JP4112036B2 - 表示装置 - Google Patents
表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4112036B2 JP4112036B2 JP35895896A JP35895896A JP4112036B2 JP 4112036 B2 JP4112036 B2 JP 4112036B2 JP 35895896 A JP35895896 A JP 35895896A JP 35895896 A JP35895896 A JP 35895896A JP 4112036 B2 JP4112036 B2 JP 4112036B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aluminum nitride
- substrate
- liquid crystal
- film
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本明細書で開示する発明は、アクティブマトリクス型の液晶表示装置の構成に関する。
【0002】
【従来の技術】
ガラス基板や石英基板上にアクティブマトリクス回路と周辺駆動回路を薄膜トランジスタでもって集積化して構成した液晶表示装置が知られている。
【0003】
近年、画素数の増加、、表示画像の微細化、高速表示化等に伴って、上記回路を構成する薄膜トランジスタに要求される動作速度は、ますます高くなる傾向にある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
液晶表示装置は、一対の基板間に液晶が密封された構造を有している。従って、上述したような素子の高速化に伴って、素子自体の発熱が問題となる。
【0005】
本明細書で開示する発明は、上述した周辺駆動回路を一体化したアクティブマトリクス型の液晶表示装置における発熱の問題を解決する構成を提供することを課題とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本明細書で開示する発明は、
一対の基板間に液晶材料が挟んで保持された構成を有し、
一方の基板の液晶材料に面した表面上には薄膜トランジスタで構成された回路が配置されており、
他方の基板の液晶材料に面した表面上には酸素を意図的に含有させた窒化アルミニウム膜が形成されていることを特徴とする。
【0007】
窒化アルミニウム膜に酸素を意図的に含有させるのは、一般に基板に利用されるガラスや石英との密着性を高めるためである。窒化アルミニウム単体であると、基板からの剥離の問題が生じる。また、対向電極として配置されるITO膜(このITO電極は窒化アルミニウム膜上に成膜される)の密着性を高めるためにも窒化アルミニウム膜中に酸素を含有させることが必要である。
【0008】
また上記構成において、
液晶材料は封止材によって封止されており、
窒化アルミニウム膜は封止材の外側まで延在して形成されていることを特徴とする。
【0009】
また、窒化アルミニウムの封止材の外側まで延在した領域には、冷却手段が配置されていることを特徴とする。この冷却手段は、ペルチェ素子のような強制的に冷却を行うものでもよいし、外部に設けられたヒートシンクのように放熱効果を高めるものえもよい。
【0010】
上記発明においては、液晶材料を介して薄膜トランジスタの発生した熱を窒化アルミニウム膜に伝導させるので、液晶材料の厚さは、5μm以下であることが望ましい。
【0011】
【発明の実施の形態】
図1に示すように周辺駆動回路を構成するTFT102、103、及びアクティブマトリクス回路を構成するTFT104とを同一の石英基板101上に集積化した構造を有するアクティブマトリクス型の液晶表示装置において、対向基板112側に酸素を含有した窒化アルミ(AlN)層113を配置する。
【0012】
窒化アルミ層は、その熱電導率が珪素や酸化珪素に比較して極めて大きいので、素子102、103、104で発生した熱は、窒化アルミ層113を伝導して放熱される。
【0013】
【実施例】
〔実施例1〕
図1に本明細書で開示する発明を用いた実施例を示す。図1において、101が石英基板、112が石英基板またはガラス基板である。
【0014】
石英でなるTFT基板101側には、周辺駆動回路を構成するためのPチャネル型のTFT102とNチャネル型のTFT103が配置されている。また、アクティブマトリクス回路に配置されるNチャネル型の薄膜トランジスタ104が配置されている。
【0015】
110は層間絶縁膜を構成する樹脂膜である。樹脂膜としては、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、それらの材料を複合化あるいは積層化したもの等を用いることができる。ここでは、ポリイミド樹脂を利用する場合を示す。
【0016】
また、樹脂膜以外に酸化珪素膜や窒化珪素膜を用いることもできる。
【0017】
109も層間絶縁膜であって、この膜もポリイミド樹脂膜で構成されている。108は遮光膜及びブラックマトリクスを構成するアルミニウムでとチタン膜との積層膜である。
【0018】
109も層間絶縁膜であって、この膜もポリイミド樹脂膜で構成されている。111は、画素電極を構成するITO膜である。また図示しないが、画素電極の上には、ポリイミド樹脂膜でなる配向膜が形成されている。
【0019】
115で示される部分には、液晶が封止されている。106はアクリル系の封止材料であって、基板101と112の間隔を保持し、また液晶が外部に漏れでないようにする機能を有している。
【0020】
112は対向側の基板である。この基板は石英基板またはガラス基板でもって構成される。113は酸素を含有した窒化アルミニウム膜である。この窒化アルミニウム膜113は、102、103、104等の素子が発する熱を吸収し、放熱する機能を有している。
【0021】
この酸素を含有させた窒化アルミニウム膜は、スパッタ法によって成膜する。この際、雰囲気中に酸素を10〜50%含有させる。
【0022】
この酸素含有させた窒化アルミニウム膜は、AlNOx (0<X<1)で示される組成を有している。
【0023】
本実施例では、液晶層115の厚さを5μm以下というように薄くした構成とする。こうすることで、TFT基板側に配置された素子で発生した熱を対向基板側に配置された窒化アルミニウム膜へと効率良く伝導させることができる。
【0024】
114で示されるのは、ITO電極である。このITO電極の液晶層側には、図示しない配向処理手段が形成されている。
【0025】
105で示されるのは、ペルチャネ原理を利用した冷却手段である。この冷却手段により、窒化アルミニウム層113に吸収された熱を液晶パネル外部に引き出し、液晶パネル内が高温になることを防ぐ。
【0026】
またペルチェ素子のようなアクティブな冷却手段ではなく、熱伝導率の高い金属材料等を用いた放熱手段を105の部分に設けるのでもよい。
【0027】
(薄膜トランジスタの作製方法)
まず石英基板801上に減圧熱CVD法により、非晶質珪素膜802を500Åの厚さに成膜する。石英基板は、その表面が十分に平滑なものを用いることが重要である。
【0028】
非晶質珪素膜の膜厚は、100Å〜1000Å程度とすることが好ましい。これは、後のソース及びドレイン領域の活性化工程において行われるレーザー光の照射によるアニール効果を得るには、活性層の膜厚がある程度薄くなければならないからである。
【0029】
非晶質珪素膜802を成膜したら、プラズマCVD法で成膜される酸化珪素膜でもって、803で示すマスクを形成する。このマスクは、805で示される開口が形成されており、この部分で非晶質珪素膜802が露呈する構造となっている。
【0030】
この開口部805は、図面手前側から奥行き方向に長手状を有するものとなっている。
【0031】
マスク803を形成したら、重量換算で10ppmのニッケルを含んだニッケル酢酸塩溶液をスピンコート法で塗布する。こうして、804で示されるようにニッケル元素が表面に接して保持された状態を得る。(図3(A))
【0032】
ここでは、溶液を用いたニッケル元素の導入方法を示すが、他にCVD法、スパッタ法、プラズマ処理、ガス吸着法等の方法により、非晶質珪素膜の表面にニッケル元素を導入することができる。
【0033】
また、より精密にその量と位置を制御して、ニッケル元素を導入する方法として、イオン注入法による方法を挙げることができる。
【0034】
また、ニッケル元素以外にFe、Co、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Cu、Auから選ばれた元素を利用することができる。これらの元素は、珪素の結晶化を助長する機能を有している。
【0035】
次に600℃、8時間の加熱処理を窒素雰囲気中で施す。この工程において、800で示されるような基板に平行な方向への結晶成長が進行する。
【0036】
この加熱処理による結晶化の後においては、膜中に高い密度で欠陥が含まれており、後に詳述するような結晶構造の特異性も顕著なものではない。(図3(A))
【0037】
なお、上記の加熱処理は、450℃〜基板の耐えうる温度(石英基板の場合は1100℃程度)の温度範囲において行うことができる。
【0038】
次にマスク803を除去する。そして、HClを3体積%含んだ酸素雰囲気中において、950℃、20分の加熱処理を施す。この工程で熱酸化膜が珪素膜の表面に200Åの厚さに成膜される。また、この工程において、珪素膜の膜厚は400Åに減少する。
【0039】
この加熱処理工程は重要である。この加熱処理の工程において、結晶性珪素膜のアニールと膜中からのニッケル元素の除去が行われる。この加熱処理を施すことにより、特定の方向に幅が0.5 μm〜2μm程度の柱状に延在した多数の柱状の結晶構造体でなる特異な結晶性珪素膜を得ることができる。
【0040】
熱酸化膜を形成することの効果は、2つある。1つは、ニッケル元素が熱酸化膜中に取り込まれることにより、珪素膜中のニッケル元素を減少させるという効果である。
【0041】
もう一つは、熱酸化膜の形成に従って、余剰であったり、また結合が不安定であったりする珪素原子が熱酸化膜の形成に消費され、そのことにより欠陥が大きく減少し、結晶性が高まるという効果である。
【0042】
熱酸化膜を形成したら、この熱酸化を除去する。この熱酸化膜中には、比較的高濃度にニッケル元素が含まれている。従って、この熱酸化膜を除去することにより、最終的にデバイス特性にニッケル元素の影響が及ぶことを抑制することができる。
【0043】
こうして厚さ400Åの珪素膜を得たら、次にパターニングを施すことにより、薄膜トランジスタの活性層を形成する。図3には、806と807で示される活性層が示されている。
【0044】
ここで重要なのは、上記の結晶成長方向(先の円柱状の結晶構造体の延在方向に一致する)に合わせて、ソース/ドレインを結ぶ方向、あるいはチャネルにおけるキャリアの移動方向を設定することである。
【0045】
図3(B)において、806はPチャネル型の薄膜トランジスタの活性層であって、807はNチャネル型の薄膜トランジスタの活性層である。
【0046】
なお、図には2つの薄膜トランジスタの作製工程が示されているのみであるが、実際には図2に例示するようなニッケル添加領域が基板上に多数設けられ、多数の薄膜トランジスタが同時に形成される。
【0047】
活性層を形成したら、ゲイト絶縁膜の一部となる酸化珪素膜をプラズマCVD法によって300Åの厚さに成膜する。さらに再度の熱酸化をHClを3体積%含んだ酸素雰囲気中において行い、熱酸化膜を300Åの厚さに成膜する。こうして、CVD酸化珪素膜と熱酸化膜とでなる厚さ600Åでなるゲイト絶縁膜が得られる。また、この再度の熱酸化膜の形成に従い、活性層の厚さは250Åに減少する。
【0048】
次にアルミニウムでなるゲイト電極808と809を形成する。このゲイト電極の形成後、陽極酸化を行いまず多孔質状の陽極酸化膜810、811を形成する。さらに再度の陽極酸化を行い緻密な膜質を有する陽極酸化膜812、813を形成する。陽極酸化膜の膜質の違いは、電解溶液の種類により選択することができる。
【0049】
次に露呈したゲイト絶縁膜を除去する。図3(B)には、残存したゲイト絶縁膜814と815とが示されている。
【0050】
この状態で導電型を付与するためのドーピングをプラズマドーピング法でもって行う。ここでは、まずNチャネル型の薄膜トランジスタとなる領域をレジストマスクでマスクし、B(ボロン)のドーピングを行う。そして、Pチャネル型の薄膜トランジスタとなる領域をレジストマスクでマスクし、P(リン)のドーピングを行う。
【0051】
この工程におけるドーピングは、ソース及びドレイン領域を形成するために条件で行う。この工程でPチャネル型のTFTのソース領域816、ドレイン領域817、さらにNチャネル型のTFTのソース領域819、ドレイン領域818が自己整合的に形成される。
【0052】
こうして図3(B)に示す状態を得る。次に多孔質状の陽極酸化膜810、811を除去する。
【0053】
次に再度のドーピングをライトドーピングの条件でもって行う。この工程において、低濃度不純物領域820、821、823、824が自己整合的に形成される。また、チャネル形成領域825と826が自己整合的に形成される。
【0054】
ここで、ドレイン領域側の低濃度不純物領域がLDD(ライトドープドレイン)と称される領域となる。
【0055】
ドーピングの終了後、レーザー光を照射することにより、ドーピングされた元素の活性化とドーピング時に生じた活性層の損傷のアニールを行う。なお、この工程は紫外光や赤外光の照射による方法を用いて行ってもよい。
【0056】
次に層間絶縁膜として窒化珪素膜827をプラズマCVD法により1500Åの厚さに成膜し、さらにポリイミド樹脂による層間絶縁膜828を形成する。層間絶縁膜に樹脂を利用すると、その表面を平坦にすることができる。
【0057】
ポリイミド樹脂の他には、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂等を利用することができる。
【0058】
次にコンタクト用の開口を形成し、Pチャネル型TFTのソース電極(及びソース配線)829、ドレイン電極(及びドレイン配線)830を形成する。さらにNチャネル型TFTのソース電極(及びソース配線)832、ドレイン電極(及びドレイン配線)831を形成する。
【0059】
こうして、Pチャネル型の薄膜トランジスタとNチャネル型の薄膜トランジスタとを集積化した構成を得る。
【0060】
ここで示した方法により得られる薄膜トランジスタは、数十MHz以上の速度で動作させることができる。しかし、高速動作に従う発熱も大きなものとなる。従って、このような高速動作を行わすことができる薄膜トランジスタを利用する場合に図1に示すような構成とすることは有用である。
【0061】
図2に一枚の基板上に薄膜トランジスタでもって色々な機能を有す回路を集積化した構成を有するアクティブマトリクス型の液晶表示装置のブロック図を示す。
【0062】
図2に示すような回路構成が複雑化すると、それだけ素子や回路の発熱の問題が顕在化するので、本明細書で開示する発明をりようした放熱構造は有用なものとなる。
【0063】
(実施例2〕
本実施例は、反射型の液晶表示装置の場合の例である。反射型の液晶表示装置の場合、画素電極に反射性のものを用いる。ここでは、表面に微妙な凹凸を形成し、入射光を乱反射するようにしたアルミニウム膜を画素電極として利用する。
【0064】
〔実施例3〕
本実施例は、図1に示す構成において、薄膜トランジスタに形式として、ボトムゲイト型のものを利用した場合の例である。ボトムゲイト型のものであっても高速動作をさせれば発熱が問題になる。従って、図1に示すような窒化アルミニウム膜113を用いた放熱構造は有用なものとなる。
【0065】
〔応用例〕
本明細書で開示する発明の放熱構造を有したアクティブマトリクス型の液晶表示装置は、以下に示すような装置に応用することができる。
【0066】
例えば、モバイルコンピュータと呼ばれる携帯型の情報端末、カーナビゲーシンシステムの表示装置、プロジェクション型の表示装置。
【0067】
【発明の効果】
本明細書で開示する発明を利用することにより、周辺駆動回路を一体化したアクティブマトリクス型の液晶表示装置における発熱の問題を解決することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 アクティブマトリクス型の液晶表示装置の断面の概略を示す図。
【図2】 アクティブマトリクス型の液晶表示装置の構成を示すブロック図。
【図3】 薄膜トランジスタの作製工程を示す図。
【符号の説明】
101 TFT側石英基板
102、103、104 薄膜トランジスタ
105 冷却手段
106 封止材料
107 樹脂層間絶縁膜
108 遮光膜
109 樹脂層間絶縁膜
110 樹脂層間絶縁膜
111 画素電極
112 対向基板
113 酸素を含有した窒化アルミニウム膜
114 ITO膜
115 液晶層
Claims (5)
- 第1基板上に配置された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタと電気的に接続する第1電極と、
前記第1電極上の第1配向膜と、
前記第1配向膜上の液晶材料と、
前記液晶材料上の第2配向膜と、
前記第2配向膜上の第2電極と、
前記第2電極上の酸素を含有する窒化アルミニウム膜と、
前記窒化アルミニウム膜上の第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板の間に配置された前記液晶材料を封止する封止材とを有し、
前記第1基板上には周辺駆動回路とアクティブマトリクス回路が形成されており、
前記薄膜トランジスタは前記アクティブマトリクス回路を構成し、
前記窒化アルミニウム膜は前記薄膜トランジスタで発生した熱を前記液晶材料を介して吸収し放熱することを特徴とする表示装置。 - 第1基板上に配置された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタと電気的に接続する第1電極と、
前記第1電極上の第1配向膜と、
前記第1配向膜上の液晶材料と、
前記液晶材料上の第2配向膜と、
前記第2配向膜上の第2電極と、
前記第2電極上の酸素を含有する窒化アルミニウム膜と、
前記窒化アルミニウム膜上の第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板の間に配置された前記液晶材料を封止する封止材と、
前記窒化アルミニウム膜に前記第2電極を介して配置された冷却手段または放熱手段とを有し、
前記第1基板上には周辺駆動回路とアクティブマトリクス回路が形成されており、
前記薄膜トランジスタは前記アクティブマトリクス回路を構成し、
前記窒化アルミニウム膜は前記薄膜トランジスタで発生した熱を前記液晶材料を介して吸収し放熱することを特徴とする表示装置。 - 請求項2において、前記窒化アルミニウム膜は前記封止材の外側まで延在して形成され、前記窒化アルミニウム膜の封止材の外側まで延在した領域には前記冷却手段または前記放熱手段が配置されていることを特徴とする表示装置。
- 請求項2または請求項3において、前記冷却手段はペルチェ素子であることを特徴とする表示装置。
- 請求項1乃至請求項4のいずれか一において、前記窒化アルミニウム膜はAlNOx(0<X<1)で示される組成であることを特徴とする表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP35895896A JP4112036B2 (ja) | 1996-12-30 | 1996-12-30 | 表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP35895896A JP4112036B2 (ja) | 1996-12-30 | 1996-12-30 | 表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10197854A JPH10197854A (ja) | 1998-07-31 |
JP4112036B2 true JP4112036B2 (ja) | 2008-07-02 |
Family
ID=18461998
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP35895896A Expired - Fee Related JP4112036B2 (ja) | 1996-12-30 | 1996-12-30 | 表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4112036B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000172191A (ja) | 1998-12-04 | 2000-06-23 | Fujitsu Ltd | 平面表示装置 |
JP4978138B2 (ja) * | 2006-09-29 | 2012-07-18 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
-
1996
- 1996-12-30 JP JP35895896A patent/JP4112036B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH10197854A (ja) | 1998-07-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6549272B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
US7449376B2 (en) | Method of manufacturing a semiconductor device | |
JP4413478B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
US9035314B2 (en) | Method for manufacturing an electrooptical device | |
US7033871B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
KR100881992B1 (ko) | 반도체장치 제조방법 | |
US7538011B2 (en) | Method of manufacturing a semiconductor device | |
JP5298110B2 (ja) | 半導体装置の作製方法、及び半導体装置 | |
US7351617B2 (en) | Semiconductor device and a method of manufacturing the same | |
JP4798907B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2001007342A (ja) | 半導体装置およびその作製方法 | |
US6490021B1 (en) | Reflective type semiconductor display device | |
US6337235B1 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
JP2003023161A (ja) | 半導体装置及びその作製方法 | |
JP4578611B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JP2000299470A (ja) | 半導体装置およびその作製方法 | |
JP4112036B2 (ja) | 表示装置 | |
JP4558140B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JP2000183360A (ja) | 半導体素子からなる半導体回路を備えた半導体装置およびその作製方法 | |
JP4656685B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP4641586B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JP2002359191A (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JP4700159B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JP4939699B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JP2002353141A (ja) | 半導体装置の作製方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060130 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070109 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070301 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070515 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070710 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071127 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080122 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080130 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20080307 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080408 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080409 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110418 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110418 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110418 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120418 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130418 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130418 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140418 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |