TW201340309A - 有機電致發光顯示單元、製造有機電致發光顯示單元之方法及彩色濾光器基板 - Google Patents

有機電致發光顯示單元、製造有機電致發光顯示單元之方法及彩色濾光器基板 Download PDF

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Abstract

本發明係關於一種顯示裝置，其包括第一電極、包括發光區域之有機層及第二電極。該顯示裝置亦包括與該第二電極電連接且包括對應於該發光區域之開口的導電層。

Description

有機電致發光顯示單元、製造有機電致發光顯示單元之方法及彩色濾光器基板
本發明係關於一種使用有機EL效應顯示影像之有機電致發光(EL)顯示單元、一種製造該顯示單元之方法以及一種用於該有機EL顯示單元中之彩色濾光器基板。
近年來，作為液晶顯示單元之替代物，關注到一種使用有機電致發光裝置(在下文中簡稱為「有機EL裝置」)之有機電致發光顯示單元(在下文中簡稱為「有機EL顯示單元」)。有機EL顯示單元為自發光型顯示單元，且具有較低之功率消耗。此外，由於有機EL顯示單元具有寬視角、優良之對比度及對於高清晰度高速視訊信號之足夠之響應度，所以有機EL顯示單元已得到積極研發且商品化以作為下一代平板顯示單元用於實際用途。特定而言，已對在各像素中包括用於發光控制之薄膜電晶體(TFT)的主動式矩陣(AM)型有機EL顯示單元積極地展開了研究。
在該主動式矩陣型有機EL顯示單元為TFT安置於有機EL裝置以下且自有機EL裝置之底部提取光的底部發射型顯示單元的狀況下， 光僅通過未安置TFT之部分而自有機EL顯示單元射出。因此，孔徑比容易降低。另一方面，在自有機EL裝置之頂部提取光之頂部發射型有機EL顯示單元中，抑制孔徑比降低；然而，將透明導電膜用於上部電極(對立電極)。由於上部電極經形成而具有較薄厚度，所以上部電極具有高電阻，從而引起IR降(電壓降)現象。
IR降由下列原因引起。雖然經由上部電極向各像素提供電子或電洞，但典型上部電極以各別像素之共同電極形式形成，且僅在基板末端處提供上部電極之饋電點。因此，在將自身電阻高於下部電極之電流供應線之透明導電膜用於上部電極時，導線電阻視自饋電點至各像素之距離而定出現的變化不可忽略。因此，當饋電點與像素之間的距離增加時，施加於各像素之有機EL裝置之有效電壓的下降相當大，且平面內亮度之變化顯著。
因此，提議一種技術，該技術經由在安置有TFT之驅動基板中安置由低電阻材料製成之輔助電力供應線且將該輔助電力供應線電連接至上部電極以使用該輔助電力供應線供應電流來抑制有效電壓下降(例如，參閱日本未審查專利申請公開案第2001-230086號)。然而，在此技術中，必須避免有機物質黏著於輔助電力供應線上，且當藉由例如蒸發法由低分子材料形成有機層時，需要覆蓋輔助電極之經精確加工之蒸發遮罩。典型蒸發遮罩係藉由蝕刻厚度為約10 μm至100 μm之金屬薄片或藉由電鑄來形成。即使使用此等加工方法中之任一者，亦難以形成具有較高清晰度之蒸發遮罩，且特定而言，難以形成用於大規模產品之蒸發遮罩。另外，在使用經精確加工之蒸發遮罩的狀況下，需要將蒸發遮罩精確對準以用於蒸發。由於在蒸發期間由來自蒸發源之輻射熱引起溫度升高，所以容易由蒸發遮罩與基板之間的熱膨脹係數差異引起未對準或其類似情況。該技術難以應對面板尺寸或清晰度之增加。
另一方面，當採用向所有像素提供共同發光層(例如白色或藍色)之組態時，不需要對像素之發光層進行色彩標記；因此，獲得足夠大之開口寬度，且不需要對蒸發遮罩進行上述精確加工。因此，易於應付面板尺寸或清晰度之增加。然而，有可能僅在基板末端向上部電極饋送電力；因此，由上述IR降所引起之發光亮度變化為不可避免的。
因此，提議一種頂部發射型有機EL顯示單元，其具有以下組態，其中在對立基板中包括與上部電極電連接之輔助電極(例如，參閱日本未審查專利申請公開案第2011-103205號)。
當如同在日本未審查專利申請公開案第2011-103205號中所述之技術的狀況在對立基板中形成輔助電極時，需要在對立基板上對導電膜材料進行圖案化。需要獲得一種能夠經由藉由具有高精確度之簡單方法進行圖案化，且特定而言，減少由尺寸或清晰度增加所引起之發光亮度的變化來改良顯示品質之顯示單元。
需要提供一種能夠經由減少由尺寸或清晰度增加所引起之發光亮度變化來改良顯示品質之有機電致發光(EL)顯示單元、一種製造該顯示單元之方法以及一種用於該有機EL顯示單元中之彩色濾光器基板。
在一個實施例中，一種顯示裝置包括第一電極、包括發光區域之有機層以及第二電極。該顯示裝置亦包括與第二電極電連接且包括對應於發光區域之開口的導電層。
在另一實施例中，一種顯示設備包括顯示裝置，該顯示裝置包括第一電極、包括發光區域之有機層及第二電極。該顯示裝置亦包括與第二電極電連接且包括對應於發光區域之開口的導電層。
在另一實施例中，一種電子裝置包括顯示裝置，該顯示裝置包括第一電極、包括發光區域之有機層及第二電極。該電子裝置亦包括 與第二電極電連接且包括對應於發光區域之開口的導電層。
在另一實施例中，一種製造顯示裝置之方法包括形成第一電極、包括發光區域之有機層及第二電極，以及形成與第二電極電連接且包括對應於發光區域之開口的導電層。
1‧‧‧有機EL顯示單元
3A‧‧‧電晶體/取樣電晶體
3B‧‧‧電晶體/驅動電晶體
3C‧‧‧保留電容器
3D‧‧‧有機EL裝置
3H‧‧‧接地導線
5D‧‧‧有機EL裝置
10‧‧‧裝置基板
10A‧‧‧有機EL裝置
11‧‧‧第一基板
12‧‧‧TFT
12a‧‧‧閘極電極
12b‧‧‧閘極絕緣膜
12c‧‧‧層間絕緣膜
13‧‧‧導線層
14‧‧‧層間絕緣膜
15‧‧‧下部電極
16‧‧‧像素間絕緣膜
17‧‧‧有機層
18‧‧‧高電阻層/電阻層
19‧‧‧上部電極
20‧‧‧對立基板/對立電極
20A‧‧‧對立基板
20B‧‧‧對立基板
20C‧‧‧對立基板
20D‧‧‧對立基板
20E‧‧‧對立基板
21‧‧‧第二基板
22‧‧‧CF/BM層
23‧‧‧柱
23A‧‧‧柱
23B‧‧‧柱
23C‧‧‧導電球
23c1‧‧‧球
23c2‧‧‧導電膜
24‧‧‧導電膜
30‧‧‧密封層
30A‧‧‧密封層
40‧‧‧像素電路
50‧‧‧顯示區域
51‧‧‧水平選擇器
52‧‧‧寫入掃描器
53‧‧‧電力供應掃描器
110‧‧‧顯示區域
210‧‧‧經暴露之區域
220‧‧‧可撓性印製電路
220B‧‧‧藍色樹脂層
220G‧‧‧綠色樹脂層
220R‧‧‧紅色樹脂層
221‧‧‧層壓膜
221A‧‧‧無機遮光層
221B‧‧‧低電阻層
221C‧‧‧樹脂遮光層
221D‧‧‧樹脂遮光層
221E‧‧‧低電阻層
222‧‧‧上覆層
280A‧‧‧板
280B‧‧‧板
300‧‧‧影像顯示螢幕區段
310‧‧‧前面板
310a‧‧‧樹脂層
310b‧‧‧樹脂層
310c‧‧‧間隙
310c1‧‧‧剩餘間隙
311‧‧‧遮光圖案
320‧‧‧濾光玻璃
410‧‧‧發光區段
420‧‧‧顯示區段
430‧‧‧選單切換器
440‧‧‧快門按鈕
510‧‧‧主體
520‧‧‧鍵盤
530‧‧‧顯示區段
610‧‧‧主體
620‧‧‧透鏡
630‧‧‧拍攝開始/停止開關
640‧‧‧顯示區段
710‧‧‧頂側外殼
720‧‧‧底側外殼
730‧‧‧連接區段
740‧‧‧顯示器
750‧‧‧子顯示器
760‧‧‧圖像燈
770‧‧‧攝影機
810‧‧‧顯示區段
820‧‧‧非顯示區段(外殼)
830‧‧‧操作區段
d1‧‧‧一部分
DSL1、DSLm‧‧‧電力供應線
DTL1、DTL2、DTLn‧‧‧信號線
e1‧‧‧邊緣
e2‧‧‧邊緣
H1‧‧‧開口
H1a‧‧‧開口
HH2‧‧‧接觸孔
H3‧‧‧開口
PXLC‧‧‧像素
WSL1、WSLm‧‧‧掃描線
包括隨附圖式以進一步瞭解該項技術，且將該等圖式併入本說明書中並構成本說明書之一部分。該等圖式說明實施例且連同本說明書一起用以闡明該項技術之原理。
圖1為說明根據本發明第一實施例之有機EL顯示單元之組態的剖視圖。
圖2為說明圖1中所說明之對立基板之特定組態的剖視圖。
圖3為說明圖1中所說明之對立基板的主要部分之組態的示意性平面圖。
圖4A及4B為用於描述形成圖1中所說明之裝置基板之步驟的剖視圖。
圖5A及5B為說明圖4A及4B之後之步驟的剖視圖。
圖6A及6B為說明圖5A及5B之後之步驟的剖視圖。
圖7為說明圖6A及6B之後之步驟的剖視圖。
圖8A及8B分別為用於描述形成圖1中說明之對立基板之步驟的剖視圖及平面圖。
圖9A及9B分別為說明圖8A及8B之後之步驟的剖視圖及平面圖。
圖10A及10B分別為說明圖9A及9B之後之步驟的剖視圖及平面圖。
圖11A及11B分別為說明圖10A及10B之後之步驟的剖視圖及平面圖。
圖12A至12C為用於描述將裝置基板與對立基板黏合於一起之步 驟的剖視圖。
圖13A及13B為說明密封樹脂之填充量與密封樹脂之接觸之間的關係之SEM照片。
圖14A及14B為說明密封樹脂之填充量與密封樹脂之接觸之間的關係之SEM照片。
圖15A至15D為說明密封層之外部區域之組態的示意性平面圖。
圖16為說明實例及比較實例之遮光層之反射率的曲線。
圖17為說明根據修改案1之對立基板之特定組態的剖視圖。
圖18為說明圖17中所說明之對立基板的主要部分之組態的示意性平面圖。
圖19A及19B分別為用於描述形成圖17中說明之對立基板之步驟的剖視圖及平面圖。
圖20A及20B分別為說明圖19A及19B之後之步驟的剖視圖及平面圖。
圖21A及21B分別為說明圖20A及20B之後之步驟的剖視圖及平面圖。
圖22為說明根據本發明第二實施例之有機EL顯示單元的對立基板之特定組態的剖視圖。
圖23為說明圖22中所說明之對立基板的主要部分之組態的示意性平面圖。
圖24A及24B分別為用於描述形成圖22中說明之對立基板之步驟的剖視圖及平面圖。
圖25A及25B分別為說明圖24A及24B之後之步驟的剖視圖及平面圖。
圖26A及26B分別為說明圖25A及25B之後之步驟的剖視圖及平面圖。
圖27為說明根據修改案2之對立基板之特定組態的剖視圖。
圖28為說明圖27中所說明之對立基板的主要部分之組態的示意性平面圖。
圖29為說明根據修改案3之對立基板之特定組態的剖視圖。
圖30為說明圖29中所說明之對立基板的主要部分之組態的示意性平面圖。
圖31為說明根據修改案4之有機EL顯示單元之組態的剖視圖。
圖32為說明圖31中所說明之對立基板之特定組態的剖視圖。
圖33為說明圖31中所說明之對立基板的主要部分之組態的示意性平面圖。
圖34為說明根據修改案5之有機EL顯示單元之組態的剖視圖。
圖35為說明根據任何實施例之顯示單元的包括周邊電路之整個組態的圖式。
圖36為說明圖35中所說明之像素之電路組態的圖式。
圖37為說明包括圖35中所說明之顯示單元的模組之示意性組態的平面圖。
圖38為說明應用實例1之外觀的透視圖。
圖39A及39B分別為自正面及背面說明應用實例2之外觀的透視圖。
圖40為說明應用實例3之外觀的透視圖。
圖41為說明應用實例4之外觀的透視圖。
圖42A至42G說明應用實例5，其中圖42A及42B分別為在打開應用實例5之狀態下的前視圖及側視圖，且圖42C、42D、42E、42F及42G分別為在閉合應用實例5之狀態下的前視圖、左視圖、右視圖、俯視圖及仰視圖。
圖43A及43B為說明應用實例6之外觀的透視圖。
下文將參考隨附圖式詳細描述本發明之較佳實施例。應注意，將按以下順序進行描述。
1.第一實施例(如下實例，其中在對立基板中形成包括無機遮光層及低電阻層之層壓膜，且低電阻層與上部電極經由柱彼此電連接)
2.修改案1(如下實例，其中在各開口之內壁上形成樹脂遮光層)
3.第二實施例(如下實例，其中在對立基板中低電阻層安置於樹脂遮光層上，其間具有保護膜)
4.修改案2(如下實例，其中對彩色濾光器層進行層壓而形成各柱之基底)
5.修改案3(如下實例，其中使用彩色濾光器層之層壓物作為柱)
6.修改案4(如下實例，其中使用導電球將低電阻層與上部電極彼此電連接)
7.修改案5(如下實例，其中將導電樹脂用於密封層)
8.顯示單元之整個組態實例及像素電路組態實例
9.應用實例(電子設備之應用實例)
(第一實施例) [組態]
圖1說明根據本發明第一實施例之有機EL顯示單元(有機EL顯示單元1)之截面組態。有機EL顯示單元1係經由用在中間之密封層30將對立基板20黏合於包括複數個有機EL裝置10A作為像素之裝置基板10上來組態，且為自對立基板20之頂部提取光的頂部發射型有機E1顯示單元。在有機EL顯示單元1中，例如，各像素由四種色彩，亦即紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)及白色(W)之子像素組態而成。
(裝置基板10)
在裝置基板10中，複數個作為像素組態顯示區域(隨後將描述之 顯示區域110)之有機EL裝置10A以例如矩陣形式排列。舉例而言，在裝置基板10中，將TFT 12安置於各像素中，該TFT 12包括閘極電極12a、閘極絕緣膜12b及未說明之源電極、汲電極及半導體層。導線層13形成於TFT 12上，其間存在層間絕緣膜12c。導線層13經由設置於層間絕緣膜12c中之接觸插塞電連接至例如TFT 12之源電極或汲電極。包括TFT 12及導線層13之像素電路經層間絕緣膜14覆蓋。在裝置基板10中，複數個作為像素組態顯示區域(隨後將描述之顯示區域110)之有機EL裝置10A安置於層間絕緣膜14上。
第一基板11由例如玻璃基板或塑膠基板組態而成。玻璃基板之玻璃之實例包括高應變點玻璃、鈉鈣玻璃(Na2O．CaO．SiO2)、硼矽酸鹽玻璃(Na2O．B2O3．SiO2)、鎂橄欖石(2MgO．SiO2)及鉛玻璃(Na2O．PbO．SiO2)。或者，第一基板11可經由在此等種類之玻璃中之任一者的表面上形成絕緣膜來組態，或可經由在石英、矽、金屬或其類似物之表面上形成絕緣膜來組態。塑膠基板之塑膠之實例包括有機聚合物，諸如聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)、聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯酚(PVP)、聚醚碸(PES)、聚醯亞胺(PI)、聚碳酸酯(PC)及聚對苯二甲酸伸乙酯(PET)。應注意，塑膠基板包括具有可撓性之呈薄膜或薄片形式之基板。
TFT 12對應於例如隨後將描述之像素電路40中之電晶體3A或3B。TFT 12可具有例如反轉交錯組態(底部閘極組態)或交錯組態(頂部閘極組態)。
層間絕緣膜12c及14各自由用選自以下之一種材料製成的單層膜組態而成：基於SiO2之無機材料，諸如氧化矽(SiO2)、BPSG、PSG、BSG、AsSG、PbSG、SiON、SOG(旋塗式玻璃)、低熔點玻璃及玻璃膏；基於SiN之無機材料；及樹脂材料，諸如聚醯亞胺，或由用其兩種或兩種以上材料製成之層壓膜組態而成。
導線層13最好由導電金屬製成，且最好在與下部電極15接觸之表面中包括例如對於下部電極15具有較低接觸電阻之金屬或該金屬之氧化物。
層間絕緣膜14最好由類似於上述層間絕緣膜12之材料製成，且最好由具有有利平坦度之材料製成。
有機EL裝置10A各自係經由按以下次序層壓例如下部電極15、有機層17(包括發光層)、電阻層18及上部電極19來組態。下部電極15經由設置於層間絕緣膜14中之接觸孔與導線層13電連接。在裝置基板10中，複數個有機EL裝置10A由層間絕緣膜14上形成之像素間絕緣膜16隔開。更特定而言，在像素間絕緣膜16中形成面向下部電極15之開口，且在各開口中形成包括下部電極15、有機層17、高電阻層18及上部電極19之上述層壓物組態。應注意，可在上部電極19上進一步形成保護層。
下部電極15安置於各有機EL裝置10A中。舉例而言，在下部電極15充當陽極之狀況下，下部電極15之材料之實例包括具有高功函數之單純金屬物質，諸如鉑(Pt)、金(Au)、銀(Ag)、鉻(Cr)、鎢(W)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鐵(Fe)、鈷(Co)及鉭(Ta)，以及該等金屬之合金。合金之實例包括Ag-Pd-Cu合金，其包括銀作為主要組分、約包括0.3 wt%至包括1 wt%之鈀(Pd)及約包括0.3 wt%至包括1 wt%之銅；以及Al-Nd合金。或者，下部電極15可具有層壓物組態，其包括由上述金屬元素之單純物質及合金中之任一者製成的金屬膜及透明導電膜(諸如ITO)。下部電極15最好由具有高電洞注入特性之材料製成；然而，即使下部電極15由除具有高電洞注入特性之材料以外的材料(鋁(Al)、包括鋁之合金或其類似物)製成，下部電極15亦可經由包括適當電洞注入層而適用作陽極。下部電極15具有例如約包括10 nm至包括1000 nm之厚度。應注意，在有機EL顯示單元1為底部發射型顯示單元的狀況 下，下部電極15由透明導電膜組態而言，該透明導電膜例如有由選自銦及錫之氧化物(ITO)、氧化銦鋅(IZO)及氧化鋅(ZnO)與鋁(Al)之合金之一種類別製成的單層膜或包括其兩種或兩種以上類別之層壓膜。
像素間絕緣膜16確保有機EL裝置10A之下部電極15與上部電極19之間絕緣，且使各別像素區彼此隔開。像素間絕緣膜16最好由具有有利平坦度且具有低吸水率以防止由水引起之有機層17降級，從而維持發光亮度的絕緣材料製成，且像素間絕緣膜16由例如聚醯亞胺樹脂、丙烯酸系樹脂或酚醛清漆樹脂製成。複數個有機EL裝置10A根據像素間絕緣膜16之開口排列而排列成例如條紋排列、對角線排列、δ排列或矩形排列形式。
有機層17包括至少一個有機電致發光層(在下文中簡稱為「發光層」)，且在實施例中，發光層(例如白光發射層)以所有像素之共同層形式形成。因此，消除對各別像素進行色彩標記之製程。作為白光發射層，使用藍光發射層與黃光發射層之層壓物、藍光發射層、綠光發射層與紅光發射層之層壓物或其類似物。紅光發射層包括例如紅光發射材料、電洞傳遞材料及電子傳遞材料中之一或多者，且由例如經由將2,6-雙[(4'-甲氧基二苯胺基)苯乙烯基]-1,5-二氰基萘(BSN)混合於4,4-雙(2,2-二苯基乙烯基)聯苯(DPVBi)中所製備之材料製成。綠光發射層包括綠光發射材料、電洞傳遞材料及電子傳遞材料中之一或多者，且由例如經由將香豆素6混合於ADN或DPVBi中所製備之材料製成。藍光發射層包括藍光發射材料、電洞傳遞材料及電子傳遞材料中之一或多者，且由例如經由將4,4'-雙[2-{4-(N,N-二苯胺基)苯基}乙烯基]聯苯(DPAVBi)混合於DPVBi中所製備之材料製成。在有機層17中，除該發光層之外，亦可層壓電洞注入層、電洞傳遞層、電子傳遞層或其類似物。此外，在電子傳遞層與上部電極19之間可包括由例如鋰(Li)、銫(Cs)、鈣(Ca)、鋇(Ba)、銦(In)、鎂(Mg)之氧化物或複合氧 化物或其類似物製成的電子注入層。此外，此等層壓物組態之組合被稱為「單元」(為了方便起見，稱為「串聯單元」)，且可層壓兩個或兩個以上串聯單元，在彼此之間存在連接層。
高電阻層18安置於有機層17與上部透明電極19之間，且由具有高電阻率之透明材料(例如氧化鈮(Nb2O5)、ITO或IZO)製成。當在下部電極15與上部電極19之間施加電壓時，高電阻層18抑制下部電極15與上部電極19之間由例如外來物質所引起之短路，從而防止產生有缺陷之像素或缺線(missing line)。高電阻層18之電阻率最好為例如約包括1×106 Ω．m至包括1×108 Ω．m。然而，可視情況包括高電阻層18；因此，上部電極19可直接形成於有機層17上。
上部電極19經由高電阻層18電連接至有機層17，且係為複數個有機EL裝置10A共同設置。由於在實施例中有機EL顯示單元1為頂部發射型顯示單元，所以上部電極19由透明導電膜組態而成。透明導電膜之實例包括由選自銦及錫之氧化物(ITO)、InZnO(氧化銦鋅)及氧化鋅(ZnO)與鋁(Al)之合金之一種類別製成的單層膜、或包括其兩種或兩種以上類別之層壓膜。上部電極19具有例如約10 nm至500 nm之厚度。在此狀況下，上述透明導電膜具有高電阻；因此，通常為了抑制電壓降，透明導電膜需要具有較大厚度，從而降低薄層電阻。然而，較大厚度可能損害光學特性。另一方面，在實施例中，如隨後將描述，藉由包括於對立基板20中之低電阻層221B來抑制電壓降；因此，上部電極19具有較小厚度，且可獲得有利之光學特性。
高電阻層18及上部電極19亦充當防止水觸及有機層17之保護膜，且必要時，可在上部電極19上形成保護層(未說明)。保護層可由絕緣材料或導電材料製成。作為絕緣材料，無機非晶形絕緣材料，例如非晶矽(a-Si)、非晶碳化矽(a-SiC)、非晶氮化矽(a-Si1-xNx)、非晶碳(a-C)或其類似物較佳。由於該無機非晶形絕緣材料不形成顆粒，所 以無機非晶形絕緣材料具有低滲透率且形成有利之保護層。保護層最好尤其使用成膜粒子具有較小能量之膜形成方法來形成，諸如真空沈積方法或CVD(化學氣相沈積)方法，此係因為可減少對基底施加之影響。此外，為防止有機層17降級，最好在將膜形成溫度設定在室溫下之條件下形成保護層，且使保護層上之應力降至最小以防止保護膜剝落。此外，最好在不使上部電極19暴露於空氣的情況下形成保護層，從而防止有機層17由空氣中之水或氧氣所引起的降級。應注意，在形成由該絕緣材料製成之保護層的狀況下，需要形成使上部電極19與隨後將描述之低電阻層221B電連接的接觸孔。
(密封層30)
密封層30密封裝置基板10，且充當裝置基板10與對立基板20之間的黏著層。形成密封層30以防止水自外部進入有機層17且增加機械強度。密封層30由例如紫外線(UV)可固化樹脂或熱固性樹脂製成，且在實施例中，使用絕緣樹脂。密封層30包括在基板之外部區域中形成為障壁構件(外壁)之樹脂層310a以及在由樹脂層310a圍繞之區域中形成之樹脂層310b(兩者均未在圖1中示出)。應注意，對於自樹脂層310b之有機層17面向有機EL裝置10A發射之光的透射率最好為約80%或80%以上。另一方面，作為障壁構件之樹脂層310a之透射率不受特定限制；然而，重要的是，樹脂層310a應具有低水滲透性。在圖1中，作為密封層30，說明對應於一部分樹脂層310b之部分。
密封層30較佳具有例如約包括3 μm至包括20 μm之厚度。當密封層30之厚度為約20 μm或20 μm以下時，有機EL裝置10A與隨後將描述之彩色濾光器層之間的距離得以適當維持，且在自斜方向觀察顯示平面時的亮度或色度與在自正面方向觀察顯示平面時的亮度或色度之間的差異得到抑制，且可獲得有利之視角特徵。此外，當密封層30之厚度為約3 μm或超過3 μm時，即使在密封時截留外來物質，亦抑制在外 來物質對有機EL裝置10A施加壓力時所引起的暗點產生。
應注意，如隨後將詳細描述，密封層30在樹脂層310a與310b之間具有間隙(緩衝層)，且遮光圖案311經形成以面向該間隙。此外，在將絕緣樹脂用於如實施例中之密封層30的狀況下，在密封製程中填充之樹脂的量相對於密封體積較佳為約包括100%至包括120%。
(對立基板20)
對立基板20係經由在第二基板21之表面(位於較靠近裝置基板10處之表面)上形成包括彩色濾光器及黑色矩陣之CF/BM層22來組態。在CF/BM層22中，柱23安置於預定位置，且形成導電膜24以覆蓋CF/BM層22及柱23。第二基板21由類似於上述第一基板11之材料製成，且可由與第一基板11相同或不同之材料製成；然而，第二基板21由具有透明度之材料製成。
圖2說明對立基板20之柱23周圍之組態的放大視圖。圖3說明如自密封層30所觀測之對立基板20之組態，但在圖3中未示出導電膜24。應注意，圖2為沿圖3之線I-I所得之剖視圖。
包括無機遮光層221A及低電阻層221B(導電層)之層壓膜221形成於對立基板20之表面上。在層壓膜221中，穿過無機遮光層221A及低電阻層221B之開口H1經安置以面向各別有機EL裝置10A。形成組態彩色濾光器之紅色樹脂層220R、綠色樹脂層220G及藍色樹脂層220B中之一者以填充於各開口H1中。更特定而言，在實施例中，如上文所述，各像素由R、G、B及W之四個子像素組態而成；因此，例如，四個子像素排列成2×2排列，且紅色樹脂層220R、綠色樹脂層220G及藍色樹脂層220B各自形成於四個開口H1中之一者中。應注意，不需要安置W之子像素的彩色濾光器；然而，必要時可針對W之子像素安置用於亮度調節之透射率控制濾光器。
紅色樹脂層220R、綠色樹脂層220G及藍色樹脂層220B(在下文中 在一些狀況下統稱為「彩色濾光器層」)填充於層壓膜221之各別開口H1中，且經形成以與低電阻層221B之邊緣e1重疊。換言之，形成紅色樹脂層220R、綠色樹脂層220G及藍色樹脂層220B各自之邊緣e2以覆蓋層壓膜221之邊緣e1。各柱23安置於低電阻層221B上由紅色樹脂層220R、綠色樹脂層220G及藍色樹脂層220B暴露之選擇區域(在此狀況下，為由四個子像素圍繞之中心)中。導電膜24經形成以覆蓋紅色樹脂層220R、綠色樹脂層220G、藍色樹脂層220B、低電阻層221B及柱23。下文將詳細描述對立基板20之各別組件之組態。
層壓膜221係經由層壓一個或複數個無機膜來組態，且具有光阻擋作用及電導性。在實施例中，層壓主要展現光阻擋作用之層(無機遮光層221A)與主要展現電導性之層(低電阻層221B)，且無機遮光層221A及低電阻層221B以彼此相同之圖案形成於第二基板21上。換言之，包括複數個無機膜之層壓物組態達成作為黑色矩陣之光阻擋作用以及作為上部電極19之輔助電極的功能。
無機遮光層221A由例如無機多層膜組態而成，且使用光干涉現象確保光阻擋作用。組態無機遮光層221A之各無機膜之材料不受特定限制，且可具有電導性或絕緣性，且舉例而言，各無機膜由例如金屬或矽(Si)之單純物質、氧化物、氮化物或氧氮化物製成。對於無機遮光層221A夠好的是，可經由適當確定各膜之折射率、吸收係數、膜厚度及其類似方面來確保足夠之光阻擋作用。應注意，可使用具有光阻擋作用及電導性兩者之材料，例如鉻(Cr)、石墨(C)或其類似物；然而，就確保光阻擋作用及低電阻而言，最好形成各別地具有光阻擋作用及電導性之功能的多層組態。
作為該無機遮光層221A之實例，使用SiN(65 nm)/a-Si(非晶矽)(20 nm)/Mo(50 nm)之三層層壓膜。在此層壓物組態中，當SiN層之厚度在上述厚度(65 nm)+(加)8%至-(減)8%範圍內(包括端值)時，或當 a-Si層之厚度在上述厚度(20 nm)+(加)12%至-(減)12%範圍內(包括端值)時，確保類似程度之光阻擋作用。此外，當形成具有較高折射率之無機膜替代SiN層時，其膜厚度之範圍得到改良。或者，可使用呈自較靠近第二基板21之側面開始依序為MoOx(45 nm)/Mo(10 nm)/MoOx(40 nm)/Mo(50 nm)之四層層壓膜。另一方面，Mo層及MoOx層之厚度各自之容許範圍為+15%至-15%(包括端值)。此外，當使用MoNx替代鉬時，其厚度進一步增加。應注意，各括號中之值指示各層之膜厚度。此等組態各自在表面側面(較靠近低電阻層221B之側面)上包括Mo層，且Mo層之厚度可為約50 nm或50 nm以上。此外，可層壓除Mo以外的金屬。因此，更容易確保光阻擋作用及電導性。
低電阻層221B充當上部電極19之輔助電極，且由厚度允許其電阻率低於上部電極19(透明導電膜)之電阻率的材料製成。在實施例中，將低電阻層221B層壓於無機遮光層221A上，且與無機遮光層221A具有相同之圖案形狀(包括開口H1之圖案形狀)。
例如在下部電極15為陽極且上部電極19為陰極的狀況下，低電阻層221B連接至安置於像素區段之周邊區域中的陰極接觸區段。因此，獲自上部電極19之電流經由低電阻層221B及陰極接觸區段回到位於較靠近裝置基板10處之電源。應注意，陰極接觸區段可形成於裝置基板10或對立基板20中。然而，陰極接觸區段較佳形成於對立基板20中，因為所獲得之電流原樣回到對立基板20中之陰極接觸區段，且電阻差異小於在電流回到裝置基板10之狀況下之電阻差異。應注意，即使下部電極15為陰極，陽極接觸區段以類似方式形成於像素區段之周邊區域中的組態在電學上亦為等效的。
低電阻層221B係經由層壓一個或複數個無機膜來形成，且最好使用例如電阻率低於鉬之材料，例如以下一或多種類別：鋁(Al)、銀(Ag)、金(Au)、銅(Cu)、鉻、鋅(Zn)、鐵(Fe)、鎢(W)、鈷(Co)及其類 似物。然而，在使用具有高反應性之材料的狀況下，可在最外表面上形成由鉬、鈦或其類似物製成之層。
為充分地抑制電壓降，低電阻層221B之厚度應適當地根據有機EL顯示單元之特徵來確定，且較佳在約包括100 nm至包括1000 nm範圍內。就電導性特徵而言，厚度較佳為約100 nm或100 nm以上，且就膜形成製程之負載而言，厚度較佳為約1000 nm或1000 nm以下。
作為該低電阻層221B之實例，使用按自較靠近無機遮光層221A之側面開始依序為Al(300 nm)/Mo(50 nm)之雙層層壓膜。或者，可使用Mo(50 nm)/Al(300 nm)/Mo(50 nm)之三層層壓膜或Ag合金(300 nm)之單層膜。應注意，上文描述為無機遮光層221A之實例的層壓膜組態之表面側面上之Mo層(50 nm)具有光阻擋作用及電導性兩者；因此，實際上，Mo層亦充當一部分低電阻層221B。
紅色樹脂層220R、綠色樹脂層220G及藍色樹脂層220B各自為允許具有特定波長範圍之光選擇性通過之彩色濾光器(吸收具有除特定波長範圍以外之波長範圍之光的彩色濾光器)。因此，各子像素將自有機層17發射之白光轉換成R、G或B之彩色光以發射彩色光。然而，W之子像素(高亮度像素)原樣提取自有機層17發射之白光而不藉由彩色濾光器吸收光。紅色樹脂層220R、綠色樹脂層220G及藍色樹脂層220B各自由例如混合有染料或顏料之感光性樹脂製成。此外，紅色樹脂層220R、綠色樹脂層220G及藍色樹脂層220B各自之厚度係根據所需色度或其類似方面來適當確定，且例如在約包括0.1 μm至包括5 μm範圍內。
柱23各自充當裝置基板10與對立基板20之間的間隔物，且如隨後將詳細描述，柱23各自為允許層壓膜221之低電阻層221B與裝置基板10之上部電極19彼此進行電連接的構件。因此，柱23最好由具有電導性之材料製成；然而，柱23可由絕緣材料製成，如同在實施例之狀 況下。舉例而言，柱23係使用感光性樹脂(諸如光阻)形成，且柱23之表面用導電膜24覆蓋。在此狀況下，柱23形成於層壓膜221上以足以自紅色樹脂層220R、綠色樹脂層220G及藍色樹脂層220B突出。柱23及覆蓋柱23之導電膜24在本發明之一個實施例中為導電構件之特定實例。
複數個柱23安置於對立基板20之平面中。因此，柱23所具有之彈性最好達到可承受複數個柱23之高度變化的程度或該程度以上。當形成高度不同之柱23時，在密封時，形成首先與上部電極19接觸之區段(高度較高之柱23)及隨後與上部電極19接觸之區段(高度較小之柱23)。當柱23具有足夠彈性時，高度較高之柱23可藉由彈性變形收縮而與上部電極19接觸，且胞間距係根據高度較小之柱23之高度來確定。即使柱23具有不同高度，對立基板20之整個表面亦與頂部電極19接觸。此外，由於柱23具有彈性，所以抑制由高度變化所引起之裂紋的出現。
導電膜24係由例如ITO之透明導電膜或其類似物來組態且具有例如約包括10 nm至包括5000 nm之厚度。應注意，在此狀況下，導電膜24不僅覆蓋柱23之表面，且亦覆蓋紅色樹脂層220R、綠色樹脂層220G及藍色樹脂層220B之表面；因此，導電膜24具有透明度，但導電膜24並非必需具有透明度。換言之，由於低電阻層221B與上部電極19僅需要彼此經由柱23進行電連接，所以在柱23由絕緣材料製成之狀況下，導電膜24僅需要形成於至少柱23之表面及一部分低電阻層221B表面(例如各柱23之周邊區域)上。以此方式，導電膜24可僅安置於柱23及柱23周圍之局部範圍上。在此狀況下，由於導電膜24形成於無機遮光層221A以下，所以導電膜24不限於透明導電膜，且可使用另一金屬材料形成，例如類似於上述低電阻層221B之材料。
(上部電極19與低電阻層221B之間的電連接)
在實施例中，如上文所述，在第二基板21上包括含無機遮光層221A及低電阻層221B之層壓膜221，且紅色樹脂層220R、綠色樹脂層220G及藍色樹脂層220B形成於層壓膜221之各別開口H1中。柱23安置於層壓膜221之低電阻層221B上以自紅色樹脂層220R、綠色樹脂層220G及藍色樹脂層220B突出，且第二基板21之包括柱23及低電阻層221B之整個表面用導電膜24覆蓋。導電膜24與裝置基板10之上部電極19彼此在柱23之頂部邊緣接觸。因此，上部電極19與低電阻層221B彼此經由柱23及導電膜24(導電柱)電連接。
在使用柱23確保上部電極19與低電阻層221B之間進行電連接的狀況下，預先在對立基板20中形成柱23；因此，明確指定連接位置。
[製造方法]
藉由例如下列步驟製造上述有機EL顯示單元1。圖4A及4B至圖12A、12B及12C說明製造有機EL顯示單元1之步驟。
(製造裝置基板10)
首先，製造裝置基板10。更特定而言，如圖4A中所說明，藉由已知薄膜形成方法在第一基板11上依序形成閘極電極12a、閘極絕緣膜12b、層間絕緣膜12c及其類似物，以形成TFT 12，且接著形成使TFT 12進行導電之導線層13。
隨後，如圖4B中所說明，形成層間絕緣膜14。更特定而言，首先，使用例如CVD法、塗佈法、濺鍍法或任何各種印刷方法在基板之整個表面上形成由上述材料製成之層間絕緣膜14。之後，藉由例如使用光微影法進行蝕刻在層間絕緣膜14之面向導線層13之區域中形成接觸孔H2。
隨後，如圖5A中所說明，形成下部電極15。首先，藉由例如濺鍍法在層間絕緣膜14上形成由上述材料製成之下部電極15以填充於接觸孔H2中。之後，將所形成之下部電極15圖案化成預定形狀，且藉 由使用例如光微影法進行蝕刻來分離成用於各別像素之部分。
接著，如圖5B中所說明，形成像素間絕緣膜16。首先，在基板之整個表面上形成由上述材料製成之像素間絕緣膜16，且接著在對應於下部電極15之區域中形成開口H3。此時，在將感光性樹脂用於像素間絕緣膜16之狀況下，在形成像素間絕緣膜16之後，可藉由在使用光罩下進行曝光來形成開口H3。此外，在形成開口H3之後，必要時可進行回焊。開口H3各自對應於各像素之所謂發光區域(像素開口)。
隨後，如圖6A中所說明，形成有機層17。在實施例中，如上文所述，由於對於各別像素形成共同發光層(例如白光發射層)，所以藉由例如真空沈積法在基板之整個表面上依序形成例如由紅光發射材料、綠光發射材料及藍光發射材料製成之膜。或者，作為形成有機層17之方法，除真空沈積法之外，亦可使用諸如網版印刷法及噴墨印刷法之印刷方法及塗佈法。此外，可使用雷射轉移法。在雷射轉移法中，可在用於轉移之基板上形成雷射光吸收層與有機層之層壓物，且可將雷射施加於用於轉移之基板上以自用於轉移之基板分離且轉移有機層。應注意，當除上述發光層之外亦形成電洞傳遞層、電子傳遞層或其類似物時，最好藉由真空原位加工來連同發光層一起形成該等層。
隨後，如圖6B中所說明，藉由例如濺鍍法、蒸發法或CVD法在有機層17之整個表面上形成由上述材料製成之高電阻層18。
隨後，如圖7中所說明，藉由例如濺鍍法在基板之整個表面上形成由上述透明導電膜組態而成之上部電極19。應注意，在形成上部電極19之後，可藉由例如蒸發法或CVD法形成保護層(未說明)。因此，形成裝置基板10。
(製造對立基板20)
另一方面，藉由例如下列步驟製造對立基板20。應注意，圖8A 及8B至圖11A及11B說明製造對立基板20之步驟，且圖8A至11A為對應於圖2中之組態的放大剖視圖，且圖8B至11B為對應於圖3中之組態的示意性平面圖。此外，圖8B至11B中之每一者中之陰影部分對應於形成有低電阻層221B(層壓膜221)之區域。
更特定而言，首先，如圖8A及8B中所說明，在第二基板21上形成層壓膜221。此時，首先，藉由例如濺鍍法或CVD法在第二基板21上形成具有上述層壓物組態、材料、厚度及其類似方面之無機遮光層221A。舉例而言，在形成作為上述層壓膜組態實例中之一者的SiN/a-Si/Mo三層層壓膜的狀況下，首先，藉由例如CVD法按以下次序形成SiN層及a-Si層，且接著藉由例如濺鍍法形成Mo層。或者，在形成MoOx/Mo/MoOx/Mo之四層層壓膜之狀況下，可藉由例如濺鍍法依序形成各別層。隨後，藉由例如濺鍍法在無機遮光層221A上形成具有上述層壓物組態、材料、厚度及其類似方面之低電阻層221B。因此，在第二基板21之整個表面上形成由無機遮光層221A及低電阻層221B組態而成之層壓膜221。
之後，如圖9A及9B中所說明，將層壓膜221圖案化。更特定而言，藉由使用例如光微影法進行蝕刻來共同移除層壓膜221之選擇區域以形成複數個開口H1。此時，例如，在使SiN/a-Si/Mo之三層層壓膜形成為無機遮光層221A的狀況下，可藉由乾式蝕刻將無機遮光層221A及低電阻層221B共同圖案化。或者，在形成MoOx/Mo/MoOx/Mo之四層層壓膜的狀況下，可藉由濕式蝕刻將無機遮光層221A及低電阻層221B共同圖案化。
隨後，如圖10A及10B中所說明，使紅色樹脂層220R、綠色樹脂層220G及藍色樹脂層220B在第二基板21上層壓膜221之各別開口H1中進行圖案形成。
因此，在實施例中，層壓作為黑色矩陣之無機遮光層221A與作 為上部電極19之輔助電極之低電阻層21B以形成層壓膜221，且接著將層壓膜221共同圖案化。接著，在圖案化步驟之後，形成各自由樹脂材料製成之彩色濾光器層。如隨後將詳細描述，形成彩色濾光器層之樹脂材料易於溶離至用於將無機膜圖案化之蝕刻劑中；因此，當在形成彩色濾光器層之後在最終形成輔助電極之金屬上進行圖案化時，可能損傷彩色濾光器層。在實施例中，如上文所述，黑色矩陣由無機遮光層221A形成，且在形成彩色濾光器層之前將低電阻層221B圖案化；因此，可防止彩色濾光器層溶離。
如上文所述，在將層壓膜221圖案化之後形成彩色濾光器層；因此，形成彩色濾光器層(紅色樹脂層220R、綠色樹脂層220G及藍色樹脂層220B)以與低電阻層221B之邊緣重疊。
隨後，如圖11A及11B中所說明，在低電阻層221B上之選擇區域中形成柱23。舉例而言，可將用於光間隔物或其類似物之感光性丙烯酸系樹脂用於柱23，且藉由在使用光罩下進行曝光來形成柱23。之後，藉由例如濺鍍法在基板之整個表面上形成由上述材料製成之導電膜24以形成對立基板20。
(黏合(密封)步驟)
隨後，用中間之密封層30將藉由上述步驟製造之裝置基板10與對立基板20黏合於一起。此時，例如，較佳使用稱為ODF法(滴下式液晶注入法(One Drop Fill))之膜形成技術。ODF法為以相等間距將複數個樹脂滴塗覆於裝置基板10(或對立基板20)，且接著在真空下將兩個基板10與20壓力黏合於一起的技術。之後，當將基板釋放至空氣時，藉由施加於基板10與20上之壓力(大氣壓)使樹脂滴填充於基板10與20之間。在以該種方式填充樹脂之後，使樹脂固化。
更特定而言，首先，如圖12A中所說明，在真空腔室中將裝置基板10與對立基板20置放於板280A與280B之間以彼此面對，且將作為 密封層30之樹脂層310a(障壁構件)塗覆於例如裝置基板10之外部區域，且接著使例如樹脂材料之樹脂層310b在由樹脂層310a圍繞之區域中滴於間距相等之複數個點上。樹脂層310a及310b此時在固化之前呈液體形式或凝膠形式，且樹脂層310a由具有較高黏度之材料製成，且樹脂層310b由具有較低黏度之材料製成。
隨後，如圖12B中所說明，使用板280A及280B將裝置基板10與對立基板20以機械方式壓力黏合於一起。樹脂層310b在裝置基板10與對立基板20之間由樹脂層310a圍繞之區域中延展。
之後，如圖12C中所說明，當自腔室中取出裝置基板10與對立基板20以暴露於空氣時，藉由大氣壓對裝置基板10與對立基板20進一步加壓以使得裝置基板10與對立基板20之間的區域由樹脂層310a及310b填充。最終，經由使樹脂層310a及310b固化形成密封層30。因此，完成圖1中所說明之有機EL顯示單元1。
應注意，可將熱固性樹脂或光可固化樹脂用於樹脂層310a及310b，且在使用光可固化樹脂的狀況下，使用由具有允許通過彩色濾光器層之波長的光固化之光可固化樹脂。或者，可使用延遲光可固化樹脂，且在此狀況下，在壓力黏合之前預先用光照射樹脂，且在樹脂完全固化之前將樹脂填充於如上文所述之基板之間，且接著藉由再次用光照射使樹脂完全固化。
此外，在實施例中，密封層30不具電導性，且在此狀況下，樹脂層310a及310b之塗佈量(滴量)相對於密封體積(裝置基板10與對立基板20之間所需之密封層30體積)最好為約120%或120%以下，且相對於密封體積更最好為約100%至120%。「密封體積」對應於與裝置基板10與對立基板20之間區域之有效像素區域對應之體積。舉例而言，密封體積不包括由隨後將描述之遮光圖案311進行遮光的區域(作為樹脂緩衝層之間隙310c)。以實驗方式發現，當密封樹脂之量過小(例如小於 約90%)時，確保基板之間的電導性；然而，在基板之間形成相當大之間隙，且因密封不均勻性而觀測到間隙。另一方面，以實驗方式發現，當塗佈量過大(例如大於120%)時，難以確保基板之間的電導性。舉例而言，當塗佈量為120%時，可確保基板之間的電導性但不足夠，且當塗佈量為135%時，不確保電導性。另一方面，當塗佈量為105%時，不會形成視覺上觀測到之間隙，且確保基板之間的電導性。圖13A及13B說明當塗佈量大於120%(135%)時基板之間的界面周圍的照片，且圖14A及14B說明當塗佈量在100%至120%範圍內(105%)時基板之間的界面周圍之照片。自圖13A及13B中說明之實例中可看到，柱23不與裝置基板10接觸，且在圖14A及14B中說明之實例中，柱23與裝置基板10彼此接觸。
在密封層30中，間隙310c可在樹脂層310a與樹脂層310b之間的密封層30之位於最外側之外部區域中作為緩衝層安置用於樹脂層310a及310b。即使在外部區域中形成間隙，不同於像素區段，間隙亦不影響可視性，從而尤其不會引起問題。在上述ODF方法中，最終藉由大氣壓擠出樹脂，且胞間距(密封層30之厚度)係根據諸如柱23之電連接構件之高度來確定。此時，過剩樹脂全部被擠出，且當預先在外部區域中安置上述間隙310c時，過剩樹脂由間隙310c所吸收，且像素區段中之密封層30容易得到控制而具有所需厚度。因此，有效降低密封不均勻性。此外，如圖15C及15D中所說明，安置有間隙310c之區域可用遮光圖案311覆蓋。因此，即使在黏合之後不用樹脂填充整個間隙310c且保留間隙310C之一部分(間隙310c1)，遮光圖案311亦會防止在視覺上觀測到剩餘間隙310c1。應注意，圖15A及15C說明在壓力黏合之前(剛使樹脂滴落之後)之平面組態且圖15B及15D說明在藉由大氣壓進行壓力黏合之後的平面組態。
[功能及作用]
在有機EL顯示單元1中，基於由驅動電路(未說明)提供之掃描信號及其類似物將預定之驅動電流經由下部電極15及上部電極19注入各像素(有機EL裝置10A)之有機層17中。因此，光藉由電洞與電子再結合自有機層17之發光層發射。自有機層17發射之光(白光)通過高電阻層18、上部電極19、密封層30及對立基板20以提取為顯示光。當光通過對立基板20時，光通過各子像素之具有相應色彩之彩色濾光器層(W1之子像素中之開口H1)以提取為R、G、B及W中之任一者之彩色光。
因此，在頂部發射型有機EL顯示單元1中，彩色濾光器層形成於對立基板20中，且自有機層17發射之白光自上部電極19提取，且通過彩色濾光器層，從而達成彩色顯示。因此，作為上部電極19，需要使用具有高電阻之透明導電膜；然而，就光學觀點而言，上部電極19很難具有較大厚度。當降低上部電極19之厚度時，上部電極19之電阻會因此增加，從而引起電壓降。此外，如上文所述，像素區段之各別區域之間導線電阻之變化會隨尺寸或清晰度增加而變得相當大，從而會因電壓降引起平面內亮度變化。
(比較實例)
因此，舉例而言，可涵蓋如下組態，其中在對立基板中形成由低電阻金屬製成之輔助電極。在此狀況下，在對立基板中形成由樹脂材料製成之黑色矩陣(下文稱作「樹脂BM」)及彩色濾光器層，且將輔助電極圖案形成於黑色矩陣上。經由使輔助電極與上部電極彼此電連接來抑制電壓降。然而，在輔助電極形成於樹脂BM上的狀況下，藉由使用光微影法進行蝕刻來對輔助電極進行圖案化；因此，在圖案化期間，樹脂由強蝕刻溶劑溶離。因此，樹脂BM之反射率抑制作用受損而引起顯示缺陷，且亦需要移除溶離於蝕刻溶劑中之樹脂。因此，該組態不適於規模擴大及大量生產。另外，當輔助電極自上述樹 脂BM突出時，輔助電極之高反射率會引起顯示缺陷；因此，需要形成略小於樹脂BM之輔助電極以確保對準裕量。因此，輔助電極之線寬度尤其隨像素之清晰度增加而變得極小，且難以精確形成輔助電極，且難以獲得足夠之電阻降低作用。
另一方面，在實施例中，在對立基板20中形成與上部電極19電連接之低電阻層221B以抑制上部電極19中之電壓降以及由電壓降所引起之平面內亮度變化。特定而言，在實施例中，對立基板20包括形成於無機遮光層221A上之層壓膜221，該層壓膜221包括作為黑色矩陣之無機遮光層221A以及作為輔助電極之低電阻層221B。在製造方法中，將低電阻層221B與無機遮光層221A共同並行圖案化。接著，在圖案化步驟之後，形成由樹脂材料製成之彩色濾光器層(紅色樹脂層220R、綠色樹脂層220G及藍色樹脂層220B)。在實施例中，如上文所述，無機遮光層221A形成黑色矩陣，且在形成彩色濾光器層之前將低電阻層221B圖案化；因此，可防止樹脂材料溶離。因此，在實施例中，在包括彩色濾光器層之對立基板20中，防止彩色濾光器層溶離，且使無機遮光層221A及低電阻層221B精確地進行圖案形成。
此外，當無機遮光層211A由例如上述三層層壓膜或上述四層層壓膜組態而成時，可達成等同於或高於典型樹脂BM之光阻擋效能。圖16說明作為實例1-1之由三層層壓膜(SiN(65 nm)/a-Si(20 nm)/Mo(50 nm))組態而成之無機遮光層211A的反射率。圖16進一步說明作為實例1-2之由四層層壓膜(MoOx(45 nm)/Mo(10 nm)/MoOx(40 nm)/Mo(50 nm))組態而成之無機遮光層211A的反射率。在圖16中，作為相對於實例1-1及1-2之比較實例，說明作為比較實例1之樹脂BM之反射率以及使用單層氧化鈦膜(TiO2)作為比較實例2之狀況下的反射率。自圖16中可看出，實例1-1及1-2之反射率等於或小於樹脂BM，且特定而言，實例1-2在整個寬波長範圍內之反射率較低且尤其在光學上優良。
此外，在實施例中，由於將無機遮光層221A與低電阻層221B共同圖案化，所以相較於在形成黑色矩陣之後單獨地形成作為輔助電極之金屬的狀況，不需要考慮對準裕量。換言之，低電阻層221B在無機遮光層221A下方以與無機遮光層221A相同之圖案形成。因此，確保低電阻層221B之最大線寬度，且有效地抑制上部電極19中之電壓降。
如上文所述，在實施例中，在對立基板20中包括無機遮光層221A，且將與上部電極19電連接之低電阻層221B層壓於無機遮光層221A上。因此，即使裝置基板10之上部電極19具有高電阻，亦會抑制由高電阻所引起之電壓降。因此，減少由尺寸或清晰度增加引起之發光亮度變化以改良顯示品質。
隨後，上文所述之實施例之修改案(修改案1)將描述於下文中。應注意，相同組件藉由與上述實施例相同之數字表示且將不進一步描述。
(修改案1)
圖17及18說明根據修改案1之對立基板(對立基板20A)之組態。圖17為對立基板20A之柱23周圍之組態的放大視圖。圖18說明如自密封層30所觀測到之對立基板20A之組態，但在圖18中未示出導電膜24。應注意，圖17為沿圖18之線I-I所得之剖視圖。
如同在上文所述之第一實施例中之對立基板20的狀況下，用中間之密封層30將對立基板20A黏合於裝置基板10上，且在第二基板21之表面(位於較靠近裝置基板10處之表面)上形成彩色濾光器層及作為黑色矩陣及輔助電極之層壓膜221。此外，柱23在預定位置上安置於層壓膜221上，且形成導電膜24以覆蓋彩色濾光器層、低電阻層221B及柱23。
在此修改案中，進一步安置樹脂遮光層221C以覆蓋層壓膜221之 各開口H1之內壁。彩色濾光器層各自形成以填充於由樹脂遮光層221C形成之各開口H1a中(彩色濾光器層各自形成以與各開口H1a之邊緣重疊)。
形成樹脂遮光層221C以覆蓋各開口H1之內壁且覆蓋例如層壓膜221(低電阻層221B)在不面向開口H1之區域中之頂部表面。低電阻層221B上安置有柱23之位置周圍的至少一部分(d1)由樹脂遮光層221C暴露以使上部電極19與低電阻層221B彼此經由導電膜24進行電連接。樹脂遮光層221C由例如混合有黑色顏料或其類似物之感光性樹脂製成。或者，可使用具有電導性之材料(諸如石墨)作為樹脂遮光層221C，從而除光阻擋作用之外，亦進一步改良電導性。
藉由例如下列步驟製造上述對立基板20A。圖19A及19B至圖21A及21B說明製造對立基板20A之步驟，且圖19A至21A為對應於圖17中之組態的放大剖視圖，且圖19B至21B為對應於圖18中之組態的示意性平面圖。此外，圖19B至21B中之每一者中之陰影部分對應於形成有低電阻層221B(層壓膜221)及樹脂遮光層221C之區域。
更特定而言，首先，如圖19A及19B中所說明，以類似於第一實施例的方式，在第二基板21上依序形成無機遮光層221A及低電阻層221B，且接著共同圖案化以形成具有開口H1之層壓膜221。
隨後，如圖20A及20B中所說明，形成樹脂遮光層221C以覆蓋層壓膜221之各開口H1之內壁及層壓膜221之頂部表面。之後，藉由例如微影開放樹脂遮光層221C之一部分d1(欲形成有柱之區域)以暴露低電阻層221B。
隨後，如圖21A及21B中所說明，使紅色樹脂層220R、綠色樹脂層220G及藍色樹脂層22B在第二基板21上各別開口H1a中進行圖案形成。最終，以類似於第一實施例的方式，在低電阻層221B上之選擇區域中形成柱23及導電膜24以形成對立基板20A。
因此，在此修改案中，層壓作為黑色矩陣之無機遮光層221A與作為上部電極19之輔助電極之低電阻層221B，且接著將層壓膜221共同圖案化。接著，在圖案化步驟之後，形成各自由樹脂材料製成之樹脂遮光層221C及彩色濾光器層。因此，亦在此修改案中，由於在形成彩色濾光器層之前將低電阻層221B圖案化，所以可防止彩色濾光器層溶離。因此，可獲得與第一實施例類似之作用。
此外，在無機遮光層221A中，由於使用光干涉效應，所以對於外部光或內部反射光之光阻擋作用可能會因入射光之波長及角度或膜厚度與設計值之偏差或其類似方面而變得不足。因此，如在此修改案中，在層壓膜221之側面表面區段上安置樹脂遮光層221C以確保尤其針對自斜方向入射之光的光阻擋作用。因此，抑制內部反射以進一步改良顯示品質。
應注意，在上述修改案中，形成樹脂遮光層221C以覆蓋層壓膜221之各開口H1之內壁；然而，替代樹脂層，可進一步層壓金屬層。舉例而言，在圖17中，替代樹脂遮光層221C，可在層壓膜221周圍形成MoOx(45 nm)/Mo(10 nm)/MoOx(40 nm)之三層層壓膜。在該組態中，加強光阻擋作用及電導性，防止內部反射，且易於確保低電阻層221B與上部電極19之間的電導性。
(第二實施例)
圖22及23說明根據本發明之第二實施例之對立基板(對立基板20B)之組態。圖22為對立基板20B之柱23周圍之組態的放大視圖。圖23說明如自密封層30所觀測到之對立基板20B之組態，但在圖23中未示出上覆層222及導電膜24。應注意，圖22為沿圖23之線I-I所得之剖視圖。
如同在第一實施例中之對立基板20的狀況下，用中間之密封層30將對立基板20B黏合於裝置基板10上，且在第二基板21之表面(位於 較靠近裝置基板10處之表面)上形成彩色濾光器層。此外，在對立基板20B中，使作為上部電極19之輔助電極之低電阻層(低電阻層221E)進行圖案形成，且將柱23安置於低電阻層221E上。形成導電膜24以覆蓋彩色濾光器層、低電阻層221E及柱23。
在第二實施例中，安置樹脂遮光層221D作為黑色矩陣。使彩色濾光器層(紅色樹脂層220R、綠色樹脂層220G及藍色樹脂層220B)各自形成於樹脂遮光層221D之各開口H3中。在第二基板21之整個表面上形成上覆層222(保護層)以覆蓋樹脂遮光層221D及彩色濾光器層。在上覆層222上之選擇區域(重疊於樹脂遮光層221D上之區域)中形成低電阻層221E。
如同在修改案1中之樹脂遮光層221C的狀況下，由例如混合有具有光阻擋作用之顏料的感光性樹脂製成樹脂遮光層221D。上覆層222具有保護彩色濾光器層之功能，且由例如丙烯酸系樹脂、ITO或IZO製成。如同在第一實施例中之低電阻層221B的狀況下，經由層壓一個或複數個無機膜來組態低電阻層221E，且可使用類似於低電阻層221B之材料。此外，低電阻層221E之平面形狀具有沿樹脂遮光層221D之形狀的網格圖案。
藉由例如下列步驟製造上述對立基板20B。圖24A及24B至圖26A及26B說明製造對立基板20B之步驟，且圖24A至26A為對應於圖22中之組態的放大剖視圖，且圖24B至26B為對應於圖23中之組態的示意性平面圖。此外，圖24B至26B中之每一者中之陰影部分對應於形成有樹脂遮光層221D之區域。
更特定而言，如圖24A及24B中所說明，使樹脂遮光層221D及彩色濾光器層於第二基板21上進行圖案形成。隨後，如圖25A及25B中所說明，藉由例如縫塗法或濺鍍法形成上覆層222以覆蓋遮光層221D及彩色濾光器層。
隨後，如圖26A及26B中所說明，藉由例如濺鍍法在上覆層222上形成由上述低電阻材料製成之膜，且接著藉由使用例如光微影法進行蝕刻將膜圖案化以形成低電阻層221E。最終，以類似於第一實施例的方式在低電阻層221E上之選擇區域中形成柱23，且進一步形成導電膜24，從而製造對立基板20B。
因此，在第二實施例中，形成作為黑色矩陣之樹脂遮光層221D及彩色濾光器層，且接著在形成低電阻層221E之前形成上覆層222。因此，保護彩色濾光器層及樹脂遮光層221D免遭用於圖案化低電阻層221E之蝕刻劑損害，且抑制彩色濾光器層及樹脂遮光層221D上之損傷。因此，亦在第二實施例中，可防止彩色濾光器層在形成低電阻層221E之步驟中溶離。因此，可獲得與第一實施例類似之作用。
此外，各自由樹脂材料製成之彩色濾光器層及樹脂遮光層221D為可能之水或氣體來源，且當水或其類似物觸及有機層17時，使有機層17降解。當如在第二實施例的狀況下包括上覆層222時，可阻擋水或其類似物自彩色濾光器層或樹脂遮光層221D進入有機層17，且改良有機EL顯示單元之可靠度。
隨後，第一及第二實施例之修改案(修改案2至5)將描述於下文中。修改案2及3係關於柱之其他組態，且修改案4及5係關於使上部電極與低電阻層彼此電連接之其他技術。在修改案2及3中，將使用第一實施例中之層壓膜221之組態描述為實例；然而，修改案2及3以類似方式適用於第二實施例。應注意，相同組件藉由與第一實施例相同之數字表示且將不進一步描述。
(修改案2)
圖27及28說明根據修改案2之對立基板(對立基板20C)之組態。圖27為對立基板20C之柱(柱23A)周圍之組態的放大視圖。圖28說明如自密封層30所觀測到之對立基板20C之組態，但在圖28中未示出導電膜 24。應注意，圖27為沿圖28之線I-I所得之剖視圖。
如同在第一實施例中之對立電極20的狀況下，用中間之密封層30將對立基板20C黏合於裝置基板10上。此外，經由在第二基板21之表面(位於較靠近裝置基板10處之表面)上形成彩色濾光器層(紅色樹脂層220R、綠色樹脂層220G及藍色樹脂層220B)及作為黑色矩陣及輔助電極之層壓膜221來組態對立基板20C。柱23A在預定位置上安置於層壓膜221上，且形成導電膜24以覆蓋彩色濾光器層、低電阻層221B及柱23A。
在此修改案中，在層壓膜221上不僅在面向各開口H1之區域上，且亦在面向各柱23A之區域上層壓一或兩個或兩個以上彩色濾光器層。換言之，柱23A安置於層壓膜221上，中間存在彩色濾光器層。在此狀況下，形成藍色樹脂層220B及紅色樹脂層220R延伸至面向各柱23A之區域，且在層壓膜221與柱23A之間層壓藍色樹脂層220B及紅色樹脂層220R。如同在第一實施例中之柱23的狀況下，柱23A由導電材料或絕緣材料(例如用於光間隔物或其類似物之感光性樹脂)製成。
以此方式，可經由形成彩色濾光器層以延伸至層壓膜221上面向各柱23A之區域來形成各柱23A之基底(在本發明之一個實施例中對應於濾光器層壓物區段)。此基底形成尤其在柱23A不允許具有足夠高度時為有效的。柱23A與層壓膜221之間形成之彩色濾光器層之總厚度與柱23A之高度對應於整個單元之胞間距。舉例而言，在使用用於現有光間隔物或其類似物之材料的狀況下，柱23A之高度為例如約3 μm至10 μm，且在一些狀況下，難以確保所需之胞間距，因為柱23A自彩色濾光器層突出。在該狀況下，經由層壓厚度為例如約1 μm至4 μm之彩色濾光器層以升高柱23A之位置來確保所需之胞間距。應注意，可形成彩色濾光器層以自開口H1延伸(延續)至面向柱23A之區域，或可在開口H1周圍及柱23A周圍單獨形成(可僅在面向柱23A之區域及其 周邊區域中局部層壓彩色濾光器層)。
(修改案3)
圖29及30說明根據修改案3之對立基板(對立基板20D)之組態。圖29為對立基板20D之柱(柱23B)周圍之組態的放大視圖。圖30說明如自密封層30所觀測到之對立基板20D之組態，但在圖30中未示出導電膜24。應注意，圖29為沿圖30之線I-I所得之剖視圖。
在修改案2中，層壓彩色濾光器層作為柱23A之基底；然而，如同在此修改案之狀況下，彩色濾光器層本身可用作柱(柱23B)。舉例而言，可形成綠色樹脂層220G及紅色樹脂層220R以延伸至層壓膜221上之預定區域，或可局部層壓彩色濾光器層，從而形成具有所需高度之柱23。可在層壓膜221上之局部區域中層壓彩色濾光器層以形成柱23B，且如同在第一實施例之狀況下，當在形成柱23B之後在基板之整個表面上形成導電膜24時，在對應於柱23B之點處確保與上部電極19電連接。
(修改案4)
圖31說明根據修改案4之有機EL顯示單元之截面組態。在第一實施例及其類似實施例中，使用柱23(更特定而言，柱23及導電膜24)使上部電極19與低電阻層221B彼此進行電連接；然而，可使用替代技術作為電連接技術。
舉例而言，如同在此修改案之狀況下，可使用將導電球23C安置於裝置基板10與對立基板20E之間來達成接觸之技術。在此狀況下，不在對立基板20E中安置上述柱23，且導電膜24覆蓋CF/BM層22之整個表面。圖32為一部分對立基板20E之放大視圖。圖33說明如自密封層30所觀測到之對立基板20E之組態，但在圖33中未示出導電膜24。應注意，圖32為沿圖33之線I-I所得之剖視圖。因此，在對立基板20E中，在第二基板21上之層壓膜221之各別開口H1中形成彩色濾光器 層，且形成導電膜24以覆蓋例如彩色濾光器層及低電阻層221B之表面。
導電球23C充當裝置基板10與對立基板20E之間的間隔物，且其粒子直徑(例如3 μm至20 μm之直徑)確定胞間距。特定而言，導電球23C不需要直接安置於低電阻層221B下方，且經由在黏合基板時散佈於裝置基板10或對立基板20上來安置導電球23C。該等導電球之實例包括由丙烯酸系樹脂製成之塗有導電膜23c2之球23c1。作為導電膜23c2，可使用例如金屬(諸如金、鈦或銀)或ITO或IZO之透明導電膜。即使導電球23C不直接安置於層壓膜221以下，藉由使用透明導電膜，亦較不可能影響可視性。
(修改案5)
圖34說明根據修改案5之有機EL顯示單元之截面組態。作為使上部電極19與低電阻層221B彼此進行電連接之另一技術，如同在此修改案之狀況下，可使用以中間之具有電導性之密封層(密封層30A)將裝置基板10與對立基板20E黏合於一起的技術。
由混合有導體材料之具有電導性之樹脂(例如丙烯酸系樹脂)製成密封層30A。作為導體材料，可使用金屬奈米材料、奈米尺寸化碳、導電聚合物及其類似物。密封層30A之電阻率不受特定限制；然而，當電阻率例如在約包括1×106 Ω．m至包括1×108 Ω．m範圍內時，密封層30A亦具有作為高電阻層18之功能。此外，在確保密封層30A之足夠低之電阻值的狀況下，可達成不包括上部電極19之組態。換言之，在使用導電固體樹脂的狀況下，可能不包括高電阻層18及上部電極19，視導電固體樹脂之電阻值而定，且無形成其之步驟的方法為可能的。
因此，當將使用導電樹脂之密封層30A安置於裝置基板10與對立基板20之間時，藉由不單獨包括用於連接之構件(諸如上述柱或上述導電球)之簡單方法確保上部電極19與低電阻層221B之間的電連接。
[顯示單元之整個組態與像素電路組態]
根據第一實施例或其類似實施例之有機EL顯示單元(在下文中簡稱為「顯示單元」)之整個組態及像素電路組態將描述於下文中。圖35說明用作有機EL顯示單元之顯示單元之包括周邊電路之整個組態。如圖35中所說明，例如，各自包括有機EL裝置之複數個像素PXLC以矩陣形式排列之顯示區域50形成於基板11上，且將作為信號線驅動電路之水平選擇器(HSEL)51、作為掃描線驅動電路之寫入掃描器(WSCN)52及作為電力供應線驅動電路之電力供應掃描器(DSCN)53安置於顯示區域50周圍。
在顯示區域50中，複數個(數目n個，其中n為整數)信號線DTL1至DTLn沿行方向排列，且複數個(數目m個，其中m為整數)掃描線WSL1至WSLm及複數個(數目m個，其中m為整數)電力供應線DSL1至DSLm沿列方向排列。此外，各像素PXLC(對應於R、G、B及W之任一像素)安置於各信號線DTL與各掃描線WSL之交點處。信號線DTL連接至水平選擇器51，且影像信號自水平選擇器51供應至各信號線DTL。掃描線WSL連接至寫入掃描器52，且掃描信號(選擇脈衝)自寫入掃描器52供應至各掃描線WSL。電力供應線DSL連接至電力供應掃描器53，且電力供應信號(控制脈衝)自電力供應掃描器53供應至各電力供應線DSL。
圖36說明像素PXLC中之特定電路組態實例。各像素PXLC包括像素電路40，其包括有機EL裝置5D。像素電路40為主動型驅動電路，其包括取樣電晶體3A及驅動電晶體3B、保留電容器3C及有機EL裝置3D。電晶體3A(或電晶體3B)對應於上述實施例及其類似實施例中之TFT 12，且有機EL裝置3D對應於上述實施例及其類似實施例中之有機EL裝置10A。
取樣電晶體3A之閘極連接至與其對應之掃描線WSL，且取樣電 晶體3A之源極及汲極中之一者連接至與其對應之信號線DTL，且另一者連接至驅動電晶體3B之閘極。驅動電晶體3B之汲極連接至與其對應之電力供應線DSL，且驅動電晶體3B之源極連接至有機EL裝置3D之陽極。此外，有機EL裝置3D之陰極連接至接地導線3H。應注意，接地導線3H通常設置用於所有像素PXLC。保留電容器3C安置於驅動電晶體3B之源極與閘極之間。
基於自掃描線WSL供應之掃描信號(選擇脈衝)使取樣電晶體3A導電以對自信號線DTL供應之影像信號之信號電位進行取樣且接著將信號電位保留於保留電容器3C中。驅動電晶體3B接收來自設定至預定第一電位(未說明)之電力供應線DSL之電流供應以基於保留電容器3C中保留之信號電位將驅動電流供應至有機EL裝置3D。有機EL裝置3D藉由自驅動電晶體3B供應之驅動電流發射具有根據影像信號之信號電位之亮度的光。
在該電路組態中，基於自掃描線WSL供應之掃描信號(選擇脈衝)使取樣電晶體3A導電以對自信號線DTL供應之影像信號之信號電位進行取樣且接著將信號電位保留在保留電容器3C中。此外，將電流自設定至上述第一電位之電力供應線DSL供應至驅動電晶體3B，且基於保留電容器3C中保留之信號電位將驅動電流供應至有機EL裝置3D(紅色、綠色及藍色之有機EL裝置中之每一者)。接著，各有機EL裝置3D基於所供應之驅動電流發射具有根據影像信號之信號電位之亮度的光。因此，顯示單元基於影像信號顯示影像。
(應用實例)
上述第一實施例及其類似實施例中之有機EL顯示單元(下文稱作「顯示單元」)之電子設備應用實例將描述於下文中。電子設備之實例包括電視、數位攝影機、筆記型電腦、攜帶型終端機單元(諸如行動電話)及視訊攝影機。換言之，上述顯示單元適用於任何領域中顯 示自外部供應之影像信號或內部以影像或圖像形式產生之影像信號的電子設備。
(模組)
將上述顯示單元中之任一者併入各種電子設備中，諸如隨後將描述為如圖37中所說明之模組的應用實例1至6。在該模組中，例如，在第一基板11之側面上設置由第二基板21暴露之區域210，且經由延伸水平選擇器51、寫入掃描器52及電力供應掃描器53之導線在暴露之區域210中形成外部連接端子(未說明)。在外部連接端子中，可能設置用於信號輸入及輸出的可撓性印製電路(FPC)220。
(應用實例1)
圖38說明電視之外觀。該電視包括例如包括前面板310及濾光玻璃320之影像顯示螢幕區段300，且影像顯示螢幕區段300對應於上述顯示單元中之任一者。
(應用實例2)
圖39A及39B說明數位攝影機之外觀。該數位攝影機包括例如用於閃光燈之發光區段410、顯示區段420、選單切換器430及快門按鈕440，且顯示區段420對應於上述顯示單元中之任一者。
(應用實例3)
圖40說明筆記型電腦之外觀。該筆記型電腦包括例如主體510、用於輸入字元之操作及其類似操作之鍵盤520及用於顯示影像之顯示區段530，且顯示區段530對應於上述顯示單元中之任一者。
(應用實例4)
圖41說明視訊攝影機之外觀。該視訊攝影機包括例如主體610、設置於主體610之前表面上且用於拍攝物件之影像的透鏡620、拍攝開始/停止開關630及顯示區段640，且顯示區段640對應於上述顯示單元中之任一者。
(應用實例5)
圖42A至42G說明行動電話之外觀。該行動電話具有例如頂側外殼710與底側外殼720經由連接區段(鉸鏈區段)730連接於一起的組態，且該行動電話包括顯示器740、子顯示器750、圖像燈760及攝影機770。顯示器740或子顯示器750對應於上述顯示單元中之任一者。
(應用實例6)
圖43A及43B說明智慧型手機之外觀。該智慧型手機包括例如顯示區段810及非顯示區段(外殼)820及操作區段830。操作區段830可安置於非顯示區段820之前表面上，如圖43A中所說明，或可安置於非顯示區段820之頂部表面上，如圖43B中所說明。顯示區段810對應於上述顯示單元中之任一者。
雖然參考實施例、修改案及應用實例描述本發明，但本發明不限於此，且可作出各種修改。舉例而言，在上述實施例及其類似實施例中，各層之材料及厚度、形成各層之方法及條件不限於上述實施例及其類似實施例中所述者，且可藉由任何其他方法在任何其他條件下由任何其他材料以任何其他厚度製成各層。
此外，在上述實施例及其類似實施例中，將使用四種色彩R、G、B及W之子像素進行彩色顯示之有機EL顯示單元描述為實例；然而，本發明不特定限於使用四種色彩之子像素的有機EL顯示單元，且可應用於使用三種色彩R、G及B之子像素的有機EL顯示單元。本發明適用於在對立基板中包括樹脂層(諸如彩色濾光器層)及遮光層之任何有機EL顯示單元。
此外，在上述實施例及其類似實施例中，描述有機EL裝置10A之特定組態；然而，有機EL裝置10A不需要包括所有層，且有機EL裝置10A可進一步包括另一層。此外，在上述實施例及其類似實施例中，有機層17中之發光層通常形成用於各別像素；然而，發光層可經分離 以用於各子像素，且色彩R、G及B之發光層中之一者可安置於各子像素中。
此外，舉例而言，在上述實施例及其類似實施例中，描述主動式矩陣型顯示單元；然而，本發明適用於被動式矩陣型顯示單元。此外，用於主動式矩陣驅動之像素驅動電路之組態不限於上述實施例及其類似實施例中所述者，且必要時，像素驅動電路可進一步包括電容器或電晶體。在此狀況下，除上述水平選擇器51及上述寫入掃描器52之外，亦可根據對像素驅動電路之修改而進一步包括必要之驅動電路。
此外，在上述實施例及其類似實施例中，將頂部發射型有機EL顯示單元作為一個實例來加以描述；然而，本發明之有機EL顯示單元適用於底部發射型有機EL顯示單元。特定而言，例如，在上部電極由高電阻導電膜(諸如透明導電膜)組態而成的狀況下，可適當地應用本發明之有機EL顯示單元。
應注意，允許該技術具有下列組態。
(1)一種顯示裝置，其包含：第一電極、包括發光區域之有機層，及第二電極；及與第二電極電連接且包括對應於發光區域之開口的導電層。
(2)根據項目1之顯示裝置，其中導電膜使導電層與第二電極進行電連接。
(3)根據技術方案2之顯示裝置，其中該導電層及至少一部分導電膜與第二電極隔開。
(4)根據項目2之顯示裝置，其中在導電膜之部分與第二電極之部分之間形成黏著性密封層。
(5)根據項目2之顯示裝置，其中在包括彩色濾光器及黑色矩陣中之至少一者的CF/BM層上形成導電膜。
(6)根據項目2之顯示裝置，其中在導電膜與導電層之間形成柱，該柱在導電層與第二電極之間延伸且經組態以使形成於柱之遠端部分上之一部分導電膜接觸第二電極。
(7)根據項目6之顯示裝置，其中該柱具有彈性。
(8)根據項目1之顯示裝置，其中在開口中形成選自紅色濾光器層、綠色濾光器層及藍色濾光器層之至少一個彩色濾光器層。
(9)根據項目8之顯示裝置，其中該導電層為層壓膜，其包括無機遮光層及低電阻層，且至少一部分彩色濾光器層經形成以與低電阻層之邊緣重疊。
(10)根據項目9之顯示裝置，其中在彩色濾光器層及低電阻層上形成導電膜。
(11)根據項目10之顯示裝置，其進一步包含形成於導電膜與彩色濾光器層之間且形成於低電阻層與無機遮光層之間的上覆層。
(12)根據項目1之顯示裝置，其中該導電層為包括無機遮光層及低電阻層之層壓膜。
(13)根據項目12之顯示裝置，其中無機遮光層選自由以下組成之群：SiN/a-Si(非晶矽)/Mo之三層層壓膜及MoOx/Mo/MoOx/Mo之四層層壓膜，其中在任一膜中，Mo外層最靠近低電阻層側。
(14)根據項目12之顯示裝置，其中低電阻層之電阻率低於上部電極之電阻率。
(15)根據項目14之顯示裝置，其中低電阻層包括電阻率低於Mo之至少一個無機膜。
(16)根據項目1之顯示裝置，其進一步包含經安置以覆蓋導電層之開口之內壁的樹脂遮光層。
(17)根據項目16之顯示裝置，其中該樹脂遮光層經安置以進一步覆蓋導電層之面向第二電極之表面的至少一部分。
(18)一種顯示裝置，其包含：第一電極、有機層及第二電極；及與第二電極電連接且與第二電極隔開之導電層。
(19)根據項目18之顯示裝置，其中導電膜使導電層與第二電極進行電連接。
(20)根據項目19之顯示裝置，其中該導電層及至少一部分導電膜與第二電極隔開。
(21)根據項目19之顯示裝置，其中在導電膜之部分與第二電極之部分之間形成黏著性密封層。
(22)根據項目19之顯示裝置，其中在包括彩色濾光器及黑色矩陣中之至少一者的CF/BM層上形成導電膜。
(23)根據項目19之顯示裝置，其中在導電膜與導電層之間形成柱，該柱在導電層與第二電極之間延伸且經組態以使形成於柱之遠端部分上之一部分導電膜接觸第二電極。
(24)根據項目23之顯示裝置，其中該柱具有彈性。
(25)根據項目18之顯示裝置，其中該導電層為包括無機遮光層及低電阻層之層壓膜。
(26)根據項目25之顯示裝置，其進一步包含形成於低電阻層與無機遮光層之間的上覆層。
(27)根據項目25之顯示裝置，其中無機遮光層選自由以下組成之群：SiN/a-Si(非晶矽)/Mo之三層層壓膜及MoOx/Mo/MoOx/Mo之四層層壓膜，其中在任一膜中，Mo外層最靠近低電阻層側。
(28)根據項目25之顯示裝置，其中低電阻層之電阻率低於上部電極之電阻率。
(29)根據項目28之顯示裝置，其中低電阻層包括電阻率低於Mo之至少一個無機膜。
(30)一種顯示設備，其包含：顯示裝置，其包括第一電極、包括發光區域之有機層，及第二電極，及與第二電極電連接且包括對應於發光區域之開口的導電層。
(31)一種電子裝置，其包含：顯示裝置，其包括第一電極、包括發光區域之有機層，及第二電極，及與第二電極電連接且包括對應於發光區域之開口的導電層。
(32)一種製造顯示裝置之方法，該方法包含：形成第一電極、包括發光區域之有機層，及第二電極；及形成與第二電極電連接且包括對應於發光區域之開口的導電層。
此外，應注意，允許該技術具有下列組態。
(1)一種有機電致發光顯示單元，其包括：裝置基板，其在第一基板上按以下次序包括第一電極、包括有機電致發光層之有機層及第二電極；及經安置以面向裝置基板之對立基板，中間存在密封層，該對立基板包括安置於第二基板上之無機遮光層，及層壓於無機遮光層上之導電層，該導電層與裝置基板之第二電極電連接，且其電阻低於第二電極。
(2)根據(1)之有機電致發光顯示單元，其中無機遮光層包括複數個無機膜之層壓物。
(3)根據(1)之有機電致發光顯示單元，其進一步包括：穿過無機遮光層及導電層之複數個開口；及設置於各開口中之彩色濾光器層。
(4)根據(3)之有機電致發光顯示單元，其中彩色濾光器層經安置以填充於各開口中且與導電層之邊緣重疊。
(5)根據(3)或(4)之有機電致發光顯示單元，其進一步包括經安置以覆蓋各開口之內壁的樹脂遮光層。
(6)根據(1)至(5)中任一者之有機電致發光顯示單元，其進一步包括安置於導電層與第二電極之間的導電構件。
(7)根據(6)之有機電致發光顯示單元，其中該導電構件為圓柱形構件及球形構件中之一者，該圓柱形構件至少在其表面上具有電導性，且該球形構件至少在其表面上具有電導性。
(8)根據(6)之有機電致發光顯示單元，其中該導電構件包括層壓於導電層上之包括一或多個彩色濾光器之濾光器層壓物區段，及覆蓋濾光器層壓物區段之導電膜。
(9)根據(6)之有機電致發光顯示單元，其中導電構件包括層壓於導電層上之包括一或多個彩色濾光器之濾光器層壓物區段，安置於濾光器層壓物區段上之圓柱形構件，及覆蓋濾光器層壓物區段及圓柱形構件之導電膜。
(10)根據(1)至(9)中任一者之有機電致發光顯示單元，其中密封層由導電樹脂製成。
(11)根據(1)至(9)中任一者之有機電致發光顯示單元，其中密封層在其外部區域中具有間隙，且遮光層安置於面向密封層之外部區域的區域中。
(12)一種製造有機電致發光顯示單元之方法，該方法包括：形成裝置基板，該裝置基板在第一基板上按以下次序包括第一 電極、包括有機電致發光層之有機層及第二電極；形成對立基板，其中形成對立基板包括在第二基板上按以下次序形成無機遮光層及導電層，導電層與裝置基板之第二電極電連接，且電阻低於第二電極；及用中間之密封層將對立基板黏合於裝置基板上。
(13)根據(12)之製造有機電致發光顯示單元之方法，其中形成對立基板包括在第二基板上依次形成複數個無機膜及導電層，該複數個無機膜組態無機遮光層。
(14)根據(12)或(13)之製造有機電致發光顯示單元之方法，其進一步包括：形成複數個開口以穿透無機遮光層及導電層；及在各開口中形成彩色濾光器層，其中形成複數個開口及形成彩色濾光器層在形成無機遮光層及導電層之後進行。
(15)根據(14)之製造有機電致發光顯示單元之方法，其中形成複數個開口包括共同移除包括有機遮光層及導電層之層壓膜的選擇區域。
(16)根據(13)之製造有機電致發光顯示單元之方法，其中黏合對立基板包括使用樹脂材料將裝置基板與對立基板壓力黏合於一起，樹脂材料之量相對於裝置基板與對立基板之間的密封體積為約120%或120%以下。
(17)一種有機電致發光顯示單元，其包括：裝置基板，其在第一基板上按以下次序包括第一電極、包括有機電致發光層之有機層及第二電極；及經安置以面向裝置基板之對立基板，中間存在密封層，該對立基板包括 安置於第二基板上之樹脂遮光層，至少覆蓋樹脂遮光層之保護層，及安置於保護層上面向樹脂遮光層之區域中之導電層，該導電層與裝置基板之第二電極電連接，且電阻低於第二電極。
(18)一種製造有機電致發光顯示單元之方法，該方法包括：形成裝置基板，該裝置基板在第一基板上按以下次序包括第一電極、包括有機電致發光層之有機層及第二電極；形成對立基板，其中形成對立基板包括在第二基板上按以下次序形成樹脂遮光層、保護層及導電層，保護層至少覆蓋樹脂遮光層，且導電層安置於面向樹脂遮光層之區域中，與裝置基板之第二電極電連接，且電阻低於第二電極；及用中間之密封層將對立基板黏合於裝置基板上。
(19)一種彩色濾光器基板，其包括：安置於基板上之無機遮光層；層壓於無機遮光層上之導電層；穿過無機遮光層及導電層之複數個開口；及安置於各開口中之彩色濾光器層。
(20)一種彩色濾光器基板，其包括：安置於基板上之樹脂遮光層；複數個穿透樹脂遮光層之開口；安置於各開口中之彩色濾光器層；覆蓋樹脂遮光層及彩色濾光器層之保護層；及安置於保護層上面向樹脂遮光層之區域中之導電層。
本申請案含有與2012年3月21日在日本專利局申請之日本優先權專利申請案第2012-063136號中所揭示有關的標的，該專利申請案之整個內容據此以引用方式併入本文中。
熟習此項技術者應瞭解，可視設計要求及其他因素而定出現各種修改、組合、子組合及改變，只要其在隨附申請專利範圍或其等效形式之範疇內即可。
1‧‧‧有機EL顯示單元
10‧‧‧裝置基板
10A‧‧‧有機EL裝置
11‧‧‧第一基板
12‧‧‧TFT
12a‧‧‧閘極電極
12b‧‧‧閘極絕緣膜
12c‧‧‧層間絕緣膜
13‧‧‧導線層
14‧‧‧層間絕緣膜
15‧‧‧下部電極
16‧‧‧像素間絕緣膜
17‧‧‧有機層
18‧‧‧高電阻層/電阻層
19‧‧‧上部電極
20‧‧‧對立基板/對立電極
21‧‧‧第二基板
22‧‧‧CF/BM層
23‧‧‧柱
24‧‧‧導電膜
30‧‧‧密封層

Claims (20)

  1. 一種顯示裝置，其包含：第一電極、包括發光區域之有機層，及第二電極；及與該第二電極電連接且包括對應於該發光區域之開口的導電層。
  2. 如請求項1之顯示裝置，其中導電膜使該導電層與該第二電極電連接。
  3. 如請求項2之顯示裝置，其中該導電層及該導電膜之至少一部分與該第二電極隔開。
  4. 如請求項2之顯示裝置，其中在該導電膜之部分與該第二電極之部分之間形成黏著性密封層。
  5. 如請求項2之顯示裝置，其中在包括彩色濾光器及黑色矩陣中之至少一者的CF/BM層上形成該導電膜。
  6. 如請求項2之顯示裝置，其中在該導電膜與該導電層之間形成柱，該柱在該導電層與該第二電極之間延伸且經組態以使形成於該柱之遠端部分上之一部分該導電膜接觸該第二電極。
  7. 如請求項6之顯示裝置，其中該柱具有彈性。
  8. 如請求項1之顯示裝置，其中在該開口中形成選自紅色濾光器層、綠色濾光器層及藍色濾光器層之至少一個彩色濾光器層。
  9. 如請求項8之顯示裝置，其中該導電層為層壓膜，其包括無機遮光層及低電阻層，且該彩色濾光器層之至少一部分經形成以與該低電阻層之邊緣重疊。
  10. 如請求項9之顯示裝置，其中在該彩色濾光器層及該低電阻層上形成導電膜。
  11. 如請求項10之顯示裝置，其進一步包含形成於該導電膜與該彩 色濾光器層之間且形成於該低電阻層與該無機遮光層之間的上覆層。
  12. 如請求項1之顯示裝置，其中該導電層為包括無機遮光層及低電阻層之層壓膜。
  13. 如請求項12之顯示裝置，其中該無機遮光層選自由以下組成之群：SiN/a-Si(非晶矽)/Mo之三層層壓膜及MoOx/Mo/MoOx/Mo之四層層壓膜，其中在任一膜中，該Mo外層最靠近低電阻層側。
  14. 如請求項12之顯示裝置，其中該低電阻層之電阻率低於該上部電極之電阻率。
  15. 如請求項14之顯示裝置，其中該低電阻層包括電阻率低於Mo之至少一個無機膜。
  16. 如請求項1之顯示裝置，其進一步包含經安置以覆蓋該導電層之該開口之內壁的樹脂遮光層。
  17. 如請求項16之顯示裝置，其中該樹脂遮光層經安置以進一步覆蓋該導電層之面向該第二電極之表面的至少一部分。
  18. 一種顯示設備，其包含：顯示裝置，其包括第一電極、包括發光區域之有機層，及第二電極，及與該第二電極電連接且包括對應於該發光區域之開口的導電層。
  19. 一種電子裝置，其包含：顯示裝置，其包括第一電極、包括發光區域之有機層，及第二電極，及與該第二電極電連接且包括對應於該發光區域之開口的導電層。
  20. 一種製造顯示裝置之方法，該方法包含： 形成第一電極、包括發光區域之有機層，及第二電極；及形成與該第二電極電連接且包括對應於該發光區域之開口的導電層。
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