JP2003272872A

JP2003272872A - 自己発光表示装置

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Publication number: JP2003272872A
Application number: JP2002075417A
Authority: JP
Inventors: Naoko Kihara; 尚子木原
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2002-03-19
Filing date: 2002-03-19
Publication date: 2003-09-26
Anticipated expiration: 2022-03-19
Also published as: JP4248184B2

Abstract

(57)【要約】【課題】高輝度・長寿命の自己発光表示装置を提供す
ることを目的とする。【解決手段】複数の表示素子ＰＸ_ｎを備えてなる表示
画素１４０がマトリクス状に配置された自己発光表示装
置１であって、前記複数の表示素子ＰＸ_ｎは外形の大き
さがそれぞれ異なり、外形の大きい表示素子がより外形
の小さい表示素子を内包することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は各表示画素が複数の
表示素子を備えた自己発光表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＣＲＴディスプレイに対して、薄型、軽
量、低消費電力の特徴を生かして、液晶表示装置に代表
される平面表示装置の需要が急速に伸びてきた。中で
も、各表示画素にスイッチ素子が設けられたアクティブ
マトリクス型平面表示装置は、隣接表示画素間でのクロ
ストークのない良好な表示品位が得られることから、携
帯情報機器を始め、種々のディスプレイに利用されるよ
うになってきた。

【０００３】近年では、液晶表示装置に比べて高速応答
及び広視野角化が可能な自己発光型のディスプレイとし
て有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ）表示装置の開発
が盛んに行われている。

【０００４】一例として有機ＥＬ表示装置を例にとり説
明すると、基板の一主面上にマトリクス状に配置された
表示素子を備えたアレイ基板と、アレイ基板の一主面と
対向して配置される対向基板とを備えて構成される。

【０００５】このような表示素子は、陽極と陰極間に発
光層を備えて構成され、これら表示素子間は親水膜と撥
水膜を積層した構造の隔壁により区画されている。そし
て発光層は発光材料を溶解させた溶液（以下、発光層材
料）を、陽極周囲の隔壁から構成される凹形状の画素発
光領域にインクジェットなどの手法により充填し、乾燥
により溶媒を取り除いて薄膜を形成することにより作成
する。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら周囲隔壁
との濡れ性、発光層材料自体の表面張力・粘性・溶媒の
乾燥特性が出来上がる膜の膜厚プロファイルに影響し、
発光層の膜厚バラツキが発生することがある。有機ＥＬ
素子の発光効率は膜厚に依存するため、画素内に明るい
部分と暗い部分が出来、所望の設計輝度を得ることがで
きない。また、設計輝度を得る為に画素の電流密度を高
めると部分的に高輝度発光するため画素の寿命を縮めて
しまう。一方材料の構成から改善を試みると乾燥プロセ
ス、隔壁に用いられる絶縁材料の構成をコントロールす
ることが検討されているが、特殊な材料の組み合わせに
なるなど、材料構成・プロセスの選択幅、コスト的、に
欠点があった。

【０００７】本発明は、上記問題点に鑑みてなされ、よ
り表示品位の良好な自己発光表示装置を実現することを
目的とする。また、一表示画素に複数の表示素子を配置
する場合に、表示素子のレイアウトを改善し、発光面積
を低減することのない自己発光表示装置を提供すること
を目的とする。また、材料・プロセスの複雑化を伴うこ
となく、より高輝度・長寿命の自己発光表示装置を提供
することを目的とする。また、発光層の膜厚バラツキの
抑制された自己発光表示装置を提供することを目的とす
る。また、表示素子形状を改善し、電気ショートや電界
集中の低減された自己発光表示装置を提供することを目
的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】例えばＥＬ発光高分子を
用いて表示画素を形成する場合、通常溶媒に溶解して得
られた溶液を周囲を絶縁膜で形成された表示画素内に充
填して高分子発光層を形成する。乾燥後形成された発光
層の膜厚分布を詳細に観察した結果、膜厚は画素周辺部
で厚く、画素中央部に向かい薄くなっていくことを確認
し、この傾向は画素面積が小さい場合に周辺部−中央部
の膜厚偏差を小さく出来ることを見出した。しかしなが
ら、画素面積を小さくすると、所望の発光輝度を得る為
には複数素子をもって1画素を形成しなければならず、
結果として開口率が小さくなってしまう。画素の周辺部
から膜の中央部までの距離を短く保つことで膜厚の偏差
を小さくし、且つ所望の発光面積を得る為に、発明者ら
は複数素子を一つの画素内に内包させることで目的を達
成できることを見出した。

【０００９】そこで、本件請求項１の発明は、マトリク
ス状に配置される複数の陽極膜と、前記陽極膜上に配置
される発光層と、前記発光層を介して前記陽極膜と対向
配置される陰極膜とを備えた表示画素と、隣接する前記
陽極膜間を電気的に絶縁し、前記陽極膜上に開口部を有
する隔壁と、を備えた自己発光表示装置であって、前記
陽極膜上に絶縁材料でなり、前記発光層の膜厚とほぼ同
一の高さでなる凸状部を備えたことを特徴としている。

【００１０】また、請求項６の発明は、一つの画素内に
複数の表示素子を備えてなる表示画素がマトリクス状に
配置された自己発光表示装置であって、前記複数の表示
素子は外形の大きさがそれぞれ異なり、外形の大きい表
示素子がより外形の小さい表示素子を内包することを特
徴としている。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態として
有機ＥＬ表示装置を例にとり説明する。図１は、有機Ｅ
Ｌ表示装置の概略回路図、図２はその一部概略断面図で
ある。有機ＥＬ表示装置１は、ガラス等の絶縁性支持基
板１０１上に表示画素１４０がマトリクス状に配置され
るアレイ基板１００と、アレイ基板１００に対向配置さ
れた封止基板２００とから構成される。

【００１２】アレイ基板１００は、複数の信号線１１０
と、この信号線１１０と略直交して配置される複数の走
査線１２０と、これら信号線１１０および走査線１２０
の各交点付近に配置される画素スイッチ１３０と、各画
素スイッチ１３０と接続される表示画素１４０とを備え
る。各表示画素１４０は、複数の表示素子ＰＸ_ｎと、こ
れら表示素子ＰＸ_ｎを駆動する駆動制御素子１４１を備
える。例えば画素スイッチ１３０はｎ型薄膜トランジス
タ、駆動制御素子１４１はｐ型薄膜トランジスタ、各表
示素子ＰＸ_ｎは、陽極と陰極とこれら電極間に狭持され
る発光層ＥＭ、で構成される。画素スイッチ１３０のソ
ース電極は信号線１１０に、ゲート電極は走査線１２０
に、ドレイン電極は駆動制御素子１４１のゲート電極Ｇ
にそれぞれ接続される。また、駆動制御素子１４１のソ
ース電極Ｓは電源供給線ＶＤＤに、ドレイン電極Ｄは陽
極膜ＡＤに接続される。

【００１３】カラー表示を行う場合は、表示画素１４０
毎に対応する色の発光を行い、ここでは赤、青、緑の波
長に対応する光を出射する。各表示画素１４０の発光形
状は、後で述べる画素発光領域の形状にほぼ一致する。

【００１４】ここで、アレイ基板１００の各表示画素１
４０についてさらに詳しく説明する。図３は、図２の表
示画素１４０の一部であり、同図（ａ）は略平面図、
（ｂ）は略断面図を示す。各陽極は、表示画素１４０毎
に島状に設けられた陽極膜ＡＤにより構成され、各陰極
は各表示画素１４０共通に連続して配置される陰極膜Ｃ
Ｄにより構成される。陽極膜ＡＤおよび陰極膜ＣＤの少
なくとも一方は光透過性を有する導電膜により形成さ
れ、ここでは例えば陽極膜ＡＤがＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ
ＴｉｎＯｘｉｄｅ）等の光透過性導電膜、陰極膜Ｃ
ＤがＢａで構成される。光透過性導電膜の膜厚は、通
常、１０〜１５０ｎｍ程度がよい。また、陰極膜ＣＤを
覆うように例えばＡｌ等の保護層１５０を積層する。

【００１５】各表示画素１４０の画素発光領域を区画す
る隔壁１６０は、例えば第１隔壁１６１と第１隔壁１６
１に積層される第２隔壁１６２の２層構造で形成され、
第１隔壁１６１は例えばＳｉＮ、ＳｉＯ等の無機絶縁材
料でなる親水膜で形成され、第２隔壁１６２は例えば有
機絶縁材料でなる撥水膜で形成される。これら隔壁１６
０の開口部に発光層ＥＭが配置され、複数の表示素子Ｐ
Ｘ_ｎを構成する。この隔壁１６０には、発光層材料を充
填した時に、発光材料が隣接する他の画素発光領域に流
出しない程度の高さが必要である。また、第１隔壁１６
１の開口は、第２隔壁１６２の開口と同等か、第２隔壁
１６２の開口よりも小さい径で形成されている。

【００１６】そして本発明においては、この隔壁１６０
の開口部に対応する画素発光領域の陽極膜ＡＤ上に１以
上の凸状部１７０を備え、複数の表示素子ＰＸ_ｎの各々
に区分する。この凸状部１７０は例えばＳｉＮ、ＳｉＯ
等の無機絶縁材料でなる親水膜でなり、各表示画素１４
０に対応して設けられる陽極膜ＡＤのうち、凸状部１７
０の配置されない部分が陽極として機能する。この凸状
部１７０の高さは各表示画素１４０を分離する隔壁１６
０の高さ以下であり、発光層ＥＭの膜厚とほぼ同等の高
さを有することが望ましく、およそ５０〜２００ｎｍで
ある。また凸状部１７０の幅は、発光面積を低下させな
いよう狭いほうが望ましい。また、凸状部１７０の形状
は、環状形で、各表示画素１４０が３以上の複数の表示
素子ＰＸ _ｎを含む場合には、表示素子ＰＸ_ｎ数に応じて
大きさの異なる複数の環状形の凸状部を有する。これら
凸状部は、その外周でなる面積（外形の大きさ）がより
小さい他の凸状部を内包するよう配置され、各凸状部は
枝分かれしたり、互いに交差することはない。また、一
番小さい環状形の凸状部の内側に、所定形状の凸状部を
備えていてもよい。

【００１７】このような凸状部１７０で分離される表示
素子ＰＸ_ｎの各々は、その外周でなる面積（外形の大き
さ）がそれぞれ異なるように形成され、外周でなる面積
がより小さい表示素子ＰＸ_ｎ全てを内包するように形成
されている。つまり各表示画素１４０は互いに大きさの
異なる環形状の表示素子ＰＸ_ｎ、あるいは一番小さい環
状凸状部１７０の内側に所定形状の表示素子ＰＸ_ｎを備
え、外形の大きさが大きい表示素子ＰＸ_ｎが外形の大き
さのより小さい表示素子ＰＸ_ｎを内包するよう配置され
る。

【００１８】このように、表示画素１４０に含まれる複
数の表示素子ＰＸ_ｎの形状を環形状とすることで、鋭角
のエッジを有する表示素子ＰＸ_ｎを形成することなく、
エッジ部分での発光層ＥＭの成膜不良を低減することが
できる。そして、発光層ＥＭの未充填部の発生を抑制
し、陽極と陰極間の電気ショートの発生を低減すること
ができる。また、画素発光領域に１以上の凸状部１７０
を配置することにより、膜厚バラツキの抑制された発光
層ＥＭを配置することが可能となり、電界集中を低減
し、表示品位を良好なものとすることができる。そし
て、高輝度、長寿命の有機ＥＬ表示装置を実現すること
ができる。

【００１９】また、外形の大きさの大きい表示素子が外
形の小さい表示素子を内包するよう配置することによ
り、実質的に発光に寄与する領域を削減することない表
示素子のレイアウトが可能となる。

【００２０】図３には一例として、円状の画素発光領域
を備える場合について図示している。この例では、各表
示画素１４０が２つの表示素子ＰＸ_１、ＰＸ_２を有して
いる場合で、画素発光領域のサイズを規定する外周を有
し幅ｄ_１の環状の第１表示素子ＰＸ_１と、直径ｄ_２の円
状の第２表示素子ＰＸ_２とを有する。これら表示素子Ｐ
Ｘ_１、ＰＸ_２は、幅Ｄ_１の環状の凸状部１７０により区
分されている。

【００２１】第１表示素子ＰＸ_１の幅ｄ_１と第１表示素
子ＰＸ_１に内包される第２表示素子ＰＸ_２の直径ｄ_２の
大きさは同一である。このように各表示素子ＰＸ_１、Ｐ
Ｘ_２の発光層ＥＭと凸状部１７０あるいは隔壁１６０の
端部との距離を均一に保つことにより、端部との濡れ
性、および端部からの距離が発光層ＥＭの膜厚に及ぼす
影響を均一化することができる。

【００２２】また、各表示素子の形状を相似形状とし、
外形の大きさの小さい表示素子を表示素子の外形の大き
い表示素子が内包するよう配置することにより、各表示
素子を表示画素１４０内に対称的に配置することがで
き、電界集中や形状に起因する膜厚バラツキを抑制する
ことができる。

【００２３】上述の実施形態では、各表示画素１４０が
２つの表示素子を含む場合について説明したが、図４に
図示すように、さらに複数の表示素子ＰＸ_１〜３を含む
ものであってもよい。この場合も、最外周の表示素子Ｐ
Ｘ_１の発光幅ｄ_１と最内側の表示素子ＰＸ_２直径ｄ_２は
等しいことが望ましく、さらに、これらの間に配置され
る環状表示素子ＰＸ_３の幅ｄ_３の大きさも等しいこと
（ｄ_１＝ｄ_２＝ｄ_３）が望ましい。また、最内側の表示
素子ＰＸ_２を除く環状表示素子ＰＸ_１、ＰＸ_３が相似形
であることが望ましい。

【００２４】また図５に図示すように、複数の環状の凸
状部１７１、１７２および最も径の外形の小さい凸状部
１７２の内側に円形の凸状部１７３を有し、表示素子Ｐ
Ｘ_１ _〜３全てが環状のものであってもよい。この場合も
各環状表示素子ＰＸ_１〜３の幅が等しいこと（ｄ_１＝ｄ
_２＝ｄ_４）が望ましく、また、それぞれ相似形であるこ
とが望ましい。

【００２５】また、画素発光形状は円形に限定されず、
図６に図示するような正多角形状であってもよい。発光
層ＥＭがインクジェットノズルを用いて塗布される場合
には、画素発光形状は縦横比が１：１となるよう形成す
ることが望ましい。

【００２６】また、各表示素子の形状を正多角形状と
し、各辺のなす内角θを９０°以上の角度を有する構造
とすることにより、鋭角のエッジによる電界集中を低減
することができる。また、鋭角のエッジを有する場合エ
ッジ部分に発光層材料が行き渡らず未充填となるような
製造上の不具合を抑制することができる。そして、未充
填部分に起因する電気ショートの発生を防止することが
できる。

【００２７】次に、この有機ＥＬ表示装置１の製造方法
の一例について説明する。マトリクスアレイ状に信号線
１１０、走査線１２０、画素スイッチ１３０、駆動制御
素子１４１等を配置した基板上に、陽極膜ＡＤ材料とし
て例えばＩＴＯを蒸着、スパッタリング等により膜厚５
０ｎｍに成膜した後、フォトリソグラフィー法によりパ
ターニングすることにより表示画素１４０に対応した陽
極膜ＡＤを形成する。

【００２８】この陽極膜ＡＤ上に、第１隔壁材料として
例えばＳｉＮ膜を膜厚１００ｎｍに成膜し、連続して第
１隔壁膜上に第２隔壁材料として例えばポリイミドを膜
厚３０００ｎｍとなるように成膜する。第１隔壁１６１
の膜厚は、発光層ＥＭの膜厚とほぼ同一となるよう設定
することが望ましく、第２隔壁１６２の膜厚は、発光層
材料塗布時に各表示画素１４０の発光層材料が隣接する
表示画素１４０に付与されない程度に設定することが望
ましい。

【００２９】第２隔壁材料は、有機絶縁膜からなり、有
機絶縁膜としては、その目的を達する物ならばいかなる
物でもかまわないが、プロセスの簡便性から感光性を有
する物が望ましい。たとえばポジ型のパターンを与える
有機絶縁膜としては、フェノール樹脂・ポリアクリル・
ポリアミド樹脂・ポリアミック酸などのアルカリ可溶性
の高分子誘導体にナフトキノンジアジドなどの感光性化
合物を添加し、露光・アルカリ現像によりポジパターン
を得られるような材料が挙げられる。ネガ型のパターン
を与える有機絶縁膜としては化学線の照射により現像液
への溶解速度が遅くなる感光性組成物、たとえば化学線
照射により架橋する官能基を有する感光性組成物が挙げ
られる。化学線照射により架橋するたとえばエポキシ基
を有する化合物を含有する感光性組成物、等を用いるこ
とが出来る。

【００３０】次に第２隔壁膜をパターニングし、画素発
光領域に対応する位置に開口を有する格子状の第２隔壁
１６２を形成する。本実施形態では、開口の形状を円形
状としたが、これに限定されない。

【００３１】続いて、第１隔壁膜を所定形状にパターニ
ングし、画素発光領域を規定する開口部を有する第１隔
壁１６１と、各表示素子ＰＸ_ｎを区分する凸状部１７０
を同時に形成する。例えば、本実施形態においては表示
画素１４０内に直径（内側）ｄ_２、幅Ｄ_１の環状凸状部
１７０を第１隔壁１６１端部から等距離ｄ_１の位置に配
置した。こうして形成される凸状部１７０は、画素発光
領域の発光形状の外周形状とほぼ同一である。ここで
は、ｄ_２＝ｄ_１とし、例えばＤ_１を０．１μｍに設定し
た。このように第１隔壁１６１と同一材料で同時に凸状
部１７０を形成するため、材料、プロセスを増大させる
ことなく、またコストを増大させることなく凸状部１７
０を形成することができる。

【００３２】次に、陽極上に発光層ＥＭを形成する。こ
こでは陽極バッファ層および有機発光層ＥＭからなる有
機積層構造で形成される。陽極バッファ層材料として
は、ポリチオフェン誘導体、ポリアニリン誘導体、（た
とえば、ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレ
ンスルホン酸の混合物、または、ポリアニリンとポリス
チレンスルホン酸の混合物）等を用いることが出来る。
陽極バッファ層の膜厚は、通常、１〜１００ｎｍ程度が
よい。陽極バッファ層はスピンコート法あるいはインク
ジェット法により形成される。

【００３３】有機発光層材料としては、通常、有機ＥＬ
素子に用いられるものを用いることが出来る。そのよう
なものとして、赤は、たとえばポリビニレンスチレン誘
導体のベンゼン環にアルキルまたはアルコキシ置換基を
有する高分子化合物、ポリビニレンスチレン誘導体のビ
ニレン基にシアノ基を有する高分子化合物などが挙げら
れる。緑は、たとえばアルキルまたはアルコキシまたは
アリール誘導体置換基をベンゼン環に導入したポリビニ
レンスチレン誘導体などが挙げられる。青は、たとえば
ジアルキルフルオレンとアントラセンの共重合体など、
ポリフルオレン誘導体が挙げられる。また、これらの高
分子化合物に低分子の発光材料などを添加してもかまわ
ない。有機発光層の膜厚は、材料により最適な膜厚があ
るが、通常５０〜２００ｎｍ程度がよい。

【００３４】発光層は、それぞれの成分を含む溶液をイ
ンクジェット法により成膜する。まず、第１隔壁１６１
および第２隔壁１６２でなる隔壁１６０により区分され
た各画素発光領域に、スピンコート法により、陽極バッ
ファ層材料を成膜し、１２０℃で３分加熱して、厚さ３
０ｎｍの陽極バッファ層を形成した。

【００３５】その後、各色に相当する画素発光領域の陽
極バッファ層上に、各色の有機発光層材料をインクジェ
ット法により所定液量を滴下し、９０℃で１時間乾燥し
て、厚さ８０ｎｍの有機発光層ＥＭを形成した。例え
ば、赤画素および青画素用には文献（Ａｄｖ．Ｍａｔｅ
ｒ．１９９８，１０，１３４０）を参考にＰＰＶ誘導体
を合成し、これをテトラリンに１％溶解し、青画素用に
は文献（Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．１９９８，１０，９９
３）を参考にジヘキシルフルオレンとアントラセンの誘
導体を合成し、同様にテトラリンに１％溶解して有機発
光層材料とした。

【００３６】このとき、画素発光領域に凸状部１７０を
配置することにより、発光領域を分割することができ、
乾燥後の発光層ＥＭの膜厚バラツキを効果的に抑制する
ことができる。

【００３７】次いで、陰極材料としてＢａを１０−７Ｐ
ａの真空度で９０Åの膜厚に蒸着し、陰極膜ＣＤを形成
した。続いて、Ａｌを１５００Åの膜厚に蒸着し、保護
層１５０を形成した。

【００３８】また、封止基板２００の主表面の周縁部に
紫外線硬化型樹脂からなるシール材を塗布し、アレイ基
板１００の主表面と対向させＮ_２またはＡｒ等の不活性
ガス雰囲気中で貼りあわせる。ついで、紫外線を照射し
シール材を硬化させ、有機ＥＬ表示素子ＰＸ_ｎが支持基
板１０１および封止基板２００間に封止された有機ＥＬ
表示装置１を作成する。

【００３９】このようにして形成したカラー表示型アク
ティブマトリクス有機ＥＬ表示装置は、高い発光輝度を
示した。

【００４０】尚、上述の実施形態では、陽極とＴＦＴの
ソース・ドレイン電極とが同一平面上にある場合につい
て説明したが、ソース・ドレイン電極上に絶縁膜を配置
して、この絶縁膜上に陽極を配置し、絶縁膜に形成され
るコンタクトホールを介して陽極と駆動制御素子１４１
のドレイン電極Ｄとを電気的に接続するものであっても
よい。

【００４１】また、上述の実施形態では、アレイ基板１
００側から光を取出し表示面とする下面発光型について
説明したがこれに限定されず、陰極を光透過性導電膜で
形成し対向基板側から光を取出す上面発光型としてもよ
い。例えば陽極をＰｔ、陰極をＭｇ：Ａｇを成膜速度比
９：１で共に蒸着しその上にＩＴＯを配置して形成す
る。このとき、Ｍｇ：Ａｇは光透過性を有する程度に薄
膜に成膜することができる。

【００４２】また、アレイ基板１００に用いられる基板
としては、発光層構造を保持できるものであれば、どの
ようなものを用いてもよい。ガラス基板が一般的である
が、デバイスの目的に合わせ、たとえばプラスチックシ
ートなど、フレキシブルなものであってもよい。

【００４３】また、発光層ＥＭを陽極バッファ層と有機
発光層の２層構造で形成するものについて説明したが、
さらに陰極および有機発光層間に陰極バッファ層を備え
た３層構造、あるいは機能的に複合された単層構造で構
成してもよい。

【００４４】また、本発明は有機ＥＬ表示装置に限定さ
れず、自己発光表示装置一般に適用することができる。

【００４５】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
ると発光層の膜厚バラツキが抑制され、高い表示性能を
有する自己発光表示装置を達成することができる。ま
た、表示素子のレイアウトの改善により、発光面積を低
減することのなく、電気ショートや電界集中の低減され
た自己発光表示装置を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の
概略平面図。

【図２】本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の
一部概略断面図。

【図３】本発明の一実施形態に係る表示画素を示し同図
（ａ）はその部分平面図、同図（ｂ）は部分断面図。

【図４】本発明の他の実施形態に係る表示画素を示し同
図（ａ）はその部分平面図、同図（ｂ）は部分断面図。

【図５】本発明の他の実施形態に係る表示画素を示し同
図（ａ）はその部分平面図、同図（ｂ）は部分断面図。

【図６】本発明の他の実施形態に係る表示画素を示し同
図（ａ）はその部分平面図、同図（ｂ）は部分断面図。

【符号の説明】

１・・・有機ＥＬ表示装置１００・・・アレイ基板１１０・・・信号線１２０・・・走査線１３０・・・画素スイッチ１４０・・・表示画素１４１・・・駆動制御素子１５０・・・保護層１６０・・・隔壁１６１・・・第１隔壁１６２・・・第２隔壁１７０・・・凸状部２００・・・封止基板ＡＤ・・・陽極膜ＣＤ・・・陰極膜ＥＭ・・・発光層ＰＸ_ｎ・・・表示素子

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 3K007 AB02 AB04 AB11 AB17 BA06 BB07 DB03 GA04 5C094 AA03 AA08 AA31 AA42 AA43 AA55 BA03 BA12 BA27 CA19 CA24 DA13 EA04 EA05 EA07 FA01 FB01 FB20

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】マトリクス状に配置される複数の陽極膜
と、前記陽極膜上に配置される発光層と、前記発光層を
介して前記陽極膜と対向配置される陰極膜とを備えた表
示画素と、隣接する前記陽極膜間を電気的に絶縁し、前
記陽極膜上に開口部を有する隔壁と、を備えた自己発光
表示装置であって、前記陽極膜上に絶縁材料でなり、前記発光層の膜厚とほ
ぼ同一の高さでなる凸状部を備えたことを特徴とする自
己発光表示装置。
【請求項２】前記隔壁は、前記凸状部以上の高さである
ことを特徴とする請求項１記載の自己発光表示装置。
【請求項３】前記凸状部は、無機絶縁材料でなることを
特徴とする請求項１記載の自己発光表示装置。
【請求項４】前記凸状部は、前記隔壁の前記開口部端部
から等距離にある環状形であることを特徴とする請求項
１記載の自己発光表示装置。
【請求項５】前記自己発光表示装置は、外形の大きさが
異なる複数の環状の前記凸状部を有し、外形の大きい凸
状部が大きさの小さい凸状部を内包することを特徴とす
る請求項１記載の自己発光表示装置。
【請求項６】一つの画素内に複数の表示素子を備えてな
る表示画素がマトリクス状に配置された自己発光表示装
置であって、前記複数の表示素子は外形の大きさがそれぞれ異なり、
外形の大きい表示素子がより外形の小さい表示素子を内
包することを特徴とする自己発光表示装置。
【請求項７】前記複数の表示素子のうち、最も外形の小
さい表示素子を除く他の表示素子は環状形であることを
特徴とする請求項６記載の自己発光表示装置。
【請求項８】前記表示素子は、円形状または正多角形状
であることを特徴とする請求項７記載の自己発光表示装
置。
【請求項９】前記表示素子の各々は、絶縁材料でなる凸
状部により区画されていることを特徴とする請求項６記
載の自己発光表示装置。
【請求項１０】前記表示素子の環状幅はそれぞれ等しい
ことを特徴とする請求項７記載の自己発光表示装置。
【請求項１１】前記表示画素の発光形状と前記表示素子
の外周形状がほぼ同一であることを特徴とする請求項６
記載の自己発光表示装置。