TW201511112A - 基板之製造方法及電子器件之製造方法 - Google Patents

基板之製造方法及電子器件之製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201511112A
TW201511112A TW103120376A TW103120376A TW201511112A TW 201511112 A TW201511112 A TW 201511112A TW 103120376 A TW103120376 A TW 103120376A TW 103120376 A TW103120376 A TW 103120376A TW 201511112 A TW201511112 A TW 201511112A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
film
material substrate
manufacturing
planarizing film
Prior art date
Application number
TW103120376A
Other languages
English (en)
Inventor
Shin Akasaka
Satoshi Kumon
Kentarou Satou
Yuki Oishi
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Publication of TW201511112A publication Critical patent/TW201511112A/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/26—Cleaning or polishing of the conductive pattern
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
    • G06F1/16—Constructional details or arrangements
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
    • G06F1/16—Constructional details or arrangements
    • G06F1/1613—Constructional details or arrangements for portable computers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
    • H05K3/0044—Mechanical working of the substrate, e.g. drilling or punching
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
    • H05K3/0055—After-treatment, e.g. cleaning or desmearing of holes
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/007—Manufacture or processing of a substrate for a printed circuit board supported by a temporary or sacrificial carrier
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/01—Tools for processing; Objects used during processing
    • H05K2203/0147—Carriers and holders
    • H05K2203/016—Temporary inorganic, non-metallic carrier, e.g. for processing or transferring

Abstract

本發明係一種基板之製造方法，其包括如下步驟：研磨素材基板之表面；及於研磨上述素材基板之表面後，於上述素材基板之表面形成平坦化膜。

Description

基板之製造方法及電子器件之製造方法
本技術係關於一種尤其適於形成可撓性較高之電子器件之基板之製造方法、及使用該基板之製造方法之電子器件之製造方法。
於顯示裝置等電子器件中，於基板表面，設置有包含電子電路及顯示體等在內之功能部。於在基板表面存在損傷或凹陷等缺陷之情形時，為了抑制對電子電路之損壞，期望於電子電路形成前預先修復該等缺陷。例如於專利文獻1中，提出有對玻璃等基板表面之損傷或凹陷等缺陷注入復原劑，於使復原劑硬化後，藉由對硬化之復原劑局部地進行研磨，而使基板表面平坦化。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2010-15123號公報
於基板表面不僅存在損傷或凹處等凹缺陷，亦存在突起等凸缺陷，但尚不存在可應對凹缺陷及凸缺陷兩者之平坦化技術。
因此，期望提供一種可提高基板表面之平滑性之基板之製造方法、及使用該基板之製造方法之電子器件之製造方法。
本揭示之一實施形態之基板之製造方法包括如下步驟：研磨素材基板之表面；及於研磨素材基板之表面後，於素材基板之表面形成平坦化膜。
於本揭示之一實施形態之基板之製造方法中，藉由研磨素材基板之表面，而將存在於素材基板之表面之突起等凸缺陷除去。其後，藉由於素材基板之表面形成平坦化膜，從而利用平坦化膜，掩蔽存在於素材基板之表面之凹處等凹缺陷、或因研磨而產生之損傷。
本揭示之一實施形態之電子器件之製造方法包括如下步驟：形成基板；及於基板上形成功能部；且基板形成步驟係利用上述本揭示之基板之製造方法而進行者。
根據本揭示之一實施形態之基板之製造方法、或本揭示之一實施形態之電子器件之製造方法，於研磨素材基板之表面後，於素材基板之表面形成平坦化膜，故而可應對基板表面之凹缺陷及凸缺陷兩者，從而可提高基板表面之平滑性。
1‧‧‧基板
2‧‧‧電子器件
3‧‧‧功能部
4‧‧‧基板本體
5‧‧‧可撓性配線基板
6‧‧‧模組
10‧‧‧素材基板
10A‧‧‧基準面
11‧‧‧凸缺陷
11A‧‧‧較高之突起
11B‧‧‧較低之突起
12‧‧‧凹缺陷
12A‧‧‧凹陷
12B‧‧‧損傷
13‧‧‧研磨損傷
20‧‧‧平坦化膜
30‧‧‧支持體
40‧‧‧黏著層
50‧‧‧障壁塗層
60‧‧‧TFT層
61‧‧‧TFT
62‧‧‧保護層
63‧‧‧平坦化絕緣層
64‧‧‧TFT
64A‧‧‧閘極電極
64B‧‧‧第一閘極絕緣膜
64C‧‧‧第二閘極絕緣膜
64D‧‧‧氧化物半導體層
64E‧‧‧通道保護膜
64F‧‧‧源極/汲極電極
65‧‧‧平坦化絕緣層
70‧‧‧顯示體
71‧‧‧電泳元件
72‧‧‧絕緣性液體
73‧‧‧泳動粒子
74‧‧‧多孔質層
74A‧‧‧細孔
74B‧‧‧纖維狀構造體
74C‧‧‧非泳動粒子
75‧‧‧像素電極
76‧‧‧對向基板
76A‧‧‧板狀構件
76B‧‧‧對向電極
77‧‧‧間隔件
81‧‧‧有機EL元件
81B‧‧‧藍色有機EL元件
81G‧‧‧綠色有機EL元件
81R‧‧‧紅色有機EL元件
82‧‧‧陽極電極
83‧‧‧間隔壁絕緣膜
84‧‧‧有機層
85‧‧‧陰極電極
86‧‧‧保護層
87‧‧‧密封用基板
110A‧‧‧顯示區域
110B‧‧‧周邊區域
120‧‧‧信號線驅動電路
120A‧‧‧信號線
130‧‧‧掃描線驅動電路
130A‧‧‧掃描線
140‧‧‧像素驅動電路
210‧‧‧電子書
211‧‧‧顯示部
212‧‧‧非顯示部
213‧‧‧操作部
220‧‧‧智慧型手機
221‧‧‧顯示部
222‧‧‧非顯示部
230‧‧‧電視裝置
231‧‧‧前面板
232‧‧‧濾光片玻璃
233‧‧‧影像顯示畫面部
240‧‧‧平板個人電腦
241‧‧‧觸控面板部
242‧‧‧殼體
250‧‧‧數位靜態相機
251‧‧‧發光部
252‧‧‧顯示部
253‧‧‧選單開關
254‧‧‧快門按鈕
260‧‧‧筆記型個人電腦
261‧‧‧本體
262‧‧‧鍵盤
263‧‧‧顯示部
270‧‧‧攝錄影機
271‧‧‧本體部
272‧‧‧透鏡
273‧‧‧啟動/終止開關
274‧‧‧顯示部
280‧‧‧電子書
281‧‧‧支持基板
282‧‧‧顯示部
283‧‧‧合頁部
283A‧‧‧書脊
284‧‧‧保護層
285‧‧‧保護薄片
290‧‧‧行動電話
291‧‧‧上側殼體
292‧‧‧下側殼體
293‧‧‧連結部(合頁部)
294‧‧‧顯示器
295‧‧‧次顯示器
296‧‧‧圖片燈
297‧‧‧相機
CL‧‧‧切斷線
Cs‧‧‧保持電容
D13‧‧‧深度
GND‧‧‧第二電源線
Id‧‧‧驅動電流
P‧‧‧研磨構件
R1‧‧‧待避區域
R2‧‧‧顯示區域
S101~S304‧‧‧步驟
T10‧‧‧素材基板10之厚度
T20‧‧‧平坦化膜20之厚度
T30‧‧‧支持體30之厚度
T50‧‧‧障壁塗層50之厚度
Tr1‧‧‧驅動電晶體
Tr2‧‧‧寫入電晶體
Vcc‧‧‧第一電源線
X‧‧‧方向
Y‧‧‧方向
Z‧‧‧方向
圖1係表示本揭示之一實施形態之基板之製造方法之流程之圖。
圖2係表示素材基板之一例之剖面圖。
圖3係表示將圖2所示之素材基板貼合於支持體後之狀態之剖面圖。
圖4係表示對圖3所示之素材基板之表面進行研磨之步驟之剖面圖。
圖5係表示於圖4所示之素材基板之表面形成平坦化膜之步驟之剖面圖。
圖6係表示於圖5所示之平坦化膜之表面形成障壁塗層之步驟之剖面圖。
圖7係表示本揭示之一實施形態之電子器件(顯示裝置)之製造方法之流程之圖。
圖8係表示於圖6所示之基板上形成TFT層之步驟之剖面圖。
圖9係表示於TFT層之上形成顯示體之步驟之剖面圖。
圖10係表示將包含素材基板及平坦化膜在內之基板本體自支持體剝離之步驟之剖面圖。
圖11係表示切斷基板本體，而形成模組之步驟之剖面圖。
圖12係表示切斷基板，而形成模組之步驟之剖面圖。
圖13係表示將包含素材基板及平坦化膜在內之基板本體自支持體剝離之步驟之剖面圖。
圖14係表示作為圖8所示之顯示體之一例之電泳元件之構成之俯視圖。
圖15係表示圖14所示之電泳元件之構成之剖面圖。
圖16係表示包含圖14所示之電泳元件之電子器件(顯示裝置)之構成之剖面圖。
圖17係用以說明圖16所示之電子器件(顯示裝置)之動作之剖面圖。
圖18係表示變化例1之電子器件(顯示裝置)之製造方法之流程之圖。
圖19係表示於素材基板之表面形成平坦化膜之步驟之剖面圖。
圖20係表示於變化例2之電子器件(顯示裝置)中，作為圖8所示之顯示體之另一示例之有機EL(Electroluminescence，電致發光)元件之構成之剖面圖。
圖21係表示包含圖20所示之有機EL元件之電子器件(顯示裝置)之整體構成之圖。
圖22係表示圖21所示之像素驅動電路之一例之圖。
圖23係表示電子器件之應用例1之外觀之立體圖。
圖24係表示應用例1之外觀之另一立體圖。
圖25係表示電子器件之應用例2之外觀之立體圖。
圖26係表示電子器件之應用例3之外觀之立體圖。
圖27係表示電子器件之應用例4之外觀之立體圖。
圖28係表示電子器件之應用例5之自正側觀察之外觀之立體圖。
圖29係表示應用例5之自背面側觀察之外觀之立體圖。
圖30係表示電子器件之應用例6之外觀之立體圖。
圖31係表示電子器件之應用例7之外觀之立體圖。
圖32係表示電子器件之應用例8之打開後之狀態之立體圖。
圖33係表示應用例8之閉合後之狀態之立體圖。
圖34係表示電子器件之應用例9之閉合後之狀態之圖。
圖35係表示應用例9之打開後之狀態之圖。
以下，參照圖式，對本揭示之實施形態進行詳細說明。再者，說明係以如下順序進行。
1.實施形態(形成樹脂膜作為平坦化膜，且於平坦化膜之表面形成由無機膜形成之障壁塗層之例)
2.變化例1(形成兼作障壁塗層之無機膜作為平坦化膜之例)
3.變化例2(包含有機EL元件作為顯示體之例)
4.應用例
(基板之製造方法)
首先，參照圖1至圖6，對本揭示之一實施形態之基板之製造方法進行說明。本實施形態之基板1之製造方法係使用具有塑膠膜等之可撓性之素材基板10，將存在於該素材基板10之表面之凹缺陷及凸缺陷變平整，從而形成具有平滑性較高之表面之基板1。本實施形態之基板1之製造方法包括如下步驟：研磨素材基板10之表面；及於研磨素材基板10之表面後，於素材基板10之表面形成平坦化膜20。所得之基板1被用於顯示裝置或感測器等電子器件之製造。
(使素材基板10貼合於支持體30之步驟)
素材基板10係例如圖2所示般包含具有可撓性之樹脂片材(塑膠片材)。具體而言，素材基板10之厚度例如，較佳為200μm以下，更佳為50μm以下。作為素材基板10之構成材料，可列舉聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚醚碸、聚醚醯亞胺、聚醚醚酮、聚苯硫醚、聚芳酯、聚醯亞胺、聚醯胺、聚碳酸酯、三乙酸纖維素、聚烯烴、聚苯乙烯、聚乙烯、聚丙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚烯烴、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、環氧樹脂、酚樹脂、脲樹脂、三聚氰胺樹脂、矽酮樹脂、及丙烯酸系樹脂等塑膠片材。
同樣地如圖2所示，於素材基板10之表面存在凸缺陷11、及凹缺陷12。作為凸缺陷11，例如，可能有自基準面10A起之高度為2μm以上之較高之突起11A，或者，自基準面10A起之高度為2μm以下之較低之突起11B。作為凹缺陷12，可能有自基準面10A起呈凹坑狀凹陷之凹陷12A，或者，自基準面10A起呈楔狀陷入之損傷12B等。再者，凹陷12A之自基準面10A起之深度例如為2.0μm以下，損傷12B之自基準面10A起之深度例如為1.0μm以下。
如圖3所示，將該素材基板10於研磨步驟之前，使用黏著層40貼附於支持體30(圖1之步驟S101)。藉此，將研磨步驟及形成平坦化膜20之步驟於將素材基板10貼附於支持體30後之狀態下進行，從而可確保素材基板10之背面之平坦性。
素材基板10之向支持體30之貼附，例如可以如下方式進行。首先，對支持體30或素材基板10，利用旋轉塗佈、模具塗佈、凹版塗佈等印刷法進行塗佈，或藉由貼附膠帶，而形成黏著層40。其次，利用貼合機將素材基板10貼合於支持體30而固定。
支持體30係以使用石英玻璃、耐熱玻璃、金屬、陶瓷等熔點為500℃以上之材質為佳。又，支持體30之線膨脹係數例如較佳為10ppm/K以下。支持體30之線膨脹係數更佳為0.1ppm/K以上且10ppm/K 以下。就機械強度及操作性之方面而言，支持體30之厚度T30例如較佳為0.3mm以上。支持體30之厚度T30更佳為0.3mm以上且2.0mm以下。
黏著層40係可使用通用之黏著劑、膠帶。因此，可不進行使黏著力降低之特別之處理，而將素材基板10自支持體30剝離，且於基板1上製成後述之功能部3等。具體而言，作為黏著層40，可使用丙烯酸系黏著劑，矽酮系、矽氧烷系、天然橡膠系黏著劑，合成橡膠系黏著劑等。
(研磨素材基板10之表面之步驟)
如圖4所示，於將素材基板10固定於支持體30後，使用研磨構件P，研磨素材基板10之表面(圖1之步驟S102)。藉此，存在於素材基板10之表面之凸缺陷11被切削而除去。
研磨方法可為機械性研磨，亦可使用為提高研磨效率而將PH適當調整後之研磨劑(漿料)等。具體而言，作為研磨方法，可使用CMP(Chemical Mechanical Polishing，化學機械研磨)、帶研磨、輥研磨等方法。
於該研磨步驟中，較佳為對素材基板10之整個表面進行研磨。若僅對素材基板10之表面之一部分局部地進行研磨，則存在於未被研磨之區域內凸缺陷11殘存之可能性。殘存之凸缺陷11視其高度，而有無法被於後續步驟中形成之平坦化膜20完全覆蓋，從而使基板1之表面平滑性降低之虞。
又，於該研磨步驟中，較佳為進行研磨以使凸缺陷11之高度成為於後續步驟中形成之平坦化膜20之厚度以下，例如成為1μm以下。若凸缺陷11之高度為1μm以下，則可由後續步驟中形成之平坦化膜20覆蓋。
於研磨步驟中，容許於素材基板10之表面留下研磨損傷13。由 於研磨損傷13，素材基板10之表面積增加，藉此，素材基板10與平坦化膜20之接觸面積增加，從而產生投錨效應(anchor effect)，藉此有望產生使密接性提高之效果。研磨損傷13之深度D13較佳為於後續步驟中形成之平坦化膜20之厚度以下，例如為3μm以下，更佳為1μm以下。研磨損傷13之深度D13若為此程度，則可藉由於後續步驟中形成之平坦化膜20而平坦化。
(洗淨)
於研磨素材基板10之表面後，為下一步驟之平坦化膜20之成膜做準備，洗淨素材基板10之表面(圖1之步驟S103)。藉由洗淨步驟，除去研磨沈積物及研磨劑(漿料)等，從而獲得潔淨之表面。洗淨方法為水洗或有機洗淨，又，除此以外亦可實施超音波洗淨等。進而，亦可進行UV(紫外線)洗淨或臭氧洗淨。
(預處理)
於洗淨素材基板10之表面後，形成平坦化膜20之前，進行預處理(圖1之步驟S104)。於預處理中，可進行用於使平坦化膜20之密接性提高之UV處理、電漿處理、矽烷偶合劑塗佈等。
(於素材基板10之表面形成平坦化膜20之步驟)
如圖5所示，預處理結束後，於素材基板10之表面形成平坦化膜20(圖1之步驟S105)。藉此，存在於素材基板10之表面之凹缺陷12及因研磨步驟而產生之研磨損傷13被平坦化膜20掩蔽。與此同時，研磨後殘存之凸缺陷11被平坦化膜20覆蓋。因此，平坦化膜20之表面平滑地形成。
平坦化膜20可為樹脂膜，亦可為無機膜。若為樹脂膜，則可列舉丙烯酸系、聚醯亞胺系等。若為無機膜，則可列舉SiOx(氧化矽)膜、SiNx(氮化矽)膜、SiON(氮氧化矽)膜、Al2O3(氧化鋁)膜等。又，平坦化膜20亦可為樹脂膜與無機膜之混合膜。亦可將平坦化膜20製成 TEOS(Tetraethyl orthosilicate，四乙基矽酸)，從而即便於素材基板10之表面存在凹缺陷12，亦可容易地使平坦化膜20之表面變為平滑。
作為平坦化膜20之成膜方法，於為樹脂膜之情形時，可使用狹縫式塗佈、網版印刷、凹版塗佈、旋轉塗佈、噴塗等方法。於為無機膜之情形時，除了上述方法以外，可使用CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積)、ALD(Atomic Layer Deposition，原子層堆積)、濺鍍法等。
於平坦化膜20與素材基板10之熱行為存在較大不同之情形時，應變應力因製程中之熱步驟而累積。例如，於熱膨脹係數差較大之情形時，有於加熱步驟中產生基板翹曲或膜脫落之可能性，於熱縮差較大之情形時，有於加熱步驟後恢復至常溫時產生基板翹曲或膜脫落之可能性。因此，平坦化膜20較佳為包含熱膨脹係數及熱縮等熱行為與素材基板10相同或大致相同之材料。進而，平坦化膜20較佳為包含與素材基板10之化學組成及官能基等親和性較高之材料。除此以外，平坦化膜20較佳為對後面之功能部3之形成時之溫度具備耐熱性。
以使平坦化膜20之厚度T20薄於素材基板10之厚度T10為佳。於素材基板10薄於平坦化膜20之情形時，有於研磨素材基板10之表面後殘存之凸缺陷11無法被完全覆蓋之虞。又，若平坦化膜20之熱縮較大，則由於後面之功能部形成時之加熱步驟等，平坦化膜20之膜收縮變大，從而基板1產生翹曲。又，厚度T20越大，該影響越大。因此，平坦化膜20之厚度T20例如較佳為素材基板10之厚度T10之五分之一以下，更佳為七分之一以下，進而較佳為十分之一以下。
(後烘烤)
於在素材基板10之表面形成平坦化膜20後，藉由烘箱、IR(infrared，紅外線)爐等，進行平坦化膜20之燒結(後烘烤)(圖1之步驟S106)。該步驟係以於此時之溫度為包含素材基板10、平坦化膜 20、支持體30及黏著層40在內之積層構造體之各層之材料之耐熱溫度以下時進行為佳。又，該步驟係以於煅燒溫度為於後面之步驟中樹脂膜不會分解之溫度時進行為佳。進而，該步驟係以充分地加熱直至儘可能不出現自樹脂膜等之脫氣為佳。
(形成障壁塗層)
如圖6所示，於後烘烤結束後，於平坦化膜20之表面形成障壁塗層50(圖1之步驟S107)。障壁塗層50之厚度例如為數十nm~數百nm，且較佳為包含SiOx膜、SiNx膜、SiON膜、Al2O3膜、TEOS膜等無機膜。藉由如上所述，完成基板1。
(電子器件(顯示裝置)之製造方法)
繼而，參照圖7至圖13，對本實施形態之電子器件(顯示裝置)之製造方法進行說明。本實施形態之電子器件2之製造方法係於藉由上述基板1之製造方法形成基板1後，於該基板1上形成具有圖像顯示或感測等所需功能之功能部3，並進行切斷及模組化。
(形成功能部3之步驟)
首先，如圖8所示，於基板1之障壁塗層50之表面，形成TFT(Thin Film Transistor，薄膜電晶體)層60(圖7之步驟S201)。
其次，如圖9所示，於TFT層60上形成顯示體70(圖7之步驟S202)。藉此，於基板1上形成進行圖像顯示之功能部3。
(進行切斷及模組化之步驟)
於在基板1上形成功能部3後，如圖10之箭頭R1所示般，將包含素材基板10、平坦化膜20及障壁塗層50在內之基板本體4自支持體30及黏著層40剝離(圖7之步驟S301)。
繼而，如圖11所示，將基板本體4及功能部3沿切斷線CL切斷而整理成特定之尺寸、形狀，並連接可撓性配線基板5，藉此形成模組6(圖7之步驟S302)。最後，藉由將模組6組裝入殼體(未圖示)，從而完 成電子器件2。
或者，亦可於進行切斷及形成模組6後，將基板本體4自支持體30剝離。於該情形時，例如，於在基板1上形成功能部3後，如圖12所示般，將基板1及功能部3沿切斷線CL切斷而整理成特定之尺寸、形狀，並連接可撓性配線基板5，藉此形成模組6(圖7之步驟S303)。
繼而，如圖13之箭頭R2所示般，於所得之模組6，將包含素材基板10、平坦化膜20及障壁塗層50在內之基板本體4，自支持體30及黏著層40剝離(圖7之步驟S304)。最後，藉由將模組6組裝至殼體(未圖示)，從而完成電子器件2。
(形成電泳元件作為顯示體70之例)
以下，參照圖14至圖17，對形成電泳元件作為顯示體70，製造電子紙顯示器作為電子器件2之例進行說明。
圖14係表示作為顯示體70之一例之電泳元件71之平面構成，圖15係表示電泳元件71之剖面構成。該電泳元件71係利用電泳現象而產生對比度，被應用於例如顯示裝置等多種電子機器。電泳元件71係於絕緣性液體72中，包含泳動粒子73(第1粒子)與具有細孔74A之多孔質層74。再者，圖14及圖15係模式性地表示電泳元件71之構成，存在與實際之尺寸、形狀不同之情況。
絕緣性液體72係包含例如烷烴或異烷烴等有機溶劑。於絕緣性液體72中，可使用1種有機溶劑，或者亦可使用複數種有機溶劑。絕緣性液體72之黏度及折射率係以儘可能地降低為佳。若使絕緣性液體72之黏度降低，則泳動粒子73之遷移性(回應速度)提高。又，據此用於泳動粒子73之遷移之能量(消耗電力)變低。若使絕緣性液體72之折射率降低，則絕緣性液體72與多孔質層74之折射率之差變大，而多孔質層74之反射率變高。
於絕緣性液體72中，亦可添加例如著色劑、電荷調整劑、分散 穩定劑、黏度調整劑、界面活性劑或樹脂等。
分散於絕緣性液體72中之泳動粒子73係1個或2個以上之帶電粒子，此種帶電之泳動粒子73根據電場經由細孔74A而遷移。泳動粒子73具有任意之光學反射特性(光反射率)，且由於泳動粒子73之光反射率與多孔質層74之光反射率之差異而產生對比度。例如，可使泳動粒子73亮顯示，並使多孔質層74暗顯示，亦可使泳動粒子73暗顯示，並使多孔質層74亮顯示。
若自外部觀察電泳元件71，則於泳動粒子73亮顯示之情形時，泳動粒子73被視認成例如白色或接近於白色之顏色，於泳動粒子73暗顯示之情形時，泳動粒子73被視認成例如黑色或接近於黑色之顏色。此種泳動粒子73之顏色只要可產生對比度便無特別限定。
泳動粒子73包含例如有機顏料、無機顏料、染料、碳材料、金屬材料、金屬氧化物、玻璃或高分子材料(樹脂)等粒子(粉末)。於泳動粒子73中，可使用該等中之1種，亦可使用2種以上。泳動粒子73亦可包含包括上述粒子在內之樹脂固形物成分之粉碎粒子或膠囊粒子等。再者，將屬於上述碳材料、金屬材料、金屬氧化物、玻璃或高分子材料之材料，自屬於有機顏料、無機顏料或染料之材料去除。泳動粒子73之粒徑例如為30nm~300nm。
上述有機顏料係例如，偶氮系顏料、金屬錯合物偶氮系顏料、縮聚偶氮系顏料、黃士酮系顏料、苯并咪唑酮系顏料、酞菁系顏料、喹吖啶酮系顏料、蒽醌系顏料、苝系顏料、哌瑞酮系顏料、蒽吡啶系顏料、皮蒽酮系顏料、二系顏料、硫靛系顏料、異吲哚啉酮系顏料、喹酞銅系顏料或陰丹士林系顏料等。無機顏料係例如，鋅白、銻白、鐵黑、硼化鈦、鐵丹、瑪皮珂黃(Mapico Yellow)、鉛丹、鎘黃、硫化鋅、鋅鋇白、硫化鋇、硒化鎘、碳酸鈣、硫酸鋇、鉻酸鉛、硫酸鉛、碳酸鋇、鉛白或鋁白等。染料係例如，苯胺黑系染料、偶氮 系染料、酞菁系染料、喹酞銅系染料、蒽醌系染料或次甲基系染料等。碳材料係例如碳黑等。金屬材料係例如金、銀或銅等。金屬氧化物係例如，氧化鈦、氧化鋅、氧化鋯、鈦酸鋇、鈦酸鉀、銅鉻氧化物、銅錳氧化物、銅鐵錳氧化物、銅鉻錳氧化物或銅鐵鉻氧化物等。高分子材料係例如，導入有於可見光區域具有光吸收域之官能基而成之高分子化合物等。只要為於可見光區域具有光吸收域之高分子化合物，則其種類並無特別限定。
泳動粒子73之具體材料係例如，根據為了使泳動粒子73擔負產生對比度之作用而予以選擇。於泳動粒子73亮顯示之情形時，於泳動粒子73中使用有例如，氧化鈦、氧化鋅、氧化鋯、鈦酸鋇或鈦酸鉀等金屬氧化物等。於泳動粒子73暗顯示之情形時，於泳動粒子73中使用有例如，碳黑等碳材料或者銅鉻氧化物、銅錳氧化物、銅鐵錳氧化物、銅鉻錳氧化物及銅鐵鉻氧化物等金屬氧化物等。其中尤其以於泳動粒子73中使用碳材料為佳。包含碳材料之泳動粒子73表現出優異之化學穩定性、遷移性及光吸收性。
絕緣性液體72中之泳動粒子73之含量(濃度)未特別限定，例如為0.1重量%~10重量%。於該濃度範圍內，泳動粒子73之遮蔽性及遷移性得以確保。詳細而言，若泳動粒子73之含量少於0.1重量%，則存在泳動粒子73變為難以遮蔽(掩蔽)多孔質層74，從而難以充分地產生對比度之可能性。另一方面，若泳動粒子73之含量多於10重量%，則由於泳動粒子73之分散性降低，故而該泳動粒子73變得難以泳動，而有凝聚之虞。
泳動粒子73係以於絕緣性液體72中於長時間內易於分散及帶電，且難以吸附於多孔質層74為佳。因此，例如可於絕緣性液體72中添加分散劑。亦可將分散劑與電荷調整劑併用。
該分散劑或電荷調整劑係例如具有正、負任意一者、或二者之 電荷，從而用於使絕緣性液體72中之帶電量增加，並且藉由靜電推斥而使泳動粒子73分散。作為此種分散劑，可列舉例如，Lubrizol(路博潤)公司製造之Solsperce系列、BYK-Chemic(德國比克化學)公司製造之BYK系列或Anti-Terra系列、或者TCI America(梯希愛美國)公司製造之Span系列等。
為了提高泳動粒子73之分散性，亦可對泳動粒子73施加表面處理。該表面處理係例如，松酯處理、界面活性劑處理、顏料衍生物處理、偶合劑處理、接枝聚合處理或微膠囊化處理等。尤其是，可藉由接枝聚合處理、微膠囊化處理或者將其等組合進行處理，從而維持泳動粒子10之長時間之分散穩定性。
於此種表面處理中，使用有例如，具有可吸附於泳動粒子73之表面之官能基與聚合性官能基之材料(吸附性材料)等。可吸附之官能基係根據泳動粒子73之形成材料而決定。例如，於泳動粒子73由碳黑等碳材料構成之情形時，可吸附4-乙烯基苯胺等苯胺衍生物，於泳動粒子10由金屬氧化物構成之情形時，可吸附甲基丙烯酸3-(三甲氧基矽烷基)丙基等有機矽烷衍生物。聚合性官能基係例如，乙烯基、丙烯醯基、甲基丙烯基等。
亦可將聚合性官能基導入至泳動粒子73之表面，並使聚合性官能基接枝於泳動粒子73之表面從而進行表面處理(接枝性材料)。接枝性材料係例如具有聚合性官能基與分散用官能基。分散用官能基係於絕緣性液體72中使泳動粒子73分散，並藉由其位阻而保持分散性。於絕緣性液體72為例如烷烴之情形時，可將支鏈狀之烷基等用作分散用官能基。聚合性官能基係例如乙烯基、丙烯醯基、甲基丙烯基等。為了使接枝性材料聚合及接枝，只要使用例如偶氮二異丁腈(AIBN，azobisisobutyronitrile)等聚合起始劑即可。
關於使上述泳動粒子73於絕緣性液體72中分散之方法之詳細情 況，刊登於「超微粒子之分散技術與其評價~表面處理、微粉碎與空氣中/液體中/高分子中之分散穩定化~(AIST公司(National Institute of Advanced Industrial Science And Technology，日本產業技術綜合研究所)」等書籍中。
多孔質層74係可遮蔽泳動粒子73者，且包含纖維狀構造體74B及保持於纖維狀構造體74B之非泳動粒子74C(第2粒子)。該多孔質層74係藉由纖維狀構造體74B而形成之三維立體構造物(如不織布般不規則之網狀結構物)，且設置有複數個間隙(細孔74A)。多孔質層74之三維立體構造係由纖維狀構造體74B構成，因此光(外界光)漫反射(多重散射)，而多孔質層74之反射率變高。因此，即便於多孔質層74之厚度較小之情形時，亦可獲得高反射率，從而可提高電泳元件71之對比度，並且減小用於泳動粒子73之遷移之能量。又，細孔74A之平均孔徑變大，且，較多之細孔74A被設置於多孔質層74。藉此，泳動粒子73變為易經由細孔74A而遷移，且回應速度提高，並且用於使泳動粒子73遷移之能量變為更小。此種多孔質層74之厚度例如為5μm~100μm。
纖維狀構造體74B係相對於纖維徑(直徑)具有足夠之長度之纖維狀物質。例如，複數個纖維狀構造體21集合，且隨機重疊從而構成多孔質層74。亦可由1個纖維狀構造體74B隨機地交聯而構成多孔質層74。或者，亦可將由1個纖維狀構造體74B形成之多孔質層74與由複數個纖維狀構造體74B形成之多孔質層74混雜。
纖維狀構造體74B係包含例如高分子材料或無機材料等。作為高分子材料，例如可列舉，尼龍、聚乳酸、聚醯胺、聚醯亞胺、聚對苯二甲酸乙二酯、聚丙烯腈、聚環氧乙烷、聚乙烯咔唑、聚氯乙烯、聚胺基甲酸酯、聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚碸、聚乙烯吡咯啶酮、聚偏二氟乙烯(polyvinylidene fluoride)、聚六氟丙烯、乙酸纖維素、膠原蛋 白、明膠、聚葡萄胺糖或其等之共聚物等。無機材料係例如氧化鈦等。於纖維狀構造體74B中，較佳為使用高分子材料。其原因在於，高分子材料係對例如光等之反應性較低，且化學穩定。亦即，藉由使用高分子材料，可防止未意圖之纖維狀構造體74B之分解反應。於纖維狀構造體74B由高反應性之材料構成之情形時，較佳為預先將表面以任意之保護層被覆。
纖維狀構造體74B係例如呈直線狀延伸。纖維狀構造體74B之形狀可為任意之形狀，例如，亦可捲曲，或者於中途彎曲。或者，纖維狀構造體74B亦可於中途分支。
纖維狀構造體74B之平均纖維徑例如為50nm以上且2000nm以下，但亦可為上述範圍以外。藉由使平均纖維徑變小，從而光變為易漫反射，又，細孔74A之孔徑變大。纖維狀構造體74B以可保持非泳動粒子74C之方式，決定其纖維徑。平均纖維徑係例如，可藉由使用掃描式電子顯微鏡等之顯微鏡觀察而進行測定。纖維狀構造體74B之平均長度可為任意長度。纖維狀構造體74B係藉由例如，相分離法、相反轉法、靜電(電場)紡絲法、熔融紡絲法、濕式紡絲法、乾式紡絲法、凝膠紡絲法、溶膠凝膠法或噴霧塗佈法等而形成。藉由使用此種方法，可容易且穩定地形成相對於纖維徑具有足夠之長度之纖維狀構造體74B。
纖維狀構造體74B較佳包含奈米纖維。此處所謂奈米纖維係纖維徑為1nm~1000nm，且長度為纖維徑之100倍以上之纖維狀物質。藉由將此種奈米纖維用作纖維狀構造體74B，光變為易漫反射，從而可進一步提高多孔質層74之反射率。即，變為可提高電泳元件71之對比度。又，於包含奈米纖維之纖維狀構造體74B中，於單位體積中所占之細孔74A之比率變大，泳動粒子73變為易經由細孔74A而遷移。因此，可減小用於泳動粒子73之遷移之能量。包含奈米纖維之纖維狀構 造體74B較佳為藉由靜電紡絲法而形成。藉由使用靜電紡絲法，可容易且穩定地形成纖維徑較小之纖維狀構造體74B。
於纖維狀構造體74B中，較佳為使用其光反射率與泳動粒子73之光反射率不同者。藉此，變為易形成因多孔質層74與泳動粒子73之光反射率之差而產生之對比度。亦可於絕緣性液體72中使用表現出透光性(無色透明)之纖維狀構造體74B。
細孔74A係藉由複數個纖維狀構造體74B重疊，或1個纖維狀構造體74B交聯而形成。該細孔74A係為了使泳動粒子73易經由細孔74A而遷移，較佳為具有儘可能大之平均孔徑。細孔74A之平均孔徑例如為0.1μm~10μm。
非泳動粒子74C固定於纖維狀構造體74B，且其光反射率與泳動粒子73之光反射率不同。非泳動粒子74C可包含與上述泳動粒子73相同之材料。詳細而言，於非泳動粒子74C(多孔質層74)亮顯示之情形時，可使用上述泳動粒子73於亮顯示時使用之材料，於非泳動粒子74C暗顯示之情形時，可使用上述泳動粒子73於暗顯示時使用之材料。於藉由多孔質層74進行亮顯示時，較佳為使非泳動粒子74C包含金屬氧化物。藉此，可獲得優異之化學穩定性、固定性及光反射性。尤其較佳為使非泳動粒子74C包含折射率較高之金屬氧化物、例如金紅石型氧化鈦。非泳動粒子74C、泳動粒子73各自之構成材料可相同，亦可不同。非泳動粒子74C可完全埋設於纖維狀構造體74B之內部，或者，亦可自纖維狀構造體74C露出一部分。於非泳動粒子74C進行亮顯示或暗顯示時，自外部視認之顏色與針對上述泳動粒子73所說明之顏色相同。
此種多孔質層74可藉由例如以下之方法而形成。首先，於有機溶劑等中，使例如高分子材料等纖維狀構造體74B之構成材料溶解而調製紡絲溶液。其次，於該紡絲溶液中添加非泳動粒子74C並充分地 攪拌，而使非泳動粒子74C分散。最後，自該紡絲溶液，藉由例如靜電紡絲法進行紡絲，而將非泳動粒子74C固定於纖維狀構造體74B，從而形成多孔質層74。多孔質層74可使用雷射對高分子膜施加開孔加工，從而形成細孔74A，亦可於多孔質層74，使用由合成纖維等編織而成之布、或連泡多孔性高分子等。
電泳元件71係如上所述般，利用泳動粒子73之光反射率與多孔質層74之光反射率之差而產生對比度。具體而言，泳動粒子73及多孔質層74中，亮顯示者之光反射率高於暗顯示者之光反射率。較佳為使非泳動粒子74C之光反射率高於泳動粒子73，從而於多孔質層74進行亮顯示，於泳動粒子73進行暗顯示。藉由進行此種顯示，進行亮顯示時之光反射率利用因孔質層74(三維立體構造物)而產生之光之漫反射從而明顯變高。因此，據此對比度亦明顯提高。
於電泳元件71中，於施加有電場之範圍內，泳動粒子73經由多孔質層74之細孔74A而遷移。根據泳動粒子73遷移之區域、未遷移之區域，進行亮顯示及暗顯示中之任一者，從而顯示圖像。
圖16係表示將電泳元件71用作顯示體70之電子器件(顯示裝置)2之剖面構成之一例。該電子器件2係利用電泳現象顯示圖像(例如文字資訊等)之電泳型顯示器(所謂之電子紙顯示器)。電子器件2設置有例如，於基板1上具有TFT層60、及作為顯示體70之電泳元件71之功能部3。
TFT層60包括例如TFT61、保護層62、及平坦化絕緣層63。
TFT61係用於選擇像素之切換用元件。TFT61可為將無機半導體層用作通道層之無機TFT，亦可為使用有機半導體層之有機TFT。保護層62及平坦化絕緣層63包含例如聚醯亞胺等絕緣性樹脂材料。若保護層62之表面足夠地平坦，則亦可省略平坦化絕緣層63。
顯示體70包括像素電極75、上述電泳元件71、及對向基板76。 於TFT層60與對向基板76之間介置有間隔件77。
像素電極75包含例如金(Au)、銀(Ag)或銅(Cu)等金屬材料。像素電極75係經由設置於保護層62及平坦化絕緣層63之接觸孔(未圖示)而與TFT61連接。TFT61及像素電極75係根據例如像素配置而配置成矩陣狀或片段狀。
對向基板76包含例如板狀構件76A及對向電極76B，且於板狀構件76A之整個面(基板1之對向面)設置有對向電極76B。亦可將對向電極76B與像素電極75同樣地配置成矩陣狀或片段狀。
板狀構件76A具有透光性，且包含例如無機材料、金屬材料或塑膠材料等。作為無機材料，例如可列舉，矽(Si)、氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)或氧化鋁(AlOx)等。於氧化矽中，包含玻璃或旋塗玻璃(SOG，Spin-on-glass)等。作為金屬材料，例如可列舉，鋁(Al)、鎳(Ni)或不鏽鋼等，作為塑膠材料，例如可列舉，聚碳酸酯(PC，Polycarbonate)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET，Polyethylene terephthalate)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN，polyethylene naphthalate)或聚醚醚酮(PEEK，polyetheretherketone)等。
於對向電極76B中，可使用例如銦錫氧化物(ITO，Indium Tin Oxide)、銻錫氧化物(ATO，Antimony Tin Oxide)、摻氟氧化錫(FTO，Fluorine-doped Tin Oxide)或摻鋁氧化鋅(AZO，Aluminum-doped Zinc Oxide)等透光性導電性材料(透明電極材料)。
於在對向基板76側顯示圖像之情形時，由於變為隔著對向電極76B觀察電泳元件71，故而對向電極76B之透光性(透過率)以儘可能較高者為佳，例如為80%以上。又，對向電極76B之電阻以儘可能較低者為佳，例如為100Ω/□以下。
電泳元件71係如上所述般，於絕緣性液體72中，包括泳動粒子73、及具有複數個細孔74A之多孔質層74。絕緣性液體72係填充於 TFT層60與對向基板76之間之空間，多孔質層74係藉由例如間隔件77支持。絕緣性液體72所填充之空間係以例如多孔質層74作為邊界，且區分為接近於像素電極75側之待避區域R1、及接近於對向電極76B側之顯示區域R2。絕緣性液體72、泳動粒子73及多孔質層74之構成係與上述之構成相同。再者，於圖16及後述之圖17中，為了簡化圖示內容，僅表示細孔74A之一部分。
多孔質層74可鄰接於像素電極75及對向電極76B中任一者，亦可不明確地隔開待避區域R1與顯示區域R2。泳動粒子73係根據電場，而向像素電極75或對向電極76B遷移。
間隔件77之厚度例如為10μm~100μm，且較佳為儘可能使之變薄。藉此，可抑制消耗電力。間隔件77係由例如高分子材料等絕緣性材料構成，且例如呈格子狀設置於TFT層60與對向基板76之間。間隔件77之配置形狀並無特別限定，但較佳為設置成不妨礙泳動粒子73之遷移，且，使泳動粒子73均勻分佈。
於初始狀態之電子器件2中，泳動粒子73配置於待避區域R1(圖16)。於該情形時，於所有像素中泳動粒子73皆被多孔質層74遮蔽，因此，若自對向基板76側觀察電泳元件71，則電泳元件71處於未產生對比度(未顯示圖像)之狀態。
另一方面，若藉由TFT61選擇像素，且於像素電極75與對向電極76A之間施加電場，則如圖17所示，於各像素中泳動粒子73自待避區域R1經由多孔質層74(細孔74A)而向顯示區域R2遷移。於該情形時，由於泳動粒子73被多孔質層74遮蔽之像素與泳動粒子73未被多孔質層74遮蔽之像素併存，故而若自對向基板76側觀察電泳元件71，則該電泳元件71變為正產生對比度之狀態。藉此，圖像被顯示。
如此於本實施形態中係於研磨素材基板10之表面後，於素材基板10之表面形成平坦化膜20，因此，變為可應對素材基板10之表面之 凹缺陷12及凸缺陷11兩者，從而變為可獲得凹凸缺陷較少，且表面平滑性優異之基板1。因此，對TFT層60等電子元件之損壞變少，從而可提高良率。
又，為了於由塑膠片材形成之可撓性素材基板10上形成電子電路，考慮對電特性之影響，謀求較高之表面平滑性，從而素材基板10之選項被限定。於本實施形態中，亦可使用表面平滑性不那麼高之素材基板10，從而可擴大素材基板10之選項。
進而，為了於由塑膠片材形成之可撓性之素材基板10上形成電子電路，較佳為凹凸缺陷較少之素材基板10，因素材基板10之承收基準被較高地設定，而成為成本增加之原因。於本實施形態中，可緩和素材基板10之承收基準，從而可抑制素材基板10之成本。
(變化例1)
圖18係表示變化例1之基板1之製造方法之流程。本變化例係除了形成兼作障壁塗層之無機膜作為平坦化膜20之步驟以外，與上述實施形態之基板1之製造方法相同。因此，參照圖2至圖4對與上述實施形態重複之步驟進行說明。
(將素材基板10貼合於支持體30之步驟)
首先，與上述實施形態同樣地，藉由圖2及圖3所示之步驟，使用黏著層40將素材基板10貼合於支持體30(圖18之步驟S101)。
(研磨素材基板10之表面之步驟)
其次，與上述實施形態同樣地，藉由圖4所示之步驟，研磨素材基板10之表面(圖18之步驟S102)。藉此，存在於素材基板10之表面之凸缺陷11被切削而除去。
(洗淨及預處理)
繼而，為下一步驟之平坦化膜20之成膜做準備，洗淨素材基板10之表面(圖18之步驟S103)，進行預處理(圖18之步驟S104)。
(於素材基板10之表面形成平坦化膜20之步驟)
其後，如圖19所示般，於素材基板10之表面形成平坦化膜20(圖18之步驟S108)。藉此，存在於素材基板10之表面之凹缺陷12及因研磨步驟而產生之研磨損傷13被平坦化膜20掩蔽。與此同時，於研磨後殘存之凸缺陷11被平坦化膜20覆蓋。因此，平坦化膜20之表面被平滑地形成。
於本變化例中，形成兼作障壁塗層之無機膜作為平坦化膜20。無機膜之材料可列舉SiOx膜、SiNx膜、SiON膜、Al2O3膜等。再者，關於平坦化膜20，只要具有障壁塗層性能，亦可為樹脂膜與無機膜之混合膜。
作為平坦化膜20之成膜方法，可使用狹縫式塗佈、網版印刷、凹版塗佈、旋轉塗佈、噴塗、CVD、ALD、濺鍍法等。
於平坦化膜20與素材基板10之熱行為存在較大不同之情形時，因製程中之熱步驟而累積應變應力。例如，於熱膨脹係數差較大之情形時，有於加熱步驟中產生基板翹曲或膜脫落之可能性，於熱縮差較大之情形時，有於加熱步驟後恢復至常溫時產生基板翹曲或膜脫落之可能性。因此，平坦化膜20較佳為包含熱膨脹係數及熱縮等熱行為與素材基板10相同或大致相同之材料。進而，平坦化膜20較佳為包含與素材基板10之化學組成或官能基等之親和性較高之材料。除此以外，平坦化膜20較佳為對後面之功能部3之形成時之溫度具備耐熱性。
平坦化膜20之厚度T20係與上述實施形態同樣地，以使其薄於素材基板10之厚度T10為佳。於素材基板10薄於平坦化膜20之情形時，有無法完全覆蓋研磨素材基板10之表面後殘存之凸缺陷11之虞。又，若平坦化膜20之熱縮較大，則後面之功能部形成時之加熱步驟等會導致平坦化膜20之膜收縮變大，從而基板1產生翹曲。又，厚度T20越大，其影響越大。因此，平坦化膜20之厚度T20較佳為例如素材基板 10之厚度T10之五分之一以下，更佳為七分之一以下，進而較佳為十分之一以下。
(後烘烤)
再者，於形成樹脂膜與無機膜之混合膜作為平坦化膜20之情形時，亦可於在素材基板10之表面形成平坦化膜20後，藉由烘箱、IR(infrared)爐等，進行平坦化膜20之燒結(後烘烤)。該後烘烤較佳為於此時之溫度為包含素材基板10、平坦化膜20、支持體30及黏著層40在內之積層構造體各層之材料之耐熱溫度以下時進行。又，較佳為於煅燒溫度為在後面之步驟中樹脂膜不會分解之溫度時進行。進而，較佳為充分地加熱直至儘可能不會發生自樹脂膜等之脫氣為止，藉由以上所述，基板1完成。
(變化例2)
其次，參照圖20至圖22，對變化例2進行說明。本變化例係形成有機EL元件81作為顯示體70，且製造有機EL顯示器作為電子器件2。
圖20係表示使用有機EL元件81作為顯示體70之電子器件(顯示裝置)2之剖面構成之一例。該電子器件2係利用有機EL元件81之發光而進行圖像顯示之有機EL顯示器，且設置有例如於基板1上具有TFT層60、及作為顯示體70之有機EL元件81之功能部3。
TFT層60包括例如TFT64、及平坦化絕緣層65。
TFT64係所謂之底閘極型TFT，且於通道(活性層)使用有例如氧化物半導體。於該TFT64中，於基板1上，以如下順序形成有閘極電極64A、閘極絕緣膜(第一閘極絕緣膜64B、第二閘極絕緣膜64C)、氧化物半導體層64D、通道保護膜64E及源極/汲極電極64F。於源極/汲極電極64F上，形成有遍及基板1之整個面而用於將TFT64之凹凸平坦化之平坦化絕緣層65。
閘極電極64A係藉由施加於TFT64之閘極電壓，發揮控制氧化物 半導體層64D中之載子密度(此處為電子密度)之作用。該閘極電極64A包含例如由Mo(鉬)、Al(鋁)及鋁合金等中之1種形成之單層膜、或由2種以上形成之積層膜。再者，作為鋁合金，例如可列舉鋁釹合金。
第一閘極絕緣膜64B及第二閘極絕緣膜64C係由SiO2(二氧化矽)、Si3N4(氮化矽)、氮氧化矽(SiON)及氧化鋁(Al2O3)等中之1種形成之單層膜、或由其等中之2種以上形成之積層膜。此處，第一閘極絕緣膜64B及第二閘極絕緣膜64C具有2層構造，第一閘極絕緣膜64B包含例如SiO2膜，第二閘極絕緣膜64C包含例如Si3N4膜。第一閘極絕緣膜64B及第二閘極絕緣膜64C之總膜厚例如為200nm~300nm。
氧化物半導體層64D包含例如銦(In)、鎵(Ga)、鋅(Zn)、錫(Sn)、Al、Ti中至少1種氧化物作為主成分。該氧化物半導體層64D係藉由施加閘極電壓而於源極/汲極電極64F間形成通道。該氧化物半導體層64D之膜厚係為了使負電荷之影響傳達到通道，而期望為不會引起薄膜電晶體之通態電流之惡化之程度，具體而言，期望為5nm~100nm。
通道保護膜64E係形成於氧化物半導體層64D上，且防止於源極/汲極電極64F形成時損傷通道。通道保護膜64E之厚度例如為10~300nm。
源極/汲極電極64F係由例如Mo、Al、銅(Cu)、Ti、ITO及TiO(二氧化鈦)等中之1種形成之單層膜或由其等中之2種以上形成之積層膜。期望使用例如，以Mo、Al、Mo之順序，且以50nm、500nm、50nm之膜厚積層之3層膜，或者如ITO及氧化鈦等含氧之金屬化合物般與氧之結合較弱之金屬或金屬化合物。藉此，可穩定地保持氧化物半導體之電特性。
平坦化絕緣層65係使用例如聚醯亞胺、酚醛等有機材料。該平坦化層27之厚度例如為10nm~100nm，較佳為50nm以下。於平坦化 絕緣層65上，形成有有機EL元件81之陽極電極82。
有機EL元件81係具有如下構成，該構成係於TFT層60上，以如下順序將陽極電極82、間隔壁絕緣膜83、包含發光層之有機層84、陰極電極85、保護層86及密封基板87積層而成。有機EL元件81係將發光光自與基板1相反側(陰極電極83側)提取出之上表面發光型(頂部發光型)顯示元件，其中該發光光係於將自陽極電極82注入之電洞與自陰極電極85注入之電子於有機層84之發光層內進行再結合時產生。藉由使用上表面發光型有機EL元件81，電子器件(顯示裝置)2之發光部之開口率提高。再者，本揭示之有機EL元件81並不限定於此種構成，亦可設為例如自基板1側將光提取出之透過型，即下表面發光型(底部發光型)之顯示元件。
陽極電極82於例如電子器件(顯示裝置)2為上表面發光型之情形時，包含高反射性材料，例如Al、Ti、Cr(鉻)等。陽極電極82於電子器件(顯示裝置)2為透過型之情形時，使用透明材料，例如ITO、IZO(銦鋅氧化物)、IGZO(銦鎵鋅氧化物)等。
間隔壁絕緣膜83包含聚醯亞胺或酚醛等有機材料，亦具有確保陽極電極82與陰極電極85之絕緣性之功能。間隔壁絕緣膜83係設置成包圍陽極電極82之發光區域，並且設置於TFT64之源極/汲極電極64F與陽極電極82之連接部上。
有機層84並未圖示，其具有如下構成，即，自陽極電極82側起依次將電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層及電子注入層積層而成。有機層84係藉由例如真空蒸鍍法或旋轉塗佈法等而形成。該有機層84之上表面被陰極電極85被覆。構成有機層84之各層之膜厚及構成材料等並無特別限定，以下表示一例。
電洞注入層係用於提高對發光層之電洞注入效率，並且防止洩漏之緩衝層。電洞注入層之厚度較佳為例如5nm~200nm，進而較佳 為8nm~150nm。電洞注入層之構成材料只要根據與電極及鄰接之層之材料之關係適當選擇即可，例如可列舉，聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯、聚苯乙炔、聚伸噻吩基乙烯、聚喹啉、聚喹喔啉及其等之衍生物、將芳香族胺構造包含於主鏈或支鏈之聚合體等導電性高分子、金屬酞菁(酞菁銅等)、碳等。作為導電性高分子之具體例，可列舉寡聚苯胺及聚(3,4-亞乙二氧基噻吩)(PEDOT)等聚二氧基噻吩。
電洞傳輸層係用於提高對發光層之電洞傳輸效率。電洞傳輸層15B之厚度亦取決於元件之整體構成，較佳為例如5nm~200nm，進而較佳為8nm~150nm。作為構成電洞傳輸層之材料，可使用可溶於有機溶劑之發光材料，例如，聚乙烯咔唑、聚茀、聚苯胺、聚矽烷或者其等之衍生物、於支鏈或主鏈具有芳香族胺之聚矽氧烷衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚吡咯或Alq3(三(8-羥基喹啉)鋁)等。
於發光層中，若施加電場，則發生電子與電洞之再結合從而發光。發光層之厚度亦取決於元件之整體構成，較佳為例如10nm~200nm，進而較佳為20nm~150nm。發光層亦可為單層或者積層構造。具體而言，可於電洞傳輸層上單層設置紅色、綠色、藍色之發光層。或者，亦可將藍色發光層設為紅色、綠色及藍色之有機EL元件之共通層，於紅色有機EL元件中，於紅色發光層上積層藍色發光層，於綠色有機EL元件中，於綠色發光層上積層藍色發光層。又，亦可積層紅色發光層、綠色發光層及藍色發光層，藉由將其等積層而形成白色有機EL元件。
構成發光層之材料只要使用與各發光層之發光色對應之材料即可，例如可列舉，聚茀系高分子衍生物、或(聚)對苯乙炔衍生物、聚苯衍生物、聚乙烯咔唑衍生物、聚噻吩衍生物、苝系色素、香豆素系色素、若丹明系色素、或者於上述高分子中摻雜有機EL材料而成者。作為摻雜材料，可使用例如紅螢烯、苝、9,10-二苯基蒽、四苯 基丁二烯、尼祿紅、香豆素6等。再者，構成發光層之材料亦可將上述材料混合2種以上而使用。又，不限於上述高分子量材料，亦可組合低分子量材料而使用。作為低分子材料之例，可列舉，苯炔、苯乙烯基胺、三苯胺、卟啉、聯三伸苯、氮雜聯三伸苯、四氰基喹諾二甲烷、三唑、咪唑、二唑、聚芳基烷烴、苯二胺、芳基胺、唑、蒽、茀酮、腙、茋或者該等之衍生物、或者、聚矽烷系化合物、乙烯咔唑系化合物、噻吩系化合物或者苯胺系化合物等雜環式共軛系單體或者低聚物。
作為構成發光層之材料，可使用發光效率較高之材料，例如，低分子螢光材料、磷光色素或者金屬錯合物等有機發光材料，作為除了上述材料以外之發光性客體材料。
再者，發光層可設為例如兼作上述電洞傳輸層之電洞傳輸性發光層，又，亦可設為兼作電子傳輸層之電子傳輸性發光層。
電子傳輸層及電子注入層係用於提高對發光層之電子傳輸效率。電子傳輸層及電子注入層之總膜厚亦取決於元件之整體構成，例如較佳為5nm~200nm，更佳為10nm~180nm。作為電子傳輸層之材料，較佳為使用具有優異之電子輸送能力之有機材料。藉由提高對發光層之電子傳輸效率，電場強度所導致之發光色之變化被抑制。具體而言，較佳為使用例如芳基吡啶衍生物及苯并咪唑衍生物等。其原因在於，藉此，即便利用較低之驅動電壓，亦可維持較高之電子之供給效率。作為電子注入層之材料，可列舉，鹼金屬、鹼土類金屬、稀土類金屬及其氧化物、複合氧化物、氟化物、碳酸鹽等。
再者，有機層84除了藉由真空蒸鍍法或旋轉塗佈法以外，亦可藉由浸漬法、刮刀法、放電塗佈法(discharge coat)、噴塗法等塗佈法，噴墨法、平版印刷法、凸版印刷法、凹版印刷法、網版印刷法、微凹版塗佈法等印刷法等形成，且亦可根據各層或各構件之性質，將 乾法與濕法併用。
陰極電極85之厚度例如為10nm左右，且包含透光性良好且功函數較小之材料。又，亦可藉由使用氧化物形成透明導電膜，而確保光之提取。於該情形時，可使用ZnO(Zinc Oxide，氧化鋅)、ITO、IZnO(Indium Zinc Oxide，銦鋅氧化物)、InSnZnO(銦錫鋅氧化物)等。陰極電極85可為單層，亦可為積層構造。
進而，於該有機EL元件81為空腔構造之情形時，較佳為使用半透過半反射材料構成陰極電極85。藉此，於陽極電極82側之光反射面、與陰極電極85側之光反射面之間進行多重干涉之發光光自陰極電極85側被提取出。於該情形時，陽極電極82側之光反射面與陰極電極85側之光反射面之間之光學距離由欲提取之光之波長界定，且以滿足該光學距離之方式設定各層之膜厚。於此種上表面發光型之有機EL元件81中，藉由積極地使用該空腔構造，可改善向外部提取光之效率或控制發光光譜。
保護層86係用於防止水分滲入有機層84，使用透過性及透水性較低之材料，且形成例如厚度為2~3μm。作為保護層86之材料，亦可包含絕緣性材料或導電性材料之任一者。作為絕緣性材料，較佳為無機非晶性絕緣性材料，例如非晶矽(α-Si)、非晶形炭化碳化矽(α-SiC)、非晶形氮化矽(α-Si1-xNx)、及非晶形碳(α-C)等。此種無機非晶性絕緣性材料由於不構成晶粒故而成為透水性較低，且良好之保護膜。
密封用基板87係位於有機EL元件81之陰極電極85側，且與接著層(未圖示)一起密封有機EL元件81。密封用基板87包含對有機EL元件81所發出之光透明之玻璃等材料。於密封用基板81，設置有例如彩色濾光片及作為黑矩陣之遮光膜(均未圖示)，提取有機EL元件81所發出之光，並且吸收於各有機EL元件10間之配線中反射之外界光，從而 改善對比度。
彩色濾光片包括紅色濾光片、綠色濾光片及藍色濾光片(均未圖示)，且將其等依序配置。紅色濾光片、綠色濾光片及藍色濾光片分別呈例如矩形形狀而無間隙地形成。該等紅色濾光片、綠色濾光片及藍色濾光片分別由混入有顏料之樹脂構成，藉由選擇顏料，從而調整成作為目標之紅、綠或藍之波長區域之光透過率變高，其他波長區域之光透過率變低。
遮光膜包含例如混入有黑色著色劑之光學密度為1以上之黑色樹脂膜、或利用薄膜之干涉而成之薄膜濾光片。其中若使遮光膜包含黑色樹脂膜，則可經濟且容易地形成，故而較佳。薄膜濾光片係將由例如金屬、金屬氮化物或者金屬氧化物形成之薄膜積層1層以上，並利用薄膜之干涉使光衰減。具體而言，作為薄膜濾光片，可列舉將Cr與氧化鉻(III)(Cr2O3)交替地積層而成者。
圖21係表示該電子器件(顯示裝置)2之概略構成。該電子器件(顯示裝置)2係用作有機EL電視裝置等，且於基板1上，形成有包含TFT層60、及顯示體70之功能部3。功能部3係於基板1上，具有顯示區域110A、及周邊區域110B。於顯示區域110A中，將發出紅色光之紅色有機EL元件81R、發出綠色光之綠色有機EL元件81G、及發出藍色光之藍色有機EL元件81B依序作為整體且呈矩陣狀配置。周邊區域110B係以包圍顯示區域110之方式配置。於周邊區域110B，設置有作為影像顯示用驅動器之信號線驅動電路120及掃描線驅動電路130。
於顯示區域110A內設置有像素驅動電路140。圖22係表示像素驅動電路140之一例。像素驅動電路140係形成於陽極電極81之下層之TFT層60之主動型驅動電路。即，該像素驅動電路140包括：驅動電晶體Tr1及寫入電晶體Tr2；該等電晶體Tr1、Tr2之間之電容器(保持電容)Cs；及於第一電源線(Vcc，電源線)及第二電源線(GND，地線)之 間，串聯連接於驅動電晶體Tr1之紅色有機EL元件81R(或綠色有機EL元件81G、藍色有機EL元件81B)。驅動電晶體Tr1及寫入電晶體Tr2包含例如如圖20所示之TFT64般之底閘極型氧化物半導體TFT。
於像素驅動電路140中，於行方向上配置有複數條信號線120A，於列方向上配置有複數條掃描線130A。各信號線120A與各掃描線130A之交叉點對應於紅色有機EL元件81R、綠色有機EL元件81G、及藍色有機EL元件81B之任一者。各信號線120A連接於信號線驅動電路120，且自該信號線驅動電路120經由信號線120A而向寫入電晶體Tr2之源極電極供給圖像信號。各掃描線130A連接於掃描線驅動電路130，且自該掃描線驅動電路130經由掃描線130A而向寫入電晶體Tr2之閘極電極依序供給掃描信號。
於該電子器件(顯示裝置)2中，對各像素自掃描線驅動電路130經由寫入電晶體Tr2之閘極電極供給掃描信號，並且來自信號線驅動電路120之圖像信號經由寫入電晶體Tr2而保持於保持電容Cs。即，根據該保持電容Cs所保持之信號，控制驅動電晶體Tr1之開啟關閉，藉此，向有機EL元件81注入驅動電流Id，而電洞與電子再結合從而發光。該光係於下表面發光(底部發光)之情形時，透過陽極電極82及基板1被提取出，於上表面發光(頂部發光)之情形時，透過陰極85、彩色濾光片(未圖示)及密封用基板87而被提取出。
(應用例)
以下，對如上所述之電子器件(顯示裝置)2之應用於電子機器之例進行說明。作為電子機器，例如可列舉，電視裝置、數位相機、筆記型個人電腦、行動電話等移動終端裝置或者攝錄影機等。即，上述顯示裝置可應用於將自外部輸入之影像信號或者於內部產生之影像信號作為圖像或者影像進行顯示之所有領域之電子機器。
(應用例1)
圖23及圖24係表示電子書210之外觀構成。該電子書210包括例如，顯示部211、非顯示部212、及操作部213。再者，操作部213可如圖23所示般設置於非顯示部212之表面，亦可如圖24所示般設置於非顯示部212之上表面。顯示部211包含電子器件(顯示裝置)2。再者，電子器件(顯示裝置)2亦可搭載於具有與圖23及圖24所示之電子書相同之構成之PDA(Personal Digital Assistants，個人數位助理)等。
(應用例2)
圖25係表示智慧型手機220之外觀。該智慧型手機220包括例如，顯示部221及非顯示部222。顯示部221包含電子器件(顯示裝置)2。
(應用例3)
圖26係表示應用有上述實施形態之顯示裝置之電視裝置230之外觀。該電視裝置230包括例如，包含前面板231及濾光片玻璃232之影像顯示畫面部233。影像顯示畫面部233包括電子器件(顯示裝置)2。
(應用例4)
圖27係表示平板個人電腦240之外觀。該平板個人電腦240包括例如，觸控面板部241及殼體242，且觸控面板部241包含電子器件(顯示裝置)2。
(應用例5)
圖28及圖29係表示數位靜態相機250之外觀。該數位靜態相機250包括例如，閃光用之發光部251、顯示部252、選單開關253及快門按鈕254，且顯示部252包含電子器件(顯示裝置)2。
(應用例6)
圖30係表示筆記型個人電腦260之外觀。該筆記型個人電腦260包括例如，本體261、用於文字等之輸入操作之鍵盤262及顯示圖像之顯示部263，且顯示部263包含電子器件(顯示裝置)2。
(應用例7)
圖31係表示攝錄影機270之外觀。該攝錄影機270包括例如，本體部271、設置於該本體部271之前側面之被攝體撮影用透鏡272、撮影時之啟動/終止開關273及顯示部274。顯示部274包含電子器件(顯示裝置)2。
(應用例8)
圖32及圖33係表示另一電子書280之外觀。電子書280係將柔軟之素材組件化而形成之薄型可撓性顯示器。該電子書280係如將複數張紙(頁面)訂綴而製作之實際之書般，可將裝置整體閉合(摺疊)、或者打開。使用者可於宛若正實際地讀本般之感覺下，瀏覽電子書3所顯示之內容(例如書籍之頁面等)。
電子書280係於支持基板281上，具備顯示部282，且於書之「書脊」之部分(書脊283A)，具有合頁部283。於該電子書280之下表面(於閉合時成為外側之面)側設置有由柔軟之樹脂膜形成之保護層284，上表面(於閉合時成為內側之面)側係被由柔軟且對顯示光具有透明性之樹脂膜形成之保護薄片285覆蓋。顯示部282包含電子器件(顯示裝置)2。
(應用例9)
圖34及圖35係表示行動電話290之外觀。該行動電話290係例如，將上側殼體291與下側殼體292藉由連結部(合頁部)293連結，且包括顯示器294、次顯示器295、圖片燈296及相機297。顯示器294或次顯示器295包括電子器件(顯示裝置)2。
以上，列舉實施形態對本技術進行了說明，但本技術並不限定於該等實施形態等，可進行各種變化。例如，於上述實施形態等中，對作為電子器件(顯示裝置)2之電子紙顯示器及有機EL顯示裝置進行了說明，但亦可為液晶顯示裝置等其他顯示裝置。又，本技術之電子 器件2除了可應用於顯示裝置以外，亦可應用於感測器等。
又，於上述實施形態等中說明之各層之材料及厚度、或成膜方法及成膜條件等並無特別限定，亦可設為其他材料及厚度，或其亦可設為其他成膜方法及成膜條件。
進而，於上述實施形態等中，具體地列舉基板1及電子器件2之構成並進行了說明，但本技術之基板1及電子器件2並非限定於包括圖示之構成要素之全部。又，亦可將一部分構成要素替換為其他構成要素。
本技術可取如下之構成。
(1)
一種基板之製造方法，其包括如下步驟：研磨素材基板之表面；於上述素材基板之表面後，於上述素材基板之表面形成平坦化膜。
(2)
如上述(1)之基板之製造方法，其中於將上述素材基板貼附於支持體後之狀態下，進行上述研磨步驟及上述平坦化膜形成步驟。
(3)
如上述(1)或(2)之基板之製造方法，其中由具有與上述素材基板之線膨脹係數相同或大致相同之線膨脹係數之材料構成上述平坦化膜。
(4)
如上述(1)至(3)中任一項之基板之製造方法，其中由具有與上述素材基板之熱縮相同或大致相同之熱縮之材料構成上述平坦化膜。
(5)
如上述(1)至(4)中任一項之基板之製造方法，其中使上述平坦化膜之厚度薄於上述素材基板之厚度。
(6)
如上述(5)之基板之製造方法，其中將上述平坦化膜之厚度設為上述素材基板之厚度之五分之一以下。
(7)
如上述(1)至(6)中任一項之基板之製造方法，其中於研磨上述素材基板之表面之步驟中，係對上述素材基板之整個表面進行研磨。
(8)
如上述(7)之基板之製造方法，其中於研磨上述素材基板之表面之步驟中，研磨至存在於上述素材基板之表面之凸缺陷之高度成為上述平坦化膜之厚度以下為止。
(9)
如上述(8)之基板之製造方法，其中於研磨上述素材基板之表面之步驟中，係使上述素材基板之研磨損傷之深度為上述平坦化膜之厚度以下。
(10)
如上述(1)至(9)中任一項之基板之製造方法，其中由具有可撓性之樹脂片材構成上述素材基板。
(11)
如上述(1)至(10)中任一項之基板之製造方法，其中形成樹脂膜作為上述平坦化膜。
(12)
如上述(1)至(11)中任一項之基板之製造方法，其進而包括如下步驟：於上述平坦化膜之表面，形成包含無機膜之障壁塗層。
(13)
如上述(1)至(10)中任一項之基板之製造方法，其中形成兼作障壁塗層之無機膜作為上述平坦化膜。
(14)
一種電子器件之製造方法，其包括如下步驟：形成基板；及於上述基板形成功能部；且形成上述基板之步驟包含如下步驟：研磨素材基板之表面；及於研磨上述素材基板之表面後，於上述素材基板之表面形成平坦化膜。
(15)
如上述(14)之電子器件之製造方法，其中於將上述素材基板貼附於支持體後之狀態下，進行上述研磨步驟及上述平坦化膜形成步驟。
(16)
如上述(15)之電子器件之製造方法，其中於在上述基板形成功能部後，進而包括如下步驟：將包含上述素材基板及上述平坦化膜之基板本體自上述支持體剝離；及將上述基板本體切斷而形成模組。
(17)
如上述(15)之電子器件之製造方法，其中於在上述基板上形成功能部後，進而包括如下步驟： 將上述基板切斷而形成模組；及將包含上述素材基板及上述平坦化膜之基板本體自上述支持體剝離。
本申請案係以於日本特許廳於2013年7月16日申請之日本專利申請案編號2013-147741號作為基礎而主張優先權者，藉由參照該申請案之全部內容而將其引用於本申請案。
若為業者便可根據設計上之必要條件及其他要因，想出各種修正、組合、次組合、及變更，但應理解該等係包含於隨附之申請範圍及其均等物之範圍內者。
S101~S107‧‧‧步驟

Claims (17)

  1. 一種基板之製造方法，其包括如下步驟：研磨素材基板之表面；及於研磨上述素材基板之表面後，於上述素材基板之表面形成平坦化膜。
  2. 如請求項1之基板之製造方法，其中於將上述素材基板貼附於支持體後之狀態下，進行上述研磨步驟及上述平坦化膜形成步驟。
  3. 如請求項1之基板之製造方法，其中由具有與上述素材基板之線膨脹係數相同或大致相同之線膨脹係數之材料構成上述平坦化膜。
  4. 如請求項1之基板之製造方法，其中由具有與上述素材基板之熱縮相同或大致相同之熱縮之材料構成上述平坦化膜。
  5. 如請求項1之基板之製造方法，其中使上述平坦化膜之厚度薄於上述素材基板之厚度。
  6. 如請求項5之基板之製造方法，其中將上述平坦化膜之厚度設為上述素材基板之厚度之五分之一以下。
  7. 如請求項1之基板之製造方法，其中於研磨上述素材基板之表面之步驟中，係對上述素材基板之整個表面進行研磨。
  8. 如請求項7之基板之製造方法，其中於研磨上述素材基板之表面之步驟中，係研磨至存在於上述素材基板之表面之凸缺陷之高度成為上述平坦化膜之厚度以下 為止。
  9. 如請求項8之基板之製造方法，其中於研磨上述素材基板之表面之步驟中，係使上述素材基板之研磨損傷之深度為上述平坦化膜之厚度以下。
  10. 如請求項1之基板之製造方法，其中由具有可撓性之樹脂片材構成上述素材基板。
  11. 如請求項1之基板之製造方法，其中形成樹脂膜作為上述平坦化膜。
  12. 如請求項1之基板之製造方法，其進而包括如下步驟：於上述平坦化膜之表面，形成包含無機膜之障壁塗層。
  13. 如請求項1之基板之製造方法，其中形成兼作障壁塗層之無機膜作為上述平坦化膜。
  14. 一種電子器件之製造方法，其包括如下步驟：形成基板；及於上述基板形成功能部；且上述基板形成步驟包含如下步驟：研磨素材基板之表面；及於研磨上述素材基板之表面後，於上述素材基板之表面形成平坦化膜。
  15. 如請求項14之電子器件之製造方法，其中於將上述素材基板貼附於支持體後之狀態下，進行上述研磨步驟及上述平坦化膜形成步驟。
  16. 如請求項15之電子器件之製造方法，其中於在上述基板形成功能部後，進而包括如下步驟：將包含上述素材基板及上述平坦化膜之基板本體自上述支持體剝離；及將上述基板本體切斷而形成模組。
  17. 如請求項15之電子器件之製造方法，其中於在上述基板形成功能部後，進而包括如下步驟：將上述基板切斷而形成模組；及將包含上述素材基板及上述平坦化膜之基板本體自上述支持體剝離。
TW103120376A 2013-07-16 2014-06-12 基板之製造方法及電子器件之製造方法 TW201511112A (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013147741 2013-07-16

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201511112A true TW201511112A (zh) 2015-03-16

Family

ID=52346058

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103120376A TW201511112A (zh) 2013-07-16 2014-06-12 基板之製造方法及電子器件之製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9894775B2 (zh)
JP (1) JPWO2015008586A1 (zh)
KR (1) KR20160032039A (zh)
CN (1) CN105378821B (zh)
TW (1) TW201511112A (zh)
WO (1) WO2015008586A1 (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160080994A (ko) * 2014-12-30 2016-07-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US20200176712A1 (en) * 2017-06-27 2020-06-04 Sakai Display Products Corporation Flexible display, production method therefor, and flexible display support substrate
WO2019053820A1 (ja) * 2017-09-13 2019-03-21 堺ディスプレイプロダクト株式会社 フレキシブルディスプレイの製造装置
US10991898B2 (en) 2017-09-13 2021-04-27 Sakai Display Products Corporation Flexible display, method for manufacturing same, and support substrate for flexible display
CN109728165B (zh) * 2019-01-04 2021-09-21 京东方科技集团股份有限公司 一种显示背板及其制作方法、显示装置
JP6677842B2 (ja) * 2019-04-22 2020-04-08 堺ディスプレイプロダクト株式会社 フレキシブルディスプレイ、その製造方法、およびフレキシブルディスプレイ用支持基板

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4098032A (en) * 1975-10-20 1978-07-04 International Business Machines Corporation Method of forming air bearing rails of head assemblies
JP2789983B2 (ja) * 1993-01-28 1998-08-27 信越半導体株式会社 加工誤差補正装置
JPH0955362A (ja) * 1995-08-09 1997-02-25 Cypress Semiconductor Corp スクラッチを減少する集積回路の製造方法
KR100451937B1 (ko) * 2001-01-31 2004-10-22 주식회사 엘지 전자레인지의 전면시트의 제조방법 및 그것을 부착한전자레인지
KR100817134B1 (ko) * 2002-03-25 2008-03-27 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 패널의 제조장치 및 방법
JP2004335968A (ja) * 2003-05-12 2004-11-25 Sony Corp 電気光学表示装置の製造方法
JP4114551B2 (ja) * 2003-06-06 2008-07-09 株式会社豊田自動織機 補助電極を用いた面状発光装置
JP4939742B2 (ja) * 2003-10-28 2012-05-30 株式会社半導体エネルギー研究所 光学フィルムの作製方法
WO2005041249A2 (en) * 2003-10-28 2005-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing optical film
JP4396827B2 (ja) * 2004-02-12 2010-01-13 東北パイオニア株式会社 有機ｅｌパネルの製造方法
JP4583062B2 (ja) * 2004-03-31 2010-11-17 大日本印刷株式会社 透明ガス遮断性フィルム、及びその製造方法
JP4805587B2 (ja) * 2005-02-24 2011-11-02 エーユー オプトロニクス コーポレイション 液晶表示装置とその製造方法
US7625783B2 (en) * 2005-11-23 2009-12-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor element and method for manufacturing the same
KR101256013B1 (ko) * 2006-01-19 2013-04-18 삼성디스플레이 주식회사 액정표시장치의 제조장치 및 제조방법
US8740670B2 (en) * 2006-12-28 2014-06-03 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Sapphire substrates and methods of making same
US7775856B2 (en) * 2007-09-27 2010-08-17 Applied Materials, Inc. Method for removal of surface films from reclaim substrates
KR101493087B1 (ko) * 2008-05-27 2015-02-24 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치의 제조 방법
KR101280828B1 (ko) 2008-07-02 2013-07-02 엘지디스플레이 주식회사 기판결함의 수리방법
KR101572814B1 (ko) * 2008-12-05 2015-12-01 코닌클리케 필립스 엔.브이. 플라스틱 기판을 갖는 전자 디바이스
WO2012008166A1 (ja) * 2010-07-16 2012-01-19 パナソニック株式会社 有機ｅｌ素子の製造方法
JP2012043583A (ja) * 2010-08-17 2012-03-01 Sony Corp 表示装置およびその製造方法
JP5854746B2 (ja) * 2010-10-15 2016-02-09 日東電工株式会社 トップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンス発光装置およびその製法
JP2013029722A (ja) * 2011-07-29 2013-02-07 Sony Corp 表示装置および電子機器
JP2013067110A (ja) * 2011-09-22 2013-04-18 Dainippon Printing Co Ltd ガスバリア性フィルム、ガスバリア層、装置及びガスバリア性フィルムの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN105378821A (zh) 2016-03-02
WO2015008586A1 (ja) 2015-01-22
JPWO2015008586A1 (ja) 2017-03-02
KR20160032039A (ko) 2016-03-23
US20160165735A1 (en) 2016-06-09
CN105378821B (zh) 2019-10-25
US9894775B2 (en) 2018-02-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201511112A (zh) 基板之製造方法及電子器件之製造方法
TWI594662B (zh) 發光裝置，其製造方法，以及顯示單元
TWI734674B (zh) 發光裝置和電子裝置
KR102612798B1 (ko) 표시 장치 및 전자 기기
US20210036027A1 (en) Thin film transistor, display device, electronic apparatus and method of manufacturing thin film transistor
JP5546055B2 (ja) 表示装置、表示モジュール及び電子機器
CN106537486A (zh) 显示装置及电子装置
JP6330220B2 (ja) 表示装置、電子機器および基板
KR20180020091A (ko) 표시 장치
JP5288581B2 (ja) 半導体装置の作製方法
CN111863880A (zh) 电子装置
CN113809262A (zh) 显示装置
EP4047674A2 (en) Display apparatus, mask for manufacturing the display apparatus, and method of manufacturing the display apparatus
KR20200139300A (ko) 표시장치
JP2022078975A (ja) ディスプレイ装置
CN218920893U (zh) 显示面板
JP2015046391A (ja) 発光装置、及び電子機器
JP2018040867A (ja) 表示装置、電子機器、及び情報提供方法
KR20220166400A (ko) 표시 장치
CN115768187A (zh) 多层电极、包括该多层电极的发光二极管和显示设备
JP2012078460A (ja) 反射型表示装置
JP2018036584A (ja) 表示装置