TWI575731B

TWI575731B - Display device and manufacturing method thereof

Info

Publication number: TWI575731B
Application number: TW104132447A
Authority: TW
Inventors: Norihisa Maeda
Original assignee: Japan Display Inc
Priority date: 2014-10-08
Filing date: 2015-10-01
Publication date: 2017-03-21
Also published as: KR101862443B1; JP6487173B2; US20170358770A1; CN105514138A; US20160104760A1; TW201614830A; US10177336B2; US9786866B2; JP2016076453A; KR20160041759A; CN105514138B

Description

顯示裝置及其製造方法

本發明係關於一種具有電致發光元件等發光元件之顯示裝置及其製造方法。

已知悉電致發光(以下亦稱為「EL」)元件係作為利用電致發光(Electroluminescence：EL)現象之發光元件。EL元件係藉由選擇構成發光層之發光材料而能夠以各種波長之顏色發光，而展開其於顯示裝置及照明器具方面之應用。特別係使用有機材料作為發光材料之EL元件受到關注。

在使用EL元件之有機EL顯示裝置中，在矩陣狀地配置於基板上之各像素上設置有作為發光元件之EL元件及對此EL元件進行發光控制之開關元件。而且，藉由控制每個像素之開關元件之接通/關斷(ON/OFF)，能夠以顯示區域整體顯示任意之圖像。

作為如上述般顯示裝置之顯示形態，已知悉頂部發射型及底部發射型2種。所謂之頂部發射型係指將由EL元件所發出之光於形成有像素電路之第1基板(陣列基板)之相反側，亦即第2基板(密封基板)側取出之方式，所謂之底部發射型係指將由EL元件所發出之光於陣列基板側取出之方式。特別地，頂部發射型係在形成有像素電路之區域上設置有像素電極，由於能夠將像素電極之大部分作為有效發光區域，故而在能夠確保像素之高開口率之點有利。

在頂部發射型之EL顯示裝置中，存在使光透射過與像素電極(陽極)成對之共通電極(陰極)而予取出之必要。因此，在頂部發射型中，作為共通電極多將MgAg(鎂-銀合金)形成為光能夠充分透射程度之薄膜狀而使用，或使用ITO(氧化銦錫)、IZO(氧化銦鋅)等透明導電膜。

其中ITO、IZO等之透明導電膜與金屬膜相比電阻高。因此存在下述問題：若顯示裝置之畫面尺寸變大，則起因於透明導電膜之電阻成分的電壓下降之影響變大，在畫面內產生亮度差。

作為解決此種現象之方法，已揭示在形成共通電極後在共通電極上設置輔助配線之構造(專利文獻1)。在專利文獻1中所記載之技術，係在共通電極上設置包含金屬膜之輔助配線而實現共通電極之低電阻化者。又，在專利文獻1中，由於係在岸堤上設置輔助配線，因此要進行輔助配線不會導致降低像素開口率之處理。又，所謂之岸堤係指由樹脂等絕緣材料所構成之區劃像素之部件。

【先前技術文獻】

【專利文獻】

【專利文獻1】日本特開2009-276721號公報

然而，在專利文獻1所記載之技術中，在顯示裝置已經發展為高精細化之情形下，岸堤與輔助配線之位置對準變得困難，若位置對準精度差，則會存在輔助配線形成在像素內之情形。其結果係有輔助配線遮擋從EL元件之發光而降低開口率之虞。

因此，本發明之一實施形態其目的之一在於提供一種在共通電極上以高位置對準精度形成輔助配線之技術。

又，本發明之一實施形態其目的之一在於提供一種利用輔助配線而兼顧共通電極之低電阻化與充分開口率之確保的高精細顯示裝置。

本發明之一態樣之特徵在於其係具備包含複數個像素之顯示部的顯示裝置，且具有：對應前述複數個像素而設置的複數個像素電極；設置在前述複數個像素電極之間的岸堤；至少設置在前述像素電極上的EL層；設置在前述岸堤及前述EL層上的共通電極；分別設置在由前述岸堤區劃之複數個區域內之前述共通電極上的絕緣體；及設置在相鄰之前述絕緣體之間之前述共通電極上的輔助配線；且前述絕緣體係在以前述像素電極之表面為基準時，前述絕緣體之頂部位於較在前述岸堤上之前述共通電極之頂部更為上方。

本發明之一態樣之特徵在於，其係具備包含複數個像素之顯示部的顯示裝置，且具有：對應前述複數個像素而設置的複數個像素電極；設置在前述複數個像素電極之間的岸堤；至少設置在前述像素電極上的EL層；設置在前述岸堤及前述EL層之上的共通電極；及設置在前述岸堤與前述共通電極相重疊之區域上的輔助配線；且前述輔助配線之端部係對前述複數個像素電極之表面而突出。

本發明之一態樣之特徵在於，其係具備包含複數個像素之顯示部之顯示裝置的製造方法，且包含：對應前述複數個像素而形成複數個像素電極之步驟；在前述複數個像素電極之間形成岸堤之步驟；至少在前述像素電極上形成EL層之步驟；在前述岸堤及前述EL層之上形成共通電極之步驟；分別在由前述岸堤區劃之複數個區域內之前述共通電極上形成絕緣體之步驟；及在相鄰之前述絕緣體之間之前述共通電極上形成輔助配線之步驟；且在以前述像素電極之表面為基準時，以前述絕緣體之頂部位於較在前述岸堤上之前述共通電極之頂部之更上方之方式形成前述複數個絕緣體。

本發明之一態樣之特徵在於，其係具備包含複數個像素之顯示部之顯示裝置的製造方法，且包含：對應前述複數個像素而形成複數個像素電極之步驟；在前述複數個像素電極之間形成岸堤之步驟；至少在前述像素電極上形成EL層之步驟；在前述岸堤及前述EL層之上形成共通電極之步驟；分別在由前述岸堤區劃之複數個區域內之前述共通電極上形成絕緣體之步驟；在相鄰之前述絕緣體之間之前述共通電極上形成輔助配線之步驟；及去除前述絕緣體之步驟；且在形成前述絕緣體之步驟中，在以前述像素電極之表面為基準時，以前述絕緣體之頂部位於較前述岸堤上之前述共通電極之頂部更為上方之方式形成前述複數個絕緣體。

100‧‧‧顯示裝置

101‧‧‧基板

102‧‧‧像素部(顯示區域)

103‧‧‧掃描線驅動電路

104‧‧‧資料線驅動電路

105‧‧‧驅動器IC

200‧‧‧顯示裝置

201‧‧‧像素

201B‧‧‧子像素

201G‧‧‧子像素

201R‧‧‧子像素

202‧‧‧薄膜電晶體

300‧‧‧顯示裝置

301‧‧‧第1基板

302‧‧‧基底層

303‧‧‧薄膜電晶體

304‧‧‧第一絕緣層

305‧‧‧像素電極

306‧‧‧岸堤

307‧‧‧電致發光層(EL層)

308‧‧‧共通電極

309‧‧‧遮罩絕緣體、遮罩絕緣膜

310‧‧‧輔助配線

311‧‧‧填充材

312‧‧‧第2基板

313B‧‧‧彩色濾光器

313G‧‧‧彩色濾光器

313R‧‧‧彩色濾光器

314‧‧‧黑色矩陣

315‧‧‧密封膜

316‧‧‧電漿

317‧‧‧氟化物

320‧‧‧無機絕緣膜

III-III’‧‧‧線

圖1係顯示關於本發明之第1實施形態之顯示裝置之整體構成之平面圖。

圖2係顯示關於本發明之第1實施形態之顯示裝置之像素部之構成之平面圖。

圖3係顯示關於本發明之第1實施形態之顯示裝置之像素部之剖面之構成的圖，係沿圖2所顯示之III-III’線之剖面圖。

圖4係顯示關於本發明之第1實施形態之顯示裝置之製造方法的圖。

圖5係顯示關於本發明之第1實施形態之顯示裝置之製造方法的圖。

圖6係顯示關於本發明之第1實施形態之顯示裝置之製造方法的圖。

圖7係顯示關於本發明之第1實施形態之顯示裝置之製造方法的圖。

圖8係顯示關於本發明之第1實施形態之顯示裝置之製造方法的圖。

圖9係顯示關於本發明之第2實施形態之顯示裝置之像素部之剖面之構成的圖。

圖10係顯示關於本發明之第3實施形態之顯示裝置之製造方法的圖。

以下，一邊參照圖式等一邊說明本發明之各實施形態。然而，本發明在不脫離其主旨之範圍內能夠以各種態樣實施，並非限定於以下例示之實施形態之記載內容而解釋者。

又，圖式為使說明更加明確，與實際態樣相較雖存在將各部分之寬度、厚度、形狀等示意性地表示之情形，但其終極而言僅為一例，並非限定本發明之解釋者。又，在本說明書及各圖中，存在對於與相關於已出現之圖中而說明者具備相同功能的元件賦予相同之符號，且省略其重複說明之情形。

(第1實施形態) <顯示裝置之構成>

圖1係顯示關於本發明之第1實施形態之顯示裝置100之整體構成的圖。顯示裝置100具備在基板101上所形成的像素部(顯示區域)102、掃描線驅動電路103、資料線驅動電路104、及驅動器IC105。驅動器IC係作為對掃描線驅動電路103及資料線驅動電路104施加信號之控制部而發揮功能。

另外，亦存在資料線驅動電路104包含於驅動器IC 105之情形。圖1顯示驅動器IC 105在基板101上一體化形成之例，但其亦可另外在基板101上以如IC晶片之形態配置。又，亦可採用將驅動器IC 105設置於FPC(撓性印刷電路板)之外置形態。

在圖1所示之像素部102上矩陣狀地配置複數個像素。與圖像資料相對應之資料信號從資料線驅動電路104施加到各像素。藉由將該等資料信號經由在各像素上所設置的開關元件施加到像素電極，而能夠進行與圖像資料相對應之畫面顯示。典型地可使用薄膜電晶體(Thin Film Transistor，以下稱為TFT)作為開關元件。但是並非限定於薄膜電晶體，亦可使用只要是具備開關功能之元件之任意元件。

圖2係顯示圖1所示之顯示裝置100之像素部102之構成的圖。在本實施形態中像素201包含：對應紅色(R)之子像素201R；對應綠色(G)之子像素201G；及對應藍色(B)之子像素201B。在各子像素中設置有薄膜電晶體202作為開關元件。藉由使用薄膜電晶體202對各子像素201R、201G及201B進行ON/OFF控制，使對應各子像素之任意顏色之光發出，從而能夠以1個像素顯現各種顏色。

在圖2中係顯示使用RGB三原色作為子像素之構成，但本實施形態並非限定於此，亦可由RGB加上白色(W)或黃色(Y)成之4個子像素而構成像素201。又，作為像素排列係顯示對應同一色之像素作條紋排列之例，但亦可為其他三角形排列或拜耳排列，或實現波形瓦構造之排列。

圖3係顯示將圖2所示之像素201沿III-III’切斷後之剖面構成的圖。在圖3中，在第1基板(陣列基板)301上，設置由氧化矽、氮化矽、氧化鋁等無機材料構成之絕緣層作為基底層302，並在其上形成薄膜電晶體303。

作為第1基板301，可使用玻璃基板、石英基板、及撓性基板(聚醯亞胺、聚對苯二甲酸乙二酯PET、聚萘二甲酸乙二酯PEN等能夠撓曲之基板)。若第1基板301無需具有透光性，則亦可使用金屬基板、陶瓷基板、半導體基板。

薄膜電晶體303之構造可為頂部閘極型亦可為底部閘極型。在本實施形態之顯示裝置100中，其構造係以覆蓋薄膜電晶體303之方式設置第一絕緣層304，使起因於薄膜電晶體303之凹凸平坦化。使用樹脂材料作為第一絕緣層304係較佳者。可使用例如聚醯亞胺、聚醯胺、丙烯酸系樹脂、及環氧樹脂等公知之有機材料。只要能起到平坦化效果，可使用氧化矽等無機材料代替有機材料，亦可為有機材料與無機材料之積層構造。又，由320所示之層係作為薄膜電晶體303之閘極絕緣層發揮功能之氧化矽膜等之無機絕緣膜。

在第一絕緣層304上設置有像素電極305。像素電極305經由在第一絕緣層304上所形成之接觸孔而連接於薄膜電晶體303。在本實施形態之顯示裝置100中，像素電極305作為構成EL元件之陽極(anode)而發揮功能。

像素電極305或為頂部發射型或為底部發射型，依此採不同構成。例如，若為頂部發射型之情形，則作為像素電極305可使用反射率高之金屬膜，或使用氧化銦系透明導電膜(例如ITO)或氧化錫系透明導電膜(例如IZO、ZnO)此等功函數高之透明導電膜與金屬膜之積層構造。反之，若為底部發射型之情形，則作為像素電極305可使用上述之透明導電膜。在本實施形態中，係舉例說明頂部發射型之顯示裝置。

在相鄰之像素電極305之間如圖3所示配置有岸堤306。岸堤306係以覆蓋各像素電極306之端部(邊緣)之方式而設置，其結果係作為區劃各像素之部件而發揮功能。並且，岸堤306不僅覆蓋像素電極306之端部，亦可作為填埋起因於接觸孔之凹部之填充材而發揮功能。

在本實施形態中，作為岸堤306可使用聚醯亞胺系、聚醯胺系、丙烯酸系、及環氧系或矽氧烷系此等樹脂材料。又，在圖3中係例示形成包含岸堤306之頂部之剖面(以相對於像素電極之主面垂直的面切斷之剖面)輪廓為曲線狀之岸堤，但不特別限定其形狀。岸堤306之輪廓亦可例如為梯形。

在像素電極306及岸堤307上設置有電致發光層(EL層)307。EL層307至少具有發光層，作為EL元件之發光部而發揮功能。在EL層307 上，除發光層以外亦可包含電子注入層、電子輸送層、電洞注入層、電洞輸送層等各種功能層。該等層係使用低分子系或高分子系之有機材料而構成。又，可不只使用有機材料，亦可使用電致發光型之量子點作為發光層。

在本實施形態中係採用設置發出白色光之EL層307，而由後述之彩色濾光器進行顏色分離之構成。EL層307並非係特別限定於本實施形態之構成者。又，EL層307亦可以僅在各像素電極305上形成而非在岸堤306上連續地形成之方式對每個像素分別塗覆。

在EL層307上設置有作為EL元件之陰極發揮功能之共通電極308。因本實施形態之顯示裝置100係頂部發射型，故使用MgAg薄膜或透明導電膜(ITO或IZO)作為共通電極308。共通電極308係跨於各像素之間而在像素部102之全面上設置。

此處，在本實施形態之顯示裝置100中，在共通電極308上之與各像素相對應之位置上配置有遮罩絕緣體309。遮罩絕緣體309係具有透光性之絕緣體，典型地可使用聚醯亞胺系、聚醯胺系、丙烯酸系、及環氧系或矽氧烷系之樹脂。見後述，與填充材311相同之材料係較佳者。又，遮罩絕緣體309既可為光硬化性樹脂，亦可為熱硬化性樹脂，但為減小對下層之EL層307之影響，使用光硬化性樹脂係較佳者。

遮罩絕緣體309設置於由岸堤306所包圍之區劃部內(亦即有效發光區域上)，如圖3所示，其端部與岸堤306重疊。又，在以像素電極305之主面(配置有EL層307之面)為基準時，以遮罩絕緣體309之頂部位於較岸堤306之頂部(嚴格而言係在岸堤306上之共通電極308之頂部)更上方之方式，設定遮罩絕緣體309之膜厚。上述之原因係為使其在形成後述輔助配線310時作為擋止件發揮功能。

又，在本實施形態中，為利用例如噴墨法形成遮罩絕緣體309，其包含頂部之面之剖面成為曲線狀。亦即，以相對於像素電極305之主面垂直的面切斷遮罩絕緣體309時，遮罩絕緣體309之輪廓為曲線狀。但是，實際上包含遮罩絕緣體309之頂部之剖面的形狀因依存於由岸堤306區劃之像素之形狀，故亦有包含直線部分之情形。

在圖3中，共通電極308中之與岸堤306相重疊之部分之上面設置有輔助配線310。亦即，輔助配線310係配置於相鄰之遮罩絕緣體309之間之狀態。具體而言，在複數個遮罩絕緣體309之間隙中塗佈包含導電體之溶媒，為使此溶媒揮發而形成輔助配線310，如圖3所示，輔助配線310之端部係與遮罩絕緣體309相接之構成。

可使用包含銀(Ag)、鈦(Ti)之金屬膠體或金屬奈米線作為構成輔助配線310之導電體。又，亦可使用碳黑等導電性材料。藉由將該等導電體分散於揮發性溶媒中，並在塗佈後去除溶媒，能夠形成由上述導電體所構成之輔助配線。當然，只要不對共通電極308帶來損害，亦可利用其他配線形成技術。

在遮罩絕緣體309及輔助配線310之上方，隔著作為接著材及保護材發揮功能之填充材311設置對向基板。可使用聚醯亞胺系、聚醯胺系、丙烯酸系、環氧系或矽氧烷系之樹脂材料作為填充材311。另一方面，若能夠在基板周邊部分實現充分密封且能夠保持第1基板與第2基板之間隙，則亦可不使用填充材311而使其成為中空密封。

又，在本實施形態中，所謂「對向基板」包含：第2基板312；在第2基板312之主面(與第1基板301對向之面)上所設置的分別對應RGB各色之彩色濾光器313R、313G、313B；及設置於該等彩色濾光器之間隙之黑色矩陣314。

然而，對向基板之構造並非係限定於此者，亦可省略黑色矩陣314。又，若將EL層307根據RGB各色分開設置，則可將彩色濾光器從對向基板省略。進而，若省略彩色濾光器或將其在第1基板301側形成，則亦可省略對向基板本身。

以上所說明之本實施形態之顯示裝置100，由於使用遮罩絕緣體309自對準地形成輔助配線310，故即使邁向高精細化，在岸堤306上亦能夠以高位置對準精度配置輔助配線310。因此，能夠在有效發光區域上(作為像素實效性地發揮功能之區域內)不形成輔助配線310地防止實效性之開口率之降低。同時，藉由電性地連接輔助配線310而使共通電極308之低電阻化成為可能，且能夠提高顯示區域102內之亮度之均一性。

以下說明具備上述構成之本實施形態之顯示裝置100之製造步驟。

<顯示裝置之製造方法>

首先，如圖4所示，在第1基板301上形成基底層302，在其上面形成薄膜電晶體(TFT)303。然後，以將因薄膜電晶體303之形成所產生的凹凸平坦化之方式，形成第一絕緣層304。

可使用玻璃基板、石英基板、及撓性基板(聚醯亞胺、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯等能夠撓曲之基板)等作為第1基板301。若第1基板301無需具有透光性時，亦可使用金屬基板、陶瓷基板、及半導體基板。

作為基底層302，典型地可使用氧化矽系絕緣膜、氮化矽系絕緣膜或該等之積層膜。基底層302具有防止污染物質從第1基板301侵入、或緩和因第1基板301之伸縮所發生之應力之功能。

在本實施形態中係顯示形成頂部閘極型TFT作為薄膜電晶體303之例，其亦可為底部閘極型TFT。又，作為開關元件發揮功能之元件，並非限定於薄膜電晶體等三端子元件，可形成二端子元件，亦可根據像素電路之需要而形成電阻元件、電容元件。

第一絕緣層304係塗佈聚醯亞胺系、聚醯胺系、丙烯酸系、及環氧系或矽氧烷系等樹脂材料，其後，藉由光或熱使所塗佈之樹脂材料硬化而形成即可。第一絕緣層304之膜厚只要是將由薄膜電晶體303引起之凹凸平坦化之充分的膜厚即可。典型可為1~3μm，但並非限定於此。

其次，在第一絕緣層304上形成到達薄膜電晶體303之接觸孔之後，利用周知之方法形成像素電極305。在本實施形態中，利用濺鍍法形成鋁與ITO(氧化銦錫)之積層膜之後，利用光微影術圖案化積層膜而形成像素電極305。各像素電極305係在與複數個像素相對應之位置上以分別與其相對應之方式圖案化而形成。

其次，如圖5所示，形成由樹脂材料所構成之岸堤306。在本實施形態中，係藉由利用例如噴墨法塗佈光硬化性樹脂而形成岸堤306。此時，為在相鄰像素電極305之間能夠塗佈溶液而進行位置對準，而在溶液塗佈後，由於其係利用光照射使溶液硬化而形成，故包含其頂部之剖面之輪廓因表面張力成為曲線狀。然而，關於岸堤306之形成無需特別限定形狀，亦可為梯形。因此，本實施形態係利用噴墨法形成岸堤306，但可經由光微影術而形成圖案，亦可利用印刷法形成。

其次，如圖6所示，形成EL層307。在本實施形態中，EL層307係作為白色光之發光部而形成。根據需要可設置電洞注入層、電洞輸送層、電子注入層、電子輸送層、及電荷產生層等之各種功能層。又，形成EL層307可利用例如旋塗法、噴墨法、印刷法、及蒸鍍法等。

在形成EL層307之後，形成作為EL元件之陰極而發揮功能之共通電極308。在本實施形態中，係使用由濺鍍法所形成之ITO膜或IZO膜作為共通電極308。當然，亦可使用其他的透明導電膜，亦可使用MgAg此等之金屬膜。使用金屬膜時，以其膜厚能夠透過自EL元件射出之光之程度之膜厚而構成即可。

其次，如圖7所示，形成遮罩絕緣體309。在本實施形態中，利用例如噴墨法塗佈光硬化性之丙烯酸系樹脂，並藉由光照射使其硬化而形成遮罩絕緣體309。因此，藉由表面張力，以相對於像素電極305之主面垂直的面切斷遮罩絕緣體309時，遮罩絕緣體309之輪廓成為曲線狀。此時，為使共通電極308不曝露於外部空氣中，在氮氣環境等惰性環境中進行處理係較佳者。

在形成遮罩絕緣體309時，建議注意含有樹脂材料之溶液的黏度或噴出量。具體而言，在以像素電極305之主面為基準時，為使遮罩絕緣體309之頂部位於較岸堤306之頂部(嚴格而言係在岸堤306上之共通電極308之頂部)更為上方而調整溶液之黏度或噴出量(換言之，即遮罩絕緣體之膜厚)。亦即，藉由調整溶液之黏度或噴出量而控制遮罩絕緣體309之膜厚使其滿足條件。此目的係為使遮罩絕緣體309在後續塗佈輔助配線310時作為擋止件(壁)發揮功能。

又，在從相對於第1基板101之主面之法線方向觀察遮罩絕緣體309時，以其端部(邊緣)與岸堤306相重疊之方式控制噴出量係較佳者。亦即，如圖7所示，以遮罩絕緣體309之端部在不超出岸堤306之頂部之範圍內，且位於起因於岸堤306之形狀之傾斜部之上的方式控制噴出量。此乃因遮罩絕緣體309之端部之位置成為輔助配線310之端部之位置所致。因此，藉由調整成上述位置關係，能夠防止輔助配線310在有效發光區域上形成。

此外，遮罩絕緣體309無需在所有像素中就每個像素而分離。亦即，即便在相鄰像素之間稍許存在遮罩絕緣體309相連之部位亦無損本發明之效果。例如若遮罩絕緣體309在相鄰像素之間相連，於該部分無法確保輔助配線310與共通電極308之接觸。然而，由於共通電極310係被全面施加相同之電位，故只要在複數個部位內確保輔助配線310與共通電極308之接觸，即可達到作為整體之共通電極之低電阻化。

其次，如圖8所示形成輔助配線310。在本實施形態中，使用例如噴墨法，塗佈含有銀之金屬膠體分散成之溶媒，其後，使溶媒揮發而形成含有銀之輔助配線310。此時，藉由對相鄰之遮罩絕緣體309之間隙進行位置對準而塗佈溶媒，可正確地在岸堤306上形成輔助配線310。亦即，可利用遮罩絕緣體309自對準地形成輔助配線310。

在形成輔助配線310之後，在第2基板312上形成設置有彩色濾光器313R、313G、313B及黑色矩陣314之對向基板。第2基板312可使用玻璃基板、石英基板、及撓性基板(聚醯亞胺、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯等能夠撓曲之基板)等具有透光性之基板。彩色濾光器313R、313G、313B係由分散有各色之顏料之樹脂材料形成。黑色矩陣314可使用鈦膜或含有碳黑之樹脂膜而形成。不限於此，對向基板之構成可使用周知之構造及周知之材料。當然，對向基板之構成並非限定於此。

其後，以填充材311貼合對向基板而完成如圖3所示之顯示裝置100。可使用光硬化性之樹脂材料作為填充材311。在本實施形態中，藉由使用與遮罩絕緣體309相同之材料，可無需去除遮罩絕緣膜309而將其直接作為填充材311之一部分而利用。當然，亦可將遮罩絕緣體309及填充材311以不同之材料形成。若遮罩絕緣體309及填充材311以不同材料形成時，則亦可利用兩者之折射率差，而如同微透鏡般之使用遮罩絕緣體309。

根據以上說明之本實施形態之顯示裝置之製造方法，藉由使用對應像素所配置之遮罩絕緣體309自對準地形成輔助配線310，能夠以高位置對準精度在岸堤306上配置輔助配線310。另外，藉由使遮罩絕緣體309及填充材311以相同材料而形成，因無需去除遮罩絕緣體309，故能夠簡化製造過程。進而，藉由利用噴墨法形成岸堤306或遮罩絕緣體309，因可省略如光微影術般之圖案化步驟，故能夠簡化製造過程。

(第2實施形態)

圖9係顯示關於本發明之第2實施形態之顯示裝置200之像素之構成。與第1實施形態不同之點在於：第2實施形態之顯示裝置200係去除遮罩絕緣體309而在共通電極308及輔助配線310上設置密封膜315。其他之構成與第1實施形態之顯示裝置100相同。

本實施形態之情形，係在如前述圖8所示般形成輔助配線310之後去除遮罩絕緣體309。去除方法係無特別限定者，為了不對下層之共通電極308帶來損害，利用在氧氣或臭氧環境下之灰化法或乾式蝕刻而去除係較佳者。具體條件可考量與輔助配線310或共通電極308之選擇比而適當確定最佳條件。

在去除遮罩絕緣體309之後，如圖9所示，輔助配線310之端部成為相配於遮罩絕緣體309之表面之形狀，對複數個像素電極305之表面而突出。其後，在共通電極308及輔助配線310上設置密封膜315。設置密封膜315之目的在於：防止來自外部之水分或空氣之侵入從而抑制EL層307或共通電極308此等耐水性差之材料的劣化。為此，使用具備緻密膜質之氮化矽系絕緣層作為密封膜315係較佳者。進而可設置氧化矽系、氧化鋁系之無機絕緣層或樹脂系之有機絕緣層作為積層膜。

另外，在本實施形態中，係在形成密封膜315之後進而由填充材311貼合對向基板而構成，且亦可採用省略對向基板或填充材311之構成。例如在將彩色濾光器設置於第1基板301側，或將發光層根據RGB各色分開而形成時，可省略對向基板。在該情形下，能夠實現顯示裝置200整體之薄型化及輕量化。

在本實施形態中亦可與第1實施形態相同，利用設置於像素內之遮罩絕緣膜自對準地形成輔助配線。因此，本實施形態之顯示裝置200亦可起到與針對第1實施形態之顯示裝置100所說明之效果相同的效果。

(第3實施形態)

圖10顯示關於本發明之第3實施形態之顯示裝置300之像素之構成。與第1實施形態不同之點在於：第3實施形態之顯示裝置300係在形成遮罩絕緣體309之後，在其表面實施電漿處理，使遮罩絕緣體309之表面具有撥水性。其他之構成與第1實施形態之顯示裝置100相同。

在本實施形態之情形下，係在如前述圖7所示般形成遮罩絕緣體309之後，利用含有氟或氟化合物之氣體對遮罩絕緣體309之表面進行電漿處理。

圖10係顯示將遮罩絕緣體309曝露於形成含有氟之電漿316之環境中之狀態。此時，在由樹脂材料所構成之遮罩絕緣體309之表面生成氟化物317，其撥水性提高。其結果係於在圖8中塗佈包含金屬膠體之溶液時，在已進行電漿處理之遮罩絕緣膜309之表面所塗佈的溶液被斥離。因此，能夠以更高的位置對準精度在岸堤306上形成輔助配線310。

在本實施形態中，亦可與第1實施形態相同，利用設置於像素內之遮罩絕緣膜自對準地形成輔助配線。因此，本實施形態之顯示裝置300亦可起到與針對第1實施形態之顯示裝置100所說明之效果相同的效果。

上述之各實施形態作為本發明之實施形態，只要不相互矛盾，可適當地組合而實施。又，以各實施形態之顯示裝置為基礎，由熟悉此項技術者適當地進行構成要素之追加、削除或設計變更者，或進行步驟之追加、省略或條件變更者，只要具備本發明之要旨皆包含於本發明之範圍內。

又，即便是與由上述各實施形態之態樣所帶來的作用效果不同之其他的作用效果，若係由本說明書之記載中顯而易知者，或由熟悉此項技術者容易地預測而獲得者，應當理解為係由本發明所帶來之作用效果。

301‧‧‧第1基板、陣列基板