CN109301075B - 一种显示面板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供一种显示面板及其制作方法、显示装置，涉及显示技术领域，能够解决显示面板色域较低的问题。该显示面板包括多个亚像素。该显示面板还包括衬底基板以及位于衬底基板上，且设置于每个亚像素内的像素电路，该像素电路包括TFT。显示面板还包括覆盖TFT的像素界定层。该像素界定层包括多个凹槽以及位于凹槽四周的隔离柱。该凹槽在衬底基板上的正投影位于亚像素的发光区内。其中，凹槽内设置有与上述TFT电连接的量子点发光二极管。该显示面板用于显示。

Description

一种显示面板及其制作方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制作方法、显示装置。
背景技术
随着显示技术的日益发展，根据用户的需求一些新型的显示面板，例如透明显示面板应用而生。用户可以通过透明显示面板看到显示画面的同时，还可以透过显示面板看到该显示面板后面的景象。上述透明显示面板通常可以应用于建筑物或汽车的玻璃，以及商场的展示窗等。
目前，常见的透明显示面板以OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)显示面板为主。现有技术中，为了提高OLED显示面板的透过率，通常会将OLED显示面板中的彩色滤光片打薄。然而，这样一来将会降低彩色滤光片的滤光效果，使得显示画面的色域降低，通常难以达到40％NTSC(National Television Standards Committee，国家电视标准委员会)，从而使得显示画面的色彩发白，出现画面失真的现象。
发明内容
本发明的实施例提供一种显示面板及其制作方法、显示装置，能够解决显示面板色域较低的问题。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
本发明实施例提供一种显示面板，包括多个亚像素，所述显示面板还包括衬底基板以及位于所述衬底基板上，且设置于每个所述亚像素内的像素电路，所述像素电路包括TFT；所述显示面板还包括覆盖所述TFT的像素界定层；所述像素界定层包括多个凹槽以及位于所述凹槽四周的隔离柱；所述凹槽在所述衬底基板上的正投影位于所述亚像素的发光区内；其中，所述凹槽内设置有与所述TFT电连接的量子点发光二极管。
优选的，所述凹槽的底部在对应与所述量子点发光二极管电连接的TFT的漏极所在的位置设置有第一过孔，所述量子点发光二极管的第一极通过所述第一过孔与所述TFT的漏极电连接。
进一步优选的，所述显示面板还包括覆盖所述TFT的钝化层；所述钝化层共用为所述像素界定层。
或者，进一步优选的，所述显示面板还包括依次覆盖所述TFT的钝化层、光刻胶层；所述光刻胶层共用为所述像素界定层；所述钝化层上设置有与所述第一过孔相连通的第二过孔。
优选的，所述显示面板还包括覆盖所述TFT的钝化层，以及位于所述钝化层背离所述TFT一侧的像素电极；所述像素电极通过设置于所述钝化层上的第三过孔与所述TFT的漏极相连接；所述凹槽为无底底部露出所述像素电极；所述像素电极共用为所述量子点发光二极管的第一极。
优选的，所述凹槽内间隔设置有多个与所述隔离柱相连接的挡墙；所述挡墙与所述像素界定层同层同材料。
进一步优选的，任意两个所述挡墙的延伸方向相同，且相邻两个所述挡墙之间的距离相等。
或者，进一步优选的，多个所述挡墙包括横纵交叉的第一子挡墙和第二子挡墙；所述第一子挡墙和所述第二子挡墙交叉界定多个呈矩阵形式排列的封闭区；每相邻两个封闭区的面积相等。
优选的，所述量子点发光二极管还包括：依次位于所述第一极背离所述TFT一侧的空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及第二极；所述第一极由透明导电材料构成，所述第二极由金属材料构成；或者所述第一极由金属材料构成，所述第二极由透明导电材料构成。
进一步优选的，构成所述量子点发光层的材料至少包括CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnTe、ZnS、HgTe、InAs、InP和GaAs中的任意一种。
优选的，构成所述TFT有源层的材料包括氧化物半导体材料，或者低温多晶硅。
本发明实施例的另一方面，提供一种显示装置，包括如上所述的任意一种显示面板。
本发明实施例的又一方面，提供一种显示面板的制作方法，包括在衬底基板上，通过构图工艺形成位于亚像素内的像素电路；所述像素电路包括TFT；所述方法还包括：形成覆盖所述TFT的像素界定层；所述像素界定层包括凹槽，以及位于所述凹槽四周的隔离柱；所述凹槽在所述衬底基板上的正投影位于所述亚像素的发光区内；在所述凹槽内，形成量子点发光二极管，所述量子点发光二极管与所述TFT电连接。
优选的，形成所述像素界定层的方法包括：在形成有所述TFT的衬底基板上，依次形成钝化层和光刻胶层，并采用半色调掩膜版，通过构图工艺在所述钝化层上形成所述凹槽，并在所述凹槽的底部，且对应与所述量子点发光二极管电连接的TFT漏极所在的位置形成第一过孔；形成所述量子点发光二极管的方法包括：在所述凹槽内形成第一极，所述第一极通过所述第一过孔与所述TFT的漏极电连接。
或者优选的，形成所述像素界定层的方法包括：在形成有所述TFT的衬底基板上，依次形成钝化层和光刻胶层，并采用半色调掩膜版，通过构图工艺在所述光刻胶层上形成所述凹槽，并在所述凹槽的底部，且对应与所述量子点发光二极管电连接的TFT漏极所在的位置形成第一过孔；通过构图工艺，在所述钝化层上且对应所述第一过孔的位置，形成与所述第一过孔相连通的第二过孔；形成所述量子点发光二极管的方法包括：在所述凹槽内形成第一极，所述第一极通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述TFT的漏极电连接。
或者优选的，形成所述像素界定层的方法包括：在形成有所述TFT的衬底基板上，形成钝化层，并通过构图工艺在所述钝化层上形成第三过孔；在形成有上述结构的衬底基板上，形成透明导电层，并通过构图工艺形成像素电极；所述像素电极通过所述第三过孔与所述TFT的漏极电连接；在形成有上述结构的衬底基板上，形成绝缘材料层，并通过构图工艺在所述绝缘材料层上形成所述凹槽，所述凹槽的底部露出所述像素电极；所述像素电极共用为所述量子点发光二极管的第一极。
可选的，形成所述量子点发光二极管的方法还包括：在所述第一极背离所述衬底基板的一侧，通过构图工艺，在对应所述凹槽的位置形成空穴传输层；在形成有所述空穴传输层的衬底基板上，通过喷墨打印工艺或蒸镀工艺，在对应所述凹槽的位置形成量子点发光层；在形成有所述量子点发光层的衬底基板上，通过构图工艺，在对应所述凹槽的位置形成电子传输层；在形成有所述电子传输层的衬底基板上，形成所述量子点发光二极管的第二极。
综上所述，本发明实施例提供的显示面板包括量子点发光二极管，该量子点发光二极管中的量子点材料在光致发光的过程中，发射光线的半峰宽在30nm左右。因此量子点发光二极管具有近乎高斯对称的窄带发射特性，所以激发出的颜色的纯度更高，使得该显示面板获得较高的色域，可以达到100％NTSC以上，进而使得该显示面板显示的画面色彩更加逼真。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
图2为图1中显示面板的俯视结构示意图；
图3a为图1中量子点发光二极管的结构示意图；
图3b为图1中量子点发光二极管的能级示意图；
图3c为图1中量子点发光二极管的色域示意图；
图4为本发明实施例提供的显示面板中像素界定层的一种结构示意图；
图5为本发明实施例提供的显示面板中像素界定层的另一种结构示意图；
图6为本发明实施例提供的显示面板中像素界定层的又一种结构示意图；
图7a为设置于图1所述的凹槽内的挡墙的一种结构示意图；
图7b为设置于图1所述的凹槽内的挡墙的另一种结构示意图；
图8a、图8b、图8c、图8d、图8e为在衬底基板上形成TFT的过程示意图；
图9为本发明实施例提供的一种显示面板的制作方法流程图；
图10a、图10b、图10c、图10d、图10e为图9中步骤S101的一种实现方式示意图；
图11a、图11b为图9中步骤S101的另一种实现方式示意图；
图12a、图12b、图12c为制作量子点发光层的一种实现方式示意图；
图13a、图13b为图9中步骤S101的又一种实现方式示意图。
附图标记：
01-衬底基板；10-TFT背板；101-亚像素；102-像素电路；110-栅极；111-栅极绝缘层；112-有源层；1120-有机薄膜；113-源极；114-漏极；130-钝化层；131-光刻胶层；132-半色调掩膜版；20-像素界定层；201-凹槽；202-隔离柱；203-挡墙；2031-第一子挡墙；2032-第二子挡墙；30-量子点发光二极管；301-第一极；302-空穴传输层；303-量子点发光层；304-电子传输层；305-第二极；401-第一过孔；402-第二过孔；403-第三过孔；50-像素电极；501-量子点溶液。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供一种显示面板，如图2所示包括多个亚像素101。该显示面板还包括如图1所示的衬底基板01，以及位于该衬底基板01上，且设置于上述亚像素101内的像素电路102(如图2所示)。其中，该像素电路102包括如图1所示的TFT(Thin FilmTransistor，薄膜晶体管)。其中，形成有上述像素电路102的衬底基板01主要用于构成上述显示面板的TFT背板10。
在此基础上，如图1所示，该显示面板还包括覆盖TFT的像素界定层20。该像素界定层20包括多个凹槽201以及位于凹槽201四周的隔离柱202。该凹槽201在上述衬底基板01上的正投影位于亚像素101的发光区A内。该发光区A为上述亚像素101中除了设置有上述像素电路102以外的区域。
其中，凹槽201内设置有与像素电路102中的TFT电连接的量子点发光二极管30(Quantum Dot Light-emitting Diode,QLED)。
具体的，该量子点发光二极管30的结构如图3a所示，主要包括依次位于上述TFT背离衬底基板01一侧的第一极301、空穴传输层302(HTL)、量子点发光层303、电子传输层304以及第二极305。此外，该量子点发光二极管30还可以包括位于第一极301与空穴传输层302之间的空穴注入层，以及位于电子传输层304与第二极305之间的电子输入层。其中，通常上述第一极301可以为该量子点发光二极管30的阳极，而第二极305为该量子点发光二极管30的阴极。
在此基础上，上述量子点发光二极管30可以为顶发光式也可以为底发光式。当该量子点发光二极管30为顶发光式时，构成第二极305的材料可以为透明导电材料，例如，氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)或氧化铟锌(Indium Zinc Oxide，IZO)；构成第一极301的材料可以为金属材料。当该量子点发光二极管30为底发光式时，构成第一极301的材料可以为上述透明导电材料；构成第二极305的材料可以为金属材料。
此外，量子点发光层303包括2族-6族配对或3族-5族配对的纳米半导体化合物，该纳米半导体化合物至少包括CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnTe、ZnS、HgTe、InAs、InP和GaAs中的任意一种。
基于此，上述量子点发光层303可以为单层薄膜层或者多层薄膜层。当该量子点发光层303为多层薄膜层时，构成每一层薄膜层的材料可以至少包括上述CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnTe、ZnS、HgTe、InAs、InP和GaAs中的任意一种。
其中，上述纳米半导体化合物的配对方法包括有机融合法或水相合成法。
具体的，有机融合法为：将有机金属前驱体溶液注射进高温配体溶液中，前驱体在高温(200～600℃)条件下迅速热解并成核，接着晶核缓慢生长为纳米晶。该方法造价相对较高，且使用的金属化合物前驱体具有相对大的毒性与自燃性，需要高压存储，反应时在注入时会爆炸性地释放出大量气体和热。
水相合成法为：采用各种疏基化合物，如疏基酸、疏基醇、疏基胺及疏基氨基酸等小分子作为稳定剂，在水溶液中，100℃的条件下晶化生长荧光纳米颗粒。与有机合成相比，水相合成具有操作简单、成本低、毒性小灯优势。
此外，上述纳米半导体化合物的配对方法还可以包括高温水热法与微波辐射法等，在此不再一一赘述。
基于此，以构成量子点发光二极管30第一极的材料为三氧化钼(MoO3)，构成第二极的材料为氧化锌(ZnO)为例，对上述量子点发光二极管30的发光过程进行说明。具体的，如图3b所示，在外界电压的驱动下，电子(e-)和空穴(h+)由第二极和第一极分别注入。注入的电子和空穴分别从电子传输层(ETL)和空穴传输层(HTL)向量子点发光层(R、G、B)迁移。电子和空穴直接注入到量子点发光层的导带和价带，形成激子，随后复合发射出光子。其中，量子点发光层的带隙能量随R、G、B颜色而变化，并且带隙能量的差值按照R、G、B的顺序变小。此外，在空穴从空穴注入层注入到量子点发光层时，尽管在颜色之间具有差值，但存在从大约0.7eV到2eV的空穴能量势垒。
在此基础上，上述像素电路102用于驱动量子点发光二极管30发光。其中，该像素电路102可以包括至少两个TFT和一个电容。其中，上述至少两个TFT中包括具有驱动功能的驱动晶体管，以及一些实现开关功能的开关晶体管。部分开关晶体管可以将数据线上的数据电压Vdata写入至驱动晶体管。此外，当上述像素电路102还具备阈值电压补偿功能时，还有部分开关晶体管可以对驱动晶体管的阈值电压Vth进行补偿，以减小各个亚像素101之间的亮度差异。或者，当上述像素电路102还具有重置功能时，还有部分开关晶体管可以对驱动晶体管的栅极、量子点发光二极管30进行电压重置。本发明对上述像素电路102的结构不做限定。在此情况下，上述像素电路102中至少有一个TFT与该量子点发光二极管30电连接。例如，该TFT可以为上述驱动晶体管。
基于此，为了提高上述TFT的迁移率以及导通性能，优选的，构成上述TFT有源层的材料可以为低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)。或者，构成上述TFT有源层的材料可以包括氧化物半导体材料，例如，IGZO(铟镓锌氧化物)、ITZO(氧化铟锡锌)、ITWO(氧化铟钨锌)、ZnO(氧化锌)、CdO(氧化镉)或者Al2O3(三氧化二铝)中的至少一种。
其中，以上述TFT有源层采用ITZO或ITWO为例，对有源层的制备工艺对TFT载流子迁移率的影响进行说明。具体的，当进行ITZO或ITWO溶液制程制备后，采用退火工艺和UV光照工艺对上述溶液进行处理。以退火工艺在250℃～500℃为例，该退火工艺和UV光照工艺温度范围温度与TFT载流子迁移率的关系如表1所示。
表1
Figure BDA0001360121660000081
由表1可知，退火工艺温度越高，TFT的载流子迁移率(Mobility)越高。在此基础上，经过UV光照后，上述载流子迁移率能够明显升高。此外，经过UV光照后，TFT的阈值电压(Vth)也有所降低。而退火工艺和UV光照工艺对TFT的阈值电压摆幅(SS)的影响，暂未发现相应的规律。
进一步的，为了实现透明显示，优选的，上述衬底基板01可以由透明树脂材料构成，且该树脂材料可以为柔性材料或者材质较硬的材料；或者衬底基板01还可以为玻璃基板。
综上所述，本发明实施例提供的显示面板包括量子点发光二极管，该量子点发光二极管中的量子点材料在光致发光的过程中，发射光线的半峰宽在30nm左右。因此量子点发光二极管具有近乎高斯对称的窄带发射特性，所以激发出的颜色的纯度更高，使得该显示面板获得较高的色域，如图3c所示，可以达到100％NTSC以上，进而使得该显示面板显示的画面色彩更加逼真。
基于上述量子点发光二极管30的结构，以下对上述显示面板的具体结构进行详细说明。
例如，将量子点发光二极管30的第一极301与上述TFT的漏极相连接，以实现量子点发光二极管30与TFT电连接。
具体的，如图4或如图5所示，上述凹槽201的底部在对应与量子点发光二极管30电连接的TFT的漏极所在的位置设置有第一过孔401，该量子点发光二极管30的第一极301通过第一过孔401与TFT的漏极电连接。
在此情况下，上述像素界定层20的设置方式可以为：
例如，如图4所示，上述显示面板还包括覆盖TFT的钝化层130。该钝化层130共用为上述像素界定层20。此时，上述第一过孔401制作于该钝化层130上，该量子点发光二极管30的第一极通过第一过孔401与TFT的漏极相连接。
或者，又例如，如图5所示，上述显示面板还包括依次覆盖TFT的钝化层130、光刻胶层131。该光刻胶层131共用为像素界定层20，且该钝化层130上设置有与第一过孔401相连通的第二过孔402。此时，上述量子点发光二极管30的第一极通过相连通的第一过孔401和第二过孔402与TFT的漏极相连接。
由上述可知，图4中钝化层130共用为像素界定层20，而图5中光刻胶层131共用为像素界定层20，从而可以省略单独制作像素界定层20的步骤，达到简化显示面板的制作工艺的目的。
或者，显示面板的具体结构又例如，将TFT背板的一部分作为量子点发光二极管30的第一极301，以实现量子点发光二极管30与TFT电连接。
具体的，如图6所示，显示面板还包括覆盖TFT的钝化层130，以及位于钝化层背离TFT一侧的像素电极50。该像素电极50通过设置于钝化层130上的第三过孔403与TFT的漏极相连接。
此外，该凹槽201的底部露出上述像素电极50。基于此，该像素电极50共用为量子点发光二极管30的第一极301。
在此基础上，为了使得凹槽201内的薄膜层分布均匀，优选的，如图7a或7b所示，上述凹槽201内间隔设置有多个与隔离柱202相连接的挡墙203。通过上述挡墙203以及上述隔离柱202可以将该凹槽201所在的区域细分为多个由挡墙203围挡而成的封闭区B。在此情况下，当采用蒸镀或者喷墨打印等工艺等制作工艺，在上述凹槽201内形成量子点发光层303时，可以通过上述挡墙203对该封闭区B内的成膜材料的进一步扩散趋势进行限制，减小由于上述扩散区域导致量子点发光层303不均的问题。
基于此，上述挡墙203的排布方式，可以如图7a所示，任意两个挡墙203的延伸方向相同，且相邻两个挡墙203之间的距离相等。从而可以使得位于任意相邻两个封闭区B的薄膜层的均匀度相等或近似相等。
或者，如图7b所示，多个挡墙203包括横纵交叉的第一子挡墙2031和第二子挡墙2032。其中，第一子挡墙2031和第二子挡墙2032交叉界定多个呈矩阵形式排列的封闭区B。每相邻两个封闭区B的面积相等。从而可以使得位于任意相邻两个封闭区B的薄膜层的均匀度相等或近似相等。
此外，为了简化制作工艺，优选的上述挡墙203与像素界定层20同层同材料。在此情况下，上述挡墙203可以与像素界定层20为一体结构。
本发明实施例提供一种显示装置，包括如上所述的任意一种显示面板。该显示装置具有与前述实施例提供的显示面板相同的有益效果，此处不再赘述。
需要说明的是，该显示装置可以为显示器、电视、数码相框、手机或平板电脑等任何具有显示功能的产品或者部件。
本发明实施例提供一种显示面板的制作方法，包括在如图1所示的衬底基板01上，通过构图工艺形成位于亚像素101内的像素电路102。该像素电路102包括TFT。
具体的，形成上述TFT的具体过程为：
首先，在衬底基板01上，采用磁控溅射(Sputter)工艺制备形成一层金属层，例如该金属层由金属铜构成。然后采用曝光、显影、刻蚀工艺形成如图8a所示的栅极110以及栅线(G1、G2……)。
接下来，在形成有栅极110的衬底基板01上，采用PECVD(Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition，等离子体增强化学气相沉积法)工艺形成栅极绝缘层111。其中，构成栅极绝缘层111的材料为氮化硅(SiN)。
接下来，以采用半导体透明导电材料构成有源层为例，对TFT的有源层的制作方法进行说明。
具体的，如图8b所示，在上述栅极绝缘层111的表面涂覆有机溶液，以形成有机薄膜1120。其中，构成上述有机溶液的材料可以为ITZO(氧化铟锡锌)或ITWO(氧化铟钨锌)；该有机溶液的粘度为2～4cp。
然后，当上述有机薄膜1120在半固化状态下，如图8c所示，采用模具120对上述有机薄膜1120进行压合。
接下来，采用退火工艺和UV光照工艺在200～300℃的条件下，对有机薄膜1120的进行前烘(Pre-bake)1～2h。然后，在采用350℃，对有机薄膜1120的进行后烘(Hard-bake)1h，从而形成如图8d所示的有源层112，该有源层112的厚度为5nm左右。这样一来，在200～400℃进行烘干，可以使得有机溶液的热分解最完全，从而使得该有机薄膜1120中的有机污染物可完全经去除，以提高有源层112的纯度。具体的，上述退火工艺和UV光照工艺温度范围温度与TFT载流子迁移率的关系如表1所示，此处不再赘述。
接下来，在形成有有源层112的衬底基板01上，通过磁控溅射工艺形成金属层，然后采用曝光、显影、刻蚀工艺形成如图8e所示的TFT的源极113和漏极114。
此外，在制作完上述TFT以后，该显示面板的制作方法，如图9所示还包括：
S101、如图1所示，形成覆盖上述TFT的像素界定层20。
其中，该像素界定层20包括凹槽201，以及位于凹槽201四周的隔离柱202。该凹槽201在衬底基板01上的正投影位于亚像素101的发光区A内。
S102、在上述凹槽201内，形成量子点发光二极管30，该量子点发光二极管30与像素电路中的TFT电连接。
上述显示面板的制作方法具有与前述实施例提供的显示面板相同的技术效果，此处不再赘述。
以下，对形成覆盖上述TFT的像素界定层20的方法进行详细的举例说明。
例如，步骤一，在形成有TFT的衬底基板01上，依次形成如图10a所示的钝化层130和光刻胶层131。其中，构成上述钝化层130的材料为PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)，该PMMA的介电常数ε＝3.2～3.5。
步骤二，采用如图10b所示的半色调掩膜版132(Gray-tone Mask)，通过对光刻胶层131进行掩膜曝光。其中，上述半色调掩膜版132包括完全透光区域、完全遮光区域以及半透光区域。其中，以构成上述光刻胶层131为正胶为例，如图10c所示，光线透过完全透光区域的光刻胶层131能够完全溶解于显影液；光线透过半透光区域的光刻胶层131能够部分溶解于显影液；光线透过完全遮光区域的光刻胶层131不溶解于显影液。
步骤三，对光刻胶层131进行显影，形成如图10d所示的结构。
步骤四，在光刻胶完全显影的位置，采用刻蚀工艺完全去除构成钝化层130的材料，形成如图10e所示的第一过孔401。然后采用灰化工艺去除对应上述半透光区域的光刻胶，再采用刻蚀工艺形成凹槽201。其中，上述第一过孔401位于该凹槽201的底部，且上述第一过孔401与TFT的漏极114相对应。
由上述可知，在钝化层130上形成凹槽201和位于该凹槽201底部的第一过孔401，因此该钝化层130可以共用为像素界定层20，从而无需单独制作像素界定层20，从而可以降低制作工艺的成本。
在此情况下，形成上述量子点发光二极管30的方法包括：在凹槽201内形成如图4所示的第一极301，该第一极301通过第一过孔401与TFT的漏极301电连接。
具体的，以量子点发光二极管30为底发光式为例，可以通过磁控溅射工艺在上述凹槽内形成ITO或IZO薄膜，作为上述第一极301。
上述量子点发光二极管30的制造方法还包括：在第一极301背离衬底基板01的一侧，通过构图工艺，在对应凹槽201的位置形成空穴传输层302。
具体的，在第一极301的表面通过磁控溅射工艺形成金属层，该金属层可以由MoO3、NiO、CBP、TCTA等材料构成。然后，通过曝光、显影、刻蚀工艺对上述金属层进行构图，以形成空穴传输层302。
然后，在形成有上述空穴传输层302的衬底基板01上，通过喷墨打印工艺或蒸镀工艺，在对应凹槽201的位置形成量子点发光层303。其中，构成上述量子点发光层303的材料同上所述，此处不再赘述。
以喷墨打印工艺为例，对上述量子点发光层303的制作过程进行说明。具体的，如图12a所示，将由纳米量子点化合物构成的量子点溶液501通过喷墨打印的方式，滴入凹槽201中的空穴传输层302表面。接下来，如图12b所示，对上述量子点溶液501进行前烘。最后，如图12c所示，对上述量子点溶液501进行UV光照处理，从而形成上述量子点发光层303。其中，经过上述前烘以及UV光照处理，可以去除上述量子点溶液501中的有机污染物，提高该量子点发光层303的发光效率。
接下来，在形成有量子点发光层303的衬底基板01上，通过构图工艺，在对应凹槽201的位置形成电子传输层304。其中，构成该电子传输层304的材料包括ZnO、TiO2、WO3和SnO2等。该电子传输层304的制备过程与空穴传输层302的制备工艺相同，此处不再赘述。
最后，在形成有电子传输层304的衬底基板01上，形成量子点发光二极管30的第二极305。其中，以量子点发光二极管30为底发光式为例，构成该第二极305的材料可以为金属铝。
需要说明的是，所有量子点发光二极管30的第二极305可以相互连接，在此情况下，在制作上述第二极305时，可以采用磁控溅射工艺在形成有电子传输层304的衬底基板01上，形成一层金属层即可完成上述第二极305的制备。
或者，当上述第二极305如图4所示，位于该凹槽201内时，可以采用磁控溅射工艺在形成有电子传输层304的衬底基板01上，形成一层金属层；然后，通过掩膜、曝光以及显影工艺对该金属层进行构图，从而形成上述第二极305。
或者，又例如，形成上述像素界定层20的方法包括：
步骤一，在形成有TFT的衬底基板01上，如图10a所示，依次形成钝化层130和光刻胶层131。
步骤二、如图10b所示，采用半色调掩膜版132，通过构图工艺在光刻胶层131上形成如图11a所示的凹槽201，并在凹槽201的底部，且对应与量子点发光二极管电连接的TFT漏极114所在的位置形成第一过孔401。
步骤三，通过构图工艺，在钝化层130上且对应第一过孔401的位置，如图11b所示形成与第一过孔401相连通的第二过孔402。
需要说明的是，在本发明中，构图工艺，可指包括光刻工艺，或，包括光刻工艺以及刻蚀步骤，同时还可以包括打印、喷墨等其他用于形成预定图形的工艺；光刻工艺，是指包括成膜、曝光、显影等工艺过程的利用光刻胶、掩模板、曝光机等形成图形的工艺。可根据本发明中所形成的结构选择相应的构图工艺。
其中，本发明实施例中的一次构图工艺，是以通过一次掩膜曝光工艺形成不同的曝光区域，然后对不同的曝光区域进行多次刻蚀、灰化等去除工艺最终得到预期图案为例进行的说明。
在此基础上，形成上述量子点发光二极管30第一极的方法包括：如图5所示，在凹槽201内形成第一极301，该第一极301通过第一过孔401和第二过孔402与上述TFT的漏极电连接。
此外，制备上述量子点发光二极管30中其他薄膜层的方法同上所述，此处不再赘述。
或者，再例如，形成上述像素界定层20的方法包括：
步骤一，如图13a所示，在形成有TFT的衬底基板01上，形成钝化层130，并通过构图工艺在钝化层130上形成第三过孔403。
步骤二、如图13b所示，在形成有上述结构的衬底基板01上，形成透明导电层，并通过构图工艺形成像素电极50。该像素电极50通过第三过孔403与TFT的漏极114电连接。
步骤三，在形成有上述结构的衬底基板01上，形成绝缘材料层，并通过构图工艺在绝缘材料层上形成如图6所示的凹槽202，该凹槽202的底部露出上述像素电极50。在此情况下该像素电极50共用为上述量子点发光二极管30的第一极301。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (16)

1.一种显示面板，包括多个亚像素，其特征在于，所述显示面板还包括衬底基板以及位于所述衬底基板上，且设置于每个所述亚像素内的像素电路，所述像素电路包括TFT；
所述显示面板还包括覆盖所述TFT的像素界定层；所述像素界定层包括多个凹槽以及位于所述凹槽四周的隔离柱；所述凹槽在所述衬底基板上的正投影位于所述亚像素的发光区内；
所述凹槽内间隔设置有多个与所述隔离柱相连接的挡墙；所述多个挡墙和所述隔离柱将所述凹槽分为多个封闭区；所述挡墙与所述像素界定层同层同材料；
其中，所述凹槽内设置有与所述TFT电连接的量子点发光二极管。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述凹槽的底部在对应与所述量子点发光二极管电连接的TFT的漏极所在的位置设置有第一过孔，所述量子点发光二极管的第一极通过所述第一过孔与所述TFT的漏极电连接。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括覆盖所述TFT的钝化层；所述钝化层共用为所述像素界定层。
4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括依次覆盖所述TFT的钝化层、光刻胶层；
所述光刻胶层共用为所述像素界定层；所述钝化层上设置有与所述第一过孔相连通的第二过孔。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括覆盖所述TFT的钝化层，以及位于所述钝化层背离所述TFT一侧的像素电极；
所述像素电极通过设置于所述钝化层上的第三过孔与所述TFT的漏极相连接；
所述凹槽底部露出所述像素电极；所述像素电极共用为所述量子点发光二极管的第一极。
6.根据权利要求1-5任一项所述的显示面板，其特征在于，任意两个所述挡墙的延伸方向相同，且相邻两个所述挡墙之间的距离相等。
7.根据权利要求1-5任一项所述的显示面板，其特征在于，多个所述挡墙包括横纵交叉的第一子挡墙和第二子挡墙；
所述第一子挡墙和所述第二子挡墙交叉界定多个呈矩阵形式排列的封闭区；每相邻两个封闭区的面积相等。
8.根据权利要求2或5所述的显示面板，其特征在于，所述量子点发光二极管还包括：依次位于所述第一极背离所述TFT一侧的空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及第二极；
所述第一极由透明导电材料构成，所述第二极由金属材料构成；
或者所述第一极由金属材料构成，所述第二极由透明导电材料构成。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，构成所述量子点发光层的材料至少包括CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnTe、ZnS、HgTe、InAs、InP和GaAs中的任意一种。
10.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，构成所述TFT有源层的材料包括氧化物半导体材料，或者低温多晶硅。
11.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-10任一项所述的显示面板。
12.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括在衬底基板上，通过构图工艺形成位于亚像素内的像素电路；所述像素电路包括TFT；
所述方法还包括：
形成覆盖所述TFT的像素界定层；所述像素界定层包括凹槽，以及位于所述凹槽四周的隔离柱；所述凹槽在所述衬底基板上的正投影位于所述亚像素的发光区内；
在所述凹槽内形成多个间隔设置的挡墙，且所述多个挡墙与所述隔离柱相连，以将所述凹槽分为多个封闭区；所述挡墙与所述像素界定层同层同材料；
在所述凹槽内，形成量子点发光二极管，所述量子点发光二极管与所述TFT电连接。
13.根据权利要求12所述的制作方法，其特征在于，形成所述像素界定层的方法包括：
在形成有所述TFT的衬底基板上，依次形成钝化层和光刻胶层，并采用半色调掩膜版，通过构图工艺在所述钝化层上形成所述凹槽，并在所述凹槽的底部，且对应与所述量子点发光二极管电连接的TFT漏极所在的位置形成第一过孔；
形成所述量子点发光二极管的方法包括：
在所述凹槽内形成第一极，所述第一极通过所述第一过孔与所述TFT的漏极电连接。
14.根据权利要求12所述的制作方法，其特征在于，形成所述像素界定层的方法包括：
在形成有所述TFT的衬底基板上，依次形成钝化层和光刻胶层，并采用半色调掩膜版，通过构图工艺在所述光刻胶层上形成所述凹槽，并在所述凹槽的底部，且对应与所述量子点发光二极管电连接的TFT漏极所在的位置形成第一过孔；
通过构图工艺，在所述钝化层上且对应所述第一过孔的位置，形成与所述第一过孔相连通的第二过孔；
形成所述量子点发光二极管的方法包括：
在所述凹槽内形成第一极，所述第一极通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述TFT的漏极电连接。
15.根据权利要求12所述的制作方法，其特征在于，形成所述像素界定层的方法包括：
在形成有所述TFT的衬底基板上，形成钝化层，并通过构图工艺在所述钝化层上形成第三过孔；
在形成有上述结构的衬底基板上，形成透明导电层，并通过构图工艺形成像素电极；所述像素电极通过所述第三过孔与所述TFT的漏极电连接；
在形成有上述结构的衬底基板上，形成绝缘材料层，并通过构图工艺在所述绝缘材料层上形成所述凹槽，所述凹槽的底部露出所述像素电极；所述像素电极共用为所述量子点发光二极管的第一极。
16.根据权利要求13-15任一项所述的制作方法，其特征在于，形成所述量子点发光二极管的方法还包括：
在所述第一极背离所述衬底基板的一侧，通过构图工艺，在对应所述凹槽的位置形成空穴传输层；
在形成有所述空穴传输层的衬底基板上，通过喷墨打印工艺或蒸镀工艺，在对应所述凹槽的位置形成量子点发光层；
在形成有所述量子点发光层的衬底基板上，通过构图工艺，在对应所述凹槽的位置形成电子传输层；
在形成有所述电子传输层的衬底基板上，形成所述量子点发光二极管的第二极。
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