CN106067473B - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种在透明显示器中也能够兼得高精细化和高画质化的、利用了有机EL显示装置所特有的构成要素的、新的像素的结构。本发明的显示装置具有呈矩阵状排列的多个像素,该多个像素分别设置有:配置有发光元件的发光区域;和配置有具有透光性的保持电容的至少一部分且被保持电容的至少一个电极覆盖的透光区域,发光元件包含:覆盖多个像素的第一电极;设置于第一电极之下的发光层;和在多个像素的每个像素中设置于发光层之下的第二电极,保持电容包含第一电极。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及显示装置。特别涉及显示装置的显示区域中的像素的结构。
背景技术
有机电致发光(以下,称为有机EL)显示装置在各像素中设置有发光元件,通过个别地控制发光来显示图像。发光元件具有在以一个电极为阳极、一个电极为阴极地区别开来的一对电极间夹持着含有有机EL材料的层(以下,也称为“发光层”)的结构。有机EL显示装置的一个电极按每个像素作为像素电极设置,另一个电极作为横跨多个像素地施加共用电位的共用电极设置。有机EL显示装置通过相对于该共用电极的电位,按每个像素施加像素电极的电位,来控制像素的发光。
近年来,已知能够穿过显示区域看到显示区域的后方的景色的所谓透明显示器。作为透明显示器,已知例如如专利文献1所示,在呈矩阵状地设置于显示区域的多个像素的各像素中配置有发光区域和透光区域的结构,其中,该发光区域设置有用于图像显示的发光元件,该透光区域与该发光区域分开设置且具有所谓透明(see-through)结构。
通常,在用于图像显示的发光像素的驱动电路中配置有多个薄膜晶体管和电容,随着高精细化的推进,要求进行微细的布局设计。但是,在具有如上所述的结构的透明显示器中,存在如下之类的问题:为了在多个像素的各像素中确保透光区域,对发光区域所占的面积产生进一步的制约,特别是难以确保用于将保持电容配置于发光区域的足够的面积。如果不能充分确保保持电容的大小,就容易受薄膜晶体管特性的不均的影响,难以实现高画质化。即,可以说用于高精细化的像素的微细化与显示装置的高画质化处于二律背反的关系。
另一方面,相对于自发光型有机EL显示装置而言,在控制来自背光源的光而显示图像的液晶显示装置中,已知例如如专利文献2~4所示的像素的结构,该像素的结构用于利用液晶元件所使用的透明电极形成辅助电容来容易地得到高精细和/或高画质的显示装置。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:特开2014-049313号公报
专利文献2:特开平6-148684号公报
专利文献3:特开平6-258669号公报
专利文献4:特开平10-78593号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
本发明是鉴于上述问题而完成的,其目的之一在于,提供一种在透明显示器中也能够兼得高精细化和高画质化的、利用了自发光型显示装置所特有的构成要素的、新的像素的结构。
解决技术问题的技术方案
本发明的一个方式是一种显示装置,其具有呈矩阵状排列的多个像素,该多个像素分别设置有:配置有发光元件的发光区域;和配置有具有透光性的保持电容的至少一部分且被保持电容的至少一个电极覆盖的透光区域。
本发明的一个方式是一种显示装置的制造方法,其包含以下工序:在呈矩阵状地配置有分别设置有发光区域和透光区域的多个像素的基板的第一面的上方,在发光区域形成发光元件,且在透光区域形成至少一个电极覆盖透光区域的保持电容的至少一部分。
附图说明
图1是表示本发明的一个实施方式的显示装置的结构的立体图;
图2是表示本发明的一个实施方式的显示装置的结构的俯视图;
图3是表示本发明的一个实施方式的显示装置的结构的剖面图;
图4是表示本发明的一个实施方式的显示装置的像素电路的结构的俯视图;
图5是表示本发明的一个实施方式的显示装置的结构的剖面图;
图6是表示本发明的一个实施方式的显示装置的结构的剖面图;
图7是表示本发明的一个实施方式的显示装置的结构的剖面图;
图8是表示本发明的一个实施方式的显示装置的结构的剖面图;
图9是表示本发明的一个实施方式的显示装置的结构的剖面图;
图10是表示本发明的一个实施方式的显示装置的像素电路的结构的俯视图;
图11是表示本发明的一个实施方式的显示装置的结构的剖面图;
图12是表示本发明的一个实施方式的显示装置的结构的剖面图;
图13是表示本发明的一个实施方式的显示装置的像素电路的结构的俯视图;
图14是表示本发明的一个实施方式的显示装置的结构的剖面图;
图15是表示本发明的一个实施方式的显示装置的像素电路的结构的俯视图;
图16是表示本发明的一个实施方式的显示装置的像素结构的俯视图;
图17是表示本发明的一个实施方式的显示装置的像素结构的俯视图;
图18是表示本发明的一个实施方式的显示装置的像素结构的俯视图;
图19是表示本发明的一个实施方式的显示装置的像素结构的俯视图。
具体实施方式
下面,参照附图等对本发明的实施方式进行说明。但是,本发明能够以多种不同的方式进行实施,不局限地解释为以下例示的实施方式的记载内容。另外,为了使说明更明确,附图有时与实际的形态相比示意性地表示各部的宽度、厚度、形状等,但这只不过是一个例子,不限定本发明的解释。另外,在本说明书和各图中,对与针对之前的图叙述过的要素相同的要素标注同一标记,适当省略详细的说明。
在本说明书中,只要没有特殊限定,某部件或区域位于其他部件或区域之“上(或下)”的情况,就不仅仅是某部件或区域在其他部件或区域的上方向(或下方向)紧邻该其他部件或区域的情况,还包含某部件或区域位于其他部件或区域的上方(或下方)的情况,即,还包含某部件或区域在其他部件或区域的上方(或下方)与该其他部件或区域之间隔着另外的构成要素的情况。
<第一实施方式>
参照图1对本实施方式的显示装置100的结构进行说明。图1是表示本实施方式的显示装置100的结构的立体图。显示装置100在第一基板102设置有显示区域106。显示区域106通过排列多个像素108而构成。在显示区域106的上表面设置有作为封闭件的第二基板104。第二基板104借助包围显示区域106的密封材料110固定于第一基板102。形成于第一基板102的显示区域106由作为封闭件的第二基板104和密封材料110封闭,使其不暴露在大气中。通过这种封闭结构来抑制设置于像素108的发光元件的劣化。
第一基板102在一端部设置有端子区域114。端子区域114配置于第二基板104的外侧。端子区域114由多个连接端子116构成。在连接端子116配置将输出视频信号的设备或电源等与显示面板连接的配线基板。与配线基板连接的连接端子116的接点在外部露出。
接下来,参照图2对本实施方式的显示装置100的电路结构进行说明。图2是表示本实施方式的显示装置100的电路结构的图。
有机EL显示装置具有显示图像的显示区域106和驱动显示区域106的驱动部。在有机EL显示装置的显示区域106,呈矩阵状地配置有多个像素118,每个像素108都具有像素电路120。像素电路120至少包含选择晶体管122、驱动晶体管124、保持电容126和发光元件128。
另一方面,驱动部包含扫描线驱动电路130、视频线驱动电路132、驱动电源电路134、基准电源电路136和控制装置138,发挥驱动像素电路120而控制发光元件128的发光等的功能。
扫描线驱动电路130与设置于像素的水平方向的各排(像素行)的扫描信号线140连接。扫描线驱动电路130根据从控制装置138输入的定时信号,按顺序选择扫描信号线140,且对选择到的扫描信号线140施加将选择晶体管122导通的电压。
视频线驱动电路132与设置于像素的垂直方向的各排(像素列)的视频信号线142连接。视频线驱动电路132从控制装置138输入视频信号,按照由扫描线驱动电路130进行的扫描信号线140的选择,将与选择到的像素行的视频信号相应的电压输出到各视频信号线142。该电压在选择到的像素行经选择晶体管122被写入保持电容126。驱动晶体管124将与所写入的电压相应的电流供给到发光元件128,由此,与选择到的扫描信号线140对应的像素的发光元件128进行发光。
驱动电源电路134与按每个像素列设置的电源电位线144连接,经电源电位线144和选择到的像素行的驱动晶体管124,向发光元件128供给电流。
基准电源电路136与基准电源线145连接,对构成发光元件128的阴极的共用电极赋予恒定电位。恒定电位例如可设定为接地电位。
在本实施方式中,发光元件128的一个电极是按每个像素形成的像素电极,发光元件128的另一个电极成为覆盖多个像素且以多个像素共用的方式设置的共用电极。像素电极与驱动晶体管124连接。另一方面,共用电极由遍及多个像素的电极构成。
参照图3和图4进一步对本实施方式的显示装置100的结构进行详细说明。图3是表示本实施方式的显示装置100具有的像素的结构的剖面图,表示图1的A-B的第一基板(也称为阵列基板)侧的剖面。图4是表示本实施方式的显示装置100具有的像素的像素电路的电路图。
多个像素108分别具有发光区域146和透光区域148。在发光区域146配置有发光元件128,在透光区域148配置有保持电容126。在此,保持电容126具有透光性。
这样,因为保持电容126具有透光性,所以能够配置于透光区域148。由此,能够提供高精细且高画质的透明显示器。
另外,在本实施方式中,在透光区域148的整个面配置有保持电容126,但不局限于此,只要是保持电容126的一个电极覆盖透光区域148的整个面的结构即可。另一个电极只要覆盖透光区域148的至少一部分即可。通过具有这种结构,虽然与本实施方式的显示装置100相比保持电容126降低,但能够进一步提高显示装置的透过率。
本实施方式的显示装置100形成有划分多个像素且在多个像素的各个像素中划分发光区域146和透光区域148的堤部(bank)150。
在发光区域146配置有构成像素电路120的选择晶体管122、驱动晶体管124和发光元件128。选择晶体管122和驱动晶体管124设置在发光元件128的下方。
发光元件128具有由像素电极152和共用电极156夹持发光层154的结构。发光元件128具有的电极中,下部的电极是像素电极152,上部的电极是共用电极156。在本实施方式中,像素电极152具有三层导电层层叠而成的结构。另外,像素电极152与驱动晶体管124的源极经未图示的接触开口部电连接。
在发光层154由例如有机EL层构成的情况下,使用低分子类或高分子类的有机材料形成。在使用低分子类的有机材料的情况下,发光层154除了包含含有发光性有机材料的发光层154以外,还以夹着该发光层154的方式包含空穴注入层和电子注入层以及空穴输送层和电子输送层等。在本实施方式中,发光层154使用发白色光的发光层,通过彩色滤光片(未图示),实现全彩色发光。另外,发光层128也可以使用重叠多个发光层(例如,有机EL层)而成的所谓串列(tandem)式的结构。
共用电极156为了使由发光层154发出的光透过,优选由具有透光性且具有导电性的ITO(添加有氧化锡的氧化铟)或IZO(氧化铟、氧化锌)等透明导电膜形成。或者,作为共用电极156,也可以使用具有出射光可透过的程度的膜厚的金属层。
像素电极152为了使由发光层154产生的光向共用电极156侧反射,优选包含反射率高的金属层,在本实施方式中,具有在两层透明导电层之间夹持有金属层的层结构。作为金属层,例如可使用银(Ag)。作为两层透明导电层,优选分别由具有透光性且具有导电性的ITO(添加有氧化锡的氧化铟)或IZO(氧化铟、氧化锌)等透明导电膜形成,也可以使用它们的任意组合。
在本实施方式的显示装置100中,在透光区域148的整个面配置有保持电容126。本实施方式的保持电容126具有在上部和下部的电极(分别称为上部电极126b和下部电极126a)之间夹持有发光层154和绝缘层158的结构。
以配置于显示区域106的多个像素共用的方式设置的共用电极156兼具保持电容126的上部电极126b的功能。为了具有这种结构,保持电容126的上部电极126b与共用电极156同样,与基准电源电路连接,被赋予恒定电位。作为恒定电位,例如可设定设置电位。
作为保持电容126的下部电极126a,可利用上述的构成像素电极152的两层透明导电层中的任一层。
作为绝缘层158,优选使用具有透光性的膜,例如氮化硅膜。另外,在本实施方式中,绝缘层158覆盖透光区域148,且设置至堤部150之上。换言之,覆盖透光区域148的绝缘层158的端部配置在堤部150之上。即,在制造工序中,在形成堤部150之后,使绝缘层158的材料成膜,且进行图案化。通过采用这种层结构,在绝缘层158的图案化时所要求的对准精度变松,所以显示装置200的制造变得容易。
如上所述,作为具有透光性的保持电容126的电极,能够都利用自发光型发光元件所特有使用的电极。即,在制造工序中,因为能够同时形成发光元件128的电极和保持电容126的电极,所以制造工序没有大幅度的变更和追加,能够容易且低成本地提供本实施方式的显示装置100。
<第二实施方式>
参照图5进一步对本实施方式的显示装置200的结构进行详细说明。图5是表示本实施方式的显示装置200具有的像素的结构的剖面图。像素电路120与图4所示的第一实施方式的显示装置100的像素电路120同样。
当与第一实施方式的显示装置100进行比较时,本实施方式的显示装置200仅在配置于透光区域148的保持电容126具有的绝缘层158和堤部150的层结构上不同。
在本实施方式中,绝缘层158设置至堤部150之下。换言之,以覆盖绝缘层158的端部的方式形成有堤部150,该绝缘层158覆盖透光区域148。即,在制造工序中,在形成堤部之前,使绝缘层158的材料成膜,且进行图案化。通过采用这种层结构,能够在绝缘层158的图案化时,与保持电容126的下部电极126a一起统一进行图案化。因此,没有由设置透光区域148引起的掩模的增加,所以能够容易且低成本地提供显示装置100。
<第三实施方式>
参照图6对本实施方式的显示装置300的结构进行详细说明。图6是表示本实施方式的显示装置300具有的像素的结构的剖面图。像素电路120与图4所示的第一实施方式的显示装置100的像素电路120同样。
当与第一实施方式的显示装置100或第二实施方式的显示装置200进行比较时,本实施方式的显示装置300仅在配置于透光区域148的保持电容126具有的绝缘层158的层结构上不同。
在本实施方式中,在发光层154之上设置有覆盖透光区域148的绝缘层158。绝缘层158的端部配置在堤部150之上。即,在制造工序中,在形成配置于显示区域106的覆盖多个像素的发光层154之后,使绝缘层158的材料成膜,且进行图案化。通过采用这种层结构,在绝缘层158的图案化时所要求的对准精度变松,所以保持电容126的形成变得容易。此外,在实施例1中,将使绝缘层158的材料成膜的工序置于发光层154的形成之前。这样,就成为在发光层154之下设置有绝缘层158的结构。在这种情况下,由于在之前工序的形成堤部150之后形成绝缘层158,因此能够容易进行高精度的掩模对准。另外,也能够降低对发光层154的损害。
<第四实施方式>
参照图7对本实施方式的显示装置400的结构进行详细说明。图7是表示本实施方式的显示装置400具有的像素的结构的剖面图。像素电路120与图4所示的第一实施方式的显示装置100的像素电路120同样。
当与第一实施方式的显示装置100~第三实施方式的显示装置300进行比较时,本实施方式的显示装置400仅在配置于透光区域148的保持电容126具有的绝缘层154a的层结构上不同。
在本实施方式中,在覆盖多个像素的发光层154中,通过使发光区域146以外的区域变质而绝缘层化(成为绝缘层),来在透光区域148形成保持电容126。发光层154的绝缘层化例如可通过向发光层154照射适度的能量而实现。作为能量,例如可使用紫外线。
作为具体的制造方法,使构成发光元件128的像素电极152的金属膜作为遮光层发挥功能,在发光层154形成后,从基板102的未配置晶体管的面一侧进行能量照射。由此,能够向发光元件128以外的区域照射能量,仅使该区域自对准(self-aligning)地绝缘层化。即,不需要将用于形成保持电容126的绝缘层158成膜且进行图案化的工序,无需使需要的掩模数增大,就能够形成保持电容126。因而,制造工序没有大幅度的变更和追加,能够容易且低成本地提供本实施方式的显示装置400。
<第五实施方式>
参照图8对本实施方式的显示装置500的结构进行详细说明。图8是表示本实施方式的显示装置500具有的像素的结构的剖面图。像素电路120与图4所示的第一实施方式的显示装置100的像素电路120同样。
当与第一实施方式的显示装置100~第四实施方式的显示装置400进行比较时,本实施方式的显示装置500在配置保持电容126的下部电极126a的层上不同。即,保持电容126的下部电极126a与发光元件128的像素电极152配置在不同的层。
为了具有这种层结构,在制造工序中,与形成像素电极152的工序分开地形成保持电容126的下部电极126a。但是,另一方面,为了具有这种层结构,无需在像素电极152的形成中,使它们中的透明导电层的至少一层作为保持电容126的电极留在透光区域148内,所以在该例子中,能够统一进行由3层构成的像素电极152的图案化。因而,制造工序没有大幅度的变更和追加,能够容易且低成本地提供本实施方式的显示装置500。
另外,示出了本实施方式的发光层154覆盖配置于显示区域106的多个像素的方式,但不局限于此,也可以仅在发光区域146残留有发光层154。据此,能够提高显示装置500的透过率。
<第六实施方式>
参照图9和图10对本实施方式的显示装置600的结构进行详细说明。图9是表示本实施方式的显示装置600具有的像素的结构的剖面图。图10是表示本实施方式的显示装置具有的像素的像素电路120的电路图。
本实施方式的显示装置600在保持电容126形成于比发光元件128更靠下层这一点与第一实施方式~第五实施方式的显示装置不同。另外,保持电容126的电极中,上部电极126b覆盖配置于显示区域106的多个像素,下部电极126a按每个像素设置,覆盖一个像素。即,在本实施方式中,保持电容126具有不仅覆盖透光区域148,而且还覆盖一个像素的结构。换言之,在透光区域148形成有保持电容126的一部分。上部电极126b与共用电极156接触而电导通。
通过具有这种结构,能够使保持电容126所占的面积最大化,能够提供高画质的显示装置600。
进而,因为保持电容126的上部电极126b成为作为发光元件128的阴极发挥功能的共用电极156的辅助配线,所以能够抑制向阴极供给的基准电压的电压下降,能够提供高画质的显示装置600。
<第七实施方式>
参照图11对本实施方式的显示装置700的结构进行详细说明。图11是表示本实施方式的显示装置700具有的像素的结构的剖面图。像素电路120与图10所示的第六实施方式的显示装置600的像素电路120同样。
当与第六实施方式的显示装置600进行比较时,本实施方式的显示装置700在透光区域148去除了层间绝缘膜160、平坦化膜162这一点不同。
通过具有这种结构,能够使透过率比第六实施方式的显示装置高。
另外,绝缘层160配置于与形成选择晶体管122、驱动晶体管124的层相同的层,由无机绝缘膜形成。该无机绝缘膜硬而脆,在显示装置700为无机显示器的情况下,有可能在弯曲时被损坏。通过如本实施方式那样在透过区域148去除绝缘层160,在俯视时,成为绝缘层160按每个像素岛状分离地分布的形态,能够防止弯曲时的损坏。
<第八实施方式>
参照图12和图13对本实施方式的显示装置800的结构进行详细说明。图12是表示本实施方式的显示装置800具有的像素的结构的剖面图。图13是表示本实施方式的显示装置具有的像素的像素电路120的电路图。
在本实施方式中,在发光元件128的下方形成有保持电容126。换言之,在形成保持电容126后,形成发光元件128。保持电容126的上部电极126b覆盖透光区域148,且覆盖配置于显示区域106的多个像素。下部电极126a未完全覆盖透光区域148,而是覆盖透光区域148的一部分。另外,下部电极126a在发光区域146延伸。即,在透光区域148形成有保持电容126的一部分。
另外,如图所示,下部电极也可以分割为电独立的多个区域。因为这样能够形成多个电容,所以也能够应用于复杂的像素电路。
通过具有这种结构,最大能够遍及一个像素的区域地形成保持电容126,所以能够确保足够的保持电容126,能够提供高画质的显示装置800。
另外,通过采用下部电极126a仅覆盖透光区域148的一部分的结构,能够提高显示装置800的透过率。
<第九实施方式>
参照图14对本实施方式的显示装置900的结构进行详细说明。图14是表示本实施方式的显示装置900具有的像素的结构的剖面图。图15是表示本实施方式的显示装置具有的像素的像素电路120的电路图。
当将本实施方式的显示装置900和第八实施方式的显示装置800进行比较时,在保持电容126的上部电极126b与供给电源电位的电源电位线144连接这一点不同。即,保持电容126的上部电极126b覆盖配置于显示区域106的多个像素,兼作电源电位线144。因此,在向作为发光元件128的阳极发挥功能的像素电极152供给电流时,因为是低电阻的电源电位线144,所以显示区域106内的均匀性提高,能够提供高画质的显示装置900。
另外,作为发光元件128的阳极发挥功能的像素电极152与驱动晶体管124的源极连接。因此,在保持电容126的上部电极126b设置有未图示的接触孔,经该接触孔,像素电极152和驱动晶体管124的源极连接。在本实施方式中,驱动晶体管124为P型晶体管。由此,能够对驱动晶体管124的栅极、源极间施加与保持电容126的蓄积电荷相伴的电压,所以流向发光元件128的电流量的控制变得容易。
[像素的配置例1]
对本实施方式的显示装置900的像素的几个配置例进行说明。图16是对本实施方式的显示装置900的像素的配置例进行说明的俯视图。在该例子中,多个像素分别由发出红(R)、绿(G)和蓝(B)的各色光的三个子像素构成,多个像素配置为矩阵状。在本说明书中,一个子像素也称为像素。
在呈矩阵状地配置的像素间,在行方向上配置有扫描信号线140,在列方向上配置有视频信号线142。进而,以覆盖多个像素的方式配置有兼具电源电位线144的功能的保持电容126的上部电极126b。电源电位线144与多个像素分别具有的驱动晶体管124(未图示)的漏极连接。
在第一实施方式~第八实施方式的显示装置中,如图2所示,对于呈矩阵状地配置的多个像素,在列方向上配置有电源电位线144。在本实施方式的显示装置900中,因为使用覆盖多个像素的透明导电层作为电源电位线144,所以不会使开口率降低,能够低电阻化。
多个像素分别配置有发出红(R)、绿(G)和蓝(B)中的任一种光的发光区域146和具有透光性的透光区域148。
[像素的配置例2]
图17是对本实施方式的显示装置900的像素的另一配置例进行说明的俯视图。在该例子中,多个像素分别由发出红(R)、绿(G)、蓝(B)和白(W)的各色光的4个像素构成。示出在多个像素中透光区域的面积为像素面积的约75%的例子。
[像素的配置例3]
图18是对本实施方式的显示装置900的像素的另一配置例进行说明的俯视图。在该例子中,多个像素分别由发出红(R)、绿(G)、蓝(B)和白(W)的各色光的4个像素构成。示出在多个像素中透光区域的面积为像素面积的约75%的例子。
另外,具有相邻的行共有扫描信号线140的结构。由此,通过将扫描信号线140的根数减半,能够提高开口率。
[像素的配置例4]
图19是对本实施方式的显示装置900的像素的另一配置例进行说明的俯视图。在该例子中,多个像素分别由发出红(R)、绿(G)、蓝(B)和白(W)的各色光的4个像素构成。示出在多个像素中透光区域的面积为像素面积的约75%的例子。
另外,具有相邻的行和列分别共有扫描信号线140和视频信号线142的结构。由此,通过将扫描信号线140和视频信号线142的条数减半,能够进一步提高开口率。
以上,通过第一实施方式~第九实施方式对本发明优选方式进行了说明。但是,这些实施方式只不过是一种例示,本发明的技术范围不局限于此。如果是本领域技术人员,则能够不脱离本发明要旨地进行各种变更。因而,那些变更当然也应理解成属于本发明的技术范围。
附图标记说明
100、200、250、300、400、500、600、700、800、900……显示装置
102、104……基板
106……显示区域
108……像素
110……密封材料
114……端子区域
116……连接端子
120……像素电路
122……选择晶体管
124……驱动晶体管
126……保持电容
128……发光元件
130……扫描线驱动电路
132……视频线驱动电路
134……驱动电源电路
136……基准电源电路
138……控制装置
140……扫描信号线
142……视频信号线
144……电源电位线
145……基准电源线
146……发光区域
148……透光区域
150……堤部
152……像素电极
154……发光层
154a……绝缘层化后的发光层
156……共用电极
158、160、162……绝缘层

Claims (18)

1.一种显示装置,其特征在于:
具有呈矩阵状排列的多个像素,该多个像素分别设置有:配置有发光元件的发光区域;和配置有具有透光性的保持电容的至少一部分且被所述保持电容的至少一个电极覆盖的透光区域,
所述发光元件包含:
覆盖所述多个像素的第一电极;
设置于所述第一电极之下的发光层;和
在所述多个像素的每个像素中设置于所述发光层之下的第二电极,
所述保持电容包含所述第一电极。
2.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于:
所述发光层在所述透光区域具有绝缘性。
3.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于:
所述第二电极包含透明导电层,
所述保持电容包含与所述透明导电层同时形成的第三电极。
4.如权利要求3所述的显示装置,其特征在于:
还具有堤部,该堤部划分所述多个像素,且在所述多个像素的各个像素中进一步划分所述发光区域和所述透光区域,
所述保持电容包含绝缘层,该绝缘层设置于所述第一电极之下,覆盖所述透光区域,且设置至所述堤部之上。
5.如权利要求3所述的显示装置,其特征在于:
还具有堤部,该堤部划分所述多个像素,且在所述多个像素的各个像素中进一步划分所述发光区域和所述透光区域,
所述保持电容包含绝缘层,该绝缘层设置于所述第一电极之下,覆盖所述透光区域,且设置至所述堤部之下。
6.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,
所述保持电容还包含:
覆盖所述多个像素的第三电极;和
在所述多个像素的每个像素中设置的第四电极。
7.如权利要求6所述的显示装置,其特征在于:
所述第三电极在所述透光区域与所述第一电极导通。
8.如权利要求6所述的显示装置,其特征在于:
所述第三电极与供给电源电位的电源电位线导通。
9.如权利要求6所述的显示装置,其特征在于:
所述第四电极在所述多个像素的各个像素中被分割为电独立的多个区域。
10.一种显示装置的制造方法,其特征在于:
包含在呈矩阵状地配置有分别设置有发光区域和透光区域的多个像素的基板的第一面的上方,在所述发光区域形成发光元件,且在所述透光区域形成至少一个电极覆盖所述透光区域的保持电容的至少一部分的工序,
在所述发光区域形成所述发光元件,且在所述透光区域形成至少一个电极覆盖所述透光区域的所述保持电容的至少一部分的工序包含以下工序:
在所述第一面的上方形成透明导电层,
通过将所述透明导电层图案化,在所述多个像素的各个像素中形成覆盖所述发光区域的第一电极的一层和覆盖所述透光区域的第二电极,
形成覆盖所述发光区域的金属层从而形成所述第一电极的另一层。
11.如权利要求10所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
在所述发光区域形成所述发光元件,且在所述透光区域形成至少一个电极覆盖所述透光区域的所述保持电容的至少一部分的工序还包含以下工序:
在形成所述第一电极和所述第二电极后,形成覆盖所述多个像素的发光层,
通过从所述基板的与所述第一面相反的第二面侧照射能量,使除了配置所述金属层的区域以外的所述发光层的区域绝缘层化。
12.如权利要求10所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
在所述发光区域形成所述发光元件,且在所述透光区域形成至少一个电极覆盖所述透光区域的所述保持电容的至少一部分的工序还包含以下工序:
在形成所述第一电极和所述第二电极后,形成堤部,该堤部划分所述多个像素,且在所述多个像素的各个像素中进一步划分所述发光区域和所述透光区域,
在形成所述堤部后,形成覆盖所述多个像素的发光层,
在形成所述发光层后,形成覆盖所述透光区域的绝缘层。
13.如权利要求10所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
在所述发光区域形成所述发光元件,且在所述透光区域形成至少一个电极覆盖所述透光区域的所述保持电容的至少一部分的工序还包含以下工序:
在形成所述第一电极和所述第二电极后,形成堤部,该堤部划分所述多个像素,且在所述多个像素的各个像素中进一步划分所述发光区域和所述透光区域,
在形成所述堤部后,形成覆盖所述透光区域且设置至所述堤部之上的绝缘层。
14.如权利要求10所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
在所述发光区域形成所述发光元件,且在所述透光区域形成至少一个电极覆盖所述透光区域的所述保持电容的至少一部分的工序还包含以下工序:
形成覆盖所述第二电极的绝缘层,
在形成所述绝缘层后,形成堤部,该堤部划分所述多个像素,且在所述多个像素的各个像素中进一步划分所述发光区域和所述透光区域。
15.一种显示装置的制造方法,其特征在于:
包含在呈矩阵状地配置有分别设置有发光区域和透光区域的多个像素的基板的第一面的上方,在所述发光区域形成发光元件,且在所述透光区域形成至少一个电极覆盖所述透光区域的保持电容的至少一部分的工序,
在所述发光区域形成所述发光元件,且在所述透光区域形成至少一个电极覆盖所述透光区域的所述保持电容的至少一部分的工序包含以下工序:
共用所述发光元件的共用电极和所述保持电容的一个电极,形成覆盖所述多个像素的第一电极。
16.一种显示装置的制造方法,其特征在于:
包含在呈矩阵状地配置有分别设置有发光区域和透光区域的多个像素的基板的第一面的上方,在所述发光区域形成发光元件,且在所述透光区域形成至少一个电极覆盖所述透光区域的保持电容的至少一部分的工序,
在所述发光区域形成所述发光元件,且在所述透光区域形成至少一个电极覆盖所述透光区域的所述保持电容的至少一部分的工序包含以下工序:
形成一个电极包含覆盖所述多个像素的第一电极的所述保持电容,
在形成所述保持电容后,在所述发光区域形成所述发光元件。
17.如权利要求16所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
所述发光元件是共用电极在所述透光区域与所述第一电极连接的发光元件。
18.如权利要求16所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
所述第一电极是与供给电源电位的电源电位线导通的所述第一电极。
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Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104377230B (zh) * 2014-11-18 2017-09-19 京东方科技集团股份有限公司 像素结构及其制备方法、阵列基板、显示装置
KR102529665B1 (ko) * 2016-07-07 2023-05-10 삼성디스플레이 주식회사 투명 표시 장치
KR20180013577A (ko) * 2016-07-29 2018-02-07 엘지디스플레이 주식회사 투명표시장치와 그의 제조방법
JP6772277B2 (ja) * 2016-09-26 2020-10-21 パイオニア株式会社 発光装置
US11283045B2 (en) 2017-03-27 2022-03-22 Pioneer Corporation Light-emitting device
CN109285860A (zh) * 2017-07-21 2019-01-29 京东方科技集团股份有限公司 一种电致发光显示面板、显示装置及其获取图像显示方法
CN107644895B (zh) * 2017-09-22 2020-05-12 上海天马微电子有限公司 有机发光显示面板、其制备方法、驱动方法及显示装置
CN107706221B (zh) * 2017-09-28 2019-11-26 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示器的制作方法及oled显示器
CN107910347A (zh) * 2017-10-18 2018-04-13 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示器件及oled显示面板
KR102483073B1 (ko) * 2017-12-06 2022-12-30 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
CN110034152B (zh) * 2018-01-12 2023-08-04 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
CN110071138A (zh) * 2018-01-24 2019-07-30 株式会社日本有机雷特显示器 发光装置和显示装置
JP2019186023A (ja) * 2018-04-10 2019-10-24 株式会社Joled 有機電界発光パネルおよび電子機器
JP2019186024A (ja) * 2018-04-10 2019-10-24 株式会社Joled 有機電界発光パネルおよび電子機器
KR20200019309A (ko) 2018-08-13 2020-02-24 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
US11063104B2 (en) * 2018-12-28 2021-07-13 Lg Display Co., Ltd. Light emitting display device
CN110190094B (zh) * 2019-05-22 2022-05-03 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制作方法、智能终端
US11094719B2 (en) * 2019-07-23 2021-08-17 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Method of manufacturing display panel, display panel, and display device
JP2021057276A (ja) * 2019-10-01 2021-04-08 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR20210157640A (ko) * 2020-06-22 2021-12-29 엘지디스플레이 주식회사 투명 표시 장치
KR20220012672A (ko) 2020-07-23 2022-02-04 엘지디스플레이 주식회사 투명 표시 장치
KR20220012680A (ko) * 2020-07-23 2022-02-04 엘지디스플레이 주식회사 투명 표시 장치
CN112466209B (zh) * 2020-09-30 2022-05-27 武汉天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
CN112072000B (zh) * 2020-11-11 2021-01-29 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN112599572B (zh) * 2020-12-09 2022-12-06 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled器件及其制造方法
KR20220090275A (ko) * 2020-12-22 2022-06-29 엘지디스플레이 주식회사 투명 표시 장치
CN112909053A (zh) * 2021-01-26 2021-06-04 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、显示面板及其制造方法
JP2022115080A (ja) 2021-01-27 2022-08-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
WO2022200896A1 (ja) * 2021-03-25 2022-09-29 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US11815689B2 (en) 2021-04-30 2023-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
US11699391B2 (en) 2021-05-13 2023-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display apparatus, and electronic device

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103247657A (zh) * 2012-02-13 2013-08-14 元太科技工业股份有限公司 显示器
CN103985729A (zh) * 2013-02-12 2014-08-13 三星显示有限公司 有机发光显示装置

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2950061B2 (ja) 1992-11-13 1999-09-20 日本電気株式会社 液晶表示素子
JPH06258669A (ja) 1993-03-04 1994-09-16 Canon Inc 液晶表示装置
JP3634089B2 (ja) * 1996-09-04 2005-03-30 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2002196704A (ja) * 2000-12-27 2002-07-12 Sharp Corp 有機elパネルおよびその製造方法
JP2003317971A (ja) * 2002-04-26 2003-11-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
TWI292281B (en) * 2005-12-29 2008-01-01 Ind Tech Res Inst Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same
JP2009088320A (ja) * 2007-10-01 2009-04-23 Canon Inc 有機発光装置及びその製造方法
US9041202B2 (en) * 2008-05-16 2015-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
KR20120119430A (ko) * 2011-04-21 2012-10-31 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치
JP6111398B2 (ja) * 2011-12-20 2017-04-12 株式会社Joled 表示装置および電子機器
JP2014049313A (ja) 2012-08-31 2014-03-17 Japan Display Inc エレクトロルミネセンス表示装置
KR102117607B1 (ko) 2013-07-23 2020-06-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법
KR20150019989A (ko) * 2013-08-12 2015-02-25 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치용 어레이 기판 및 이의 제조 방법
KR102033615B1 (ko) * 2013-09-27 2019-10-17 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
KR102211965B1 (ko) * 2013-10-18 2021-02-05 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP2015158572A (ja) * 2014-02-24 2015-09-03 株式会社Joled 表示装置、電子機器
KR102236381B1 (ko) * 2014-07-18 2021-04-06 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103247657A (zh) * 2012-02-13 2013-08-14 元太科技工业股份有限公司 显示器
CN103985729A (zh) * 2013-02-12 2014-08-13 三星显示有限公司 有机发光显示装置

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