TWI674671B - 顯示裝置及電子機器 - Google Patents

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TWI674671B
TWI674671B TW103111117A TW103111117A TWI674671B TW I674671 B TWI674671 B TW I674671B TW 103111117 A TW103111117 A TW 103111117A TW 103111117 A TW103111117 A TW 103111117A TW I674671 B TWI674671 B TW I674671B
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甚田誠一郎
山田二郎
工藤秀治
松波成行
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日商新力股份有限公司
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Abstract

本發明之顯示裝置具備像素，該像素具有複數個子像素，該子像素包含單一之第1電極、設置於第1電極之積層方向之單一之第2電極、及插設於第1電極與上述第2電極之間之發光層。複數個子像素中之至少一個具有複數個發光區域，上述複數個發光區域係包含形狀、大小及配置朝向中之至少一者為彼此不同之2個以上的發光區域。

Description

顯示裝置及電子機器
本揭示係關於一種具有電流驅動型顯示元件之顯示裝置及包括此種顯示裝置之電子機器。
近年來，於進行圖像顯示之顯示裝置之領域中，使用有電流驅動型光學元件例如有機EL(Electro Luminescence，電致發光)元件作為發光元件之顯示裝置(有機EL顯示裝置)已被開發，且正實現商品化，該電流驅動型光學元件之發光亮度會根據流動之電流的值而發生變化。與液晶元件等不同，發光元件為自發光元件，無需另外設置光源(背光源)。因此，有機EL顯示裝置與需要光源之液晶顯示裝置相比較，具有圖像視認性高、消耗電力低且元件響應速度快等特徵。
於此種有機EL顯示裝置中，存在為了提高亮度而於開口部(發光區域)周圍設置有反射器者。例如於專利文獻1中揭示有如下有機EL顯示裝置，其於子像素內細密地填充配置有於周圍設置有反射器之開口部。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2013-58324號公報
然而，一般希望顯示裝置之畫質高，且期待進一步提高畫質。
因此，較為理想的是提供可提高畫質之顯示裝置及電子機器。
本揭示之一實施形態中之顯示裝置包括像素。上述像素具有複數個子像素，該子像素包含單一之第1電極、設置於第1電極之積層方向之單一之第2電極、及插設於第1電極與第2電極之間之發光層。複數個子像素中之至少一個具有複數個發光區域，上述複數個發光區域係包含形狀、大小及配置朝向中之至少一者為彼此不同之2個以上的發光區域。
本揭示之一實施形態中之電子機器包括上述顯示裝置，例如相當於電視裝置、數位相機、個人電腦、視訊攝影機或行動電話等行動終端裝置等。
本揭示之一實施形態中之顯示裝置及電子機器中，於像素中形成有複數個子像素，該子像素包含單一之第1電極、單一之第2電極、及發光層。上述複數個子像素中之至少一個係具有形狀、大小及配置朝向中之至少一者為彼此不同之2個以上的發光區域。
根據本揭示之一實施形態中之顯示裝置及電子機器，於複數個子像素中之至少一個中，設置有形狀、大小及配置朝向中之至少一者不同之2個以上的發光區域，因此可提高畫質。
1‧‧‧顯示裝置
1H‧‧‧一水平期間
10、30、40、50‧‧‧顯示部
11、11B、11G、11R、11W、12B、12G、12R、12W、13B、13G、13R‧‧‧子像素
15B、15G、15R、15W‧‧‧電路區域
19‧‧‧發光元件
20‧‧‧驅動部
21‧‧‧影像信號處理部
22‧‧‧時序產生部
23‧‧‧掃描線驅動部
26‧‧‧電源線驅動部
27‧‧‧資料線驅動部
200、220‧‧‧基板
201‧‧‧閘極
202、204、211、213、216、217、317‧‧‧絕緣層
203‧‧‧多晶矽
205‧‧‧觸點/配線
212、212B、212G、212R、212W‧‧‧陽極
214、320‧‧‧發光層
215‧‧‧陰極
218‧‧‧彩色濾光片
219‧‧‧黑矩陣
314‧‧‧黃色發光層
315‧‧‧藍色發光層
510‧‧‧影像顯示畫面部
511‧‧‧前面板
512‧‧‧濾光玻璃
Cs‧‧‧電容元件
d‧‧‧配置間距
DRTr‧‧‧驅動電晶體
DS‧‧‧電源信號
DTL‧‧‧資料線
H‧‧‧高度
L1~L4‧‧‧光線
LB‧‧‧藍色之反射光
LG‧‧‧綠色之反射光
LI‧‧‧外部光
LO‧‧‧反射光
LR‧‧‧紅色之反射光
n‧‧‧次數
P1‧‧‧初始化期間
P2‧‧‧Vth修正期間
P3、P5‧‧‧寫入．μ修正期間
P4、P6‧‧‧發光期間
Pat1~Pat8‧‧‧配置圖案
Pix‧‧‧像素
PL‧‧‧電源線
PS‧‧‧傾斜部分
R1、R2‧‧‧寬度
S1~S8‧‧‧步驟
Sdisp、Sdisp2‧‧‧影像信號
Sig‧‧‧信號
Ssync‧‧‧同步信號
t1~t9‧‧‧時序
Vcath‧‧‧陰極電壓
Vccp、Vini、Vofs‧‧‧電壓
Vg‧‧‧閘極電壓
Vs‧‧‧源極電壓
VsigR、VsigW‧‧‧像素電壓
Vth‧‧‧臨限值電壓
W1~W3‧‧‧光罩部分
WIN、WIN1~WIN3‧‧‧開口部
WSA、WSB‧‧‧掃描信號
WSAL、WSBL‧‧‧掃描線
WSTr‧‧‧寫入電晶體
α‧‧‧入射角
β‧‧‧反射角
圖1係表示本揭示之實施形態之顯示裝置之一構成例的方塊圖。
圖2係表示圖1所示之顯示部中之子像素之配置的模式圖。
圖3係表示圖1所示之顯示部之一構成例之電路圖。
圖4係表示圖1所示之顯示部之概略剖面構造之剖面圖。
圖5係表示圖1所示之顯示部中之子像素之構成的說明圖。
圖6係表示圖1所示之顯示部中之陽極之配置的一例之俯視圖。
圖7係表示第1實施形態之顯示部中之開口部之配置的一例之俯視圖。
圖8係表示圖4所示之開口部之一構成例之剖面圖。
圖9(A)~(H)係表示圖2所示之顯示裝置之一動作例之時序波形圖。
圖10係表示圖4所示之開口部中之光線之說明圖。
圖11A係表示圖4所示之開口部中之光線之其他說明圖。
圖11B係表示圖4所示之開口部中之光線之其他說明圖。
圖11C係表示圖4所示之開口部中之光線之其他說明圖。
圖12A係表示圖4所示之開口部中之光線之其他說明圖。
圖12B係表示圖4所示之開口部中之光線之其他說明圖。
圖13係表示比較例之顯示部中之開口部之配置的一例之俯視圖。
圖14係用於說明外部光之繞射之說明圖。
圖15係用於說明外部光之繞射之其他說明圖。
圖16係表示反射角之繪圖。
圖17係表示圖1所示之顯示裝置之製造步驟之流程圖。
圖18係表示用於產生開口部之光罩之一構成例之俯視圖。
圖19係用於對第1實施形態之變化例之開口部之配置圖案進行說明的說明圖。
圖20係用於對第1實施形態之其他變化例之開口部之配置圖案進行說明的說明圖。
圖21係用於對第1實施形態之其他變化例之開口部之配置圖案進行說明的說明圖。
圖22係表示反射角之繪圖。
圖23係表示第1實施形態之其他變化例之顯示部中之開口部的配置之一例之俯視圖。
圖24係表示第1實施形態之其他變化例之顯示部中之開口部的配置之一例之俯視圖。
圖25A係表示第1實施形態之其他變化例之開口部之一例的俯視圖。
圖25B係表示第1實施形態之其他變化例之開口部之其他例的俯視圖。
圖25C係表示第1實施形態之其他變化例之開口部之其他例的俯視圖。
圖25D係表示第1實施形態之其他變化例之開口部之其他例的俯視圖。
圖25E係表示第1實施形態之其他變化例之開口部之其他例的俯視圖。
圖26係表示第1實施形態之其他變化例之顯示部之概略剖面構造的剖面圖。
圖27係表示第1實施形態之其他變化例之顯示部之概略剖面構造的剖面圖。
圖28係表示圖27所示之顯示部中之子像素之構成的說明圖。
圖29係表示第1實施形態之其他變化例之顯示部中之子像素的配置之模式圖。
圖30係表示第1實施形態之其他變化例之顯示部中之子像素的配置之模式圖。
圖31A係表示第1實施形態之其他變化例之光罩之一構成例的俯視圖。
圖31B係表示第1實施形態之其他變化例之光罩之一構成例的俯視圖。
圖32係表示第1實施形態之其他變化例之光罩之一構成例的俯視圖。
圖33A係表示第1實施形態之其他變化例之光罩之一構成例的俯 視圖。
圖33B係表示第1實施形態之其他變化例之光罩之一構成例的俯視圖。
圖34係表示第1實施形態之其他變化例之光罩之一構成例的俯視圖。
圖35係表示菲波那扯螺旋之說明圖。
圖36係表示第1實施形態之其他變化例之光罩之一構成例的俯視圖。
圖37係表示第2實施形態之顯示部中之開口部之配置之一例的俯視圖。
圖38係表示第2實施形態之變化例之顯示部中之開口部的配置之一例之俯視圖。
圖39A係表示第2實施形態之變化例之顯示部中之開口部的配置之一例之俯視圖。
圖39B係表示第2實施形態之變化例之顯示部中之開口部的配置之其他例之俯視圖。
圖39C係表示第2實施形態之變化例之顯示部中之開口部的配置之其他例之俯視圖。
圖39D係表示第2實施形態之變化例之顯示部中之開口部的配置之其他例之俯視圖。
圖40係表示應用有實施形態之顯示裝置之電視裝置之外觀構成的立體圖。
圖41係表示其他變化例之子像素之一構成例之電路圖。
圖42係表示其他變化例之子像素之一構成例之電路圖。
以下，參照圖式詳細地說明本揭示之實施形態。再者，依照以 下順序進行說明。
1.第1實施形態 2.第2實施形態 3.應用例 <1.第1實施形態> [構成例]
圖1表示第1實施形態之顯示裝置之一構成例。顯示裝置1係使用有機EL元件之主動矩陣方式之顯示裝置。再者，本揭示之實施形態之顯示裝置之製造方法由本實施形態體現，因此，與本實施形態一併進行說明。
顯示裝置1包括顯示部10與驅動部20。驅動部20具有影像信號處理部21、時序產生部22、掃描線驅動部23、電源線驅動部26、及資料線驅動部27。
顯示部10係呈矩陣狀地配置有複數個像素Pix者。如下所示，像素Pix包含紅色、綠色、藍色、白色之4個子像素11。
圖2表示顯示部10中之子像素11之配置之一例。各像素Pix具有紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)、白色(W)之4個子像素11R、11G、11B、11W。於該例中，上述4個子像素11R、11G、11B、11W在像素Pix中以2列2行配置。具體而言，於像素Pix中，將紅色(R)之子像素11R配置於左上方，將綠色(G)之子像素11G配置於右上方，將白色(W)之子像素11W配置於左下方，將藍色(B)之子像素11B配置於右下方。再者，雖推薦如上所述之配置，但4個子像素11R、11G、11B、11W之配置並不限定於此，亦可為其他配置。
圖3表示顯示部10之電路構成之一例。顯示部10具有沿著列方向延伸之複數條掃描線WSAL、WSBL及複數條電源線PL、與沿著行方向延伸之複數條資料線DTL。掃描線WSAL、WSBL之一端連接於掃 描驅動部23，電源線PL之一端連接於電源線驅動部26，資料線DTL之一端連接於資料線驅動部27。屬於一個像素Pix之子像素11R與子像素11G連接於相同之掃描線WSAL，屬於一個像素Pix之子像素11B與子像素11W連接於相同之掃描線WSBL。又，屬於一個像素Pix之子像素11R與子像素11W連接於相同之資料線DTL，屬於一個像素Pix之子像素11G與子像素11B連接於相同之資料線DTL。又，屬於一個像素Pix之4個子像素11R、11G、11B、11W連接於相同之電源線PL。
其次，以子像素11R為例，說明子像素11之電路構成。再者，子像素11G、11B、11W之電路構成亦相同。
子像素11R包括寫入電晶體WSTr、驅動電晶體DRTr、電容元件Cs、及發光元件19。寫入電晶體WSTr及驅動電晶體DRTr例如包含N通道MOS(Metal Oxide Semiconductor，金屬氧化物半導體)型TFT(Thin Film Transistor：薄膜電晶體)。於子像素11R中，寫入電晶體WSTr之閘極連接於掃描線WSAL，源極連接於資料線DTL，汲極連接於驅動電晶體DRTr之閘極及電容元件Cs之一端。驅動電晶體DRTr之閘極連接於寫入電晶體WSTr之汲極及電容元件Cs之一端，汲極連接於電源線PL，源極連接於電容元件Cs之另一端及發光元件19之陽極。電容元件Cs之一端連接於驅動電晶體DRTr之閘極及寫入電晶體WSTr之汲極，另一端連接於驅動電晶體DRTr之源極及發光元件19之陽極。發光元件19係使用有機EL元件而構成且射出紅色(R)光之發光元件，陽極連接於驅動電晶體DRTr之源極及電容元件Cs之另一端，陰極藉由驅動部20而被供給陰極電壓Vcath。
圖4表示顯示部10中之子像素11之剖面圖。顯示部10具有基板200、閘極201、多晶矽203、陽極212、絕緣層213、發光層214、陰極215、絕緣層216、及彩色濾光片218。
基板200係顯示部10之支持基板，例如包含玻璃或塑膠等。於基 板200上形成有閘極201。該閘極201例如包含鉬(Mo)等。於基板200及閘極201上形成有絕緣層202。該絕緣層202例如包含氧化矽(SiO2)或氮化矽(SiNx)等。於該絕緣層202上，在對應於閘極201之區域形成有多晶矽203。閘極201及多晶矽203構成驅動電晶體DRTr等。再者，於該例中，藉由於閘極201之上部形成多晶矽203之所謂之底閘極構造而構成電晶體，但並不限定於此，亦可藉由於閘極之下部形成多晶矽之所謂之頂閘極構造而構成電晶體。於多晶矽203及絕緣層202上形成有絕緣層204。該絕緣層204例如包含與絕緣層202相同之材料。又，於形成有多晶矽203之區域之一部分，以貫通絕緣層204之方式形成有觸點/配線205。配線205例如可包含鈦(Ti)/鋁(Al)/鈦(Ti)該3層。
於絕緣層204上形成有絕緣層211。絕緣層211例如包含聚醯亞胺或丙烯酸系樹脂等。於絕緣層211上形成有陽極212。陽極212貫通絕緣層211而與和驅動電晶體DRTr之源極關聯之觸點/配線205連接。陽極212例如包含ITO(Indium Tin Oxide，氧化銦錫)/Al合金、Al合金、ITO/Ag、ITO/Ag合金等。即，較為理想的是陽極212具有對光進行反射之性質。於陽極212及絕緣層211上形成有絕緣層213。絕緣層213例如包含與絕緣層211相同之材料。於該絕緣層213中，在形成有陽極212之區域之一部分設置有複數個開口部WIN。於陽極212及絕緣層213之上部，以覆蓋複數個開口部WIN之方式形成有發光層214。發光層214係發出與上述子像素11對應之顏色(紅色、綠色、藍色、白色)之光的有機EL層。具體而言，於對應於子像素11R之區域形成有發出紅色(R)光之發光層214，於對應於子像素11G之區域形成有發出綠色(G)光之發光層214，於對應於子像素11B之區域形成有發出藍色(B)光之發光層214，於對應於子像素11W之區域形成有發出白色(W)光之發光層214。於絕緣層213及發光層214上，同樣地形成有陰極215。陰極215係透明或半透明之電極，例如可由銀化鎂(MgAg)或IZO(註冊商標) 構成。於由銀化鎂構成之情形時，可藉由將膜厚例如設為數奈米(nm)左右而使該陰極215半透明。於由IZO構成之情形時，較為理想的是以例如數十奈米(nm)~數千奈米(nm)之膜厚形成該陰極215。即，IZO為透明材料，因此，可將該陰極215形成得稍厚，以便能夠實現所期望之較低之薄片電阻值。於該例中，在陰極215上形成有絕緣層216。 絕緣層216例如包含氮化矽(SiNx)等。絕緣層216包含折射率與絕緣層213之折射率不同之材料。具體而言，如下所述，絕緣層213、216之折射率係以於包圍開口部WIN之絕緣層213之傾斜部分PS，反射自絕緣層216側射入之光的方式進行設定。又，該絕緣層216亦具有如下功能，即，防止水分侵入至發光層214而導致發光效率等特性發生變化。該絕緣層216介隔密封用之樹脂即絕緣層217而與基板220貼合，該基板220於表面形成有彩色濾光片218或黑矩陣219。具體而言，於對應於子像素11R之部分形成有紅色之彩色濾光片218，於對應於子像素11G之部分形成有綠色(G)之彩色濾光片218，於對應於子像素11B之部分形成有藍色(B)之彩色濾光片218，於對應於子像素11W之部分形成有白色(W)之彩色濾光片218。
藉由該構成，自發光層214射出之紅色、綠色、藍色及白色之光向與作為支持基板之基板200相反之方向前進。即，發光元件19係所謂之頂部發射型發光元件。而且，該光經由彩色濾光片218而自顯示面輸出。具體而言，於子像素11R中，藉由紅色(R)之彩色濾光片218而調整紅色(R)光之色域，於子像素11G中，藉由綠色(G)之彩色濾光片218而調整綠色(G)光之色域，於子像素11B中，藉由藍色(B)之彩色濾光片218而調整藍色(B)光之色域，於子像素11W中，藉由白色(W)之彩色濾光片218而調整白色(W)光之色域。再者，於對畫質(色域)之要求不太高之應用等中，亦可不設置上述彩色濾光片218。
圖5模式性地表示像素Pix中之4個子像素11之構成。於紅色(R)之 子像素11R中，自紅色之發光層214射出之紅色光通過紅色之彩色濾光片218。同樣地，於綠色(G)之子像素11G中，自綠色之發光層214射出之綠色光通過綠色之彩色濾光片218，於藍色(B)之子像素11B中，自藍色之發光層214射出之藍色光通過藍色之彩色濾光片218，於白色(W)之子像素11W中，自白色之發光層214射出之白色光通過白色之彩色濾光片218。
圖6表示像素Pix中之陽極212之配置。於像素Pix中設置有4個電路區域15R、15G、15B、15W、與4個陽極212R、212G、212B、212W。
電路區域15R係子像素11R中之配置發光元件19以外之元件(寫入電晶體WSTr、驅動電晶體DRTr及電容元件Cs)之區域。同樣地，電路區域15G係子像素11G中之配置發光元件19以外之元件之區域，電路區域15B係子像素11B中之配置發光元件19以外之元件之區域，電路區域15W係子像素11W中之配置發光元件19以外之元件之區域。於該例中，除與掃描線WSAL、WSBL及電源線PL連接之連接部分以外，電路區域15R、15G、15B、15W之佈局大致相同。再者，並不限定於此，取而代之，例如電路區域15R、15G之佈局可為使電路區域15B、15W之佈局上下反轉而成之佈局，亦可為各自完全不同之其他佈局。如此，使相同佈局旋轉或反轉而沿用該佈局，藉此，可提高佈局作業之效率。
陽極212R為子像素11R之陽極，陽極212G為子像素11G之陽極，陽極212B為子像素11B之陽極，陽極212W為子像素11W之陽極。上述陽極212R、212G、212B、212W分別經由觸點205而與形成於電路區域15R、15G、15B、15W之驅動電晶體DRTr之源極連接。於該例中，觸點205係具有正方形之形狀者，其配置於陽極212R、212G、212B、212W之左上方。
圖7模式性地表示各陽極212中之開口部WIN之配置。如圖6所示，各陽極212R、212G、212B、212W係分別隔開地形成，但於該圖7中，為便於說明，以鄰接之方式描繪該等。於陽極212R、212G、212B、212W之各者，隨機地配置有各種形狀之複數個開口部WIN。即，開口部WIN各者並非為彼此相同之形狀，又，該形狀為圓形、橢圓形、及該等結合而成之形狀等各種形狀。再者，該橢圓形並不限定於嚴格定義之橢圓形，含義為僅使圓形變細長之形狀之程度。又，上述複數個開口部WIN以不具有例如沿著特定方向整齊地配置等明確之規則性之方式配置於各陽極212。再者，於該例中，使各開口部WIN之面積彼此大致相等。藉此，可容易地決定製造時之光微影條件。該等開口部WIN配置於與形成有觸點205之位置不同之位置。又，於該例中，在陽極212R、212G、212B、212W各者，以相同之配置圖案Pat而配置有複數個開口部WIN。
圖8表示開口部WIN之主要部分剖面構造。絕緣層213係以高度H之厚度形成，於該絕緣層213之開口部分，陽極212側之寬度R1小於顯示面側之寬度R2。即，於絕緣層213中，以包圍開口部WIN之方式而設置有傾斜部分PS。藉此，如下所述，自開口部WIN中之發光層214射出且朝向傾斜部分PS之光因絕緣層213與絕緣層216之折射率差異，於該傾斜部分PS反射，並向顯示面之正面方向前進。即，該傾斜部分PS係作為使自發光層214射出之光反射之所謂之反射器而發揮功能者。其結果，於顯示部10中，可提高光向外部之提取效率。為了使該傾斜部分PS效率良好地對光進行反射，較為理想的是絕緣層216之折射率n1、與絕緣層213之折射率n2例如滿足以下之式。
1.1≦n1≦1.8…(1)
n1-n2≧0.20…(2)
於圖1等中，影像信號處理部21對自外部供給之影像信號Sdisp進 行自RGB信號轉換為RGBW信號之轉換或伽馬轉換等特定處理，且產生影像信號Sdisp2。
時序產生部22為如下電路，其根據自外部供給之同步信號Ssync而分別對掃描線驅動部23、電源線驅動部26及資料線驅動部27供給控制信號，以使該等彼此同步地進行動作之方式而進行控制。
掃描線驅動部23根據自時序產生部22供給之控制信號，對複數條掃描線WSAL依序施加掃描信號WSA，並且對複數條掃描線WSBL依序施加掃描信號WSB，藉此，依序選擇子像素11。
電源線驅動部26根據自時序產生部22供給之控制信號，對複數條電源線PL依序施加電源信號DS，藉此，對子像素11之發光動作及消光動作進行控制。電源信號DS係於電壓Vccp與電壓Vini之間轉變之信號。如下所述，電壓Vini係用於使子像素11初始化之電壓，電壓Vccp係用於使電流流入至驅動電晶體DRTr而使發光元件19發光之電壓。
資料線驅動部27根據自影像信號處理部21供給之影像信號Sdisp2及自時序產生部22供給之控制信號，產生信號Sig並將該信號Sig施加至各資料線DTL，該信號Sig包含指示各子像素11之發光亮度之像素電壓Vsig、及用於進行後述之Vth修正之電壓Vofs。
藉由該構成，如下所述，驅動部20對子像素11進行修正(Vth修正及μ(移動度)修正)，且對子像素11寫入像素電壓Vsig，該修正(Vth修正及μ(移動度)修正)係用於抑制驅動電晶體DRTr之元件偏差對畫質造成之影響。其後，子像素11之發光元件19以根據所寫入之像素電壓Vsig之亮度而發光。
此處，陽極212對應於本揭示中之「第1電極」之一具體例。陰極215對應於本揭示中之「第2電極」之一具體例。開口部WIN對應於本揭示中之「發光區域」之一具體例。絕緣層213對應於本揭示中之 「第1絕緣層」之一具體例。絕緣層216對應於本揭示中之「第2絕緣層」之一具體例。子像素11R、11G、11B對應於本揭示中之「第1子像素、第2子像素及第3子像素」之一具體例。子像素11W對應於本揭示中之「第4子像素」之一具體例。
[動作與作用]
繼而，說明本實施形態之顯示裝置1之動作與作用。
(整體動作概要)
首先，參照圖1說明顯示裝置1之整體動作概要。影像信號處理部21對自外部供給之影像信號Sdisp進行特定處理，且產生影像信號Sdisp2。時序產生部22根據自外部供給之同步信號Ssync而分別對掃描線驅動部23、電源線驅動部26及資料線驅動部27供給控制信號，以使該等驅動部彼此同步地進行動作之方式進行控制。掃描線驅動部23根據自時序產生部22供給之控制信號，對複數條掃描線WSAL依序施加掃描信號WSA，並且對複數條掃描線WSBL依序施加掃描信號WSB，藉此依序選擇子像素11。電源線驅動部26根據自時序產生部22供給之控制信號，對複數條電源線PL依序施加電源信號DS，藉此對子像素11之發光動作及消光動作進行控制。資料線驅動部27根據自影像信號處理部21供給之影像信號Sdisp2及自時序產生部22供給之控制信號，產生信號Sig並將該信號Sig施加至各資料線DTL，該信號Sig包含對應於各子像素11之亮度之像素電壓Vsig、及用於進行Vth修正之電壓Vofs。顯示部10根據自驅動部20供給之掃描信號WSA、WSB、電源信號DS及信號Sig而進行顯示。
(詳細動作)
其次，以屬於一個像素Pix之2個子像素11R、11W為例，說明顯示裝置1之詳細動作。
圖9表示子像素11R、11W之動作之時序圖，圖9(A)表示掃描信號 WSA之波形，圖9(B)表示掃描信號WSB之波形，圖9(C)表示電源信號DS之波形，圖9(D)表示信號Sig之波形，圖9(E)表示子像素11R中之驅動電晶體DRTr之閘極電壓Vg之波形，圖9(F)表示子像素11R中之驅動電晶體DRTr之源極電壓Vs之波形，圖9(G)表示子像素11W中之驅動電晶體DRTr之閘極電壓Vg之波形，圖9(H)表示子像素11W中之驅動電晶體DRTr之源極電壓Vs之波形。於圖9(C)~圖9(F)中，使用相同之電壓軸表示各波形，同樣地，於圖9(G)、圖9(H)中，使用相同之電壓軸表示各波形。再者，為便於說明，在與圖9(G)、圖9(H)相同之電壓軸上，表示與電源信號DS(圖9(C))及信號Sig(圖9(D))之波形相同之波形。
驅動部20於一水平期間(1H)內，進行子像素11R、11W之初始化(初始化期間P1)，且進行用於抑制驅動電晶體DRTr之元件偏差對畫質造成之影響的Vth修正(Vth修正期間P2)。其後，對子像素11R寫入像素電壓VsigR，並且進行與Vth修正不同之μ(移動度)修正(寫入．μ修正期間P3)，子像素11R之發光元件19以對應於所寫入之像素電壓VsigR之亮度而發光(發光期間P4)。其後，同樣對子像素11W寫入像素電壓VsigW，並且進行μ(移動度)修正(寫入．μ修正期間P5)，子像素11W之發光元件19以對應於所寫入之像素電壓VsigW之亮度而發光(發光期間P6)。以下，對上述內容之詳情進行說明。
首先，電源線驅動部26於初始化期間P1之前之時序t1，使電源信號DS自電壓Vccp變化為電壓Vini(圖9(C))。藉此，子像素11R、11W之驅動電晶體DRTr分別成為導通狀態，驅動電晶體DRTr之源極電壓Vs分別設定為電壓Vini(圖9(F)、圖9(H))。
其次，驅動部20於時序t2~時序t3之期間(初始化期間P1)，使子像素11R、11W初始化。具體而言，於時序t2，資料線驅動部27將信號Sig設定為電壓Vofs(圖9(D))，掃描線驅動部23使掃描信號WSA、 WSB之電壓分別自低位準變化為高位準(圖9(A)、圖9(B))。藉此，子像素11R、11W之寫入電晶體WSTr分別成為導通狀態，子像素11R、11W之驅動電晶體DRTr之閘極電壓Vg分別設定為電壓Vofs(圖9(E)、圖9(G))。如此，將子像素11R、11W之驅動電晶體DRTr之閘極-源極間電壓Vgs(=Vofs-Vini)分別設定為大於驅動電晶體DRTr之臨限值電壓Vth之電壓，且分別使子像素11R、11W初始化。
其次，驅動部20於時序t3~時序t4之期間(Vth修正期間P2)進行Vth修正。具體而言，電源線驅動部26於時序t3，使電源信號DS自電壓Vini變化為電壓Vccp(圖9(C))。藉此，子像素11R、11W之驅動電晶體DRTr於飽和區域進行動作，電流Ids分別自汲極流入至源極，源極電壓Vs分別上升(圖9(F)、圖9(H))。此時，於該例中，源極電壓Vs低於發光元件19之陰極之電壓Vcath，因此，發光元件19維持逆向偏壓狀態，電流不會流入至發光元件19。如此，源極電壓Vs上升，藉此，閘極-源極間電壓Vgs下降，因此電流Ids下降。藉由該負反饋動作，電流Ids逐步向“0”(零)收斂。換言之，子像素11R、11W之驅動電晶體DRTr之閘極-源極間電壓Vgs以變得與驅動電晶體DRTr之臨限值電壓Vth相等(Vgs=Vth)之方式而分別逐步收斂。
其次，掃描線驅動部23於時序t4，使掃描信號WSA、WSB之電壓分別自高位準變化為低位準(圖9(A)、圖9(B))。藉此，子像素11R、11W之寫入電晶體WSTr分別成為斷開狀態。與此同時，資料線驅動部27將信號Sig設定為像素電壓VsigR(圖9(D))。
其次，驅動部20於時序t5~時序t6之期間(寫入．μ修正期間P3)，對子像素11R寫入像素電壓VsigR，並且進行μ修正。具體而言，掃描線驅動部23於時序t5，使掃描信號WSA之電壓自低位準變化為高位準(圖9(A))。藉此，子像素11R之寫入電晶體WSTr成為導通狀態，子像素11R之驅動電晶體DRTr之閘極電壓Vg自電壓Vofs上升至像素電壓 VsigR(圖9(E))。此時，驅動電晶體DRTr之閘極-源極間電壓Vgs大於臨限值電壓Vth(Vgs>Vth)，電流Ids自汲極流向源極，因此，驅動電晶體DRTr之源極電壓Vs上升(圖9(F))。藉由此種負反饋動作，抑制驅動電晶體DRTr之元件偏差之影響(μ修正)，驅動電晶體DRTr之閘極-源極間電壓Vgs設定為對應於像素電壓Vsig之電壓Vemi。再者，此種μ修正之方法例如於日本專利特開2006-215213中有記載。
其次，驅動部20於時序t6以後之期間(發光期間P4)，使子像素11R發光。具體而言，於時序t6中，掃描線驅動部23使掃描信號WSA之電壓自高位準變化為低位準(圖9(A))。藉此，子像素11R之寫入電晶體WSTr成為斷開狀態，子像素11R之驅動電晶體DRTr之閘極成為浮動狀態，因此，其後維持電容元件Cs之端子間電壓，即驅動電晶體DRTr之閘極-源極間電壓Vgs。繼而，隨著電流Ids流入至驅動電晶體DRTr，驅動電晶體DRTr之源極電壓Vs上升(圖9(F))，驅動電晶體DRTr之閘極電壓Vg亦隨之上升(圖9(E))。接著，若驅動電晶體DRTr之源極電壓Vs大於發光元件19之臨限值電壓Vel與電壓Vcath之和(Vel+Vcath)，則電流會流入至發光元件19之陽極．陰極之間，發光元件19發光。即，源極電壓Vs上升對應於發光元件19之元件偏差之量，發光元件19發光。
其次，資料線驅動部27於時序t7，將信號Sig設定為像素電壓VsigW(圖9(D))。
其次，驅動部20於時序t8~時序t9之期間(寫入．μ修正期間P5)，對子像素11W寫入像素電壓VsigW，並且進行μ修正。具體而言，掃描線驅動部23於時序t8，使掃描信號WSB之電壓自低位準變化為高位準(圖9(B))。藉此，與寫入．μ修正期間P3之情形同樣地，對子像素11W寫入像素電壓VsigW，並且進行μ修正。
其次，驅動部20於時序t9以後之期間(發光期間P6)，使子像素 11W發光。具體而言，於時序t9，掃描線驅動部23使掃描信號WSB之電壓自高位準變化為低位準(圖9(B))。藉此，與發光期間P4之情形同樣地，子像素11W之發光元件19發光。
其後，顯示裝置1經過特定期間(一圖框期間)之後，自發光期間P4、P6移至寫入期間P1。驅動部20以重複進行上述一連串之動作之方式而驅動顯示部10。
(關於正面方向之亮度與視野角)
於顯示裝置1中，在子像素11中設置複數個開口部WIN，並且以包圍該等各者之方式在絕緣層213中設置有傾斜部分PS(反射器)。以下，詳細地說明該傾斜部分PS之作用。
圖10表示開口部WIN附近之光線之模擬結果之一例。該圖10表示自發光層214(下側)射出之光向顯示面側(上側)前進之情況。如圖10所示，光自開口部WIN中之發光層214向各個方向射出。具體而言，自發光層214射出之光例如向發光層214之法線方向(圖10之上方向)前進，或向偏離發光層214之法線方向之方向前進。向偏離發光層214之法線方向之方向前進之光中的一部分射入至絕緣層213之傾斜部分PS，繼而被反射。即，於該傾斜部分PS，如圖8所示，具有彼此不同之折射率之絕緣層213與絕緣層216介隔發光層214及陰極215而相鄰，因此，光因該折射率差異而被反射。繼而，該反射光向顯示面側前進，且被提取至顯示部10之外部。
如此，於顯示部10中，以包圍開口部WIN之方式而設置有傾斜部分PS，因此，可提高光向外部之提取效率。即，例如於未設置傾斜部分PS之情形時，向偏離發光層214之法線方向之方向射出之光有可能會於顯示部內減弱，或由黑矩陣219遮斷。於該情形時，自發光層214射出之光中，向顯示部外部提取之光之比率下降，從而導致光之提取效率下降。另一方面，於顯示部10中設置傾斜部分PS，且使該傾斜部 分PS反射光，因此，可提高光之提取效率。
其次，說明顯示部10中之絕緣層213之高度H、與顯示部10之正面方向之亮度及視野角之關係。
圖11A~圖11C表示開口部WIN中之光線，圖11A表示使絕緣層213之高度H升高後之情形，圖11B表示使高度H處於中等程度之情形，圖11C表示降低高度H後之情形。於圖11A~圖11C中，使開口部WIN之大小及傾斜部分PS之傾斜角度彼此相等。
於高度H較高之情形(圖11A)時，自發光層214射出之光線L1~光線L4因絕緣層213與絕緣層216之折射率差異，於傾斜部分PS反射，並向顯示面之正面方向前進。即，於該情形時，顯示裝置1之正面方向之亮度升高。
另一方面，於高度H為中等程度之情形(圖11B)時，傾斜部分PS之高度降低，因此，自發光層214射出之光線L1~光線L4中之光線L1、L4不射入至該傾斜部分PS而直接前進。進而，於高度H較低之情形(圖11C)時，更多之光線L1~光線L4不射入至傾斜部分PS而直接前進。即，於上述情形時，與高度H較高之情形(圖11A)相比較，不射入至傾斜部分PS而向偏離顯示面之法線方向之方向前進之光線增加，因此，顯示裝置1之視野角擴大。
如此，於顯示部10中，顯示部10之正面方向之亮度及視野角根據絕緣層213之高度H而發生變化。此時，正面方向之亮度與視野角處於此消彼長之關係。即，高度H越高，則越可使正面方向之亮度升高，另一方面，高度H越低，則越可擴大視野角。藉此，可藉由設定絕緣層213之高度H而調整顯示部10之正面方向之亮度與視野角之平衡。為了於可滿足與視野角相關之規格之範圍內，提高正面方向之亮度，例如較佳為使高度H與開口部WIN之寬度為相同程度。
又，於顯示部10中設置有複數個如上所述之開口部WIN，因此， 可減少製造成本。即，若設置複數個開口部WIN，則會使開口部WIN變小，因此，考慮到上述正面方向之亮度與視野角之平衡，可降低絕緣層213之高度H。藉此，可抑制用於形成絕緣層213之材料之量，並且可使形成絕緣層213時之時間(節拍)縮短。如此，於顯示部10中設置有複數個開口部WIN，因此，可減少製造成本。
又，於顯示部10中設置有複數個如上所述之開口部WIN，因此，可減少消耗電力。即，於顯示部10中設置複數個開口部WIN，藉此，與設置一個較大之開口部之情形相比較，開口率有可能會下降，但即使於此種情形時，如上所述，藉由提高光向外部之提取效率，亦可使子像素11之亮度同等。具體而言，例如即使於因設置複數個開口部WIN而導致開口率減半之情形時，藉由使光提取效率成為兩倍，亦可不改變發光層214中之電流密度而使子像素11之亮度同等。如此，維持發光層214中之電流密度而降低開口率，藉此可減少消耗電力。
又，例如即使於開口率減半之情形時，在將光提取效率增大2倍之情形下，亦可一面降低發光層214中之電流密度，一面使子像素11之亮度同等。於該情形時，可進一步減少消耗電力。此外，可抑制發光特性之時效劣化(aged deterioration)(所謂之燒印)。即，對於構成發光層214之有機EL層，一般而言，電流密度越高，則越容易產生時效劣化(aged deterioration)，因此，藉由以上述方式降低電流密度，不易產生時效劣化(aged deterioration)，且可提高畫質。
又，於顯示部10中，在陽極212各者隨機地配置有各種形狀之複數個開口部WIN，因此，可擴大視野角。以下，列舉橢圓形之開口部WIN作為一例而進行說明。
圖12A、圖12B表示橢圓形之開口部WIN中之光線，圖12A表示橢圓之短軸方向之剖面圖，圖12B表示橢圓之長軸方向之剖面圖。於橢圓形之開口部WIN中，在短軸方向與長軸方向上，光線之前進方式不 同。具體而言，於短軸方向上，更多之光線會被傾斜部分PS反射，因此，顯示部10之正面方向之亮度升高。另一方面，於長軸方向上，例如自開口部WIN之中心附近射出之光線中的大量之光線前進而不射入至傾斜部分PS。即，與短軸方向(圖12(A))相比較，於長軸方向(圖12(B))上，光線向更大範圍前進。
於顯示部10中，隨機地配置有各種形狀之複數個開口部WIN。 即，例如圖7所示，於各陽極212上，配置垂直方向(縱方向)上較長之橢圓形之開口部WIN、或水平方向(橫方向)上較長之橢圓形之開口部WIN等朝向各個方向的複數個橢圓形之開口部WIN。藉此，於顯示部10中，可提高顯示部10之正面方向之亮度，並且可擴大各個方向上之視野角。
(關於外部光反射)
電子機器於各種外部光條件下使用。具體而言，例如電視接收機或個人電腦之監視器通常於燈泡或螢光燈等已點燈之環境下使用，又，行動電話亦常常於太陽光照射之環境下使用。藉此，期望應用於該等電子機器之顯示裝置即使於如上所述之外部光環境下，其顯示畫面亦容易被看清。於顯示部10中，在陽極212各者隨機地配置有各種形狀之複數個開口部WIN，因此，如以下與比較例進行對比而進行之說明所述，可減小因外部光反射而導致顯示畫面難以被看清之可能性，從而可提高畫質。
(比較例)
其次，說明比較例之顯示裝置1S。本比較例係於陽極212各者，呈矩陣狀地配置有複數個正方形之開口部WIN者。其他構成與本實施形態(圖1等)相同。
圖13表示比較例之顯示部10S中之開口部WIN之配置。如此，於顯示部10S中，在各陽極212上，以配置間距d呈矩陣狀地配置有正方 形之開口部WIN。於白色之外部光射入至此種顯示部10S之情形時，因開口部WIN之週期性配置而產生繞射，該外部光向顯示面側反射，有可能會導致顯示畫面難以被看清。
圖14表示白色之子像素11W中之外部光LI之反射。於白色之子像素11W中，使大範圍波長之光通過之白色之彩色濾光片218設置於顯示面側，因此，白色之外部光LI射入至子像素11W之內部。於該例中，該外部光LI以入射角α射入。此時，外部光LI中，滿足以下式(3)之波長λ之成分之光相互加強，且以反射角β反射。
nλ=d(Sinα-Sinβ)…(3)
此處，n為次數且為1以上之整數(自然數)。藉此，外部光LI中所含之各種波長λ之光根據該波長λ，作為反射光LO向彼此不同之方向反射而被分光。
圖15模式性地表示白色之子像素11W中之分光，圖16表示反射角β之計算結果之一例。反射光LO遍及與外部光LI中所含之光之波長λ之範圍相對應的反射角β之範圍而擴散前進。圖15中表示其中之紅色之反射光LR、綠色之反射光LG、以及藍色之反射光LB。圖16表示配置間距d=10[μm]、入射角α=45[deg]、次數n=1~3之條件下的反射角β之計算結果。此處，將反射光LR之波長λ設為700[nm]，將反射光LG之波長λ設為546.1[nm]，將反射光LB之波長λ設為435.8[nm]。再者，並未記載次數n為4以上之情形(n≧4)，但實際上亦會產生該次數n之反射。如圖15、圖16所示，波長λ越長，則反射角β越小，另外，次數n越大，則反射角β越小。又，若亦考慮次數n≧4之情形，則於較大之反射角β之範圍內，光被反射。
另一方面，於子像素11R、11G、11B中，紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)之彩色濾光片218設置於顯示面側，因此，僅外部光LI中所含之該等顏色之光進入至子像素11R、11G、11B之內部，因開口部WIN之 週期性配置而繞射，繼而向顯示面側反射。藉此，不會產生如子像素11W之情形般之分光。然而，例如於子像素11R中，僅紅色光向特定方向(反射角β)被反射，於子像素11G中，僅綠色光向特定方向(反射角β)被反射，於子像素11B中，僅藍色光向特定方向(反射角β)被反射。
藉此，導致使用者在自各種反射角β之方向觀察顯示部10S之顯示畫面時，會看到與該反射角β相對應之顏色(波長)之反射光LO。具體而言，例如若自某方向觀察顯示畫面，則整個顯示畫面看上去大致為藍色。又，如此，於因反射光LO而導致顯示畫面難以被看清之情形時，為了避免此種狀況，使用者常常會傾斜例如應用有此種顯示部10S之行動電話。然而，於顯示部10S中，如上所述，反射角β之範圍較大，因此，導致例如會看到其他顏色(波長)之反射光LO。具體而言，例如於若自某方向觀察顯示畫面，則整個顯示畫面看上去大致為藍色之狀況下，當為了避免該狀況而傾斜行動電話時，此次，例如整個顯示畫面看上去大致為紅色。即，有無法容易地避免使用者因反射光LO而難以看清顯示畫面之狀況之虞。
另一方面，於本實施形態之顯示部10中，在陽極212各者隨機地配置有各種形狀之複數個開口部WIN。藉此，於顯示部10中，即使在有外部光LI之情形時，亦不易產生由複數個開口部WIN引起之繞射，因此，可減小因反射光LO而導致顯示畫面難以被看清之可能性，從而可提高畫質。
(關於製造方法)
其次，說明顯示裝置1之製造方法。
圖17表示顯示裝置1之製造方法之流程圖。於該製造步驟中，在形成有發光元件19以外之元件(寫入電晶體WSTr、驅動電晶體DRTr、及電容元件Cs)之TFT基板上，形成發光元件19或彩色濾光片218等。 以下，詳細地說明顯示裝置1之製造方法。
首先，製造形成有發光元件19以外之元件之TFT基板(步驟S1)。 具體而言，如圖4所示，於基板200上，藉由例如光微影而形成閘極201、絕緣層202、多晶矽203、絕緣層204、及觸點/配線205。於該TFT基板之製造中，可應用例如液晶顯示裝置等之製造中所使用之眾所周知之各種技術。
其次，形成絕緣層211(步驟S2)。此時，藉由光微影而進行圖案化，從而形成用於觸點205之觸孔。
其次，進行圖案化而形成陽極212(步驟S3)。此時，於上述觸孔中形成觸點205，該陽極212經由該觸點205而連接於多晶矽203。
其次，藉由光微影而進行圖案化，從而形成絕緣層213(步驟S4)。
圖18表示形成絕緣層213時所使用之光罩。該圖18僅表示該光罩中之對應於一個像素Pix之部分。以於圖18中之黑色所示之部分形成絕緣層213之方式，即以使白色所示之部分成為開口部WIN之方式進行光微影。於光微影中，一般而言，例如開口部WIN之角部分常常會變圓滑。藉此，如圖7所示，各開口部WIN成為帶有弧度之形狀。
可於CAD(Computer Aided Design，電腦輔助設計)工具中，例如利用沃羅諾伊圖而產生圖18所示之光罩圖案。即，例如產生複數個母點，且產生連接各母點之線段之垂直二等分線，藉此，可產生沃羅諾伊圖。此時，較佳為以使沃羅諾伊圖之各區域之面積彼此大致相同之方式而產生母點。如此，利用沃羅諾伊圖而產生光罩圖案，藉此，可藉由程式而產生光罩圖案，因此可容易地進行圖案設計。再者，並不限定於此，例如亦可由設計者於CAD工具上自行描繪圖案。
其次，形成發光層214(步驟S5)。發光層214係藉由蒸鍍如下發光材料而產生，該發光材料發出與各子像素11相對應之顏色(紅色、綠 色、藍色、白色)之光。於該蒸鍍步驟中，例如，使用與陽極212R、212G、212B、212W相對應之區域已分別開口之4塊光罩而進行蒸鍍。
其次，形成陰極215(步驟S6)。例如使用與顯示部10之有效顯示區域相對應之區域(area)已開口之所謂之區域光罩，遍及顯示部10整體而一致地形成陰極215。
其次，遍及顯示部10整體而一致地形成絕緣層216(步驟S7)。
其次，將形成有彩色濾光片218或黑矩陣219等之基板220貼合於步驟S7中所產生之基板(步驟S8)。具體而言，例如首先於真空中，在該等基板中之一方或兩方上，例如以包圍有效顯示區域之方式而形成密封部，且滴下貼合用之樹脂。其後，於真空中，使該等基板重合。 其後，降低真空度而恢復至大氣壓。藉此，滴下之樹脂於已密封之區域內擴散而成為絕緣層217，使該等基板貼合。再者，此時亦可進而機械性地施加壓力。
可藉由以上之流程而製造顯示裝置1。
[效果]
如上所述，於本實施形態中，隨機地配置有各種形狀之複數個開口部，因此，可降低因外部光反射而導致顯示畫面難以被看清之可能性，從而可提高畫質。
於本實施形態中，配置有各種形狀之複數個開口部，因此可擴大視野角，從而可提高畫質。
[變化例1-1]
於上述實施形態中，在4個子像素11R、11G、11B、11W(陽極212R、212G、212B、212W)上，均隨機地配置有各種形狀之複數個開口部WIN，但並不限定於此，例如亦可以下列方式取代：於4個子像素11中之至少一個子像素11中，隨機地配置各種形狀之複數個開口 部WIN，於其他子像素11中，則規則地配置特定之開口部WIN。
[變化例1-2]
於上述實施形態中，使開口部WIN之配置圖案Pat在子像素11之間彼此相同，但並不限定於此，例如亦可以下列方式取代：如圖19所示，使開口部WIN之配置圖案Pat在屬於一個像素Pix之4個子像素11之間彼此不同。於該例中，在子像素11R中以配置圖案Pat1而配置有開口部WIN，在子像素11G中以配置圖案Pat2而配置有開口部WIN，在子像素11W中以配置Pat3而配置有開口部WIN，在子像素11B中以配置圖案Pat4而配置有開口部WIN。此處，配置圖案Pat1~配置圖案Pat4分別係隨機地配置有各種形狀之複數個開口部WIN之配置圖案。再者，並不限定於此，例如亦可以下列方式取代：配置圖案Pat1~配置圖案Pat4中之至少一個配置圖案為隨機地配置有各種形狀之複數個開口部WIN之配置圖案，其他配置圖案例如為規則地配置有特定之開口部WIN之配置圖案。
[變化例1-3]
於上述實施形態中，使開口部WIN之配置圖案Pat在像素Pix之間彼此相同，但並不限定於此，例如亦可以下列方式取代：如圖20、圖21所示，使開口部WIN之配置圖案Pat在相鄰之像素Pix之間彼此不同。於圖20之例中，在屬於某像素Pix之4個子像素11中，以配置圖案Pat1而配置有開口部WIN，在屬於沿著該像素Pix之垂直方向(縱方向)及水平方向(橫方向)相鄰之像素Pix之4個子像素11中，以配置圖案Pat2而配置有開口部WIN。此處，配置圖案Pat1、Pat2分別係隨機地配置有各種形狀之複數個開口部WIN之配置圖案。又，於圖21之例中，在屬於某像素Pix之4個子像素11中，如變化例1-2般，以配置圖案Pat1~配置圖案Pat4而配置有開口部WIN，在屬於沿著該像素Pix之垂直方向及水平方向相鄰之像素Pix之4個子像素11中，同樣以配置圖 案Pat5~配置圖案Pat8而配置有開口部WIN。此處，配置圖案Pat1~配置圖案Pat8分別係隨機地配置有各種形狀之複數個開口部WIN之配置圖案。根據此種構成，如下所示，可進一步減少由像素Pix之間距(像素間距)引起之外部光反射。
圖22表示於全部之像素Pix中使配置圖案Pat彼此相同時之反射角β之計算結果的一例。於該例中，將像素間距設為60[μm]。即使於該情形時，亦與圖16之情形同樣地，波長λ越長，則反射角β越小，另外，次數n越大，則反射角β越小。再者，於該情形時，與圖16之情形相比較，反射角β之範圍狹窄，因此亦存在如下情形，即，使用者例如藉由傾斜行動電話，可避免因反射光而導致顯示畫面難以被看清之狀況。然而，依然存在顯示畫面難以被看清之狀況。
另一方面，於本變化例中，使開口部WIN之配置圖案Pat在相鄰之像素Pix之間彼此不同，因此，可減少由像素間距引起之外部光反射，從而可減小因反射光LO而導致顯示畫面難以被看清之可能性。
又，於圖20、圖21之例中，配置圖案Pat1~配置圖案Pat8分別設為隨機地配置有各種形狀之複數個開口部WIN之配置圖案，但並不限定於此。例如於圖20之例中，配置圖案Pat1、Pat2該兩者亦可為規則地配置有特定之開口部WIN之配置圖案。將該情形之例表示於圖23。於該例中，在各陽極212上，藉由所謂之細密填充配置而配置有複數個圓形之開口部WIN。而且，開口部WIN之大小在沿著垂直方向(縱方向)及水平方向(橫方向)相鄰之像素Pix之間彼此不同。即使於該情形時，亦可減少由像素間距引起之外部光反射，從而可減小因反射光LO而導致顯示畫面難以被看清之可能性。
[變化例1-4]
於上述實施形態中，使複數個開口部WIN之面積彼此大致相等，但並不限定於此，取而代之，面積亦可根據開口部WIN而有所不同。 於該情形時，即使於存在外部光LI之情形下，亦更不易產生由複數個開口部WIN引起之繞射，因此，可進一步減小因反射光LO而導致顯示畫面難以被看清之可能性。
[變化例1-5]
於上述實施形態中，隨機地配置有各種形狀之複數個開口部WIN，但並不限定於此，例如亦可以下列方式取代：如圖24所示，以特定圖案而規則地配置各種形狀之複數個開口部WIN。於該例中，以包圍開口部WIN1之方式，將6個橢圓形之開口部WIN2配置於圓形之開口部WIN1周圍。即，與所謂之細密填充配置同樣地，彼此相鄰地配置開口部WIN1、WIN2中之3個開口部。而且，以使朝向彼此不同之方式而配置上述6個橢圓形之開口部WIN2。即使於以上述方式配置開口部WIN1、WIN2之情形時，與比較例之情形相比較，亦不易產生繞射，因此，可進一步減小因反射光LO而導致顯示畫面難以被看清之可能性。又，橢圓形之開口部WIN2之朝向彼此不同，因此，可擴大視野角。
再者，於該例中，使用有圓形之開口部WIN1及橢圓形之開口部WIN2，但並不限定於此，亦可使用如圖25A~圖25E所示之各種形狀之開口部。具體而言，例如可如圖25A所示，將開口部WIN之形狀設為使正方形之角變圓滑而成之形狀，可如圖25B所示，將開口部WIN之形狀設為使長方形之角變圓滑而成之形狀，亦可如圖25C~圖25E所示，將開口部WIN之形狀設為組合複數個橢圓而成之形狀。
[變化例1-6]
於上述實施形態中，如圖4所示，於陰極215上形成有絕緣層216，但並不限定於此。該絕緣層216具有如下功能，即，防止水分侵入至發光層214而導致發光效率等特性發生變化，但於可藉由其他技術而解決由該水分侵入引起之各問題之情形時，如圖26所示，亦可省 略絕緣層216。於該例中，陰極215介隔作為密封用之樹脂之絕緣層317而與基板220貼合，該基板220於表面形成有彩色濾光片218或黑矩陣219。與上述實施形態中之絕緣層213、216同樣地，設定絕緣層213、317之折射率，以於包圍開口部WIN之絕緣層213之傾斜部分PS，反射自發光層214射出之光。具體而言，較為理想的是當將絕緣層317之折射率設為n1，且將絕緣層213之折射率設為n2時，滿足式(1)、(2)。
[變化例1-7]
於上述實施形態中，如圖4、圖5所示，設置有發出紅色光、藍色光、綠色光、白色光之發光層214，但並不限定於此，如圖27、圖28所示，亦可設置發出白色光之發光層320。發光層320包含黃色發光層314及藍色發光層315。於該例中，黃色發光層314配置於陽極212側，藍色發光層315配置於陰極215側。黃色發光層314為發出黃色光之有機EL層，藍色發光層315為發出藍色光之有機EL層。自黃色發光層314射出之黃色光、與自藍色發光層315射出之藍色光經過混合而成為白色光。而且，如圖28所示，於子像素11R、11G、11B中，藉由紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)之彩色濾光片218而自該白色光分別分離出紅色成分、綠色成分、藍色成分且加以輸出。又，於子像素11W中，藉由白色(W)之彩色濾光片218而調整白色光之色域。再者，於該例中，在發光層320上，將黃色發光層314配置於陽極212側，並且將藍色發光層315配置於陰極215側，但並不限定於此，取而代之，例如亦可將黃色發光層314配置於陰極215側，並且將藍色發光層315配置於陽極212側。
[變化例1-8]
於上述實施形態中，使用有如下顯示部10，該顯示部10於像素Pix中配置有2列2行之子像素11R、11G、11B、11W，但並不限定於 此。以下，詳細地說明本變化例。
圖29表示變化例之顯示部30之一構成例。各像素Pix具有紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)、白色(W)之4個子像素12(12R、12G、12B、12W)。各子像素12係具有六邊形之形狀者。於該例中，在像素Pix中沿著垂直方向(縱方向)並排地配置有子像素12R與子像素12W，且沿著垂直方向並排地配置有子像素12G與子像素12B。又，於垂直方向上，與子像素12G、12B錯開相當於半個子像素12之量而配置子像素12R、12W。具體而言，在像素Pix中，將子像素12G配置於子像素12R之右上方，且將子像素12B配置於子像素12W之右上方。換言之，於顯示部30中，彼此相鄰地配置有3個子像素12。
圖30表示其他變化例之顯示部40之一構成例。各像素Pix具有紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)之3個子像素13(13R、13G、13B)。各子像素13具有沿著垂直方向(縱方向)延伸之長方形之形狀。於該顯示部40中，沿著水平方向(橫方向)將3個子像素13R、13G、13B依序並排設置於像素Pix中。
即使於此種情形時，將各種形狀之複數個開口部WIN隨機地配置於與各子像素12、13相對應之陽極212，藉此，亦可獲得與上述實施形態之情形相同之效果。
[變化例1-9]
於上述實施形態中，使用如圖18所示之光罩而進行光微影。此時，以於圖18中之黑色所示之部分形成絕緣層213之方式，即以使白色所示之部分成為開口部WIN之方式而進行光微影。較為理想的是該白色所示之多邊形的各頂點之角度較大。例如，如圖31A所示之光罩部分W1般，於角度較小之情形(例如45度以下)時，於該光罩部分W1附近未充分地形成發光層214(圖4)，例如陽極212與陰極215有可能短路而導致亮度下降。另一方面，例如，如圖31B所示之光罩部分W2 般，於藉由增加頂點數而增大角度之情形時，可容易地形成發光層214，從而可減小亮度下降之可能性。
[變化例1-10]
於上述實施形態中，例如使用利用有沃羅諾伊圖之圖案而隨機地配置有複數個開口部WIN，但並不限定於此，取而代之，例如亦可以雖無週期性卻有秩序之圖案而配置複數個開口部WIN。具體而言，例如可使用利用有彭羅斯貼磚之圖案、利用有菲波那扯螺旋之圖案等。以下，詳細地說明該等圖案。
圖32表示利用有彭羅斯貼磚之圖案。該圖32表示某子像素11之光罩之一例，以使白色所示之部分成為開口部WIN之方式而進行光微影。眾所周知，彭羅斯貼磚係無間隙地鋪滿2種複數個菱形而成者。於該例中，在該等菱形區域各者配置有要成為開口部WIN之部分。於圖32中，在因頂點角度較小而有可能導致亮度下降之情形時，例如如圖33A所示之光罩部分W3般，可藉由增加頂點數而增大頂點角度。又，例如亦可如圖33B所示，減少要成為開口部WIN之部分之數量，並且以跨越彼此鄰接之複數個菱形區域之方式而配置要成為開口部WIN之部分。藉此，可提高設計自由度，從而可增大頂點角度。
圖34表示利用有菲波那扯螺旋之圖案，圖35表示菲波那扯螺旋。眾所周知，菲波那扯螺旋係基於菲波那扯數列而描繪者。圖34所示之圖案係使用有圖35所示之菲波那扯螺旋中之一部分圖案者。利用有菲波那扯螺旋之圖案並不限定於圖34所示之圖案，亦可使用圖35所示之菲波那扯螺旋中之任何部分之圖案。
雖無週期性卻有秩序之圖案並不限定於上述圖案。例如，如圖36所示，亦存在無間隙地鋪滿五邊形之圖案(五邊形鋪磚)。於該例中，該五邊形之5條邊中之4條邊為相同長度。於該例中，在該等五邊形區域各者配置有要成為開口部WIN之部分。根據此種構成，可增大 各頂點之角度。
又，例如亦可使用基於能夠在準晶體中看到之原子排列之圖案。準晶體係雖不具有如結晶般之平移對稱性，卻在原子排列中可見秩序之結晶。作為具有準晶體之原子排列之物質，例如已知有鋁-鈀-錳(Al-Pd-Mn)合金。與此種準晶體之原子排列同樣地排列開口部WIN，藉此，可實現雖無週期性卻有秩序之圖案。
如此，即使以雖無週期性卻有秩序之圖案而配置複數個開口部WIN，亦可與上述實施形態之情形同樣地減小因外部光反射而導致顯示畫面難以被看清之可能性，從而可提高畫質。
[其他變化例]
並不限定於上述實施形態及變化例，取而代之，例如亦可組合2個以上之上述實施形態及變化例。
<2.第2實施形態>
其次，說明第2實施形態之顯示裝置2。本實施形態包括如下顯示部50，該顯示部50於白色之子像素11W中，設置有較其他子像素11R、11G、11B更少之數量之開口部WIN3。其他構成與上述第1實施形態(圖1等)相同。再者，對實質上與上述第1實施形態之顯示裝置相同之構成部分附上相同符號，且適當地省略說明。
圖37模式性地表示顯示部50之開口部WIN之配置。與上述第1實施形態之顯示部10同樣地，於各陽極212R、212G、212B上隨機地配置有各種形狀之複數個開口部WIN。另一方面，於該例中，在陽極212W上配置有一個較大之開口部WIN3。
藉由該構成，於顯示部50中，可不易使白色(W)之子像素11W中產生外部光LI之繞射，從而可減小因反射光LO而導致顯示畫面難以被看清之可能性。即，於白色(W)之子像素11W中，形成有使大範圍之波長之光通過之白色之彩色濾光片218，因此，白色之外部光LI射 入至子像素11W之內部。藉此，於在該子像素11W內產生繞射之情形時，如上述第1實施形態之比較例所示，光於較大之反射角β之範圍內被反射，因此，有可能會因反射光LO而導致顯示畫面難以被看清。另一方面，於顯示部50中，在白色(W)之子像素11W中形成有單一之開口部WIN3，因此，可減小產生繞射之可能性。藉此，可減小因反射光LO而導致顯示畫面難以被看清之可能性，因此可提高畫質。
如上所述，於本實施形態中，在白色之子像素中設置有單一之開口部，因此，可減小因外部光反射而導致顯示畫面難以被看清之可能性，從而可提高畫質。
[變化例2-1]
於上述實施形態中，在白色之子像素11W(陽極212W)中設置有單一之開口部WIN3，但並不限定於此，取而代之，例如亦可如圖38所示，設置較其他子像素11R、11G、11B(陽極212R、212G、212B)更少之數量之複數個開口部WIN3。此時，為了提高開口率，較為理想的是開口部WIN3各者之面積較大。
[變化例2-2]
於上述實施形態中，在陽極212R、212G、212B上隨機地配置有各種形狀之複數個開口部WIN，但並不限定於此，取而代之，例如亦可如圖39A所示，於該等陽極212R、212G、212B上規則地配置特定之開口部WIN。
又，於該情形時，亦可如圖39B~圖39D所示，在陽極212W上配置更少數量之開口部WIN3，該開口部WIN3之大小與配置於陽極212R、212G、212B之開口部WIN之大小相同。具體而言，例如可如圖39B所示，在陽極212W上以較大之間距而配置開口部WIN3，可如圖39C所示，在陽極212W之一部分以狹窄間距而配置開口部WINE，亦可如圖39D所示，在陽極212W上隨機地配置開口部WIN3。
<3.應用例>
其次，說明上述實施形態及變化例中所說明之顯示裝置之應用例。
圖40表示應用上述實施形態等之顯示裝置之電視裝置的外觀。 該電視裝置例如具有影像顯示畫面部510，該影像顯示畫面部510包含前面板511及濾光玻璃512，該影像顯示畫面部510包含上述實施形態等之顯示裝置。
上述實施形態等之顯示裝置除可應用於此種電視裝置之外，亦可應用於數位相機、筆記型個人電腦、行動電話等行動終端裝置、攜帶型遊戲機、或視訊攝影機等之所有領域之電子機器。換言之，上述實施形態等之顯示裝置可應用於顯示影像之所有領域之電子機器。
以上，列舉若干實施形態及變化例、以及對於電子機器之應用例而說明了本技術，但本技術並不限定於該等實施形態等，可進行各種變形。
例如於上述各實施形態等中，利用NMOS構成寫入電晶體WSTr及驅動電晶體DRTr，但並不限定於此，取而代之，亦可利用PMOS構成該等電晶體中之一方或雙方。
又，例如於上述各實施形態等中，將子像素設為所謂之「2Tr1C」之構成，但並不限定於此，亦可追加其他元件而構成該子像素。具體而言，例如亦可如圖41所示之子像素14A般，設置與發光元件19並聯連接之電容元件Csub，設為所謂之「2Tr2C」之構成。 又，例如亦可如圖42所示之子像素14B般，設置對朝向驅動電晶體DRTr之電源信號DS之供給進行控制之電源電晶體DSTr，設為所謂之「3Tr1C」之構成。
又，例如於上述各實施形態等中，使用有所謂之頂部發射型之發光元件19，但並不限定於此，取而代之，例如亦可使用所謂之底部 發射型之發光元件，該所謂之底部發射型之發光元件的自發光層214射出之光向作為支持基板之基板200之方向前進。
又，例如於上述各實施形態中，顯示裝置具有有機EL顯示元件，但並不限定於此，只要具有電流驅動型之顯示元件，則亦可為任何顯示裝置。
再者，本技術可設為如下所述之構成。
(1)一種顯示裝置，其包括像素，該像素具有複數個子像素，該子像素包含單一之第1電極、設置於上述第1電極之積層方向之單一之第2電極、及插設於上述第1電極與上述第2電極之間之發光層，上述複數個子像素中之至少一個具有複數個發光區域，上述複數個發光區域係包含形狀、大小及配置朝向中之至少一者為彼此不同之2個以上的發光區域。
(2)上述(1)之顯示裝置，其中具有上述複數個發光區域之子像素包含：第1絕緣層，其形成於上述第1電極上，且於與各發光區域相對應之位置具有開口部；及第2絕緣層，其形成於上述第2電極上，且折射率與上述第1絕緣層之折射率不同；且於上述開口部之底部，依序積層有上述第1電極、上述發光層、上述第2電極、上述第2絕緣層。
(3)上述(1)或(2)之顯示裝置，其中上述複數個子像素各自具有上述複數個發光區域。
(4)如上述(3)之顯示裝置，其中上述複數個發光區域於上述複數個子像素之間以彼此相同之配置圖案而配置。
(5)如上述(3)之顯示裝置，其中上述複數個發光區域於上述複數個子像素之間以彼此不同之配置圖案而配置。
(6)如上述(4)或(5)之顯示裝置，其包括複數個上述像素，且相鄰像素中之對應之子像素之上述配置圖案彼此相同。
(7)如上述(4)或(5)所記載之顯示裝置，其包括複數個上述像素，且相鄰像素中之對應之子像素之上述配置圖案彼此不同。
(8)如上述(3)至(7)中任一項之顯示裝置，其中上述複數個子像素為發出基本色光之第1子像素、第2子像素及第3子像素、與發出非基本色光之第4子像素。
(9)如上述(8)之顯示裝置，其中上述第4子像素中之上述發光區域之數量少於其他子像素中之上述發光區域之數量。
(10)如上述(3)至(7)中任一項之顯示裝置，其中上述複數個子像素為發出基本色光之第1子像素、第2子像素、及第3子像素。
(11)如上述(1)或(2)之顯示裝置，其中上述複數個子像素為發出基本色光之第1子像素、第2子像素及第3子像素、與發出非基本色光之第4子像素，上述第1子像素、上述第2子像素、及上述第3子像素具有複數個發光區域，且上述第4子像素具有單一之發光區域。
(12)如上述(1)至(11)中任一項之顯示裝置，其中上述複數個發光區域中之彼此相鄰之發光區域的形狀、大小及配置朝向中之至少一者為彼此不同。
(13)如上述(1)至(12)中任一項之顯示裝置，其中上述複數個發光區域以基於沃羅諾伊圖之配置圖案而配置。
(14)如上述(1)至(12)中任一項之顯示裝置，其中上述複數個發光區域以無週期性且有秩序之配置圖案而配置。
(15)如上述(14)之顯示裝置，其中上述配置圖案為基於彭羅斯貼磚者。
(16)如上述(14)所記載之顯示裝置，其中上述配置圖案為基於菲波那扯螺旋者。
(17)如上述(14)所記載之顯示裝置，其中上述配置圖案為基於無間隙地鋪滿五邊形之圖案者。
(18)如上述(14)所記載之顯示裝置，其中上述配置圖案為基於準晶體之原子排列者。
(19)如上述(1)至(12)中任一項之顯示裝置，其中上述複數個發光區域各者之形狀為圓形或橢圓形。
(20)如上述(19)之顯示裝置，其中上述複數個發光區域中之3個發光區域以彼此相鄰之方式配置。
(21)一種電子機器，其包括：顯示裝置；及控制部，其對上述顯示裝置進行動作控制；且上述顯示裝置包括像素，該像素具有複數個子像素，該子像素包含單一之第1電極、設置於上述第1電極之積層方向之單一之第2電極、及插設於上述第1電極與上述第2電極之間之發光層；上述複數個子像素中之至少一個具有複數個發光區域，上述複數個發光區域係包含形狀、大小及配置朝向中之至少一者為彼此不同之2個以上之發光區域。
本申請案係以於2013年5月28日向日本專利廳提出申請之日本專利申請案第2013-112074號、及2013年10月30日提出申請之日本專利申請案第2013-225534號為基礎而主張優先權者，將該申請案之全部內容作為參考而引用於本申請案。
業者可根據設計上之必要條件或其他因素而想到各種修正、組合、次組合及變更，但應理解上述各種修正、組合、次組合及變更包含於隨附之申請專利範圍或其均等物之範圍。

Claims (20)

  1. 一種顯示裝置，其包括像素，該像素包含複數個子像素，該子像素係包含單一之第1電極、設置於上述第1電極之積層方向之單一之第2電極、及插設於上述第1電極與上述第2電極之間之發光層；且上述複數個子像素中之至少一個包含複數個開口部，上述複數個開口部係包含形狀、大小及配置朝向中之至少一者為彼此不同之2個以上的開口部；其中包含上述複數個開口部之子像素係包含：第1絕緣層，其形成於上述第1電極上，且於與各開口部相對應之位置包含開口部分；及第2絕緣層，其形成於上述第2電極上，且折射率與上述第1絕緣層之折射率不同；且於上述開口部分之底部，依序積層有上述第1電極、上述發光層、上述第2電極、及上述第2絕緣層。
  2. 如請求項1之顯示裝置，其中上述複數個子像素各自包含上述複數個開口部。
  3. 如請求項2之顯示裝置，其中上述複數個開口部於上述複數個子像素之間以彼此不同之配置圖案而配置。
  4. 如請求項2之顯示裝置，其中上述複數個子像素為發出基本色光之第1子像素、第2子像素及第3子像素、與發出非基本色光之第4子像素。
  5. 如請求項2之顯示裝置，其中上述複數個子像素為發出基本色光之第1子像素、第2子像素、及第3子像素。
  6. 如請求項1之顯示裝置，其中上述複數個開口部中之彼此相鄰之 開口部的形狀、大小及配置朝向中之至少一者為彼此不同。
  7. 如請求項1之顯示裝置，其中上述複數個開口部以無週期性且有秩序之配置圖案而配置。
  8. 如請求項1之顯示裝置，其中上述複數個開口部各者之形狀為圓形或橢圓形。
  9. 如請求項8之顯示裝置，其中上述複數個開口部中之3個開口部以彼此相鄰之方式配置。
  10. 一種顯示裝置，其包括像素，該像素包含複數個子像素，該子像素係包含單一之第1電極、設置於上述第1電極之積層方向之單一之第2電極、及插設於上述第1電極與上述第2電極之間之發光層；且上述複數個子像素中之至少一個包含複數個開口部，上述複數個開口部係包含形狀、大小及配置朝向中之至少一者為彼此不同之2個以上的開口部；上述複數個子像素各自包含上述複數個開口部；上述複數個開口部於上述複數個子像素之間以彼此相同之配置圖案而配置。
  11. 如請求項10之顯示裝置，其包括複數個上述像素，且相鄰像素中之對應之子像素之上述配置圖案彼此相同。
  12. 如請求項10之顯示裝置，其包括複數個上述像素，且相鄰像素中之對應之子像素之上述配置圖案彼此不同。
  13. 一種顯示裝置，其包括像素，該像素包含複數個子像素，該子像素係包含單一之第1電極、設置於上述第1電極之積層方向之單一之第2電極、及插設於上述第1電極與上述第2電極之間之發光層；且上述複數個子像素中之至少一個包含複數個開口部，上述複 數個開口部係包含形狀、大小及配置朝向中之至少一者為彼此不同之2個以上的開口部；上述複數個子像素為發出基本色光之第1子像素、第2子像素及第3子像素、與發出非基本色光之第4子像素；上述第4子像素中之上述開口部之數量少於其他子像素中之上述開口部之數量。
  14. 一種顯示裝置，其包括像素，該像素包含複數個子像素，該子像素係包含單一之第1電極、設置於上述第1電極之積層方向之單一之第2電極、及插設於上述第1電極與上述第2電極之間之發光層；且上述複數個子像素中之至少一個包含複數個開口部，上述複數個開口部係包含形狀、大小及配置朝向中之至少一者為彼此不同之2個以上的開口部；上述複數個子像素為發出基本色光之第1子像素、第2子像素及第3子像素、與發出非基本色光之第4子像素；且上述第1子像素、上述第2子像素、及上述第3子像素包含複數個開口部；上述第4子像素包含單一之開口部。
  15. 一種顯示裝置，其包括像素，該像素包含複數個子像素，該子像素係包含單一之第1電極、設置於上述第1電極之積層方向之單一之第2電極、及插設於上述第1電極與上述第2電極之間之發光層；且上述複數個子像素中之至少一個包含複數個開口部，上述複數個開口部係包含形狀、大小及配置朝向中之至少一者為彼此不同之2個以上的開口部；上述複數個開口部以基於沃羅諾伊圖之配置圖案而配置。
  16. 一種顯示裝置，其包括像素，該像素包含複數個子像素，該子像素係包含單一之第1電極、設置於上述第1電極之積層方向之單一之第2電極、及插設於上述第1電極與上述第2電極之間之發光層；且上述複數個子像素中之至少一個包含複數個開口部，上述複數個開口部係包含形狀、大小及配置朝向中之至少一者為彼此不同之2個以上的開口部；上述複數個開口部以無週期性且有秩序之配置圖案而配置；上述配置圖案為基於彭羅斯貼磚者。
  17. 一種顯示裝置，其包括像素，該像素包含複數個子像素，該子像素係包含單一之第1電極、設置於上述第1電極之積層方向之單一之第2電極、及插設於上述第1電極與上述第2電極之間之發光層；且上述複數個子像素中之至少一個包含複數個開口部，上述複數個開口部係包含形狀、大小及配置朝向中之至少一者為彼此不同之2個以上的開口部；上述複數個開口部以無週期性且有秩序之配置圖案而配置；上述配置圖案為基於菲波那扯螺旋者。
  18. 一種顯示裝置，其包括像素，該像素包含複數個子像素，該子像素係包含單一之第1電極、設置於上述第1電極之積層方向之單一之第2電極、及插設於上述第1電極與上述第2電極之間之發光層；且上述複數個子像素中之至少一個包含複數個開口部，上述複數個開口部係包含形狀、大小及配置朝向中之至少一者為彼此不同之2個以上的開口部；上述複數個開口部以無週期性且有秩序之配置圖案而配置； 上述配置圖案為基於無間隙地鋪滿五邊形之圖案者。
  19. 一種顯示裝置，其包括像素，該像素包含複數個子像素，該子像素係包含單一之第1電極、設置於上述第1電極之積層方向之單一之第2電極、及插設於上述第1電極與上述第2電極之間之發光層；且上述複數個子像素中之至少一個包含複數個開口部，上述複數個開口部係包含形狀、大小及配置朝向中之至少一者為彼此不同之2個以上的開口部；上述複數個開口部以無週期性且有秩序之配置圖案而配置；上述配置圖案為基於準晶體之原子排列者。
  20. 一種電子機器，其包括：如請求項1至19之任一顯示裝置；及控制部，其對上述顯示裝置進行動作控制。
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