KR100753088B1

KR100753088B1 - 표시장치와 그 제조방법

Info

Publication number: KR100753088B1
Application number: KR1020060016202A
Authority: KR
Inventors: 성운철; 이상필; 김훈
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2006-02-20
Filing date: 2006-02-20
Publication date: 2007-08-31
Also published as: US8044404B2; US20070194322A1; KR20070083019A

Abstract

본 발명은 표시장치와 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 표시장치는 절연기판과; 상기 절연기판 상에 형성되어 있는 박막트랜지스터와; 상기 박막트랜지스터에 연결되어 있는 화소전극과; 상기 화소전극을 둘러싸고 있으며, 제1높이의 주벽과 상기 제1높이보다 낮은 제2높이의 보조벽을 포함하는 격벽과; 상기 화소전극 상에 형성되어 있는 유기층과; 상기 유기층 상에 형성되어 있는 공통전극과; 상기 절연기판의 둘레를 따라 상기 절연기판과 결합되어 있는 봉지 기판(encapsulation substrate)을 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의해 봉지 기판의 변형에 의한 불량이 감소된 표시장치가 제공된다.

Description

표시장치와 그 제조방법{DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME}

도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 표시장치의 화소에 대한 등가회로도이고,

도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 표시장치의 개략적인 구성을 나타낸 도면이고,

도 3은 도 2의‘A’부분의 확대 단면도이고,

도 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 표시장치에서 봉지기판의 변형을 나타낸 도면이고,

도 5 내지 도 13은 본 발명의 제1실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 나타낸 도면이고,

도 14 내지 도 17은 각각 본 발명의 제1실시예에 따른 표시장치의 다른 제조방법을 나타낸 도면이고,

도 18은 본 발명의 제2실시예에 따른 표시장치의 개략적인 구성을 나타낸 도면이고,

도 19는 본 발명의 제3실시예에 따른 표시장치의 단면도이고,

도 20은 본 발명의 제4실시예에 따른 표시장치의 단면도이다.

* 도면의 주요부분의 부호에 대한 설명 *

110 : 절연기판 160 : 격벽

160a : 주벽 160b : 보조벽

200 : 봉지부 300 : 실런트

본 발명은 표시 장치와 그 제조방법에 관한 것으로, 더 자세하게는 봉지기판을 사용하는 표시장치와 그 제조방법에 관한 것이다.

평판 디스플레이 장치(flat panel display) 중 저전압 구동, 경량 박형, 광시야각 그리고 고속응답 등의 장점으로 인하여, 최근 OLED(organic light emitting diode)가 각광 받고 있다.

OLED는 절연기판 상에 형성되어 있으며 유기물로 이루어진 발광층을 포함한다. 발광층은 전자와 정공을 공급받아 빛을 생성한다. 발광층은 유기물로 이루어져 있기 때문에 산소 및 수분에 의해 손상되기 쉽다.

발광층을 산소 및 수분으로부터 보호하기 위해 유리나 금속으로 이루어진 봉지기판을 사용한다. 봉지기판은 무게를 줄이기 위해 얇은 두께를 가지고 있기 때문에 변형되기 쉬운데, 최근 OLED가 대형화되면서 변형이 더욱 커지고 있다.

그런데 봉지기판이 변형되면서 표시소자를 누르게 되고, 이에 의해 표시소자에 불량이 발생하는 문제가 있다.

따라서 본 발명의 목적은 봉지기판의 변형에 의한 불량이 감소한 표시장치를 제공하는 것이다.

본 발명의 다른 목적은 봉지기판의 변형에 의한 불량이 감소한 표시장치의 제조방법을 제공하는 것이다.

상기 본발명의 목적은 절연기판과; 상기 절연기판 상에 형성되어 있는 박막트랜지스터와; 상기 박막트랜지스터에 연결되어 있는 화소전극과; 상기 화소전극을 둘러싸고 있으며, 제1높이의 주벽과 상기 제1높이보다 낮은 제2높이의 보조벽을 포함하는 격벽과; 상기 화소전극 상에 형성되어 있는 유기층과; 상기 유기층 상에 형성되어 있는 공통전극과; 상기 절연기판의 둘레를 따라 상기 절연기판과 결합되어 있는 봉지 기판(encapsulation substrate)을 포함하는 표시장치에 의하여 달성된다.

상기 제1높이는 약 50㎛ 내지 1000㎛인 것이 바람직하다.

상기 제2높이는 약 0.5㎛ 내지 30㎛인 것이 바람직하다.

상기 제2높이는 상기 제1높이의 약 10% 내지 50%인 것이 바람직하다.

상기 봉지기판은 상기 절연기판과 평행한 제1부분과; 상기 제1부분에서 상기 절연기판 방향으로 절곡된 제2부분을 포함하는 것이 바람직하다.

상기 절연기판과 상기 제2부분사이에 위치하며, 상기 절연기판과 상기 봉지기판을 접합시키는 실런트를 더 포함하는 것이 바람직하다.

상기 봉지기판은 평판 타입의 유리를 식각하여 형성된 것이 바람직하다.

상기 격벽은 감광물질로 이루어진 것이 바람직하다.

상기 본 발명의 다른 목적은 절연기판 상에 박막트랜지스터를 형성하는 단계와; 상기 박막트랜지스터에 연결되어 있는 화소전극을 형성하는 단계와; 상기 화소전극을 둘러싸고 있으며, 제1높이의 주벽과 상기 제1높이보다 낮은 제2높이의 보조벽을 포함하는 격벽을 형성하는 단계와; 상기 화소전극 상에 유기층을 형성하는 단계와; 상기 유기층 상에 공통전극을 형성하는 단계와; 상기 절연기판의 둘레를 따라 상기 절연기판에 봉지기판을 결합시키는 단계를 포함하는 표시장치의 제조방법에 의하여 달성된다.

상기 제1높이는 약 50㎛ 내지 1000㎛인 것이 바람직하다.

상기 제2높이는 약 0.5㎛ 내지 30㎛인 것이 바람직하다.

상기 제2높이는 상기 제1높이의 약 10 내지 50%인 것이 바람직하다.

상기 격벽의 형성은, 감광층을 형성하는 단계와; 상기 감광층을 노광하는 단계를 포함하는 것이 바람직하다.

상기 감광층의 형성은 슬릿 코팅, 스핀 코팅 및 스크린 프린팅 중 어느 한 가지 방법으로 수행되는 것이 바람직하다.

상기 감광층의 노광은 슬릿 마스크 또는 반투과 마스크를 사용하여 수행되는 것이 바람직하다.

상기 격벽의 형성은, 격벽물질층을 형성하는 단계와; 상기 격벽물질층을 임프린팅하는 단계를 포함하는 것이 바람직하다.

상기 봉지기판은 상기 절연기판과 평행한 제1부분과, 상기 제1부분에서 상기 절연기판 방향으로 절곡된 제2부분을 포함하며, 상기 절연기판과 상기 봉지기판의 결합은, 상기 절연기판 또는 상기 제2부분 중 어느 하나에 실런트를 도포하는 단계를 포함하는 것이 바람직하다.

이하 첨부된 도면을 참조로 하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하겠다.

여러 실시예에 있어서 동일한 구성요소에 대하여는 동일한 참조번호를 부여하였으며, 동일한 구성요소에 대하여는 일 실시예에서 대표적으로 설명하고 다른 실시예에서는 생략될 수 있다.

설명에서‘상에’또는‘위에’는 두 층(막) 간에 다른 층(막)이 개재되거나 개재되지 않는 것을 의미하며,‘바로 위에’는 두 층(막)이 서로 접촉하고 있음을 나타낸다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치에서 화소에 대한 등가회로도이다.

하나의 화소에는 복수의 신호선이 마련되어 있다. 신호선은 주사신호를 전달하는 게이트선, 데이터 신호를 전달하는 데이터선 그리고 구동 전압을 전달하는 구동 전압선을 포함한다. 데이터선과 구동 전압선은 서로 인접하여 나란히 배치되어 있으며, 게이트선은 데이터선 및 구동 전압선과 수직을 이루며 연장되어 있다.

각 화소는 유기발광소자(LD), 스위칭 박막트랜지스터(Tsw), 구동 박막트랜지스터(Tdr), 축전기(C)를 포함한다.

구동 박막트랜지스터(Tdr)는 제어 단자, 입력 단자 및 출력단자를 가지는데, 제어단자는 스위칭 박막트랜지스터(Tsw)에 연결되어 있고, 입력 단자는 구동 전압선에 연결되어 있으며, 출력 단자는 유기발광소자(LD)에 연결되어 있다.

유기발광소자(LD)는 구동 박막트랜지스터(Tdr)의 출력 단자에 연결되는 애노드(anode)와 공통전압(Vcom)에 연결되어 있는 캐소드(cathod)를 가진다. 유기 발광 소자(LD)는 구동 박막트랜지스터(Tdr)의 출력 전류에 따라 세기를 달리하여 발광함으로써 영상을 표시한다. 구동 박막트랜지스터(Tdr)의 전류는 제어 단자와 출력 단자 사이에 걸리는 전압에 따라 그 크기가 달라진다.

스위칭 박막트랜지스터(Tsw)는 또한 제어 단자, 입력 단자 및 출력 단자를 가지는데, 제어 단자는 게이트선에 연결되어 있고, 입력 단자는 데이터선에 연결되어 있으며, 출력 단자는 구동 박막트랜지스터(Tdr)의 제어 단자에 연결되어 있다. 스위칭 박막트랜지스터(Tsw)는 게이트선에 인가되는 주사 신호에 따라 데이터선에 인가되는 데이터 신호를 구동 박막트랜지스터(Tdr)에 전달한다.

축전기(C)는 구동 박막트랜지스터(Tdr)의 제어 단자와 입력단자 사이에 연결되어 있다. 축전기(C)는 구동 박막트랜지스터(Tdr)의 제어 단자에 입력되는 데이터 신호를 충전하고 유지한다.

본 발명의 제1실시예에 따른 표시 장치(1)를 도 2 및 도 3을 참조하여 자세히 살펴보면 다음과 같다. 도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 표시장치의 개략적인 구성을 나타낸 도면이고, 도 3은 도 2의‘A’부분의 확대 단면도이다.

표시장치(1)는 서로 결합되어 있는 표시기판(100)과 봉지부(200)를 포함한다. 표시기판(100)과 봉지부(200)의 둘레를 따라 위치하는 실런트(300)는 표시기판 (100)과 봉지부(200)를 접합시킨다. 표시기판(100)은 평판타입의 절연기판(110)과, 절연기판(110) 상에 형성되어 있는 표시소자를 포함한다.

봉지부(200)는 봉지기판(210)과, 봉지기판(210)의 내면에 마련되어 있는 흡습층(220)을 포함한다. 봉지기판(210)은 절연기판(110)과 평행하게 배치되어 있는 제1면(211)과, 제1면(211)으로부터 절연기판(110) 방향으로 연장되어 있는 제2면(212)을 포함한다. 즉 봉지기판(210)은 평판형태가 아니며 수용공간을 가지는 형태이다. 봉지기판(210)은 유리 또는 금속으로 이루어질 수 있다. 봉지기판(210)이 유리로 이루어진 경우, 봉지기판(210)은 평판타입의 유리를 식각하여 마련될 수 있다.

절연기판(110)과 봉지기판(210) 간의 간격(d1)은 100㎛ 내지 1100㎛일 수 있다.

도 3을 참조하여 표시기판(100)을 설명한다. 도 3에는 구동박막트랜지스터(Tdr)만이 도시되어 있으며, 스위칭 박막트랜지스터(Tsw)는 생략되어 있다.

유리, 석영, 세라믹 또는 플라스틱 등의 절연성 재질을 포함하여 만들어진 절연기판(110) 상에 게이트 전극(121)이 형성되어 있다.

절연기판(110)과 게이트 전극(121) 위에는 실리콘 질화물(SiNx) 등으로 이루어진 게이트 절연막(131)이 형성되어 있다. 게이트 전극(121)이 위치한 게이트 절연막(131) 상에는 비정질 실리콘으로 이루어진 반도체층(122)과 n형 불순물이 고농도 도핑된 n+ 수소화 비정질 실리콘으로 이루어진 저항성 접촉층(123)이 순차적으로 형성되어 있다.　여기서, 저항성 접촉층(123)은 게이트 전극(121)을 중심으로 양 쪽으로 분리되어 있다.

저항 접촉층(123) 및 게이트 절연막(131) 위에는 소스 전극(124)과 드레인 전극(125)이 형성되어 있다. 소스 전극(124)과 드레인 전극(125)은 게이트 전극(121)을 중심으로 분리되어 있다.

소스 전극(124)과 드레인 전극(125) 및 이들이 가리지 않는 반도체층(122)의 상부에는 보호막(141)이 형성되어 있다. 보호막(141)은 실리콘 질화물(SiNx)로 이루어질 수 있다.

보호막(141) 상부에는 유기물질로 이루어진 평탄층(142)이 형성되어 있다. 평탄층(142)은 BCB(benzocyclobutene) 계열, 올레핀 계열, 아크릴 수지(acrylic resin)계열, 폴리 이미드(polyimide)계열, 테프론계열, 사이토프(cytop), FCB(perfluorocyclobutane) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.

평탄층(142)과 보호막(141)에는 드레인 전극(125)을 노출시키는 접촉구(143)가 형성되어 있다.

평탄층(142)의 상부에는 화소전극(151)이 형성되어 있다. 화소전극(151)은 발광층(172)에 정공을 공급한다. 화소전극(151)은 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide)등의 투명한 도전물질로 이루어져 있으며 스퍼터링 방법에 의하여 형성된다. 화소전극(151)은 평면에서 보아 대략 사각형으로 패터닝되어 있을 수 있다.

각 화소전극(151) 간에는 격벽(160)이 형성되어 있다. 격벽(160)은 화소전극(151) 간을 구분하여 화소영역을 정의한다. 격벽(160)은 소스 전극(124) 및 드레인 전극(125)이 공통전극(180)과 단락되는 것을 방지하는 역할도 한다. 격벽(160)은 아크릴 수지, 폴리이미드 수지 등의 내열성, 내용매성이 있는 감광물질로 이루어져 있다.

격벽(160)은 주벽(160a)과 보조벽(160c)으로 이루어져 있다. 주벽(160a)과 보조벽(160c)을 연결하는 제1측면(160b)은 절연기판(110)과 제1경사각(θ1)을 이루며, 보조벽(160c)에서 화소전극(151)으로 연장된 제2측면(160d)는 절연기판(110)과 제2경사각(θ2)을 이루고 있다.

주벽(160a)의 높이(h1)는 약 50㎛ 내지 1000㎛이며, 보조벽(160c)의 높이(h2)는 약 0.5㎛ 내지 30㎛일 수 있다. 주벽(160a)의 높이(h1)는 절연기판(110)과 봉지기판(200) 간의 간격(도 1의 d1)에 의해 결정된다. 주벽(160a)의 높이(h1)는 절연기판(110)과 봉지기판(200) 간의 간격(d1)보다 다소 작게 마련된다. 주벽(160a)은 봉지기판(200)의 변형 시에 박막트랜지스터(Tdr) 등을 보호하는데 높이(h1)가 50㎛보다 작으면 보호를 효율적으로 수행할 수 없다. 반면, 주벽(160a)의 높이(h1)가 1000㎛보다 커지면 제1경사각(θ1)이 지나치게 커져 공통전극(180) 형성이 용이하지 않다.

보조벽(160c)의 높이(h2)가 0.5㎛보다 작으면 절연기능이 약화되어 소스 전극(124) 및 드레인 전극(125)이 공통전극(180)과 단락될 우려가 있다. 반대로 보조벽(160c)의 높이(h2)가 30㎛보다 커지면 제2경사각(θ2)이 지나치게 커져 공통전극(180) 형성이 용이하지 않다.

화소전극(151) 상부에는 유기층(170)이 형성되어 있으며, 유기층(170)은 정 공주입층(171, hole injecting layer)과 발광층(172)을 포함한다.

정공주입층(171)으로는 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(PEDOT) 등의 폴리티오펜 유도체와 폴리스틸렌 술폰산(PSS) 등의 혼합물을 사용할 수 있다.

발광층(172)은 적색을 발광하는 적색 발광층(172a), 녹색을 발광하는 녹색 발광층(172b), 청색을 발광하는 청색 발광층(172c)으로 이루어져 있다.

발광층(172)은 폴리플루오렌 유도체, (폴리)파라페닐렌비닐렌 유도체, 폴리페닐렌 유도체, 폴리비닐카바졸, 폴리티오펜 유도체, 또는 이들의 고분자 재료에 페릴렌계 색소, 로더민계 색소, 루브렌, 페릴렌, 9,10-디페닐안트라센, 테트라페닐부타디엔, 나일 레드, 쿠마린 6, 퀴나크리돈 등을 도핑하여 사용할 수 있다.

화소전극(151)에서 전달된 정공과 공통전극(180)에서 전달된 전자는 발광층(172)에서 결합하여 여기자(exciton)가 된 후, 여기자의 비활성화 과정에서 빛을 발생시킨다.

격벽(160) 및 발광층(172)의 상부에는 공통전극(180)이 위치한다. 공통전극(180)은 발광층(172)에 전자를 공급한다. 공통전극(180)은 불화 리튬층과 알루미늄층으로 적층되어 구성될 수 있다. 공통전극(180)을 알루미늄, 은과 같은 불투명한 재질로 만들 경우 발광층(172)에서 발광된 빛은 절연기판(110) 방향으로 출사되며 이를 바텀 에미션(bottom emission) 방식이라 한다.

도 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 표시장치에서 봉지기판의 변형을 나타낸 도면이다.

표시장치(1)의 대형화에 따라 봉지기판(220)도 역시 대형화되기 때문에 자중 에 의해 봉지기판(220)은 표시기판(100) 방향으로 변형되기 쉽다. 본 실시예에 따르면 봉지기판(220)의 변형 시 격벽(160)의 주벽(160a)이 봉지기판(220)과 먼저 접촉하면서, 박막트랜지스터(Tdr) 등의 손상을 방지한다.

도 5 내지 도 12은 본 발명의 제1실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 나타낸 도면이다.

먼저 도 5와 같이 화소전극(151)까지 형성된 표시기판(101)을 마련한다. 도 5에 도시한 표시기판(101)은 통상의 방법으로 제조될 수 있으며 설명은 생략한다.

다음 도 6a 및 도 6b와 같이 화소전극(151) 상에 감광층(165)을 형성한다. 도 6b는 감광층(165)을 스핀 코팅(spin coating)방법으로 형성하는 것을 나타낸다. 감광액(161)은 노즐(10)을 이용하여 표시기판(101)상에 적하되며, 표시기판(101)을 회전시키면 감광액(161)이 표시기판(101) 전체에 걸쳐 고르게 분포되어 감광층(165)을 형성한다.

다음 도 7a와 같이 감광층(165)을 노광한다. 감광층(165)은 남겨질 부분(B), 감광층(165)이 부분적으로 남겨질 부분(C) 및 완전히 제거될 부분(D)으로 나누어진다. 남겨지는 B부분은 주벽(160a)이 되고, 부분적으로 남겨지는C부분은 보조벽(160c)이 된다.

노광에 사용되는 마스크(20)는 광투과성의 마스크 기판(21), B부분에 형성되어 있는 차단패턴(22) 그리고 C부분에 형성되어 있는 슬릿패턴(23)으로 이루어져 있다. 마스크 기판(21)은 쿼츠로 만들어질 수 있으며, 차단패턴(22) 및 슬릿패턴(23)은 크롬층으로 만들어질 수 있다.

도 7b는 노광에 사용되는 마스크(20)의 평면도이다. D부분은 대략 사각형 형상으로 행렬형태로 배치되어 있다. D부분은 C부분에 의해 둘러싸여 있으며, B부분은 부분적으로 배치되어 있다. 주벽(160a)이 형성될 B부분의 개수는 실시예에 한정되지 않으며 D부분과 같은 개수로 마련될 수도 있다.

도 8은 노광된 감광층(165)을 현상하여 감광 패턴(166a, 166b)을 형성한 것을 나타낸다. 노광되지 않은 B부분에는 비교적 폭이 큰 감광패턴(166a)이 형성되어 있으며, 부분적으로 노광된 C부분에는 비교적 폭이 작은 감광패턴(166b)이 형성되어 있다.

도 9는 감광 패턴(166a, 166b)에 열을 가해 리플로우 시켜 격벽(160)을 형성한 것이다. 비교적 폭이 큰 감광패턴(166a)은 높이가 그대로 유지되면서 주벽(160a)을 형성한다. 비교적 폭이 작은 감광패턴(166b)은 이웃한 감광패턴(166b)과 합쳐지면서 높이가 줄어들면서 보조벽(160c)을 형성한다.

이 후 도 10과 같이 정공주입층(171)을 형성하기 위해 정공주입잉크(175)를 화소전극(151) 상에 잉크젯 방법을 사용하여 드로핑한다. 정공주입잉크(175)는 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(PEDOT) 등의 폴리티오펜 유도체와 폴리스틸렌 술폰산(PSS) 등의 혼합물과 이들 혼합물이 용해되어 있는 용매를 포함한다.

이 후 정공주입잉크(175)를 건조하여 정공주입층(171)을 형성한다. 정공주입잉크(175)의 건조는 질소 분위기 하 실온에서 압력을 1Torr 정도로 낮추어 행할 수 있다. 압력이 너무 낮으면 정공주입잉크(175)가 급격히 끊을 위험이 있다. 한편 온도를 실온 이상으로 하면 용매의 증발 속도가 높아져 균일한 두께의 막을 형성하기 어려워 바람직하지 않다.

건조가 완료된 후 질소 중, 바람직하게는 진공 중에서 약 200℃에서 10분 정도 열처리를 할 수 있는데, 이 과정을 통해 정공주입층(171) 내에 잔존하는 용매나 물이 제거된다.

다음으로 도 11과 같이 발광층(172) 형성을 위해 발광잉크(176a, 176b, 176c)를 정공주입층(171) 상에 드로핑한다. 발광잉크(176a, 176b, 176c)는 각각 유기물인 적색발광물질, 녹색발광물질, 청색발광물질을 포함하고 있다. 각 발광잉크(176a, 176b, 176c)는 용매를 더 포함할 수 있는데, 용매로는 정공주입층(171)의 재용해를 방지하기 위해 정공주입층(171)에 대하여 불용인 비극성 용매, 예를 들어 시클로헥실벤젠, 디하이드로벤조퓨란, 트리메틸벤젠, 테트라메틸벤젠 등을 사용할 수 있다.

이후 도 12와 같이 정공주입잉크(175)의 건조와 유사한 방법으로 발광잉크(176a, 176b, 176c)를 건조하여 발광층(172)을 형성한다.

이후 격벽(160)과 발광층(172) 상에 공통전극(180)을 형성하면 도 3에서의 표시기판(100)이 완성된다.

다음으로 도 13과 같이 표시소자의 둘레를 따라 실런트(300)를 드로잉하고, 봉지기판(200)을 표시기판(100)에 접합하면 표시장치(1)가 완성된다.

이상 설명한 제조방법은 다양하게 변형될 수 있는데, 이를 도 14 내지 조 17을 참조하여 설명한다. 도 14 내지 도 17는 각각 본 발명의 제1실시예에 따른 표시장치의 다른 제조방법을 나타낸 도면이다. 이 중 도 14및 도 15는 감광층(165)의 다른 형성방법에 관한 것이고, 도 16 및 도 17은 격벽(160)을 형성하는 다른 방법에 관한 것이다.

도 14는 감광층(165)을 슬릿 코팅방법으로 형성하는 것을 나타낸다. 슬릿 코터(30)는 표시기판(101)상을 지나가면서 감광층(165)을 형성한다.

도 15는 감광층(165)을 스크린 프린팅 방법으로 형성하는 것을 나타낸다. 표시기판(101) 상에는 스크린 마스크(40)가 위치하며 스크린 마스크(40) 상에는 감광물질(162)이 위치하고 있다. 스퀴즈(45)가 일방향으로 진행하면 스크린 마스크(40)가 표시기판(101) 방향으로 변형되며, 감광물질(162)은 스크린 마스크(40)를 통과하여 표시기판(101) 상에 토출된다.

도 16은 반투과 마스크(50)를 이용하여 감광층(165)을 노광하는 것을 나타낸다. 반투과 마스크(50)는 광투과성의 마스크 기판(51), B부분에 형성되어 있는 차단패턴(52) 그리고 C부분에 형성되어 있는 반투과패턴(53)으로 이루어져 있다. 차단패턴(52)과 반투과패턴(53)은 MoSi 나 CrN으로 이루어질 수 있으며, 두께에 따라 투과 정도가 달라진다.

도 17은 임프린트(imprint) 방식으로 격벽(160)을 형성하는 것을 나타낸다.

화소전극(151) 상에는 격벽물질층(167)이 형성되어 있다. 격벽물질층(167)은 감광물질이 아니어도 무방하다.

격벽물질층(167) 상부에는 격벽(160)의 형상이 음각되어 있는 몰드(60)가 마련되어 있다. 몰드(60)를 격벽물질층(167)에 압착시키면 격벽물질층(167)은 몰드(60)의 음각부분에 채워지고 나머지 부분은 제거된다. 도시하지는 않았지만 몰드 (60)에는 격벽물질층(167)의 도피를 위한 관통공이 형성되어 있을 수 있다. 몰드(60)를 제거하면 격벽(160)이 완성된다.

도 18은 본 발명의 제2실시예에 따른 표시장치의 개략적인 구성을 나타낸 도면이다.

도 18을 보면 봉지부(200)는 절연기판(110)과 마찬가지로 평판타입이다. 절연기판(110)과 봉지부(200)의 간격은 실런트(300)에 의해 유지되고 있는데, 실런트(200)는 스페이서를 포함할 수 있다.

도 19는 본 발명의 제3실시예에 따른 표시장치의 단면도이다.

도 19를 보면 격벽(160)은 2개의 단차(E, F)를 가지도록 형성되어 있다.

제4실시예에서의 유기층(170)은 하부유기층(171), 발광층(172) 및 상부유기층(173)을 포함하여, 이 중 하부유기층(171)과 상부 유기층(173)은 격벽(160) 전체에 걸쳐 형성되어 있다. 제 4실시예에서 유기층(170)은 저분자물질로서 증발법에 의해 형성된다. 한편 발광층(172)이 백색광을 발광할 경우 발광층(172) 역시 격벽(160) 전체에 걸쳐 형성될 수 있다. 발광층(172)이 백색광을 발광할 경우, 절연기판(110)과 화소전극(151) 사이에는 컬러필터가 형성될 수 있다.

하부 유기층(171)은 정공주입층과 정공수송층으로 이루어져 있으며, 강한 형광을 가진 아민(amine)유도체, 예를 들면 트리페닐디아민 유도체, 스티릴 아민 유도체, 방향족 축합환을 가지는 아민 유도체를 사용할 수 있다.

상부 유기층(173)은 전자수송층으로서 퀴놀린(quinoline) 유도체, 특히 알루 미늄 트리스(8-히드록시퀴놀린) (aluminum tris(8-hydroxyquinoline), Alq3)를 사용할 수 있다

비록 본발명의 몇몇 실시예들이 도시되고 설명되었지만, 본발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 당업자라면 본발명의 원칙이나 정신에서 벗어나지 않으면서 본 실시예를 변형할 수 있음을 알 수 있을 것이다. 본발명의 범위는 첨부된 청구항과 그 균등물에 의해 정해질 것이다.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 봉지기판의 변형에 의한 불량이 감소한 표시장치가 제공된다.

또한 봉지기판의 변형에 의한 불량이 감소한 표시장치의 제조방법이 제공된다.

Claims

절연기판과;

상기 절연기판 상에 형성되어 있는 박막트랜지스터와;

상기 박막트랜지스터에 연결되어 있는 화소전극과;

상기 화소전극을 둘러싸고 있으며, 제1높이의 주벽과 상기 제1높이보다 낮은 제2높이를 가지며 상기 주벽과 일체로 형성된 보조벽을 포함하는 격벽과;

상기 화소전극 상에 형성되어 있는 유기층과;

상기 유기층 상에 형성되어 있는 공통전극과;

상기 절연기판의 둘레를 따라 상기 절연기판과 결합되어 있는 봉지 기판(encapsulation substrate)을 포함하는 표시장치.
제1항에 있어서,

상기 제1높이는 50㎛ 내지 1000㎛인 것을 특징으로 하는 표시장치.
제2항에 있어서,

상기 제2높이는 0.5㎛ 내지 30㎛인 것을 특징으로 하는 표시장치.
제1항에 있어서,

상기 제2높이는 상기 제1높이의 10% 내지 50%인 것을 특징으로 하는 표시장치.
제2항 또는 제3항에 있어서,

상기 봉지기판은 상기 절연기판과 평행한 제1부분과;

상기 제1부분에서 상기 절연기판 방향으로 절곡된 제2부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
제5항에 있어서,

상기 절연기판과 상기 제2부분사이에 위치하며, 상기 절연기판과 상기 봉지기판을 접합시키는 실런트를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
제6항에 있어서,

상기 봉지기판은 평판 타입의 유리판을 식각하여 형성된 것을 특징으로 하는 표시장치.
제1항에 있어서,

상기 격벽은 감광물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 표시장치.
절연기판 상에 박막트랜지스터를 형성하는 단계와;

상기 박막트랜지스터에 연결되어 있는 화소전극을 형성하는 단계와;

상기 화소전극을 둘러싸고 있으며, 제1높이의 주벽과 상기 제1높이보다 낮은 제2높이를 가지며 상기 주벽과 일체인 보조벽을 포함하는 격벽을 형성하는 단계와;

상기 화소전극 상에 유기층을 형성하는 단계와;

상기 유기층 상에 공통전극을 형성하는 단계와;

상기 절연기판의 둘레를 따라 상기 절연기판에 봉지기판을 결합시키는 단계를 포함하는 표시장치의 제조방법.
제9항에 있어서,

상기 제1높이는 50㎛ 내지 1000㎛인 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.
제10항에 있어서,

상기 제2높이는 0.5㎛ 내지 30㎛인 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.
제9항에 있어서,

상기 제2높이는 상기 제1높이의 10% 내지 50%인 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.
제10항 또는 제11항에 있어서,

상기 격벽의 형성은,

감광층을 형성하는 단계와;

상기 감광층을 노광하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.
제13항에 있어서,

상기 감광층의 형성은 슬릿 코팅, 스핀 코팅 및 스크린 프린팅 중 어느 한 가지 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.
제13항에 있어서,

상기 감광층의 노광은 슬릿 마스크 또는 반투과 마스크를 사용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.
제10항 또는 제11항에 있어서,

상기 격벽의 형성은,

격벽물질층을 형성하는 단계와;

상기 격벽물질층을 임프린팅하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.
제10항 또는 제11항에 있어서,

상기 봉지기판은 상기 절연기판과 평행한 제1부분과, 상기 제1부분에서 상기 절연기판 방향으로 절곡된 제2부분을 포함하며,

상기 절연기판과 상기 봉지기판의 결합은,

상기 절연기판 또는 상기 제2부분 중 어느 하나에 실런트를 도포하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.