KR100698692B1 - 평판표시장치 - Google Patents

평판표시장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100698692B1
KR100698692B1 KR1020050065943A KR20050065943A KR100698692B1 KR 100698692 B1 KR100698692 B1 KR 100698692B1 KR 1020050065943 A KR1020050065943 A KR 1020050065943A KR 20050065943 A KR20050065943 A KR 20050065943A KR 100698692 B1 KR100698692 B1 KR 100698692B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
thin film
substrate
film transistor
region
semiconductor layer
Prior art date
Application number
KR1020050065943A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20070010938A (ko
Inventor
정재경
구재본
신현수
모연곤
정종한
이헌정
김성진
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to KR1020050065943A priority Critical patent/KR100698692B1/ko
Priority to JP2005337633A priority patent/JP2007025620A/ja
Priority to US11/486,595 priority patent/US7551255B2/en
Priority to EP06117552.7A priority patent/EP1746658B1/en
Priority to CNA2006101061718A priority patent/CN1901206A/zh
Publication of KR20070010938A publication Critical patent/KR20070010938A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100698692B1 publication Critical patent/KR100698692B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78603—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the insulating substrate or support
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G02F1/13454—Drivers integrated on the active matrix substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78696—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the structure of the channel, e.g. multichannel, transverse or longitudinal shape, length or width, doping structure, or the overlap or alignment between the channel and the gate, the source or the drain, or the contacting structure of the channel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

본 발명은 기판 상에 형성되는 박막트랜지스터의 전기적 특성 변화를 줄일 수 있는 평판표시장치에 관한 것이다.
본 평판표시장치는 화소영역과 구동회로영역이 형성된 플렉서블 가능한 기판과, 상기 기판 상에 형성된 반도체층, 게이트전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 구비한 적어도 하나의 박막트랜지스터를 포함하며, 상기 반도체층을 구성하는 채널영역의 길이방향은 상기 기판이 휘어지는 방향과 소정 각도를 이루도록 형성된다.
이에 따라, 플렉서블 가능한 기판 상에 형성된 박막트랜지스터의 전기적 특성 변화를 최소화하여 박막트랜지스터의 채널에 흐르는 전류의 변화량을 줄일 수 있다.
플렉서블가능한 기판, 박막트랜지스터, 채널

Description

평판표시장치{A Flat Panel Display}
도 1a 내지 도 1c는 플렉서블 가능한 기판 상에 형성된 박막트랜지스터를 개략적으로 도시한 모식도이다.
도 2는 도 1a 내지 도 1c에 개시된 박막트랜지스터들의 전류의 흐름을 도시한 그래프이다.
도 3 내지 도 7은 본 발명의 실시예들에 따른 평판표시장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
♣ 도면의 주요부분에 대한 상세한 설명 ♣
100,120,140 : 플렉서블 가능한 기판 110,130,150 : 박막트랜지스터
100, 120, 140 : 플렉서블 가능한 기판 110, 130, 150: 박막트랜지스터
111, 131, 151 : 채널영역
300, 400, 500, 600, 700 : 박막트랜지스터
310, 410a, 410b, 510, 610, 710a, 710b : 구동표시영역
330, 340, 430, 440, 530, 540, 630, 640, 730, 740, 750 : 박막트랜지스터
331, 341, 431, 441, 531, 541, 631, 641, 731, 741, 751 : 채널영역
본 발명은 평판표시장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는, 플렉서블 가능한 기판을 한 방향으로 구부릴때 기판 상에 형성된 트랜지스터의 전기적 특성 저하 또는 변화를 최소화할 수 있는 평판표시장치에 관한 것이다.
최근, 절연 표면을 갖는 기판 상에 형성되는 반도체 박막을 이용하여, 박막 트랜지스터를 구성하는 기술이 주목받고 있다. 박막 트랜지스터는 IC나 전기 광학 장치와 같은 전자 디바이스에 넓게 응용되고, 특히, 평판표시장치의 스위칭소자로 의 개발이 진행되고 있다. 전술한 박막트랜지스터를 형성하기 위해, 유리 또는 석영 등이 사용되고 있지만, 이들은 갈라지기 쉽고 상대적으로 무겁다는 단점이 있어 대형화가 곤란하고 부적합하여, 대량 생산이 용이하지 않다.
이러한 단점을 해소하기 위해, 상대적으로 두께가 얇은 기판, 예를 들면, 금속 박막 또는 플라스틱 필름 형태의 기판 상에 박막트랜지스터를 포함하는 평판표시장치가 제작될 수 있다. 상기 금속 박막 형태 또는 필름 형태의 기판은 두께가 얇고 경량이라는 것에 더해 가요성을 갖기 때문에 디스플레이나 쇼윈도우 등에도 이용할 수 있다.
상기 플라스틱 필름 형태의 기판은 내열성이 약하고 온도 변화에 상당히 민 감하기 때문에, 플라스틱 필름 형태의 기판 상에 박막트랜지스터를 포함하는 평판표시장치를 형성하는 경우에는 기존의 박막트랜지스터 형성에 요구되는 온도에 비해 상대적으로 낮게 처리한다. 이에 따라, 플라스틱 필름 형태의 기판 상에 박막트랜지스터를 형성하는 것이 유리 기판 상에 박막트랜지스터를 형성하는 경우에 비해, 박막트랜지스터의 성능 향상에 유리하지 않다.
따라서, 이러한 문제점들을 해소하기 위해, 금속 박막 형태의 기판 상에 박막트랜지스터가 형성된 평판표시장치를 제작하는 것이 제안되고 있다. 금속 박막 형태의 기판은 완전하게 구부러지지는 않지만 수분이나 산소의 유입문제가 전혀 없고 고온 공정이 가능하기 때문에 상대적으로 우수한 채널 이동도를 갖는 폴리실리콘 박막트랜지스터를 제작할 수 있어, 구동회로를 화소에 동시에 집적화하는 시스템 온 패널(system on panel :SOP) 구현이 가능하다. 또한, 금속 박막 형태의 기판은 고온 공정이 가능하고 플렉서블 가능하기 때문에 고해상도 고성능의 두루마리 디스플레이 구현은 가능하다.
그러나, 전술한 바와 같이, 플렉서블 가능한 기판에 박막트랜지스터를 형성하는 경우, 기판이 휘어지는 방향에 따라 박막트랜지스터의 구조(array)에 변형(atrain)이 발생한다는 단점을 갖고 있다. 일반적으로, 박막트랜지스터를 구성하는 반도체층에 응력이 가해지면, 전하이동도와 유효전하 질량 등이 영향을 받게 되어 박막트랜지스터의 전기적 특성이 변하게 된다. 보다 구체적으로, 기판이 구부러지는 방향과 박막트랜지스터 반도체층의 채널의 방향, 즉, 전류가 흐르는 방향이 어떻게 배열되는 가에 따라 변형-유도된(strain-induced) 드레인 전류변화 양상이 크게 달라지게 되어 박막트랜지스터의 전기적 특성이 변하게 된다는 문제점을 갖는다.
따라서, 본 발명은 전술한 문제점들을 해소하기 위해 고안된 발명으로, 플렉서블 기판 상에 형성된 박막트랜지스터의 채널영역을 기판이 휘어지는 방향과 수직이 되도록 형성하여 박막트랜지스터의 전기적 특성을 최소화할 수 있는 평판표시장치를 제공한다.
전술한 목적을 달성하기 위한, 본 발명의 일측면에 따르면, 본 평판표시장치는 화소영역과 구동회로영역이 형성된 플렉서블 가능한 기판과, 상기 기판 상에 형성된 반도체층, 게이트전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 구비한 적어도 하나의 박막트랜지스터를 포함하며, 상기 반도체층을 구성하는 채널영역의 길이방향이 상기 기판이 휘어지는 방향과 소정 각도를 이루도록 형성된다.
바람직하게, 상기 반도체층의 채널영역의 형성방향과 상기 기판이 휘어지는 방향이 수직이다. 상기 채널영역에 흐르는 전류의 이동방향과 상기 기판이 휘어지는 방향이 수직이다. 상기 박막트랜지스터는 상기 화소영역과 상기 구동회로영역 중 적어도 일영역에 형성된다. 상기 구동회로영역은 상기 화소영역에 인접하게 형성되어 상기 화소영역과 전기적으로 연결된다. 상기 기판은 금속 또는 플라스틱 재질로 외력에 의해 변형가능하게 형성된다. 상기 금속은 스테인레스 스틸(sus), 티타늄(Ti) 중 하나를 포함한다. 상기 반도체층은 저온 폴리실리콘을 이용한다. 상기 반도체층은 Ge, Ge 화합물을 이용한다.
상기 박막트랜지스터 상에 형성되어 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되는 발광소자(OLED)를 더 포함한다. 상기 박막트랜지스터 상에 형성되어 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되는 액정소자(LCD)를 더 포함한다.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다.
도 1a 내지 도 1c는 플렉서블 가능한 기판 상에 형성된 박막트랜지스터를 개략적으로 도시한 모식도이다. 도 1a를 참조하면, 도 1a에는 플렉서블 가능한 기판(100) 상에 반도체층의 채널영역(111), 소스전극(112), 및 드레인전극(113)을 포함하는 박막트랜지스터(110)가 형성되어 있다. 박막트랜지스터(110)의 채널영역(111)은 기판(100)이 휘어지는 방향과 수평을 이루도록 형성된다.
도 1b를 참조하면, 박막트랜지스터(130)는 플렉서블 가능한 기판(120) 상에 형성되며, 박막트랜지스터(130)를 이루는 소스전극(132), 드레인전극(133) 및 채널영역(131)이 포함되어 있으며, 채널영역(131)은 기판(120)이 휘어지는 방향과 소정 각도를 이루도록 형성된다.
한편, 전술한 예들과 마찬가지로, 도 1c에는 플렉서블 가능한 기판(140) 상에 채널영역(151), 소스전극(152), 및 드레인전극(153)을 포함하는 박막트랜지스터(150)가 형성되어 있다. 박막트랜지스터(150)의 채널영역(151)은 기판(140)이 휘어지는 방향과 수직을 이루도록 형성된다. 보다 구체적으로, 채널영역(151)에 흐 르는 전류의 흐름과 기판(140)이 휘어지는 방향이 수직을 이룬다.
도 2는 도 1a 내지 도 1c에 개시된 박막트랜지스터들의 전류의 흐름을 도시한 그래프이다. 도 2의 그래프를 참조하면, 가로축은 기판의 변형력(strain)을 나타내며, 세로축은 전류의 변화량을 나타낸다.
그래프(a)는 기판(100)이 휘어지는 방향과 채널영역(111)이 수평을 이루도록 형성된 경우를 나타낸다. 그래프(a)는 기판(100)이 휘어지는 방향과 채널형성, 즉, 채널영역(111)의 길이방향이 수평을 이루는 경우를 나타내는데, 이 경우 기판(100)에 가해지는 힘에 비례하여 전류의 변화량이 증가함을 알 수 있다.
그래프(b)는 기판(120)이 휘어지는 방향과 채널영역(131)의 길이방향이 소정 각을 이루는 경우를 나타낸다. 이 경우 역시 기판(120)에 가해지는 힘에 비례하여 증가하지만, 기판(110)이 휘어지는 방향과 채널영역(111)의 길이 방향이 수평을 이루는 경우에 비해 그 변화량이 현저하게 적다.
한편, 그래프(c)는 기판(140)의 휨방향과 채널(151) 방향이 수직을 이루는 경우를 나타낸다. 이 경우에는 기판(140)에 가해지는 힘과 채널영역(151)에 흐르는 전류 변화량의 변화가 거의 없이 실질적으로 거의 동일한 전류가 흐른다 것을 알 수 있다.
결론적으로, 기판(120,140)이 휘어지는 방향과 박막트랜지스터(130,150)의 채널 방향(131,151)이 소정 각도를 이룰수록(도 1b, 도 1c 참조), 가장 바람직하게는 기판(140)이 휘어지는 방향과 채널 방향(151)이 수직을 이룰수록 전류의 변화는 거의 없다.
도 3 내지 도 7은 본 발명의 실시예들에 따른 평판표시장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 3을 참조하면, 본 평판표시장치는 구동회로영역(310)과 화상영역(320)이 형성된 플렉서블 가능한 기판(300)을 포함한다. 구동회로영역(310) 및 화상영역(320) 각각에는 적어도 하나의 박막트랜지스터(330,340)가 형성되며, 화상영역(320)에는 박막트랜지스터(340)와 전기적으로 연결되는 적어도 하나의 발광소자(OLED;미도시)가 형성된다. 또한, 화상영역(320)에는 발광소자 대신 박막트랜지스터(340)와 전기적으로 연결되는 적어도 하나의 액정소자(LCD:liquid crystal device, 미도시)가 형성될 수도 있다. 본 실시예에서 구동회로영역(310)은 화상영역(320)의 상단에 형성된다.
보다 구체적으로, 기판(300)은 스테인레스 스틸(sus), 티타늄(Ti) 등을 포함하여 형성된 플렉서블 가능한 금속 박막 형태이다. 기판(300)에 형성된 화상영역(320)과 구동회로영역(310)에는 다수의 박막트랜지스터(340,330)가 각각 형성된다.
각 박막트랜지스터(330,340)는 기판(300) 상에 형성된 반도체층(미도시), 반도체층 상에 형성된 게이트전극(미도시), 소스 전극 및 드레인 전극(332,342; 333,343)을 포함한다. 반도체층은 저온 폴리실리콘층을 이용하며, 특히, Ge, Ge화합물을 이용한다. 반도체층(331)에는 소스 및 드레인 전극(332,342 ; 333,343)과 전기적으로 연결되는 미도시된 소스 및 드레인영역과, 게이트 전극 하부에 형성된 채널영역(331, 341)이 형성된다. 채널영역(331, 341)은 길이(L)와 폭(W)을 갖는데, 구체적으로, 채널영역(331,341)의 길이방향(L) 은 기판(300)이 휘어지는 방향과 소정 각도를 이루도록 형성되며, 바람직하게는, 기판(300)이 휘어지는 방향과 채널영역(331, 341)이 수직에 가까울수록 전류 변화가 적으며, 가장 바람직하게는 이들이 수직을 이루는 것이다.
이하 실시예들에서는, 설명의 중복을 피하기 위해, 도 3에 개시된 구성요소와 동일한 구성요소 중 일부 구성요소에 대한 구체적인 설명은 생략한다.
도 4를 참조하면, 플렉서블 가능한 기판(400)에는 구동회로영역(410a, 410b)과 화상영역(420)이 형성되며, 구동회로영역(410a, 410b)은 화상영역(420)의 상부 및 하부에 각각 형성되어 있으며, 각 구동회로영역(410a, 410b) 및 화상영역(420)에는 박막트랜지스터(430, 440)가 형성된다. 구동회로영역(410a, 410b) 및 화상영역(420)에 형성된 박막트랜지스터(430, 440)는 반도체층(미도시), 게이트전극(미도시), 소스 전극(432, 442) 및 드레인전극(433, 443)을 포함하며, 박막트랜지스터(430, 440)를 구성하는 채널영역(431, 441)은 기판(400)이 휘어지는 방향과 소정 각도를 이루도록 형성한다. 이때, 기판(400)이 휘어지는 방향과 채널영역(431, 441)이 수직에 가까울수록 전류 변화가 덜 일어난다.
도 5를 참조하면, 플렉서블 가능한 기판(500)에는 구동회로영역(510)과 화상영역(520)이 형성되며, 구동회로영역(510)은 화상영역(520)의 좌측단부에 형성된 다. 구동회로영역(510) 및 화상영역(520) 각각에는 박막트랜지스터(530, 540)가 형성되는데, 박막트랜지스터(530, 540)의 채널영역(531, 541) 역시 기판(500)이 휘어지는 방향과 소정 각도를 이루도록 형성되며, 전술한 바와 같이, 바람직하게는, 기판(500)이 휘어지는 방향과 채널영역(531, 541)이 수직에 가까울수록 전류 변화가 적으며, 가장 바람직하게는 이들이 수직을 이룰 때이다.
도 6을 참조하면, 플렉서블 가능한 기판(600)에는 구동회로영역(610a, 610b)과 화상영역(620)이 형성되며, 본 실시예에서는 구동회로영역(610a, 610b)은 화상영역(620)의 좌측 및 우측단부에 각각 형성된다. 구동회로영역(610a, 610b) 및 화상영역(620) 각각에는 박막트랜지스터(630,640)가 형성되는데, 박막트랜지스터(630,640)의 채널영역(631,641) 역시 기판(600)이 휘어지는 방향과 소정 각도를 이루도록 형성된다. 가장 바람직하게는, 기판(600)이 휘어지는 방향과 채널영역(631,641)이 수직을 이루는 것이다.
도 7에 개시된 실시예에 개시된 플렉서블 가능한 기판(700)에는 구동회로영역(710a, 710b)과 화상영역(720)이 형성되며, 구동회로영역(710a)은 화상영역(720)의 좌측부에 형성되며, 구동회로영역(710b)은 화상영역(720)의 상부에 형성된다. 구동회로영역(710a, 710b) 및 화상영역(720) 각각에는 박막트랜지스터(730, 740, 750)가 형성되는데, 박막트랜지스터(730, 740, 750)의 채널영역(731, 741, 751)은 기판(700)이 휘어지는 방향과 소정 각도를 이루도록 형성된다. 본 실시예에서도 박막트랜지스터(730, 740, 750)의 채널영역(731, 741, 751)은 기판(700)이 휘어지는 방향과 수직을 이루도록 형성된다.
결론적으로, 전술한 실시예들에 개시된 바에 따르면, 박막트랜지스터의 채널영역의 길이방향(L)이 기판이 휘어지는 방향과 수직을 이루도록 형성함으로써, 플렉서블 가능한 기판에 응력이 가해져서 기판이 휘어지더라도 전류의 흐름에는 큰 영향을 끼치지 않는다. 또한, 기판에 응력이 가해지는 경우, 채널영역의 폭방향(W)이 상대적으로 넓어지기 때문에 전류 이동도를 더욱 향상시킬 수 있다.
전술한 실시예에서는 화상영역의 둘레 방향을 따라 적어도 일영역에만 구동영역이 형성되어 있는 것이 개시되어 있으나, 화상영역의 둘레방향 전영역에 걸쳐 구동회로영역이 형성될 수 있음은 물론이다. 또한, 전술한 실시예에서는 화상영역과 구동회로영역이 단일 기판 상에 형성되어 있는 것이 개시되어 있으나, 이와 달리, 구동회로영역이 개별적으로 형성되어 화상영역과 전기적으로 연결될 수 있다.
전술한 실시예들에는 평판표시장치를 구성하는 발광소자 또는 액정소자가 구체적으로 도시 및 설명되어 있지 않으나, 일반적으로 평판표시장치에는 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되는 발광소자 또는 액정소자 등이 형성된다.
본 발명은 첨부된 도면에 도시된 실시예들을 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
이상, 설명한 바와 같이, 플렉서블 가능한 기판에 박막트랜지스터를 형성할 때, 기판이 휘어지는 방향과 박막트랜지스터의 채널 영역의 형성방향이 수직을 이루도록 형성함으로써 채널영역에 흐르는 전류량의 변화를 현저하게 줄일 수 있다. 이에 따라, 박막트랜지스터의 전기적 특성 저하 혹은 변화를 최소화할 수 있으며, 더 나아가서는 디스플레이의 성능 및 해상도를 향상시킬 수 있다.

Claims (11)

  1. 화소영역과 구동회로영역이 형성된 플렉서블 가능한 기판과,
    상기 기판 상에 형성된 반도체층, 게이트전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 구비한 적어도 하나의 박막트랜지스터
    를 포함하며, 상기 반도체층을 구성하는 채널영역의 형성방향이 상기 기판이 휘어지는 방향과 소정 각도를 이루도록 형성된 평판표시장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 반도체층의 채널영역의 길이방향과 상기 기판이 휘어지는 방향이 수직인 평판표시장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 채널영역에 흐르는 전류의 이동방향과 상기 기판이 휘어지는 방향이 수직인 평판표시장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 박막트랜지스터는 상기 화소영역과 상기 구동회로영역 중 적어도 일영역에 형성되는 평판표시장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 구동회로영역은 상기 화소영역에 인접하게 형성되어 상기 화소영역과 전기적으로 연결되는 평판표시장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 기판은 금속 또는 플라스틱 재질로 외력에 의해 변형가능하게 형성되는 평판표시장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 금속은 스테인레스 스틸(sus), 티타늄(Ti) 중 하나를 포함하는 평판표시장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 반도체층은 저온 폴리실리콘을 이용하는 평판표시장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 반도체층은 Ge, Ge 화합물을 이용하는 평판표시장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 박막트랜지스터 상에 형성되어 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결 되는 발광소자(OLED)를 더 포함하는 평판표시장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 박막트랜지스터 상에 형성되어 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되는 액정소자(LCD)를 더 포함하는 평판표시장치.
KR1020050065943A 2005-07-20 2005-07-20 평판표시장치 KR100698692B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050065943A KR100698692B1 (ko) 2005-07-20 2005-07-20 평판표시장치
JP2005337633A JP2007025620A (ja) 2005-07-20 2005-11-22 有機電界発光表示装置
US11/486,595 US7551255B2 (en) 2005-07-20 2006-07-13 Organic light emitting display device
EP06117552.7A EP1746658B1 (en) 2005-07-20 2006-07-20 Organic light emitting display device
CNA2006101061718A CN1901206A (zh) 2005-07-20 2006-07-20 有机发光显示设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050065943A KR100698692B1 (ko) 2005-07-20 2005-07-20 평판표시장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070010938A KR20070010938A (ko) 2007-01-24
KR100698692B1 true KR100698692B1 (ko) 2007-03-23

Family

ID=37114500

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050065943A KR100698692B1 (ko) 2005-07-20 2005-07-20 평판표시장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7551255B2 (ko)
EP (1) EP1746658B1 (ko)
JP (1) JP2007025620A (ko)
KR (1) KR100698692B1 (ko)
CN (1) CN1901206A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101108709B1 (ko) 2007-07-12 2012-01-30 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200815886A (en) * 2006-06-12 2008-04-01 Koninkl Philips Electronics Nv Geometry of functional layers in rollable devices
JP2008249968A (ja) * 2007-03-30 2008-10-16 Fujifilm Corp アクティブマトリクス方式の表示装置及びその製造方法
JP5444817B2 (ja) 2009-04-24 2014-03-19 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
US8911653B2 (en) 2009-05-21 2014-12-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing light-emitting device
KR101972077B1 (ko) * 2012-09-28 2019-08-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102045244B1 (ko) * 2012-11-14 2019-11-15 엘지디스플레이 주식회사 연성 표시소자
KR101582991B1 (ko) * 2014-05-23 2016-01-20 연세대학교 산학협력단 플렉서블 유기박막 트랜지스터 및 이를 포함한 센서
US11686436B2 (en) 2014-09-28 2023-06-27 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED filament and light bulb using LED filament
US11543083B2 (en) 2014-09-28 2023-01-03 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED filament and LED light bulb
US11085591B2 (en) 2014-09-28 2021-08-10 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED light bulb with curved filament
US11525547B2 (en) 2014-09-28 2022-12-13 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED light bulb with curved filament
US11421827B2 (en) 2015-06-19 2022-08-23 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED filament and LED light bulb
US11073248B2 (en) 2014-09-28 2021-07-27 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. LED bulb lamp
US11997768B2 (en) 2014-09-28 2024-05-28 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED filament and LED light bulb
KR102288350B1 (ko) 2014-10-21 2021-08-11 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치
KR102283369B1 (ko) * 2014-12-29 2021-07-30 엘지디스플레이 주식회사 폴딩 가능한 어레이 기판 및 표시장치
KR102317137B1 (ko) * 2015-01-06 2021-10-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 구동 방법
CN107204342B (zh) * 2016-03-16 2019-08-23 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 柔性电子器件及其制造方法
KR102436558B1 (ko) * 2016-04-28 2022-08-26 엘지디스플레이 주식회사 두루마리형 연성표시장치
KR102475589B1 (ko) * 2016-04-29 2022-12-07 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기발광 표시장치
GB201609878D0 (en) 2016-06-06 2016-07-20 Microsoft Technology Licensing Llc Redundancy in a display comprising autonomous pixels
TWI668870B (zh) * 2016-12-15 2019-08-11 財團法人工業技術研究院 電晶體裝置
US10982048B2 (en) 2018-04-17 2021-04-20 Jiaxing Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd Organosilicon-modified polyimide resin composition and use thereof
CN108831308A (zh) * 2018-06-27 2018-11-16 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种可折叠显示面板及可折叠显示装置
CN110648641B (zh) * 2019-09-27 2022-02-25 云谷（固安）科技有限公司 一种用于显示屏的驱动电路、显示屏及显示终端
CN111190506A (zh) * 2020-03-20 2020-05-22 廖武佐 触摸屏防误触方法、触摸屏、计算设备及介质
CN114388559A (zh) * 2020-10-20 2022-04-22 华为技术有限公司 显示面板、显示面板的制作方法及电子设备

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040085889A (ko) * 2003-04-02 2004-10-08 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터를 구비한 평판표시장치

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0717445B1 (en) * 1994-12-14 2009-06-24 Eastman Kodak Company An electroluminescent device having an organic electroluminescent layer
JP3882804B2 (ja) * 1997-02-17 2007-02-21 セイコーエプソン株式会社 発光装置
US6512504B1 (en) * 1999-04-27 2003-01-28 Semiconductor Energy Laborayory Co., Ltd. Electronic device and electronic apparatus
JP2001075502A (ja) * 1999-09-01 2001-03-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd アクティブマトリックスアレイ及びそれを用いた液晶表示装置
JP4754677B2 (ja) * 2000-07-31 2011-08-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6720577B2 (en) * 2000-09-06 2004-04-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP2003086356A (ja) * 2001-09-06 2003-03-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及び電子機器
JP5057619B2 (ja) * 2001-08-01 2012-10-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TW558743B (en) * 2001-08-22 2003-10-21 Semiconductor Energy Lab Peeling method and method of manufacturing semiconductor device
JP4069667B2 (ja) * 2002-04-30 2008-04-02 カシオ計算機株式会社 薄膜トランジスタパネルの製造方法
US6642092B1 (en) * 2002-07-11 2003-11-04 Sharp Laboratories Of America, Inc. Thin-film transistors formed on a metal foil substrate
KR100988084B1 (ko) 2003-06-07 2010-10-18 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 제조방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040085889A (ko) * 2003-04-02 2004-10-08 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터를 구비한 평판표시장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101108709B1 (ko) 2007-07-12 2012-01-30 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
EP1746658B1 (en) 2014-06-04
US7551255B2 (en) 2009-06-23
EP1746658A1 (en) 2007-01-24
US20070018170A1 (en) 2007-01-25
KR20070010938A (ko) 2007-01-24
JP2007025620A (ja) 2007-02-01
CN1901206A (zh) 2007-01-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100698692B1 (ko) 평판표시장치
JP4737163B2 (ja) トランジスタ及びそれを備える表示装置
US8477252B2 (en) Display apparatus with gate leading lines of differing lengths
US7582898B2 (en) Circuit structure with a double-gate organic thin film transistor device and application thereof
US8304778B2 (en) Thin film transistor and pixel structure having the thin film transistor
JP5149910B2 (ja) アクティブマトリクス基板及び液晶表示装置
US8377758B2 (en) Thin film transistor, array substrate and method for manufacturing the same
US20150021708A1 (en) Pixel structure
US20120146029A1 (en) Thin film transistor array panel
US8502945B2 (en) Array substrate of fringe field switching mode liquid crystal display panel and method of manufacturing the same
US8536574B2 (en) Thin film transistor and method of manufacturing the same
US20180231823A1 (en) Display device
US10042225B2 (en) Liquid crystal display device and method for fabricating the same
JP2010272664A (ja) ａ−ＳｉＴＦＴ及びこのａ−ＳｉＴＦＴを有するシフトレジスター
JP2017083821A (ja) 表示装置
JP2016171102A (ja) 薄膜トランジスタ
US7710525B2 (en) Thin film transistor, fabrication method thereof, liquid crystal display panel device having the same, and fabrication method thereof
US8748892B2 (en) Thin film transistor and method for fabricating the same
US7612379B2 (en) Multi-gate thin film transistor having recrystallized channel regions with different grain sizes
US20160027873A1 (en) Thin film transistor
CN102522411B (zh) 薄膜晶体管、使用该薄膜晶体管的阵列基板及其制作方法
US20210034183A1 (en) Pixel array substrate
CN109755222B (zh) 角度测量器及其制造方法、显示面板和角度测量方法
JP2003017502A (ja) 半導体装置およびその作製方法
KR102116943B1 (ko) 액정 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130228

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140303

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150227

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180302

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190304

Year of fee payment: 13