CN100489569C - 制作光学膜的方法 - Google Patents
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Abstract
为了提供了一种制作形成在塑料基板上的光学膜的方法。提供一种制作光学膜的方法,包括以下步骤:将分离层和滤光器层叠在第一基板上,使滤光器与第一基板分离,将滤光器附着到第二基板上。由于根据本发明制作的光学膜具有柔性,因此可以将它设置在具有弯曲表面的部分或显示器件上。另外,光学膜不在高温下处理,因此可以形成具有高成品率和高可靠性的光学膜。而且,可以形成具有极好的抗冲击特性的光学膜。
Description
技术领域
本发明涉及制作形成在塑料基板上的光学膜的方法。
背景技术
最近几年中,使用形成在具有绝缘表面的基板上的半导体薄膜(具有大约从几nm到几百nm的厚度)形成薄膜晶体管(TFT)的技术已经引起关注。薄膜晶体管已经广泛应用于多种电子器件例如IC和电子设备。特别地,关于薄膜晶体管作为液晶面板和发光显示面板的开关元件的研究已经在加快。
就液晶显示面板来说,液晶材料夹在元件基板和相对基板之间。这里,使用非晶硅或多晶硅作为半导体的TFT排列成矩阵,并且连接到每个TFT的像素电极、源极布线和栅极布线分别形成在元件基板上方。具有相对电极的相对基板与元件基板相对放置。另外,彩色显示器的滤色器形成在元件基板或相对基板上。接着偏振片分别设置在元件基板和相对基板上作为光学快门以显示彩色图像。
液晶显示器件的滤色器具有包括R(红色)、G(绿色)、B(蓝色)的着色层和覆盖像素之间的间隙的光屏蔽掩模(黑矩阵),并且通过在其中传播光来提取红光、绿光、和蓝光。滤色器的光屏蔽掩模通常由包含黑色颜料的金属膜或有机膜制成。滤色器设置在与像素相对应的位置,由此能够为每个像素改变所提取的光的颜色。注意,对应于像素的位置表示与像素电极相符合的位置。
就发光显示器件来说,存在通过将发射红光、绿光、或蓝光的发光元件排列成矩阵的彩色化方法;通过利用使用发射白光的发光元件的滤色器的彩色化方法;等等。通过利用使用发射白色的发光元件的滤色器的彩色化方法大体上类似于使用滤色器的液晶显示器件的彩色化方法(参见专利文献1)。
[专利文献1]:日本专利申请公开物No.2001-217072
发明内容
常规地,用于液晶显示器件的滤色器形成在玻璃基板上。因此,存在的问题是其中形成在玻璃基板上的滤色器和使用该滤色器的液晶显示器件具有差的抗冲击特性并且随着玻璃基板厚度的减小而趋向于容易破裂。因此,难以制作薄液晶显示器件。
另外,由于玻璃基板不具有柔性,因此难以在具有弯曲表面的部分或显示器件上形成彩色膜。
而且,有色树脂和颜料分散树脂(pigment dispersing resin)通常用作滤色器的原材料。然而,为了固化这些树脂,有必要执行在恒温下加热的步骤。因此,难以在热塑性基板上形成滤色器。
根据上述问题,本发明提供制作形成在塑料基板上的光学膜的方法。
根据本发明的一个方面,提供制作光学膜的方法,其中在第一基板上形成分离层和具有滤光器的对象本体之后,通过使用第一粘合材料使第二基板以该第二基板面向第一基板的方式附着到对象本体上,并且在分离层和对象本体之间产生分离。
根据本发明的另一方面,提供制作光学膜的方法,其中在第一基板上形成分离层和具有滤光器的对象本体之后,通过使用可剥落的粘合剂使支撑介质以该支撑介质面向对象本体的方式附着到对象本体上,并且在分离层和对象本体之间产生分离,以及在通过使用粘合材料在对象本体上形成第二基板之后,支撑介质和可剥落的粘合剂与滤光器分离。
注意,分离层由下述形成:从钛(Ti)、铝(Al)、钽(Ta)、钨(W)、钼(Mo)、铜(Cu)、铬(Cr)、钕(Nd)、铁(Fe)、镍(Ni)、钴(Co)、钌(Ru)、铑(Rh)、钯(Pd)、锇(Os)、铱(Ir)中选择的元素;包括合金材料或包含上述元素作为其主要构成的化合物材料的单层;这些单层的叠层。另外,对象本体包括氧化硅、氮氧化硅、或金属氧化物。
根据本发明的另一方面,提供制作光学膜的方法,其中在第一基板上形成金属层、绝缘层、和滤光器之后,第二基板附着到滤光器上,并且第一基板与滤光器分离。
根据本发明的另一方面,提供制作光学膜的方法,其中在第一基板上形成金属层、绝缘层和滤光器之后,滤光器与第一基板分离,并且第二基板附着到滤光器上。
在本发明中,在形成金属层和绝缘层的同时可在金属层和绝缘层之间形成金属氧化物层。
另外,可以在加热绝缘层之后形成滤光器以在金属层和绝缘层之间形成金属氧化物层。
在形成滤光器之后,通过加热可以在分离层和绝缘层之间形成金属氧化物层。
可以在氧化金属层的表面以形成金属氧化膜之后形成绝缘层。
在将滤光器与第一基板分离的步骤中,通过使用物理装置引起金属层和绝缘层之间,一般是金属层和金属氧化物层之间、或金属氧化物层和绝缘层之间、或金属氧化物层内的分离。
滤光器是滤色器、色彩转换滤波器、或全息滤色器。
第二基板由塑料基板制成。此时,光学膜是包括滤色器、色彩转换滤波器、或全息滤色器的膜。
可以使用光学膜作为第二基板。彩色膜、偏振片、包括延迟板和偏振片的椭圆偏振片、和光反射膜可以用作光学膜。此时,具有滤光器的光学膜显示出多种光学功能。
优选地,第一基板是耐热基板。一般,玻璃基板、石英基板、陶瓷基板、硅基板、金属基板、和不锈钢基板可以用作基板的典型实例。
下述材料可以用作金属层的典型实例:从钛(Ti)、铝(Al)、钽(Ta)、钨(W)、钼(Mo)、铜(Cu)、铬(Cr)、钕(Nd)、铁(Fe)、镍(Ni)、钴(Co)、钌(Ru)、铑(Rh)、钯(Pd)、锇(Os)、铱(Ir)中选择的元素;包括合金材料或包含上述元素作为其主要构成的化合物材料的单层;这些单层的叠层;以及这些材料的氮化物。
绝缘层优选由氧化物形成,例如氧化硅、氮氧化硅、或金属氧化物的单层,或它们的叠层。
金属氧化物层是通过热处理来氧化金属层的一部分所形成的层,该热处理在形成绝缘层时或在形成绝缘层之后进行。一般,金属氧化物层是从钛(Ti)、铝(Al)、钽(Ta)、钨(W)、钼(Mo)、铜(Cu)、铬(Cr)、钕(Nd)、铁(Fe)、镍(Ni)、钴(Co)、钌(Ru)、铑(Rh)、钯(Pd)、锇(Os)、和铱(Ir)中选择的元素的氧化物。
在本发明中,显示器件表示使用显示元件的器件,即图像显示器件。另外,显示器件包括下述所有模块:其中利用连接器例如FPC(柔性印刷电路)、TAB(带式自动接合)带、或TCP(带载封装)附着发光元件的模块;具有设置在TAB带或TCP的一端上的印刷线路板的模块;以及其中通过COG(玻璃上芯片)技术将显示元件直接与IC(集成电路)或CPU安装在一起的模块。
根据以下实施例,可以在塑料基板上形成滤光器。即,可以制作其中滤光器形成在塑料基板上的光学膜。由于根据本发明制作的光学膜具有柔性,因此可以将该光学膜设置在具有弯曲表面的部分或显示器件上。另外,该光学膜不易受高温处理的影响,因此可以形成具有高可靠性和高成品率的光学膜。此外,可以形成具有极好的抗冲击特性的光学膜。
使用根据本发明制作的光学膜的显示器件具有这样的结构:其中通过不同的步骤单独形成具有在其中形成元件的层和光学膜,并且随后该层和光学膜相互附着。通过利用该结构,可以单独控制具有在其中形成元件即TFT和显示元件的层的成品率和光学膜的成品率,由此完全抑制了显示器件的成品率的降低。
另外,制作有源矩阵基板的步骤和制作光学膜的步骤可以同时进行,降低了显示器件的制作交付周期。
而且,由于使用塑料基板,因此可以制作具有改善的抗冲击特性和减小的重量的显示器件。
附图说明
图1A到1E是解释根据本发明制作光学膜的步骤的截面图;
图2A到2E是解释根据本发明制作光学膜的步骤的截面图;
图3A到3E是解释根据本发明制作具有滤色器的基板的步骤的截面图;
图4A到4D是解释根据本发明制作具有滤色器的基板的步骤的截面图;
图5A和5B是解释根据本发明的具有滤色器的发光显示器件的截面图;
图6A和6B是解释根据本发明的具有滤色器的液晶显示器件的截面图;
图7A和7B是解释根据本发明的具有滤色器的发光显示器件面板的顶视图和截面图;
图8A和8B是解释根据本发明的具有滤色器的液晶显示器件的顶视图和截面图;
图9A和9B是解释根据本发明制作的具有滤色器的基板的图;以及
图10A到10C是解释电子设备的实例的图。
具体实施方式
下文将参考附图描述本发明的最佳模式。正如本领域的技术人员所容易理解的,本发明可以体现为多种形式,并且在不脱离本发明的目的和范围的情况下可以改变和修改实施例模式及其细节。因此,本发明的解释不应局限于实施例模式中所提及的描述。注意,在附图中彼此相同的部分用相同的参考数字表示,并且将不被进一步解释。
[实施例模式1]
将参考图1A到1E描述在塑料基板上制作光学膜的方法。
首先,如图1A所示在第一基板101上形成金属层102。使用耐热材料,即在制作光学膜的步骤和分离步骤中能承受热处理的材料作为第一基板。一般,可以使用玻璃基板、石英基板、陶瓷基板、硅基板、金属基板、或不锈钢基板。
金属层102可以由下述形成:从钛(Ti)、铝(Al)、钽(Ta)、钨(W)、钼(Mo)、铜(Cu)、铬(Cr)、钕(Nd)、铁(Fe)、镍(Ni)、钴(Co)、钌(Ru)、铑(Rh)、钯(Pd)、锇(Os)、铱(Ir)中选择的元素;包括合金材料或包含上述元素作为其主要构成的化合物材料的单层;或这些单层的叠层;或这些的氮化物,典型的是包括钼或包含钼的合金的单层或它们的叠层。注意,通过适当调节金属层中合金的金属成分比或包含在金属层中的氧或氮的成分比来改变随后分离步骤的条件。因此,分离步骤可适于多种处理。金属层102的膜厚度设置为10到200nm,优选是50到75nm。
其次,氧化物层103形成在金属层或氮化物层102上。此时,金属氧化物层形成在金属层102和氧化物层103之间。当在随后的步骤中产生分离时,将在金属氧化物层内部、在金属氧化物层和氧化物层之间的界面内、或在金属氧化物层和金属层之间的界面内产生分离。就氧化物层103来说,可以通过溅射或等离子体CVD形成包括氧化硅、氮氧化硅、或金属氧化物的层。希望氧化物层103的膜厚度是氮化物层或金属层102的膜厚度的大约1到3倍,优选是至少1.5到2倍。这里,通过使用氧化硅靶的溅射形成具有从75到200nm的厚度的氧化硅膜。
接着,在氧化物层103上形成滤光器104。可以使用滤色器、色彩转换滤波器、全息滤色器等作为滤光器的典型实例。
如图1B所示,接着利用粘合材料111来粘附用于固定滤光器104的第二基板112。就粘合材料来说,可以使用包括反应固化粘合材料、热固化粘合材料、光固化粘合材料例如紫外线固化粘合材料、厌氧固化粘合材料的多种粘合材料。可以使用有机树脂例如环氧树脂、丙烯酸树脂、和硅树脂作为这些材料的典型实例。
第二基板112由塑料基板(由高分子量材料或树脂制成的膜)形成。可以使用下述作为塑料基板的典型实例:由聚碳酸酯(PC)制成的塑料基板;由JSR公司制作的由具有极性基的降冰片烯树脂形成的ARTON;聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET);聚醚砜(PES);聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate)(PEN);尼龙;聚醚醚酮(PEEK);聚砜(PSF);聚醚酰亚胺(PEI);多芳基化合物(PAR);聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT);聚酰亚胺;等等。除此之外,还可以使用诸如偏振片、延迟板、和散光膜之类的光学膜作为第二基板。
随后,如图1C所示,使用可剥落的粘合剂122将第一支撑介质121附着到第二基板112上。此时,当空气泡侵入第二基板112和可剥落的粘合剂122之间时,在随后的分离步骤中在滤光器中容易引起破裂。为了防止破裂,将第一支撑介质附着到其上以便使空气泡不侵入第二基板112和可剥落的粘合剂122之间。注意,在其间没有侵入空气泡的情况下通过使用带式安装器件等可以很快地附着上第一支撑介质。
可以使用下述作为可剥落的粘合剂122:由有机树脂制成的粘合材料所形成的材料,典型的是包括反应剥落粘合剂、热剥落粘合剂、光剥落粘合剂例如紫外线剥落粘合剂、厌氧剥落粘合剂等的多种可剥落的粘合剂;或在其每个表面上具有由多种可剥落的粘合剂形成的粘合层的元件(一般是双面带和双面薄片)。
优选使用具有比第二基板的刚性高的刚性的基板作为第一支撑介质,一般是玻璃基板、石英基板、金属基板、或陶瓷基板。
而且,优选使用具有比第一和第二基板的刚性高的刚性的基板作为第一支撑介质。
在滤光器104的表面不平的情况下,可以在滤光器的表面上形成平面化层作为缓冲层。一般,可以使用有机树脂、有机或无机绝缘涂敷膜、通过CMP(化学-机械抛光)技术等平面化的绝缘膜、粘合剂等。注意,绝缘膜可以具有单层或叠层结构。除此之外,还可以通过使用绝缘膜和粘合剂两者来形成平面化层。
在图1C中,第一基板101和形成在其上的金属层102被称为分离本体123。同时,从氧化物层103到第二基板112的层(即夹在金属层102和可剥落的粘合剂122之间的层)被称为对象本体124。
优选地,使用可剥落的粘合剂将支撑介质接合到第一基板101上以防止每个基板破裂。通过将支撑介质接合到其上,可以用较小的力来完成随后将要进行的分离步骤。优选地,使用具有比第一基板的刚性高的刚性的基板作为支撑介质,一般是石英基板、金属基板、和陶瓷基板。
如图1D所示,接着借助物理装置使分离本体123与对象本体124分离。例如,物理力表示相对小的力,例如人手、用喷嘴施加的气体压力、和超声波。
结果,在金属层102内部、金属氧化物层内部、金属氧化物层和氧化物层103之间的界面内、或金属氧化物层和金属层之间的界面内产生分离,因此可以用相对小的力使分离本体123与对象本体124分离。
注意,为了容易地分开分离本体,优选执行预处理作为在分离步骤之前的前一步骤。一般,执行用于部分地降低金属层102和氧化物层103之间的粘附性的处理。用于部分地降低其间的粘附性的处理是通过沿将要分离的区域的边缘将激光束部分地照射到金属层102上来执行的一种处理,或通过沿将要与外部部分分离的区域的边缘局部施加压力来部分地破坏金属层102的内部或界面所执行的一种处理。特别地,当将负荷施加到该处时可以垂直地按压和移动诸如金刚石笔之类的硬针。优选地,当施加压力时可以使用划片器件在0.1mm到2mm的范围内用按压力移动硬针。因此,在执行分离步骤前形成容易引起分离现象的部分即分离现象的触发是重要的。通过预先执行选择性地(部分地)降低粘附性的处理,可以防止不良分离,由此改善成品率。
如图1E所示,接着可剥落的粘合剂122和第一支撑介质121与第二基板112分离。
根据上述步骤可以形成光学膜。即,可以在第二基板112上形成滤光器104。
注意,粘合材料的有机树脂111插入在滤光器104和第二基板112之间。另外,氧化物层103形成在滤光器104的表面上;该表面与滤光器104的其上形成有机树脂的另一个表面相对。
另外,可以使用诸如偏振片、延迟板、和散光膜之类的光学膜作为第二基板112。除此之外,可以在第二基板的表面或氧化物层的表面上形成已知的抗反射膜。通过采用该结构,可以形成具有多种功能的光学膜。
在实施例模式中制作的光学膜具有柔性,因此它可以设置在具有弯曲表面的部分或显示器件上。另外,滤光器不在高温下处理,由此获得了具有高可靠性和高成品率的滤光器。而且,可以形成具有极好的抗冲击特性的滤光器。
[实施例模式2]
在本实施例模式中,将参考图2A到2E描述制作滤光器的方法,该滤光器在滤光器和第二基板之间具有与实施例模式1的粘附表面不同的粘附表面。
如图2A所示,金属层102和氧化物层103顺序层叠在第一基板101上,并且滤光器104以与实施例模式1相同的方式形成在氧化物层103上。注意,金属氧化物层形成在金属层和氧化物层之间。
如图2B所示,接着利用可剥落的粘合剂122将第一支撑介质121附着到滤光器104上。这里第一基板101和形成在其上的金属层102被称为分离本体211。另外,氧化物层103和滤光器104(即夹在金属层102和可剥落的粘合剂122之间的层)被称为对象本体212。
注意,优选地,利用可剥落的粘合剂将支撑介质附着到第一基板101上以防止每个基板破裂。通过将支撑介质附着到其上,可以用较小的力来执行随后将要进行的分离步骤。优选地,支撑介质可以由具有比第一基板的刚性高的刚性的基板形成,一般是石英基板、金属基板、和陶瓷基板。
在滤光器104的表面不平的情况下,可以在滤光器的表面上形成平面化层。通过提供平面化层,可以防止大气侵入滤光器和可剥落的粘合剂之间,由此改善了分离步骤的可靠性。平面化层可以由通过施加例如绝缘涂敷膜和有机树脂制成的材料形成。当平面化层由可剥落的材料一般是粘合剂形成时,以后可以除去该平面化层。
如图2C所示,接着借助物理装置使分离本体211与对象本体212分离。为了易于分离,优选执行如实施例模式1所述的预处理作为在分离步骤之前的前一步骤。根据该预处理,在金属氧化物层内部、金属氧化物层和氧化物层之间的界面内、或金属氧化物层和金属层之间的界面内产生分离,因此可以用相对小的力将分离本体211与对象本体212分离。注意,实施例模式1中所提及的物理装置是适合的。
如图2D所示,接着利用粘合材料111将第二基板112附着到氧化物层103上。其后,可剥落的粘合剂122和第一支撑介质121与滤光器104分离。
根据上述步骤可以形成光学膜。即,可以在第二基板112上形成滤光器104。
注意,粘合材料的有机树脂111和氧化物层103插入第二基板112和在本实施例模式中形成的滤光器104之间。
或者,可以在滤光器104的表面上形成透明导电膜之后执行分离步骤。依照该步骤,可以形成具有像素电极的光学膜。
而且,可以使用诸如偏振片、延迟板、和散光膜之类的光学膜作为第二基板112。除此之外,可以在第二基板的表面或氧化物层的表面上形成已知的抗反射膜。通过采用该结构,可以形成具有多种功能的光学膜。
在实施例模式中制作的光学膜具有柔性,因此它可以设置在具有弯曲表面的部分或显示器件上。另外,滤光器不在高温下处理,由此获得了具有高可靠性和高成品率的滤光器。而且,可以形成具有极好的抗冲击特性的滤光器。
[实施例模式3]
相对于实施例模式1或实施例模式2,在本实施例模式中将描述在分离本体和对象本体之间的界面内的更容易的分离步骤。
在第一基板101上形成金属层102和氧化物层103之后,加热所得到的第一基板。其后,在氧化物层上形成滤光器104。通过执行这些步骤,可以在金属层102和氧化物层103之间产生分离。此时,可以在第一基板所能承受的温度范围下加热第一基板,一般是在100℃到600℃的范围内,优选是150℃到500℃。
作为热处理步骤的替代,可以从第一基板101的一侧照射激光束。另外,可以执行激光照射和热处理的组合处理。
这里可以使用连续波固态激光器或脉冲式固态激光器。一般,可以使用下述激光器中的一个或多个作为连续波固态激光器或脉冲式固态激光器:YAG激光器;YVO4激光器;YLF激光器;YAlO3激光器;玻璃激光器;红宝石激光器;变石激光器;和钛:蓝宝石激光器。而且,可以使用下述激光器中的一个或多个作为其它连续波固态激光器或脉冲式固态激光器:受激准分子激光器;Ar激光器;和Kr激光器。
激光束可以从基板的一侧、或从氧化物层的一侧、或从基板和氧化物层的两侧照射到金属层。
另外,激光束的射束形状可以是圆形、三角形、正方形、多边形、椭圆形、或线性形状。激光束的尺寸可以是微米、毫米、和米中的任何尺寸(其也可以具有虚线形状或平面形状)。而且,在上述氧化步骤中,用激光束照射的区域可以与在上述区域之前已经立即用激光束照射的区域交叠,或者也可以不与其交叠。另外,优选使用具有从10nm到1mm的波长的激光束,更优选是从100nm到10μm。
可以用较小的物理力将在本实施例模式中制作的光学膜与第一基板分离,由此改善了成品率及其可靠性。
[实施例模式4]
相对于实施例模式1或实施例模式2,在本实施例模式中将描述在分离本体和对象本体之间的界面内的更容易的分离步骤。在本实施例模式中,在形成滤光器之后执行热处理。
在第一基板101上形成金属层102和氧化物层103,在氧化物层103上形成滤光器104,然后加热所得到的第一基板。其后,利用实施例模式1中的粘合材料111将第二基板112附着到滤光器104上。另一方面,通过使用实施例模式2中的粘合剂122将第一支撑介质121附着到滤光器104上。
作为上述步骤的替代,在第一基板101上形成金属层102和氧化物层103之后,可以加热所得到的第一基板,随后可以在氧化物层103上形成滤光器104。
根据该步骤,可以在金属层102和氧化物层103之间用较小的物理装置使金属层102与氧化物层103分离。此时,可以在第一基板所能承受的温度范围下加热第一基板,一般是在100℃到300℃的范围内,优选是150℃到250℃。
另外,作为热处理步骤的替代,可以采用与实施例模式3相同的方式从第一基板101的一侧照射激光束。或者,可以执行激光照射和热处理的组合处理。
可以用较小的物理力将在本实施例模式中制作的光学膜与第一基板分离,由此改善了成品率及其可靠性。
[实施例模式5]
在本实施例模式中将解释通过与实施例模式1和实施例模式2不同的形成金属氧化物膜的步骤制作光学膜的方法。
采用与实施例模式1和实施例模式2相同的方式在第一基板101上形成金属层102。接着在金属层102的表面上形成金属氧化物层。可以使用热氧化处理、氧等离子体处理、利用强氧化溶液例如臭氧水的处理等作为形成金属氧化物层的方法。通过使用上述处理中的任何一种来处理金属层102的表面以形成具有从1到10nm的厚度的金属氧化物层,优选是从2到5nm。
其后,采用与实施例模式1或实施例模式2相同的方式形成氧化物层103和滤光器104,由此形成了光学膜。
在本实施例模式中可以形成作为分离层的一部分的金属氧化物层,由此能够形成具有高成品率的光学膜。
[实施例1]
将根据本发明参考图3A到3E和图4A到4D解释把形成在玻璃基板上的滤光器附着到塑料基板上的实例。尽管在本实施例中使用滤色器作为滤光器的典型实例,但是可以使用色彩转换滤波器、全息滤色器等来代替滤色器。
如图3A所示,在玻璃基板(第一基板301)上形成分离层。在该实施例中使用AN100作为玻璃基板。金属层302即钼膜(具有从10到200nm的厚度,优选是从50到75nm)通过溅射形成在玻璃基板上。随后,氧化物膜303即氧化硅膜(具有从10到400nm的厚度,优选是从75到150nm)层叠在其上。在层叠氧化物层时,在金属层302和氧化硅膜303之间形成金属氧化物膜(即氧化钼膜)。在随后的分离步骤中,在氧化钼膜内部;在氧化钼膜和氧化硅膜之间的界面内;或氧化钼膜和钼膜之间的界面内产生分离。
如图3B所示,滤色器形成在氧化物层303上。可以采用下述已知方法作为制作滤色器的方法:使用有色树脂的刻蚀法;使用彩色抗蚀剂(colorresist)的彩色抗蚀剂法;染色法;电沉积法;胶束电解法;电沉积传输法;膜扩散法;喷墨法(液滴放电法);银盐着色法;等等。
现在,通过使用其中扩散了颜料的光敏树脂的刻蚀法形成滤色器。首先,通过施加将其中扩散了黑色颜料的光敏丙烯酸树脂施加到氧化物层303上。通过干燥、预先烘焙丙烯酸树脂,然后将其曝光并显影。其后,在220℃的温度下加热丙烯酸树脂以将其固化,从而形成具有从0.5到1.5μm的厚度的黑矩阵311。随后,通过施加在基板上分别施加其中扩散了红色颜料的光敏丙烯酸树脂、其中扩散了绿色颜料的光敏丙烯酸树脂、和其中扩散了蓝色颜料的光敏丙烯酸树脂。每种光敏丙烯酸树脂经受形成黑矩阵的相同步骤,以分别形成具有1.0到2.5μm的厚度的红色层312(下文称为有色层R)、绿色层313(下文称为有色层G)、和蓝色层314(下文称为有色层B)。其后形成保护膜(未示出)以完成滤色器315。
在本说明书中,有色层R代表其中透射红光(具有在650nm附近的峰值波长)的有色层。有色层G代表其中透射绿光(具有在550nm附近的峰值波长)的有色层。另外,有色层B代表其中透射蓝光(具有在450nm附近的峰值波长)的有色层。
如图3C所示,利用粘合材料321将塑料基板322附着到滤色器315上。就粘合材料321来说,采用环氧树脂,其是光固化粘合材料。使用聚碳酸酯膜作为塑料基板322。
随后如图3D所示,执行预处理以容易进行分离处理。通过使用划片器件,当施加压力时在从0.1mm到2mm的范围内用按压力移动硬针以便除去基板的边缘。此时,在金属层302和氧化物层303之间产生分离。通过在预处理中预先选择性地(部分地)降低粘附性,可以防止不良分离,由此改善成品率。
如图3E所示,通过使用可剥落的粘合剂341将第一支撑介质342附着到塑料基板322上。使用双面带作为可剥落的粘合剂341,而使用石英基板作为第一支撑介质342。通过把第一支撑介质附着到塑料基板上,可以防止滤色器破裂和破损。
接着如图4A所示,通过使用可剥落的粘合剂351将第一支撑介质352附着到第一基板301上。使用双面带作为可剥落的粘合剂,而使用石英基板不但作为第一支撑介质这里还作为第二支撑介质。
如图4B所示,接着使第一基板301与滤色器315分离。如图3B所示,在经受预处理以便容易执行分离处理的部分中,即在金属层302和氧化物层303之间的粘附性部分地降低的区域中,借助物理装置使具有形成在其上的金属层302的第一基板301和第二支撑介质352分离。可以用相对小的力(例如使用元件的负荷、人手、用喷嘴施加的气体压力、和超声波等)来执行该分离。在本实施例中,将具有尖端的元件例如楔形物的一部分插入金属层302和氧化物层303之间以分离这两层。因此,可以将形成在氧化硅层303上的滤色器315与第一基板301和金属层302分离。
然后,如图4C所示,第一支撑介质342与塑料基板322分离。如果粘合材料保留在塑料基板上,那么该粘合材料的剩余物可能会引起缺陷。因此,优选通过O2等离子体照射、紫外线照射、或臭氧清洗来洗涤塑料基板322的表面。另外,可以执行真空加热以除去塑料基板上所吸收的湿气。
根据上述步骤,滤色器315形成在塑料基板322上同时将作为粘合材料的有机材料夹在其间,如图4D所示。注意,氧化物层303形成在滤色器的表面上。滤色器315、形成在该滤色器的表面上的氧化物层303、粘合材料(树脂层)321、和塑料基板322被称为具有滤色器的基板361。
图9A示出具有在本实施例中制作的滤色器的基板的照片。图9B是图9A的摹制图,其中参考数字901表示手;902表示塑料基板;以及903表示滤色器。塑料基板由于具有柔性,因此是弯曲的。
注意,实施例模式2可以代替实施例模式1应用于本实施例。
根据该实施例,滤色器可以形成在塑料基板上。而且,通过在光学膜例如偏振片、延迟板、和散光膜上形成滤色器,可以形成集成了多种功能的光学膜。
具有根据本实施例制作的滤色器的塑料基板具有柔性,因此它可以设置在具有弯曲表面的部分或显示器件上。另外,由于滤色器不在高温下处理,因此可以将具有该滤色器的基板制作成具有高可靠性和高成品率。而且,可以形成包括极好的抗冲击特性的具有滤色器的基板。
[实施例2]
在本实施例中将参考图5A和5B描述具有在实施例1中制作的滤色器的发光显示器件的实例。
能够向下发射光的发光显示器件在图5A中示出。在图5A中,参考数字501表示具有形成在其中的元件的层;361表示具有在实施例1中制作的滤色器的基板;以及500表示第二基板。
在具有形成在其中的元件的层中,在绝缘膜520上形成TFT502作为半导体元件。TFT 502的结构没有特别限制,可以使用顶栅TFT(一般是平面TFT)或底栅TFT(一般是倒置交错型TFT)。就所述元件来说,可以使用有机半导体晶体管、二极管、或MIM元件作为TFT的替代物。
由导电氧化物膜制成的第一电极连接到TFT 502上作为像素电极。在本实施例中,第一电极用作阳极503。第二电极与第一基板相对同时将包含发光物质的层夹在其间。这里第二电极用作阴极505。此处使用的导电氧化物膜对于可见光是透明的。在发光层中产生的光通过阳极503被提取到外面(沿图中箭头的方向)。TFT 502和阳极503设置在多个像素的每一个中。
发光层504形成为与阳极503相接触,并且阴极505形成在其上。发光层504对应于发光元件的发光部分,并且包括单层或叠层。基本上,发光层包括空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、和电子传输层。此外,发光层还可以包括任何已知的结构。可以使用有机材料或者无机材料作为发光层材料。在使用有机化合物的情况下,可以使用高分子量有机材料或者低分子量有机材料。
阴极优选由具有低功函数的材料制成,并且可以使用包含属于周期表的1或2族的元素的金属膜。当然可以采用任何已知的阴极材料。
在本说明书中,发光元件表示包括阳极、发光层、和阴极的发光元件。因此,发光元件506包括阳极503、发光层504、和阴极505。
由于阳极503具有光透射特性而阴极505具有光屏蔽特性或光反射特性,因此发光元件朝向阳极即朝向TFT发射光(这里即底部发射)。因而,通过使用粘合材料508将具有在实施例1中形成的滤色器的基板361附着到光发射通过的表面上,即具有形成在其中的元件的层501的绝缘膜520的表面,其是具有形成在其中的元件的层501的TFT侧。
同时,用密封材料507覆盖发光元件506,并且利用该密封材料507将第二基板500附着到发光元件上。密封材料507包括树脂,并且一般使用紫外线固化树脂或环氧树脂。
第二基板500保护发光元件506免受湿气和氧气影响,并且还用作用于保护发光元件506免受机械冲击的保护层。尽管第二基板500可以由任何材料形成,但优选使用塑料基板以降低发光显示器件的重量并且增强抗冲击特性。在本实施例中使用聚碳酸酯(PC)膜作为塑料基板。
下面将解释如图5A所示的制作发光显示器件的步骤。
具有通过已知方法形成的形成在其中的元件的层501形成在第一基板(图中未示出)上。通过使用密封材料507将第二基板500附着到具有形成在其中的元件的层501上。其后,从具有形成在其中的元件的层501中除去第一基板。作为除去第一基板的方法,可以适当地应用分离第一基板的步骤、抛光第一基板的步骤、熔解第一基板的步骤等等。注意,可以薄薄地抛光第一基板以用作第二基板。在本实施例中,通过利用与实施例模式1或实施例模式2相同的技术,金属层、氧化物层、和具有形成在其中的元件的层顺序层叠在第一基板上。然后,在金属层和氧化物层之间产生分离以从具有形成在其中的元件的层501中除去第一基板。
接着,通过使用粘合材料508将具有在实施例1中制作的滤色器的基板361附着到具有形成在其中的元件的层501的绝缘膜520上。此处,绝缘膜520形成在发光元件的通过其发射光的表面上,即具有形成元件的层501的表面,其与具有形成在其中的元件的层501的其上形成有第二基板500的另一表面相对。可以使用紫外线固化树脂或环氧树脂作为粘合材料508的典型实例。
根据以上步骤,可以制作使用塑料基板和形成在塑料基板上的滤色器的发光显示器件(底部发射型发光显示器件)。
接着,图5B中示出能够向上发射光的发光显示器件。
在图5B中,参考数字501表示具有形成在其中的元件的层;361表示具有在实施例1中制作的滤色器的基板;以及511表示第二基板。
与图5A一样,TFT 502和发光元件506形成在具有形成在其中的元件的层501中。就发光元件来说,阳极包括光屏蔽特性或光反射特性,而阴极包括光透射特性。因此,如图5B所示的发光元件朝向阴极即沿TFT 502的反方向发射光(这里即顶部发射)。用密封材料507覆盖发光元件506。
通过使用密封材料507将具有在实施例1中形成的滤色器的基板361附着到光发射通过的一侧上,即具有形成在其中的元件的层501的表面,其与具有形成在其中的元件的层501的其上形成TFT的另一表面相对。密封材料507是树脂,并且一般使用紫外线固化树脂或环氧树脂。注意,可以在密封材料507和具有滤色器的基板361之间另外提供粘合材料。
同时,在具有形成在其中的元件的层的TFT的一侧,即具有形成在其中的元件的层的表面,其与具有形成在其中的元件的层的其上形成具有滤色器的基板361的另一表面相对,通过使用粘合材料508将绝缘膜520附着到第二基板511上。
下面将描述制作图5B中示出的发光显示器件的步骤。
具有通过已知方法形成的形成在其中的元件的层501形成在第一基板(图中未示出)上。通过使用密封材料507将具有在实施例1中制作的滤色器的基板361附着到具有形成在其中的元件的层501上。其后,从具有形成在其中的元件的层501中除去第一基板。作为除去第一基板的方法,分离第一基板的步骤、抛光第一基板的步骤、熔解第一基板的步骤等可以完全适合。注意,可以薄薄地抛光第一基板以便有剩余。在本实施例中,通过利用与实施例模式1或实施例模式2相同的技术,金属层、氧化物层、和具有形成在其中的元件的层顺序层叠在第一基板上。然后,在金属层和氧化物层之间产生分离以从具有形成在其中的元件的层501中除去第一基板。
随后,在具有形成在其中的元件的层501中,通过使用粘合材料508将第二基板511附着到具有形成在其中的元件的层501的绝缘膜520上,即具有其中形成元件的层501的表面,其与具有形成在其中的元件的层501的其上形成具有滤色器的基板361的另一表面相对。可以使用紫外线固化树脂或环氧树脂作为粘合材料321的典型实例。
根据上述步骤,可以制作使用塑料基板和形成在塑料基板上的滤色器的发光显示器件(顶部发射型发光显示器件)。
注意,对于发光显示器件优选使用滤色器的有色层,其中的每一个都具有低颜料含量以获得大量的光。或者,通过使每个有色层的膜厚度变薄可以增加光的数量。并且,当在有色层中掺入黑色颜料时,通过吸收从发光显示器件外部进入的外部光可以防止观察者在阴极中被反射的这种缺陷。
另外,抗反射膜可以设置在具有滤色器的基板361的表面上。抗反射膜是具有这样的条件的单层膜或叠层膜,即在该条件下通过控制折射率和膜厚度几乎不引起反射光。可以使用已知的抗反射膜。
另外,可以使用偏振片或圆偏振片(包括圆偏振膜)来代替塑料基板322。
尽管在实施例中示出了发光元件仅沿一个方向发射光的实例,但是本发明并不局限于此。本发明可以应用于能沿两个方向发射光的发光元件(也就是说阳极和阴极都包括光透射特性的发光元件,即双发射型发光元件)。在这种情况下,可以将具有形成在其中的元件的层插入具有滤色器的两个基板之间。
尽管本发明示出通过有源矩阵驱动方法驱动的发光元件,其中TFT形成在每个像素电极中,但是本发明并不局限于此。可以完全使用通过无源矩阵驱动方法驱动的发光元件。
另外,可以通过使用作为设置在每个像素电极中的元件的有机半导体晶体管和作为第一基板的塑料基板形成发光显示器件。在这种情况下,可以省略除去第一基板的步骤,由此提高生产量。
在该实施例中描述的发光显示器件的一个特征在于,在分离步骤中单独形成具有形成在其中的元件的层和滤色器,然后在完成之后两者彼此附着。通过采用这种结构,可以单独控制具有形成在其中的元件即TFT和发光元件的层的成品率以及滤色器的成品率,这抑制了整个发光显示器件的成品率的下降。
而且,可以同时进行制作有源矩阵基板的步骤和制作滤色器的步骤,由此降低发光显示器件的制作交付周期。
通过利用塑料基板,可以制作具有减小的重量以及改善的抗冲击特性的发光显示器件。
[实施例3]
在本实施例中将解释具有在实施例1中制作的滤色器的液晶显示器件的实例。
在图6A中,参考数字601表示具有形成在其中的元件的层;361表示具有在实施例1中制作的滤色器的基板;以及500表示第二基板。
作为半导体元件的TFT 502和以后将被填充液晶的层采用与实施例2相同的方式形成在具有形成在其中的元件的层601中。TFT 502的结构没有具体限制,并且可以使用顶栅TFT(一般是平面TFT)或底栅TFT(一般是倒置交错型TFT)。作为TFT的替代物,可以使用有机半导体晶体管、二极管、和MIM元件作为所述元件。
由导电氧化物膜制成的第一电极602连接到TFT 502上作为像素电极。此处使用的导电氧化物膜对于可见光是透明的,并且从外部背光发射的光通过第一电极602被提取到外面。TFT 502和第一电极602设置在多个像素的每一个中
对准膜603形成在第一电极602上。在本实施例中使用通过研磨聚酰亚胺形成的对准膜。此外,还可以使用通过利用氧化硅的倾斜沉积形成的对准膜或光对准膜作为所述对准膜。
第二电极606和采用与对准膜603相同的步骤形成的对准膜605形成在第二基板500上。
形成在第二基板500上的对准膜605和具有形成在其中的元件的层601利用密封材料(图中未示出)彼此附着。
通过使用粘合材料607将具有滤色器的基板608附着到具有形成在其中的元件的层601的绝缘膜520的表面上。
下文将解释制作如图6A所示的液晶显示器件的步骤。
由导电氧化物膜制成的第二电极606形成在第二基板500上。其后,对准膜605形成在第二电极的表面上。
具有形成在其中的元件的层601借助已知方法形成在第一基板(图中未示出)上。通过使用第一密封材料将第二基板500附着到具有形成在其中的元件的层601上。在这种情况下,第二基板附着到该处以便形成在具有形成在其中的元件的层601的表面上的对准膜603与形成在第二基板上的对准膜605彼此面对。另外,在两个基板之间形成隔离物。第一密封材料与填充物混合以便两个基板彼此附着同时保持隔离物和填充物其间的均匀距离。
其后,从具有形成在其中的元件的层601除去第一基板。实施例2中所公开的已知技术可适于除去第一基板的步骤。在该实施例中,通过利用与实施例模式1或实施例模式2相同的技术,金属层、氧化物层、和具有形成在其中的元件的层顺序层叠在第一基板上。然后,在金属层和氧化物层之间产生分离以从具有形成在其中的元件的层601中除去第一基板。
随后,具有滤色器的基板361和具有形成在其中的元件的层601的绝缘膜520利用粘合材料607彼此附着。
液晶材料604注入两个基板之间,即具有形成在其中的元件的层601中,并且利用第二密封材料(图中未示出)完全密封这两个基板。
根据上述步骤,可以制作使用塑料基板和形成在塑料基板上的滤色器的液晶显示器件。
接着,在图6B中,参考数字601表示具有形成在其中的元件的层;608表示具有滤色器的基板;以及511表示第二基板。
第二基板511和具有形成在其中的元件的层601的绝缘膜520利用包括有机树脂的粘合材料607彼此附着。
具有形成在其中的元件的层601与具有滤色器的基板608通过密封材料(图中未示出)粘附在一起。
依照实施例模式2形成具有滤色器的基板608。特别地,包括有机树脂的粘合材料610和氧化物层303层叠在塑料基板322上。黑矩阵311、红色层312、绿色层313、和蓝色层314在氧化物层上排成直线,并且用于覆盖这些层的外涂层形成在其上以形成滤色器。第二电极606形成在滤色器的表面上,并且对准膜605形成在其上。注意,可以使用具有滤色器的基板,其中第二基板606和对准膜605形成在具有实施例1中所公开的滤色器的基板361的氧化物层303的表面上。
下面将描述制作如图6B所示的液晶显示器件的步骤。
具有形成在其中的元件的层601借助已知方法形成在第一基板(图中未示出)上。通过使用第一密封材料(图中未示出)将基板608附着到具有形成在其中的元件的层601上。在这种情况下,具有滤色器的基板608附着到该处以便形成在具有形成在其中的元件的层601的表面上的对准膜603与形成在具有滤色器的基板上的对准膜605彼此面对。另外,在两个基板之间形成隔离物。第一密封材料与填充物混合以便两个基板彼此附着同时保持隔离物和填充物其间的均匀距离。
其后,从具有形成在其中的元件的层601除去第一基板。实施例2中所公开的已知技术可应用于除去第一基板的步骤。在该实施例中,通过利用与实施例模式1或实施例模式2相同的技术,金属层、氧化物层、和具有形成在其中的元件的层顺序层叠在第一基板上。然后,在金属层和氧化物层之间产生分离以从具有形成在其中的元件的层601中除去第一基板。
随后,第二基板511和具有形成在其中的元件的层601的绝缘膜520利用粘合材料607彼此附着。
液晶材料604注入两个基板之间,即具有形成在其中的元件的层601中,并且利用第二密封材料(图中未示出)完全密封这两个基板。
根据上述步骤,可以制作如图6B所示的使用塑料基板和形成在塑料基板上的滤色器的液晶显示器件。
注意,优选在液晶显示器件中使用的滤色器具有顶点波长。并且,当在有色层中掺入黑色颜料时,通过吸收从发光显示器件的外部进入的外部光可以防止观察者在阴极中被反射的这种缺陷。
另外,抗反射膜可以设置在具有滤色器的基板361和608的表面上。抗反射膜是具有这样的条件的单层膜或叠层膜,即在该条件下通过控制折射率和膜厚度几乎不引起反射光。可以使用已知的抗反射膜。
另外,可以使用偏振片和圆偏振片(包括圆偏振膜)来代替塑料基板322。
尽管本实施例示出通过有源矩阵驱动方法驱动的液晶元件,其中TFT设置在每个像素电极中,但是本发明并不局限于此。还可以完全使用通过无源矩阵驱动方法驱动的液晶元件。
另外,可以通过使用作为设置在每个像素电极中的元件的有机半导体晶体管和作为第一基板的塑料基板形成液晶显示器件。在这种情况下,可以省略除去第一基板的步骤,由此提高生产量。
在该实施例中描述的液晶显示器件的一个特征在于,在分离步骤中单独形成具有形成在其中的元件的层和滤色器,然后在完成之后两者彼此附着。通过采用这种结构,可以单独控制具有形成在其中的元件即TFT和液晶元件的层的成品率以及滤色器的成品率,这抑制了整个液晶显示器件的成品率的下降。
而且,可以同时进行制作有源矩阵基板的步骤和制作滤色器的步骤,由此降低整个液晶显示器件的制作交付周期。
通过利用塑料基板,可以制作具有减小的重量以及改善的抗冲击特性的液晶显示器件。
[实施例4]
在本实施例中,将参考图7A和7B解释对应于显示器件的一个实施例的面板的外部外观。图7A示出面板的顶视图,其中通过使用密封材料将具有形成在其中的元件(具体来说是TFT和发光元件)的层501封装到滤色器和第二基板之间。图7B对应于沿图7A的线A-A′的截面图。
在图7A中,用虚线表示的参考数字1201是信号线驱动电路;1202是像素部分;以及1203是扫描线驱动电路。另外,参考数字1204表示第二基板以及参考数字1205表示包含用于保持封闭空间的间隙的间隙材料的第一密封材料。被密封材料1205包围的内部填充了第二密封材料。优选使用包含具有高粘性的填充物的环氧树脂作为第一密封材料。优选使用具有高光透射特性和低粘性的环氧树脂作为第二密封材料。另外,希望密封材料1205和1207是尽可能地不透射湿气和氧气的材料。
在连接区1210中,参考数字1208表示用于传送在信号线驱动电路1201和扫描线驱动电路1203中输入的信号的连接线,并且从成为外部输入端的FPC(柔性印制电路)1209中接收视频信号和时钟信号。
接着,将参考图7B描述截面结构。驱动电路和像素部分形成在第一基板322上。如同具有滤色器的基板361,滤色器设置在第一基板322上。这里示出作为驱动电路的信号线驱动电路1201和像素部分1202。通过组合n沟道TFT 1223和p沟道TFT 1224而构成的CMOS电路形成为信号线驱动电路1201。
像素部分1202包括多个像素,其包括开关TFT 1211、电流控制TFT1212、以及由透明导电膜制成的第一电极(阳极)1213,其电连接到电流控制TFT 1212的漏极。
这些TFT 1211、1212、1223、和1224的层间绝缘膜1220可以由包含下述材料作为其主要构成的材料形成:无机材料(例如氧化硅、氮化硅、和氮氧化硅);或有机材料(例如聚酰亚胺、聚酰胺、聚酰亚胺氨基化合物(polyimide amide)、苯并环丁烯、和硅氧烷聚合物)。当使用硅氧烷聚合物作为层间绝缘膜的原材料时,形成具有硅和氧的骨架结构并且在支链中包括氢或/和烷基团的绝缘膜。
第一电极1213连接到连接电极以使得彼此交叠,并且经由连接电极电连接到TFT的漏区。优选地,第一电极1213具有透明性并且由具有高功函数的导电膜(例如ITO(氧化铟-氧化锡合金)、氧化铟-氧化锌合金(In2O3-ZnO)、和氧化锌(ZnO))形成。
绝缘体1214(被称为堤、隔离壁、阻档层、堤坝等)形成在第一电极(阳极)1213的每一端上。为了改善形成在绝缘体1214上的膜的覆盖,绝缘体1214的上边缘部分或下边缘部分形成为具有曲率半径的弯曲面。另外,可以用由氮化铝膜、氧氮化铝膜、包含碳作为其主要构成的薄膜、或氮化硅膜制成的保护膜覆盖绝缘体1214。
有机化合物材料汽相沉积在第一电极(阳极)1213上以便选择性地形成包含发光物质的层1215。
为了在执行用于包含发光物质的层1215的材料的汽相沉积之前除去包含在基板中的气体,希望在降低的压力环境或在惰性气氛下在200到300℃的温度下执行热处理。
为了使包含发光物质的层1215发射白光,例如,通过使用汽相沉积顺序层叠Alq3、部分地掺杂了尼罗红(其是红光发射颜料)的Alq3、p-EtTAZ、和TPD(芳香族二胺)可以实现白光发射。另外,当通过使用旋涂施加形成EL层时,优选在其施加后通过真空加热来烘焙该层。例如,用作空穴注入层的聚(乙烯二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT/PSS)的水溶液可以施加到基板的整个表面上并且被烘焙。随后,用作发光层的掺杂了用于发光中心的颜料(例如1,1,4,4-四苯基-1,3-丁二烯(TPB)、4-二氰基亚甲基-2-甲基-6-(对二甲氨基-苯乙烯基)-4H-吡喃(DCM1)、尼罗红、和香豆素6)的聚乙烯咔唑(PVK)的溶液可以接着施加到整个表面上并被烘焙。
可以形成具有单层的包含发光物质的层1215。在这种情况下,具有电子传输特性的1,3,4-恶二唑衍生物(PBD)可以分散到具有空穴传输特性的聚乙烯咔唑(PVK)中。另外,通过扩散30wt%的PBD作为电子传输剂并且扩散适量的四种颜料(TPB、香豆素6、DCM1、和尼罗红)也可以获得白光发射。除了上述发射白光的发光元件之外,还可以通过适当选择包含发光物质的层1215的材料来制作发射红光、绿光、或蓝光的发光元件。
另外,包括金属复合物等的三重激发发光材料可以代替上述单重激发发光材料而用于包含发光物质的层1215。即,包含发光物质的层1215可以包括发射红光的像素、发射绿光的像素、和发射蓝光的像素,其中发射红光的像素包含三重激发发光材料或单重激发发光材料,发射绿光的像素包含三重激发发光材料,以及发射蓝光的像素包含单重激发发光材料。
可以使用具有低功函数的材料(Al、Ag、Li;这些的合金例如MgAg、MgIn、AlLi、CaF2、和CaN)作为第二电极(阴极)1216的材料。
因此,可以形成包括第一电极(阳极)1213、包含发光物质的层1215、和第二电极(阴极)1216的发光元件1218。发光元件1218沿图7B所示的箭头的方向发射光。发光元件1218是发射白光的发光元件之一。通过从发光元件1218发射通过滤色器的透射光可以实现全色彩显示。
或者,当发光元件1218是发射R、G、或B单色光的发光元件之一时,选择性地利用具有包含有机化合物的层、分别发射R、G、和B光的三种发光元件,由此实现全色彩显示。在这种情况下,通过使滤色器的红、绿、和蓝的相应有色层与每种发光颜色的发光元件对准可以获得具有高色纯度的发光显示器件。
形成保护层1217以封装发光元件1218。通过层叠第一无机绝缘膜、应力弛豫膜、和第二无机绝缘膜来构成保护层。
在该实施例中,如实施例2的图5A所示,具有滤色器的基板361通过粘合材料508附着到具有形成在其中的元件的层501上。注意,如实施例2的图5B所示,可以使用滤色器作为第二基板,以及可以使用塑料基板作为第一基板。
尽管这里示出了通过使用TFT形成的扫描线驱动电路,但本实施例并不局限于该结构。可选择的,扫描线驱动电路和信号线驱动电路可以由使用单晶半导体的晶体管形成并且被附着。
在该实施例中描述的发光显示器件的一个特征在于,在分离步骤中单独形成具有形成在其中的元件的层和滤色器,然后在完成之后两者彼此附着。通过采用这种结构,可以单独控制具有形成在其中的元件即TFT和发光元件的层的成品率以及滤色器的成品率,由此抑制了整个发光显示器件的成品率的下降。
而且,可以同时进行制作有源矩阵基板的步骤和制作滤色器的步骤,由此降低发光显示器件的制作交付周期。
通过利用塑料基板,可以制作具有减小的重量以及改善的抗冲击特性的发光显示器件。
[实施例5]
在本实施例中,将参考图8A和8B解释对应于本发明的显示器件的一个实施例的面板的外部外观。图8A示出面板的顶视图,其中通过使用密封材料1205将具有形成在其中的元件(具体来说是TFT和液晶层)的层601封装到具有滤色器的基板361和第二基板1204之间。图8B对应于沿图8A的线A-A′的截面图。
在图8A中,用虚线表示的参考数字1201是信号线驱动电路;1202是像素部分;以及1203是扫描线驱动电路。另外,参考数字322表示第一基板以及参考数字1204表示第二基板,并且参考数字1205和1207分别表示第一密封材料和第二密封材料,这些密封材料包含用于保持封闭空间的间隙的间隙材料。其中形成半导体元件一般是TFT1223、1224、和1311的层通过使用粘合材料607附着到第一基板上。利用密封材料1205将第一基板322和第二基板1204,即具有形成在其中的元件的层和第二基板密封,并且其间填充液晶。
接着,将参考图8B描述截面结构。驱动电路和像素部分形成在第一基板322上,其包括由TFT表示的多个半导体元件。如同具有滤色器的基板361,滤色器设置在第一基板322上。这里示出作为驱动电路的信号线驱动电路1201和像素部分1202。通过组合n沟道TFT 1223和p沟道TFT 1224而构成的CMOS电路形成为信号线驱动电路1201。
液晶元件1315的第一电极1313通过布线1312电连接到TFT 1311。液晶元件1315的第二电极1316形成在第二基板1204上。与第一电极1313、第二电极1316、和液晶1314交叠的部分对应于液晶元件1315。
参考数字1318表示球形隔离物,其被提供用于控制第一电极1313和第二电极1316之间的距离(单元间隙)。代替地,可以使用通过将绝缘膜刻蚀成预定形状而形成的隔离物。通过连接布线1208从FPC1209提供供给扫描线驱动电路1203或像素部分1202的多种信号和电压。
在本实施例中,如实施例3的图6A所示,具有滤色器的基板361通过使用粘合材料607附着到具有形成在其中的元件的层601上。注意,可以使用滤色器作为第二基板,而塑料基板可以采用与实施例3的图6B相同的方式用作第一基板。
尽管这里示出了通过使用TFT形成的扫描线驱动电路,但本实施例并不局限于该结构。可选择的,扫描线驱动电路和信号线驱动电路可以由使用单晶半导体的晶体管形成并且被附着。
在该实施例中描述的液晶显示器件的一个特征在于,在分离步骤中单独形成具有形成在其中的元件的层和滤色器,然后在完成之后两者彼此附着。通过采用这种结构,可以单独控制具有形成在其中的元件即TFT和发光元件的层的成品率以及滤色器的成品率,由此抑制了整个液晶显示器件的成品率的下降。
而且,可以同时进行制作有源矩阵基板的步骤和制作滤色器的步骤,由此降低了液晶显示器件的制作交付周期。
通过利用塑料基板,可以制作具有减小的重量以及改善的抗冲击特性的液晶显示器件。
[实施例6]
通过并入根据本发明获得的显示器件可以制作多种电子设备。这些电子设备的实例包括:电视机;摄像机;数码相机;护目型显示器(头戴式显示器);导航系统;音频再现装置(例如汽车音响和音频部件系统);个人膝上型计算机;游戏机;便携式信息终端(例如可移动计算机、蜂窝电话、便携式游戏机、和电子书);设有记录媒体的图像再现装置(一般是可以再现诸如DVD(数字通用光盘)之类的记录媒体并显示其图像的装置);等等。作为这些电子设备的典型实例,在图10A到10C中将示出电视机、个人膝上型计算机、和设有记录媒体的图像再现装置。
图10A是电视机,其包括外壳2001;支撑底座2002;显示器部分2003;扬声器部分2004;视频输入端2005;等等。本发明可以应用于显示器部分2003。该电视机包括用于显示例如用于个人计算机之一的信息、用于接收电视广播、以及用于广告的所有电视机。通过实施本发明,可以制作具有薄且轻便的显示器部分的电视机。
图10B是个人膝上型计算机,其包括主体2201;外壳2202;显示器部分2203;键盘2204;外部连接端口2205;指示鼠标2206;等等。本发明可以应用于显示器部分2203。通过实施本发明,可以制作具有薄且轻便的个人膝上型计算机。
图10C是设有记录媒体的图像再现装置(具体来说是DVD播放器),其包括主体2401;外壳2402;显示器部分A 2403;显示器部分B 2404;记录媒体(例如DVD)读取部分2405;操作键2406;扬声器部分2407;等等。显示器部分A 2403主要显示图像信息,而显示器部分B 2404主要显示字符信息。本发明可以应用于显示器部分A 2403和显示器部分B2404两者。注意设有记录媒体的图像再现装置包括家用游戏机等。通过实施本发明,可以制作设有记录媒体的薄且轻便的便携式图像再现装置。
Claims (26)
1.一种制作光学膜的方法,包括:
在第一基板上形成分离层;
在分离层上形成具有滤光器的对象本体;
通过使用第一粘合材料将第二塑料基板以该第二塑料基板面向第一基板的方式附着到对象本体上;以及
在分离层和对象本体之间的区域中使第一基板和分离层与对象本体分离。
2.一种制作光学膜的方法,包括:
在第一基板上形成分离层;
在分离层上形成具有滤光器的对象本体;
通过使用可剥落的粘合剂将支撑介质以该支撑介质面向第一基板的方式附着到对象本体上;以及
在分离层和对象本体之间的区域中使第一基板和分离层与对象本体分离;
使用粘合材料在对象本体上形成第二塑料基板;
使支撑介质和可剥落的粘合剂与对象本体分离。
3.根据权利要求1的制作光学膜的方法,其中分离层由从下述元素中选择的一种形成:钛、铝、钽、钨、钼、铜、铬、钕、铁、镍、钴、钌、铑、钯、锇、铱;或由具有这些元素作为其主要构成的合金材料或化合物材料制成的单层;或其叠层。
4.根据权利要求2的制作光学膜的方法,其中分离层由从下述元素中选择的一种形成:钛、铝、钽、钨、钼、铜、铬、钕、铁、镍、钴、钌、铑、钯、锇、铱;或由具有这些元素作为其主要构成的合金材料或化合物材料制成的单层;或其叠层。
5.根据权利要求1的制作光学膜的方法,其中对象本体包括氧化硅、氮氧化硅、或金属氧化物。
6.根据权利要求2的制作光学膜的方法,其中对象本体包括氧化硅、氮氧化硅、或金属氧化物。
7.一种制作光学膜的方法,包括:
在第一基板上形成金属层;
在金属层上形成绝缘层;
在绝缘层上形成滤光器;
在滤光器上形成第一粘合材料;
在第一粘合材料上形成第二塑料基板;以及
在金属层和绝缘层之间的区域中使第一基板与滤光器分离。
8.一种制作光学膜的方法,包括:
在第一基板上形成金属层;
在金属层上形成绝缘层;
在绝缘层上形成滤光器;
在滤光器上形成可剥落的粘合剂;
在滤光器上形成支撑介质;
在金属层和绝缘层之间的区域中使第一基板与滤光器分离;以及
通过使用粘合材料在绝缘膜上形成第二塑料基板;以及
使支撑介质和可剥落的粘合剂与滤光器分离。
9.根据权利要求7或8的制作光学膜的方法,通过物理装置在金属层和绝缘层之间产生分离。
10.一种制作光学膜的方法,包括:
在第一基板上形成金属层;
在金属层上形成绝缘层;
在绝缘层上形成滤光器;
通过使用第一粘合材料将第二塑料基板以该第二塑料基板面向第一基板的方式附着到滤光器上;以及
在金属层和绝缘层之间的区域中通过物理装置使第一基板与滤光器分离。
11.一种制作光学膜的方法,包括:
在第一基板上形成金属层;
在金属层上形成绝缘层;
在绝缘层上形成滤光器;
通过使用可剥落的粘合剂将支撑介质以该支撑介质面向第一基板的方式附着到滤光器上;
在金属层和绝缘层之间的区域中通过物理装置使第一基板与滤光器分离;以及
通过使用粘合材料在绝缘膜上形成第二塑料基板;以及
使支撑介质和可剥落的粘合剂与滤光器分离。
12.根据权利要求7、8、10和11中的任何一个的制作光学膜的方法,其中在形成金属层和绝缘层的同时在该金属层和绝缘层之间形成金属氧化物膜。
13.根据权利要求7、8、10和11中的任何一个的制作光学膜的方法,其中在形成光学膜之前,通过在形成绝缘层之后进行加热,在金属层和绝缘层之间形成金属氧化物膜。
14.根据权利要求7、8、10和11中的任何一个的制作光学膜的方法,其中在形成滤光器之后,通过加热在金属层和绝缘层之间形成金属氧化物膜。
15.根据权利要求7、8、10和11中的任何一个的制作光学膜的方法,其中在通过氧化金属层的表面形成金属氧化物膜之后形成绝缘层。
16.根据权利要求12的制作光学膜的方法,其中通过物理装置在金属层和金属氧化物膜之间、或在金属氧化物膜和绝缘层之间、或在金属氧化物膜内产生分离。
17.根据权利要求7、8、10和11中的任何一个的制作光学膜的方法,其中金属层由从下述元素中选择的一种形成:钛、铝、钽、钨、钼、铜、铬、钕、铁、镍、钴、钌、铑、钯、锇、铱;或由具有这些元素作为其主要构成的合金材料或化合物材料制成的单层;或其叠层。
18.根据权利要求7、8、10和11中的任何一个的制作光学膜的方法,其中绝缘层包括氧化硅、氮氧化硅、或金属氧化物。
19.根据权利要求1、2、7、8、10和11中的任何一个的制作光学膜的方法,其中滤光器是滤色器或色彩转换滤波器。
20.根据权利要求1、2、7、8、10和11中的任何一个的制作光学膜的方法,其中光学膜包括多种光学功能。
21.根据权利要求20的制作光学膜的方法,其中第二塑料基板是偏振片、包括延迟板和偏振片的椭圆偏振片、反射膜、或散光板。
22.根据权利要求2、8和11中的任何一个的制作光学膜的方法,其中支撑介质是玻璃基板、石英基板、金属基板、或陶瓷基板。
23.根据权利要求2、8和11中的任何一个的制作光学膜的方法,其中可剥落的粘合剂是反应可剥落的粘合剂、热可剥落的粘合剂、光可剥落的粘合剂、或厌氧可剥落的粘合剂;或在其两侧都具有由这些粘合剂中的一种或多种形成的粘合层的材料。
24.根据权利要求13的制作光学膜的方法,其中通过物理装置在金属层和金属氧化物膜之间、或在金属氧化物膜和绝缘层之间、或在金属氧化物膜内产生分离。
25.根据权利要求14的制作光学膜的方法,其中通过物理装置在金属层和金属氧化物膜之间、或在金属氧化物膜和绝缘层之间、或在金属氧化物膜内产生分离。
26.根据权利要求15的制作光学膜的方法,其中通过物理装置在金属层和金属氧化物膜之间、或在金属氧化物膜和绝缘层之间、或在金属氧化物膜内产生分离。
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US7229900B2 (en) | 2003-10-28 | 2007-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, method of manufacturing thereof, and method of manufacturing base material |
KR101095293B1 (ko) | 2003-11-28 | 2011-12-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 제조 방법 |
US7588969B2 (en) * | 2005-05-31 | 2009-09-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device |
US20070210703A1 (en) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Electroluminescent device and method for producing it |
US8900970B2 (en) * | 2006-04-28 | 2014-12-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device using a flexible substrate |
KR101447044B1 (ko) * | 2006-10-31 | 2014-10-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치 |
CN100428407C (zh) * | 2007-01-04 | 2008-10-22 | 友达光电股份有限公司 | 可挠性阵列基板的制造方法 |
US7968382B2 (en) | 2007-02-02 | 2011-06-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
KR102042037B1 (ko) | 2008-07-10 | 2019-11-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광장치 및 전자기기 |
JP2012504782A (ja) * | 2008-10-01 | 2012-02-23 | ジャンファン ファン | 光学/電子構造物を有するディスプレー装置の製造方法 |
TWI749283B (zh) | 2008-11-28 | 2021-12-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 液晶顯示裝置 |
US9601530B2 (en) | 2008-12-02 | 2017-03-21 | Arizona Board Of Regents, A Body Corporated Of The State Of Arizona, Acting For And On Behalf Of Arizona State University | Dual active layer semiconductor device and method of manufacturing the same |
US9721825B2 (en) | 2008-12-02 | 2017-08-01 | Arizona Board Of Regents, A Body Corporate Of The State Of Arizona, Acting For And On Behalf Of Arizona State University | Method of providing a flexible semiconductor device and flexible semiconductor device thereof |
US9991311B2 (en) | 2008-12-02 | 2018-06-05 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Dual active layer semiconductor device and method of manufacturing the same |
CN103596370A (zh) * | 2008-12-02 | 2014-02-19 | 代表亚利桑那大学的亚利桑那校董会 | 准备柔性基板组件的方法和从其得到的柔性基板组件 |
TWI387785B (zh) | 2009-01-09 | 2013-03-01 | Prime View Int Co Ltd | 顯示面板的製造方法及其可撓式彩色濾光片的製造方法 |
CN101806983B (zh) * | 2009-02-16 | 2014-07-23 | 元太科技工业股份有限公司 | 可挠式彩色显示介质模块的制造方法 |
SG176601A1 (en) | 2009-05-29 | 2012-01-30 | Univ Arizona | Method of providing a flexible semiconductor device at high temperatures and flexible semiconductor device thereof |
FR2950082B1 (fr) * | 2009-09-14 | 2011-10-14 | Commissariat Energie Atomique | Procede de recristallisation d'une couche |
KR101055462B1 (ko) * | 2010-01-07 | 2011-08-08 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 제조용 캐리어와 그 제조방법 및 이를 이용한 인쇄회로기판의 제조방법 |
WO2012021196A2 (en) | 2010-05-21 | 2012-02-16 | Arizona Board Of Regents, For And On Behalf Of Arizona State University | Method for manufacturing electronic devices and electronic devices thereof |
WO2012021197A2 (en) | 2010-05-21 | 2012-02-16 | Arizona Board Of Regents, For And On Behalf Of Arizona State University | Method of manufacturing electronic devices on both sides of a carrier substrate and electronic devices thereof |
KR101147988B1 (ko) * | 2010-07-13 | 2012-05-24 | 포항공과대학교 산학협력단 | 물리적 박리 방법을 이용한 플렉서블 전자소자의 제조방법, 플렉서블 전자소자 및 플렉서블 기판 |
KR101226218B1 (ko) * | 2011-03-25 | 2013-01-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
US8945329B2 (en) * | 2011-06-24 | 2015-02-03 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board and method for manufacturing printed wiring board |
KR102053999B1 (ko) * | 2013-04-30 | 2019-12-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
TW201511112A (zh) * | 2013-07-16 | 2015-03-16 | Sony Corp | 基板之製造方法及電子器件之製造方法 |
US9702051B2 (en) * | 2013-12-17 | 2017-07-11 | Apple Inc. | Non-capacitive or radio frequency-transparent materials with anodized metal appearance |
WO2015175353A1 (en) | 2014-05-13 | 2015-11-19 | Arizona Board Of Regents, For And On Behalf Of Arizona State University | Method of providing an electronic device and electronic device thereof |
WO2015156891A2 (en) | 2014-01-23 | 2015-10-15 | Arizona Board Of Regents, Acting For And On Behalf Of Arizona State University | Method of providing a flexible semiconductor device and flexible semiconductor device thereof |
US10381224B2 (en) | 2014-01-23 | 2019-08-13 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Method of providing an electronic device and electronic device thereof |
WO2017034645A2 (en) | 2015-06-09 | 2017-03-02 | ARIZONA BOARD OF REGENTS, a body corporate for THE STATE OF ARIZONA for and on behalf of ARIZONA STATE UNIVERSITY | Method of providing an electronic device and electronic device thereof |
US9991150B2 (en) | 2014-12-12 | 2018-06-05 | Micro Materials Inc. | Procedure of processing a workpiece and an apparatus designed for the procedure |
CN104485294A (zh) | 2014-12-12 | 2015-04-01 | 浙江中纳晶微电子科技有限公司 | 一种晶圆临时键合及分离方法 |
US9741742B2 (en) | 2014-12-22 | 2017-08-22 | Arizona Board Of Regents, A Body Corporate Of The State Of Arizona, Acting For And On Behalf Of Arizona State University | Deformable electronic device and methods of providing and using deformable electronic device |
US10446582B2 (en) | 2014-12-22 | 2019-10-15 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | Method of providing an imaging system and imaging system thereof |
KR20160092110A (ko) * | 2015-01-26 | 2016-08-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
TWI526766B (zh) * | 2015-02-03 | 2016-03-21 | 元太科技工業股份有限公司 | 彩色顯示裝置及其製造方法 |
US10831155B2 (en) * | 2015-02-09 | 2020-11-10 | Nanografix Corporation | Systems and methods for fabricating variable digital optical images using generic optical matrices |
EP3256909B1 (en) * | 2015-02-09 | 2021-03-24 | Nanografix Corporation | Systems and methods for fabricating variable digital optical images using generic optical matrices |
US9176473B1 (en) | 2015-02-09 | 2015-11-03 | Nanografix Corporation | Systems and methods for fabricating variable digital optical images using generic optical matrices |
CN104979262B (zh) * | 2015-05-14 | 2020-09-22 | 浙江中纳晶微电子科技有限公司 | 一种晶圆分离的方法 |
KR102146271B1 (ko) * | 2015-06-03 | 2020-08-21 | 동우 화인켐 주식회사 | 플렉서블 컬러필터와 그를 포함하는 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
WO2018051212A1 (en) | 2016-09-16 | 2018-03-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display panel, display device, input/output device, data processing device, and method for manufacturing the display panel |
KR20180047473A (ko) * | 2016-10-31 | 2018-05-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 편광판 및 이를 구비한 표시장치 |
KR102501705B1 (ko) * | 2017-03-24 | 2023-02-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 투명 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치 |
JP2019124830A (ja) * | 2018-01-17 | 2019-07-25 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置及びその製造方法 |
WO2019167131A1 (ja) | 2018-02-27 | 2019-09-06 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | フレキシブルoledデバイスの製造方法及び支持基板 |
US20200033689A1 (en) | 2018-07-27 | 2020-01-30 | Lg Display Co., Ltd. | Display apparatus |
CN109616575A (zh) * | 2018-12-10 | 2019-04-12 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示面板及其制作方法 |
KR102114658B1 (ko) * | 2018-12-26 | 2020-05-25 | 부산대학교 산학협력단 | 색 조절이 가능한 산화구리 박막 구조체 및 이의 제조방법 |
Family Cites Families (95)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3624273A (en) | 1968-11-22 | 1971-11-30 | Alfred J Gale | Flat screen display devices using an array of charged particle sources |
US3971710A (en) * | 1974-11-29 | 1976-07-27 | Ibm | Anodized articles and process of preparing same |
JPS5331971A (en) * | 1976-09-06 | 1978-03-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Forming method of metal oxide film or semiconductor oxide film |
US4800100A (en) * | 1987-10-27 | 1989-01-24 | Massachusetts Institute Of Technology | Combined ion and molecular beam apparatus and method for depositing materials |
US4934791A (en) * | 1987-12-09 | 1990-06-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Color filter |
US5156720A (en) * | 1989-02-02 | 1992-10-20 | Alcan International Limited | Process for producing released vapor deposited films and product produced thereby |
JP2617798B2 (ja) | 1989-09-22 | 1997-06-04 | 三菱電機株式会社 | 積層型半導体装置およびその製造方法 |
US5096520A (en) * | 1990-08-01 | 1992-03-17 | Faris Sades M | Method for producing high efficiency polarizing filters |
JP2849008B2 (ja) | 1992-11-02 | 1999-01-20 | 三容真空工業株式会社 | カラー液晶表示装置 |
DE4433330C2 (de) | 1994-09-19 | 1997-01-30 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterstrukturen mit vorteilhaften Hochfrequenzeigenschaften sowie eine Halbleiterwaferstruktur |
US5757456A (en) | 1995-03-10 | 1998-05-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method of fabricating involving peeling circuits from one substrate and mounting on other |
FR2744285B1 (fr) | 1996-01-25 | 1998-03-06 | Commissariat Energie Atomique | Procede de transfert d'une couche mince d'un substrat initial sur un substrat final |
US5825543A (en) * | 1996-02-29 | 1998-10-20 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Diffusely reflecting polarizing element including a first birefringent phase and a second phase |
CN1143394C (zh) | 1996-08-27 | 2004-03-24 | 精工爱普生株式会社 | 剥离方法、溥膜器件的转移方法和薄膜器件 |
JP3809712B2 (ja) | 1996-08-27 | 2006-08-16 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜デバイスの転写方法 |
US6127199A (en) | 1996-11-12 | 2000-10-03 | Seiko Epson Corporation | Manufacturing method of active matrix substrate, active matrix substrate and liquid crystal display device |
USRE38466E1 (en) | 1996-11-12 | 2004-03-16 | Seiko Epson Corporation | Manufacturing method of active matrix substrate, active matrix substrate and liquid crystal display device |
SG65697A1 (en) | 1996-11-15 | 1999-06-22 | Canon Kk | Process for producing semiconductor article |
JPH10150007A (ja) | 1996-11-18 | 1998-06-02 | Toyo Chem Co Ltd | 半導体ウエハ固定用シート |
JPH1152119A (ja) * | 1997-07-31 | 1999-02-26 | Hitachi Chem Co Ltd | カラ−フィルタの製造法 |
US6033995A (en) | 1997-09-16 | 2000-03-07 | Trw Inc. | Inverted layer epitaxial liftoff process |
US6174578B1 (en) * | 1997-10-24 | 2001-01-16 | Rexam Industries Corp. | Radiation deactivatable adhesive tape |
JPH11243209A (ja) | 1998-02-25 | 1999-09-07 | Seiko Epson Corp | 薄膜デバイスの転写方法、薄膜デバイス、薄膜集積回路装置、アクティブマトリクス基板、液晶表示装置および電子機器 |
JP3395661B2 (ja) | 1998-07-07 | 2003-04-14 | 信越半導体株式会社 | Soiウエーハの製造方法 |
US6274887B1 (en) | 1998-11-02 | 2001-08-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method therefor |
US6590229B1 (en) | 1999-01-21 | 2003-07-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and process for production thereof |
JP2001075124A (ja) | 1999-09-02 | 2001-03-23 | Toppan Printing Co Ltd | 液晶表示装置用電極基板の製造方法及び液晶表示装置 |
TW516244B (en) | 1999-09-17 | 2003-01-01 | Semiconductor Energy Lab | EL display device and method for manufacturing the same |
JP4942867B2 (ja) * | 1999-09-17 | 2012-05-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | El表示装置及び電子装置 |
JP3942770B2 (ja) | 1999-09-22 | 2007-07-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | El表示装置及び電子装置 |
JP2001175198A (ja) | 1999-12-14 | 2001-06-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
TW511298B (en) | 1999-12-15 | 2002-11-21 | Semiconductor Energy Lab | EL display device |
US6825488B2 (en) | 2000-01-26 | 2004-11-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US6646692B2 (en) | 2000-01-26 | 2003-11-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid-crystal display device and method of fabricating the same |
TW494447B (en) | 2000-02-01 | 2002-07-11 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7023021B2 (en) | 2000-02-22 | 2006-04-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
EP1143744B1 (en) * | 2000-03-17 | 2008-09-24 | Hitachi, Ltd. | Image display device |
JP2001291850A (ja) | 2000-04-10 | 2001-10-19 | Hitachi Cable Ltd | 結晶シリコン薄膜の製造方法 |
US7579203B2 (en) | 2000-04-25 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US7804552B2 (en) | 2000-05-12 | 2010-09-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device with light shielding portion comprising laminated colored layers, electrical equipment having the same, portable telephone having the same |
US6562648B1 (en) | 2000-08-23 | 2003-05-13 | Xerox Corporation | Structure and method for separation and transfer of semiconductor thin films onto dissimilar substrate materials |
KR20020027930A (ko) | 2000-10-06 | 2002-04-15 | 김순택 | 플라스틱 기판을 이용한 유기 발광 표시장치 |
JP4812971B2 (ja) * | 2000-10-13 | 2011-11-09 | 共同印刷株式会社 | 液晶表示装置の電極基材の製造方法 |
FR2817395B1 (fr) * | 2000-11-27 | 2003-10-31 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication d'un substrat notamment pour l'optique, l'electronique ou l'optoelectronique et substrat obtenu par ce procede |
JP3974749B2 (ja) | 2000-12-15 | 2007-09-12 | シャープ株式会社 | 機能素子の転写方法 |
AUPR216700A0 (en) | 2000-12-19 | 2001-01-25 | Woodside Energy Limited | Method for separation of non-hydrocarbon gases from hydrocarbon gases |
TW545080B (en) | 2000-12-28 | 2003-08-01 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
US6912021B2 (en) * | 2001-01-22 | 2005-06-28 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device, method for driving electro-optical device, electronic apparatus, and method for driving electronic apparatus |
SG118118A1 (en) | 2001-02-22 | 2006-01-27 | Semiconductor Energy Lab | Organic light emitting device and display using the same |
JP4059475B2 (ja) | 2001-03-12 | 2008-03-12 | 日東電工株式会社 | カラーフィルター付き樹脂シートとその製造方法および液晶表示装置 |
JP2002267812A (ja) * | 2001-03-13 | 2002-09-18 | Daicel Chem Ind Ltd | 光散乱フィルム及びそれを用いた液晶表示装置 |
JP3923339B2 (ja) * | 2002-02-28 | 2007-05-30 | 共同印刷株式会社 | シールド材の製造方法 |
US6808773B2 (en) | 2001-05-24 | 2004-10-26 | Kyodo Printing Co., Ltd. | Shielding base member and method of manufacturing the same |
TW548860B (en) * | 2001-06-20 | 2003-08-21 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
JP4019305B2 (ja) | 2001-07-13 | 2007-12-12 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜装置の製造方法 |
JP4027740B2 (ja) | 2001-07-16 | 2007-12-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
TW564471B (en) | 2001-07-16 | 2003-12-01 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device |
JP2003109773A (ja) | 2001-07-27 | 2003-04-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置、半導体装置およびそれらの作製方法 |
JP5057619B2 (ja) | 2001-08-01 | 2012-10-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
TW558743B (en) | 2001-08-22 | 2003-10-21 | Semiconductor Energy Lab | Peeling method and method of manufacturing semiconductor device |
KR20030026735A (ko) * | 2001-09-28 | 2003-04-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 필름 전사법에 의한 액정표시장치용 컬러필터 기판 및그의 제조방법 |
KR100944886B1 (ko) | 2001-10-30 | 2010-03-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제조 방법 |
JP3724725B2 (ja) | 2001-11-01 | 2005-12-07 | ソニー株式会社 | 表示装置の製造方法 |
US6888305B2 (en) | 2001-11-06 | 2005-05-03 | Universal Display Corporation | Encapsulation structure that acts as a multilayer mirror |
TWI264121B (en) | 2001-11-30 | 2006-10-11 | Semiconductor Energy Lab | A display device, a method of manufacturing a semiconductor device, and a method of manufacturing a display device |
US6953735B2 (en) | 2001-12-28 | 2005-10-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for fabricating a semiconductor device by transferring a layer to a support with curvature |
US6815723B2 (en) | 2001-12-28 | 2004-11-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, method of manufacturing the same, and manufacturing apparatus therefor |
SG143063A1 (en) | 2002-01-24 | 2008-06-27 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
US6933520B2 (en) | 2002-02-13 | 2005-08-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
JP4237442B2 (ja) | 2002-03-01 | 2009-03-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半透過型液晶表示装置 |
EP1343206B1 (en) | 2002-03-07 | 2016-10-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting apparatus, electronic apparatus, illuminating device and method of fabricating the light emitting apparatus |
JP2003298284A (ja) * | 2002-04-02 | 2003-10-17 | Kyodo Printing Co Ltd | シールド材及びその製造方法 |
JP4410456B2 (ja) | 2002-04-24 | 2010-02-03 | 株式会社リコー | 薄膜デバイス装置の製造方法、およびアクティブマトリクス基板の製造方法 |
JP3595808B2 (ja) * | 2002-07-11 | 2004-12-02 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 電圧発生回路及び該回路を備えた駆動装置 |
TWI272641B (en) | 2002-07-16 | 2007-02-01 | Semiconductor Energy Lab | Method of manufacturing a semiconductor device |
US7081704B2 (en) | 2002-08-09 | 2006-07-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP2004140267A (ja) * | 2002-10-18 | 2004-05-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
CN100391004C (zh) | 2002-10-30 | 2008-05-28 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置以及半导体装置的制作方法 |
EP1434264A3 (en) | 2002-12-27 | 2017-01-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method using the transfer technique |
JP4373085B2 (ja) | 2002-12-27 | 2009-11-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法、剥離方法及び転写方法 |
KR101033797B1 (ko) * | 2003-01-15 | 2011-05-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 박리 방법 및 그 박리 방법을 사용한 표시 장치의 제작 방법 |
JP2004272224A (ja) * | 2003-02-18 | 2004-09-30 | Sony Corp | 液晶表示装置およびその製造方法 |
JP4531341B2 (ja) | 2003-02-28 | 2010-08-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置および電子機器 |
JP4531342B2 (ja) | 2003-03-17 | 2010-08-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 白色有機発光素子および発光装置 |
JP4526776B2 (ja) | 2003-04-02 | 2010-08-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及び電子機器 |
TWI363573B (en) | 2003-04-07 | 2012-05-01 | Semiconductor Energy Lab | Electronic apparatus |
JP2004319538A (ja) | 2003-04-10 | 2004-11-11 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法、集積回路、電子光学装置及び電子機器 |
JP3855270B2 (ja) | 2003-05-29 | 2006-12-06 | ソニー株式会社 | アンテナ実装方法 |
US7541734B2 (en) | 2003-10-03 | 2009-06-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device having a layer with a metal oxide and a benzoxazole derivative |
WO2005041249A2 (en) | 2003-10-28 | 2005-05-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing optical film |
KR101095293B1 (ko) | 2003-11-28 | 2011-12-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 제조 방법 |
US7084045B2 (en) | 2003-12-12 | 2006-08-01 | Seminconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US7041520B1 (en) | 2004-10-18 | 2006-05-09 | Softpixel, Inc. | Method for fabricating liquid crystal displays with plastic film substrate |
US7166520B1 (en) | 2005-08-08 | 2007-01-23 | Silicon Genesis Corporation | Thin handle substrate method and structure for fabricating devices using one or more films provided by a layer transfer process |
KR101391326B1 (ko) * | 2007-09-19 | 2014-05-07 | 샤프 가부시키가이샤 | 색변환 필터 및 색변환 필터와 유기 el 디스플레이의 제조방법 |
-
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