本均匀,因而改善了膜层厚度不均的问题并有效地提高了发光面积,并改善了OLED器件的显示性能。
另外,图1仅示出了一种设计方式,凹槽的数量与有机功能层的子层数量可以不同。
在一些实施例中,凹槽的数量少于有机功能层的子层数量,在像素定义层的纵向方向上,至少两个子层的上表面设置在同一凹槽中。
在一些实施例中,凹槽的数量比有机功能层的子层的数量多,在像素定义层的纵向方向上,至少两个凹槽设置在一个子层对应的区域中。
凹槽可以为长条形的沟道。在一些实施例中,同一水平高度仅形成一个环形沟道结构的凹槽。在另一些实施例中,同一水平高度可以形成多个彼此分隔开的多段沟道。
在一些实施例中,如图1所示,凹槽的截面为半圆孔状,其中,凹槽的半圆孔的半径大于等于2nm,优选地,半圆孔的直径为5nm。进一步地,每个子层的上表面与对应的半圆孔的圆心位于同一水平。具体地,图1示出了分别与空穴注入层141、空穴传输层142和发光层143对应的第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽。其中,第一凹槽的圆心与空穴注入层141的高度相等,第二凹槽的圆心与空穴注入层141和空穴传输层142的高度之和相等,第三凹槽的圆心与空穴注入层141、空穴传输层142和发光层143的高度之和相等。
在一些实施例中,像素定义层130的上表面比有机功能层140的上表面高,从而有效地限定发光层的形成区域,防止有机材料溢出。
在一些实施例中,像素定义层130具有疏水结构,且其侧表面为倾斜表面,从而便于有机材料延展成膜。具体地,为了改善成膜性能,所述侧表面与有机功能层140的接触角度大于等于40度且小于等于65度。优选地,为50度。
根据本申请的OLED显示器件,通过在像素定义层与有机功能层接触的侧表面设置至少一个凹槽,从而留出裕度形成回缩区域,其能够将有机功能层的厚度变化明显的端部区域容纳在凹槽对应的回缩区域中,从而使开口区域对应的膜层保持均匀的厚度,进而改善OLED器件的发光均匀性,提高显示质量并延长使用寿命。
本申请的实施例还提供了一种OLED器件的制造方法。图3示出了根据本发明的实施例的OLED器件的制造方法。
如图3所示,所述OLED器件的制造方法包括如下步骤:
S1,制备阵列层。
其中,提供衬底基材,所述衬底基材可以为玻璃基体、塑料基体或柔性基体等。随后,在在衬底基材上形成TFT结构从而形成阵列层。
S2,在阵列层上形成第一电极层。
S3,在所述第一电极层上形成像素定义层和有机功能层,其中,所述像素定义层包括多个开口区域,所述有机功能层形成在所述开口区域内,在所述像素定义层与所述有机功能层接触的侧表面形成不规则的形状。
具体地,对像素定义层与所述有机功能层接触的侧表面进行挖孔处理从而形成具有不规则的形状。所述不规则的形状与前述实施例中的描述相同,例如,所述不规则的表面可以为凹槽,也可以为半圆孔的形状,在此不再赘述。
其中,有机功能层可以包括依次形成的多个子层。例如,可以在开口区域中,于阵列层上依次形成空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层等。上述各层结构可以使用喷墨打印等技术形成。
当在第一电极层上形成空穴注入层时,将溶液滴落在第一电极层的表面,当溶液的高度超过凹槽的下侧边缘的高度时,溶液会进入凹槽区域。若溶液为亲水性溶液,其爬壁效应比较高,凹槽回缩的形状对液体上升呈缓冲作用,另外,回缩的凹槽一定程度上扩展了膜面的形成面积,从而有利于膜面均与铺展;对于疏水性溶液而言,高于凹槽的区域可流入凹槽区域成膜,减缓中间区域与边缘区域之间的膜厚差别。因而,干燥形成的空穴注入层膜层厚度均匀。在其上形成其他膜层时利用凹槽的回缩结构同样可以形成厚度均匀的各膜层,最终形成的有机功能层厚度均匀,发光效率高。
S4,在所述有机功能层上形成第二电极层。
根据本申请的OLED器件的制造方法,通过在像素定义层与有机功能层接触的侧表面设置至少一个凹槽,从而留出裕度形成回缩区域,其能够将有机功能层的厚度变化明显的端部区域容纳在凹槽对应的回缩区域中,从而使开口区域对应的膜层保持均匀的厚度,进而改善OLED器件的发光均匀性,提高显示质量并延长使用寿命。
以上所述仅是本申请的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员,在不脱离本申请原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。

Claims (6)

1.一种OLED器件,其特征在于,包括:
阵列层;
第一电极层,设置在所述阵列层一侧;
像素定义层,设置在所述第一电极层远离所述阵列层的一侧,包括多个开口区域;
有机功能层,设置在所述第一电极层远离所述阵列层的一侧,并位于所述开口区域中;以及
第二电极层,形成在所述有机功能层远离所述第一电极层的一侧;
其中,所述像素定义层与所述有机功能层接触的侧表面具有不规则形状,
其中,所述侧表面包括至少一个凹槽,所述有机功能层包括依次堆叠的多个子层,所述侧表面形成有与所述多个子层对应的多个凹槽,每个子层的上表面均延伸至对应的凹槽中,所述凹槽为半圆孔状,且每个所述子层的上表面与对应凹槽的圆心位于同一水平处,其中相邻两个所述凹槽之间存在空隙。
2.如权利要求1所述的OLED器件,其特征在于,所述凹槽的半径大于等于2nm。
3.如权利要求1所述的OLED器件,其特征在于,所述像素定义层的上表面高于所述有机功能层的上表面。
4.如权利要求1所述的OLED器件,其特征在于,所述侧表面为倾斜表面且与所述有机功能层的接触角度为大于或等于40度且小于或等于65度。
5.一种OLED器件的制造方法,其特征在于,所述方法包括:
制备阵列层;
在所述阵列层上形成第一电极层;
在所述第一电极层上形成像素定义层和有机功能层,所述像素定义层包括多个开口区域,所述有机功能层形成在所述开口区域内,在所述像素定义层与所述有机功能层接触的侧表面形成不规则的形状;
在所述有机功能层上形成第二电极层,
其中,所述侧表面形成至少一个凹槽,所述有机功能层包括依次堆叠的多个子层,所述侧表面形成有与所述多个子层对应的多个凹槽,每个子层的上表面均延伸至对应的凹槽中,所述凹槽为半圆孔状,且每个所述子层的上表面与对应凹槽的圆心位于同一水平处,其中相邻两个所述凹槽之间存在空隙。
6.如权利要求5所述的OLED器件的制造方法,其特征在于,所述凹槽的半径大于等于2nm。
CN202011449993.2A 2020-12-09 2020-12-09 Oled器件及其制造方法 Active CN112599572B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011449993.2A CN112599572B (zh) 2020-12-09 2020-12-09 Oled器件及其制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011449993.2A CN112599572B (zh) 2020-12-09 2020-12-09 Oled器件及其制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112599572A CN112599572A (zh) 2021-04-02
CN112599572B true CN112599572B (zh) 2022-12-06

Family

ID=75191987

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011449993.2A Active CN112599572B (zh) 2020-12-09 2020-12-09 Oled器件及其制造方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112599572B (zh)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016165197A1 (zh) * 2015-04-13 2016-10-20 深圳市华星光电技术有限公司 Oled显示器件
CN106067473A (zh) * 2015-04-23 2016-11-02 株式会社日本显示器 显示装置
WO2017096709A1 (zh) * 2015-12-08 2017-06-15 深圳市华星光电技术有限公司 用于打印成膜工艺的凹槽结构及其制作方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004192935A (ja) * 2002-12-11 2004-07-08 Hitachi Displays Ltd 有機el表示装置
JP4725577B2 (ja) * 2007-12-28 2011-07-13 カシオ計算機株式会社 表示装置の製造方法
KR102309282B1 (ko) * 2014-11-06 2021-10-06 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치
CN207052608U (zh) * 2017-08-24 2018-02-27 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及显示装置
CN108231840A (zh) * 2017-12-29 2018-06-29 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法
CN110085639A (zh) * 2019-04-23 2019-08-02 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 发光面板、发光面板的制备方法及显示装置
CN110224007B (zh) * 2019-05-29 2022-06-10 苏州星烁纳米科技有限公司 显示基板及其制备方法、显示面板

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016165197A1 (zh) * 2015-04-13 2016-10-20 深圳市华星光电技术有限公司 Oled显示器件
CN106067473A (zh) * 2015-04-23 2016-11-02 株式会社日本显示器 显示装置
WO2017096709A1 (zh) * 2015-12-08 2017-06-15 深圳市华星光电技术有限公司 用于打印成膜工艺的凹槽结构及其制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN112599572A (zh) 2021-04-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107591432B (zh) 像素界定层、显示基板及制造方法、显示装置
US7764014B2 (en) Organic EL display panel with banks defining line-state pixels
US7132788B2 (en) Optimal bank shapes for inkjet printing
EP2270896B1 (en) Organic el display panel
KR101246985B1 (ko) 박막을 갖는 기판, 유기 일렉트로루미네센스 표시 장치, 컬러 필터 기판 및 박막을 갖는 기판의 제조 방법
JP4317113B2 (ja) 平板表示装置の製造方法
US7374264B2 (en) Patterned substrate, and method and apparatus for manufacturing the same
CN110224007B (zh) 显示基板及其制备方法、显示面板
US8207667B2 (en) Organic EL display and manufacturing method thereof
CN108922912B (zh) 用于有机发光显示装置的基板、显示面板、显示装置
US20050153468A1 (en) Optimal bank height for inkjet printing
JP4313274B2 (ja) インクジェットプリント用基板及びその製造方法
JP2010277944A (ja) 有機elディスプレイパネルおよびその製造方法
CN110739343A (zh) 显示面板及其制备方法和显示装置
JP4837716B2 (ja) 平板表示装置
CN110634924B (zh) 显示背板、显示装置
JP2010267428A (ja) 機能膜形成方法および機能膜形成装置
CN112599572B (zh) Oled器件及其制造方法
WO2006123491A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
US7586118B2 (en) Micro device and manufacturing method thereof
US11765942B2 (en) Display device and manufacturing method of display device
CN110071143B (zh) 有机发光器件及其制作方法
CN114122295A (zh) 发光装置
CN219421507U (zh) 一种显示基板及发光器件
WO2023125882A1 (zh) 显示装置及制造显示装置的方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant