WO2020065794A1

WO2020065794A1 - 表示装置

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Publication number: WO2020065794A1
Application number: PCT/JP2018/035802
Authority: WO
Inventors: 薫安部; 家根田　剛士
Original assignee: シャープ株式会社
Priority date: 2018-09-26
Filing date: 2018-09-26
Publication date: 2020-04-02
Also published as: US20220005896A1; CN112753058B; CN112753058A

Abstract

表面表示領域に形成される第１電極（２２)を露出させるエッジカバー（２３）の第１開口（ＨＡ）は、側面表示領域に形成される第１電極（２２)を露出させるエッジカバー（２３）の第２開口（ＨＢ）よりも大きく、第１開口（ＨＡ）と重畳する発光層（２４）は、第２開口（ＨＢ）と重畳する発光層（２４）と同一の形状かつ同一の大きさを有する。

Description

表示装置

　本発明は、表示装置に関する。

　表示装置に関し、特許文献１～３には、表示領域の周辺に、表示に使用されないダミー領域を設けた構成が開示されている。また、近年、表面および側面に表示領域が形成された表示装置が実用化されている。

日本国公開特許公報：特開２０１５－１５８５７２号公報日本国公開特許公報：特開２００９－０８１０９７号公報日本国公開特許公報：特開２００７－１１５５６号公報

　上述のような表示装置では、製造時に発光材料を蒸着させる際、ファインメタルマスク（ＦＭＭ）が使用される。表面および側面に表示領域が形成された表示装置の場合、側面表示領域まで表示することが求められるが、特に表示領域の端部においてマスク精度を保つことが難しい。そのため、歩留まりが悪くなりコストがかさむという課題がある。

　本発明は、前記の課題を解決するためになされたものであり、その目的は、表面および側面に表示領域が形成された表示装置の歩留まりを改善することにある。

　本発明の一態様に係る表示装置は、前記の課題を解決するために、第１電極と、前記第１電極よりも上層に形成され、前記第１電極の端部を覆うエッジカバーと、前記第１電極よりも上層に形成される発光層と、前記発光層よりも上層に形成される第２電極と、を備える複数の発光素子が形成された表示装置であって、前記表示装置は、前記表示装置の表面に設けられ、複数の第１発光素子が形成された第１表示領域と、前記第１表示領域と連続し前記表示装置の側面に設けられ、複数の第２発光素子が形成された第２表示領域と、を備え、前記第１発光素子の前記第１電極を露出させる前記エッジカバーの第１開口は、前記第２発光素子の前記第１電極を露出させる前記エッジカバーの第２開口よりも大きく、前記第１開口と重畳し、かつ前記発光層である第１発光層は、前記第２開口と重畳し、かつ前記発光層である第２発光層と同一の形状かつ同一の大きさを有することを特徴とする。

　本発明の一態様によれば、表面および側面に表示領域が形成された表示装置の歩留まりを改善することができる。

（ａ）は、実施形態１に係る表示装置の構成例を示す斜視図であり、（ｂ）は、（ａ）に示される表示パネルを示す平面図である。（ａ）～（ｃ）は、図１に示される表示パネルの構成例を示す断面図である。（ａ）～（ｃ）は、図１に示される表示パネルに形成されたサブ画素の構造を示す平面図である。（ａ）～（ｃ）は、第１側面表示領域に形成されるサブ画素において発光層２４の位置ずれが生じた状態を示す平面図である。図１の（ｂ）に示される表示パネルのより詳細な構成例を示す平面図である。図５に示される表示パネルに形成されるサブ画素の構成例を示す回路図である。図５に示される表示パネルの引き回し配線の配置を示す平面図である。（ａ）は、実施形態２に係る表示装置の構成例を示す斜視図であり、（ｂ）は、（ａ）に示される表示パネルを示す平面図である。実施形態３に係る第１側面表示領域の構成を示す平面図である。第１側面表示領域に形成されるサブ画素の変形例を示す平面図である。図１０に示されるサブ画素の接続例を示す平面図である。図１０に示されるサブ画素の接続例を示す平面図である。図１０に示されるサブ画素の他の接続例を示す平面図である。図１０に示されるサブ画素の他の接続例を示す平面図である。

　〔実施形態１〕
　（表示装置１の構成例）
　図１の（ａ）は実施形態１に係る表示装置１の構成例を示す斜視図であり、図１の（ｂ）は図１の（ａ）に示される表示装置１が備える表示パネルＰを示す平面図である。なお、図１の（ｂ）は、表示パネルＰを湾曲線Ｆに沿って湾曲させる前の平坦な状態を示している。

　表示パネルＰは、表示装置１の表面（正面）側に配置される表面表示領域ＤＡ（第１表示領域）と、表面表示領域ＤＡと連続し、表示装置１の側面側に配置される側面表示領域ＤＢ（第２表示領域）とを含む。本実施形態に係る表示装置１では、表示装置１の長手方向に伸びる２つの側面のそれぞれに側面表示領域ＤＢが形成される。ただし、側面表示領域ＤＢは、表示装置１の長手方向に伸びる２つの側面のうち少なくとも一方に形成されていればよい。

　なお、表示パネルＰの表面表示領域ＤＡには、短手方向に伸びる一辺に切欠部Ｌが形成されている。ただし、切欠部Ｌは必須ではなく、省略してもよい。

　側面表示領域ＤＢは、第１側面表示領域ＤＢ１および第２側面表示領域ＤＢ２を含む。第１側面表示領域ＤＢ１は、側面表示領域ＤＢのうち、表面表示領域ＤＡとは反対側の端部（表示パネルＰの左右両端部）に沿って形成される。第２側面表示領域ＤＢ２は、表面表示領域ＤＡと第１側面表示領域ＤＢ１との間に挟まれて形成される。即ち、第２側面表示領域ＤＢ２は、側面表示領域ＤＢのうち、表面表示領域ＤＡ側の端部に沿って形成される。

　表示パネルＰは、表面表示領域ＤＡに形成される一群のサブ画素ＳＰＡ（第１発光素子）と、第１側面表示領域ＤＢ１に形成される一群のサブ画素ＳＰＢ（第２発光素子）と、第２側面表示領域ＤＢ２に形成される一群のサブ画素ＳＰＣ（第３発光素子）とを含む。表示パネル１は、表面表示領域ＤＡおよび側面表示領域ＤＢに情報を表示する。

　なお、表示パネルＰの形状は、表面表示領域ＤＡと側面表示領域ＤＢとを含むものであれば特に限定されない。例えば、表示パネルＰの四隅が略直角に形成されていてもよく、または曲線状に形成されていてもよい。

　（表示パネルＰの断面構成例）
　図２は、実施形態１に係る表示パネルＰの構成例を示す断面図である。図２の（ａ）は表面表示領域ＤＡの断面例を示し、図２の（ｂ）は第１側面表示領域ＤＢ１の断面例を示し、図２の（ｃ）は第２側面表示領域ＤＢ２の断面例を示す。図２に示す表示パネルＰは上方に向けて発光するトップエミッション型であり、下側から順に、基材１０、樹脂層１２、バリア層３（ベースト層）、ＴＦＴ層４、発光素子層５、封止層６、接着層３８および機能フィルム３９を備える。

　樹脂層１２の材料としては、例えば、ポリイミド、エポキシ、ポリアミド等が挙げられる。基材１０の材料としては、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）が挙げられる。

　バリア層３は、表示装置１の使用時に、水分や不純物が、ＴＦＴ層４や発光素子層５に到達することを防ぐ層であり、例えば、ＣＶＤにより形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。

　ＴＦＴ層４は、半導体膜１５と、半導体膜１５よりも上層に形成される無機絶縁膜１６と、無機絶縁膜１６よりも上層に形成されるゲート電極Ｇと、ゲート電極Ｇよりも上層に形成される無機絶縁膜１８と、無機絶縁膜１８よりも上層に形成される容量電極Ｃと、容量電極Ｃよりも上層に形成される無機絶縁膜２０と、無機絶縁膜２０よりも上層に形成される、ソース電極Ｓおよびドレイン電極Ｄと、ソース電極Ｓおよびドレイン電極Ｄよりも上層に形成される平坦化膜２１とを含む。

　半導体膜１５、無機絶縁膜１６（ゲート絶縁膜）、ゲート電極Ｇを含むように薄膜トランジスタＴｒが構成される。ソース電極Ｓは半導体膜１５のソース領域に接続され、ドレイン電極Ｄは半導体膜１５のドレイン領域に接続される。

　半導体膜１５は、例えば低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）あるいは酸化物半導体で構成される。図２では、半導体膜１５をチャネルとするＴＦＴがトップゲート構造で示されている。

　無機絶縁膜１６・１８・２０は、例えば、ＣＶＤ法によって形成された、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜あるいは窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜またはこれらの積層膜によって構成することができる。平坦化膜（層間絶縁膜）２１は、例えば、ポリイミド、アクリル等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。

　ゲート電極Ｇ、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄ、および端子は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）の少なくとも１つを含む金属の単層膜あるいは積層膜によって構成される。

　発光素子層５（例えば、有機発光ダイオード層）は、平坦化膜２１よりも上層に形成されるアノード電極２２（第１電極）と、アクティブ領域（発光素子層５と重なる領域）のサブ画素ＳＰＡ、サブ画素ＳＰＢまたはサブ画素ＳＰＣを規定するエッジカバー２３と、アノード電極２２よりも上層に形成される発光層２４と、発光層２４よりも上層に形成されるカソード電極２５（第２電極）とを含む。アノード電極２２、発光層２４、およびカソード電極２５を含むように、発光素子（例えば、有機発光ダイオード：ＯＬＥＤ）が構成される。表示装置１において、アノード電極２２とカソード電極２５とは逆に配置され得る。つまり、第１電極がカソード電極、第２電極がアノード電極であってもよい。

　エッジカバー２３は、アノード電極２２の端部を囲っている。発光層２４は、蒸着法あるいはインクジェット法によって、エッジカバー２３で囲まれた領域（発光領域）を覆うように形成される。発光素子層５が有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）層である場合、エッジカバー２３の底面（アノード電極２２が露出した部分）よりも上層に、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層２４、電子輸送層、電子注入層が積層される。ここでは、発光層２４以外を共通層とすることができる。

　アノード電極２２は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）とＡｇを含む合金との積層によって構成され、光反射性を有する（後に詳述）。カソード電極２５は、ＩＴＯ、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透光性の導電材で構成することができる。

　発光素子層５がＯＬＥＤ層である場合、アノード電極２２およびカソード電極２５間の駆動電流によって正孔と電子が発光層２４内で再結合し、これによって生じたエキシトンが基底状態に落ちることによって、光が放出される。カソード電極２５が透光性であり、アノード電極２２が光反射性であるため、発光層２４から放出された光は上方に向かい、トップエミッションとなる。

　発光素子層５は、ＯＬＥＤ素子を構成する場合に限られず、無機発光ダイオードあるいは量子ドット発光ダイオードを構成してもよい。

　封止層６は透光性であり、カソード電極２５を覆う無機封止膜２６と、無機封止膜２６よりも上層に形成される有機封止膜２７と、有機封止膜２７を覆う無機封止膜２８とを含む。無機封止膜２６・２８は、例えば、マスクを用いたＣＶＤにより形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。有機封止膜２７は、無機封止膜２６・２８よりも厚い、透光性有機膜であり、ポリイミド、アクリル等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。例えば、このような有機材料を含むインクを無機封止膜２６上にインクジェット塗布した後、ＵＶ照射により硬化させる。封止層６は、発光素子層５を覆い、水、酸素等の異物の発光素子層５への浸透を防いでいる。

　機能フィルム３９は、例えば、光学補償機能、タッチセンサ機能、保護機能等を有する。

　（サブ画素ＳＰＡ、ＳＰＢおよびＳＰＣの構造例）
　図３は、実施形態１に係るサブ画素ＳＰＡ、ＳＰＢおよびＳＰＣの構造例を示す平面図である。図２の（ａ）および図３の（ａ）に示すように、サブ画素ＳＰＡは、開口ＨＡ（第１開口）を有するエッジカバー２３と、エッジカバー２３よりも上層に配置される発光層２４（第１発光層）とを少なくとも備えている。サブ画素ＳＰＡにおいて、開口ＨＡの周囲のすべてをエッジカバー２３が囲っている。発光層２４は、少なくとも開口ＨＡを完全に充填するように形成されている。発光層２４の面積は、開口ＨＡの面積よりも大きい。発光層２４のうち開口ＨＡに重畳する範囲が、表面表示領域ＤＡにおける情報表示に寄与する。

　図２の（ｂ）および図３の（ｂ）に示すように、サブ画素ＳＰＢは、開口ＨＢ（第２開口）を有するエッジカバー２３と、エッジカバー２３よりも上層に配置され、かつサブ画素ＳＰＡの発光層２４と同一の形状かつ同一の大きさの発光層２４（第２発光層）とを少なくとも備えている。サブ画素ＳＰＢにおいて、開口ＨＢの周囲のすべてをエッジカバー２３が囲っている。発光層２４は、少なくとも開口ＨＢを完全に充填するように形成されている。発光層２４の面積は、開口ＨＢの面積よりも大きい。発光層２４のうち開口ＨＢに重畳する範囲が、第１側面表示領域ＤＢ１における情報表示に寄与する。

　図２の（ｃ）および図３の（ｃ）に示すように、サブ画素ＳＰＣは、開口ＨＣ（第３開口）を有するエッジカバー２３と、エッジカバー２３よりも上層に配置され、かつサブ画素ＳＰＡの発光層２４および画素ＳＰＢの発光層２４と同一の形状かつ同一の大きさの発光層２４（第３発光層）とを少なくとも備えている。サブ画素ＳＰＣにおいて、開口ＨＣの周囲のすべてをエッジカバー２３が囲っている。発光層２４は、少なくとも開口ＨＣを完全に充填するように形成されている。発光層２４の面積は、開口ＨＣの面積よりも大きい。発光層２４のうち開口ＨＣに重畳する範囲が、第２側面表示領域ＤＢ２における情報表示に寄与する。

　上述した「同一の形状かつ同一の大きさ」とは、発光層２４の発光材料を同一の形状かつ同一の大きさのマスクパターンを有するマスクを用いて表面表示領域ＤＡおよび側面表示領域ＤＢにそれぞれ蒸着した場合に、同一の形状かつ同一の大きさの発光層２４が表面表示領域ＤＡおよび側面表示領域ＤＢに結果的に形成されることを意味する。したがって、サブ画素ＳＰＡの発光層２４と、サブ画素ＳＰＢの発光層２４と、サブ画素ＳＰＣの発光層２４とは、必ずしも完全に同一の形状かつ同一の大きさである必要はない。

　図３に示すように、表面表示領域ＤＡに形成されるアノード電極２２を露出させるエッジカバー２３の開口ＨＡと、第２側面表示領域ＤＢ２に形成されるアノード電極２２を露出させるエッジカバー２３の開口ＨＣとは、同一の形状かつ同一の大きさを有する。また、開口ＨＡと開口ＨＣとは、第１側面表示領域ＤＢ１に形成されるアノード電極２２を露出させるエッジカバー２３の開口ＨＢよりも大きい。さらに、表面表示領域ＤＡに形成される発光層２４、第１側面表示領域ＤＢ１に形成される発光層２４、および第２側面表示領域ＤＢ２に形成される発光層２４は、いずれも同一の形状かつ同一の大きさを有する。表示装置１の製造時、表面表示領域ＤＡ、第１側面表示領域ＤＢ１および第２側面表示領域ＤＢ２に対して、発光層２４が、発光材料を蒸着させるためのファインメタルマスク（ＦＭＭ：不図示）に形成される同一サイズのマスク開口を通じて、蒸着される。言い換えれば、ファインメタルマスクにおける表面表示領域ＤＡに対応する範囲に形成されるマスク開口のサイズは、ファインメタルマスクにおける第１側面表示領域ＤＢ１および第２側面表示領域ＤＢ２に対応する範囲に形成されるマスク開口のサイズと同一である。

　図４の（ａ）～（ｃ）は、第１側面表示領域ＤＢ１に形成されるサブ画素ＳＰＢにおいて発光層２４の位置ずれが生じた状態を示す平面図である。開口ＨＢが開口ＨＡおよび開口ＨＣよりも小さいので、第１側面表示領域ＤＢ１に発光材料を蒸着させる際の蒸着パターンのマスク精度が低かったとしても、発光層２４は第１側面表示領域ＤＢ１において開口ＨＢを完全に覆うように形成される。したがって、正常に機能するサブ画素ＳＰＢを、第１側面表示領域ＤＢ１に形成することができる。

　このように、開口ＨＢを開口ＨＡおよび開口ＨＣよりも小さくすることによって、第１側面表示領域ＤＢ１に発光材料を蒸着させる際の蒸着パターンのマスク精度が低かったとしてもサブ画素ＳＰＢを正常に機能させることができる。詳細には、マスク開口のアライメントを取りながらファインメタルマスクの架張を行う際、精度の取りにくいファインメタルマスクの端部のマスク開口の精度を粗くしても架張が行えるようになる。また、マスクフレームにファインメタルマスクを溶着した後においても、ファインメタルマスクのマスク開口の密度の関係から、ファインメタルマスクの端のマスク開口にヨレが生じやすい。このようにヨレが生じても、本構成によれば、サブ画素ＳＰＢを正常に機能させることができる。そのため、表示装置１の歩留まりを改善することができる。

　なお、第２側面表示領域ＤＢ２に形成されるエッジカバー２３の開口ＨＢが、表面表示領域ＤＡに形成されるエッジカバー２３の開口ＨＡ、および第２側面表示領域ＤＢ２に形成されるエッジカバー２３の開口ＨＣよりも小さいので、第２側面表示領域ＤＢ２は表面表示領域ＤＡおよび第２側面表示領域ＤＢ２に比べると表示の精細さという点では劣る。言い換えれば、表面表示領域ＤＡおよび第２側面表示領域ＤＢ２は高解像度の画像を表示することに適しており、第１側面表示領域ＤＢ１は、低解像度の画像を表示することに適している。ただし、側面表示領域ＤＢは、ユーザの目線の正面には位置せず、また、アプリ立ち上げ用のアイコン表示用として主に設けられる。そのため、表示品位は表面表示領域ＤＡと側面表示領域ＤＢ（特に表示パネルＰの両端部に位置する第１側面表示領域ＤＢ１）とで変わっていてもよい。

　なお、側面表示領域ＤＢのうち、少なくとも表面表示領域ＤＡとは反対側の端部（表示パネルＰの左右両端部）に沿って第１側面表示領域ＤＢ１が形成されていればよい。この場合であっても、上述した表示装置１の歩留まりを改善することができる。ただし、第２側面表示領域ＤＢ２を省略し、側面表示領域ＤＢの全体にわたってサブ画素ＳＰＢが形成されていてもよい。これにより、上述した表示装置１の歩留まりをよりに改善することができる。

　なお、表面表示領域ＤＡおよび第２側面表示領域ＤＢ２では、発光層２４を充分に発光させるために、発光層２４のうち開口ＨＡおよび開口ＨＣに充填された箇所に重畳するように、コンタクトホールを設けることができない。そのため表面表示領域ＤＡおよび第２側面表示領域ＤＢ２では、図２の（ａ）および図２の（ｃ）に示すように、薄膜トランジスタＴｒのコンタクトホールは、開口ＨＡまたは開口ＨＣと重畳しない位置に形成されている。同様に、容量電極Ｃのコンタクトホールも、開口ＨＡまたは開口ＨＣと重畳しない位置に形成されている。

　一方、第１側面表示領域ＤＢ１では、発光層２４のうち開口ＨＢに重畳しない箇所は、有効な発光層２４として機能しない。そのため第１側面表示領域ＤＢ１では、図２の（ｂ）に示すように、薄膜トランジスタＴｒのコンタクトホールを、発光層２４のうち開口ＨＢに重畳しない箇所（表面表示領域ＤＡでは開口ＨＡに重畳する箇所、第２側面表示領域ＤＢ２では開口ＨＣに重畳する箇所）に形成することができる。同様に、容量電極Ｃのコンタクトホールも、発光層２４のうち開口ＨＢに重畳しない箇所に形成することができる。これにより、第１側面表示領域ＤＢ１では、薄膜トランジスタＴｒおよび容量電極Ｃをいずれも開口ＨＢにより近づけて設けることができる。その結果、第１側面表示領域ＤＢ１に空きスペース４１が生じるので、この空きスペース４１に追加の薄膜トランジスタを設けることができる。さらには、追加の薄膜トランジスタを備えたモノリシックゲートドライバまたはモノリシックソースドライバなどの各種の表示制御回路を、第１側面表示領域ＤＢ１に形成することができる。したがって第１側面表示領域ＤＢ１に形成される表示制御回路を備えている表示装置１を実現することができる。

　（表示制御回路の配置例）
　図５は、実施形態１に係る表示パネルＰのより詳細な構成例を示す平面図である。図５に示す表示パネルＰは、表面表示領域ＤＡと、側面表示領域ＤＢと、表面表示領域ＤＡおよび側面表示領域ＤＢを囲むように形成された額縁領域ＤＣと、端子部５４と、折曲部５６とを備えている。

　なお、表面表示領域ＤＡおよび側面表示領域ＤＢには複数のデータ信号線と複数の走査信号線との交差点に対応するように、マトリクス状に画素回路が設けられている。

　図６は、サブ画素ＳＰＢの構成例を示す回路図である。図９は、ｍ列ｎ行に対応する画素回路の構成を示す。なお、ここで説明する画素回路の構成は一例であって、他の公知の構成を採用することもできる。

　図６に示す画素回路は、１個の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと７個のトランジスタＴ１～Ｔ７（駆動トランジスタＴ１、書き込み制御トランジスタＴ２、電源供給制御トランジスタＴ３、発光制御トランジスタＴ４、閾値電圧補償トランジスタＴ５、初期化トランジスタＴ６、Ｔ７）と１個のコンデンサＣ１とを含んでいる。

　トランジスタＴ１～Ｔ７は、ｐチャネル型のトランジスタである。コンデンサＣ１は、２つの電極からなる容量素子である。発光制御線は、Ｔ３とＴ４の制御端子に接続する。走査信号線(n)は、Ｔ２とＴ５の制御端子に接続する。走査信号線（n-1）はＴ６とＴ７の制御端子に接続する。ただし、Ｔ７の制御端子は走査信号線（n）に接続されていてもよい。初期化電源線は、Ｔ６，Ｔ７の一方の導通端子に接続される。データ信号線はＴ２の一方の導通端子に接続される。高電源電圧線はＴ３の一方の導通端子に接続する。有機ＥＬ素子のカソードは複数の画素回路で共通し、低電源電圧ＥＬＶＳＳと電気的に接続する。

　端子部５４は、切欠部Ｌが形成された短手方向に伸びる一辺とは反対側の他辺側の額縁領域ＤＣに形成されている。端子部５４は、折曲部５６を介して、表面表示領域ＤＡおよび側面表示領域ＤＢに接続されている。このような表示パネルＰでは、モノリシックゲートドライバなどの表示制御回路（不図示）は、第１側面表示領域ＤＢまたは当該第１側面表示領域ＤＢ１に隣接する額縁領域ＤＣに形成され、端子部５４は額縁領域ＤＣに形成されている。

　表示制御回路は、表面表示領域ＤＡおよび側面表示領域ＤＢにおける表示を制御する。端子部５４は、表示パネルＰ１と外部の装置とを電気的に接続するためのケーブルの一端が装着される。

　図７は、引き回し配線５５の配置を示す平面図である。引き回し配線５５は、表面表示領域ＤＡおよび側面表示領域ＤＢと、端子部５４とを電気的に接続し、かつ、外部の信号を伝達する配線である。この図に示すように、複数の引き回し配線５５は、第１側面表示領域ＤＢ１において発光層２４と重畳するように配置される。

　〔実施形態２〕
　本発明の他の実施形態について、以下に説明する。なお、説明の便宜上、上記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない。

　図８の（ａ）は実施形態２に係る表示装置１１の構成例を示す斜視図であり、図８の（ｂ）は図８の（ａ）に示される表示装置１１が備える表示パネルＰを示す平面図である。なお、図８の（ｂ）は、表示パネルＰを湾曲線Ｆに沿って湾曲させる前の平坦な状態を示している。

　表示パネルＰは、表示装置１１の表面（正面）側に配置される表面表示領域ＤＡ（第１表示領域）と、表面表示領域ＤＡと連続し、表示装置１１の側面側に配置される側面表示領域ＤＢ（第２表示領域）とを含む。本実施形態に係る表示装置１１では、表示装置１１の短手方向に伸びる２つの側面のそれぞれに側面表示領域ＤＢが形成される。ただし、側面表示領域ＤＢは、表示装置１１の短手方向に伸びる２つの側面のうち少なくとも一方に形成されていればよい。

　表面表示領域ＤＡには、短手方向に伸びる一方の端部に切欠部Ｌが形成されている。ただし、切欠部Ｌは必須ではなく、省略してもよい。

　側面表示領域ＤＢは、第１側面表示領域ＤＢ１および第２側面表示領域ＤＢ２を含む。第１側面表示領域ＤＢ１は、側面表示領域ＤＢのうち、表面表示領域ＤＡとは反対側の端部（表示パネルＰの上下両端部）に沿って形成される。第２側面表示領域ＤＢ２は、表面表示領域ＤＡと第１側面表示領域ＤＢ１との間に挟まれて形成される。即ち、第２側面表示領域ＤＢ２は、側面表示領域ＤＢのうち、表面表示領域ＤＡ側の端部に沿って形成される。

　このように、側面表示領域ＤＢが形成される位置は、表示装置の側面であれば特に限定されない。即ち、側面表示領域ＤＢは、表示装置の長手方向に伸びる２つの側面のうち少なくとも一方の側面に形成されていてもよい。また、側面表示領域ＤＢは、表示装置の短手方向に伸びる２つの側面のうち少なくとも一方の側面に形成されていてもよい。さらの、側面表示領域ＤＢは、表示装置の長手方向に伸びる側面および短手方向に伸びる側面の両方に形成されていてもよい。

　〔実施形態３〕
　本発明の他の実施形態について、以下に説明する。なお、説明の便宜上、上記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない。

　図９は、実施形態３に係る側面表示領域ＤＢの構成を示す平面図である。図９には、第１側面表示領域ＤＢ１に配置されるすべてのサブ画素ＳＰＢのうち３行×６列分のサブ画素ＳＰＢを示す。これら３行を、図９の上から下に向かって順に行Ｒ１、Ｒ２、およびＲ３と称し、これら６列を図９の左から右に向かって順に列Ｃ１、Ｃ２、・・・Ｃ６と称する。図９において、ある行Ｒｎとある列Ｃｎとが交差する位置を、位置（Ｒｎ，Ｃｎ）と称する。例えば、行Ｒ１および列Ｃ１が交差する交差する位置は、位置（Ｒ１，Ｃ１）である。

　図９では、第１側面表示領域ＤＢ１に配置される複数のサブ画素ＳＰＢは、赤色を表示するサブ画素ＳＰＢと、緑色を表示するサブ画素ＳＰＢと、青色を表示するサブ画素ＳＰＢとを含む。各行の行方向に沿って、赤色のサブ画素ＳＰＢ、緑のサブ画素ＳＰＢ、および青のサブ画素ＳＰＢが、この順で繰り返し配置されている。各位置において、同一の色を表示（発光）する２つのサブ画素ＳＰＢが列方向に沿って並んで配置されている。詳細には、位置（Ｒ１、Ｃ１）に配置される２つのサブ画素ＳＰＢと、位置（Ｒ４，Ｃ１）に配置される２つのサブ画素ＳＰＢとは、いずれも赤色のサブ画素ＳＰＢである。位置（Ｒ２、Ｃ１）に配置される２つのサブ画素ＳＰＢと、位置（Ｒ５，Ｃ１）に配置される２つのサブ画素ＳＰＢとは、いずれも緑色のサブ画素ＳＰＢである。位置（Ｒ３、Ｃ１）に配置される２つのサブ画素ＳＰＢと、位置（Ｒ６，Ｃ１）に配置される２つのサブ画素ＳＰＢとは、いずれも青色のサブ画素ＳＰＢである。

　本実施形態では、第１側面表示領域ＤＢ１において、同一の色を表示する複数のサブ画素ＳＰＢが、列方向に並んで配置され得る。この場合、列方向に並んで配置される複数のサブ画素ＳＰＢは、共通の映像信号によって駆動される。さらに、列方向に並んで配置される複数のサブ画素ＳＰＢは、共通の１つのアノード電極２２に電気的に接続される。

　図９に示すように、第１側面表示領域ＤＢ１は、複数の発光制御トランジスタ（能動素子）ＴｄＲ、ＴｄＧ、およびＴｄＢをさらに備えている。発光制御トランジスタＴｄＲは赤色のサブ画素ＳＰＢの発光を制御し、発光制御トランジスタＴｄＧは緑色のサブ画素ＳＰＢの発光を制御し、発光制御トランジスタＴｄＢは青色のサブ画素ＳＰＢの発光を制御する。図９では、第１側面表示領域ＤＢ１に配置される複数のサブ画素ＳＰＢのそれぞれは、その表示色の種類に対応する別々の映像信号によって、駆動される。具体的には、赤色のサブ画素ＳＰＢは、発光制御トランジスタＴｄＲによって提供される映像信号によって駆動される。緑色のサブ画素ＳＰＢは、発光制御トランジスタＴｄＧによって提供される映像信号によって駆動される。青色のサブ画素ＳＰＢは、発光制御トランジスタＴｄＢによって提供される映像信号によって駆動される。

　図９では、各位置（Ｒｎ，Ｃｎ）において、列方向において隣接する２つのサブ画素ＳＰＢが、共通のアノード電極２２に電気的に接続されている。第１側面表示領域ＤＢ１に形成される共通のアノード電極２２は、表面表示領域ＤＡおよび第２側面表示領域ＤＢ２に形成される各サブ画素ＳＰＡに電気的に接続される個別のアノード電極２２よりも大きく、かつ、２つのサブ画素ＳＰＢに共通する。第１側面表示領域ＤＢ１において、個々のアノード電極２２は、いずれかの発光制御トランジスタＴｄのドレイン電極に接続されている。例えば、位置（Ｃ１，Ｒ１）に配置される共通のアノード電極２２は、発光制御トランジスタＴｄＲのドレイン電極に接続されている。したがって、各位置（Ｒｎ，Ｃｎ）に配置される２つのサブ画素ＳＰＢは、必ず同時に駆動される。言い換えれば、表示装置１は、共通のアノード電極２２に電気的に接続される２つのサブ画素ＳＰＢを、個別に駆動することはできない。

　第１側面表示領域ＤＢ１において、各位置（Ｒｎ，Ｃｎ）に配置される２つのサブ画素ＳＰＢと、対応する発光制御トランジスタＴｄとを接続する配線は、一本で済む。言い換えれば、２つのサブ画素ＳＰＢのうち一方を、対応する他の発光制御トランジスタＴｄに接続するための配線を、第１側面表示領域ＤＢ１に設ける必要がない。これにより、第１側面表示領域ＤＢ１に必要な配線の数を減らすことができるので、第１側面表示領域ＤＢ１のサブ画素構造をより設計し易くすることができる。さらには、第１側面表示領域ＤＢ１において、異なるアノード電極２２同士を導通する配線が不要であるため、第１側面表示領域ＤＢ１におけるアノード電極２２よりも下層の領域を自由にレイアウトすることができる。これにより、例えば第１側面表示領域ＤＢ１にモノリシックゲートドライバなどを形成することができる。

　第１側面表示領域ＤＢ１において、一群のサブ画素ＳＰＢのうち異なる位置に配置される複数のサブ画素ＳＰＢが、複数の発光制御トランジスタＴｄＲ、ＴｄＧ、およびＴｄＢのうちいずれかの共通の発光制御トランジスタＴｄに、電気的に接続されている。例えば、位置（Ｒ１，Ｃ１）に配置される２つのサブ画素ＳＰＢと、その三つ右隣りの位置（Ｒ４，Ｃ１）に配置される２つのサブ画素ＳＰＢとは、共通の発光制御トランジスタＴｄＲのドレイン電極に電気的に接続されている。言い換えれば、１つの発光制御トランジスタＴｄＲに対して、４つの赤色のサブ画素ＳＰＢが電気的に接続されている。

　図９では、このような発光制御トランジスタＴｄ：サブ画素ＳＰＢ＝１：４の関係が、第１側面表示領域ＤＢ１の至るところで成立する。例えば、位置（Ｒ２、Ｃ１）に配置される２つの緑色のサブ画素ＳＰＢと、位置（Ｒ５，Ｃ１）に配置される２つの緑色のサブ画素ＳＰＢとが、共通の発光制御トランジスタＴｄＧに電気的に接続されている。さらに、位置（Ｒ３、Ｃ１）に配置される２つの青色のサブ画素ＳＰＢと、位置（Ｒ６，Ｃ１）に配置される２つの青色のサブ画素ＳＰＢとが、共通の発光制御トランジスタＴｄＢに電気的に接続されている。

　これらのことから、第１側面表示領域ＤＢ１に形成されるすべての発光制御トランジスタＴｄのうち、いずれかのサブ画素ＳＰＢに接続されるのはその４分の１である。残りの４分の３は、サブ画素ＳＰＢに接続される必要がない。したがって、第１側面表示領域ＤＢ１におけるこれら残りのサブ画素ＳＰＢが形成される箇所を、ゲートドライバに組み込んだり、あるいは時分割切替駆動に使用されるＴＦＴの一部として使用したりすることができる。

　（変形例）
　図１０は、第１側面表示領域ＤＢに形成されるサブ画素ＳＰＢの変形例を示す平面図である。図１０に示すように、サブ画素ＳＰＢのアノード電極２２の寸法は、表面表示領域ＤＡに形成されるサブ画素ＳＰＡおよび第２側面表示領域ＤＢ２に形成されるサブ画素ＳＰＣの大きさより小さくてもよい。これにより、サブ画素ＳＰＢのアノード電極２２と他の配線のカップリングを小さくすることができる。また、走査信号線や、データ信号線の信号波形のなまりが低減することができる。

　図１１および図１２は、図１０に示されるサブ画素ＳＰＢの接続例を示す平面図である。図１１に示すように、隣接した同一の色を発光する複数のサブ画素ＳＰＢは、互いのアノード電極２２がＴＦＴ層４の配線１４を介して電気的に接続されていてもよい。また、図１２に示すように、隣接した同一の色を発光する複数のサブ画素ＳＰＢは、アノード電極２２が共通して形成されていてもよい。

　図１３および図１４は、図１０に示されるサブ画素ＳＰＢの他の接続例を示す平面図である。図１３に示すように、同一の色を発光する複数のサブ画素ＳＰＢは、共通の駆動トランジスタＴｄＲ・ＴｄＧ・ＴｄＢに接続されていてもよい。また、図１４に示すように、隣接する同一の色を発光する複数のサブ画素ＳＰＢは、共通の映像信号により駆動してもよい。

　図１０～１４に示すいずれの構成においても、画素回路を小型化でき設計スペースが空けることができるため、第１側面表示領域ＤＢ１と重畳するように、走査信号制御回路、発光信号制御回路、ＳＳＤ（source shared driving）等の制御回路が形成することができる。

　なお、実施形態１～３において、表示装置が備える電気光学素子（電流によって輝度や透過率が制御される電気光学素子）は特に限定されるものではない。本実施形態にかかる表示装置としては、例えば、電気光学素子としてＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode：有機発光ダイオード）を備えた有機ＥＬ（Electro Luminescence：エレクトロルミネッセンス）ディスプレイ、電気光学素子として無機発光ダイオードを備えた無機ＥＬディスプレイ、電気光学素子としてＱＬＥＤ（Quantum dot Light Emitting Diode：量子ドット発光ダイオード）を備えたＱＬＥＤディスプレイ等が挙げられる。

　〔まとめ〕
　態様１：第１電極と、前記第１電極よりも上層に形成され、前記第１電極の端部を覆うエッジカバーと、前記第１電極よりも上層に形成される発光層と、前記発光層よりも上層に形成される第２電極と、を備える複数の発光素子が形成された表示装置であって、
　前記表示装置は、前記表示装置の表面に設けられ、複数の第１発光素子が形成された第１表示領域と、前記第１表示領域と連続し前記表示装置の側面に設けられ、複数の第２発光素子が形成された第２表示領域と、を備え、前記第１発光素子の前記第１電極を露出させる前記エッジカバーの第１開口は、前記第２発光素子の前記第１電極を露出させる前記エッジカバーの第２開口よりも大きく、前記第１開口と重畳し、かつ前記発光層である第１発光層は、前記第２開口と重畳し、かつ前記発光層である第２発光層と同一の形状かつ同一の大きさを有することを特徴とする表示装置。

　態様２：前記第２発光素子は、前記第２表示領域のうち、少なくとも前記第１表示領域とは反対側の端部に沿って形成されることを特徴とする態様１の表示装置。

　態様３：前記第２表示領域において、前記第１発光素子と前記第２発光素子との間に第３発光素子が形成され、前記第１開口は、前記第３発光素子の前記第１電極を露出させる前記エッジカバーの第３開口と同一の形状かつ同一の大きさを有し、前記第１発光層は、前記第３開口と重畳し、かつ前記発光層である第３発光層と同一の形状かつ同一の大きさを有することを特徴とする態様２の表示装置。

　態様４：前記第２表示領域は、前記表示装置の長手方向に伸びる側面に形成されることを特徴とする態様１～３の記載の表示装置。

　態様５：前記第２表示領域は、前記表示装置の短手方向に伸びる側面に形成されることを特徴とする態様１～４の表示装置。

　態様６：前記第２発光素子の第１電極は、前記第１発光素子の第１電極よりも小さいことを特徴とする態様１～５の表示装置。

　態様７：同一の色を発光する複数の前記第２発光素子は、互いの第１電極がＴＦＴ層の配線を介して電気的に接続されていることを特徴とする態様１～６の表示装置。

　態様８：同一の色を発光する複数の前記第２発光素子は、第１電極が共通して形成されることを特徴とする態様１～６の表示装置。

　態様９：同一の色を発光する複数の前記第２発光素子は、共通の映像信号により駆動されることを特徴とする態様１～８の表示装置。

　態様１０：同一の色を発光する複数の前記第２発光素子は、共通の駆動トランジスタに接続されていることを特徴とする態様１～８の表示装置。

　本発明は前述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能である。異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態も、本発明の技術的範囲に含まれる。各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることによって、新しい技術的特徴を形成することもできる。

１　表示装置、ＤＡ　表面表示領域（第１表示領域）、ＤＢ　側面表示領域（第２表示領域）、ＤＢ１　第１側面表示領域（第２表示領域）、ＤＢ２　第２側面表示領域（第２表示領域）、ＤＣ　額縁領域、ＳＰＡ　サブ画素（第１発光素子）、ＳＰＢ　サブ画素（第２発光素子）、ＳＰＣ　サブ画素（第３発光素子）、１４　ＴＦＴ層の配線、２２　アノード電極（第１電極）、２３　エッジカバー、２５　カソード電極（第２電極）、ＨＡ　開口（第１開口）、ＨＢ　開口（第２開口）、ＨＣ　開口（第３開口）、２４　発光層（第１発光層、第２発光層、第３発光層）、ＴｄＲ　発光制御トランジスタ（駆動素子）、ＴｄＢ　発光制御トランジスタ（駆動素子）、ＴｄＧ　発光制御トランジスタ（駆動素子）

Claims

　第１電極と、前記第１電極よりも上層に形成され、前記第１電極の端部を覆うエッジカバーと、前記第１電極よりも上層に形成される発光層と、前記発光層よりも上層に形成される第２電極と、を備える複数の発光素子が形成された表示装置であって、
　前記表示装置は、前記表示装置の表面に設けられ、複数の第１発光素子が形成された第１表示領域と、前記第１表示領域と連続し前記表示装置の側面に設けられ、複数の第２発光素子が形成された第２表示領域と、を備え、
　前記第１発光素子の前記第１電極を露出させる前記エッジカバーの第１開口は、前記第２発光素子の前記第１電極を露出させる前記エッジカバーの第２開口よりも大きく、
　前記第１開口と重畳し、かつ前記発光層である第１発光層は、前記第２開口と重畳し、かつ前記発光層である第２発光層と同一の形状かつ同一の大きさを有することを特徴とする表示装置。
　前記第２発光素子は、前記第２表示領域のうち、少なくとも前記第１表示領域とは反対側の端部に沿って形成されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
　前記第２表示領域において、前記第１発光素子と前記第２発光素子との間に第３発光素子が形成され、前記第１開口は、前記第３発光素子の前記第１電極を露出させる前記エッジカバーの第３開口と同一の形状かつ同一の大きさを有し、
　前記第１発光層は、前記第３開口と重畳し、かつ前記発光層である第３発光層と同一の形状かつ同一の大きさを有することを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
　前記第２表示領域は、前記表示装置の長手方向に伸びる側面に形成されることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の表示装置。
　前記第２表示領域は、前記表示装置の短手方向に伸びる側面に形成されることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の表示装置。
　前記第２発光素子の第１電極は、前記第１発光素子の第１電極よりも小さいことを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の表示装置。
　同一の色を発光する複数の前記第２発光素子は、互いの第１電極がＴＦＴ層の配線を介して電気的に接続されていることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の表示装置。
　同一の色を発光する複数の前記第２発光素子は、第１電極が共通して形成されることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の表示装置。
　同一の色を発光する複数の前記第２発光素子は、共通の映像信号により駆動されることを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の表示装置。
　同一の色を発光する複数の前記第２発光素子は、共通の駆動トランジスタに接続されていることを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の表示装置。