JP2018040867A - 表示装置、電子機器、及び情報提供方法 - Google Patents

Abstract

【課題】表示領域に異なる解像度を有する電子機器。【解決手段】第１の表示領域及び第２の表示領域を有する表示装置は、第１の表示領域及び第２の表示領域が隣接して設けられ、第１の表示領域及び第２の表示領域は、異なる解像度の画素を有している。画素は、第１の表示素子及び第２の表示素子を有し、第１の表示素子は、可視光を反射する機能を有し、第２の表示素子は、可視光を発する機能を有し、外光に応じて最適な視認性を有する電子機器。【選択図】図１

Description

本発明の一態様は、表示装置、電子機器、及び情報提供方法に関する。

なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、又は、製造方法に関する。又は、本発明は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、又は、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関する。特に、本発明の一態様は、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、又はそれらの製造方法に関する。

なお、本明細書等において、半導体装置は、半導体特性を利用することで機能しうる素子、回路、又は装置等を指す。一例としては、トランジスタ、ダイオード等の半導体素子は半導体装置である。また別の一例としては、半導体素子を有する回路は、半導体装置である。また別の一例としては、半導体素子を有する回路を備えた装置は、半導体装置である。

スマートフォン、タブレット、電子ブック等のモバイル機器が普及している。モバイル機器は、屋外環境や室内環境など利用する環境の明るさに適した表示をすることが求められている。さらに電子ブック、タブレットなどで、電子書籍を読む場合、長時間使用できることが求められている。

自然光や室内照明光など、十分な明るさの外光がある環境では反射光を利用した表示を行い、十分な明るさを得られない環境では発光素子を利用した表示を行うことで、低電力化を実現する表示装置が提案されている。

例えば特許文献１では、１つの画素に、液晶素子を制御する画素回路と、発光素子を制御する画素回路とが設けられている、ハイブリッド（複合型）表示装置が開示されている。

トランジスタに適用可能な半導体材料として酸化物半導体が注目されている。例えば、金属酸化物として酸化亜鉛、又はＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物半導体を用いてトランジスタを作製する技術が特許文献２に開示されている。半導体層に、金属酸化物を有するトランジスタをＯＳトランジスタという。

ＯＳトランジスタはオフ電流が非常に小さい。そのことを利用して、静止画像を表示する際のリフレッシュ頻度を少なくし、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイの消費電力を低減する技術が特許文献３に開示されている。なお、本明細書において、上述の表示装置の消費電力を減らす技術を、「アイドリング・ストップ駆動」もしくは「ＩＤＳ駆動」と呼称する。

また、フィルム基板上にトランジスタ及び有機ＥＬ素子を備えた、可撓性を有するアクティブマトリクス型の発光装置が、特許文献４に開示されている。

国際公開第２００７／０４１１５０号公報 特開２００７−１２３８６１号公報 特開２０１１−１４１５２２号公報 特開２００３−１７４１５３号公報

外光を利用して表示を行う方法として、反射型液晶表示装置がある。反射型液晶表示装置ではバックライトを必要としないため低消費電力であるが、明るい外光が得られる場所でないと良好な表示を行えない。ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子は自発光素子であるため、発光表示装置は暗い場所で良好な表示ができる一方、明るい場所では、外光に対して輝度が固定されるため、視認性が低下してしまう課題がある。

明るい外光が得られる場所でスマートフォン、タブレット、電子ブック、及びパーソナルコンピュータなどが使用されることが多くなってきた。その中でも、スマートフォン、タブレット、及び電子ブックなど、明るい外光が得られる場所で使用される電子機器は、視認性を上げるために高輝度で表示される。そのため電力を消費しやすい。したがって、長時間の使用に耐えられるようにバッテリの容量を大きくする必要がある。ただしバッテリの容量を大きくすると、モバイル機器が重くなる課題がある。

スマートフォン、タブレット、及び電子ブックなどの電子機器を長時間使用するためには、消費電力を小さくする必要がある。消費電力を制御する方法として、通信データ量の削減が提案されている。特に電子機器が待機状態において、通信データ量の削減は、電子機器の送受信回路、制御回路、表示装置の駆動回路などが動作するため、バッテリ容量が低下する課題がある。

上記問題に鑑み、本発明の一態様は、新規な構成の表示装置を提供することを課題の一とする。又は、本発明の一態様は、消費電力を低減させる電子機器を提供することを課題の一とする。又は、本発明の一態様は、異なる解像度の表示領域を有することで、表示に必要なデータ量を削減する電子機器を提供することを課題の一とする。又は、本発明の一態様は、電子機器の状態に応じて情報を提供する情報提供方法を提供することを課題の一とする。

なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。

なお本発明の一態様の課題は、上記列挙した課題に限定されない。上記列挙した課題は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお他の課題は、以下の記載で述べる、本項目で言及していない課題である。本項目で言及していない課題は、当業者であれば明細書又は図面等の記載から導き出せるものであり、これらの記載から適宜抽出することができる。なお、本発明の一態様は、上記列挙した記載、及び／又は他の課題のうち、少なくとも一つの課題を解決するものである。

本発明の一態様は、第１の表示領域及び第２の表示領域を有する表示装置であって、第１の表示領域及び第２の表示領域は隣接して設けられ、第１の表示領域は、複数の第１の画素を有し、第２の表示領域は、複数の第２の画素を有し、第１の画素及び第２の画素は、それぞれが第１の表示素子及び第２の表示素子を有し、第１の画素は、第２の画素が有する第１の表示素子とは異なる面積の第１の表示素子を有し、第１の画素は、第２の画素が有する前記第２の表示素子とは異なる面積の第２の表示素子を有し、第１の表示素子は、可視光を反射する機能を有し、第２の表示素子は、可視光を発する機能を有する表示装置である。

上記各構成において、表示装置は、第１のゲートドライバと、第２のゲートドライバと、を有し、第１の画素の奇数行と、第２の画素とは、第１のゲートドライバに接続された同一の走査線によって選択され、第１の画素の偶数行は、第２のゲートドライバに接続された走査線によって選択されることを特徴とする表示装置が好ましい。

上記各構成において、表示装置は、第１の画素の奇数列と、第２の画素とは、同一の奇数列の信号線によって表示が更新され、第１の画素の偶数列は、偶数列の信号線によって表示が更新されることを特徴とする表示装置が好ましい。

上記各構成において、第１の表示素子は、反射型の液晶素子である表示装置が好ましい。

上記各構成において、第２の表示素子は、発光素子である表示装置が好ましい。

上記各構成において、トランジスタを有し、トランジスタは、半導体層に金属酸化物を有する表示装置が好ましい。

上記各構成において、第１の表示素子が反射する第１の光、及び第２の表示素子が発する第２の光のうち、いずれか一方又は両方により、画像を表示する機能を有する表示装置が好ましい。

上記各構成において、筐体と、を備える電子機器であって、筐体は、第１の面と、第２の面と、第３の面と、を有し、第１の面と、前記第２の面とは、第３の面を介して連続しており、第１の面と、第２の面の間には、曲率を有する第３の面を有し、第１の面には、第１の表示領域を有し、第２の面には、第２の表示領域を有し、第３の面には、配線のみを有する非表示領域を有し、第１の面と、第２の面は、それぞれが異なる方向に対して表示する機能を有する電子機器が好ましい。

本発明の一様態は、情報を提供するアプリケーションサーバは、通信手段を備えた電子機器からの要求に応じて、通信ネットワークを介して情報を提供する手段を有し、電子機器が有する固体ＩＤは、第１の表示領域と、第２の表示領域とを有する表示装置を有していることが関連付けられた情報を有し、電子機器は、待機状態又は起動状態の状態管理フラグと、固有ＩＤと、を、アプリケーションサーバに送信するステップを有し、アプリケーションサーバは、固有ＩＤから、電子機器が第２の表示領域を有するか判断するステップを有し、アプリケーションサーバは、電子機器が状態管理フラグにより待機状態を認識するステップを有し、アプリケーションサーバは、第２の表示領域に適した第２の情報を提供するステップを有し、電子機器は、電子機器に設定された周期で、第２の情報を受信するステップを有し、アプリケーションサーバは、電子機器が前記状態管理フラグにより起動状態を認識するステップを有し、アプリケーションサーバは、第１の表示領域に適した第１の情報を提供するステップを有し、電子機器は、第１の情報を受信するステップを有し、アプリケーションサーバは、第２の表示領域に適した第２の情報を提供可能か判断するステップを有し、アプリケーションサーバは、第２の情報を第２の表示領域に提供するステップを有する情報提供方法である。

上記各構成において、電子機器は、待機状態で受信した第２の情報により、第２の表示領域を、第１の表示素子にて表示を更新し、情報の種類を示す表示オブジェクト（アイコンを含む）もしくは表示オブジェクトのアウトラインを、第２の表示素子にて点灯又は点滅表示する機能を有する情報提供方法が好ましい。

本発明の一様態は、情報を提供するアプリケーションサーバは、通信手段を備えた電子機器からの要求に応じて、通信ネットワークを介して情報を提供する手段を有し、電子機器が有する固体ＩＤは、第１の表示領域と、第２の表示領域とを有する表示装置を有していることが関連付けられた情報を有し、電子機器で動画再生するために、動画情報のダウンロード要求と、固有ＩＤと、を、アプリケーションサーバに伝えるステップを有し、アプリケーションサーバは、固有ＩＤから、電子機器が前記第２の表示領域を有すると認識するステップを有し、アプリケーションサーバは、第１の表示領域に表示する第１の情報として動画情報を提供するステップを有し、電子機器は、第１の情報を受信するステップを有しアプリケーションサーバは、第２の表示領域に適した第２の情報を提供可能か判断するステップを有し、アプリケーションサーバは、第２の情報を第２の表示領域に提供するステップを有する情報提供方法である。

上記各構成において、電子機器が有する、外光センサによって検出した環境の明るさによって、第１の表示素子が反射する第１の光、及び第２の表示素子が発する第２の光のうち、いずれか一方又は両方により、画像を表示する機能を有する電子機器が好ましい。

本発明の一態様は、新規な構成の表示装置を提供することができる。又は、本発明の一態様は、消費電力を低減させる電子機器を提供することができる。又は、本発明の一態様は、異なる解像度の表示領域を有することで、表示に必要なデータ量を削減する電子機器を提供することができる。又は、本発明の一態様は、電子機器の状態に応じて情報を提供する情報提供方法を提供することができる。

なお本発明の一態様の効果は、上記列挙した効果に限定されない。上記列挙した効果は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお他の効果は、以下の記載で述べる、本項目で言及していない効果である。本項目で言及していない効果は、当業者であれば明細書又は図面等の記載から導き出せるものであり、これらの記載から適宜抽出することができる。なお、本発明の一態様は、上記列挙した効果、及び／又は他の効果のうち、少なくとも一つの効果を有するものである。したがって本発明の一態様は、場合によっては、上記列挙した効果を有さない場合もある。

（Ａ）電子機器の構成を説明する図。（Ｂ）表示装置の構成を説明する図。 （Ａ）表示装置の構成を説明する図。（Ｂ）表示装置の構成を説明する図。 （Ａ）電子機器の使用状態の例を説明する図。（Ｂ）電子機器の使用状態の例を説明する図。（Ｃ）電子機器の使用状態の例を説明する図。（Ｄ）電子機器の使用状態の例を説明する図。（Ｅ）電子機器の使用状態の例を説明する図。（Ｆ）表示オブジェクトの表示例を説明する図。 （Ａ）電子機器の構成を説明する図。（Ｂ）表示装置の構成を説明する図。 （Ａ）電子機器の構成を説明する図。（Ｂ）表示装置の構成を説明する図。 システムの構成を説明する図。 電子機器とアプリケーションサーバ間の処理を説明するフローチャート。 電子機器とアプリケーションサーバ間の処理を説明するフローチャート。 （Ａ）表示装置を説明するブロック図。（Ｂ）表示装置を説明するブロック図。 （Ａ）画素を説明する図。（Ｂ）画素を説明する図。（Ｃ）画素を説明する図。 （Ａ）画素を説明する図。（Ｂ）画素を説明する図。（Ｃ）画素を説明する図。 （Ａ）画素を説明する図。（Ｂ）画素を説明する図。（Ｃ）画素を説明する図。 表示装置の構成を説明する図。 表示装置の構成を説明する図。 表示装置の構成を説明する図。 （Ａ）トランジスタの構成を説明する図。（Ｂ）トランジスタの構成を説明する図。（Ｃ）トランジスタの構成を説明する図。 表示装置の構成を説明する図。 表示装置の回路を説明する図及び画素の上面図。 表示装置の回路を説明する図。 表示装置の回路を説明する図及び画素の上面図。 （Ａ）表示装置の構成を説明する図。（Ｂ）表示モジュールの一例を示す図。 表示装置の構成を説明する図。 表示装置の構成を説明する図。 表示装置の構成を説明する図。 表示装置の構成を説明する図。 表示装置の構成を説明する図。 表示装置の構成を説明する図。

以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。ただし、実施の形態は多くの異なる態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。したがって、本発明は、以下の実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

また、図面において、大きさ、層の厚さ、又は領域は、明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。なお図面は、理想的な例を模式的に示したものであり、図面に示す形状又は値などに限定されない。

また、本明細書にて用いる「第１」、「第２」、「第３」という序数詞は、構成要素の混同を避けるために付したものであり、数的に限定するものではないことを付記する。

また、本明細書において、「上に」、「下に」などの配置を示す語句は、構成同士の位置関係を、図面を参照して説明するために、便宜上用いている。また、構成同士の位置関係は、各構成を描写する方向に応じて適宜変化するものである。したがって、明細書で説明した語句に限定されず、状況に応じて適切に言い換えることができる。

また、本明細書等において、トランジスタとは、ゲートと、ドレインと、ソースとを含む少なくとも三つの端子を有する素子である。そして、ドレイン（ドレイン端子、ドレイン領域又はドレイン電極）とソース（ソース端子、ソース領域又はソース電極）の間にチャネル領域を有しており、ドレインとチャネル領域とソースとを介して電流を流すことができるものである。なお、本明細書等において、チャネル領域とは、電流が主として流れる領域をいう。

また、ソースやドレインの機能は、異なる極性のトランジスタを採用する場合や、回路動作において電流の方向が変化する場合などには入れ替わることがある。このため、本明細書等においては、ソースやドレインの用語は、入れ替えて用いることができるものとする。

また、本明細書等において、「電気的に接続」には、「何らかの電気的作用を有するもの」を介して接続されている場合が含まれる。ここで、「何らかの電気的作用を有するもの」は、接続対象間での電気信号の授受を可能とするものであれば、特に制限を受けない。例えば、「何らかの電気的作用を有するもの」には、電極や配線をはじめ、トランジスタなどのスイッチング素子、抵抗素子、インダクタ、キャパシタ、その他の各種機能を有する素子などが含まれる。

また、本明細書等において、「平行」とは、二つの直線が−１０°以上１０°以下の角度で配置されている状態をいう。したがって、−５°以上５°以下の場合も含まれる。また、「垂直」とは、二つの直線が８０°以上１００°以下の角度で配置されている状態をいう。したがって、８５°以上９５°以下の場合も含まれる。

また、本明細書等において、「膜」という用語と、「層」という用語とは、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変更することが可能な場合がある。又は、例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能な場合がある。

また、本明細書等において、特に断りがない場合、オフ電流とは、トランジスタがオフ状態（非導通状態、遮断状態、ともいう）にあるときのドレイン電流をいう。オフ状態とは、特に断りがない場合、ｎチャネル型トランジスタでは、ゲートとソースの間の電圧Ｖｇｓがしきい値電圧Ｖｔｈよりも低い状態、ｐチャネル型トランジスタでは、ゲートとソースの間の電圧Ｖｇｓがしきい値電圧Ｖｔｈよりも高い状態をいう。例えば、ｎチャネル型のトランジスタのオフ電流とは、ゲートとソースの間の電圧Ｖｇｓがしきい値電圧Ｖｔｈよりも低いときのドレイン電流を言う場合がある。

トランジスタのオフ電流は、Ｖｇｓに依存する場合がある。したがって、トランジスタのオフ電流がＩ以下である、とは、トランジスタのオフ電流がＩ以下となるＶｇｓの値が存在することを言う場合がある。トランジスタのオフ電流は、所定のＶｇｓにおけるオフ状態、所定の範囲内のＶｇｓにおけるオフ状態、又は、十分に低減されたオフ電流が得られるＶｇｓにおけるオフ状態、等におけるオフ電流を指す場合がある。

一例として、しきい値電圧Ｖｔｈが０．５Ｖであり、Ｖｇｓが０．５Ｖにおけるドレイン電流が１×１０^−９Ａであり、Ｖｇｓが０．１Ｖにおけるドレイン電流が１×１０^−１３Ａであり、Ｖｇｓが−０．５Ｖにおけるドレイン電流が１×１０^−１９Ａであり、Ｖｇｓが−０．８Ｖにおけるドレイン電流が１×１０^−２２Ａであるようなｎチャネル型トランジスタを想定する。当該トランジスタのドレイン電流は、Ｖｇｓが−０．５Ｖにおいて、又は、Ｖｇｓが−０．５Ｖ乃至−０．８Ｖの範囲において、１×１０^−１９Ａ以下であるから、当該トランジスタのオフ電流は１×１０^−１９Ａ以下である、と言う場合がある。当該トランジスタのドレイン電流が１×１０^−２２Ａ以下となるＶｇｓが存在するため、当該トランジスタのオフ電流は１×１０^−２２Ａ以下である、と言う場合がある。

また、本明細書等では、チャネル幅Ｗを有するトランジスタのオフ電流を、チャネル幅Ｗあたりを流れる電流値で表す場合がある。また、所定のチャネル幅（例えば１μｍ）あたりを流れる電流値で表す場合がある。後者の場合、オフ電流の単位は、電流／長さの次元を持つ単位（例えば、Ａ／μｍ）で表される場合がある。

トランジスタのオフ電流は、温度に依存する場合がある。本明細書において、オフ電流は、特に記載がない場合、室温、６０℃、８５℃、９５℃、又は１２５℃におけるオフ電流を表す場合がある。又は、当該トランジスタが含まれる半導体装置等の信頼性が保証される温度、又は、当該トランジスタが含まれる半導体装置等が使用される温度（例えば、５℃乃至３５℃のいずれか一の温度）におけるオフ電流、を表す場合がある。トランジスタのオフ電流がＩ以下である、とは、室温、６０℃、８５℃、９５℃、１２５℃、当該トランジスタが含まれる半導体装置の信頼性が保証される温度、又は、当該トランジスタが含まれる半導体装置等が使用される温度（例えば、５℃乃至３５℃のいずれか一の温度）、におけるトランジスタのオフ電流がＩ以下となるＶｇｓの値が存在することを指す場合がある。

トランジスタのオフ電流は、ドレインとソースの間の電圧Ｖｄｓに依存する場合がある。本明細書において、オフ電流は、特に記載がない場合、Ｖｄｓが０．１Ｖ、０．８Ｖ、１Ｖ、１．２Ｖ、１．８Ｖ、２．５Ｖ、３Ｖ、３．３Ｖ、１０Ｖ、１２Ｖ、１６Ｖ、又は２０Ｖにおけるオフ電流を表す場合がある。又は、当該トランジスタが含まれる半導体装置等の信頼性が保証されるＶｄｓ、又は、当該トランジスタが含まれる半導体装置等において使用されるＶｄｓにおけるオフ電流、を表す場合がある。トランジスタのオフ電流がＩ以下である、とは、Ｖｄｓが０．１Ｖ、０．８Ｖ、１Ｖ、１．２Ｖ、１．８Ｖ、２．５Ｖ、３Ｖ、３．３Ｖ、１０Ｖ、１２Ｖ、１６Ｖ、２０Ｖ、当該トランジスタが含まれる半導体装置の信頼性が保証されるＶｄｓ、又は、当該トランジスタが含まれる半導体装置等において使用されるＶｄｓ、におけるトランジスタのオフ電流がＩ以下となるＶｇｓの値が存在することを指す場合がある。

上記オフ電流の説明において、ドレインをソースと読み替えてもよい。つまり、オフ電流は、トランジスタがオフ状態にあるときのソースを流れる電流を言う場合もある。

また、本明細書等では、オフ電流と同じ意味で、リーク電流と記載する場合がある。また、本明細書等において、オフ電流とは、例えば、トランジスタがオフ状態にあるときに、ソースとドレインとの間に流れる電流を指す場合がある。

なお、電圧とは２点間における電位差のことをいい、電位とはある一点における静電場の中にある単位電荷が持つ静電エネルギー（電気的な位置エネルギー）のことをいう。ただし、一般的に、ある一点における電位と基準となる電位（例えば接地電位）との電位差のことを、単に電位もしくは電圧と呼び、電位と電圧が同義語として用いられることが多い。このため、本明細書では特に指定する場合を除き、電位を電圧と読み替えてもよいし、電圧を電位と読み替えてもよいこととする。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置及び電子機器について、図１乃至図５を用いて説明する。

本発明の一態様の表示装置は、第１の領域及び第１の領域と隣接する第２の領域を有する。第１の領域には、可視光を反射する機能を有する表示素子及び可視光を発する機能を有する表示素子が設けられる。また、第２の領域には、可視光を発する機能を有する表示素子が設けられる。

電子機器において、第１の領域は主の表示を行う第１面（上面など）に設けられ、第２の領域は補助的な表示を行う第２面（側面など）に設けられる。

第２の領域での表示は必要に応じて行えばよいため、通常は表示を行わず消費電力を低減させることができる。また、第２の領域における表示素子の構成を簡略化することができるため、製造歩留まりを高めることができる。

［電子機器の例］
図１（Ａ）は、以下で例示する本発明の一態様の表示装置を有する電子機器の上面側を示す斜視概略図であり、図１（Ｂ）は裏面側を示す斜視概略図である。

図１（Ａ）、（Ｂ）に示す電子機器は、スマートフォン又はタブレット端末として用いることができ、筐体１０と、筐体１０の表面に沿って設けられた表示装置１１を備える。なお、筐体１０には透明な保護カバーなども含まれ、表示装置１１は当該保護カバーの内側に沿って設けられてもよい。

例えば、筐体１０は上面形状が略矩形の略六面体であり、面１２ａ（上面）と、面１２ａと対向する面１２ｄ（下面）と、面１２ａ及び面１２ｄと隣接する面１２ｂ（側面）と、面１２ｂ（側面）と対向する面１２ｃ（側面）と、その他の二つの側面を有する。

表示装置１１は、面１２ａと重なる表示領域１１ａと、面１２ｂと重なる表示領域１１ｂとを有する。ここで、表示領域１１ａには、可視光を反射する機能を有する表示素子及び可視光を発する機能を有する表示素子が設けられる。また、表示領域１１ｂには、表示領域１１ａとは異なる大きさの、可視光を反射する機能を有する表示素子及び可視光を発する機能を有する表示素子が設けられる。

表示領域１１ｂと重なる面１２ｂは、曲率を有してもよい。例えば、上面と側面、及び側面と下面との間に角部を有さず、これらの面が連続していることが好ましい。

このような形状とすることで、電子機器を手で保持する際の安定性や操作性を高めることができる。また、側面が広範囲の角度から視認することができ、表示領域１１ｂに表示を行ったときの視認性を高めることができる。

図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、表示領域１１ｂは、面１２ｂに沿って設けられる。なお、表示領域１１ｂは、面１２ｂの全体ではなく、一部を覆うように設けられていてもよい。また、表示領域１１ｂは、面１２ｄまで延在して設けられていてもよい。

なお、図１（Ａ）、（Ｂ）では、片側側面に表示領域を設ける構成を示したが、図３（Ａ）に示すように、面１２ｂに表示領域１１ｂを設け、面１２ｃに表示領域１１ｃを設ける構成としてもよい。

また、図１（Ａ）、図３（Ａ）では、筐体１０の長軸方向の側面に表示領域を設ける構成を示したが、図４（Ａ）に示すように、筐体１０の短軸方向の側面である面１２ｅに表示領域１１ｂを設けてもよい。

表示装置１１は可撓性を有するが、筐体１０に組み込まれた状態においては、可撓性は有さなくてもよい。

なお、筐体１０の表面には表示装置１１、光センサ１０ａ、ハードウェアボタン、及び外部接続端子等のいずれか、もしくは複数を有していてもよい。

上述したような構成とすることで、従来の電子機器のように筐体の一面（例えば上面）のみ表示するのではなく、筐体の一面に隣接する側面にも表示を行うことが可能となる。特に、２つ以上の側面に沿って表示領域を設けると、表示の多様性がより高まるため好ましい。

図１（Ｃ）は、表示装置１１の上面概略図である。表示装置１１は可撓性を有する基板１４を備え、基板１４上に形成された複数の画素と、ゲートドライバ１８と、ゲートドライバ１９とを有する。表示装置１１は、表示領域１１ａ、表示領域１１ｂを有する。

表示領域１１ａは、その輪郭が四辺形の形状を有する。表示領域１１ｂは、表示領域１１ａの輪郭を形成する４辺のうち一辺に接して設けられている。

また、基板１４の一部には、画素を駆動するための信号や電力を供給するＦＰＣ１６ａを備える。図１（Ｃ）では、ＦＰＣ１６ａに実装されたＩＣ１７を備える構成を示しているが、ＩＣ１７は不要であれば設けなくてもよい。

基板１４上にＩＣ１７を直接実装する構成としてもよい。ここで、ＦＰＣ１６ａの幅が、表示領域１１ａの幅よりも小さいことが好ましい。このようにすることで、特に表示領域１１ｂを湾曲させ、表示領域１１ａを平面状にして用いる場合には、ＦＰＣ１６ａと基板１４との接合部が湾曲することなく、ＦＰＣ１６ａが剥がれてしまうことを抑制することができる。

図１（Ｃ）では、表示領域１１ａの奇数段の画素３０ａと、表示領域１１ｂの画素３０ｂとは、ゲートドライバ１８に電気的に接続された奇数行の同一の走査線に、電気的に接続されている。また表示領域１１ａの偶数行の画素３０ａは、ゲートドライバ１９に電気的に接続された走査線に接続されている。

表示領域１１ａの表示は、ゲートドライバ１８とゲートドライバ１９を駆動することによって更新される。表示領域１１ｂの表示は、ゲートドライバ１８を駆動することで更新される。

表示領域１１ａと、表示領域１１ｂとは、画素の大きさが異なるため、表示の解像度が異なる。したがって、表示に必要な表示データ量を少なくすることができる。表示領域１１ｂだけを表示する場合、ゲートドライバ１８だけを動作させ、更新する表示データも少なくすることができるので、消費電力を抑えることができる。

表示領域１１ａと、表示領域１１ｂとを、同時に使用する場合も、表示領域１１ｂの表示データが少なくなるため、消費電力を抑えることができる。

画素３０ｂは、画素３０ａに比べ、画素サイズを大きくすることができる。そのため、表示データを保持する保持容量を大きくとることができる。したがって、保持容量からの電荷のリークによるフリッカーの発生を抑えることができる。よってテキストデータや静止画を表示するのに適しており、電子機器が待機状態に移行したときは、表示を保持したゲートドライバをパワーゲーティングしても、表示の品質を保つことができる。

なお、画素３０ｂを、画素３０ａの画素サイズを同じにしてもよい。画素サイズが同じになることで、表示領域１１ａと表示領域１１ｂはシームレスな表示領域の拡張をすることができる。
図２（Ａ）に、表示領域１１ａ及び１１ｂに同じ画素３０ａを有したときの上面概略図を示す。

また、表示装置１１が筐体１０の表面に沿って設けられたとき、表示領域１１ａと表示領域１１ｂの接する面は、図２（Ｂ）に示す曲部１１ｅを有している。曲部１１ｅは、曲率半径に応じたストレスを受けやすく、画素が有するトランジスタなどがストレスの影響を受けやすい。さらに、曲部１１ｅに画素３０ａもしくは画素３０ｂがなければ、表示領域１１ａと表示領域１１ｂの間を意図的に分けることで、２つの表示素子を備えた表示装置とすることができる。そのためには、表示領域１１ａと、表示領域１１ｂの間に、曲部１１ｅには、表示素子は配置せず、走査線、信号線などの配線のみを配置する領域を有してもよい。

図３（Ｂ）は、表示領域１１ａ乃至１１ｃの三つの表示領域を備えた例を示す。図４（Ｂ）には、筐体１０の短軸方向の側面である面１２ｅに表示領域１１ｂを備える例を示す。

図３（Ｂ）に、表示領域１１ａ乃至１１ｃの３つの表示領域を備えた構成例を示す。表示領域１１ａの奇数行の画素３０ａと、表示領域１１ｂの画素３０ｂとが、同一の走査線に接続されている。また表示領域１１ａの偶数行の画素３０ａと、表示領域１１ｃの画素３０ｂとが、同一の走査線に接続されている。

したがって、表示領域１１ａの表示は、ゲートドライバ１８とゲートドライバ１９を駆動することによって更新される。表示領域１１ｂの表示は、ゲートドライバ１８を駆動することで更新される。表示領域１１ｃの表示は、ゲートドライバ１９を駆動することで更新される。

図４（Ｂ）に示すように、筐体１０の短軸方向の側面である面１２ｅに表示領域１１ｂを備えた構成例を示す。図４（Ｂ）の構成では、奇数列の信号線には、画素３０ａと、画素３０ｂとが電気的に接続され、偶数列の信号線には、画素３０ａが電気的に接続されている。表示領域１１ａは、ゲートドライバ１８とゲートドライバ１９を駆動することによって更新される。表示領域１１ｂの表示は、ゲートドライバ１８を駆動することで更新される。

表示領域１１ａ及び１１ｂは複数の画素を有し、当該画素には可視光を反射する機能を有する表示素子及び可視光を発する機能を有する表示素子が設けられる。可視光を反射する機能を有する表示素子としては、例えば、外部から入射した光を反射するミラーを有する反射型液晶素子を用いることができる。可視光を発する機能を有する表示素子としては、例えば、発光素子を用いることができる。

透過型液晶素子や発光素子は、比較的照度の低い環境下（夜間の屋外、室内灯下の屋内など）では視認性のよい表示素子であるが、比較的照度の高い環境下（日光下の屋外など）では視認性が劣ってしまう。高照度下において、表示の認識性を高めるには、透過型液晶素子を有する表示装置では、バックライトの照度を上げる手段がとられる。また、発光素子を有する電子機器では、発光素子の発光強度を上げる手段がとられる。

したがって、透過型液晶素子のみを有する表示装置及び発光素子のみを有する表示装置では、高照度下での使用時に消費電力が大きくなることがある。また、上述したような視認性を向上させる手段を用いても、視認性が十分であるとはいえない。

本発明の一態様の表示装置では、高照度下においても優れた視認性を有する反射型液晶素子を用いる。反射型液晶素子は、外光強度が強いほど視認性が向上する。さらに、バックライトを用いないため、低消費電力である。また、本発明の一態様の表示装置では、発光素子も併せ持つため、低照度化での視認性にも優れる。つまり、高照度下では反射型液晶素子を駆動させ、低照度下では発光素子を駆動させることで、外部の照度によらず、低消費電力で認識性の高い表示素子とすることができる。なお、外部の照度に応じて、反射型液晶素子及び発光素子の両方を駆動させて表示を行ってもよい。

表示装置１１に設けられる各表示領域が備える画素や、各駆動回路に用いられるトランジスタなどの半導体装置には、半導体層に酸化物半導体を適用することが好ましい。当該酸化粒半導体としては、例えば、後述するＣＡＣ−ＯＳ（Ｃｌｏｕｄ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ−Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）などを用いることができる。

特にシリコンよりもバンドギャップの大きな酸化物半導体を適用することが好ましい。シリコンよりもバンドギャップが広く、且つキャリア密度の小さい半導体材料を用いると、トランジスタのオフ状態における電流を低減することができる。

また、その低いオフ電流により、トランジスタを介して容量に蓄積した電荷を長期間に亘って保持することが可能である。このようなトランジスタを画素に適用することで、各表示領域に表示した画像の階調を維持しつつ、駆動回路を停止することも可能となる（以下、該駆動方法を「アイドリング・ストップ」、もしくは「ＩＤＳ駆動」と呼ぶ。）。その結果、極めて消費電力の低減された電子機器を実現できる。

また、表示装置１１に設けられる各表示領域が備える画素や、各駆動回路に用いられるトランジスタなどの半導体装置に、多結晶半導体を用いてもよい。例えば、多結晶シリコンなどを用いることが好ましい。多結晶シリコンは単結晶シリコンに比べて低温で形成でき、かつアモルファスシリコンに比べて高い電界効果移動度と高い信頼性を備える。このような多結晶半導体を画素に適用することで画素の開口率を向上させることができる。また極めて多くの画素を有する場合であっても、ゲート駆動回路とソース駆動回路を画素と同一基板上に形成することが可能となり、電子機器を構成する部品数を低減することができる。

［表示の例］
図５（Ａ）乃至（Ｆ）では、図１（Ａ）に示した電子機器の表示方法について説明する。図５（Ａ）には、電子機器の一例としてスマートフォン１０Ａを用いて説明をする。

スマートフォン１０Ａは、起動状態と、待機状態の二つの状態が存在する。起動時は、カメラ、通信、センサ（タッチセンサ、光センサ、振動センサ、位置センサ、ＧＰＳ、温度センサ、湿度センサ、生体センサ等）、振動モータ、表示装置、及びＣＰＵが読み書き可能な記憶媒体などのハードウェアの機能を使用することができる。記憶媒体には、様々なハードェアを使用するためのアプリケーションプログラムが記憶されており、必要に応じてアプリケーションプログラムを実行することができる。

図５（Ａ）は、待機状態の一例である。表示領域１１ａには、日時等の情報のみが表示され、消費電力の使用を抑えている。もしくは、待機状態の場合、表示は行わなくてもよい。表示を行う場合は、反射型液晶素子を用いて表示を行うと、さらに消費電力を低減することができる。表示領域１１ｂは、表示オブジェクト２５を表示する機能を有している。タッチセンサによって入力モードが検出、選択されるステップを有している。

表示領域１１ｂには、アプリケーションプログラムの一つであるメールの受信状況を表示した例である。スマートフォン１０Ａは、待機状態であっても設定された時間ごとに、メールを受信した件数２５ｇを周期的に確認するステップを有している。受信メールを検出した場合、スマートフォン１０Ａは、振動モータによりメールが着信したことを通知することができる。受信するメールのデータは、表示領域１１ｂに表示可能な、日時、送信者、本文の限定された文字数とすることで、通信データを削減し、待機状態における消費電力を低減することができる。

メールを受信した数を表示するメールオブジェクト２５ａを表示するステップと、迷惑メールなどを振り分けて管理しているメールオブジェクト２５ｂを表示するステップを有している。表示領域１１ｂへの表示は、反射型液晶素子を用いて表示されると消費電力が低減される。さらに視認性を高めるために発光素子による表示のステップを追加してもよい。

表示領域１１ｂの表示モードは、コマンドボタン１３ａをタッチするステップにより、図５（Ｂ）に移行する。図５（Ｂ）では、メールオブジェクト２５ａの表示から、ニュースオブジェクト２５ｃに移行するステップを有している。

さらに、コマンドボタン１３ａをタッチするステップにより、図５（Ｃ）に移行する。図５（Ｃ）では、ニュースオブジェクト２５ｃの表示から、天気オブジェクト２５ｄ、２５ｅに移行するステップを有している。

次に、図５（Ｄ）待機状態から、図５（Ｅ）起動状態へ状態が移行するステップについて説明する。コマンドボタン１３ａを長押しされたことを検出するステップにより、スマートフォン１０Ａは待機状態から起動状態に移行するステップを有している。合わせて暗唱コードの入力や、生体認証の入力などと組み合わせてもよい。

待機状態時に表示領域１１ｂに表示されていた表示オブジェクト２５に関連したアプリケーションの表示オブジェクト２５ｆが、表示領域１１ａに表示されている場合、図５（Ｆ）に示したように、表示オブジェクトもしくは表示オブジェクトのアウトライン２５ｈを、発光素子を用いて点灯もしくは点滅させるステップが実行される。さらに、表示領域１１ｂに対しても適用するステップを有している。したがって発光素子により表示オブジェクトのアウトラインを表示することでより消費電力を低く抑えることができる。

［処理方法］
図６は、表示領域１１ａと表示領域１１ｂを有した電子機器の一例としてスマートフォン１０Ａを示す。アプリケーションサーバはネットワークに接続されている。アプリケーションサーバはスマートフォン１０Ａで実行されるアプリケーションプログラムに対して情報を提供することができる。

スマートフォン１０Ａは、固体ＩＤを有しており、アプリケーションプログラムで使用する固体ＩＤとして使用されている。そして、スマートフォン１０Ａは、固体ＩＤに表示領域１１ｂを有した表示装置１１を有している情報が付与されている。さらに、固体ＩＤに、スマートフォン１０Ａが起動状態もしくは待機状態を表すフラグが付与されている。

アプリケーションサーバは、スマートフォン１０Ａから固有ＩＤを受信するステップを有し、スマートフォン１０Ａの表示装置の構成、起動状態もしくは待機状態であるかを判断するステップを有し、待機状態であれば、表示領域１１ｂに適した通信データ量を削減した第２の情報を提供するステップを有している。起動状態であれば、表示領域１１ａに適した第１の情報を提供するステップを有している。もしくは、アプリケーションサーバは、表示領域１１ａと、表示領域１１ｂとに、第１の情報と第２の情報とを提供するステップを有してもよい。アプリケーションサーバは、複数の電子機器に対して第１の情報と第２の情報とを提供するステップを有しているため、情報量を減らすことでネットワーク上のトラフィック量を低減し、通信品質を最適に保つことができる。

待機中のスマートフォン１０Ａが、ネットワークを介してアプリケーションサーバと通信する方法を例に示す。スマートフォン１０Ａは、表示領域１１ａと表示領域１１ｂを備えた表示装置を有している。

図７は、スマートフォン１０Ａが待機状態の動作を示したフローチャートである。

ＳＴＥＰ１Ａは、スマートフォン１０Ａでアプリケーションプログラムが起動されたステップである。メール、ＳＮＳのメッセージ、ニュース速報、天気情報などのテキストもしくは静止画を扱うアプリケーションを例に説明する。ＳＴＥＰ２Ａは、スマートフォン１０Ａが待機状態かを、検出するステップである。

ＳＴＥＰ３Ａは、スマートフォン１０Ａが待機状態であることを検出するステップと、スマートフォン１０Ａが有する固有ＩＤに待機状態を示すフラグを付与するステップと、ＩＤとフラグを、ネットワークを介して、アプリケーションサーバに送信するステップである。

ＳＴＥＰ４Ａは、スマートフォン１０Ａが表示領域１１ｂを有していない場合、もしくは意図的に使用しないと設定されている場合は、ＳＴＥＰ２Ａに戻るステップである。

ＳＴＥＰ５Ａは、スマートフォン１０Ａが表示領域１１ｂを有している場合、アプリケーションプログラムで設定された周期を検出するステップである。ＳＴＥＰ６Ａは、アプリケーションサーバにダウンロードする第２の情報の有無を確認するステップを有し、表示領域１１ｂに適した第２の情報がある場合に、アプリケーションサーバからダウンロードするステップである。ＳＴＥＰ７Ａは、第２の情報が表示領域１１ｂの反射型液晶素子を用いて表示するステップである。ＳＴＥＰ８Ａは、第２の情報をダウンロードしたことを通知するため、振動モータによって振動を発生させるステップを有し、第２の情報に応じた表示オブジェクトもしくは表示オブジェクトのアウトラインを発光素子で点灯もしくは点滅表示させるステップである。

ＳＴＥＰ１１Ａは、スマートフォン１０Ａが起動状態のため、スマートフォン１０Ａが有する固有ＩＤに起動状態を示すフラグを付与するステップと、ＩＤとフラグを、ネットワークを介して、アプリケーションサーバに送信するステップである。

ＳＴＥＰ１２Ａは、アプリケーションサーバにダウンロードする情報の有無を確認するステップを有し、アプリケーションサーバから、表示領域１１ａに適した第１の情報をダウンロードするステップである。

ＳＴＥＰ１３Ａは、スマートフォン１０Ａが使用される外光環境を検出するステップである。外光環境は、光センサ１０ａを用いて検出する。太陽光、もしくは蛍光灯など比較的照度の高い環境下では、外光を利用して表示する反射型液晶素子による表示を行うステップ（ＳＴＥＰ１４Ａ）を有している。反射型液晶素子を利用するのに外光が十分でない比較的照度の低い環境下では、発光素子による表示を行うステップ（ＳＴＥＰ１６Ａ）を有している。ただし、外光が十分でなくても利用できる外光がある場合は、反射型液晶素子と、発光素子とを同時に使用するステップ（ＳＴＥＰ１５Ａ）を有している。これらの条件は任意に設定できるステップを有している。

ＳＴＥＰ１７Ａは、アプリケーションサーバに、表示領域１１ｂに提供もしくは要求したい第２の情報があるかを判断するステップである。アプリケーションサーバが第２の情報を有するときは、ＳＴＥＰ５Ａに移行する。例えば、表示領域１１ａで検索したい文字の検索結果を第２の情報としてテキストデータで表示するステップを有している。又は、表示領域１１ａに表示している内容に関連した第２の情報を表示するステップを有している。さらに、販促用の情報など第２の提供するステップを有している。

図８は、スマートフォン１０Ａが起動状態の動作を示したフローチャートである。スマートフォン１０Ａは、表示領域１１ａと表示領域１１ｂを備えた表示装置を有している。

ＳＴＥＰ１Ｂは、スマートフォン１０Ａでアプリケーションプログラムが起動されたステップである。動画配信や、ゲームなど、表示の更新がされる頻度が高いアプリケーションを例に説明する。ＳＴＥＰ２Ｂは、スマートフォン１０Ａが起動状態であることを検出するステップと、スマートフォン１０Ａが有する固有ＩＤに待機状態を示すフラグを付与するステップと、ＩＤとフラグを、ネットワークを介して、アプリケーションサーバに送信するステップである。

ＳＴＥＰ３Ｂは、アプリケーションサーバにダウンロードする情報の有無を確認するステップを有し、アプリケーションサーバから、表示領域１１ａに適した第１の情報をダウンロードするステップである。

ＳＴＥＰ４Ｂは、スマートフォン１０Ａが使用される外光環境を検出するステップである。外光環境は、光センサ１０ａを用いて検出する。太陽光、もしくは蛍光灯など比較的照度の高い環境下では、外光を利用して表示する反射型液晶素子による表示を行うステップ（ＳＴＥＰ５Ｂ）を有している。反射型液晶素子を利用するのに外光が十分でない比較的照度の低い環境下では、発光素子による表示を行うステップ（ＳＴＥＰ７Ｂ）を有している。ただし、外光が十分でなくても利用できる外光がある場合は、反射型液晶素子と、発光素子とを同時に使用するステップ（ＳＴＥＰ６Ｂ）を有している。これらの条件は任意に設定できるステップを有している。

ＳＴＥＰ８Ｂは、アプリケーションサーバに、表示領域１１ｂに提供したい第２の情報があるかを判断するステップである。例えば、表示領域１１ａに第１の情報として映画などの動画のストリーミング情報を表示しているときに、表示領域１１ｂには第２の情報として字幕のテキストデータを表示するステップを有している。又は、表示領域１１ａに表示している内容に関連した第２の情報を表示するステップを有している。さらに、販促用の情報など第２の提供することができる。表示領域１１ｂに沿って配置されたタッチパネルから、新しい情報にアクセスできるステップを有している。

ＳＴＥＰ１０Ｂは、スマートフォン１０Ａが使用される外光環境を検出するステップであり、表示領域１１ｂに対して適用される。ＳＴＥＰ４Ｂのステップと重複するため説明は省くこととする。

スマートフォン１０Ａが待機状態を示すとき、利用者が必要な情報を、少ない通信データによって表示領域１１ｂの表示を更新することで、低電力で動作する機能を有している。スマートフォン１０Ａが起動状態を示すとき、利用者が起動するアプリケーションプログラムによる第１の情報の表示と、アプリケーションサーバから表示領域１１ｂに対し、第２の情報を提供することができる。

以上、本実施の形態で示す構成、方法は、他の実施の形態で示す構成、方法と適宜組み合わせて用いることができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、実施の形態１で説明した表示領域１１ａの構成を有する表示装置について説明する。

本発明の一態様の表示装置は、可視光を反射する第１の表示素子と、可視光を発する第２の表示素子を有する表示装置である。

表示装置は、第１の表示素子が反射する第１の光と、第２の表示素子が発する第２の光のうち、いずれか一方、又は両方により、画像を表示する機能を有する。又は、表示装置は、第１の表示素子が反射する第１の光の光量と、第２の表示素子が発する第２の光の光量と、をそれぞれ制御することにより、階調を表現する機能を有する。

また、表示装置は、第１の表示素子の反射光の光量を制御することにより階調を表現する第１の画素回路と、第２の表示素子からの発光の光量を制御することにより階調を表現する第２の画素回路を有する構成とすることが好ましい。第１の画素回路及び第２の画素回路は、例えばそれぞれマトリクス状に複数配置され、表示部を構成する。

また、第１の画素回路と第２の画素回路は、同ピッチで、同じ表示領域内に配置されていることが好ましい。このとき、隣接する第１の画素回路と第２の画素回路を合わせて、画素とよぶことができる。

さらに、第１の画素回路及び第２の画素回路は表示装置の表示領域に混在して配置されていることが好ましい。これにより、後述するように複数の第１の画素回路のみで表示された画像と、複数の第２の画素回路のみで表示された画像、及び複数の第１の画素回路及び複数の第２の画素回路の両方で表示された画像のそれぞれは、同じ表示領域に表示することができる。

第１の画素回路が有する第１の表示素子には、外光を反射して表示する素子を用いることができる。このような素子は、光源を持たないため、表示の際の消費電力を極めて小さくすることが可能となる。

第１の表示素子には、代表的には反射型の液晶素子を用いることができる。又は、第１の表示素子として、シャッター方式のＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍ）素子、光干渉方式のＭＥＭＳ素子の他、マイクロカプセル方式、電気泳動方式、エレクトロウェッティング方式、電子粉流体（登録商標）方式等を適用した素子などを用いることができる。

また、第２の画素が有する第２の表示素子は光源を有し、その光源からの光を利用して表示する素子を用いることができる。特に、電界を印加することにより発光性の物質から発光を取り出すことのできる、発光素子を用いることが好ましい。このような画素が射出する光は、その輝度や色度が外光に左右されることがないため、色再現性が高く（色域が広く）、且つコントラストの高い、つまり鮮やかな表示を行うことができる。

第２の表示素子には、例えばＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、ＱＬＥＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ−ｄｏｔ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）などの自発光性の発光素子を用いることができる。又は、第２の画素が有する表示素子として、光源であるバックライトと、バックライトからの光の透過光の光量を制御する透過型の液晶素子とを組み合わせたものを用いてもよい。

第１の画素回路は、例えば白色（Ｗ）を呈する副画素、又は例えば赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色の光をそれぞれ呈する副画素を有する構成とすることができる。また、第２の画素回路も同様に、例えば白色（Ｗ）を呈する副画素、又は例えば赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色の光をそれぞれ呈する副画素を有する構成とすることができる。なお、第１の画素及び第２の画素がそれぞれ有する副画素は、４色以上であってもよい。副画素の種類が多いほど、消費電力を低減することが可能で、また色再現性を高めることができる。

本発明の一態様は、第１の画素回路で画像を表示する第１のモード、第２の画素回路で画像を表示する第２のモード、及び第１の画素回路及び第２の画素回路で画像を表示する第３のモードを切り替えることができる。

第１のモードは、第１の表示素子による反射光を用いて画像を表示するモードである。第１のモードは光源が不要であるため、極めて低消費電力な駆動モードである。例えば、外光の照度が十分高く、且つ外光が白色光又はその近傍の光である場合に有効である。第１のモードは、例えば本や書類などの文字情報を表示することに適した表示モードである。また、反射光を用いるため、目に優しい表示を行うことができ、目が疲れにくいという効果を奏する。

第２のモードでは、第２の表示素子による発光を利用して画像を表示するモードである。そのため、外光の照度や色度によらず、極めて鮮やかな（コントラストが高く、且つ色再現性の高い）表示を行うことができる。例えば、夜間や暗い室内など、外光の照度が極めて小さい場合などに有効である。また外光が暗い場合、明るい表示を行うと使用者が眩しく感じてしまう場合がある。これを防ぐために、第２のモードでは輝度を抑えた表示を行うことが好ましい。またこれにより、眩しさを抑えることに加え、消費電力も低減することができる。第２のモードは、鮮やかな画像や滑らかな動画などを表示することに適したモードである。

第３のモードでは、第１の表示素子による反射光と、第２の表示素子による発光の両方を利用して表示を行うモードである。具体的には、第１の画素が呈する光と、第１の画素と隣接する第２の画素が呈する光を混色させることにより、１つの色を表現するように駆動する。第１のモードよりも鮮やかな表示をしつつ、第２のモードよりも消費電力を抑えることができる。例えば、室内照明下や、朝方や夕方の時間帯など、外光の照度が比較的低い場合や、外光の色度が白色ではない場合などに有効である。また、反射光と発光とを混色させた光を用いることで、まるで絵画を見ているかのように感じさせる画像を表示することが可能となる。

なお、第１のモード及び／又は第３のモードにおいて、アイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動を行うことで、表示装置の低消費電力化を図ることができるため好ましい。

以下では、より具体的な構成例について、図面を参照して説明する。

［表示装置の構成例］
図９（Ａ）に実施の形態１で説明した表示領域１１ａ及び１１ｂを有する表示装置１１のブロック図を示す。表示領域１１ａ又は表示領域１１ｂは異なる大きさの画素を有するため、解像度が異なる表示ができる。したがって表示面積あたりの表示データ量を削減できる。

表示領域１１ａは、マトリクス状に配置された複数の画素３０ａを有する。画素３０ａは、第１の画素回路３１ｐと、第２の画素回路３２ｐを有する。

表示領域１１ｂは、マトリクス状に配置された複数の画素３０ｂを有する。画素３０ｂは、第１の画素回路３１ｐと、第２の画素回路３２ｐを有するが、表示領域１１ａとは異なる大きさを有する。

図９（Ａ）では、第１の画素回路３１ｐ及び第２の画素回路３２ｐが、それぞれ赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色に対応する表示素子を有する場合の例を示している。

第１の画素回路３１ｐは、赤色（Ｒ）に対応する表示素子３１Ｒ、緑色（Ｇ）に対応する表示素子３１Ｇ、青色（Ｂ）に対応する表示素子３１Ｂを有する。表示素子３１Ｒ、３１Ｇ、３１Ｂはそれぞれ、外光の反射を利用した表示素子である。

第２の画素回路３２ｐは、赤色（Ｒ）に対応する表示素子３２Ｒ、緑色（Ｇ）に対応する表示素子３２Ｇ、青色（Ｂ）に対応する表示素子３２Ｂを有する。表示素子３２Ｒ、３２Ｇ、３２Ｂはそれぞれ、光源の光を利用した表示素子である。

図９（Ｂ）に実施の形態１で説明した表示領域１１ａと１１ｂに同じ大きさの画素３０ａを有する表示装置１１のブロック図を示す。同じ大きさの画素を用いることで、表示領域１１ａと表示領域１１ｂの解像度が同じになるので、表示領域１１ａの拡張表示領域としてシームレスな表示の拡大をすることができる。

［画素の構成例］
図１０（Ａ）乃至（Ｃ）は、画素３０ａ及び３０ｂの構成例を示す模式図である。画素３０ａ及び３０ｂは同じ構成なので画素３０として説明をする。図１０（Ａ）乃至（Ｃ）に示す画素３０は、第１の画素回路３１ｐと、第２の画素回路３２ｐを有する。

第１の画素回路３１ｐは、表示素子３１Ｒ、表示素子３１Ｇ、表示素子３１Ｂを有する。表示素子３１Ｒ、表示素子３１Ｇ、及び表示素子３１Ｂは、それぞれ外光を反射して表示する素子である。表示素子３１Ｒは、外光を反射し、赤色の光Ｒｒを表示面側に射出する。表示素子３１Ｇ、表示素子３１Ｂも同様に、それぞれ緑色の光Ｇｒ又は青色の光Ｂｒを、表示面側に射出する。

第２の画素回路３２ｐは、表示素子３２Ｒ、表示素子３２Ｇ、表示素子３２Ｂを有する。表示素子３２Ｒ、表示素子３２Ｇ、及び表示素子３２Ｂは、それぞれ発光素子である。表示素子３２Ｒは赤色の光Ｒｔを、表示面側に射出する。表示素子３２Ｇ、表示素子３２Ｂも同様に、それぞれ緑色の光Ｇｔ又は青色の光Ｂｔを、表示面側に射出する。これにより、低消費電力で、且つ鮮やかな表示を行うことができる。また、まるで絵画を見ているかのように感じさせる画像を表示することが可能となる。

図１０（Ａ）は、第１の画素回路３１ｐと第２の画素回路３２ｐの両方を駆動させることで表示を行うモード（第３のモード）に対応する。画素３０は、光Ｒｒ、光Ｇｒ、光Ｂｒ、光Ｒｔ、光Ｇｔ、及び光Ｂｔの６つの光を混色させることにより、反射光と透過光とが混在した所定の色の光３５ｔｒを表示面側に射出することができる。

このとき、光３５ｔｒが所定の輝度及び色度の光となるような、光Ｒｒ、光Ｇｒ、光Ｂｒ、光Ｒｔ、光Ｇｔ、及び光Ｂｔの６つの光それぞれの輝度の組み合わせは、多数存在する。そこで、本発明の一態様は、同じ輝度及び色度の光３５ｔｒを実現する６つの光それぞれの輝度（階調）の組み合わせのうち、第１の画素回路３１ｐから射出される光Ｒｒ、光Ｇｒ及び光Ｂｒの輝度（階調）が最も大きくなる組み合わせを選択することが好ましい。これにより、色再現性を犠牲にすることなく、消費電力を低減することができる。

図１０（Ｂ）は、第１の画素回路３１ｐを駆動させることにより、反射光のみを用いて表示を行うモード（第１のモード）に対応する。画素３０は、例えば外光の照度が十分に高い場合などでは、第２の画素回路３２ｐを駆動させずに、第１の画素回路３１ｐからの光（光Ｒｒ、光Ｇｒ、および光Ｂｒ）のみを混色させることにより、反射光を組み合わせた所定の色の光３５ｒを表示面側に射出することができる。これにより、極めて低消費電力な駆動を行うことができる。また、目に優しい表示を行うことができる。

図１０（Ｃ）は、第２の画素回路３２ｐを駆動させることにより、発光（透過光）のみを用いて表示を行うモード（第２のモード）に対応する。画素３０は、例えば外光の照度が極めて小さい場合などでは、第１の画素回路３１ｐを駆動させずに、第２の画素回路３２ｐからの光（光Ｒｔ、光Ｇｔ、および光Ｂｔ）のみを混色させることにより、所定の色の光３５ｔを表示面側に射出することができる。これにより鮮やかな表示を行うことができる。また外光の照度が小さい場合に輝度を低くすることで、使用者が感じる眩しさを抑えると共に消費電力を低減できる。

［変形例］
上記では、第１の画素回路３１ｐと第２の画素回路３２ｐとが、それぞれ赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色に対応した表示素子を有する例を示したが、これに限られない。以下では、上記とは異なる構成例を示す。

図１１（Ａ）乃至（Ｃ）、図１２（Ａ）乃至（Ｃ）に、それぞれ画素３０の構成例を示す。なおここでは、第１の画素回路３１ｐと第２の画素回路３２ｐの両方を駆動させることで表示を行うモード（第３のモード）に対応した模式図を示しているが、上記と同様に、第１の画素回路３１ｐを駆動させることにより、反射光のみを用いて表示を行うモード（第１のモード）、及び第２の画素回路３２ｐを駆動させることにより、発光（透過光）のみを用いて表示を行うモード（第２のモード）でも表示を行うことができる。

図１１（Ａ）は、第２の画素回路３２ｐが、表示素子３２Ｒ、表示素子３２Ｇ、表示素子３２Ｂに加えて、白色（Ｗ）を呈する表示素子３２Ｗを有する例を示している。これにより、第２の画素回路３２ｐを用いた表示モード（第２のモードおよび第３のモード）における消費電力を低減することができる。

図１１（Ｂ）は、第２の画素回路３２ｐが、表示素子３２Ｒ、表示素子３２Ｇ、表示素子３２Ｂに加えて、黄色（Ｙ）を呈する表示素子３２Ｙを有する例を示している。これにより、第２の画素回路３２ｐを用いた表示モード（第２のモードおよび第３のモード）における消費電力を低減することができる。

図１１（Ｃ）は、第１の画素回路３１ｐが、表示素子３１Ｒ、表示素子３１Ｇ、表示素子３１Ｂに加えて、白色（Ｗ）を呈する表示素子３１Ｗを有する例を示している。さらに図１１（Ｃ）は、第２の画素回路３２ｐが、表示素子３２Ｒ、表示素子３２Ｇ、表示素子３２Ｂに加えて、白色（Ｗ）を呈する表示素子３２Ｗを有する例を示している。これにより、第１の画素回路３１ｐを用いた表示モード（第１のモード及び第３のモード）、及び第２の画素回路３２ｐを用いた表示モード（第２のモードおよび第３のモード）における消費電力を低減することができる。

図１２（Ａ）では、第１の画素回路３１ｐが、白色を呈する表示素子３１Ｗのみを有する例を示している。このとき、第１の画素回路３１ｐのみを用いた表示モード（第１のモード）では、白黒表示またがグレースケールでの表示を行うことができ、第２の画素回路３２ｐを用いた表示モード（第２のモードおよび第３のモード）では、カラー表示を行うことができる。

また、このような構成とすることで、第１の画素回路３１ｐの開口率を高めることができるため、第１の画素回路３１ｐの反射率を向上させ、より明るい表示を行うことができる。

第１の画素回路３１ｐのみで表示を行うモード（第１のモード）では、例えば、文書情報などのカラー表示を必要としない情報を表示することに適している。第１のモードで表示しているときは、表示装置を組み込んだ電子機器を、例えば電子書籍端末や教科書などのように用いることができる。

図１２（Ｂ）では、図１２（Ａ）に加えて、第２の画素回路３２ｐが、表示素子３２Ｒ、表示素子３２Ｇ、表示素子３２Ｂに加えて、白色（Ｗ）を呈する表示素子３２Ｗを有する例を示している。これにより、第２の画素回路３２ｐを用いた表示モード（第２のモードおよび第３のモード）における消費電力を低減することができる。

図１２（Ｃ）では、図１２（Ａ）に加えて、第２の画素回路３２ｐが、表示素子３２Ｒ、表示素子３２Ｇ、表示素子３２Ｂに加えて、黄色（Ｙ）を呈する表示素子３２Ｙを有する例を示している。これにより、第２の画素回路３２ｐを用いた表示モード（第２のモードおよび第３のモード）における消費電力を低減することができる。

以上が表示ユニットの構成例についての説明である。

［表示装置の断面構成例］
図１３に、表示装置１１の表示領域１１ａの断面構成の一例を示す。

表示領域１１ａは、基板６１１と基板６１２との間に、第１の層４１、絶縁層１３４、絶縁層１３５、表示素子３２、接着層１５１、第２の層４２、絶縁層２３４、表示素子３１等を有する。

表示素子３１は、導電層２２１、導電層２２３、及びこれらに挟持された液晶２２２を有する。導電層２２１は可視光を反射し、導電層２２３は可視光を透過する。したがって、表示素子３１は基板６１２側に反射光２２を射出する反射型の液晶素子である。ここで、導電層２２１は、画素毎に配置され、画素電極として機能する。導電層２２３は、複数の画素にわたって配置されている。導電層２２３は、図示しない領域で定電位が供給される配線と接続され、共通電極として機能する。

表示素子３２は、導電層１２１、導電層１２３、及びこれらに挟持されたＥＬ層１２２を有する。ＥＬ層１２２は、少なくとも発光性の物質を含む層である。導電層１２１は可視光を反射し、導電層１２３は可視光を透過する。したがって、表示素子３２は、導電層１２１と導電層１２３との間に電圧を印加することで、基板６１２側に発光２１を射出する発光素子である。導電層１２１は、画素毎に配置され、画素電極として機能する。ＥＬ層１２２と導電層１２３は、複数の画素にわたって配置されている。導電層１２３は、図示しない領域で定電位が供給される配線と接続され、共通電極として機能する。

第１の層４１は、表示素子３１を駆動する回路を含む層である。第２の層４２は、表示素子３２を駆動する回路を含む層である。例えば第１の層４１及び第２の層４２はそれぞれ、トランジスタ、容量素子、配線、電極等により、画素回路が構成されている。なお、表示素子３１を駆動する回路及び表示素子３２を駆動する回路を一つの層に設ける構成とすることもできる。

第１の層４１と導電層２２１との間には、絶縁層２３４が設けられている。また絶縁層２３４に設けられた開口を介して導電層２２１と第１の層４１とが電気的に接続され、これにより第１の層４１と表示素子３１とが電気的に接続されている。

第２の層４２と導電層１２１との間には、絶縁層１３４が設けられている。また絶縁層１３４に設けられた開口を介して導電層１２１と第２の層４２とが電気的に接続され、これにより第２の層４２と表示素子３２とが電気的に接続されている。

第１の層４１と導電層１２３とは、接着層１５１によって貼り合わされている。接着層１５１は、表示素子３２を封止する封止層としても機能する。

ここで、第１の層４１の画素回路に、酸化物半導体が適用され、オフ電流が極めて低いトランジスタを適用した場合や、当該画素回路に記憶素子を適用した場合などでは、表示素子３１を用いて静止画を表示する際に画素への書き込み動作を停止しても、階調を維持させることが可能となる。すなわち、フレームレートを極めて小さくしても表示を保つことができる。

以上が表示装置１１の断面構成例についての説明である。

［表示モードの変形例］
なお、第１の画素回路３１ｐと第２の画素回路３２ｐの両方を駆動させることで表示を行う第３のモードにおいて、それぞれ異なる画像を同時に表示することが可能である。例えば、第１の画素回路３１ｐ及び第２の画素回路３２ｐの一方に背景となる画像を表示し、第１の画素回路３１ｐ及び第２の画素回路３２ｐの他方に動きのある画像を表示することなどが可能である。これにより、より臨場感を得られる画像を表示することができる。

本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の基本的な構成について説明する。

実施の形態１で説明した表示領域１１ａは、反射型の液晶素子を有する第１の画素回路が設けられた第１の表示パネルと、発光素子を有する第２の画素回路が設けられた第２の表示パネルとが、接着層を介して貼り合わされた構成を有する。反射型の液晶素子は、反射光の光量を制御することにより階調を表現することができる。発光素子は、発する光の光量を制御することにより階調を表現することができる。

表示装置は、例えば反射光のみを利用して表示を行うこと、発光素子からの光のみを利用して表示を行うこと、及び、反射光と発光素子からの光の両方を利用して表示を行うことができる。

第１の表示パネルは視認側に設けられ、第２の表示パネルは視認側とは反対側に設けられる。第１の表示パネルは、最も接着層側に位置する第１の樹脂層を有する。また第２の表示パネルは、最も接着層側に位置する第２の樹脂層を有する。

また、第１の表示パネルの表示面側に第３の樹脂層を設け、第２の表示パネルの裏面側（表示面側とは反対側）に第４の樹脂層を設けることが好ましい。これにより、表示装置を極めて軽くすることが可能で、また表示装置を割れにくくすることが可能となる。

第１の樹脂層乃至第４の樹脂層（以下、まとめて樹脂層とも表記する）は、極めて薄いことを特徴とする。より具体的には、それぞれ厚さが０．１μｍ以上３μｍ以下とすることが好ましい。そのため、２つの表示パネルを積層した構成であっても、厚さを薄くすることができる。また、第２の画素の発光素子が発する光の経路上に位置する樹脂層による光の吸収が抑制され、より高い効率で光を取り出すことができ、消費電力を小さくすることができる。

樹脂層は、例えば以下のように形成することができる。すなわち、支持基板上に低粘度の熱硬化性の樹脂材料を塗布し、熱処理により硬化させて樹脂層を形成する。そして樹脂層上に、構造物を形成する。その後、樹脂層と、支持基板との間で剥離を行うことにより、樹脂層の一方の面を露出させる。

支持基板と樹脂層とを剥離する際、これらの密着性を低下させる方法として、レーザ光を照射することが挙げられる。例えば、線状に成形したレーザ光を用い、これを走査することにより照射することが好ましい。これにより、支持基板の面積を大きくした際の工程時間を短縮することができる。レーザ光としては、波長３０８ｎｍのエキシマレーザを好適に用いることができる。

樹脂層に用いることのできる材料としては、代表的には熱硬化性のポリイミドが挙げられる。特に感光性のポリイミドを用いることが好ましい。感光性のポリイミドは、表示パネルの平坦化膜等に好適に用いられる材料であるため、形成装置や材料を共有することができる。そのため本発明の一態様の構成を実現するために新たな装置や材料を必要としない。

また、樹脂層に感光性の樹脂材料を用いることにより、露光及び現像処理を施すことで、樹脂層を加工することが可能となる。例えば、開口部を形成することや、不要な部分を除去することができる。さらに露光方法や露光条件を最適化することで、表面に凹凸形状を形成することも可能となる。例えばハーフトーンマスクやグレートーンマスクを用いた露光技術や、多重露光技術などを用いればよい。

なお、非感光性の樹脂材料を用いてもよい。このとき、樹脂層上にレジストマスクやハードマスクを形成して開口部や凹凸形状を形成する方法を用いることもできる。

このとき、発光素子からの光の経路上に位置する樹脂層を、部分的に除去することが好ましい。すなわち、第１の樹脂層及び第２の樹脂層に、発光素子と重なる開口部を設ける。これにより、発光素子からの光の一部が樹脂層に吸収されることに伴う色再現性の低下や、光取り出し効率の低下を抑制することができる。

又は、樹脂層の発光素子からの光の経路上に位置する部分が、他の部分よりも薄くなるように、樹脂層に凹部が形成された構成としてもよい。すなわち、樹脂層は厚さの異なる２つの部分を有し、厚さの薄い部分が発光素子と重なる構成とすることもできる。この構成としても、樹脂層による発光素子からの光の吸収を低減できる。

また、第１の表示パネルが第３の樹脂層を有する場合、上記と同様に発光素子と重なる開口部を設けることが好ましい。これにより、さらに色再現性や光取り出し効率を向上させることができる。

また、第１の表示パネルが第３の樹脂層を有する場合、反射型の液晶素子における光の経路上に位置する第３の樹脂層の一部を除去することが好ましい。すなわち、第３の樹脂層に、反射型の液晶素子と重なる開口部を設ける。これにより、反射型の液晶素子の反射率を向上させることができる。

樹脂層に開口部を形成する場合、支持基板上に光吸収層を形成し、当該光吸収層上に開口部を有する樹脂層を形成し、さらに開口部を覆う透光性の層を形成する。光吸収層は、光を吸収して加熱されることで、水素又は酸素などのガスを放出する層である。したがって、支持基板側から光を照射し、光吸収層からガスを放出させることで、光吸収層と支持基板の界面、又は光吸収層と透光性の層との間の密着性が低下し、剥離を生じさせることができる。又は、光吸収層自体が破断して、剥離させることができる。

又は、以下の方法を用いることもできる。すなわち、樹脂層の開口部となる部分を、部分的に薄く形成し、上述した方法により支持基板と樹脂層とを剥離する。そして樹脂層の剥離した表面にプラズマ処理等を行うことで、樹脂層を薄膜化すると、樹脂層の薄い部分に開口を形成することができる。

また、第１の画素及び第２の画素は、それぞれトランジスタを有することが好ましい。さらに、当該トランジスタのチャネルを形成する半導体として、酸化物半導体を用いることが好ましい。酸化物半導体はトランジスタの作製工程にかかる最高温度を低温化（例えば４００℃以下、好ましくは３５０℃以下）しても、高いオン電流を実現でき、また高い信頼性を確保することができる。また、酸化物半導体を用いることで、トランジスタの被形成面側に位置する樹脂層に用いる材料として、高い耐熱性が要求されないため、材料の選択の幅を広げることができる。例えば、平坦化膜として用いる樹脂材料と兼ねることもできる。

ここで、例えば低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｐｏｌｙ−Ｓｉｌｉｃｏｎ））を用いた場合では、高い電界効果移動度が得られるものの、レーザ結晶化工程、結晶化の前処理のベーク工程、不純物の活性化のためのベーク工程などが必要であり、トランジスタの作製工程にかかる最高温度が上記酸化物半導体を用いた場合よりも高い（例えば５００℃以上、又は５５０℃以上、又は６００℃以上）。そのため、トランジスタの被形成面側に位置する樹脂層には高い耐熱性が必要となる。さらに、レーザ結晶化工程において、当該樹脂層にもレーザが照射されるため、当該樹脂層は比較的厚く形成する必要がある（例えば１０μｍ以上、又は２０μｍ以上）。

一方、酸化物半導体を用いた場合では、耐熱性の高い特殊な材料が不要で、且つ厚く形成する必要があるため、表示パネル全体に対する当該樹脂層にかかるコストの割合を小さくできる。

また、酸化物半導体は、バンドギャップが広く（例えば２．５ｅＶ以上、または３．０ｅＶ以上）、光を透過する性質を有する。そのため、支持基板と樹脂層の剥離工程において、レーザ光が酸化物半導体に照射されても吸収しにくいため、その電気的特性への影響を抑制できる。したがって、上述のように樹脂層を薄く形成することが可能となる。

本発明の一態様は、感光性のポリイミドに代表される低粘度の感光性樹脂材料を用いて薄く形成した樹脂層と、低温であっても電気特性に優れたトランジスタを実現できる酸化物半導体と、を組み合わせることにより、極めて生産性に優れた表示装置を実現できる。

続いて、画素の構成について説明する。第１の画素回路及び第２の画素回路は、それぞれマトリクス状に複数配置され、表示部を構成する。また、表示装置は、第１の画素回路を駆動する第１の駆動部と、第２の画素回路を駆動する第２の駆動部を有することが好ましい。第１の駆動部は第１の表示パネルに設けられ、第２の駆動部は第２の表示パネルに設けられていることが好ましい。

また、第１の画素回路と第２の画素回路は、同じ周期で表示領域内に配置されていることが好ましい。さらに、第１の画素回路及び第２の画素回路は表示装置の表示領域に混在して配置されていることが好ましい。これにより、後述するように複数の第１の画素回路のみで表示された画像と、複数の第２の画素回路のみで表示された画像、及び複数の第１の画素回路及び複数の第２の画素回路の両方で表示された画像のそれぞれは、同じ表示領域に表示することができる。

ここで、第１の画素回路は、例えば白色（Ｗ）を呈する１つの画素回路により構成されていることが好ましい。また第２の画素回路は、例えば赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色の光をそれぞれ呈する副画素回路を有することが好ましい。又はこれに加えて白色（Ｗ）又は黄色（Ｙ）の光を呈する副画素回路を有していていもよい。このような第１の画素回路と第２の画素回路が同じ周期で配列することで、第１の画素回路の面積を大きくし、第１の画素回路の有する開口率を高めることができる。

なお、第１の画素回路として、例えば赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色の光をそれぞれ呈する副画素回路を有していてもよく、これに加えて白色（Ｗ）又は黄色（Ｙ）の光を呈する副画素回路を有していていもよい。

続いて、第１の表示パネル及び第２の表示パネルに用いることのできるトランジスタについて説明する。第１の表示パネルの第１の画素回路に設けられるトランジスタと、第２の表示パネルの第２の画素回路に設けられるトランジスタとは、同じ構成のトランジスタであってもよいし、それぞれ異なるトランジスタであってもよい。

トランジスタの構成としては、例えばボトムゲート構造のトランジスタが挙げられる。ボトムゲート構造のトランジスタは、半導体層よりも下側（被形成面側）にゲート電極を有する。また、例えばソース電極及びドレイン電極が、半導体層の上面及び側端部に接して設けられていることを特徴とする。

また、トランジスタの他の構成としては、例えばトップゲート構造のトランジスタが挙げられる。トップゲート構造のトランジスタは、半導体層よりも上側（被形成面側とは反対側）にゲート電極を有する。また、例えば第１のソース電極及び第１のドレイン電極が、半導体層の上面の一部及び側端部を覆う絶縁層上に設けられ、且つ当該絶縁層に設けられた開口を介して半導体層と電気的に接続されることを特徴とする。

また、トランジスタとして、半導体層を挟んで対向して設けられる第１のゲート電極及び第２のゲート電極を有していることが好ましい。

以下では、本発明の一態様の表示装置のより具体的な例について、図面を参照して説明する。

［構成例１］
図１４に、図９に示す表示装置１１における表示領域１１ａの断面概略図を示す。表示装置１１は、表示パネル１００と表示パネル２００とが接着層５０によって貼り合わされた構成を有する。また、表示装置６１０は、裏側（視認側とは反対側）に基板６１１と、表側（視認側）に基板６１２と、を有する。

表示パネル１００は、樹脂層１０１と樹脂層１０２との間に、トランジスタ１１０と、発光素子１２０と、を有する。表示パネル２００は、樹脂層２０１と樹脂層２０２との間にトランジスタ２１０と、液晶素子２２０と、を有する。樹脂層１０１は、接着層５１を介して基板６１１と貼り合わされている。また樹脂層２０２は、接着層５２を介して基板６１２と貼り合わされている。

また、樹脂層１０２、樹脂層２０１、及び樹脂層２０２は、それぞれ開口部が設けられている。図１４に示す領域８１は、発光素子１２０と重なる領域であって、且つ樹脂層１０２の開口部、樹脂層２０１の開口部、及び樹脂層２０２の開口部と重なる領域である。

〔表示パネル１００〕
樹脂層１０１には、トランジスタ１１０、発光素子１２０、絶縁層１３１、絶縁層１３２、絶縁層１３３、絶縁層１３４、絶縁層１３５等が設けられている。また、樹脂層１０２には、遮光層１５３、及び着色層１５２等が設けられている。樹脂層１０１と樹脂層１０２とは、接着層１５１により接着されている。

トランジスタ１１０は、絶縁層１３１上に設けられ、ゲート電極として機能する導電層１１１と、ゲート絶縁層として機能する絶縁層１３２の一部と、半導体層１１２と、ソース電極又はドレイン電極の一方として機能する導電層１１３ａと、ソース電極又はドレイン電極の他方として機能する導電層１１３ｂと、を有する。

半導体層１１２は、酸化物半導体を含むことが好ましい。

絶縁層１３３及び絶縁層１３４は、トランジスタ１１０を覆って設けられている。絶縁層１３４は、平坦化層として機能する。

発光素子１２０は、導電層１２１と、ＥＬ層１２２と、導電層１２３と、が積層された構成を有する。導電層１２１は可視光を反射する機能を有し、導電層１２３は、可視光を透過する機能を有する。したがって、発光素子１２０は、被形成面側とは反対側に光を射出する上面射出型（トップエミッション型ともいう）の発光素子である。

導電層１２１は、絶縁層１３４及び絶縁層１３３に設けられた開口を介して導電層１１３ｂと電気的に接続されている。絶縁層１３５は、導電層１２１の端部を覆い、且つ導電層１２１の上面が露出するように開口が設けられている。ＥＬ層１２２及び導電層１２３は、絶縁層１３５及び導電層１２１の露出した部分を覆って、順に設けられている。

樹脂層１０２の樹脂層１０１側には、絶縁層１４１が設けられている。また絶縁層１４１の樹脂層１０１側には、遮光層１５３と、着色層１５２とが設けられている。着色層１５２は、発光素子１２０と重なる領域に設けられている。遮光層１５３は、発光素子１２０と重なる部分に開口を有する。

絶縁層１４１は、樹脂層１０２の開口部を覆って設けられている。また絶縁層１４１の樹脂層１０２の開口部と重なる部分は、接着層５０と接している。

〔表示パネル２００〕
樹脂層２０１には、トランジスタ２１０、導電層２２１、配向膜２２４ａ、絶縁層２３１、絶縁層２３２、絶縁層２３３、絶縁層２３４等が設けられている。また、樹脂層２０２には、絶縁層２０４、導電層２２３、配向膜２２４ｂ等が設けられている。また配向膜２２４ａと配向膜２２４ｂとの間に液晶２２２が挟持されている。樹脂層２０１と樹脂層２０２とは、図示しない領域で接着層により接着されている。

トランジスタ２１０は、絶縁層２３１上に設けられ、ゲート電極として機能する導電層２１１と、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２３２の一部と、半導体層２１２と、ソース電極又はドレイン電極の一方として機能する導電層２１３ａと、ソース電極又はドレイン電極の他方として機能する導電層２１３ｂと、を有する。

半導体層２１２は、酸化物半導体を含むことが好ましい。

絶縁層２３３及び絶縁層２３４は、トランジスタ２１０を覆って設けられている。絶縁層２３４は、平坦化層として機能する。

液晶素子２２０は、導電層２２１と、導電層２２３と、これらの間に位置する液晶２２２と、により構成されている。導電層２２１は可視光を反射する機能を有し、導電層２２３は、可視光を透過する機能を有する。したがって、液晶素子２２０は反射型の液晶素子である。

導電層２１１は、絶縁層２３４及び絶縁層２３３に設けられた開口を介して導電層２１３ｂと電気的に接続されている。配向膜２２４ａは、導電層２１１及び絶縁層２３４の表面を覆って設けられている。

樹脂層２０２の樹脂層２０１側には、導電層２２３と配向膜２２４ｂとが積層されて設けられている。なお、樹脂層２０２と導電層２２３との間に絶縁層２０４が設けられている。また、液晶素子２２０の反射光を着色するための着色層を設けてもよい。

絶縁層２３１は、樹脂層２０１の開口部を覆って設けられている。また、絶縁層２３１の樹脂層２０２の開口部と重なる部分は、接着層５０と接して設けられている。また、絶縁層２０４は、樹脂層２０２の開口部を覆って設けられている。また、絶縁層２０４の樹脂層２０２の開口部と重なる部分は、接着層５２と接して設けられている。

〔表示装置１１〕
表示装置１１は、表示領域１１ａを上面から見たときに、発光素子１２０が、反射型の液晶素子２２０と重ならない部分を有する。これにより、図１４に示すように、発光素子１２０からは、着色層１５２によって着色された発光２１が、視認側に射出される。また、液晶素子２２０では、導電層２２１により外光が反射された反射光２２が液晶２２２を介して射出される。

発光素子１２０から射出された発光２１は、樹脂層１０２の開口部、樹脂層２０１の開口部、及び樹脂層２０２の開口部を通って視認側に射出される。したがって、樹脂層１０２、樹脂層２０１、及び樹脂層２０２が可視光の一部を吸収する場合であっても、発光２１の光路上にこれら樹脂層が存在しないため、光取り出し効率や、色再現性を高いものとすることができる。

なお、基板６１２が偏光板、又は円偏光板として機能する。又は、基板６１２よりも外側に、偏光板又は円偏光板を設けてもよい。

ここでは、表示パネル２００が着色層を有さず、カラー表示を行わない構成としているが、樹脂層２０２側に着色層を設け、カラー表示可能な構成としてもよい。

以上が構成例についての説明である。

［構成例の変形例］
以下では、図１４で示した構成例と比較して、一部の構成の異なる構成例について説明する。

図１４では、発光素子１２０からの光の経路上に位置する樹脂層に、開口部を設ける構成としたが、反射型の液晶素子２２０における光の経路上に位置する樹脂層にも開口部を設けてもよい。

図１５には、領域８１に加えて領域８２を有する例を示している。領域８２は、樹脂層２０２の開口部、及び液晶素子２２０と重なる領域である。

なお、図１５では樹脂層２０２に、発光素子１２０及び液晶素子２２０の両方を包含する１つの開口部が設けられている例を示したが、発光素子１２０と重なる開口部と、液晶素子２２０と重なる開口部とが別々に設けられた構成としてもよい。

［トランジスタについて］
図１４で例示した表示装置６１０は、トランジスタ１１０とトランジスタ２１０の両方に、ボトムゲート構造のトランジスタを適用した場合の例である。

トランジスタ１１０は、ゲート電極として機能する導電層１１１が、半導体層１１２よりも被形成面側（樹脂層１０１側）に位置する。また、絶縁層１３２が導電層１１１を覆って設けられている。また半導体層１１２は、導電層１１１を覆って設けられている。半導体層１１２の導電層１１１と重なる領域が、チャネル形成領域に相当する。また、導電層１１３ａ及び導電層１１３ｂは、それぞれ半導体層１１２の上面及び側端部に接して設けられている。

なお、トランジスタ１１０は、導電層１１１よりも半導体層１１２の幅が大きい場合の例を示している。このような構成により、導電層１１１と導電層１１３ａ又は導電層１１３ｂの間に半導体層１１２が配置されるため、導電層１１１と導電層１１３ａ又は導電層１１３ｂとの間の寄生容量を小さくすることができる。

トランジスタ１１０は、チャネルエッチ型のトランジスタであり、トランジスタの占有面積を縮小することが比較的容易であるため、高精細な表示装置に好適に用いることができる。

トランジスタ２１０は、トランジスタ１１０と共通の特徴を有している。

ここで、トランジスタ１１０及びトランジスタ２１０に適用可能な、トランジスタの構成例について説明する。

図１６（Ａ）に示したトランジスタ１１０ａは、トランジスタ１１０と比較して、導電層１１４及び絶縁層１３６を有する点で相違している。導電層１１４は、絶縁層１３３上に設けられ、半導体層１１２と重なる領域を有する。また絶縁層１３６は、導電層１１４及び絶縁層１３３を覆って設けられている。

導電層１１４は、半導体層１１２を挟んで導電層１１１とは反対側に位置している。導電層１１１を第１のゲート電極とした場合、導電層１１４は、第２のゲート電極として機能することができる。導電層１１１と導電層１１４に同じ電位を与えることで、トランジスタ１１０ａのオン電流を高めることができる。また導電層１１１及び導電層１１４の一方にしきい値電圧を制御するための電位を与え、他方に駆動のための電位を与えることで、トランジスタ１１０ａのしきい値電圧を制御することができる。

ここで、導電層１１４として、酸化物を含む導電性材料を用いることが好ましい。これにより、導電層１１４を構成する導電膜の成膜時に、酸素を含む雰囲気下で成膜することで、絶縁層１３３に酸素を供給することができる。好適には、スパッタ法における成膜ガス中の酸素ガスの割合を９０％以上１００％以下の範囲とすることが好ましい。絶縁層１３３に供給された酸素は、後の熱処理により半導体層１１２に供給され、半導体層１１２中の酸素欠損の低減を図ることができる。

特に、導電層１１４には低抵抗化された酸化物半導体を用いることが好ましい。このとき、絶縁層１３６に水素を放出する絶縁膜、例えば窒化シリコン膜等を用いることが好ましい。絶縁層１３６の成膜中、又はその後の熱処理によって導電層１１４中に水素が供給され、導電層１１４の電気抵抗を効果的に低減することができる。なお、酸化物半導体の一例については、実施の形態６にて詳細に説明する。

図１６（Ｂ）に示すトランジスタ１１０ｂは、トップゲート構造のトランジスタである。

トランジスタ１１０ｂは、ゲート電極として機能する導電層１１１が、半導体層１１２よりも上側（被形成面側とは反対側）に設けられている。また、絶縁層１３１上に半導体層１１２が形成されている。また半導体層１１２上には、絶縁層１３２及び導電層１１１が積層して形成されている。また、絶縁層１３３は、半導体層１１２の上面及び側端部、絶縁層１３３の側面、及び導電層１１１を覆って設けられている。導電層１１３ａ及び導電層１１３ｂは、絶縁層１３３上に設けられている。導電層１１３ａ及び導電層１１３ｂは、絶縁層１３３に設けられた開口を介して、半導体層１１２の上面と電気的に接続されている。

なお、ここでは絶縁層１３２が、導電層１１１と重ならない部分に存在しない場合の例を示しているが、絶縁層１３２が半導体層１１２の上面及び側端部を覆って設けられていてもよい。

トランジスタ１１０ｂは、導電層１１１と導電層１１３ａ又は導電層１１３ｂとの物理的な距離を離すことが容易なため、これらの間の寄生容量を低減することが可能である。

図１６（Ｃ）に示すトランジスタ１１０ｃは、トランジスタ１１０ｂと比較して、導電層１１５及び絶縁層１３７を有している点で相違している。導電層１１５は絶縁層１３１上に設けられ、半導体層１１２と重なる領域を有する。また絶縁層１３７は、導電層１１５及び絶縁層１３１を覆って設けられている。

導電層１１５は、上記導電層１１４と同様に第２のゲート電極として機能する。そのため、オン電流を高めることや、しきい値電圧を制御することなどが可能である。

ここで、表示装置１１において、表示パネル１００が有するトランジスタと、表示パネル２００が有するトランジスタとを、異なるトランジスタで構成してもよい。一例としては、発光素子１２０と電気的に接続するトランジスタは、比較的大きな電流を流す必要があるためトランジスタ１１０ａやトランジスタ１１０ｃを適用し、その他のトランジスタには、トランジスタの占有面積を低減するために、トランジスタ１１０を適用することができる。

一例として、図１７には、図１４（Ａ）のトランジスタ２１０に代えてトランジスタ１１０ａを適用し、トランジスタ１１０に代えてトランジスタ１１０ｃを適用した場合の例を示している。

以上がトランジスタについての説明である。

なお、本実施の形態において、本発明の一態様について述べた。又は、他の実施の形態において、本発明の一態様について述べる。ただし、本発明の一態様は、これらに限定されない。つまり、本実施の形態及び他の実施の形態では、様々な発明の態様が記載されているため、本発明の一態様は、特定の態様に限定されない。例えば、本発明の一態様として、表示装置に適用した場合の例を示したが、本発明の一態様は、これに限定されない。場合によっては、又は、状況に応じて、本発明の一態様は、表示装置に適用しなくてもよい。例えば、本発明の一態様は、別の機能を有する半導体装置に適用してもよい。例えば、本発明の一態様として、トランジスタのチャネル形成領域、ソースドレイン領域などが、酸化物半導体を有する場合の例を示したが、本発明の一態様は、これに限定されない。場合によっては、又は、状況に応じて、本発明の一態様における様々なトランジスタ、トランジスタのチャネル形成領域、又は、トランジスタのソースドレイン領域などは、様々な半導体を有していてもよい。場合によっては、又は、状況に応じて、本発明の一態様における様々なトランジスタ、トランジスタのチャネル形成領域、又は、トランジスタのソースドレイン領域などは、例えば、シリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、炭化シリコン、ガリウムヒ素、アルミニウムガリウムヒ素、インジウムリン、窒化ガリウム、又は、有機半導体などの少なくとも一つを有していてもよい。又は例えば、場合によっては、又は、状況に応じて、本発明の一態様における様々なトランジスタ、トランジスタのチャネル形成領域、又は、トランジスタのソースドレイン領域などは、酸化物半導体を有していなくてもよい。

本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置のより具体的な例について説明する。以下で例示する表示装置４００は、実施の形態１で説明した表示領域１１ａに用いることのできる反射型の液晶素子と、発光素子の両方を有し、透過モードと反射モードの両方の表示を行うことのできる表示装置である。

［構成例］
図１８（Ａ）は、表示装置４００の構成の一例を示すブロック図である。表示装置４００は、表示部３６２ａにマトリクス状に配列した複数の画素４１０を有する。また表示装置４００は、ゲートドライバＧＤと、ソースドライバＳＤを有する。また方向Ｒに配列した複数の画素４１０、及びゲートドライバＧＤと電気的に接続する複数の配線Ｇ１、複数の配線Ｇ２、複数の配線ＡＮＯ、及び複数の配線ＣＳＣＯＭを有する。また方向Ｃに配列した複数の画素４１０、及びソースドライバＳＤと電気的に接続する複数の配線Ｓ１及び複数の配線Ｓ２を有する。

なお、ここでは簡単のためにゲートドライバＧＤとソースドライバＳＤを１つずつ有する構成を示したが、液晶素子を駆動するゲートドライバＧＤ及びソースドライバＳＤと、発光素子を駆動するゲートドライバＧＤ及びソースドライバＳＤとを、別々に設けてもよい。

画素４１０は、反射型の液晶素子と、発光素子を有する。画素４１０において、液晶素子と発光素子とは、互いに重なる部分を有する。

図１８（Ｂ１）は、画素４１０が有する電極３１１ｂの構成例を示す。電極３１１ｂは、画素４１０における液晶素子の反射電極として機能する。また電極３１１ｂには、開口４５１が設けられている。

図１８（Ｂ１）には、電極３１１ｂと重なる領域に位置する発光素子３６０を破線で示している。発光素子３６０は、電極３１１ｂが有する開口４５１と重ねて配置されている。これにより、発光素子３６０が発する光は、開口４５１を介して表示面側に射出される。

図１８（Ｂ１）では、方向Ｒに隣接する画素４１０が異なる色に対応する画素である。このとき、図１８（Ｂ１）に示すように、方向Ｒに隣接する２つの画素において、開口４５１が一列に配列されないように、電極３１１ｂの異なる位置に設けられていることが好ましい。これにより、２つの発光素子３６０を離すことが可能で、発光素子３６０が発する光が隣接する画素４１０が有する着色層に入射してしまう現象（クロストークともいう）を抑制することができる。また、隣接する２つの発光素子３６０を離して配置することができるため、発光素子３６０のＥＬ層をシャドウマスク等により作り分ける場合であっても、高い精細度の表示装置を実現できる。

また、図１８（Ｂ２）に示すような配列としてもよい。

非開口部の総面積に対する開口４５１の総面積の比の値が大きすぎると、液晶素子を用いた表示が暗くなってしまう。また、非開口部の総面積に対する開口４５１の総面積の比の値が小さすぎると、発光素子３６０を用いた表示が暗くなってしまう。

また、反射電極として機能する電極３１１ｂに設ける開口４５１の面積が小さすぎると、発光素子３６０が射出する光から取り出せる光の効率が低下してしまう。

開口４５１の形状は、例えば多角形、四角形、楕円形、円形又は十字等の形状とすることができる。また、細長い筋状、スリット状、市松模様状の形状としてもよい。また、開口４５１を隣接する画素に寄せて配置してもよい。好ましくは、開口４５１を同じ色を表示する他の画素に寄せて配置する。これにより、クロストークを抑制できる。

［回路構成例］
図１９は、実施の形態１で説明した、画素３０を画素４１０として構成例を示す回路図である。図１９では、隣接する２つの画素４１０を示している。

画素４１０は、スイッチＳＷ１、容量素子Ｃ１、液晶素子３４０、スイッチＳＷ２、トランジスタＭ、容量素子Ｃ２、及び発光素子３６０等を有する。また、画素４１０には、配線Ｇ１、配線Ｇ２、配線ＡＮＯ、配線ＣＳＣＯＭ、配線Ｓ１、及び配線Ｓ２が電気的に接続されている。また、図１９では、液晶素子３４０と電気的に接続する配線ＶＣＯＭ１、及び発光素子３６０と電気的に接続する配線ＶＣＯＭ２を示している。配線Ｇ１及び配線Ｇ２は、走査信号が与えられる配線であり、配線Ｓ１及び配線Ｓ２は階調信号が与えられる配線である。

図１９では、スイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ２に、トランジスタを用いた場合の例を示している。

スイッチＳＷ１は、ゲートが配線Ｇ１と接続され、ソース又はドレインの一方が配線Ｓ１と接続され、ソース又はドレインの他方が容量素子Ｃ１の一方の電極、及び液晶素子３４０の一方の電極と接続されている。容量素子Ｃ１は、他方の電極が配線ＣＳＣＯＭと接続されている。液晶素子３４０は、他方の電極が配線ＶＣＯＭ１と接続されている。

またスイッチＳＷ２は、ゲートが配線Ｇ２と接続され、ソース又はドレインの一方が配線Ｓ２と接続され、ソース又はドレインの他方が、容量素子Ｃ２の一方の電極、トランジスタＭのゲートと接続されている。容量素子Ｃ２は、他方の電極がトランジスタＭのソース又はドレインの一方、及び配線ＡＮＯと接続されている。トランジスタＭは、ソース又はドレインの他方が発光素子３６０の一方の電極と接続されている。発光素子３６０は、他方の電極が配線ＶＣＯＭ２と接続されている。

図１９では、トランジスタＭが半導体を挟む２つのゲートを有し、これらが接続されている例を示している。これにより、トランジスタＭが流すことのできる電流を増大させることができる。

配線Ｇ１には、スイッチＳＷ１を導通状態又は非導通状態に制御する信号を与えることができる。配線ＶＣＯＭ１には、所定の電位を与えることができる。配線Ｓ１には、液晶素子３４０が有する液晶の配向状態を制御する信号を与えることができる。配線ＣＳＣＯＭには、所定の電位を与えることができる。

配線Ｇ２には、スイッチＳＷ２を導通状態又は非導通状態に制御する信号を与えることができる。配線ＶＣＯＭ２及び配線ＡＮＯには、発光素子３６０が発光する電位差が生じる電位をそれぞれ与えることができる。配線Ｓ２には、トランジスタＭの導通状態を制御する信号を与えることができる。

図１９に示す画素４１０は、例えば反射モードの表示を行う場合には、配線Ｇ１及び配線Ｓ１に与える信号により駆動し、液晶素子３４０による光学変調を利用して表示することができる。また、透過モードで表示を行う場合には、配線Ｇ２及び配線Ｓ２に与える信号により駆動し、発光素子３６０を発光させて表示することができる。また両方のモードで駆動する場合には、配線Ｇ１、配線Ｇ２、配線Ｓ１及び配線Ｓ２のそれぞれに与える信号により駆動することができる。

なお、図１９では一つの画素４１０に、一つの液晶素子３４０と一つの発光素子３６０とを有する例を示したが、これに限られない。図２０（Ａ）は、一つの画素４１０に一つの液晶素子３４０と４つの発光素子３６０（発光素子３６０ｒ、３６０ｇ、３６０ｂ、３６０ｗ）を有する例を示している。図２０（Ａ）に示す画素４１０は、図１９とは異なり、１つの画素でフルカラーの表示が可能な画素である。

図２０（Ａ）では図１９の例に加えて、画素４１０に配線Ｇ３及び配線Ｓ３が接続されている。

図２０（Ａ）に示す例では、例えば４つの発光素子３６０を、それぞれ赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）、及び白色（Ｗ）を呈する発光素子を用いることができる。また液晶素子３４０として、白色を呈する反射型の液晶素子を用いることができる。これにより、反射モードの表示を行う場合には、反射率の高い白色の表示を行うことができる。また透過モードで表示を行う場合には、演色性の高い表示を低い電力で行うことができる。

また、図２０（Ｂ）には、画素４１０の構成例を示している。画素４１０は、電極３１１が有する開口部と重なる発光素子３６０ｗと、電極３１１の周囲に配置された発光素子３６０ｒ、発光素子３６０ｇ、及び発光素子３６０ｂとを有する。発光素子３６０ｒ、発光素子３６０ｇ、及び発光素子３６０ｂは、発光面積がほぼ同等であることが好ましい。

［表示装置の構成例］
図２１（Ａ）は、本発明の一態様の表示装置３００の斜視概略図である。表示装置３００は、基板３５１と基板３６１とが貼り合わされた構成を有する。図２１（Ａ）では、基板３６１を破線で明示している。

また、基板３６１上にはタッチセンサを設けることができる。例えば、シート状の静電容量方式のタッチセンサ３６８を表示部３６２に重ねて設ける構成とすればよい。又は、基板３６１と基板３５１との間にタッチセンサを設けてもよい。基板３６１と基板３５１との間にタッチセンサを設ける場合は、静電容量方式のタッチセンサの他、光電変換素子を用いた光学式のタッチセンサを適用してもよい。

図２１（Ｂ）は、表示装置３００に用いた表示モジュール８０００に、タッチセンサを設けた例を示す。表示モジュール８０００は、上部カバー８００１と下部カバー８００２との間に、ＦＰＣ８００５に接続された表示パネル８００６、フレーム８００９、プリント基板８０１０、及びバッテリ８０１１を有する。表示パネル８００６は図２１（Ａ）の表示装置３００を用いることができる。

例えば、本発明の一態様を用いて作製された表示装置を、表示パネル８００６に用いることができる。これにより、高い歩留まりで表示モジュールを作製することができる。

上部カバー８００１及び下部カバー８００２は、表示パネル８００６のサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。

また、表示パネル８００６に重ねてタッチパネルを設けてもよい。タッチパネルとしては、抵抗膜方式又は静電容量方式のタッチパネルを表示パネル８００６に重畳して用いることができる。また、タッチパネルを設けず、表示パネル８００６に、タッチパネル機能を持たせるようにすることも可能である。

フレーム８００９は、表示パネル８００６の保護機能の他、プリント基板８０１０の動作により発生する電磁波を遮断するための電磁シールドとしての機能を有する。またフレーム８００９は、放熱板としての機能を有していてもよい。

プリント基板８０１０は、電源回路、ビデオ信号及びクロック信号を出力するための信号処理回路を有する。電源回路に電力を供給する電源としては、外部の商用電源であっても良いし、別途設けたバッテリ８０１１による電源であってもよい。バッテリ８０１１は、商用電源を用いる場合には、省略可能である。

また、表示モジュール８０００は、偏光板、位相差板、プリズムシートなどの部材を追加して設けてもよい。

図２０（Ｂ）は、光学式のタッチセンサを備える表示モジュール８０００の断面概略図である。

表示モジュール８０００は、プリント基板８０１０に設けられた発光部８０１５及び受光部８０１６を有する。また、上部カバー８００１と下部カバー８００２により囲まれた領域に一対の導光部（導光部８０１７ａ、導光部８０１７ｂ）を有する。

表示パネル８００６は、フレーム８００９を間に介してプリント基板８０１０やバッテリ８０１１と重ねて設けられている。表示パネル８００６とフレーム８００９は、導光部８０１７ａ、導光部８０１７ｂに固定されている。

発光部８０１５から発せられた光８０１８は、導光部８０１７ａにより表示パネル８００６の上部を経由し、導光部８０１７ｂを通って受光部８０１６に達する。例えば指やスタイラスなどの被検知体により、光８０１８が遮られることにより、タッチ操作を検出することができる。

発光部８０１５は、例えば表示パネル８００６の隣接する２辺に沿って複数設けられる。受光部８０１６は、発光部８０１５と表示パネル８００６を挟んで対向する位置に複数設けられる。これにより、タッチ操作がなされた位置の情報を取得することができる。

発光部８０１５は、例えばＬＥＤ素子などの光源を用いることができる。特に、発光部８０１５として、使用者に視認されず、且つ使用者にとって無害である赤外線を発する光源を用いることが好ましい。

受光部８０１６は、発光部８０１５が発する光を受光し、電気信号に変換する光電素子を用いることができる。好適には、赤外線を受光可能なフォトダイオードを用いることができる。

導光部８０１７ａ、導光部８０１７ｂとしては、少なくとも光８０１８を透過する部材を用いることができる。導光部８０１７ａ及び導光部８０１７ｂを用いることで、発光部８０１５と受光部８０１６とを表示パネル８００６の下側に配置することができ、外光が受光部８０１６に到達してタッチセンサが誤動作することを抑制できる。特に、可視光を吸収し、赤外線を透過する樹脂を用いることが好ましい。これにより、タッチセンサの誤動作をより効果的に抑制できる。

ここで、表示装置３００の説明に戻る。表示装置３００は、表示部３６２ａ、表示部３６２ｂ、表示部３６２ｃ、回路部３６４、配線３６５、回路部３６６、配線３６７等を有する。基板３５１には、例えば回路部３６４、配線３６５、回路部３６６、配線３６７及び画素電極として機能する電極３１１ｂ等が設けられる。また図２１では基板３５１上にＩＣ３７３、ＦＰＣ３７２、ＩＣ３７５及びＦＰＣ３７４が実装されている例を示している。そのため、図２１に示す構成は、表示装置３００とＩＣ３７３、ＦＰＣ３７２、ＩＣ３７５及びＦＰＣ３７４を有する表示モジュールと言うこともできる。

表示装置３００は実施の形態１で説明した表示装置１１に相当し、表示部３６２ａ、表示部３６２ｂ、表示部３６２ｃは、それぞれ表示領域１１ａ、表示領域１１ｂ、表示領域１１ｃに相当する。

回路部３６４及び回路部３６６は、例えば走査線駆動回路として機能する回路を用いることができる。

配線３６５及び配線３６７は、表示部や回路部３６４に信号や電力を供給する機能を有する。当該信号や電力は、ＦＰＣ３７２を介して外部、又はＩＣ３７３から配線３６５に入力される。

また、図２１では、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式等により、基板３５１にＩＣ３７３及びＩＣ３７５が設けられている例を示している。ＩＣ３７３及びＩＣ３７５は、例えば走査線駆動回路としての機能を有するＩＣを適用できる。なお表示装置３００が走査線駆動回路及び信号線駆動回路として機能する回路を備える場合や、走査線駆動回路や信号線駆動回路として機能する回路を外部に設け、ＦＰＣ３７２及びＦＰＣ３７４を介して表示装置３００を駆動するための信号を入力する場合などでは、ＩＣ３７３及びＩＣ３７５を設けない構成としてもよい。また、ＩＣ３７３及びＩＣ３７５を、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）方式等により、基板３５１に設けられていてもよい。

図２１には、表示部３６２ａの一部の拡大図を示している。表示部３６２ａは、実施の形態１で説明した表示領域１１ａ及び１１ｃに相当する。表示部３６２ａには、複数の表示素子が有する電極３１１ｂがマトリクス状に配置されている。電極３１１ｂは、可視光を反射する機能を有し、後述する液晶素子３４０の反射電極として機能する。

また、図２１に示すように、電極３１１ｂは開口を有する。さらに電極３１１ｂよりも基板３５１側に、発光素子３６０を有する。発光素子３６０からの光は、電極３１１ｂの開口を介して基板３６１側に射出される。

なお、実施の形態１で説明した表示領域１１ｂ及び１１ｃは、表示部３６２ｂ、３６２ｃに相当する。表示部３６２ｂ、３６２ｃは、表示部３６２ａとは異なる大きさの表示素子を有している。

［断面構成例］
図２２に、図２１で例示した表示装置３００の、ＦＰＣ３７２を含む領域の一部、回路部３６４を含む領域の一部、表示部３６２ａを含む領域の一部、回路部３６６を含む領域の一部、及びＦＰＣ３７４を含む領域の一部をそれぞれ切断したときの断面の一例を示す。

図２２に示す表示装置は、表示パネル１００と、表示パネル２００とが積層された構成を有する。表示パネル１００は、樹脂層１０１と樹脂層１０２を有する。表示パネル２００は、樹脂層２０１と樹脂層２０２を有する。樹脂層１０２と樹脂層２０１とは、接着層５０によって接着されている。また樹脂層１０１は、接着層５１により基板３５１と接着されている。また樹脂層２０２は、接着層５２により基板３６１と接着されている。

〔表示パネル１００〕

表示パネル１００は、樹脂層１０１、絶縁層４７８、複数のトランジスタ、容量素子４０５、配線４０７、絶縁層４１１、絶縁層４１２、絶縁層４１３、絶縁層４１４、絶縁層４１５、発光素子３６０、スペーサ４１６、接着層４１７、着色層４２５、遮光層４２６、絶縁層４７６、及び樹脂層１０２を有する。

樹脂層１０２は、発光素子３６０と重なる領域に開口部を有する。

回路部３６４はトランジスタ４０１を有する。表示部３６２ａは、トランジスタ４０２及びトランジスタ４０３を有する。

各トランジスタは、ゲート、絶縁層４１１、半導体層、ソース、及びドレインを有する。ゲートと半導体層は、絶縁層４１１を介して重なる。絶縁層４１１の一部は、ゲート絶縁層としての機能を有し、他の一部は、容量素子４０５の誘電体としての機能を有する。トランジスタ４０２のソース又はドレインとして機能する導電層は、容量素子４０５の一方の電極を兼ねる。

図２２では、ボトムゲート構造のトランジスタを示す。回路部３６４と表示部３６２ａとで、トランジスタの構造が異なっていてもよい。回路部３６４及び表示部３６２ａは、それぞれ、複数の種類のトランジスタを有していてもよい。

容量素子４０５は、一対の電極と、その間の誘電体とを有する。容量素子４０５は、トランジスタのゲートと同一の材料、及び同一の工程で形成した導電層と、トランジスタのソース及びドレインと同一の材料、及び同一の工程で形成した導電層と、を有する。

絶縁層４１２、絶縁層４１３、及び絶縁層４１４は、それぞれ、トランジスタ等を覆って設けられる。トランジスタ等を覆う絶縁層の数は特に限定されない。絶縁層４１４は、平坦化層としての機能を有する。絶縁層４１２、絶縁層４１３、及び絶縁層４１４のうち、少なくとも一層には、水又は水素などの不純物が拡散しにくい材料を用いることが好ましい。外部から不純物がトランジスタに拡散することを効果的に抑制することが可能となり、表示装置の信頼性を高めることができる。

絶縁層４１４として有機材料を用いる場合、表示装置の端部に露出した絶縁層４１４を通って発光素子３６０等に表示装置の外部から水分等の不純物が侵入する恐れがある。不純物の侵入により、発光素子３６０が劣化すると、表示装置の劣化につながる。そのため、図２２に示すように、絶縁層４１４が、表示装置の端部に位置しないことが好ましい。図２２の構成では、有機材料を用いた絶縁層が表示装置の端部に位置しないため、発光素子３６０に不純物が侵入することを抑制できる。

発光素子３６０は、電極４２１、ＥＬ層４２２、及び電極４２３を有する。発光素子３６０は、光学調整層４２４を有していてもよい。発光素子３６０は、着色層４２５側に光を射出する、トップエミッション構造である。

トランジスタ、容量素子、及び配線等を、発光素子３６０の発光領域と重ねて配置することで、表示部３６２ａの開口率を高めることができる。

電極４２１及び電極４２３のうち、一方は、陽極として機能し、他方は、陰極として機能する。電極４２１及び電極４２３の間に、発光素子３６０の閾値電圧より高い電圧を印加すると、ＥＬ層４２２に陽極側から正孔が注入され、陰極側から電子が注入される。注入された電子と正孔はＥＬ層４２２において再結合し、ＥＬ層４２２に含まれる発光物質が発光する。

電極４２１は、トランジスタ４０３のソース又はドレインと電気的に接続される。これらは、直接接続されてもよいし、他の導電層を介して接続されてもよい。電極４２１は、画素電極として機能し、発光素子３６０ごとに設けられている。隣り合う２つの電極４２１は、絶縁層４１５によって電気的に絶縁されている。

ＥＬ層４２２は、発光性の物質を含む層である。

電極４２３は、共通電極として機能し、複数の発光素子３６０にわたって設けられている。電極４２３には、定電位が供給される。

発光素子３６０は、接着層４１７を介して着色層４２５と重なる。スペーサ４１６は、接着層４１７を介して遮光層４２６と重なる。図２２では、電極４２３と遮光層４２６との間に隙間がある場合を示しているが、これらが接していてもよい。図２２では、スペーサ４１６を基板４７１側に設ける構成を示したが、基板４７２側（例えば遮光層４２６よりも基板４７１側）に設けてもよい。

カラーフィルタ（着色層４２５）とマイクロキャビティ構造（光学調整層４２４）との組み合わせにより、表示装置からは、色純度の高い光を取り出すことができる。光学調整層４２４の膜厚は、各画素の色に応じて変化させる。

着色層４２５は特定の波長域の光を透過する有色層である。例えば、赤色、緑色、青色、又は黄色の波長域の光を透過するカラーフィルタなどを用いることができる。

なお、本発明の一態様は、カラーフィルタ方式に限られず、塗り分け方式、色変換方式、又は量子ドット方式等を適用してもよい。

遮光層４２６は、隣接する着色層４２５の間に設けられている。遮光層４２６は隣接する発光素子４０４からの光を遮光し、隣接する発光素子３６０間における混色を抑制する。ここで、着色層４２５の端部を、遮光層４２６と重なるように設けることにより、光漏れを抑制することができる。遮光層４２６としては、発光素子３６０が発する光を遮る材料を用いることができる。なお、遮光層４２６は、回路部３６４などの表示部３６２ａ以外の領域に設けると、導波光などによる意図しない光漏れを抑制できるため好ましい。

樹脂層１０１の一方の表面には絶縁層４７８が形成されている。また、樹脂層１０２の一方の表面には絶縁層４７６が形成されている。絶縁層４７６及び絶縁層４７８に防湿性の高い膜を用いることが好ましい。一対の防湿性の高い絶縁層の間に発光素子３６０及びトランジスタ等を配置することで、これらの素子に水等の不純物が侵入することを抑制でき、表示装置の信頼性が高くなるため好ましい。

防湿性の高い絶縁膜としては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の窒素と珪素を含む膜、及び、窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等が挙げられる。また、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いてもよい。

例えば、防湿性の高い絶縁膜の水蒸気透過量は、１×１０^−５［ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）］以下、好ましくは１×１０^−６［ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）］以下、より好ましくは１×１０^−７［ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）］以下、さらに好ましくは１×１０^−８［ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）］以下とする。

接続部４０６は、配線３６５を有する。配線３６５は、トランジスタのソース及びドレインと同一の材料、及び同一の工程で形成することができる。接続部４０６は、回路部３６４に外部からの信号や電位を伝達する外部入力端子と電気的に接続する。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ３７２を設ける例を示している。接続層４１９を介してＦＰＣ３７２と接続部４０６は電気的に接続する。

接続層４１９としては、様々な異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）及び異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。

以上が表示パネル１００についての説明である。

〔表示パネル２００〕
表示パネル２００は、縦電界方式が適用された反射型液晶表示装置である。

表示パネル２００は、樹脂層２０１、絶縁層５７８、複数のトランジスタ、容量素子５０５、配線３６７、絶縁層５１１、絶縁層５１２、絶縁層５１３、絶縁層５１４、液晶素子５２９、配向膜５６４ａ、配向膜５６４ｂ、接着層５１７、絶縁層５７６、及び樹脂層２０２を有する。

樹脂層２０１と樹脂層２０２とは、接着層５１７によって貼り合わされている。樹脂層２０１、樹脂層２０２、及び接着層５１７に囲まれた領域に、液晶５６３が封止されている。基板５７２の外側の面には、偏光板５９９が位置する。

また樹脂層２０１には、発光素子３６０と重なる開口部が設けられている。また、樹脂層２０２には、液晶素子５２９及び発光素子３６０と重なる開口部が設けられている。

液晶素子５２９は、電極３１１ｂ、電極５６２、及び液晶５６３を有する。電極３１１ｂは画素電極として機能する。電極５６２は共通電極として機能する。電極３１１ｂと電極５６２との間に生じる電界により、液晶５６３の配向を制御することができる。液晶５６３と電極３１１ｂの間には配向膜５６４ａが設けられている。液晶５６３と電極５６２の間には、配向膜５６４ｂが設けられている。

樹脂層２０２には、絶縁層５７６、電極５６２、及び配向膜５６４ｂ等が設けられている。

樹脂層２０１には、電極３１１ｂ、配向膜５６４ａ、トランジスタ５０１、トランジスタ５０３、容量素子５０５、接続部５０６、及び配線３６７等が設けられている。

樹脂層２０１上には、絶縁層５１１、絶縁層５１２、絶縁層５１３、絶縁層５１４等の絶縁層が設けられている。

ここで、トランジスタ５０３のソース又はドレインのうち、電極３１１ｂと電気的に接続されていない方の導電層は、信号線の一部として機能してもよい。また、トランジスタ５０３のゲートとして機能する導電層は、走査線の一部として機能してもよい。

図２２では、表示部３６２ａの例として、着色層を設けない構成を示している。そのため、液晶素子５２９は、白黒の階調表示を行う素子である。

図２２では、回路部３６６の例としてトランジスタ５０１が設けられている例を示している。

各トランジスタを覆う絶縁層５１２、絶縁層５１３のうち少なくとも一方は、水や水素などの不純物が拡散しにくい材料を用いることが好ましい。

絶縁層５１４上には、電極３１１ｂが設けられている。電極３１１ｂは、絶縁層５１４、絶縁層５１３、絶縁層５１２等に形成された開口を介して、トランジスタ５０３のソース又はドレインの一方と電気的に接続されている。また電極３１１ｂは、容量素子５０５の一方の電極と電気的に接続されている。

表示パネル２００は、反射型の液晶表示装置であるため、電極３１１ｂに可視光を反射する導電性材料を用い、電極５６２に可視光を透過する導電性材料を用いる。

可視光を透過する導電性材料としては、例えば、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、錫（Ｓｎ）の中から選ばれた一種を含む材料を用いるとよい。具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、インジウム亜鉛酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、酸化シリコンを含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化亜鉛、ガリウムを含む酸化亜鉛などが挙げられる。なお、グラフェンを含む膜を用いることもできる。グラフェンを含む膜は、例えば膜状に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。

可視光を反射する導電性材料としては、例えば、アルミニウム、銀、又はこれらの金属材料を含む合金等が挙げられる。そのほか、金、白金、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、又はこれら金属材料を含む合金を用いることができる。また、上記金属材料又は合金に、ランタン、ネオジム、又はゲルマニウム等が添加されていてもよい。アルミニウムとチタンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金、アルミニウム、ニッケル、及びランタンの合金（Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ）等のアルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）、銀と銅の合金、銀とパラジウムと銅の合金（Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、ＡＰＣとも記す）、銀とマグネシウムの合金等の銀を含む合金を用いてもよい。

ここで、偏光板５９９として直線偏光板を用いてもよいが、円偏光板を用いることもできる。円偏光板としては、例えば直線偏光板と１／４波長位相差板を積層したものを用いることができる。これにより、外光反射を抑制することができる。また、偏光板５９９の種類に応じて、液晶素子５２９に用いる液晶素子のセルギャップ、配向、駆動電圧等を調整することで、所望のコントラストが実現されるようにすればよい。

電極５６２は、樹脂層２０２の端部に近い部分において、樹脂層２０１側に設けられた導電層と接続体５４３により電気的に接続されている。これにより、樹脂層２０１側に配置されるＦＰＣ３７４やＩＣ等から電極５６２に電位や信号を供給することができる。

接続体５４３としては、例えば導電性の粒子を用いることができる。導電性の粒子としては、有機樹脂又はシリカなどの粒子の表面を金属材料で被覆したものを用いることができる。金属材料としてニッケルや金を用いると接触抵抗を低減できるため好ましい。またニッケルをさらに金で被覆するなど、２種類以上の金属材料を層状に被覆させた粒子を用いることが好ましい。また接続体５４３として、弾性変形、又は塑性変形する材料を用いることが好ましい。このとき導電性の粒子である接続体５４３は、図２２に示すように上下方向に潰れた形状となる場合がある。こうすることで、接続体５４３と、これと電気的に接続する導電層との接触面積が増大し、接触抵抗を低減できる他、接続不良などの不具合の発生を抑制することができる。

接続体５４３は、接着層５１７に覆われるように配置することが好ましい。例えば接着層５１７となるペースト等を塗布した後に、接続体５４３を配置すればよい。

樹脂層２０１の端部に近い領域には、接続部５０６が設けられている。接続部５０６は、接続層５１９を介してＦＰＣ３７４と電気的に接続されている。図２２に示す構成では、配線３６７の一部と、電極３１１ｂと同一の導電膜を加工して得られた導電層を積層することで接続部５０６を構成している例を示している。

以上が表示パネル２００についての説明である。

［各構成要素について］
以下では、上記に示す各構成要素について説明する。

〔基板〕
表示パネルが有する基板には、平坦面を有する材料を用いることができる。表示素子からの光を取り出す側の基板には、該光を透過する材料を用いる。例えば、ガラス、石英、セラミック、サファイヤ、有機樹脂などの材料を用いることができる。

厚さの薄い基板を用いることで、表示パネルの軽量化、薄型化を図ることができる。さらに、可撓性を有する程度の厚さの基板を用いることで、可撓性を有する表示パネルを実現できる。

また、発光を取り出さない側の基板は、透光性を有していなくてもよいため、上記に挙げた基板の他に、金属基板等を用いることもできる。金属基板は熱伝導性が高く、基板全体に熱を容易に伝導できるため、表示パネルの局所的な温度上昇を抑制することができ、好ましい。可撓性や曲げ性を得るためには、金属基板の厚さは、１０μｍ以上４００μｍ以下が好ましく、２０μｍ以上５０μｍ以下であることがより好ましい。

金属基板を構成する材料としては、特に限定はないが、例えば、アルミニウム、銅、ニッケル等の金属、もしくはアルミニウム合金又はステンレス等の合金などを好適に用いることができる。

また、金属基板の表面を酸化する、又は表面に絶縁膜を形成するなどにより、絶縁処理が施された基板を用いてもよい。例えば、スピンコート法やディップ法などの塗布法、電着法、蒸着法、又はスパッタリング法などを用いて絶縁膜を形成してもよいし、酸素雰囲気で放置する又は加熱する他、陽極酸化法などによって、基板の表面に酸化膜を形成してもよい。

可撓性及び可視光に対する透過性を有する材料としては、例えば、可撓性を有する程度の厚さのガラスや、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂等が挙げられる。特に、熱膨張係数の低い材料を用いることが好ましく、例えば、熱膨張係数が３０×１０^−６／Ｋ以下であるポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、ＰＥＴ等を好適に用いることができる。また、ガラス繊維に有機樹脂を含浸した基板や、無機フィラーを有機樹脂に混ぜて熱膨張係数を下げた基板を使用することもできる。このような材料を用いた基板は、重量が軽いため、該基板を用いた表示パネルも軽量にすることができる。

上記材料中に繊維体が含まれている場合、繊維体は有機化合物又は無機化合物の高強度繊維を用いる。高強度繊維とは、具体的には引張弾性率又はヤング率の高い繊維のことを言い、代表例としては、ポリビニルアルコール系繊維、ポリエステル系繊維、ポリアミド系繊維、ポリエチレン系繊維、アラミド系繊維、ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール繊維、ガラス繊維、又は炭素繊維が挙げられる。ガラス繊維としては、Ｅガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、Ｑガラス等を用いたガラス繊維が挙げられる。これらは、織布又は不織布の状態で用い、この繊維体に樹脂を含浸させ樹脂を硬化させた構造物を、可撓性を有する基板として用いてもよい。可撓性を有する基板として、繊維体と樹脂からなる構造物を用いると、曲げや局所的押圧による破損に対する信頼性が向上するため、好ましい。

又は、可撓性を有する程度に薄いガラス、金属などを基板に用いることもできる。又は、ガラスと樹脂材料とが接着層により貼り合わされた複合材料を用いてもよい。

可撓性を有する基板に、表示パネルの表面を傷などから保護するハードコート層（例えば、窒化シリコン、酸化アルミニウムなど）や、押圧を分散可能な材質の層（例えば、アラミド樹脂など）等が積層されていてもよい。また、水分等による表示素子の寿命の低下等を抑制するために、可撓性を有する基板に透水性の低い絶縁膜が積層されていてもよい。例えば、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム等の無機絶縁材料を用いることができる。

基板は、複数の層を積層して用いることもできる。特に、ガラス層を有する構成とすると、水や酸素に対するバリア性を向上させ、信頼性の高い表示パネルとすることができる。

〔トランジスタ〕
トランジスタは、ゲート電極として機能する導電層と、半導体層と、ソース電極として機能する導電層と、ドレイン電極として機能する導電層と、ゲート絶縁層として機能する絶縁層と、を有する。上記では、ボトムゲート構造のトランジスタを適用した場合を示している。

なお、本発明の一態様の表示装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、プレーナ型のトランジスタとしてもよいし、スタガ型のトランジスタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート型又はボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。又は、チャネルの上下にゲート電極が設けられていてもよい。

トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。

また、トランジスタに用いる半導体材料としては、エネルギーギャップが２ｅＶ以上、好ましくは２．５ｅＶ以上、より好ましくは３ｅＶ以上である酸化物半導体を用いることができる。代表的には、インジウムを含む酸化物半導体などであり、例えば、後述するＣＡＣ−ＯＳなどを用いることができる。

シリコンよりもバンドギャップが広く、且つキャリア密度の小さい酸化物半導体を用いたトランジスタは、その低いオフ電流により、トランジスタと直列に接続された容量素子に蓄積した電荷を長期間に亘って保持することが可能である。

半導体層は、例えばインジウム、亜鉛及びＭ（アルミニウム、チタン、ガリウム、ゲルマニウム、イットリウム、ジルコニウム、ランタン、セリウム、スズ、ネオジム又はハフニウム等の金属）を含むＩｎ−Ｍ−Ｚｎ系酸化物で表記される膜とすることができる。

半導体層を構成する酸化物半導体がＩｎ−Ｍ−Ｚｎ系酸化物の場合、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物を成膜するために用いるスパッタリングターゲットの金属元素の原子数比は、Ｉｎ≧Ｍ、Ｚｎ≧Ｍを満たすことが好ましい。このようなスパッタリングターゲットの金属元素の原子数比として、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１．２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：３、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：４．１、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：６、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：７、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：８等が好ましい。なお、成膜される半導体層の原子数比はそれぞれ、上記のスパッタリングターゲットに含まれる金属元素の原子数比のプラスマイナス４０％の変動を含む。

本実施の形態で例示したボトムゲート構造のトランジスタは、作製工程を削減できるため好ましい。またこのとき酸化物半導体を用いることで、多結晶シリコンよりも低温で形成できる、半導体層よりも下層の配線は電極の材料、基板の材料として、耐熱性の低い材料を用いることが可能なため、材料の選択の幅を広げることができる。例えば、極めて大面積のガラス基板などを好適に用いることができる。

〔導電層〕
トランジスタのゲート、ソース及びドレインの他、表示装置を構成する各種配線及び電極などの導電層に用いることのできる材料としては、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、又はタングステンなどの金属、又はこれを主成分とする合金などが挙げられる。またこれらの材料を含む膜を単層で、又は積層構造として用いることができる。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、チタン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、タングステン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、銅−マグネシウム−アルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜上に銅膜を積層する二層構造、タングステン膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜又は窒化チタン膜と、その上に重ねてアルミニウム膜又は銅膜を積層し、さらにその上にチタン膜又は窒化チタン膜を形成する三層構造、モリブデン膜又は窒化モリブデン膜と、その上に重ねてアルミニウム膜又は銅膜を積層し、さらにその上にモリブデン膜又は窒化モリブデン膜を形成する三層構造等がある。なお、酸化インジウム、酸化錫又は酸化亜鉛等の酸化物を用いてもよい。また、マンガンを含む銅を用いると、エッチングによる形状の制御性が高まるため好ましい。

また、透光性を有する導電性材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物又はグラフェンを用いることができる。又は、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、又はチタンなどの金属材料や、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。又は、該金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）などを用いてもよい。なお、金属材料、合金材料（またはそれらの窒化物）を用いる場合には、透光性を有する程度に薄くすればよい。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とインジウムスズ酸化物の積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。これらは、表示装置を構成する各種配線及び電極などの導電層や、表示素子が有する導電層（画素電極や共通電極として機能する導電層）にも用いることができる。

〔絶縁層〕
各絶縁層に用いることのできる絶縁材料としては、例えば、ポリイミド、アクリル、エポキシ、シリコーン樹脂等の他、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料を用いることもできる。

また発光素子は、一対の透水性の低い絶縁膜の間に設けられていることが好ましい。これにより、発光素子に水等の不純物が侵入することを抑制でき、装置の信頼性の低下を抑制できる。

透水性の低い絶縁膜としては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の窒素と珪素を含む膜や、窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等が挙げられる。また、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いてもよい。

例えば、透水性の低い絶縁膜の水蒸気透過量は、１×１０^−５［ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）］以下、好ましくは１×１０^−６［ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）］以下、より好ましくは１×１０^−７［ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）］以下、さらに好ましくは１×１０^−８［ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）］以下とする。

〔表示素子について〕
表示面側に位置する第１の画素が有する表示素子には、外光を反射して表示する素子を用いることができる。このような素子は、光源を持たないため、表示の際の消費電力を極めて小さくすることが可能となる。第１の画素が有する表示素子には、代表的には反射型の液晶素子を用いることができる。又は、第１の画素が有する表示素子として、シャッター方式のＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍ）素子、光干渉方式のＭＥＭＳ素子の他、マイクロカプセル方式、電気泳動方式、エレクトロウェッティング方式、電子粉流体（登録商標）方式等を適用した素子などを用いることができる。

また、表示面側とは反対側に位置する第２の画素が有する表示素子は光源を有し、その光源からの光を利用して表示する素子を用いることができる。このような画素が射出する光は、その輝度や色度が外光に左右されることがないため、色再現性が高く（色域が広く）、且つコントラストの高い、つまり鮮やかな表示を行うことができる。第２の画素が有する表示素子には、例えばＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、ＱＬＥＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ−ｄｏｔ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）などの自発光性の発光素子を用いることができる。又は、第２の画素が有する表示素子として、光源であるバックライトと、バックライトからの光の透過光の光量を制御する透過型の液晶素子とを組み合わせたものを用いてもよい。

〔液晶素子〕
液晶素子としては、例えば垂直配向（ＶＡ：Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードが適用された液晶素子を用いることができる。垂直配向モードとしては、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−Ｄｏｍａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＡＳＶ（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｓｕｐｅｒ Ｖｉｅｗ）モードなどを用いることができる。

また、液晶素子には、様々なモードが適用された液晶素子を用いることができる。例えばＶＡモードの他に、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ ａｌｉｇｎｅｄ Ｍｉｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード等が適用された液晶素子を用いることができる。

なお、液晶素子は、液晶の光学的変調作用によって光の透過又は非透過を制御する素子である。なお、液晶の光学的変調作用は、液晶にかかる電界（横方向の電界、縦方向の電界又は斜め方向の電界を含む）によって制御される。なお、液晶素子に用いる液晶としては、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶（ＰＤＬＣ：Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を用いることができる。これらの液晶材料は、条件により、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す。

また、液晶材料としては、ポジ型の液晶、又はネガ型の液晶のいずれを用いてもよく、適用するモードや設計に応じて最適な液晶材料を用いればよい。

また、液晶の配向を制御するため、配向膜を設けることができる。なお、横電界方式を採用する場合、配向膜を用いないブルー相を示す液晶を用いてもよい。ブルー相は液晶相の一つであり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転移する直前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、温度範囲を改善するために数重量％以上のカイラル剤を混合させた液晶組成物を液晶層に用いる。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が短く、光学的等方性である。また、ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、配向処理が不要であり、視野角依存性が小さい。また配向膜を設けなくてもよいのでラビング処理も不要となるため、ラビング処理によって引き起こされる静電破壊を防止することができ、作製工程中の液晶表示装置の不良や破損を軽減することができる。

また、液晶材料の誘電率の異方性を２以上３．８以下とし、液晶材料の抵抗率を１．０×１０^１４（Ω・ｃｍ）以上１．０×１０^１５（Ω・ｃｍ）以下とすることで、ＩＤＳ駆動が可能であり、表示装置の消費電力を低減することができるため好ましい。

本発明の一態様では、特に反射型の液晶素子を用いることができる。

反射型の液晶素子を用いる場合には、表示面側に偏光板を設ける。またこれとは別に、表示面側に光拡散板を配置すると、視認性を向上させられるため好ましい。

また、反射型、又は半透過型の液晶素子を用いる場合、偏光板よりも外側に、フロントライトを設けてもよい。フロントライトとしては、エッジライト型のフロントライトを用いることが好ましい。ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）を備えるフロントライトを用いると、消費電力を低減できるため好ましい。

〔発光素子〕
発光素子としては、自発光が可能な素子を用いることができ、電流又は電圧によって輝度が制御される素子をその範疇に含んでいる。例えば、ＬＥＤ、ＱＬＥＤ、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子等を用いることができる。

本発明の一態様では、特に発光素子は、トップエミッション型の発光素子を用いることが好ましい。光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好ましい。

ＥＬ層は少なくとも発光層を有する。ＥＬ層は、発光層以外の層として、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、又はバイポーラ性の物質（電子輸送性および正孔輸送性が高い物質）等を含む層をさらに有していてもよい。

ＥＬ層には低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物を含んでいてもよい。ＥＬ層を構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。

陰極と陽極の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加すると、ＥＬ層に陽極側から正孔が注入され、陰極側から電子が注入される。注入された電子と正孔はＥＬ層において再結合し、ＥＬ層に含まれる発光物質が発光する。

発光素子として、白色発光の発光素子を適用する場合には、ＥＬ層に２種類以上の発光物質を含む構成とすることが好ましい。例えば２以上の発光物質の各々の発光が補色の関係となるように、発光物質を選択することにより白色発光を得ることができる。例えば、それぞれＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、Ｙ（黄）、Ｏ（橙）等の発光を示す発光物質、またはＲ、Ｇ、Ｂのうち２以上の色のスペクトル成分を含む発光を示す発光物質のうち、２以上を含むことが好ましい。また、発光素子からの発光のスペクトルが、可視光領域の波長（例えば３５０ｎｍ乃至７５０ｎｍ）の範囲内に２以上のピークを有する発光素子を適用することが好ましい。また、黄色の波長領域にピークを有する材料の発光スペクトルは、緑色及び赤色の波長領域にもスペクトル成分を有する材料であることが好ましい。

ＥＬ層は、一の色を発光する発光材料を含む発光層と、他の色を発光する発光材料を含む発光層とが積層された構成とすることが好ましい。例えば、ＥＬ層における複数の発光層は、互いに接して積層されていてもよいし、いずれの発光材料も含まない領域を介して積層されていてもよい。例えば、蛍光発光層と燐光発光層との間に、当該蛍光発光層又は燐光発光層と同一の材料（例えばホスト材料、アシスト材料）を含み、且ついずれの発光材料も含まない領域を設ける構成としてもよい。これにより、発光素子の作製が容易になり、また、駆動電圧が低減される。

また、発光素子は、ＥＬ層を１つ有するシングル素子であってもよいし、複数のＥＬ層が電荷発生層を介して積層されたタンデム素子であってもよい。

なお、上述した、発光層、ならびに正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、電子輸送性の高い物質、及び電子注入性の高い物質、バイポーラ性の物質等を含む層は、それぞれ量子ドットなどの無機化合物や、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）を有していてもよい。例えば、量子ドットを発光層に用いることで、発光材料として機能させることもできる。

なお、量子ドット材料としては、コロイド状量子ドット材料、合金型量子ドット材料、コア・シェル型量子ドット材料、コア型量子ドット材料などを用いることができる。また、１２族と１６族、１３族と１５族、又は１４族と１６族の元素グループを含む材料を用いてもよい。又は、カドミウム、セレン、亜鉛、硫黄、リン、インジウム、テルル、鉛、ガリウム、ヒ素、アルミニウム等の元素を含む量子ドット材料を用いてもよい。

可視光を透過する導電膜は、例えば、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを用いて形成することができる。また、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、もしくはチタン等の金属材料、これら金属材料を含む合金、又はこれら金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等も、透光性を有する程度に薄く形成することで用いることができる。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とインジウム錫酸化物の積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。また、グラフェン等を用いてもよい。

可視光を反射する導電膜は、例えば、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、又はこれら金属材料を含む合金を用いることができる。また、上記金属材料や合金に、ランタン、ネオジム、又はゲルマニウム等が添加されていてもよい。また、チタン、ニッケル、又はネオジムと、アルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）を用いてもよい。また銅、パラジウム、又はマグネシウムと、銀を含む合金を用いてもよい。銀と銅を含む合金は、耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム膜又はアルミニウム合金膜に接して金属膜又は金属酸化物膜を積層することで、酸化を抑制することができる。このような金属膜、金属酸化物膜の材料としては、チタンや酸化チタンなどが挙げられる。また、上記可視光を透過する導電膜と金属材料からなる膜とを積層してもよい。例えば、銀とインジウム錫酸化物の積層膜、銀とマグネシウムの合金とインジウム錫酸化物の積層膜などを用いることができる。

電極は、それぞれ、蒸着法やスパッタリング法を用いて形成すればよい。そのほか、インクジェット法などの吐出法、スクリーン印刷法などの印刷法、又はメッキ法を用いて形成することができる。

なお、上述した、発光層、ならびに正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、電子輸送性の高い物質、及び電子注入性の高い物質、バイポーラ性の物質等を含む層は、それぞれ量子ドットなどの無機化合物や、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）を有していてもよい。例えば、量子ドットを発光層に用いることで、発光材料として機能させることもできる。

なお、量子ドット材料としては、コロイド状量子ドット材料、合金型量子ドット材料、コア・シェル型量子ドット材料、コア型量子ドット材料などを用いることができる。また、１２族と１６族、１３族と１５族、又は１４族と１６族の元素グループを含む材料を用いてもよい。又は、カドミウム、セレン、亜鉛、硫黄、リン、インジウム、テルル、鉛、ガリウム、ヒ素、アルミニウム等の元素を含む量子ドット材料を用いてもよい。

〔接着層〕
接着層としては、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としてはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等を用いてもよい。

また、上記樹脂に乾燥剤を含んでいてもよい。例えば、アルカリ土類金属の酸化物（酸化カルシウムや酸化バリウム等）のように、化学吸着によって水分を吸着する物質を用いることができる。又は、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を吸着する物質を用いてもよい。乾燥剤が含まれていると、水分などの不純物が素子に侵入することを抑制でき、表示パネルの信頼性が向上するため好ましい。

また、上記樹脂に屈折率の高いフィラーや光散乱部材を混合することにより、光取り出し効率を向上させることができる。例えば、酸化チタン、酸化バリウム、ゼオライト、ジルコニウム等を用いることができる。

〔接続層〕
接続層としては、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）や、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。

〔着色層〕
着色層に用いることのできる材料としては、金属材料、樹脂材料、顔料又は染料が含まれた樹脂材料などが挙げられる。

〔遮光層〕
遮光層として用いることのできる材料としては、カーボンブラック、チタンブラック、金属、金属酸化物、複数の金属酸化物の固溶体を含む複合酸化物等が挙げられる。遮光層は、樹脂材料を含む膜であってもよいし、金属などの無機材料の薄膜であってもよい。また、遮光層に、着色層の材料を含む膜の積層膜を用いることもできる。例えば、ある色の光を透過する着色層に用いる材料を含む膜と、他の色の光を透過する着色層に用いる材料を含む膜との積層構造を用いることができる。着色層と遮光層の材料を共通化することで、装置を共通化できる他工程を簡略化できるため好ましい。

以上が各構成要素についての説明である。

［変形例］
以下では、上記断面構成例で例示した表示装置とは一部の構成の異なる例を説明する。なお、上記と重複する部分については説明を省略し、相違点のみ説明する。

〔断面構成例の変形例１〕
図２３は、図２２と比較してトランジスタの構成及び樹脂層２０２の構成が異なる点、ならびに着色層５６５、遮光層５６６、及び絶縁層５６７を有する点で相違している。

図２３示すトランジスタ４０１、トランジスタ４０３、トランジスタ５０１は、第２のゲート電極を有する。このように、回路部３６４や回路部３６６に設けるトランジスタ、及び発光素子３６０に流れる電流を制御するトランジスタに、一対のゲートを有するトランジスタを適用することが好ましい。

樹脂層２０２は、液晶素子５２９と重なる開口部と、発光素子３６０と重なる開口部とが、別々に設けられている。これにより、液晶素子５２９の反射率を向上させることができる。

また、絶縁層５７６の液晶素子５２９側の面には、遮光層５６６と、着色層５６５が設けられている。着色層５６５は、液晶素子５２９と重ねて設けられている。これにより、表示パネル２００はカラー表示を行うことができる。また、遮光層５６６は、液晶素子５２９と重なる開口部と、発光素子３６０と重なる開口部を有する。これにより、隣接画素間の混色を抑制し、色再現性の高い表示装置を実現できる。

〔断面構成例の変形例２〕
図２４は、各トランジスタにトップゲート型のトランジスタを適用した場合の例である。このように、トップゲート型のトランジスタを適用することにより、寄生容量が低減できるため、表示のフレーム周波数を高めることができる。また、例えば８インチ以上の大型の表示パネルに好適に用いることができる。

〔断面構成例の変形例３〕
図２５は、各トランジスタに第２のゲート電極を有するトップゲート型のトランジスタを適用した場合の例を示している。

各トランジスタは、樹脂層１０１又は樹脂層２０１上に接して、導電層５９１を有する。また導電層５９１を覆って絶縁層５７８が設けられている。

また、表示パネル２００の接続部５０６において、樹脂層２０１の一部が開口され、当該開口を埋めるように導電層５９２が設けられている。導電層５９２は、その裏面側（表示パネル１００側）の表面が露出するように設けられている。導電層５９２は、配線３６７と電気的に接続されている。ＦＰＣ３７４は、導電層５９２の露出した表面と、接続層５１９を介して電気的に接続されている。導電層５９２は導電層５９１と同一の導電膜を加工して形成することができる。導電層５９２は、裏面電極ともよぶことのできる電極として機能する。

このような構成は、樹脂層２０１に感光性の有機樹脂を用いることにより実現することができる。例えば、支持基板上に樹脂層２０１を形成する際に、樹脂層２０１に開口部を形成し、当該開口を埋めるように導電層５９２を形成する。そして樹脂層２０１と支持基板とを剥離する際、導電層５９２と支持基板とも同時に剥離されることにより、図２５示すような導電層５９２を形成することができる。

このような構成とすることで、表示面側に位置する表示パネル２００に接続するＦＰＣ３７４を、表示面とは反対側に配置することができる。そのため、表示装置を電子機器に組み込む際に、ＦＰＣ３７４を折り曲げるためのスペースを省くことができ、より小型化した電子機器を実現できる。

以上が変形例についての説明である。

本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

（実施の形態５）
実施の形態２とは構成の異なる表示装置を示す。図２６で示す表示装置２７００は、同一の絶縁層上に形成されたトランジスタによって第１の画素回路と、第２の画素回路が形成されている。表示装置２７００の表示面にタッチセンサ２６８を設けた入出力パネル２７００ＴＰ３を、図２６及び図２７を参照しながら説明する。

図２６は、入出力パネル２７００ＴＰ３が備える画素の断面図である。

なお、本明細書において、１以上の整数を値にとる変数を符号に用いる場合がある。例えば、１以上の整数の値をとる変数ｉ及び変数ｊを含む（ｉ，ｊ）を、最大ｉ×ｊ個の構成要素のいずれかを特定する符号の一部に用いる場合がある。

図２７は、本発明の一態様の入出力パネルの構成を説明する図である。図２７（Ａ）は図２６に示す入出力パネルの機能膜の構成を説明する断面図であり、図２７（Ｂ）は入力ユニットの構成を説明する断面図であり、図２７（Ｃ）は第２のユニットの構成を説明する断面図であり、図２７（Ｄ）は第１のユニットの構成を説明する断面図である。

本構成例で説明する入出力パネル２７００ＴＰ３は、画素２７０２（ｉ，ｊ）を有する（図２６参照）。また、入出力パネル２７００ＴＰ３は、第１のユニット２０１０と、第２のユニット２０２０と、入力ユニット２０３０と、機能膜２７７０Ｐと、を有する（図２７参照）。第１のユニット２０１０は機能層２５２０を含み、第２のユニット２０２０は機能層２７２０を含む。

＜＜画素２７０２（ｉ，ｊ）＞＞
画素２７０２（ｉ，ｊ）は、機能層２５２０の一部と、第１の表示素子２７５０（ｉ，ｊ）と、第２の表示素子２５５０（ｉ，ｊ）と、を有する（図２６参照）。

機能層２５２０は、第１の導電膜、第２の導電膜、絶縁膜２５０１Ｃ及び画素回路を含む。なお、画素回路は、例えば、トランジスタＭを含む。また、機能層２５２０は、光学素子２５６０、被覆膜２５６５及びレンズ２５８０を含む。また、機能層２５２０は、絶縁膜２５２８及び絶縁膜２５２１を備える。絶縁膜２５２１Ａ及び絶縁膜２５２１Ｂを積層した材料を、絶縁膜２５２１に用いることができる。

例えば、屈折率１．５５近傍の材料を絶縁膜２５２１Ａ又は絶縁膜２５２１Ｂに用いることができる。又は、屈折率１．６近傍の材料を絶縁膜２５２１Ａ又は絶縁膜２５２１Ｂに用いることができる。又は、アクリル樹脂又はポリイミドを絶縁膜２５２１Ａ又は絶縁膜２５２１Ｂに用いることができる。

絶縁膜２５０１Ｃは、第１の導電膜及び第２の導電膜の間に挟まれる領域を備え、絶縁膜２５０１Ｃは開口部２５９１Ａを備える。

第１の導電膜は、第１の表示素子２７５０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。具体的には、第１の表示素子２７５０（ｉ，ｊ）の電極２７５１（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。なお、電極２７５１（ｉ，ｊ）を、第１の導電膜に用いることができる。

第２の導電膜は、第１の導電膜と重なる領域を備える。第２の導電膜は、開口部２５９１Ａにおいて、第１の導電膜と電気的に接続される。例えば、導電膜２５１２Ｂを第２の導電膜に用いることができる。第２の導電膜は、画素回路と電気的に接続される。例えば、画素回路のスイッチＳＷ１に用いるトランジスタのソース電極又はドレイン電極として機能する導電膜を第２の導電膜に用いることができる。ところで、絶縁膜２５０１Ｃに設けられた開口部２５９１Ａにおいて第２の導電膜と電気的に接続される第１の導電膜を、貫通電極ということができる。

第２の表示素子２５５０（ｉ，ｊ）は、画素回路と電気的に接続される。第２の表示素子２５５０（ｉ，ｊ）は、機能層２５２０に向けて光を射出する機能を備える。また、第２の表示素子２５５０（ｉ，ｊ）は、例えば、レンズ２５８０又は光学素子２５６０に向けて光を射出する機能を備える。

第２の表示素子２５５０（ｉ，ｊ）は、第１の表示素子２７５０（ｉ，ｊ）を視認できる範囲の一部において視認できるように配設される。例えば、第２の表示素子２５５０（ｉ，ｊ）が射出する光を遮らない領域２７５１Ｈを備える形状を第１の表示素子２７５０（ｉ，ｊ）の電極２７５１（ｉ，ｊ）に用いる。なお、外光を反射する強度を制御して画像情報を表示する第１の表示素子２７５０（ｉ，ｊ）に外光が入射し反射する方向を、破線の矢印を用いて図中に示す。また、第１の表示素子２７５０（ｉ，ｊ）を視認できる範囲の一部に第２の表示素子２５５０（ｉ，ｊ）が光を射出する方向を、実線の矢印を用いて図中に示す。

これにより、第１の表示素子を用いた表示を視認することができる領域の一部において、第２の表示素子を用いた表示を視認することができる。又は、入出力パネルの姿勢等を変えることなく使用者は表示を視認することができる。又は、第１の表示素子が反射する光が表現する物体色と、第２の表示素子が射出する光が表現する光源色とを掛け合わせることができる。又は、物体色及び光源色を用いて絵画的な表示をすることができる。その結果、利便性又は信頼性に優れた新規な入出力パネルを提供することができる。

例えば、第１の表示素子２７５０（ｉ，ｊ）は、電極２７５１（ｉ，ｊ）と、電極２７５２と、液晶材料を含む層２７５３と、を備える。また、配向膜ＡＦ１と、配向膜ＡＦ２とを備える。具体的には、反射型の液晶素子を第１の表示素子２７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。

例えば、屈折率２．０近傍の透明導電膜を電極２７５２又は電極２７５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、インジウムとスズとシリコンを含む酸化物を電極２７５２又は電極２７５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。又は、屈折率１．６近傍の材料を配向膜に用いることができる。

例えば、第２の表示素子２５５０（ｉ，ｊ）は、電極２５５１（ｉ，ｊ）と、電極２５５２と、発光性の材料を含む層２５５３（ｊ）と、を備える。電極２５５２は、電極２５５１（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。発光性の材料を含む層２５５３（ｊ）は、電極２５５１（ｉ，ｊ）及び電極２５５２の間に挟まれる領域を備える。電極２５５１（ｉ，ｊ）は、接続部２５２２において、画素回路と電気的に接続される。具体的には、有機ＥＬ素子を第２の表示素子２５５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。

例えば、屈折率２．０近傍の透明導電膜を電極２５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、インジウムとスズとシリコンを含む酸化物を電極２５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。又は、屈折率１．８近傍の材料を発光性の材料を含む層２５５３（ｊ）に用いることができる。

光学素子２５６０は透光性を備え、光学素子２５６０は第１の領域、第２の領域及び第３の領域を備える。

第１の領域は第２の表示素子２５５０（ｉ，ｊ）から可視光を供給される領域を含み、第２の領域は被覆膜２５６５と接する領域を含み、第３の領域は可視光の一部を射出する機能を備える。また、第３の領域は第１の領域の可視光を供給される領域の面積以下の面積を備える。

被覆膜２５６５は可視光に対する反射性を備え、被覆膜２５６５は可視光の一部を反射して、第３の領域に供給する機能を備える。

例えば、金属を被覆膜２５６５に用いることができる。具体的には、銀を含む材料を被覆膜２５６５に用いることができる。例えば、銀及びパラジウム等を含む材料又は銀及び銅等を含む材料を被覆膜２５６５に用いることができる。

＜＜レンズ２５８０＞＞
可視光を透過する材料をレンズ２５８０に用いることができる。又は、１．３以上２．５以下の屈折率を備える材料をレンズ２５８０に用いることができる。例えば、無機材料又は有機材料をレンズ２５８０に用いることができる。

例えば、酸化物又は硫化物を含む材料をレンズ２５８０に用いることができる。

具体的には、酸化セリウム、酸化ハフニウム、酸化ランタン、酸化マグネシウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化チタン、酸化イットリウム、酸化亜鉛、インジウムとスズを含む酸化物又はインジウムとガリウムと亜鉛を含む酸化物などを、レンズ２５８０に用いることができる。又は、硫化亜鉛などを、レンズ２５８０に用いることができる。

例えば、樹脂を含む材料をレンズ２５８０に用いることができる。具体的には、塩素、臭素又はヨウ素が導入された樹脂、重金属原子が導入された樹脂、芳香環が導入された樹脂、硫黄が導入された樹脂などをレンズ２５８０に用いることができる。又は、樹脂と樹脂より屈折率の高い材料のナノ粒子を含む樹脂をレンズ２５８０に用いることができる。酸化チタン又は酸化ジルコニウムなどをナノ粒子に用いることができる。

＜＜機能層２７２０＞＞
機能層２７２０は、基板２７７０及び絶縁膜２５０１Ｃの間に挟まれる領域を備える。機能層２７２０は、絶縁膜２７７１と、着色膜ＣＦ１と、を有する。

着色膜ＣＦ１は、基板２７７０及び第１の表示素子２７５０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える。

絶縁膜２７７１は、着色膜ＣＦ１と液晶材料を含む層２７５３の間に挟まれる領域を備える。これにより、着色膜ＣＦ１の厚さに基づく凹凸を平坦にすることができる。又は、着色膜ＣＦ１等から液晶材料を含む層２７５３への不純物の拡散を、抑制することができる。

例えば、屈折率１．５５近傍のアクリル樹脂を、絶縁膜２７７１に用いることができる。

＜＜基板２５７０、基板２７７０＞＞
また、本実施の形態で説明する入出力パネルは、基板２５７０と、基板２７７０と、を有する。

基板２７７０は、基板２５７０と重なる領域を備える。基板２７７０は、基板２５７０との間に機能層２５２０を挟む領域を備える。

基板２７７０は、第１の表示素子２７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。例えば、複屈折が抑制された材料を当該領域に用いることができる。

例えば、屈折率１．５近傍の樹脂材料を基板２７７０に用いることができる。

＜＜接合層２５０５＞＞
また、本実施の形態で説明する入出力パネルは、接合層２５０５を有する。

接合層２５０５は、機能層２５２０及び基板２５７０の間に挟まれる領域を備え、機能層２５２０及び基板２５７０を貼り合せる機能を備える。

＜＜構造体ＫＢ１、構造体ＫＢ２＞＞
また、本実施の形態で説明する入出力パネルは、構造体ＫＢ１と、構造体ＫＢ２とを有する。

構造体ＫＢ１は、機能層２５２０及び基板２７７０の間に所定の間隙を設ける機能を備える。構造体ＫＢ１は領域２７５１Ｈと重なる領域を備え、構造体ＫＢ１は透光性を備える。これにより、第２の表示素子２５５０（ｉ，ｊ）によって射出される光を一方の面に供給され、他方の面から射出することができる。

また、構造体ＫＢ１は光学素子２５６０と重なる領域を備え、例えば、光学素子２５６０に用いる材料の屈折率との差が０．２以下になるように選択された材料を構造体ＫＢ１に用いる。これにより、第２の表示素子が射出する光を効率よく利用することができる。又は、第２の表示素子の面積を広くすることができる。又は、有機ＥＬ素子に流す電流の密度を下げることができる。

構造体ＫＢ２は、偏光層２７７０ＰＢの厚さを所定の厚さに制御する機能を備える。構造体ＫＢ２は第２の表示素子２５５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備え、構造体ＫＢ２は透光性を備える。

又は、所定の色の光を透過する材料を構造体ＫＢ１又は構造体ＫＢ２に用いることができる。これにより、構造体ＫＢ１又は構造体ＫＢ２を例えばカラーフィルタに用いることができる。例えば、青色、緑色又は赤色の光を透過する材料を構造体ＫＢ１又は構造体ＫＢ２に用いることができる。また、黄色の光又は白色の光等を透過する材料を構造体ＫＢ１又は構造体ＫＢ２に用いることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等又はこれらから選択された複数の樹脂の複合材料などを構造体ＫＢ１又は構造体ＫＢ２に用いることができる。また、感光性を有する材料を用いて形成してもよい。

例えば、屈折率１．５近傍のアクリル樹脂を構造体ＫＢ１に用いることができる。また、屈折率１．５５近傍のアクリル樹脂を構造体ＫＢ２に用いることができる。

＜＜入力ユニット２０３０＞＞
入力ユニット２０３０は検知素子を備える。検知素子は、画素２７０２（ｉ，ｊ）と重なる領域に近接するものを検知する機能を備える。これにより、表示部に近接させる指などをポインタに用いて、位置情報を入力することができる。

例えば、静電容量型の近接センサ、電磁誘導型の近接センサ、光学方式の近接センサ、抵抗膜方式の近接センサ又は表面弾性波方式の近接センサなどを、入力ユニット２０３０に用いることができる。具体的には、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式又は赤外線検知型の近接センサを用いることができる。

例えば、静電容量方式の近接センサを備える屈折率１．６近傍のタッチセンサを入力ユニット２０３０に用いることができる。

＜＜機能膜２７７０Ｄ、機能膜２７７０Ｐ等＞＞
また、本実施の形態で説明する入出力パネル２７００ＴＰ３は、機能膜２７７０Ｄと、機能膜２７７０Ｐと、を有する。

機能膜２７７０Ｄは第１の表示素子２７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。機能膜２７７０Ｄは機能層２５２０との間に第１の表示素子２７５０（ｉ，ｊ）を挟む領域を備える。

例えば、光拡散フィルムを機能膜２７７０Ｄに用いることができる。具体的には、基材の表面と交差する方向に沿った軸を備える柱状構造を有する材料を、機能膜２７７０Ｄに用いることができる。これにより、光を軸に沿った方向に透過し易く、他の方向に散乱し易くすることができる。又は、例えば、第１の表示素子２７５０（ｉ，ｊ）が反射する光を拡散することができる。

機能膜２７７０Ｐは、偏光層２７７０ＰＢ、位相差フィルム２７７０ＰＡ又は構造体ＫＢ２を備える。偏光層２７７０ＰＢは開口部を備え、位相差フィルム２７７０ＰＡは偏光層２７７０ＰＢと重なる領域を備える。なお、構造体ＫＢ２は開口部に設けられる。

例えば、二色性色素、液晶材料及び樹脂を偏光層２７７０ＰＢに用いることができる。偏光層２７７０ＰＢは、偏光性を備える。これにより、機能膜２７７０Ｐを偏光板に用いることができる。

偏光層２７７０ＰＢは第１の表示素子２７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備え、構造体ＫＢ２は第２の表示素子２５５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。これにより、液晶素子を第１の表示素子に用いることができる。例えば、反射型の液晶素子を第１の表示素子に用いることができる。又は、第２の表示素子が射出する光を効率よく取り出すことができる。又は、有機ＥＬ素子に流す電流の密度を下げることができる。又は、有機ＥＬ素子の信頼性を高めることができる。

例えば、反射防止フィルム、偏光フィルム又は位相差フィルムを機能膜２７７０Ｐに用いることができる。具体的には、２色性色素を含む膜及び位相差フィルムを機能膜２７７０Ｐに用いることができる。

また、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜などを、機能膜２７７０Ｐに用いることができる。

例えば、屈折率１．６近傍の材料を拡散フィルムに用いることができる。また、屈折率１．６近傍の材料を位相差フィルム２７７０ＰＡに用いることができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態６）
以下では、本発明の一態様で開示されるトランジスタに用いることができるＣＡＣ（Ｃｌｏｕｄ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ）−ＯＳ（Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）及びＣＡＣ−ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅについて説明する。

本明細書において、ＣＡＣ−ＯＳ又はＣＡＣ−ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅとは、オン／オフのスイッチ機能を生じさせるための導電部と誘電体部とが分かれている材料の全体（全電場）が半導体として働くものを主とするＯＳである。導電体成分と誘電体成分とがナノ粒子レベルで分離しており、特に導電体成分の周辺がぼけてクラウド状となっている材料（ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ）も、全体としてはスイッチ機能を有するトランジスタを構成できるため、この明細書ではＯＳに分類する。

ｃ軸に配向した結晶を有するＣＡＡＣ（ｃ−ａｘｉｓ ａｌｉｇｎｅｄ ｃｒｙｓｔａｌ）−ＯＳにおいて、ＣＡＡＣは結晶構造を意味する。例えば、スパッタリング法により１００℃乃至１３０℃程度で成膜したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物は、微結晶（ナノ結晶）又はＣＡＡＣの結晶構造を有する。また、室温で成膜したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物は、微結晶（ナノ結晶）の結晶構造を有する。

ＣＡＣとは構成又は機能を意味し、導電性の機能を有する領域と絶縁層（誘電体性）の機能を有する領域とを有し、それらは、０．５ｎｍ乃至１０ｎｍ、好ましくは０．５ｎｍ乃至３ｎｍの多様な粒子が１つの膜の内部に分散して相乗的に動作する。

ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅとは、広義において金属の酸化物であり、一般的に酸化物絶縁体、酸化物導電膜、酸化物半導体に分類される。また、窒素が含まれる金属の酸化物もｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅで総称する。又は、ｍｅｔａｌ ｏｘｙｎｉｔｒｉｄｅとよぶ。

特にトランジスタの活性層として用いることができるｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅをＯＳという。ＯＳトランジスタは、ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ又はＯＳを利用したトランジスタである。

ＯＳは、少なくともインジウムを含むことが好ましい。特にインジウム及び亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、又はマグネシウムなどから選ばれた一種、又は複数種が含まれていてもよい。

例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳ（ＣＡＣ−ＯＳの中でもＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を、特にＣＡＣ−ＩＧＺＯと呼称してもよい。）とは、インジウム酸化物（以下、ＩｎＯ_Ｘ１（Ｘ１は０よりも大きい実数）とする。）、又はインジウム亜鉛酸化物（以下、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２（Ｘ２、Ｙ２、及びＺ２は０よりも大きい実数）とする。）と、ガリウム酸化物（以下、ＧａＯ_Ｘ３（Ｘ３は０よりも大きい実数）とする。）、又はガリウム亜鉛酸化物（以下、Ｇａ_Ｘ４Ｚｎ_Ｙ４Ｏ_Ｚ４（Ｘ４、Ｙ４、及びＺ４は０よりも大きい実数）とする。）などと、に材料が分離することでモザイク状となり、モザイク状のＩｎＯ_Ｘ１、又はＩｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２が、膜中に均一に分布した構成（以下、クラウド状ともいう。）である。

つまり、ＣＡＣ−ＯＳは、ＧａＯ_Ｘ３が主成分である領域と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、又はＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域とが、混合している構成を有する複合酸化物半導体である。なお、本明細書において、例えば、第１の領域の元素Ｍに対するＩｎの原子数比が、第２の領域の元素Ｍに対するＩｎの原子数比よりも大きいことを、第１の領域は、第２の領域と比較して、Ｉｎの濃度が高いとする。

なお、ＩＧＺＯは通称であり、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、及びＯによる１つの化合物をいう場合がある。代表例として、ＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ１（ｍ１は自然数）、又はＩｎ_{（１＋ｘ０）}Ｇａ_{（１−ｘ０）}Ｏ_３（ＺｎＯ）_ｍ０（−１≦ｘ０≦１、ｍ０は任意数）で表される結晶性の化合物が挙げられる。

上記結晶性の化合物は、単結晶構造、多結晶構造、又はＣＡＡＣ構造を有する。なお、ＣＡＡＣ構造とは、複数のＩＧＺＯのナノ結晶がｃ軸配向を有し、かつａ−ｂ面においては配向せずに連結した結晶構造である。

一方、ＣＡＣ−ＯＳは、酸化物半導体の材料構成に関する。ＣＡＣ−ＯＳとは、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、及びＯを含む材料構成において、一部にＧａを主成分とするナノ粒子状に観察される領域と、一部にＩｎを主成分とするナノ粒子状に観察される領域とが、それぞれモザイク状にランダムに分散している構成をいう。従って、ＣＡＣ−ＯＳにおいて、結晶構造は副次的な要素である。

なお、ＣＡＣ−ＯＳは、組成の異なる二種類以上の膜の積層構造は含まないものとする。例えば、Ｉｎを主成分とする膜と、Ｇａを主成分とする膜との２層からなる構造は、含まない。

なお、ＧａＯ_Ｘ３が主成分である領域と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、又はＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域とは、明確な境界が観察できない場合がある。

なお、ガリウムの代わりに、アルミニウム、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、又はマグネシウムなどから選ばれた一種、又は複数種が含まれている場合、ＣＡＣ−ＯＳは、一部に該金属元素を主成分とするナノ粒子状に観察される領域と、一部にＩｎを主成分とするナノ粒子状に観察される領域とが、それぞれモザイク状にランダムに分散している構成をいう。

ＣＡＣ−ＯＳは、例えば基板を意図的に加熱しない条件で、スパッタリング法により形成することができる。また、ＣＡＣ−ＯＳをスパッタリング法で形成する場合、成膜ガスとして、不活性ガス（代表的にはアルゴン）、酸素ガス、及び窒素ガスの中から選ばれたいずれか一つ又は複数を用いればよい。また、成膜時の成膜ガスの総流量に対する酸素ガスの流量比は低いほど好ましく、例えば酸素ガスの流量比を０％以上３０％未満、好ましくは０％以上１０％以下とすることが好ましい。

ＣＡＣ−ＯＳは、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ−ｒａｙ ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）測定法のひとつであるＯｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法によるθ／２θスキャンを用いて測定したときに、明確なピークが観察されないという特徴を有する。すなわち、Ｘ線回折から、測定領域のａ−ｂ面方向、及びｃ軸方向の配向は見られないことが分かる。

またＣＡＣ−ＯＳは、プローブ径が１ｎｍの電子線（ナノビーム電子線ともいう。）を照射することで得られる電子線回折パターンにおいて、リング状に輝度の高い領域と、該リング領域に複数の輝点が観測される。したがって、電子線回折パターンから、ＣＡＣ−ＯＳの結晶構造が、平面方向、及び断面方向において、配向性を有さないｎｃ（ｎａｎｏ−ｃｒｙｓｔａｌ）構造を有することがわかる。

また例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳでは、エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＸ：Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ−ｒａｙ ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いて取得したＥＤＸマッピングにより、ＧａＯ_Ｘ３が主成分である領域と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、又はＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域とが、偏在し、混合している構造を有することが確認できる。

ＣＡＣ−ＯＳは、金属元素が均一に分布したＩＧＺＯ化合物とは異なる構造であり、ＩＧＺＯ化合物と異なる性質を有する。つまり、ＣＡＣ−ＯＳは、ＧａＯ_Ｘ３などが主成分である領域と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、又はＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域と、に互いに相分離し、各元素を主成分とする領域がモザイク状である構造を有する。

ここで、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、又はＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域は、ＧａＯ_Ｘ３などが主成分である領域と比較して、導電性が高い領域である。つまり、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、又はＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域を、キャリアが流れることにより、酸化物半導体としての導電性が発現する。したがって、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、又はＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域が、酸化物半導体中にクラウド状に分布することで、高い電界効果移動度（μ）が実現できる。

一方、ＧａＯ_Ｘ３などが主成分である領域は、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、又はＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域と比較して、絶縁性が高い領域である。つまり、ＧａＯ_Ｘ３などが主成分である領域が、酸化物半導体中に分布することで、リーク電流を抑制し、良好なスイッチング動作を実現できる。

したがって、ＣＡＣ−ＯＳを半導体素子に用いた場合、ＧａＯ_Ｘ３などに起因する絶縁性と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、又はＩｎＯ_Ｘ１に起因する導電性とが、相補的に作用することにより、高いオン電流（Ｉ_ｏｎ）、及び高い電界効果移動度（μ）を実現することができる。

また、ＣＡＣ−ＯＳを用いた半導体素子は、信頼性が高い。したがって、ＣＡＣ−ＯＳは、ディスプレイをはじめとするさまざまな半導体装置に最適である。

本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

ＡＦ１ 配向膜
ＡＦ２ 配向膜
ＡＮＯ 配線
ＣＳＣＯＭ 配線
Ｃ１ 容量素子
Ｃ２ 容量素子
ＣＦ１ 着色膜
Ｇ１ 配線
Ｇ２ 配線
Ｇ３ 配線
ＫＢ１ 構造体
ＫＢ２ 構造体
Ｍ トランジスタ
Ｓ１ 配線
Ｓ２ 配線
Ｓ３ 配線
ＳＷ１ スイッチ
ＳＷ２ スイッチ
ＶＣＯＭ１ 配線
ＶＣＯＭ２ 配線
１０ 筐体
１０ａ 光センサ
１０Ａ スマートフォン
１１ 表示装置
１１ａ 表示領域
１１Ａ ＳＴＥＰ
１１ａｂ 表示領域
１１ｂ 表示領域
１１ｃ 表示領域
１１ｅ 曲部
１２ａ 面
１２ｂ 面
１２ｃ 面
１２ｄ 面
１２ｅ 面
１３ａ コマンドボタン
１４ 基板
１６ａ ＦＰＣ
１６ｂ ＦＰＣ
１７ ＩＣ
１８ ゲートドライバ
１９ ゲートドライバ
２１ 発光
２２ 反射光
２５ 表示オブジェクト
２５ａ メールオブジェクト
２５ｂ メールオブジェクト
２５ｃ ニュースオブジェクト
２５ｄ 天気オブジェクト
２５ｆ 表示オブジェクト
２５ｈ アウトライン
３０ 画素
３０ａ 画素
３０ｂ 画素
３１ 表示素子
３１Ｂ 表示素子
３１Ｇ 表示素子
３１ｐ 画素回路
３１Ｒ 表示素子
３１Ｗ 表示素子
３２ 表示素子
３２Ｂ 表示素子
３２Ｇ 表示素子
３２ｐ 画素回路
３２Ｒ 表示素子
３２Ｙ 表示素子
３２Ｗ 表示素子
３５ｒ 光
３５ｔ 光
３５ｔｒ 光
４１ 層
４２ 層
５０ 接着層
５１ 接着層
５２ 接着層
８１ 領域
８２ 領域
１００ 表示パネル
１０１ 樹脂層
１０２ 樹脂層
１１０ トランジスタ
１１０ａ トランジスタ
１１０ｂ トランジスタ
１１０ｃ トランジスタ
１１１ 導電層
１１２ 半導体層
１１３ａ 導電層
１１３ｂ 導電層
１１４ 導電層
１１５ 導電層
１２０ 発光素子
１２１ 導電層
１２２ ＥＬ層
１２３ 導電層
１３１ 絶縁層
１３２ 絶縁層
１３３ 絶縁層
１３４ 絶縁層
１３５ 絶縁層
１３６ 絶縁層
１３７ 絶縁層
１４１ 絶縁層
１５１ 接着層
１５２ 着色層
１５３ 遮光層
２００ 表示パネル
２０１ 樹脂層
２０２ 樹脂層
２０４ 絶縁層
２１０ トランジスタ
２１１ 導電層
２１２ 半導体層
２１３ａ 導電層
２１３ｂ 導電層
２２０ 液晶素子
２２１ 導電層
２２２ 液晶
２２３ 導電層
２２４ａ 配向膜
２２４ｂ 配向膜
２３１ 絶縁層
２３２ 絶縁層
２３３ 絶縁層
２３４ 絶縁層
２６８ タッチセンサ
３００ 表示装置
３１１ 電極
３１１ｂ 電極
３４０ 液晶素子
３５１ 基板
３６０ 発光素子
３６０ｂ 発光素子
３６０ｇ 発光素子
３６０ｒ 発光素子
３６０ｗ 発光素子
３６１ 基板
３６２ 表示部
３６２ａ 表示部
３６２ｂ 表示部
３６２ｃ 表示部
３６４ 回路部
３６５ 配線
３６６ 回路部
３６７ 配線
３６８ タッチセンサ
３７２ ＦＰＣ
３７３ ＩＣ
３７４ ＦＰＣ
３７５ ＩＣ
４００ 表示装置
４０１ トランジスタ
４０２ トランジスタ
４０３ トランジスタ
４０４ 発光素子
４０５ 容量素子
４０６ 接続部
４０７ 配線
４１０ 画素
４１１ 絶縁層
４１２ 絶縁層
４１３ 絶縁層
４１４ 絶縁層
４１５ 絶縁層
４１６ スペーサ
４１７ 接着層
４１９ 接続層
４２１ 電極
４２２ ＥＬ層
４２３ 電極
４２４ 光学調整層
４２５ 着色層
４２６ 遮光層
４５１ 開口
４７１ 基板
４７２ 基板
４７６ 絶縁層
４７８ 絶縁層
５０１ トランジスタ
５０３ トランジスタ
５０５ 容量素子
５０６ 接続部
５１１ 絶縁層
５１２ 絶縁層
５１３ 絶縁層
５１４ 絶縁層
５１７ 接着層
５１９ 接続層
５２９ 液晶素子
５４３ 接続体
５６２ 電極
５６３ 液晶
５６４ａ 配向膜
５６４ｂ 配向膜
５６５ 着色層
５６６ 遮光層
５６７ 絶縁層
５７２ 基板
５７６ 絶縁層
５７８ 絶縁層
５９１ 導電層
５９２ 導電層
５９９ 偏光板
６１０ 表示装置
６１１ 基板
６１２ 基板
２０１０ ユニット
２０２０ ユニット
２０３０ 入力ユニット
２５０１Ｃ 絶縁膜
２５０５ 接合層
２５１２Ｂ 導電膜
２５２０ 機能層
２５２１ 絶縁膜
２５２１Ａ 絶縁膜
２５２１Ｂ 絶縁膜
２５２２ 接続部
２５２８ 絶縁膜
２５５０ 表示素子
２５５１ 電極
２５５２ 電極
２５５３ 層
２５６０ 光学素子
２５６５ 被覆膜
２５７０ 基板
２５８０ レンズ
２５９１Ａ 開口部
２７００ 表示装置
２７００ＴＰ３ 入出力パネル
２７０２ 画素
２７２０ 機能層
２７５０ 表示素子
２７５１ 電極
２７５１Ｈ 領域
２７５２ 電極
２７５３ 層
２７７０ 基板
２７７０Ｄ 機能膜
２７７０Ｐ 機能膜
２７７０ＰＡ 位相差フィルム
２７７０ＰＢ 偏光層
２７７１ 絶縁膜
８０００ 表示モジュール
８００１ 上部カバー
８００２ 下部カバー
８００５ ＦＰＣ
８００６ 表示パネル
８００９ フレーム
８０１０ プリント基板
８０１１ バッテリ
８０１５ 発光部
８０１６ 受光部
８０１７ａ 導光部
８０１７ｂ 導光部
８０１８ 光

Claims (12)

1. 第１の表示領域及び第２の表示領域を有する表示装置であって、
   前記第１の表示領域及び前記第２の表示領域は隣接して設けられ、
   前記第１の表示領域は、複数の第１の画素を有し、
   前記第２の表示領域は、複数の第２の画素を有し、
   前記第１の画素及び前記第２の画素は、それぞれが第１の表示素子及び第２の表示素子を有し、
   前記第１の画素は、前記第２の画素が有する前記第１の表示素子とは異なる面積の前記第１の表示素子を有し、
   前記第１の画素は、前記第２の画素が有する前記第２の表示素子とは異なる面積の前記第２の表示素子を有し、
   前記第１の表示素子は、可視光を反射する機能を有し、
   前記第２の表示素子は、可視光を発する機能を有する表示装置。
2. 請求項１において、
   前記表示装置は、第１のゲートドライバと、第２のゲートドライバと、を有し、
   前記第１の画素の奇数行と、前記第２の画素とは、前記第１のゲートドライバに接続された同一の走査線によって選択され、
   前記第１の画素の偶数行は、前記第２のゲートドライバに接続された走査線によって選択されることを特徴とする表示装置。
3. 請求項１において、
   前記表示装置は、
   前記第１の画素の奇数列と、前記第２の画素とは、同一の奇数列の信号線によって表示が更新され、
   前記第１の画素の偶数列は、偶数列の信号線によって表示が更新されることを特徴とする表示装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一において、
   前記第１の表示素子は、反射型の液晶素子である表示装置。
5. 請求項１乃至３のいずれか一において、
   前記第２の表示素子は、発光素子である表示装置。
6. 請求項１乃至５のいずれか一の表示装置は、トランジスタを有し、前記トランジスタは、半導体層に金属酸化物を有する表示装置。
7. 請求項１乃至６のいずれか一の表示装置において、
   前記第１の表示素子が反射する第１の光、及び前記第２の表示素子が発する第２の光のうち、いずれか一方又は両方により、画像を表示する機能を有する表示装置。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一の表示装置と、筐体と、を備える電子機器であって、
   前記筐体は、第１の面と、第２の面と、第３の面と、を有し、
   前記第１の面と、前記第２の面とは、前記第３の面を介して連続しており、
   前記第１の面と、前記第２の面の間には、曲率を有する第３の面を有し、
   前記第１の面には、前記第１の表示領域を有し、
   前記第２の面には、前記第２の表示領域を有し、
   前記第３の面には、配線のみを有する非表示領域を有し、
   前記第１の面と、前記第２の面は、それぞれが異なる方向に対して表示する機能を有する電子機器。
9. 情報を提供するアプリケーションサーバは、通信手段を備えた電子機器からの要求に応じて、通信ネットワークを介して情報を提供する手段を有し、
   前記電子機器が有する固体ＩＤは、第１の表示領域と、第２の表示領域とを有する表示装置を有していることが関連付けられた情報を有し、
   前記電子機器は、待機状態又は起動状態の状態管理フラグと、前記固有ＩＤと、を、前記アプリケーションサーバに送信するステップを有し、
   前記アプリケーションサーバは、前記固有ＩＤから、前記電子機器が前記第２の表示領域を有するか判断するステップを有し、
   前記アプリケーションサーバは、前記電子機器が前記状態管理フラグにより待機状態を認識するステップを有し、
   前記アプリケーションサーバは、前記第２の表示領域に適した第２の情報を提供するステップを有し、
   前記電子機器は、電子機器に設定された周期で、前記第２の情報を受信するステップを有し、
   前記アプリケーションサーバは、前記電子機器が前記状態管理フラグにより起動状態を認識するステップを有し、
   前記アプリケーションサーバは、前記第１の表示領域に適した第１の情報を提供するステップを有し、
   前記電子機器は、前記第１の情報を受信するステップを有し
   前記アプリケーションサーバは、前記第２の表示領域に適した第２の情報を提供可能か判断するステップを有し、
   前記アプリケーションサーバは、前記第２の情報を前記第２の表示領域に提供するステップを有する情報提供方法。
10. 請求項９において、
    前記電子機器は、待機状態で受信した第２の情報により、
    前記第２の表示領域を、前記第１の表示素子にて表示を更新し、
    情報の種類を示す表示オブジェクトもしくは表示オブジェクトのアウトラインを、第２の表示素子にて点灯又は点滅表示する機能を有する情報提供方法。
11. 情報を提供するアプリケーションサーバは、通信手段を備えた電子機器からの要求に応じて、通信ネットワークを介して情報を提供する手段を有し、
    前記電子機器が有する固体ＩＤは、第１の表示領域と、第２の表示領域とを有する表示装置を有していることが関連付けられた情報を有し、
    前記電子機器で動画再生するために、動画情報のダウンロード要求と、前記固有ＩＤと、を、前記アプリケーションサーバに伝えるステップを有し、
    前記アプリケーションサーバは、前記固有ＩＤから、前記電子機器が前記第２の表示領域を有すると認識するステップを有し、
    前記アプリケーションサーバは、前記第１の表示領域に表示する第１の情報として動画情報を提供するステップを有し、
    前記電子機器は、前記第１の情報を受信するステップを有し
    前記アプリケーションサーバは、前記第２の表示領域に適した第２の情報を提供可能か判断するステップを有し、
    前記アプリケーションサーバは、前記第２の情報を前記第２の表示領域に提供するステップを有する情報提供方法。
12. 請求項８において、
    電子機器が有する、外光センサによって検出した環境の明るさによって、前記第１の表示素子が反射する第１の光、及び前記第２の表示素子が発する第２の光のうち、いずれか一方又は両方により、画像を表示する機能を有する電子機器。

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