JP2009081097A - 電気光学装置および電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】従来より面積の小さいダミー領域により表示領域における機能層の層厚ムラの防止・抑制効果が従来と同等に得られる電気光学装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置100は、基板10と、基板10上に位置しており、表示に寄与する複数の有効画素2と、基板10上の複数の有効画素2の周囲に位置しており、表示に寄与しない複数のダミー画素6と、基板10上に設けられており、複数の有効画素2のそれぞれの領域と複数のダミー画素6のそれぞれの領域とを区画する隔壁28と、有効画素2の領域に機能液を配置して形成された機能層30と、ダミー画素6の領域に機能液を配置して形成されたダミー機能層40と、を備え、ダミー機能層40の底部から隔壁28の頂上部までの高さHdは、機能層30の底部から隔壁28の頂上部までの高さHeよりも高いことを特徴とする。
【選択図】図4
【解決手段】電気光学装置100は、基板10と、基板10上に位置しており、表示に寄与する複数の有効画素2と、基板10上の複数の有効画素2の周囲に位置しており、表示に寄与しない複数のダミー画素6と、基板10上に設けられており、複数の有効画素2のそれぞれの領域と複数のダミー画素6のそれぞれの領域とを区画する隔壁28と、有効画素2の領域に機能液を配置して形成された機能層30と、ダミー画素6の領域に機能液を配置して形成されたダミー機能層40と、を備え、ダミー機能層40の底部から隔壁28の頂上部までの高さHdは、機能層30の底部から隔壁28の頂上部までの高さHeよりも高いことを特徴とする。
【選択図】図4
Description
本発明は、電気光学装置および電子機器に関する。
有機EL方式の電気光学装置の製造には、有機機能層を液滴吐出法により形成する方法が広く用いられている。液滴吐出法では、有機機能層の構成材料を含む機能液を所定の領域、例えば画素の領域に選択的に配置し、この機能液から溶媒を蒸発させて有機機能層を形成する。このため、プロセスを簡易にするとともに原材料の使用量を少なくすることができる。
一方で、液滴吐出法では、表示に寄与する画素が位置する表示領域のうち周辺部で、配置された機能液から蒸発する溶媒分子の分圧が表示領域の中央部よりも低くなる場合がある。このような現象は、表示領域の周辺部のうちでも特に角部において生じやすい。このような現象が生じると、表示領域の周辺部において機能液の乾燥速度が速くなり、その結果、画素内あるいは画素間で有機機能層の層厚ムラが生じることがある。このような層厚ムラは、輝度ムラや発光色ムラ等の表示ムラの原因となる。
そこで、表示領域に位置する画素とほぼ同じ面積と深さとを有し表示に寄与しないダミー画素を表示領域の外側に配置し、表示領域に位置する画素に形成する有機機能層の構成材料を含む機能液をこのダミー画素に配置することで、表示領域の中央部と周辺部とにおいて有機機能層の層厚ムラが生じることを防止あるいは抑制する構成が提案されている(例えば特許文献1)。
また、ダミー領域を配置することによる層厚ムラの防止・抑制効果を高めるために、ダミー領域に吐出する単位面積あたりの溶媒の量を表示領域に吐出する単位面積あたりの溶媒の量よりも多くする構成(例えば特許文献2)や、ダミー領域における有機機能層の液受容部の面積を大きくする構成(例えば特許文献3)が提案されている。
しかしながら、上述の各構成では、ダミー領域の面積をある程度大きくする必要があり、表示領域の面積を確保するためには、電気光学装置全体の面積を大きくしなければならない。電気光学装置全体の面積が大きくなると、電気光学装置のコスト上昇を招くとともに、電気光学装置を備えた電子機器が大型化するという課題があった。
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
[適用例1]本適用例に係る電気光学装置は、基板と、前記基板上に位置しており、表示に寄与する複数の第1の画素と、前記基板上の前記複数の第1の画素の周囲に位置しており、表示に寄与しない複数の第2の画素と、前記基板上に設けられており、前記複数の第1の画素のそれぞれの領域と前記複数の第2の画素のそれぞれの領域とを区画する隔壁と、前記第1の画素の前記領域に機能液を配置して形成された第1の機能層と、前記第2の画素の前記領域に機能液を配置して形成された第2の機能層と、を備え、前記第2の機能層の底部から前記隔壁の頂上部までの高さは、前記第1の機能層の底部から前記隔壁の頂上部までの高さよりも高いことを特徴とする。
この構成によれば、複数の第1の画素のそれぞれの領域に液滴吐出法により機能液を配置して第1の機能層を形成する場合、第1の画素の周囲に位置する複数の第2の画素のそれぞれの領域にも同じ機能液を配置することで、機能液の液滴を配置する範囲が複数の第1の画素の周囲よりも広くなる。このため、第1の画素の領域に配置された機能液の周囲には第1の画素、または第2の画素の領域に配置された機能液が存在する。これにより、複数の第1の画素の領域に配置される機能液の乾燥速度をほぼ同じにできるので、表示に寄与する第1の画素の領域に形成される第1の機能層の層厚をほぼ均一にすることができる。
さらに、第2の機能層の底部から隔壁の頂上部までの高さが第1の機能層の底部から隔壁の頂上部までの高さよりも高いので、第2の画素の領域における単位面積あたりの機能液の受容量は第1の画素の領域における単位面積あたりの機能液の受容量よりも多い。これにより、従来のような第2の画素の領域と第1の画素の領域とにおける単位面積あたりの機能液の受容量が同じ場合に比べて、表示に寄与しない第2の画素の領域における単位面積あたりの機能液の受容量を増大できる。
[適用例2]上記適用例に係る電気光学装置であって、前記第2の画素の前記領域の最大径は、前記第1の画素の前記領域の最大径よりも小さくてもよい。
この構成によれば、第2の画素の領域の最大径が第1の画素の領域の最大径よりも小さいので、従来のような第2の画素の領域の面積と第1の画素の領域の面積とが同じ場合に比べて、表示に寄与しない複数の第2の画素の電気光学装置全体に占める面積を小さくできる。また、第2の画素の領域における単位面積あたりの機能液の受容量が従来よりも多いので、第2の画素の領域が従来より小さくても、従来とほぼ同量の機能液を配置できる。これにより、電気光学装置全体の面積が従来と同じであれば、第2の画素の領域に機能液を配置することによる効果を従来と同等に維持しつつ、表示に寄与する複数の第1の画素の領域の面積を従来より大きくできる。
[適用例3]上記適用例に係る電気光学装置であって、前記第2の機能層の層厚は、前記第1の機能層の層厚よりも厚くてもよい。
この構成によれば、第2の機能層の層厚は第1の機能層の層厚よりも厚いので、第2の画素の領域に吐出された単位面積あたりの液滴の量は第1の画素の領域に吐出された単位面積あたりの液滴の量よりも多い。このため、従来のように第2の画素の領域の面積と第1の画素の領域の面積とが同じ場合、第2の画素の領域に従来よりも多くの機能液を配置できる。また、第2の画素の領域に配置する機能液の量が従来と同じ量である場合、表示に寄与しない第2の画素の領域の面積を従来よりも小さくできる。
[適用例4]上記適用例に係る電気光学装置であって、前記複数の第2の画素のうち、前記電気光学装置の角部に位置する前記第2の画素の前記領域に形成された前記第2の機能層の層厚は、前記角部に位置する前記第2の画素以外の前記第2の画素の前記領域に配置された前記第2の機能層の層厚よりも厚くてもよい。
この構成によれば、電気光学装置の角部に位置する第2の画素の領域に吐出された単位面積あたりの液滴の量は、それ以外の第2の画素の領域に吐出された単位面積あたりの液滴の量よりも多い。このため、電気光学装置の角部に位置する第2の画素の領域の面積と角部以外に位置する第2の画素の領域の面積とが同じ場合、角部に位置する第2の画素の領域に配置された機能液の量はそれ以外の第2の画素の領域に配置された機能液の量よりも多い。これにより、複数の第2の画素の中でも特に乾燥の速い、電気光学装置の角部に位置する第2の画素の領域における機能液の乾燥時間を長くすることができる。したがって、複数の第2の画素の領域に配置される機能液の乾燥速度のバラツキが抑えられるので、表示に寄与する第1の画素の領域に形成される機能層の層厚をより均一にすることができる。
[適用例5]上記適用例に係る電気光学装置であって、前記第1の機能層と前記基板との間に位置する電極と、前記電極と前記基板との間に位置する下地層と、をさらに備え、前記電極と前記下地層とは、前記第2の画素の前記領域以外に配置されていてもよい。
この構成によれば、第1の機能層の基板側には電極と下地層とが位置している。一方、第2の画素の領域には電極と下地層とは配置されないので、第2の機能層の底部から隔壁の頂上部までの高さを、第1の機能層の底部から隔壁の頂上部までの高さに対して、少なくとも電極と下地層との層厚分高くできる。
[適用例6]上記適用例に係る電気光学装置であって、前記下地層は有機材料からなっていてもよい。
[適用例7]上記適用例に係る電気光学装置であって、前記下地層は無機材料からなっていてもよい。
[適用例8]上記適用例に係る電気光学装置であって、前記下地層は、前記電極の前記基板側に位置するTFT素子の層間絶縁層を含んでいてもよい。
この構成によれば、層間絶縁層を第2の画素の領域に配置しないことで、第2の機能層の底部から隔壁の頂上部までの高さを、第1の機能層の底部から隔壁の頂上部までの高さに対して、層間絶縁層の層厚分さらに高くできる。
[適用例9]上記適用例に係る電気光学装置であって、前記第1の機能層と前記第2の機能層とは、有機エレクトロルミネセンス層であってもよい。
この構成によれば、表示に寄与する第1の画素の領域に形成される有機エレクトロルミネセンス層の層厚ムラが抑えられるので、表示ムラのない有機エレクトロルミネセンス装置を提供できる。
[適用例10]上記適用例に係る電気光学装置であって、前記第1の機能層と前記第2の機能層とは、所定の色光を選択的に透過する色要素であってもよい。
この構成によれば、表示に寄与する第1の画素の領域に形成される色要素の層厚ムラが抑えられるので、色ムラのないカラーフィルタを備えた電気光学装置を提供できる。
[適用例11]本適用例に係る電子機器は、上記に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、電子機器は表示ムラのない有機エレクトロルミネセンス装置または色ムラのないカラーフィルタを備えているので、優れた表示品質を有する電子機器を提供できる。
以下に、本実施の形態について図面を参照して説明する。なお、参照する各図面において、構成をわかりやすく示すため、各構成要素の層厚や寸法の比率等は適宜異ならせてある。
(第1の実施形態)
まず、第1の実施形態に係る電気光学装置の構成について図を参照して説明する。図1および図2は、第1の実施形態に係る電気光学装置を示す平面図である。図2は、詳しくは、図1のA部を拡大して示した図である。図3は、第1の実施形態に係る電気光学装置の回路構成図である。図4は、第1の実施形態に係る電気光学装置の概略構成を示す断面図である。詳しくは、図2のB−B’線に沿った部分断面図である。なお、図2では、以下の位置関係の説明に必要な構成要素のみを図示している。
まず、第1の実施形態に係る電気光学装置の構成について図を参照して説明する。図1および図2は、第1の実施形態に係る電気光学装置を示す平面図である。図2は、詳しくは、図1のA部を拡大して示した図である。図3は、第1の実施形態に係る電気光学装置の回路構成図である。図4は、第1の実施形態に係る電気光学装置の概略構成を示す断面図である。詳しくは、図2のB−B’線に沿った部分断面図である。なお、図2では、以下の位置関係の説明に必要な構成要素のみを図示している。
本実施形態に係る電気光学装置100は、図1に示すように、基板10と、基板10上に位置する有効表示エリアEとダミーエリアDとを有している。ダミーエリアDは、有効表示エリアEの周囲に位置している。
図2に示すように、基板10上の有効表示エリアEには、赤、緑、青の表示に寄与する第1の画素としての有効画素2R,2G,2B(対応する色について区別しない場合には単に有効画素2とも呼ぶ)が複数配置されている。有効画素2は、電気光学装置100の表示の最小単位であり、隣り合う有効画素2同士の間に間隔が空くように、マトリクス状に配置されている。なお、X軸は有効画素2の行方向を示し、Y軸は有効画素2の列方向を示している。
有効画素2は、有機エレクトロルミネセンス素子(以下有機EL素子と呼ぶ)8を表示素子として備えており、赤、緑、青のそれぞれに発光する有機EL素子8R,8G,8Bにより得られた光を表示光として出力するようになっている。有効画素2R,2G,2Bから画素群4が構成されている。電気光学装置100では、画素群4において有効画素2R,2G,2Bのそれぞれの表示の輝度を適宜変えることで、種々の色の表示を行うことができる。
基板10上のダミーエリアDには、有効画素2が配置された有効表示エリアEの全周囲に亘って、表示に寄与しない第2の画素としてのダミー画素6が複数配置されている。ダミー画素6は、X軸方向およびY軸方向のそれぞれにおいて、有効画素2とほぼ同じピッチで配列されている。
基板10上には、有効表示エリアEとダミーエリアDとに亘って隔壁28が設けられている。隔壁28は、ほぼ格子状に形成されており、有効画素2のそれぞれの領域とダミー画素6のそれぞれの領域とを区画している。隔壁28は、有効表示エリアEに有効画素2に対応する開口部28eを複数有しており、ダミーエリアDにダミー画素6に対応する開口部28dを複数有している。開口部28eすなわち有効画素2の領域は、例えば最大径2aを有する長円形である。開口部28eの形状は、円形、四隅が丸い四角形、またはその他の形状であってもよい。開口部28dすなわちダミー画素6の領域は、開口部28eとほぼ同じ形状であり、最大径6aを有している。ダミー画素6の最大径6aは、有効画素2の最大径2aよりも小さい。また、ダミー画素6の面積は、有効画素2の面積よりも小さい。
次に、図3を参照して、電気光学装置100の回路構成を説明する。図3に示すように、電気光学装置100は、基板10上に有効画素2のそれぞれに対応して設けられた、スイッチング用TFT(薄膜トランジスタ)11,12と、保持容量13と、電極としての画素電極26と、共通電極50と、第1の機能層としての機能層30と、を備えている。画素電極26は陽極として機能し、共通電極50は陰極として機能する。画素電極26と、共通電極50と、機能層30と、によって有機EL素子8が構成される。
基板10上には、さらに、データ線駆動回路14と、走査線駆動回路15と、X軸の方向に沿って延びる複数の走査線16と、Y軸の方向に沿って延びる複数の信号線17と、信号線17に並列に延びる複数の電源線18と、が設けられている。なお、図2と同様に、X軸は有効画素2の行方向を示し、Y軸は有効画素2の列方向を示している。走査線駆動回路15には走査線16が接続されており、走査線16を介して走査信号がスイッチング用TFT11のゲート電極に供給される。
一方、データ線駆動回路14には信号線17が接続されており、スイッチング用TFT11がオン状態になると、信号線17を介して供給される画像信号が保持容量13に保持され、この保持容量13の状態に応じてスイッチング用TFT12のオン・オフ状態が決まる。そして、スイッチング用TFT12を介して電源線18に電気的に接続したとき、電源線18から画素電極26に駆動電流が流れ、さらに機能層30を通じて共通電極50に電流が流れる。機能層30は、画素電極26と共通電極50との間に流れる電流量に応じた輝度で発光する。
なお、表示に寄与しないダミー画素6(図2参照)には、スイッチング用TFT11,12、保持容量13、画素電極26、等の有効画素2の駆動回路を設けなくてもよい。したがって、ダミー画素6が位置するダミーエリアD(図2参照)にデータ線駆動回路14、走査線駆動回路15等の少なくとも一部を配置してもよい。
次に、図4を参照して、電気光学装置100の概略構成を説明する。電気光学装置100は、機能層30から発した光が基板10側に射出されるボトムエミッション方式である。なお、図4では、画素電極26を駆動するためのスイッチング用TFT12を含むTFT素子部20とその層間絶縁層22とを示すが、それ以外の素子、配線、接続部等の詳細は省略する。
電気光学装置100は、基板10上に、TFT素子部20と、層間絶縁層22と、下地層としての平坦化層24と、画素電極26と、隔壁28と、機能層30と、第2の機能層としてのダミー機能層40と、共通電極50と、接着層46と、封止基板48と、を備えている。
基板10は、透光性を有する材料からなる。透光性を有する材料としては、例えばガラス、石英、樹脂(プラスチック、プラスチックフィルム)等があげられる。
TFT素子部20と、層間絶縁層22と、は基板10上に形成されている。TFT素子部20は、有効画素2のそれぞれに対応して設けられており、有効画素2のそれぞれの領域に重ならないように配置されている。
平坦化層24は、TFT素子部20と層間絶縁層22とを覆うように形成されている。平坦化層24は、ダミーエリアDに、例えばエッチングにより設けられた複数の貫通孔24dを有している。貫通孔24dのそれぞれは、ダミー画素6のそれぞれの領域に対応しており、最大径6aを有する長円形状である(図2参照)。平坦化層24は、例えば透光性を有するアクリル樹脂やポリイミド系樹脂等の有機材料からなる。平坦化層24の層厚は、例えば2μm〜8μmである。
画素電極26は、平坦化層24上に有効画素2のそれぞれに対応して形成されている。画素電極26は、例えば、四隅が丸い四角形であり、有効画素2の領域よりも一回り大きな領域を有している。画素電極26は、有効画素2と同じ形状であってもよい。画素電極26は、透光性導電材料からなり、例えばITO(Indium Tin Oxide)からなる。画素電極26は、平坦化層24に設けられたコンタクトホール24cを介してTFT素子部20に接続されている。
隔壁28は、平坦化層24上に形成されている。隔壁28は、画素電極26の周縁部に重なっていてもよい。隔壁28の開口部28dのそれぞれは、平坦化層24の貫通孔24dのそれぞれに重なっている。隔壁28は、例えばアクリル樹脂等の有機材料からなり、表面にCF4プラズマ処理等の撥液化処理が施されている。隔壁28は、フッ素系樹脂等の撥液性を有する材料で構成されていてもよい。隔壁28の層厚は、例えば2μm〜3μmである。
機能層30は、隔壁28で囲まれた有効画素2のそれぞれの領域に形成され、画素電極26上に位置している。機能層30は、順に積層された正孔注入層32と発光層34とで構成されている。機能層30では、正孔注入層32から注入された正孔と、共通電極50から注入される電子と、が発光層34で再結合しすることにより発光が得られる。発光層34は、赤、緑、青のそれぞれに発光する発光層34R,34G,34B(対応する色について区別しない場合には単に発光層34とも呼ぶ)の3種類を有する。発光層34R,34G,34Bはそれぞれ有効画素2R,2G,2Bに対応している。
正孔注入層32の材料は、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸(PSS)等の混合物を用いることができる。正孔注入層32の材料は、ポリスチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレンやその誘導体であってもよい。正孔注入層32の層厚は、例えば50nmである。
発光層34の材料は、赤、緑、青に発光する(ポリ)フルオレン誘導体(PF)、(ポリ)パラフェニレンビニレン誘導体(PPV)、ポリフェニレン誘導体(PP)、ポリパラフェニレン誘導体(PPP)、ポリビニルカルバゾール(PVK)、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン(PMPS)等を用いることができる。また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素等の高分子系材料や、ルブレン、ペリレン、9,10−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン6、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いてもよい。発光層34の層厚は、例えば100nmである。
ダミー機能層40は、隔壁28で囲まれたダミー画素6のそれぞれの領域に形成され、層間絶縁層22上に位置している。ダミー機能層40の底部が接する層間絶縁層22上面から隔壁28の頂上部までの高さHdは、機能層30の底部が接する画素電極26上面から隔壁28の頂上部までの高さHeよりも、平坦化層24と画素電極26との層厚分だけ高くなっている。このため、ダミー画素6の領域の単位面積あたりの機能液受容量は、有効画素2の領域の単位面積あたりの機能液受容量よりも多くできる。
ダミー機能層40は、順に積層されたダミー正孔注入層42とダミー発光層44とで構成されている。ダミー正孔注入層42は正孔注入層32と同じ材料を用いて形成され、ダミー発光層44は発光層34と同じ材料を用いて形成されている。ダミー正孔注入層42は正孔注入層32よりも厚く形成され、ダミー発光層44は発光層34よりも厚く形成されている。すなわち、ダミー画素6の領域に配置された単位面積あたりの機能液の量は、有効画素2の領域に配置された単位面積あたりの機能液の量よりも多い。
ダミー正孔注入層42およびダミー発光層44のそれぞれの層厚は、例えば、正孔注入層32および発光層34のそれぞれの層厚のほぼ2倍である。ダミー正孔注入層42およびダミー発光層44のそれぞれの層厚は、正孔注入層32および発光層34のそれぞれの層厚の2倍以上であってもよい。
また、複数のダミー機能層40のうち、電気光学装置100の角部に位置するダミー画素6c(図2参照)に形成されるダミー機能層40の層厚は、それ以外のダミー機能層40の層厚よりも厚くなっている。すなわち、電気光学装置100の角部に位置するダミー画素6の領域に配置された単位面積あたりの機能液の量は、それ以外のダミー画素6の領域に配置された単位面積あたりの機能液の量よりも多い。
ここで、機能層30とダミー機能層40とを形成する方法について説明する。機能層30とダミー機能層40とは、例えば液滴吐出法により形成されるが、特にインクジェット法が好適に用いられる。機能層30とダミー機能層40との形成に先立って、機能層30を形成する画素電極26の表面とダミー機能層40を形成する層間絶縁層22の表面と、にO2プラズマ処理等の親液化処理を施す。また、隔壁28の表面にCF4プラズマ処理等の撥液化処理を施す。
次に、隔壁28で囲まれた有効画素2の領域とダミー画素6の領域とに正孔注入層32の材料を含む機能液を、インクジェット法により吐出して配置する。この機能液は、例えばPEDOTとPSSを重量比1:50で混合し、ジエチレングリコール50%を含む純水からなる溶液を溶媒として、固形分濃度0.5%に溶解した組成物である。
このとき、ダミー画素6の領域における単位面積あたりの機能液吐出量を、有効画素2の領域における単位面積あたりの機能液吐出量よりも多くし、例えば2倍の量とする。また、ダミー画素6の領域から機能液の吐出を開始し、吐出量が安定した状態で有効画素2の領域に機能液を吐出する。そして、吐出を止める前にはダミー画素6の領域に機能液を吐出する。このようにして機能液を配置した後真空乾燥を行い、続いて熱処理(200℃、10分間)を行う。これにより、有効画素2の領域に正孔注入層32が形成され、ダミー画素6の領域にダミー正孔注入層42が形成される。
次に、隔壁28で囲まれた有効画素2の領域とダミー画素6の領域とに、さらに発光層34の材料を含む機能液を、インクジェット法により吐出して配置する。この機能液は、例えば上述の発光層34の材料をシクロヘキシルベンゼン100%を溶媒として溶解した組成物である。
このとき、ダミー画素6の領域における単位面積あたりの機能液吐出量を、有効画素2の領域における単位面積あたりの機能液吐出量よりも多くし、例えば2倍の量とする。このようにして機能液を配置した後真空乾燥を行い、続いて窒素雰囲気中で熱処理(130℃、1時間)を行う。これにより、有効画素2の領域に正孔注入層32と発光層34とが積層された機能層30が形成され、ダミー画素6の領域にダミー正孔注入層42とダミー発光層44とが積層されたダミー機能層40が形成される。
共通電極50は、隔壁28と機能層30とダミー機能層40との全体を覆うように形成されている。共通電極50は、図示しないが、例えば、層厚5nmのLiF層と、層厚300nmのAl層と、が順に積層され構成されている。LiF層とAl層とは、例えば蒸着法により形成される。この構成により、共通電極50は電子注入層および反射層を兼ねている。
共通電極50上には、共通電極50を覆うように、接着層46を介して封止基板48が貼着されている。接着層46は、例えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂等からなる。封止基板48は、透光性を有する材料及び透光性を有していない材料のいずれを用いてもよい。透光性を有していない材料としては、例えばアルミナ等のセラミックス、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したものの他に、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等があげられる。
本実施形態の電気光学装置100においては、機能層30から基板10側に発した光が基板10側に射出されるとともに、機能層30から共通電極50側に発した光が共通電極50により反射されて、基板10側に射出される。
上記第1の実施形態によれば、以下の効果が得られる。
(1)表示に寄与する複数の有効画素2のそれぞれの領域に液滴吐出法により機能液を配置して機能層30を形成する場合、有効画素2の周囲に表示に寄与しない複数のダミー画素6が配置されているので、有効画素2の周囲に位置する複数のダミー画素6のそれぞれの領域にも同じ機能液を配置することで、機能液の液滴を配置する範囲が複数の有効画素2の周囲よりも広くなる。このため、有効画素2の領域に配置された機能液の周囲には有効画素2、またはダミー画素6の領域に配置された機能液が存在する。これにより、複数の有効画素2の領域に配置される機能液の乾燥速度をほぼ同じにできるので、表示に寄与する有効画素2の領域に形成される機能層30の層厚をほぼ均一にすることができる。
また、ダミー機能層40の底部が接する層間絶縁層22上面から隔壁28の頂上部までの高さHdが、機能層30の底部が接する画素電極26上面から隔壁28の頂上部までの高さHeよりも高いので、ダミー画素6の領域における単位面積あたりの機能液の受容量は有効画素2の領域における単位面積あたりの機能液の受容量よりも多い。これにより、従来のようなダミー画素6の領域と有効画素2の領域とにおける単位面積あたりの機能液の受容量が同じ場合に比べて、表示に寄与しないダミー画素6の領域における単位面積あたりの機能液の受容量を増大できる。
(2)ダミー画素6の領域の最大径6aが有効画素2の領域の最大径2aよりも小さいので、従来のようなダミー画素6の領域の面積と有効画素2の領域の面積とが同じ場合に比べて、表示に寄与しない複数のダミー画素6の電気光学装置100全体に占める面積を小さくできる。また、ダミー画素6の領域における単位面積あたりの機能液の受容量が従来よりも多いので、ダミー画素6の領域が従来より小さくても、従来とほぼ同量の機能液を配置できる。これにより、電気光学装置100全体の面積が従来と同じであれば、ダミー画素6の領域に機能液を配置することによる効果を従来と同等に維持しつつ、表示に寄与する複数の有効画素2の領域の面積を従来より大きくできる。
(3)ダミー機能層40の層厚は機能層30の層厚よりも厚いので、ダミー画素6の領域に吐出された単位面積あたりの液滴の量は有効画素2の領域に吐出された単位面積あたりの液滴の量よりも多い。このため、従来のようにダミー画素6の領域の面積と有効画素2の領域の面積とが同じ場合、ダミー画素6の領域に従来よりも多くの機能液を配置できる。また、ダミー画素6の領域に配置する機能液の量が従来と同じ量である場合、表示に寄与しないダミー画素6の領域の面積を従来よりも小さくできる。
(4)電気光学装置100の角部に位置するダミー画素6cの領域に吐出された単位面積あたりの液滴の量は、それ以外のダミー画素6の領域に吐出された単位面積あたりの液滴の量よりも多い。
このため、電気光学装置100の角部に位置するダミー画素6cの領域の面積と角部以外に位置するダミー画素6の領域の面積とが同じ場合、角部に位置するダミー画素6cの領域に配置された機能液の量はそれ以外のダミー画素6の領域に配置された機能液の量よりも多い。これにより、複数のダミー画素6の中でも特に乾燥の速い、電気光学装置100の角部に位置するダミー画素6cの領域における機能液の乾燥時間を長くすることができる。したがって、複数のダミー画素6の領域に配置される機能液の乾燥速度のバラツキが抑えられるので、表示に寄与する有効画素2の領域に形成される機能層30の層厚をより均一にすることができる。
このため、電気光学装置100の角部に位置するダミー画素6cの領域の面積と角部以外に位置するダミー画素6の領域の面積とが同じ場合、角部に位置するダミー画素6cの領域に配置された機能液の量はそれ以外のダミー画素6の領域に配置された機能液の量よりも多い。これにより、複数のダミー画素6の中でも特に乾燥の速い、電気光学装置100の角部に位置するダミー画素6cの領域における機能液の乾燥時間を長くすることができる。したがって、複数のダミー画素6の領域に配置される機能液の乾燥速度のバラツキが抑えられるので、表示に寄与する有効画素2の領域に形成される機能層30の層厚をより均一にすることができる。
(5)機能層30の基板10側には画素電極26と平坦化層24とが位置している。一方、ダミー画素6の領域には画素電極26と平坦化層24とは配置されないので、ダミー画素6の底部から隔壁28の頂上部までの高さHdを、有効画素2の底部から隔壁28の頂上部までの高さHeに対して、少なくとも画素電極26と平坦化層24との層厚分高くできる。
(第2の実施形態)
次に、第2の実施形態に係る電気光学装置の構成について図を参照して説明する。図5は、第2の実施形態に係る電気光学装置の概略構成を示す部分断面図である。なお、第1の実施形態と共通する構成要素については同一の符号を付しその説明を省略する。
次に、第2の実施形態に係る電気光学装置の構成について図を参照して説明する。図5は、第2の実施形態に係る電気光学装置の概略構成を示す部分断面図である。なお、第1の実施形態と共通する構成要素については同一の符号を付しその説明を省略する。
第2の実施形態に係る電気光学装置200は、第1の実施形態に係る電気光学装置100に対して、無機絶縁層27をさらに備えている点が異なっているが、その他の構成は同じである。
図5に示すように、電気光学装置200は、基板10と、TFT素子部20と、層間絶縁層22と、平坦化層24と、画素電極26と、無機絶縁層27と、隔壁28と、機能層30と、ダミー機能層40と、共通電極50と、接着層46と、封止基板48と、を備えている。
無機絶縁層27は、平坦化層24と隔壁28との間に設けられ、有効表示エリアEに配置されている。無機絶縁層27は、有効画素2に対応した複数の開口部27eを有している。開口部27eは、有効画素2の領域、すなわち隔壁28の開口部28eよりも小さい。したがって、無機絶縁層27は、開口部27eの周囲に沿って画素電極26の周縁部に所定幅で重なる部分を有している。無機絶縁層27は、ダミーエリアDにも配置され、ダミー画素6に対応した複数の開口部を有していてもよい。
無機絶縁層27は、例えばSiO2等の無機材料からなり、表面にO2プラズマ処理等の親液化処理が施されている。この構成により、正孔注入層32や発光層34の材料を含む機能液との親液性を高め、正孔注入層32や発光層34を隔壁28近傍まできちんと形成することによって、画素電極26と共通電極50との短絡を防止できる。
上記第2の実施形態においても、ダミー機能層40の底部が接する層間絶縁層22上面から隔壁28の頂上部までの高さHdは、機能層30の底部が接する画素電極26上面から隔壁28の頂上部までの高さHeよりも、平坦化層24と画素電極26との層厚分だけ高くなっている。したがって、第1の実施形態と同等の効果が得られる。
(第3の実施形態)
次に、第3の実施形態に係る電気光学装置の構成について図を参照して説明する。図6は、第3の実施形態に係る電気光学装置の概略構成を示す部分断面図である。なお、第1の実施形態と共通する構成要素については同一の符号を付しその説明を省略する。
次に、第3の実施形態に係る電気光学装置の構成について図を参照して説明する。図6は、第3の実施形態に係る電気光学装置の概略構成を示す部分断面図である。なお、第1の実施形態と共通する構成要素については同一の符号を付しその説明を省略する。
第3の実施形態に係る電気光学装置300は、第1の実施形態に係る電気光学装置100に対して、平坦化層24の代わりに無機絶縁層25を備えている点が異なっているが、その他の構成は同じである。
図6に示すように、電気光学装置300は、基板10と、TFT素子部20と、層間絶縁層22と、無機絶縁層25と、画素電極26と、隔壁28と、機能層30と、ダミー機能層40と、共通電極50と、接着層46と、封止基板48と、を備えている。
無機絶縁層25は、TFT素子部20と層間絶縁層22とを覆うように形成されている。無機絶縁層25は、ダミーエリアDに複数の貫通孔25dを有している。貫通孔25dのそれぞれは、ダミー画素6のそれぞれの領域に対応しており、最大径6aを有する長円形状である。無機絶縁層25は、例えばSiO2等の無機材料からなる。
上記第3の実施形態においては、ダミー機能層40の底部が接する無機絶縁層25上面から隔壁28の頂上部までの高さHdは、機能層30の底部が接する画素電極26上面から隔壁28の頂上部までの高さHeよりも、無機絶縁層25と画素電極26との層厚分だけ高くなっている。したがって、第1の実施形態とほぼ同等の効果が得られる。
(第4の実施形態)
次に、第4の実施形態に係る電気光学装置の構成について図を参照して説明する。図7は、第4の実施形態に係る電気光学装置の概略構成を示す部分断面図である。なお、第1の実施形態と共通する構成要素については同一の符号を付しその説明を省略する。
次に、第4の実施形態に係る電気光学装置の構成について図を参照して説明する。図7は、第4の実施形態に係る電気光学装置の概略構成を示す部分断面図である。なお、第1の実施形態と共通する構成要素については同一の符号を付しその説明を省略する。
第4の実施形態に係る電気光学装置400は、第1の実施形態に係る電気光学装置100に対して、層間絶縁層22にダミー画素6に対応した貫通孔が設けられている点が異なっているが、その他の構成は同じである。
図7に示すように、電気光学装置400は、基板10と、TFT素子部20と、層間絶縁層22と、平坦化層24と、画素電極26と、隔壁28と、機能層30と、ダミー機能層40と、共通電極50と、接着層46と、封止基板48と、を備えている。
層間絶縁層22には、ダミーエリアDに複数の貫通孔22dが、例えばエッチングにより設けられている。貫通孔22dのそれぞれは、ダミー画素6のそれぞれの領域に対応しており、最大径6aを有する長円形状である。貫通孔22dのそれぞれは、平坦化層24の貫通孔24dと隔壁28の開口部28dとに重なっている。
ダミー機能層40は、基板10上に位置している。ダミー機能層40の底部が接する基板10上面から隔壁28の頂上部までの高さHdは、機能層30の底部が接する画素電極26上面から隔壁28の頂上部までの高さHeよりも、層間絶縁層22と平坦化層24と画素電極26との層厚分だけ高くなっている。すなわち、電気光学装置400における高さHdは、第1の実施形態の電気光学装置100における高さHdよりも層間絶縁層22の層厚分だけさらに高くなっている。このため、ダミー画素6の領域の単位面積あたりの機能液受容量を、有効画素2の領域の単位面積あたりの機能液受容量よりもさらに多くできる。
上記第4の実施形態によれば、従来のようにダミー画素6の領域の面積と有効画素2の領域の面積とが同じ場合、ダミー画素6の領域に従来よりもさらに多くの機能液を配置できる。また、ダミー画素6の領域に配置する機能液の量が従来と同じ量である場合、表示に寄与しないダミー画素6の領域の面積を従来よりもさらに小さくできる。
なお、第4の実施形態の構成は、第2の実施形態または第3の実施形態に適用してもよい。これらの場合においても同等の効果が得られる。
(第5の実施形態)
次に、第5の実施形態に係る電気光学装置の構成について図を参照して説明する。図8は、第5の実施形態に係る電気光学装置を示す平面図である。図9は、第5の実施形態に係る電気光学装置の概略構成を示す断面図である。詳しくは、図8のC−C’線に沿った部分断面図である。なお、図8では、以下の位置関係の説明に必要な構成要素のみを図示している。
次に、第5の実施形態に係る電気光学装置の構成について図を参照して説明する。図8は、第5の実施形態に係る電気光学装置を示す平面図である。図9は、第5の実施形態に係る電気光学装置の概略構成を示す断面図である。詳しくは、図8のC−C’線に沿った部分断面図である。なお、図8では、以下の位置関係の説明に必要な構成要素のみを図示している。
第5の実施形態に係る電気光学装置500は、図9に示すように、TFT素子部62を備えた基板60と、カラーフィルタ層80を備えた基板70と、基板60と基板70との間に位置する液晶層90と、を備えたアクティブマトリクス方式の液晶装置である。
図8に示すように、基板70上の有効表示エリアEには、赤、緑、青の表示に寄与する第1の画素としての有効画素3R,3G,3B(対応する色について区別しない場合には単に有効画素3とも呼ぶ)が複数配置されている。有効画素3は、電気光学装置500の表示の最小単位であり、隣り合う有効画素3同士の間に間隔が空くように、マトリクス状に配置されている。有効画素3R,3G,3Bから画素群5が構成されている。電気光学装置500では、画素群5において有効画素3R,3G,3Bのそれぞれの表示の輝度を適宜変えることで、種々の色の表示を行うことができる。
基板70上のダミーエリアDには、有効画素3が配置された有効表示エリアEの全周囲に亘って、表示に寄与しない第2の画素としてのダミー画素7が複数配置されている。ダミー画素7は、X軸方向およびY軸方向のそれぞれにおいて、有効画素3とほぼ同じピッチで配列されている。なお、X軸は有効画素3の行方向を示し、Y軸は有効画素3の列方向を示している。
基板70上には、有効表示エリアEとダミーエリアDとに亘って、隔壁74が設けられている。隔壁74は、ほぼ格子状に形成されており、有効画素3のそれぞれの領域とダミー画素7のそれぞれの領域とを区画している。隔壁74は、有効表示エリアEに有効画素3に対応する開口部74eを複数有しており、ダミーエリアDにダミー画素7対応する開口部74dを複数有している。開口部74eすなわち有効画素3の領域は、例えば最大径3aを有する長方形である。開口部74dすなわちダミー画素7の領域は、開口部74eとほぼ同じ形状であり、最大径7aを有している。ダミー画素7の最大径7aは、有効画素3の最大径3aよりも小さい。また、ダミー画素7の面積は、有効画素3の面積よりも小さい。
次に、図9を参照して、電気光学装置500の概略構成を説明する。基板60は、透光性を有する材料からなる。基板60上には、複数のTFT素子部62と層間絶縁層64とが設けられており、TFT素子部62と層間絶縁層64とを覆うように平坦化層66が設けられている。平坦化層66上には、TFT素子部62のそれぞれに接続された複数の画素電極68が設けられている。画素電極68は、例えばITOからなる。
基板70は、透光性を有する材料からなる。基板70の液晶層90側には、カラーフィルタ層80と、オーバーコート層82と、共通電極84と、が積層されて設けられている。カラーフィルタ層80は、樹脂層72と、隔壁74と、第1の機能層としての色要素76と、第2の機能層としてのダミー色要素78と、を備えている。
樹脂層72は、例えば透光性を有するアクリル樹脂やポリイミド系樹脂等の有機材料からなる。樹脂層72には、ダミーエリアDに開口部72dを有する凹部72aが、例えばエッチングにより設けられている。隔壁74は、樹脂層72上に形成されている。隔壁74の開口部74dは、凹部72aの開口部72dに重なっている。隔壁74は、例えばアクリル樹脂等の有機材料からなる。なお、樹脂層72と隔壁74との間に、隔壁74と重なるように、遮光層が設けられていてもよい。
色要素76は、隔壁74で囲まれた領域に形成され、樹脂層72上に位置している。色要素76は、所定の色光としての赤、緑、青の3色のいずれかを選択的に透過する。色要素76はこれら3色のそれぞれに対応する色要素76R,76G,76Bを有しており、3つの画素電極68との組み合わせにより、3色の画素3R,3G,3Bがそれぞれ構成される。色要素76は、3種(3色)の色要素材料を溶媒に溶解または分散させた機能液を、例えばインクジェット法により、第1の実施形態と同様の方法で吐出して形成される。
ダミー色要素78は、隔壁74で囲まれた領域に形成され、樹脂層72の凹部72a上に位置している。ダミー色要素78は、色要素76と同じ材料からなる機能液を、例えばインクジェット法により吐出した後乾燥、熱処理等を行い形成される。ダミー色要素78の底部が接する凹部72a上面から隔壁74の頂上部までの高さHdは、色要素76の底部が接する樹脂層72上面から隔壁74の頂上部までの高さHeよりも、凹部72aの深さ分だけ高くなっている。このため、ダミー画素7の領域の単位面積あたりの機能液受容量を、有効画素3の領域の単位面積あたりの機能液受容量よりも多くできる。
なお、樹脂層72には、開口部72dを有する貫通孔が設けられていてもよい。この場合、ダミー色要素78の底部から隔壁74の頂上部までの高さHdは、色要素76の底部から隔壁74の頂上部までの高さHeよりも、樹脂層72の層厚分だけ高くなる。したがって、ダミー画素7の領域の単位面積あたりの機能液受容量を、有効画素3の領域の単位面積あたりの機能液受容量よりもさらに多くできる。
オーバーコート層82は、カラーフィルタ層80を覆うように形成されている。共通電極84は、オーバーコート層82上に形成されている。共通電極84は、例えばITOからなる。
液晶層90は、基板60と基板70との間に位置している。基板60の液晶層90に接する側には、図示しないが、平坦化層66と画素電極68とを覆うように配向膜が形成されている。基板70の液晶層90に接する側には、図示しないが、共通電極84を覆うように配向膜が形成されている。液晶層90は、これらの配向膜に施された配向処理によって配向方向が規制されている。また、図示しないが、基板60の液晶層90と反対側および基板70の液晶層90と反対側には、それぞれ偏光板が配置されている。
上記第5の実施形態によれば、以下の効果が得られる。
(1)カラーフィルタ層80の色要素76を液滴吐出法により機能液を配置して形成する場合、表示に寄与する複数の有効画素3の周囲に、表示に寄与しない複数のダミー画素7が配置されているので、有効画素3の周囲に位置する複数のダミー画素7のそれぞれの領域にも同じ機能液を配置することで、機能液の液滴を配置する範囲が複数の有効画素3の周囲よりも広くなる。このため、有効画素3の領域に配置された機能液の周囲には有効画素3、またはダミー画素7の領域に配置された機能液が存在する。これにより、複数の有効画素3の領域に配置される機能液の乾燥速度をほぼ同じにできるので、表示に寄与する有効画素3の領域に形成される色要素76の層厚をほぼ均一にすることができる。
また、ダミー画素7の底部が接する凹部72a上面から隔壁74の頂上部までの高さHdが、有効画素3の底部が接する樹脂層72上面から隔壁74の頂上部までの高さHeよりも高いので、ダミー画素7の領域における単位面積あたりの機能液の受容量は有効画素3の領域における単位面積あたりの機能液の受容量よりも多い。これにより、従来のようなダミー画素7の領域と有効画素3の領域とにおける単位面積あたりの機能液の受容量が同じ場合に比べて、表示に寄与しないダミー画素7の領域における単位面積あたりの機能液の受容量を増大できる。
(2)ダミー画素7の領域の最大径7aが有効画素3の領域の最大径3aよりも小さいので、従来のようなダミー画素7の領域の面積と有効画素3の領域の面積とが同じ場合に比べて、表示に寄与しない複数のダミー画素7の電気光学装置500全体に占める面積を小さくできる。また、ダミー画素7の領域における単位面積あたりの機能液の受容量が従来よりも多いので、ダミー画素7の領域が従来より小さくても、従来とほぼ同量の機能液を配置できる。これにより、電気光学装置500全体の面積が従来と同じであれば、ダミー画素7の領域に機能液を配置することによる効果を従来と同等に維持しつつ、表示に寄与する複数の有効画素3の領域の面積を従来より大きくできる。
(3)ダミー色要素78の層厚は色要素76の層厚よりも厚いので、ダミー画素7の領域に吐出された単位面積あたりの液滴の量は有効画素3の領域に吐出された単位面積あたりの液滴の量よりも多い。このため、従来のようにダミー画素7の領域の面積と有効画素3の領域の面積とが同じ場合、ダミー画素7の領域に従来よりも多くの機能液を配置できる。また、ダミー画素7の領域に配置する機能液の量が従来と同じ量である場合、表示に寄与しないダミー画素7の領域の面積を従来よりも小さくできる。
(電子機器)
上述した電気光学装置100,200,300,400,500は、例えば、図10に示すように、電子機器としての携帯電話機600に搭載して用いることができる。携帯電話機600は、表示部602に電気光学装置100,200,300,400,500を備えている。この構成により、表示部602を有する携帯電話機600は表示ムラがなく優れた表示品質を有している。
上述した電気光学装置100,200,300,400,500は、例えば、図10に示すように、電子機器としての携帯電話機600に搭載して用いることができる。携帯電話機600は、表示部602に電気光学装置100,200,300,400,500を備えている。この構成により、表示部602を有する携帯電話機600は表示ムラがなく優れた表示品質を有している。
また、電子機器は、モバイルコンピュータ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、オーディオ機器であってもよい。
上記実施形態に対しては、様々な変形を加えることが可能である。変形例としては、例えば以下のようなものが考えられる。
(変形例1)
上記の実施形態の電気光学装置100,200,300,400はボトムエミッション方式の有機EL装置であったが、この形態に限定されない。電気光学装置は、機能層30から発した光が封止基板48側に射出されるトップエミッション方式の有機EL装置であってもよい。電気光学装置がトップエミッション方式の有機EL装置である場合、基板10は透明な材料及び不透明な材料のいずれを用いてもよい。TFT素子部20は、有効画素2のそれぞれの領域に重なっていてもよい。また、トップエミッション方式である場合、共通電極50には透光性を有する導電材料が用いられ、封止基板48には透光性を有する材料が用いられる。
上記の実施形態の電気光学装置100,200,300,400はボトムエミッション方式の有機EL装置であったが、この形態に限定されない。電気光学装置は、機能層30から発した光が封止基板48側に射出されるトップエミッション方式の有機EL装置であってもよい。電気光学装置がトップエミッション方式の有機EL装置である場合、基板10は透明な材料及び不透明な材料のいずれを用いてもよい。TFT素子部20は、有効画素2のそれぞれの領域に重なっていてもよい。また、トップエミッション方式である場合、共通電極50には透光性を有する導電材料が用いられ、封止基板48には透光性を有する材料が用いられる。
(変形例2)
上記の実施形態の電気光学装置500はカラーフィルタ層80を備えたアクティブマトリクス方式の液晶装置であったが、この形態に限定されない。電気光学装置は、カラーフィルタ層を備えたパッシブマトリクス方式の液晶装置であってもよい。また、電気光学装置は、カラーフィルタ層を備え、有機EL素子の発光により得られた光がカラーフィルタ層を通してR,G,Bの各色に着色される有機EL装置であってもよい。
上記の実施形態の電気光学装置500はカラーフィルタ層80を備えたアクティブマトリクス方式の液晶装置であったが、この形態に限定されない。電気光学装置は、カラーフィルタ層を備えたパッシブマトリクス方式の液晶装置であってもよい。また、電気光学装置は、カラーフィルタ層を備え、有機EL素子の発光により得られた光がカラーフィルタ層を通してR,G,Bの各色に着色される有機EL装置であってもよい。
2R,2G,2B…有効画素、2a…最大径、3R,3G,3B…有効画素、3a…最大径、4…画素群、5…画素群、6…ダミー画素、6a…最大径、6c…ダミー画素、7…ダミー画素、7a…最大径、8R,8G,8B…有機EL素子、10…基板、11…スイッチング用TFT、12…スイッチング用TFT、13…保持容量、14…データ線駆動回路、15…走査線駆動回路、16…走査線、17…信号線、18…電源線、20…TFT素子部、22…層間絶縁層、22d…貫通孔、24…平坦化層、24c…コンタクトホール、24d…貫通孔、25…無機絶縁層、25d…貫通孔、26…画素電極、27…無機絶縁層、27e…開口部、28…隔壁、28d…開口部、28e…開口部、30…機能層、32…正孔注入層、34R,34G,34B…発光層、40…ダミー機能層、42…ダミー正孔注入層、44…ダミー発光層、46…接着層、48…封止基板、50…共通電極、60…基板、62…TFT素子部、64…層間絶縁層、66…平坦化層、68…画素電極、70…基板、72…樹脂層、72a…凹部、72d…開口部、74…隔壁、74d…開口部、74e…開口部、76R,76G,76B…色要素、78…ダミー色要素、80…カラーフィルタ層、82…オーバーコート層、84…共通電極、90…液晶層、100…電気光学装置、200…電気光学装置、300…電気光学装置、400…電気光学装置、500…電気光学装置、600…携帯電話機、602…表示部。
Claims (11)
- 基板と、
前記基板上に位置しており、表示に寄与する複数の第1の画素と、
前記基板上の前記複数の第1の画素の周囲に位置しており、表示に寄与しない複数の第2の画素と、
前記基板上に設けられており、前記複数の第1の画素のそれぞれの領域と前記複数の第2の画素のそれぞれの領域とを区画する隔壁と、
前記第1の画素の前記領域に機能液を配置して形成された第1の機能層と、
前記第2の画素の前記領域に機能液を配置して形成された第2の機能層と、を備え、
前記第2の機能層の底部から前記隔壁の頂上部までの高さは、前記第1の機能層の底部から前記隔壁の頂上部までの高さよりも高いことを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1に記載の電気光学装置であって、
前記第2の画素の前記領域の最大径は、前記第1の画素の前記領域の最大径よりも小さいことを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1または2に記載の電気光学装置であって、
前記第2の機能層の層厚は、前記第1の機能層の層厚よりも厚いことを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1から3のいずれか1項に記載の電気光学装置であって、
前記複数の第2の画素のうち、前記電気光学装置の角部に位置する前記第2の画素の前記領域に形成された前記第2の機能層の層厚は、前記角部に位置する前記第2の画素以外の前記第2の画素の前記領域に配置された前記第2の機能層の層厚よりも厚いことを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1から4のいずれか1項に記載の電気光学装置であって、
前記第1の機能層と前記基板との間に位置する電極と、
前記電極と前記基板との間に位置する下地層と、をさらに備え、
前記電極と前記下地層とは、前記第2の画素の前記領域以外に配置されていることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項5に記載の電気光学装置であって、
前記下地層は、有機材料からなることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項5に記載の電気光学装置であって、
前記下地層は、無機材料からなることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項7に記載の電気光学装置であって、
前記下地層は、前記電極の前記基板側に位置するTFT素子の層間絶縁層を含むことを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1から8のいずれか1項に記載の電気光学装置であって、
前記第1の機能層と前記第2の機能層とは、有機エレクトロルミネセンス層であることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1から4のいずれか1項に記載の電気光学装置であって、
前記第1の機能層と前記第2の機能層とは、所定の色光を選択的に透過する色要素であることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1から10のいずれか1項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
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