JP6056082B2 - 表示装置および電子機器 - Google Patents

Description

本開示は、例えば有機ＥＬ（ＥＬ：Electroluminescence）表示装置などの表示装置およびそのような表示装置を備えた電子機器に関する。

近年、画像表示を行う表示装置の分野では、発光素子として、流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の光学素子、例えば有機ＥＬ（Electro Luminescence）素子を用いた表示装置（有機ＥＬ表示装置）が開発され、商品化が進められている。発光素子は、液晶素子などと異なり自発光素子であり、別に光源（バックライト）を設ける必要がない。そのため、有機ＥＬ表示装置は、光源を必要とする液晶表示装置と比べて画像の視認性が高く、消費電力が低く、かつ素子の応答速度が速いなどの特徴を有する。

このような表示装置では、電極間（アノードおよびカソード間）に発光層（有機電界発光層）を挟んだ構造を有するが、製造プロセス過程において、有機層内に異物が混入すると、これに起因して電極間にショートパスが生じ、表示品位が劣化する。そこで、このショートパスを切断する修復手法が提案されている（例えば、特許文献１）。

特開２００５−３４０１４９号公報

特許文献１の手法では、電極間に逆バイアス電圧を印加し、ショートパスの生じている箇所を破壊または絶縁化する。しかしながら、電極の材料や厚みによっては、修復が困難な場合がある。このため、異物などの混入に起因して生じる電気的影響を緩和し、画質を向上させることが可能な素子構造の実現が望まれている。

本開示はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、表示画質を向上させることが可能な表示装置および電子機器を提供することにある。

本開示の第１の表示装置は、第１電極と、第１電極上に形成され、発光層を含む有機層と、有機層の上に形成された第２電極とを備えたものである。第２電極は、有機層の側から順に、透明導電膜から構成されると共に、ショート箇所に他の部分よりも高抵抗な局所部分を含む第１の導電膜と、第１の導電膜上に積層され、第１の導電膜と同一の透明導電膜から構成されると共に、第１の導電膜よりも大きな厚みを有する第２の導電膜とを有する。

本開示の電子機器は、上記本開示の第１の表示装置を有するものである。

本開示の第１の表示装置および電子機器では、第２電極が、有機層の上に順に積層された第１および第２の導電膜を含む。これにより、製造プロセスにおいて、異物等に起因して第１電極および第２電極間にショートパスが生じた場合にも、これが電気的に切断され易く、かつ第２電極を低抵抗化し易くなる。

本開示の第２の表示装置は、第１電極と、第１電極上に形成され、発光層を含む有機層と、有機層の上に形成された第２電極とを備えたものである。第２電極は、有機層の側から順に、透明導電膜から構成されると共に、ショート箇所に他の部分よりも高抵抗な局所部分を含む第１の導電膜と、第１の導電膜上に積層され、光反射性を有する金属膜を含むと共に、第１の導電膜よりも大きな厚みを有する第２の導電膜とを有する。

本開示の第２の表示装置では、第２電極が、他の部分よりも高抵抗の局所部分を含む。これにより、製造プロセスにおいて、異物に起因する第１電極および第２電極間のショートパスが電気的に切断され易く、かつ第２電極を低抵抗化し易くなる。

本開示の第１の表示装置および電子機器では、第２電極が、有機層の上に順に積層された第１および第２の導電膜を含むようにしたので、異物による電気的影響を低減できると共に、第２電極を低抵抗化し易くなる。よって、表示画質を向上させることが可能となる。

本開示の第２の表示装置では、第２電極が、他の部分よりも高抵抗の局所部分を含むようにしたので、異物による電気的影響を低減できると共に、第２電極を低抵抗化し易くなる。よって、表示画質を向上させることが可能となる。

尚、上記内容は本開示の一例である。本開示の効果は、上述したものに限らず、他の異なる効果であってもよいし、更に他の効果を含んでいてもよい。

本開示の一実施の形態に係る表示装置の構成を表す図である。 図１に示した画素駆動回路の一例を表す回路図である。 図１に示した表示装置の構成を表す断面図である。 図１に示したサブ画素の配列を表す模式図である。 図４に示した画素配列を形成するカラーフィルタ層、有機層（発光層）およびバンク開口の各レイアウトを表す模式図である。 図３に示した有機層のタンデム構成の一例を説明するための断面模式図である。 図３に示した有機層のタンデム構成の一例を説明するための断面模式図である。 図３に示した有機ＥＬ素子の構成（異物なし）を表す断面図である。 図３に示した有機ＥＬ素子の構成（異物混入領域付近）を表す断面図である。 図３に示した第２電極の一例を表す拡大断面図である。 図３に示した第２電極の一例を表す拡大断面図である。 図３に示した表示装置の製造工程の流れを表すフロー図である。 図９に示した表示装置の製造工程のうちの第２電極の形成工程を説明するための断面図である。 図１０Ａに続く工程を表す断面図である。 図１０Ｂに続く工程を表す断面図である。 図９に示した製造工程において用いられる修復装置を含むシステム構成例を表す機能ブロック図である。 図１１に示した修復装置の構成を、画素駆動回路と共に表した機能ブロック図である。 表示動作時の画素駆動回路等の状態を表す回路図である。 正常発光時の画素駆動回路等の状態を表す回路図である。 正常に発光しない時（異物混入時）の画素駆動回路等の状態を表す回路図である。 修復動作時の画素駆動回路等の状態を表す回路図である。 修復動作時のバイアス電圧の駆動条件の一例を表す図である。 修復動作時のパネルへの通電方法の一例を表す模式図である。 修復動作時のパネルへの通電方法の一例を表す模式図である。 修復動作時のパネルへの通電方法の一例を表す模式図である。 修復動作時のパネルへの通電方法の一例を表す模式図である。 修復動作時のパネルへの通電方法の一例を表す模式図である。 変形例１−１に係るサブ画素の配列を表す模式図である。 図１６に示した画素配列を形成するカラーフィルタ層、有機層（発光層）およびバンク開口の各レイアウトを表す模式図である。 図１７に示した有機層のタンデム構成の一例を説明するための断面模式図である。 変形例１−２に係る画素配列を形成するカラーフィルタ層、有機層（発光層）およびバンク開口の各レイアウトを表す模式図である。 図１９に示した有機層の塗り分け構成の一例を説明するための断面模式図である。 変形例１−３に係る画素配列を形成するカラーフィルタ層、有機層（発光層）およびバンク開口の各レイアウトを表す模式図である。 図２１に示した有機層の塗り分け構成の一例を説明するための断面模式図である。 変形例１−４に係る画素配列を形成するカラーフィルタ層、有機層（発光層）およびバンク開口の各レイアウトを表す模式図である。 図２３に示した有機層の塗り分け構成の一例を説明するための断面模式図である。 変形例２に係るアノードリフレクタを有する素子構造を表す断面図である。 図２５に示した開口部の配置の一例を表す平面図である。 図２５に示した開口部の一構成例を表す断面図である。 図２５に示した開口部における光線を示す説明図である。 図２５に示した開口部の配置の他の例を表す平面図である。 図２５に示した開口部の他の例を表す平面図である。 図２５に示した開口部の他の例を表す平面図である。 図２５に示した開口部の他の例を表す平面図である。 図２５に示した開口部の他の例を表す平面図である。 図２５に示した開口部の他の例を表す平面図である。 図２５に示した開口部の配置の他の例を表す平面図である。 図２５に示した開口部の配置の他の例を表す平面図である。 図２５に示した開口部の配置の他の例を表す平面図である。 図２５に示した開口部の配置の他の例を表す平面図である。 図２５に示した開口部の配置の他の例を表す平面図である。 図２５に示した開口部の配置の他の例を表す平面図である。 図２５に示した開口部の配置の他の例を表す平面図である。 図２５に示した開口部の配置の他の例を表す平面図である。 図２５に示した開口部の配置の他の例を表す平面図である。 図２５に示した開口部の配置の他の例を表す平面図である。 図２５に示した開口部の配置の他の例を表す平面図である。 図２５に示した開口部の配置の他の例を表す平面図である。 図２５に示した開口部の配置の他の例を表す平面図である。 図２５に示した開口部の配置の他の例を表す平面図である。 図２５に示した開口部の配置の他の例を表す平面図である。 図２５に示した開口部の配置の他の例を表す平面図である。 図２５に示した開口部の配置の他の例を表す平面図である。 図２５に示した開口部の配置の他の例を表す平面図である。 図１等に示した表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。 テレビジョン装置の構成を表す斜視図である。 デジタルスチルカメラの構成を表す斜視図である。 デジタルスチルカメラの構成を表す斜視図である。 パーソナルコンピュータの外観を表す斜視図である。 ビデオカメラの外観を表す斜視図である。 携帯電話機の構成を表す平面図である。 携帯電話機の構成を表す平面図である。 スマートフォンの構成を表す斜視図である。 スマートフォンの構成を表す斜視図である。 比較例に係る有機ＥＬ素子の製造工程を説明するための模式図である。 比較例に係る有機ＥＬ素子の製造工程を説明するための模式図である。

以下、本開示の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．実施の形態（第２電極を２層構造とし、有機層側の局所的な領域に絶縁（高抵抗）部分を有する表示装置の例）
・構成
・製造方法（修復工程を含む）
２．変形例１−１〜１−４（サブ画素レイアウトの他の例）
３．変形例２（アノードリフレクタの例）
４．適用例（電子機器の例）

＜実施の形態＞
［構成］
図１は、本開示の一実施の形態に係る表示装置（表示装置１）の構成を表すものである。この表示装置１は、例えば有機ＥＬ表示装置であり、基板１１上の表示領域１１０には、複数の画素（サブピクセル）ＰＸＬＣが、例えばマトリクス状に配置されている。各画素ＰＸＬＣは、有機ＥＬ素子１０Ａを含み、例えば赤色の光ＬＲ（波長６２０ｎｍ〜７５０ｎｍ），緑色の光ＬＧ（波長４９５ｎｍ〜５７０ｎｍ），青色の光ＬＢ（波長４５０ｎｍ〜４９５ｎｍ）または白色の光ＬＷを発生する。ここでは、これら４種の画素ＰＸＬＣ（Ｒ画素，Ｇ画素，Ｂ画素，Ｗ画素）の組により１つのピクセルが構成される場合を例に挙げて説明する。表示領域１１０の周辺には、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が設けられている。

表示領域１１０内には、例えばアクティブ型の駆動回路（画素駆動回路１４０）が設けられている。画素駆動回路１４０は、図２に示したように駆動用のトランジスタＴｒ１および書き込み用のトランジスタＴｒ２を有し、トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２の間にはキャパシタＣｓが設けられている。第１の電源ライン（Ｖｃｃ）と第２の電源ライン（ＧＮＤ）との間において、有機ＥＬ素子１０ＡがトランジスタＴｒ１に直列に接続されている。信号線駆動回路１２０は、列方向に配置された複数の信号線１２０Ａを通じてトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号を供給する。走査線駆動回路１３０は、行方向に配置された複数の走査線１３０Ａを通じてトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号を順次供給する。

図３は、図１に示した表示装置の断面構成を表すものである。尚、図３では、上記４色の画素ＰＸＬＣに対応する領域について示している。表示装置１は、例えば有機ＥＬ素子１０Ａで発生した光が封止基板２０の上方へ取り出される、いわゆるトップエミッション方式（上面発光方式）の有機ＥＬ表示装置である。また、有機ＥＬ素子１０Ａが白色の光を発する素子構造を有しており、各有機ＥＬ素子１０Ａから発せられた白色の光が、カラーフィルタ層１９（１９Ｒ，１９Ｇ，１９Ｂ，１９Ｗ）を通過することにより、上記光ＬＲ，ＬＧ，ＬＢ，ＬＷを出射するようになっている。

有機ＥＬ素子１０Ａは、駆動基板１０および封止基板２０間に設けられている。駆動基板１０では、基板１１上に、各有機ＥＬ素子１０Ａを駆動するための画素駆動回路１４０（図３には、上記トランジスタＴｒ１に相当するＴＦＴ１２のみを示す）が形成されており、表面が平坦化層１３によって覆われている。この平坦化層１３上に、例えば陽極としての第１電極１４が設けられている。第１電極１４は、駆動基板１０に設けられたＴＦＴ１２と電気的に接続されている。

この有機ＥＬ素子１０Ａでは、駆動基板１０側から順に、第１電極１４と、バンク（画素間絶縁膜）１５と、発光層を含む有機層１６と、例えば陰極としての第２電極１７とが積層されている。これらの有機ＥＬ素子１０Ａ上には、保護層１８を間にして封止基板２０が貼り合わされている。封止基板２０には、カラーフィルタ１９Ｒ，１９Ｇ，１９Ｂ，１９Ｗおよびブラックマトリクス層ＢＭからなるカラーフィルタ層１９が形成されている。カラーフィルタ層１９では、ブラックマトリクス層ＢＭが格子状に形成され、カラーフィルタ１９Ｒ，１９Ｇ，１９Ｂ，１９Ｗは、そのブラックマトリクス層ＢＭの格子状の開口に形成されている。

図４は、有機ＥＬ素子１０Ａを含む画素ＰＸＬＣの配列の一例を表したものである。このように、例えば、Ｒ，Ｇ，Ｂ，Ｗの４つの画素ＰＸＬＣが２行２列（田の字状）に配列しており、これら４つの画素ＰＸＬＣが表示単位Ｕ（１ピクセル）を構成している。

図５は、上記４つの画素ＰＸＬＣを形成するためのカラーフィルタ層１９、有機層１６（具体的には有機電界発光層）および開口部ＷＩＮ（バンク１５の開口）の各レイアウトの一例を表したものである。このように、本実施の形態では、カラーフィルタ層１９の色の配列（Ｒ，Ｇ，Ｂ，Ｗ）が、画素ＰＸＬＣの配列に対応しており、有機層１６は、４つの画素ＰＸＬＣに対して共通の白色発光層（Ｗ）を有している。また、バンク１５の開口部ＷＩＮは、画素ＰＸＬＣと１対１対応で設けられている。

以下、表示装置１の各部の構成について説明する。

基板１１は、例えばガラス，シリコン（Ｓｉ）、樹脂あるいは導電性基板などにより構成されている。導電性基板としては、例えば表面を酸化シリコン（ＳｉＯ₂）や樹脂等により絶縁化したものが用いられる。

ＴＦＴ１２は、例えばボトムゲート型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）であり、例えばＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）により構成されている。このＴＦＴ１２では、基板１１上に、例えば絶縁膜を介してパターン形成されたゲート電極１２１と、ゲート絶縁膜１２２と、チャネルを形成する半導体薄膜（例えばポリシリコン）１２３と、層間絶縁膜１２４とがこの順に積層されている。半導体薄膜１２３の両端側に、ソース電極１２５ａおよびドレイン電極１２５ｂが形成されており、ドレイン電極１２５ｂには、第１電極１４が電気的に接続されている。尚、トランジスタＴｒ１は、このようなボトムゲート型に限らず、トップゲート型のものであってもよい。また、半導体薄膜１２３は、結晶性シリコンおよびアモルファスシリコンなどから構成されていてもよいし、酸化物半導体から構成されていてもよい。

平坦化層１３は、駆動基板１０の表面を平坦化し、有機発光素子１０Ａの各層の膜厚を均一に形成するためのものである。この平坦化層１３には、第１電極１４とＴＦＴ１２のドレイン電極１２５ｂとを電気的に接続するためのコンタクトホールが設けられており、これらが不必要に接触することを防ぐ役割をも果たしている。平坦化層１３の構成材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂およびノボラック樹脂などの有機材料、あるいは酸化シリコン（ＳｉＯ₂），窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの無機材料が挙げられる。

第１電極１４は、画素毎に電気的に分離して設けられると共に、例えば光反射性を有しており、できるだけ高い反射率を有することが発光効率を高める上では望ましい。また、第１電極１４は陽極として用いられることから、正孔注入性の高い材料により構成されていることが望ましい。第１電極１４の構成材料としては、クロム（Ｃｒ），金（Ａｕ），白金（Ｐｔ），ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ），モリブデン（Ｍｏ），タングステン（Ｗ），チタン（Ｔｉ），タンタル（Ｔａ）あるいは銀（Ａｇ）などの金属元素の単体または合金が挙げられる。第１電極１４の表面には、インジウムとスズの酸化物（ＩＴＯ）などの透明導電膜が設けられていてもよい。第１電極１４の厚みは、配線抵抗と反射率（表面ラフネス）のバランスにより適宜設定される。

上記材料以外にも、アルミニウム（Ａｌ）の単体または合金が用いられてもよい。アルミニウムは、反射率は高いものの、仕事関数が大きくないために正孔注入障壁が生じるが、適切な正孔注入層を設けることによって第１電極１４として使用することができる。また、第１電極１４は、上述した金属の単体または合金の単層膜であってもよいし、積層膜であってもよい。

バンク１５は、第１電極１４を画素毎に電気的に分離すると共に、第１電極１４と第２電極１７との間の絶縁性を確保するためのものである。バンク１５は、各第１電極１４に対向する選択的な領域に開口部ＷＩＮを有しており、有機発光素子１０Ａの各発光領域を形成するものである。このバンク１５は、例えば酸化シリコン、ポリイミドあるいは感光性樹脂などの絶縁材料により構成されている。

有機層１６は、発光層（有機電界発光層）を含むものである。ここでは、有機層１６が、各有機ＥＬ素子１０Ａに共通の白色発光層となっている。但し、有機層１６は、発光層の他にも例えば正孔輸送層（ＨＴＬ：Hole Transport Layer）、正孔注入層（ＨＩＬ：Hole Injection Layer）および電子輸送層（ＥＴＬ：Electron Transport Layer）などを含んでいてもよい。また、有機層１６と第２電極１７との間には、例えばＬｉＦなどの電子注入層（ＥＩＬ：Electron Injection Layer）が設けられていてもよい。

詳細には、図６Ａに示したように、有機層１６（発光層）は、例えば第１電極１４の側から順に黄色発光層１６Ｙおよび青色発光層１６Ｂを積層したものである。黄色発光層１６Ｙは、正孔・電子対の再結合により黄色（Ｙ）の光を発する材料を含んで構成されている。青色発光層１６Ｂは、正孔・電子対の再結合により青色（Ｂ）の光を発する材料を含んで構成されている。これらの黄色発光層１６Ｙおよび青色発光層１６Ｂからの各色光の混色によって、有機層１６からは、全体としての白色の光が出射する。

尚、有機層１６における黄色発光層１６Ｙおよび青色発光層１６Ｂの積層順序は上記と逆であってもよい。具体的には、青色発光層１６Ｂが第１電極１４側に配置され、黄色発光層１６Ｙが第２電極１７側に配置されていてもよい。また、黄色発光層１６Ｙは、上記のように黄色（Ｙ）の光を発光する材料から構成されている場合に限らず、他の材料から構成されていてもよい。例えば図６Ｂに示した黄色発光層１６ＲＧのように、赤色（Ｒ）の光を発光する材料に緑色（Ｇ）の光を発光する材料がドープされたものから構成されていてもよい。また、この例においても、黄色発光層１６ＲＧおよび青色発光層１６Ｂの積層順序は逆であってもよい。

第２電極１７は、光透過性を有し、ここでは各有機ＥＬ素子１０Ａに共通して、表示領域の全面にわたって形成されている。第２電極１７は、例えばインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などからなる透明導電膜あるいは半透明な導電膜を含んで構成されている。但し、透明導電膜の構成材料としては、この他にも、例えばインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、アルミナドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ガリウム酸化物ドープ酸化亜鉛（ＧＺＯ）、あるいはインジウムチタン酸化物（ＩＴｉＯ）などであってもよい。この第２電極１７は、例えばスパッタ法により形成可能である。

図７Ａは、有機ＥＬ素子１０Ａの素子構造を拡大して表したものである。本実施の形態では、第２電極１７が、上記のような透明導電膜を含む多層構造を有している。具体的には、第２電極１７では、有機層１６の側から順に、第１導電膜１７Ａと第２導電膜１７Ｂとが積層されている。これらのうち、第１導電膜１７Ａは、後述の修復工程前に形成され、第２導電膜１７Ｂは、修復工程後に形成される。例えば、第１導電膜１７Ａおよび第２導電膜１７Ｂはいずれも上述したような透明導電膜から構成されており、ここでは、第１導電膜１７Ａおよび第２導電膜１７Ｂが、互いに同一の材料（例えばＩＺＯ）から構成されている。

但し、第２電極１７では、第１導電膜１７Ａおよび第２導電膜１７Ｂが互いに異なる材料から構成されていてもよい。例えば、第１導電膜１７Ａがマグネシウムと銀との合金（ＭｇＡｇ：マグネシウム銀）を含んで構成され、第２導電膜１７ＢがＩＺＯなどの透明導電膜を含んでいてもよい。ＭｇＡｇは、薄膜化することで半透明にすることができるため、後述のマイクロキャビティによる光共振現象を利用する場合などに用いられる。また、第１導電膜１７Ａおよび第２導電膜１７Ｂのうちの一方が、透明導電膜であり、もう一方が金属膜であってもよい。例えば、ボトムエミッション方式の素子構造を採用する場合などに、第１導電膜１７Ａを透明導電膜とし、第２導電膜１７Ｂを第１電極１４と同様の反射金属膜としてもよい。

第１導電膜１７Ａの厚みは、第２導電膜１７Ｂの厚みよりも小さくなっている。具体的には、第１導電膜１７Ａの厚みは、後述の修復工程（滅点除去工程）において、十分に高抵抗化（あるいは絶縁化）が可能な程度の厚み（例えば数ｎｍ〜数十ｎｍ）となっている。第２導電膜１７Ｂの厚みは、所望の抵抗値が得られる程度の厚み（例えば数十ｎｍ〜数百ｎｍとなっている。このように、第１導電膜１７Ａは、第２導電膜１７Ｂの例えば１０分の１程度以下の厚みの薄膜となっている。

図７Ｂは、有機ＥＬ素子１０Ａの素子構造（異物Ｘ付近）を拡大して表したものである。このように、第２電極１７は、有機層１６内に異物Ｘが混入している場合、その異物Ｘに対応する局所的な領域に、絶縁（高抵抗）部分１７ａ１（局所部分）を有している。絶縁部分１７ａ１は、後述の修復工程において形成されるものであり、第１電極１４および第２電極１７間の異物Ｘによるショートパスを電気的に切断する役割を有している。絶縁部分１７ａ１は、例えば第２電極１７の面内において、複数の異物Ｘに対応した複数箇所に点在する。この絶縁部分１７ａ１は、第１導電膜１７Ａおよび第２導電膜１７Ｂのうちの第１導電膜１７Ａに選択的に形成されている。

図８Ａおよび図８Ｂは、第２電極１７の境界付近を拡大して表したものである。図８Ａに示したように、第２電極１７では、第１導電膜１７Ａおよび第２導電膜１７Ｂの間に、酸化膜１７Ｃが形成されている。酸化膜１７Ｃは、第１導電膜１７Ａの表面が酸化されることによって生じた薄膜（被膜）であり、上記絶縁部分１７ａ１の形成と共に生じるものである。この酸化膜１７Ｃの電気抵抗ができるだけ軽減されるように、後述の修復工程における諸条件が適切に設定される。

あるいは、図８Ｂに示したように、第１導電膜１７Ａと第２導電膜１７Ｂとが隣接して積層されて（酸化膜１７Ｃが除去されて）いてもよい。酸化膜１７Ｃによる抵抗をなくし、第２電極１７の低抵抗化に有利となる。

保護層１８は、例えば窒化シリコン、酸化シリコンまたは金属酸化物などからなる。尚、この保護層１８と封止基板２０との間に、例えば熱硬化型樹脂または紫外線硬化型樹脂からなる接着層が形成されていてもよい。

封止基板２０は、カラーフィルタ１９Ｒ，１９Ｇ，１９Ｂ，１９Ｗを透過した光に対して透明な材料（例えばガラス）により構成されている。カラーフィルタ層１９は、封止基板２０の光入射側（素子側）および光出射側のどちらの面に設けられてもよいが、例えば光入射側の面に設けられている。カラーフィルタ１９Ｒ，１９Ｇ，１９Ｂ，１９Ｗはそれぞれ、有機ＥＬ素子１０Ａに対向して設けられている。カラーフィルタ１９Ｒ，１９Ｇ，１９Ｂは、赤色光，緑色光，青色光を選択的に透過するものである。カラーフィルタ１９Ｗは、例えば所望の白色度を得るためのものであり、色度あるいは輝度を調整するフィルタである。尚、カラーフィルタ１９Ｗについては、特に設けられていなくともよい。

［製造方法］
図９は、上記のような表示装置１の製造工程（有機ＥＬ素子１０Ａの製造工程）の流れを表したものである。このように、まず、駆動基板１０を形成する（ステップＳ１）。具体的には、基板１１上に、例えば低温ポリシリコンプロセスにより、上述したトラジスタＴｒ１，Ｔｒ２、キャパシタＣｓ等を含む画素駆動回路１４０を形成する。この後、平坦化層１３を基板１１の全面に成膜した後、パターニングすることによりコンタクトホール等を形成する。

この後、駆動基板１０の平坦化層１３上に、第１電極１４を形成する（ステップＳ２）。具体的には、例えば、平坦化層１３上に、上述した材料よりなる第１電極１４を、例えばスパッタ法により成膜した後、例えばフォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより、パターニングする。

続いて、バンク１５を形成する（ステップＳ３）。具体的には、上述した絶縁材料を成膜した後、パターニングすることにより、第１電極１４に対向する領域に開口部ＷＩＮを形成する。

この後、有機層１６を形成する（ステップＳ４）。具体的には、上述した材料等よりなる白色発光層を、例えば真空蒸着法により成膜する。このとき、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層などを、真空一貫プロセスにより連続成膜してもよい。

次に、第２電極１７を形成する（ステップＳ５）。具体的には、まず、図１０Ａに示したように、上述した材料等よりなる第１導電膜１７Ａを、例えばスパッタ法等により形成する（ステップＳ５１）。この後、図１０Ｂに示したように、形成した第１導電膜１７Ａと、第１電極１４との間に、所定の酸素雰囲気において、逆バイアス電圧を印加する（ステップＳ５２）。これにより、異物によるショートパスを電気的に切断し、滅点となる箇所（滅点ピクセル）の除去（修復）を行う。続いて、図１０Ｃに示したように、上述した材料等よりなる第２導電膜１７Ｂを、例えばスパッタ法等により形成する（ステップＳ５３）。尚、この第２電極１７の形成工程のうち、修復工程（ステップＳ５２）については、後述する。

続いて、第２電極１７上に、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により保護膜１８を形成する（ステップＳ６）。最後に、カラーフィルタ層１９が形成された封止基板２０を貼り合わせる（ステップＳ７）。これにより、図３に示した表示装置１を完成する。

［修復工程］
図１１は、逆バイアス印加工程において用いられる修復装置（修復装置４１）を含むシステム構成を表したものである。修復装置４１は、外部電源４０に接続されており、この外部電源４０から供給される電力に基づいて、設置部４２に設置されたパネル４３を通電可能となっている。設置部４２は、パネル４３を所定の位置に載置するためのものであり、例えばホットプレートなどを含んで構成されている。ここで、修復対象となるパネル４３は、製造工程中の半製品状態にあるものである。具体的には、パネル４３は、画素駆動回路１４０、走査線駆動回路１３０および信号線駆動回路１２０が形成された駆動基板１０上に、第１電極１４、バンク１５、有機層１６および第１導電膜１７Ａが形成された状態（信号線ドライバＩＣ等が接続される前の状態）の素子基板である。図１２に、修復装置４１の機能構成を、画素駆動回路１４０および走査線駆動回路１３０の構成と共に示す。

（１．修復装置の構成）
修復装置４１は、例えば、垂直駆動条件発生回路４４と、バイアス電圧発生回路４５と、バイアス電圧駆動回路４６と、修復素子選択制御回路４７と、修復信号電位発生回路４８とを含んで構成されている。この修復装置４１は、例えばパネル４３（表示装置１）における信号線駆動回路１２０を停止させた状態で、特定領域内の画素駆動回路１４０に修復信号を供給すると共に、有機ＥＬ素子１０Ａに逆バイアス電圧を印加することにより、滅点の修復動作を行うものである。

垂直駆動条件発生回路４４は、修復時に必要な駆動条件を満たす２種類の選択信号電位（Ｈレベル，Ｌレベル）とクロック信号を発生するものである。選択信号電位（Ｈレベル）は、画素駆動回路１４０を選択状態に制御するのに使用する信号電位（高電位）であり、例えば１７Ｖである。選択信号電位（Ｌレベル）は、画素駆動回路１４０を非選択状態に制御するのに使用する信号電位（低電位）であり、例えば−３Ｖである。これら２種類の選択信号電位は、走査線駆動回路１３０を通じて走査線１３０Ａに印加される。また、クロック信号は、走査線駆動回路１３０のスキャン動作のために発生させるものである。このクロック信号は、通常の表示動作時に用いられるものと同じものでもよい。もっとも、修復動作専用に、特定の選択線を長く選択状態に制御できるようなクロック信号を発生させるようにしてもよい。

バイアス電圧発生回路４５は、電源電圧Ｖccおよび陰極線電圧Ｖcatを発生するものである。電源電圧Ｖccは、電源供給線４６Ａを通じて、有機ＥＬ素子１０Ａの陽極側に供給される。陰極線電圧Ｖcatは、陰極電圧供給線４６Ｂを通じて、有機ＥＬ素子１０Ａの陰極側に供給される。これにより、修復動作時には、逆バイアス電圧（Ｖcc＜Ｖcat）が、表示動作には順バイアス電圧（Ｖcc＞Ｖcat）が、それぞれ有機ＥＬ素子１０Ａに供給される。

一例としては、電源電圧Ｖccとして、例えば５Ｖの電位を発生し、陰極線電圧Ｖcatとして、例えば０Ｖと１０Ｖの２種類の電位を発生する。このように、２種類の電位を用いるのは、逆バイアス電圧（修復動作時）および順バイアス電圧（表示動作時）を、交流的に印加するためである。但し、印加される電圧は、交流に限らず、直流であってもよい。例えば、逆バイアス電圧を直流的に印加する場合には、陰極線電圧Ｖcatとして例えば１０Ｖだけを発生するようにすればよい。電源供給線４６Ａに５Ｖ、陰極電圧供給線４６Ｂに１０Ｖを印加することで、有機ＥＬ素子１０Ａには５Ｖの逆バイアス電圧を印加することができる。

バイアス電圧駆動回路４６は、陰極電圧供給線４６Ｂに例えば０Ｖと１０Ｖを交流的に印加するものである。すなわち、バイアス電圧駆動回路４６は、有機ＥＬ素子１０Ａに対して、順バイアス電圧と逆バイアス電圧を交互に印加する。陰極線電圧Ｖcatを交流駆動するのは、有機ＥＬ素子１０Ａに寄生する容量成分を充電し、滅点の原因であるショート回路に電流が流れ易くするためである。

修復素子選択制御回路４７は、選択トランジスタＴｒ３のオンオフを制御するのに使用される。すなわち、選択的な画素にのみ逆バイアス電圧を印加するのに使用される。ここでの制御信号は、修復素子選択線４７Ａに対応する数だけ発生される。

この修復素子選択制御回路４７は、修復動作時には、修復対象の信号線１２０Ａの選択トランジスタＴｒ３をオンし（閉状態とし）、信号線１２０Ａと修復用信号線４８Ａを接続する。一方、表示動作の際には、修復素子選択制御回路４７は、全ての選択トランジスタＴｒ３をオフし（開状態とし）、信号線１２０Ａと修復用信号線４８Ａを非接続の状態にする。

尚、修復素子選択線４７Ａは、信号線１２０Ａに対して１対１の関係で配置されていてもよいし、あるいは、複数本の信号線１２０Ａに対して１本の修復素子選択線４７Ａが配置されていてもよい。例えば、有効表示領域を左右２つの領域に分割し、各領域に対応して２本の修復素子選択線４７Ａを配置してもよい。また例えば、１つのピクセルを構成する複数個のサブピクセルを一組として、各組に対応して修復素子選択線４７Ａを配置してもよい。これらの場合、領域単位あるいはピクセル単位での修復が可能となる。即ち、修復素子選択制御回路４７、修復素子選択線４７Ａおよび選択トランジスタＴｒ３の組み合わせを適切に設定することにより、特定の領域に対してのみ修復条件を満たす電位を印加することが可能になる。

修復信号電位発生回路４８は、修復素子選択制御回路４７および選択トランジスタＴｒ３により選択された信号線１２０Ａに印加する修復用の信号電位を発生するものである。例えば、黒レベル（非修復用）として１７Ｖを発生し、白レベル（修復用）として０Ｖを発生する。ここでの信号電位は、修復用信号線４８Ａに対応する数だけ発生される。因みに、表示動作時には、信号線１２０Ａに印加される電位は、黒レベルが例えば５Ｖ、白レベルが例えば１．５Ｖである。

尚、修復用信号線４８Ａは、信号線１２０Ａに対して１対１の関係で配置されていてもよいし、あるいは、複数本の信号線１２０Ａに対して１本の修復用信号線４８Ａが配置されていてもよい。例えば、１つのピクセルを構成する複数個のサブピクセルを一組として、各組に対応して修復用信号線４８Ａを配置してもよい。また、例えば、Ｒ，Ｇ，Ｂ，Ｗの色画素毎に修復用信号線４８Ａを配置してもよい。すなわち、色別に共通の修復用信号線４８Ａを配置してもよい。

また、修復用信号線４８Ａに印加される信号電圧は、例えば直流電圧である。直流電圧を印加する場合、ディスプレイ全体に一定の修復信号（電圧）を印加できる。あるいは、例えば走査線駆動回路１３０と同期させたパルス状の修復信号（電圧）であってもよい。この場合、特定の走査ライン（１つの選択線）のみに一定の修復信号（電圧）を印加できる。

尚、この修復装置４１は、修復箇所の検査用としても使用することができる。この場合、修復装置４１は、表示動作に必要な電位を発生する。例えば、垂直駆動条件発生回路４４は、高電位として例えば７Ｖを発生し、低電位として例えば−８Ｖを発生する。また、バイアス電圧発生回路４５は、電源電圧Ｖccとして例えば５Ｖを発生し、陰極線電圧Ｖcatとして例えば−８Ｖを固定的に発生する。

このように、修復装置４１を用いた表示動作により検査を行い、滅点箇所あるいは滅点ピクセルを特定することにより、特定の領域のみを修復対象とすることができる。これにより、異物のない箇所（滅点の生じない箇所）あるいはピクセルについては、逆バイアス電圧を印加しないようにすることができる。効率的な修復動作が可能になると共に、不要な逆バイアス電圧印加による有機層１６へのダメージを軽減することができる。

（２．修復動作）
まず、修復動作に先立ち、有機ＥＬ素子１０Ａを発光させる場合（有機ＥＬ素子１０Ａの表示動作）について説明する。図１３Ａは、表示動作時の画素駆動回路１４０の動作状態を、修復素子選択線４７Ａ、選択トランジスタＴｒ３および修復用信号線４８Ａと共に表したものである。図１３Ｂは、表示動作時において正常に発光する場合の動作状態について表したものである。尚、トランジスタＴｒ１〜Ｔｒ３は、オンオフ状態（開閉状態）がわかるように、スイッチの回路記号として図示している。表示動作時において、画素駆動回路１４０では、走査線駆動回路１３０により、走査線１３０Ａにオン電圧が印加され、トランジスタＴｒ２がオン状態に制御される。これにより、信号線駆動回路１２０から信号線１２０Ａを通じて供給される信号データが、トランジスタＴｒ１のゲートに印加される。またこの際、信号データは保持容量Ｃｓに保持される。この信号データは、トランジスタＴｒ２がオフ状態に切り替わった後も保持容量Ｃｓに保持される。この結果、トランジスタＴｒ１には、ゲート・ソース間電圧Ｖgsに応じたドレイン電流Ｉdsが継続的に流れる。このドレイン電流Ｉdsが有機ＥＬ素子１０Ａに供給されることで、有機ＥＬ素子１０Ａが継続的に発光する。

この表示動作の際には、電源電圧Ｖccは例えば５Ｖであり、陰極線電圧Ｖcatは例えば−８Ｖである（Ｖcat＜Ｖcc）。即ち、有機ＥＬ素子１０Ａには、順バイアス電圧が印加される。正常発光時には、図１３Ｂに示したように、有機ＥＬ素子１０Ａは、ダイオード接続されたトランジスタＴｒ４と、寄生容量成分Ｃ１として表すことができる。

ところで、実際には、有機ＥＬ素子１０Ａの中には、異物などの混入により、正常に発光しないものが存在する。図１３Ｃに、有機ＥＬ素子１０Ａが正常に発光しない場合の等価回路例を示す。この場合、有機ＥＬ素子１０Ａは、ダイオード接続されたトランジスタＴｒ４、寄生容量成分Ｃ１および抵抗成分Ｒ１として表すことができる。

このような場合、ドレイン電流Ｉdsは、抵抗成分Ｒ１に流れてしまい、トランジスタＴｒ４には流れなくなる（または非常に小さくなる）。この結果、有機層１６にドレイン電流Ｉdsが供給されず、有機電界発光現象が生じない。これが滅点（滅点ピクセル）の発生原理である。このような滅点の修復動作を、例えば以下のようにして行う。

（交流逆バイアス駆動による修復動作）
図１３Ｄは、修復動作時の画素駆動回路１４０の動作状態を、修復素子選択線４７Ａ、選択トランジスタＴｒ３および修復用信号線４８Ａと共に表したものである。有機ＥＬ素子１０Ａは、ダイオード接続されたトランジスタＴｒ４、寄生容量成分Ｃ１および抵抗成分Ｒ１として表される。このような等価回路において、有機ＥＬ素子１０Ａに逆バイアス電圧を印加することにより、有機ＥＬ素子１０Ａが有するダイオード特性により、抵抗成分Ｒ１に対して逆方向電流Ｉdを流すことができる。

この際、画素駆動回路１４０では、走査線駆動回路１３０により、走査線１３０Ａにオン電圧が印加され、トランジスタＴｒ２がオン状態に制御される。一方、選択トランジスタＴｒ３は、修復素子選択線４７Ａを通じて供給される信号に基づいてオン状態に制御される。また、修復対象の領域（あるいはピクセル）の画素駆動回路１４０に接続された信号線１２０Ａには、修復用信号線４８Ａを通じて低電位（例えば０Ｖ）が印加される。その他の信号線１２０Ａには、高電位（例えば１７Ｖ）が印加される。この結果、修復対象の領域のトランジスタＴｒ１のみがオン状態となる。これにより、トランジスタＴｒ１のドレインに接続された有機ＥＬ素子１０Ａには、陰極線電圧Ｖcatおよび電源電圧Ｖccに基づくバイアス電圧が印加される。

図１４は、バイアス電圧の駆動条件の一例を表したものである。このように、電源電圧Ｖccを例えば５Ｖに固定する一方で、陰極線電圧Ｖcatを例えば０Ｖと１０Ｖとの間で交流的に切り替える。これにより、陰極線電圧Ｖcatに０Ｖが印加されるとき、有機ＥＬ素子１０Ａに５Ｖの順バイアス電圧が印加される。一方、陰極線電圧Ｖcatに１０Ｖが印加されるとき、有機ＥＬ素子１０Ａに５Ｖの逆バイアス電圧が印加される。このバイアス電圧値は、発光層を含む有機層１６の耐圧等を考慮して設定される。尚、この例では発光層の膜厚を１００〜２００ｎｍ程度である場合を想定している。

逆バイアス電圧を印加する際には、その印加時間（修復時間）および温度などの諸条件が適切に設定されることが望ましい。具体的には、寄生容量成分Ｃ１、電流Ｉdの値、バイアス電圧の大きさなどに応じて、抵抗成分Ｒ１に流れる逆方向電流Ｉdが最大となるような条件が設定される。例えば、陰極線電圧Ｖcatの駆動周波数は、例えば１００〜６００Ｈｚ、好ましくは３００〜４００Ｈｚとされる。印加時間は、できるだけ短時間とされることが望ましいが、例えば５〜３０分である。また、温度条件としては、例えばホットプレートなどを用いて、例えば３５〜７５℃程度に設定されることが望ましい。特に、本実施の形態では、図１０Ｂに示したように、異物Ｘに対向する局所的な領域を、酸化により絶縁化（高抵抗化）するため、上記のような逆バイアス電圧駆動が、酸素雰囲気において行われることが望ましい。このときの酸素濃度は、絶縁部分１７ａ１を形成しつつ、第１導電膜１７Ａの表面の酸化（図８Ａの酸化膜１７Ｃの存在）が許容範囲内となるような条件に設定されることが望ましい。但し、酸化膜１７Ｃが除去される場合（図８Ｂ）には、この限りではない。

上記のように、適切な条件下において逆バイアス電圧が印加されることにより、抵抗成分Ｒ１（異物Ｘによるショートパス、ショート回路）への大きな電流が流れ、温度が上昇する。この結果、第１導電膜１７Ａのうちの異物Ｘに接触する部分が、局所的に過熱され、酸化により絶縁化する（絶縁部分１７ａ１が形成される）。これにより、異物Ｘによるショートパスが電気的に切断され、滅点を除去することができる。換言すると、順バイアス電圧印加時において、抵抗成分Ｒ１へのリーク電流が減少し（有機ＥＬ素子１０Ａへ供給されるドレイン電流Ｉdsが増加し）、有機ＥＬ素子１０Ａを正常な状態に修復することができる。

このように、本実施の形態では、例えばレーザー照射などにより外部から修復を行うのではなく、電流や温度を通じて内部的に滅点を修復する。また、走査線駆動回路１３０および信号線駆動回路１２０の一部又は全てが有機ＥＬ素子１０Ａと同じ基板上に形成されている場合でも、特定の領域にのみ逆バイアス電圧を印加することができる。このため、効率的に滅点を除去することができる。

ここで、有機ＥＬ素子１０Ａに生じる寄生容量成分Ｃ１の大きさによっては、逆方向電流Ｉdを抵抗成分Ｒ１に効率的に流すことができないことがある。逆バイアス電圧の交流駆動により、寄生容量成分Ｃ１が充電され、抵抗成分Ｒ１に電流が流れ易くなる。また、交流駆動により、励起子を活性化させて滅点部分を修復できる。よって、より効率的な修復が可能となる。

また、この交流逆バイアス駆動を加温した状態で行うことにより、第１導電膜１７Ａにおける局所的な酸化を促進し、修復の効率を向上させることができる。温度の印加により分子の運動エネルギーを抑制でき、逆バイアス電圧による有機層１６に対する負荷を緩和させることができる。これにより、滅点を集中的に修復し、他の正常領域へのダメージを軽減できる。

そして、有機ＥＬ素子１０Ａが正常な状態となると（絶縁部分１７ａ１が形成され、滅点が除去されると）、上記交流駆動において、陰極線電圧Ｖcatが例えば０Ｖとなったとき、５Ｖの順バイアス電圧が有機ＥＬ素子１０Ａに印加される。つまり、画素駆動回路１４０が図１３Ｂと等価となり、有機ＥＬ素子１０Ａにはドレイン電流Ｉdsが供給される。従って、上記のような修復動作中に、滅点であった箇所（ピクセル）が発光し始めることで、修復の完了を確認することができる。

（直流逆バイアス駆動による修復動作）
修復動作時に有機ＥＬ素子１０Ａに印加される逆バイアス電圧は、上記のような交流に限らず、直流であってもよい。この場合、陰極線電圧Ｖcatとして例えば１０Ｖが、電源電圧Ｖccとして例えば５Ｖがそれぞれ印加されることにより、有機ＥＬ素子１０Ａに逆バイアス電圧（５Ｖ）が継続的に印加される。直流駆動の場合も、逆方向電流Ｉdを抵抗成分Ｒ１に継続的に流すことで、異物Ｘ付近の温度を上昇させ、第１導電膜１７Ａに絶縁部分１７ａ１を形成することができる。

（３．修復動作時のパネル通電方法）
上記のような修復動作時には、図１１に示したように設置部４２にパネル４３を設置し、パネル４３を通電する（逆バイアス電圧を印加する）。この際、具体的には、パネル４３の端部に形成されたパッド（パッド４９ａ〜４９ｅ）に、針（プローブ）（針５０ａ〜５０ｅ）をあてて（接触させて）、パネル４３と修復装置４１とを電気的に接続させる。

図１５Ａ〜図１５Ｅに、通電方法の一例を示す。図１５Ａの例は、２枚のパネル４３が１枚のガラス基板上に形成されている場合を示したものであり、パネル４３に設けられたパッド４９ａと、針５０ａとの幅が等しくなっている。通電の際には、針５０ａをパネル４３（パッド４９ａ）に１対１対応で順次接触させる。図１５Ｂの例は、より多くの数（ここでは１６枚）のパネル４３が１枚のガラス基板上に形成されている場合（いわゆる多面取りの場合）を示したものであり、パネル４３に設けられたパッド４９ｂと、針５０ｂとの幅が等しくなっている。通電の際には、針５０ｂをパネル４３（パッド４９ｂ）に１対１対応で順次接触させる。

図１５Ｃの例では、例えば多面取りの場合において、パネル４３に設けられたパッド４９ｃの幅が、図１５Ｂのパッド４９ｂよりも大きくなっている。このパッド４９ｃの幅と、針５０ｃの幅は等しくなっている。通電の際には、針５０ｃをパネル４３（パッド４９ｃ）に１対１対応で順次接触させるが、パッド幅が広い分、図１５Ｂの例よりも針５０ｃとの位置合わせ精度を緩和することができる。

図１５Ｄの例では、例えば多面取りの場合において、パネル４３の個々のパッドが、例えば行方向（あるいは列方向）に沿って電気的に接続されており、行毎に、複数のパネル４３に共通のパッド４９ｄが形成されている。このパッド４９ｄの幅と、針５０ｄの幅は等しくなっている。通電の際には、針５０ｄをパッド４９ｄに順次接触させるが、複数のパネル４３へ一括して通電を行うことができる。位置合わせ精度を緩和すると共に、タクトタイムの短縮化にもつながる。また、図１５Ｅに示したように、全てのパネル４３に共通のパッド４９ｅを形成するようにしてもよい。位置合わせ精度緩和およびタクトタイムの短縮化により有利となる。

［作用，効果］
本実施の形態の表示装置１では、図１および図２に示したように、走査線駆動回路１３０から各画素のトランジスタＴｒ２のゲートに走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０からは画像信号が、トランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに供給され、保持される。この保持容量Ｃｓに保持された信号に応じてトランジスタＴｒ１がオンオフ制御され、これによって、有機ＥＬ素子１０Ａに駆動電流（ドレイン電流Ｉds）が注入される。この駆動電流が、第１電極１４および第２電極１７を通じて有機層１６の発光層に注入されることにより、有機層１６では、正孔と電子との再結合により、発光が起こる。ここでは、各有機ＥＬ素子１０Ａの有機層１６から白色光が発生する。

各有機ＥＬ素子１０Ａから白色光が発生すると、この白色光は、第２電極１７、カラーフィルタ層１９（１９Ｒ，１９Ｇ，１９Ｂ，１９Ｗのいずれか）および封止基板２０を透過して、表示装置１の上方へ出射する。これにより、Ｒ，Ｇ，Ｂ，Ｗの各色光を発する有機ＥＬ素子１０Ａの組を１つのピクセルとした画像表示が行われる。

ここで、本実施の形態では、第２電極１７が、有機層１６側から順に積層された第１導電膜１７Ａおよび第２導電膜１７Ｂを含む。これにより、製造プロセスにおいて、異物Ｘ等に起因して第１電極１４および第２電極１７（詳細には第１導電膜１７Ａ）間にショートパスが生じた場合にも、これを電気的に切断し易い。

仮に、例えば図４６Ａに示したように、第２電極１０７を透明導電膜からなる単層膜とした場合、低抵抗化のためには、その厚みを大きくすることが望ましい。ところが、厚みを大きくした場合、図４６Ｂに示したように、第２電極１０７の表面の一部（１０７ａ）のみしか酸化することができず、異物Ｘによるショート部分を十分に絶縁化することが難しい。

これに対し、本実施の形態では、２層構造とすることで、第１導電膜１７Ａを薄膜化して、逆バイアス電圧の印加によって、厚み方向の全域にわたって絶縁化することが可能となる（図１０Ｂ）。これにより、滅点などの異物Ｘによる電気的影響を低減できる。そして、この第１導電膜１７Ａの形成工程および修復工程の後、第２導電膜１７Ｂを形成する。第２導電膜１７Ｂの厚みは、必要とされる抵抗値に応じて設定することができる。例えば、本実施の形態のように、白色光を得るために互いに異なる色の発光層を積層させた素子構造を有する場合には、第２電極１７には、ＩＺＯなどの透明導電膜が用いられる。このような透明導電膜では、低抵抗化のために、ある程度の厚みを要することから、第２導電膜１７Ｂを厚膜化して、所望の抵抗値を得る（抵抗値を低減する）ことができる。このように、第２電極１７を２層構造とすることにより、異物に起因する滅点を除去すると共に、第２電極１７を低抵抗化することができる。よって、表示画質を向上させることが可能となる。

以下、上記実施の形態の変形例について説明する。尚、上記実施の形態と同様の構成要素については同一の符号を付し、適宜その説明を省略する。

＜変形例１−１＞
図１６は、変形例１−１に係る画素ＰＸＬＣの配列の一例を表したものである。上記実施の形態では、例えば、Ｒ，Ｇ，Ｂ，Ｗの４つの画素ＰＸＬＣが表示単位Ｕ（ピクセル）を構成する場合について説明したが、本変形例のように、Ｒ，Ｇ，Ｂの３つの画素ＰＸＬＣが１つの表示単位Ｕを構成していてもよい。この場合、短冊状の画素ＰＸＬＣが、例えば全体としてストライプ状に並列して配置されたレイアウトとなる。

図１７は、上記３つの画素ＰＸＬＣを形成するためのカラーフィルタ層１９、有機層１６（具体的には有機電界発光層）および開口部ＷＩＮ（バンク１５の開口）の各レイアウトの一例を表したものである。このように、本変形例では、カラーフィルタ層１９の色の配列（Ｒ，Ｇ，Ｂ）が、画素ＰＸＬＣの配列に対応しており、有機層１６は、３つの画素ＰＸＬＣに対して共通の白色発光層（Ｗ）を有している。また、バンク１５の開口部ＷＩＮは、画素ＰＸＬＣと１対１対応で設けられている。

また、本変形例においても、図１８に示したように、有機層１６（発光層）は、上記実施の形態と同様、黄色発光層１６Ｙおよび青色発光層１６Ｂを含んでいる。また、これらの黄色発光層１６Ｙおよび青色発光層１６Ｂの積層順序は上記と逆であってもよい。また、黄色発光層１６Ｙは、黄色（Ｙ）の光を発光する材料から構成されている場合に限らず、他の材料から構成されていてもよい。

＜変形例１−２＞
図１９は、変形例１−２に係る画素ＰＸＬＣを形成するためのカラーフィルタ層１９、有機層１６および開口部ＷＩＮの各レイアウトの一例を表したものである。本変形例では、Ｒ，Ｇ，Ｂの３つの画素ＰＸＬＣから表示単位Ｕが構成され、有機層１６がＲ，Ｇ，Ｂの各色に塗り分けられている（画素ＰＸＬＣ毎に異なる色の発光層が形成されている）点で、上記実施の形態と異なっている。本変形例では、図２０に示したように、カラーフィルタ層１９のＲ，Ｇ，Ｂの各領域に対向して、有機層１６には、３色の発光層（１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂ）が形成されている。

このように、有機層１６が画素ＰＸＬＣ毎に塗り分けられている場合には、いわゆるマイクロキャビティを利用した光共振効果により、発光スペクトルを増大させることができる。この場合、例えば、第２電極１７としてマグネシウム銀などの半透明導電膜が用いられる。これにより、有機層１６から発せられた色光を、第２電極１７と、反射電極である第１電極１４との間で共振させることができ、所望の波長の強度を高めることができる。

＜変形例１−３＞
図２１は、変形例１−３に係る画素ＰＸＬＣを形成するためのカラーフィルタ層１９、有機層１６および開口部ＷＩＮの各レイアウトの一例を表したものである。本変形例では、Ｒ，Ｇ，Ｂの３つの画素ＰＸＬＣから表示単位Ｕが構成され、有機層１６がＹ，Ｂの２色に塗り分けられている点で、上記実施の形態と異なっている。本変形例では、図２２に示したように、カラーフィルタ層１９のうちＲ，Ｇの領域に対向して、有機層１６では黄色（Ｙ）発光層（黄色発光層１６Ｙ）が形成されている。カラーフィルタ層１９のうちＢの領域に対向して、有機層１６では青色（Ｂ）発光層（青色発光層１６Ｂ）が形成されている。

このように、有機層１６において、Ｒ，Ｇの画素ＰＸＬＣに対応する領域が黄色（Ｙ）、Ｂの画素ＰＸＬＣに対応する領域が青色（Ｂ）となるように塗り分けられていてもよい。この場合にも、上記変形例１−２と同様、マイクロキャビティを利用した光共振効果により、発光スペクトルを増大させることができる。

＜変形例１−４＞
図２３は、変形例１−４に係る画素ＰＸＬＣを形成するためのカラーフィルタ層１９、有機層１６および開口部ＷＩＮの各レイアウトの一例を表したものである。本変形例では、Ｒ，Ｇ，Ｂ，Ｙの４つの画素ＰＸＬＣから表示単位Ｕが構成され、有機層１６がＹ，Ｂの２色に塗り分けられている点で、上記実施の形態と異なっている。本変形例では、図２４に示したように、有機層１６において、カラーフィルタ層１９のうちＲ，Ｙ，Ｇに対向する領域に、黄色発光層１６Ｙが形成されている。カラーフィルタ層１９のうちＢに対向する領域には、青色発光層１６Ｂが形成されている。

このように、Ｒ，Ｇ，Ｂ，Ｙの４つの画素ＰＸＬＣから１ピクセルが構成されていてもよい。また、この場合、有機層１６において、Ｒ，Ｙ，Ｇの画素ＰＸＬＣに対応する領域が黄色発光層１６Ｙ、Ｂの画素ＰＸＬＣに対応する領域が青色発光層１６Ｂとなるように塗り分けられていてもよい。この場合にも、上記変形例１−２と同様、マイクロキャビティを利用した光共振効果により、発光スペクトルを増大させることができる。

＜変形例２＞
上記実施の形態では、バンク１５の開口部ＷＩＮが画素ＰＸＬＣ（有機ＥＬ素子１０Ａ）と１対１対応で設けられた構成を例示したが、本変形例のように、１つの画素ＰＸＬＣに複数の開口部ＷＩＮを設け、いわゆるリフレクタ（アノードリフレクタ）を形成してもよい。図２５は、変形例２に係るアノードリフレクタを有する素子の断面構造を表したものである。この場合、バンク１５には、第１電極１４が形成された領域の一部に複数の開口部ＷＩＮが設けられている点で、上記実施の形態と異なっている。これらの第１電極１４およびバンク１５の上部には、複数の開口部ＷＩＮを覆うように、有機層１６が形成されている。

図２６は、各第１電極１４上における開口部ＷＩＮの配置を模式的に表すものである。尚、第１電極１４（Ｒ），１４（Ｇ），１４（Ｂ），１４（Ｗ）は、Ｒ，Ｇ，Ｂ，Ｗのサブ画素ＰＸＬＣのアノードであることを示す。これらの第１電極１４（Ｒ），１４（Ｇ），１４（Ｂ），１４（Ｗ）（以下、特に区別のない場合は単に「第１電極１４」とする）は、互いに離間して配置されるが、便宜上、隣接するように図示している。各第１電極１４は、画素駆動回路１４０に形成された駆動用のトランジスタＴｒ１のドレインと、それぞれコンタクト２０５を介して接続されている。この例では、コンタクト２０５は、各第１電極１４の左上に配置されている。

各第１電極１４には、様々な形状を有する複数の開口部ＷＩＮが、ランダムに配置されている。すなわち、開口部ＷＩＮの各形状は、例えば円形、楕円形、あるいはそれらが結合した形など様々である。なお、楕円形は、厳密な定義における楕円形に限定されるものではなく、単に円形を細長くしたものという程度の意味である。また、これらの複数の開口部ＷＩＮは、各第１電極１４上において、例えば所定の方向に整然と配置されるなどの明確な規則性を有さないように配置されている。なお、この例では、各開口部ＷＩＮの面積を互いにほぼ等しくしている。これにより、製造時におけるフォトリソグラフィの条件を決定しやすくすることができる。これらの開口部ＷＩＮは、コンタクト２０５が形成された位置と異なる位置に配置されている。また、この例では、各第１電極１４上において、複数の開口部ＷＩＮが同じ配置パターンで配置されている。

図２７は、開口部ＷＩＮの要部断面構造を表すものである。開口部ＷＩＮは、厳密には、以下のような設計に基づいて形成されている。即ち、バンク１５は、高さＨの厚さで形成され、バンク１５の第１電極１４側の開口幅Ｒ１は、表示面側の開口幅Ｒ２よりも小さくなっている。すなわち、バンク１５には、開口部ＷＩＮを囲うように、傾斜部分ＰＳが設けられている。これにより、後述するように、開口部ＷＩＮにおいて有機層１６から射出し、傾斜部分ＰＳに向かう光は、バンク１５と保護膜１８（絶縁膜）との屈折率の違いにより、その傾斜部分ＰＳで反射し、表示面の正面方向に進む。このように、傾斜部分ＰＳは、有機層１６から射出した光を反射させる、いわゆるリフレクタとして機能する。その結果、各画素ＰＸＬＣにおいて、光の外部への取り出し効率を高めることができる。この傾斜部分ＰＳにおいて光を効率よく反射させるため、保護膜１８の屈折率（ｎ１）と、バンク１５の屈折率（ｎ２）は、例えば、以下の式を満たすことが望ましい。
１．１≦ｎ１≦１．８ ………（１）
ｎ１−ｎ２≧０．２０ ………（２）

図２８は、開口部ＷＩＮ付近における、光線のシミュレーション結果の一例を表すものである。この図２８は、有機層１６から下方へ向けて出射した光が、傾斜部分ＰＳに相当する部分において反射され、上方へ向かって進む様子を示している。このように、反射後の光は、様々な方向に向けて射出される。例えば、有機層１６の法線方向（図２８の上方向）に進み、あるいは、その法線方向からずれた方向（斜め方向）に進む。斜め方向に進む光の一部は、傾斜部分ＰＳに入射し、そして反射される。具体的には、傾斜部分ＰＳでは、互いに異なる屈折率を有するバンク１５と保護膜１８とが、有機層１６および第２電極１７を挟んで隣り合うことから、その屈折率の違いにより、光が反射される。そして、この反射光は、表示面側へ進み、外部に取り出される。

このように、開口部ＷＩＮの傾斜部分ＰＳにより、光の外部への取り出し効率を高めることができる。仮に、傾斜部分ＰＳを設けない場合には、発光層２１４の法線方向からずれた方向に射出された光は、表示部内で弱められ、またはブラックマトリクスＢＭにより遮断されるおそれがある。この場合には、有機層１６から射出した光のうち、表示部の外部へ取り出される光の割合が低下し、光の取り出し効率が低下してしまう。本変形例では、傾斜部分ＰＳを設けることで、この傾斜部分ＰＳにおいて光が反射されるので、光の取り出し効率を高めることができる。また、様々な形状の複数の開口部ＷＩＮをランダムに配置することにより、外光の反射により表示画面が見えにくくなるおそれを低減することができ、画質を高めることができる。

上記例では、様々な形状の複数の開口部ＷＩＮをランダムに配置したが、開口部ＷＩＮのレイアウトは、これに限定されるものではなく、他の様々なパターンを取り得る。以下に、その他の一例を示す。

図２９に示したように、様々な形状の複数の開口部ＷＩＮ（ＷＩＮ１，ＷＩＮ２）を、所定のパターンで規則的に配置してもよい。この例では、円形の開口部ＷＩＮ１の周囲に、６つの楕円形の開口部ＷＩＮ２を、その開口部ＷＩＮ１を取り囲むように配置している。すなわち、いわゆる細密充填配置と同様に、開口部ＷＩＮ１，ＷＩＮ２のうちの３つを互いに隣り合うように配置している。そして、これらの６つの楕円形の開口部ＷＩＮ２を、向きが互いに異なるように配置している。このように開口部ＷＩＮ１，ＷＩＮ２を配置した場合でも、外光の反射により表示画面が見えにくくなるおそれを低減することができる。また、楕円形の開口部ＷＩＮ２の向きが互いに異なるようにしたので、視野角を広くすることができる。

なお、この例では、円形の開口部ＷＩＮ１および楕円形の開口部ＷＩＮ２を用いたが、これに限定されるものではなく、図３０Ａ〜３０Ｅに示すような様々な形状の開口部を用いてもよい。具体的には、例えば、開口部ＷＩＮの形状を、図３０Ａに示したように、正方形の角を丸くしたような形状にしてもよいし、図３０Ｂに示したように、長方形の角を丸くしたような形状にしてもよいし、図３０Ｃ〜３０Ｅに示したように、複数の楕円を組み合わせた形状にしてもよい。

また、図３１に示したように、白色の画素ＰＸＬＣにおいて、他色の画素ＰＸＬＣよりも少ない数の開口部（ＷＩＮ３）を設けてもよい。第１電極１４（Ｒ），１４（Ｇ），１４（Ｂ）上には、上述の図２６の例と同様に、様々な形状の複数の開口部ＷＩＮが、ランダムに配置されている。一方、第１電極１４（Ｗ）上には、この例では大きな開口部ＷＩＮ３が１つ配置されている。

この構成により、白色（Ｗ）の画素ＰＸＬＣにおいて外光の回折を生じにくくすることができ、反射光により表示画面が見えにくくなるおそれを低減することができる。ここで、白色（Ｗ）の画素ＰＸＬＣには、広い範囲の波長の光を通過させる白色のカラーフィルタ１９Ｗが形成されているため、外光（白色）はこのカラーフィルタ１９Ｗを通過して内部に入射する。このため、白色の画素ＰＸＬＣ内において回折が生じた場合、広い範囲にわたって光が反射され易く、表示画面が見えにくくなるおそれがある。本変形例のように、白色の画素ＰＸＬＣの開口部ＷＩＮ３を単一のものとすることで、回折の発生を低減することができる。

尚、図３２に示すように、白色（Ｗ）の画素ＰＸＬＣにおける開口部ＷＩＮ３の数は１つに限らず、他色の画素ＰＸＬＣに比べて少ない数の複数の開口部ＷＩＮ３を設けてもよい。その際、開口率を高めるため、開口部ＷＩＮ３のそれぞれの面積は大きいことが望ましい。

更に、図３３Ａおよび図３３Ｂに示したように、開口部ＷＩＮの形状は、例えば正方形や長方形などの四角形にしてもよい。

加えて、図３４および図３５に示したように、コンタクト２０５の形状を、円形状にするとともに、開口部ＷＩＮの大きさとほぼ同等の大きさにしてもよい。この場合には、コンタクト２０５および開口部ＷＩＮを、限られた面積により効率よく配置することができる。また、図３５に示すように、コンタクト２０５および開口部ＷＩＮの配置を、いわゆる最密充填配置にしてもよい。この最密充填配置では、例えば３つの開口部ＷＩＮが互いに隣り合うように配置される。これにより、コンタクト２０５および開口部ＷＩＮを、さらに効率よく配置することができる。この場合には、第１電極１４の輪郭を構成する各辺は、コンタクト２０５および開口部ＷＩＮの間の隙間に設けられる。これにより、この例では、第１電極１４の上辺および下辺は横方向に延びるが、左側の２つの辺および右側の２つの辺は、それぞれアルファベットの“Ｖ”の形状になり、各辺は横方向から６０度ずれた方向に延びる。

また、図３６Ａ〜図３６Ｄ、図３７Ａ〜図３７Ｆおよび図３８Ａ，図３８Ｂに示したように、第１電極１４の形状が例えば水平方向（横方向）に伸びたような六角形であってもよい。これにより、第１電極１４の面積をより大きく確保することができる。また、第１電極１４上の各領域に、複数の開口部ＷＩＮを効率的に配置することができる。具体的には、第１電極１４が、正六角形を水平方向にそのまま拡大した形状である場合には、開口部ＷＩＮの形状を、円形状を第１電極１４の拡大比率の同じ比率で拡大した楕円形状にすることにより、容易に最密充填配置を得ることができる。但し、開口部ＷＩＮの数は単一であっても、少なくともよい。

尚、図３６Ｄでは、開口部ＷＩＮを７行分設けている。このように、開口部ＷＩＮを奇数行分設けた場合には、全ての開口部ＷＩＮを最密充填配置により配置することができる。但し、図３６Ｂおよび図３６Ｃに示したように、開口部ＷＩＮを偶数行分設けた場合でも、上半分の開口部ＷＩＮを最密充填配置により配置するとともに、下半分の開口部ＷＩＮを最密充填配置により配置することができる。また、図３７Ａ〜図３７Ｆに示したように、開口部ＷＩＮの形状を円形にしてもよい。また、図３８Ａに示すように、楕円形の開口部ＷＩＮと、円形の開口部ＷＩＮの両方を設けてもよい。また、図３８Ｂに示すように、縦長の楕円形の開口部ＷＩＮと、横長の楕円形の開口部ＷＩＮの両方を設けてもよい。この場合には、左右方向に加え、上下方向の視野角も広げることができる。

＜適用例＞
上記実施の形態および変形例において説明した表示装置は、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、映像として表示するあらゆる分野の電子機器に用いることができる。その際、例えば図３９に示したようなモジュールとして、以下に挙げるようなテレビジョン装置，デジタルカメラ，ビデオカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話およびスマートフォン等の携帯端末装置などの電子機器に組み込まれる。図３９において、基板１１には、例えば２次元配置されたサブ画素（上述の有機ＥＬ素子１０Ａを含む画素ＰＸＬＣ）を含む表示領域１１０と、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０等とが形成されている。基板１１の一辺には、封止基板２０から露出した領域２１０が設けられ、この領域２１０に、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０の配線を延長して外部接続端子（図示せず）が形成されている。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられている。

図４０は、テレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有している。映像表示画面部３００が、上記実施の形態等の表示装置により構成されている。

図４１Ａおよび図４１Ｂは、デジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有している。表示部４２０が、上記実施の形態等の表示装置により構成されている。

図４２は、ノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有している。表示部５３０が、上記実施の形態等の表示装置により構成されている。

図４３は、ビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有している。表示部６４０が、上記実施の形態等の表示装置により構成されている。

図４４Ａおよび図４４Ｂは、携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。ディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０が、上記実施の形態等の表示装置により構成されている。

図４５Ａおよび図４５Ｂは、スマートフォンの外観を表したものである。このスマートフォンは、例えば、表示部８１０および非表示部（筐体）８２０と、操作部８３０とを備えている。操作部８３０は、非表示部８２０の前面に設けられていてもよいし（図４５Ａ）、上面に設けられていてもよい（図４５Ｂ）。表示部８１０が、上記実施の形態等の表示装置により構成されている。

以上、実施の形態および変形例を挙げて説明したが、本開示は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、修復動作時には、滅点対象となる選択的な領域にのみ逆バイアス電圧を印加してもよいし、これに限らず、滅点部分を含む広い範囲の領域に逆バイアス電圧を印加してもよい。後者の手法によれば、修復動作に要する時間を短縮でき、量産化に有利である。尚、正常部分にも逆バイアス電圧が印加されることになるが、印加条件を適切に制御することにより、修復率の改善効果だけを享受することができる。

また、上記実施の形態等では、第２電極１７が２層構造である場合を例示したが、更に他の導電膜を含む３層以上の多層膜であってもよい。

更に、上記実施の形態等に記載した各層の材料および厚みは列挙したものに限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよい。また、表示装置では、上述した全ての層を備えている必要はなく、あるいは上述した各層に加えて更に他の層を備えていてもよい。また、上記実施の形態等において説明した効果は一例であり、他の効果であってもよいし、更に他の効果を含んでいてもよい。

なお、本開示は以下のような構成であってもよい。
（１）
第１電極と、
前記第１電極上に形成され、発光層を含む有機層と、
前記有機層の上に順に積層された第１の導電膜と第２の導電膜とを含む第２電極と
を備えた表示装置。
（２）
前記第１の導電膜の厚みは、前記第２の導電膜の厚みよりも小さい
上記（１）に記載の表示装置。
（３）
前記第１の導電膜の厚みは、前記第２の導電膜の厚みの１０分の１以下である
上記（２）に記載の表示装置。
（４）
前記第１および第２の導電膜は光透過性を有する
上記（１）〜（３）のいずれかに記載の表示装置。
（５）
前記第１の導電膜は、他の部分よりも高抵抗の局所部分を含む
上記（４）に記載の表示装置。
（６）
前記第１および第２の導電膜は、互いに同一の材料からなる
上記（４）または（５）に記載の表示装置。
（７）
前記第１および第２の導電膜は、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）からなる
上記（６）に記載の表示装置。
（８）
前記第１の導電膜はマグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）との合金を含み、
前記第２の導電膜はインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）を含む
上記（４）または（５）に記載の表示装置。
（９）
前記第１の導電膜と前記第２の導電膜との間に酸化膜を有する
上記（１）〜（８）のいずれかに記載の表示装置。
（１０）
前記第１の導電膜は透明導電膜であり、
前記第２の導電膜は、光反射性を有する金属膜である
上記（１）〜（３）のいずれかに記載の表示装置。
（１１）
第１電極と、
前記第１電極上に形成され、発光層を含む有機層と、
前記有機層の上に順に積層された第１の導電膜と第２の導電膜とを含む第２電極と
を備えた表示装置を有する電子機器。
（１２）
第１電極と、
前記第１電極上に形成され、発光層を含む有機層と、
前記有機層上に、他の部分よりも高抵抗の局所部分を含む第２電極と
を備えた表示装置。
（１３）
前記第２電極は、前記有機層の上に順に積層された第１の導電膜と第２の導電膜を含み、
前記局所部分は、前記第１の導電膜に形成されている
上記（１２）に記載の表示装置。

１…表示装置、１０Ａ…有機ＥＬ素子、１０…駆動基板、１１…基板、１２…ＴＦＴ、１３…平坦化層、１４…第１電極、１５…バンク、１６…有機層、１７……第２電極、１７Ａ…第１導電膜、１７Ｂ…第２導電膜、１７ａ１…絶縁部分、１８…保護膜、１９…カラーフィルタ層、１９Ｒ，１９Ｇ，１９Ｂ，１９Ｗ…カラーフィルタ、ＢＭ…ブラックマトリクス層、２０…封止基板、Ｘ…異物。

Claims (7)

1. 第１電極と、
   前記第１電極上に形成され、発光層を含む有機層と、
   前記有機層の上に形成された第２電極と
   を備え、
   前記第２電極は、前記有機層の側から順に、
   透明導電膜から構成されると共に、ショート箇所に他の部分よりも高抵抗な局所部分を含む第１の導電膜と、
   前記第１の導電膜上に積層され、前記第１の導電膜と同一の透明導電膜から構成されると共に、前記第１の導電膜よりも大きな厚みを有する第２の導電膜と
   を有する
   表示装置。
2. 前記第１の導電膜の厚みは、前記第２の導電膜の厚みの１０分の１以下である
   請求項１に記載の表示装置。
3. 前記第１の導電膜と前記第２の導電膜との間に酸化膜を有する
   請求項１に記載の表示装置。
4. 第１電極と、
   前記第１電極上に形成され、発光層を含む有機層と、
   前記有機層の上に形成された第２電極と
   を備え、
   前記第２電極は、前記有機層の側から順に、
   透明導電膜から構成されると共に、ショート箇所に他の部分よりも高抵抗な局所部分を含む第１の導電膜と、
   前記第１の導電膜上に積層され、光反射性を有する金属膜を含むと共に、前記第１の導電膜よりも大きな厚みを有する第２の導電膜と
   を有する
   表示装置。
5. 前記第２の導電膜は銀（Ａｇ）を含む
   請求項４に記載の表示装置。
6. 第１電極と、
   前記第１電極上に形成され、発光層を含む有機層と、
   前記有機層の上に形成された第２電極と
   を備え、
   前記第２電極は、前記有機層の側から順に、
   透明導電膜から構成されると共に、ショート箇所に他の部分よりも高抵抗な局所部分を含む第１の導電膜と、
   前記第１の導電膜上に積層され、前記第１の導電膜と同一の透明導電膜から構成されると共に、前記第１の導電膜よりも大きな厚みを有する第２の導電膜と
   を有する
   表示装置を有する電子機器。
7. 第１電極と、
   前記第１電極上に形成され、発光層を含む有機層と、
   前記有機層の上に形成された第２電極と
   を備え、
   前記第２電極は、前記有機層の側から順に、
   透明導電膜から構成されると共に、ショート箇所に他の部分よりも高抵抗な局所部分を含む第１の導電膜と、
   前記第１の導電膜上に積層され、光反射性を有する金属膜を含むと共に、前記第１の導電膜よりも大きな厚みを有する第２の導電膜と
   を有する
   表示装置を有する電子機器。

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