JP6577224B2 - 表示装置 - Google Patents

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Description

本発明は表示装置に関する。特に、表示装置における表示領域における画素の構成に関する。
有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬと呼ぶ。）表示装置は、各画素に発光素子が設けられ、個別に発光を制御することで画像を表示する。発光素子は、一方をアノード電極、他方をカソード電極として区別される一対の電極間に有機ＥＬ材料を含む層（以下、「発光層」ともいう）が挟持された構造を有している。有機ＥＬ表示装置は、一方の電極が画素毎に画素電極として設けられ、他方の電極は複数の画素に跨がって共通の電位が印加される共通電極として設けられている。有機ＥＬ表示装置は、この共通電極の電位に対し、画素電極の電位を画素毎に印加することで、画素の発光を制御している。
近年では、表示領域を通して表示領域の後方の景色を視認することが出来る、所謂透明ディスプレイが知られている。透明ディスプレイとしては、例えば特許文献１に開示されるように、表示領域に行列状に設けられた複数の画素の各々において、画像表示を担う発光素子が設けられる発光領域と、当該発光領域とは別途に、所謂シースルー構造を有する透光領域を配置する構成が知られている。
一般に、画像表示を担う発光画素の駆動回路には薄膜トランジスタや容量が複数配置され、高精細化を進めるに伴い微細なレイアウト設計が求められるようになる。しかしながら、前述のような構成を有する透明ディスプレイにおいては、複数の画素の各々に透光領域を確保するために、発光領域が占める面積に更なる制約が生じ、特に保持容量を発光領域に配置するための十分な面積を確保することが困難になるといった問題が生じる。保持容量の大きさを十分に確保することができないと、薄膜トランジスタ特性のばらつきの影響を受けやすくなり、高画質化が困難になる。つまり、高精細化のための画素の微細化と、表示装置の高画質化とは二律背反の関係にあると言える。
一方、自発発光型の有機ＥＬ表示装置に対し、バックライトからの光を制御して画像を表示する液晶表示装置においては、例えば特許文献２〜４に開示されているように、液晶素子に用いられる透明電極を利用して補助容量を形成することによって、高精細及び／又は高画質な表示装置を容易に得るための画素の構成が知られている。
特開２０１４−０４９３１３号公報 特開平６−１４８６８４号公報 特開平６−２５８６６９号公報 特開平１０−７８５９３号公報
本発明は、上記問題に鑑み、透明ディスプレイにおいても高精細化及び高画質化の両立が可能な、自発発光型の表示装置に特有の構成要素を利用した新たな画素の構造を提供することを目的の一つとする。
本発明の一態様は、発光素子が配置された発光領域と、透光性を有する保持容量の少なくとも一部が配置され、保持容量の少なくとも一方の電極に覆われた透光領域とが各々に設けられ、行列状に配列された複数の画素を有する表示装置である。
本発明の一態様は、発光領域と透光領域が各々に設けられた複数の画素が行列状に配置された基板の第１面の上方に、発光領域に発光素子を形成し、透光領域に少なくとも一方の電極が前記透光領域を覆う保持容量の少なくとも一部を形成することを含む表示装置の製造方法である。
本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す斜視図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す平面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の画素回路の構成を示す平面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の画素回路の構成を示す平面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の画素回路の構成を示す平面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の画素回路の構成を示す平面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の画素構成を示す平面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の画素構成を示す平面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の画素構成を示す平面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の画素構成を示す平面図である。
以下、本発明の実施の形態を、図面等を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
本明細書において、ある部材又は領域が、他の部材又は領域の「上に（又は下に）」あるとする場合、特段の限定がない限り、これは他の部材又は領域の直上（又は直下）にある場合のみでなく、他の部材又は領域の上方（又は下方）にある場合を含み、すなわち、他の部材又は領域の上方（又は下方）において間に別の構成要素が含まれている場合も含む。
＜第１実施形態＞
本実施形態に係る表示装置１００の構成を、図１を参照して説明する。図１は、本実施形態に係る表示装置１００の構成を示す斜視図である。表示装置１００は、第１基板１０２に表示領域１０６が設けられている。表示領域１０６は複数の画素１０８が配列することによって構成されている。表示領域１０６の上面には封止材としての第２基板１０４が設けられている。第２基板１０４は表示領域１０６を囲むシール材１１０によって、第１基板１０２に固定されている。第１基板１０２に形成された表示領域１０６は、封止材である第２基板１０４とシール材１１０によって大気に晒されないように封止されている。このような封止構造により画素１０８に設けられる発光素子の劣化を抑制している。
第１基板１０２は、一端部に端子領域１１４が設けられている。端子領域１１４は第２基板１０４の外側に配置されている。端子領域１１４は、複数の接続端子１１６によって構成されている。接続端子１１６には、映像信号を出力する機器や電源などと表示パネルとを接続する配線基板が配置される。配線基板と接続する接続端子１１６の接点は、外部に露出している。
次いで、本実施形態に係る表示装置１００の回路構成について、図２を参照して説明する。図２は、本実施形態に係る表示装置１００の回路構成を示す図である。
有機ＥＬ表示装置は、画像を表示する表示領域１０６と、表示領域１０６を駆動する駆動部とを備える。有機ＥＬ表示装置の表示領域１０６には複数の画素１１８が行列状に配置され、画素１０８毎に画素回路１２０を有する。画素回路１２０は、少なくとも選択トランジスタ１２２、駆動トランジスタ１２４、保持容量１２６及び発光素子１２８を含む。
一方、駆動部は走査線駆動回路１３０、映像線駆動回路１３２、駆動電源回路１３４、基準電源回路１３６及び制御装置１３８を含み、画素回路１２０を駆動し発光素子１２８の発光を制御する等の機能を担う。
走査線駆動回路１３０は画素の水平方向の並び（画素行）毎に設けられた走査信号線１４０に接続されている。走査線駆動回路１３０は制御装置１３８から入力されるタイミング信号に応じて走査信号線１４０を順番に選択し、選択した走査信号線１４０に、選択トランジスタ１２２をオンにする電圧を印加する。
映像線駆動回路１３２は画素の垂直方向の並び（画素列）毎に設けられた映像信号線１４２に接続されている。映像線駆動回路１３２は制御装置１３８から映像信号を入力され、走査線駆動回路１３０による走査信号線１４０の選択に合わせて、選択された画素行の映像信号に応じた電圧を各映像信号線１４２に出力する。当該電圧は、選択された画素行にて選択トランジスタ１２２を介して保持容量１２６に書き込まれる。駆動トランジスタ１２４は書き込まれた電圧に応じた電流を発光素子１２８に供給し、これにより、選択された走査信号線１４０に対応する画素の発光素子１２８が発光する。
駆動電源回路１３４は画素列毎に設けられた電源電位線１４４に接続され、電源電位線１４４及び選択された画素行の駆動トランジスタ１２４を介して発光素子１２８に電流を供給する。
基準電源回路１３６は、基準電源線１４５に接続され、発光素子１２８のカソード電極を構成する共通電極に定電位を与える。定電位は例えば、接地電位に設定することができる。
本実施形態において発光素子１２８の一方の電極は画素毎に形成された画素電極であり、発光素子１２８の他方の電極は複数の画素を覆い、複数の画素に共通して設けられた共通電極となる。画素電極は駆動トランジスタ１２４に接続される。一方、共通電極は複数の画素に亘る電極で構成される。
図３及び図４を参照し、本実施形態に係る表示装置１００の構成について更に詳細に説明する。図３は、本実施形態に係る表示装置１００が有する画素の構成を示す断面図であり、図１におけるＡ−Ｂにおいて第１基板（アレイ基板とも呼ぶ。）側の断面を示している。図４は、本実施形態に係る表示装置１００が有する画素の画素回路を示す回路図である。
複数の画素１０８の各々は、発光領域１４６及び透光領域１４８を有している。発光領域１４６には発光素子１２８が配置され、透光領域１４８には保持容量１２６が配置されている。ここで、保持容量１２６は透光性を有している。
このように、保持容量１２６は透光性を有するために、透光領域１４８に配置することができる。これによって、高精細且つ高画質な透明ディスプレイを提供することができる。
尚、本実施形態においては透光領域１４８の全面に保持容量１２６が配置されるが、これに限られず、保持容量１２６の一方の電極が透光領域１４８の全面を覆う構成であればよい。他方の電極は透光領域１４８の少なくとも一部を覆っていればよい。このような構成を有することによって、本実施形態に係る表示装置１００に比べて保持容量１２６は低下するものの、表示装置の透過率を更に向上させることができる。
本実施形態に係る表示装置１００は、複数の画素を区画し、複数の画素の各々において発光領域１４６及び透光領域１４８を区画するバンク１５０が形成されている。
発光領域１４６には、画素回路１２０を構成する選択トランジスタ１２２、駆動トランジスタ１２４、及び発光素子１２８が配置されている。選択トランジスタ１２２及び駆動トランジスタは１２４、発光素子１２８の下方に設けられている。
発光素子１２８は、画素電極１５２及び共通電極１５６によって発光層１５４が挟持された構成を有している。発光素子１２８が有する電極の内、下部の電極は画素電極１５２であり、上部の電極は共通電極１５６である。本実施形態においては、画素電極１５２は３層の導電層が積層された構造を有している。尚、画素電極１５２は、駆動トランジスタ１２４のソース電極と、図示しないコンタクト開口部を介して電気的に接続されている。
発光層１５４が、例えば有機ＥＬ層から成る場合、低分子系又は高分子系の有機材料を用いて形成される。低分子系の有機材料を用いる場合、発光層１５４は発光性の有機材料を含む発光層１５４に加え、当該発光層１５４を挟むように正孔注入層や電子注入層、更に正孔輸送層や電子輸送層等を含んで構成される。本実施形態においては、発光層１５４は、白色発光を呈するものを用い、カラーフィルタ（図示せず）によってフルカラー発光を実現している。尚、発光層１２８は、複数の発光層（例えば有機ＥＬ層）を重ねた所謂タンデム型の構造を用いても良い。
共通電極１５６は、発光層１５４で発光した光を透過させるため、透光性を有し、且つ導電性を有するＩＴＯ（酸化スズ添加酸化インジウム）やＩＺＯ（酸化インジウム・酸化亜鉛）等の透明導電膜で形成されていることが好ましい。又は、共通電極１５６として、出射光が透過できる程度の膜厚を有する金属層を用いても良い。
画素電極１５２は、発光層１５４で発生した光を共通電極１５６側に反射させるため、反射率の高い金属層を含むことが好ましく、本実施形態においては、２層の透明導電層に金属層が挟持された層構造を有している。金属層としては、例えば銀（Ａｇ）を用いることができる。２層の透明導電層としては、それぞれ透光性を有し、且つ導電性を有するＩＴＯ（酸化スズ添加酸化インジウム）やＩＺＯ（酸化インジウム・酸化亜鉛）等の透明導電膜で形成されていることが好ましく、それらの任意の組み合わせを用いてもよい。
本実施形態に係る表示装置１００においては、透光領域１４８の全面に保持容量１２６が配置されている。本実施形態における保持容量１２６は、上部及び下部の電極（それぞれ、上部電極１２６ｂ及び下部電極１２６ａと呼ぶ。）に、発光層１５４及び絶縁層１５８が挟持される構成を有している。
保持容量１２６の上部電極１２６ｂとしては、表示領域１０６に配置された複数の画素に共通して設けられた共通電極１５６がその機能を兼ねている。このような構成を有するために、保持容量１２６の上部電極１２６ｂは共通電極１５６と同様に基準電源回路に接続され、定電位が与えられる。定電位としては、例えば設置電位が設定される。
保持容量１２６の下部電極１２６ａとしては、前述の画素電極１５２を構成する２層の透明導電層のいずれかを利用することができる。
絶縁層１５８としては、透光性を有する膜が用いられ、例えば窒化ケイ素膜が好ましい。又、本実施形態において絶縁層１５８は、透光領域１４８を覆い、バンク１５０の上に亘って設けられている。換言すると、透光領域１４８を覆う絶縁層１５８の端部は、バンク１５０の上に配置されている。つまり、製造工程においては、バンク１５０を形成した後に絶縁層１５８の材料を成膜し、パターニングを行う。このような層構造を採用することによって、絶縁層１５８のパターニングの際に要求されるアライメント精度が緩くなるために、表示装置２００の製造が容易になる。
以上述べたように、透光性を有する保持容量１２６の電極としては、いずれも自発発光型の発光素子に特有に用いられる電極を利用することができる。つまり、製造工程において、発光素子１２８の電極と保持容量１２６の電極を同時に形成することができることから、製造工程に大幅な変更及び追加が無く、容易且つ低コストで本実施形態における表示装置１００を提供することができる。
＜第２実施形態＞
図５を参照し、本実施形態に係る表示装置２００の構成について更に詳細に説明する。図５は、本実施形態に係る表示装置２００が有する画素の構成を示す断面図である。画素回路１２０については、図４に示した第１実施形態に係る表示装置１００の画素回路１２０と同様である。
本実施形態に係る表示装置２００は、第１実施形態に係る表示装置１００と比較すると、透光領域１４８に配置された保持容量１２６が有する絶縁層１５８及びバンク１５０の層構造のみが異なっている。
本実施形態においてはバンク１５０の下に絶縁層１５８が亘って設けられている。換言すると、透光領域１４８を覆う絶縁層１５８の端部を覆うようにバンク１５０が形成されている。つまり、製造工程においては、バンクを形成する前に絶縁層１５８の材料を成膜し、パターニングを行う。このような層構造を採用することによって、絶縁層１５８のパターニングの際に保持容量１２６の下部電極１２６ａと共に一括でパターニングすることができる。従って、透光領域１４８を設けたことによるマスクの増加が無いため、容易且つ低コストで表示装置１００を提供することができる。
＜第３実施形態＞
図６を参照し、本実施形態に係る表示装置３００の構成について詳細に説明する。図６は、本実施形態に係る表示装置３００が有する画素の構成を示す断面図である。画素回路１２０については、図４に示した第１実施形態に係る表示装置１００の画素回路１２０と同様である。
本実施形態に係る表示装置３００は、第１実施形態に係る表示装置１００又は第２実施形態に係る表示装置２００と比較すると、透光領域１４８に配置された保持容量１２６が有する絶縁層１５８の層構造のみが異なっている。
本実施形態においては発光層１５４の上に、透光領域１４８を覆う絶縁層１５８が設けられている。絶縁層１５８の端部はバンク１５０の上に配置されている。つまり、製造工程においては、表示領域１０６に配置された複数の画素を覆う発光層１５４を形成した後に、絶縁層１５８の材料を成膜し、パターニングを行う。このような層構造を採用することによって、絶縁層１５８のパターニングの際に要求されるアライメント精度が緩くなるために、保持容量１２６の形成が容易になる。
なお、実施例１において、絶縁層１５８の材料を成膜する工程を発光層１５４の形成前としている。こうすることで発光層１５４の下に絶縁層１５８を設ける構造となる。この場合、前工程のバンク１５０形成後に絶縁層１５８を形成するので、高精度のマスク合せが容易に行うことができる。また発光層１５４に対するダメージも低減できる。
＜第４実施形態＞
図７を参照し、本実施形態に係る表示装置４００の構成について更に詳細に説明する。図７は、本実施形態に係る表示装置４００が有する画素の構成を示す断面図である。画素回路１２０については、図４に示した第１実施形態に係る表示装置１００の画素回路１２０と同様である。
本実施形態に係る表示装置４００は、第１実施形態に係る表示装置１００乃至第３実施形態に係る表示装置３００と比較すると、透光領域１４８に配置された保持容量１２６が有する絶縁層１５４ａの層構造のみが異なっている。
本実施形態においては、複数の画素を覆う発光層１５４において発光領域１４６以外の領域を変質させ、絶縁層化することによって透光領域１４８に保持容量１２６を形成している。発光層１５４の絶縁層化は、例えば、発光層１５４に適度なエネルギーを照射することによって達成することができる。エネルギーとしては例えば紫外線を用いることができる。
具体的な製造方法としては、発光素子１２８の画素電極１５２を構成する金属膜が遮光層として機能することを利用し、発光層１５４の形成後に基板１０２のトランジスタが配置されない面側からエネルギー照射を行う。これによって、発光素子１２８以外の領域にエネルギーが照射され、その領域のみを自己整合的に絶縁層化することができる。つまり、保持容量１２６を形成するための絶縁層１５８を成膜し、パターニングする工程を必要とせず、必要となるマスクの数を増やさずに保持容量１２６を形成することができる。よって、製造工程に大幅な変更及び追加が無く、容易且つ低コストで本実施形態における表示装置４００を提供することができる。
＜第５実施形態＞
図８を参照し、本実施形態に係る表示装置５００の構成について更に詳細に説明する。図８は、本実施形態に係る表示装置５００が有する画素の構成を示す断面図である。画素回路１２０については、図４に示した第１実施形態に係る表示装置１００の画素回路１２０と同様である。
本実施形態に係る表示装置５００は、第１実施形態に係る表示装置１００乃至第４実施形態に係る表示装置４００と比較すると、保持容量１２６の下部電極１２６ａが配置される層が異なっている。つまり、保持容量１２６の下部電極１２６ａは、発光素子１２８の画素電極１５２とは異なる層に配置されている。
このような層構造を有するために、製造工程において、画素電極１５２を形成する工程とは別に保持容量１２６の下部電極１２６ａを形成することになる。しかし一方で、このような層構造を有するために、画素電極１５２の形成において、それらの内の透明導電層の少なくとも一層を保持容量１２６の電極として透光領域１４８に残す必要が無いため、この例においては３層から成る画素電極１５２のパターニングを一括で行うことができる。よって、製造工程に大幅な変更及び追加が無く、容易且つ低コストで本実施形態における表示装置５００を提供することができる。
尚、本実施形態における発光層１５４は、表示領域１０６に配置された複数の画素を覆う態様を示したが、これに限られず、発光領域１４６のみに発光層１５４を残しても構わない。これによれば、表示装置５００の透過率を向上させることができる。
＜第６実施形態＞
図９及び図１０を参照し、本実施形態に係る表示装置６００の構成について更に詳細に説明する。図９は、本実施形態に係る表示装置６００が有する画素の構成を示す断面図である。図１０は、本実施形態に係る表示装置が有する画素の画素回路１２０を示す回路図である。
本実施形態に係る表示装置６００は、保持容量１２６が発光素子１２８よりも下層に形成されている点において、第１実施形態乃至第５実施形態に係る表示装置に相違している。又、保持容量１２６の電極の内、上部電極１２６ｂは表示領域１０６に配置された複数の画素を覆い、下部電極１２６ａは画素毎に設けられ、一画素を覆っている。つまり、本実施形態においては、保持容量１２６は透光領域１４８のみならず、一画素を覆う構成を有している。換言すると、透光領域１４８には、保持容量１２６の一部が形成されている。上部電極１２６ｂは、共通電極１５６と接触し、電気的に導通している。
このような構成を有することによって、保持容量１２６の占める面積を最大化することができ、高画質な表示装置６００を提供することができる。
更に、保持容量１２６の上部電極１２６ｂは、発光素子１２８の陰極として機能する共通電極１５６の補助配線となるため、陰極に供給される基準電圧の電圧降下を抑制することができ、高画質な表示装置６００を提供することができる。
＜第７実施形態＞
図１１を参照し、本実施形態に係る表示装置７００の構成について詳細に説明する。図１１は、本実施形態に係る表示装置７００が有する画素の構成を示す断面図である。画素回路１２０については、図１０に示した第６実施形態に係る表示装置６００の画素回路１２０と同様である。
本実施形態に係る表示装置７００は、第６実施形態に係る表示装置６００と比較すると、透光領域１４８において、層間絶縁膜１６０、平坦化膜１６２が除去されている点で相違している。
このような構成を有することによって、第６実施形態に係る表示装置に比べて透過率を向上させることができる。
また、絶縁層１６０は、選択トランジスタ１２２、駆動トランジスタ１２４が形成される層と同層に配置されるが、無機絶縁膜にて形成される。この無機絶縁膜は固い一方でもろく、表示装置７００が無機ディオスプレイである場合は、曲げの際に破壊される恐れがある。本実施形態のように透過領域１４８にて絶縁層１６０を除去することで、平面視で画素ごとに絶縁層１６０がアイランド状に分離して分布する形となり、曲げの際の破壊を防ぐことができる。
＜第８実施形態＞
図１２及び図１３を参照し、本実施形態に係る表示装置８００の構成について詳細に説明する。図１２は、本実施形態に係る表示装置８００が有する画素の構成を示す断面図である。図１３は、本実施形態に係る表示装置が有する画素の画素回路１２０を示す回路図である。
本実施形態においては、発光素子１２８の下方に保持容量１２６が形成されている。換言すると、保持容量１２６を形成した後に、発光素子１２８が形成される。保持容量１２６の上部電極１２６ｂは、透光領域１４８を覆い、且つ表示領域１０６に配置される複数の画素を覆っている。下部電極１２６ａは、透光領域１４８を完全に覆わず、透光領域１４８の一部を覆っている。又、下部電極１２６ａは、発光領域１４６に延在している。つまり、透光領域１４８には、保持容量１２６の一部が形成されている。
又、図示のように、下部電極は電気的に独立した複数の領域に分割されてもよい。このようにして複数の容量を形成することができるため、複雑な画素回路にも適用することができる。
このような構成を有することによって、最大で一画素の領域に亘って保持容量１２６を形成することができるため、十分な保持容量１２６を確保することができ、高画質な表示装置８００を提供することができる。
又、下部電極１２６ａが透光領域１４８の一部のみを覆う構成とすることによって、表示装置８００の透過率を向上させることができる。
＜第９実施形態＞
図１４を参照し、本実施形態に係る表示装置９００の構成について詳細に説明する。図１４は、本実施形態に係る表示装置９００が有する画素の構成を示す断面図である。図１５は、本実施形態に係る表示装置が有する画素の画素回路１２０を示す回路図である。
本実施形態に係る表示装置９００と第８実施形態に係る表示装置８００とを比較すると、保持容量１２６の上部電極１２６ｂが電源電位を供給する電源電位線１４４に接続される点で相違している。つまり、保持容量１２６の上部電極１２６ｂは、表示領域１０６に配置される複数の画素を覆い、電源電位線１４４を兼ねる。このため、発光素子１２８の陽極として機能する画素電極１５２への電流供給時において、低抵抗な電源電位線１４４のため、表示領域１０６内の均一性が高く、高画質な表示装置９００を提供することができる。
尚、発光素子１２８の陽極として機能する画素電極１５２は、駆動トランジスタ１２４のソース電極に接続される。そのため、保持容量１２６の上部電極１２６ｂには図示しないコンタクトホールが設けられ、当該コンタクトホールを介して画素電極１５２と駆動トランジスタ１２４のソース電極が接続されている。本実施の形態においては、駆動トランジスタ１２４はＰ型トランジスタとなっている。このことで、駆動トランジスタ１２４のゲート、ソース間に保持容量１２６の蓄積電荷に伴う電圧を印加できるために、発光素子１２８に流れる電流量の制御が容易になる。
［画素の配置例１］
本実施形態に係る表示装置９００の画素の幾つかの配置例について説明する。図１６は、本実施形態に係る表示装置９００の画素の配置例を説明する平面図である。この例では、複数の画素の各々は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）の各色を発光する３個の副画素によって構成され、複数の画素が行列状に配置されている。本明細書においては、一つの副画素に関しても画素と呼ぶことにする。
行列状に配置された画素間には、行方向に走査信号線１４０が配置され、列方向に映像信号線１４２が配置されている。更に、複数の画素を覆うように電源電位線１４４の機能を兼ねる保持容量１２６の上部電極１２６ｂが配置されている。電源電位線１４４は複数の画素の各々が有する駆動トランジスタ１２４（図示せず）のドレイン電極に接続されている。
第１実施形態乃至第８実施形態に係る表示装置においては、図２に示すように、行列状に配置された複数の画素に対して列方向に電源電位線１４４を配置していた。本実施形態に係る表示装置９００においては、複数の画素を覆う透明導電層を電源電位線１４４として用いるため、開口率を低下させず、低抵抗化させることができる。
複数の画素の各々は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）のいずれかを発光する発光領域１４６と、透光性を有する透光領域１４８が配置されている。
［画素の配置例２］
図１７は、本実施形態に係る表示装置９００の画素の他の配置例を説明する平面図である。この例では、複数の画素の各々は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）及び白（Ｗ）の各色を発光する４個の画素によって構成されている。複数の画素の各々において、透光領域の面積が画素の面積の約７５％となる例を示している。
［画素の配置例３］
図１８は、本実施形態に係る表示装置９００の画素の他の配置例を説明する平面図である。この例では、複数の画素の各々は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）及び白（Ｗ）の各色を発光する４個の画素によって構成されている。複数の画素の各々において、透光領域の面積が画素の面積の約７５％となる例を示している。
また、隣接する行において、走査信号線１４０を共有する構成を有している。これによって、走査信号線１４０の本数を半減させることによって開口率を向上させることができる。
［画素の配置例４］
図１９は、本実施形態に係る表示装置９００の画素の他の配置例を説明する平面図である。この例では、複数の画素の各々は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）及び白（Ｗ）の各色を発光する４個の画素によって構成されている。複数の画素の各々において、透光領域の面積が画素の面積の約７５％となる例を示している。
また、隣接する行及び列において、それぞれ走査信号線１４０及び映像信号線１４２を共有する構成を有している。これによって、走査信号線１４０及び映像信号線１４２の本数を半減させることによって開口率を更に向上させることができる。
以上、本発明の好ましい態様を第１実施形態乃至第９実施形態によって説明した。しかし、これらは単なる例示に過ぎず、本発明の技術的範囲はそれらには限定されない。当業者であれば、本発明の要旨を逸脱することなく、種々の変更が可能であろう。よって、それらの変更も当然に、本発明の技術的範囲に属すると解されるべきである。
１００、２００、２５０、３００、４００、５００、６００、７００、８００、９００・・・表示装置、１０２、１０４・・・基板、１０６・・・表示領域、１０８・・・画素、１１０・・・シール材、１１４・・・端子領域、１１６・・・接続端子、１２０・・・画素回路、１２２・・・選択トランジスタ、１２４・・・駆動トランジスタ、１２６・・・保持容量、１２８・・・発光素子、１３０・・・走査線駆動回路、１３２・・・映像線駆動回路、１３４・・・駆動電源回路、１３６・・・基準電源回路、１３８・・・制御装置、１４０・・・走査信号線、１４２・・・映像信号線、１４４・・・電源電位線、１４５・・・基準電源線、１４６・・・発光領域、１４８・・・透光領域、１５０・・・バンク、１５２・・・画素電極、１５４・・・発光層、１５４ａ・・・絶縁層化された発光層、１５６・・・共通電極、１５８、１６０、１６２・・・絶縁層

Claims (14)

  1. 発光素子が配置された発光領域と、透光性を有する保持容量の少なくとも一部が配置され、前記保持容量の少なくとも一方の電極に覆われた透光領域とが各々に設けられ、行列状に配列された複数の画素を有し、
    前記発光素子は、
    前記複数の画素を覆う第１電極と、
    前記第１電極の下に設けられた発光層と、
    前記複数の画素毎に、前記発光層の下に設けられた第２電極と、を含み、
    前記保持容量は、
    前記第１電極を含む
    表示装置。
  2. 前記発光層は、
    前記透光領域において、絶縁性を有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  3. 前記第２電極は、
    透明導電層を含み、
    前記保持容量は、
    前記透明導電層と同時に形成された第３電極を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  4. 前記複数の画素を区画し、前記複数の画素の各々において前記発光領域及び前記透光領域を更に区画するバンク
    を更に有し、
    前記保持容量は、
    前記第１電極の下に設けられ、前記透光領域を覆い、且つ前記バンクの上に亘って設けられる絶縁層
    を含むことを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
  5. 前記複数の画素を区画し、前記複数の画素の各々において前記発光領域及び前記透光領域を更に区画するバンク
    を更に有し、
    前記保持容量は、
    前記第１電極の下に設けられ、前記透光領域を覆い、且つ前記バンクの下に亘って設けられる絶縁層
    を含むことを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
  6. 発光領域と透光領域が各々に設けられた複数の画素が行列状に配置された基板の第１面の上方に、前記発光領域に発光素子を形成し、前記透光領域に少なくとも一方の電極が前記透光領域を覆う保持容量の少なくとも一部を形成することを含み、
    前記発光領域に前記発光素子を形成し、前記透光領域に少なくとも一方の電極が前記透光領域を覆う前記保持容量の少なくとも一部を形成することは、
    前記第１面の上方に透明導電層を成膜し、
    前記透明導電層をパターニングすることによって、前記複数の画素の各々において、前記発光領域を覆う第１電極の一層と、前記透光領域を覆う第２電極とを形成し、
    前記発光領域を覆う金属層を形成して前記第１電極の他の一層を形成することを含む表示装置の製造方法。
  7. 前記発光領域に前記発光素子を形成し、前記透光領域に少なくとも一方の電極が前記透光領域を覆う前記保持容量の少なくとも一部を形成することは、
    前記第１電極及び前記第２電極を形成した後に、前記複数の画素を覆う発光層を形成し、
    前記基板の前記第１面と反対の第２面側からエネルギーを照射することによって、前記金属層が配置される領域を除く前記発光層の領域を絶縁層化すること
    を更に含む請求項６に記載の表示装置の製造方法。
  8. 前記発光領域に前記発光素子を形成し、前記透光領域に少なくとも一方の電極が前記透光領域を覆う前記保持容量の少なくとも一部を形成することは、
    前記第１電極及び前記第２電極を形成した後に、前記複数の画素を区画し、前記複数の画素の各々において前記発光領域及び前記透光領域を更に区画するバンクを形成し、
    前記バンクを形成した後に、前記複数の画素を覆う発光層を形成し、
    前記発光層を形成した後に、前記透光領域を覆う絶縁層を形成すること
    を更に含む請求項６に記載の表示装置の製造方法。
  9. 前記発光領域に前記発光素子を形成し、前記透光領域に少なくとも一方の電極が前記透光領域を覆う前記保持容量の少なくとも一部を形成することは、
    前記第１電極及び前記第２電極を形成した後に、前記複数の画素を区画し、前記複数の画素の各々において前記発光領域及び前記透光領域を更に区画するバンクを形成し、
    前記バンクを形成した後に、前記透光領域を覆い、且つ前記バンクの上に亘る絶縁層を形成すること
    を更に含む請求項６に記載の表示装置の製造方法。
  10. 前記発光領域に前記発光素子を形成し、前記透光領域に少なくとも一方の電極が前記透光領域を覆う前記保持容量の少なくとも一部を形成することは、
    前記第２電極を覆う絶縁層を形成し、
    前記絶縁層を形成した後に、前記複数の画素を区画し、前記複数の画素の各々において前記発光領域及び前記透光領域を更に区画するバンクを形成すること
    を更に含む請求項６に記載の表示装置の製造方法。
  11. 前記発光領域に前記発光素子を形成し、前記透光領域に少なくとも一方の電極が前記透光領域を覆う前記保持容量の少なくとも一部を形成することは、
    前記発光素子の共通電極及び前記保持容量の一方の電極を共有し、前記複数の画素を覆う第１電極を形成すること
    を含む請求項６に記載の表示装置の製造方法。
  12. 前記発光領域に前記発光素子を形成し、前記透光領域に少なくとも一方の電極が前記透光領域を覆う前記保持容量の少なくとも一部を形成することは、
    一方の電極が前記複数の画素を覆う第１電極を含む前記保持容量を形成し、
    前記保持容量を形成した後に、前記発光領域に前記発光素子を形成すること
    を含む請求項６に記載の表示装置の製造方法。
  13. 前記発光素子は、
    共通電極が前記透光領域において前記第１電極に接続される発光素子
    である請求項１２に記載の表示装置の製造方法。
  14. 前記第１電極は、
    電源電位を供給する電源電位線と導通する前記第１電極である請求項１２に記載の表示装置の製造方法。

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