WO2016098544A1 - 有機ｅｌ表示装置 - Google Patents

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WO2016098544A1
WO2016098544A1 PCT/JP2015/083076 JP2015083076W WO2016098544A1 WO 2016098544 A1 WO2016098544 A1 WO 2016098544A1 JP 2015083076 W JP2015083076 W JP 2015083076W WO 2016098544 A1 WO2016098544 A1 WO 2016098544A1
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layer
organic
display device
light emitting
pixel electrode
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PCT/JP2015/083076
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English (en)
French (fr)
Inventor
松本　優子
佐藤　敏浩
Original Assignee
株式会社ジャパンディスプレイ
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Publication date
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Definitions

  • the present invention relates to a display device having a pixel configured of a light emitting element such as an electroluminescent element.
  • the present invention relates to an organic EL display device using an organic EL material as a light emitting material.
  • An electroluminescent (hereinafter also referred to as “EL”) element is known as a light emitting element utilizing an electroluminescence (EL) phenomenon.
  • EL elements can emit light of various wavelengths by selection of a light-emitting material forming a light-emitting layer, and application to display devices and lighting devices is in progress.
  • an organic EL element using an organic material as a light emitting material has attracted attention.
  • each pixel arranged in a matrix on a substrate includes an organic EL element as a light emitting element and a switching element for controlling light emission of the organic EL element. It is provided. Then, by controlling on / off of the switching element for each pixel, it is possible to display an arbitrary image as the entire display area.
  • an insulating material such as resin is provided on the periphery of a pixel electrode, and each pixel is partitioned by enclosing the pixel electrode with the insulating material, and a method of forming a light emitting element inside thereof is adopted.
  • Patent Document 1 An insulating material such as resin is provided on the periphery of a pixel electrode, and each pixel is partitioned by enclosing the pixel electrode with the insulating material, and a method of forming a light emitting element inside thereof is adopted.
  • Such insulating materials are generally referred to as banks.
  • the bank plays a role of flattening a contact hole connecting the pixel electrode and the switching element and preventing short circuit between the pixel electrode and the common electrode constituting the EL element.
  • the bank serves as a wall that limits the printing area.
  • the side surface shape of the bank is tapered to prevent division of the light emitting layer. Therefore, the distance between the bank and the pixel electrode may be 3 ⁇ m or more in some cases, and this is also a factor that hinders the improvement of the aperture ratio when promoting high definition.
  • one object of the present invention is to planarize the contact holes of the pixel electrodes without using a bank.
  • Another object of the present invention is to prevent a short circuit between a pixel electrode and a common electrode which constitute an EL element without using a bank.
  • One embodiment of the present invention is an organic EL display device including a plurality of pixels, wherein each of the plurality of pixels has a light emitting element, and the light emitting element includes a pixel electrode, a common electrode, and an EL common layer. And the light emitting layer, wherein the EL common layer and the light emitting layer are provided between the pixel electrode and the common electrode, and the EL common layer covers the main surface and the end of the pixel electrode. It is an organic EL display device.
  • One embodiment of the present invention is a method of manufacturing an organic EL display device including a plurality of pixels, comprising the steps of: forming a pixel electrode at a position corresponding to the plurality of pixels on a substrate; Forming a laminated structure including an EL common layer and a light emitting layer, and forming a common electrode on the laminated structure, wherein the EL common layer is a main surface and an end portion of the pixel electrode. It is a manufacturing method of the organic electroluminescence display formed so that it may cover.
  • drawings may be schematically represented as to the width, thickness, shape, etc. of each portion in comparison with the actual embodiment in order to clarify the description, but this is merely an example, and the interpretation of the present invention
  • elements having the same functions as the elements in the drawings described above are denoted by the same reference numerals, and redundant description may be omitted.
  • FIG. 1 is a top view showing a schematic configuration of an organic EL display device 100 according to a first embodiment of the present invention.
  • the organic EL display device 100 includes a pixel portion (display area) 102, a scanning line drive circuit 103, a data line drive circuit 104, and a driver IC 105 which are formed on a substrate 101.
  • a flexible printed circuit FPC may be provided to supply a signal to the scan line driver circuit 103 and the data line driver circuit 104.
  • a plurality of pixels are arranged in a matrix.
  • a data signal corresponding to image data is supplied from the data line drive circuit 104 to each pixel.
  • screen display can be performed according to the image data.
  • the transistor typically, a thin film transistor can be used. However, any element may be used as long as it is an element having a current control function as well as the thin film transistor.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the pixel section 102 in the organic EL display device 100 shown in FIG.
  • the pixel 201 includes a sub-pixel 201R corresponding to red (R), a sub-pixel 201G corresponding to green (G), and a sub-pixel 201B corresponding to blue (B).
  • a thin film transistor 202 is provided in each sub-pixel.
  • FIG. 2 shows a configuration using the three primary colors of RGB as the sub-pixels
  • the present embodiment is not limited thereto, and four sub-pixels in which white (W) or yellow (Y) is added to RGB are used.
  • the pixel 201 can also be configured.
  • an example in which pixels corresponding to the same color are stripe-arranged is shown as the pixel array, other delta-arrangement, Bayer array, or an array that realizes a pen tile structure may be used.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a cross section of the pixel 201 shown in FIG. 2 taken along A-A '.
  • an insulating layer formed of an inorganic material such as silicon oxide, silicon nitride, or aluminum oxide is provided as a base layer 302 on a substrate 301, and a thin film transistor 303 is formed thereon.
  • a glass substrate, a quartz substrate, a flexible substrate polyimide, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, or other bendable substrates
  • a metal substrate, a ceramic substrate, or a semiconductor substrate can be used.
  • the thin film transistor 303 may be formed by a known method. Further, it may be a top gate type or a bottom gate type.
  • the first insulating layer 304 is provided so as to cover the thin film transistor 303, and the unevenness due to the thin film transistor 303 is planarized. It is preferable to use a resin material as the first insulating layer 304.
  • organic materials such as polyimide, polyamide, and acrylic can be used. It is also possible to use an inorganic material such as silicon oxide instead of the organic material.
  • a laminated film in which the lower layer side is formed of two layers of an insulating inorganic material such as silicon oxide or silicon nitride and the upper layer side is an insulating organic material such as polyimide, polyamide, or acrylic may be applied to the first insulating layer 304.
  • the pixel electrode 305 is provided on the first insulating layer 304.
  • the pixel electrode 305 is connected to the thin film transistor 303 through a contact hole formed in the first insulating layer 304.
  • the pixel electrode 305 functions as an anode (anode) that constitutes the organic EL element.
  • the pixel electrode 305 emits light emitted from the organic EL element upward (in a direction not passing through the first insulating layer 304) or downward (in a direction passing through the first insulating layer 304)
  • a metal film with high reflectance is used as the pixel electrode 305, or a transparent conductive film and a metal film with a high work function, such as an indium oxide transparent conductive film or a zinc oxide transparent conductive film. It is sufficient to use the laminated structure of
  • the above-described transparent conductive film may be used as a single layer as the pixel electrode 305.
  • a first EL common layer 306 is provided on the pixel electrode 305.
  • the first EL common layer 306 is a functional layer having a function of assisting the movement of holes from the pixel electrode 305 to the light emitting layer 307 described later.
  • known hole injection layers, hole transport layers, or stacked structures thereof can be used.
  • the hole injection layer aromatic amine derivatives, polyaniline derivatives, polythiophene derivatives, phenylamine derivatives and the like are known. PEDOT / PSS etc. are known as a positive hole transport layer.
  • the first EL common layer 306 is provided so as to cover the main surface and the end portion of the pixel electrode 305.
  • the “main surface of the pixel electrode” refers to the surface of the pixel electrode facing the light emitting layer.
  • the “end of the pixel electrode” refers to an edge when the pixel electrode is viewed in plan.
  • the first EL common layer 306 is provided so as to cover the entire exposed portion of the pixel electrode 305.
  • the end portion of the pixel electrode 305 is covered with the first EL common layer 306 having a sufficient film thickness.
  • a short circuit between the pixel electrode 305 and the common electrode 309 described later can be prevented.
  • the first EL common layer 306 can also be used to fill in a recess due to a contact hole for connecting the pixel electrode 305 and the thin film transistor 303. Accordingly, the concave portion formed by the main surface of the pixel electrode 305 can be planarized by the first EL common layer 306. By flattening the concave portion, the shapes of the light emitting layer 307 and the second EL common layer 308 disposed thereon are planarized, and the occurrence of leakage or short circuit between the pixel electrode 305 and the common electrode 309 is realized. It can be suppressed.
  • the first EL common layer 306 is formed using an electrostatic droplet discharge method (for example, an inkjet method).
  • a light emitting layer 307 is provided on the first EL common layer 306.
  • the light emitting layer 307 is a functional layer that emits light by energy when holes and electrons recombine.
  • a known organic light emitting material can be used as the light emitting layer 307.
  • polyphenylene derivatives, polyfluorene derivatives, paraphenylene vinylene derivatives, polythiophene derivatives and the like are known. In order to make these organic light emitting materials emit light of each color of RGB, appropriate materials may be added.
  • materials for red color such as DCM, rhodamine and nile red
  • materials for green color such as coumarin and quinacridone
  • materials for blue color such as perylene and tetraphenyl butadiene
  • the area of the pixel electrode 305 can be sufficiently utilized to form the organic EL element.
  • the entire pixel electrode 305 can be used as an anode of the organic EL element by arranging the pixel electrode 305 and the light emitting layer 307 so that they overlap substantially in the entire area.
  • the end portion of the pixel electrode 305 is easily disturbed by an electric field, and the film thickness of the first EL common layer 306 and the light emitting layer 307 tends to be uneven. Therefore, it is preferable to control so that the end of the light emitting layer 307 is positioned in the range of 0.5 to 1.5 ⁇ m inward from the end of the pixel electrode 305.
  • the end of the light emitting layer 307 may be controlled to be positioned outside the end of the pixel electrode 305.
  • the second EL common layer 308 is provided on the light emitting layer 307.
  • the second EL common layer 308 is a functional layer having a function of assisting the movement of electrons from the adjacent common electrode 309 to the light emitting layer 307.
  • known electron injection layers, electron transport layers, or stacked structures thereof can be used.
  • metal fluorides, such as LiF, are known as an electron injection layer.
  • a triazine derivative etc. are known as an electron carrying layer.
  • the second EL common layer 308 is provided across a plurality of pixels, but may be separated into pixel units. Alternatively, the second EL common layer 308 may be omitted.
  • a common electrode 309 is provided on the second EL common layer 308.
  • the common electrode 309 functions as a cathode (cathode) that constitutes the organic EL element.
  • the common electrode 309 has a different structure depending on whether the light emitted from the organic EL element is emitted upward (in a direction not passing through the insulating layer 304) or emitted downward (in a direction passing through the insulating layer 304).
  • an indium oxide based transparent conductive film or a zinc oxide based transparent conductive film may be used as the common electrode 309.
  • a metal film with a low work function such as an MgAg alloy having a thickness of about 5 to 30 nm that allows light transmission may be used.
  • the work electrode of an MgAg alloy or the like having a thickness to which light is reflected (about 50 to 300 nm, which is about 10 times the thickness described above), is low as the common electrode 309 A metal film may be used.
  • a second insulating layer 310 is provided on the common electrode 309.
  • the second insulating layer 310 functions as a sealing film for preventing the entry of moisture and contaminants from the outside.
  • a silicon nitride-based or aluminum oxide-based insulating layer having a dense film quality is preferably used as the second insulating layer 310.
  • a black mask 311 is provided on the second insulating layer 310.
  • a resin layer in which a black pigment (for example, carbon black) is dispersed is used as the black mask 311.
  • the conductive layer may be provided as the black mask 311 as long as the layer functions as a light shielding layer.
  • a third insulating layer 312 is provided on the black mask 311.
  • the third insulating layer 312 functions as a protective layer for protecting the organic EL element and other elements formed on the substrate 301.
  • a resin layer formed of a resin material such as polyimide or acrylic may be provided.
  • an insulating layer formed of an inorganic material such as a silicon nitride layer or a silicon oxide layer may be provided.
  • a polarizing plate or a touch panel may be further provided on the third insulating layer 312.
  • the third insulating layer 312 also has a function of protecting the organic EL element and the other elements from mechanical external force (for example, pressure when the touch panel is pressed) and the like.
  • a color filter may be provided on the third insulating layer 312 as needed.
  • the organic EL display device 100 of the present embodiment has a structure in which the main surface and the end portion of the pixel electrode 305 are covered with the first EL common layer 306 having a sufficient film thickness.
  • the end portion of the pixel electrode 305 can be covered with the first EL common layer 306 without using a bank, and a short circuit between the pixel electrode and the common electrode constituting the EL element can be prevented. Can.
  • the contact hole of the pixel electrode 305 can be planarized without using a bank.
  • a base layer 302 is formed on a substrate 301, and a thin film transistor (TFT) 303 is formed thereon by a known method. Then, the first insulating layer 304 is formed so as to planarize unevenness caused by the formation of the thin film transistor 303.
  • TFT thin film transistor
  • a glass substrate, a quartz substrate, a flexible substrate polyimide, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, or other bendable substrates
  • a metal substrate, a ceramic substrate, or a semiconductor substrate can be used.
  • the base layer 302 typically, a silicon oxide-based insulating film, a silicon nitride-based insulating film, or a stacked film thereof can be used.
  • the base layer 302 has a function of preventing the entry of contaminants from the substrate 301 and relaxing the stress generated by the expansion and contraction of the substrate 301.
  • the thin film transistor 303 is an example in which a top gate TFT is formed in this embodiment, a reverse stagger TFT may be used. Further, as long as the element functions as a switching element, a two-terminal element may be formed without being limited to a three-terminal element such as a thin film transistor.
  • the first insulating layer 304 may be formed by applying a resin material such as polyimide or acrylic and then curing the resin material.
  • the film thickness of the first insulating layer 304 may be a film thickness sufficient to planarize the unevenness due to the thin film transistor 303. Typically, it can be 1 to 3 ⁇ m, but is not limited thereto.
  • a contact hole which reaches the thin film transistor 303 is formed in the first insulating layer 304, and then a pixel electrode 305 is formed by a known method.
  • a laminated film of ITO (Indium Tin Oxide) and an aluminum film is formed by a known sputtering method, and then the laminated film is patterned by known photolithography to form a pixel electrode 305.
  • Each pixel electrode 305 is patterned to correspond to a position corresponding to a plurality of pixels.
  • a first EL common layer 306 is formed.
  • a functional layer in which a hole injection layer and a hole transport layer are stacked is formed as the first EL common layer 306.
  • Specific materials constituting the first EL common layer 306 are as described above.
  • the film thickness of each functional layer may be appropriately determined as long as each layer exhibits the function as a hole injection layer or a hole transport layer.
  • an electrostatic droplet discharge method is used to form the first EL common layer 306.
  • a droplet discharge method an inkjet method is typically known.
  • the electrostatic droplet discharge method is a method in which a necessary material is dispersed in a solvent and dropped on a substrate to form a locally required thin film. According to this method, local thin film formation becomes possible by performing highly accurate alignment, and fine film formation processing becomes possible without using photolithography.
  • the electrostatic droplet discharge method used in the present embodiment can discharge very fine droplets from the nozzle.
  • droplets in the range of 0.1 fl (femtoliter) to 1.0 pl (pico liter) can be controlled and ejected with an alignment accuracy of about 0.2 ⁇ m.
  • the electrostatic droplet discharge method is a known technique.
  • a droplet discharge apparatus is used which can discharge droplets to many pixels at one time by providing a plurality of nozzles for droplet discharge.
  • the discharged droplets become extremely fine. Therefore, when the organic material forming the first EL common layer 306 is dispersed in an organic solvent and discharged as in this embodiment, only the solvent is almost evaporated before the droplets reach the pixel electrode 305. That is, the organic material forming the first EL common layer 306 adheres to the pixel electrode 305 in a state of being substantially a solid material. Therefore, it is possible to selectively form the first EL common layer 306 only at a target position without providing a wall as in the conventional bank.
  • the organic material constituting the first EL common layer 306 is dispersed in a solvent, and the droplets are dispersed on the main surface of the pixel electrode 305 using the electrostatic droplet discharge method.
  • the first EL common layer 306 is formed by dropping the end portion. At that time, the film thickness of the first EL common layer 306 can be easily controlled by the amount of droplets and the number of droplets. Therefore, local film thickness control can be easily performed.
  • the film thickness at the end of the pixel electrode 305 can be made a desired sufficient film thickness.
  • a short circuit between the pixel electrode 305 and the common electrode 309 can be prevented by using the first EL common layer 306 without separately providing an element such as a bank.
  • a concave portion resulting from a contact hole for connecting the pixel electrode 305 and the thin film transistor 303 exists.
  • the conventional bank structure is not required by using the droplet discharge method, various processes (resin application process, curing process, patterning process) necessary for forming the bank can be omitted.
  • the baking process for volatilizing the solvent after forming the EL common layer can also be omitted. As a result of these, it is possible to significantly reduce the manufacturing process of the organic EL display device.
  • the light emitting layer 307 is formed over the first EL common layer 306.
  • the above-described electrostatic droplet discharge method is used also for the formation of the light emitting layer 307.
  • the light emitting layer 307 can be selectively formed at a desired position without forming a bank.
  • the deposition mask it may be formed using a known deposition method.
  • the specific organic material constituting the light emitting layer 307 is as described above.
  • the second EL common layer 308 is formed across a plurality of pixels.
  • a functional layer in which an electron injection layer and an electron transport layer are stacked is formed as the second EL common layer 308.
  • Specific materials constituting the second EL common layer 308 are as described above.
  • the film thickness of each functional layer may be appropriately determined as long as each layer exhibits the function as an electron injection layer or an electron transport layer.
  • the electrostatic droplet discharge method described above is used also for the formation of the second EL common layer 308.
  • the second EL common layer 308 is formed to completely cover the first EL common layer 306 and the light emitting layer 307, a sufficient film thickness can be secured at the end of each layer.
  • the second EL common layer 308 may be formed by a known evaporation method.
  • the second EL common layer 308 may be omitted.
  • a common electrode 309 functioning as a cathode of the organic EL element and a second insulating layer 310 as a sealing film are formed.
  • the specific materials of the common electrode 309 and the second insulating layer 310 are as described above.
  • the common electrode 309 and the second insulating layer 310 are continuously formed without opening to the air by using a known sputtering method.
  • the metal used for the common electrode 309 is a metal having a low work function such as an MgAg alloy, but these metals have a feature of being easily oxidized. Therefore, after the common electrode 309 is formed, the second insulating layer 310 is preferably formed without being exposed to oxygen as it is.
  • a black mask 311 is formed above the thin film transistor 303.
  • the black mask 311 is formed using a resin material containing carbon black. Specifically, a resin material containing carbon black is dispersed in a solvent, and selectively formed above the thin film transistor 303 by using the above-described electrostatic droplet discharge method.
  • the black mask 311 when forming the black mask 311, the process of applying the resin material, the curing process, and the patterning process are not required as in the prior art, so that the manufacturing process of the organic EL display device can be simplified.
  • the black mask may be formed by a known method.
  • the black mask 311 may be formed by patterning a metal film such as chromium or patterning a resin layer containing carbon black.
  • a third insulating layer 312 is formed as a protective layer.
  • a resin layer such as polyimide or acrylic is formed by a printing method. By using the printing method, it is possible to selectively form the resin layer, so it is possible to form the third insulating layer 312 while avoiding the external extraction terminal group in the peripheral portion of the organic EL display device. It is.
  • the organic EL display device 100 As described above, the organic EL display device 100 according to the first embodiment described with reference to FIG. 3 is completed. According to the present embodiment, since the first EL common layer 306 is formed by the electrostatic droplet discharge method, the end of the pixel electrode 305 is covered with a sufficient film thickness without adopting the bank structure. can do. As a result, a short circuit between the pixel electrode 305 and the common electrode 309 can be prevented at the end of the pixel electrode 305.
  • the organic material which constitutes the first EL common layer 306 can be selectively concentrated. Therefore, the recess formed in the main surface of the pixel electrode 305 can be filled with the organic material forming the first EL common layer 306 to be planarized.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of an organic EL display device 200 according to a second embodiment of the present invention.
  • the difference between the organic EL display device 200 according to the second embodiment and the organic EL display device 100 according to the first embodiment is that the black mask 311 is common to the organic EL display device 200 according to the second embodiment. It is a point provided between the electrode 309 and the second insulating layer 310.
  • the other configuration is the same as that of the organic EL display device 100 according to the first embodiment.
  • the black mask 311 is formed by an electrostatic droplet discharge method in a nitrogen atmosphere. Then, the substrate is carried into a sputtering apparatus while maintaining a nitrogen atmosphere to form a second insulating layer 310.
  • the main surface and the end portion of the pixel electrode 305 are formed by the electrostatic droplet discharge method.
  • a structure covered with the first EL common layer 306 is employed. Therefore, the organic EL display device 200 according to the present embodiment also exhibits the same effects as the effects described for the organic EL display device 100 according to the first embodiment. Since the distance between the black mask 311 and the light emitting layer 307 is short as compared with the first embodiment, the leaked light to the adjacent pixels is smaller.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of an organic EL display device 300 according to a third embodiment of the present invention.
  • the difference between the organic EL display device 300 according to the third embodiment and the organic EL display device 100 according to the first embodiment is that the organic EL display device 300 according to the third embodiment is different from the organic EL display device 300 according to the third embodiment in the black mask 311. It is a point provided between the second EL common layer 308 and the common electrode 309.
  • the other configuration is the same as that of the organic EL display device 100 according to the first embodiment.
  • the black mask 311 is formed by electrostatic droplet discharge so as to be in contact with the second EL common layer 308. Therefore, as the solvent used for the droplet discharge method (solvent for dispersing the resin material containing carbon black), a solvent that does not affect the second EL common layer 308 (for example, a fluorocarbon solvent such as fluoroether) It is preferred to use
  • the black mask 311 is formed in contact with the first EL common layer 306 and the light emitting layer 307. Also in this case, it is preferable to use a solvent that does not affect the first EL common layer 306 and the light emitting layer 307 (for example, a fluorocarbon solvent such as fluoroether).
  • a solvent that does not affect the first EL common layer 306 and the light emitting layer 307 for example, a fluorocarbon solvent such as fluoroether.
  • the main surface and the end portion of the pixel electrode 305 are formed by the electrostatic droplet discharge method.
  • a structure covered with the first EL common layer 306 is employed. Therefore, the organic EL display device 300 according to the present embodiment also exhibits the same effects as the effects described for the organic EL display device 100 according to the first embodiment.
  • the black mask 311 is provided on the end portion of the pixel electrode in which the electric field disturbance easily occurs and the film thickness of the first EL common layer 306 and the light emitting layer 307 tends to be uneven, it is common to the pixel electrode 305 It is possible to more effectively prevent a short circuit with the electrode 309. In order to obtain such an effect, it is preferable to use a black mask 311 with high insulation. Furthermore, in the case of the organic EL display device 300 according to the present embodiment, since the black mask 311 is closer to the light emitting layer 307 compared to that of the first embodiment, leakage light to a more optically adjacent pixel is reduced.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of an organic EL display device 400 according to a fourth embodiment of the present invention.
  • the difference between the organic EL display device 400 according to the fourth embodiment and the organic EL display device 100 according to the first embodiment is that the organic EL display device 400 according to the fourth embodiment is the second EL common layer.
  • the pixel 308 is provided separately for each pixel.
  • the other configuration is the same as that of the organic EL display device 100 according to the first embodiment.
  • the pixel electrode 305 is formed on the electrode (for example, the drain electrode) 11 which constitutes a part of the thin film transistor 303 via a contact hole. Then, the first EL common layer 306 is filled in a recess (a recess resulting from the contact hole) formed in the main surface of the pixel electrode 305.
  • This structure is not limited to the fourth embodiment, and is common to the first to third embodiments described above, and is common to the respective embodiments described later.
  • the second EL common layer 308 is selectively formed for each pixel by using an electrostatic droplet discharge method. Specifically, as shown in FIG. 10, the second EL common layer 308 is formed so as to cover the end of the first EL common layer 306, and is separated between a plurality of pixels . In other words, each layer made of an organic material such as the first EL common layer 306, the light emitting layer 307, and the second EL common layer 308 is not formed across a plurality of pixels. As a result, carrier movement does not occur between the plurality of pixels via each layer formed of an organic material, and it is possible to further reduce the leak current flowing between the respective pixels.
  • each layer made of an organic material such as the first EL common layer 306, the light emitting layer 307, and the second EL common layer 308 does not exist between the pixels, the common electrode 309 and the first insulating layer 304 are formed. And a structure in contact with it. This is also a structural feature of the organic EL display device 400 according to the present embodiment.
  • the second EL common layer 308 covers the end of the first EL common layer 306, the end of the pixel electrode 305 and the first EL common when the pixel electrode 305 is viewed as a reference.
  • the end of the layer 306 and the end of the second EL common layer 308 are arranged in the order from the end toward the outer side (the side toward the adjacent pixel).
  • the pixel electrode 305 is disposed so as to overlap the light emitting layer 307 and have an outer size larger than that of the light emitting layer 307 and overlap the pixel electrode 305 so as to have an outer size larger than the pixel electrode 305
  • This can also be said to be a structural feature of the organic EL display device 400 according to the present embodiment.
  • the light emitting layer 307 is not formed on the contact holes. This is because when the light emitting layer 307 is directly on the contact hole, the thickness of the first EL common layer 306 is different from that at other places, and light emission different from normal is generated in the light emitting layer 307, which makes control difficult. It is.
  • the main surface and the end portion of the pixel electrode 305 are formed by the electrostatic droplet discharge method.
  • a structure covered with the first EL common layer 306 is employed. Therefore, the organic EL display device 400 according to the present embodiment also exhibits the same effects as the effects described for the organic EL display device 100 according to the first embodiment.
  • the EL common layer and the light emitting layer are provided for each pixel, and the EL common layer and the light emitting layer do not exist across the pixels, so that the leak current due to the carrier movement between the pixels is reduced. It can be reduced.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of an organic EL display device 500 according to a fifth embodiment of the present invention.
  • the difference between the organic EL display device 500 according to the fifth embodiment and the organic EL display device 100 according to the first embodiment is that the organic EL display device 500 according to the fifth embodiment is the second EL common layer.
  • the thickness of the first EL common layer 306 is locally thickly formed at the end of the pixel electrode 305 and the point that 308 is provided separately for each pixel (as in the fourth embodiment) It is a point.
  • the other configuration is the same as that of the organic EL display device 100 according to the first embodiment.
  • the film thickness of the first EL common layer 306 is locally thickened at the end of the pixel electrode 305 as shown by the frame 21 surrounded by the dotted line. .
  • a short circuit between the pixel electrode 305 and the common electrode 309 at the end of the pixel electrode 305 can be prevented more effectively.
  • the film thickness of the end portion of the pixel electrode 305 is locally increased by intensively attaching the organic material forming the first EL common layer 306 at the end portion of the pixel electrode 305. It is thicker than the part of. For that purpose, the amount of drop or the number of drops of the droplet may be increased at the end of the pixel electrode 305.
  • the main surface and the end portion of the pixel electrode 305 are formed by the electrostatic droplet discharge method.
  • a structure covered with the first EL common layer 306 is employed. Therefore, the organic EL display device 500 according to the present embodiment also exhibits the same effects as the effects described for the organic EL display device 100 according to the first embodiment.
  • the film thickness of the first EL common layer 306 is locally thicker than the other portion at the end of the pixel electrode 305, the space between the pixel electrode 305 and the common electrode 309 is Short circuit can be prevented more effectively.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of an organic EL display device 600 according to a sixth embodiment of the present invention.
  • the difference between the organic EL display device 600 according to the sixth embodiment and the organic EL display device 100 according to the first embodiment is that the organic EL display device 600 according to the sixth embodiment is the second EL common layer.
  • the point that 308 is provided separately for each pixel (as in the fourth embodiment) and the point where the black mask 311 is sandwiched between the second insulating layer 310 and the fourth insulating layer 313 .
  • the other configuration is the same as that of the organic EL display device 100 according to the first embodiment.
  • a fourth insulating layer 313 is further formed by a sputtering method or the like.
  • the black mask 311 is sandwiched between the second insulating layer 310 and the fourth insulating layer 313.
  • the fourth insulating layer 313 can be formed with the influence thereof reduced. Therefore, the function as a sealing film in the second insulating layer 310 and the fourth insulating layer 313 can be further enhanced, and an organic EL display device with high reliability can be realized.
  • the black mask 311 is formed by spin coating. That is, a resin material containing carbon black is applied by spin coating in a liquid or gel state, and then cured by light irradiation and then patterned to form a black mask 311. At that time, the property that liquid or gel-like substance gathers on the steps (recesses and projections) is used. Furthermore, in order to control the thickness of the black mask 311 precisely, it may be formed by vapor deposition.
  • a solution containing a spin-coated resin material gathers in the step. Therefore, if a solution containing a resin material containing carbon black is spin-coated to form the black mask 311, even if there is a step on the substrate, it can be planarized. Therefore, the fourth insulating layer 313 can be formed after reducing the level difference on the second insulating layer 310, so that a sealing film with higher reliability can be formed.
  • the organic EL display device 600 according to the present embodiment as in the organic EL display device 100 according to the first embodiment, the main surface and the end portion of the pixel electrode 305 are formed by the electrostatic droplet discharge method. A structure covered with the first EL common layer 306 is employed. Therefore, the organic EL display device 600 according to the present embodiment also exhibits the same effects as the effects described for the organic EL display device 100 according to the first embodiment.
  • the fourth insulating layer 313 is provided as a sealing film after reducing the level difference on the second insulating layer 310, a more reliable organic EL display device is realized. Can.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of an organic EL display device 700 according to a seventh embodiment of the present invention.
  • the difference between the organic EL display device 700 according to the seventh embodiment and the organic EL display device 100 according to the first embodiment is that the organic EL display device 700 according to the seventh embodiment is the second EL common layer.
  • a point 308 is provided separately for each pixel (as in the fourth embodiment), and a light emitting layer corresponding to each color of RGB is formed on one pixel electrode.
  • the other configuration is the same as that of the organic EL display device 100 according to the first embodiment.
  • a light emitting layer 307R that emits red light, a light emitting layer 307G that emits green light, and a light emitting layer 307B that emits blue light are provided on the pixel electrode 305a.
  • a light emitting layer corresponding to another color may be provided on the pixel electrode 305b.
  • the electrostatic droplet discharge method is used to form the light emitting layer 307, fine coating can be performed with an accuracy of about 0.2 ⁇ m. Therefore, light emitting layers corresponding to different colors can be formed on the same pixel electrode without using a conventional bank structure. Then, the light emitting layer 307R, the light emitting layer 307G, and the light emitting layer 307B on the pixel electrode 305a are simultaneously lighted to function as a pixel that emits white light (W). That is, each light emitting layer 307R, the light emitting layer 307G, and the light emitting layer 307B are functioned as sub-pixels corresponding to respective RGB colors, and white light emission is enabled as a whole pixel.
  • W white light
  • the organic EL display device 700 of this embodiment can realize fine adjustment of color purity and smooth display of an image by providing pixels corresponding to white in addition to pixels corresponding to each color of RGB.
  • FIG. 14 is a plan view showing a schematic configuration of a pixel section in the organic EL display device 700 according to the present embodiment.
  • reference numerals 41 and 44R denote sub-pixels corresponding to R (red)
  • reference numerals 42 and 44G denote sub-pixels corresponding to G (green)
  • reference numerals 43 and 44B denote B (blue). It is a corresponding sub-pixel.
  • reference numerals 44R, 44G and 44B denote the sub-pixels described with reference to FIG. 13, which are formed on the same pixel electrode. These sub-pixels 44R, 44G and 44B can be used to function as sub-pixels corresponding to white (W). Then, it is possible to determine the light emission color of one pixel configured using sub-pixels corresponding to each color of RGBW.
  • FIG. 14B is the same as the arrangement pattern shown in FIG. 14A, except that the arrangement of the sub-pixels 44R, 44G and 44B is different.
  • the sub-pixels 41 to 43 are provided in a stripe shape, and the upper part thereof is divided into sub-pixels 44R, 44G, and 44B. Also in this case, the sub-pixels 44R, 44G, and 44B function as a whole corresponding to W (white).
  • FIG. 14D shows an example in which the sub-pixels 44R, 44G and 44B of the present embodiment are added to an arrangement pattern called a so-called diamond pen tile. Also in this case, the sub-pixels 44R, 44G, and 44B function as a whole corresponding to W (white).
  • the pixel structure of this embodiment is applicable not only to the arrangement pattern shown in FIG. 14 described above, but also to all arrangement patterns using RGBW.
  • the range indicated by the dotted line in FIG. 14A is one pixel 400A, and includes one each of the sub-pixels 41 to 43, 44R, 44G, and 44B.
  • the range indicated by the dotted line in FIG. 14B is one pixel 400B, and includes one each of the sub-pixels 41 to 43, 44R, 44G, and 44B.
  • the range indicated by a dotted line in FIG. 14C is one pixel 400C, and includes one each of the sub-pixels 41 to 43, 44R, 44G, and 44B.
  • the range indicated by a dotted line in FIG. 14D is one pixel 400D, includes two sub-pixels 41 and 43, includes three sub-pixels 42, and includes one each of sub-pixels 44R, 44G, and 44B.
  • light emitting layers corresponding to RGB colors are provided on the same pixel electrode to function as white pixels, but for example, light emitting layers corresponding to RG colors are provided on the same pixel electrode It is also possible to function as a pixel corresponding to yellow). In that case, it is applicable to all arrangement patterns using RGBY. As described above, by separately coating the necessary light emitting layer on the same pixel electrode, it can function as a sub-pixel of a desired light emission color.
  • the film thicknesses of the respective light emitting layers 307R, 307G, and 307B are described as the same film thickness, but the film thickness of at least one layer may be different from the film thickness of the remaining light emitting layers.
  • the film thickness of the light emitting layer 307B corresponding to B thinner than the light emitting layers 307R and 307G corresponding to each color of RG.
  • the control of the film thickness can be easily controlled by the drop amount or the drop count of the droplet by the droplet discharge method.
  • the organic EL display device 700 according to the present embodiment as in the organic EL display device 100 according to the first embodiment, the main surface and the end portion of the pixel electrode 305 are formed by the electrostatic droplet discharge method. A structure covered with the first EL common layer 306 is employed. Therefore, the organic EL display device 700 according to the present embodiment also exhibits the same effects as the effects described for the organic EL display device 100 according to the first embodiment.
  • the light emitting layers corresponding to different light emitting colors are provided on the same pixel electrode, it is possible to form sub pixels corresponding to white without increasing the number of manufacturing steps. As a result, it is possible to realize improvement in luminance and color purity of the organic EL display device and smooth image display without increasing the number of manufacturing processes.
  • FIG. 15 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of an organic EL display device 800 according to an eighth embodiment of the present invention.
  • the difference between the organic EL display device 800 according to the eighth embodiment and the organic EL display device 100 according to the first embodiment is that the organic EL display device 800 according to the eighth embodiment is the second EL common layer.
  • the point is that 308 is provided separately for each pixel (as in the fourth embodiment), and the point that the transparent resin material is applied after the second insulating layer 310 is formed.
  • the other configuration is the same as that of the organic EL display device 100 according to the first embodiment.
  • a transparent resin layer for example, a layer composed of an acrylic resin material having translucency
  • a transparent resin layer for example, a layer composed of an acrylic resin material having translucency
  • solution coating method for example, a solution coating method
  • the substrate may be spun to remove the solution.
  • an extremely thin film composed of the absorbed transparent resin material remains on the second insulating layer 310.
  • the layer made of this transparent resin material is formed with a thickness of 10 to 50 nm.
  • the applied solution has the property of collecting on the steps, so the solution containing the transparent resin material applied on the second insulating layer 310 collects on the steps.
  • the level difference in this case may be a level difference caused by the surface of the second insulating layer 310 having a relief, or may be a level difference caused by the presence of foreign matter on the second insulating layer 310.
  • the solution collected on the step remains as it is after the spin process.
  • the second insulating layer 310 has steps (portions surrounded by dotted lines) due to the pixel electrode 305, the EL common layers 306 and 308, and the light emitting layer 307 existing in the lower layer. Because of this, the solution containing the applied transparent resin material collects on such steps. Then, when the transparent resin material is cured by light irradiation or the like as it is, the transparent resin 51 can be selectively left on the step. That is, the step formed in the second insulating layer 310 can be planarized by the transparent resin 51.
  • the fourth insulating layer 313 is formed after the steps generated in the second insulating layer 310 are planarized with the transparent resin 51, pin holes or films are formed in the fourth insulating layer 313. The possibility of peeling can be reduced. In addition, even if pinholes or the like exist in the second insulating layer 310, the fourth insulating layer 313 can cover the same, so that a further sealing effect can be expected. Therefore, it is possible to effectively prevent the entry of moisture and contaminants from the outside, and a highly reliable organic EL display device can be realized.
  • the black mask 311 is formed. Then, by forming the fourth insulating layer 313 over the black mask 311, the black mask 311 can be sandwiched between the second insulating layer 310 and the fourth insulating layer 313.
  • the organic EL display device 800 according to the present embodiment as in the organic EL display device 100 according to the first embodiment, the main surface and the end portion of the pixel electrode 305 are formed by the electrostatic droplet discharge method. A structure covered with the first EL common layer 306 is employed. Therefore, the organic EL display device 800 according to the present embodiment also exhibits the same effects as the effects described for the organic EL display device 100 according to the first embodiment.
  • the black mask 311 remains in the same shape as the transparent resin 51 around the foreign matter 52 in the process of forming the black mask 311. Therefore, it becomes possible to form a highly reliable sealing film without being affected by the foreign matter 52.
  • a mode as shown in FIG. 15A prevents damage or the like from entering the light emitting layer 307 due to pinholes or the like of the second insulating layer 310 in the manufacturing process of the black mask 311. It is effective for
  • the step formed by the second insulating layer 310 or the second insulating layer is formed. It is possible to reduce the level difference caused by the foreign matter present on 310. Then, by forming the fourth insulating layer 313 free from defects such as pinholes, film peeling, and division on the second insulating layer 310, an organic EL display device having a sealing structure with higher reliability is realized. can do.
  • FIG. 17 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of an organic EL display device 900 according to a ninth embodiment of the present invention.
  • the difference from the organic EL display device 100 according to the first embodiment is that a moisture blocking structure is provided on the outer side (substrate end side) of the pixel section 102 to prevent the infiltration of moisture from the outside.
  • the other configuration is the same as that of the organic EL display device 100 according to the first embodiment.
  • a water blocking structure 61 and a cathode contact portion 62 are provided outside the pixel portion 102.
  • the moisture blocking structure 61 is a structure provided for the purpose of preventing entry of moisture from the outside. Basically, an opening is provided in part of the first insulating layer 304, and the inside is covered with the second insulating layer 310 and the third insulating layer 312.
  • the conductive layer 63 formed simultaneously with the source / drain electrodes of the thin film transistor 303 is used as an etching stopper when the opening is provided in the first insulating layer 304.
  • the present invention is not limited to this, and a conductive layer formed simultaneously with the gate electrode of the thin film transistor 303 or a semiconductor layer formed simultaneously with the active layer may be used as an etching stopper.
  • the moisture blocking structure 61 By providing the moisture blocking structure 61, the possibility of moisture entering from the outside along the interfaces of the stacked insulating layers and the conductive layer can be significantly reduced, and a highly reliable organic EL display device is realized. can do.
  • the cathode contact portion 62 is a contact portion for electrically connecting the cathode 309 and the wiring 64.
  • the wiring 64 is formed of the same material as the source / drain electrode constituting the thin film transistor 303, and is a wiring for leading a common voltage to be applied to the cathode 309. At the same time, it also has a function as an etching stopper when providing an opening in the first insulating layer 304.
  • the wiring 64 can be formed using the same material as the gate electrode of the thin film transistor 303.
  • the pad electrode 65 formed of the same material as the pixel electrode 305 is formed, and the cathode 309 and the wiring 64 form the pad electrode 65. It has a structure electrically connected to each other. With such a structure, there is an advantage that it is not necessary to remove the conductive layer formed on the wiring 64, and the surface of the wiring 64 need not be roughened more than necessary.
  • the pad electrode 65 may be omitted (that is, the conductive layer formed on the wiring 64 may be removed), and the wiring 64 and the cathode 309 may be directly connected.
  • the cathode contact portion 62 is provided in addition to the moisture blocking structure 61, but the cathode contact portion 62 can be omitted.
  • the organic EL display device 900 has a structure in which a structure (water blocking structure 61) for preventing entry of water from the outside is provided outside the pixel portion. Therefore, in addition to the effect exhibited by the organic EL display device 100 according to the first embodiment, an effect is achieved that an organic EL display device with higher reliability can be realized.
  • a structure water blocking structure 61
  • DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Display device 102 Pixel part 103 Scanning line drive circuit 104 Data line drive circuit 105
  • Driver IC 201 pixel corresponding to 201R R (red) pixel corresponding to 201G G (green) pixel corresponding to 201B B (blue) 202 thin film transistor 301 substrate 302 base layer 303 thin film transistor (TFT) 304 first insulating layer 305 pixel electrode 306 first EL common layer 307 light emitting layer 308 second EL common layer 309 common electrode 310 second insulating layer 311 black mask 312 third insulating layer

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Abstract

　隣接画素への光漏れを防止して画素間の混色を防ぐことにより、画質の改善された表示装置を提供することを目的とする。有機ＥＬ表示装置は、複数の画素を備えた有機ＥＬ表示装置であって、前記複数の画素は、各々発光素子を有し、前記発光素子は、画素電極と、共通電極と、ＥＬ共通層と、発光層とを含み、前記ＥＬ共通層及び前記発光層は、前記画素電極と前記共通電極との間に設けられ、前記ＥＬ共通層は、前記画素電極の主面及び端部を被覆することを特徴とする。前記画素電極の主面が形成する凹部は、前記ＥＬ共通層により充填されていても良い。

Description

有機ＥＬ表示装置
　本発明は、エレクトロルミネセンス素子等の発光素子で構成される画素を有する表示装置に関する。特に、発光材料として、有機ＥＬ材料を用いた有機ＥＬ表示装置に関する。
　エレクトロルミネセンス（Electroluminescence：EL）現象を利用した発光素子として、エレクトロルミネセンス（以下「ＥＬ」ともいう）素子が知られている。ＥＬ素子は、発光層を構成する発光材料の選択により様々な波長の色で発光させることが可能であり、表示装置や照明器具への応用が進められている。特に、発光材料として有機材料を用いた有機ＥＬ素子が注目されている。
　有機ＥＬ素子を表示装置に応用した有機ＥＬ表示装置においては、基板上にマトリクス状に配置した各画素に、発光素子としての有機ＥＬ素子と、その有機ＥＬ素子の発光制御を行うスイッチング素子とが設けられている。そして、画素ごとにスイッチング素子のオン/オフを制御することにより、表示領域全体として任意の画像を表示することが可能である。
　一般的な有機ＥＬ表示装置では、画素電極の周縁に樹脂等の絶縁材料を設け、画素電極を絶縁材料で囲い込むことにより各画素を区画し、その内側に発光素子を形成する手法が採用されている（特許文献１）。
　このような絶縁材料は、一般的には、バンクと呼ばれる。バンクは、画素電極とスイッチング素子を接続するコンタクトホールの平坦化やＥＬ素子を構成する画素電極と共通電極との短絡防止といった役割を果たす。また、印刷法を用いて発光層を形成する場合においては、バンクが印刷領域を制限する壁としての役割を果たす。
特開２０１２－１６０３８８号公報
　しかし、バンクを形成するためには、絶縁材料を成膜した後、フォトリソグラフィを用いて所望のパターン形状とする必要がある。そのため、バンクを形成する際には、絶縁材料の塗布工程、焼成工程、露光工程、現像工程といった複数のプロセスが必要であった。
　また、一般的にバンクの側面形状は、発光層の分断を防ぐためにテーパ形状となっている。そのため、バンクと画素電極とを重ねる距離が、３μｍ以上となる場合もあり、高精細化を進める上で、開口率向上を阻害する要因でもあった。
　そこで、本発明は、バンクを用いずに、画素電極のコンタクトホールを平坦化することを目的の一つとする。
　また、本発明は、バンクを用いずに、ＥＬ素子を構成する画素電極と共通電極との間の短絡を防止することを目的の一つとする。
　本発明の一態様は、複数の画素を備えた有機ＥＬ表示装置であって、前記複数の画素は、各々発光素子を有し、前記発光素子は、画素電極と、共通電極と、ＥＬ共通層と、発光層とを含み、前記ＥＬ共通層及び前記発光層は、前記画素電極と前記共通電極との間に設けられ、前記ＥＬ共通層は、前記画素電極の主面及び端部を被覆する有機ＥＬ表示装置である。
　本発明の一態様は、複数の画素を備えた有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、基板上の前記複数の画素に対応する位置に、画素電極を形成する工程と、前記画素電極上に、ＥＬ共通層と発光層とを含む積層構造を形成する工程と、前記積層構造上に共通電極を形成する工程と、を有し、前記ＥＬ共通層を、前記画素電極の主面及び端部を被覆するように形成する有機ＥＬ表示装置の製造方法である。
本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す平面図である。 本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置における画素部の概略構成を示す平面図である。 本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置における画素部の概略構成を示す断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置における画素部の製造方法を示す図である。 本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置における画素部の製造方法を示す図である。 本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置における画素部の製造方法を示す図である。 本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置における画素部の製造方法を示す図である。 本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置における画素部の概略構成を示す断面図である。 本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置における画素部の概略構成を示す断面図である。 本発明の第４の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置における画素部の概略構成を示す断面図である。 本発明の第５の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置における画素部の概略構成を示す断面図である。 本発明の第６の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置における画素部の概略構成を示す断面図である。 本発明の第７の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置における画素部の概略構成を示す断面図である。 本発明の第７の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置における画素部の概略構成を示す平面図である。 本発明の第８の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置における画素部の概略構成を示す断面図である。 本発明の第８の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置における画素（異物周辺）の概略構成を示す断面図である。 本発明の第９の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置における画素部の外側における概略構成を示す断面図である。
　以下、本発明の各実施の形態について、図面等を参照しつつ説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
　また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、すでに説明した図面中の要素と同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
（第１の実施形態）
＜表示装置の構造＞
　図１は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００の概略構成を示す上面図である。有機ＥＬ表示装置１００は、基板１０１上に形成された、画素部（表示領域）１０２、走査線駆動回路１０３、データ線駆動回路１０４、及びドライバＩＣ１０５を備えている。さらに、走査線駆動回路１０３及びデータ線駆動回路１０４に信号を与えるためのＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ　Ｐｒｉｎｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔｓ）を備えていてもよい。
　図１に示す画素部１０２には、複数の画素がマトリクス状に配置される。各画素には、データ線駆動回路１０４から画像データに応じたデータ信号が与えられる。それらデータ信号を、各画素に設けられたトランジスタを介して画素電極に与えることにより、画像データに応じた画面表示を行うことができる。トランジスタとしては、典型的には、薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor）を用いることができる。但し、薄膜トランジスタに限らず、電流制御機能を備える素子であれば、如何なる素子を用いても良い。
　図２は、図１に示す有機ＥＬ表示装置１００における画素部１０２の概略構成を示す断面図である。本実施形態において、画素２０１は、赤（Ｒ）に対応するサブ画素２０１Ｒ、緑（Ｇ）に対応するサブ画素２０１Ｇ及び青（Ｂ）に対応するサブ画素２０１Ｂを含む。各サブ画素には、薄膜トランジスタ２０２が設けられる。薄膜トランジスタ２０２を用いて各サブ画素２０１Ｒ、２０１Ｇ及び２０１Ｂをオン/オフ制御することにより、各サブ画素に対応する任意の色を発光させ、１つの画素として様々な色を表現できる。
　図２では、サブ画素として、ＲＧＢの三原色を用いる構成を示したが、本実施形態はそれに限定されるものではなく、ＲＧＢに白（Ｗ）又は黄（Ｙ）を加えた４つのサブ画素で画素２０１を構成することもできる。また、画素配列として、同一色に対応する画素がストライプ配列された例を示したが、その他デルタ配列やベイヤー配列、又はペンタイル構造を実現する配列であってもよい。
　図３は、図２に示す画素２０１をＡ－Ａ’で切断した断面の概略構成を示す断面図である。図３において、基板３０１上には、下地層３０２として、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム等の無機材料で構成される絶縁層が設けられ、その上に薄膜トランジスタ３０３が形成されている。
　基板３０１としては、ガラス基板、石英基板、フレキシブル基板（ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートその他の曲げることが可能な基板）を用いることができる。基板３０１が透光性を有する必要がない場合には、金属基板、セラミックス基板、半導体基板を用いることも可能である。
　薄膜トランジスタ３０３は、公知の方法で形成すればよい。また、トップゲート型であってもボトムゲート型であってもよい。本実施形態の有機ＥＬ表示装置１００では、薄膜トランジスタ３０３を覆うように第１の絶縁層３０４を設け、薄膜トランジスタ３０３に起因する凹凸を平坦化する構造としている。第１の絶縁層３０４としては、樹脂材料を用いることが好ましい。例えば、ポリイミド、ポリアミド、アクリル等の有機材料を用いることができる。有機材料に代えて、酸化シリコン等の無機材料を用いることも可能である。さらに、下層側が酸化シリコンや窒化シリコン等の絶縁無機材料、上層側がポリイミド、ポリアミド、アクリル等の絶縁有機材料の２層で構成された積層膜を第１の絶縁層３０４に適用しても良い。
　第１の絶縁層３０４上には、画素電極３０５が設けられる。画素電極３０５は、第１の絶縁層３０４に形成されたコンタクトホールを介して薄膜トランジスタ３０３に接続されている。本実施形態の有機ＥＬ表示装置１００において、画素電極３０５は、有機ＥＬ素子を構成する陽極（アノード）として機能する。
　画素電極３０５は、有機ＥＬ素子から発した光を上方向（第１の絶縁層３０４を通過しない方向）に出射するか、下方向（第１の絶縁層３０４を通過する方向）に出射するかで異なる構成とする。例えば、光を上方向に出射する場合、画素電極３０５として反射率の高い金属膜を用いるか、酸化インジウム系透明導電膜や酸化亜鉛系透明導電膜といった仕事関数の高い透明導電膜と金属膜との積層構造を用いれば良い。逆に、光を下方向に出射する場合、画素電極３０５として上述した透明導電膜を単層で用いれば良い。
　画素電極３０５の上には、第１のＥＬ共通層３０６が設けられる。第１のＥＬ共通層３０６は、画素電極３０５から後述する発光層３０７への正孔（ホール）の移動を補助する機能を有する機能層である。具体的には、公知の正孔注入層、正孔輸送層またはそれらの積層構造を用いることができる。例えば、正孔注入層としては、芳香族アミン誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリチオフェン誘導体、フェニルアミン誘導体などが知られている。正孔輸送層としては、PEDOT/PSSなどが知られている。
　本実施形態の有機ＥＬ表示装置１００は、この第１のＥＬ共通層３０６が、画素電極３０５の主面及び端部を被覆するように設けられている。「画素電極の主面」とは、画素電極において発光層と向かい合う面を指す。「画素電極の端部」とは、画素電極を平面視した場合における縁（エッジ）を指す。本実施形態の有機ＥＬ表示装置１００では、図３に示されるように、画素電極３０５の露出部分全体を覆うように、第１のＥＬ共通層３０６が設けられる。
　このとき、画素電極３０５の端部が十分な膜厚の第１のＥＬ共通層３０６で被覆される。これにより、画素電極３０５と後述する共通電極３０９との短絡（ショート）を防止することができる。
　さらに、画素電極３０５と薄膜トランジスタ３０３とを接続するためのコンタクトホールに起因する凹部を、第１のＥＬ共通層３０６で充填することも可能である。したがって、第１のＥＬ共通層３０６により、画素電極３０５の主面が形成する凹部を平坦化することができる。この凹部を平坦化することで、その上に配置される発光層３０７や第２のＥＬ共通層３０８の形状が平坦化され、画素電極３０５と共通電極３０９との間におけるリークや短絡の発生を抑えることができる。
　なお、後述するが、本実施形態では、第１のＥＬ共通層３０６を静電方式の液滴吐出法（例えばインクジェット法）を用いて形成する。
　第１のＥＬ共通層３０６の上には、発光層３０７が設けられる。発光層３０７は、正孔と電子とが再結合する際のエネルギーにより光を発する機能層である。発光層３０７として公知の有機性発光材料を用いることができる。例えば、ポリフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、パラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体などが知られている。また、これら有機性発光材料をＲＧＢの各色に発光させるため、適当な材料を添加しても良い。例えば、ＤＣＭ、ローダミン、ナイルレッド等の赤色用材料、クマリン、キナクリドン等の緑色用材料又はペリレン、テトラフェニルブタジエン等の青色用材料を添加しても良い。
　本実施形態の有機ＥＬ表示装置１００では、従来のバンク構造を採用していないため、画素電極３０５の面積を十分に有効活用して、有機ＥＬ素子を形成することができる。例えば、画素電極３０５と発光層３０７とがほぼ全域で重なるように両者を配置することにより、画素電極３０５全体を有機ＥＬ素子の陽極として活用することができる。
　但し、画素電極３０５の端部は、電界乱れが生じやすく、第１のＥＬ共通層３０６や発光層３０７の膜厚が不均一になりやすい。そのため、発光層３０７の端部が、画素電極３０５の端部から内側に０．５～１．５μｍの範囲に位置するように制御することが好ましい。本実施形態では、第１のＥＬ共通層３０６と同様に、発光層３０７も静電方式の液滴吐出法で形成するため、精度の高い位置制御が可能である。勿論、発光層３０７の端部が画素電極３０５の端部より外側に位置するように制御しても構わない。
　発光層３０７の上には、第２のＥＬ共通層３０８が設けられる。第２のＥＬ共通層３０８は、隣接する共通電極３０９から発光層３０７への電子の移動を補助する機能を有する機能層である。具体的には、公知の電子注入層、電子輸送層またはそれらの積層構造を用いることができる。例えば、電子注入層としては、ＬｉＦ等の金属フッ化物が知られている。電子輸送層としては、トリアジン誘導体などが知られている。
　本実施形態の有機ＥＬ表示装置１００では、第２のＥＬ共通層３０８を複数の画素に跨って設けているが、画素単位に分離させても良い。また、第２のＥＬ共通層３０８を省略した構造とすることも可能である。
　第２のＥＬ共通層３０８の上には、共通電極３０９が設けられる。本実施形態の有機ＥＬ表示装置１００において、共通電極３０９は、有機ＥＬ素子を構成する陰極（カソード）として機能する。
　共通電極３０９は、有機ＥＬ素子から発した光を上方向（絶縁層３０４を通過しない方向）に出射するか、下方向（絶縁層３０４を通過する方向）に出射するかで異なる構成とする。例えば、光を上方向に出射する場合、共通電極３０９として酸化インジウム系透明導電膜や酸化亜鉛系透明導電膜を用いれば良い。それ以外にも光が透過される程度の厚みである５～３０ｎｍ程度のＭｇＡｇ合金等の仕事関数の低い金属膜を用いてもよい。逆に、光を下方向に出射する場合、共通電極３０９として、光が反射される程度の厚み（上述した厚みの１０倍程度である５０～３００ｎｍ程度）を持つＭｇＡｇ合金等の仕事関数の低い金属膜を用いれば良い。
　共通電極３０９の上には、第２の絶縁層３１０が設けられる。第２の絶縁層３１０は、外部からの水分や汚染物質の侵入を防ぐための封止膜として機能する。第２の絶縁層３１０としては、緻密な膜質を有する窒化シリコン系もしくは酸化アルミニウム系の絶縁層を用いることが好ましい。
　第２の絶縁層３１０の上には、ブラックマスク３１１が設けられる。本実施形態の有機ＥＬ表示装置１００では、ブラックマスク３１１として、黒色顔料（例えばカーボンブラック）を分散させた樹脂層を用いる。ただし、これに限らず、遮光層としての機能を果たすものであれば、導電層をブラックマスク３１１として設けても良い。
　ブラックマスク３１１の上には、第３の絶縁層３１２が設けられる。第３の絶縁層３１２は、基板３０１上に形成された有機ＥＬ素子やその他の各要素を保護するための保護層として機能する。例えば、第３の絶縁層３１２としては、ポリイミド、アクリル等の樹脂材料で構成される樹脂層を設けても良い。また、窒化シリコン層、酸化シリコン層などの無機材料で構成される絶縁層を設けても良い。
　図３においては図示しないが、第３の絶縁層３１２の上に、さらに偏光板やタッチパネルを設けても良い。その場合、第３の絶縁層３１２は、有機ＥＬ素子やその他の各要素を、機械的な外因（例えば、タッチパネルを押した際の圧力）等から保護する機能をも持つ。また、必要に応じて、第３の絶縁層３１２上にカラーフィルタを設けても良い。
　以上のように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１００は、画素電極３０５の主面及び端部を、十分な膜厚の第１のＥＬ共通層３０６で被覆した構造としている。これにより、バンクを用いずに、画素電極３０５の端部を第１のＥＬ共通層３０６で被覆することが可能となり、ＥＬ素子を構成する画素電極と共通電極との間の短絡を防止することができる。
　さらに、画素電極３０５のコンタクトホールに起因する凹部を第１のＥＬ共通層３０６で充填することができるため、バンクを用いずに、画素電極３０５のコンタクトホールを平坦化することができる。
　以下、上述した構成を備える本実施形態の有機ＥＬ表示装置１００の製造工程について、図４～７を参照して説明する。
＜表示装置の製造方法＞
　まず、図４（Ａ）に示すように、基板３０１上に下地層３０２を形成し、その上に公知の方法により薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）３０３を形成する。そして、薄膜トランジスタ３０３の形成により生じた起伏を平坦化するように、第１の絶縁層３０４を形成する。
　基板３０１としては、ガラス基板、石英基板、フレキシブル基板（ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートその他の曲げることが可能な基板）等を用いることができる。基板３０１が透光性を有する必要がない場合には、金属基板、セラミックス基板、半導体基板を用いることも可能である。
　下地層３０２としては、典型的には、酸化シリコン系絶縁膜、窒化シリコン系絶縁膜またはそれらの積層膜を用いることができる。下地層３０２は、基板３０１からの汚染物質の侵入を防いだり、基板３０１の伸縮により発生する応力を緩和したりする機能を有する。
　薄膜トランジスタ３０３は、本実施形態では、トップゲート型ＴＦＴを形成する例を示しているが、逆スタガ型ＴＦＴであっても良い。また、スイッチング素子として機能する素子であれば、薄膜トランジスタなどの三端子素子に限らず、二端子素子を形成しても良い。
　第１の絶縁層３０４は、ポリイミドやアクリルといった樹脂材料を塗布し、その後樹脂材料を硬化させて形成すれば良い。第１の絶縁層３０４の膜厚は、薄膜トランジスタ３０３に起因する起伏を平坦化するに十分な膜厚であれば良い。典型的には、１～３μｍとすることができるが、これに限定されるものではない。
　次に、図４（Ｂ）に示すように、第１の絶縁層３０４に薄膜トランジスタ３０３に達するコンタクトホールを形成した後、公知の方法により画素電極３０５を形成する。本実施形態では、公知のスパッタ法によりＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）とアルミニウム膜との積層膜を形成した後、公知のフォトリソグラフィにより積層膜をパターニングして画素電極３０５を形成する。各画素電極３０５は、複数の画素に対応する位置にそれぞれ対応するようにパターニングされる。
　次に、図５（Ａ）に示すように、第１のＥＬ共通層３０６を形成する。本実施形態では、第１のＥＬ共通層３０６として、正孔注入層及び正孔輸送層を積層した機能層を形成する。第１のＥＬ共通層３０６を構成する具体的な材料については、上述した通りである。それぞれの機能層の膜厚は、各層が正孔注入層や正孔輸送層としての機能を発揮する範囲で適宜決定すれば良い。
　本実施形態では、第１のＥＬ共通層３０６の形成に、静電方式の液滴吐出法を用いる。液滴吐出法としては、代表的にはインクジェット法が知られる。静電方式の液滴吐出法は、必要な材料を溶媒に分散させた状態で基板上に滴下し、局所的に必要とする薄膜を形成する手法である。この手法によれば、精度の高い位置合わせを行うことにより局所的な薄膜形成が可能となり、フォトリソグラフィを用いることなく、微細な成膜加工が可能となる。
　本実施形態で使用する静電方式の液滴吐出法は、ノズルから非常に微細な液滴を吐出することが可能である。典型的には、０．１ｆｌ（フェムトリットル）から１．０ｐｌ（ピコリットル）の範囲の液滴を約０．２μｍの位置合わせ精度で制御して吐出可能である。静電方式の液滴吐出法は公知技術である。本実施形態では、液滴吐出用のノズルを複数設けることにより一度に多くの画素に対して液滴を吐出可能とした液滴吐出装置を用いる。
　静電方式の液滴吐出法を用いた場合、吐出される液滴が極めて微細なものとなる。したがって、本実施形態のように、第１のＥＬ共通層３０６を構成する有機材料を有機溶媒に分散させて吐出した場合、液滴が画素電極３０５に到達する前に溶媒のみがほとんど蒸発する。つまり、第１のＥＬ共通層３０６を構成する有機材料が、実質的に固体材料となった状態で画素電極３０５に付着する。そのため、従来のバンクのような壁を設けなくても、狙った位置のみに選択的に第１のＥＬ共通層３０６を形成することが可能である。
　具体的には、本実施形態では、第１のＥＬ共通層３０６を構成する有機材料を溶媒に分散させ、その液滴を静電方式の液滴吐出法を用いて画素電極３０５の主面及び端部に対して滴下することにより第１のＥＬ共通層３０６を形成する。その際、第１のＥＬ共通層３０６の膜厚は、液滴の滴下量や滴下回数で容易に制御することができる。そのため、局所的な膜厚制御を容易に行うことが可能である。
　したがって、滴下量もしくは滴下回数を選択的に増加させることにより、画素電極３０５の端部における膜厚を所望の十分な膜厚とすることができる。これにより、バンクのような要素を別途設けることなく、第１のＥＬ共通層３０６を用いて画素電極３０５と共通電極３０９との間の短絡を防ぐことができる。
　また、画素電極３０５には、画素電極３０５と薄膜トランジスタ３０３とを接続するためのコンタクトホールに起因する凹部が存在する。しかし、本実施形態では、凹部に集中的に液滴を吐出して、凹部を第１のＥＬ共通層３０６で充填することが可能である。これにより、第１のＥＬ共通層３０６を用いて画素電極３０５の主面が形成する凹部を平坦化することが可能である。
　さらに、本実施形態では、液滴吐出法を用いることにより従来のバンク構造を不要としたため、バンクの形成に必要な各種プロセス（樹脂の塗布工程、硬化工程、パターニング工程）を省略することができる。その上、ＥＬ共通層を形成した後の溶媒を揮発させるための焼成工程をも省略することができる。これらの結果、有機ＥＬ表示装置の製造工程を大幅に削減することが可能である。
　次に、図５（Ｂ）に示すように、第１のＥＬ共通層３０６の上に発光層３０７を形成する。本実施形態では、発光層３０７の形成にも上述した静電方式の液滴吐出法を用いる。これにより、バンクを形成することなく、所望の位置に選択的に発光層３０７を形成することが可能である。しかし、蒸着マスクを精度よく位置合わせすることができれば公知の蒸着法を用いて形成しても良い。発光層３０７を構成する具体的な有機材料については、上述した通りである。
　次に、図６（Ａ）に示すように、複数の画素に跨って第２のＥＬ共通層３０８を形成する。本実施形態では、第２のＥＬ共通層３０８として、電子注入層及び電子輸送層を積層した機能層を形成する。第２のＥＬ共通層３０８を構成する具体的な材料については、上述した通りである。それぞれの機能層の膜厚は、各層が電子注入層や電子輸送層としての機能を発揮する範囲で適宜決定すれば良い。
　本実施形態では、第２のＥＬ共通層３０８の形成にも上述した静電方式の液滴吐出法を用いる。これにより、第１のＥＬ共通層３０６及び発光層３０７を完全に覆うように第２のＥＬ共通層３０８を形成した際、各層の端部において十分な膜厚を確保することができる。なお、スループットの向上を優先した場合、第２のＥＬ共通層３０８を公知の蒸着法により形成しても良い。また、第２のＥＬ共通層３０８を省略しても良い。
　次に、図６（Ｂ）に示すように、有機ＥＬ素子の陰極として機能する共通電極３０９と、封止膜としての第２の絶縁層３１０を形成する。共通電極３０９や第２の絶縁層３１０を構成する具体的な材料については、上述した通りである。
　本実施形態では、公知のスパッタ法を用いて共通電極３０９と第２の絶縁層３１０とを大気開放せずに連続形成する。共通電極３０９に使用する金属は、ＭｇＡｇ合金等の仕事関数の低い金属であるが、これらの金属は酸化し易いという特長を有する。したがって、共通電極３０９を形成したら、そのまま酸素に触れさせることなく第２の絶縁層３１０を形成することが望ましい。
　次に、図７（Ａ）に示すように、薄膜トランジスタ３０３の上方にブラックマスク３１１を形成する。本実施形態では、カーボンブラックを含有した樹脂材料を用いてブラックマスク３１１を形成する。具体的には、カーボンブラックを含有した樹脂材料を溶媒に分散させ、上述した静電方式の液滴吐出法を用いて薄膜トランジスタ３０３の上方に選択的に形成する。これにより、ブラックマスク３１１を形成するに当たり、従来のように樹脂材料の塗布工程、硬化工程、パターニング工程が不要となるため、有機ＥＬ表示装置の製造工程の簡略化が可能である。
　勿論、公知の方法でブラックマスクを形成しても構わない。例えば、クロム等の金属膜をパターン化したり、カーボンブラックを含有した樹脂層をパターン化したりしてブラックマスク３１１を形成しても良い。
　次に、図７（Ｂ）に示すように、保護層として第３の絶縁層３１２を形成する。本実施形態では、第３の絶縁層３１２として、ポリイミドやアクリル等の樹脂層を印刷法により形成する。印刷法を用いることにより、選択的に樹脂層を形成することが可能であるため、有機ＥＬ表示装置の周辺部分にある外部取り出し端子群を避けて第３の絶縁層３１２を形成することが可能である。
　以上のようにして、図３を用いて説明した第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００が完成する。本実施形態によれば、第１のＥＬ共通層３０６を静電方式の液滴吐出法により形成するため、バンク構造を採用しなくても、画素電極３０５の端部を十分な膜厚で被覆することができる。その結果、画素電極３０５の端部において、画素電極３０５と共通電極３０９との間の短絡を防止することができる。
　また、液滴の滴下量や滴下回数を制御することにより、選択的に集中して第１のＥＬ共通層３０６を構成する有機材料を塗布することができる。そのため、画素電極３０５の主面に形成される凹部を第１のＥＬ共通層３０６を構成する有機材料で充填して平坦化することも可能である。
（第２の実施形態）
　図８は、本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置２００の概略構成を示す断面図である。第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置２００と第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００との違いは、第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置２００は、ブラックマスク３１１が、共通電極３０９と第２の絶縁層３１０との間に設けられている点である。その他の構成は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００と同じである。
　本実施形態の場合、共通電極３０９を形成した後、窒素雰囲気中にて静電方式の液滴吐出法によりブラックマスク３１１を形成する。そして、窒素雰囲気を保ったまま基板をスパッタ装置に搬入し、第２の絶縁層３１０を形成する。
　本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置２００においても、第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００と同様に、画素電極３０５の主面及び端部を静電方式の液滴吐出法により形成した第１のＥＬ共通層３０６で被覆した構造としている。したがって、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置２００も、第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００について説明した効果と同様の効果を奏する。ブラックマスク３１１と発光層３０７との間の距離が第１の実施形態に比べて短いので、隣接画素への漏れ光がより少なくなる。
（第３の実施形態）
　図９は、本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置３００の概略構成を示す断面図である。第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置３００と第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００との違いは、第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置３００は、ブラックマスク３１１が、第２のＥＬ共通層３０８と共通電極３０９との間に設けられている点である。その他の構成は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００と同じである。
　本実施形態では、第２のＥＬ共通層３０８に接するように、静電方式の液滴吐出法によりブラックマスク３１１を形成する。そのため、液滴吐出法に用いる溶媒（カーボンブラックを含有した樹脂材料を分散させる溶媒）としては、第２のＥＬ共通層３０８に対して影響を与えない溶媒（例えばフルオロエーテル等のフルオロカーボン系の溶媒）を用いることが好ましい。
　また、第２のＥＬ共通層３０８が存在しない場合は、第１のＥＬ共通層３０６や発光層３０７に接するようにブラックマスク３１１が形成される。この場合も、第１のＥＬ共通層３０６や発光層３０７に影響を与えない溶媒（例えばフルオロエーテル等のフルオロカーボン系の溶媒）を用いることが好ましい。
　本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置３００においても、第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００と同様に、画素電極３０５の主面及び端部を静電方式の液滴吐出法により形成した第１のＥＬ共通層３０６で被覆した構造としている。したがって、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置３００も、第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００について説明した効果と同様の効果を奏する。
　また、電界乱れが生じやすく、第１のＥＬ共通層３０６や発光層３０７の膜厚が不均一になりやすい画素電極の端部上にブラックマスク３１１を設けることになるため、画素電極３０５と共通電極３０９との間の短絡をより効果的に防止することが可能である。このような効果を持たせるには、ブラックマスク３１１として絶縁性の高いものを用いることが好ましい。さらに、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置３００の場合、ブラックマスク３１１が第１の実施形態のものと比べて発光層３０７に近いので、より光学的な隣接画素への漏れ光が少なくなる。
（第４の実施形態）
　図１０は、本発明の第４の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置４００の概略構成を示す断面図である。第４の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置４００と第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００との違いは、第４の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置４００は、第２のＥＬ共通層３０８が、第１のＥＬ共通層３０６や発光層３０７と同様に、画素ごとに分離して設けられている点である。その他の構成は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００と同じである。
　なお、図１０において、薄膜トランジスタ３０３の一部を構成する電極（例えばドレイン電極）１１の上には、コンタクトホールを介して画素電極３０５が形成されている。そして、画素電極３０５の主面に形成される凹部（コンタクトホールに起因する凹部）には、第１のＥＬ共通層３０６が充填されている。この構造は、第４の実施形態に限るものではなく、上述した第１～第３の実施形態においても共通であるし、後述する各実施形態においても共通である。
　本実施形態では、静電方式の液滴吐出法を用いることにより、第２のＥＬ共通層３０８を画素ごとに選択的に形成する。具体的には、図１０に示すように、第２のＥＬ共通層３０８は、第１のＥＬ共通層３０６の端部を被覆するように形成され、かつ、複数の画素間において分離している。換言すれば、第１のＥＬ共通層３０６、発光層３０７及び第２のＥＬ共通層３０８などの有機材料で構成される各層が複数の画素に跨って形成されない構造となる。その結果、複数の画素間において、有機材料で構成される各層を介したキャリア移動が発生せず、各画素間を流れるリーク電流をより低減することが可能である。
　なお、各画素の間に第１のＥＬ共通層３０６、発光層３０７及び第２のＥＬ共通層３０８などの有機材料で構成される各層が存在しないため、共通電極３０９と第１の絶縁層３０４とが接する構造となる。これも本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置４００における構造上の特徴である。
　また、第２のＥＬ共通層３０８が、第１のＥＬ共通層３０６の端部を被覆する構造となるため、画素電極３０５を基準としてみると、画素電極３０５の端部、第１のＥＬ共通層３０６の端部、第２のＥＬ共通層３０８の端部の順に、各端部が外側（隣接する画素に向かう側）に向かって位置する構造となる。平面視においては、発光層３０７にオーバーラップし、発光層３０７よりも外形が大きくなるように画素電極３０５が配置され、画素電極３０５にオーバーラップし、画素電極３０５よりも外形が大きくなるように第１のＥＬ共通層３０６が配置され、第１のＥＬ共通層３０６にオーバーラップし、第１のＥＬ共通層３０６よりも外形が大きくなるように第２のＥＬ共通層３０８が配置される形となる。これも本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置４００における構造上の特徴と言える。
　また、コンタクトホール上には発光層３０７が形成されない形となっている。これは発光層３０７がコンタクトホール直上にあった場合、第１のＥＬ共通層３０６の厚みが他の箇所とは異なり、通常とは異なる発光が発光層３０７で発生して制御が困難となるからである。
　本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置４００においても、第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００と同様に、画素電極３０５の主面及び端部を静電方式の液滴吐出法により形成した第１のＥＬ共通層３０６で被覆した構造としている。したがって、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置４００も、第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００について説明した効果と同様の効果を奏する。
　さらに、上述したように、画素ごとにＥＬ共通層や発光層を設けて、画素間に跨ってＥＬ共通層や発光層が存在しない構成とすることにより、各画素間におけるキャリア移動によるリーク電流を低減することができる。
（第５の実施形態）
　図１１は、本発明の第５の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置５００の概略構成を示す断面図である。第５の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置５００と第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００との違いは、第５の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置５００は、第２のＥＬ共通層３０８が画素ごとに分離して設けられている点（第４の実施形態と同様）と、画素電極３０５の端部において局所的に第１のＥＬ共通層３０６の膜厚が厚く形成されている点である。その他の構成は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００と同じである。
　本実施形態の有機ＥＬ表示装置５００においては、点線で囲まれた枠２１に示されるように、第１のＥＬ共通層３０６の膜厚が画素電極３０５の端部において局所的に厚くなっている。これにより、画素電極３０５の端部における画素電極３０５と共通電極３０９との間の短絡をより効果的に防止することが可能である。
　本実施形態では、第１のＥＬ共通層３０６を静電方式の液滴吐出法により形成するため、膜厚の制御が容易である。したがって、本実施形態では、画素電極３０５の端部において、第１のＥＬ共通層３０６を構成する有機材料を集中的に付着させることにより、画素電極３０５の端部だけ局所的に膜厚を他の部分よりも厚くしている。そのためには、液滴の滴下量もしくは滴下回数を、画素電極３０５の端部において増加させれば良い。
　本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置５００においても、第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００と同様に、画素電極３０５の主面及び端部を静電方式の液滴吐出法により形成した第１のＥＬ共通層３０６で被覆した構造としている。したがって、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置５００も、第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００について説明した効果と同様の効果を奏する。
　さらに、上述したように、画素電極３０５の端部において、第１のＥＬ共通層３０６の膜厚を局所的に他の部分よりも厚くしているため、画素電極３０５と共通電極３０９との間の短絡をより効果的に防止することができる。
（第６の実施形態）
　図１２は、本発明の第６の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置６００の概略構成を示す断面図である。第６の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置６００と第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００との違いは、第６の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置６００は、第２のＥＬ共通層３０８が画素ごとに分離して設けられている点（第４の実施形態と同様）と、ブラックマスク３１１が第２の絶縁層３１０と第４の絶縁層３１３とで挟まれている点である。その他の構成は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００と同じである。
　本実施形態では、第１の実施形態と同様の製造方法によりブラックマスク３１１まで形成した後、さらに第４の絶縁層３１３をスパッタ法等により形成する。その結果、本実施形態の有機ＥＬ表示装置６００は、ブラックマスク３１１が、第２の絶縁層３１０と第４の絶縁層３１３とで挟まれた構造となる。これにより、第２の絶縁層３１０上に異物等が存在していた場合であっても、その影響を低減した状態で第４の絶縁層３１３を形成することができる。そのため、第２の絶縁層３１０及び第４の絶縁層３１３における封止膜としての機能をより高めることができ、信頼性の高い有機ＥＬ表示装置を実現することができる。
　本実施形態では、ブラックマスク３１１をスピンコーティング法により形成する。すなわち、カーボンブラックを含有した樹脂材料を液状もしくはゲル状の状態でスピンコーティング法により塗布し、その後、光照射により硬化させてからパターニングしてブラックマスク３１１を形成する。その際、液状もしくはゲル状の物質が段差（凹部や凸部）に集まる特性を利用する。さらにブラックマスク３１１の厚さを精密に制御したい場合は、蒸着法により形成すればよい。
　例えば、第２の絶縁層３１０に生じる段差（例えば、画素電極や発光層に起因する段差）や異物による段差が存在する場合、スピンコーティングされた樹脂材料を含む溶液は、それらの段差に集まる。そのため、ブラックマスク３１１を形成するためにカーボンブラックを含有した樹脂材料を含む溶液をスピンコーティングすると、基板上に段差が存在したとしても平坦化することができる。したがって、第２の絶縁層３１０上の段差を軽減した上で第４の絶縁層３１３を形成することができるため、より信頼性の高い封止膜を形成することができる。
　本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置６００においても、第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００と同様に、画素電極３０５の主面及び端部を静電方式の液滴吐出法により形成した第１のＥＬ共通層３０６で被覆した構造としている。したがって、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置６００も、第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００について説明した効果と同様の効果を奏する。
　さらに、上述したように、第２の絶縁層３１０上の段差を軽減した上で第４の絶縁層３１３を封止膜として設けているため、より信頼性の高い有機ＥＬ表示装置を実現することができる。
（第７の実施形態）
　図１３は、本発明の第７の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置７００の概略構成を示す断面図である。第７の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置７００と第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００との違いは、第７の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置７００は、第２のＥＬ共通層３０８が画素ごとに分離して設けられている点（第４の実施形態と同様）と、１つの画素電極上にＲＧＢ各色に対応する発光層が形成されている点である。その他の構成は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００と同じである。
　図１３において、画素電極３０５ａの上には、赤色に発光する発光層３０７Ｒ、緑色に発光する発光層３０７Ｇ及び青色に発光する発光層３０７Ｂが設けられている。なお、画素電極３０５ｂの上には、緑色に発光する発光層３０７Ｇのみが設けられているが、他の色に対応する発光層であっても良い。
　本実施形態では、発光層３０７の形成に静電方式の液滴吐出法を用いるため、約０．２μｍの精度で微細な塗り分けが可能である。したがって、従来のようなバンク構造を用いることなく、同一の画素電極上にそれぞれ異なる色に対応する発光層を形成することができる。そして、画素電極３０５ａ上の発光層３０７Ｒ、発光層３０７Ｇ及び発光層３０７Ｂを同時に点灯することにより、白色（Ｗ）に発光する画素として機能させることができる。すなわち、各発光層３０７Ｒ、発光層３０７Ｇ及び発光層３０７Ｂを、それぞれＲＧＢ各色に対応するサブ画素として機能させ、画素全体として白色発光を可能としている。
　本実施形態の有機ＥＬ表示装置７００は、ＲＧＢ各色に対応する画素に加えて、白色に対応する画素を設けることにより、色純度の微調整や画像の滑らかな表示を実現することができる。
　各画素の配列は様々なパターンを取り得る。各画素の配列パターンについて図１４を用いて説明する。図１４は、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置７００における画素部の概略構成を示す平面図である。
　図１４（Ａ）において、符号４１と４４Ｒは、Ｒ（赤）に対応するサブ画素、符号４２と４４Ｇは、Ｇ（緑）に対応するサブ画素、符号４３と４４Ｂは、Ｂ（青）に対応するサブ画素である。この場合、符号４４Ｒ、４４Ｇ及び４４Ｂは、図１３を用いて説明したサブ画素であり、同一の画素電極上に形成されている。これらのサブ画素４４Ｒ、４４Ｇ及び４４Ｂを用いて白（Ｗ）に対応するサブ画素として機能させることができる。そして、ＲＧＢＷの各色に対応するサブ画素を用いて構成される１つの画素の発光色を決定することができる。
　図１４（Ｂ）は、サブ画素４４Ｒ、４４Ｇ及び４４Ｂの配置が異なるだけで、基本的な構成は図１４（Ａ）に示した配列パターンと同様である。
　図１４（Ｃ）は、サブ画素４１～４３をストライプ形状に設け、その上側部分を区切ってサブ画素４４Ｒ、４４Ｇ及び４４Ｂとしたものである。この場合もサブ画素４４Ｒ、４４Ｇ及び４４Ｂが、全体として、Ｗ（白）に対応するサブ画素として機能する。
　図１４（Ｄ）は、いわゆるダイヤモンドペンタイルと呼ばれる配列パターンに、本実施形態のサブ画素４４Ｒ、４４Ｇ及び４４Ｂを追加した例である。この場合もサブ画素４４Ｒ、４４Ｇ及び４４Ｂが、全体として、Ｗ（白）に対応するサブ画素として機能する。
　本実施形態の画素構造は、上述した図１４に示す配列パターンに限らず、ＲＧＢＷを用いるすべての配列パターンに対して適用可能である。尚、図１４（Ａ）で点線にて示した範囲が１つの画素４００Ａで、サブ画素４１～４３、４４Ｒ、４４Ｇ、４４Ｂそれぞれ１つを含む。同じく図１４（Ｂ）で点線にて示した範囲が１つの画素４００Ｂで、サブ画素４１～４３、４４Ｒ、４４Ｇ、４４Ｂそれぞれ１つを含む。図１４（Ｃ）で点線にて示した範囲が１つの画素４００Ｃで、サブ画素４１～４３、４４Ｒ、４４Ｇ、４４Ｂそれぞれ１つを含む。図１４（Ｄ）で点線にて示した範囲が１つの画素４００Ｄで、サブ画素４１、４３を２つ含み、サブ画素４２を３つ含み、サブ画素４４Ｒ、４４Ｇ、４４Ｂそれぞれ１つを含む。
　また、本実施形態では、同一の画素電極上にＲＧＢ各色に対応する発光層を設けて白画素として機能させたが、例えば同一の画素電極上にＲＧ各色に対応する発光層を設けてＹ（黄）に対応する画素として機能させることも可能である。その場合、ＲＧＢＹを用いるすべての配列パターンに対して適用可能である。このように、同一の画素電極上に必要な発光層を塗り分けることにより、所望の発光色のサブ画素として機能させることができる。
　さらに、図１３においては、各発光層３０７Ｒ、３０７Ｇ及び３０７Ｂの膜厚を同じ膜厚で記載しているが、少なくとも１層の膜厚が残りの発光層の膜厚と異なっていても良い。例えば、ＲＧ各色に対応する発光層３０７Ｒ及び３０７Ｇよりも、Ｂに対応する発光層３０７Ｂの膜厚を薄くすることも可能である。膜厚の制御は、上述した通り、液滴吐出法による液滴の滴下量もしくは滴下回数で容易に制御することができる。
　このように、画素内もしくは画素間で任意に各発光層３０７Ｒ、３０７Ｇ及び３０７Ｂの膜厚を制御することにより、マイクロキャビティ効果が得られるように調整し、有機ＥＬ表示装置の輝度と色純度とを向上させることが可能である。
　本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置７００においても、第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００と同様に、画素電極３０５の主面及び端部を静電方式の液滴吐出法により形成した第１のＥＬ共通層３０６で被覆した構造としている。したがって、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置７００も、第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００について説明した効果と同様の効果を奏する。
　さらに、上述したように、同一の画素電極上にそれぞれ異なる発光色に対応する発光層を設けているため、製造工程を増やすことなく、白色に対応するサブ画素を形成することができる。これにより、製造工程を増やすことなく、有機ＥＬ表示装置の輝度や色純度の向上と滑らかな画像表示とを実現することができる。
（第８の実施形態）
　図１５は、本発明の第８の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置８００の概略構成を示す断面図である。第８の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置８００と第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００との違いは、第８の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置８００は、第２のＥＬ共通層３０８が画素ごとに分離して設けられている点（第４の実施形態と同様）と、第２の絶縁層３１０を形成した後に、透明樹脂材料を塗布する点である。その他の構成は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００と同じである。
　図１５（Ａ）に示す構造においては、第２の絶縁層３１０を形成した後、透明樹脂層（例えば、透光性を有するアクリル樹脂材料で構成される層）をスピンコーティング法（溶液塗布法）、または蒸着法により形成する工程を行う。ただし、ここでは透明樹脂で構成される薄膜を形成することが目的ではないため、溶液を滴下した後、基板をスピンさせて溶液を除去しても良い。この場合でも、第２の絶縁層３１０上には吸着した透明樹脂材料で構成される極めて薄い膜が残存する。この透明樹脂材料で構成される層は１０～５０ｎｍの厚さで形成される。
　その際、塗布された溶液は、段差に集まる特性を有するため、第２の絶縁層３１０上に塗布された透明樹脂材料を含む溶液は段差に集まる。この場合の段差とは、第２の絶縁層３１０の表面が起伏を有することにより生じた段差もあり得るし、第２の絶縁層３１０上に異物が存在することにより生じた段差もあり得る。そして、段差に集まった溶液は、スピン工程の後もそのままそこに残存する。
　図１５（Ａ）の場合、第２の絶縁層３１０は、下層に存在する画素電極３０５、ＥＬ共通層３０６及び３０８、発光層３０７に起因する段差（点線で囲まれた部分）を有しているため、塗布された透明樹脂材料を含む溶液は、そのような段差に集まる。そして、その状態のまま光照射等により透明樹脂材料を硬化させると、段差に対して選択的に透明樹脂５１を残存させることができる。つまり、第２の絶縁層３１０に生じた段差を透明樹脂５１により平坦化することができる。
　このように、本実施形態では、第２の絶縁層３１０に生じた段差を透明樹脂５１で平坦化した後に第４の絶縁層３１３を形成するため、第４の絶縁層３１３にピンホールや膜剥がれが生じる可能性を低減することができる。また、第２の絶縁層３１０にピンホール等が存在していても、第４の絶縁層３１３でカバーできるため、さらなる封止効果が期待できる。したがって、外部からの水分や汚染物質の侵入を効果的に防ぐことができ、信頼性の高い有機ＥＬ表示装置を実現することができる。
　図１５（Ｂ）の場合、第２の絶縁層３１０に生じた段差を透明樹脂５１で平坦化した後、ブラックマスク３１１を形成する。そして、ブラックマスク３１１上に第４の絶縁層３１３を形成することにより、第２の絶縁層３１０と第４の絶縁層３１３との間にブラックマスク３１１を挟み込む構造とすることができる。
　図１５（Ａ）及び（Ｂ）に示す構造において、第２の絶縁層３１０上に異物が存在した場合は、図１６に示すように、異物５２の周囲に透明樹脂５１が形成され、異物５２に起因する段差が軽減される。そのため、異物５２の上から第４の絶縁層３１３を形成しても、異物５２の乗り越え部分で第４の絶縁層３１３が分断されてしまうことがない。したがって、異物５２の影響を受けることなく、信頼性の高い封止膜を形成することが可能となり、信頼性の高い有機ＥＬ表示装置を実現することができる。
　本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置８００においても、第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００と同様に、画素電極３０５の主面及び端部を静電方式の液滴吐出法により形成した第１のＥＬ共通層３０６で被覆した構造としている。したがって、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置８００も、第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００について説明した効果と同様の効果を奏する。
　なお、第６の実施形態のように、透明樹脂５１を用いないでも、ブラックマスク３１１の形成過程にて、異物５２の周囲に透明樹脂５１と同じような形状でブラックマスク３１１が残存する。よって異物５２の影響を受けることなく信頼性の高い封止膜の形成が可能となる。このように、図１５（Ｂ）のような形態は、特に異物５２に対して信頼性の高いデバイスが必要な時に採用することが望ましい。透明樹脂５１とブラックマスク３１１の材料の両方が異物５２の周囲に付着し、より異物の周囲を覆いやすくなるからである。図１５（Ａ）のような形態は、ブラックマスク３１１の製造工程にて第２の絶縁層３１０のピンホール等に起因して発光層３０７に水分等が侵入してダメージが入ることを防ぐのに有効である。
　さらに、上述したように、第２の絶縁層３１０を形成した後に、透明樹脂材料を含む溶液を塗布する工程を追加することにより、第２の絶縁層３１０が形成する段差や第２の絶縁層３１０上に存在する異物に起因する段差を軽減することができる。そして、第２の絶縁層３１０の上にピンホール、膜剥がれ、分断といった不具合のない第４の絶縁層３１３を形成することにより、さらに信頼性の高い封止構造を有する有機ＥＬ表示装置を実現することができる。
（第９の実施形態）
　図１７は、本発明の第９の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置９００の概略構成を示す断面図である。第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００との違いは、画素部１０２の外側（基板端側）に外部からの水分の侵入を防ぐための水分遮断構造を備えた点である。その他の構成は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００と同じである。
　図１７に示されるように、画素部１０２の外側には、水分遮断構造６１とカソードコンタクト部６２とが設けられる。水分遮断構造６１とは、外部からの水分の侵入を防ぐ目的で設けられた構造体である。基本的には、第１の絶縁層３０４の一部に開口部を設け、その内部を第２の絶縁層３１０及び第３の絶縁層３１２で覆った構成となっている。
　なお、本実施形態では、薄膜トランジスタ３０３を構成するソース／ドレイン電極と同時に形成された導電層６３を第１の絶縁層３０４に開口部を設ける際のエッチングストッパーとして用いている。勿論、これに限らず、薄膜トランジスタ３０３を構成するゲート電極と同時に形成された導電層や活性層と同時に形成された半導体層をエッチングストッパーとして用いてもよい。
　水分遮断構造６１を設けることにより、積層された各絶縁層や導電層の界面を伝って外部から水分が侵入する可能性を大幅に低減することができ、信頼性の高い有機ＥＬ表示装置を実現することができる。
　また、カソードコンタクト部６２は、陰極３０９と配線６４とを電気的に接続するためのコンタクト部である。配線６４は、薄膜トランジスタ３０３を構成するソース／ドレイン電極と同一の材料で形成され、陰極３０９に与える共通電圧を引き回すための配線である。それと同時に、第１の絶縁層３０４に開口部を設ける際のエッチングストッパーとしての機能も有する。勿論、薄膜トランジスタ３０３を構成するゲート電極と同一の材料で配線６４を形成することも可能である。
　なお、本実施形態では、第１の絶縁層３０４に開口部を設けた後、画素電極３０５と同一の材料で構成されるパッド電極６５を形成し、陰極３０９と配線６４とがパッド電極６５を介して電気的に接続された構造となっている。このような構造とした場合、配線６４上に成膜された導電層を除去する必要がなく、配線６４の表面を必要以上に荒らさないで済むという利点がある。勿論、パッド電極６５を省略し（つまり、配線６４上に成膜された導電層を除去し）、配線６４と陰極３０９とが直接接続された構造とすることも可能である。
　以上説明した本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置９００では、水分遮断構造６１に加えてカソードコンタクト部６２を設けた構成を例示しているが、カソードコンタクト部６２を省略することも可能である。
　以上のとおり、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置９００は、画素部の外側に外部からの水分の侵入を防ぐための構造体（水分遮断構造６１）を設けた構造となっている。そのため、第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００が奏する効果に加えて、より信頼性の高い有機ＥＬ表示装置を実現できるという効果を奏する。
　本発明の実施形態として上述した各実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。また、各実施形態の表示装置を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
　また、上述した各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
　１００　表示装置
　１０２　画素部
　１０３　走査線駆動回路
　１０４　データ線駆動回路
　１０５　ドライバＩＣ
　２０１　画素
　２０１Ｒ　Ｒ（赤）に対応する画素
　２０１Ｇ　Ｇ（緑）に対応する画素
　２０１Ｂ　Ｂ（青）に対応する画素
　２０２　薄膜トランジスタ
　３０１　基板
　３０２　下地層
　３０３　薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
　３０４　第１の絶縁層
　３０５　画素電極
　３０６　第１のＥＬ共通層
　３０７　発光層
　３０８　第２のＥＬ共通層
　３０９　共通電極
　３１０　第２の絶縁層
　３１１　ブラックマスク
　３１２　第３の絶縁層

Claims (20)

  1. 　複数の画素を備えた有機ＥＬ表示装置であって、
    　前記複数の画素は、各々発光素子を有し、
    　前記発光素子は、画素電極と、共通電極と、ＥＬ共通層と、発光層とを含み、
    　前記ＥＬ共通層及び前記発光層は、前記画素電極と前記共通電極との間に設けられ、
    　前記ＥＬ共通層は、前記画素電極の主面及び端部を被覆することを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
  2. 　前記ＥＬ共通層の膜厚は、前記画素電極の主面を被覆する部分の膜厚よりも、前記画素電極の端部を被覆する部分の膜厚の方が厚いことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
  3. 　トランジスタと、前記トランジスタを覆う絶縁膜とをさらに有し、
    　前記トランジスタと前記画素電極は、前記絶縁層に設けられたコンタクトホール内に形成された前記画素電極の凹部により接続され、
    　前記画素電極の主面が形成する前記凹部は、前記ＥＬ共通層により充填されることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
  4. 　前記ＥＬ共通層は、第１のＥＬ共通層と第２のＥＬ共通層とを含み、
    　前記第１のＥＬ共通層は、前記画素電極と前記発光層との間に設けられ、
    　前記凹部内に充填された前記ＥＬ共通層は、前記第１のＥＬ共通層であり、
    　前記第２のＥＬ共通層は、前記発光層と前記共通電極との間に設けられることを特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬ表示装置。
  5. 　前記第１のＥＬ共通層は、前記画素電極の主面及び端部を被覆し、
    　前記第２のＥＬ共通層は、前記発光層及び前記第１のＥＬ共通層の端部を被覆することを特徴とする請求項４に記載の有機ＥＬ表示装置。
  6. 　前記ＥＬ共通層及び前記発光層は、前記複数の画素間において分離していることを特徴とする請求項１～５のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置。
  7. 　前記画素電極は、平坦化膜上に設けられ、
    　前記共通電極は、前記複数の画素間において前記平坦化膜に接することを特徴とする請求項１～５のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置。
  8. 　前記発光層の端部は、平面視において前記画素電極の端部の内側に位置することを特徴とする請求項１～５のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置。
  9. 　前記発光層は、各々ＲＧＢ各色のいずれかに発光する３種類の発光層を含み、
    　前記３種類の発光層が、同一の前記画素電極上に設けられることを特徴とする請求項１～５のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置。
  10. 　前記３種類の発光層は、少なくとも１種類の発光層の膜厚が、残りの種類の発光層の膜厚と異なることを特徴とする請求項９に記載の有機ＥＬ表示装置。
  11. 　複数の画素を備えた有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
    　基板上の前記複数の画素に対応する位置に、画素電極を形成する工程と、
    　前記画素電極上に、ＥＬ共通層と発光層とを含む積層構造を形成する工程と、
    　前記積層構造上に共通電極を形成する工程と、
    　を有し、
    　前記ＥＬ共通層を、前記画素電極の主面及び端部を被覆するように形成することを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
  12. 　前記ＥＬ共通層を、前記画素電極の主面を被覆する部分の膜厚よりも、前記画素電極の端部を被覆する部分の膜厚の方が厚くなるように形成することを特徴とする請求項１１に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
  13. 　前記画素電極を形成する前に、トランジスタを形成する工程と、前記トランジスタを覆う絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層に前記トランジスタの一部を露出させるコンタクトホールを形成する工程をさらに有し、
    　前記画素電極は、前記絶縁層上と前記コンタクトホール内に形成されることにより、前記コンタクトホール内に凹部を有し、
    　前記画素電極の主面が形成する前記凹部に、前記ＥＬ共通層を充填することを特徴とする請求項１１に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
  14. 　前記積層構造として、第１のＥＬ共通層と第２のＥＬ共通層とで前記発光層を挟んだ構造を形成し、
    　前記第１のＥＬ共通層が前記凹部に充填されており、
    　前記第１のＥＬ共通層を、前記画素電極の主面及び端部を被覆するように形成することを特徴とする請求項１３に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
  15. 　前記第２のＥＬ共通層を、前記発光層及び前記第１のＥＬ共通層の端部を被覆するように形成することを特徴とする請求項１４に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
  16. 　前記ＥＬ共通層及び前記発光層を、前記複数の画素間において分離するように形成することを特徴とする請求項１１～１５のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
  17. 　前記発光層を、前記発光層の端部が平面視において前記画素電極の端部の内側に位置するように形成することを特徴とする請求項１１～１５のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
  18. 　同一の前記画素電極上に、前記発光層として、各々ＲＧＢ各色のいずれかに発光する３種類の発光層を形成することを特徴とする請求項１１～１５のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
  19. 　前記３種類の発光層は、少なくとも１種類の発光層の膜厚が、残りの種類の発光層の膜厚と異なるように形成されることを特徴とする請求項１８に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
  20. 　前記ＥＬ共通層及び前記発光層を、静電方式の液滴吐出法を用いて形成することを特徴とする請求項１１～１５のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
     
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