JP4413478B2 - 半導体装置の作製方法 - Google Patents

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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという）で構成された回路を有する半導体装置およびその作製方法に関する。例えば、液晶表示パネルに代表される電気光学装置およびその様な電気光学装置を部品として搭載した電子機器に関する。特に本発明は、剥離方法を用いて半導体装置を作製するものである。また、剥離方法を自動化するための製造装置も本発明の一つである。
【０００２】
なお、本明細書中において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指し、電気光学装置、発光装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装置である。
【０００３】
【従来の技術】
近年、絶縁表面を有する基板上に形成された半導体薄膜（厚さ数〜数百ｎｍ程度）を用いて薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を構成する技術が注目されている。薄膜トランジスタはＩＣや電気光学装置のような電子デバイスに広く応用され、特に画像表示装置のスイッチング素子として開発が急がれている。
【０００４】
このような画像表示装置を利用したアプリケーションは様々なものが期待されているが、特に携帯機器への利用が注目されている。現在、ガラス基板や石英基板が多く使用されているが、割れやすく、重いという欠点がある。また、大量生産を行う上で、ガラス基板や石英基板は大型化が困難であり、不向きである。そのため、可撓性を有する基板、代表的にはフレキシブルなプラスチックフィルムの上にＴＦＴ素子を形成することが試みられている。
【０００５】
しかしながら、プラスチックフィルムの耐熱性が低いためプロセスの最高温度を低くせざるを得ず、結果的にガラス基板上に形成する時ほど良好な電気特性のＴＦＴを形成できないのが現状である。そのため、プラスチックフィルムを用いた高性能な液晶表示装置や発光素子は実現されていない。
【０００６】
また、基板上に分離層を介して存在する被剥離層を前記基板から剥離する剥離方法が既に提案されている。例えば、特開平１０−１２５９２９号公報、特開平１０−１２５９３１号公報に記載された技術は、非晶質シリコン（またはポリシリコン）からなる分離層を設け、基板を通過させてレーザー光を照射して非晶質シリコンに含まれる水素を放出させることにより、空隙を生じさせて基板を分離させるというものである。加えて、この技術を用いて特開平１０−１２５９３０号公報には被剥離層（公報では被転写層と呼んでいる）をプラスチックフィルムに貼りつけて液晶表示装置を完成させるという記載もある。
【０００７】
しかしながら、上記方法では、透光性の高い基板を使用することが必須であり、基板を通過させ、さらに非晶質シリコンに含まれる水素を放出させるに十分なエネルギーを与えるため、比較的大きなレーザー光の照射が必要とされ、被剥離層に損傷を与えてしまうという問題がある。また、上記方法では、分離層上に素子を作製した場合、素子作製プロセスで高温の熱処理等を行えば、分離層に含まれる水素が拡散して低減してしまい、レーザー光を分離層に照射しても剥離が十分に行われない恐れがある。従って、分離層に含まれる水素量を維持するため、分離層形成後のプロセスが制限されてしまう問題がある。また、上記公報には、被剥離層への損傷を防ぐため、遮光層または反射層を設ける記載もあるが、その場合、透過型液晶表示装置を作製することが困難である。加えて、上記方法では、大きな面積を有する被剥離層を剥離するのは困難である。
【０００８】
また、従来の剥離方法において、剥離現象を引き起こす層（分離層等）として薄膜を用いているため、基板内での膜厚の不均一が生じた場合、分離層と基板との密着性が不均一となり、剥離の際に剥がれ残りや基板の割れなどの剥離不良が生じやすかった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記問題点を鑑みてなされたものであり、本発明は、被剥離層に損傷を与えない剥離方法を提供し、小さな面積を有する被剥離層の剥離だけでなく、大きな面積を有する被剥離層を全面に渡って剥離不良なく剥離することを可能とすることを課題としている。
【００１０】
また、本発明は、被剥離層の形成において、熱処理温度、基板の種類等の限定を受けない剥離方法を提供することを課題としている。
【００１１】
また、本発明は、様々な基材に被剥離層を貼りつけ、軽量された半導体装置およびその作製方法を提供することを課題とする。特に、フレキシブルなフィルムにＴＦＴを代表とする様々な素子（薄膜ダイオード、シリコンのＰＩＮ接合からなる光電変換素子（太陽電池、センサ等）やシリコン抵抗素子）を貼りつけ、軽量化された半導体装置およびその作製方法を提供することを課題とする。
【００１２】
また、本発明は、剥離を行うための製造装置を提供することも課題とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、数多くの実験、検討を重ねているうちに、基板上に設けた第１の材料層を設け、さらに前記第１の材料層に接して第２の材料層を設け、さらに第２の材料層上に成膜または５００℃以上の熱処理を行い、各膜の内部応力を測定したところ、前記第１の材料層は引張応力を有し、前記第２の材料層は圧縮応力を有していた。この第１の材料層と第２の材料層との積層は、膜剥がれ（ピーリング）などのプロセス上の異常は生じない一方、物理的手段、代表的には機械的な力を加えること、例えば人間の手で引き剥がすことで容易に第２の材料層の層内または界面において、きれいに分離できる。
【００１４】
即ち、第１の材料層と第２の材料層との結合力は、熱エネルギーには耐え得る強さを有している一方、剥離する直前において、引張応力を有する第１の材料層と圧縮応力を有する第２の材料層との間には応力歪みを有しているため、力学的エネルギーに弱く、剥離する。本発明者らは、剥離現象は膜の内部応力と深い関連があることを見出し、このように膜の内部応力を利用して剥離を行う剥離工程をストレスピールオフプロセスと呼ぶ。
【００１５】
また、剥離を行う前に剥離現象が生じやすくなるように、きっかけをつくることが重要であり、密着性を選択的（部分的）に低下させる前処理を行うことで、剥離不良がなくなり、さらに歩留まりも向上する。
【００１６】
即ち、基板の周縁部においては、基板の中央部に比べ、膜厚の薄い部分が形成されやすく、膜厚が薄いと基板との密着性が高くなる部分が形成され、その部分が剥がれにくい箇所となっていると考えられる。この密着性の高い基板の周縁部付近のみにレーザー光を走査させたり、針を薄膜に垂直に押しつけて荷重をかけて基板周縁に沿って動かして引っ掻くことを行った後、剥離を行うと剥がれ残りなく剥離することができる。
【００１７】
また、剥離する際には上記前処理を行った領域付近から剥離を始めることが望ましい。
【００１８】
また、上記前処理を剥離する前に行うことにより、剥がれ残りがなくなるだけでなく、剥離できなかった材料層が新たに剥離可能となる。即ち、第１の材料層または第２の材料層のマージン、例えば材料の種類数を増やしたり、膜厚の範囲を広げることが可能となる。
【００１９】
本明細書で開示する剥離方法に関する発明の構成１は、
被剥離層を基板から剥離する剥離方法であって、
前記基板上に第１の材料層が設けられており、前記第１の材料層が設けられた基板上に少なくとも前記第１の材料層と接する第２の材料層を含む積層からなる被剥離層を形成し、
前記第２の材料層と前記第１の材料層との密着性を部分的に低下させる処理を行った後、
前記被剥離層を前記第１の材料層が設けられた基板から物理的手段により前記第２の材料層の層内または界面において剥離することを特徴とする剥離方法である。
【００２０】
また、上記構成１において、前記第１の材料層は、１〜１×１０10（Dyne/cm2）の範囲で引張応力を有することを特徴としている。前記第１の材料層としては、上記範囲の引張応力を有する材料であれば、特に限定されず、金属材料（Ｔｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｄ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔなど）、半導体材料（例えばＳｉ、Ｇｅなど）、絶縁体材料、有機材料のいずれか一層、またはこれらの積層を用いることができる。なお、１〜１×１０10（Dyne/cm2）よりも大きな引張応力を有する膜は、熱処理を加えた場合、ピーリングを起しやすい。
【００２１】
また、上記構成１において、前記第２の材料層は、−１〜−１×１０10（Dyne/cm2）の範囲で圧縮応力を有することを特徴としている。前記第２の材料層としては、上記範囲の圧縮応力を有する材料であれば、特に限定されず、金属材料（Ｔｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｄ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔなど）、半導体材料（例えばＳｉ、Ｇｅなど）、絶縁体材料、有機材料のいずれか一層、またはこれらの積層を用いることができる。なお、−１×１０10（Dyne/cm2）よりも大きな圧縮応力を有する膜は、熱処理を加えた場合、ピーリングを起しやすい。
【００２２】
また、第１の材料層は、形成直後で圧縮応力を示しても、剥離する直前において引張応力を有する材料を使用することもできる。
【００２３】
また、上記構成において、基板と第１の材料層の間に他の層、例えば絶縁層や金属層等を設けて密着性を向上させてもよいが、プロセスを簡略化するためには、基板上に接して第１の材料層を形成することが好ましい。
【００２４】
また、上記構成において、さらに剥離を助長させるため、前記支持体を接着する前に、加熱処理またはレーザー光を照射してもよい。この場合、第１の材料層にはレーザー光を吸収する材料を選択し、第１の材料層を加熱させることによって、膜の内部応力を変化させて剥がれやすくしてもよい。ただし、レーザー光を用いる場合は、基板として透光性のものを用いる。
【００２５】
なお、本明細書中、物理的手段とは、化学ではなく、物理学により認識される手段であり、具体的には、力学の法則に還元できる過程を有する力学的手段または機械的手段を指し、何らかの力学的エネルギー（機械的エネルギー）を変化させる手段を指している。
【００２６】
また、支持体を接着層で接着した後に剥離してもよく、本明細書で開示する剥離方法に関する発明の構成２は、
被剥離層を基板から剥離する剥離方法であって、
前記基板上に第１の材料層が設けられており、前記第１の材料層が設けられた基板上に少なくとも前記第１の材料層と接する第２の材料層を含む積層からなる被剥離層を形成し、
前記第２の材料層と前記第１の材料層との密着性を部分的に低下させる処理を行った後、
前記被剥離層に支持体を接着し、
前記支持体に接着された被剥離層を前記第１の材料層が設けられた基板から物理的手段により前記第２の材料層の層内または界面において剥離することを特徴とする剥離方法である。
【００２７】
また、上記構成１または上記構成２において、前記物理的手段により剥離する際、前記密着性を低下させる処理が行われた領域から剥離することを特徴としている。
【００２８】
また、上記構成１または上記構成２において、前記密着性を部分的に低下させる処理は、基板の周縁に沿って前記第２の材料層または前記第１の材料層にレーザー光を部分的に照射する処理、或いは、基板の周縁に沿って外部から局所的に圧力を加えて前記第２の材料層の層内または界面の一部分に損傷を与える処理であることを特徴としている。
【００２９】
また、上記本発明において、透光性を有する基板に限らず、あらゆる基板、例えば、ガラス基板、石英基板、半導体基板、セラミックス基板、金属基板を用いることができ、基板上に設けた被剥離層を剥離することができる。
【００３０】
また、公知の剥離方法を用いて剥離する前に本発明である密着性を部分的に低下させる処理を行えば、基板上に設けた被剥離層を転写体に貼りつけて（転写して）半導体装置を作製することも可能であり、半導体装置の作製方法に関する発明の構成は、
基板上に素子を含む被剥離層を形成する工程と、
前記素子を含む被剥離層に支持体を接着した後、該支持体を基板から物理的手段により剥離する工程と、
前記素子を含む被剥離層に転写体を接着し、前記支持体と前記転写体との間に前記素子を挟む工程とを有する半導体装置の作製方法であって、
前記剥離する工程の前に前記基板と前記被剥離層との密着性を部分的に低下させる処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法である。
【００３１】
また、上記構成において、前記物理的手段により剥離する際、前記密着性を低下させる処理が行われた領域から剥離することを特徴としている。
【００３２】
また、上記構成において、前記密着性を部分的に低下させる処理は、基板の周縁に沿って前記第２の材料層または前記第１の材料層にレーザー光を部分的に照射する処理、或いは、基板の周縁に沿って外部から局所的に圧力を加えて前記第２の材料層の層内または界面の一部分に損傷を与える処理であることを特徴としている。
【００３３】
また、上記構成において、前記物理的手段により剥離する際、基板の端面にガスを吹付けて剥離してもよい。
【００３４】
また、上記構成において、前記物理的手段により剥離する際、レーザー光を照射すると同時に基板の端面にガスを吹付けて剥離してもよい。
【００３５】
また、上記構成において、前記物理的手段により剥離する際、超音波を当てながら剥離してもよい。また、超音波のみで剥離できることが実験で確認されている。なお、超音波も物理的手段の一つである。超音波を用いて剥離した場合、基板や被剥離層を湾曲させることなく剥離することができ、被剥離層にクラックが発生しにくく、剥離による素子の破壊を防ぐことができる。超音波を用いて剥離する場合、純水などの液体を媒体として基板および被剥離層を浸けて超音波をかけることが好ましい。
【００３６】
また、上記構成において、前記物理的手段により剥離する際、前記密着性を低下させる処理が行われた領域からレーザー光を走査すると同時に基板の端面にガスを吹付けて剥離してもよい。
【００３７】
また、上記各構成において、加熱されたガスでもよく、不活性ガス、代表的には窒素ガスであることが好ましい。
【００３８】
また、上記半導体装置の作製方法に関する上記各構成において、前記素子は、半導体層を活性層とする薄膜トランジスタであり、前記半導体層を形成する工程は、非晶質構造を有する半導体層を加熱処理またはレーザー光の照射を行う処理によって結晶化させ、結晶構造を有する半導体層とすることを特徴としている。
【００３９】
なお、本明細書中において、転写体とは、剥離された後、被剥離層と接着させるものであり、特に限定されず、プラスチック、ガラス、金属、セラミックス等、いかなる組成の基材でもよい。また、本明細書中において、支持体とは、物理的手段により剥離する際に被剥離層と接着するためのものであり、特に限定されず、プラスチック、ガラス、金属、セラミックス等、いかなる組成の基材でもよい。また、転写体の形状および支持体の形状も特に限定されず、平面を有するもの、曲面を有するもの、可曲性を有するもの、フィルム状のものであってもよい。また、軽量化を最優先するのであれば、フィルム状のプラスチック基板、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ナイロン、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリスルホン（ＰＳＦ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリアリレート（ＰＡＲ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）などのプラスチック基板が好ましい。
【００４０】
上記半導体装置の作製方法に関する上記各構成において、液晶表示装置を作製する場合は、支持体を対向基板とし、シール材を接着層として用いて支持体を被剥離層に接着すればよい。この場合、前記剥離層に設けられた素子は画素電極を有しており、該画素電極と、前記対向基板との間には液晶材料が充填されるようにする。
【００４１】
また、上記半導体装置の作製方法に関する上記各構成において、ＥＬ発光装置として代表される発光装置を作製する場合は、支持体を封止材として、外部から水分や酸素といった有機化合物層の劣化を促す物質が侵入することを防ぐように発光素子を外部から完全に遮断することが好ましい。また、軽量化を最優先するのであれば、フィルム状のプラスチック基板が好ましいが、外部から水分や酸素といった有機化合物層の劣化を促す物質が侵入することを防ぐ効果は弱いため、例えば、プラスチック基板である支持体に窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化酸化アルミニウム（ＡｌＮXＯY（Ｘ＞Ｙ））、酸化窒化アルミニウム（ＡｌＮXＯY（Ｘ＜Ｙ））、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化ベリリウム（ＢｅＯ）から選ばれた単層、またはこれらの積層を設けて、十分に外部から水分や酸素といった有機化合物層の劣化を促す物質が侵入することを防ぐ構成とすればよい。なお、窒化酸化アルミニウム（ＡｌＮXＯY（Ｘ＞Ｙ））を用いる場合、膜中の窒素濃度は１０atm％〜８０atm％であることが望ましい。
【００４２】
また、ＥＬ発光装置として代表される発光装置を作製する場合は、支持体だけでなく、プラスチック基板である転写体も同様に窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化酸化アルミニウム（ＡｌＮXＯY（Ｘ＞Ｙ））、酸化窒化アルミニウム（ＡｌＮXＯY（Ｘ＜Ｙ））、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化ベリリウム（ＢｅＯ）から選ばれた単層、またはこれらの積層を設け、十分に外部から水分や酸素といった有機化合物層の劣化を促す物質が侵入することを防ぐことが好ましい。また、これらの膜は透光性が非常に高く、発光素子からの発光の妨げにならない。
【００４３】
なお、本明細書中において、膜の内部応力とは、基板上に形成された膜の内部に任意の断面を考えたとき、断面の一方の側が他方の側に及ぼしている単位断面積当りの力のことである。内部応力は、真空蒸着やスパッタリングや気相成長などで成膜された薄膜には多かれ少なかれ必ず存在するといってよい。その値は最大で１０9Ｎ／ｍ2に達する。薄膜の材料、基板の物質、薄膜の形成条件などによって内部応力値は変化する。また、熱処理を施すことによっても内部応力値は変化する。
【００４４】
また、基板面に垂直な単位断面積を通して相手に及ぼす力が引っ張る方向である状態を引っ張り状態といい、そのときの内部応力を引張応力、押す方向である状態を圧縮状態といい、そのときの内部応力を圧縮応力と呼ぶ。なお、本明細書では、グラフや表に示すとき引張応力を正（＋）、圧縮応力を負（−）にとる。
【００４５】
本明細書で開示する製造装置に関する発明の構成は、
第１の材料層が設けられた基板上に少なくとも前記第１の材料層と接する第２の材料層を含む積層からなる被剥離層が設けられ、さらに該被剥離層上に支持体が接着されており、被剥離層を基板から剥離する製造装置であって、
前記第１の材料層が設けられた基板から、前記支持体に接着された被剥離層を前記第２の材料層の層内または界面において剥離する超音波発生手段を備えた製造装置である。
【００４６】
上記支持体としてはプラスチック基板やガラス基板などを用いればよく、支持体を固定し、さらに超音波振動を付与した水を吹き付けることによって被剥離層を基板から剥離することができる。また、媒体として純水の入った槽に基板を丸ごと浸けて超音波振動子からの超音波によって被剥離層を基板から剥離してもよい。さらに、支持体、或いは基板を固定して回転させて遠心力を利用して剥離してもよい。例えば、純水の入った槽に支持体側を設置台に固定して基板側が下側になるように浸け、槽の底に設けられた超音波振動子からの強力な超音波をかねながら、モーターで設置台を垂直軸心である軸まわりに回転させると、基板自体の自重を利用して剥離することができる。超音波を用いて剥離した場合、基板や被剥離層を湾曲させることなく剥離することができ、被剥離層にクラックが発生しにくく、剥離による素子の破壊を防ぐことができる。
【００４７】
上記製造装置は、超音波を発生させるための超音波振動子と、基板または支持体を固定するための設置台とを少なくとも有していることを特徴としている。
【００４８】
また、剥離を行う前に剥離現象が生じやすくなるように、きっかけをつくることが重要であり、本明細書で開示する製造装置に関する発明の構成は、
第１の材料層が設けられた基板上に少なくとも前記第１の材料層と接する第２の材料層を含む積層からなる被剥離層が設けられた後、被剥離層を基板から剥離する製造装置であって、
該被剥離層表面にカッターで押し込み線を描く手段と、
押し込み線が描かれた被剥離層上に支持体を接着する手段と、
該支持体に接着された被剥離層を前記第１の材料層が設けられた基板から超音波により前記第２の材料層の層内または界面において剥離する手段とを有する製造装置である。
【００４９】
具体的には、超硬製またはダイヤモンド製カッターでスクライブし、被剥離層表面の一部に切り込みを入れる。切り込みを入れる条件は、例えば、圧力０．５ｋｇｆ／ｃｍ2以上、押し込み量０．０５ｍｍ〜０．２ｍｍ、カッタースピードは５０ｍｍ／sec〜３５０ｍｍ／secとすればよい。なお、実験により、これらの範囲であれば、きれいに剥離できることが確認されている。
【００５０】
上記製造装置は、被剥離層表面に押し込み線を描くためのカッターと、基板ステージと、基板膜厚センサーと、制御部とを有する装置と、さらに超音波を発生させるための超音波振動子と、基板または支持体を固定するための設置台とを少なくとも有している装置とを備えた製造装置であることを特徴としている。
【００５１】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態について、以下に説明する。
【００５２】
以下に本発明を用いた代表的な剥離手順を簡略に図１を用いて示す。
【００５３】
図１（Ａ）中、１０は基板、１１は引張応力を有する第１の材料層、１２は圧縮応力を有する材料層、１３は被剥離層である。
【００５４】
図１（Ａ）において、基板１０はガラス基板、石英基板、セラミック基板などを用いることができる。また、シリコン基板、金属基板またはステンレス基板を用いても良い。
【００５５】
まず、図１（Ａ）に示すように基板１０上に第１の材料層１１を形成する。第１の材料層１１としては、成膜直後において圧縮応力を有していても引張応力を有していてもよいが、被剥離層形成における熱処理やレーザー光の照射によりピーリング等の異常が生じず、且つ、被剥離層形成後で１〜１×１０10（Dyne/cm2）の範囲で引張応力を有する材料を用いることが重要である。代表的な一例はＷ、ＷＮ、ＴｉＮ、ＴｉＷから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料からなる単層、またはこれらの積層が挙げられる。
【００５６】
次いで、第１の材料層１１上に第２の材料層１２を形成する。第２の材料層１２としては、被剥離層形成における熱処理やレーザー光の照射によりピーリング等の異常が生じず、且つ、被剥離層形成後で１〜１×１０10（Dyne/cm2）の範囲で圧縮応力を有する材料を用いることが重要である。第２の材料層１２として、代表的な一例は酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化金属材料、またはこれらの積層が挙げられる。なお、第２の材料層１２は、スパッタ法、プラズマＣＶＤ法、塗布法などのいずれの成膜方法を用いてもよい。
【００５７】
本発明においては、この第２の材料層１２を圧縮応力とし、第１の材料層１１を引張応力とすることが重要である。各々の膜厚は、１ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲で適宜設定し、第１の材料層１１における内部応力および第２の材料層１２における内部応力を調節すればよい。また、加熱処理やレーザー光の照射を行って第１の材料層１１における内部応力および第２の材料層１２における内部応力を調節してもよい。
【００５８】
実験では、第１の材料層１１としてタングステン膜１０ｎｍ、第２の材料層１２としてスパッタ法による酸化シリコン膜２００ｎｍであっても本発明の剥離法により剥離が確認でき、第１の材料層１１としてタングステン膜５０ｎｍ、第２の材料層１２としてスパッタ法による酸化シリコン膜１００ｎｍであっても本発明の剥離法により剥離が確認できている。また、第１の材料層１１としてタングステン膜５０ｎｍ、第２の材料層１２としてスパッタ法による酸化シリコン膜４００ｎｍであっても本発明の剥離法により剥離が確認できている。
【００５９】
また、図１では、プロセスの簡略化を図るため、基板１０に接して第１の材料層１１を形成した例を示したが、基板１０と第１の材料層１１との間にバッファ層となる絶縁層や金属層を設け、基板１０との密着性を向上させてもよい。
【００６０】
次いで、第２の材料層１２上に被剥離層１３を形成する。（図１（Ａ））被剥離層１３は、ＴＦＴを代表とする様々な素子（薄膜ダイオード、シリコンのＰＩＮ接合からなる光電変換素子やシリコン抵抗素子）を含む層とすればよい。また、基板１０の耐え得る範囲の熱処理を行うことができる。なお、本発明において、第２の材料層１２における内部応力と、第１の材料層１１における内部応力が異なっていても、被剥離層１３の作製工程における熱処理によって膜剥がれなどが生じない。
【００６１】
次いで、第１の材料層１１と第２の材料層１２との密着性を部分的に低下させる。ここではレーザー光１５を照射する。（図１（Ｂ））レーザー光としては、エキシマレーザー、ＣＯ2レーザー、アルゴンレーザー等の気体レーザーや、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライドレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザなどの固体レーザーや、ＹＡＧ、ＹＶＯ4、ＹＬＦ、ＹＡｌＯ3などの結晶にＮｄ、Ｔｍ、Ｈｏをドープした結晶を使った固体レーザーや、半導体レーザーを用いればよい。また、レーザー発振の形態は、連続発振、パルス発振のいずれでもよく、レーザービームの形状も線状、矩形状、円状、楕円状のいずれでもよい。また、使用する波長は、基本波、第２高調波、第３高調波のいずれでもよく、実施者が適宜選択すればよい。また、走査方法は、縦方向、横方向、斜め方向のいずれでもよく、さらに往復させてもよい。
【００６２】
このように、剥離を行う前に剥離現象が生じやすくなるような部分、即ち、きっかけをつくることが重要であり、密着性を選択的（部分的）に低下させる前処理を行うことで、剥離不良がなくなり、さらに歩留まりも向上する。
【００６３】
次いで、上記レーザー光を照射した領域側から剥離させ、図１（Ｃ）中の矢印の方向に向かって、第１の材料層１１が設けられている基板１０を物理的手段により引き剥がす。（図１（Ｃ））
【００６４】
第２の材料層１２が圧縮応力を有し、第１の材料層１１が引張応力を有するため、比較的小さな力（例えば、人間の手、ノズルから吹付けられるガスの風圧、超音波等）で引き剥がすことができる。また、上記レーザー光処理によって部分的に密着性の弱い部分が形成されたため、より小さな力で引き剥がすことができる。
【００６５】
また、ここでは、被剥離層１３の機械的強度が十分であると仮定した例を示しているが、被剥離層１３の機械的強度が不十分である場合には、被剥離層１３を固定する支持体（図示しない）を貼りつけた後、剥離することが好ましい。
【００６６】
こうして、第２の材料層１２上に形成された被剥離層１３を基板１０から分離することができる。剥離後の状態を図１（Ｄ）に示す。
【００６７】
また、剥離した後、引き剥がした被剥離層１３を転写体（図示しない）に貼り付けてもよい。
【００６８】
また、本発明は様々な半導体装置の作製方法に用いることができる。特に、転写体や支持体をプラスチック基板とすることで、軽量化が図れる。
【００６９】
液晶表示装置を作製する場合は、支持体を対向基板とし、シール材を接着層として用いて支持体を被剥離層に接着すればよい。この場合、被剥離層に設けられた素子は画素電極を有しており、該画素電極と、前記対向基板との間には液晶材料が充填されるようにする。また、液晶表示装置を作製する順序は、特に限定されず、支持体としての対向基板を貼りつけ、液晶を注入した後に基板を剥離して転写体としてのプラスチック基板を貼りつけてもよいし、画素電極を形成した後、基板を剥離し、第１の転写体としてのプラスチック基板を貼り付けた後、第２の転写体としての対向基板を貼りつけてもよい。
【００７０】
また、ＥＬ発光装置として代表される発光装置を作製する場合は、支持体を封止材として、外部から水分や酸素といった有機化合物層の劣化を促す物質が侵入することを防ぐように発光素子を外部から完全に遮断することが好ましい。また、ＥＬ発光装置として代表される発光装置を作製する場合は、支持体だけでなく、転写体も同様、十分に外部から水分や酸素といった有機化合物層の劣化を促す物質が侵入することを防ぐことが好ましい。また、発光装置を作製する順序は、特に限定されず、発光素子を形成した後、支持体としてのプラスチック基板を貼りつけ、基板を剥離し、転写体としてのプラスチック基板を貼りつけてもよいし、発光素子を形成した後、基板を剥離して、第１の転写体としてのプラスチック基板を貼り付けた後、第２の転写体としてのプラスチック基板を貼りつけてもよい。
【００７１】
（実施の形態２）
本実施の形態は、被剥離層を剥離する際、端面にガスを吹付けながら行う例を簡略に図２を用いて示す。
【００７２】
図２（Ａ）中、２０は基板、２１は引張応力を有する第１の材料層、２２は圧縮応力を有する材料層、２３は被剥離層である。なお、図２（Ａ）は図１（Ａ）と同一であるのでここでは詳細な説明は省略する。
【００７３】
実施の形態１と同様の手順で図２（Ａ）の状態を得たら、図２（Ｂ）に示すようにレーザー光２４を一部に照射しながら、基板端面のうち、第１の材料層と第２の材料層との境界に高圧でガスをノズルから吹付け、図２（Ｂ）中に示す矢印の方向に剥離を行う。
【００７４】
ここでは物理的手段として風圧を用いたが特に限定されないことは言うまでもない。また、ここではレーザー光２４の照射と同時に行った例を示したが、先にレーザー光を照射して第１の材料層２１と第２の材料層２２との密着性を部分的に低下させ、後で風圧で剥離を行ってもよい。
【００７５】
また、ガスは不活性ガス、例えば窒素ガスやアルゴンガスなどを用いればよく、ガスは室温でもよいし、高温に加熱してもよい。
【００７６】
また、レーザー光２４を剥離方向に合わせて走査してもよい。また、ノズル２５も走査してもよい。
【００７７】
第２の材料層２２が圧縮応力を有し、第１の材料層２１が引張応力を有するため、比較的小さな風圧で引き剥がすことができる。また、上記レーザー光処理によって部分的に密着性の弱い部分が形成されたため、より小さな風圧で引き剥がすことができる。
【００７８】
また、ここでは、被剥離層２３の機械的強度が十分であると仮定した例を示しているが、被剥離層２３の機械的強度が不十分である場合には、被剥離層２３を固定する支持体（図示しない）を貼りつけた後、剥離することが好ましい。
【００７９】
こうして、第２の材料層２２上に形成された被剥離層２３を基板２０から分離することができる。剥離後の状態を図２（Ｃ）に示す。
【００８０】
また、剥離した後、引き剥がした被剥離層２３を転写体（図示しない）に貼り付けてもよい。
【００８１】
また、本発明は様々な半導体装置の作製方法に用いることができる。特に、転写体や支持体をプラスチック基板とすることで、軽量化が図れる。
【００８２】
（実施の形態３）
本実施の形態は、被剥離層を剥離する前にダイヤモンドペンで圧力を加え、部分的に密着性を低下させる例を簡略に図３を用いて示す。
【００８３】
図３（Ａ）中、３０は基板、３１は引張応力を有する第１の材料層、３２は圧縮応力を有する材料層、３３は被剥離層である。なお、図３（Ａ）は図１（Ａ）と同一であるのでここでは詳細な説明は省略する。
【００８４】
実施の形態１と同様の手順で図３（Ａ）の状態を得たら、図３（Ｂ）に示すように外力３５をペン３４にかけてひっかき、第１の材料層３１と第２の材料層３２との密着性を部分的に低下させる。ここではダイヤモンドペンを用いたが、硬い針を垂直に押しつけて荷重をかけて動かせばよい。例えば、硬い針を垂直に押しつけて荷重をかけながら、Ｘ方向またはＹ方向へライン状にひっかく機能を有するスクライバー装置などを用いればよい。
【００８５】
このように、剥離を行う前に剥離現象が生じやすくなるような部分、即ち、きっかけをつくることが重要であり、密着性を選択的（部分的）に低下させる前処理を行うことで、剥離不良がなくなり、さらに歩留まりも向上する。
【００８６】
次いで、上記荷重を加えた領域側から剥離させ、図３（Ｃ）中の矢印の方向に向かって、第１の材料層３１が設けられている基板３０を物理的手段により引き剥がす。（図３（Ｃ））
【００８７】
第２の材料層３２が圧縮応力を有し、第１の材料層３１が引張応力を有するため、比較的小さな力で引き剥がすことができる。また、上記レーザー光処理によって部分的に密着性の弱い部分が形成されたため、より小さな力で引き剥がすことができる。
【００８８】
また、ここでは、被剥離層３３の機械的強度が十分であると仮定した例を示しているが、被剥離層３３の機械的強度が不十分である場合には、被剥離層３３を固定する支持体（図示しない）を貼りつけた後、剥離することが好ましい。
【００８９】
こうして、第２の材料層３２上に形成された被剥離層３３を基板３０から分離することができる。剥離後の状態を図３（Ｄ）に示す。
【００９０】
また、剥離した後、引き剥がした被剥離層３３を転写体（図示しない）に貼り付けてもよい。
【００９１】
また、本発明は様々な半導体装置の作製方法に用いることができる。特に、転写体や支持体をプラスチック基板とすることで、軽量化が図れる。
【００９２】
また、ダイヤモンドペンを用いて以下に示す実験を行った。ここでは第１の材料層としてＴｉＮ膜を用い、第２の材料層としてＳｉＯ2膜を用いた。
【００９３】
サンプルとして、ガラス基板上にスパッタ法を用い、１００ｎｍの膜厚でＴｉＮを形成した後、スパッタ法を用い、２００ｎｍの膜厚の酸化シリコン膜を形成した。
【００９４】
次いで、スパッタ法により酸化シリコン層を２００ｎｍの膜厚で成膜した。酸化シリコン層の成膜条件は、ＲＦ方式のスパッタ装置を用い、酸化シリコンターゲット（直径３０．５ｃｍ）を用い、基板温度１５０℃、成膜圧力０．４Ｐａ、成膜電力３ｋＷ、アルゴン流量／酸素流量＝３５sccm／１５sccmとした。
【００９５】
次いで、酸化シリコン層３３上にプラズマＣＶＤ法により下地絶縁層を形成する。下地絶縁層としては、プラズマＣＶＤ法で成膜温度３００℃、原料ガスＳｉＨ4、ＮＨ3、Ｎ2Ｏから作製される酸化窒化シリコン膜（組成比Ｓｉ＝３２％、Ｏ＝２７％、Ｎ＝２４％、Ｈ＝１７％）を５０nm形成した。次いで、表面をオゾン水で洗浄した後、表面の酸化膜を希フッ酸（１／１００希釈）で除去する。次いでプラズマＣＶＤ法で成膜温度３００℃、原料ガスＳｉＨ4、Ｎ2Ｏから作製される酸化窒化シリコン膜（組成比Ｓｉ＝３２％、Ｏ＝５９％、Ｎ＝７％、Ｈ＝２％）を１００ｎｍの厚さに積層形成し、さらに大気解放せずにプラズマＣＶＤ法で成膜温度３００℃、成膜ガスＳｉＨ4で非晶質構造を有する半導体層（ここでは非晶質シリコン層）を５４ｎｍの厚さで形成した。
【００９６】
次いで、重量換算で１０ppmのニッケルを含む酢酸ニッケル塩溶液をスピナーで塗布する。塗布に代えてスパッタ法でニッケル元素を全面に散布する方法を用いてもよい。次いで、加熱処理を行い結晶化させて結晶構造を有する半導体膜（ここではポリシリコン層）を形成する。ここでは脱水素化のための熱処理（５００℃、１時間）の後、結晶化のための熱処理（５５０℃、４時間）を行って結晶構造を有するシリコン膜を得る。なお、ここではシリコンの結晶化を助長する金属元素としてニッケルを用いた結晶化技術を用いたが、他の公知の結晶化技術、例えば固相成長法やレーザー結晶化法を用いてもよい。
【００９７】
次いで、ダイヤモンドペンで図４（Ａ）に示す荷重ライン４１を引っ掻いた。この荷重ラインは任意なものであり、ここでは剥離しようとする領域４２において基板端面に沿って平行にした。ここでは基板に設けられたポリシリコン層のうち、基板端面の一部を剥離することとする。
【００９８】
次いで、剥離しようとする領域（ポリシリコン層）に粘着テープを貼り付けた。
【００９９】
次いで、人間の手によって粘着テープと基板とが分離するように図４（Ｂ１）に示した矢印の方向（剥離方向）に引っ張った。基板側の剥離後における状態を図４（Ｂ１）に示し、テープ側の剥離後における状態を図４（Ｂ２）に示した。テープ側には剥離された領域４３を視認することができる。
【０１００】
比較のため、ダイヤモンドペンで引っ掻くことを行わずに粘着テープを貼り付けた後、剥離を行ったところ、図１７（Ａ）に示すように剥離しようとする領域５１に粘着テープを貼ったにも関わらず、基板側には剥離されずに残った領域５３（図１７（Ｂ１））が形成されてしまった。従って、図１７（Ｂ２）に示すようにテープ側には剥離された領域５４が部分的となって剥離不良が生じた。
【０１０１】
この剥離不良の原因は、基板の周縁部が、基板の中央部に比べ、膜厚の薄い部分が形成されやすく、膜厚が薄いと基板との密着性が高くなる部分が形成され、その部分が剥がれにくい箇所となっていると考えられる。
【０１０２】
このように、剥離前に剥離現象が生じやすくなるように、きっかけをつくることが重要であり、密着性を選択的（部分的）に低下させる前処理を行うことで、基板から被剥離層を全面に渡って剥離することができる。
【０１０３】
ここでは、粘着テープを貼る前にダイヤモンドペンで引っかいたが、テープを貼った後でダイヤモンドペンで引っかいてもよい。
【０１０４】
また、ここでは第１の材料層（ＴｉＮ膜）と第２の材料層（ＳｉＯ2膜）とを用いて剥離する例を示したが、剥離法は特に限定されず、例えば非晶質シリコン（またはポリシリコン）からなる分離層を設け、基板を通過させてレーザー光を照射して非晶質シリコンに含まれる水素を放出させることにより、空隙を生じさせて基板を分離させる方法においても、剥離前に基板の周縁部付近のみに密着性を選択的（部分的）に低下させる前処理を行えば、剥がれ残りなく剥離することができる。
【０１０５】
次ぎに第１の材料層の材料をＴｉＮ、Ｗ、ＷＮ、Ｔａ、ＴａＮとした場合、第１の材料層に接して第２の材料層（酸化シリコン：膜厚２００ｎｍ）を設け、該第２の材料層上に設けた被剥離層を基板から剥離できるかどうかを確認するため、以下の実験を行った。
【０１０６】
サンプル１として、ガラス基板上にスパッタ法を用い、１００ｎｍの膜厚でＴｉＮを形成した後、スパッタ法を用い、２００ｎｍの膜厚の酸化シリコン膜を形成した。酸化シリコン膜の形成以降は、上記実験と同様に積層および結晶化を行った。
【０１０７】
サンプル２として、ガラス基板上にスパッタ法を用い、５０ｎｍの膜厚でＷを形成した後、スパッタ法を用い、２００ｎｍの膜厚の酸化シリコン膜を形成した。酸化シリコン膜の形成以降は、上記実験と同様に積層および結晶化を行った。
【０１０８】
サンプル３として、ガラス基板上にスパッタ法を用い、５０ｎｍの膜厚でＷＮを形成した後、スパッタ法を用い、２００ｎｍの膜厚の酸化シリコン膜を形成した。酸化シリコン膜の形成以降は、上記実験と同様に積層および結晶化を行った。
【０１０９】
サンプル４として、ガラス基板上にスパッタ法を用い、５０ｎｍの膜厚でＴｉＮを形成した後、スパッタ法を用い、２００ｎｍの膜厚の酸化シリコン膜を形成した。酸化シリコン膜の形成以降は、上記実験と同様に積層および結晶化を行った。
【０１１０】
サンプル５として、ガラス基板上にスパッタ法を用い、５０ｎｍの膜厚でＴａを形成した後、スパッタ法を用い、２００ｎｍの膜厚の酸化シリコン膜を形成した。酸化シリコン膜の形成以降は、上記実験と同様に積層および結晶化を行った。
【０１１１】
サンプル６として、ガラス基板上にスパッタ法を用い、５０ｎｍの膜厚でＴａＮを形成した後、スパッタ法を用い、２００ｎｍの膜厚の酸化シリコン膜を形成した。酸化シリコン膜の形成以降は、上記実験と同様に積層および結晶化を行った。
【０１１２】
このようにサンプル１〜６を形成し、ダイヤモンドペンで一部を引っ掻いた後、被剥離層に粘着テープを接着して剥離するかどうか実験した。その結果を表１に示す。
【０１１３】
【表１】
Figure 0004413478
【０１１４】
また、酸化シリコン膜、ＴｉＮ膜、Ｗ膜、Ｔａ膜のそれぞれについて、熱処理（５５０℃、４時間）前後での内部応力を測定した。その結果を表２に示す。
【０１１５】
【表２】
Figure 0004413478
【０１１６】
なお、酸化シリコン膜は、シリコン基板上にスパッタ法で４００ｎｍの膜厚で成膜したものを測定しており、ＴｉＮ膜、Ｗ膜、及びＴａ膜においては、ガラス基板上にスパッタ法で４００ｎｍの膜厚で成膜した後、内部応力を測定し、その後、キャップ膜として酸化シリコン膜を積層し、熱処理を行った後でキャップ膜をエッチングで除去して再度、内部応力を測定した。また、それぞれサンプルは２つ作製し、測定を行った。
【０１１７】
Ｗ膜においては、成膜直後では圧縮応力（約−７×１０9（Dyne/cm2））を有しているが、熱処理によって引張応力（約８×１０9〜９×１０9（Dyne/cm2））を有する膜になっており、剥離状態は良好であった。ＴｉＮ膜に関しては熱処理前後で応力はほとんど変わらず、引張応力（約３．９×１０9〜４．５×１０9（Dyne/cm2））を有したままであったが、膜厚が５０ｎｍ以下であると剥離不良となった。また、Ｔａ膜に関しては、成膜直後では引張応力（約５．１×１０9〜９．２×１０9（Dyne/cm2））を有しているが、熱処理によって圧縮応力（約−２×１０9〜−７．８×１０9（Dyne/cm2））を有する膜となっており、テープ試験では剥離されなかった。また、酸化シリコン膜に関しては熱処理前後で応力はほとんど変わらず、圧縮応力（約−９．４×１０8〜−１．３×１０9（Dyne/cm2））を有したままであった。
【０１１８】
これらの結果から、剥離現象は、様々な要因による密着性と関係するが、特に内部応力と深い関係があり、圧縮応力を有する第２の材料層を用い、熱処理後に引張応力を有する膜を第１の材料層として用いた場合、基板から被剥離層を全面に渡って剥離することができることが読み取れる。また、第１の材料層としては、熱処理やレーザー光の照射によって変化する場合、熱処理前やレーザー光の照射前と比べて引張応力の値が大きくなる材料を用いることが望ましい。
【０１１９】
また、剥離前に密着性を部分的に低下させる処理を行う本発明において、特に第１の材料層の膜厚または第２の材料層の膜厚が薄い場合に有効である。なぜなら、膜厚が薄いと成膜における基板内分布がばらつきやすく、膜の内部応力や膜質などが変化しやすいため、剥がれにくくなるからである。スループットを向上させるためには、できるだけ第１の材料層の膜厚または第２の材料層の膜厚が薄いほうが好ましい。
【０１２０】
（実験）
剥離がどこで行われているかを特定するため、部分的に本発明の剥離方法により剥離し、その境界付近の断面を調べる実験を行った。
【０１２１】
基板としては、ガラス基板（＃１７３７）を用いた。また、基板上にスパッタ法により窒化チタン層を１００ｎｍの膜厚で成膜した。
【０１２２】
次いで、スパッタ法により酸化シリコン層を２００ｎｍの膜厚で成膜した。酸化シリコン層の成膜条件は、ＲＦ方式のスパッタ装置を用い、酸化シリコンターゲット（直径３０．５ｃｍ）を用い、基板温度１５０℃、成膜圧力０．４Ｐａ、成膜電力３ｋＷ、アルゴン流量／酸素流量＝３５sccm／１５sccmとした。
【０１２３】
次いで、酸化シリコン層上にプラズマＣＶＤ法により下地絶縁層を形成する。下地絶縁層としては、プラズマＣＶＤ法で成膜温度３００℃、原料ガスＳｉＨ4、ＮＨ3、Ｎ2Ｏから作製される酸化窒化シリコン膜（組成比Ｓｉ＝３２％、Ｏ＝２７％、Ｎ＝２４％、Ｈ＝１７％）を５０nm形成した。次いで、表面をオゾン水で洗浄した後、表面の酸化膜を希フッ酸（１／１００希釈）で除去する。次いでプラズマＣＶＤ法で成膜温度３００℃、原料ガスＳｉＨ4、Ｎ2Ｏから作製される酸化窒化シリコン膜（組成比Ｓｉ＝３２％、Ｏ＝５９％、Ｎ＝７％、Ｈ＝２％）を１００ｎｍの厚さに積層形成し、さらに大気解放せずにプラズマＣＶＤ法で成膜温度３００℃、成膜ガスＳｉＨ4で非晶質構造を有する半導体層（ここでは非晶質シリコン層）を５４ｎｍの厚さで形成した。
【０１２４】
次いで、重量換算で１０ppmのニッケルを含む酢酸ニッケル塩溶液をスピナーで塗布する。塗布に代えてスパッタ法でニッケル元素を全面に散布する方法を用いてもよい。次いで、加熱処理を行い結晶化させて結晶構造を有する半導体膜（ここではポリシリコン層）を形成する。ここでは脱水素化のための熱処理（５００℃、１時間）の後、結晶化のための熱処理（５５０℃、４時間）を行って結晶構造を有するシリコン膜を得た。
【０１２５】
次いで、粘着テープをポリシリコン層の一部に貼り付け、ダイヤモンドペンで一部ひっかいた後、人間の手によって粘着テープと基板とが分離するように引っ張った。すると、粘着テープを貼った所のみがきれいに全面剥離し、テープに転写された。基板側の剥離境界におけるＴＥＭ写真を図１９（Ａ）に示し、その摸式図を図１９（Ｂ）に示した。
【０１２６】
図１９に示したように、窒化チタン層は、ガラス基板上に全面残っており、テープを貼って転写された部分はきれいに転写され、積層（スパッタ法によるＳｉＯ2膜、PCVD法による絶縁膜（１）及び（２）、ポリシリコン膜）がなくなっている。これらのことから、窒化チタン層とスパッタ法によるＳｉＯ2膜との界面で剥離が生じていることがわかる。
【０１２７】
以上の構成でなる本発明について、以下に示す実施例でもってさらに詳細な説明を行うこととする。
【０１２８】
（実施例）
［実施例１］
本発明の実施例を図５〜図７を用いて説明する。ここでは、同一基板上に画素部と、画素部の周辺に設ける駆動回路のＴＦＴ（ｎチャネル型ＴＦＴ及びｐチャネル型ＴＦＴ）を同時に作製する方法について詳細に説明する。
【０１２９】
まず、基板１００上に第１の材料層１０１、第２の材料層１０２、下地絶縁膜１０３を形成し、結晶構造を有する半導体膜を得た後、所望の形状にエッチング処理して島状に分離された半導体層１０４〜１０８を形成する。
【０１３０】
基板１００としては、ガラス基板（＃１７３７）を用いる。
【０１３１】
また、第１の材料層１０１としては、後で行われる剥離工程の直前で１〜１×１０10（Dyne/cm2）の範囲の引張応力を有する材料であれば、特に限定されず、金属材料（Ｔｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｄ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔなど）、半導体材料（例えばＳｉ、Ｇｅなど）、絶縁体材料、有機材料のいずれか一層、またはこれらの積層を用いることができる。ここではスパッタ法で膜厚１００ｎｍの窒化チタン膜を用いる。
【０１３２】
また、第２の材料層１０２としては、後で行われる剥離工程の直前で−１〜−１×１０10（Dyne/cm2）の範囲で圧縮応力を有する材料であれば、特に限定されず、金属材料（Ｔｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｄ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔなど）、半導体材料（例えばＳｉ、Ｇｅなど）、絶縁体材料、有機材料のいずれか一層、またはこれらの積層を用いることができる。酸化シリコン材料または酸化金属材料からなる単層、またはこれらの積層を用いればよい。ここではスパッタ法で膜厚２００ｎｍの酸化シリコン膜を用いる。この第１の材料層１０１と第２の材料層１０２の結合力は熱処理には強く、膜剥がれ（ピーリングとも呼ばれる）などが生じないが、物理的手段で簡単に第２の材料層の層内、あるいは界面において剥離することができる。
【０１３３】
また、下地絶縁膜１０３としては、プラズマＣＶＤ法で成膜温度４００℃、原料ガスＳｉＨ4、ＮＨ3、Ｎ2Ｏから作製される酸化窒化シリコン膜１０３ａ（組成比Ｓｉ＝３２％、Ｏ＝２７％、Ｎ＝２４％、Ｈ＝１７％）を５０nm（好ましくは１０〜２００nm）形成する。次いで、表面をオゾン水で洗浄した後、表面の酸化膜を希フッ酸（１／１００希釈）で除去する。次いでプラズマＣＶＤ法で成膜温度４００℃、原料ガスＳｉＨ4、Ｎ2Ｏから作製される酸化窒化シリコン膜１０３ｂ（組成比Ｓｉ＝３２％、Ｏ＝５９％、Ｎ＝７％、Ｈ＝２％）を１００ｎｍ（好ましくは５０〜２００nm）の厚さに積層形成し、さらに大気解放せずにプラズマＣＶＤ法で成膜温度３００℃、成膜ガスＳｉＨ4で非晶質構造を有する半導体膜（ここではアモルファスシリコン膜）を５４ｎｍの厚さ（好ましくは２５〜８０ｎｍ）で形成する。
【０１３４】
本実施例では下地膜１０３を２層構造として示したが、前記絶縁膜の単層膜または２層以上積層させた構造として形成しても良い。また、半導体膜の材料に限定はないが、好ましくはシリコンまたはシリコンゲルマニウム（ＳｉXＧｅ1-X（Ｘ＝０．０００１〜０．０２））合金などを用い、公知の手段（スパッタ法、ＬＰＣＶＤ法、またはプラズマＣＶＤ法等）により形成すればよい。また、プラズマＣＶＤ装置は、枚葉式の装置でもよいし、バッチ式の装置でもよい。また、同一の成膜室で大気に触れることなく下地絶縁膜と半導体膜とを連続成膜してもよい。
【０１３５】
次いで、非晶質構造を有する半導体膜の表面を洗浄した後、オゾン水で表面に約２ｎｍの極薄い酸化膜を形成する。次いで、ＴＦＴのしきい値を制御するために微量な不純物元素（ボロンまたはリン）のドーピングを行う。ここでは、ジボラン（Ｂ2Ｈ6）を質量分離しないでプラズマ励起したイオンドープ法を用い、ドーピング条件を加速電圧１５ｋＶ、ジボランを水素で１％に希釈したガス流量３０ｓｃｃｍ、ドーズ量２×１０12／ｃｍ2で非晶質シリコン膜にボロンを添加した。
【０１３６】
次いで、重量換算で１０ppmのニッケルを含む酢酸ニッケル塩溶液をスピナーで塗布する。塗布に代えてスパッタ法でニッケル元素を全面に散布する方法を用いてもよい。
【０１３７】
次いで、加熱処理を行い結晶化させて結晶構造を有する半導体膜を形成する。この加熱処理は、電気炉の熱処理または強光の照射を用いればよい。電気炉の熱処理で行う場合は、５００℃〜６５０℃で４〜２４時間で行えばよい。ここでは脱水素化のための熱処理（５００℃、１時間）の後、結晶化のための熱処理（５５０℃、４時間）を行って結晶構造を有するシリコン膜を得る。なお、ここでは炉を用いた熱処理を用いて結晶化を行ったが、ランプアニール装置で結晶化を行ってもよい。なお、ここではシリコンの結晶化を助長する金属元素としてニッケルを用いた結晶化技術を用いたが、他の公知の結晶化技術、例えば固相成長法やレーザー結晶化法を用いてもよい。
【０１３８】
次いで、結晶構造を有するシリコン膜表面の酸化膜を希フッ酸等で除去した後、結晶化率を高め、結晶粒内に残される欠陥を補修するための第１のレーザー光（ＸｅＣｌ：波長３０８ｎｍ）の照射を大気中、または酸素雰囲気中で行う。レーザー光には波長４００nm以下のエキシマレーザ光や、ＹＡＧレーザの第２高調波、第３高調波を用いる。ここでは、繰り返し周波数１０〜１０００Hz程度のパルスレーザー光を用い、当該レーザー光を光学系にて１００〜５００mJ/cm2に集光し、９０〜９５％のオーバーラップ率をもって照射し、シリコン膜表面を走査させればよい。ここでは、繰り返し周波数３０Ｈｚ、エネルギー密度３９３mJ/cm2で第１のレーザー光の照射を大気中で行なう。なお、大気中、または酸素雰囲気中で行うため、第１のレーザー光の照射により表面に酸化膜が形成される。なお、ここではパルスレーザーを用いた例を示したが、連続発振のレーザーを用いてもよく、非晶質半導体膜の結晶化に際し、大粒径に結晶を得るためには、連続発振が可能な固体レーザを用い、基本波の第２高調波〜第４高調波を適用するのが好ましい。代表的には、Ｎｄ:ＹＶＯ4レーザー（基本波１０６４nm）の第２高調波（５３２nm）や第３高調波（３５５ｎｍ）を適用すればよい。連続発振のレーザーを用いる場合には、出力１０Ｗの連続発振のＹＶＯ4レーザから射出されたレーザ光を非線形光学素子により高調波に変換する。また、共振器の中にＹＶＯ4結晶と非線形光学素子を入れて、高調波を射出する方法もある。そして、好ましくは光学系により照射面にて矩形状または楕円形状のレーザ光に成形して、被処理体に照射する。このときのエネルギー密度は０．０１〜１００ＭＷ／ｃｍ2程度（好ましくは０．１〜１０ＭＷ／ｃｍ2）が必要である。そして、１０〜２０００ｃｍ／ｓ程度の速度でレーザ光に対して相対的に半導体膜を移動させて照射すればよい。
【０１３９】
次いで、第１のレーザー光の照射により形成された酸化膜を希フッ酸で除去した後、第２のレーザー光の照射を窒素雰囲気、或いは真空中で行い、半導体膜表面を平坦化する。このレーザー光（第２のレーザー光）には波長４００nm以下のエキシマレーザー光や、ＹＡＧレーザーの第２高調波、第３高調波を用いる。第２のレーザー光のエネルギー密度は、第１のレーザー光のエネルギー密度より大きくし、好ましくは３０〜６０ｍＪ／ｃｍ2大きくする。ここでは、繰り返し周波数３０Ｈｚ、エネルギー密度４５３mJ/cm2で第２のレーザー光の照射を行ない、半導体膜表面における凹凸のＰ―Ｖ値（Peak to Valley、高さの最大値と最小値の差分）が５０ｎｍ以下となる。このＰ−Ｖ値は、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）により得られる。
【０１４０】
また、本実施例では第２のレーザー光の照射を全面に行ったが、オフ電流の低減は、画素部のＴＦＴに特に効果があるため、少なくとも画素部のみに選択的に照射する工程としてもよい。
【０１４１】
次いで、オゾン水で表面を１２０秒処理して合計１〜５ｎｍの酸化膜からなるバリア層を形成する。
【０１４２】
次いで、バリア層上にスパッタ法にてゲッタリングサイトとなるアルゴン元素を含む非晶質シリコン膜を膜厚１５０ｎｍで形成する。本実施例のスパッタ法による成膜条件は、成膜圧力を０．３Ｐａとし、ガス（Ａｒ）流量を５０（sccm）とし、成膜パワーを３ｋＷとし、基板温度を１５０℃とする。なお、上記条件での非晶質シリコン膜に含まれるアルゴン元素の原子濃度は、３×１０20／ｃｍ3〜６×１０20／ｃｍ3、酸素の原子濃度は１×１０19／ｃｍ3〜３×１０19／ｃｍ3である。その後、ランプアニール装置を用いて６５０℃、３分の熱処理を行いゲッタリングする。
【０１４３】
次いで、バリア層をエッチングストッパーとして、ゲッタリングサイトであるアルゴン元素を含む非晶質シリコン膜を選択的に除去した後、バリア層を希フッ酸で選択的に除去する。なお、ゲッタリングの際、ニッケルは酸素濃度の高い領域に移動しやすい傾向があるため、酸化膜からなるバリア層をゲッタリング後に除去することが望ましい。
【０１４４】
次いで、得られた結晶構造を有するシリコン膜（ポリシリコン膜とも呼ばれる）の表面にオゾン水で薄い酸化膜を形成した後、レジストからなるマスクを形成し、所望の形状にエッチング処理して島状に分離された半導体層１０４〜１０８を形成する。半導体層を形成した後、レジストからなるマスクを除去する。
【０１４５】
次いで、フッ酸を含むエッチャントで酸化膜を除去すると同時にシリコン膜の表面を洗浄した後、ゲート絶縁膜１０９となる珪素を主成分とする絶縁膜を形成する。本実施例では、プラズマＣＶＤ法により１１５ｎｍの厚さで酸化窒化シリコン膜（組成比Ｓｉ＝３２％、Ｏ＝５９％、Ｎ＝７％、Ｈ＝２％）で形成する。
【０１４６】
次いで、図５（Ａ）に示すように、ゲート絶縁膜１０９上に膜厚２０〜１００ｎｍの第１の導電膜１１０ａと、膜厚１００〜４００ｎｍの第２の導電膜１１０ｂとを積層形成する。本実施例では、ゲート絶縁膜１０９上に膜厚５０ｎｍの窒化タンタル膜、膜厚３７０ｎｍのタングステン膜を順次積層する。
【０１４７】
第１の導電膜及び第２の導電膜を形成する導電性材料としてはＴａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｕから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料で形成する。また、第１の導電膜及び第２の導電膜としてリン等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコン膜に代表される半導体膜や、ＡｇＰｄＣｕ合金を用いてもよい。また、２層構造に限定されず、例えば、膜厚５０ｎｍのタングステン膜、膜厚５００ｎｍのアルミニウムとシリコンの合金（Ａｌ−Ｓｉ）膜、膜厚３０ｎｍの窒化チタン膜を順次積層した３層構造としてもよい。また、３層構造とする場合、第１の導電膜のタングステンに代えて窒化タングステンを用いてもよいし、第２の導電膜のアルミニウムとシリコンの合金（Ａｌ−Ｓｉ）膜に代えてアルミニウムとチタンの合金膜（Ａｌ−Ｔｉ）を用いてもよいし、第３の導電膜の窒化チタン膜に代えてチタン膜を用いてもよい。また、単層構造であってもよい。
【０１４８】
次に、図５（Ｂ）に示すように光露光工程によりレジストからなるマスク１１２〜１１７を形成し、ゲート電極及び配線を形成するための第１のエッチング処理を行う。第１のエッチング処理では第１及び第２のエッチング条件で行う。エッチングにはＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma：誘導結合型プラズマ）エッチング法を用いると良い。ＩＣＰエッチング法を用い、エッチング条件（コイル型の電極に印加される電力量、基板側の電極に印加される電力量、基板側の電極温度等）を適宜調節することによって所望のテーパー形状に膜をエッチングすることができる。なお、エッチング用ガスとしては、Ｃｌ2、ＢＣｌ3、ＳｉＣｌ4、ＣＣｌ4などを代表とする塩素系ガスまたはＣＦ4、ＳＦ6、ＮＦ3などを代表とするフッ素系ガス、またはＯ2を適宜用いることができる。
【０１４９】
本実施例では、基板側（試料ステージ）にも１５０WのＲＦ（13.56MHz）電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。なお、基板側の電極面積サイズは、１２．５ｃｍ×１２．５ｃｍであり、コイル型の電極面積サイズ（ここではコイルの設けられた石英円板）は、直径２５ｃｍの円板である。この第１のエッチング条件によりＷ膜をエッチングして第１の導電層の端部をテーパー形状とする。第１のエッチング条件でのＷに対するエッチング速度は２００．３９ｎｍ／ｍｉｎ、ＴａＮに対するエッチング速度は８０．３２ｎｍ／ｍｉｎであり、ＴａＮに対するＷの選択比は約２．５である。また、この第１のエッチング条件によって、Ｗのテーパー角は、約２６°となる。この後、レジストからなるマスク１１２〜１１７を除去せずに第２のエッチング条件に変え、エッチング用ガスにＣＦ4とＣｌ2とを用い、それぞれのガス流量比を３０／３０（ｓｃｃｍ）とし、１Paの圧力でコイル型の電極に５００WのＲＦ（13.56MHz）電力を投入してプラズマを生成して約３０秒程度のエッチングを行った。基板側（試料ステージ）にも２０WのＲＦ（13.56MHz）電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。ＣＦ4とＣｌ2を混合した第２のエッチング条件ではＷ膜及びＴａＮ膜とも同程度にエッチングされる。第２のエッチング条件でのＷに対するエッチング速度は５８．９７ｎｍ／ｍｉｎ、ＴａＮに対するエッチング速度は６６．４３ｎｍ／ｍｉｎである。なお、ゲート絶縁膜上に残渣を残すことなくエッチングするためには、１０〜２０％程度の割合でエッチング時間を増加させると良い。
【０１５０】
上記第１のエッチング処理では、レジストからなるマスクの形状を適したものとすることにより、基板側に印加するバイアス電圧の効果により第１の導電層及び第２の導電層の端部がテーパー形状となる。このテーパー部の角度は１５〜４５°とすればよい。
【０１５１】
こうして、第１のエッチング処理により第１の導電層と第２の導電層から成る第１の形状の導電層１１９〜１２３（第１の導電層１１９ａ〜１２３ａと第２の導電層１１９ｂ〜１２３ｂ）を形成する。ゲート絶縁膜となる絶縁膜１０９は、１０〜２０nm程度エッチングされ、第１の形状の導電層１１９〜１２３で覆われない領域が薄くなったゲート絶縁膜１１８となる。
【０１５２】
次いで、レジストからなるマスクを除去せずに第２のエッチング処理を行う。ここでは、エッチング用ガスにＳＦ6とＣｌ2とＯ2とを用い、それぞれのガス流量比を２４／１２／２４（ｓｃｃｍ）とし、１．３Paの圧力でコイル型の電極に７００WのＲＦ（13.56MHz）電力を投入してプラズマを生成してエッチングを２５秒行った。基板側（試料ステージ）にも１０WのＲＦ（13.56MHz）電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。第２のエッチング処理でのＷに対するエッチング速度は２２７．３ｎｍ／ｍｉｎ、ＴａＮに対するエッチング速度は３２．１ｎｍ／ｍｉｎであり、ＴａＮに対するＷの選択比は７．１であり、絶縁膜１１８であるＳｉＯＮに対するエッチング速度は３３．７ｎｍ／ｍｉｎであり、ＳｉＯＮに対するＷの選択比は６．８３である。このようにエッチングガス用ガスにＳＦ6を用いた場合、絶縁膜１１８との選択比が高いので膜減りを抑えることができる。本実施例では絶縁膜１１８において約８ｎｍしか膜減りが起きない。
【０１５３】
この第２のエッチング処理によりＷのテーパー角は７０°となった。この第２のエッチング処理により第２の導電層１２６ｂ〜１３１ｂを形成する。一方、第１の導電層は、ほとんどエッチングされず、第１の導電層１２６ａ〜１３１ａとなる。なお、第１の導電層１２６ａ〜１３１ａは、第１の導電層１１９ａ〜１２４ａとほぼ同一サイズである。実際には、第１の導電層の幅は、第２のエッチング処理前に比べて約０．３μｍ程度、即ち線幅全体で０．６μｍ程度後退する場合もあるがほとんどサイズに変化がない。
【０１５４】
また、２層構造に代えて、膜厚５０ｎｍのタングステン膜、膜厚５００ｎｍのアルミニウムとシリコンの合金（Ａｌ−Ｓｉ）膜、膜厚３０ｎｍの窒化チタン膜を順次積層した３層構造とした場合、第１のエッチング処理の第１のエッチング条件としては、ＢＣｌ3とＣｌ2とＯ2とを原料ガスに用い、それぞれのガス流量比を６５／１０／５（ｓｃｃｍ）とし、基板側（試料ステージ）に３００ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入し、１．２Ｐａの圧力でコイル型の電極に４５０ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入してプラズマを生成して１１７秒のエッチングを行えばよく、第１のエッチング処理の第２のエッチング条件としては、ＣＦ4とＣｌ2とＯ2とを用い、それぞれのガス流量比を２５／２５／１０（ｓｃｃｍ）とし、基板側（試料ステージ）にも２０ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入し、１Ｐａの圧力でコイル型の電極に５００ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入してプラズマを生成して約３０秒程度のエッチングを行えばよく、第２のエッチング処理としてはＢＣｌ3とＣｌ2を用い、それぞれのガス流量比を２０／６０（sccm）とし、基板側（試料ステージ）には１００ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入し、１．２Ｐａの圧力でコイル型の電極に６００ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入してプラズマを生成してエッチングを行えばよい。
【０１５５】
次いで、レジストからなるマスクを除去した後、第１のドーピング処理を行って図５（Ｄ）の状態を得る。ドーピング処理はイオンドープ法、もしくはイオン注入法で行えば良い。イオンドープ法の条件はドーズ量を１．５×１０14atoms/cm2とし、加速電圧を６０〜１００ｋｅＶとして行う。ｎ型を付与する不純物元素として、典型的にはリン（Ｐ）または砒素（Ａｓ）を用いる。この場合、第１の導電層及び第２の導電層１２６〜１３０がｎ型を付与する不純物元素に対するマスクとなり、自己整合的に第１の不純物領域１３２〜１３６が形成される。第１の不純物領域１３２〜１３６には１×１０16〜１×１０17/cm3の濃度範囲でｎ型を付与する不純物元素を添加する。ここでは、第１の不純物領域と同じ濃度範囲の領域をｎ--領域とも呼ぶ。
【０１５６】
なお、本実施例ではレジストからなるマスクを除去した後、第１のドーピング処理を行ったが、レジストからなるマスクを除去せずに第１のドーピング処理を行ってもよい。
【０１５７】
次いで、図６（Ａ）に示すようにレジストからなるマスク１３７〜１３９を形成し第２のドーピング処理を行う。マスク１３７は駆動回路のｐチャネル型ＴＦＴを形成する半導体層のチャネル形成領域及びその周辺の領域を保護するマスクであり、マスク１３８は駆動回路のｎチャネル型ＴＦＴの一つを形成する半導体層のチャネル形成領域及びその周辺の領域を保護するマスクであり、マスク１３９は画素部のＴＦＴを形成する半導体層のチャネル形成領域及びその周辺の領域と保持容量となる領域とを保護するマスクである。
【０１５８】
第２のドーピング処理におけるイオンドープ法の条件はドーズ量を１．５×１０15atoms/cm2とし、加速電圧を６０〜１００ｋｅＶとしてリン（Ｐ）をドーピングする。ここでは、第２の導電層１２６ｂ〜１２８ｂをマスクとして各半導体層に不純物領域が自己整合的に形成される。勿論、マスク１３７〜１３９で覆われた領域には添加されない。こうして、第２の不純物領域１４０〜１４２と、第３の不純物領域１４４が形成される。第２の不純物領域１４０〜１４２には１×１０20〜１×１０21/cm3の濃度範囲でｎ型を付与する不純物元素を添加されている。ここでは、第２の不純物領域と同じ濃度範囲の領域をｎ+領域とも呼ぶ。
【０１５９】
また、第３の不純物領域は第１の導電層により第２の不純物領域よりも低濃度に形成され、１×１０18〜１×１０19/cm3の濃度範囲でｎ型を付与する不純物元素を添加されることになる。なお、第３の不純物領域は、テーパー形状である第１の導電層の部分を通過させてドーピングを行うため、テーパ−部の端部に向かって不純物濃度が増加する濃度勾配を有している。ここでは、第３の不純物領域と同じ濃度範囲の領域をｎ-領域とも呼ぶ。また、マスク１３８、１３９で覆われた領域は、第２のドーピング処理で不純物元素が添加されず、第１の不純物領域１４６、１４７となる。
【０１６０】
次いで、レジストからなるマスク１３７〜１３９を除去した後、新たにレジストからなるマスク１４８〜１５０を形成して図６（Ｂ）に示すように第３のドーピング処理を行う。
【０１６１】
駆動回路において、上記第３のドーピング処理により、ｐチャネル型ＴＦＴを形成する半導体層および保持容量を形成する半導体層にｐ型の導電型を付与する不純物元素が添加された第４の不純物領域１５１、１５２及び第５の不純物領域１５３、１５４を形成する。
【０１６２】
また、第４の不純物領域１５１、１５２には１×１０20〜１×１０21/cm3の濃度範囲でｐ型を付与する不純物元素が添加されるようにする。尚、第４の不純物領域１５１、１５２には先の工程でリン（Ｐ）が添加された領域（ｎ--領域）であるが、ｐ型を付与する不純物元素の濃度がその１．５〜３倍添加されていて導電型はｐ型となっている。ここでは、第４の不純物領域と同じ濃度範囲の領域をｐ+領域とも呼ぶ。
【０１６３】
また、第５の不純物領域１５３、１５４は第２の導電層１２７ａのテーパー部と重なる領域に形成されるものであり、１×１０18〜１×１０20/cm3の濃度範囲でｐ型を付与する不純物元素が添加されるようにする。ここでは、第５の不純物領域と同じ濃度範囲の領域をｐ-領域とも呼ぶ。
【０１６４】
以上までの工程でそれぞれの半導体層にｎ型またはｐ型の導電型を有する不純物領域が形成される。導電層１２６〜１２９はＴＦＴのゲート電極となる。また、導電層１３０は画素部において保持容量を形成する一方の電極となる。さらに、導電層１３１は画素部においてソース配線を形成する。
【０１６５】
次いで、ほぼ全面を覆う絶縁膜（図示しない）を形成する。本実施例では、プラズマＣＶＤ法により膜厚５０ｎｍの酸化シリコン膜を形成した。勿論、この絶縁膜は酸化シリコン膜に限定されるものでなく、他のシリコンを含む絶縁膜を単層または積層構造として用いても良い。
【０１６６】
次いで、それぞれの半導体層に添加された不純物元素を活性化処理する工程を行う。この活性化工程は、ランプ光源を用いたラピッドサーマルアニール法（ＲＴＡ法）、或いはＹＡＧレーザーまたはエキシマレーザーを裏面から照射する方法、或いは炉を用いた熱処理、或いはこれらの方法のうち、いずれかと組み合わせた方法によって行う。
【０１６７】
また、本実施例では、上記活性化の前に絶縁膜を形成した例を示したが、上記活性化を行った後、絶縁膜を形成する工程としてもよい。
【０１６８】
次いで、窒化シリコン膜からなる第１の層間絶縁膜１５５を形成して熱処理（３００〜５５０℃で１〜１２時間の熱処理）を行い、半導体層を水素化する工程を行う。（図６（Ｃ））この工程は第１の層間絶縁膜１５５に含まれる水素により半導体層のダングリングボンドを終端する工程である。酸化シリコン膜からなる絶縁膜（図示しない）の存在に関係なく半導体層を水素化することができる。ただし、本実施例では、第２の導電層としてアルミニウムを主成分とする材料を用いているので、水素化する工程において第２の導電層が耐え得る熱処理条件とすることが重要である。水素化の他の手段として、プラズマ水素化（プラズマにより励起された水素を用いる）を行っても良い。
【０１６９】
次いで、第１の層間絶縁膜１５５上に有機絶縁物材料から成る第２の層間絶縁膜１５６を形成する。本実施例では膜厚１．６μｍのアクリル樹脂膜を形成する。次いで、ソース配線１３１に達するコンタクトホールと、導電層１２９、１３０に達するコンタクトホールと、各不純物領域に達するコンタクトホールを形成する。本実施例では複数のエッチング処理を順次行う。本実施例では第１の層間絶縁膜をエッチングストッパーとして第２の層間絶縁膜をエッチングした後、絶縁膜（図示しない）をエッチングストッパーとして第１の層間絶縁膜をエッチングしてから絶縁膜（図示しない）をエッチングした。
【０１７０】
その後、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗなどを用いて配線及び画素電極を形成する。これらの電極及び画素電極の材料は、ＡｌまたはＡｇを主成分とする膜、またはそれらの積層膜等の反射性の優れた材料を用いることが望ましい。こうして、ソース電極またはドレイン電極１５７〜１６２、ゲート配線１６４、接続配線１６３、画素電極１６５が形成される。
【０１７１】
以上の様にして、ｎチャネル型ＴＦＴ２０１、ｐチャネル型ＴＦＴ２０２、ｎチャネル型ＴＦＴ２０３を有する駆動回路２０６と、ｎチャネル型ＴＦＴからなる画素ＴＦＴ２０４、保持容量２０５とを有する画素部２０７を同一基板上に形成することができる。（図７）本明細書中ではこのような基板を便宜上アクティブマトリクス基板と呼ぶ。本明細書中ではこのような基板を便宜上アクティブマトリクス基板と呼ぶ。
【０１７２】
画素部２０７において、画素ＴＦＴ２０４（ｎチャネル型ＴＦＴ）にはチャネル形成領域１６９、ゲート電極を形成する導電層１２９の外側に形成される第１の不純物領域（ｎ--領域）１４７と、ソース領域またはドレイン領域として機能する第２の不純物領域（ｎ+領域）１４２、１７１を有している。また、保持容量２０５の一方の電極として機能する半導体層には第４の不純物領域１５２、第５の不純物領域１５４が形成されている。保持容量２０５は、絶縁膜（ゲート絶縁膜と同一膜）１１８を誘電体として、第２の電極１３０と、半導体層１５２、１５４、１７０とで形成されている。
【０１７３】
また、駆動回路２０６において、ｎチャネル型ＴＦＴ２０１（第１のｎチャネル型ＴＦＴ）はチャネル形成領域１６６、ゲート電極を形成する導電層１２６の一部と絶縁膜を介して重なる第３の不純物領域（ｎ-領域）１４４とソース領域またはドレイン領域として機能する第２の不純物領域（ｎ+領域）１４０を有している。
【０１７４】
また、駆動回路２０６において、ｐチャネル型ＴＦＴ２０２にはチャネル形成領域１６７、ゲート電極を形成する導電層１２７の一部と絶縁膜を介して重なる第５不純物領域（ｐ-領域）１５３とソース領域またはドレイン領域として機能する第４の不純物領域（ｐ+領域）１５１を有している。
【０１７５】
また、駆動回路２０６において、ｎチャネル型ＴＦＴ２０３（第２のｎチャネル型ＴＦＴ）にはチャネル形成領域１６８、ゲート電極を形成する導電層１２８の外側に第１の不純物領域（ｎ--領域）１４６とソース領域またはドレイン領域として機能する第２の不純物領域（ｎ+領域）１４１を有している。
【０１７６】
これらのＴＦＴ２０１〜２０３を適宜組み合わせてシフトレジスタ回路、バッファ回路、レベルシフタ回路、ラッチ回路などを形成し、駆動回路２０６を形成すればよい。例えば、ＣＭＯＳ回路を形成する場合には、ｎチャネル型ＴＦＴ２０１とｐチャネル型ＴＦＴ２０２を相補的に接続して形成すればよい。
【０１７７】
特に、駆動電圧が高いバッファ回路には、ホットキャリア効果による劣化を防ぐ目的から、ｎチャネル型ＴＦＴ２０３の構造が適している。
【０１７８】
また、信頼性が最優先とされる回路には、ＧＯＬＤ構造であるｎチャネル型ＴＦＴ２０１の構造が適している。
【０１７９】
また、半導体膜表面の平坦化を向上させることによって信頼性を向上させることができるので、ＧＯＬＤ構造のＴＦＴにおいて、ゲート電極とゲート絶縁膜を介して重なる不純物領域の面積を縮小しても十分な信頼性を得ることができる。具体的にはＧＯＬＤ構造のＴＦＴにおいてゲート電極のテーパー部となる部分サイズを小さくしても十分な信頼性を得ることができる。
【０１８０】
また、ＧＯＬＤ構造のＴＦＴにおいてはゲート絶縁膜が薄くなると寄生容量が増加するが、ゲート電極（第１導電層）のテーパー部となる部分サイズを小さくして寄生容量を低減すれば、ｆ特性（周波数特性）も向上してさらなる高速動作が可能となり、且つ、十分な信頼性を有するＴＦＴとなる。
【０１８１】
なお、画素部２０７の画素ＴＦＴにおいても、第２のレーザー光の照射によりオフ電流の低減、およびバラツキの低減が実現される。
【０１８２】
また、本実施例では反射型の表示装置を形成するためのアクティブマトリクス基板を作製する例を示したが、画素電極を透明導電膜、例えば、ＩＴＯ（酸化インジウム酸化スズ合金）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ2Ｏ3―ＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等で形成すると、フォトマスクは１枚増えるものの、透過型の表示装置を形成することができる。
【０１８３】
また、本実施例ではガラス基板を用いたが、特に限定されず、石英基板、半導体基板、セラミックス基板、金属基板を用いることができる。
【０１８４】
また、図７の状態を得た後、第２の材料層１０２上に設けたＴＦＴを含む層（被剥離層）の機械的強度が十分であれば、基板１００を引き剥がしてもよい。第２の材料層１０２が圧縮応力を有し、第１の材料層１０１が引張応力を有するため、比較的小さな力（例えば、人間の手、ノズルから吹付けられるガスの風圧、超音波等）で引き剥がすことができる。本実施例は、被剥離層の機械的強度が不十分であるので、被剥離層を固定する支持体（図示しない）を貼りつけた後、剥離することが好ましい。
【０１８５】
［実施例２］
本実施例では、実施例１で作製したアクティブマトリクス基板から、基板１００を剥離してプラスチック基板を貼り合わせてアクティブマトリクス型液晶表示装置を作製する工程を以下に説明する。説明には図８を用いる。
【０１８６】
図８（Ａ）において、４００は基板、４０１は第１の材料層、４０２は第２の材料層、４０３は下地絶縁層、４０４ａは駆動回路４１３の素子、４０４ｂは画素部４１４の素子４０４ｂ、４０５は画素電極である。ここで素子とは、アクティブマトリクス型の液晶表示装置において、画素のスイッチング素子として用いる半導体素子（典型的にはＴＦＴ）もしくはＭＩＭ素子等を指す。図８（Ａ）に示したアクティブマトリクス基板は図７に示したアクティブマトリクス基板を簡略化して示したものであり、図７中の基板１００は図８（Ａ）中の基板４００に対応している。同様に図８（Ａ）中の４０１は、図７中の１０１に、図８（Ａ）中の４０２は、図７中の１０２に、図８（Ａ）中の４０３は、図７中の１０３に、図８（Ａ）中の４０４ａは、図７中の２０１及び２０２に、図８（Ａ）中の４０４ｂは、図７中の２０４に、図８（Ａ）中の４０５は、図７中の１６５にそれぞれ対応している。
【０１８７】
まず、実施例１に従い、図７の状態のアクティブマトリクス基板を得た後、図７のアクティブマトリクス基板上に配向膜４０６ａを形成しラビング処理を行う。なお、本実施例では配向膜を形成する前に、アクリル樹脂膜等の有機樹脂膜をパターニングすることによって基板間隔を保持するための柱状のスペーサ（図示しない）を所望の位置に形成した。また、柱状のスペーサに代えて、球状のスペーサを基板全面に散布してもよい。
【０１８８】
次いで、支持体４０７となる対向基板を用意する。この対向基板には、着色層、遮光層が各画素に対応して配置されたカラーフィルタ（図示しない）が設けられている。対向基板としてはガラス基板を用いてもよいが、ここでは軽量化するためにプラスチック基板を用いる。また、駆動回路の部分にも遮光層を設けた。このカラーフィルタと遮光層とを覆う平坦化膜（図示しない）を設けた。次いで、平坦化膜上に透明導電膜からなる対向電極４０８を画素部に形成し、対向基板の全面に配向膜４０６ｂを形成し、ラビング処理を施した。
【０１８９】
そして、画素部と駆動回路が形成されたアクティブマトリクス基板４００と支持体４０７とを接着層４０９となるシール材で貼り合わせる。シール材にはフィラーが混入されていて、このフィラーと柱状スペーサによって均一な間隔を持って２枚の基板が貼り合わせられる。その後、両基板の間に液晶材料４１０を注入し、封止剤（図示せず）によって完全に封止する。（図８（Ｂ））液晶材料４１０には公知の液晶材料を用いれば良い。
【０１９０】
次いで、上記実施の形態１〜３で示したいずれか一の処理（密着性を部分的に低下させる処理）を行う。ここではレーザー光を照射する例を図９を用いて説明する。図９（Ａ）はアクティブマトリクス基板を簡略化した斜視図であり、被剥離層５１ａが設けられている基板５０を示している。図８に示す基板４００と図９に示す基板５０とが対応しており同一の基板を指している。なお、ここで被剥離層５１ａは、ＴＦＴ、液晶、及び対向基板を含めたものを指している。密着性を部分的に低下させるために基板の一つの端面に沿ってレーザー光を表面側または裏面側から照射し、レーザー光の照射領域５６を設ける。次いで、レーザー光の照射領域５６が設けられた側から基板５０を物理的手段により引き剥がす。図９（Ｂ１）は、剥離途中の状態を示す斜視図である。対向基板としてプラスチック基板を用いたため、図９（Ｂ１）では被剥離層５１ｂが曲げられている状態を図示しているが、被剥離層５１ｂにクラックが発生する恐れがあるため、できるだけ曲げないようにすることが望ましい。従って、図９（Ｂ２）に示すように、ＴＦＴの活性層となる半導体層５２ａ、５３ａ、５４ａにおけるチャネル長方向と曲げられる方向（剥離方向）５５が９０°となるようにするよう薄膜トランジスタのチャネル長方向は全て同一方向に配置することが望ましい。言いかえると、各ＴＦＴのチャネル幅方向と曲げられる方向（剥離方向）５５とを一致させることが望ましい。こうすることによって素子を含む被剥離層が曲がったとしても素子特性への影響を最小限に抑えることができる。なお、図９（Ｂ２）は、図９（Ｂ１）と同様に剥離途中の状態を指しており、簡略化のため、基板を図示せずに被剥離層５１ｂに設けられた画素部５２や駆動回路（Ｘ方向）５３や駆動回路（Ｙ方向）５４のＴＦＴの半導体層のみを示したものである。図９（Ｂ２）中、５２ｂ、５３ｂ、５４ｂはチャネル長方向を指している。
【０１９１】
図８（Ｃ）に剥離後の状態を示す。第２の材料層４０２が圧縮応力を有し、第１の材料層４０１が引張応力を有するため、比較的小さな力（例えば、人間の手、ノズルから吹付けられるガスの風圧、超音波等）で引き剥がすことができる。
【０１９２】
次いで、エポキシ樹脂などの接着層４１１により転写体４１２に貼り付ける。本実施例では、転写体４１２をプラスチックフィルム基板とすることで、軽量化を図る。
【０１９３】
このようにしてフレキシブルなアクティブマトリクス型液晶表示装置が完成する。そして、必要があれば、フレキシブルな基板４１２または対向基板を所望の形状に分断する。さらに、公知の技術を用いて偏光板（図示しない）等を適宜設けた。そして、公知の技術を用いてＦＰＣ（図示しない）を貼りつけた。
【０１９４】
［実施例３］
実施例２により得られた液晶モジュールの構成を図１０の上面図を用いて説明する。実施例２における基板４１２が基板３０１に対応する。
【０１９５】
基板３０１の中央には、画素部３０４が配置されている。画素部３０４の上側には、ソース信号線を駆動するためのソース信号線駆動回路３０２が配置されている。画素部３０４の左右には、ゲート信号線を駆動するためのゲート信号線駆動回路３０３が配置されている。本実施例に示した例では、ゲート信号線駆動回路３０３は画素部に対して左右対称配置としているが、これは片側のみの配置でも良く、液晶モジュールの基板サイズ等を考慮して、設計者が適宜選択すれば良い。ただし、回路の動作信頼性や駆動効率等を考えると、図１０に示した左右対称配置が望ましい。
【０１９６】
各駆動回路への信号の入力は、フレキシブルプリント基板（Flexible Print Circuit：ＦＰＣ）３０５から行われる。ＦＰＣ３０５は、基板３０１の所定の場所まで配置された配線に達するように、層間絶縁膜および樹脂膜にコンタクトホールを開口し、接続電極３０９を形成した後、異方性導電膜等を介して圧着される。本実施例においては、接続電極はＩＴＯを用いて形成する。
【０１９７】
駆動回路、画素部の周辺には、基板外周に沿ってシール剤３０７が塗布され、あらかじめフィルム基板上に形成されたスペーサ３１０によって一定のギャップ（基板３０１と対向基板３０６との間隔）を保った状態で、対向基板３０６が貼り付けられる。その後、シール剤３０７が塗布されていない部分より液晶材料が注入され、封止剤３０８によって密閉される。これらを全て含む図１０に示した装置を液晶モジュールと呼ぶ。
【０１９８】
また、ここでは全ての駆動回路をフィルム基板上に形成した例を示したが、駆動回路の一部に数個のＩＣを用いてもよい。
【０１９９】
また、本実施例は、実施例１と自由に組みあわせることが可能である。
【０２００】
［実施例４］
本実施例では、プラスチック基板上に形成されたＥＬ（Electro Luminescence）素子を備えた発光表示装置を作製する例を図１１に示す。
【０２０１】
図１３（Ａ）において、６００は基板、６０１は第１の材料層、６０２は第２の材料層、６０３は下地絶縁層、６０４ａは駆動回路６１１の素子、６０４ｂ、６０４ｃは画素部６１２の素子、６０５はＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Device）である。ここで素子とは、アクティブマトリクス型の発光装置ならば画素のスイッチング素子として用いる半導体素子（典型的にはＴＦＴ）もしくはＭＩＭ素子並びにＯＬＥＤ等を指す。そして、これらの素子を覆って、層間絶縁膜６０６を形成する。層間絶縁膜６０６は、成膜後の表面がより平坦であることが好ましい。なお、層間絶縁膜６０６は必ずしも設ける必要はない。
【０２０２】
なお、基板６００上に設ける６０１〜６０３は実施例１に従って形成すればよい。
【０２０３】
これらの素子（６０４ａ、６０４ｂ、６０４ｃを含む）は、上記実施例１のｎチャネル型ＴＦＴ２０１、上記実施例１のｐチャネル型ＴＦＴ２０２に従って作製すればよい。
【０２０４】
ＯＬＥＤ６０５は、電場を加えることで発生するルミネッセンス（Electroluminescence）が得られる有機化合物（有機発光材料）を含む層（以下、有機発光層と記す）と、陽極層と、陰極層とを有している。有機化合物におけるルミネッセンスには、一重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（蛍光）と三重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（リン光）とがあるが、本発明の発光装置は、上述した発光のうちの、いずれか一方の発光を用いていても良いし、または両方の発光を用いていても良い。なお、本明細書では、ＯＬＥＤの陽極と陰極の間に形成された全ての層を有機発光層と定義する。有機発光層には具体的に、発光層、正孔注入層、電子注入層、正孔輸送層、電子輸送層等が含まれる。基本的にＯＬＥＤは、陽極／発光層／陰極が順に積層された構造を有しており、この構造に加えて、陽極／正孔注入層／発光層／陰極や、陽極／正孔注入層／発光層／電子輸送層／陰極等の順に積層した構造を有していることもある。
【０２０５】
上記方法により、図１１（Ａ）の状態を得たら、接着層６０７により支持体６０８を貼り合わせる。（図１１（Ｂ））本実施例では支持体６０８としてプラスチック基板を用いる。具体的には、支持体として、厚さ１０μｍ以上の樹脂基板、例えばＰＥＳ（ポリエチレンサルファイル）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）もしくはＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）を用いることができる。これらのプラスチック基板は、外部から水分や酸素といった有機化合物層の劣化を促す物質が侵入することを防ぐ効果は弱いため、例えば、プラスチック基板である支持体を覆って窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化酸化アルミニウム（ＡｌＮXＯY（Ｘ＞Ｙ））、酸化窒化アルミニウム（ＡｌＮXＯY（Ｘ＜Ｙ））、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化ベリリウム（ＢｅＯ）から選ばれた単層、またはこれらの積層を設けて、十分に外部から水分や酸素といった有機化合物層の劣化を促す物質が侵入することを防ぐ構成とすればよい。なお、窒化酸化アルミニウム（ＡｌＮXＯY（Ｘ＞Ｙ））を用いる場合、膜中の窒素濃度は１０atm％〜８０atm％であることが望ましい。例えば、ＡｌＮ膜の形成方法は、スパッタ法で窒化アルミニウム（ＡｌＮ）ターゲット、好ましくは純度２Ｎ以上を用い、アルゴンガスと窒素ガスが混合した雰囲気下にて成膜する。また、アルミニウム（Ａｌ）ターゲットを用い、窒素ガス雰囲気下にて成膜してもよい。
【０２０６】
また、膜厚２００ｎｍのＡｌＮXＯY膜が設けられたフィルム基板でＯＬＥＤを封止したサンプルと、膜厚２００ｎｍのＳｉＮ膜が設けられたフィルム基板でＯＬＥＤを封止したサンプルとを用意して、８５度に加熱した水蒸気雰囲気中での経時変化を調べる実験を行ったところ、ＳｉＮ膜のサンプルに比べ、ＡｌＮXＯY膜のサンプルのほうがＯＬＥＤの寿命が長く、長時間の発光が可能であった。この実験結果から、ＡｌＮXＯY膜は、ＳｉＮ膜よりも外部から水分や酸素といった有機化合物層の劣化を促す物質が侵入することを防げる材料膜であることが読み取れる。
【０２０７】
また、これらの膜（ＡｌＮ、ＡｌＮXＯY（Ｘ＞Ｙ）等）でプラスチック基板の一方の面のみを覆う構成としてもよく、層間絶縁膜６０６上にこれらの膜（ＡｌＮ、ＡｌＮXＯY（Ｘ＞Ｙ）等）を形成してもよい。
【０２０８】
また、膜厚１００ｎｍにおけるＡｌＮ膜と、ＡｌＮXＯY（Ｘ＞Ｙ）膜の透過率を図１８に示す。図１８に示すように、これらの膜（ＡｌＮ、ＡｌＮXＯY（Ｘ＞Ｙ）等）は透光性が非常に高く（可視光領域で透過率８０％〜９１．３％）、発光素子からの発光の妨げにならない。また、これらの膜（ＡｌＮ、ＡｌＮXＯY（Ｘ＞Ｙ）等）は、熱伝導性が高く放熱効果も有する。
【０２０９】
なお、ＯＬＥＤから見て観測者側（発光装置の使用者側）に位置する場合、支持体６０８および接着層６０７は、光を透過する材料であることが必要である。
【０２１０】
次いで、実施の形態１乃至３のいずれか一の処理を行って密着性を部分的に低下させた後、第１の材料層６０１が設けられている基板６００を物理的手段により引き剥がす。（図１１（Ｃ））第２の材料層６０２が圧縮応力を有し、第１の材料層６０１が引張応力を有するため、比較的小さな力（例えば、人間の手、ノズルから吹付けられるガスの風圧、超音波等）で引き剥がすことができる。
【０２１１】
次いで、エポキシ樹脂などの接着層６０９により転写体６１０に貼り付ける。（図１１（Ｄ））本実施例では、転写体６１０をプラスチックフィルム基板とすることで、軽量化を図る。
【０２１２】
プラスチック基板である転写体も同様に窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化酸化アルミニウム（ＡｌＮXＯY（Ｘ＞Ｙ））、酸化窒化アルミニウム（ＡｌＮXＯY（Ｘ＜Ｙ））、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化ベリリウム（ＢｅＯ）から選ばれた単層、またはこれらの積層を設け、十分に外部から水分や酸素といった有機化合物層の劣化を促す物質が侵入することを防ぐことが好ましい。
【０２１３】
こうして、可撓性を有する支持体６０８、可撓性を有する転写体６１０によって挟まれたフレキシブルな発光装置を得ることができる。なお、支持体６０８と転写体６１０とを同一材料にすると、熱膨張係数が等しくなるので、温度変化による応力歪みの影響を受けにくくすることができる。
【０２１４】
そして、必要があれば、可撓性を有する支持体６０８、可撓性を有する転写体６１０を所望の形状に分断する。そして、公知の技術を用いてＦＰＣ（図示しない）を貼りつけた。
【０２１５】
［実施例５］
実施例４により得られたＥＬモジュールの構成を図１２の上面図及び断面図を用いて説明する。実施例４における転写体６１０がフィルム基板９００ａに対応する。ここでは、フィルム基板９００ａ上に熱伝導性を有する膜９００ｂ（代表的には、窒化アルミニウム膜や窒化酸化アルミニウム膜）が設けられた例を示す。
【０２１６】
図１２（Ａ）は、ＥＬモジュールを示す上面図、図１２（Ｂ）は図１２（Ａ）をＡ−Ａ’で切断した断面図である。図１２（Ａ）において、可撓性を有するフィルム基板９００ａ（例えば、プラスチック基板等）に、熱伝導性を有する膜９００ｂが設けられ、接着層９２３で接着された圧縮応力を有する膜９０１（例えば、酸化シリコン膜）と、圧縮応力を有する膜９０１の上に画素部９０２、ソース側駆動回路９０４、及びゲート側駆動回路９０３が形成されている。これらの画素部や駆動回路は、上記実施例１に従えば得ることができる。
【０２１７】
上記熱伝導性を有する膜９００ｂとは、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化酸化アルミニウム（ＡｌＮXＯY（Ｘ＞Ｙ））、酸化窒化アルミニウム（ＡｌＮXＯY（Ｘ＜Ｙ））、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化ベリリウム（ＢｅＯ）から選ばれた単層、またはこれらの積層を指している。上記熱伝導性を有する膜９００ｂを設けることによって、素子の発熱を放熱することができるとともに、十分に外部から水分や酸素といった有機化合物層の劣化を促す物質が侵入することを防ぐことができる。
【０２１８】
また、９１８は有機樹脂、９１９は保護膜であり、画素部および駆動回路部は有機樹脂９１８で覆われ、その有機樹脂は保護膜９１９で覆われている。さらに、接着層を用いてカバー材９２０で封止されている。カバー材９２０は、支持体として剥離前に接着される。熱や外力などによる変形に耐えるためカバー材９２０はフィルム基板９００ａと同じ材質のもの、例えばプラスチック基板を用いることが望ましく、図１２（Ｂ）に示す凹部形状（深さ３〜１０μｍ）に加工されたものを用いる。さらに加工して乾燥剤９２１が設置できる凹部（深さ５０〜２００μｍ）を形成することが望ましい。また、多面取りでＥＬモジュールを製造する場合、基板とカバー材とを貼り合わせた後、ＣＯ2レーザー等を用いて端面が一致するように分断してもよい。
【０２１９】
なお、９０８はソース側駆動回路９０４及びゲート側駆動回路９０３に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）９０９からビデオ信号やクロック信号を受け取る。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基盤（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。
【０２２０】
次に、断面構造について図１２（Ｂ）を用いて説明する。フィルム基板９００ａ上に熱伝導性を有する膜９００ｂが設けられ、接着層９２３で接着された圧縮応力を有する膜９０１が設けられ、その上に絶縁膜９１０が設けられ、絶縁膜９１０の上方には画素部９０２、ゲート側駆動回路９０３が形成されており、画素部９０２は電流制御用ＴＦＴ９１１とそのドレインに電気的に接続された画素電極９１２を含む複数の画素により形成される。また、ゲート側駆動回路９０３はｎチャネル型ＴＦＴ９１３とｐチャネル型ＴＦＴ９１４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路を用いて形成される。
【０２２１】
これらのＴＦＴ（９１１、９１３、９１４を含む）は、上記実施例１のｎチャネル型ＴＦＴ、上記実施例１のｐチャネル型ＴＦＴに従って作製すればよい。
【０２２２】
なお、実施例１、実施例２に従って同一基板上に画素部９０２、ソース側駆動回路９０４、及びゲート側駆動回路９０３形成した後は、実施例２に従って、支持体（ここではカバー材）を接着した後、基板（図示しない）を剥離した後、熱伝導性を有する膜９００ｂが設けられたフィルム基板９００ａを接着層９２３で貼りつけている。
【０２２３】
また、カバー材９２０を図１２（Ｂ）に示す凹部形状とした場合、支持体となるカバー材９２０を接着した後、剥離する際には配線引き出し端子の部分（接続部分）が絶縁膜９１０のみとなり機械強度が弱くなるため、剥離前にＦＰＣ９０９を貼りつけ、さらに有機樹脂９２２で固定することが望ましい。
【０２２４】
なお、ＴＦＴとＯＬＥＤの間に設ける絶縁膜としては、アルカリ金属イオンやアルカリ土金属イオン等の不純物イオンの拡散をブロックするだけでなく、積極的にアルカリ金属イオンやアルカリ土金属イオン等の不純物イオンを吸着する材料が好ましく、更には後のプロセス温度に耐えうる材料が適している。これらの条件に合う材料は、一例としてフッ素を多く含んだ窒化シリコン膜が挙げられる。窒化シリコン膜の膜中に含まれるフッ素濃度は、１×１０19／ｃｍ3以上、好ましくは窒化シリコン膜中でのフッ素の組成比を１〜５％とすればよい。窒化シリコン膜中のフッ素がアルカリ金属イオンやアルカリ土金属イオン等と結合し、膜中に吸着される。また、他の例としてアルカリ金属イオンやアルカリ土金属イオン等を吸着するアンチモン（Ｓｂ）化合物、スズ（Ｓｎ）化合物、またはインジウム（Ｉｎ）化合物からなる微粒子を含む有機樹脂膜、例えば、五酸化アンチモン微粒子（Ｓｂ2Ｏ5・ｎＨ2Ｏ）を含む有機樹脂膜も挙げられる。なお、この有機樹脂膜は、平均粒径１０〜２０ｎｍの微粒子が含まれており、光透過性も非常に高い。この五酸化アンチモン微粒子で代表されるアンチモン化合物は、アルカリ金属イオン等の不純物イオンやアルカリ土金属イオンを吸着しやすい。
【０２２５】
画素電極９１２は発光素子（ＯＬＥＤ）の陰極として機能する。陰極としては、仕事関数の小さい材料（Ａｌ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、ＣａＦ2、またはＣａＮ）を用いればよい。また、画素電極９１２の両端にはバンク９１５が形成され、画素電極９１２上には有機化合物層９１６および発光素子の陽極９１７が形成される。
【０２２６】
有機化合物層９１６としては、発光層、電荷輸送層または電荷注入層を自由に組み合わせて有機化合物層（発光及びそのためのキャリアの移動を行わせるための層）を形成すれば良い。例えば、低分子系有機化合物材料や高分子系有機化合物材料を用いればよい。また、有機化合物層９１６として一重項励起により発光（蛍光）する発光材料（シングレット化合物）からなる薄膜、または三重項励起により発光（リン光）する発光材料（トリプレット化合物）からなる薄膜を用いることができる。また、電荷輸送層や電荷注入層として炭化珪素等の無機材料を用いることも可能である。これらの有機材料や無機材料は公知の材料を用いることができる。
【０２２７】
陽極９１７は全画素に共通の配線としても機能し、接続配線９０８を経由してＦＰＣ９０９に電気的に接続されている。さらに、画素部９０２及びゲート側駆動回路９０３に含まれる素子は全て陽極９１７、有機樹脂９１８、及び保護膜９１９で覆われている。陽極９１７としては透明性を有し、且つ、仕事関数の大きい導電膜（ＩＴＯ（酸化インジウム酸化スズ合金）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ2Ｏ3―ＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）を用いることが望ましい。
【０２２８】
なお、有機樹脂９１８としては、できるだけ可視光に対して透明もしくは半透明な材料を用いるのが好ましい。また、有機樹脂９１８はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。
【０２２９】
また、有機樹脂９１８を用いて発光素子を完全に覆った後、すくなくとも図１２に示すように保護膜９１９を有機樹脂９１８の表面（露呈面）に設けることが好ましい。また、基板の裏面を含む全面に保護膜を設けてもよい。ここで、外部入力端子（ＦＰＣ）が設けられる部分に保護膜が成膜されないように注意することが必要である。マスクを用いて保護膜が成膜されないようにしてもよいし、ＣＶＤ装置でマスキングテープとして用いるテフロン（登録商標）等のテープで外部入力端子部分を覆うことで保護膜が成膜されないようにしてもよい。保護膜９１９として、９００ｂと同じ熱伝導性を有する膜を用いてもよい。保護膜９１９としてはスパッタ法（ＤＣ方式やＲＦ方式）やＰＣＶＤ法により得られる窒化珪素または窒化酸化珪素を主成分とする絶縁膜、または炭素を主成分とする薄膜（ＤＬＣ膜、ＣＮ膜など）、またはこれらの積層を用いることが好ましい。
【０２３０】
以上のような構造で発光素子を保護膜９１９で封入することにより、発光素子を外部から完全に遮断することができ、外部から水分や酸素等の有機化合物層の酸化による劣化を促す物質が侵入することを防ぐことができる。加えて、熱伝導性を有する膜９００ｂにより発熱を発散することができる。従って、信頼性の高い発光装置を得ることができる。
【０２３１】
また、図１２では、画素電極を陰極とし、有機化合物層と透明電極である陽極を積層して矢印方向に発光させる構造（以下、上面出射構造とよぶ）とした例を示したが、陽極上に有機化合物を含む層を形成し、有機化合物を含む層上に透明電極である陰極を形成するという構造としてもよい。この場合、発光が透過するように陰極として、膜厚を薄くした金属薄膜（Ａｌ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ）と、透明導電膜（ＩＴＯ（酸化インジウム酸化スズ合金）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ2Ｏ3―ＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）との積層を用いればよい。
【０２３２】
また、画素電極を陽極とし、有機化合物層と陰極を積層して図１２とは逆方向に発光する構成としてもよい。図１３にその一例を示す。なお、上面図は同一であるので省略する。
【０２３３】
図１３に示した断面構造について以下に説明する。熱伝導性を有する膜１０００ｂが設けられたフィルム基板１０００ａ上に絶縁膜１０１０が設けられ、絶縁膜１０１０の上方には画素部１００２、ゲート側駆動回路１００３が形成されており、画素部１００２は電流制御用ＴＦＴ１０１１とそのドレインに電気的に接続された画素電極１０１２を含む複数の画素により形成される。なお、実施の形態に従って、基板上に形成した被剥離層を剥離した後、熱伝導性を有する膜１０００ｂが設けられたフィルム基板１０００ａが接着層１０２３で貼りつけられる。また、ゲート側駆動回路１００３はｎチャネル型ＴＦＴ１０１３とｐチャネル型ＴＦＴ１０１４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路を用いて形成される。
【０２３４】
上記熱伝導性を有する膜１０００ｂとは、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化酸化アルミニウム（ＡｌＮXＯY（Ｘ＞Ｙ））、酸化窒化アルミニウム（ＡｌＮXＯY（Ｘ＜Ｙ））、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化ベリリウム（ＢｅＯ）から選ばれた単層、またはこれらの積層を指している。上記熱伝導性を有する膜１０００ｂを設けることによって、素子の発熱を放熱することができるとともに、十分に外部から水分や酸素といった有機化合物層の劣化を促す物質が侵入することを防ぐことができる。
【０２３５】
これらのＴＦＴ（１０１１、１０１３、１０１４を含む）は、上記実施例１のｎチャネル型ＴＦＴ２０１、上記実施例１のｐチャネル型ＴＦＴ２０２に従って作製すればよい。
【０２３６】
画素電極１０１２は発光素子（ＯＬＥＤ）の陽極として機能する。また、画素電極１０１２の両端にはバンク１０１５が形成され、画素電極１０１２上には有機化合物層１０１６および発光素子の陰極１０１７が形成される。
【０２３７】
陰極１０１７は全画素に共通の配線としても機能し、接続配線１００８を経由してＦＰＣ１００９に電気的に接続されている。さらに、画素部１００２及びゲート側駆動回路１００３に含まれる素子は全て陰極１０１７、有機樹脂１０１８、及び保護膜１０１９で覆われている。保護膜１０１９として、１０００ｂと同じ熱伝導性を有する膜を用いてもよい。また、カバー材１０２０と接着層で貼り合わせている。また、カバー材には凹部を設け、乾燥剤１０２１を設置する。
【０２３８】
また、カバー材１０２０を図１３に示す凹部形状とした場合、支持体となるカバー材１０２０を接着した後、剥離する際には配線引き出し端子の部分が絶縁膜１０１０のみとなり機械強度が弱くなるため、剥離前にＦＰＣ１００９を貼りつけ、さらに有機樹脂１０２２で固定することが望ましい。
【０２３９】
また、図１３では、画素電極を陽極とし、有機化合物層と陰極を積層したため、発光方向は図１３に示す矢印の方向となっている。
【０２４０】
また、ここではトップゲート型ＴＦＴを例として説明したが、ＴＦＴ構造に関係なく本発明を適用することが可能であり、例えばボトムゲート型（逆スタガ型）ＴＦＴや順スタガ型ＴＦＴに適用することが可能である。
【０２４１】
［実施例６］
また、実施例５ではトップゲート型ＴＦＴを用いた例を示したが、ボトムゲート型ＴＦＴを用いることも可能である。ここではボトムゲート型ＴＦＴを用いた例を図１４に示す。
【０２４２】
図１４中に示したようにｎチャネル型ＴＦＴ１１１３、ｐチャネル型ＴＦＴ１１１４、ｎチャネル型ＴＦＴ１１１１を全てボトムゲート構造とする。これらのボトムゲート構造は、公知の技術を用いて作製すればよい。なお、これらのＴＦＴの活性層は、結晶構造を有する半導体膜（ポリシリコン等）であってもよいし、非晶質構造を有する半導体膜（アモルファスシリコン等）であってもよい。
【０２４３】
また、図１４中、１１００ａは、可撓性を有するフィルム基板（例えば、プラスチック基板等）、１１００ｂは熱伝導性を有する膜、１１０１は、圧縮応力を有する膜（例えば、酸化シリコン膜）、１１０２は画素部、１１０３はゲート側駆動回路、１１１０は絶縁膜、１１１２は画素電極（陰極）、１１１５はバンク、１１１６は有機化合物層、１１１７は陽極、１１１８は有機樹脂、１１１９は保護膜、１１２０はカバー材、１１２１は乾燥剤、１１２２は有機樹脂、１１２３は接着層である。
【０２４４】
上記熱伝導性を有する膜１１００ｂとは、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化酸化アルミニウム（ＡｌＮXＯY（Ｘ＞Ｙ））、酸化窒化アルミニウム（ＡｌＮXＯY（Ｘ＜Ｙ））、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化ベリリウム（ＢｅＯ）から選ばれた単層、またはこれらの積層を指している。上記熱伝導性を有する膜１１００ｂを設けることによって、素子の発熱を放熱することができるとともに、十分に外部から水分や酸素といった有機化合物層の劣化を促す物質が侵入することを防ぐことができる。また、保護膜１１１９として、１１００ｂと同じ熱伝導性を有する膜を用いてもよい。
【０２４５】
また、ｎチャネル型ＴＦＴ１１１３、ｐチャネル型ＴＦＴ１１１４、ｎチャネル型ＴＦＴ１１１１以外の構成は、実施例５と同一であるのでここでは説明を省略する。
【０２４６】
［実施例７］
本発明を実施して形成された駆動回路や画素部は様々なモジュール（アクティブマトリクス型液晶モジュール、アクティブマトリクス型ＥＬモジュール、アクティブマトリクス型ＥＣモジュール）に用いることができる。即ち、それらを表示部に組み込んだ電子機器全てに本発明を実施できる。
【０２４７】
その様な電子機器としては、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ヘッドマウントディスプレイ（ゴーグル型ディスプレイ）、カーナビゲーション、プロジェクタ、カーステレオ、パーソナルコンピュータ、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話または電子書籍等）などが挙げられる。それらの一例を図１５、図１６に示す。
【０２４８】
図１５（Ａ）はパーソナルコンピュータであり、本体２００１、画像入力部２００２、表示部２００３、キーボード２００４等を含む。本発明を表示部２００３に適用することができる。
【０２４９】
図１５（Ｂ）はビデオカメラであり、本体２１０１、表示部２１０２、音声入力部２１０３、操作スイッチ２１０４、バッテリー２１０５、受像部２１０６等を含む。本発明を表示部２１０２に適用することができる。
【０２５０】
図１５（Ｃ）はモバイルコンピュータ（モービルコンピュータ）であり、本体２２０１、カメラ部２２０２、受像部２２０３、操作スイッチ２２０４、表示部２２０５等を含む。本発明は表示部２２０５に適用できる。
【０２５１】
図１５（Ｄ）はゴーグル型ディスプレイであり、本体２３０１、表示部２３０２、アーム部２３０３等を含む。本発明は表示部２３０２に適用することができる。
【０２５２】
図１５（Ｅ）はプログラムを記録した記録媒体（以下、記録媒体と呼ぶ）を用いるプレーヤーであり、本体２４０１、表示部２４０２、スピーカ部２４０３、記録媒体２４０４、操作スイッチ２４０５等を含む。なお、このプレーヤーは記録媒体としてＤＶＤ（Ｄｉｇｔｉａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ）、ＣＤ等を用い、音楽鑑賞や映画鑑賞やゲームやインターネットを行うことができる。本発明は表示部２４０２に適用することができる。
【０２５３】
図１５（Ｆ）はデジタルカメラであり、本体２５０１、表示部２５０２、接眼部２５０３、操作スイッチ２５０４、受像部（図示しない）等を含む。本発明を表示部２５０２に適用することができる。
【０２５４】
図１６（Ａ）は携帯電話であり、本体２９０１、音声出力部２９０２、音声入力部２９０３、表示部２９０４、操作スイッチ２９０５、アンテナ２９０６、画像入力部（ＣＣＤ、イメージセンサ等）２９０７等を含む。本発明を表示部２９０４に適用することができる。
【０２５５】
図１６（Ｂ）は携帯書籍（電子書籍）であり、本体３００１、表示部３００２、３００３、記憶媒体３００４、操作スイッチ３００５、アンテナ３００６等を含む。本発明は表示部３００２、３００３に適用することができる。
【０２５６】
図１６（Ｃ）はディスプレイであり、本体３１０１、支持台３１０２、表示部３１０３等を含む。本発明は表示部３１０３に適用することができる。
【０２５７】
ちなみに図１６（Ｃ）に示すディスプレイは中小型または大型のもの、例えば５〜２０インチの画面サイズのものである。また、このようなサイズの表示部を形成するためには、基板の一辺が１ｍのものを用い、多面取りを行って量産することが好ましい。
【０２５８】
以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器の作製方法に適用することが可能である。また、本実施例の電子機器は実施例１〜６のどのような組み合わせからなる構成を用いても実現することができる。
【０２５９】
［実施例８］
本実施例では、実施例７に記載の表示部として電気泳動表示装置を用いる例を示す。代表的には図１６（Ｂ）に示す携帯書籍（電子書籍）の表示部３００２、または表示部３００３に適用する。
【０２６０】
電気泳動表示装置（電気泳動ディスプレイ）は、電子ペーパーとも呼ばれており、紙と同じ読みやすさ、他の表示装置に比べ低消費電力、薄くて軽い形状とすることが可能という利点を有している。
【０２６１】
電気泳動ディスプレイは、様々な形態が考えられ得るが、プラスの電荷を有する第１の粒子と、マイナスの電荷を有する第２の粒子とを含むマイクロカプセルが溶媒または溶質に複数分散されたものであり、マイクロカプセルに電界を印加することによって、マイクロカプセル中の粒子を互いに反対方向に移動させて一方側に集合した粒子の色のみを表示するものである。なお、第１の粒子または第２の粒子は染料を含み、電界がない場合において移動しないものである。また、第１の粒子の色と第２の粒子の色は異なるもの（無色を含む）とする。
【０２６２】
このように、電気泳動ディスプレイは、誘電定数の高い物質が高い電界領域に移動する、いわゆる誘電泳動的効果を利用したディスプレイである。電気泳動ディスプレイは、液晶表示装置には必要な偏光板、対向基板も電気泳動表示装置には必要なく、厚さや重さが半減する。
【０２６３】
上記マイクロカプセルを溶媒中に分散させたものが電子インクと呼ばれるものであり、この電子インクはガラス、プラスチック、布、紙などの表面に印刷することができる。また、カラーフィルタや色素を有する粒子を用いることによってカラー表示も可能である。
【０２６４】
また、アクティブマトリクス基板上に適宜、二つの電極の間に挟まれるように上記マイクロカプセルを複数配置すればアクティブマトリクス型の表示装置が完成し、マイクロカプセルに電界を印加すれば表示を行うことができる。例えば、実施例１で得られるアクティブマトリクス基板を用いることができる。プラスチック基板に電子インクを直接印刷することも可能であるが、アクティブマトリクス型とした場合、熱や有機溶剤に弱いプラスチック基板上に素子を形成するよりも、ガラス基板上に素子及び電子インクを形成した後、ガラス基板を実施の形態１〜３や実施例２に従って剥離して、プラスチック基板に貼り付けるほうがプロセスマージンが稼げるため好ましい。
【０２６５】
なお、マイクロカプセル中の第１の粒子および第２の粒子は、導電体材料、絶縁体材料、半導体材料、磁性材料、液晶材料、強誘電性材料、エレクトロルミネセント材料、エレクトロクロミック材料、磁気泳動材料から選ばれた一種の材料、またはこれらの複合材料を用いればよい。
【０２６６】
【発明の効果】
本発明は、小さな面積を有する被剥離層の剥離だけでなく、大きな面積を有する被剥離層を全面に渡って歩留まりよく剥離することが可能である。
【０２６７】
加えて、本発明は、物理的手段で容易に剥離、例えば人間の手で引き剥がすことが可能であるため、量産に適したプロセスと言える。また、量産する際に被剥離層を引き剥がすための製造装置を作製した場合、大型の製造装置も安価に作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 実施の形態１を説明する図である。
【図２】 実施の形態２を説明する図である。
【図３】 実施の形態３を説明する図である。
【図４】 実験を説明する図である。
【図５】 アクティブマトリクス基板の作製工程を示す断面図。
【図６】 アクティブマトリクス基板の作製工程を示す断面図。
【図７】 アクティブマトリクス基板を示す断面図。
【図８】 実施例２を説明する図である。
【図９】 実施例２を説明する図である。
【図１０】 液晶モジュールを示す図である。
【図１１】 実施例４を説明する図である。
【図１２】 実施例５を説明する図である。
【図１３】 実施例５を説明する図である。
【図１４】 実施例６を説明する図である。
【図１５】 電子機器の一例を示す図。
【図１６】 電子機器の一例を示す図。
【図１７】 実験における比較例を説明する図である。
【図１８】 ＡｌＮ膜とＡｌＮＯ膜の透過率を示すグラフである。
【図１９】 部分的に剥離させた境界の断面ＴＥＭ写真図。

Claims (18)

  1. 基板上に引張応力を有する第１の材料層を形成し、
    前記第１の材料層上に接して圧縮応力を有する第２の材料層を形成し、
    前記第２の材料層上に素子を含む被剥離層を形成し、
    前記第１の材料層または前記第２の材料層にレーザー光を部分的に照射し、
    人間の手、引き剥がす装置、ノズルから吹き付けられるガスの風圧、又は超音波を用いて、前記基板から前記被剥離層を剥離する
    ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
  2. 基板上にタングステン、窒化タングステン、窒化チタンまたはＴｉＷを用いて第１の材料層を形成し、
    前記第１の材料層上に接して酸化シリコン、酸化窒化シリコンまたは酸化金属材料を用いて第２の材料層を形成し、
    前記第２の材料層上に素子を含む被剥離層を形成し、
    前記第１の材料層または前記第２の材料層にレーザー光を部分的に照射し、
    人間の手、引き剥がす装置、ノズルから吹き付けられるガスの風圧、又は超音波を用いて、前記基板から前記被剥離層を剥離する
    ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
  3. 基板上に引張応力を有する第１の材料層を形成し、
    前記第１の材料層上に接して圧縮応力を有する第２の材料層を形成し、
    前記第２の材料層上に素子を含む被剥離層を形成し、
    前記被剥離層に第１の可撓性を有する基板を接着し、
    前記第１の材料層または前記第２の材料層にレーザー光を部分的に照射し、
    人間の手、引き剥がす装置、ノズルから吹き付けられるガスの風圧、又は超音波を用いて、前記基板から前記被剥離層を剥離し、
    前記被剥離層に第２の可撓性を有する基板を接着することで、前記第１の可撓性を有する基板と前記第２の可撓性を有する基板との間に前記被剥離層を挟む
    ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
  4. 基板上にタングステン、窒化タングステン、窒化チタンまたはＴｉＷを用いて第１の材料層を形成し、
    前記第１の材料層上に接して酸化シリコン、酸化窒化シリコンまたは酸化金属材料を用いて第２の材料層を形成し、
    前記第２の材料層上に素子を含む被剥離層を形成し、
    前記被剥離層に第１の可撓性を有する基板を接着し、
    前記第１の材料層または前記第２の材料層にレーザー光を部分的に照射し、
    人間の手、引き剥がす装置、ノズルから吹き付けられるガスの風圧、又は超音波を用いて、前記基板から前記被剥離層を剥離し、
    前記被剥離層に第２の可撓性を有する基板を接着することで、前記第１の可撓性を有する基板と前記第２の可撓性を有する基板との間に前記被剥離層を挟む
    ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
  5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
    前記基板の周縁に沿って前記レーザー光を照射することで、前記第１の材料層または前記第２の材料層に前記レーザー光を部分的に照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
  6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
    前記レーザー光は、ＹＡＧ、ＹＶＯ４、ＹＬＦ、もしくはＹＡｌＯ３で示される結晶にＮｄ、Ｔｍ、Ｈｏをドープした結晶を使った固体レーザー、エキシマレーザー、ＣＯ２レーザー、アルゴンレーザー、または半導体レーザーであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
  7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
    前記基板から前記被剥離層を剥離する際、前記レーザー光を部分的に照射した領域から剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
  8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
    前記レーザー光を部分的に照射すると同時に前記ノズルから吹き付けられるガスの風圧により前記基板から前記被剥離層を剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
  9. 基板上に引張応力を有する第１の材料層を形成し、
    前記第１の材料層上に接して圧縮応力を有する第２の材料層を形成し、
    前記第２の材料層上に素子を含む被剥離層を形成し、
    前記第２の材料層の層内または界面の一部分に損傷を与えるように、前記基板の周縁に沿って前記基板に外部から局所的に圧力を加え、
    人間の手、引き剥がす装置、ノズルから吹き付けられるガスの風圧、又は超音波を用いて、前記基板から前記被剥離層を剥離する
    ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
  10. 基板上にタングステンまたは窒化タングステンを用いて第１の材料層を形成し、
    前記第１の材料層上に接して酸化シリコン、酸化窒化シリコンまたは酸化金属材料を用いて第２の材料層を形成し、
    前記第２の材料層上に素子を含む被剥離層を形成し、
    前記第２の材料層の層内または界面の一部分に損傷を与えるように、前記基板の周縁に沿って前記基板に外部から局所的に圧力を加え、
    人間の手、引き剥がす装置、ノズルから吹き付けられるガスの風圧、又は超音波を用いて、前記基板から前記被剥離層を剥離する
    ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
  11. 基板上に、窒化チタンを用いて５０ｎｍより大きな厚さを有する第１の材料層を形成し、
    前記第１の材料層上に接して酸化シリコン、酸化窒化シリコンまたは酸化金属材料を用いて第２の材料層を形成し、
    前記第２の材料層上に素子を含む被剥離層を形成し、
    前記第２の材料層の層内または界面の一部分に損傷を与えるように、前記基板の周縁に沿って前記基板に外部から局所的に圧力を加え、
    人間の手、引き剥がす装置、ノズルから吹き付けられるガスの風圧、又は超音波を用いて、前記基板から前記被剥離層を剥離する
    ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
  12. 基板上に引張応力を有する第１の材料層を形成し、
    前記第１の材料層上に接して圧縮応力を有する第２の材料層を形成し、
    前記第２の材料層上に素子を含む被剥離層を形成し、
    前記被剥離層に第１の可撓性を有する基板を接着し、
    前記第２の材料層の層内または界面の一部分に損傷を与えるように、前記基板の周縁に沿って前記基板に外部から局所的に圧力を加え
    人間の手、引き剥がす装置、ノズルから吹き付けられるガスの風圧、又は超音波を用いて、前記基板から前記被剥離層を剥離し、
    前記被剥離層に第２の可撓性を有する基板を接着することで、前記第１の可撓性を有する基板と前記第２の可撓性を有する基板との間に前記被剥離層を挟む
    ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
  13. 基板上にタングステンまたは窒化タングステンを用いて第１の材料層を形成し、
    前記第１の材料層上に接して酸化シリコン、酸化窒化シリコンまたは酸化金属材料を用いて第２の材料層を形成し、
    前記第２の材料層上に素子を含む被剥離層を形成し、
    前記被剥離層に第１の可撓性を有する基板を接着し、
    前記第２の材料層の層内または界面の一部分に損傷を与えるように、前記基板の周縁に沿って前記基板に外部から局所的に圧力を加えて
    人間の手、引き剥がす装置、ノズルから吹き付けられるガスの風圧、又は超音波を用いて、前記基板から前記被剥離層を剥離し、
    前記被剥離層に第２の可撓性を有する基板を接着することで、前記第１の可撓性を有する基板と前記第２の可撓性を有する基板との間に前記被剥離層を挟む
    ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
  14. 基板上に、窒化チタンを用いて５０ｎｍより大きな厚さを有する第１の材料層を形成し、
    前記第１の材料層上に接して酸化シリコン、酸化窒化シリコンまたは酸化金属材料を用いて第２の材料層を形成し、
    前記第２の材料層上に素子を含む被剥離層を形成し、
    前記被剥離層に第１の可撓性を有する基板を接着し、
    前記第２の材料層の層内または界面の一部分に損傷を与えるように、前記基板の周縁に沿って前記基板に外部から局所的に圧力を加えて
    人間の手、引き剥がす装置、ノズルから吹き付けられるガスの風圧、又は超音波を用いて、前記基板から前記被剥離層を剥離し、
    前記被剥離層に第２の可撓性を有する基板を接着することで、前記第１の可撓性を有する基板と前記第２の可撓性を有する基板との間に前記被剥離層を挟む
    ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
  15. 請求項９乃至請求項１４のいずれか一において、
    前記基板から前記被剥離層を剥離する際、前記局所的に圧力を加えた領域から剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
  16. 請求項９乃至請求項１５のいずれか一において、
    カッターでスクライブすることで、前記外部から局所的に圧力を加えることを特徴とする半導体装置の作製方法。
  17. 請求項１乃至請求項１６のいずれか一において、
    前記ノズルから吹き付けられるガスの風圧により前記基板から前記被剥離層を剥離する際、前記基板の端面にガスを吹付けて剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
  18. 請求項１乃至請求項１７のいずれか一において、
    前記ガスは、加熱された窒素ガスであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
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