CN111009552B - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

公开了一种显示装置。该显示装置包括：基板，该基板包括布置有多个子像素的显示区域以及围绕显示区域的非显示区域；设置在基板的非显示区域中的数据驱动器；设置在非显示区域中的与显示区域相邻的GIP驱动器；从数据驱动器延伸至显示区域的数据链路线；从GIP驱动器延伸至显示区域的栅极链路线；以及设置在栅极链路线上的钝化膜，其中，在数据链路线和栅极链路线的交叉处，钝化膜包括布置在栅极链路线之间的一个或更多个钝化孔。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及显示装置，并且更具体地，涉及能够防止栅极链路线之间的短路故障的显示装置。
背景技术
随着信息社会的发展，对用于显示图像的显示装置的各种需求上升。在显示装置领域中，薄且轻并且能够覆盖大面积的平板显示装置(FPD)已经正在迅速替代体积庞大的阴极射线管(CRT)。平板显示装置包括液晶显示器(LCD)、等离子体显示面板(PDP)、有机发光显示器(OLED)、电泳显示装置(ED)等。
在这些类型的显示器中，有机发光显示器是自发光装置，并且具有快速响应时间、高发光效率、大亮度和宽视角。值得注意的是，有机发光显示器可以制造在柔性基板上，并且与等离子体显示面板或无机电致发光(EL)显示器相比优点在于：有机发光显示器可以在低电压下操作、具有更低的功耗、并且提供生动的颜色再现。
最近，窄边框显示器已经引起了关注，窄边框显示器具有更细长的边框，即不显示图像的非显示区域。在非显示区域中，用于将来自GIP(板内栅极)驱动器的扫描信号施加至显示区域的栅极链路线和用于将来自数据驱动器的数据信号施加至显示区域的数据链路线彼此交叉或交叠。值得注意的是，多个链路线的布置正变得更加精细和复杂，以实现窄边框设计。
发明内容
本发明提供了一种能够防止栅极链路线之间的短路故障的显示装置。在本发明中，在栅极链路线之间布置钝化孔，并且在使栅极链路线图案化之后，栅极链路线之间留下的任何栅极链路残留膜可以通过干蚀刻工艺去除，以形成钝化孔。因此，提供了一种能够防止扫描信号中的操作缺陷的显示装置，这是因为栅极链路线不由于残留膜而短路。
本发明的示例性实施方式提供了一种显示装置，该显示装置包括：基板，该基板包括布置有多个子像素的显示区域以及围绕显示区域的非显示区域；设置在基板的非显示区域中的数据驱动器；设置在非显示区域中的与显示区域相邻的GIP驱动器；从数据驱动器延伸至显示区域的数据链路线；从GIP驱动器延伸至显示区域的栅极链路线；以及设置在栅极链路线上的钝化膜，其中，在数据链路线和栅极链路线的交叉处，钝化膜包括布置在栅极链路线之间的一个或更多个钝化孔。
在一方面，钝化孔可以平行于栅极链路线并且与栅极链路线间隔开。钝化孔可以设置在两个栅极链路线之间，钝化孔由多个钝化孔形成。钝化孔间隔开，在钝化孔之间具有至少两个栅极链路线。
在一方面，每个子像素可以包括：设置在基板上的半导体层；设置在半导体层上的栅极绝缘膜；设置在栅极绝缘膜上的栅电极；设置在栅电极上的第一层间绝缘膜；设置在第一层间绝缘膜上的第二层间绝缘膜；以及设置在第二层间绝缘膜上并且连接至半导体层的源电极和漏电极。
在一方面，数据链路线可以包括布置在不同层上的第一数据链路线和第二数据链路线。第一数据链路线可以设置在栅极绝缘膜与第一层间绝缘膜之间，并且第二数据链路线可以设置在第一层间绝缘膜与第二层间绝缘膜之间。第一数据链路线和第二数据链路线可以交替地设置在平面中。
在一方面，栅极链路线可以设置在第二层间绝缘膜上。
在一方面，钝化孔可以穿透钝化膜并且使钝化膜下面的第二层间绝缘膜露出。
附图说明
附图被包括以提供对本发明的进一步理解并且并入和构成本说明书的一部分，附图示出了本发明的实施方式并且连同描述一起用于说明本发明的原理。在附图中：
图1是有机发光显示器的示意性框图；
图2是子像素的示意性电路图；
图3是子像素的详细电路图；
图4是示出根据本发明的示例性实施方式的显示装置的视图；
图5是示出根据本发明的示例性实施方式的显示装置的子像素的截面图；
图6是示意性地示出了根据本发明的显示装置的平面图；
图7是示出数据链路线和栅极链路线的交叉处的截面图；
图8是图6的R1区域的放大平面图；
图9是沿图8中的线A-A'截取的截面图；
图10是沿图8中的线B-B'截取的截面图；
图11是沿图8中的线C-C'截取的截面图；以及
图12和图13是示出根据本发明的具有以不同的配置设置的钝化孔的显示装置的平面图。
具体实施方式
通过参照示例性实施方式的以下详细描述和附图，可以更容易地理解本发明的各个方面和特征以及实现它们的方法。然而，本发明可以以许多不同的形式来实施，并且不应当被解释为限于本文中阐述的示例性实施方式。相反，提供这些示例性实施方式是为了使本公开内容是充分和完整的，并且将本发明的构思完全传达给本领域技术人员，并且本发明由所附权利要求书限定。
图中示出的用于描述本发明的示例性实施方式的形状、尺寸、比例、角度、数目等仅仅是示例，并且不限于图中所示的那些。在整个说明书中，相似的附图标记指代相似的元件。在描述本发明时，将省略对相关公知技术的详细描述以避免不必要地模糊本发明。当使用术语“包括”、“具有”、“由……组成”等时，可以添加其他部分，只要没有使用术语“仅”即可。除非明确说明，否则单数形式可以被解释为复数形式。
即使没有明确说明，元件也可以被解释为包括误差容限。
当使用术语“在……上”、“在……上方”、“在……下方”、“在……旁边”等描述两个部件之间的位置关系时，一个或更多个部件可以位于这两个部件之间，只要没有使用术语“紧邻”或“直接”即可。
应当理解，尽管本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件进行区分。例如，在没有脱离本公开内容的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件。
本公开内容的各种示例性实施方式的特征可以部分地或全部地组合。如将由本领域技术人员清楚地领会的，技术上的各种相互作用和操作是可能的。可以单独地或组合地实施各种示例性实施方式。
在下文中，将参照附图详细描述根据本发明的示例性实施方式的电致发光显示器。在整个说明书中，相似的附图标记指代基本相似的部件。在描述本发明时，当认为其可能不必要地模糊本发明的主题时，将省略与本发明相关的已知功能或配置的详细描述。
根据本发明的显示装置是显示元件形成在玻璃基板或柔性基板上的显示装置。尽管显示装置的示例包括有机发光显示器、液晶显示器和电泳显示器等，但是本发明将针对有机发光显示器来进行描述。有机发光显示器包括位于作为阳极的第一电极与作为阴极的第二电极之间的由有机材料构成的有机层。来自第一电极的空穴和来自第二电极的电子在有机层内复合，形成激子，即空穴-电子对。然后，当激子返回基态时产生能量，从而使显示装置自身发光。
图1是有机发光显示器的示意性框图。图2是子像素的示意性电路图。图3是子像素的详细电路图。
参照图1，有机发光显示器包括图像处理器110、定时控制器120、数据驱动器130、扫描驱动器140和显示面板150。
图像处理器110输出数据使能信号DE和从外部提供的数据信号DATA。除了数据使能信号DE以外，图像处理器110还可以输出垂直同步信号、水平同步信号和时钟信号中的一个或更多个，但是为了便于说明，这些信号在图中未示出。
定时控制器120从图像处理器110接收数据信号DATA以及数据使能信号DE或包括垂直同步信号、水平同步信号和时钟信号的驱动信号。基于驱动信号，定时控制器120输出用于控制扫描驱动器140的操作定时的栅极定时控制信号GDC以及用于控制数据驱动器130的操作定时的数据定时控制信号DDC。
响应于从定时控制器120提供的数据定时控制信号DDC，数据驱动器130对从定时控制器120提供的数据信号DATA进行采样和锁存、将其转换成伽马基准电压、并且输出伽马基准电压。数据驱动器130通过数据线DL1至DLn输出数据信号DATA。数据驱动器130可以以IC(集成电路)的形式形成。
响应于从定时控制器120提供的栅极定时控制信号GDC，扫描驱动器140输出扫描信号。扫描驱动器140通过栅极线GL1至GLm输出扫描信号。扫描驱动器140以IC(集成电路)的形式形成，或者通过板内栅极(GIP)技术形成在显示面板150上。
显示面板150显示与分别从数据驱动器130和扫描驱动器140提供的数据信号DATA和扫描信号对应的图像。显示面板150包括用于显示图像的子像素SP。
子像素SP包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素，或者包括白色子像素、红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。子像素SP可以根据其发射特性而具有一个或更多个不同的发射区域。
如图2所示，每个子像素包括开关晶体管SW、驱动晶体管DR、电容器Cst、补偿电路CC和有机发光二极管OLED。
响应于通过第一栅极线GL1提供的扫描信号，开关晶体管SW执行开关操作，使得通过第一数据线DL1提供的数据信号作为数据电压存储在电容器Cst中。驱动晶体管DR以下述方式操作：响应于存储在电容器Cst中的数据电压，驱动电流在电源线EVDD(高电平电压)与阴极电源线EVSS(低电平电压)之间流动。有机发光二极管OLED以通过由驱动晶体管DR形成的驱动电流而发光的方式来操作。
补偿电路CC是被添加至子像素中以补偿驱动晶体管DR的阈值电压等的电路。补偿电路CC包括一个或更多个晶体管。补偿电路CC具有取决于补偿方法的各种配置，并且下面将描述其示例。
如图3所示，补偿电路CC包括感测晶体管ST和感测线VREF(或基准线)。感测晶体管ST连接在驱动晶体管DR的源电极与有机发光二极管OLED的阳极(在下文中，感测节点)之间。感测晶体管ST以下述方式操作：将通过感测线VREF传递的复位电压(或感测电压)提供至驱动晶体管DR的感测节点，或者感测驱动晶体管DR的感测节点处或感测线VREF处的电压或电流。
开关晶体管SW的漏电极连接至第一数据线DL1，并且开关晶体管SW的源电极连接至驱动晶体管DR的栅电极。驱动晶体管DR的漏电极连接至电源线EVDD，并且驱动晶体管DR的源电极连接至有机发光二极管OLED的阳极。电容器Cst的上电极连接至驱动晶体管DR的栅电极，并且电容器Cst的下电极连接至有机发光二极管OLED的阳极。有机发光二极管OLED的阳极连接至驱动晶体管DR的源电极，并且有机发光二极管OLED的阴极连接至第二电源线EVSS。感测晶体管ST的漏电极连接至感测线VREF，并且感测晶体管ST的源电极连接至有机发光二极管OLED的阳极和驱动晶体管DR的源电极。
根据外部补偿算法(或补偿电路的配置)，感测晶体管ST的操作时间可以与开关晶体管SW的操作时间类似/相同。例如，开关晶体管SW的栅电极可以连接至第一栅极线GL1，并且感测晶体管ST的栅电极可以连接至第二栅极线GL2。在这种情况下，扫描信号Scan被发送至第一栅极线GL1，并且感测信号Sense被发送至第二栅极线GL2。在另一示例中，连接至开关晶体管SW的栅电极的第一栅极线GL1和连接至感测晶体管ST的栅电极的第二栅极线GL2可以连接以共享。
感测线VREF可以连接至数据驱动器。在这种情况下，数据驱动器可以在图像非显示时段期间或者在N帧(N是等于或大于1的整数)的时段期间实时感测子像素的感测节点并且生成感测结果。与此同时，开关晶体管SW和感测晶体管ST可以同时导通。在这种情况下，基于数据驱动器的时分方法，将通过感测线VREF的感测操作和用于输出数据信号的数据输出操作彼此区分。
可以根据感测结果补偿数字数据信号、模拟数据信号或伽马电压。而且，基于感测结果生成补偿信号(或补偿电压)的补偿电路可以实现为在数据驱动器内、在定时控制器内或者作为单独的电路。
此外，尽管图3示出了每个子像素具有3T(晶体管)1C(电容器)结构的示例，该3T(晶体管)1C(电容器)结构包括开关晶体管SW、驱动晶体管DR、电容器Cst、有机发光二极管OLED和感测晶体管ST，但是如果补偿电路CC被添加至子像素，则每个子像素可以具有各种可替选的结构，如3T2C、4T2C、5T1C、6T2C等。
图4是示出根据本发明的示例性实施方式的显示装置的视图。图5是示出根据本发明的示例性实施方式的显示装置的子像素的截面图。
参照图4，根据本发明的示例性实施方式的显示装置100呈矩形形状，其中，在一侧上形成有凹口(notched)部NOT。通过延伸显示区域DA的可以放置摄像头、扬声器等的相对两侧，凹口部NOT形成在显示区域DA的一侧上。
显示装置100包括显示图像的显示区域DA以及围绕显示区域DA的外周界的非显示区域NDA，在显示区域DA中布置有多个子像素SP、连接至子像素的数据线和栅极线以及电源线。
用于将数据信号施加至显示区域DA的数据驱动器D-IC放置在非显示区域NDA的一侧上。焊盘部PAD放置在数据驱动器D-IC与基板SUB的边缘之间，其中，接合膜上芯片(COF)，使得从外部印刷电路板(未示出)输入驱动所需的信号诸如扫描信号、数据信号以及电力。
在下文中，将参照图5描述根据本发明的显示装置100的显示区域DA中的子像素(SP)区域的截面结构。
参照图5，在根据本发明的示例性实施方式的子像素中，第一缓冲层BUF1设置在基板SUB上。例如，基板SUB可以是聚酰亚胺基板。因此，本发明的基板SUB具有柔性。第一缓冲层BUF1用于保护要在随后的工艺中形成的薄膜晶体管免受从基板SUB泄漏的气体或杂质的影响。第一缓冲层BUF1可以是硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)或这些化合物的多层。
遮蔽层LS设置在第一缓冲层BUF1上。遮蔽层LS用于防止由使用聚酰亚胺基板而可能导致的面板驱动电流的减少，并且用于通过阻挡光照射半导体层来防止光学电流。第二缓冲层BUF2设置在遮蔽层LS上。第二缓冲层BUF2用于保护要在随后的工艺中形成的薄膜晶体管。第二缓冲层BUF2可以是硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)或这些化合物的多层。
半导体层ACT设置在缓冲层BUF2上。半导体层ACT可以由硅半导体或氧化物半导体形成。硅半导体可以包括非晶硅或结晶多晶的多晶硅。多晶硅具有高迁移率(例如，大于100cm2/Vs)、低能耗和优异的可靠性。因此，多晶硅可以应用于用于驱动元件和/或多路复用器(MUX)的栅极驱动器或者应用于像素中的驱动TFT。同时，氧化物半导体由于其低截止电流而适用于具有短导通时间和长截止时间的开关TFT。而且，由于氧化物半导体因低截止电流而可以增加像素的电压保持时间，因此氧化物半导体适合于需要低速操作和/或低功耗的显示装置。另外，半导体层ACT包括漏极区和源极区，漏极区和源极区中的每个均包括p型或n型杂质，并且半导体层ACT还包括在漏极区与源极区之间的沟道。
栅极绝缘膜GI设置在半导体层ACT上。栅极绝缘膜GI可以是硅氧化物SiOx、硅氮化物SiNx或这些化合物的多层。栅电极GA设置在栅极绝缘膜GI上，与半导体层ACT的特定区域对应，即引入杂质的沟道。栅电极GA可以由选自钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任一种形成或由这些元素合金形成。此外，栅电极GA可以是选自钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)中的任一种的多层或是这些元素合金的多层。例如，栅电极GA可以由钼/铝-钕或钼/铝的双层形成。
用于使栅电极GA绝缘的第一层间绝缘膜ILD1和第二层间绝缘膜ILD2设置在栅电极GA上。第一层间绝缘膜ILD1和第二层间绝缘膜ILD2可以是硅氧化物膜(SiOx)、硅氮化物膜(SiNx)或这些化合物的多层。尽管该示例性实施方式公开了由两层形成的层间绝缘膜，但是层间绝缘膜可以由两层或三层形成。露出半导体层ACT的一部分的接触孔CH，例如漏极区和源极区，位于层间绝缘膜ILD1和ILD2以及栅极绝缘膜GI的一些区域中。
漏电极DE和源电极SE设置在第二层间绝缘膜ILD2上。漏电极DE经由露出半导体层ACT的漏极区的接触孔CH连接至半导体层ACT，并且源电极SE经由露出半导体层ACT的源极区的接触孔CH连接至半导体层ACT。源电极SE和漏电极DE可以包括单层或多层。如果源电极SE和漏电极DE包括单层，则它们可以由选自钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)的任一种形成或这些元素合金形成。另一方面，如果源电极SE和漏电极DE由多层构成，则它们可以由钼/铝-钕的两层形成或者由钛/铝/钛、钼/铝/钼或钼/铝-钕/钼的三层形成。如此，形成了包括半导体层ACT、栅电极GA、漏电极DE和源电极SE的薄膜晶体管TFT。
钝化膜PAS设置在包括薄膜晶体管TFT的基板SUB上。钝化膜PAS是保护下面的元件的绝缘膜，并且可以是硅氧化物膜(SiOx)、硅氮化物膜(SiNx)或这些化合物的多层。覆盖层OC设置在钝化膜PAS上。覆盖层OC可以是用于平滑下面的结构上的阶梯差的平坦化膜，并且由有机材料诸如聚酰亚胺、基于苯并环丁烯的树脂、丙烯酸酯等形成。覆盖层OC可以通过诸如SOG(玻璃上旋涂)的方法形成，通过该方法有机材料以液体形式涂覆并硬化。
露出漏电极DE的通孔VIA位于覆盖层OC的一些区域中。有机发光二极管OLED设置在覆盖层OC上。更具体地，第一电极ANO设置在覆盖层OC上。第一电极ANO可以用作像素电极，并且经由通孔VIA连接至薄膜晶体管TFT的漏电极DE。第一电极ANO是阳极，并且可以由透明导电材料例如ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)或ZnO(氧化锌)形成。如果第一电极ANO是反射电极，则第一电极ANO还包括反射层。反射层可以由铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、镍(Ni)形成或这些元素合金形成，优选地由APC(银/钯/铜合金)形成。
用于限定像素的堤层BNK设置在包括第一电极ANO的柔性基板上。堤层BNK由有机材料诸如聚酰亚胺、基于苯并环丁烯的树脂、丙烯酸酯等形成。堤层BNK具有露出第一电极ANO的像素限定部OP。接触第一电极ANO的有机膜层OLE位于基板SUB的整个表面上。有机膜层OLE是通过电子和空穴的复合而发光的层。空穴注入层或空穴传输层可以形成在有机膜层OLE与第一电极ANO之间，并且电子传输层或电子注入层可以形成在有机膜层OLE上。
第二电极CAT设置在有机膜层OLE上。第二电极CAT位于显示区域DA的整个表面上并且是阴极，第二电极CAT可以由具有低功函数的镁(Mg)、钙(Ca)、铝(Al)、银(Ag)或其合金形成。如果第二电极CAT是透射电极，则它可以形成得足够薄以使光通过。如果第二电极CAT是反射电极，则它可以形成得足够厚以反射光。
同时，显示装置100包括放置在非显示区域NDA中的数据驱动器D-IC和栅极驱动器GIP，以驱动布置在显示区域DA中的多个子像素。数据驱动器D-IC与显示区域DA相邻放置。
图6是示意性地示出了根据本发明的显示装置的平面图。图7是示出数据链路线和栅极链路线的交叉处的截面图。
参照图6，从数据驱动器D-IC连接至显示区域DA的数据链路线PDL布置在本发明的显示装置100的非显示区域NDA中，以将数据信号施加至显示区域DA，并且从GIP驱动器GIP连接至显示区域DA的栅极链路线PGL布置在非显示区域NDA中，以将扫描信号施加至显示区域DA。
在示例中，可以采用双馈送，其中GIP驱动器GIP放置在显示区域DA的相对两侧，并且延伸至显示区域DA的一侧上的栅极线(未示出)通过GIP驱动器GIP的栅极链路线PGL连接至另一侧的栅极线。而且，在本发明的显示装置100中可以采用单馈送，其中GIP驱动器GIP放置在显示区域DA的一侧，并且栅极线连接至显示区域DA。
布置在非显示区域NDA中的数据链路线PDL延伸至显示区域DA。此处，大多数数据链路线PDL连接至显示区域DA的与数据驱动器D-IC相邻的部分，并且因此不与栅极链路线PGL交叉。数据链路线PDL和栅极链路线PGL的交叉处CRP形成在显示区域的拐角处，这是因为拐角是弯曲的。
参照图7，在数据链路线PDL和栅极链路线PGL的交叉处CRP，第一缓冲层BUF1和第二缓冲层BUF2放置在基板SUB上。栅极绝缘膜GI设置在第二缓冲层BUF2上，并且数据链路线PDL设置在栅极绝缘膜GI上。第一层间绝缘膜ILD1设置在一些数据链路线PDL(例如，数据链路线DU1)上，并且一些其他数据链路线PDL(例如，数据链路线DU2)设置在第一层间绝缘膜ILD1上。也就是说，数据链路线PDL交替地堆叠在不同层之间。第二层间绝缘膜ILD2设置在形成有一些数据链路线PDL的第一层间绝缘膜ILD1上，并且栅极链路线PGL设置在第二层间绝缘膜ILD2上。钝化膜PAS设置在栅极链路线PGL上。
然而，由于覆盖数据链路线PDL的第一层间绝缘膜ILD1与第二层间绝缘膜ILD2之间的阶梯差，栅极链路线PGL发生图案化缺陷，从而留下栅极链路线PGL的残留膜。残留膜导致栅极链路线PGL中的短路，PGL必须被图案化并且彼此隔开，并且通过栅极链路线PGL输入的扫描信号将具有操作缺陷。
在下文中，本发明公开了能够防止栅极链路线PGL中的短路的显示装置。
图8是图6的R1区域的放大平面图。图9是沿图8中的线A-A'截取的截面图。图10是沿图8中的线B-B'截取的截面图。图11是沿图8中的线C-C'截取的截面图。
参照图8，从数据驱动器D-IC延伸至显示区域DA的数据链路线PDL和从GIP驱动器GIP延伸至显示区域DA的栅极链路线PGL布置在非显示区域NDA中。数据链路线PDL是第一数据链路线DLL1和第二数据链路线DLL2的交替布置。在本发明中，数据链路线PDL不是布置在同一层上，而是被分成第一数据链路线DLL1和第二数据链路线DLL2，然后将第一数据链路线DLL1和第二数据链路线DLL2布置在不同层上，从而实现窄边框设计。
钝化膜PAS设置在形成有数据链路线PDL和栅极链路线PGL的整个基板SUB上。在本发明中，在数据链路线PDL和栅极链路线PGL交叉的非显示区域NDA中，蚀刻掉与栅极链路线PGL之间的部分对应的钝化膜PAS，以形成露出下面的第二层间绝缘膜ILD2的钝化孔PAH。钝化孔PAH可以在栅极链路线PGL之间，与栅极链路线PGL并排布置。在使栅极链路线PGL图案化之后，栅极链路线PGL之间留下的任何栅极链路残留膜可以通过干蚀刻工艺去除，以形成钝化孔PAH。因此，栅极链路线PGL不会由于残留膜而短路，从而防止扫描信号中的操作缺陷。
参照图9至图11，将给出关于数据链路线PDL和栅极链路线PGL交叉的非显示区域NDA的截面的描述。
参照图9，第一缓冲层BUF1设置在基板SUB上，并且第二缓冲层BUF2设置在第一缓冲层BUF1上。栅极绝缘膜GI设置在第二缓冲层BUF2上，并且第一数据链路线DLL1以规则间隔布置在栅极绝缘膜GI上。第一数据链路线DLL1由与显示区域DA中的栅电极相同的材料形成。
第一层间绝缘膜ILD1设置在形成有第一数据链路线DLL1的基板SUB上。第二数据链路线DLL2以规则间隔布置在第一层间绝缘膜ILD1上。第二数据链路线DLL2放置在各个第一数据链路线DLL1之间，与第一数据链路线DLL1交替。第二数据链路线DLL2可以由低电阻金属材料例如钼、钛、铝、金、银等形成。第一数据链路线DLL1和第二数据链路线DLL2可以由相同的金属材料形成。
在本发明中，包括第一数据链路线DLL1和第二数据链路线DLL2的数据链路线PDL交替布置，其间具有第一层间绝缘膜ILD1。因此，不需要考虑第一数据链路线DLL1与第二数据链路线DLL2之间的图案化容限，从而实现窄边框设计。
第二层间绝缘膜ILD2设置在布置有第二数据链路线DLL2的基板SUB上。栅极链路线PGL以规则间隔布置在第二层间绝缘膜ILD2上。栅极链路线PGL由与显示区域DA中的源电极SE和漏电极DE相同的材料形成。
钝化膜PAS设置在形成有栅极链路线PGL的基板SUB上。钝化膜PAS覆盖栅极链路线PGL，并且在栅极链路线PGL之间具有钝化孔PAH。钝化孔PAH可以是通过蚀刻钝化膜PAS形成的孔。当钝化膜PAS被蚀刻时，钝化孔PAH露出第二层间绝缘膜ILD2。此外，当钝化膜PAS被蚀刻时，下面的第二层间绝缘膜ILD2可以被过蚀刻至钝化孔PAH中。因此，与钝化孔PAH对应的第二层间绝缘膜ILD2可以形成得比其他部分薄。
钝化孔PAH布置在栅极链路线PGL之间，并且在使栅极链路线PGL图案化之后，栅极链路线PGL之间留下的任何栅极链路残留膜可以通过干蚀刻工艺去除，以形成钝化孔PAH。因此，栅极链路线PGL不会由于残留膜而短路，从而防止扫描信号中的操作缺陷。
同时，如沿栅极链路线PGL截取的图10中的截面图中可见，第一缓冲层BUF1和第二缓冲层BUF2位于基板SUB上。栅极绝缘膜GI设置在第二缓冲层BUF2上，并且第一数据链路线DLL1布置在栅极绝缘膜GI上。第一层间绝缘膜ILD1设置在第一数据链路线DLL1上，并且第二数据链路线DLL2设置在第一层间绝缘膜ILD1上。
第二层间绝缘膜ILD2设置在形成有第二数据链路线DLL2的第一层间绝缘膜ILD1上，并且栅极链路线PGL布置在第二层间绝缘膜ILD2上。钝化膜设置在栅极链路线PGL上。也就是说，钝化膜PAS放置在栅极链路线PGL上方，从而保护栅极链路线PGL不受外部影响。
如沿钝化孔PAH截取的图11中的截面图中可见，第一缓冲层BUF1和第二缓冲层BUF2设置在基板SUB上。栅极绝缘膜GI设置在第二缓冲层BUF2上，并且第一数据链路线DLL1设置在栅极绝缘膜GI上。第一层间绝缘膜ILD1设置在第一数据链路线DLL1上，并且第二数据链路线DLL2布置在第一层间绝缘膜ILD1上。
第二层间绝缘膜ILD2设置在形成有第二数据链路线DLL2的第一层间绝缘膜ILD1上，并且钝化膜PAS设置在第二层间绝缘膜ILD2上。钝化膜PAS具有露出下面的第二层间绝缘膜ILD2的钝化孔PAH。也就是说，钝化膜PAS中的钝化孔PAH布置在栅极链路线(未示出)之间，由此可以去除在栅极链路线(未示出)之间留下的任何栅极链路残留膜。
图9到图11示出的第一数据链路线DLL1和第二数据链路线DLL2的具体布置仅是示例而非限制，只要将第一数据链路线DLL1和第二数据链路线DLL2布置在不同的层即可。
本发明的钝化孔PAH可以以各种配置布置。
图12和图13是示出根据本发明的具有以不同的配置设置的钝化孔的显示装置的平面图。
参照图12，本发明的钝化孔PAH可以布置在每个栅极链路线PGL之间，并且钝化孔PAH可以布置在两个栅极链路线PGL之间，钝化孔PAH由多个钝化孔形成。通过在栅极链路线PGL之间布置多个钝化孔PAH，可以在去除任何栅极链路残留膜和形成钝化孔PAH的干蚀刻工艺中防止下面的第二数据链路线通过第二层间绝缘膜的过蚀刻而露出。
此外，参照图13，本发明的钝化孔PAH可以被间隔开，钝化孔PAH间具有至少两个栅极链路线PGL，这与之前在图8和图9中描述的相反。
如上所述，在根据本发明的示例性实施方式的显示装置中，在栅极链路线之间布置钝化孔，并且在使栅极链路线图案化之后，栅极链路线之间留下的任何栅极链路残留膜可以通过干蚀刻工艺去除，以形成钝化孔。因此，栅极链路线不会由于残留膜而短路，从而防止扫描信号中的操作缺陷。
在下文中，示出了根据比较例和实施方式的显示装置的栅极链路线中的短路故障率。
<比较例>
如以上图7所示，制造了具有在栅极链路线之间没有形成钝化孔的显示装置。
<实施方式>
如以上图8所示，制造了具有在栅极链路线之间形成的钝化孔的显示装置。
以下表1是示出根据比较例和实施方式制造的显示装置的栅极链路线的短路故障率的表。
[表1]
比较例 实施方式
短路故障率(％) 40％ 0％
参照表1，根据比较例制造的显示装置显示出40％的栅极链路线短路故障率，而根据实施方式制造的显示装置显示出0％的栅极链路线短路故障率。
由此可以推断，根据本发明的实施方式的具有在栅极链路线之间形成钝化孔的显示装置可以防止栅极链路线中的短路故障。
如上所述，在根据本发明的示例性实施方式的显示装置中，在栅极链路线之间布置钝化孔，并且在使栅极链路线图案化之后，栅极链路线之间留下的任何栅极链路残留膜可以通过干蚀刻工艺去除，以形成钝化孔。因此，栅极链路线不会由于残留膜而短路，从而防止扫描信号中的操作缺陷。
在整个说明书中，本领域技术人员应当理解，在不脱离本公开内容的技术原理的情况下，可以进行各种改变和修改。尽管已经通过以有机发光显示器为例描述了本发明，但是本发明不限于此，而是可以应用于任何显示装置，只要该显示装置具有弯角和GIP驱动器即可。因此，本公开内容的技术范围不限于本说明书中的详细描述，而是应当由所附权利要求书的范围来限定。
尽管已经参照其许多示例性实施方式描述了实施方式，但是应当理解，本领域技术人员可以设计出将会落入本公开内容的原理的范围内的许多其他修改和实施方式。更特别地，在本公开内容、附图和所附权利要求书的范围内，组成部件和/或主体组合装置的各装置的各种变型和修改是可能的。除了在组成部件和/或装置方面的变型和修改以外，对本领域技术人员而言，可替选的用途也将是明显的。

Claims (10)

1.一种显示装置，包括：
基板，所述基板包括布置有多个子像素的显示区域以及围绕所述显示区域的非显示区域；
设置在所述基板的所述非显示区域中的数据驱动器；
设置在所述非显示区域中的与所述显示区域相邻的板内栅极GIP驱动器；
从所述数据驱动器延伸至所述显示区域的数据链路线；
从所述GIP驱动器延伸至所述显示区域的栅极链路线；以及
设置在所述栅极链路线上的钝化膜，
其中，在所述数据链路线和所述栅极链路线的交叉处，所述钝化膜包括布置在所述栅极链路线之间的一个或更多个钝化孔，
其中，在使所述栅极链路线图案化之后，所述栅极链路线之间留下的栅极链路残留膜通过干蚀刻工艺去除，以形成所述一个或更多个钝化孔。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述钝化孔平行于所述栅极链路线并且与所述栅极链路线间隔开。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述钝化孔设置在所述栅极链路线中的两个栅极链路线之间，并且所述钝化孔包括多个钝化孔。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述多个钝化孔以其之间的至少两个栅极链路线间隔开。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，每个子像素包括：
设置在所述基板上的半导体层；
设置在所述半导体层上的栅极绝缘膜；
设置在所述栅极绝缘膜上的栅电极；
设置在所述栅电极上的第一层间绝缘膜；
设置在所述第一层间绝缘膜上的第二层间绝缘膜；以及
设置在所述第二层间绝缘膜上并且连接至所述半导体层的源电极和漏电极。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述数据链路线包括布置在不同层上的第一数据链路线和第二数据链路线。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第一数据链路线设置在所述栅极绝缘膜与所述第一层间绝缘膜之间，并且所述第二数据链路线设置在所述第一层间绝缘膜与所述第二层间绝缘膜之间。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第一数据链路线和所述第二数据链路线交替地设置。
9.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述栅极链路线设置在所述第二层间绝缘膜上。
10.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述钝化孔穿透所述钝化膜并且使所述钝化膜下面的所述第二层间绝缘膜露出。
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