JP4978138B2 - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents

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Description

本発明は、電気光学装置及び電子機器に関するものである。
近年、情報機器の多様化等に伴い、消費電力が少なく軽量化された平面表示装置のニーズが高まっている。この様な平面表示装置の一つとして、有機エレクトロルミネッセンス装置(以下「有機EL装置」という。)が知られている。この有機EL装置には、自身が発光する自発光素子である有機エレクトロルミネッセンス素子(以下「有機EL素子」という。)が備えられている。この有機EL素子は、陽極と陰極との間に発光有機材料からなる有機発光層が介在された構成からなる。有機EL素子が発光する際、有機発光層が発熱する。この発光時の発熱により有機発光層の温度が上昇すると、発光有機材料からなる有機発光層は劣化し、その結果、有機EL素子の寿命が短くなる。
そこで、従来、有機EL素子(有機発光層)の温度上昇を防止する技術が提案されている。この技術は、有機EL素子と乾燥剤層との隙間に熱伝導性を有するスペーサーを介在させ、さらに、封止ガラス基板の表面全体に熱伝導層(金属層)を形成するものである。この技術によれば、発光時に有機EL素子から発生する熱は、スペーサー及び熱伝導層により外部に放熱されるため、有機EL素子の温度上昇が抑えられ、温度上昇による有機発光層の劣化が防止される(例えば、特許文献1参照。)。
特開2004−47458号公報
しかしながら、上記した有機EL素子の温度上昇を防止する従来の技術では、有機EL素子を備えるデバイス基板(表示素子基板)にカラーフィルタ基板を対向配置させる構成からなる有機ELディスプレイには適用することができないという問題がある。つまり、従来の技術のように、カラーフィルタ基板の表面全体に金属層を形成すると、金属層で光が遮断されてしまうため、有機EL素子から発せられた光がカラーフィルタ基板のカラーフィルタ層に届かなくなり、カラーフィルタ基板によるカラー表示ができなくなる。
本発明は上記した従来の問題が考慮されたものであり、表示素子基板にカラーフィルタ基板が対向配置された構成からなる電気光学装置において、表示素子基板に備えられた表示素子の温度上昇を抑えて、当該表示素子の劣化を防止することを目的としている。
本発明に係る電気光学装置は、表示素子を備えた表示素子基板と、異なる色のカラーフィルタ層及び該カラーフィルタ層間を区画する遮光層を備えたカラーフィルタ基板とが、前記表示素子側と前記カラーフィルタ層側とが対向するように貼り合わされた構成の電気光学装置であって、前記カラーフィルタ基板における前記カラーフィルタ層の前記表示素子側に金属層が設けられ、該金属層が、前記遮光層の少なくとも一部と平面的に重なって前記カラーフィルタ層の少なくとも一部と平面的に重ならない位置に配置され、前記表示素子基板の前記表示素子側の最表層に封止層が設けられ、前記表示素子基板と前記カラーフィルタ基板とがシール材を介して貼り合わされ、前記表示素子基板と前記カラーフィルタ基板とがシール材を介して貼り合わされ、前記金属層が、前記表示素子基板と前記カラーフィルタ基板と前記シール材とによって囲まれた空間内に配置されており、前記金属層の一部が、前記表示素子基板よりも張り出されて前記表示素子基板の外方で露出されていることを特徴とする。本発明に係る電気光学装置は、表示素子を備えた表示素子基板と、異なる色のカラーフィルタ層及び該カラーフィルタ層間を区画する遮光層を備えたカラーフィルタ基板とが、前記表示素子側と前記カラーフィルタ層側とが対向するように貼り合わされた構成の電気光学装置であって、前記カラーフィルタ基板における前記カラーフィルタ層の前記表示素子側に金属層が設けられ、該金属層が、前記遮光層の少なくとも一部と平面的に重なって前記カラーフィルタ層の少なくとも一部と平面的に重ならない位置に配置されていることを特徴としている。
このような特徴により、表示素子側から発生した熱は、金属層に伝達されて当該金属層から外部に放熱される。このように、放熱性が向上するため、表示素子基板に備えられた表示素子の温度上昇が抑えられ、当該表示素子の劣化を防止することができ、結果として、電気光学装置(表示素子基板)の長寿命化を図ることができる。
また、金属層が遮光層の少なくとも一部と平面的に重なる位置に配置されているため、表示素子側からの光は、金属層に遮光されることなく、カラーフィルタ層に到達する。このように、表示素子基板にカラーフィルタ基板を対向配置させた構成の電気光学装置の場合にも適用することができる。
また、本発明に係る電気光学装置は、前記表示素子基板の前記表示素子側の最表層に封止層が設けられ、前記表示素子基板と前記カラーフィルタ基板とがシール材を介して貼り合わされた構成とすることで、表示素子が封止層により保護され、表示素子の損傷を防止することができる。また、上記した封止層により、表示素子が外気に触れることが防がれるため、外気に含まれる湿気等による表示素子の劣化を防止することができる。さらに、上記したシール材及び接着剤により、表示素子基板とカラーフィルタ基板との隙間から外気が入り込むことが防がれるため、表示素子と外気との接触が確実に防がれ、より一層、表示素子の劣化防止を図ることができる。
ところで、金属層がシール材とカラーフィルタ基板との間に介在された構成では、当該金属層の厚みで電気光学装置(表示素子基板とカラーフィルタ基板とが貼り合わされてなるもの)の厚みが増してしまう。また、放熱性を考慮すると金属層を厚くするのが望ましいが、金属層がシール材とカラーフィルタ基板との間に介在された構成では、金属層を厚く形成すればするほど、当該金属層の厚み分だけ電気光学装置の厚みが増してしまう。
そこで、本発明に係る電気光学装置は、前記表示素子基板と前記カラーフィルタ基板とがシール材を介して貼り合わされ、前記金属層が、前記表示素子基板と前記カラーフィルタ基板と前記シール材とによって囲まれた空間内に配置された構成とすることで、金属層を設けても電気光学装置の厚みが厚くならず、また、電気光学装置の厚みを変えることなく、金属層を厚く形成することができる。また、上記した構成にすることで、金属層が表示素子基板(表示素子)に一層近づくため、放熱性を向上させることができる。
また、本発明に係る電気光学装置は、前記金属層の一部が、前記表示素子基板よりも張り出されて前記表示素子基板の外方で露出されていることで、金属層に伝達された熱は、露出された延在部分で放熱されることとなり、表示素子基板側から発生した熱を効果的に放熱させることができる。
また、露出した前記金属層の延在部分に放熱部材が配置されることで、表示素子基板側から発生した熱をより効果的に放熱させることができる。
また、本発明に係る電気光学装置は、前記表示素子基板が、前記表示素子として有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたトップエミッション構造の有機エレクトロルミネッセンス素子基板であると、有機エレクトロルミネッセンス素子が発光する際に発生する熱は金属層に伝達され、この金属層から外部に放熱される。これによって、有機エレクトロルミネッセンス素子の温度上昇による劣化を防止することができ、結果として、長寿命化を図ることができる。
また、本発明に係る電気光学装置は、前記金属層が形成される領域が、平面的にみて前記遮光層が形成される領域の中に収まっている構成とすることで、金属層とカラーフィルタ層とが平面的に重なることがない。金属層とカラーフィルタ層とが一部でも平面的に重なると、カラーフィルタ層に光が届かない部分が生じるため光利用率が低下するが、上記した構成にすることで、カラーフィルタ層全体に表示素子側からの光を照射させることができ、上記した金属層による光利用率の低下を防止することができる。
また、本発明に係る電子機器は、上記した電気光学装置が備えられていることを特徴としている。
このような特徴により、上記した電気光学装置と同様の作用及び効果を奏するため、電子機器の長寿命化を図ることができる。
以下、本発明に係る電気光学装置及び電子機器の実施の形態について、図面に基いて説明する。なお、以下に示す各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を異ならせてある。
[電気光学装置の第1の実施の形態]
まず、電気光学装置の第1の実施の形態について図1〜図5を用いて説明する。なお、本実施の形態においては、本発明の電気光学装置に相当するものとして有機EL装置1が示されており、本発明の表示素子に相当するものとして有機EL素子21が示されており、本発明の表示素子基板に相当するものとして有機EL素子基板35が示されている。
図1に示すように、本発明の電気光学装置に相当する有機EL装置1は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor、以下TFTと称する。)を用いたアクティブマトリクス方式のもので、複数の走査線101…と、各走査線101に対して直角に交差する方向に延びる複数の信号線102…と、各信号線102に並列に延びる複数の電源線103…とからなる配線構成を有し、走査線101…と信号線102…との各交点付近に画素領域X…を形成したものである。
もちろん本発明の技術的思想に沿えば、TFTなどを用いるアクティブマトリクスは必須ではなく、単純マトリクス向けの素子基板を用いて本発明を実施し、単純マトリクス駆動しても全く同じ効果が低コストで得られる。
信号線102には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ線駆動回路100が接続されている。また、走査線101には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査線駆動回路80が接続されている。
さらに、画素領域Xの各々には、走査線101を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用TFT(スイッチング素子)112と、このスイッチング用TFT112を介して信号線102から共有される画素信号を保持する保持容量113と、該保持容量113によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用TFT(スイッチング素子)123と、この駆動用TFT123を介して電源線103に電気的に接続したときに該電源線103から駆動電流が流れ込む陽極10と、該陽極10と陰極11との間に挟み込まれた発光層(有機発光層)12が設けられている。
この有機EL装置1によれば、走査線101が駆動されてスイッチング用TFT112がオン状態になると、そのときの信号線102の電位が保持容量113に保持され、該保持容量113の状態に応じて、駆動用TFT123のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用TFT123のチャネルを介して、電源線103から陽極10に電流が流れ、さらに発光層12を介して陰極11に電流が流れる。発光層12は、これを流れる電流量に応じて発光する。
次に、本実施形態の有機EL装置1の具体的な態様を、図2〜図5を参照して説明する。ここで、図2は有機EL装置1の構成を模式的に示す平面図である。図3は有機EL装置1の断面構造を模式的に示す断面図である。図4は、後述するカラーフィルタ基板36の構成を模式的に示す平面図である。図5は後述する有機EL素子基板35の断面構造を模式的に示す部分断面図である。
まず、図2を参照し、有機EL装置1の構成を説明する。
図2は、基板本体20上に形成された前述した各種配線,TFT,各種回路によって、発光層12を発光させるTFT素子基板(以下「素子基板20A」という。)を示す図である。
有機EL装置1の素子基板20Aは、中央部分の実表示領域4(図2中二点鎖線枠内)と、実表示領域4の周囲に配置されたダミー領域5(一点鎖線および二点鎖線の間の領域)とを備えている。
図1に示す画素領域Xからは、赤(R)、緑(G)または青(B)のいずれかの光が取り出され、図2に示す表示領域RGBが形成されている。実表示領域4においては、表示領域RGBがマトリクス状に配置されている。また、表示領域RGBの各々は、紙面縦方向において同一色で配列しており、いわゆるストライプ配置を構成している。そして、表示領域RGBが一つのまとまりとなって、表示単位画素が構成されており、該表示単位画素はRGBの発光を混色させてフルカラー表示を行うようになっている。
実表示領域4の図2中両側であってダミー領域5の下層側には、走査線駆動回路80、80が配置されている。また、実表示領域4の図2中上方側であってダミー領域5の下層側には、検査回路90が配置されている。この検査回路90は、有機EL装置1の作動状況を検査するための回路であって、例えば検査結果を外部に出力する検査情報出力手段(不図示)を備え、製造途中や出荷時における有機EL装置1の品質、欠陥の検査を行うことができるように構成されている。
次に、図3を参照して、有機EL装置1の断面構造の概略を説明する。
本実施形態における有機EL装置1は、有機EL素子基板35とカラーフィルタ基板36とが、有機EL素子21側とカラーフィルタ層37側とが対向するように貼り合わされた構成からなる。この有機EL装置1は、いわゆる「トップエミッション構造」の有機EL装置であり、光を有機EL素子基板35側ではなくカラーフィルタ基板36側から取り出すものである。このトップエミッション構造の有機EL装置1では、有機EL素子基板35に配置された各種回路の大きさに影響されず、発光面積を広く確保できるという効果がある。そのため、電圧及び電流を抑えつつ輝度を確保することが可能であり、発光素子の寿命を長く維持することができる。
有機EL素子基板35は、基板本体20と、その基板本体20の表面(カラーフィルタ基板36側の面)に形成された前述した駆動用TFT123等の各種配線(以下、回路層24と記す。)と、その回路層24を被覆する窒化珪素等からなる無機絶縁層14と、自発光素子である有機EL素子21と、凹凸を平坦化させる透明な平坦化層18と、有機EL素子基板35の有機EL素子21側の最表層に形成された透明な封止層19と、が備えられた構成からなる。
一方、カラーフィルタ基板36は、ガラス基板等の透光性を有する基板本体31と、その基板本体31の表面(有機EL素子基板35側の面)に形成された複数のカラーフィルタ層37と、複数のカラーフィルタ層37間を区画する遮光層32と、カラーフィルタ層37及び遮光層32を被覆する保護層40と、が備えられた構成からなる。
カラーフィルタ層37は、特定の色光のみを透過する顔料等からなり、通過する光を着色する着色層である。このカラーフィルタ層37には、赤色の色光のみを透過する赤色着色層37Rと、緑色の色光のみを透過する緑色着色層37Gと、青色の色光のみを透過する青色着色層37Bとがある。このように異なる色の複数のカラーフィルタ層37は、図2に示す実表示領域4内にマトリクス状に配置されており、しかも、赤色着色層37R、緑色着色層37G及び青色着色層37Bが、周期的に配列されている。また、カラーフィルタ層37(着色層37R,37G,37B)の各々は発光層12に対向して配置されている。これにより、発光層12から発光された光が、カラーフィルタ層37を透過し、赤色光、緑色光、青色光の各色光として観察者側に出射するようになっている。このように、発光層12の発光光を複数色のカラーフィルタ層37によって着色することでカラー表示を行うようになっている。
遮光層32は、隣接する画素領域からの光洩れを防止する所謂ブラックマトリクス層であり、各カラーフィルタ層37(着色層37R,37G,37B)間に形成されている。この遮光層32は、光吸収性を有する黒色の樹脂や金属クロム等からなる。
保護層40は、高さが異なるカラーフィルタ層37及び遮光層32により凹凸となった表面を平坦化するとともに、カラーフィルタ層37を保護するためのものであり、透明で電気絶縁性を有する材料からなる。
上記した構成からなるカラーフィルタ基板36におけるカラーフィルタ層37の有機EL素子21側には、金属層39が設けられている。この金属層39は、熱伝導性に優れた層であり、例えば、銅層やアルミニウム層である。また、金属層39は、遮光層32に対向する位置に形成されており、カラーフィルタ層37に対向する位置には形成されていない。なお、隣り合う金属層39間(カラーフィルタ層37に対向する位置)は空洞38となっている。
ここで、図4を参照して、上記したカラーフィルタ基板36に設けられた金属層39の平面的な配置について説明する。
金属層39は、遮光層32の一部と平面的に重なってカラーフィルタ層37と平面的に重ならない位置に配置されている。具体的には、紙面縦方向に延在する遮光層32の一部32aに沿って金属層39が延在されており、金属層39は、複数のカラーフィルタ層37の間を通るように格子状に形成されている。また、この金属層39が形成される領域は、平面的にみて遮光層32が形成される領域の中に収まっている。すなわち、金属層39の幅W1は、遮光層32における金属層39と平面的に重なった部分の幅W2以下であり、金属層39は平面的にみて遮光層32内に完全に収まった状態になっている。具体的には、金属層39の幅W1は、遮光層32の幅W2よりも若干小さくなっている。
上記した構成からなる有機EL素子基板35とカラーフィルタ基板36とは、図3に示すように、シール材33及び接着剤34を介して貼り合わされている。シール材33は、例えば、熱硬化性樹脂や紫外線硬化性樹脂等からなるものであり、有機EL素子基板35やカラーフィルタ基板36の周縁部に配設されている。このシール材33は、図示しないが、有機EL素子基板35又はカラーフィルタ基板36の外縁に沿って延在されており、平面的にみて有機EL素子21を囲うように形成されている。また、このシール材33は、封止層19と金属層39との間に介在されており、封止層19及び金属層39にそれぞれ密着されている。接着剤34は、スクリーン印刷法やスリットコート法等により封止層19の表面に略均一に塗布される。そして、カラーフィルタ基板36と有機EL素子基板35とを貼り合せた時に、カラーフィルタ基板36側の金属層39の表面に接着される。なお、図示しないが、カラーフィルタ基板36と有機EL素子基板35とを貼り合せた時に、隣り合う金属層39間の空洞38に接着剤34が入り込む。
次に、図5を参照して、上記した有機EL素子基板35の具体的な構成について説明する。
回路層24を被覆する無機絶縁層14にはコンタクトホール(不図示)が形成されており、このコンタクトホールを通って有機EL素子21の後述する陽極10が回路層24の駆動用TFT123に接続されている。
また、無機絶縁層14上には、複数の有機EL素子21を区切る画素隔壁13と、アルミ合金等からなる金属反射板15が内装された平坦化層16とが形成されている。
間隔をあけて並べられた画素隔壁13の間であって上記した平坦化層16の上には、有機EL素子21が形成されている。この有機EL素子21は、一対の電極(陽極10と陰極11)間に発光層12が介在された構成からなる。
有機EL素子21の陽極10は、例えば、仕事関数が5eV以上の正孔注入層の高いITO(Indium Thin Oxide:インジウム錫酸化物)等の金属酸化物導電膜が用いられる。ただし、本実施形態においては、トップエミッション構造のため、陽極10は必ずしも光透過性を有する材料を用いる必要はなく、アルミ等からなる金属電極を用いてもよい。この構成を採用した場合は、金属反射板15は設けなくてよい。
有機EL素子21の陰極11を形成するための材料としては、本実施形態はトップエミッション構造であることから光透過性を有する材料である必要があり、したがって透明導電材料が用いられる。透明導電材料としては、例えば、ITOを用いることができるが、これ以外にも、例えば酸化インジウム・酸化亜鉛系アモルファス透明導電膜(Indium Zinc Oxide:IZO/アイ・ゼット・オー(登録商標))等を用いることができる。
また、陰極11は、電子注入効果の大きい(仕事関数が4eV以下)材料が好適に用いられる。例えば、カルシウムやマグネシウム、ナトリウム、リチウム金属、又はこれらの金属化合物である。金属化合物としては、フッ化カルシウム等の金属フッ化物や酸化リチウム等の金属酸化物、アセチルアセトナトカルシウム等の有機金属錯体が該当する。また、これらの材料だけでは、電気抵抗が大きく電極として機能しないため、発光部分を避けるようにアルミニウムや金、銀、銅などの金属層をパターン形成したり、ITOや酸化錫などの透明な金属酸化物導電層との積層体と組み合わせて用いたりしてもよい。
有機EL素子21の発光層12としては、白色に発光する白色発光層が採用されている。この発光層12は、真空蒸着プロセスを用いて図2に示す実表示領域4全面に形成される。発光層12の材料としては、有機発光性材料が用いられ、例えば、スチリルアミン系発光材料,アントラセン系ドーパミント(青色)、或いはスチリルアミン系発光材料,ルブレン系ドーパミント(黄色)が用いられる。なお、発光層12の下層或いは上層に、トリアリールアミン(ATP)多量体正孔注入層、TDP(トリフェニルジアミン)系正孔輸送層、アルミニウムキノリノール(Alq3)層(電子輸送層)を成膜することが好ましい。
有機EL素子21の上には、有機EL素子21及び画素隔壁13、平坦化層16を被覆する透明な電極保護層17が形成されている。この電極保護層17は、透明性や密着性、耐水性、ガスバリア性を考慮して珪素酸窒化物などの珪素化合物で構成することが望ましい。また、電極保護層17の膜厚は100nm以上が好ましく、画素隔壁13を被覆することで発生する応力によるクラック発生を防ぐため、膜厚の上限は200nm以下に設定することが好ましい。なお、本実施形態においては、電極保護層17を単層で形成しているが、複数層で積層してもよい。例えば、低弾性率の下層と高耐水性の上層とで電極保護層17を構成してもよい。
電極保護層17上には、電極保護層17に被せるように透明な平坦化層18が形成されている。平坦化層18は、凹凸部分を埋めるように配置され、さらに、その上面が略平坦に形成されるものであり、この平坦化層18によって、画素隔壁13の形状の影響により、凹凸状に形成された電極保護層17の凹凸が平坦化される。この平坦化層18の上面が略平坦化されているので、平坦化層18上に形成される硬い被膜からなる後述する封止層19も平坦化される。したがって、応力が集中する部位がなくなり、これにより、封止層19でのクラックの発生を防止する。また、平坦化層18は、基板本体20の反りや体積膨張により発生する応力を緩和し、不安定な形状の画素隔壁13からの電極保護層17の剥離を防止する機能を有する。
平坦化層18上には、平坦化層18を被覆する透明な封止層19が、電極保護層17の終端部まで覆うような広い範囲で形成されている。封止層19は、酸素や水分が浸入するのを防止するためのもので、これにより酸素や水分による有機EL素子21の発光層12の劣化等を抑えることができる。封止層19の材質は、透明性、ガスバリア性、耐水性を考慮して、好ましくは窒素を含む珪素化合物、すなわち珪素窒化物や珪素酸窒化物などによって形成される。
封止層19の弾性率は、100GPa以上、具体的には200〜250GPa程度が好ましい。また、封止層19の膜厚は、200〜600nm程度が好ましい。200nm未満であると、異物に対する被覆性が不足し部分的に貫通孔が形成されてしまい、ガスバリア性が損なわれてしまうおそれがあるからであり、600nmを越えると、応力によるクラックが生じてしまうおそれがあるからである。
さらに、封止層19としては、積層構造としてもよいし、その組成を不均一にして特にその酸素濃度が連続的に、あるいは非連続的に変化するような構成としてもよい。なお、積層構造とした場合の膜厚は、第一封止層としては、200〜400nmが好ましく、200nm未満では平坦化層18の表面及び側面被覆が不足してしまう。異物等の被覆性を向上させる第二封止層としては、200〜800nmが好ましい。
総厚1000nm以上を超えるとクラックの発生頻度が上がること及び経済的な面で好ましくない。
また、本実施形態では、有機EL装置1をトップエミッション構造としていることから、封止層19は光透過性を有する必要があり、したがってその材質や膜厚を適宜に調整することにより、本実施形態では可視光領域における光線透過率を例えば80%以上にしている。
上記した構成からなる有機EL装置1によれば、カラーフィルタ基板36におけるカラーフィルタ層37の有機EL素子21側に金属層39が設けられ、この金属層39が遮光層32の一部と平面的に重なる位置に配置されているため、有機EL素子21から発生した熱は、金属層39に伝達されて金属層39から外部に放熱される。このように、放熱性が向上するため、有機EL素子基板35に備えられた有機EL素子21(発光層12)の温度上昇が抑えられ、当該有機EL素子21(発光層12)の劣化を防止することができ、結果として、有機EL装置1(有機EL素子基板35)の長寿命化を図ることができる。
また、金属層39が遮光層32の一部と平面的に重なる位置に配置されているため、有機EL素子21からの発光光は、金属層39に遮光されることなく、カラーフィルタ層37に到達する。このように、有機EL素子基板35にカラーフィルタ基板36を対向配置させた構成の有機EL装置1の場合にも適用することができる。
また、金属層39が、有機EL素子基板35ではなく、遮光層32を有するカラーフィルタ基板36に設けられているため、遮光層32と平面的に重なる位置に金属層39を正確に配置させることができる。
また、有機EL素子基板35の有機EL素子21側の最表層に封止層19が設けられ、有機EL素子基板35とカラーフィルタ基板36とがシール材33を介して貼り合わされているため、有機EL素子21が封止層19により保護される。これによって、有機EL素子21の損傷を防止することができる。また、上記した封止層19により、有機EL素子21が外気に触れることが防がれるため、外気に含まれる湿気等による有機EL素子21(発光層12)の劣化を防止することができる。さらに、上記したシール材33及び接着剤34により、有機EL素子基板35とカラーフィルタ基板36との隙間から外気が入り込むことが防がれる。これにより、有機EL素子21と外気との接触が確実に防がれ、より一層、有機EL素子21(発光層12)の劣化防止を図ることができる。
[電気光学装置の第2の実施の形態]
次に、電気光学装置の第2の実施の形態について図6を用いて説明する。なお、本実施の形態は、有機EL素子基板35及びカラーフィルタ基板36の構成については、上述した第1の実施の形態と同様であるため、第1の実施の形態と同一の符号を付してその説明を省略する。
有機EL装置201(電気光学装置)を構成するカラーフィルタ基板36には、金属層239が設けられている。この金属層239は、有機EL素子基板35(表示素子基板)とカラーフィルタ基板36とシール材233とによって囲まれた空間Y内に配置されている。つまり、金属層239は、平面的にみて、シール材233と重なってなく、有機EL素子基板35又はカラーフィルタ基板36の外縁に沿って延在されたシール材233の内側に収められている。したがって、シール材233は、有機EL素子基板35の封止層19とカラーフィルタ層37の保護層40との間に介在されて、封止層19及び保護層40にそれぞれ密着接合されている。また、有機EL素子基板35とカラーフィルタ基板36とシール材233とによって囲まれた空間Y内には、有機EL素子基板35とカラーフィルタ基板36とを貼り合せるための接着剤234が介在されている。なお、上記したシール材233、接着剤234及び金属層239は、上記した点以外は、上述した第1の実施の形態におけるシール材33、接着剤34及び金属層39と同様である。
上記した構成からなる有機EL装置201では、金属層239が、有機EL素子基板35とカラーフィルタ基板36とシール材233とによって囲まれた空間Y内に配置されているため、金属層239があっても有機EL装置201のパネル厚が厚くならない。つまり、上記した構成からなる有機EL装置201では、金属層239が無い従来の有機EL装置とパネル厚が同じである。また、シール材233の高さ(厚さ)範囲内であれば、有機EL装置201のパネル厚を変えることなく、金属層239を厚く形成することができ、放熱効率を向上させることができる。また、上記した構成からなる有機EL装置201では、金属層239が有機EL素子基板35(有機EL素子21)に近づく。つまり、第1の実施の形態の場合と比較して、金属層239と有機EL素子21との間隔が短くなっている。このため、金属層239による放熱効率が良くなり、放熱性を向上させることができる。
[電気光学装置の第3の実施の形態]
次に、電気光学装置の第3の実施の形態について図7を用いて説明する。なお、本実施の形態は、有機EL素子基板35の構成については、上述した第1、第2の実施の形態と同様であるため、第1、第2の実施の形態と同一の符号を付してその説明を省略する。
有機EL装置301(電気光学装置)を構成するカラーフィルタ基板336は、有機EL素子基板35よりも少なくとも一方側に大きく、カラーフィルタ基板336の少なくとも一部が、有機EL素子基板35よりも外方に延ばされて張り出されている。具体的には、カラーフィルタ基板336を構成する基板本体331、遮光層332及び保護層340が有機EL素子基板35より張り出されている。そして、遮光層332と重なる位置に形成される金属層339は、上記したカラーフィルタ基板336の張出部336a上にも形成されている。つまり、金属層339の一部(延在部分339a)が、有機EL素子基板35よりも外方に延在して張り出されており、有機EL素子基板35の外方で露出されている。
また、金属層339の延在部分339aには、放熱部材350が配置されている。この放熱部材350は、金属層339の熱が伝達されるように、金属層339の延在部分339aに直接的或いは間接的に接続されるものであり、例えば、ヒートシンク等がある。なお、有機EL装置301を収納する図示せぬフレームを金属層339の延在部分339aに接触させて、これを放熱部材350としてもよい。
上記した構成からなる有機EL装置301によれば、金属層339の一部(延在部分339a)が、有機EL素子基板35より張り出されて有機EL素子基板35の外方で露出されているため、金属層339に伝達された熱は、露出された延在部分339aで放熱されることになる。したがって、金属層339に伝達された熱を効率的に放熱させることができ、結果として、有機EL装置301の熱を効果的に放熱させることができる。
また、上記した構成からなる有機EL装置301によれば、露出した金属層339の延在部分339aに放熱部材350が配置されているため、金属層339の熱が放熱部材350に伝達され、有機EL装置301内の熱を一層効果的に放熱させることができる。
なお、第3の実施の形態における有機EL装置301の構成において、上述した第2の実施の形態と同様に、有機EL素子基板35とカラーフィルタ基板336とシール材33とによって囲まれた空間Y内に金属層339が配置された構成とすることもできる。具体的には、有機EL素子基板35の周縁方向に沿って延在するシール材33の一部を切除或いは凹状に窪まして開口を形成し、この開口に金属層339の延在部分339aを通すことで、延在部分339aを有機EL素子基板35の外方に張り出させて露出させることができる。
以上、本発明に係る電気光学装置の実施の形態について説明したが、本発明は上記した実施の形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。例えば、上記した実施の形態では、電気光学装置として、有機EL素子21を備えたトップエミッション構造の有機EL装置1,201,301を示しているが、本発明は、液晶表示装置やプラズマディスプレイ装置にも適用することができる。
また、上記した実施の形態では、有機EL素子基板35の有機EL素子21側の最表層に封止層19が設けられ、有機EL素子基板35とカラーフィルタ基板36,336とがシール材33,233を介して貼り合わされているが、本発明は、有機EL素子基板35の有機EL素子21側の最表層に封止層19が設けられていない構成にすることも可能であり、また、有機EL素子基板35とカラーフィルタ基板36,336との間にシール材33.233が介在されていない構成にすることも可能である。
また、上記した実施の形態では、金属層39,239,339の幅W1は、遮光層32,332の幅W2よりも若干小さくなっているが、本発明は、金属層39,239,339の幅W1と遮光層32,332の重なる部分32a,332aの幅W2とが同じであって、金属層39,239,339と遮光層32,332とがずれ無く重なり合う構成であってもよい。さらに、本発明は、金属層39,239,339の幅W1が遮光層32,332の重なる部分32a,332aの幅W2よりも大きくすることも可能である。つまり、本発明では、金属層39,239,339の一部がカラーフィルタ層37と重なっている構成であってもよく、カラーフィルタ層37の少なくとも一部と平面的に重ならない位置に配置されていればよい。
また、上記した実施の形態では、金属層39,239,339が、遮光層32,332の一部32a,332aと平面的に重なる位置に配置されているが、本発明は、金属層39,239,339が、遮光層32,332の全部と平面的に重なる位置に配置されていてもよい。つまり、金属層39,239,339を遮光層32,332と平面的に全く同じ形状にしてもよい。
また、上記した実施の形態では、白色発光の発光層12を有する有機EL素子21が備えられているが、本発明は、発光層12が白色以外の発光をするものであってもよく、例えば、異なる色(例えば、赤、緑、青)に塗分けされた発光層12を有する有機EL素子21を備えるものであってもよい。
その他、本発明の主旨を逸脱しない範囲で、上記した実施の形態における構成要素を周知の構成要素に置き換えることは適宜可能であり、また、上記した変形例を適宜組み合わせてもよい。
[電子機器の実施の形態]
次に、前記実施形態の有機EL装置1,201,301を備えた電子機器の例について説明する。
図8(a)は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図8(a)において、符号50は携帯電話本体を示し、符号51は有機EL装置1,201,301を備えた表示部を示している。
図8(b)は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図8(b)において、符号60は情報処理装置、符号61はキーボードなどの入力部、符号63は情報処理本体、符号62は有機EL装置1,201,301を備えた表示部を示している。
図8(c)は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図8(c)において、符号70は時計本体を示し、符号71は有機EL装置1,201,301を備えたEL表示部を示している。
図8(a)〜(c)に示す電子機器は、先の実施形態に示した有機EL装置1,201,301が備えられたものであるので、表示特性が良好な電子機器となる。
なお、電子機器としては、前記電子機器に限られることなく、種々の電子機器に適用することができる。例えば、ディスクトップ型コンピュータ、液晶プロジェクタ、マルチメディア対応のパーソナルコンピュータ(PC)及びエンジニアリング・ワークステーション(EWS)、ページャ、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、POS端末、タッチパネルを備えた装置等の電子機器に適用することができる。
本発明の実施の形態における有機EL装置の配線構造を示す模式図である。 本発明の実施の形態における有機EL装置の構成を模式的に示す平面図である。 本発明の第1の実施の形態における有機EL装置の構成を模式的に示す断面図である。 本発明の実施の形態における有機EL装置のカラーフィルタ基板を模式的に示す平面図である。 本発明の実施の形態における有機EL装置の有機EL素子基板を模式的に示す断面図である。 本発明の第2の実施の形態における有機EL装置の構成を模式的に示す断面図である。 本発明の第3の実施の形態における有機EL装置の構成を模式的に示す断面図である。 本発明の実施の形態における電子機器を示す図である。
符号の説明
1, 201,301…有機EL装置(電気光学装置)
19…封止層
21…有機EL素子(表示素子)
32,332…遮光層
33,233…シール材
35…有機EL素子基板(表示素子基板)
36,336…カラーフィルタ基板
37…カラーフィルタ層
39,239,339…金属層

Claims (5)

  1. 表示素子を備えた表示素子基板と、異なる色のカラーフィルタ層及び該カラーフィルタ層間を区画する遮光層を備えたカラーフィルタ基板とが、前記表示素子側と前記カラーフィルタ層側とが対向するように貼り合わされた構成の電気光学装置であって、
    前記カラーフィルタ基板における前記カラーフィルタ層の前記表示素子側に金属層が設けられ、該金属層が、前記遮光層の少なくとも一部と平面的に重なって前記カラーフィルタ層の少なくとも一部と平面的に重ならない位置に配置され
    前記表示素子基板の前記表示素子側の最表層に封止層が設けられ、
    前記表示素子基板と前記カラーフィルタ基板とがシール材を介して貼り合わされ、
    前記表示素子基板と前記カラーフィルタ基板とがシール材を介して貼り合わされ、
    前記金属層が、前記表示素子基板と前記カラーフィルタ基板と前記シール材とによって囲まれた空間内に配置されており、
    前記金属層の一部が、前記表示素子基板よりも張り出されて前記表示素子基板の外方で露出されていることを特徴とする電気光学装置。
  2. 露出した前記金属層の延在部分に放熱部材が配置されていることを特徴とする請求項に記載の電気光学装置。
  3. 前記表示素子基板が、前記表示素子として有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたトップエミッション構造の有機エレクトロルミネッセンス素子基板であることを特徴とする請求項1又は2に記載の電気光学装置。
  4. 前記金属層が形成される領域が、平面的にみて前記遮光層が形成される領域の中に収まっていることを特徴とする請求項1ないしのいずれか一項に記載の電気光学装置。
  5. 請求項1ないしのいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
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